JP7063301B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、固体電解コンデンサ、及び、固体電解コンデンサの製造方法に関する。

固体電解コンデンサは、アルミニウム等の弁作用金属からなる基体の表面に多孔質部を有する弁作用金属基体と、該多孔質部の表面に形成された誘電体層と、該誘電体層上に設けられた固体電解質層と、該固体電解質層上に設けられた導電体層（集電体層ともいう）とを備えている。

固体電解コンデンサを作製する方法としては、例えば、アルミニウム等の弁作用金属からなる基体の表面に多孔質部を形成した後、多孔質部の表面に酸化皮膜を形成し、続いてその表面に固体電解質層、及び、陰極層となるカーボン層及び銀層を形成して固体電解コンデンサ素子を作製し、このコンデンサ素子の陰極層同士を導電性接着剤層で接着する方法が挙げられる。

例えば、特許文献１には、導電性接着剤の加熱硬化時に、有機溶剤のガス化によって層間に空洞が形成されてＥＳＲが低下することを防ぐために、導電性シートにガス抜き用の溝や切り欠きを設けることが開示されている。
また、特許文献２には、切欠部に導電性接着剤を充填した絶縁性接着シートを介して固体電解コンデンサ素子同士を接着することが開示されている。

特開２００６－３２４２９９号公報 特開２００５－７９４６３号公報

しかし、特許文献１では、固体電解コンデンサ素子間に配置される導電性接着剤層が陽極部まで到達して、陽極－陰極間が短絡してしまうことがあった。

特許文献２では、切欠部に充填された導電性接着剤の外側が全て絶縁性シートで覆われているため、導電性接着剤により陽極－陰極間の短絡は防止できるが、導電性接着剤の加熱硬化により発生したガスによって空洞が生じ、ＥＳＲが低下してしまうという問題が解決されていない。

本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、短絡の防止とＥＳＲの低下の抑制を両立することのできる固体電解コンデンサを提供することを目的とする。

本発明の固体電解コンデンサは、素子積層体と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを備える固体電解コンデンサであって、上記素子積層体においては、第１層と第２層とが積層され、上記第１層は、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、上記第２層は、金属箔からなり、上記第１層と上記第２層の間は、導電性接着剤層及び絶縁性接着剤層からなる接着剤層により接着されており、上記素子積層体を積層方向から見た際に、上記絶縁性接着剤層は、上記導電性接着剤層の外側を囲むように配置されており、さらに、上記素子積層体においては、長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面のうち、上記第１の端面に上記金属箔及び第１の封止部が露出し、上記第２の端面に上記弁作用金属基体及び第２の封止部が露出し、上記第１の外部電極は、上記素子積層体の上記第１の端面に設けられ、かつ、上記金属箔に接続され、上記第２の外部電極は、上記素子積層体の上記第２の端面に設けられ、かつ、上記弁作用金属基体に接続され、上記接着剤層には、上記第１の端面又は上記第２の端面から上記導電性接着剤層まで到達する、上記絶縁性接着剤層が設けられていない領域である切り欠き部が設けられている。

本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、以下の工程を備える。
（Ａ）第１のシートを準備する工程；
（Ｂ）第２のシートを準備する工程；
（Ｃ）上記第１のシート及び／又は上記第２のシートに絶縁性接着剤層を形成する工程；
（Ｄ）上記第１のシート及び／又は上記第２のシートに導電性接着剤層を形成する工程；
（Ｅ）積層シートを作製する工程；
（Ｆ）積層ブロック体を作製する工程；
（Ｇ）上記積層ブロック体を切断することにより、複数個の素子積層体を作製する工程；
（Ｈ）第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する工程。

