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JP7173221B2 - Double-sided plated laminate - Google Patents

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JP7173221B2
JP7173221B2 JP2021095035A JP2021095035A JP7173221B2 JP 7173221 B2 JP7173221 B2 JP 7173221B2 JP 2021095035 A JP2021095035 A JP 2021095035A JP 2021095035 A JP2021095035 A JP 2021095035A JP 7173221 B2 JP7173221 B2 JP 7173221B2
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吉幸 浅川
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Description

本発明は、両面めっき積層体、両面めっき積層体の製造方法に関する。 The present invention relates to a double-sided plated laminate and a method for producing a double-sided plated laminate.

携帯電話や自動車電話などの移動体通信をはじめ、タブレット、電子書籍専用端末、スマートフォン、MP3プレーヤー、電子ゲーム機などの携帯用電子機器の小型・軽量化の要求が拡大し、電子部品を微小間隔で高密度に装備する高密度実装への期待が一段と強まっている。これに伴い、プリント配線基板の多層化、配線ピッチの狭幅化、ビアホールの微細化、ICパッケージの小型多ピン化が進められている。またコンデンサや抵抗の受動素子についても、小型化・集積化及び表面実装化が合わせて進められている。 In addition to mobile communications such as mobile phones and car phones, the demand for smaller and lighter portable electronic devices such as tablets, e-book terminals, smartphones, MP3 players, and electronic game consoles is increasing. Expectations for high-density mounting, which is equipped with high density in Along with this, multilayering of printed wiring boards, narrowing of wiring pitches, miniaturization of via holes, and miniaturization of IC packages with a large number of pins are being promoted. Passive elements such as capacitors and resistors are also being miniaturized, integrated, and surface-mounted.

特に、電子部品を、プリント配線基板などの表面、または内部へ直接実装する技術は、高密度実装を達成できるだけでなく、信頼性の向上にも寄与する。これらのことから、プリント配線基板の寸法精度、すなわち配線ピッチの精度も要求レベルが高度になり、さらに、プリント配線基板は、寸法の熱的安定性も要求されている。 In particular, the technique of directly mounting electronic components on the surface of a printed wiring board or the like, or in the inside thereof, not only achieves high-density mounting, but also contributes to improved reliability. For these reasons, the required level of dimensional accuracy of the printed wiring board, that is, the accuracy of the wiring pitch, is becoming higher, and the printed wiring board is also required to have dimensional thermal stability.

プリント配線基板として、プラスチックフィルムの表面に金属層等を配置したプラスチック配線基板が一般的に用いられている。 As a printed wiring board, a plastic wiring board having a metal layer or the like arranged on the surface of a plastic film is generally used.

プラスチック配線基板の製造方法としては以下の代表的な2つの製造方法が知られている。 As a method of manufacturing a plastic wiring board, the following two typical manufacturing methods are known.

第1の方法としては、回路を形成する導体に用いられる金属箔とプラスチックフィルムとを熱圧着(ラミネート)法で貼り合わせる方法が挙げられる。 As a first method, there is a method of laminating a metal foil and a plastic film used for conductors forming a circuit by a thermocompression bonding (laminating) method.

第2の方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等の乾式めっき法によって、プラスチックフィルム上に薄膜のシード層、及び第1金属層を形成し、その上に無電解めっき法または電解めっき法の湿式めっき法によりさらに第2金属層を形成するメタライジング法が挙げられる。 As a second method, a thin seed layer and a first metal layer are formed on a plastic film by a dry plating method such as a sputtering method, an ion plating method, or a vacuum deposition method, and then electroless plating is performed thereon. Alternatively, there is a metallizing method in which a second metal layer is further formed by a wet plating method such as an electrolytic plating method.

メタライジング法によるプラスチック配線基板の製造方法の具体的な例は、特許文献1、特許文献2に開示されている。 A specific example of a method for manufacturing a plastic wiring board by the metallizing method is disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2.

例えば特許文献1には、熱可塑性液晶ポリマーフィルム上に、ニッケル、クロム、またはこれらの合金からなる金属シード層を、スパッタリング法を用いて形成する。次いで銅導電層を形成し、銅導電層の上に、電気銅めっきもしくは無電解銅めっき、または両者を併用して銅導電層を形成した例が開示されている。 For example, in Patent Document 1, a metal seed layer made of nickel, chromium, or an alloy thereof is formed on a thermoplastic liquid crystal polymer film using a sputtering method. An example is disclosed in which a copper conductive layer is then formed, and the copper conductive layer is formed on the copper conductive layer by electrolytic copper plating, electroless copper plating, or a combination of both.

ところで、プラスチック配線基板は、電子部品等を高密度実装するために、プラスチックフィルムの両面上に、金属層を配置した両面めっき積層体とすることが求められる場合がある。 By the way, a plastic wiring board may be required to be a double-sided plated laminate in which metal layers are arranged on both sides of a plastic film in order to mount electronic components and the like at high density.

例えば特許文献3には、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの両方の表面に金属シートが接合された両面金属張積層体が開示されている。 For example, Patent Document 3 discloses a double-sided metal clad laminate in which metal sheets are bonded to both surfaces of a thermoplastic liquid crystal polymer film.

また、両面めっき積層体は、メタライジング法によっても製造することができる。 A double-sided plated laminate can also be produced by a metallizing method.

特開2005-297405号公報JP-A-2005-297405 特開2009-026990号公報JP 2009-026990 A 特開2006-137011号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-137011

しかしながら、プラスチックフィルムの両面上にシード層、第1金属層、第2金属層をその順に積層した両面めっき積層体の金属積層体をパターニングし、プラスチックフィルムが露出すると、プラスチックフィルムが吸湿、膨張し、大きな寸法変化が生じるという問題があった。 However, when the metal laminate of the double-sided plated laminate in which a seed layer, a first metal layer and a second metal layer are laminated in that order on both sides of a plastic film is patterned and the plastic film is exposed, the plastic film absorbs moisture and expands. , there was a problem that a large dimensional change occurs.

上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体をエッチングし、プラスチックフィルムの一部が露出した場合でも寸法変化が抑制された、両面めっき積層体を提供することを目的とする。 In view of the above problems of the prior art, in one aspect of the present invention, a double-sided plated laminate in which a metal laminate disposed on the surface of a plastic film is etched to suppress dimensional change even when a part of the plastic film is exposed The purpose is to provide the body.

上記課題を解決するため本発明の一側面では、
プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルムの両面上に直接配置されたシード層と、
前記シード層上に配置された第1金属層と、
前記第1金属層上に配置された第2金属層と、を有する両面めっき積層体であって、
前記プラスチックフィルムの23.0℃±2.0℃での吸水率が70%以上100%未満であり、
IPC-TM-650、2.2.4、Method BによるMD及びTDの寸法変化率が±0.05%以内であり、
IPC-TM-650、2.2.4、Method CによるMD及びTDの寸法変化率が、±0.05%以内である両面めっき積層体を提供する。
In order to solve the above problems, in one aspect of the present invention,
a plastic film;
a seed layer disposed directly on both sides of the plastic film;
a first metal layer disposed on the seed layer;
A double-sided plated laminate having a second metal layer disposed on the first metal layer,
The water absorption rate of the plastic film at 23.0° C.±2.0° C. is 70% or more and less than 100%,
The dimensional change rate of MD and TD according to IPC-TM-650, 2.2.4, Method B is within ±0.05%,
Provide a double-sided plated laminate having a dimensional change rate in MD and TD according to IPC-TM-650, 2.2.4, Method C within ±0.05%.

本発明の一側面によれば、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体をエッチングし、プラスチックフィルムの一部が露出した場合でも寸法変化が抑制された、両面めっき積層体を提供することができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a double-sided plated laminate in which a dimensional change is suppressed even when the metal laminate disposed on the surface of the plastic film is etched to partially expose the plastic film. can.

本発明の実施形態に係る両面めっき積層体の断面模式図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The cross-sectional schematic diagram of the double-sided plating laminated body which concerns on embodiment of this invention. 連続電解めっき装置の構成例の説明図。Explanatory drawing of the structural example of a continuous electroplating apparatus. 乾式めっき法を用いた成膜装置の構成例の説明図。Explanatory drawing of the structural example of the film-forming apparatus using the dry plating method.

以下、本発明のめっき装置の一実施形態について説明する。
[両面めっき積層体]
本実施形態の両面めっき積層体は、プラスチックフィルムと、プラスチックフィルムの両面上に直接配置されたシード層と、シード層上に配置された第1金属層と、第1金属層上に配置された第2金属層と、を有することができる。
そして、本実施形態の両面めっき積層体は、IPC-TM-650、2.2.4、Method BによるMD及びTDの寸法変化率が±0.05%以内、IPC-TM-650、2.2.4、Method CによるMD及びTDの寸法変化率が、±0.05%以内とすることができる。
An embodiment of the plating apparatus of the present invention will be described below.
[Double-sided plated laminate]
The double-sided plated laminate of this embodiment includes a plastic film, a seed layer directly disposed on both sides of the plastic film, a first metal layer disposed on the seed layer, and a and a second metal layer.
The double-sided plated laminate of the present embodiment has a dimensional change rate of ±0.05% or less in MD and TD according to IPC-TM-650, 2.2.4, Method B, and IPC-TM-650, 2.2.4. 2.4 The dimensional change rate of MD and TD by Method C can be within ±0.05%.

ここでまず、本実施形態の両面めっき積層体の構造について、図1を用いて説明する。図1は、両面めっき積層体10のプラスチックフィルム11の主表面と垂直な面における断面図を模式的に示している。 First, the structure of the double-sided plated laminate of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 schematically shows a cross-sectional view of the double-sided plated laminate 10 in a plane perpendicular to the main surface of the plastic film 11 .

両面めっき積層体10は、プラスチックフィルム11の一方の面11a上に、プラスチックフィルム11側から、シード層12A、第1金属層13A、第2金属層14Aがその順に積層されている。また、プラスチックフィルム11の他方の面11b上にも、プラスチックフィルム11側から、シード層12B、第1金属層13B、第2金属層14Bがその順に積層されている。 The double-sided plated laminate 10 has a seed layer 12A, a first metal layer 13A, and a second metal layer 14A laminated in that order on one surface 11a of the plastic film 11 from the plastic film 11 side. Also on the other surface 11b of the plastic film 11, a seed layer 12B, a first metal layer 13B, and a second metal layer 14B are laminated in that order from the plastic film 11 side.

すなわち、プラスチックフィルム11の両面(両主表面)上に、それぞれシード層12A、12B、第1金属層13A、13B、第2金属層14A、14Bが順に積層された構造を有している。 That is, it has a structure in which seed layers 12A and 12B, first metal layers 13A and 13B, and second metal layers 14A and 14B are laminated in this order on both surfaces (both main surfaces) of the plastic film 11, respectively.

なお、シード層12A、12Bは、プラスチックフィルム11の両面上に直接配置されている。すなわち、接着剤等を介することなく配置されている。また、各層の間、すなわちシード層12A、12Bと、第1金属層13A、13Bとの間、第1金属層13A、13Bと、第2金属層14A、14Bとの間についても接着剤等を介することなく直接接触するように構成することができる。 The seed layers 12A and 12B are directly arranged on both sides of the plastic film 11. As shown in FIG. That is, they are arranged without an adhesive or the like. Also, between the layers, that is, between the seed layers 12A, 12B and the first metal layers 13A, 13B, and between the first metal layers 13A, 13B and the second metal layers 14A, 14B It can be configured to be in direct contact without intervening.

各部材について、以下に詳細に説明する。 Each member will be described in detail below.

まず、プラスチックフィルムについて説明する。 First, the plastic film will be explained.

プラスチックフィルムの材料としては特に限定されるものではなく、各種プラスチック材料により形成されたフィルムを用いることができる。 The material of the plastic film is not particularly limited, and films made of various plastic materials can be used.

プラスチックフィルムの材料としては、例えばポリイミド、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性樹脂や、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、液晶ポリマー系樹脂から選択された1種以上の樹脂を用いることができる。 Examples of plastic film materials include heat-resistant resins such as polyimide and polyethylene terephthalate, polyamide-based resins, polyester-based resins, polytetrafluoroethylene-based resins, polyphenylene sulfide-based resins, polyethylene naphthalate-based resins, and liquid crystal polymer-based resins. One or more selected resins can be used.

なお、プラスチックフィルムの材料として2種以上の樹脂を混合した材料を用いることもできる。 A material obtained by mixing two or more resins can also be used as the material of the plastic film.

プラスチックフィルムの材料としては、耐熱性や絶縁性に優れることから、ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。すなわち、プラスチックフィルムはポリイミドフィルムであることが好ましい。 As a material for the plastic film, polyimide resin is preferably used because of its excellent heat resistance and insulating properties. That is, the plastic film is preferably a polyimide film.

ポリイミドは、化学式(1)で表される構造を有する。化学式(1)中、R及びR´が芳香族である場合を芳香族ポリイミドと呼び、工業的に広く用いられている。芳香族ポリイミドは、一般的には、芳香族の酸無水物とジアミンとの縮重合反応によって得られる。このため、酸成分とジアミン成分との組合せにより、多様な構造のポリイミドが得られ、化学(分子)構造によって、耐熱性等の物性等に違いがみられる場合もある。ただし、本実施形態の両面めっき積層体のプラスチックフィルムの材料としてポリイミドを用いる場合、該ポリイミドの構造等は特に限定されるものではなく、各種構造のポリイミドを用いることができる。 Polyimide has a structure represented by chemical formula (1). In the chemical formula (1), when R and R' are aromatic, it is called an aromatic polyimide and is widely used industrially. Aromatic polyimides are generally obtained by a polycondensation reaction between an aromatic acid anhydride and a diamine. Therefore, depending on the combination of the acid component and the diamine component, polyimides with various structures can be obtained, and physical properties such as heat resistance may vary depending on the chemical (molecular) structure. However, when polyimide is used as the material of the plastic film of the double-sided plated laminate of the present embodiment, the structure of the polyimide is not particularly limited, and various types of polyimide can be used.

