JP7280527B2 - 放電装置、冷媒評価装置、及び冷媒評価方法 - Google Patents

Description

本開示は、冷媒における不均化反応の生じやすさの判定に用いられる放電装置に関する。本開示は、さらに、そのような放電装置を用いる冷媒評価装置及び冷媒評価方法に関する。

非特許文献１（日本工業規格（ＪＩＳ）Ｚ８８３４）には、粉じん・空気混合物の最小着火エネルギー測定方法（Method for determining minimum ignition energy of dust/air mixtures）が開示されている。この測定方法は、可燃性粉じん及び空気の混合物が電気放電によって着火しやすいか否かを判定するために用いられる。

しかし、この測定方法を、冷媒における不均化反応の生じやすさを判定する目的に転用することは困難である。その理由は、冷媒に高圧を印加している環境において放電が生じにくい事である。

したがって、ある種類の冷媒における不均化反応の生じやすさの判定、換言すれば、試料冷媒に既に生じている不均化反応の程度の判定のためには、高圧の冷媒中で放電を生じさせることが可能な放電装置が必要である。

第１観点の放電装置は、第１電極及び第２電極と、キャパシタと、リアクタ部と、を備える。第１電極及び第２電極は、互いに離間して配置される。キャパシタは、エネルギーを蓄えることによって第１電極及び第２電極の間に第１電圧を印加する。リアクタ部は、第１リアクタ及び第２リアクタを有する。リアクタ部は、第１電極及び第２電極の間に印加される第２電圧を誘導により発生することによって、第１電極及び第２電極の間にエネルギーの放電を開始させる。

この構成によれば、リアクタ部が２つのリアクタを有する。したがって、リアクタ部が大きなリアクタンスを有することができるので、リアクタ部が大きな第２電圧を生成することができる。したがって、第１電極及び第２電極の間に高圧の冷媒が配置される場合において、大きな誘導電圧によって放電を開始させ、それによってキャパシタに蓄えられたエネルギーを冷媒に与えることができるので、冷媒の不均化反応の評価が可能になる。

第２観点の放電装置は、第１観点の放電装置であって、第１リアクタが、フェライト製の第１リアクタコア及び第１リアクタコアに巻かれた第１コイルを有する。第２リアクタは、フェライト製の第２リアクタコア及び第２リアクタコアに巻かれた第２コイルを有する。

この構成によれば、第１リアクタコア及び第２リアクタコアの材質がフェライトである。したがって、第２電圧を大きくしやすい。

第３観点の放電装置は、第２観点の放電装置であって、第１リアクタコア及び第２リアクタコアの透磁率が、２５０Ｈ／ｍ以上である。

この構成によれば、リアクタコアが大きな透磁率を有する。したがって、第２電圧を大きくしやすい。

第４観点の放電装置は、第２観点又は第３観点の放電装置であって、第１コイル及び第２コイルの巻数が、２０以上かつ１００以下である。

この構成によれば、コイルは所定の巻数を有する。したがって、フェライトコアと協働することによって、コイルは大きな第２電圧を発生することができる。

第５観点の放電装置は、第２観点から第４観点のいずれか１つの放電装置であって、第１コイル及び第２コイルの材質は、銅及び銀の中から選択される。

この構成によれば、コイルの材質の抵抗率が小さい。したがって、エネルギーの損失を低減できる。

第６観点の放電装置は、第２観点から第５観点のいずれか１つの放電装置であって、放電の際にエネルギーが伝達される放電経路をさらに備える。放電経路は、直列に配置されたキャパシタ、第１コイル、及び第２コイルを有する。放電経路は、半導体素子を有しない。

この構成によれば、放電経路は半導体素子を備えない。したがって、放電経路は、半導体素子の数アンペア程度の定格電流を超える大きな電流を扱うことができるので、放電経路は大きなエネルギーを冷媒に対して与えることができる。

第７観点の放電装置は、第２観点から第６観点のいずれか１つの放電装置であって、第１リアクタが、第１リアクタコアに巻かれた第１入力コイルを有する。第２リアクタは、第２リアクタコアに巻かれた第２入力コイルを有する。

