[go: up one dir, main page]

JP7037640B2 - ヒータ及びヒータシステム - Google Patents

ヒータ及びヒータシステム Download PDF

Info

Publication number
JP7037640B2
JP7037640B2 JP2020510922A JP2020510922A JP7037640B2 JP 7037640 B2 JP7037640 B2 JP 7037640B2 JP 2020510922 A JP2020510922 A JP 2020510922A JP 2020510922 A JP2020510922 A JP 2020510922A JP 7037640 B2 JP7037640 B2 JP 7037640B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
hollow member
shaped portion
heater
space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020510922A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2019189197A1 (ja
Inventor
裕作 石峯
和人 丸山
敬一 関口
和彦 藤尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2019189197A1 publication Critical patent/JPWO2019189197A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7037640B2 publication Critical patent/JP7037640B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D5/00Supports, screens or the like for the charge within the furnace
    • F27D5/0037Supports specially adapted for semi-conductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00Details of electric heating devices
    • H05B1/02Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227Applications
    • H05B1/023Industrial applications
    • H05B1/0233Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本開示は、ヒータ及びヒータシステムに関する。
半導体製造装置などに用いられるヒータが知られている(例えば特許文献1)。このようなヒータは、ヒータプレートを含んでいる。ヒータプレートは、セラミックからなる板状の基体と、基体内にて基体の上面に沿って延びる抵抗発熱体とを有している。そして、ヒータプレートは、基体の上面に載置されたウェハを抵抗発熱体によって生じた熱によって加熱する。
このようなヒータにおいて、ヒータプレートに流路を形成したものが知られている(特許文献1における、発明が解決しようとする課題の欄を参照)。特許文献1は、ヒータプレートと、ヒータプレートが載置される支持部材との間に上記流路に代わる空間を形成することを提案している。
特開2003-142564号公報
本開示の一態様に係るヒータは、絶縁性の基体と、抵抗発熱体と、中空部材とを有している。前記基体は、第1主面及びその背面の第2主面を有している。前記抵抗発熱体は、前記基体内で前記第1主面及び前記第2主面に沿って延びている。前記中空部材は、前記第2主面に重なっている第1板状部と、前記第1板状部と空間を介して対向している第2板状部と、前記空間を前記第1板状部及び前記第2板状部の平面方向外側から囲んでいる側面部と、を有している。
本開示の一態様に係るヒータシステムは、上記のヒータと、前記抵抗発熱体に電力を供給する電力供給部と、を有している。
第1実施形態に係るヒータシステムの構成を示す模式的な断面図。 図1のヒータシステムが含むヒータの平面図。 図1のIII-III線における断面図。 図4(a)、図4(b)及び図4(c)は図2のヒータにおけるヒータプレートと中空部材との接合態様に関して種々の例を示す模式的な断面図。 第2実施形態に係るヒータの構成を示す断面図。 図5のVI-VI線における断面図。 図7(a)及び図7(b)は中空部材の流出口の変形例を示す拡大断面図。
以下、本開示の実施形態に係るヒータについて、図面を参照しつつ説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上の模式的なものである。従って、細部は省略されていることがあり、また、寸法比率は必ずしも現実のものとは一致していない。また、ヒータは、各図に示されていない周知の構成要素をさらに備えていても構わない。
<第1実施形態>
(ヒータシステム)
図1は、実施形態に係るヒータシステム101の構成を示す模式的な断面図である。図2は、ヒータシステム101が含むヒータ1の平面図である。図3は、図1のIII-III線における断面図である。なお、図1は、図2のI-I線断面図に相当する。
なお、ヒータ1は、必ずしも図1の紙面上方を実際の上方として利用される必要はない。以下では、便宜上、図1の紙面上方が実際の上方であるものとして、上面及び下面等の用語を用いることがある。また、特に断りがない限り、単に平面視という場合、図1の紙面上方から見ることを指すものとする。
ヒータシステム101は、ヒータ1と、ヒータ1に電力を供給する電力供給部3(図1)と、ヒータ1にガスを供給するガス供給部5(図1)と、を有している。ヒータ1と電力供給部3とは配線部材27(図1)によって接続されている。
(ヒータ)
ヒータ1は、例えば、概略板状(図示の例では円盤状)のヒータプレート7と、ヒータプレート7の下面に重なっている中空部材9と、これらから下方へ延びているパイプ11(図1)とを有している。
ヒータプレート7は、その上面7aに加熱対象物の一例としてのウェハ(不図示)が載置され(重ねられ)、ウェハの加熱に直接に寄与する。中空部材9は、流体が流れる空間を構成する。パイプ11は、例えば、ヒータプレート7(及び中空部材9)の支持、及び配線部材27の保護に寄与する。なお、パイプ11を除く、ヒータプレート7及び中空部材9のみによってヒータが定義されてもよい。
(ヒータプレート)
ヒータプレート7の上面7a及び下面7bは、例えば、概ね平面である。ヒータプレート7の平面形状及び各種の寸法は、加熱対象物の形状及び寸法等を考慮して適宜に設定されてよい。例えば、平面形状は、円形(図示の例)又は多角形(例えば矩形)である。寸法の一例を示すと、直径は20cm以上35cm以下、厚さは5mm以上30mm以下である。
ヒータプレート7は、例えば、絶縁性の基体13と、基体13に埋設されている抵抗発熱体15と、抵抗発熱体15に電力を供給するための端子17とを備えている。なお、図2では、平面図では見えない抵抗発熱体15及び端子17も点線で示されている。抵抗発熱体15に電流が流れることによって、ジュールの法則に従って熱が発生し、ひいては、基体13の上面7aに載置されているウェハが加熱される。
基体13の外形は、ヒータプレート7の外形を構成している。従って、上述のヒータプレート7の形状及び寸法に係る説明は、そのまま基体13の外形及び寸法の説明と捉えられてよい。基体13の材料は、例えば、セラミックスである。セラミックスは、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al)、炭化珪素(SiC)及び窒化珪素(Si)等を主成分とする焼結体である。
抵抗発熱体15は、基体13の上面7a及び下面7bに沿って(例えば平行に)延びている。また、抵抗発熱体15は、平面視において、例えば、基体13の概ね全面に亘って延びている。
平面視における抵抗発熱体15の具体的なパターン(経路)は適宜なものとされてよい。例えば、抵抗発熱体15は、ヒータプレート7において1本のみ設けられており、その一端から他端まで自己に対して交差することなく延びている。また、図示の例では、抵抗発熱体15は、ヒータプレート7を2分割した各領域において、円周方向に往復するように(ミアンダ状に)延びている。この他、例えば、抵抗発熱体15は、渦巻状に延びていたり、一の半径方向において直線状に往復するように延びていたりしてよい。
抵抗発熱体15を局部的に見たときの形状も適宜なものとされてよい。例えば、抵抗発熱体15は、上面7a及び下面7bに平行な層状導体であってもよいし、上記の経路を軸として巻かれたコイル状(スプリング状)であってもよいし、メッシュ状に形成されているものであってもよい。各種の形状における寸法も適宜に設定されてよい。
