JP7195766B2 - 還元性ガス検知材料、及び還元性ガス検知センサ - Google Patents
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Description
S=(GH-GN)/ GN (I)
(GH:水素存在下の電気伝導度、GN:水素不存在下の電気伝導度)
上述したように、本発明の実施形態に係る還元性ガス検知材料は、酸化パラジウムと金属パラジウムを含み、還元性ガスと反応性を有する。なお、後述するように、酸化パラジウムと金属パラジウムの含有原子数をそれぞれPO、とPMとし、金属パラジウムの原子数比率RPを下記式で表した時、RPが0.17以上0.45以下であることが好ましい。
RP=PM/(PM+PO)
RC=C/(P+C)
とした時、RCの範囲が0.95≧ RC ≧0.5であることが好ましい。
本発明の実施形態に係る還元性ガス検知センサは、上記還元性ガス検知材料と、上記還元性ガス検知材料の導電率を測定する手段を含む。還元性ガス検知センサに含まれる還元性ガス検知材料を以下では、反応層、と呼ぶことがある。なお、導電率を測定する手段は、還元性ガス検知材料と電気的に接触している一対の電極と、一対の電極に電圧を供給する電源と、一対の電極間の電気伝導度の変化を測定する検出回路(電気回路)と、を含む。また、上記一対の電極のそれぞれが、櫛歯形状であることが好ましい。
上記還元性ガス検知センサは、当該センサを搭載した移動体として用いることができる。本実施形態に係る移動体は、還元性ガス検知センサが、移動体の水素燃料タンクおよび燃料電池の少なくとも一方の付近に配置されていることが好ましい。
本発明の実施形態に係る還元性ガス検知材料の製造方法は、二価のパラジウム錯体を加熱処理することにより、酸化パラジウムと金属パラジウムとを得る工程を有する。なお、二価のパラジウム錯体が、下記一般式(1)で表される化合物であることが好ましい。
本発明の実施形態に係る還元性ガス検知センサの製造方法は、一対の電極が形成された基板上に、二価のパラジウム錯体を塗布する工程と、該二価のパラジウム錯体を加熱処理することにより、酸化パラジウムと金属パラジウムを得る工程とを有する。
本発明の実施形態に係る還元性ガスの検知方法は、還元性ガスとの反応による上記還元性ガス検知材料の導電性の変化を検知する。なお、導電性の変化は、例えば、還元性ガス検知材料と電気的に接触した一対の電極間の電気伝導度の変化である。
本実施形態では、酸化Pdおよび金属Pdを含むガス反応層を用いて還元性ガスを検知する還元性ガス検知センサ100(以下、単に「センサ100」と呼ぶことがある)について、図1を参照して説明する。図1は、センサ100の構成を説明する概略図である。
一対の電極11は、基板10の基板面に、互いに対向して配置されている。一対の電極11の材料としては、金属、金属酸化物、有機導電体などの導体を用いることができる。具体的には、金(Au)、アルミニウム(Al)などの金属、ITOなどの金属酸化物、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、PEDOT/PSSなどの有機導電体が挙げられる。
Pd(II)O+H2 → Pd(0)+2H2O (a)
他の例として反応式(b)に還元性ガスであるエチレンガスと酸化Pdとの反応を示す。
図4は、上記の酢酸Pd類縁体膜を高温処理した場合の初期電流の変化を示したものである。高温処理は、各温度において2時間保持することにより行い、その後、25℃で初期電流値を測定した。これによると、初期電流は、処理温度100℃以下では10-14Aを示している。処理温度110℃以上で、初期電流が急激に上昇し160℃で10-3Aに達する。
高温処理温度 Pd化合物成分
室温付近 酢酸Pd
60℃~100℃ 酸化Pd
110℃~140℃ 酸化Pd + 金属Pd
160℃以上 金属Pd
本実施形態の還元性ガス検知センサの曝露前の反応層には、酸化Pdと金属Pdが含まれる。先に述べたように酸化Pd中の2価のPdが還元性ガスと反応して金属Pdに変化し、電気伝導度の変化を与える。本発明者らがさらに検討した結果、ガス曝露前の反応層に酸化Pdに加え金属Pdが含まれることにより、応答時間が短くなることが分かった。還元性ガス曝露前に金属Pdが一定の割合で存在することで応答時間が短くなる理由は以下のように考えられる。
本実施形態の還元性ガス検知センサのガス曝露による電流変化は、反応層における酸化Pd→金属Pdの変化に伴う電気伝導度上昇に伴う電流変化に由来している。曝露前の初期状態から、反応層に、この反応の生成物である金属Pdが一定の割合で含まれていれば応答時間が短くなると説明できる。
反応層に含まれる酸化Pdと金属Pdの原子数をそれぞれPOとPMとし、反応層に含まれる金属Pdの原子数比率RPを以下のように定義する。
RP=PM/(PM+PO)
この比率を見積もるために、本発明者らが検討した結果、パラジウム原子の還元反応によって金属Pdが生成すると、反応層膜厚が減少することを見出した。その反応層膜厚変化量が、生成した金属Pd量に比例すると考えられるので、この関係を用いて金属Pdの比率を見積もることができる。
・酸化Pdの膜厚=T(PO)
・金属Pdの膜厚=T(PM)
