JP7118985B2 - 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート - Google Patents
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Description
本発明は、内部に空間を備える実装構造体の製造方法であって、詳細には、積層シートを用いて封止された実装構造体の製造方法、および、これに用いられる積層シートに関する。
回路基板に搭載される電子部品(回路部材)の中には、回路基板との間に空間を必要とするものがある。例えば、携帯電話などのノイズ除去に用いられるSAWチップは、圧電基板(圧電体)上を伝搬する表面波を利用して所望の周波数をフィルタリングするため、圧電体上の電極と、SAWチップが搭載される回路基板との間に空間が必要である。
SAWチップは、電力が入力されると、自己発熱する。自己発熱によってSAWチップの温度が上昇すると、周波数の変動が発生して、受信感度が低下する場合がある。さらに、SAWチップ自身の劣化により、長期間の使用が困難になる場合がある。そこで、SAWチップを封止する樹脂シートに熱伝導性の材料を配合し、放熱を促進することが行われている(特許文献1および2)。
しかし、特許文献1および2のように、単に封止用の樹脂シートに熱伝導性の材料を配合するだけでは、SAWチップの内部で生じた熱を樹脂シートを介して、速やかに基板に放熱させることは困難である。SAWチップの放熱は、これが搭載される電子部品の高集積化および高密度化に伴い、ますます重要になっている。
上記に鑑み、本発明の一局面は、第1回路部材と、前記第1回路部材に搭載される複数の第2回路部材と、を備えるとともに、前記第1回路部材と前記第2回路部材との間に空間が形成された実装部材を準備する工程と、第1の熱伝導層と第2の熱伝導層とを備え、前記第1の熱伝導層が、少なくとも一方の最外に配置されている積層シートを準備する工程と、前記第1の熱伝導層が前記第2回路部材と対向するように、前記積層シートを前記実装部材に配置する配置工程と、前記積層シートを前記第1回路部材に対して押圧するとともに、前記積層シートを加熱して、前記空間を維持しながら前記第2回路部材を封止し、前記積層シートを硬化させる封止工程と、を具備し、硬化後の前記第1の熱伝導層の常温における厚み方向の熱伝導率が、主面方向の熱伝導率以上であり、硬化後の前記第2の熱伝導層の常温における主面方向の熱伝導率が、厚み方向の熱伝導率よりも大きい、実装構造体の製造方法に関する。
本発明の別の局面は、第1回路部材と、前記第1回路部材に搭載される複数の第2回路部材と、を備えるとともに、前記第1回路部材と前記第2回路部材との間に空間が形成された実装部材を封止するために用いられる積層シートであって、第1の熱伝導層と第2の熱伝導層とを備え、前記第1の熱伝導層が、少なくとも一方の最外に配置されており、硬化後の前記第1の熱伝導層の常温における厚み方向の熱伝導率が、主面方向の熱伝導率以上であり、硬化後の前記第2の熱伝導層の常温における主面方向の熱伝導率が、厚み方向の熱伝導率よりも大きい、積層シートに関する。
本発明によれば、実装構造体が中空封止されるとともに、実装構造体の放熱性が向上する。
本実施形態に係る方法により製造される実装構造体の一例を、図1に示す。図1は、実装構造体10を模式的に示す断面図である。
実装構造体10は、第1回路部材1と、第1回路部材1に搭載される複数の第2回路部材2と、第2回路部材2を封止する封止材4と、を備える。第1回路部材1と第2回路部材2との間には、空間(内部空間S)が形成されている。封止材4は、内部空間Sを維持しながら第2回路部材2を封止するとともに、第2回路部材2から生じた熱を放出するために設けられる。なお、本実施形態では、第2回路部材2を、バンプ3を介して第1回路部材1に搭載しているが、第1回路部材1への搭載方法は、これに限定されない。
実装構造体10は、第1回路部材1と、第1回路部材1に搭載される複数の第2回路部材2と、第2回路部材2を封止する封止材4と、を備える。第1回路部材1と第2回路部材2との間には、空間(内部空間S)が形成されている。封止材4は、内部空間Sを維持しながら第2回路部材2を封止するとともに、第2回路部材2から生じた熱を放出するために設けられる。なお、本実施形態では、第2回路部材2を、バンプ3を介して第1回路部材1に搭載しているが、第1回路部材1への搭載方法は、これに限定されない。
封止材4は、積層シート4Pの硬化物である。本発明は、この積層シート4Pを包含する。積層シート4Pは、図2に示すように、少なくとも一方の最外に配置された第1の熱伝導層41Pと第2の熱伝導層42Pとを備える。よって、得られる封止材4は、少なくとも第1の熱伝導層41Pの硬化物層(以下、第1の硬化熱伝導層41と称す。)と、第2の熱伝導層42Pの硬化物層(以下、第2の硬化熱伝導層42と称す。)と、を備える積層構造を有する。積層シート4Pは未硬化物または半硬化物であり、第1の熱伝導層41Pおよび第2の熱伝導層42Pもまた、それぞれ未硬化物または半硬化物である。図2は、積層シート4Pを模式的に示す断面図である。
第1の硬化熱伝導層41において、常温(20~30℃)における厚み方向の熱伝導率λ1Tは、主面方向の熱伝導率λ1S以上である。一方、第2の硬化熱伝導層42において、常温における主面方向の熱伝導率λ2Sは、厚み方向の熱伝導率λ2Tよりも大きい。熱源である第2回路部材2には、第1の硬化熱伝導層41の一方の主面(第1の内表面)が対向している。よって、第2回路部材2から生じた熱は、第1の硬化熱伝導層41の内表面から、その内部に速やかに伝達されるとともに、内部から他方の主面(第1の外表面)に速やかに伝達される。第1の外表面に伝達された熱は、第1の外表面に接触する第2の硬化熱伝導層42の一方の主面(第2の内表面)に伝達される。第2の内表面に伝達された熱は、第2の硬化熱伝導層42の内部を主に主面方向に移動し、第1の硬化熱伝導層41と第1回路部材1との接触部分から、再び第1の硬化熱伝導層41に伝達した後、第1回路部材1へと放熱される。
[積層シート]
封止工程において、積層シート4Pは、第1の熱伝導層41Pが第2回路部材2と対向するように配置されて、第1回路部材1に向かって押圧される。これにより、積層シート4Pは、第2回路部材2の表面に密着するとともに、第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面にまで到達する。このとき、第1の熱伝導層41Pおよび第2の熱伝導層42Pの少なくとも一方が、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2および第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面に密着して封止できる程度の弾性を有していればよい。ここで、放熱性がさらに向上し易くなる点で、積層シート4Pは、第2回路部材2が封止されるときに、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2および第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面に密着して封止できる程度の弾性を有する第1の熱伝導層41Pと、流動できる程度の粘性を有する第2の熱伝導層42Pと、を備えることが好ましい。