抵抗発熱体15の材料は、電流が流れることによって熱を生じる導体(例えば金属)である。導体は、適宜に選択されてよく、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、プラチナ(Pt)若しくはインジウム(In)又はこれらを主成分とする合金である。また、抵抗発熱体15の材料は、前記のような金属を含む導電ペーストを焼成して得られるものであってもよい。すなわち、抵抗発熱体15の材料は、ガラス粉末及び/又はセラミック粉末等の添加剤(別の観点では無機絶縁物)を含むものであってもよい。
端子17は、例えば、抵抗発熱体15の長さ方向両端に接続されているとともに、当該両端の位置にて、基体13のうちの下面7b側の部分を貫通して下面7bから露出している。これにより、ヒータプレート7の外部から抵抗発熱体15へ電力を供給可能になっている。1対の端子17(抵抗発熱体15の両端)は、例えば、ヒータプレート7の中央側に位置している。
(中空部材)
中空部材9は、流体が流れる空間9sを構成する部材である。空間9sは、流入口9a及び流出口9bを介して中空部材9の外部と通じている。流体は、例えば、気体(ガス)である。ガスは、例えば、ウェハ周辺のガス(例えばプロセスガス)と置換されるパージガスとして、及び/又はウェハ(ヒータプレート7)の均熱化に寄与する伝熱媒体(バックサイドガス)として機能する。このようなガスとしては、例えば、不活性ガス、ヘリウム、窒素若しくはアルゴン又はこれらを含む適宜な混合気体が用いられてよい。
中空部材9は、その外観は、概略、板状である。すなわち、中空部材9は、互いに平行な平面状の上面及び下面を有している。その上面には、ヒータプレート7が重ねられている。中空部材9は、例えば、平面視においてヒータプレート7よりも広く、中空部材9の外縁は、ヒータプレート7の外縁よりも外側に位置している。
中空部材9の平面形状は、適宜に設定されてよい。例えば、平面視において、中空部材9の外縁の形状は、ヒータプレート7の外縁の形状と概ね同様である。すなわち、中空部材9の外縁は、ヒータプレート7の外縁に概ね平行に延びている(一定の距離で離れている)。図示の例では、ヒータプレート7が円形であることに対応して、中空部材9の平面形状は円形である。ただし、中空部材9の外縁の形状は、ヒータプレート7の平面形状と全く異なる形状であってもよい。また、本実施形態では、中空部材9は、中央に、パイプ11が挿通される孔9hが形成されている。
中空部材9は、例えば、互いに離間して対向している第1板状部19及び第2板状部21と、これらの板状部間の隙間を板状部の平面方向の外側から囲む側面部23とを有している。これにより、空間9sが構成されている。空間9sの中心側は、例えば、パイプ11によって塞がれている。また、中空部材9は、第1板状部19と第2板状部21とを接続している複数の接続部25を有している。複数の接続部25は、例えば、第1板状部19と第2板状部21との間の熱の伝達に寄与する。
なお、図1では、第1板状部19、第2板状部21、側面部23、接続部25及びパイプ11は、互いの境界線が示され、また、互いに異なるハッチングが付されている。ただし、これらの部位の一部又は全部は、一体的に形成され、部位間の境界を材料的な観点から特定することができなくてもよい。換言すれば、各部位は、形状の観点のみから特定されてよい。さらに言えば、部位間の境界と、材料的な観点の境界とは、必ずしも一致している必要は無い(もちろん、一致していてもよい。)。
第1板状部19は、中空部材9の上面(ヒータプレート7側の面)を構成している。第2板状部21は、中空部材9の下面を構成している。これらの板状部は、例えば、概略、平板状である。その厚さは、伝熱性及び強度等の種々の観点から適宜に設定されてよい。第1板状部19及び第2板状部21の平面形状及び大きさは、例えば、概略、互いに同一である。中空部材9の平面視における形状及び大きさの説明(上述)は、これらの板状部の平面視における形状及び大きさの説明とされてよい。
側面部23は、例えば、平面視において第1板状部19及び第2板状部21の外縁に沿って延びている。側面部23の横断面(上記外縁に直交する断面)の形状は、例えば、上記外縁に亘って概ね一定である。また、当該横断面の形状は、適宜に設定されてよいが、例えば、概略、矩形である。その縦横比は適宜に設定されてよい。図示の例では、側面部23は、高さが幅よりも大きく、壁状に描かれているが、幅が高さ以上であってもよい(層状であってもよい。)。
接続部25は、第1板状部19と第2板状部21との間に介在しており、また、接続部25は、平面視において空間9s内に分布している。なお、接続部25が分布しているという場合、例えば、2以上の接続部25が互いに離れて存在していることを指す。
複数の接続部25の数及び配置位置は適宜に設定されてよい。例えば、複数の接続部25は、規則的に配列されていてもよいし、ランダムに配列されていてもよい。規則的に配列されている場合、複数の接続部25は、例えば、複数の同心円に沿って配列されていてもよいし、放射線状に配列されていてもよいし、縦横に配列されていてもよい。配列は、ピッチが一定であってもよいし、一定でなくてもよい。また、例えば、複数の接続部25の密度は、空間9s内で概ね一定であってもよいし、複数の領域間で互いに異なっていてもよい。例えば、内周側と外周側とで密度が異なっていたり、内周側と外周側とに比較してその中間の密度が高くなっていたりしてもよい。
複数の接続部25の形状及び/又は大きさは、互いに同一であってもよいし(図示の例)、互いに異なっていてもよい。なお、上記の密度は、接続部25の平面視における面積×数を領域の面積で割ったものであってもよいし、接続部25の数を領域の面積で割ったものであってもよい。
接続部25の形状は、適宜な形状とされてよい。例えば、接続部25の形状は、直柱状であってもよいし、錐台状であってもよいし、高さ方向の中央において横断面(第1板状部19に平行な断面)の面積が大きく、又は小さくなる形状であってもよい。また、接続部25の横断面の形状は、円形(図示の例)であってもよいし、多角形(例えば矩形)であってもよい。
接続部25の寸法も適宜に設定されてよく、接続部25の径(横断面が円形でない場合は最大径又は最小径)は、接続部25の高さ(第1板状部19と第2板状部21との距離)よりも長くてもよいし、同等でもよいし、短くてもよい(図示の例)。
中空部材9の材料は、有機材料でもよいし、無機材料でもよいし、導電材料でもよいし、絶縁材料でもよい。例えば、中空部材9は、セラミックによって構成されている。セラミックの具体的な材料としては、例えば、基体13の説明で挙げたもの(AlN等)が利用されてよい。中空部材9を構成するセラミックは、ヒータプレート7の基体13を構成するセラミックと同一のものであってもよいし、異なるものであってもよい。また、中空部材9は、その全体が同一の材料によって構成されていてもよいし、一部の部位(例えば、第1板状部19、第2板状部21、側面部23又は接続部25)が他の部位と異なる材料によって構成されていてもよい。表面にコーティングが施されていてもよい。
また、中空部材9の一部又は全部は、基体13、パイプ11又は空間9s内の流体(例えば気体)に比較して、熱伝導率が高い材料であってもよいし、同等の材料であってもよいし、低い材料であってもよい。本実施形態の説明では、中空部材9の材料の熱伝導率が、空間9s内の流体の熱伝導率よりも高い場合を例にとることがある。
(パイプ)
パイプ11は、上下(軸方向両側)が開口している中空状である。別の観点では、パイプ11は、上下に貫通する空間11sを有している。パイプ11の横断面(軸方向に直交する断面)及び縦断面(軸方向に平行な断面)の形状は適宜に設定されてよい。図示の例では、パイプ11は、軸方向の位置に対して径が一定の円筒形状である。もちろん、パイプ11は、高さ方向の位置によって径が異なっていてもよい。また、パイプ11の寸法の具体的な値は適宜に設定されてよい。
既述のように、中空部材9には、平面方向の中央側に孔9hが構成されており、パイプ11は、この孔9hに挿通されている。そして、パイプ11の外周面によって、第1板状部19と第2板状部21との隙間は、孔9h側から塞がれている。
パイプ11には、空間11sとは別に、ガス供給部5と中空部材9の空間9sとを連通する流路11pが形成されている。流路11pは、例えば、パイプ11の軸方向に沿って(例えば平行に)延びている。流路11pの下方の一端は、パイプ11の適宜な位置で外部へ開口してよいが、例えば、パイプ11の下方の端面にて開口している。また、流路11pは、例えば、パイプ11のうち、中空部材9に挿入されている部分に流入口9aが形成されることによって、空間9sに通じている。なお、流入口9aは、流路11pの一部と捉えられてもよい。
なお、図では、流路11pを1本のみ示しているが、2本以上の流路11pが設けられ、互いに別々に空間9sに開口していてもよい。また、流路11pは、ガス供給部5から空間9sへ向かう過程で複数に分岐して、複数位置にて空間9sに通じていてもよい。図示の例では、流路11pは、流入口9aを超えてパイプ11を上端まで貫通しているが、流入口9aまで延びるだけであってよい。