本発明によれば、固体電解コンデンサにおいて短絡の防止とＥＳＲの低下の抑制を両立することができる。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の固体電解コンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。 図２は、本発明の固体電解コンデンサの一例を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の固体電解コンデンサを構成する接着剤層の一例を模式的に示す断面図である。 図４（ａ）～図４（ｄ）は、固体電解コンデンサを構成する接着剤層の別の一例を模式的に示す断面図である。 図５（ａ）は、第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の一部を拡大した斜視図である。 図６（ａ）は、第２のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の一部を拡大した斜視図である。 図７（ａ）は、絶縁性接着剤層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の一部を拡大した斜視図である。 図８（ａ）は、導電体層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）の一部を拡大した斜視図である。 図９（ａ）は、絶縁性接着剤層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）の一部を拡大した斜視図である。 図１０（ａ）は、第１のシートと第２のシートとを積層する前の状態の一例を模式的に示す斜視図であり、図１０（ｂ）は、積層シートの一例を模式的に示す斜視図である。 図１１（ａ）は、積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。 図１２（ａ）は、切断する前の弁作用金属基体を模式的に示す平面図であり、図１２（ｂ）は、切断した後の弁作用金属基体を模式的に示す平面図である。 図１３（ａ）は、切断する前の金属箔を模式的に示す平面図であり、図１３（ｂ）は、切断した後の金属箔を模式的に示す平面図である。 図１４（ａ）は、切断された後の積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。 図１５（ａ）は、第４の封止部が形成された積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。 図１６（ａ）は、個片化された素子積層体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。 図１７（ａ）は、絶縁性接着剤層が設けられた第２のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）の一部を拡大した斜視図である。

以下、本発明の固体電解コンデンサ、及び、固体電解コンデンサの製造方法について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。

［固体電解コンデンサ］
本発明の固体電解コンデンサは、素子積層体と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを備える固体電解コンデンサであって、上記素子積層体においては、第１層と第２層とが積層され、上記第１層は、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、上記第２層は、金属箔からなり、上記第１層と上記第２層の間は、導電性接着剤層及び絶縁性接着剤層からなる接着剤層により接着されており、上記素子積層体を積層方向から見た際に、上記絶縁性接着剤層は、上記導電性接着剤層の外側を囲むように配置されており、さらに、上記素子積層体においては、長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面のうち、上記第１の端面に上記金属箔及び第１の封止部が露出し、上記第２の端面に上記弁作用金属基体及び第２の封止部が露出し、上記第１の外部電極は、上記素子積層体の上記第１の端面に設けられ、かつ、上記金属箔に接続され、上記第２の外部電極は、上記素子積層体の上記第２の端面に設けられ、かつ、上記弁作用金属基体に接続され、上記接着剤層には、上記第１の端面又は上記第２の端面から上記導電性接着剤層まで到達する、上記絶縁性接着剤層が設けられていない領域である切り欠き部が設けられている。

本発明の固体電解コンデンサの一例について、図１（ａ）、図１（ｂ）及び図２を参照しながら説明する。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の固体電解コンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、固体電解コンデンサ１は、素子積層体１００と、素子積層体１００の第１の端面Ｅ１０１に設けられた第１の外部電極１５１と、第２の端面Ｅ１０２に設けられた第２の外部電極１５２からなる。
素子積層体１００の第１の端面Ｅ１０１には、金属箔２１及び第１の封止部１４１が露出しており、第２の端面Ｅ１０２には、弁作用金属基体１１及び第２の封止部１４２が露出している。
なお、素子積層体１００の第２の端面Ｅ１０２には誘電体層１２も露出しているが、以下の説明においては、単に「弁作用金属基体１１及び第２の封止部１４２が露出する」と記載する。
また、素子積層体１００の積層方向の上面及び底面は、第３の封止部１４３により封止されており、素子積層体１００の側面は、第４の封止部１４４により封止されている。

図２は、本発明の固体電解コンデンサの一例を模式的に示す断面図である。
図２に示すように、素子積層体１００は、表面に誘電体層１２が形成された弁作用金属基体１１、誘電体層１２上に設けられた固体電解質層１３、及び、固体電解質層１３上に設けられた導電体層１５を備える第１層１１０と、金属箔２１からなる第２層１２０とからなり、第１層１１０と第２層１２０が、接着剤層３０により接着されている。
第１の端面Ｅ１０１において、第１層１１０は第１の封止部１４１により封止されているため、弁作用金属基体１１は第１の外部電極１５１とは接続されていない。
第２の端面Ｅ１０２において、第２層１２０を構成する金属箔２１は、第２の封止部１４２により封止されているため、金属箔２１は第２の外部電極１５２とは接続されていない。
なお、素子積層体１００の積層方向の上面及び底面は、第３の封止部１４３により封止されている。

接着剤層の構成について、図３を参照しながら説明する。
図３は、本発明の固体電解コンデンサを構成する接着剤層の一例を模式的に示す断面図である。
図３に示すように、素子積層体１００を積層方向から見た際に、接着剤層３０は、絶縁性接着剤層３１が、導電性接着剤層３２の外側を囲むように配置されている。接着剤層３０には、第１の端面から導電性接着剤層３２まで到達する、絶縁性接着剤層３１が設けられていない領域である切り欠き部３３ａが設けられている。切り欠き部３３ａも、第１の封止部１４１により封止されている。また、素子積層体１００の側面は、第４の封止部１４４により封止されている。