封止工程において、積層シート4Pは、第1の熱伝導層41Pが第2回路部材2と対向するように配置されて、第1回路部材1に向かって押圧される。これにより、積層シート4Pは、第2回路部材2の表面に密着するとともに、第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面にまで到達する。このとき、第1の熱伝導層41Pおよび第2の熱伝導層42Pの少なくとも一方が、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2および第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面に密着して封止できる程度の弾性を有していればよい。ここで、放熱性がさらに向上し易くなる点で、積層シート4Pは、第2回路部材2が封止されるときに、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2および第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面に密着して封止できる程度の弾性を有する第1の熱伝導層41Pと、流動できる程度の粘性を有する第2の熱伝導層42Pと、を備えることが好ましい。
封止工程の際、第1の熱伝導層41Pが上記弾性を有し、かつ、第2の熱伝導層42Pが上記粘性を有することにより、放熱性がさらに向上する理由を、図面を参照しながら説明する。図3(a)および(b)は、封止工程中の実装部材を模式的に示す断面図である。ただし、図3(a)は積層シート4Pが硬化する前の状態を示しており、図3(b)は積層シート4Pが硬化した後の状態を示している。なお、図3では、便宜的に、第2の熱伝導層42Pの熱伝導率がより高い方向を矢印で示している。
封止工程では、積層シート4Pが第1回路部材1に対して押圧される。このとき、弾性を有する第1の熱伝導層41Pは、第2回路部材2の外形に沿うように変形する。例えば、第2回路部材2同士の間に入り込む際、第1の熱伝導層41Pは、第2回路部材2同士の間に落ち込むように、U字型に屈曲する。このとき、第2の熱伝導層42Pは、第1の熱伝導層41Pの屈曲に従ってU字型に流動する(図3(a))。そのため、例えば、第2の熱伝導層42Pが繊維状あるいは鱗片状の熱伝導性フィラーを含む場合、熱伝導性フィラーは、第2の熱伝導層42Pの流動する方向と同じ方向に配向する。つまり、第2の熱伝導層42Pは、主面方向への高い熱伝導率を維持した状態で、第2回路部材2の外形を覆うことができる。よって、積層シート4Pが硬化した後においても、第2回路部材2の側面を覆う第2の硬化熱伝導層42は、第1回路部材1に向かう方向に熱を伝導することができる(図3(b))。さらに、第1の硬化熱伝導層41は、厚み方向の熱伝導率が主面方向の熱伝導率以上であるため、第2回路部材2から生じた熱は、第1の硬化熱伝導層41から第2の硬化熱伝導層42へ伝導し易い。その後、この熱は、第2の硬化熱伝導層42から再び第1の硬化熱伝導層41に伝導し、第1の硬化熱伝導層41から第1回路部材1へと速やかに放熱される。
さらに、封止工程において積層シート4Pが第1回路部材1に対して押圧されるとき、粘性を有する第2の熱伝導層42Pが変形することにより、第2の熱伝導層42Pと弾性を有する第1の熱伝導層41Pとの密着性がさらに高まる。このとき、第1の熱伝導層41Pに配合される熱伝導性フィラー(以下、第1の熱伝導性フィラーと称す。)に、第2の熱伝導層42Pに配合される熱伝導性フィラー(以下、第2の熱伝導性フィラーと称す。)が接触し易くなって、第1の硬化熱伝導層41と第2の硬化熱伝導層42との間の熱伝導性が向上する。
上記のとおり、第1の硬化熱伝導層41と第2の硬化熱伝導層42との間の熱伝導性が向上するとともに、第2回路部材2から生じた熱は、第2の硬化熱伝導層42および第1の硬化熱伝導層41を介して速やかに第1回路部材1に放熱されるため、実装構造体10の放熱性は非常に高くなる。
以下、各層について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
(第1の熱伝導層)
第1の熱伝導層41Pは、内部空間Sの維持、および、第2回路部材2の放熱のために設けられる。第1の熱伝導層41Pは、第2回路部材2が封止されるとき、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2および第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面に密着できる程度の弾性を有することが好ましい。
(第1の熱伝導層)
第1の熱伝導層41Pは、内部空間Sの維持、および、第2回路部材2の放熱のために設けられる。第1の熱伝導層41Pは、第2回路部材2が封止されるとき、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2および第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面に密着できる程度の弾性を有することが好ましい。
第1の硬化熱伝導層41の常温における厚み方向の熱伝導率λ1Tは、主面方向の熱伝導率λ1S以上である。これにより、第2回路部材2の熱は、第1の硬化熱伝導層41に伝達され易くなる。熱伝導率λ1Tと熱伝導率λ1Sとの比:λ1T/λ1Sは、1以上である限り特に限定されないが、1.2以上であってよく、1.5以上であってよい。熱伝導率λ1Tは特に限定されないが、1W/m・K以上であってよく、3W/m・K以上であってよい。熱伝導率は、JIS A 1412-2に準じて測定される。
第1の熱伝導層は、熱硬化性樹脂を含む第1樹脂組成物により構成される。
第2回路部材2が封止されるときの温度tにおける第1樹脂組成物の損失正接tanδ1は、1以下であってよく、0.9以下であってよく、0.7以下であってよい。損失正接tanδ1の下限は特に限定されないが、例えば、0.1である。このような損失正接tanδ1を有する第1の熱伝導層41Pは、単独で、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2を封止することができる。よって、積層シート4Pが粘性の高い第2の熱伝導層42Pを備えていても、内部空間Sは維持される。
第2回路部材2が封止されるときの温度tにおける第1樹脂組成物の損失正接tanδ1は、1以下であってよく、0.9以下であってよく、0.7以下であってよい。損失正接tanδ1の下限は特に限定されないが、例えば、0.1である。このような損失正接tanδ1を有する第1の熱伝導層41Pは、単独で、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2を封止することができる。よって、積層シート4Pが粘性の高い第2の熱伝導層42Pを備えていても、内部空間Sは維持される。