この構成によれば、第１入力コイル及び第２入力コイルに電流を流すことによって、第２電圧を誘導することができる。

第８観点の放電装置は、第１観点から第７観点のいずれか１つの放電装置であって、第２電圧が、２０ｋＶ以上かつ１００ｋＶ以下である。

この構成によれば、第２電圧の値が大きい。したがって、放電装置は大きな放電エネルギーを冷媒に対して与えることができるので、冷媒が受け取るエネルギーの大きさが安定する。

第９観点の放電装置は、第１観点から第８観点のいずれか１つの放電装置であって、第１電極又は第２電極を流れる電流が５０Ａ以上である。

この構成によれば、放電に関与する電流の値が大きい。したがって、放電装置は大きな放電エネルギーを冷媒に対して与えることができるので、冷媒が受け取るエネルギーの大きさが安定する。

第１０観点の放電装置は、第１観点から第９観点のいずれか１つの放電装置であって、第１電極及び第２電極の各々の直径が、３ｍｍ以下である。

この構成によれば、電極の直径が小さい。したがって、第１電極及び第２電極の体積が小さいので、放電によって一時的に生じる熱エネルギーが第１電極又は第２電極を形成する金属材料によって冷却されるおそれが少ない。

第１１観点の放電装置は、第１観点から第１０観点のいずれか１つの放電装置であって、第１電極と第２電極が、互いに１０μｍ以上離間している。

この構成によれば、第１電極及び第２電極の間の離間距離が大きく保たれる。したがって、冷媒が受け取る放電エネルギーの大きさが安定する。

第１２観点の放電装置は、第１観点から第１１観点のいずれか１つの放電装置であって、キャパシタの静電容量が、３０μＦ以上である。

この構成によれば、キャパシタの静電容量が大きい。したがって、放電装置は大きな放電エネルギーを冷媒に対して与えることができるので、冷媒が受け取るエネルギーの大きさが安定する。

第１３観点の冷媒評価装置は、放電装置と、冷媒室と、圧力センサと、演算ユニットと、を備える。放電装置は、第１観点から第１２観点のいずれか１つの放電装置である。冷媒室は、第１電極及び第２電極が配置された内部空間を有する。内部空間は冷媒を収容できる。圧力センサは、冷媒の圧力を取得する。演算ユニットは、圧力センサの出力に基づいて、冷媒の不均化反応の程度を算出する。リアクタ部に誘導された第２電圧が第１電極及び第２電極に印加されることによって、冷媒においてエネルギーの放電が開始される。

この構成によれば、放電装置が大きな放電エネルギーを冷媒に対して与えることができる。したがって、冷媒評価装置は、安定的に冷媒の不均化反応の程度を判定することができる。

第１４観点の冷媒評価方法では、第１電極及び第２電極が配置された内部空間を有する冷媒室が準備され、冷媒が冷媒室の内部空間に導入され、冷媒の圧力が第１圧力として取得され、キャパシタにエネルギーを蓄えることによって第１電極及び第２電極の間に第１電圧が印加され、リアクタ部が誘導する第２電圧が第１電極及び第２電極に印加されることによって冷媒においてエネルギーの放電が開始され、放電においてエネルギーが冷媒に与られ、冷媒の圧力が第２圧力として取得され、第１圧力及び第２圧力に基づいて冷媒における不均化反応の程度が算出される。

この方法によれば、冷媒の不均化反応の程度を知ることができる。

第１５観点の冷媒評価方法は、第１４観点の冷媒評価方法であって、第１電極と第２電極が、互いに１０μｍ以上離間している。第１電極及び第２電極の各々の直径は、３ｍｍ以下である。放電時における第１電極と第２電極の間の電圧は、２０ｋＶ以上かつ１００ｋＶ以下である。第１電極又は第２電極を流れる電流は５０Ａ以上である。