接着剤層３０において、導電性接着剤層３２は絶縁性接着剤層３１により囲まれているため、導電性接着剤層３２が外部に漏れることを防止できる。
さらに、絶縁性接着剤層３１には切り欠き部３３ａが設けられているため、導電性接着剤層３２を加熱硬化させる際に発生したガスを、切り欠き部３３ａを通じて外部に排出することができ、ＥＳＲの低下を抑制することができる。なお、図３に示す切り欠き部３３ａは、第１の封止部１４１により封止されているが、このような構成は、導電性接着剤層を加熱硬化させた後に、封止材によって切り欠き部を充填することで得られる。

［素子積層体］
素子積層体は、第１層と第２層とが積層されてなる。
第１層と第２層の間は、導電性接着剤層及び絶縁性接着剤層からなる接着剤層により接着されている。

素子積層体の第１層は、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、第２層は、金属箔からなる。
素子積層体の第１の端面には金属箔及び第１の封止部が露出し、第２の端面には弁作用金属基体及び第２の封止部が露出する。また、第１の外部電極は、第１の端面に露出する金属箔に接続され、第２の外部電極は、第２の端面に露出する弁作用金属基体に接続される。

［第１層］
弁作用金属基体は、いわゆる弁作用を示す弁作用金属からなる。弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、又は、これらの金属を含む合金等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。

弁作用金属基体の形状は、平板状であることが好ましく、箔状であることがより好ましい。

弁作用金属基体の表面には、多孔質部が設けられていることが好ましい。
弁作用金属基体の表面に多孔質部が設けられていると、弁作用金属基体の比表面積を大きくして、固体電解コンデンサの静電容量を高めることができる。
多孔質部としては、弁作用金属基体の表面に形成されたエッチング層、弁作用金属基体の表面に印刷、焼結により形成された多孔質層が挙げられる。弁作用金属がアルミニウム又はアルミニウム合金の場合はエッチング層が好ましく、チタン又はチタン合金の場合は多孔質層であることが好ましい。

弁作用金属基体の厚みは特に限定されないが、多孔質部を除く部分の厚みは、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。また、多孔質部の厚み（片面の厚み）は、５μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。

多孔質部の表面に形成される誘電体層は、多孔質部の表面状態を反映して多孔質になっており、微細な凹凸状の表面形状を有している。誘電体層は、上記弁作用金属の酸化皮膜からなることが好ましい。

また、製造効率を高める観点から、誘電体層が表面に形成された弁作用金属基体として、予め化成処理が施された化成箔を用いてもよい。

固体電解質層を構成する材料としては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類等の導電性高分子等が挙げられる。これらの中では、ポリチオフェン類が好ましく、ＰＥＤＯＴと呼ばれるポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。また、上記導電性高分子は、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等のドーパントを含んでいてもよい。

固体電解質層上には、導電体層が設けられていてもよい。
導電体層は、カーボン層のみから構成されることが好ましいが、銀層のみから構成されてもよいし、下地であるカーボン層と、その上の銀層の２層から構成されてもよい。カーボン層及び銀層は、例えば、カーボンペースト及び銀ペーストをそれぞれ塗布することにより設けることができる。

［第２層］
第２層は、金属箔からなる。
金属箔は、アルミニウム、銅、銀及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属からなることが好ましい。
金属箔が上記の金属からなると、金属箔の抵抗値を低減させることができ、ＥＳＲを低減させることができる。

また、金属箔として、表面にスパッタや蒸着等の成膜方法によりカーボンコートやチタンコートがされた金属箔を用いてもよい。

金属箔の厚みは特に限定されないが、ＥＳＲを低減させる観点からは、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。

金属箔の表面には、粗化面が形成されていることが好ましい。
金属箔の表面に粗化面が形成されていると、金属箔と導電性接着剤層との密着性、又は、金属箔と他の導電体層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。
粗化面の形成方法は、特に限定されず、エッチング等により粗化面を形成してもよい。特にアルミニウムを用いる場合は、粗面化処理（エッチング処理）が施されたものにカーボンコートやチタンコートを行うことが低抵抗化の上で好ましい。

また、金属箔の表面には、アンカーコート剤からなるコート層が形成されていてもよい。
金属箔の表面にアンカーコート剤からなるコート層が形成されていると、金属箔と固体電解質層との密着性、又は、金属箔と他の導電体層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。