第2回路部材2が封止されるときの温度tとは、内部空間Sが維持された状態で、第2回路部材2の表面が積層シート4Pによって覆われたときの積層シート4Pの温度である。積層シート4Pの温度は、封止工程における積層シート4Pに対する加熱手段の設定温度に代替できる。積層シート4Pの加熱手段がプレス機である場合、加熱手段の設定温度とは、プレス機の設定温度である。積層シート4Pの加熱手段が第1回路部材1を加熱する加熱機である場合、加熱手段の設定温度とは、第1回路部材1の加熱機の設定温度である。温度tは、積層シート4Pの材質等に応じて変更し得るが、例えば、室温+15℃(40℃)から、200℃までの間である。具体的には、温度tは、例えば50℃以上、180℃以下である。第2回路部材2が封止されるとき、積層シート4Pは未硬化状態であってもよいし、半硬化状態であってもよい。
損失正接tanδ1は、温度tにおける第1樹脂組成物の貯蔵せん断弾性率(G1’)と損失せん断弾性率(G1”)の比:G1”/G1’である。貯蔵せん断弾性率G1’および損失せん断弾性率G1”は、JIS K 7244に準拠した粘弾性測定装置により測定することができる。具体的には、貯蔵せん断弾性率G1’および損失せん断弾性率G1”は、直径8mm×1mmの試験片について、粘弾性測定装置(例えば、TA Instruments社製、ARES-LS2)を用いて、周波数1Hz、昇温速度10℃/分の条件で測定される。第2の熱伝導層42Pを構成する第2樹脂組成物の損失正接tanδ2についても同様である。
温度tにおける貯蔵せん断弾性率G1’は、1.0×107Pa以下であってよく、1.0×106Pa以下であってよい。貯蔵せん断弾性率G1’の下限は特に限定されないが、例えば、1.0×104Paである。温度tにおける貯蔵せん断弾性率G1’がこの範囲であれば、第1の熱伝導層41Pの封止工程における内部空間Sへの侵入が抑制されるとともに、第2回路部材2の表面および第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面に密着できる程度に流動することが容易になる。
第1の熱伝導層41Pの厚みT1は、特に限定されない。厚みT1は100μm以下であってもよく、80μm以下であってよい。これにより、低背化が可能になるとともに、厚み方向に熱伝導され易くなる。一方、絶縁性が確保され易い点、および、内部空間Sが維持され易くなる点で、厚みT1は1μm以上であってよく、10μm以上であってよい。第1の熱伝導層41Pの厚みT1は、第1の熱伝導層41Pの主面間の距離である。主面間の距離は、任意の10箇所における距離を平均化して求めることができる。第2の熱伝導層42Pの厚みT2も同様にして求められる。
絶縁性の観点から、第1の熱伝導層41Pの体積抵抗率は1×108Ω・cm以上であってよく、1×1010Ω・cm以上であってよい。
第1樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含む。第1樹脂組成物は、例えば、熱硬化性樹脂と硬化剤と熱可塑性樹脂と無機充填剤と第1の熱伝導性フィラーとを含む。
熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂、(メタ)アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂、ウレタン樹脂、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでもエポキシ樹脂が好ましい。
封止前の熱硬化性樹脂は、未硬化状態でもよく、半硬化状態でもよい。半硬化状態とは、熱硬化性樹脂がモノマーおよび/またはオリゴマーを含む状態であり、熱硬化性樹脂の三次元架橋構造の発達が不十分な状態をいう。半硬化状態の熱硬化性樹脂は、室温(25℃)では溶剤に溶解しないが硬化は不完全な状態、いわゆるBステージにある。
エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式脂肪族エポキシ樹脂、有機カルボン酸類のグリシジルエーテルなどを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ樹脂は、プレポリマーであってもよく、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂のようなエポキシ樹脂と他のポリマーとの共重合体であってもよい。なかでも、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂および/またはビスフェノールF型エポキシ樹脂が好ましい。特に、耐熱性および耐水性に優れ、かつ安価である点で、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂が好ましい。
エポキシ樹脂は、樹脂組成物の粘度調節のために、エポキシ基を分子中に1つ有する1官能エポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全体に対して0.1質量%以上、30質量%以下程度含むことができる。このような1官能エポキシ樹脂としては、フェニルグリシジルエーテル、2-エチルヘキシルグリシジルエーテル、エチルジエチレングリコールグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエングリシジルエーテル、2-ヒドロキシエチルグリシジルエーテルなどを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、熱硬化性樹脂の硬化剤を含む。硬化剤は、特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤(フェノール樹脂等)、ジシアンジアミド系硬化剤(ジシアンジアミド等)、尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、ポリアミン塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤、酸無水物系硬化剤、イミダゾール系硬化剤などを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化剤の種類は、熱硬化性樹脂に応じて適宜選択される。なかでも、硬化時の低アウトガス性、耐湿性、耐ヒートサイクル性などの点から、フェノール系硬化剤を用いることが好ましい。
硬化剤の量は、硬化剤の種類によって異なる。エポキシ樹脂を用いる場合、例えば、エポキシ基1当量あたり、硬化剤の官能基の当量数が0.001当量以上、2当量以下、さらには0.005当量以上、1.5当量以下となる量の硬化剤を用いることができる。
なお、ジシアンジアミド系硬化剤、尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、ポリアミン塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤は、潜在性硬化剤である。潜在性硬化剤の活性温度は、60℃以上、更には80℃以上であってよい。また、活性温度は、250℃以下、更には180℃以下であってよい。これにより、活性温度以上で迅速に硬化する樹脂組成物を得ることができる。