パイプ11は、セラミック等の絶縁材料から構成されていてもよいし、金属(導電材料)から構成されていてもよい。セラミックの具体的な材料としては、例えば、基体13の説明で挙げたもの(AlN等)が利用されてよい。また、パイプ11の材料は、基体13の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
(空間、流入口及び流出口)
これまでの説明からも理解されるように、空間9sは、例えば、基本的に(複数の接続部25を無視すると)、中空部材9の平面方向中央側(パイプ11側)から平面方向外側へ、全方位に亘って途切れなく広がっている。別の観点では、空間9sは、薄型の環状の空間である。空間9sは、例えば、平面透視において、ヒータプレート7(基体13)よりも外側まで広がっている。別の観点では、空間9sは、抵抗発熱体15の配置範囲よりも外側まで広がっている。
流入口9aは、例えば、既述のように、パイプ11のうち中空部材9に挿通されている部分に位置する開口(切り欠きでもよい)によって構成されている。すなわち、流入口9aは、中空部材9の平面方向中央側の壁面にて、中空部材9の平面方向外側に向かって開口している。流入口9aは、既述のようにパイプ11の流路11pに通じており、流路11pを介して中空部材9の外部へ通じている。既述のように、流入口9aは、1つのみ形成されていてもよいし、複数設けられていてもよい。複数の流入口9aは、例えば、一定のピッチでパイプ11(中空部材9の中心側の壁面)の周方向へ配列されてよい。
流出口9bは、例えば、第1板状部19のうちヒータプレート7よりも外側に位置する開口によって構成されている。別の観点では、流出口9bは、ヒータプレート7の外周面に隣接する位置にて、ヒータプレート7の上面7aが面している方向へ向かって開口している。ここでいう隣接は、例えば、ヒータプレート7の外周面と流出口9bとの距離が比較的短いことをいい、例えば、当該距離は、流出口9bの径(円形でない場合は例えば最大径)又はヒータプレート7の厚さの2倍以下又は1倍以下である。流出口9bは、例えば、複数設けられており、ヒータプレート7の外縁(別の観点では中空部材9の外縁)に沿って配列されている。配列のピッチは、例えば、一定である。各流出口9bの平面視における形状及び大きさは適宜に設定されてよい。また、各流出口9bは、互いに繋っていてもよい。
(配線部材)
配線部材27は、パイプ11の空間11s内に挿通されている。平面透視において、ヒータプレート7のうちパイプ11の空間11s内に露出する領域では、複数の端子17が基体13から露出している。そして、配線部材27は、その一端が複数の端子17に接続されており、これにより、抵抗発熱体15と電力供給部3とを接続している。
複数の配線部材27は、可撓性の電線であってもよいし、可撓性を有さないロッド状のものであってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。また、複数の可撓性の電線は、纏められて1本のケーブルのようになっていてもよいし、纏められていなくてもよい。また、配線部材27と端子17との接続も適宜なものとされてよい。例えば、両者は、導電性の接合材によって接合されてよい。また、例えば、両者は、一方に雄ねじ部が形成され、他方に雌ねじ部が形成されることにより、螺合されていてもよい。
(電力供給部及びガス供給部)
電力供給部3は、例えば、特に図示しないが、電源回路及びコンピュータ等を含んで構成されており、商用電源からの電力を適宜な電圧の交流電力及び/又は直流電力に変換してヒータ1(複数の端子17)に供給する。電力供給部3(の制御部)は、ヒータ1に設けられた不図示の温度センサが検出する温度に基づいてヒータ1の温度のフィードバック制御をしてもよい。
なお、温度センサは、例えば、熱電対又はサーミスタである。抵抗発熱体15がサーミスタとして用いられてもよい。温度センサの位置は適宜な位置とされてよい。例えば、熱電対は、パイプ11の空間11s内に配置され、その少なくとも先端がヒータプレート7に埋設されていてもよい。
ガス供給部5は、例えば、特に図示しないが、ガスを蓄圧した状態で保持しているタンク(ボンベ)と、当該タンクからのガスの流量を制御するバルブと、当該バルブを制御する制御装置とを含んで構成されている。なお、ガス供給部5の制御装置は、電力供給部3の制御装置と統合されていてもよい。
(ヒータの製造方法)
ヒータ1の製造方法においては、例えば、ヒータプレート7、中空部材9及びパイプ11が互いに別個に作製される。その後、これらの部材が互いに固定される。これにより、ヒータ1が作製される。なお、ヒータプレート7とパイプ11とは共に作製されてもよいし、又は中空部材9とパイプ11とが共に作製されてもよい。
ヒータプレート7の作製方法は、例えば、公知の種々の方法と同様とされてよい。例えば、ヒータプレート7の作製方法においては、まず、ドクターブレード法等により、基体13を構成する複数のセラミックグリーンシートを用意する。次に、必要に応じて、抵抗発熱体15及び端子17等が配置される溝又は孔を形成する加工(例えば切削加工又はプレス加工)を行う。次に、いずれかのセラミックグリーンシートに抵抗発熱体15となる材料(例えば導電ペースト)を配置する。そして、複数のセラミックグリーンシートを積層して焼成する。この他、例えば、ヒータプレート7は、ホットプレス法によって形成されてもよい。
パイプ11の作製方法も、例えば、公知の種々の方法と同様とされてよい。例えば、セラミックのパイプ11は、押出成形法、射出成形法又はホットプレス法によって作製されてよい。また、ドクターブレード法等によって形成したセラミックグリーンシートを軸状部材に巻き付けて焼成してもよい。または、公知の成形方法で作製した成形体を切削し、これを接合して作製してもよい。流路11pは、空間11sと共に型によって形成されてもよいし、パイプ11の成形後にドリル等を用いた切削加工によって形成されてもよい。
中空部材9も、ヒータプレート7及びパイプ11の作製方法に倣って作製されてよい。例えば、ドクターブレード法等により、第1板状部19となるセラミックグリーンシート、側面部23となるセラミックグリーンシート、及び第2板状部21となるセラミックグリーンシートを準備する。側面部23は、例えば、セラミックグリーンシートに対する打ち抜き加工によって成形される。なお、側面部23は、押出成形法、射出成形法又はホットプレス法によって作製されてもよい。
また、上記に並行して、セラミックグリーンシートの打ち抜き加工、押出成形法、射出成形法又はホットプレス法によって、複数の接続部25となる材料(例えばセラミック)を成形する。次に、この複数の接続部25となる材料を、第1板状部19となるセラミックグリーンシートの第2板状部21側の面、又は第2板状部21となるセラミックグリーンシートの第1板状部19側の面に配置する。
その後、第1板状部19、側面部23及び第2板状部21となるセラミックグリーンシートを積層し、これらを焼成する。
なお、複数の接続部25(及び側面部23)は、第1板状部19又は第2板状部21となるセラミックグリーンシートに対する切削加工によって凸部として形成することも可能である。また、このような凸部は、第1板状部19又は第2板状部21を射出成形法、積層法又はホットプレス法によって成形することによって形成されてもよい。
(部材同士の固定)
図4(a)~図4(c)は、ヒータプレート7と中空部材9との接合態様に関して種々の例を示す模式的な断面図である。
図4(a)に示すように、ヒータプレート7と中空部材9とは、両者の間に介在する接着剤31(接着層)によって接合されていてよい。接着剤31は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよいし、導電材料であってもよいし、絶縁材料であってもよい。具体的には、接着剤31としては、例えば、ガラス系のものが用いられてよい。すなわち、ヒータプレート7と中空部材9とはガラス接合されてよい。
また、図4(b)に示すように、ヒータプレート7と中空部材9とは、両者の間に接着材を介在させずに直接に接合されていてもよい。この接合には、例えば、固相接合が利用されてよい。固相接合としては、例えば、拡散接合が利用されてよい。拡散接合では、ヒータプレート7と中空部材9とが加熱加圧されることによって接合される。
図4(b)では、多角形によってセラミックの粒子が模式的に示されるとともに、ヒータプレート7と中空部材9との界面が消失している状態が示されている。なお、拡散接合は、ヒータプレート7と中空部材9とを直接に当接させるものだけでなく、両者の間に接合を促進するための材料が配置されるものも含むものとする。当該材料は、接合の際、固相状態であってもよいし、液相状態であってもよい。