Figure 0007173221000001

例えば化学式(2)、および/または化学式(3)で表される構造を有するポリイミドを、プラスチックフィルムの材料として用いることができる。
Figure 0007173221000001

For example, polyimide having a structure represented by chemical formula (2) and/or chemical formula (3) can be used as the material of the plastic film.

化学式(2)は、酸成分のピロメリット酸二無水物(PMDA)と、ジアミン成分の4、4´-ジアミノジフェニルエーテル(別名:4、4´-オキシビスベンゼンアミン、4、4´-オキシジアニリン=ODA)を、有機溶媒中で重合することで製造できる。 Chemical formula (2) is an acid component pyromellitic dianhydride (PMDA) and a diamine component 4,4'-diaminodiphenyl ether (alias: 4,4'-oxybisbenzenamine, 4,4'-oxydi Aniline=ODA) can be prepared by polymerizing in an organic solvent.

Figure 0007173221000002

化学式(3)は、酸成分としてビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)を使用しており、ベンゼン環とイミド結合のみの分子構造を有している。このBPDAを酸成分に用いることで、PMDAを用いた化学式(2)の構造を有するポリイミドと比べて、より剛直な構造になっている等、特性に違いがみられる。
Figure 0007173221000002

Chemical formula (3) uses biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) as the acid component and has a molecular structure consisting only of benzene rings and imide bonds. By using this BPDA as an acid component, the polyimide has a more rigid structure than the polyimide having the structure of the chemical formula (2) using PMDA.

Figure 0007173221000003

化学式(3)のように、イミド結合により直接結合された芳香族環は共役構造を取るため、上述のように剛直で強固な構造をもつ。また、芳香族環が同一平面に配列して分子鎖が互いに密に充填(パッキング)され、極性の高いイミド結合が強い分子間力を有することから、分子鎖間の結合力も強固となる。
Figure 0007173221000003

As shown in chemical formula (3), the aromatic rings directly linked by the imide bond have a conjugated structure, and thus have a rigid and strong structure as described above. In addition, since the aromatic rings are arranged on the same plane and the molecular chains are densely packed (packed), and the highly polar imide bond has a strong intermolecular force, the bonding force between the molecular chains is also strong.

プラスチックフィルムとしてポリイミドフィルムを用いる場合、商業的に流通しているポリイミドフィルムを用いることもでき、例えば東レ・デュポン株式会社製のカプトン(登録商標)シリーズや、宇部興産株式会社製のユーピレックス(登録商標)シリーズ等を用いることもできる。 When a polyimide film is used as the plastic film, a commercially available polyimide film can also be used. ) series, etc. can also be used.

プラスチックフィルムの吸水率についても特に限定されるものではないが、例えば1.0%以上1.9%以下であることが好ましい。なお、ここでいう吸水率とは、JIS K 7209(2000)に規定されたA法により飽和するまで水に浸漬させた際の吸水量(飽和吸水量)を測定し、該吸水量を用いて算出した吸水率(飽和吸水率)を意味する。 Although the water absorption rate of the plastic film is not particularly limited, it is preferably, for example, 1.0% or more and 1.9% or less. The water absorption rate referred to here is the water absorption amount (saturated water absorption amount) when immersed in water until it is saturated by the A method specified in JIS K 7209 (2000), and the water absorption amount is used. It means the calculated water absorption (saturated water absorption).

プラスチックフィルムについては、例えば予め加熱処理を行っておき、一方の面、または両面にプラズマ照射等の表面処理を行っておいてもよい。表面処理を行っておくことにより、シード層等との密着性を高めることができる。 For the plastic film, for example, heat treatment may be performed in advance, and surface treatment such as plasma irradiation may be performed on one side or both sides. Adhesion to the seed layer or the like can be enhanced by surface treatment.

プラスチックフィルムの厚さについては特に限定されるものではないが、例えば5μm以上が好ましく、10μm以上であることがより好ましい。なお、プラスチックフィルムの厚さの上限値についても特に限定されないが、過度に厚くなると、両面めっき積層体の取扱い性が低下する恐れがあるため、例えば80μm以下とすることが好ましい。 Although the thickness of the plastic film is not particularly limited, it is preferably 5 μm or more, more preferably 10 μm or more. The upper limit of the thickness of the plastic film is also not particularly limited, but if it is excessively thick, there is a possibility that the handleability of the double-sided plated laminate may deteriorate, so it is preferably 80 μm or less, for example.

次に、シード層の構成について説明する。 Next, the configuration of the seed layer will be described.

シード層は、例えばプラスチックフィルムと、第1金属層との密着性を高める機能を有する。 The seed layer has the function of enhancing adhesion between, for example, the plastic film and the first metal layer.

シード層の材料についても特に限定されるものではないが、第1金属層との密着性を高める観点から、例えば金属材料を用いることが好ましい。シード層の材料としては、例えば、ニッケル、クロム、モリブデン、チタン、バナジウム、スズ、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、鉄、アルミニウム、鉛、炭素、鉛-スズ系はんだ合金などが挙げられ、これらの金属を1種以上含む金属、または合金であることが好ましい。特に、シード層の材料は、ニッケル、クロム、ニッケルを含む合金、クロムを含む合金、ニッケル及びクロムを含む合金から選ばれる1種であることがより好ましく、ニッケル及びクロムを含む合金、例えばNi-Cr合金であることがさらに好ましい。すなわち、シード層はNi-Cr合金からなる層とすることがさらに好ましい。なお、シード層がNi-Cr合金からなる層の場合であっても、例えば製造工程で混入する不可避成分等を含有することを排除するものではない。 Although the material of the seed layer is not particularly limited, it is preferable to use, for example, a metal material from the viewpoint of enhancing adhesion to the first metal layer. Materials for the seed layer include, for example, nickel, chromium, molybdenum, titanium, vanadium, tin, gold, silver, zinc, palladium, ruthenium, rhodium, iron, aluminum, lead, carbon, and lead-tin solder alloys. It is preferably a metal or alloy containing one or more of these metals. In particular, the material of the seed layer is more preferably one selected from nickel, chromium, an alloy containing nickel, an alloy containing chromium, and an alloy containing nickel and chromium. A Cr alloy is more preferable. That is, it is more preferable that the seed layer is made of a Ni--Cr alloy. Even if the seed layer is made of a Ni--Cr alloy, it does not exclude the inclusion of unavoidable components and the like that are mixed in, for example, the manufacturing process.

シード層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば3nm以上50nm以下であることが好ましい。これは、シード層の厚さが3nm未満の場合、配線等を形成するためパターニングを行う際、エッチング液により浸食され、シード層とプラスチックフィルムとの間にエッチング液が染み込んで、配線が浮いてしまう場合があるからである。一方、シード層の厚さが50nmを超えると、配線等を形成するためパターニングを行う際、除去すべき部分のシード層をエッチングにより完全に除去できず、残渣として配線間に残り、絶縁不良を発生させる恐れがあるからである。 Although the thickness of the seed layer is not particularly limited, it is preferably, for example, 3 nm or more and 50 nm or less. This is because when the seed layer has a thickness of less than 3 nm, it is corroded by the etchant during patterning to form wiring and the like, and the etchant penetrates between the seed layer and the plastic film, causing the wiring to float. This is because it may be lost. On the other hand, if the thickness of the seed layer exceeds 50 nm, the portion of the seed layer that should be removed cannot be completely removed by etching when patterning is performed to form a wiring or the like. This is because there is a risk of occurrence.

次に第1金属層、及び第2金属層について説明する。 Next, the first metal layer and the second metal layer will be described.

第1金属層、及び第2金属層の材料は特に限定されるものではなく、用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、第1金属層、及び第2金属層の材料は、Cuと、Ni,Mo,Ta,Ti,V,Cr,Fe,Mn,Co,Wから選択される少なくとも1種の以上の金属との銅合金、または銅を含む材料であることが好ましい。また、第1金属層、及び第2金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。 Materials for the first metal layer and the second metal layer are not particularly limited, and a material having electrical conductivity suitable for the application can be selected. is preferably a copper alloy of Cu and at least one or more metals selected from Ni, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Mn, Co, W, or a material containing copper . Alternatively, the first metal layer and the second metal layer may be copper layers made of copper.

なお、第1金属層、及び第2金属層は同じ材料から構成することもでき、異なる材料から構成することもできる。 The first metal layer and the second metal layer can be made of the same material, or can be made of different materials.

特に銅は配線基板の材料として一般的に用いられていることから、第1金属層、及び第2金属層を銅からなる層、すなわち銅層とすることが好ましい。なお、第1金属層、及び第2金属層が銅からなる層の場合であっても、例えば製造工程で混入する不可避成分等を含有することを排除するものではない。 In particular, since copper is commonly used as a material for wiring boards, the first metal layer and the second metal layer are preferably layers made of copper, that is, copper layers. Note that even if the first metal layer and the second metal layer are layers made of copper, it is not excluded that they contain unavoidable components mixed in, for example, the manufacturing process.

第1金属層、及び第2金属層の厚さは特に限定されるものではなく、例えば本実施形態の両面めっき積層体に要求される電流の供給量や、該両面めっき積層体を加工する際の条件等に応じて任意に選択することができる。例えば第1金属層の厚さと、第2金属層の厚さとの合計は、0.1μm以上20μm以下であることが好ましい。 The thickness of the first metal layer and the second metal layer is not particularly limited. can be arbitrarily selected according to the conditions of For example, the sum of the thickness of the first metal layer and the thickness of the second metal layer is preferably 0.1 μm or more and 20 μm or less.

本実施形態の両面めっき積層体を用いて配線を形成する際の方法として、サブトラクティブ法や、セミアディティブ法が挙げられる。例えばセミアディティブ法により配線を形成する場合、第1金属層、及び第2金属層を選択的に成長させて配線加工することになる。 Methods for forming wiring using the double-sided plated laminate of the present embodiment include a subtractive method and a semi-additive method. For example, when wiring is formed by a semi-additive method, a first metal layer and a second metal layer are selectively grown to process the wiring.

そして、第1金属層の厚さと、第2金属層の厚さとの合計を0.1μm以上とすることで、例えば本実施形態の両面めっき積層体に配線を形成し、配線基板とした場合に、配線を構成する第1金属層と第2金属層とに十分な電流を供給することができるからである。
一方第1金属層の厚さと、第2金属層の厚さとの合計を20μm以下とすることで、エッチングにより配線加工を行う際にも十分に高い生産を維持することができ、また配線基板としての総厚も十分に抑制でき、好ましいからである。
By setting the sum of the thickness of the first metal layer and the thickness of the second metal layer to 0.1 μm or more, for example, when wiring is formed on the double-sided plated laminate of the present embodiment to form a wiring board, This is because a sufficient current can be supplied to the first metal layer and the second metal layer forming the wiring.
On the other hand, by setting the sum of the thickness of the first metal layer and the thickness of the second metal layer to 20 μm or less, it is possible to maintain a sufficiently high production even when performing wiring processing by etching, and the wiring board can be used as a wiring board. This is because the total thickness of is also sufficiently suppressed, which is preferable.

第1金属層の厚さと、第2金属層の厚さとの合計は、0.3μm以上15μm以下であることがより好ましい。 More preferably, the sum of the thickness of the first metal layer and the thickness of the second metal layer is 0.3 μm or more and 15 μm or less.

第1金属層単独の厚さについても特に限定されるものではないが、例えば10nm以上300nm以下とすることが好ましい。第2金属層は後述するように、例えば湿式めっき法により形成することができるが、第1金属層の厚さを10nm以上とすることで、十分な給電量を確保することができ、均一な第2金属層を形成することができるからである。また、第1金属層の厚さを300nm以下とすることで、シード層、及び第1金属層が十分に水分を透過させることができるため、本実施形態の両面めっき積層体を製造する際、プラスチックフィルムに十分に吸湿させ、寸法安定性を高めることができるからである。 Although the thickness of the first metal layer alone is not particularly limited, it is preferably 10 nm or more and 300 nm or less, for example. As will be described later, the second metal layer can be formed, for example, by a wet plating method. By setting the thickness of the first metal layer to 10 nm or more, a sufficient amount of power supply can be secured and uniform This is because the second metal layer can be formed. In addition, by setting the thickness of the first metal layer to 300 nm or less, the seed layer and the first metal layer can sufficiently transmit moisture, so when manufacturing the double-sided plated laminate of this embodiment, This is because the plastic film can be made to sufficiently absorb moisture and the dimensional stability can be enhanced.

本実施形態の両面めっき積層体は、既述のようにIPC-TM-650、2.2.4、Method BによるMD及びTDの寸法変化率を±0.05%以内とすることができる。また、IPC-TM-650、2.2.4、Method CによるMD及びTDの寸法変化率を、±0.05%以内とすることができる。 As described above, the double-sided plated laminate of this embodiment can have a dimensional change rate in MD and TD according to IPC-TM-650, 2.2.4, Method B within ±0.05%. Also, the dimensional change rate of MD and TD according to IPC-TM-650, 2.2.4, Method C can be within ±0.05%.

