JP7192843B2 - 撮像素子及び電子機器 - Google Patents
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Description
図1は、積層型撮像素子の断面図である。なお、この積層型撮像素子100は、本願出願人が先に出願した特願2012-139026号に記載されているものである。撮像素子100は、入射光に対応した画素信号を出力する撮像チップ113と、画素信号を処理する信号処理チップ111と、画素信号を記憶するメモリチップ112とを備える。これら撮像チップ113、信号処理チップ111、及びメモリチップ112は積層されており、Cu等の導電性を有するバンプ109により互いに電気的に接続される。
第2実施形態では、上記した第1実施形態における電子機器1を、撮像装置1Aと電子機器1Bとに分離した構成としている。
Claims (44)
- 複数の半導体基板が積層された撮像素子であって、
前記複数の半導体基板は、
光を電荷に変換する複数の光電変換部が行方向に並んで配置される第1半導体基板と、
前記複数の光電変換部のうち第1光電変換部と第2光電変換部とでそれぞれ変換された電荷を蓄積する第1蓄積時間と、前記複数の光電変換部のうち第3光電変換部と第4光電変換部とでそれぞれ変換された電荷を蓄積する第2蓄積時間とが異なる蓄積時間となるように制御する駆動部と、前記第1光電変換部の電荷に基づく第1信号と前記第2光電変換部の電荷に基づく第2信号とをデジタル信号に変換する第1変換部と、前記第3光電変換部の電荷に基づく第3信号と前記第4光電変換部の電荷に基づく第4信号とをデジタル信号に変換する第2変換部とを有する第2半導体基板とを備える撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
前記第1信号と前記第2信号とが出力される第1出力配線と、
前記第3信号と前記第4信号とが出力される第2出力配線と、を備え、
前記第1変換部は、前記第1出力配線に出力された前記第1信号と前記第2信号とをデジタル信号に変換し、
前記第2変換部は、前記第2出力配線に出力された前記第3信号と前記第4信号とをデジタル信号に変換する撮像素子。 - 請求項2に記載の撮像素子において、
前記第1半導体基板は、
前記第1出力配線に電流を供給するための第1電流源と、
前記第2出力配線に電流を供給するための第2電流源と、を備える撮像素子。 - 請求項2に記載の撮像素子において、
前記第2半導体基板は、
前記第1出力配線に電流を供給するための第1電流源と、
前記第2出力配線に電流を供給するための第2電流源と、を備える撮像素子。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第2半導体基板は、
前記第1信号と前記第2信号とを増幅するための第1増幅部と、
前記第3信号と前記第4信号とを増幅するための第2増幅部と、を有する撮像素子。 - 請求項5に記載の撮像素子において、
前記駆動部は、前記第1増幅部と前記第2増幅部とで異なる増幅率となるように制御する撮像素子。 - 請求項5又は請求項6に記載の撮像素子において、
前記第1変換部は、前記第1増幅部で増幅された前記第1信号と前記第2信号とをデジタル信号に変換し、
前記第2変換部は、前記第2増幅部で増幅された前記第3信号と前記第4信号とをデジタル信号に変換する撮像素子。 - 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記複数の半導体基板は、
前記第1変換部によりデジタル信号に変換された前記第1信号を記憶する第1記憶部と、前記第1変換部によりデジタル信号に変換された前記第2信号を記憶する第2記憶部と、前記第2変換部によりデジタル信号に変換された前記第3信号を記憶する第3記憶部と、前記第2変換部によりデジタル信号に変換された前記第4信号を記憶する第4記憶部と、を有する第3半導体基板を備える撮像素子。 - 請求項8に記載の撮像素子において、
前記第2半導体基板は、前記複数の半導体基板の積層方向において、前記第1半導体基板と前記第3半導体基板との間に配置される撮像素子。 - 請求項8又は請求項9に記載の撮像素子において、
前記第1記憶部に記憶された前記第1信号と、前記第2記憶部に記憶された前記第2信号とに演算処理を行う第1演算回路と、