［接着剤層］
素子積層体の第１層と第２層との間は、導電性接着剤層及び絶縁性接着剤層からなる接着剤層により接着されており、素子積層体を積層方向から見た際に、絶縁性接着剤層は、導電性接着剤層の外側を囲むように配置されている。
従って、導電性接着剤層が陽極と接触して短絡することを防止することができる。

導電性接着剤層を構成する材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の絶縁性樹脂と、カーボンや銀等の導電性粒子との混合物等が挙げられる。

絶縁性接着剤層を構成する材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられる。

接着剤層には、第１の端面又は第２の端面から導電性接着剤層まで到達する、絶縁性接着剤層が設けられていない領域である切り欠き部が設けられている。
従って、導電性接着剤層を加熱硬化させる際に発生したガスを、切り欠き部を通じて外部に排出することができ、ＥＳＲの低下を抑制することができる。

切り欠き部は一箇所だけに設けられていてもよく、複数箇所に設けられていてもよい。

切り欠き部が配置される位置は特に限定されず、例えば、絶縁性接着剤層の角部に切り欠き部が設けられていてもよい。
角部とは、素子積層体を積層方向から見た際に、絶縁性接着剤層で囲まれる領域の１の頂点から隣接する他の頂点までの距離の２０％以内の領域を指す。角部には導電性接着剤層が充填されにくいため、切り欠き部が絶縁性接着剤層の角部に設けられていると、過剰の導電性接着剤層が切り欠き部から外部に漏れることを抑制することができる。

切り欠き部の幅は特に限定されないが、５０μｍ以上、５００μｍ以下であることが好ましい。

切り欠き部は斜めに設けられていてもよい。
切り欠き部が斜めに設けられていると、切り欠き部の長さが長くなるため、導電性接着剤が切り欠き部から漏れにくくなる。
なお、切り欠き部が斜めに設けられているとは、切り欠き部の長さが最短となる方向から傾斜した方向に沿って切り欠き部が設けられていることを意味する。
切り欠き部の長さが最短となる方向に対する、切り欠き部の傾斜角は、３０°以上６０°以下であることが好ましい。

切り欠き部は、封止材で充填されていてもよく、充填されていなくてもよい。
切り欠き部が封止材で充填されていると、接着剤層と封止部との接着強度が向上する。

切り欠き部が設けられる位置及び数について、図４（ａ）～図４（ｄ）を参照しながら説明する。
図４（ａ）～図４（ｄ）は、固体電解コンデンサを構成する接着剤層の別の一例を模式的に示す断面図である。
図４（ａ）では、陰極側に２つの切り欠き部３３ｂ、３３ｃが設けられている。
切り欠き部が複数個存在すると、導電性接着剤層の加熱硬化により発生するガスを排出しやすくなる。
図４（ｂ）では、陽極側に切り欠き部３３ｄが設けられている。
図４（ｃ）では、素子領域の角部に、２つの切り欠き部３３ｅ、３３ｆが設けられている。
切り欠き部３３ｅ、３３ｆは、いずれも、絶縁性接着剤層３１により囲まれる領域を多角形（四角形Ｖ_１Ｖ_２Ｖ_４Ｖ_３）とみた時に、第１の端部Ｅ１０１側に面する辺Ｖ_１Ｖ_２（長さＷ）上に存在する１の頂点（Ｖ_１又はＶ_２）から、隣接する他の頂点（Ｖ_２又はＶ_１）までの距離の２０％以内の領域（長さ０．２Ｗで示される領域）、すなわち角部に設けられている。素子領域の角部では、導電性接着剤層が押し出されにくいため、導電性接着剤層が外部に漏れにくくなる。
なお、絶縁性接着剤層で囲まれる領域（四角形Ｖ_１Ｖ_２Ｖ_４Ｖ_３）を求めるにあたって、切り欠き部３３ｅ、３３ｆは考慮しない。
図４（ｄ）では、陰極側に２つの切り欠き部３３ｇ、３３ｈが設けられている。切り欠き部３３ｇ、３３ｈは、素子積層体１００の長さ方向（図４（ｄ）中、破線で示す方向であり、切り欠き部の長さが最短となる方向でもある）から傾斜した方向に沿って、斜めに設けられている。
切り欠き部が斜めに設けられていると切り欠き部の長さが長くなるため、導電性接着剤層が外部に漏れにくくなる。
なお、図４（ａ）～図４（ｄ）では、切り欠き部が封止部により封止されていない例を説明しているが、図３と同様に切り欠き部が封止部により封止されていてもよい。