IPC-TM-650、2.2.4、Method B、Method CによるMD、及びTDの寸法変化率とは、IPC標準規格であるIPC-TM-650の、No.2.2.4(Revision C)に開示された、Method B、Method Cの試験方法により評価したMD、TDの寸法変化率を意味する。 The dimensional change rates of MD and TD according to IPC-TM-650, 2.2.4, Method B and Method C are defined in IPC-TM-650, No. Means the dimensional change rates of MD and TD evaluated by the test methods of Method B and Method C disclosed in 2.2.4 (Revision C).

MDはMachine dimension(機械軸方向)を意味し、両面めっき積層体の長手方向を意味する。また、TDはtransverse dimension(横軸方向)を意味し、MDと直交する方向を意味する。 MD means machine dimension, which means the longitudinal direction of the double-sided plated laminate. Also, TD means a transverse dimension (horizontal axis direction), which means a direction orthogonal to MD.

また、寸法変化率という指標では、収縮はマイナス値、伸長がプラス値で表される。 In the index of dimensional change rate, shrinkage is indicated by a negative value, and elongation is indicated by a positive value.

そして、上記Method Bによれば、本実施形態の両面めっき積層体のシード層、第1金属層、及び第2金属層(以下、これらの層をあわせて「金属積層体」とも記載する)をエッチングした際の寸法変化率を評価することができる。また、上記Method Cによれば、金属積層体をエッチング後、さらに150℃で30分間熱処理を行った後の寸法変化率を評価することができる。 Then, according to the above Method B, the seed layer, the first metal layer, and the second metal layer of the double-sided plated laminate of the present embodiment (hereinafter, these layers are also collectively referred to as "metal laminate") The dimensional change rate during etching can be evaluated. Further, according to Method C, the dimensional change rate can be evaluated after the metal laminate is etched and then subjected to heat treatment at 150° C. for 30 minutes.

このため、上記Method B、Method CのMD、及びTD寸法変化率がそれぞれ±0.05%以内である、本実施形態の両面めっき積層体によれば、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体をエッチングし、プラスチックフィルムの一部が露出した場合でも寸法変化を安定して抑制できていることを意味する。また、金属積層体をエッチングし、プラスチックフィルムの一部が露出した状態で加熱された場合でも、寸法変化を抑制できていることを意味する。 Therefore, according to the double-sided plated laminate of the present embodiment, in which the MD and TD dimensional change rates of Method B and Method C are within ±0.05%, the metal laminate disposed on the surface of the plastic film This means that even when the body is etched and part of the plastic film is exposed, dimensional changes are stably suppressed. It also means that even when the metal laminate is etched and heated in a state where a part of the plastic film is exposed, the dimensional change can be suppressed.

本実施形態の両面めっき積層体は、上記Method BによるMD及びTDの寸法変化率は、±0.04%以内であることがより好ましい。また、本実施形態の両面めっき積層体は、上記Method CによるMD及びTDの寸法変化率は、±0.04%以内であることがより好ましい。 In the double-sided plated laminate of the present embodiment, the dimensional change rate in MD and TD according to Method B is more preferably within ±0.04%. Further, in the double-sided plated laminate of the present embodiment, the dimensional change rate in MD and TD according to Method C is more preferably within ±0.04%.

以上に説明した本実施形態の両面めっき積層体によれば、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体について、配線等を形成するためにエッチングし、プラスチックフィルムの一部が露出した場合でも、寸法変化を抑制することができる。また、配線等を形成し、プラスチックフィルムの一部が露出された状態で加熱された場合においても寸法変化を抑制することができる。 According to the double-sided plated laminate of the present embodiment described above, even if the metal laminate disposed on the surface of the plastic film is etched to form wiring and the like, and a part of the plastic film is exposed, Dimensional change can be suppressed. In addition, even when wiring or the like is formed and the plastic film is partially exposed and heated, the dimensional change can be suppressed.

このため、本実施形態の両面めっき積層体は、高密度実装の配線基板等の寸法変化を特に抑制することが求められる各種用途において好適に用いることができる。より具体的には例えば、本実施形態の両面めっき積層体は、電子部品を接合し、電気的に繋げると共に機械的な固定を行う配線基板の材料として、非常に有用である。
[両面めっき積層体の製造方法]
次に、本実施形態の両面めっき積層体の製造方法の構成例について説明する。なお、本実施形態の両面めっき積層体の製造方法により、既述の両面めっき積層体を製造することができる。このため、両面めっき積層体を説明した際に既述の事項については、一部説明を省略する。
Therefore, the double-sided plated laminate of the present embodiment can be suitably used in various applications that particularly require suppression of dimensional change, such as wiring boards for high-density mounting. More specifically, for example, the double-sided plated laminate of the present embodiment is very useful as a material for a wiring board that joins, electrically connects, and mechanically fixes electronic components.
[Manufacturing method of double-sided plated laminate]
Next, a configuration example of the method for manufacturing the double-sided plated laminate of the present embodiment will be described. The above-described double-sided plated laminate can be produced by the method for producing a double-sided plated laminate according to the present embodiment. For this reason, the description of the matters already described when describing the double-sided plated laminate is partially omitted.

本実施形態の両面めっき積層体の製造方法の一の構成例は、以下の工程を有することができる。 One structural example of the manufacturing method of the double-sided plated laminate of the present embodiment can have the following steps.

シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、両面上にその順に直接配置されたプラスチックフィルムを、常温におけるプラスチックフィルムの吸水率の70%以上となるように吸湿させる吸湿工程。 Moisture absorption step in which the seed layer and the first metal layer formed by the dry plating method are directly arranged on both sides of the plastic film in that order, and the plastic film absorbs moisture so that the water absorption rate of the plastic film at room temperature is 70% or more. .

吸湿工程の後、湿式めっき法により第2金属層を形成する第2金属層形成工程。 A second metal layer forming step of forming a second metal layer by a wet plating method after the moisture absorption step.

本発明の発明者らは、プラスチックフィルムの両面上に金属積層体を形成した両面めっき積層体において、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体をエッチングし、プラスチックフィルムの一部を露出させると、大きな寸法変化が生じる場合がある原因について検討し、以下の点を見出した。 The inventors of the present invention have found that in a double-sided plated laminate in which metal laminates are formed on both sides of a plastic film, the metal laminate disposed on the surface of the plastic film is etched to expose a part of the plastic film. , and investigated the cause of the large dimensional change, and found the following points.

両面めっき積層体は例えば、プラスチックフィルムの両面上にそれぞれ、プラスチックフィルム側から順に、シード層、第1金属層、及び第2金属層を積層した構造を有する。そして、第1金属層は乾式めっき法により形成することができ、第2金属層は湿式めっき法により形成することができる。 A double-sided plated laminate, for example, has a structure in which a seed layer, a first metal layer, and a second metal layer are laminated on both sides of a plastic film in this order from the plastic film side. The first metal layer can be formed by dry plating, and the second metal layer can be formed by wet plating.

乾式めっき法により第1金属層を形成する場合、プラスチックフィルムから出る水分や、他のガス成分による金属積層体の汚染を防ぐため、乾式めっき処理前あるいは乾式めっき処理と並行して、プラスチックフィルムを含む下地を、減圧下での加熱乾燥等を行うのが一般的である。係る操作により、プラスチックフィルムから水分や、その他の脱ガス成分を、除去することができる。このため、第1金属層を形成した直後は、プラスチックフィルムは水分がほぼない、例えば絶乾状態まで乾燥し、含有する水分は少なくなっており、収縮した状態にある。なお、シード層と、第1金属層とが形成されている程度では、プラスチックフィルムの寸法固定は不十分なので、プラスチックフィルムは収縮、伸長することができる。 When the first metal layer is formed by dry plating, the plastic film is removed before or in parallel with the dry plating process in order to prevent contamination of the metal laminate with moisture from the plastic film and other gas components. It is common to heat-dry the substrate containing the substrate under reduced pressure. Moisture and other degassing components can be removed from the plastic film by such an operation. Therefore, immediately after the formation of the first metal layer, the plastic film has almost no moisture, for example, it is dried to an absolute dry state, contains less moisture, and is in a shrunk state. Since the size of the plastic film is not sufficiently fixed with the seed layer and the first metal layer formed, the plastic film can shrink and expand.

そして、湿式めっき法により第2金属層を形成する場合、該第2金属層はめっき液内で、電解めっきや無電解めっきにより成膜されるため、下地となるプラスチックフィルムと、シード層と、第1金属層との積層体は、めっき液に浸漬される。この際、シード層の厚さと、第1金属層の厚さとの合計は例えば350nm以下と非常に薄いため、シード層と、第1金属層とが配置されていたとしても、吸湿速度は遅いものの、シード層、第1金属層を介してプラスチックフィルムは吸湿する。しかしながら、第2金属層を形成する際、シード層と、第1金属層とがプラスチックフィルムの両面上に配置されていると、プラスチックフィルムの吸湿の速度は遅くなるため、第2金属層を形成している間にプラスチックフィルムが含有する水分量は飽和状態、もしくはその近傍までには達しない。 When the second metal layer is formed by a wet plating method, the second metal layer is formed by electroplating or electroless plating in a plating solution. The laminate with the first metal layer is immersed in a plating solution. At this time, the total thickness of the seed layer and the thickness of the first metal layer is very thin, for example, 350 nm or less. , the seed layer, and the first metal layer, the plastic film absorbs moisture. However, when forming the second metal layer, if the seed layer and the first metal layer are arranged on both sides of the plastic film, the moisture absorption rate of the plastic film slows down. During this time, the amount of water contained in the plastic film does not reach saturation or near saturation.

そして、第2金属層が形成されることで、プラスチックフィルムの寸法が固定されてしまう。このため、配線等を形成するために、シード層、第1金属層、及び第2金属層の一部をエッチング等により除去し、プラスチックフィルムの表面が露出すると、該露出した部分から吸湿が進行し、大きな寸法変化が生じていた。 Then, the dimension of the plastic film is fixed by forming the second metal layer. Therefore, when the seed layer, the first metal layer, and the second metal layer are partially removed by etching or the like in order to form wiring or the like, and the surface of the plastic film is exposed, moisture absorption progresses from the exposed portion. However, a large dimensional change occurred.

そこで、本実施形態の両面めっき積層体の製造方法の一構成例においては、上述のように、シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、両面上にその順に直接配置されたプラスチックフィルムを、常温におけるプラスチックフィルムの吸水率の70%以上となるように吸湿させる吸湿工程を有することができる。 Therefore, in one configuration example of the method for manufacturing a double-sided plated laminate of the present embodiment, as described above, the seed layer and the first metal layer formed by the dry plating method are directly arranged on both surfaces in that order. It can have a moisture absorption step of absorbing moisture to the plastic film having a water absorption rate of 70% or more of the water absorption rate of the plastic film at room temperature.

なお、ここでいう常温におけるプラスチックフィルムの吸水率とは、JIS K 7209(2000)に規定されたA法により飽和するまで水に浸漬させた際の吸水量(飽和吸水量)を測定し、該吸水量を用いて算出した吸水率(飽和吸水率)を意味する。このため、常温とは、23.0℃±2.0℃を意味する。 The water absorption rate of the plastic film at room temperature as used herein refers to the water absorption amount (saturated water absorption amount) when immersed in water until it is saturated by Method A specified in JIS K 7209 (2000). It means the water absorption rate (saturated water absorption rate) calculated using the water absorption amount. Therefore, normal temperature means 23.0°C±2.0°C.

既述のように、シード層の厚さと、第1金属層の厚さとの合計は非常に薄いため、シード層と、第1金属層とがプラスチックフィルムの両面に配置されていたとしても、プラスチックフィルムは吸湿することができる。このように吸湿工程を実施することで、プラスチックフィルムを常温における該プラスチックフィルムの吸水率(飽和吸水率)の70%以上とする。そして、後述する第2金属層形成工程でさらにプラスチックフィルムの含有する水分量は増加することから、第2金属層形成工程を終えた段階で、プラスチックフィルムの含有する水分量は飽和状態、もしくはその近傍となる。 As already mentioned, the sum of the thickness of the seed layer and the thickness of the first metal layer is very thin, so even if the seed layer and the first metal layer are located on both sides of the plastic film, the plastic The film can absorb moisture. By carrying out the moisture absorption step in this manner, the plastic film has a water absorption rate (saturated water absorption rate) of 70% or more at room temperature. Since the moisture content of the plastic film further increases in the second metal layer forming step, which will be described later, the moisture content of the plastic film is saturated or saturated when the second metal layer forming step is completed. be in the vicinity.

このため、第2金属層を形成後、シード層、第1金属層、第2金属層を含む金属積層体をエッチングして開口部を形成し、プラスチックフィルムが該開口部から露出したとしても、プラスチックフィルムはほとんど吸湿しないため、吸湿によるプラスチックフィルムの寸法変化を抑制できる。従って、両面めっき積層体の寸法変化を抑制することが可能になる。 Therefore, even if the opening is formed by etching the metal laminate including the seed layer, the first metal layer, and the second metal layer after forming the second metal layer, and the plastic film is exposed from the opening, Since the plastic film hardly absorbs moisture, the dimensional change of the plastic film due to moisture absorption can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the dimensional change of the double-sided plated laminate.

吸湿工程において、シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、両面上にその順に直接配置されたプラスチックフィルムを吸湿(調湿)する方法は特に限定されない。 In the moisture absorption step, there is no particular limitation on the method by which the seed layer and the first metal layer formed by the dry plating method absorb (humidify) the plastic film directly arranged on both sides in that order.