この方法によれば、冷媒の不均化反応の程度を安定的に知ることができる。

図１は、冷媒評価装置１００の構成を示す模式図である。

＜基本実施形態＞
（１）全体構成
図１は、冷媒評価装置１００の構成を示す模式図である。冷媒評価装置１００は、ある種類の冷媒における不均化反応の生じやすさを判定するために用いられるものであり、換言すれば、試料冷媒に既に生じている不均化反応の程度を判定するために用いられるものである。冷媒評価装置１００は、冷媒室７０と、充電装置１０と、放電装置２０と、演算ユニット８０を有する。

（２）詳細構成
（２－１）冷媒室７０
冷媒室７０は、内部空間を有するチャンバである。内部空間には、高圧の冷媒７３が収容できる。この冷媒７３は、測定対象の試料である。

冷媒室７０の内部空間には、第１電極７１及び第２電極７２が設けられている。第１電極７１及び第２電極７２は、協働して冷媒７３の中で放電を発生させる。第１電極７１及び第２電極７２は、互いに離間距離Ｄだけ離間するように配置されている。第１電極７１及び第２電極７２の各々は直径φを有する。

冷媒室７０の中には、冷媒７３の圧力を取得するための圧力センサ７４が配置されている。

（２－２）充電装置１０
充電装置１０は、放電によって冷媒７３に与えるべきエネルギーＥを蓄積するためのものである。充電装置１０は、このエネルギーＥを後述する放電装置２０のキャパシタ３１に蓄える。

充電装置１０は、直流電源１１、抵抗器１２、充電スイッチ１３を有する。

直流電源１１は、正端子１１ａと負端子１１ｂを有し、正端子１１ａと負端子１１ｂの間に直流電圧Ｖ_０を出力する。

抵抗器１２は、少なくとも正端子１１ａ及び負端子１１ｂの一方に接続される。

充電スイッチ１３は、直流電源１１が出力する直流電圧Ｖ_０を、放電装置２０のキャパシタ３１へ伝達し、又は、キャパシタ３１から遮断する。これによって、充電スイッチ１３は、キャパシタ３１の充電を行う。充電スイッチ１３は、例えば、機械的な切換素子であるスイッチ又はリレーであってもよいし、あるいはパワートランジスタのような半導体素子であってもよい。

（２－３）放電装置２０
放電装置２０は、第１電極７１と第２電極７２の間に放電を発生させ、それによってエネルギーＥを冷媒７３に与えるためのものである。

放電装置２０は、エネルギー蓄積部３０及びリアクタ部４０を有する。放電装置２０は、半導体素子を有しない。

放電装置２０は、放電経路ＤＰを有する。放電経路ＤＰは、第２電極７２に接続されたノードＮ１から、ノードＮ２、ノードＮ３、及びノードＮ４を経由して、第１電極７１に接続されたノードＮ５へ延びる。放電経路ＤＰは、パワートランジスタのような半導体素子を有しない。

（２－３－１）エネルギー蓄積部３０
エネルギー蓄積部３０は、キャパシタ３１を有する。キャパシタ３１は、第１端子３１ａ及び第２端子３１ｂを有する。第１端子３１ａは、ノードＮ３に接続されている。第２端子３１ｂは、ノードＮ２に接続されている。エネルギー蓄積部３０は、パワートランジスタなどの半導体素子を有しない。

ノードＮ３は、抵抗器１２及び充電スイッチ１３を介して直流電源１１の正端子１１ａに接続される。ノードＮ２は、直流電源１１の負端子１１ｂに接続される。

キャパシタ３１は静電容量Ｃを有する。充電スイッチ１３は閉じられることによって、キャパシタ３１が充電される。これにより、キャパシタ３１は電荷Ｑを蓄積する。その後充電スイッチ１３が開放されても、キャパシタ３１は電荷Ｑの働きにより、第１端子３１ａと第２端子３１ｂの間には第１電圧Ｖ_１を保持する。このとき、キャパシタ３１が蓄えるエネルギーＥは、Ｅ＝（１／２）×Ｃ×（Ｖ_１）^２の式で表される。