前記第3記憶部に記憶された前記第3信号と、前記第4記憶部に記憶された前記第4信号とに演算処理を行う第2演算回路と、を備える撮像素子。 - 請求項10に記載の撮像素子において、
前記駆動部は、前記第1演算回路と前記第2演算回路とで異なる演算処理が行われるように制御する撮像素子。 - 請求項10又は請求項11に記載の撮像素子において、
前記第1演算回路と前記第2演算回路とは、前記第2半導体基板に配置される撮像素子。 - 請求項10又は請求項11に記載の撮像素子において、
前記第1演算回路と前記第2演算回路とは、前記第3半導体基板に配置される撮像素子。 - 請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記駆動部は、前記第1蓄積時間を終了するタイミングと、前記第2蓄積時間を終了するタイミングと、を制御する撮像素子。 - 請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1半導体基板は、前記第1光電変換部の電荷を転送するための第1転送部と、前記第2光電変換部の電荷を転送するための第2転送部と、前記第3光電変換部の電荷を転送するための第3転送部と、前記第4光電変換部の電荷を転送するための第4転送部と、を有し、
前記駆動部は、前記第1蓄積時間と前記第2蓄積時間とが異なる蓄積時間となるように前記第1転送部、前記第2転送部、前記第3転送部及び前記第4転送部を制御する撮像素子。 - 請求項15に記載の撮像素子において、
前記第1転送部と前記第2転送部とに接続される第1転送制御配線と、
前記第3転送部と前記第4転送部とに接続される第2転送制御配線と、を備え、
前記駆動部は、前記第1転送部と前記第2転送部とを制御するための第1転送制御信号を前記第1転送制御配線に出力し、前記第3転送部と前記第4転送部とを制御するための第2転送制御信号を前記第2転送制御配線に出力する撮像素子。 - 請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記駆動部は、前記第1蓄積時間を開始するタイミングと、前記第2蓄積時間を開始するタイミングと、を制御する撮像素子。 - 請求項1から請求項17のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1半導体基板は、前記第1光電変換部の電荷を排出するための第1リセット部と、前記第2光電変換部の電荷を排出するための第2リセット部と、前記第3光電変換部の電荷を排出するための第3リセット部と、前記第4光電変換部の電荷を排出するための第4リセット部と、を有し、
前記駆動部は、前記第1蓄積時間と前記第2蓄積時間とが異なる蓄積時間となるように前記第1リセット部、前記第2リセット部、前記第3リセット部及び前記第4リセット部を制御する撮像素子。 - 請求項18に記載の撮像素子において、
前記第1リセット部と前記第2リセット部とに接続される第1リセット制御配線と、
前記第3リセット部と前記第4リセット部とに接続される第2リセット制御配線と、を備え、
前記駆動部は、前記第1リセット部と前記第2リセット部とを制御するための第1リセット制御信号を前記第1リセット制御配線に出力し、前記第3リセット部と前記第4リセット部とを制御するための第2リセット制御信号を前記第2リセット制御配線に出力する撮像素子。 - 請求項1から請求項19のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1光電変換部と前記第2光電変換部とは、隣に並んで配置され、
前記第3光電変換部と前記第4光電変換部とは、隣に並んで配置される撮像素子。 - 複数の半導体基板が積層された撮像素子であって、
前記複数の半導体基板は、
光を電荷に変換する複数の光電変換部を有する第1半導体基板と、
前記複数の光電変換部のうち、第1光電変換部、第2光電変換部及び第3光電変換部でそれぞれ変換された電荷を蓄積する第1蓄積時間と、前記複数の光電変換部のうち、第4光電変換部、第5光電変換部及び第6光電変換部でそれぞれ変換された電荷を蓄積する第2蓄積時間とが異なる蓄積時間となるように制御する駆動部と、前記第1光電変換部の電荷に基づく第1信号と前記第2光電変換部の電荷に基づく第2信号と前記第3光電変換部の電荷に基づく第3信号とをデジタル信号に変換する第1変換部と、前記第4光電変換部の電荷に基づく第4信号と前記第5光電変換部の電荷に基づく第5信号と前記第6光電変換部の電荷に基づく第6信号とをデジタル信号に変換する第2変換部とを有する第2半導体基板とを備え、