例えば、吸湿工程において、シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、その順に両面上に形成されたプラスチックフィルムを、湿度が60%以上100%以下の雰囲気下で、巻替搬送を行うことで、プラスチックフィルムを吸湿させることができる。吸湿工程において、シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、その順に両面上に形成されたプラスチックフィルムを巻替搬送する際の雰囲気の湿度の上限値は上記のように例えば100%以下とすることができるが、第1金属層表面への水分の結露等を抑制することで、吸湿工程後の操作を特に容易にすることができるため、例えば80%以下とすることがより好ましい。 For example, in the moisture absorption step, a plastic film having a seed layer and a first metal layer formed by dry plating on both sides in that order is wrapped in an atmosphere with a humidity of 60% or more and 100% or less. By alternately conveying, the plastic film can be made to absorb moisture. In the moisture absorption step, the upper limit of the humidity of the atmosphere when rewinding and conveying the plastic film having the seed layer and the first metal layer formed by the dry plating method on both sides in that order is as described above. For example, it can be 100% or less, but by suppressing condensation of moisture on the surface of the first metal layer, the operation after the moisture absorption step can be particularly easy, so for example, it is 80% or less. is more preferred.

なお、本明細書において、湿度は相対湿度を意味する。 In this specification, humidity means relative humidity.

上述のように、吸湿工程において、シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、その順に両面上に形成されたプラスチックフィルムを、巻替搬送する際の、雰囲気の温度は特に限定されないが、例えば23℃±2℃であることが好ましい。 As described above, in the moisture absorption step, the temperature of the atmosphere when rewinding and conveying the plastic film having the seed layer and the first metal layer formed by the dry plating method on both sides in that order is Although not particularly limited, it is preferably 23°C ± 2°C, for example.

吸湿工程において、シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、その順に両面上に形成されたプラスチックフィルムを、例えばロールに巻いた状態で、上述の場合と同様に、湿度が60%以上100%以下の雰囲気下に保持することで、プラスチックフィルムを吸湿させることもできる。ただし、この場合、プラスチックフィルムについて、常温におけるプラスチックフィルムの吸水率の70%以上となるように吸湿させるためには、長時間、例えば24時間以上、上記雰囲気下に保持する必要がある。このため、上述のように所定の湿度雰囲気下で、巻替搬送を行うことが生産性の観点からは好ましい。 In the moisture absorption step, a plastic film having a seed layer and a first metal layer formed by a dry plating method on both sides in that order is wound into a roll, for example. The plastic film can also be made to absorb moisture by holding it in an atmosphere in which the is 60% or more and 100% or less. However, in this case, it is necessary to keep the plastic film in the above atmosphere for a long time, for example, 24 hours or more, in order to absorb moisture so that the water absorption rate of the plastic film at room temperature is 70% or more. Therefore, from the viewpoint of productivity, it is preferable to carry out rewinding and conveying under a predetermined humidity atmosphere as described above.

また、吸湿工程において、シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、その順に両面上に形成されたプラスチックフィルムを、水中に浸漬させて吸湿させることもできる。 Also, in the moisture absorption step, the plastic film having the seed layer and the first metal layer formed by the dry plating method formed on both sides in that order can be immersed in water to absorb moisture.

なお、上述のように、吸湿工程において、シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、その順に両面上に形成されたプラスチックフィルムを水中に浸漬する際、水の温度は特に限定されないが、例えば23℃±2℃であることが好ましい。 As described above, in the moisture absorption step, when the seed layer and the first metal layer formed by the dry plating method are sequentially formed on both sides of the plastic film and the plastic film is immersed in water, the temperature of the water is Although not particularly limited, it is preferably 23°C ± 2°C, for example.

吸湿工程において、シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、両面上にその順に直接配置されたプラスチックフィルムを吸湿(調湿)する方法としては、1つの方法に限定されるものではない。例えば、シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、その順に両面上に形成されたプラスチックフィルムを、湿度が60%以上100%以下の雰囲気下を巻替搬送する方法に加えて、水中に浸漬する方法を組み合わせて用いても良い。 In the moisture absorption step, the seed layer and the first metal layer formed by the dry plating method are limited to one method for moisture absorption (humidity conditioning) of the plastic film directly arranged on both sides in that order. not something. For example, a plastic film having a seed layer and a first metal layer formed by dry plating on both sides in that order is rewound and transported in an atmosphere with a humidity of 60% or more and 100% or less. In addition, a combination of methods of immersion in water may be used.

そして、既述のように、本実施形態の両面めっき積層体の製造方法の一構成例は、上述の吸湿工程の後、湿式めっき法により第2金属層を形成する第2金属層形成工程を有することができる。 Then, as described above, one structural example of the method for manufacturing a double-sided plated laminate of the present embodiment includes a second metal layer forming step of forming a second metal layer by a wet plating method after the moisture absorption step described above. can have

第2金属層形成工程においては、プラスチックフィルムの片面ずつ第2金属層を形成することもできる。ただし、生産性の観点から、第2金属層形成工程においては、第2金属層を、プラスチックフィルムの両面上に同時に形成することが好ましい。すなわち、プラスチックフィルムの一方の面上に形成した第1金属層上と、プラスチックフィルムの他方の面上に形成した第1金属層上とに同時に第2金属層を形成することが好ましい。 In the second metal layer forming step, the second metal layer can be formed on each side of the plastic film. However, from the viewpoint of productivity, it is preferable to simultaneously form the second metal layer on both surfaces of the plastic film in the second metal layer forming step. That is, it is preferable to simultaneously form the second metal layer on the first metal layer formed on one side of the plastic film and on the first metal layer formed on the other side of the plastic film.

第2金属層形成工程において、湿式めっき法により第2金属層を形成する具体的な条件等は特に限定されるものではなく、第2金属層を構成する材料等に応じて選択しためっき液を用い、例えば電解めっき法や、無電解めっき法により成膜することができる。 In the second metal layer forming step, the specific conditions for forming the second metal layer by the wet plating method are not particularly limited. For example, the film can be formed by an electrolytic plating method or an electroless plating method.

第2金属層を、電解めっき法により形成する場合、例えば図2に示した連続電解めっき装置20を用いることができる。なお、電解めっき処理においては、既述のように片面成膜と、両面同時成膜との、どちらで行ってもよいが、ここでは両面に同時に第2金属層を成膜することができる連続電解めっき装置の構成例を示している。 When forming the second metal layer by electroplating, for example, the continuous electroplating apparatus 20 shown in FIG. 2 can be used. In the electroplating treatment, as described above, either single-sided film formation or double-sided simultaneous film formation may be performed. 1 shows a configuration example of an electrolytic plating apparatus.

図2は、連続電解めっき装置20の、両面めっき積層体前駆体F1の搬送方向と平行な面における断面図を示している。 FIG. 2 shows a cross-sectional view of the continuous electrolytic plating apparatus 20 in a plane parallel to the conveying direction of the double-sided plated laminate precursor F1.

連続電解めっき装置20は、シード層と第1金属層とがその順に両面上に配置されたプラスチックフィルムである、両面めっき積層体前駆体F1を巻出す巻出しロール21と、めっき液が満たされためっき液槽22と、めっき液槽22の内部に互いに平行に配置されたアノード(陽極)23a~23pと、めっき液槽22の内部にあって両面めっき積層体前駆体F1の搬送方向を上下反転させる浸漬ロール24a~24dと、めっき液槽22の外部にあって、両面めっき積層体前駆体F1に電力を給電する給電ロール25a~25eと、両面めっき積層体前駆体F1に電気めっきを施して得られた、両面めっき積層体F2を巻取る巻取ロール26を備えている。 The continuous electrolytic plating apparatus 20 includes an unwinding roll 21 for unwinding a double-sided plated laminate precursor F1, which is a plastic film having a seed layer and a first metal layer arranged in that order on both sides, and a plating solution filled. plating solution tank 22, anodes (anode) 23a to 23p arranged parallel to each other inside the plating solution tank 22, and double-sided plated laminate precursor F1 inside the plating solution tank 22 up and down in the conveying direction. Immersion rolls 24a to 24d to be reversed, power supply rolls 25a to 25e outside the plating solution tank 22 to supply electric power to the double-sided plated laminate precursor F1, and electroplating to the double-sided plated laminate precursor F1. A winding roll 26 is provided for winding the double-sided plated laminate F2 obtained by the above.

これら巻出しロール21、浸漬ロール24a~24d、給電ロール25a~25e、及び巻取ロール26により、両面めっき積層体前駆体F1の搬送手段が構成され、これによって両面めっき積層体前駆体F1を、その幅方向を水平に保ったまま、その長手方向にロールツーロール方式で搬送して、めっき液に複数回浸漬させることができる。 The unwinding roll 21, the dipping rolls 24a to 24d, the power supply rolls 25a to 25e, and the winding roll 26 constitute a means for transporting the double-sided plated laminate precursor F1, whereby the double-sided plated laminate precursor F1 is While keeping the width direction horizontal, it can be transported in the longitudinal direction by a roll-to-roll method and immersed in the plating solution multiple times.

給電ロールと、その近傍に位置するアノードとは、電気的な対を成している。具体的には、給電ロール25aとアノード23a、23bとの間や、給電ロール25bとアノード23c~23fとの間、給電ロール25cとアノード23g~23jとの間、給電ロール25dとアノード23k~23nとの間、給電ロール25eとアノード23o、23pとの間が、それぞれ対をなしている。各対は、独立した電源(図示せず)から電力を受けており、異なる対の間では、別々の電流制御がなされている。 The feed roll and the adjacent anode form an electrical pair. Specifically, between the power supply roll 25a and the anodes 23a and 23b, between the power supply roll 25b and the anodes 23c to 23f, between the power supply roll 25c and the anodes 23g to 23j, and between the power supply roll 25d and the anodes 23k to 23n. and between the feed roll 25e and the anodes 23o and 23p, respectively. Each pair is powered by an independent power supply (not shown), with separate current control between different pairs.

アノード(陽極)23a~23pについては特に限定されず、用いるめっき液等に応じて任意に選択することができ、例えば可溶性アノードや、不溶性アノードを用いることができる。めっき液槽22に入れるめっき液については、第2金属層の組成に応じて任意に選択することができ、例えば各種銅めっき液、より具体的には例えば硫酸銅めっき浴(光沢浴)等を用いることができる。 The anodes (anodes) 23a to 23p are not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the plating solution to be used. For example, soluble anodes and insoluble anodes can be used. The plating solution to be put in the plating solution bath 22 can be arbitrarily selected according to the composition of the second metal layer. can be used.

めっき液として硫酸銅めっき液を用いる場合、硫酸銅めっき液は、硫酸銅、硫酸、微量の塩素イオン及び各種添加剤等を含有することができ、その組成は目的に応じて適宜選択することができる。めっき液として硫酸銅めっき液を用いた場合、めっき液中の銅イオンを還元させ、両面めっき積層体前駆体F1のシード層の上に、容易に所望の厚みの銅層を形成することができる。 When a copper sulfate plating solution is used as the plating solution, the copper sulfate plating solution can contain copper sulfate, sulfuric acid, trace amounts of chloride ions, various additives, etc., and its composition can be appropriately selected according to the purpose. can. When a copper sulfate plating solution is used as the plating solution, copper ions in the plating solution are reduced, and a copper layer having a desired thickness can be easily formed on the seed layer of the double-sided plated laminate precursor F1. .

また、本実施形態の両面めっき積層体の製造方法は、上述の吸湿工程、第2金属層形成工程以外に任意の工程を有することができる。 In addition, the method for manufacturing the double-sided plated laminate of the present embodiment can have arbitrary steps other than the above-described moisture absorption step and second metal layer formation step.

例えば吸湿工程に供給するプラスチックフィルムの両面上に、シード層と、第1金属層とが、その順に直接配置された両面めっき積層体前駆体を製造するための以下の工程を有することもできる。 For example, the following steps for producing a double-sided plated laminate precursor in which the seed layer and the first metal layer are directly arranged in that order on both sides of the plastic film supplied to the moisture absorption step.

プラスチックフィルムを準備するプラスチックフィルム準備工程。
プラスチックフィルムの両面上にシード層を形成するシード層形成工程。
A plastic film preparation process for preparing a plastic film.
A seed layer forming step for forming seed layers on both sides of the plastic film.

シード層上に第1金属層を形成する第1金属層形成工程。 a first metal layer forming step of forming a first metal layer on the seed layer;

プラスチックフィルム準備工程は、シード層形成工程に供給するプラスチックフィルムを準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されない。例えばプラスチックフィルムを所望のサイズに切断したり、プラスチックについて加熱処理等を行ったり、その両面にプラズマ照射等の表面処理を行っておくこともできる。 The plastic film preparation step is a step of preparing a plastic film to be supplied to the seed layer forming step, and specific operations are not particularly limited. For example, a plastic film may be cut into a desired size, the plastic may be subjected to heat treatment or the like, or both surfaces thereof may be subjected to surface treatment such as plasma irradiation.