熱可塑性樹脂は、シート化剤として配合され得る。樹脂組成物がシート化されることにより、封止工程における取り扱い性が向上するとともに、樹脂組成物のダレ等が抑制されて、内部空間Sが維持され易くなる。
熱可塑性樹脂の種類としては、例えば、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン、ポリウレタン、ブロックイソシアネート、ポリエーテル、ポリエステル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、ポリアミド、塩化ビニル、セルロース、熱可塑性エポキシ樹脂、熱可塑性フェノール樹脂などが挙げられる。なかでも、シート化剤としての機能に優れる点で、アクリル樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂の量は、熱硬化性樹脂100質量部あたり、5質量部以上、200質量部以下であってよく、10質量部以上、150質量部以下であってよい。
樹脂組成物に添加する際の熱可塑性樹脂の形態は、特に限定されない。熱可塑性樹脂は、例えば、重量平均粒子径0.01μm以上、200μm以下の粒子であってよく、0.01μm以上、100μm以下の粒子であってもよい。上記粒子は、コアシェル構造を有していてもよい。この場合、コアは、例えば、n-、i-およびt-ブチル(メタ)アクリレートよりなる群から選択される少なくとも1つのモノマー由来のユニットを含む重合体であってもよいし、その他の(メタ)アクリレート由来のユニットを含む重合体であってもよい。シェル層は、例えば、メチル(メタ)アクリレート、n-、i-またはt-ブチル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸等の単官能モノマーと1,6-ヘキサンジオールジアクリレート等の多官能モノマーとの共重合体であってもよい。また、溶剤に分散あるいは溶解させた高純度熱可塑性樹脂を、樹脂組成物に添加してもよい。
樹脂組成物に含まれ得る無機充填剤としては、例えば、溶融シリカなどのシリカ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素(BN)などを挙げることができる。なかでも、安価である点で、溶融シリカが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば0.01μm以上、100μm以下である。無機充填剤の量は、熱硬化性樹脂100質量部あたり、1質量部以上、5000質量部以下であってよく、10質量部以上、3000質量部であってよい。平均粒径は、体積粒度分布の累積体積50%における粒径(D50。以下同じ。)である。
第1の熱伝導性フィラーとしては、熱伝導性を有する限り特に限定されず、等方性の熱伝導性を有していてもよく、異方性の熱伝導性を有していてもよい。第1の熱伝導性フィラーとしては、例えば、結晶性シリカ、BN、窒化ケイ素、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、ダイアモンド等があげられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、熱伝導性に優れる点で、BN、Al2O3、AlNが好ましく、さらに耐湿性に優れる点で、BN、Al2O3が好ましい。また、Al2O3や絶縁性の有機化合物で表面処理されたAlNを用いてもよい。
第1の熱伝導性フィラーの形状は特に限定されず、例えば、粒子状、繊維状、鱗片状である。なかでも、厚み方向における熱伝導率が主面方向の熱伝導率以上になり易い点で、粒子状であることが好ましい。繊維状または鱗片状の第1の熱伝導性フィラーは、封止時に主面方向に配向しやすい。粒子状の第1の熱伝導性フィラーは、二次粒子であってもよく、繊維状あるいは鱗片状フィラーを造粒して得られてもよい。このような粒子状の熱伝導性フィラーとしては、例えば、鱗片状BNフィラーを凝集した二次粒子、Al2O3粒子、AlN粒子が挙げられる。粒子状の第1の熱伝導性フィラーの平均粒径は特に限定されず、例えば0.01μm以上、100μm以下である。
繊維状あるいは鱗片状とは、例えば、アスペクト比が2以上、50以下、好ましくは、5以上、50以下の形状である。粒子状とは、例えば、アスペクト比が1以上、2未満の形状である。
第1の熱伝導性フィラーの量は特に限定されず、その種類や第1の熱伝導層41Pのtanδ1等を考慮して、適宜設定すればよい。例えば、BN、Al2O3またはAlNの含有量は、熱硬化性樹脂100質量部あたり、それぞれ1質量部以上、5000質量部以下であってよい。ここで、BNのように、無機充填剤と熱伝導性フィラーとを兼ねて配合される物質は、無機充填剤および熱伝導性フィラーとしてそれぞれ配合されているとみなして、各含有量を算出すればよい。
第1樹脂組成物は、上記以外の第三成分を含んでもよい。第三成分としては、硬化促進剤、重合開始剤、難燃剤、顔料、シランカップリング剤、チキソ性付与剤などを挙げることができる。
硬化促進剤は、特に限定されないが、変性イミダゾール系硬化促進剤、変性脂肪族ポリアミン系促進剤、変性ポリアミン系促進剤などが挙げられる。硬化促進剤は、エポキシ樹脂などの樹脂との反応生成物(アダクト)として使用することが好ましい。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤の活性温度は、保存安定性の点から、60℃以上、更には80℃以上であってよい。また、活性温度は、250℃以下、更には180℃以下であってよい。ここで、活性温度とは、潜在性硬化剤および/または硬化促進剤の作用により、熱硬化性樹脂の硬化が急速に早められる温度である。
硬化促進剤の量は、硬化促進剤の種類によって異なる。通常、エポキシ樹脂100質量部あたり、0.1質量部以上、20質量部以下であってよく、1質量部以上、10質量部以下であってよい。なお、硬化促進剤をアダクトとして使用する場合、硬化促進剤の量は、硬化促進剤以外の成分(エポキシ樹脂など)を除いた硬化促進剤の正味の量を意味する。
重合開始剤は、光照射および/または加熱により、硬化性を発現する。重合開始剤としては、ラジカル発生剤、酸発生剤、塩基発生剤などを用いることができる。具体的には、ベンゾフェノン系化合物、ヒドロキシケトン系化合物、アゾ化合物、有機過酸化物、芳香族スルホニウム塩、脂肪族スルホニウム塩などのスルホニウム塩などを用いることができる。重合開始剤の量は、例えば、エポキシ樹脂100質量部あたり、0.1質量部以上、20質量部以下であってよく、1質量部以上、10質量部以下であってよい。
(第2の熱伝導層)
第2の硬化熱伝導層42は、第2回路部材2から第1の硬化熱伝導層41に伝達された熱を実装構造体(あるいは実装チップ)全体に拡散させた後、第1回路部材1に伝達するための層である。第2の硬化熱伝導層42の常温における主面方向の熱伝導率λ2Sは、厚み方向の熱伝導率λ2Tよりも大きい。なお、実装構造体(或いは実装チップ)に第1回路部材1以外の放熱手段を設けてもよい。これにより、第1の硬化熱伝導層41に伝達された熱は、上記放熱手段によってさらに放出され易くなる。