冷媒室７０において放電が生じていない場合に、第１電圧Ｖ_１は第１電極７１と第２電極７２に印加される。

（２－３－２）リアクタ部４０
リアクタ部４０は、第１電極７１と第２電極７２の間の放電を開始させるためのものである。リアクタ部４０は、誘導によって大きな第２電圧Ｖ_２を発生させる。たとえ第１電極７１と第２電極７２の間に第１電圧Ｖ_１が印加されている場合であっても、放電が生じていない間には、第１電極７１と第２電極７２の間に電流Ｉは流れない。この状態において、リアクタ部４０が発生させた大きな第２電圧Ｖ_２が第１電極７１と第２電極７２に印加されることによって、冷媒７３にプラズマが発生し、第１電極７１と第２電極７２の間に導通が生じる。その後、キャパシタ３１が蓄えた電荷Ｑが第１電極７１と第２電極７２の間を移動し、それによって冷媒７３に放電が起こる。

リアクタ部４０は、第１リアクタ５０、及び第２リアクタ６０を有する。第１リアクタ５０と第２リアクタ６０は直列に接続される。

第１リアクタ５０は、第１リアクタコア５１、第１一次コイル５４、第１二次コイル５３、第１充電キャパシタ５５、第１放電スイッチ５６を有する。第１リアクタコア５１の材質はフェライトである。第１リアクタコア５１は透磁率μを有する。第１一次コイル５４及び第１二次コイル５３は、いずれも第１リアクタコア５１に巻かれている。第１二次コイル５３は巻数Ｎを有する。第１二次コイル５３の材質は、銅及び銀の中から選択される。第１放電スイッチ５６は、例えば、機械的な切換素子であるスイッチ又はリレーであってもよいし、あるいはパワートランジスタのような半導体素子であってもよい。

第２リアクタ６０は、第２リアクタコア６１、第２一次コイル６４、第２二次コイル６３、第２充電キャパシタ６５、第２放電スイッチ６６を有する。第２リアクタコア６１の材質はフェライトである。第２リアクタコア６１は透磁率μを有する。第２一次コイル６４及び第２二次コイル６３は、いずれも第２リアクタコア６１に巻かれている。第２二次コイル６３は巻数Ｎを有する。第２二次コイル６３の材質は、銅及び銀の中から選択される。第２放電スイッチ６６は、例えば、機械的な切換素子であるスイッチ又はリレーであってもよいし、あるいはパワートランジスタのような半導体素子であってもよい。

第１二次コイル５３は、ノードＮ３に接続される一端と、ノードＮ４に接続される他端を有する。第２二次コイル６３は、ノードＮ４に接続される一端と、ノードＮ５に接続される他端を有する。リアクタ部４０は、少なくともノードＮ３からノードＮ５まで延びる放電経路ＤＰにおいては、パワートランジスタなどの半導体素子を有しない。

第１充電キャパシタ５５は、図示しない充電回路によって充電される。第１放電スイッチ５６は、第１充電キャパシタ５５に蓄積された電荷を放電させることによって、第１一次コイル５４に過渡電流を流す。この過渡電流が、第１二次コイル５３に誘導電圧を生じさせる。

第２充電キャパシタ６５は、図示しない充電回路によって充電される。第２放電スイッチ６６は、第２充電キャパシタ６５に蓄積された電荷を放電させることによって、第２一次コイル６４に過渡電流を流す。この過渡電流が、第２二次コイル６３に誘導電圧を生じさせる。

大きな第２電圧Ｖ_２は、第１二次コイル５３及び第２二次コイル６３という複数のコイルの誘導電圧によって発生する。

（２－４）演算ユニット８０
演算ユニット８０は、中央演算装置と記憶装置を備えるコンピュータである。演算ユニット８０は、少なくとも圧力センサ７４の出力に基づいて、冷媒７３の不均化反応の程度を算出する。