シード層形成工程では、プラスチックフィルムの表面上にシード層を形成することができる。シード層の形成方法は特に限定されないが、例えば蒸着法やスパッタリング法等の乾式めっき法を用いることが好ましい。シード層の形成方法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。シード層形成工程において、シード層を形成する際の具体的な条件は特に限定されるものではなく、シード層の材料や、シード層に要求される性能等に応じて任意に選択することができる。 In the seed layer forming step, a seed layer can be formed on the surface of the plastic film. Although the method for forming the seed layer is not particularly limited, it is preferable to use a dry plating method such as a vapor deposition method or a sputtering method. As a method for forming the seed layer, it is more preferable to use a sputtering method because it is particularly easy to control the film thickness. In the seed layer forming step, the specific conditions for forming the seed layer are not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the material of the seed layer, the performance required of the seed layer, and the like. .

シード層形成工程では、プラスチックフィルムの両面上にシード層を同時に形成することもできるが、片面ずつ形成することもできる。 In the seed layer forming step, the seed layers can be formed on both sides of the plastic film at the same time, but can also be formed on one side at a time.

第1金属層形成工程では、シード層上に第1金属層を形成することができる。第1金属層の形成方法についても特に限定されないが、蒸着法や、スパッタリング法等の乾式めっき法を用いることが好ましい。第1金属層の形成方法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。 In the first metal layer forming step, a first metal layer can be formed on the seed layer. The method of forming the first metal layer is also not particularly limited, but it is preferable to use a vapor deposition method or a dry plating method such as a sputtering method. As a method for forming the first metal layer, it is more preferable to use a sputtering method because it is particularly easy to control the film thickness.

第1金属層形成工程において、第1金属層を形成する際の具体的な条件は特に限定されるものではなく、第1金属層の材料や、第1金属層に要求される性能等に応じて任意に選択することができる。 In the first metal layer forming step, the specific conditions for forming the first metal layer are not particularly limited. can be selected arbitrarily.

第1金属層形成工程では、プラスチックフィルムの両面上にそれぞれ形成したシード層上に第1金属層を同時に形成することもできるが、片面ずつ第1金属層を形成することもできる。 In the first metal layer forming step, the first metal layers may be simultaneously formed on the seed layers respectively formed on both sides of the plastic film, or the first metal layers may be formed on one side at a time.

ここで、シード層や、第1金属層を成膜する際に好適に用いることができる、乾式めっき法を用いた成膜装置の構成例を、図3を用いて説明する。 Here, a configuration example of a film forming apparatus using a dry plating method, which can be suitably used when forming the seed layer and the first metal layer, will be described with reference to FIG.

図3は、成膜装置30の構成を模式的に表した図である。 FIG. 3 is a diagram schematically showing the configuration of the film forming apparatus 30. As shown in FIG.

図3の成膜装置30は、スパッタリング法により成膜する装置であり、スパッタリングフィルムコータとも称される装置である。なお、後述するように、マグネトロンスパッタリングカソード41a~41dの構成等を変更することで、スパッタリング法以外の他の成膜方法を用いた、または併用した成膜装置とすることもできる。 A film forming apparatus 30 in FIG. 3 is an apparatus for forming a film by a sputtering method, and is also called a sputtering film coater. As will be described later, by changing the configuration of the magnetron sputtering cathodes 41a to 41d, etc., it is also possible to make a film forming apparatus using or using film forming methods other than the sputtering method.

成膜装置30は、減圧容器内において、ロールツーロール方式で連続的に搬送される被成膜物を、保持手段としてのキャンロール32の保持面、すなわち外周面に保持した状態で、該被成膜物に向けて成膜手段から放出される成膜粒子を、該被成膜物の表面に堆積させて成膜を行うことができる。 The film forming apparatus 30 holds a film-forming object, which is continuously transported in a roll-to-roll manner, on a holding surface of a can roll 32 as holding means, that is, on an outer peripheral surface of the film-forming object. A film can be formed by depositing film-forming particles emitted from the film-forming means toward a film-forming object on the surface of the film-forming object.

なお、キャンロール32の内部には、図示しない冷却手段を設けておくことができ、熱負荷のかかる乾式めっき法であっても、被成膜物に熱的ダメージを与えることなく、連続的に処理できる。 In addition, a cooling means (not shown) can be provided inside the can roll 32, so that even in the case of the dry plating method with a high thermal load, continuous can be processed.

成膜装置30を構成する各要素、及びシード層、第1金属層等の成膜手順について具体的に説明する。 Each element constituting the film forming apparatus 30 and the film forming procedure of the seed layer, the first metal layer, etc. will be specifically described.

減圧容器としての真空チャンバー31内には、巻出しロール33と、巻取ロール34とが設けられており、巻出しロール33と、巻取ロール34との間でロールツーロール方式により被成膜物を搬送することができる。なお、真空チャンバー31の形状や材質については、減圧状態に耐え得るものであれば、特に限定はなく、種々のものを使用することができる。 An unwinding roll 33 and a winding roll 34 are provided in a vacuum chamber 31 as a decompression container. You can carry things. The shape and material of the vacuum chamber 31 are not particularly limited as long as they can withstand the reduced pressure, and various types can be used.

プラスチックフィルムFの搬送経路について説明する。まず巻出しロール33から被成膜物である長尺状のプラスチックフィルムFが供給される。なお、第1金属層のみを成膜する場合には、長尺状のプラスチックフィルムFとしては、プラスチックフィルムの一方、または両方の面にはシード層を形成された物を用いることができる。 A conveying route of the plastic film F will be described. First, a long plastic film F, which is an object to be deposited, is supplied from the feed roll 33 . When only the first metal layer is formed, a long plastic film F having a seed layer formed on one or both surfaces thereof can be used.

そして、巻出しロール33からキャンロール32までの被成膜物の搬送経路には、例えば、プラスチックフィルムFを案内するフリーロール35、プラスチックフィルムFの張力の測定を行う張力センサロール36、及び張力センサロール36から送り出されるプラスチックフィルムFをキャンロール32に導入する、モータ駆動のフィードロール37を、この順に配置することができる。 The transport path from the unwinding roll 33 to the can roll 32 includes, for example, a free roll 35 that guides the plastic film F, a tension sensor roll 36 that measures the tension of the plastic film F, and a tension sensor roll 36 that measures the tension of the plastic film F. A motor-driven feed roll 37, which introduces the plastic film F fed from the sensor roll 36 into the can roll 32, can be arranged in this order.

また、キャンロール32からプラスチックフィルムFを巻き取る、巻取ロール34までの搬送経路にも、上記の場合と同様に、モータ駆動のフィードロール38、プラスチックフィルムFの張力測定を行う張力センサロール39、及びプラスチックフィルムFを案内するフリーロール40を、この順に配置することができる。 Also, in the transport path from the can roll 32 to the take-up roll 34, the feed roll 38 driven by a motor and the tension sensor roll 39 for measuring the tension of the plastic film F are provided. , and the free roll 40 for guiding the plastic film F can be arranged in this order.

キャンロール32の近傍に設けられた、フィードロール37及び38は、モータで回転駆動させ、キャンロール32の周速度に対する調整を行えるように構成することが好ましい。また、巻出しロール33では、パウダークラッチ等によるトルク制御を用いて、プラスチックフィルムFの張力バランスを保つように構成することができる。このように構成することで張力調整されながら巻き出されたプラスチックフィルムFは、キャンロール32に連動して回転するフィードロール37及び38によって、キャンロール32の外周面に密着した状態で冷却されながら、乾式めっき処理が施され、モータ駆動の巻取ロール34により巻き取ることができる。 The feed rolls 37 and 38 provided in the vicinity of the can roll 32 are preferably rotationally driven by a motor so that the peripheral speed of the can roll 32 can be adjusted. Further, the unwinding roll 33 can be configured to keep the tension balance of the plastic film F by using torque control by a powder clutch or the like. With this configuration, the plastic film F unwound while its tension is adjusted is cooled by the feed rolls 37 and 38 rotating in conjunction with the can roll 32 in close contact with the outer peripheral surface of the can roll 32. , is dry-plated and can be taken up by a motor-driven take-up roll 34 .

キャンロール32の外周面に対向する位置には、プラスチックフィルムFの搬送経路に沿って、成膜手段である板状のマグネトロンスパッタリングカソード41a~41dが配置されている。これにより、搬送されているプラスチックフィルムFの表面に対して、乾式めっき処理であるスパッタリング成膜処理を実施できる。 Plate-shaped magnetron sputtering cathodes 41a to 41d, which are film forming means, are arranged along the transport path of the plastic film F at positions facing the outer peripheral surface of the can roll 32. As shown in FIG. As a result, the surface of the plastic film F being transported can be subjected to a sputtering film forming process, which is a dry plating process.

成膜装置30で施される乾式めっき処理は、上記スパッタリング法のみに限定されない。スパッタリング法と、例えばCVD(化学蒸着)、イオンプレーティング、真空蒸着などの他の真空成膜方法とを併用することもできる。また、スパッタリング法に替えて、上述の他の真空成膜方法を用いることもできる。これらの他の真空成膜方法を用いる場合は、マグネトロンスパッタリングカソード41a~41dの一部、または全部に替えて、所定の真空成膜手段を設けることができる。 The dry plating process performed by the film forming apparatus 30 is not limited to the above sputtering method. Sputtering methods can also be used in combination with other vacuum deposition methods such as CVD (chemical vapor deposition), ion plating, vacuum deposition, and the like. Also, instead of the sputtering method, other vacuum deposition methods described above can be used. When using these other vacuum film forming methods, predetermined vacuum film forming means can be provided in place of some or all of the magnetron sputtering cathodes 41a to 41d.

真空チャンバー31には、上述の手段以外にも、任意に図示しない各種手段を接続等することができる。例えばドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の排気手段や、真空チャンバー31内に気体を供給する気体供給手段のような種々の雰囲気制御手段を接続することができる。また、例えば巻出しロール33から供給したプラスチックフィルムの水分を除去できるように、プラスチックフィルムの搬送経路に沿って、図示しないヒーター等を設置しておくこともできる。 Various means (not shown) can be optionally connected to the vacuum chamber 31 in addition to the means described above. For example, exhaust means such as a dry pump, turbo-molecular pump, and cryo coil, and various atmosphere control means such as gas supply means for supplying gas into the vacuum chamber 31 can be connected. Further, a heater (not shown) or the like can be installed along the transport path of the plastic film so as to remove moisture from the plastic film supplied from the unwinding roll 33, for example.

以上に説明した成膜装置30により、プラスチックフィルムの両面上にシード層や、第1金属層を成膜する場合には、例えばまずプラスチックフィルムの一方の面上にシード層や、第1金属層を形成することができる。そして、巻き替えを行った後、更に他方の面にも同様の処理を施すことで、プラスチックフィルムの両面上にシード層や、第1金属層を成膜してもよい。 When the seed layer and the first metal layer are formed on both sides of the plastic film by the film forming apparatus 30 described above, for example, the seed layer and the first metal layer are first formed on one side of the plastic film. can be formed. Then, after rewinding, the other side of the plastic film may be subjected to the same treatment to form a seed layer and a first metal layer on both sides of the plastic film.

シード層と、第1金属層とは、共に乾式めっき法により好適に形成することができる。このため、例えばシード層の成膜を行った真空室内で第1金属層を連続処理、すなわち連続形成することもできる。 Both the seed layer and the first metal layer can be preferably formed by dry plating. Therefore, for example, the first metal layer can be continuously processed, that is, continuously formed, in the vacuum chamber in which the seed layer was formed.

上述の成膜装置30を用いて、シード層と、第1金属層とを連続形成する場合の構成例を説明する。 A configuration example in which the seed layer and the first metal layer are continuously formed using the film forming apparatus 30 described above will be described.

まず、巻出しロール33にプラスチックフィルムを装着する。 First, a plastic film is attached to the unwinding roll 33 .

さらに、例えばマグネトロンスパッタリングカソード41aに、シード層に対応した組成を有するシード層用ターゲットを装着し、マグネトロンスパッタリングカソード41b~41dに第1金属層に対応した組成の第1金属層用ターゲットを装着する。 Further, for example, a seed layer target having a composition corresponding to the seed layer is attached to the magnetron sputtering cathode 41a, and a first metal layer target having a composition corresponding to the first metal layer is attached to the magnetron sputtering cathodes 41b to 41d. .

次いで、真空チャンバー31内を図示しない排気手段によって排気し、真空チャンバー31内を到達圧力10-4Pa程度まで減圧した後、図示しない気体供給手段によりスパッタリングガスを導入して真空チャンバー31内を0.1Pa以上10Pa以下程度に圧力調整する。なお、スパッタリングガスとしては、アルゴンなどの不活性ガスを好適に使用することができ、目的に応じて、更に酸素などのガスが添加することもできる。 Next, the inside of the vacuum chamber 31 is evacuated by an evacuation means (not shown), and after the pressure inside the vacuum chamber 31 is reduced to about 10 −4 Pa, a sputtering gas is introduced by a gas supply means (not shown) to reduce the inside of the vacuum chamber 31 to zero. . Adjust the pressure to about 1 Pa or more and 10 Pa or less. As the sputtering gas, an inert gas such as argon can be suitably used, and a gas such as oxygen can be added depending on the purpose.

そして、巻出しロール33からプラスチックフィルムを供給しながら、マグネトロンスパッタリングカソード41a~41dに電圧を印加することで、プラスチックフィルム上にシード層と、第1金属層とを積層することができる。 By applying a voltage to the magnetron sputtering cathodes 41a to 41d while supplying the plastic film from the unwinding roll 33, the seed layer and the first metal layer can be laminated on the plastic film.

次に、本実施形態の両面めっき積層体の製造方法の他の構成例について説明する。 Next, another configuration example of the method for manufacturing the double-sided plated laminate of the present embodiment will be described.