また、図4(c)に示すように、ヒータプレート7と中空部材9とは、機械的に結合されていてもよい。図4(c)では、ヒータプレート7に挿通されたボルト33が中空部材9に埋設されたナット35に螺合されて、ヒータプレート7と中空部材9とが固定される態様が例示されている。なお、この例は、別の観点では、ヒータプレート7と中空部材9とを着脱可能に固定した例である。
なお、特に図示しないが、ヒータプレート7とパイプ11との固定も、ヒータプレート7と中空部材9との固定と同様に、接着剤(例えばガラス)を介したものであってもよいし、固相接合であってもよいし、機械的結合であってもよい。
以上のとおり、本実施形態では、ヒータ1は、絶縁性の基体13と、抵抗発熱体15と、中空部材9とを有している。基体13は、上面7a及び下面7bを有している。抵抗発熱体15は、基体13内で上面7a及び下面7bに沿って延びている。中空部材9は、下面7bに重なっている第1板状部19と、第1板状部19と空間9sを介して対向している第2板状部21と、空間9sを第1板状部19及び第2板状部21の平面方向外側から囲んでいる側面部23とを有している。
従って、基体13(ヒータプレート7)は、空間9sを構成する部材として利用されていない。その結果、例えば、ヒータプレート7は汎用のものにして、中空部材9をヒータ1が組み込まれるシステムに応じたものにできる。その逆に、中空部材9を汎用のものとして、ヒータプレート7はシステムに応じたものにすることもできる。すなわち、ヒータプレート7の設計と、中空部材9との設計との独立性が向上する。その結果、設計が容易化される。別の観点では、ヒータプレート7及び中空部材9の組み合わせの変更により、ヒータの種々のバリエーションを低コストで実現可能である。
また、本実施形態では、中空部材9は、複数の接続部25を有している。複数の接続部25は、第1板状部19と第2板状部21との間に位置してこれらに接続されており、上面7aの平面透視において空間9s内に分布している。
従って、第1板状部19から第2板状部21への熱の伝達経路が空間9s内に分布することになる。その結果、例えば、第1板状部19の均熱化を図ることが容易化される。例えば、第1板状部19の中央側又は外周側においては、パイプ11又は側面部23を介して、第1板状部19の熱が第2板状部21へ逃げやすい。その結果、第1板状部19は、中央側又は外周側において、その中間の領域に比較して温度が低下するおそれがある。しかし、複数の接続部25によって上記の中間の領域の熱を第2板状部21へ逃がし、第1板状部19内の温度差を緩和することができる。ひいては、ヒータプレート7の温度を均一化し、ウェハの温度を均一化することが容易化される。
また、本実施形態では、空間9sは、ヒータプレート7の上面7aの平面透視において、ヒータプレート7の基体13に重なる領域から基体13の外側まで広がっている。
従って、例えば、空間9s内の流体による均熱化の効果は、ヒータプレート7の外縁にまで及ぶ。その結果、例えば、ウェハの温度を均一化することが容易化される。なお、従来のように、ヒータプレート内に空間を形成したり、空間となる凹部をヒータプレートで塞いだりする態様においては、このような構成を得ることは、不可能であるか、極めて困難である。
また、本実施形態では、中空部材9は、空間9sの内部と空間9sの外部とを通じさせている、流入口9aと流出口9bとを有している。流出口9bは、ヒータプレート7の上面7aの平面透視においてヒータプレート7の基体13よりも外側に位置している。
従って、例えば、ヒータプレート7の上面7aに流出口を設けた場合とは異なる流れを実現できる。例えば、より広範囲にパージガスを噴出させることができる。その結果、例えば、ヒータ1及びチャンバ等の配置によっては、ウェハ周辺のガスの置換が速やかに行われる。なお、従来のように、ヒータプレート内に空間を形成したり、空間となる凹部をヒータプレートで塞いだりする態様においては、空間をヒータプレートの外側まで広げることは、不可能であるか、極めて困難である。
また、本実施形態では、基体13は、セラミックからなる一体形成部材である。基体13と第1板状部19とは接着剤又は固相接合によって固定されてよい。
この場合、例えば、基体13と第1板状部19とを密着させて、両者の間の一部に空隙が生じるおそれを低減することができる。空隙が存在すると、例えば、基体13と第1板状部19との間の熱の伝達にばらつきが生じるおそれがあるが、そのようなおそれが低減される。また、ガラス接合を利用した場合においては、接着層を断熱層として使用することも可能である。
また、本実施形態では、基体13と中空部材9とは着脱可能に固定されていてもよい。
この場合、例えば、販売直前又は使用直前に、ヒータプレート7と中空部材9とを組み合わせることができる。その結果、例えば、ヒータプレート7及び中空部材9の一方は、ウェハの加工装置に適合したものとし、他方は汎用のものとすることができる。また、中空部材9の交換も可能となる。
また、本実施形態では、ヒータ1は、中空部材9をヒータプレート7の下面7bに直交する方向に貫通して下面7bに接合されているパイプ11を更に有していてもよい。
この場合、例えば、ヒータプレート7とパイプ11との組み合わせと、中空部材9との一方を汎用のものとし、他方をウェハの加工装置に適したものとすることができる。パイプ11が必要とされる機会に比較して、中空部材9が必要とされる機会は少ないため、ヒータプレート7とパイプ11とを予め組み合わせておくことにより、効率的にヒータの種々のバリエーションを実現できる。この効果は、特に、上記のように中空部材9と基体13とが着脱可能な場合において有効である。
<第2実施形態>
以下、本開示に係る第2実施形態について説明する。以下の説明では、第1実施形態で説明された構成と共通または類似する構成について、第1実施形態の構成に付した符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。なお、第1実施形態の構成と対応(類似)する構成については、第1実施形態の構成と異なる符号を付した場合においても、特に断りがない点は、第1実施形態の構成と同様とされてよい。
図5は、第2実施形態に係るヒータ201の構成を示す断面図であり、第1実施形態の図1に相当している。図6は、図5のVI-VI線における断面図である。なお、特に図示しないが、第1実施形態と同様に、配線部材27には電力供給部3が接続されてよく、また、流路211pの下端にはガス供給部5が接続されてよい。
第1実施形態では、中空部材9の空間9sの中心側は、中空部材9に挿通されたパイプ11によって塞がれた。これに対して、ヒータ201では、空間9sに相当する外側空間209sの中心側は、中空部材209が有する内壁224によって塞がれている。換言すれば、ヒータ201の中空部材209は、その内部を平面方向内側の内側空間209tと、平面方向外側の外側空間209sとに仕切る内壁224を有している。
外側空間209sは、第1実施形態の空間9sと同様に、流入口209a及び流出口209bを介して中空部材209の外部と通じている。内側空間209tは、第1実施形態のパイプ11の空間11sの上端側部分に相当する空間であり、パイプ211の空間211sを介して外部に通じている。
ヒータプレート7の平面視において、内壁224の形状及び大きさは適宜に設定されてよい。例えば、平面視において、内壁224の形状は、その内面がパイプ211の上端側部分の内面と概ね一致する形状であり、図示の例では円形である。内壁224の横断面(図5に示す断面)の形状は、例えば、平面視の全周に亘って概ね一定である。また、当該横断面の形状は、適宜に設定されてよいが、例えば、概略、矩形である。その縦横比は適宜に設定されてよい。図示の例では、内壁224は、高さが幅よりも大きく、壁状に描かれているが、幅が高さ以上(層状)であってもよい。内壁224の材料及び内壁224の製造方法は、側面部23及び/又は接続部25と同様とされてよい。
パイプ211は、例えば、第1実施形態のパイプ11とは異なり、中空部材9に挿通されず、中空部材209の下面(第2板状部21)に固定されている。この固定方法は、第1実施形態において説明したヒータプレート7と中空部材9又はパイプ11との固定方法と同様に、両者の間に介在する接着剤によるものであってもよいし、固相接合によるものであってもよいし、機械的結合によるものであってもよい。
第2板状部21には、パイプ211の空間211sと重なる位置に、開口209eが形成されている。これにより、内側空間209tは、空間211sを介してヒータ1の外部(例えばヒータ201を収容している不図示のチャンバ内の空間)へ通じている。平面視において、開口209eの形状及び大きさは、空間211sの上端の形状及び大きさと同一であってもよいし、異なっていてもよい。異なっている場合において、両者の大きさは、いずれが大きくてもよい。図示の例では、開口209eの形状及び大きさは、空間211sの上端の形状及大きさと同等であり、また、円形である。