演算ユニット８０は、冷媒７３の不均化反応の程度を算出するに際し、電圧計８１及び電流計８２の出力をさらに利用してもよい。電圧計８１は、第１電極７１及び第２電極７２の間の電位差である第３電圧Ｖ_３を計測する。電流計８２は、第１電極７１又は第２電極７２を流れる電流Ｉを計測する。電流計８２は、例えばノードＮ１とノードＮ２によって挟まれる区間に配置される。電流計８２は、放電経路ＤＰに与える抵抗分をほとんど有していない。したがって、ノードＮ１とノードＮ２によって挟まれる区間には、電流計８２に起因する半導体素子は存在しないと考えてよい。

演算ユニット８０は、充電スイッチ１３、第１放電スイッチ５６、及び第２放電スイッチ６６の少なくとも一部を開閉する制御を行ってもよい。

（３）パラメータ
冷媒室７０に収容される冷媒７３の圧力は、例えば、１ＭＰａ以上かつ１０ＭＰａ以下に設定される。

第１電圧Ｖ_１は、例えば、１００Ｖ以上かつ２０００Ｖ以下である。

第２電圧Ｖ_２は、例えば、２０ｋＶ以上かつ１００ｋＶ以下である。

第３電圧Ｖ_３は、例えば、２０ｋＶ以上かつ１００ｋＶ以下である。

放電によって生じる電流Ｉは、例えば、５０Ａ以上である。

第１電極７１及び第２電極７２の各々の直径φは、例えば、３ｍｍ以下である。好ましくは、直径φは１ｍｍ以下である。さらに好ましくは、直径φは０．５ｍｍ以下である。

第１電極７１及び第２電極７２の離間距離Ｄは、例えば、１０μｍ以上である。

静電容量Ｃは、例えば、３０μＦ以上である。

第１リアクタコア５１及び第２リアクタコア６１の各々の透磁率μは、例えば、２５０Ｈ／ｍ以上である。

第１二次コイル５３及び第２二次コイル６３の各々の巻数Ｎは、例えば、２０以上かつ１００以下である。

エネルギーＥは、例えば１ｍＪ以上かつ５０００Ｊ以下である。好ましくは、エネルギーＥは、１ｍＪ以上かつ２５００Ｊ以下である。

（４）冷媒評価の手順
冷媒７３の評価手順、以下の工程を含む。

第１工程において、冷媒室７０の内部空間に冷媒７３が導入される。

第２工程において、演算ユニット８０が、冷媒７３の圧力を第１圧力Ｐ_１として取得する。

第３工程において、充電スイッチ１３を一時的に閉じることにより、キャパシタ３１の充電が行われる。これにより、キャパシタ３１が保持する第１電圧Ｖ_１が第１電極７１及び第２電極７２の間に印加される。ただし、冷媒７３の中に放電はまだ生じない。

第４工程において、第１放電スイッチ５６及び第２放電スイッチ６６を同時に閉じることにより、リアクタ部４０が誘導によって第２電圧Ｖ_２を発生させる。第２電圧Ｖ_２は第１電極７１及び第２電極７２の間に印加される
第５工程において、第２電圧Ｖ_２によって冷媒７３にプラズマが生じ、それによって第１電極７１及び第２電極７２の間に導通が生じる。

第６工程において、キャパシタ３１に蓄積されていた電荷Ｑが第１電極７１及び第２電極７２の間に流れ、それによって冷媒７３の中で放電が開始される。

第７工程において、演算ユニット８０が、冷媒７３の圧力を第２圧力Ｐ_２として取得する。

第８工程において、演算ユニット８０が、第１圧力Ｐ_１及び第２圧力Ｐ_２に基づいて、冷媒７３における不均化反応の程度を算出する。冷媒７３が放電からエネルギーＥを得たことによって、冷媒７３に化学反応が起こり、それによって冷媒７３の分子数に変化が生じる。冷媒７３の分子数は、圧力センサ７４によって圧力値として取得される。分子数の変化は、冷媒室７０の内部空間に収容された冷媒７３が最初に有していた反応可能な冷媒分子の数によって異なる。したがって、第１圧力Ｐ_１と第２圧力Ｐ_２に基づいて、冷媒室７０に導入された時点において冷媒７３が有していた反応可能な冷媒分子の数が算出される。この反応可能な冷媒分子の数は、冷媒７３に既に生じていた不均化反応の程度を示す指標として扱われる。