前記第1光電変換部と前記第2光電変換部とは、行方向に並んで配置され、
前記第1光電変換部及び前記第2光電変換部のうちいずれか一方の光電変換部と前記第3光電変換部とは、列方向に並んで配置され、
前記第4光電変換部と前記第5光電変換部とは、前記行方向に並んで配置され、
前記第4光電変換部及び前記第5光電変換部のうちいずれか一方の光電変換部と前記第6光電変換部とは、前記列方向に並んで配置される撮像素子。 - 請求項21に記載の撮像素子において、
前記第1信号、前記第2信号及び前記第3信号が出力される第1出力配線と、
前記第4信号、前記第5信号及び前記第6信号が出力される第2出力配線と、を備え、
前記第1変換部は、前記第1出力配線に出力された前記第1信号、前記第2信号及び前記第3信号をデジタル信号に変換し、
前記第2変換部は、前記第2出力配線に出力された前記第4信号、前記第5信号及び前記第6信号をデジタル信号に変換する撮像素子。 - 請求項22に記載の撮像素子において、
前記第1半導体基板は、
前記第1出力配線に電流を供給するための第1電流源と、
前記第2出力配線に電流を供給するための第2電流源と、を備える撮像素子。 - 請求項22に記載の撮像素子において、
前記第2半導体基板は、
前記第1出力配線に電流を供給するための第1電流源と、
前記第2出力配線に電流を供給するための第2電流源と、を備える撮像素子。 - 請求項21から請求項24のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第2半導体基板は、前記第1信号、前記第2信号及び前記第3信号を増幅するための第1増幅部と、前記第4信号、前記第5信号及び前記第6信号を増幅するための第2増幅部と、を有する撮像素子。 - 請求項25に記載の撮像素子において、
前記駆動部は、前記第1増幅部と前記第2増幅部とで異なる増幅率となるように制御する撮像素子。 - 請求項25又は請求項26に記載の撮像素子において、
前記第1変換部は、前記第1増幅部で増幅された前記第1信号、前記第2信号及び前記第3信号をデジタル信号に変換し、
前記第2変換部は、前記第2増幅部で増幅された前記第4信号、前記第5信号及び前記第6信号をデジタル信号に変換する撮像素子。 - 請求項21から請求項27のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記複数の半導体基板は、前記第1変換部によりデジタル信号に変換された前記第1信号を記憶する第1記憶部と、前記第1変換部によりデジタル信号に変換された前記第2信号を記憶する第2記憶部と、前記第1変換部によりデジタル信号に変換された前記第3信号を記憶する第3記憶部と、前記第2変換部によりデジタル信号に変換された前記第4信号を記憶する第4記憶部と、前記第2変換部によりデジタル信号に変換された前記第5信号を記憶する第5記憶部と、前記第2変換部によりデジタル信号に変換された前記第6信号を記憶する第6記憶部と、を有する第3半導体基板を備える撮像素子。 - 請求項28に記載の撮像素子において、
前記第2半導体基板は、前記複数の半導体基板の積層方向において、前記第1半導体基板と前記第3半導体基板との間に配置される撮像素子。 - 請求項28又は請求項29に記載の撮像素子において、
前記第1記憶部に記憶された前記第1信号と、前記第2記憶部に記憶された前記第2信号と、前記第3記憶部に記憶された前記第3信号とに演算処理を行う第1演算回路と、
前記第4記憶部に記憶された前記第4信号と、前記第5記憶部に記憶された前記第5信号と前記第6記憶部に記憶された前記第6信号とに演算処理を行う第2演算回路と、を備える撮像素子。 - 請求項30に記載の撮像素子において、
前記駆動部は、前記第1演算回路と前記第2演算回路とで異なる演算処理が行われるように制御する撮像素子。 - 請求項30又は請求項31に記載の撮像素子において、
前記第1演算回路と前記第2演算回路とは、前記第2半導体基板に配置される撮像素子。 - 請求項30又は請求項31に記載の撮像素子において、