なお、パイプ211がヒータプレート7とは直接には固定されないことから、第1板状部19は、第1実施形態とは異なり、パイプ211を挿通するための孔は形成されていない。ただし、第1板状部19には、端子17を内側空間209t及びパイプ211の空間211sへ露出させるための孔が形成されている。なお、第1板状部19は、第1実施形態と同様に、比較的広い孔を有していてもよい。
パイプ211には、パイプ11と同様に、軸方向に延びる流路211pが形成されている。流路211pの上端は、例えば、パイプ211の上方の端面にて開口している。中空部材9の第2板状部21は、この流路211pの上端と重なる位置に、流入口209aを有している。これより、外側空間209sは、流路211pを介してガス供給部5(図1参照)と接続される。流入口209aの数、配置位置、形状及び大きさ等は適宜に設定されてよい。例えば、流入口209aは、内壁224に隣接する位置において、内壁224回りに均等のピッチで配列されている。図示の例では、2つの流入口209aが設けられている。ここでいう隣接は、例えば、内壁224と流入口9aとの距離が比較的短いことをいい、例えば、当該距離は、流入口9aの径(円形でない場合は例えば最大径)又は外側空間209sの高さの2倍以下又は1倍以下である。
中空部材9は、平面視においてヒータプレート7の外側となる位置に、第1板状部19から上方(ヒータプレート7の上面7aが面する方向)へ突出する突部229を有している。この突部229は、例えば、ヒータプレート7を囲む突条(別の観点では環状)に形成されている。別の観点では、中空部材9は、ヒータプレート7の少なくとも下面7b側の部分を収容する凹部209rを有している。
凹部209r(突部229)の形状及び大きさ等は適宜に設定されてよい。例えば、凹部209rは、ヒータプレート7の少なくとも下面7b側の部分が嵌合する形状とされている。すなわち、凹部209rの平面視における形状及び大きさは、ヒータプレート7のものと同様であり、図示の例では円形である。また、凹部209rの深さ(突部229の高さ)は、例えば、ヒータプレート7の厚さよりも小さい。ただし、凹部209rの深さは、ヒータプレート7の厚さ以上とされてもよい。
突部229の横断面(図5に示す断面)の形状及び大きさも適宜に設定されてよい。例えば、突部229の横断面の形状は、矩形であり、その高さ及び幅は、いずれが大きくてもよく、図示の例では、幅が高さよりも大きくなっている。また、図示の例では、突部229の外縁は、中空部材209の外縁と一致しているが、中空部材209の外縁よりも内側に位置していてもよい。
突部229は、例えば、第1板状部19となるセラミックグリーンシートに対して、突部229となるセラミックグリーンシートが重ねられることによって形成される。あるいは、突部229及び第1板状部19は、当初から一体的に形成されてもよい。例えば、突部229及び第1板状部19の合計厚さのセラミックグリーンシートに対して切削加工を行って突部229及び第1板状部19を形成してもよいし、射出成形及びホットプレスによって共に成形されてもよい。
流出口209bは、例えば、突部229の頂面にて中空部材209の外部へ開口している。流出口209bは、第1実施形態に比較して、突部229の突出量に相当する量で、流路方向(上下方向)に長くなっており、また、上方の開口面が上方へシフトしている。流出口209bは、例えば、一定の断面積で流路方向(上下方向)に延びている。ただし、突部229内の孔と第1板状部19内の孔とで径が異なっていてもよい。なお、平面視における流出口209bの数、位置及び形状等は、第1実施形態の流出口9bのものと同様とされてよい。
なお、図5及び図6では、複数の接続部25が図示されていないが、第1実施形態と同様に、複数の接続部25が設けられてもよい。また、ヒータプレート7と中空部材209との固定は、第1実施形態と同様に、接着剤によるものであってもよいし、固相接合であってもよいし、機械的結合(着脱可能なもの含む。)であってもよい。
以上の第2実施形態においても、第1実施形態と同様に、ヒータ201の中空部材209は、ヒータプレート7の基体13の下面7bに重なっている第1板状部19と、第1板状部19と外側空間209sを介して対向している第2板状部21と、外側空間209sを第1板状部19及び第2板状部21の平面方向外側から囲んでいる側面部23と、を有している。従って、第1実施形態と同様の効果が奏される。例えば、設計が容易化される。
また、本実施形態では、中空部材209は、ヒータプレート7の上面7aの平面視において基体13よりも外側となる位置に、第1板状部19から上面7aが面する方向へ突出する突部229を有している。流出口209bは、突部229の頂面にて外部へ開口している。
従って、例えば、流出口209bを上面7a上のウェハに近づけることができる。その結果、例えば、ウェハ周辺のガスをパージガスに速やかに置換することができる。また、突部229は、ヒータプレート7と中空部材209とを位置決めするための位置決め部として機能し得る。すなわち、ノズルと位置決め部とが兼用されることになる。なお、従来のように、ヒータプレート内に空間を形成したり、空間となる凹部をヒータプレートで塞いだりする態様においては、ヒータプレートを位置決め可能にノズルを形成することは、不可能であるか、極めて困難である。
また、本実施形態では、中空部材209は、基体13の少なくとも下面7b側の部分が収容される凹部209rを有している。
従って、中空部材209に対する基体13の位置決めが容易化される。また、中空部材209と基体13との接触面積が増加するから、両者の接合を強化したり、両者の間の熱交換を容易化したりすることができる。
また、本実施形態では、中空部材209は、第1板状部19と第2板状部21との間に位置し、中空部材209の内部を、平面方向の内側の内側空間209tと、平面方向の外側の外側空間209sとに仕切っている内壁224を更に有している。
この場合、例えば、外側空間209sの密閉は、中空部材209内で完結する。すなわち、中空部材209とパイプ211との固定等が外側空間209sの密閉性に及ぼす影響が低減される。その結果、例えば、流体がウェハの加工に及ぼす影響の予測の精度が高くなり、中空部材209の選定又は交換が容易化される。
また、本実施形態では、ヒータ201は、一端が第2板状部21に接合されているパイプ211を更に有している。
この場合、例えば、ヒータプレート7とパイプ211との間に中空部材209が介在することになるから、ヒータプレート7の熱は、直接的にはパイプ211へ逃げない。その結果、例えば、ヒータプレート7の温度を均一化することが容易化される。また、例えば、中空部材209は、ヒータプレート7とパイプ211との熱応力を緩和することにも寄与する。また、例えば、中空部材209とパイプ211とが接合されることから、流路211pと流入口209aとの接続部における密閉性を向上させることが容易である。その結果、上述した外側空間209sの密閉が中空部材209内で完結していることによる効果が向上する。
(流出口の変形例)
図1では、流出口9bとして、中空部材9の内部側から外部側へ、横断面(流れ方向に交差する断面。ここでは第1板状部19に平行な断面)の形状及び面積が一定のものを示した。ただし、流出口9bの横断面の形状及び面積は、流れ方向の位置によって異なっていてもよい。以下に、その例を示す。
なお、ここでは、便宜上、第1実施形態の符号を用いるが、以下に述べる変形例は、第2実施形態に適用されても構わない。また、以下の説明では、流出口9bの横断面の面積を「開口面積」と呼称するものとする。
図7(a)は、ヒータ1のうち流出口9b及びその周辺を示す断面図であり、図1の一部に相当する。
この変形例においては、流出口9bは、大径部9baと、大径部9baよりも開口面積が小さい小径部9bb(後述する接合材10によって開口面積が狭められている部分)とを有している。大径部9baは、中空部材9の内部に向かって開口している部分である。小径部9bbは、大径部9baよりも中空部材9の外部側に位置しており、例えば、中空部材9の外部へ開口している部分である。
大径部9ba及び小径部9bbそれぞれの横断面の形状、開口面積、流れ方向(ここでは上下方向)の長さ、及び縦断面(図7(a)に示す断面)における形状等は適宜に設定されてよい。例えば、大径部9baの横断面の形状と小径部9bbの横断面の形状とは相似形又はこれに類するものであってもよいし、全く異なる形状であってもよい。大径部9baの横断面の中心(例えば図心。以下、同様。)と、小径部9bbの中心とは、平面視において一致していてもよいし、一致していなくてもよい。大径部9ba及び小径部9bbそれぞれにおいて、横断面の形状は、流出口9bの流れ方向において一定であってもよいし、一定でなくてもよい。小径部9bbの開口面積は、大径部9baの開口面積の1/2未満であってもよいし、1/2以上であってもよい。小径部9bbの流れ方向の長さが流出口9bの流れ方向の長さに占める割合は、1/2未満であってもよいし、1/2以上であってもよい。