なお、この指標は、冷媒７３が放電から得たエネルギーＥの大きさによって較正されてもよい。エネルギーの大きさは、電圧計８１が測定した第３電圧Ｖ_３、及び、電流計８２が測定した電流Ｉから算出してもよい。

（５）特徴
（５－１）
リアクタ部４０が、第１リアクタ５０及び第２リアクタ６０という２つのリアクタを有する。したがって、リアクタ部４０が大きなリアクタンスを有することができるので、リアクタ部４０が大きな第２電圧Ｖ_２を生成することができる。したがって、第１電極７１及び第２電極７２の間に高圧の冷媒７３が配置される場合において、大きな誘導電圧である第２電圧Ｖ_２によって放電を開始させ、それによってキャパシタ３１に蓄えられたエネルギーＥを冷媒７３に与えることができるので、冷媒７３の不均化反応の評価が可能になる。

冷媒７３を高圧に保った条件においては、絶縁破壊による放電は生じにくくなる。高圧の冷媒７３の中で放電を行うためには、大きな電圧を冷媒７３に印加することによって、冷媒にプラズマを生じさせる必要がある。本願発明では、２つのリアクタを用いることによって、大きな第２電圧Ｖ_２を誘導することができる。よって、高圧の冷媒７３の中で絶縁破壊による放電を生じさせることができる。

（５－２）
第１リアクタコア５１及び第２リアクタコア６１の材質がフェライトである。したがって、第２電圧Ｖ_２を大きくしやすい。

（５－３）
第１リアクタコア５１及び第２リアクタコア６１が大きな透磁率μを有する。したがって、第２電圧Ｖ_２を大きくしやすい。

（５－４）
第１二次コイル５３及び第２二次コイル６３が所定の巻数を有する。したがって、第１リアクタコア５１及び第２リアクタコア６１と協働することによって、第１二次コイル５３及び第２二次コイル６３は大きな第２電圧Ｖ_２を発生することができる。

（５－５）
第１二次コイル５３及び第２二次コイル６３の材質の抵抗率が小さい。したがって、エネルギーＥの損失を低減できる。

（５－６）
放電経路ＤＰは半導体素子を備えない。したがって、放電経路ＤＰは、半導体素子の数アンペア程度の定格電流を超える大きな電流を扱うことができるので、放電経路ＤＰは大きなエネルギーＥを冷媒７３に対して与えることができる。

冷媒７３に対して与えるエネルギーＥの大きさを大きくすることによって、エネルギーＥの大きさが安定し、これによって、冷媒７３に生じる不均化反応の再現性が向上する。よって、特定の冷媒７３について、不均化反応の生じやすさを精度良く評価することができる。

さらに、冷媒７３に対して与えるエネルギーＥの大きさを広範な範囲にわたって変化させることにより、特定の冷媒７３についての不均化反応の生じやすさの評価の精度をさらに改善することができる。例えば、エネルギーＥの大きさを数ｍＪオーダーから数千Ｊオーダーまで変化させてもよい。

（５－７）
第１一次コイル５４及び第２一次コイル６４に電流を流すことによって、第２電圧Ｖ_２を誘導することができる。

（５－８）
第２電圧Ｖ_２の値が大きい。したがって、放電装置２０は大きなエネルギーＥを冷媒７３に対して与えることができるので、冷媒７３が受け取るエネルギーＥの大きさが安定する。

（５－９）
放電に関与する電流Ｉの値が大きい。したがって、放電装置２０は大きなエネルギーＥを冷媒７３に対して与えることができるので、冷媒７３が受け取るエネルギーＥの大きさが安定する。