第2の硬化熱伝導層42は、第2回路部材2から第1の硬化熱伝導層41に伝達された熱を実装構造体(あるいは実装チップ)全体に拡散させた後、第1回路部材1に伝達するための層である。第2の硬化熱伝導層42の常温における主面方向の熱伝導率λ2Sは、厚み方向の熱伝導率λ2Tよりも大きい。なお、実装構造体(或いは実装チップ)に第1回路部材1以外の放熱手段を設けてもよい。これにより、第1の硬化熱伝導層41に伝達された熱は、上記放熱手段によってさらに放出され易くなる。
熱伝導率λ2Tと熱伝導率λ2Sとの比:λ2T/λ2Sは、1より小さい限り特に限定されない。比:λ2T/λ2Sは、0.8未満であってよく、0.5未満であってよい。これにより、第2回路部材2の熱は実装構造体(あるいは実装チップ)全体に拡散され易くなり、第1回路部材1へと伝導され易くなる。
熱伝導率λ2Sは特に限定されないが、1W/m・K以上であってよく、3W/m・K以上であってよい。第1の硬化熱伝導層41の常温における厚み方向の熱伝導率λ1Tと第2の硬化熱伝導層42の常温における主面方向の熱伝導率λ2Sとの比:λ1T/λ2Sは、特に限定されない。なかでも、放熱効果が高まる点で、比:λ1T/λ2Sは2以下であることが好ましい。
第2の熱伝導層は、熱硬化性樹脂を含む第2樹脂組成物により構成される。
第2樹脂組成物の温度tにおける損失正接tanδ2は、0.3より大きくてよい。これにより、第2回路部材2が封止されるとき、第2の熱伝導層42Pが流動し易くなって、主面方向の熱伝導率が高まり易くなるとともに、実装構造体10の封止面をフラットにすることが容易になる。損失正接tanδ2の上限は特に限定されないが、例えば、10であってよく、8であってよい。なお、このような第2の熱伝導層42P単独では、内部空間Sを維持しながら封止することは困難である。
第2樹脂組成物の温度tにおける損失正接tanδ2は、0.3より大きくてよい。これにより、第2回路部材2が封止されるとき、第2の熱伝導層42Pが流動し易くなって、主面方向の熱伝導率が高まり易くなるとともに、実装構造体10の封止面をフラットにすることが容易になる。損失正接tanδ2の上限は特に限定されないが、例えば、10であってよく、8であってよい。なお、このような第2の熱伝導層42P単独では、内部空間Sを維持しながら封止することは困難である。
温度tにおける第2樹脂組成物の貯蔵せん断弾性率G2’は、1.0×103Pa以上であってよい。貯蔵せん断弾性率G2’の上限は特に限定されないが、例えば、1.0×107Paであってよく、1.0×106Paであってよい。温度tにおける貯蔵せん断弾性率G2’がこの範囲であれば、第2の熱伝導層42Pは流動し易くなって、封止面がフラットになり易い。
第2樹脂組成物は、熱硬化性樹脂および第2の熱伝導性フィラーにより構成される。第2樹脂組成物の構成は、特に限定されないが、第1樹脂組成物と同様の構成であってもよい。
第2の熱伝導性フィラーとしては、異方性の熱伝導性を有する限り特に限定されず、例えば、第1の熱伝導層41Pに含まれる第1の熱伝導性フィラーと同じ材料が挙げられる。第2の熱伝導性フィラーとしては、異方性の熱伝導性を有するフィラーを単独で用いてもよいし、異方性の熱伝導性を有するフィラーと等方性の熱伝導性を有するフィラーとを組み合わせて用いてもよい。また、第2の熱伝導性フィラーの配合量は、第1の熱伝導性フィラーと同様であればよい。
第2の熱伝導性フィラーの形状は特に限定されない。なかでも、主面方向における熱伝導率を高めるためには、繊維状あるいは鱗片状のフィラーを含むことが好ましい。このようなフィラーとしては、例えば、鱗片状BNがあげられる。第2の熱伝導性フィラーのうち、30質量%以上を繊維状あるいは鱗片状にすることにより、主面方向における熱伝導率をより高くすることができる。第2の熱伝導性フィラーの平均粒径も特に限定されず、例えば0.01μm以上、100μm以下である。
放熱性がより高まる点で、第1の熱伝導層41Pが、第1の熱伝導性フィラーとして、鱗片状BNフィラーが凝集した二次粒子、Al2O3粒子、および、AlN粒子よりなる群から選択される少なくとも一種を含み、第2の熱伝導層42Pが、第2の熱伝導性フィラーとして、鱗片状BNフィラーを含むことが好ましい。なかでも、第1の熱伝導性フィラーとして、鱗片状BNフィラーが凝集した二次粒子およびAl2O3粒子を含むことが好ましい。
粘弾性(つまり、損失正接tanδ)は、例えば、第1樹脂組成物および/または第2樹脂組成物の組成によって調整することができる。例えば、シート化剤である熱可塑性樹脂の量や種類を変更することにより、損失正接tanδを変化させることができる。なかでも、フェノキシ樹脂を用いると、容易に貯蔵せん断弾性率G2’を小さくして、tanδを大きくすることができる。第2樹脂組成物に含まれる熱可塑性樹脂の量は、熱硬化性樹脂100質量部あたり、5質量部以上、200質量部以下であってよく、10質量部以上、150質量部以下であってよい。
第2の熱伝導層42Pの厚みT2は、10μm以上、1400μm以下であってよい。これにより、封止工程において、内部空間Sを維持し易くなるとともに、実装構造体10の封止面をフラットにすることが容易になる。第2の熱伝導層42Pの体積抵抗率は特に限定されず、例えば、第1の熱伝導層41Pと同程度であってもよいし、小さくてもよい。厚みT2は、10μm以上、740μm以下であってよい。
積層シート4P全体の厚みTは特に限定されないが、第2回路部材2の表面に密着させ易い点で、11μm以上、1500μm以下であってよく、20μm以上、1000μm以下であってよく、20μm以上、750μm以下であってよい。
積層シート4Pは、さらに他の第3の層を備えていてもよい。ただし、一方の最外に第1の熱伝導層41Pを配置し、第1の熱伝導層41Pに隣接して第2の熱伝導層42Pを配置する。つまり、第3の層は、他方の最外層として配置される。この第3の層は単層であってもよいし、複数の層の積層体であってもよい。
[実装構造体の製造方法]
本実施形態にかかる製造方法を、図4を参照しながら説明する。図4は、本実施形態にかかる製造方法を、実装部材あるいは実装構造体10の断面により模式的に示す説明図である。
本実施形態にかかる製造方法を、図4を参照しながら説明する。図4は、本実施形態にかかる製造方法を、実装部材あるいは実装構造体10の断面により模式的に示す説明図である。
実装構造体10は、第1回路部材1と、第1回路部材1に搭載される複数の第2回路部材2と、を備えるとともに、第1回路部材1と第2回路部材2との間に内部空間Sが形成された実装部材を準備する第1準備工程と、積層シート4Pを準備する第2準備工程と、積層シート4Pの第1の熱伝導層41Pが第2回路部材2と対向するように、積層シート4Pを実装部材に配置する配置工程と、積層シート4Pを第1回路部材1に対して押圧するとともに、積層シート4Pを加熱して、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2を封止し、積層シート4Pを硬化させる封止工程と、を具備する方法により製造される。さらに、得られた実装構造体10を、第2回路部材2ごとにダイシングする個片化工程を行ってもよい。