［封止部］
第１の封止部及び第２の封止部は、それぞれ、封止材で構成されている。
封止材は、少なくとも樹脂を含み、好ましくは樹脂及びフィラーを含む。
封止材に含まれる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、封止材に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等が挙げられる。

また、封止材が樹脂及びフィラーを含む場合、封止材の充填性を確保する観点から、フィラーの最大径は、金属箔の最小厚みよりも小さいことが好ましい。

封止材に含まれるフィラー径の最大径は、例えば、３０μｍ以上、４０μｍ以下の範囲にあることが好ましい。

［第１の外部電極］
第１の外部電極は、素子積層体の第１の端面に設けられ、かつ、金属箔に接続されている。従って、第１の外部電極は、陰極となる。

［第２の外部電極］
第２の外部電極は、素子積層体の第２の端面に設けられ、かつ、弁作用金属基体に接続されている。従って、第２の外部電極は、陽極となる。

第１の外部電極及び第２の外部電極は、例えば、めっきやスパッタ、浸漬塗布、印刷等により形成することができる。めっきの場合は、めっき層としてはＺｎ・Ａｇ・Ｎｉ層、Ａｇ・Ｎｉ層、Ｎｉ層、Ｚｎ・Ｎｉ・Ａｕ層、Ｎｉ・Ａｕ層、Ｚｎ・Ｎｉ・Ｃｕ層、Ｎｉ・Ｃｕ層等を使用することができる。これらのめっき層の上に、例えば、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層の順に（あるいは一部を除いて）めっき層をさらに形成することが好ましい。

本発明の固体電解コンデンサは、以下に説明する本発明の固体電解コンデンサの製造方法により作製される。

本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、以下の工程を備える。
（Ａ）第１のシートを準備する工程；
（Ｂ）第２のシートを準備する工程；
（Ｃ）上記第１のシート及び／又は上記第２のシートに絶縁性接着剤層を形成する工程；
（Ｄ）上記第１のシート及び／又は上記第２のシートに導電性接着剤層を形成する工程；
（Ｅ）積層シートを作製する工程；
（Ｆ）積層ブロック体を作製する工程；
（Ｇ）上記積層ブロック体を切断することにより、複数個の素子積層体を作製する工程；
（Ｈ）第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する工程。

［（Ａ）工程］
（Ａ）工程では、第１のシートを準備する。
第１のシートは、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、誘電体層上に設けられた固体電解質層を備える。
さらに、第１のシートは、複数個の素子領域を有する。各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とをによって区画される。

工程（Ａ）で準備される第１シートの一例を、図５（ａ）及び図５（ｂ）を参照しながら説明する。
図５（ａ）は、第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す第１のシート１０は、複数の素子領域Ｒ１１（以下、第１の素子領域という）と、複数の素子領域Ｒ１２（以下、第２の素子領域という）と、を有している。
図５（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、長さ方向（Ｌ方向）において相対する第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２と、上記長さ方向と直交する幅方向（Ｗ方向）において相対する第１の側部Ｓ１１及び第２の側部Ｓ１２とによって区画されている。第１の素子領域Ｒ１１は、長さ方向（Ｌ方向）の寸法が幅方向（Ｗ方向）の寸法よりも大きい。そして、第１の素子領域Ｒ１１の第１の端部Ｅ１１を長さ方向に跨ぐように、第１の貫通穴Ｈ１が１個形成されているとともに、第１の素子領域Ｒ１１の第２の端部Ｅ１２を長さ方向に跨ぐように、第２の貫通穴Ｈ２が複数個（図５（ｂ）では３個）形成されている。第１の貫通穴Ｈ１は、第１の素子領域Ｒ１１の幅以上の幅を有する１個の長穴からなり、第２の貫通穴Ｈ２は、第１の素子領域Ｒ１１の幅よりも小さい幅を有する複数個の略丸穴からなる。
一方、第２の素子領域Ｒ１２は、第１の素子領域Ｒ１１と同じ形状を有しているが、第１の素子領域Ｒ１１とは第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２の向きが反対である。
図５（ａ）に示すように、第１のシート１０においては、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが長さ方向に交互に配置されている。図５（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、隣接する第２の素子領域Ｒ１２と第１の端部Ｅ１１及び第１の貫通穴Ｈ１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ１２と第２の端部Ｅ１２及び第２の貫通穴Ｈ２を共有している。