本実施形態の両面めっき積層体の製造方法の他の構成例は以下の工程を有することができる。 Another configuration example of the method for manufacturing a double-sided plated laminate according to the present embodiment can have the following steps.

シード層と、乾式めっき法により形成された第1金属層とが、一方の面上にその順に直接配置されたプラスチックフィルムの、第1金属層上に、湿式めっき法により第2金属層を形成する第2金属層第1形成工程。
プラスチックフィルムの他方の面上に、シード層と、第1金属層とを乾式めっき法により形成するシード層・第1金属層形成工程。
シード層・第1金属層形成工程で、プラスチックフィルムの他方の面上に形成された第1金属層上に、湿式めっき法により第2金属層を形成する第2金属層第2形成工程。
A seed layer and a first metal layer formed by a dry plating method are directly arranged on one surface of a plastic film in that order. A second metal layer is formed by a wet plating method on the first metal layer. a second metal layer first forming step;
A seed layer/first metal layer forming step of forming a seed layer and a first metal layer on the other surface of the plastic film by dry plating.
a second metal layer forming step of forming a second metal layer by wet plating on the first metal layer formed on the other surface of the plastic film in the seed layer/first metal layer forming step;

本実施形態の両面めっき積層体の製造方法の他の構成例では、プラスチックフィルムの一方の面上に、シード層と、第1金属層とが予め形成されており、該第1金属層上に第2金属層を形成する(第2金属層第1形成工程)。なお、第2金属層の製造方法は、既述の両面めっき積層体の製造方法の一の構成例における第2金属層形成工程と、一方の面にのみ第2金属層を形成する点を除いては同様にして実施できる。 In another configuration example of the method for producing a double-sided plated laminate of the present embodiment, a seed layer and a first metal layer are formed in advance on one surface of the plastic film, and on the first metal layer A second metal layer is formed (second metal layer first forming step). The method for producing the second metal layer is the same as the second metal layer forming step in the above-described one configuration example of the method for producing a double-sided plated laminate, except that the second metal layer is formed only on one surface. can be implemented in the same way.

次いで、プラスチックフィルムの他方の面上に、シード層と、第1金属層とを乾式めっき法により形成する(シード層・第1金属層形成工程)。この際のシード層、第1金属層の製造方法は、既述の両面めっき積層体の製造方法の一の構成例において、既に説明したシード層形成工程、第1金属層形成工程と、他方の面上にのみシード層、第1金属層を形成する点を除いては同様にして実施できる。なお、シード層と、第1金属層とは、既述のように1つの真空チャンバー内で連続して形成することもできるが、それぞれ別に形成することもできる。 Next, a seed layer and a first metal layer are formed on the other surface of the plastic film by dry plating (seed layer/first metal layer forming step). The method for producing the seed layer and the first metal layer at this time is the already explained seed layer forming step and the first metal layer forming step in the above-described one structural example of the method for producing the double-sided plated laminate, and the other step. It can be carried out in the same manner except that the seed layer and the first metal layer are formed only on the surface. The seed layer and the first metal layer can be formed continuously in one vacuum chamber as described above, but they can also be formed separately.

そして、プラスチックフィルムの他方の面上に形成された第1金属層上に湿式めっき法により第2金属層を形成する(第2金属層第2形成工程)。なお、第2金属層の製造方法は、既述の両面めっき積層体の製造方法の一の構成例における第2金属層形成工程と、他方の面上にのみ第2金属層を形成する点を除いては同様にして実施できる。 Then, a second metal layer is formed by wet plating on the first metal layer formed on the other surface of the plastic film (second metal layer second forming step). The method for producing the second metal layer differs from the second metal layer forming step in one configuration example of the above-described method for producing a double-sided plated laminate, in that the second metal layer is formed only on the other surface. It can be carried out in the same manner except for

既述のように、第2金属層を形成する際、シード層と、第1金属層とがプラスチックフィルムの両面上に配置されていると、プラスチックフィルムの吸湿速度が遅くなるため、吸湿工程を実施しない場合、第2金属層を形成している間にプラスチックフィルムの含有する水分量は飽和状態、もしくはその近傍までには達しない。 As described above, when the second metal layer is formed, if the seed layer and the first metal layer are arranged on both sides of the plastic film, the moisture absorption speed of the plastic film slows down. If not implemented, the amount of water contained in the plastic film does not reach or near saturation during the formation of the second metal layer.

そして、第2金属層が形成されることで、プラスチックフィルムの寸法が固定されてしまう。このため、配線等を形成するために、シード層、第1金属層、及び第2金属層の一部をエッチング等により除去し、プラスチックフィルムの表面が露出すると、該露出した部分から吸湿が進行し、大きな寸法変化率が生じていた。 Then, the dimension of the plastic film is fixed by forming the second metal layer. Therefore, when the seed layer, the first metal layer, and the second metal layer are partially removed by etching or the like in order to form wiring or the like, and the surface of the plastic film is exposed, moisture absorption progresses from the exposed portion. However, a large dimensional change rate occurred.

一方、第2金属層を形成する際、プラスチックフィルムの一方の面上にのみシード層と、第1金属層とが設けられ、他方の面はプラスチックフィルムが露出している場合、湿式めっき法により第2金属層を形成する際、プラスチックフィルムが露出した面から吸湿が速やかに進行する。また、同時に、吸湿速度は遅いが、シード層、及び第1金属層を形成した面からも吸湿が進む。 On the other hand, when forming the second metal layer, the seed layer and the first metal layer are provided only on one surface of the plastic film, and the plastic film is exposed on the other surface. When forming the second metal layer, moisture absorption proceeds rapidly from the exposed surface of the plastic film. At the same time, the surface on which the seed layer and the first metal layer are formed also absorbs moisture, although the moisture absorption rate is slow.

このため、プラスチックフィルムの一方の面上にのみシード層と、第1金属層とを設けている場合には、両面上にシード層と、第1金属層とを設けた場合とは異なり、湿式めっき法により第2金属層を形成する際、プラスチックフィルムが飽和状態まで吸湿することができる。つまり、湿式めっき法により第2金属層を形成する際、プラスチックフィルムは、最大に膨張した状態とすることができる。 Therefore, when the seed layer and the first metal layer are provided only on one side of the plastic film, unlike the case where the seed layer and the first metal layer are provided on both sides, wet process When forming the second metal layer by plating, the plastic film can absorb moisture to a saturated state. That is, when forming the second metal layer by the wet plating method, the plastic film can be in a state of maximum expansion.

プラスチックフィルムが最大に膨張した時点で、プラスチックフィルムの一方の面上に湿式めっき処理により第2金属層を積層することで、プラスチックフィルムの寸法が固定される。なお、プラスチックフィルムの一方の面上に第2金属層を配置し、プラスチックフィルムの寸法を固定するためには、第2金属層の厚さが0.3μm以上であることが好ましい。 When the plastic film expands to its maximum, the dimensions of the plastic film are fixed by laminating a second metal layer on one side of the plastic film by wet plating. In order to arrange the second metal layer on one side of the plastic film and fix the dimensions of the plastic film, the thickness of the second metal layer is preferably 0.3 μm or more.

上述のように、プラスチックフィルムが最大に膨張した状態で、プラスチックフィルムの一方の面上に、第2金属層を形成することで、プラスチックフィルムの寸法が固定されている。このため、その後、プラスチックフィルムの他方の面上にシード層や、第1金属層を形成するために乾燥させた場合にもプラスチックフィルムの寸法は最大に膨張した状態で固定されている。また、さらに他方の面上に第2金属層を形成することで得られた両面めっき積層体について、金属積層体をエッチングすることでプラスチックフィルムを露出させ、該露出プラスチックフィルムが吸湿した場合でも、寸法変化率は十分に抑制できる。 As described above, the dimensions of the plastic film are fixed by forming a second metal layer on one side of the plastic film while the plastic film is in its fully expanded state. Therefore, even when the plastic film is dried to form a seed layer and a first metal layer on the other surface of the plastic film, the dimensions of the plastic film are fixed in the maximum expanded state. Further, for the double-sided plated laminate obtained by further forming the second metal layer on the other surface, even if the plastic film is exposed by etching the metal laminate and the exposed plastic film absorbs moisture, The dimensional change rate can be sufficiently suppressed.

本実施形態の両面めっき積層体の製造方法の他の構成例においても、さらに任意の工程を有することもできる。 Other configuration examples of the method for manufacturing a double-sided plated laminate according to the present embodiment may also include further optional steps.

例えば第2金属層第1形成工程に供給するプラスチックフィルムの一方の面上に、シード層と、第1金属層とが、その順に直接配置された前駆体を製造するための以下の工程を有することもできる。 For example, on one side of the plastic film supplied to the second metal layer first formation step, the seed layer and the first metal layer are directly arranged in that order to produce a precursor. can also

プラスチックフィルムを準備するプラスチックフィルム準備工程。
プラスチックフィルムの一方の面上にシード層を形成するシード層形成工程。
A plastic film preparation process for preparing a plastic film.
A seed layer forming step of forming a seed layer on one surface of the plastic film.

上記シード層上に第1金属層を形成する第1金属層形成工程。 a first metal layer forming step of forming a first metal layer on the seed layer;

なお、プラスチックフィルム準備工程は、既述の両面めっき積層体の製造方法の一の構成例で説明したプラスチックフィルム準備工程と同様に構成することができるため説明を省略する。 Note that the plastic film preparation step can be configured in the same manner as the plastic film preparation step described in the one configuration example of the manufacturing method of the double-sided plated laminate described above, so description thereof will be omitted.

また、シード層形成工程、及び第1金属層形成工程についても、既述の両面めっき積層体の製造方法の一の構成例で説明したシード層形成工程、第1金属層形成工程と、プラスチックフィルムの一方の面上にのみシード層、第1金属層を形成する点以外は同様に構成することができるため説明を省略する。 In addition, with regard to the seed layer forming step and the first metal layer forming step, the seed layer forming step, the first metal layer forming step, and the plastic film described in the one structural example of the manufacturing method of the double-sided plated laminate are performed. Since the configuration can be the same except that the seed layer and the first metal layer are formed only on one surface of , the description is omitted.

以上に説明した本実施形態の両面めっき積層体の製造方法によれば、プラスチックフィルムの表面に配置された金属積層体について、配線等を形成するためにエッチングし、プラスチックフィルムの一部が露出した場合でも、寸法変化を抑制した両面めっき積層体が得られる。また、配線等を形成し、プラスチックフィルムの一部が露出された状態で加熱された場合においても寸法変化を抑制した両面めっき積層体が得られる。 According to the method for manufacturing a double-sided plated laminate of the present embodiment described above, the metal laminate disposed on the surface of the plastic film is etched to form wiring and the like, and a part of the plastic film is exposed. Even in this case, a double-sided plated laminate with suppressed dimensional change can be obtained. In addition, a double-sided plated laminate can be obtained in which wiring or the like is formed and the dimensional change is suppressed even when the plastic film is partially exposed and heated.

このため、本実施形態の両面めっき積層体の製造方法により得られる両面めっき積層体は、高密度実装の配線基板等の寸法変化を特に抑制することが求められる各種用途において好適に用いることができる。より具体的には例えば、本実施形態の両面めっき積層体の製造方法により得られる両面めっき積層体は、電子部品を接合し、電気的に繋げると共に機械的な固定を行う配線基板の材料として、非常に有用である。 Therefore, the double-sided plated laminate obtained by the method for producing a double-sided plated laminate according to the present embodiment can be suitably used in various applications that particularly require suppression of dimensional changes such as wiring boards for high-density mounting. . More specifically, for example, the double-sided plated laminate obtained by the method for producing a double-sided plated laminate of the present embodiment is used as a material for a wiring board that joins electronic components, electrically connects them, and mechanically fixes them. Very useful.

本実施形態の両面めっき積層体、または本実施形態の両面めっき積層体の製造方法により得られた両面めっき積層体を用いて、配線基板を製造することもできる。このため、例えば本実施形態の両面めっき積層体に配線を形成する配線形成工程を有する配線基板の製造方法とすることもできる。 A wiring board can also be produced using the double-sided plated laminate of this embodiment or the double-sided plated laminate obtained by the method for producing a double-sided plated laminate of this embodiment. For this reason, for example, a method of manufacturing a wiring board can be provided that includes a wiring forming step of forming wiring on the double-sided plated laminate of the present embodiment.

配線基板の配線は、例えばサブトラクティブ法またはセミアディティブ法で形成することができる。 The wiring of the wiring board can be formed by, for example, a subtractive method or a semi-additive method.

サブトラクティブ法とは、シード層、第1金属層、第2金属層を含む金属積層体について、配線パターンに含まれない不要部分を化学エッチングして除去する方法である。 The subtractive method is a method of chemically etching and removing unnecessary portions not included in the wiring pattern from a metal laminate including a seed layer, a first metal layer, and a second metal layer.

また、セミアディティブ法とは、選択的にめっき膜を成長させて回路形成する方法である。 A semi-additive method is a method of selectively growing a plating film to form a circuit.

サブトラクティブ法により配線を形成する場合を例に説明すると、配線形成工程は、以下のステップを有することができる。 Taking the case of forming wiring by the subtractive method as an example, the wiring forming process can have the following steps.

第2金属層上に、形成する配線パターンに対応した形状を有するレジストを設けるレジスト配置ステップ。 A resist placement step of providing a resist having a shape corresponding to the wiring pattern to be formed on the second metal layer.

レジストの上面からエッチング液を供給し、金属積層体の不要部分を除去する化学エッチングを行うエッチングステップ。 An etching step in which an etchant is supplied from the upper surface of the resist and chemical etching is performed to remove unnecessary portions of the metal laminate.