(第1準備工程)
第1回路部材1と、第1回路部材1に搭載される複数の第2回路部材2と、を備える実装部材を準備する(図4(a))。第2回路部材2は、例えばバンプ3を介して第1回路部材1に搭載されている。そのため、第1回路部材1と第2回路部材2との間には、内部空間Sが形成されている。
第1回路部材1と、第1回路部材1に搭載される複数の第2回路部材2と、を備える実装部材を準備する(図4(a))。第2回路部材2は、例えばバンプ3を介して第1回路部材1に搭載されている。そのため、第1回路部材1と第2回路部材2との間には、内部空間Sが形成されている。
第1回路部材1は、例えば、半導体素子、半導体パッケージ、ガラス基板、樹脂基板、セラミック基板およびシリコン基板よりなる群から選択される少なくとも1種である。これら第1回路部材は、その表面に、ACF(異方性導電フィルム)やACP(異方性導電ペースト)のような導電材料層を形成したものであってもよい。樹脂基板は、リジッド樹脂基板でもフレキシブル樹脂基板でもよく、例えば、エポキシ樹脂基板(例えば、ガラスエポキシ基板)、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド樹脂基板、フッ素樹脂基板などが挙げられる。第1回路部材1は、内部に半導体チップ等を備える部品内蔵基板であってもよい。
第2回路部材2は、第1回路部材1に、例えばバンプ3を介して搭載されている。これにより、第1回路部材1と第2回路部材2との間には内部空間Sが形成される。第2回路部材2は、この内部空間Sを維持した状態で封止(中空封止)されることを要する電子部品である。第2回路部材2としては、例えば、RFIC、SAW、センサーチップ(加速度センサー等)、圧電振動子チップ、水晶振動子チップ、MEMSデバイスなどが挙げられる。
バンプ3は導電性を有しており、第1回路部材1と第2回路部材2とは、バンプ3を介して電気的に接続されている。バンプ3の高さは特に限定されないが、例えば、5μm以上、150μm以下であればよい。バンプ3の材料も導電性を有する限り特に限定されず、例えば、銅、金、半田ボール等が挙げられる。
すなわち、実装部材は、各種第1回路部材1上に第2回路部材2が搭載されたチップ・オン・ボード(CoB)構造(チップ・オン・ウエハ(CoW)、チップ・オン・フィルム(CoF)、チップ・オン・グラス(CoG)を含む)、チップ・オン・チップ(CoC)構造、チップ・オン・パッケージ(CoP)構造およびパッケージ・オン・パッケージ(PoP)構造を有することができる。実装部材は、第2回路部材2が搭載された第1回路部材1に、さらに第1回路部材1および/または第2回路部材2を積層したような多層実装部材であってもよい。
実装部材は、さらに、第1回路部材に搭載され、発熱し得る第3回路部材(図示せず)を備えてもよい。発熱する第3回路部材が搭載されている場合であっても、積層シート4Pによって放熱が促進されるため、第2回路部材2への熱的影響が抑制される。第3回路部材としては、例えば、パワーアンプが挙げられる。
(第2準備工程)
第1の熱伝導層41Pおよび第2の熱伝導層42Pを備える積層シート4Pを準備する(図4(a))。
積層シート4Pの製造方法は、特に限定されない。積層シート4Pは、各層を別途作成した後、積層する(ラミネート法)ことにより形成されてもよいし、各層の材料を順次、コーティングする(コーティング法)ことにより形成されてもよい。
第1の熱伝導層41Pおよび第2の熱伝導層42Pを備える積層シート4Pを準備する(図4(a))。
積層シート4Pの製造方法は、特に限定されない。積層シート4Pは、各層を別途作成した後、積層する(ラミネート法)ことにより形成されてもよいし、各層の材料を順次、コーティングする(コーティング法)ことにより形成されてもよい。
ラミネート法において、各層は、例えば、上記樹脂組成物を含む溶剤ペーストあるいは無溶剤ペースト(以下、単にペーストと総称する。)をそれぞれ調製する工程と、上記ペーストから各層を形成する工程(形成工程)と、を含む方法により形成される。この方法により、第1の熱伝導層41Pおよび第2の熱伝導層42Pをそれぞれ形成した後、この順に積層する。ペーストがプレゲル化剤を含む場合、形成工程の際にゲル化が行われる。ゲル化は、ペーストを薄膜化した後、薄膜を熱硬化性樹脂の硬化温度未満(例えば、70℃以上、150℃以下)で、1分以上、10分以下加熱することにより行われる。
一方、コーティング法では、上記方法により、例えば第1の熱伝導層41Pを形成した後、この第1の熱伝導層41Pの表面に、第2樹脂組成物を含むペーストをコーティングして第2の熱伝導層42Pを形成する。この場合も、形成工程の際にゲル化が行われ得る。ゲル化は、各ペーストからそれぞれの薄膜を形成した後、逐次実施されてもよく、薄膜の積層体を形成した後に実施されてもよい。
各層(薄膜)は、例えば、ダイ、ロールコーター、ドクターブレードなどにより形成される。この場合、ペーストの粘度を、10mPa・s以上、10000mPa・s以下となるように調整することが好ましい。溶剤ペーストを用いた場合、その後、70℃以上、150℃以下、1分以上、10分以下乾燥して、溶剤を除去してもよい。上記ゲル化と溶剤の除去とは、同時に実施され得る。
(配置工程)
第1の熱伝導層41Pが第2回路部材2に対向するように、積層シート4Pを実装部材に配置する。第3回路部材が搭載されている場合、第1の熱伝導層41Pを、第2回路部材とともに第3回路部材に対向させる。
第1の熱伝導層41Pが第2回路部材2に対向するように、積層シート4Pを実装部材に配置する。第3回路部材が搭載されている場合、第1の熱伝導層41Pを、第2回路部材とともに第3回路部材に対向させる。
このとき、複数の第2回路部材2、さらには第3回路部材を、一枚の積層シート4Pで覆ってもよい。これにより、複数の第2回路部材2の表面および第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面を、一括して封止することができる。
(封止工程)
積層シート4Pを第1回路部材1に対して押圧するとともに(図4(b))、積層シート4Pを加熱する。これにより、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2、さらには第3回路部材が封止される。積層シート4Pは、第2回路部材2等の封止と同時に、あるいは第2回路部材2等が封止された後、硬化する(図4(c))。
積層シート4Pを第1回路部材1に対して押圧するとともに(図4(b))、積層シート4Pを加熱する。これにより、内部空間Sを維持しながら、第2回路部材2、さらには第3回路部材が封止される。積層シート4Pは、第2回路部材2等の封止と同時に、あるいは第2回路部材2等が封止された後、硬化する(図4(c))。
積層シート4Pの第1回路部材1に対する押圧は、例えば、積層シート4Pを、積層シート4Pに含まれる熱硬化性樹脂の硬化温度未満で加熱しながら行われる(熱プレス)。これにより、第2回路部材2が封止される。このとき、積層シート4Pは、第2回路部材2の表面に密着するとともに、第2回路部材2同士の間の第1回路部材1の表面に達するまで伸展することが容易となり、第2回路部材2の封止の信頼性が高まる。