・金属Pdと酸化Pdの混在層の膜厚=T(PO+PM)
そうすると、上記金属Pdの存在比率RPは、
RP=(T(PO)-T(PO+PM))/(T(PO)-T(PM))
となる。
120℃の高温処理で作成した反応層中のパラジウムは酸化Pdと金属Pdとして存在している。この時の反応層の膜厚は34nmである。
80℃の高温処理で作成した反応層を水素ガスに曝露して十分長い時間(24時間)反応させた反応層中のパラジウムは金属Pdとして存在している。この時の反応層の膜厚は25nmである。
RP=(37-34)/(37-25)=0.25
となる。
同様に金属Pd比率の下限も求めることができ、下限は0.17ある。
すなわち、金属Pdの好ましい原子数比率RPは0.17以上0.45以下である。
本実施形態において、反応層中に酸化Pdと金属Pdを含む還元性ガス検知センサを製造する簡便な方法として、上で示したように酢酸Pd類縁体の膜を形成した後、100℃より高く150℃以下、より好ましくは110℃以上140℃以下で、事前に高温処理して得る方法を挙げることができる。この高温処理で、酢酸Pd類縁体または酸化Pd中の2価のPd(II)が0価のPd(0)に還元されて金属Pdが生成されるメカニズムは以下のように考えられる。X線光電子分光の分析結果によれば、60℃以上の高温処理によって酢酸Pdが酸化Pdに変化した反応層中においても酢酸由来の炭素が豊富に含まれている。この残存する炭素(以下、「炭素化合物」という)が酸化されて炭酸ガスなどになり、この酸化反応に伴って2価のパラジウム原子Pd(II)が還元されて0価のパラジウム(すなわち金属Pd)が生成したものと考えられる。上記炭素化合物は、上記一般式(1)で示される酢酸類縁体に含まれる炭素由来のものであり、XPS分析およびIRスペクトル分析からC-C単結合、C-H結合、C=C二重結合、またはOH基を有する一種の化合物または複数種の化合物の混合物である。
上記のように酢酸類縁体由来の炭素化合物が反応層内に存在することが、高温処理(100℃より高く150℃以下)による金属Pdの生成を促進していると考えられる。上記炭素化合物は、もう一つ重要な役割を果たしている。それは、還元性ガス曝露前の初期状態における反応層の抵抗値すなわち電気伝導度の制御である。
Japan Journal of Applied Physics,vol.6,page 779(1967)には酸化Pd膜の室温における電気伝導度が約1Ω-1cm-1であることが記載されている。
すなわち、上記パラジウム化合物としての酸化Pdと金属Pdの混合物と炭素化合物を含む反応層中のパラジウム原子の含有原子数をPとし、炭素原子の含有原子数をCとし、両原子数の合計に対する炭素の原子数の比率RCを下記式:
RC=C/(P+C)
で表した時、RCの範囲を0.95≧RC≧0.5とすることでガス曝露前の電気伝導度が著しく小さくなることを見出した。
すなわち本発明によれば、応答時間が短く、かつ、低消費電力で感度の高い還元性ガス検知センサを提供することが可能になる。
本実施形態では、図2を参照して、還元性ガス検知センサ200の構成について説明する。図2は、本実施形態のセンサ200の構成を説明する模式的断面図であり、センサ200は、基板20、一対の電極21および反応層22を有する。基板20としては、第1の実施形態の基板10と同様の材料を用いることができる。
本実施形態では、第1の実施形態又は第2の実施形態で説明したセンサ100、200を具備した移動体について説明する。本実施形態では、移動体である燃料電池車300について、図6を参照して説明する。図6は、燃料電池車300の構成の一例を示す模式図である。
S=(GH-GN)/ GN (I)
(GH:還元性ガスとの反応後の電気伝導度、GN:還元性ガスとの反応前の電気伝導度)
本実施例では、測定した電流値は反応層の電気伝導度に比例するので、測定電流値から感度Sを算出した。
パラジウム化合物の成分分析には、斜入射X線回折法およびX線光電子分光法を用いた。
斜入射X線回折測定にはパナリティカル(株)社製のX’Pert MRD(商品名)を用いた。また、X線光電子分光法測定にはアルバックファイ社製のQunteraSXM(商品名)を用いた。
本実施例では、第1の実施形態で図1(b)を参照して説明した櫛歯状電極を有するセンサ100を作製した。反応層12を形成するため、東京化成(株)社製の酢酸パラジウム・3量体を用いた。酢酸パラジウム・3量体の1重量%酢酸エチル溶液を調製し、該酢酸エチル溶液を櫛歯形状の電極15上にスピンコートした。スピンコートの条件は、1000回転/分で20秒間であった。電極15間の電極間隔は5μmとした。また、電極15の電極長は80cmとした。スピンコート成膜後、高温処理を行うため110℃の恒温槽に2時間保存した。
本実施例では、高温処理温度を120℃に変えた以外は実施例1と同様の操作を行い、実施例1と同様に、斜入射X線回折/X線光電子分光から、酢酸Pdと金属Pdの存在を確認した。
本実施例では、高温処理温度を125℃に変えた以外は実施例1と同様の操作を行い、実施例1と同様に、斜入射X線回折/X線光電子分光から、酢酸Pdと金属Pdの存在を確認した。
本実施例では、高温処理温度を130℃に変えた以外は実施例1と同様の操作を行い、実施例1と同様に、斜入射X線回折/X線光電子分光から、酢酸Pdと金属Pdの存在を確認した。