前記第1演算回路と前記第2演算回路とは、前記第3半導体基板に配置される撮像素子。 - 請求項21から請求項33のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記駆動部は、前記第1蓄積時間を終了するタイミングと、前記第2蓄積時間を終了するタイミングと、を制御する撮像素子。 - 請求項21から請求項34のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1半導体基板は、前記第1光電変換部の電荷を転送するための第1転送部と、前記第2光電変換部の電荷を転送するための第2転送部と、前記第3光電変換部の電荷を転送するための第3転送部と、前記第4光電変換部の電荷を転送するための第4転送部と、前記第5光電変換部の電荷を転送するための第5転送部と、前記第6光電変換部の電荷を転送するための第6転送部と、を有し、
前記駆動部は、前記第1蓄積時間と前記第2蓄積時間とが異なる蓄積時間となるように前記第1転送部、前記第2転送部、前記第3転送部、前記第4転送部、前記第5転送部及び前記第6転送部を制御する撮像素子。 - 請求項35に記載の撮像素子において、
前記第1転送部、前記第2転送部及び前記第3転送部に接続される第1転送制御配線と、
前記第4転送部、前記第5転送部及び前記第6転送部に接続される第2転送制御配線と、を備え、
前記駆動部は、前記第1転送部、前記第2転送部及び前記第3転送部を制御するための第1転送制御信号を前記第1転送制御配線に出力し、前記第4転送部、前記第5転送部及び前記第6転送部を制御するための第2転送制御信号を前記第2転送制御配線に出力する撮像素子。 - 請求項21から請求項36のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記駆動部は、前記第1蓄積時間を開始するタイミングと、前記第2蓄積時間を開始するタイミングと、を制御する撮像素子。 - 請求項21から請求項37のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1半導体基板は、前記第1光電変換部の電荷を排出するための第1リセット部と、前記第2光電変換部の電荷を排出するための第2リセット部と、前記第3光電変換部の電荷を排出するための第3リセット部と、前記第4光電変換部の電荷を排出するための第4リセット部と、前記第5光電変換部の電荷を排出するための第5リセット部と、前記第6光電変換部の電荷を排出するための第6リセット部と、を有し、
前記駆動部は、前記第1蓄積時間と前記第2蓄積時間とが異なる蓄積時間となるように前記第1リセット部、前記第2リセット部、前記第3リセット部、前記第4リセット部、前記第5リセット部及び前記第6リセット部を制御する撮像素子。 - 請求項38に記載の撮像素子において、
前記第1リセット部、前記第2リセット部及び前記第3リセット部に接続される第1リセット制御配線と、
前記第4リセット部、前記第5リセット部及び前記第6リセット部に接続される第2リセット制御配線と、を備え、
前記駆動部は、前記第1リセット部、前記第2リセット部及び前記第3リセット部を制御するための第1リセット制御信号を前記第1リセット制御配線に出力し、前記第4リセット部、前記第5リセット部及び前記第6リセット部を制御するための第2リセット制御信号を前記第2リセット制御配線に出力する撮像素子。 - 請求項21から請求項39のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第1光電変換部と前記第2光電変換部とは、隣に並んで配置され、
前記第1光電変換部及び前記第2光電変換部のうちいずれか一方の光電変換部と前記第3光電変換部とは、隣に並んで配置され、
前記第4光電変換部と前記第5光電変換部とは、隣に並んで配置され、
前記第4光電変換部及び前記第5光電変換部のうちいずれか一方の光電変換部と前記第6光電変換部とは、隣に並んで配置される撮像素子。 - 請求項1から請求項40のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記駆動部は、前記第1変換部と前記第2変換部とで異なる信号処理が行われるように制御する撮像素子。 - 請求項41に記載の撮像素子において、
前記駆動部は、前記第1変換部と前記第2変換部とで異なるビット数でデジタル信号への変換が行われるように制御する撮像素子。 - 請求項1から請求項42のいずれか一項に記載の撮像素子を備える電子機器。
- 請求項43に記載の電子機器において、
前記撮像素子に接続され、画像データを生成する生成部を備える電子機器。
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