熱プレスは、大気圧下で行ってもよいし、減圧雰囲気(例えば50Pa以上、50,000Pa以下、好ましくは50Pa以上、3,000Pa以下)で行ってもよい。押圧時の加熱の条件は、特に限定されず、押圧方法や熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜設定すればよい。上記加熱は、例えば、40℃以上、200℃以下(好ましくは50℃以上、180℃以下)で、1秒以上、300分以下(好ましくは3秒以上、300分以下)行われる。
続いて、積層シート4Pを上記硬化温度で加熱して、積層シート4P中の熱硬化性樹脂を硬化させて、封止材4を形成する。積層シート4Pの加熱(熱硬化性樹脂の硬化)の条件は、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜設定すればよい。熱硬化性樹脂の硬化は、例えば、50℃以上、200℃以下(好ましくは120℃以上180℃以下)で、1秒以上、300分以下(好ましくは60分以上、300分以下)行われる。
熱プレスと熱硬化性樹脂の硬化とは、別々に実施してもよく、同時に実施してもよい。例えば、減圧雰囲気下、積層シート4Pに含まれる熱硬化性樹脂の硬化温度未満で熱プレスした後、減圧を解除して、大気圧下でさらに高温で加熱して、熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。あるいは、大気圧下で、積層シート4Pに含まれる熱硬化性樹脂の硬化温度未満で熱プレスした後、さらに高温で加熱して、熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。また、減圧雰囲気下、硬化温度で熱プレスすることにより、減圧中に熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。
以上の方法により、第1回路部材1、および、第1回路部材1に搭載された複数の第2回路部材2を備える実装部材と、実装部材を封止する封止材と、を備える実装構造体10が得られる。
(個片化工程)
得られた実装構造体10を、第2回路部材2ごとにダイシングする個片化工程を行ってもよい(図4(d))。これにより、チップレベルの実装構造体(実装チップ20)が得られる。
得られた実装構造体10を、第2回路部材2ごとにダイシングする個片化工程を行ってもよい(図4(d))。これにより、チップレベルの実装構造体(実装チップ20)が得られる。
本発明の実装構造体の製造方法は、中空封止とともに高い放熱性を付与することができるため、様々な実装構造体の製造方法として有用である。また、この方法に用いられる本発明の積層シートも、様々な実装構造体の製造に適している。
10:実装構造体
1:第1回路部材
2:第2回路部材
3:バンプ
4:封止材(積層シートの硬化物)
41:第1の硬化熱伝導層
42:第2の硬化熱伝導層
4P:積層シート
41P:第1の熱伝導層
42P:第2の熱伝導層
20:実装チップ
1:第1回路部材
2:第2回路部材
3:バンプ
4:封止材(積層シートの硬化物)
41:第1の硬化熱伝導層
42:第2の硬化熱伝導層
4P:積層シート
41P:第1の熱伝導層
42P:第2の熱伝導層
20:実装チップ
Claims (11)
- 第1回路部材と、前記第1回路部材に搭載される複数の第2回路部材と、を備えるとともに、前記第1回路部材と前記第2回路部材との間に空間が形成された実装部材を準備する工程と、
第1の熱伝導層と第2の熱伝導層とを備え、前記第1の熱伝導層が、少なくとも一方の最外に配置されている積層シートを準備する工程と、
前記第1の熱伝導層が前記第2回路部材と対向するように、前記積層シートを前記実装部材に配置する配置工程と、
前記積層シートを前記第1回路部材に対して押圧するとともに、前記積層シートを加熱して、前記空間を維持しながら前記第2回路部材を封止し、前記積層シートを硬化させる封止工程と、を具備し、
硬化後の前記第1の熱伝導層の常温における厚み方向の熱伝導率が、主面方向の熱伝導率以上であり、
硬化後の前記第2の熱伝導層の常温における主面方向の熱伝導率が、厚み方向の熱伝導率よりも大きい、実装構造体の製造方法。 - 硬化後の前記第1の熱伝導層の常温における厚み方向の熱伝導率が、1W/m・K以上である、請求項1に記載の実装構造体の製造方法。
- 硬化後の前記第2の熱伝導層の常温における主面方向の熱伝導率が、1W/m・K以上である、請求項1または2に記載の実装構造体の製造方法。
- 前記第1の熱伝導層は、熱硬化性樹脂を含む第1樹脂組成物により構成され、
前記第2回路部材が封止されるときの温度tにおいて、
前記第1樹脂組成物の損失正接tanδ1が、1以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。 - 前記第2の熱伝導層は、熱硬化性樹脂を含む第2樹脂組成物により構成され、
前記第2回路部材が封止されるときの温度tにおいて、
前記第2樹脂組成物の損失正接tanδ2が、0.3より大きい、請求項1~4のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。 - 前記実装部材が、第1回路部材に搭載され、発熱し得る前記第2回路部材とは異なる第3回路部材をさらに備え、
前記配置工程において、前記第1の熱伝導層を、前記第2回路部材および前記第3回路部材に対向するように配置し、
前記封止工程において、前記第2回路部材および前記第3回路部材が封止される、請求項1~5のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。 - 第1回路部材と、前記第1回路部材に搭載される複数の第2回路部材と、を備えるとともに、前記第1回路部材と前記第2回路部材との間に空間が形成された実装部材を封止するために用いられる積層シートであって、
第1の熱伝導層と第2の熱伝導層とを備え、
前記第1の熱伝導層が、少なくとも一方の最外に配置されており、
硬化後の前記第1の熱伝導層の常温における厚み方向の熱伝導率が、主面方向の熱伝導率以上であり、
硬化後の前記第2の熱伝導層の常温における主面方向の熱伝導率が、厚み方向の熱伝導率よりも大きい、積層シート。 - 硬化後の前記第1の熱伝導層の常温における厚み方向の熱伝導率が、1W/m・K以上である、請求項7に記載の積層シート。
- 硬化後の前記第2の熱伝導層の常温における主面方向の熱伝導率が、1W/m・K以上である、請求項7または8に記載の積層シート。
- 前記第1の熱伝導層は、熱硬化性樹脂を含む第1樹脂組成物により構成され、
前記第2回路部材が封止されるときの温度tにおいて、
前記第1樹脂組成物の損失正接tanδ1が、1以下である、請求項7~9のいずれか一項に記載の積層シート。 - 前記第2の熱伝導層は、熱硬化性樹脂を含む第2樹脂組成物により構成され、
前記第2回路部材が封止されるときの温度tにおいて、