本実施例では、高温処理温度を135℃に変えた以外は実施例と同様の操作を行い、実施例1と同様に、斜入射X線回折/X線光電子分光から、酢酸Pdと金属Pdの存在を確認した。
本実施例では、高温処理温度を140℃に変えた以外は実施例1と同様の操作を行い、実施例1と同様に、斜入射X線回折/X線光電子分光から、酢酸Pdと金属Pdの存在を確認した。
比較例1~3では高温処理温度が25~100℃であり、この処理温度では金属Pd生成は確認できず、10-6Aに到達する応答時間は200~300秒であった。感度は1010と大きな値を示すが応答時間が長く実用性が低いことが分かった。
比較例4では、高温処理温度が160℃であり、この処理温度では酸化Pdがすべて金属Pdに変化していることが分かった。水素曝露しても電流応答の時間変化はなく、水素に応答しないことが分かった。
本実施例では、実施例1で用いた東京化成(株)社製の酢酸パラジウム・3量体を酢酸パラジウムに変更し、高温処理温度を125℃に変更した以外は実施例1と同様の操作を行である。その結果、初期電流は10~12A、応答時間50秒、感度109であった。本実施例のセンサは高感度と短い応答時間が両立した水素ガス検知センサであることが分かった。
本実施例では、実施例1で用いた1%水素ガスを1%エチレンガスに変更した以外は実施例1と同様の操作を行った。初期電流は10-13A、エチレンガス曝露開始から10-6Aに達する応答時間は120秒であった。本実施例のセンサは高感度と短い応答時間が両立したエチレンガス検知センサであることが分かった。
本実施例では、実施例4で用いた1%水素ガスを1%エチレンガスに変更した以外は実施例4と同様の操作を行った。初期電流は10-10A、エチレンガス曝露開始から10-6Aに達する応答時間は50秒であった。本実施例のセンサは高感度と短い応答時間が両立したエチレンガス検知センサであることが分かった。
11 電極
12 反応層(還元性ガス検知材料)
13 電源
14 検出回路
15 電極
20 基板
21 電極
22 反応層(還元性ガス検知材料)
31 車室
32 水素ガス検知センサ
33 水素燃料タンク
34 水素ガス検知センサ
35 燃料電池
36 モータ
100 還元性ガス検知センサ
200 センサ(還元性ガス検知センサ)
300 燃料電池車
Claims (13)
- 酸化パラジウムと金属パラジウムと炭素化合物を含む水素ガス検知材料と、
前記水素ガス検知材料が水素ガスと反応することによって生じる、前記水素ガス検知材料の導電率の変化を検知する検知手段とを有する水素ガス検知センサであって、
前記水素ガス検知材料に前記酸化パラジウムとして含まれるパラジウム原子の数と、前記水素ガス検知材料に前記金属パラジウムとして含まれるパラジウム原子の数をそれぞれPOとPMとし、金属パラジウムの原子数比率RPを下記式で表した時、
RP=PM/(PM+PO)
原子数比率RPが0.17以上0.45以下であることを特徴とする水素ガス検知センサ。 - 前記水素ガス検知材料は、金属種としてパラジウムのみを含むことを特徴とする請求項1に記載の水素ガス検知センサ。
- 前記水素ガス検知材料に含まれるパラジウム原子の原子数と、前記水素ガス検知材料に前記炭素化合物として含まれる炭素原子の原子数との和に対する、前記炭素原子の原子数の比率が、0.5以上0.95以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の水素ガス検知センサ。
- 前記炭素化合物はC-C単結合、C-H結合、C=C二重結合、およびOH基を有する一種の化合物または複数種の化合物の混合物であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の水素ガス検知センサ。
- 前記検知手段は、
前記水素ガス検知材料と電気的に接触している一対の電極と、
前記一対の電極に電圧を供給する手段と、
前記一対の電極間の電気伝導度の変化を測定することにより前記水素ガス検知材料の導電率の変化を検出する検出回路と、
を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の水素ガス検知センサ。 - 前記一対の電極同士が対向している部分における電極間での距離のうち最短の距離が0.05μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項5に記載の水素ガス検知センサ。
- 前記一対の電極のそれぞれが、櫛歯形状であることを特徴とする請求項5または6に記載の水素ガス検知センサ。
- 前記水素ガス検知材料は膜形状を有することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の水素ガス検知センサ。
- 膜形状を有する前記水素ガス検知材料の膜厚が5nm以上1000nm以下であることを特徴とする請求項8に記載の水素ガス検知センサ。
- 常温で前記水素ガスを検知可能であることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の水素ガス検知センサ。
- 酸化パラジウムと金属パラジウムを含む水素ガス検知材料と、