図示の例では、大径部9baは、その横断面の形状及び大きさが流出口9bの流れ方向において概ね一定とされている。一方、小径部9bbは、基本的に、中空部材9の外部側ほど開口面積が小さくなっている。より詳細には、小径部9bbの内面のうち、ヒータプレート7側(図7(a)では紙面左側)の部分は、中空部材9の外部側ほどヒータプレート7から離れる側(図7(a)では紙面右側)に位置するように傾斜しており、これにより、小径部9bbの開口面積は徐々に小さくなっている。換言すれば、小径部9bbの横断面の中心は、中空部材9の外部側ほどヒータプレート7から離れている。
流出口9bの開口面積の変化(大径部9ba及び小径部9bbの形成)は、適宜な方法によって実現されてよい。図示の例では、接合材10が流出口9bの内面の一部に配置されることによって、流出口9bは、その流れ方向の一部において開口面積が小さくされている。これにより、小径部9bb(及び小径部9bbよりも開口面積が大きい大径部9ba)が構成されている。この接合材10は、第1板状部19(中空部材9)の一部とみなされてよい。
接合材10は、無機材料であってもよいし、有機材料であってもよい。無機材料としては、例えば、ガラス系のものを挙げることができる。実施形態の説明では、図4(a)を参照して、ヒータプレート7と中空部材9とが接着剤31によって接合されてよいことを述べた。接合材10は、この接着剤31と同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。前者の場合において、接合材10は、接着剤31と同時にヒータプレート7又は中空部材9に塗布されるものであってもよい。換言すれば、接合材10は、接着剤31の一部であっても構わない。
以上のとおり、図7(a)に示す変形例では、流出口9bは、空間9sに開口している大径部9baと、大径部9baよりも空間9sの外部側に位置しており、大径部9baの開口面積よりも開口面積が小さい小径部9bbと、を有している。
この場合、例えば、小径部9bbによって開口面積が絞られることにより、流出口9bから排出されるガスの流速を速くすることができる。その結果、例えば、ヒータ1を収容しているチャンバ内にガスを拡散させることが容易化される。また、小径部9bbによって開口面積が絞られることによって塵が中空部材9の外部から流出口9bを介して空間9sに侵入する蓋然性が低減される。流出口9b全体の開口面積が小さくされる態様(そのような態様も本開示に係る技術に含まれる。)に比較して、例えば、流出口9b内でガスの流れを乱れさせてガスを混合することができる。また、平面視における小径部9bbの大径部9baに対する位置の調整によって、ガスの排出方向を調整することもできる。例えば、図示の例では、平面視において、小径部9bbの中心は、大径部9baの中心に対してヒータプレート7から離れているから、ガスをヒータプレート7から離れる方向へ排出して、チャンバ内にガスを拡散させることができる。
図7(b)は、流出口9bの他の変形例を示す図であり、図7(b)と同様の断面図である。
この変形例においては、流出口9bの内面(側面)は、流出口9bの流れ方向に沿う縦断面(ここでは図7(b)に示すような上下方向に平行な面)において凹凸を有している。なお、図7(a)に示した変形例も、本変形例と同様に、流出口9bの側面に凹凸が形成されていると捉えられてよい。ただし、本変形例では、図7(a)の変形例とは異なり、大径部9ba及び小径部9bbが構成されることは前提とされていない(ただし、構成されてもよい。)。
凹凸の数、形状及び寸法等は適宜に設定されてよい。例えば、任意の縦断面において、凹凸がなす段差の、流出口9bの径方向における長さ(後述する複数の孔8のうち隣り合う孔8同士の外縁のずれ量)は、流出口9bの平均径(前記任意の縦断面において互いに対向する2つの側面の距離の平均値)の1/20以上であってもよいし、1/10以上であってもよいし、1/5以上であってもよい。また、凹凸の存在によって、流出口9bの径(開口面積)は、流出口9bの流れ方向の位置によって一定であってもよいし、異なっていてもよい。また、縦断面における凹凸は、横断面においても凹凸を形成していてもよい。
図示の例では、流出口9bのうち空間9s側の凹凸(又は接合材10を無視したときの流出口9bの全体の凹凸)は、流出口9bの流れ方向に連ねられて流出口9bを構成している複数の孔8の、径(開口面積)、及び/又は流れ方向に交差する方向の位置が互いに異なることによって構成されていると捉えることができる。さらに詳細には、図示の例では、複数の孔8の開口形状及び開口面積は概ね互いに同一であり、複数の孔8の流れ方向に交差する方向の位置が互いに異なることにより、流出口9bの凹凸が構成されている。従って、縦断面において、一方の側面の凸部(又は凹部)と、他方の側面の凹部(又は凸部)とは流れ方向に交差する方向において互いに対向している。複数の孔8の流れ方向の長さは、互いに同一であってもよいし(図示の例)、互いに異なっていてもよい。
図示の例では、複数の孔8は、下方から4つまで順に紙面左側へずれ、最後の1つが紙面右側(それまでとは逆側)へずれている。別の観点では、流出口9bは屈曲している。ただし、図示の例とは異なり、全ての孔8が第1板状部19に沿う方向(紙面左右方向)において同一側へずれて、第1板状部19の下面から上面まで階段状に凹凸が構成されていてもよい。
流出口9bの凹凸は、適宜な方法によって実現されてよい。図示の例では、第1板状部19を複数の絶縁層20によって構成し、各絶縁層20に孔8を形成している。そして、複数の絶縁層20の少なくとも一部同士において孔8の開口面積及び/又は平面視における位置(図示の例では位置のみ)が異なることによって、流出口9bの凹凸が実現されている。複数の絶縁層20の厚さは、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。
このような複数の絶縁層20を含む第1板状部19は、例えば、複数の絶縁層20となる複数のセラミックグリーンシートを積層して焼成することによって作製されてよい。なお、図7(b)では、便宜上、複数の絶縁層20の境界を明示しているが、このような作製方法の場合においては、完成後の第1板状部19において、複数の絶縁層20の境界は確認できなくても構わない。また、複数の絶縁層20は、上記とは異なり、接着剤によって互いに接合されるものであっても構わない。
図7(b)の例では、図7(a)を参照して説明した接合材10も設けられている。そして、接合材10も凹凸の実現に寄与している。ひいては、符号は付さないが、図7(b)の例においても小径部が構成されている。なお、接合材10は、図7(b)の例のように、第1板状部19の本体部分(複数の絶縁層20)によって凹凸が構成されている場合においては、図7(a)とは逆に、その本体部分の凹凸の一部を平坦化することなどにも利用可能である。
以上のとおり、本変形例では、流出口9bの側面は、流出口9bの流れ方向に沿う縦断面において凹凸を有している。
この場合、例えば、流出口9b内のガスの流れに乱れが生じる。その結果、例えば、ガスの混合、及び/又はヒータ1を収容しているチャンバ内へのガスの拡散が期待される。また、例えば、中空部材9の外部から空間9sへ流出口9bを介して塵が侵入する蓋然性が低減される。また、例えば、接合材10を流出口9bの側面に位置させる場合においては、接合材10と流出口9bの側面との接着面積が増加するとともに固化後の接合材10が凹凸に係合するから、接合材10が中空部材9に対して固定されやすくなる。
なお、以上の第1及び第2実施形態及び変形例において、上面7aは第1主面の一例である。下面7bは第2主面の一例である。
本開示に係るヒータは、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
例えば、第1実施形態及び第2実施形態は、適宜に組み合わされてよい。例えば、第1実施形態におけるパイプが中空部材を貫通する構成において、第2実施形態の突部(凹部)が設けられてもよい。第2実施形態における中空部材が内壁を有する構成において、パイプが中空部材を貫通してヒータプレートに固定されていてもよい。
ヒータは、ヒータとしての機能以外の機能を有していてもよい。例えば、基体内には、抵抗発熱体以外に、ヒータプレートを静電チャックとして機能させるための電極、及び/又はプラズマを発生させるための電極等が設けられていてもよい。このような電極は、例えば、抵抗発熱体に対して第1主面(上面)側に位置してよい。
また、例えば、ヒータは、抵抗発熱体を1層のみ有するものに限定されず、2層以上の抵抗発熱体を有していてもよい。また、1層の抵抗発熱体は、複数に分割されて、又は1本の抵抗発熱体の複数個所に給電点が設けられて、個別に発熱量を制御可能とされていてよい。ヒータは、抵抗発熱体及び端子に加えて、端子と抵抗発熱体とを接続する配線パターンを抵抗発熱体の層とは別個の層に有していてもよい。上記の説明からも理解されるように、抵抗発熱体が埋設された基体は、2層の絶縁層によって構成されるものに限定されず、適宜な枚数の絶縁層によって構成されてよい。
中空部材の空間は、流入口及び流出口を介して外部と通じていなくてもよい。換言すれば、流体を流すための空間でなくてもよい。例えば、当該空間は、真空とされ、又は適宜なガスが封入されていてもよい。この場合、空間は、例えば、断熱層として機能してよい。中空部材の空間を流れる、又は空間内に封入される流体は、液体であってもよい。