（５－１０）
第１電極７１及び第２電極７２の直径φが小さい。したがって、第１電極７１及び第２電極７２の体積が小さいので、放電によって一時的に生じる熱エネルギーが第１電極７１又は第２電極７２を形成する金属材料によって冷却されるおそれが少ない。

（５－１１）
第１電極７１及び第２電極７２の間の離間距離Ｄが大きく保たれる。したがって、冷媒７３が受け取るエネルギーＥの大きさが安定する。

（５－１２）
キャパシタ３１の静電容量Ｃが大きい。したがって、放電装置２０は大きなエネルギーＥを冷媒７３に対して与えることができるので、冷媒７３が受け取るエネルギーＥの大きさが安定する。

（５－１３）
放電装置２０が大きなエネルギーＥを冷媒に対して与えることができる。したがって、冷媒評価装置１００は、安定的に冷媒７３の不均化反応の程度を判定することができる。

＜基本実施形態の変形例＞
（６）変形例
（６－１）第１変形例
前述の実施形態では、充電装置１０において、抵抗器１２及び充電スイッチ１３は、いずれも直流電源１１の正端子１１ａの側に接続されている。これに代えて、抵抗器１２及び充電スイッチ１３の少なくとも一方は、直流電源１１の負端子１１ｂの側に接続されてもよい。

（６－２）第２変形例
前述の実施形態では、リアクタ部４０は、直流電源１１の正端子１１ａの側に存在するノードＮ３及びノードＮ５の間に接続されている。これに代えて、リアクタ部４０は、直流電源１１の負端子１１ｂの側に存在するノードＮ１及びノードＮ２の間に接続されてもよい。

＜むすび＞
以上、本開示の実施形態を説明したが、特許請求の範囲に記載された本開示の趣旨及び範囲から逸脱することなく、形態や詳細の多様な変更が可能なことが理解されるであろう。

１０ ：充電装置
２０ ：放電装置
３０ ：エネルギー蓄積部
３１ ：キャパシタ
４０ ：リアクタ部
５０ ：第１リアクタ
５１ ：第１リアクタコア
５３ ：第１二次コイル（第１コイル）
５４ ：第１一次コイル（第１入力コイル）
６０ ：第２リアクタ
６１ ：第２リアクタコア
６３ ：第２二次コイル（第２コイル）
６４ ：第２一次コイル（第２入力コイル）
７０ ：冷媒室
７１ ：第１電極
７２ ：第２電極
７３ ：冷媒
７４ ：圧力センサ
８０ ：演算ユニット
１００ ：冷媒評価装置
Ｃ ：静電容量
Ｄ ：離間距離
ＤＰ ：放電経路
Ｅ ：エネルギー
Ｉ ：電流
Ｎ ：巻数
Ｐ_１ ：第１圧力
Ｐ_２ ：第２圧力
Ｑ ：電荷
Ｖ_０ ：直流電圧
Ｖ_１ ：第１電圧
Ｖ_２ ：第２電圧
Ｖ_３ ：第３電圧
φ ：直径
μ ：透磁率

日本工業規格（ＪＩＳ）Ｚ８８３４

Claims (14)