前記水素ガス検知材料が水素ガスと反応することによって生じる、前記水素ガス検知材料の導電率の変化を検知する検知手段とを有する水素ガス検知センサであって、
前記水素ガス検知材料に前記酸化パラジウムとして含まれるパラジウム原子の数と、前記水素ガス検知材料に前記金属パラジウムとして含まれるパラジウム原子の数をそれぞれPOとPMとし、金属パラジウムの原子数比率R P を下記式で表した時、
R P =PM/(PM+PO)
原子数比率R P が0.17以上0.45以下であり、
常温で前記水素ガスを検知可能であることを特徴とする水素ガス検知センサ。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載の水素ガス検知センサを搭載していることを特徴とする移動体。
- 前記移動体に水素燃料タンクおよび燃料電池が設けられ、
前記水素ガス検知センサが、前記水素燃料タンクおよび前記燃料電池の少なくとも一方の付近に配置されていることを特徴とする、請求項12に記載の移動体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018093371A JP7195766B2 (ja) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | 還元性ガス検知材料、及び還元性ガス検知センサ |
| US16/395,647 US11686698B2 (en) | 2018-05-14 | 2019-04-26 | Reducing gas detection material and reducing gas detection sensor |
| EP19173502.6A EP3570024A3 (en) | 2018-05-14 | 2019-05-09 | Reducing gas detection material and reducing gas detection sensor |
| CN201910395676.8A CN110487853A (zh) | 2018-05-14 | 2019-05-14 | 还原性气体检测材料和还原性气体检测传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018093371A JP7195766B2 (ja) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | 還元性ガス検知材料、及び還元性ガス検知センサ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019200071A JP2019200071A (ja) | 2019-11-21 |
| JP2019200071A5 JP2019200071A5 (ja) | 2021-07-26 |
| JP7195766B2 true JP7195766B2 (ja) | 2022-12-26 |
Family
ID=68612445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018093371A Active JP7195766B2 (ja) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | 還元性ガス検知材料、及び還元性ガス検知センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7195766B2 (ja) |
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| JP2016045036A (ja) | 2014-08-21 | 2016-04-04 | 本田技研工業株式会社 | ガス監視システム |
| JP2017508965A (ja) | 2014-03-02 | 2017-03-30 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 金属−炭素錯体に基づく気体センサ |
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- 2018-05-14 JP JP2018093371A patent/JP7195766B2/ja active Active
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| JP2016045036A (ja) | 2014-08-21 | 2016-04-04 | 本田技研工業株式会社 | ガス監視システム |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019200071A (ja) | 2019-11-21 |
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| JP7195766B2 (ja) | 還元性ガス検知材料、及び還元性ガス検知センサ |
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