残存したエッチング液等を除去するため、両面めっき積層体を洗浄する洗浄ステップ。 A cleaning step for cleaning the double-sided plated laminate to remove remaining etchant and the like.

以上のステップにより、所望の配線を備えた配線基板を形成することができる。 Through the above steps, a wiring board having desired wiring can be formed.

また、セミアディティブ法により配線を形成する場合には、以下の工程をさらに有することができる。 Moreover, when forming wiring by a semi-additive method, the following processes can be further included.

第1金属層形成後、第2金属層を形成する前に、第1金属層上に、形成する配線パターンに対応した形状のレジストを設けるレジスト配置工程。
第2金属層を形成後、レジストを除去するレジスト除去工程。
レジストを除去することで露出したシード層、及び第1金属層を除去するエッチング工程。
残存したエッチング液等を除去するため、両面めっき積層体を洗浄する洗浄工程。
After forming the first metal layer and before forming the second metal layer, a resist arrangement step of providing a resist having a shape corresponding to the wiring pattern to be formed on the first metal layer.
A resist removing step of removing the resist after forming the second metal layer.
An etching step to remove the seed layer and the first metal layer exposed by removing the resist.
A cleaning step for cleaning the double-sided plated laminate in order to remove remaining etchant and the like.

セミアディティブ法により配線を形成する場合であって、既述の両面めっき層の製造方法の一の構成例により両面めっき層を形成する場合、既述の第2金属層形成工程の前に上記レジスト配置工程を実施することができる。特に吸湿工程の後にレジスト配置工程を実施することが好ましい。 In the case of forming wiring by a semi-additive method, when forming a double-sided plating layer by one configuration example of the above-described method for manufacturing a double-sided plating layer, the above resist is applied before the above-described second metal layer forming step. A placement step can be performed. In particular, it is preferable to perform the resist placement step after the moisture absorption step.

そして、第2金属層形成工程の後に、レジスト除去工程、及びエッチング工程を実施できる。 Then, after the second metal layer forming process, the resist removing process and the etching process can be performed.

また、セミアディティブ法により配線を形成する場合であって、既述の両面めっき層の製造方法の他の構成例により両面めっき層を形成する場合、既述の第2金属層第1形成工程、及び第2金属層第2形成工程の前にそれぞれ上記レジスト配置工程を実施することができる。 Further, when wiring is formed by a semi-additive method and a double-sided plated layer is formed by another configuration example of the above-described double-sided plated layer manufacturing method, the above-described second metal layer first formation step, and before the second metal layer second forming step, the resist disposing step can be performed.

そして、第2金属層第1形成工程と、第2金属層第2形成工程との後にそれぞれレジスト除去工程、及びエッチング工程を実施できる。また、第2金属層第2形成工程の後にまとめてレジスト除去工程、及びエッチング工程を実施してもよい。 Then, the resist removing step and the etching step can be performed after the second metal layer first forming step and the second metal layer second forming step, respectively. Also, the resist removal step and the etching step may be collectively performed after the second metal layer second formation step.

上記配線基板の製造方法によれば、既述の両面めっき積層体を用いているため、寸法安定性の高い配線基板とすることができる。また、150℃程度まで加熱した場合でも寸法変化を十分に抑制できる熱的寸法安定性に優れた配線基板とすることができる。このため、例えば高密度実装等が要求される配線基板として好適に用いることができる。 According to the method for manufacturing a wiring board described above, since the above-described double-sided plated laminate is used, a wiring board with high dimensional stability can be obtained. In addition, it is possible to obtain a wiring board having excellent thermal dimensional stability, which can sufficiently suppress dimensional change even when heated up to about 150°C. For this reason, it can be suitably used, for example, as a wiring board that requires high-density mounting.

以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Although specific examples and comparative examples will be given below, the present invention is not limited to these examples.

ここで、まず得られた両面めっき積層体の評価方法について説明する。 Here, a method for evaluating the obtained double-sided plated laminate will be described first.

得られた両面めっき積層体について、IPC-TM-650、2.2.4、Method B及びMethod Cに準拠して寸法変化率を測定し、寸法安定性について評価した。 The obtained double-sided plated laminate was measured for dimensional change according to IPC-TM-650, 2.2.4, Method B and Method C to evaluate dimensional stability.

寸法変化率という指標では、収縮はマイナス値で、伸張がプラス値で表される。 In the index of dimensional change rate, shrinkage is indicated by a negative value and expansion is indicated by a positive value.

金属積層体をエッチングした際の寸法変化率は、IPC-TM-650、2.2.4、Method Bに従って測定した。更に、150℃-30分の熱処理後の寸法変化率は、IPC-TM-650、2.2.4、Method Cに従って測定した。 The dimensional change rate when etching the metal laminate was measured according to IPC-TM-650, 2.2.4, Method B. Furthermore, the dimensional change rate after heat treatment at 150° C. for 30 minutes was measured according to IPC-TM-650, 2.2.4, Method C.

以下、各実施例、比較例における両面めっき積層体の製造条件について説明する。
[実施例1]
プラスチックフィルムとして、幅0.5m×長さ3000mのポリイミドフィルムであるカプトン150EN-C(東レ・デュポン株式会社製)を用意した(プラスチックフィルム準備工程)。なお、用いたカプトン150EN-Cの厚さは37.5μm、吸水率(飽和吸水率)は1.7%となり、以下の実施例1~5、比較例1、2でも同じプラスチックフィルムを用いている。
The manufacturing conditions for the double-sided plated laminates in each example and comparative example will be described below.
[Example 1]
Kapton 150EN-C (manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd.), which is a polyimide film having a width of 0.5 m and a length of 3000 m, was prepared as a plastic film (plastic film preparation step). The Kapton 150EN-C used had a thickness of 37.5 μm and a water absorption rate (saturated water absorption rate) of 1.7%. there is

なお、上記吸水率とは、JIS K 7209(2000)に規定されたA法により飽和するまで水に浸漬させた際の吸水量(飽和吸水量)を測定し、該吸水量を用いて算出した吸水率(飽和吸水率)を意味する。以下、吸水率は同様の意味を有する。 The water absorption rate is calculated using the water absorption amount (saturated water absorption amount) measured when immersed in water until saturated by the A method specified in JIS K 7209 (2000). It means water absorption (saturated water absorption). Hereinafter, water absorption has the same meaning.

次いで、プラスチックフィルムの両面に、スパッタリング法により、シード層として、厚さが8nmのNi-20%Cr合金層を成膜した(シード層形成工程)。なお、Ni-20%Cr合金とは、20質量%のCrと、残部、すなわち80質量%がNiとから構成されるNi-Cr合金であることを意味する。 Next, Ni-20% Cr alloy layers with a thickness of 8 nm were formed as seed layers on both surfaces of the plastic film by a sputtering method (seed layer forming step). The Ni-20% Cr alloy means a Ni--Cr alloy composed of 20% by mass of Cr and the balance, that is, 80% by mass of Ni.

また、プラスチックフィルムの両面に形成したシード層上に、第1金属層として、厚さが0.1μmの銅層を成膜した(第1金属層成膜工程)。 A copper layer having a thickness of 0.1 μm was formed as a first metal layer on the seed layers formed on both sides of the plastic film (first metal layer forming step).

なお、シード層形成工程と、第1金属層形成工程とは、図3に示した成膜装置30を用いて、連続して実施した。成膜時には、真空チャンバー31内を一旦1×10-4Pa以下となるまで真空引きした後、アルゴンガスを導入し、真空チャンバー31内の圧力を0.3Paとした後、プラスチックフィルム一方の面上へ、シード層、及び第1金属層を連続成膜した。次いで、巻き替えを行った後、他方の面上にも同様にしてシード層、及び第1金属層を連続成膜した。成膜装置30の構成については既述のため、説明を省略する。 The seed layer forming process and the first metal layer forming process were continuously performed using the film forming apparatus 30 shown in FIG. At the time of film formation, the inside of the vacuum chamber 31 is once evacuated to 1×10 −4 Pa or less, and then argon gas is introduced to set the pressure inside the vacuum chamber 31 to 0.3 Pa. Then, one surface of the plastic film is A seed layer and a first metal layer were successively deposited on top. Next, after rewinding, a seed layer and a first metal layer were successively formed on the other surface in the same manner. Since the configuration of the film forming apparatus 30 has already been described, the description thereof is omitted.

プラスチックフィルムの両面にシード層、及び第1金属層を成膜したものを、湿度が65%、温度が23℃の雰囲気内で、0.5m/minの速度で巻替搬送を行った(吸湿工程)。 The seed layer and the first metal layer formed on both sides of the plastic film were rewound and transported at a speed of 0.5 m/min in an atmosphere with a humidity of 65% and a temperature of 23°C (moisture absorption process).

吸湿工程を実施することで、常温(23.0℃±2.0℃)におけるプラスチックフィルムの吸水率(飽和吸水率)に対して70%まで水分を含有させることができた。なお、表1では、吸湿工程後のプラスチックフィルムが含有する水分量の、飽和吸水率に対する割合として上記値を示している。吸湿工程後のプラスチックフィルムが含有する水分量の、飽和吸水率に対する割合は、プラスチックフィルムの重量変化により算出した。 By performing the moisture absorption step, it was possible to contain water up to 70% of the water absorption rate (saturated water absorption rate) of the plastic film at room temperature (23.0° C.±2.0° C.). In addition, Table 1 shows the above values as a ratio of the amount of water contained in the plastic film after the moisture absorption process to the saturated water absorption rate. The ratio of the amount of water contained in the plastic film after the moisture absorption process to the saturated water absorption rate was calculated from the weight change of the plastic film.

次いで、電解めっき法によって、第2金属層として、8μmの厚さの銅層を、プラスチックフィルムの両面に同時に形成した。なお、第2金属層はアノード電極や、給電ロール、浸漬ロールの数が異なる点以外は図2に示した連続電解めっき装置20と同様の構成の連続電解めっき装置を用いて成膜した。第2金属層を成膜する際、電流密度は、初期値は0.05A/dmとし、それから0.04A/dm刻みで少しずつ上昇させ、最終的には2A/dmまで上昇させた。めっき液としては硫酸銅めっき液を用いた。 Then, a copper layer having a thickness of 8 μm was simultaneously formed on both sides of the plastic film as a second metal layer by electroplating. The second metal layer was formed using a continuous electroplating apparatus having the same configuration as the continuous electroplating apparatus 20 shown in FIG. When forming the second metal layer, the initial value of the current density is 0.05 A/dm 2 , then it is gradually increased by increments of 0.04 A/dm 2 , and finally increased to 2 A/dm 2 . rice field. A copper sulfate plating solution was used as the plating solution.

得られた両面積層体について、寸法安定性の評価を行った。結果を表1に示す。
[実施例2]
吸湿工程について、巻替搬送を実施せず、シード層と第1金属層とがその順に両面上に配置されたプラスチックフィルムである、両面めっき積層体前駆体をロールに巻いたまま、湿度が65%、温度が23℃の雰囲気内に72時間放置した点以外は、実施例1と同様にして両面めっき積層体を得た。
The obtained double-sided laminate was evaluated for dimensional stability. Table 1 shows the results.
[Example 2]
Regarding the moisture absorption step, the double-sided plated laminate precursor, which is a plastic film in which the seed layer and the first metal layer are arranged in that order on both sides, is wound on a roll without rewinding and conveying, and the humidity is 65. %, and a double-sided plated laminate was obtained in the same manner as in Example 1, except that the temperature was allowed to stand in an atmosphere of 23° C. for 72 hours.

評価結果を表1に示す。
[実施例3]
吸湿工程において、シード層と第1金属層とがその順に両面上に配置されたプラスチックフィルムである、両面めっき積層体前駆体をロールに巻いたまま、吸湿用水槽内の温度が23℃の水に浸漬し、72時間保持した点以外は実施例1と同様にして両面めっき積層体を得た。
Table 1 shows the evaluation results.
[Example 3]
In the moisture absorption step, while the double-sided plated laminate precursor, which is a plastic film having a seed layer and a first metal layer arranged in that order on both sides, is wound into a roll, water having a temperature of 23 ° C. is added to the moisture absorption water tank. A double-sided plated laminate was obtained in the same manner as in Example 1, except that it was immersed in and held for 72 hours.

なお、水槽周辺の湿度は50%であった。 The humidity around the water tank was 50%.

評価結果を表1に示す。
[実施例4]
プラスチックフィルムとして、実施例1と同じカプトン150EN-C(東レ・デュポン株式会社製)を用意した(プラスチックフィルム準備工程)。
Table 1 shows the evaluation results.
[Example 4]
As a plastic film, the same Kapton 150EN-C (manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd.) as in Example 1 was prepared (plastic film preparation step).

次いで、プラスチックフィルムの一方の面上に、スパッタリング法により、シード層として、厚さが8nmのNi-20%Cr合金層を成膜した(シード層形成工程)。 Next, a Ni-20% Cr alloy layer having a thickness of 8 nm was formed as a seed layer on one surface of the plastic film by a sputtering method (seed layer forming step).

また、プラスチックフィルムの一方の面上に形成したシード層上に、第1金属層として、厚さが0.1μmの銅層を成膜した(第1金属層形成工程)。 A copper layer having a thickness of 0.1 μm was formed as a first metal layer on the seed layer formed on one surface of the plastic film (first metal layer forming step).