前記第2樹脂組成物の損失正接tanδ2が、0.3より大きい、請求項7~10のいずれか一項に記載の積層シート。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017191944 | 2017-09-29 | ||
| JP2017191944 | 2017-09-29 | ||
| PCT/JP2018/036282 WO2019065976A1 (ja) | 2017-09-29 | 2018-09-28 | 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019065976A1 JPWO2019065976A1 (ja) | 2020-11-26 |
| JP7118985B2 true JP7118985B2 (ja) | 2022-08-16 |
Family
ID=65901469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019545688A Active JP7118985B2 (ja) | 2017-09-29 | 2018-09-28 | 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11799442B2 (ja) |
| EP (1) | EP3690931A4 (ja) |
| JP (1) | JP7118985B2 (ja) |
| KR (1) | KR102522785B1 (ja) |
| CN (1) | CN111108595A (ja) |
| SG (1) | SG11202002477YA (ja) |
| TW (1) | TWI754103B (ja) |
| WO (1) | WO2019065976A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102532359B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2023-05-15 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 실장 구조체의 제조 방법 및 이것에 이용되는 시트 |
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| JP5421751B2 (ja) | 2009-12-03 | 2014-02-19 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP5349432B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2013-11-20 | 日東電工株式会社 | 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート |
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| US9414530B1 (en) * | 2012-12-18 | 2016-08-09 | Amazon Technologies, Inc. | Altering thermal conductivity in devices |
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| JP6259608B2 (ja) | 2013-08-09 | 2018-01-10 | 日東電工株式会社 | 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法 |
| JP6584752B2 (ja) | 2014-06-12 | 2019-10-02 | 日東電工株式会社 | 封止用樹脂シート |
| JP2016001685A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 日東電工株式会社 | 電子デバイス装置の製造方法 |
| JP6375756B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2018-08-22 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池モジュール用の封止材シート及びその製造方法 |
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-
2018
- 2018-09-28 CN CN201880060735.XA patent/CN111108595A/zh active Pending
- 2018-09-28 EP EP18861304.6A patent/EP3690931A4/en not_active Withdrawn
- 2018-09-28 US US16/650,709 patent/US11799442B2/en active Active
- 2018-09-28 WO PCT/JP2018/036282 patent/WO2019065976A1/ja not_active Ceased
- 2018-09-28 JP JP2019545688A patent/JP7118985B2/ja active Active
- 2018-09-28 TW TW107134552A patent/TWI754103B/zh active
- 2018-09-28 SG SG11202002477YA patent/SG11202002477YA/en unknown
- 2018-09-28 KR KR1020207007627A patent/KR102522785B1/ko active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI754103B (zh) | 2022-02-01 |
| US20200287518A1 (en) | 2020-09-10 |
| EP3690931A1 (en) | 2020-08-05 |
| TW201921612A (zh) | 2019-06-01 |
| EP3690931A4 (en) | 2021-02-17 |
| KR102522785B1 (ko) | 2023-04-18 |
| KR20200066611A (ko) | 2020-06-10 |
| US11799442B2 (en) | 2023-10-24 |
| CN111108595A (zh) | 2020-05-05 |
| JPWO2019065976A1 (ja) | 2020-11-26 |
| SG11202002477YA (en) | 2020-04-29 |
| WO2019065976A1 (ja) | 2019-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210524 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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