1. 互いに離間して配置される第１電極（７１）及び第２電極（７２）、
   エネルギー（Ｅ）を蓄えることによって前記第１電極及び前記第２電極の間に第１電圧（Ｖ_１）を印加するキャパシタ（３１）、及び
   第１リアクタ（５０）及び第２リアクタ（６０）を有し、前記第１電極及び前記第２電極の間に印加される第２電圧（Ｖ_２）を誘導により発生することによって、前記第１電極及び前記第２電極の間に前記エネルギーの放電を開始させるリアクタ部（４０）、
   を有する、放電装置（２０）と、
   前記第１電極及び前記第２電極が配置された内部空間に冷媒（７３）を収容できる冷媒室（７０）と、
   前記冷媒の圧力を取得するための圧力センサ（７４）と、
   前記圧力センサの出力に基づいて、前記冷媒の不均化反応の程度を算出する演算ユニット（８０）と、
   を備え、
   前記リアクタ部に誘導された前記第２電圧が前記第１電極及び前記第２電極に印加されることによって、前記冷媒において前記エネルギーの放電が開始される、
   冷媒評価装置（１００）。
2. 前記第１リアクタは、フェライト製の第１リアクタコア（５１）及び前記第１リアクタコアに巻かれた第１コイル（５３）を有し、
   前記第２リアクタは、フェライト製の第２リアクタコア（６１）及び前記第２リアクタコアに巻かれた第２コイル（６３）を有する、
   請求項１に記載の冷媒評価装置。
3. 前記第１リアクタコア及び前記第２リアクタコアの透磁率（μ）は、２５０Ｈ／ｍ以上である、
   請求項２に記載の冷媒評価装置。
4. 前記第１コイル及び前記第２コイルの巻数（Ｎ）は、２０以上かつ１００以下である、
   請求項２又は請求項３に記載の冷媒評価装置。
5. 前記第１コイル及び前記第２コイルの材質は、銅及び銀の中から選択される、
   請求項２から４のいずれか１項に記載の冷媒評価装置。
6. 前記放電の際に前記エネルギーが伝達される放電経路（ＤＰ）をさらに備え、
   前記放電経路は、直列に配置された前記キャパシタ、前記第１コイル、及び前記第２コイルを有し、
   前記放電経路は、半導体素子を有しない、
   請求項２から５のいずれか１項に記載冷媒評価装置。
7. 前記第１リアクタは、前記第１リアクタコアに巻かれた第１入力コイル（５４）を有し、
   前記第２リアクタは、前記第２リアクタコアに巻かれた第２入力コイル（６４）を有する、
   請求項２から６のいずれか１項に記載の冷媒評価装置。
8. 前記第２電圧（Ｖ_２）は、２０ｋＶ以上かつ１００ｋＶ以下である、
   請求項１から７のいずれか１項に記載の冷媒評価装置。
9. 前記第１電極又は前記第２電極を流れる電流（Ｉ）は５０Ａ以上である、
   請求項１から８のいずれか１項に記載の冷媒評価装置。
10. 前記第１電極及び前記第２電極の各々の直径（φ）は、３ｍｍ以下である、
    請求項１から９のいずれか１項に記載の冷媒評価装置。
11. 前記第１電極と前記第２電極は、互いに１０μｍ以上離間している、
    請求項１から１０のいずれか１項に記載の冷媒評価装置。
12. 前記キャパシタの静電容量（Ｃ）は、３０μＦ以上である、
    請求項１から１１のいずれか１項に記載の冷媒評価装置。
13. 第１電極（７１）及び第２電極（７２）が配置された内部空間を有する冷媒室（７０）を準備し、
    冷媒（７３）を前記冷媒室の前記内部空間に導入し、
    前記冷媒の圧力を第１圧力（Ｐ_１）として取得し、
    キャパシタ（３１）にエネルギー（Ｅ）を蓄えることによって、前記第１電極及び前記第２電極の間に第１電圧（Ｖ_１）を印加し、
    リアクタ部（４０）が誘導する第２電圧（Ｖ_２）を前記第１電極（７１）及び前記第２電極（７２）に印加することによって、前記冷媒において前記エネルギーの放電を開始し、
    前記放電において前記エネルギーを前記冷媒に与え、
    前記冷媒の圧力を第２圧力（Ｐ_２）として取得し、
    前記第１圧力及び前記第２圧力に基づいて、前記冷媒における不均化反応の程度を算出する、
    冷媒評価方法。
14. 前記第１電極と前記第２電極は、互いに１０μｍ以上離間しており、
    前記第１電極及び前記第２電極の各々の直径（φ）は、３ｍｍ以下であり、
    前記放電時における前記第１電極と前記第２電極の間の電圧（Ｖ_３）は、２０ｋＶ以上かつ１００ｋＶ以下であり、
    前記第１電極又は前記第２電極を流れる電流（Ｉ）は５０Ａ以上である、
    請求項１３に記載の冷媒評価方法。

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