流入口は、パイプを介して中空部材の外部と通じるのではなく、直接的に中空部材の外部と通じていてもよい。流出口は、中空部材の上面に開口するのではなく、側面や下面に開口していてもよい。ヒータプレートを貫通する孔が形成され、当該孔に流出口が通じていてもよい。
中空部材は、平面視において、ヒータプレートと同等以下の大きさであってもよい。突部(第2実施形態の突部229参照)は、平面視において環状に延びるものでなくてもよい。例えば、ヒータプレートの外縁に沿って配列された複数の突部であってもよい。別の観点では、突部の形成に伴って凹部が形成されることは必須ではない。
なお、本開示からは、以下の概念を抽出可能である。
(概念1)
第1面と、その反対側の第2面と、前記第1面と前記第2面との間に位置する空間とを有している構造体と、
前記構造体内で、かつ前記空間よりも前記第1面側に位置しており、前記第1面に沿って延びている抵抗発熱体と、
を有しており、
前記構造体は、前記空間の前記第1面側の面と前記空間の前記第2面側の面とを接続しており、前記第1面の平面透視において前記空間内に分布している複数の接続部を有している
ヒータ。
上記の概念1に関して、基体13と中空部材9との組み合わせは、構造体の一例であり、上面7aは第1面の一例であり、中空部材9の下面は第2面の一例である。概念1の技術においては、中空部材は、ヒータプレートが重ねられる第1板状部を有していなくてもよい。例えば、上面に凹部を有する中空部材と、その上(凹部の外周部)に重ねられるヒータプレートの基体とによって構造体が構成されたり、下面に凹部を有するヒータプレートの基体と、その凹部を塞ぐ板状部材とで構造体が構成されたりしてよい。いずれにせよ、複数の接続部が設けられていることによって、例えば、空間内の任意の位置に熱の経路を形成することができ、温度の均一化が容易化される。
1…ヒータ、7…ヒータプレート、7a…上面(第1主面)、7b…下面(第2主面)、9…中空部材、9s…空間、13…基体、15…抵抗発熱体、19…第1板状部、21…第2板状部、23…側面部。

Claims (14)

  1. 第1主面及びその背面の第2主面を有している絶縁性の基体と、
    前記基体内で前記第1主面及び前記第2主面に沿って延びている抵抗発熱体と、
    中空部材と、
    を有しており、
    前記中空部材は、
    前記第2主面に重なっている第1板状部と、
    前記第1板状部と空間を介して対向している第2板状部と、
    前記空間を前記第1板状部及び前記第2板状部の平面方向外側から囲んでいる側面部と、を有しており、
    前記中空部材は、前記空間の内部と前記空間の外部とを通じさせている、流入口と流出口とを有しており、
    前記流出口は、前記第1主面の平面透視において前記基体よりも外側に位置している
    ヒータ。
  2. 前記中空部材は、前記第1板状部と前記第2板状部との間に位置してこれらに接続されており、前記第1主面の平面透視において前記空間内に分布している複数の接続部を有している
    請求項1に記載のヒータ。
  3. 前記空間は、前記第1主面の平面透視において、前記基体に重なる領域から前記基体の外側まで広がっている
    請求項1又は2に記載のヒータ。
  4. 前記中空部材は、前記第1主面の平面視において前記基体よりも外側となる位置に、前記第1板状部から前記第1主面が面する方向へ突出する突部を有しており、
    前記流出口は、前記突部の頂面にて外部へ開口している
    請求項1~3のいずれか1項に記載のヒータ。
  5. 前記流出口は、
    前記空間に開口している大径部と、
    前記大径部よりも前記空間の外部側に位置しており、前記大径部の開口面積よりも開口面積が小さい小径部と、を有している
    請求項1~4のいずれか1項に記載のヒータ。
  6. 前記流出口の流れ方向に沿う縦断面において、前記流出口の側面は凹凸を有している
    請求項1~5のいずれか1項に記載のヒータ。
  7. 前記中空部材は、前記基体の少なくとも前記第2主面側の部分が収容される凹部を有している
    請求項1~のいずれか1項に記載のヒータ。
  8. 前記中空部材は、前記第1板状部と前記第2板状部との間に位置し、前記中空部材の内部を、前記平面方向の内側の内側空間と、前記平面方向の外側の外側空間とに仕切っている内壁を更に有している
    請求項1~のいずれか1項に記載のヒータ。
  9. 前記基体は、セラミックからなる一体形成部材であり、
    前記基体と前記第1板状部とは接着剤又は固相接合によって固定されている
    請求項1~のいずれか1項に記載のヒータ。
  10. 前記基体と前記中空部材とは着脱可能に固定されている
    請求項1~のいずれか1項に記載のヒータ。
  11. 前記中空部材を前記第2主面に直交する方向に貫通して前記第2主面に接合されているパイプを更に有している
    請求項10に記載のヒータ。
  12. 一端が前記第2板状部に接合されているパイプを更に有している
    請求項1~10のいずれか1項に記載のヒータ。
  13. 請求項1~12のいずれか1項に記載のヒータと、
    前記抵抗発熱体に電力を供給する電力供給部と、
    を有しているヒータシステム。
  14. 第1主面及びその背面の第2主面を有している絶縁性の基体と、
    前記基体内で前記第1主面及び前記第2主面に沿って延びている抵抗発熱体と、
    中空部材と、
    パイプと、
    を有しており、
    前記中空部材は、
    前記第2主面に重なっている第1板状部と、
    前記第1板状部と空間を介して対向している第2板状部と、
    前記空間を前記第1板状部及び前記第2板状部の平面方向外側から囲んでいる側面部と、を有しており、
    前記基体と前記中空部材とは着脱可能に固定されており、
    前記パイプは、前記中空部材を前記第2主面に直交する方向に貫通して前記第2主面に接合されている
    ヒータ。
JP2020510922A 2018-03-28 2019-03-26 ヒータ及びヒータシステム Active JP7037640B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018061453 2018-03-28
JP2018061453 2018-03-28
PCT/JP2019/012891 WO2019189197A1 (ja) 2018-03-28 2019-03-26 ヒータ及びヒータシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019189197A1 JPWO2019189197A1 (ja) 2021-03-18
JP7037640B2 true JP7037640B2 (ja) 2022-03-16

Family

ID=68062159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020510922A Active JP7037640B2 (ja) 2018-03-28 2019-03-26 ヒータ及びヒータシステム

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11961747B2 (ja)
JP (1) JP7037640B2 (ja)
WO (1) WO2019189197A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7596912B2 (ja) * 2021-04-27 2024-12-10 住友電気工業株式会社 熱交換器及びウエハ保持部材
JP7742945B1 (ja) * 2024-03-06 2025-09-22 日本碍子株式会社 サセプタ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004926A (ja) 2006-05-24 2008-01-10 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハ保持体とその製造方法及び半導体製造装置
JP2009141204A (ja) 2007-12-07 2009-06-25 Ngk Insulators Ltd 基板保持体及びその製造方法
WO2015029575A1 (ja) 2013-08-26 2015-03-05 京セラ株式会社 試料保持具
JP2017103325A (ja) 2015-12-01 2017-06-08 日本特殊陶業株式会社 静電チャック

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3596127B2 (ja) * 1995-12-04 2004-12-02 ソニー株式会社 静電チャック、薄板保持装置、半導体製造装置、搬送方法及び半導体の製造方法