なお、シード層形成工程と、第1金属層形成工程とは、図3に示した成膜装置30を用いて、連続して実施した。成膜時には、真空チャンバー31内を一旦1×10-4Pa以下となるまで真空引きした後、アルゴンガスを導入し、真空チャンバー内の圧力を0.3Paとした後、プラスチックフィルムの一方の面上へ、シード層、及び第1金属層を連続成膜した。成膜装置30の構成については既述のため、説明を省略する。 The seed layer forming process and the first metal layer forming process were continuously performed using the film forming apparatus 30 shown in FIG. At the time of film formation, the inside of the vacuum chamber 31 is once evacuated to 1×10 −4 Pa or less, and then argon gas is introduced to set the pressure inside the vacuum chamber to 0.3 Pa. Then, one surface of the plastic film is A seed layer and a first metal layer were successively deposited on top. Since the configuration of the film forming apparatus 30 has already been described, the description thereof is omitted.

プラスチックフィルムの一方の面上にシード層を介して形成した第1金属層上に、電解めっき法によって、第2金属層として8μmの厚さの銅層を形成した(第2金属層第1形成工程)。なお、第2金属層はアノード電極や、給電ロール、浸漬ロールの数が異なる点以外は図2に示した連続電解めっき装置20と同様の構成の連続電解めっき装置を用いて成膜した。第2金属層を成膜する際、電流密度は、初期値を0.05A/dmとし、それから0.04A/dm刻みで少しずつ上昇させ、最終的には2A/dmまで上昇させた。めっき液としては硫酸銅めっき液を用いた。 A copper layer with a thickness of 8 μm was formed as a second metal layer by electroplating on the first metal layer formed on one surface of the plastic film via a seed layer (first formation of the second metal layer). process). The second metal layer was formed using a continuous electroplating apparatus having the same configuration as the continuous electroplating apparatus 20 shown in FIG. When forming the second metal layer, the current density is set to an initial value of 0.05 A/ dm2 , then gradually increased in increments of 0.04 A/ dm2 , and finally increased to 2 A/dm2. rice field. A copper sulfate plating solution was used as the plating solution.

次いで、プラスチックフィルムの他方の面上に、スパッタリング法により、プラスチックフィルム側から、シード層と、第1金属層とがその順となるように形成した(シード層・第1金属層形成工程)。 Then, on the other surface of the plastic film, a seed layer and a first metal layer were formed in that order from the plastic film side by a sputtering method (seed layer/first metal layer forming step).

なお、シード層、及び第1金属層は、プラスチックフィルムの一方の面上に形成する場合と同様の条件で連続して形成した。 In addition, the seed layer and the first metal layer were continuously formed under the same conditions as in the case of forming on one surface of the plastic film.

次いで、プラスチックフィルムの他方の面上に形成したシード層、及び第1金属層の、第1金属層上に第2金属層を形成した(第2金属層第2形成工程)。 Next, a second metal layer was formed on the first metal layer of the seed layer formed on the other surface of the plastic film and the first metal layer (second metal layer second forming step).

なお、第2金属層は、プラスチックフィルムの一方の面上に形成する場合と同様の条件で形成した。 In addition, the second metal layer was formed under the same conditions as in the case of forming it on one surface of the plastic film.

得られた両面積層体について、寸法安定性の評価を行った。結果を表1に示す。
[実施例5]
プラスチックフィルムを幅0.5m×長さ3000mのポリイミドフィルムであるユーピレックス 35SGA V1(以下、単に「ユーピレックスV1」と記載する)(宇部興産株式会社製)に変更した点以外は、実施例1と同様にして両面めっき積層体を得た。なお、用いたユーピレックスV1の厚さは34μm、吸水率(飽和吸水率)は1.2%となり、以下の実施例6~8でも同じプラスチックフィルムを用いている。
The obtained double-sided laminate was evaluated for dimensional stability. Table 1 shows the results.
[Example 5]
Same as Example 1 except that the plastic film was changed to Upilex 35SGA V1 (hereinafter simply referred to as "Upilex V1") (manufactured by Ube Industries, Ltd.), which is a polyimide film having a width of 0.5 m and a length of 3000 m. to obtain a double-sided plated laminate. The Upilex V1 used has a thickness of 34 μm and a water absorption rate (saturated water absorption rate) of 1.2%, and the same plastic film is used in Examples 6 to 8 below.

評価結果を表1に示す。
[実施例6]
プラスチックフィルムを、ユーピレックスV1(宇部興産株式会社製)に変更した点以外は、実施例2と同様にして両面めっき積層体を得た。
Table 1 shows the evaluation results.
[Example 6]
A double-sided plated laminate was obtained in the same manner as in Example 2, except that the plastic film was changed to Upilex V1 (manufactured by Ube Industries, Ltd.).

評価結果を表1に示す。
[実施例7]
プラスチックフィルムを、ユーピレックスV1(宇部興産株式会社製)に変更した点以外は、実施例3と同様にして両面めっき積層体を得た。
Table 1 shows the evaluation results.
[Example 7]
A double-sided plated laminate was obtained in the same manner as in Example 3, except that the plastic film was changed to Upilex V1 (manufactured by Ube Industries, Ltd.).

評価結果を表1に示す。
[実施例8]
プラスチックフィルムをユーピレックスV1(宇部興産株式会社製)に変更した点以外は、実施例4と同様にして両面めっき積層体を得た。
Table 1 shows the evaluation results.
[Example 8]
A double-sided plated laminate was obtained in the same manner as in Example 4, except that the plastic film was changed to Upilex V1 (manufactured by Ube Industries, Ltd.).

評価結果を表1に示す。
[比較例1]
第1金属層形成工程を実施後、6時間大気雰囲気(湿度50%)に放置した後、吸湿工程を実施せずに第2金属層形成工程を実施した点以外は、実施例1と同様にして両面めっき積層体を得た。なお、第2金属層形成工程に供した、シード層と第1金属層とがその順に両面上に配置されたプラスチックフィルムである両面めっき積層体前駆体の、プラスチックフィルムが含有する水分量の、常温における吸水率(飽和吸水率)に対する割合は70%未満であることを確認した。
Table 1 shows the evaluation results.
[Comparative Example 1]
The procedure was the same as in Example 1, except that after performing the first metal layer forming step, the second metal layer forming step was performed without performing the moisture absorption step after being left in the air atmosphere (humidity 50%) for 6 hours. to obtain a double-sided plated laminate. In addition, the water content of the double-sided plated laminate precursor, which is a plastic film in which the seed layer and the first metal layer are arranged in that order on both sides, subjected to the second metal layer forming step, the water content of the plastic film, It was confirmed that the ratio to the water absorption rate (saturated water absorption rate) at room temperature was less than 70%.

評価結果を表1に示す。
[比較例2]
吸湿工程について、巻替搬送を実施せず、両面に、シード層、及び第1金属層を形成したプラスチックフィルムをロールに巻いたまま、湿度が50%、温度が23℃の雰囲気内に72時間放置した点以外は、実施例1と同様にして両面めっき積層体を得た。
Table 1 shows the evaluation results.
[Comparative Example 2]
Regarding the moisture absorption step, the plastic film having the seed layer and the first metal layer formed on both sides was wound on a roll without rewinding and conveying, and placed in an atmosphere with a humidity of 50% and a temperature of 23°C for 72 hours. A double-sided plated laminate was obtained in the same manner as in Example 1, except that it was left to stand.

評価結果を表1に示す。 Table 1 shows the evaluation results.

Figure 0007173221000004
表1に示した結果から、実施例1~実施例8においては、IPC-TM-650、2.2.4、Method B及びCの評価結果が±0.05%以内になっていることが確認できた。一方比較例1、2では、上記評価結果について±0.05%を超える場合があることを確認できた。
Figure 0007173221000004
From the results shown in Table 1, in Examples 1 to 8, the evaluation results of IPC-TM-650, 2.2.4, Methods B and C are within ±0.05%. It could be confirmed. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, it was confirmed that the above evaluation results sometimes exceeded ±0.05%.

実施例1~3、実施例5~7では、シード層と第1金属層とがその順に両面上に配置されたプラスチックフィルムである、両面めっき積層体前駆体について、吸湿工程に供し、常温におけるプラスチックフィルムの吸水率(飽和吸水率)に対して70%以上となるように吸湿させている。このため、プラスチックフィルムに十分に吸湿させ、最大に膨張した状態で第2金属層が形成され、寸法が固定されているため、シード層、第1金属層、及び第2金属層の金属積層体の一部をエッチングし、プラスチックフィルムが露出することで吸湿した場合でも、寸法の変化がほとんど生じなくなっていたためと考えられる。 In Examples 1 to 3 and Examples 5 to 7, the double-sided plated laminate precursor, which is a plastic film having a seed layer and a first metal layer arranged in that order on both sides, was subjected to a moisture absorption step, and The water absorption rate (saturated water absorption rate) of the plastic film is 70% or more. Therefore, the second metal layer is formed in a state in which the plastic film absorbs moisture sufficiently and expands to the maximum, and the dimension is fixed, so that the metal laminate of the seed layer, the first metal layer, and the second metal layer is formed. is partly etched, exposing the plastic film and absorbing moisture, the dimensional change hardly occurs.

また、実施例4、8においては、プラスチックフィルムの一方の面上に、シード層、第1金属層、及び第2金属層を先に形成しており、第2金属層を形成する際にプラスチックフィルムが十分に吸湿し、最大に膨張した状態で第2金属層が形成され、寸法が固定されている。このため、プラスチックフィルムの他方の面上にシード層や、第1金属層を形成するために乾燥させた場合にもプラスチックフィルムの寸法は最大に膨張した状態で固定されている。また、さらに他方の面上に第2金属層を形成することで得られた両面めっき積層体について、金属積層体をエッチングすることでプラスチックフィルムを露出させ、該露出プラスチックフィルムが吸湿した場合でも、寸法変化率は十分に抑制できたと考えられる。 In Examples 4 and 8, the seed layer, the first metal layer, and the second metal layer were first formed on one surface of the plastic film, and the plastic film was formed when the second metal layer was formed. A second metal layer is formed when the film is sufficiently hygroscopic and expanded to the maximum, and the dimensions are fixed. Therefore, even when dried to form the seed layer and the first metal layer on the other surface of the plastic film, the dimensions of the plastic film are fixed in the maximum expanded state. Further, for the double-sided plated laminate obtained by further forming the second metal layer on the other surface, even if the plastic film is exposed by etching the metal laminate and the exposed plastic film absorbs moisture, It is considered that the dimensional change rate was sufficiently suppressed.

これに対して、比較例1では吸湿工程を実施していない。また、比較例2では吸湿工程を実施しているが、その吸湿の程度は十分ではない。 On the other hand, in Comparative Example 1, the moisture absorption step was not performed. Also, in Comparative Example 2, a moisture absorption step is performed, but the degree of moisture absorption is not sufficient.

このため、第2金属層を形成した際に、プラスチックフィルムが十分に吸湿した状態ではないため、金属積層体の一部をエッチングし,プラスチックフィルムが露出することで吸湿し、寸法変化率が大きくなったものと考えられる。 For this reason, when the second metal layer is formed, the plastic film is not sufficiently moisture-absorbed, so part of the metal laminate is etched, and the plastic film is exposed to absorb moisture, resulting in a large dimensional change rate. It is considered to have become

10 両面めっき積層体
11 プラスチックフィルム
12A、12B シード層
13A、13B 第1金属層
14A、14B 第2金属層
10 double-sided plated laminate 11 plastic films 12A, 12B seed layers 13A, 13B first metal layers 14A, 14B second metal layers

Claims (5)

プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルムの両面上に直接配置されたシード層と、
前記シード層上に配置された第1金属層と、
前記第1金属層上に配置された第2金属層と、を有する両面めっき積層体であって、
前記プラスチックフィルムの23.0℃±2.0℃での吸水率が70%以上100%未満であり、
IPC-TM-650、2.2.4、Method BによるMD及びTDの寸法変化率が±0.05%以内であり、
IPC-TM-650、2.2.4、Method CによるMD及びTDの寸法変化率が、±0.05%以内である両面めっき積層体。
a plastic film;
a seed layer disposed directly on both sides of the plastic film;
a first metal layer disposed on the seed layer;
A double-sided plated laminate having a second metal layer disposed on the first metal layer,
The water absorption rate of the plastic film at 23.0° C.±2.0° C. is 70% or more and less than 100%,
The dimensional change rate of MD and TD according to IPC-TM-650, 2.2.4, Method B is within ±0.05%,
IPC-TM-650, 2.2.4, a double-sided plated laminate whose dimensional change rate in MD and TD according to Method C is within ±0.05%.
前記プラスチックフィルムが、ポリイミドフィルムである請求項1に記載の両面めっき積層体。 2. The double-sided plated laminate according to claim 1, wherein said plastic film is a polyimide film. 前記シード層が、Ni-Cr合金からなる層である請求項1または2に記載の両面めっき積層体。 3. The double-sided plated laminate according to claim 1, wherein the seed layer is a layer made of Ni--Cr alloy. 前記第1金属層、及び前記第2金属層が、銅からなる層である請求項1~3のいずれか一項に記載の両面めっき積層体。 The double-sided plated laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the first metal layer and the second metal layer are layers made of copper. 前記第1金属層の厚さと、前記第2金属層の厚さとの合計が0.1μm以上20μm以下である請求項1~4のいずれか一項に記載の両面めっき積層体。 The double-sided plated laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein the sum of the thickness of the first metal layer and the thickness of the second metal layer is 0.1 µm or more and 20 µm or less.
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