US6616767B2 (en) * 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
TW524873B (en) * 1997-07-11 2003-03-21 Applied Materials Inc Improved substrate supporting apparatus and processing chamber
JP4386606B2 (ja) 2001-11-08 2009-12-16 日本碍子株式会社 支持装置の製造方法
JP5068471B2 (ja) * 2006-03-31 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20090283034A1 (en) * 2006-05-24 2009-11-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holder, manufacturing method thereof and semiconductor manufacturing apparatus
US8108981B2 (en) * 2007-07-31 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Method of making an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing
JP2009084686A (ja) * 2007-09-11 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体
US8540819B2 (en) * 2008-03-21 2013-09-24 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater
US9218997B2 (en) * 2008-11-06 2015-12-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having reduced arcing
JP5791412B2 (ja) * 2010-07-26 2015-10-07 日本碍子株式会社 セラミックヒーター
TWI501339B (zh) * 2010-09-24 2015-09-21 Ngk Insulators Ltd Semiconductor manufacturing device components
US20130276980A1 (en) * 2012-04-23 2013-10-24 Dmitry Lubomirsky Esc with cooling base
US10537013B2 (en) * 2012-04-23 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Distributed electro-static chuck cooling
US9673077B2 (en) * 2012-07-03 2017-06-06 Watlow Electric Manufacturing Company Pedestal construction with low coefficient of thermal expansion top
US9761416B2 (en) * 2013-03-15 2017-09-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for reducing particles in semiconductor process chambers
EP2973659A4 (en) * 2013-03-15 2016-11-09 Component Re Engineering Company Inc MORE ZONE HEATER
US10410890B2 (en) * 2013-06-21 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Light pipe window structure for thermal chamber applications and processes
US20160343595A1 (en) * 2015-05-19 2016-11-24 Lam Research Corporation Corrosion resistant gas distribution manifold with thermally controlled faceplate
TWI689619B (zh) * 2016-04-01 2020-04-01 美商應用材料股份有限公司 用於提供均勻流動的氣體的設備及方法
CN109476555B (zh) * 2016-07-20 2022-06-07 日本特殊陶业株式会社 半导体制造装置用部件和半导体制造装置用部件的制造方法
JP6693832B2 (ja) * 2016-07-29 2020-05-13 日本特殊陶業株式会社 セラミックス部材
JP6704834B2 (ja) * 2016-10-28 2020-06-03 日本特殊陶業株式会社 加熱装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004926A (ja) 2006-05-24 2008-01-10 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハ保持体とその製造方法及び半導体製造装置
JP2009141204A (ja) 2007-12-07 2009-06-25 Ngk Insulators Ltd 基板保持体及びその製造方法
WO2015029575A1 (ja) 2013-08-26 2015-03-05 京セラ株式会社 試料保持具
JP2017103325A (ja) 2015-12-01 2017-06-08 日本特殊陶業株式会社 静電チャック

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019189197A1 (ja) 2019-10-03
JPWO2019189197A1 (ja) 2021-03-18
US20210043475A1 (en) 2021-02-11
US11961747B2 (en) 2024-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102637214B1 (ko) 반응 챔버 내 가스 분배를 위한 샤워헤드 어셈블리 및 샤워헤드 어셈블리의 온도 균일성을 제어하는 방법
JP7149914B2 (ja) 半導体製造装置用部材
TWI641074B (zh) 局部加熱之多區域基材支撐座
JP6342769B2 (ja) 静電チャック
JP6392612B2 (ja) 静電チャック
JP7037640B2 (ja) ヒータ及びヒータシステム
US12308220B2 (en) Wafer placement table
KR20240003743A (ko) 반도체 제조 장치용 부재
JP2020004928A (ja) 静電チャック
JP7283872B2 (ja) 保持装置
JP7783391B2 (ja) ウエハ載置台
US20240355656A1 (en) Wafer placement table
JP7175323B2 (ja) セラミック構造体及びウェハ用システム
JP7364609B2 (ja) セラミックヒータ
JP7285855B2 (ja) セラミック構造体及び端子付構造体
JP7321285B2 (ja) セラミック構造体及びウェハ用システム
JP2019212831A (ja) 保持装置、および、保持装置の製造方法
JP7175324B2 (ja) セラミック構造体及びウェハ用システム
JP7195336B2 (ja) セラミック構造体及びセラミック構造体の製造方法
JP7037477B2 (ja) 多層基板及びその製造方法
JP2008062486A (ja) 成形用スタンパおよび成形装置
JP6789081B2 (ja) 保持装置
CN121195338A (zh) 静电吸盘及相关方法
JP2023088272A (ja) 基板保持部材及び基板保持部材の製造方法
JP2021190355A (ja) 端子付構造体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200916

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220304

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7037640

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150