第１の貫通穴及び第２の貫通穴は、例えば、レーザ加工、エッチング加工、パンチング加工等によって形成される。

さらに、図５（ａ）に示すように、第１のシート１０においては、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが幅方向に交互に配置されている。図５（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、隣接する第２の素子領域Ｒ１２と第１の側部Ｓ１１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ１２と第２の側部Ｓ１２を共有している。

図５（ｂ）に示すように、第１のシート１０は、多孔質部（図示せず）を表面に有する弁作用金属基体１１と、多孔質部の表面に形成された誘電体層１２と、誘電体層１２上の各素子領域の内部にそれぞれ設けられた固体電解質層１３とを備えている。第１のシート１０では、各素子領域の端部及び側部が、絶縁材料からなるマスク層１４によって被覆されており、マスク層１４によって囲まれた領域に固体電解質層１３が設けられている。なお、以降の図においてマスク層１４は省略している。

図５（ｂ）に示す第１のシート１０では、弁作用金属基体１１が多孔質部を両面に有し、それぞれの多孔質部の表面に誘電体層１２が形成されるとともに、誘電体層１２上に固体電解質層１３が設けられている。しかし、第１のシート１０の一方の面に第２のシート２０が積層されない場合、第２のシート２０（金属箔２１）が積層されない側の弁作用金属基体１１の表面には、固体電解質層１３が設けられる必要はない。この場合、第２のシート（金属箔）が積層されない側の弁作用金属基体の表面には、誘電体層が形成されなくてもよいし、多孔質部が形成されなくてもよい。また、第１のシート１０としては、弁作用金属基体１１が多孔質部を片面のみに有し、多孔質部の表面に誘電体層１２が形成されたものを用いてもよい。

なお、第１の貫通穴Ｈ１及び第２の貫通穴Ｈ２は、マスク層１４を形成する前に形成してもよいし、固体電解質層１３を形成した後に形成してもよい。

第１のシート全体のサイズは、素子領域のサイズ、形状、数、配置、生産能力等によって決定されるものであり、特に限定されない。第１のシートの素子領域の形状は特に限定されないが、矩形であることが好ましい。この場合、第１の端部及び第２の端部は、第１の側部及び第２の側部より短くてもよいし、長くてもよい。

第１のシートは、製造効率の観点から、複数個の素子領域を有する。特に、第１のシートが第１の素子領域及び第２の素子領域を有し、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されていることが好ましく、第１の素子領域と第２の素子領域とが幅方向にも交互に配置されていることがより好ましい。第１の素子領域と第２の素子領域とが交互に配置される場合、第１の貫通穴が第１のシートの幅方向に偏在しないため、シートの強度が低下しにくくなる。

第１のシートにおいて、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の端部及び第１の貫通穴を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域と第２の端部及び第２の貫通穴を共有することが好ましい。この場合、素子領域を分割するための切断回数、及び、廃棄すべき部分を減らすことができる。

しかし、第１のシートが第１の素子領域及び第２の素子領域を有する場合、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されていなくてもよいし、幅方向に交互に配置されていなくてもよい。また、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の端部及び第１の貫通穴を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域と第２の端部及び第２の貫通穴を共有しなくてもよい。さらに、第１の素子領域と第２の素子領域とが幅方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の側部を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域と第２の側部を共有しなくてもよい。

第１の貫通穴は、素子領域の幅以上の幅を有する限り、その形状は特に限定されない。

第２の貫通穴は、素子領域の幅よりも小さい幅を有する限り、その形状、個数及び配置等は特に限定されないが、それぞれの素子領域において、幅方向に２個以上形成されていることが好ましい。第２の貫通穴が２個以上形成されている場合、これらの貫通穴は等間隔に形成されていることが好ましい。
なお、第２の貫通穴の１個あたりの幅が小さすぎると、後述する工程において封止部を充填することが困難となり、一方、素子領域の幅に対する第２の貫通穴の幅の合計の割合が大きすぎると、固体電解コンデンサの端面に露出する弁作用金属基体の割合が小さくなるためＥＳＲが増大しやすくなる。

［（Ｂ）工程］
（Ｂ）工程では、第２のシートを準備する。
第２のシートは金属箔からなる。
第２のシートは、複数個の素子領域を有し、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画される。
さらに、第２のシートには、各素子領域の上記第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第３の貫通穴が形成されているとともに、各素子領域の第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅以上の幅を有する第４の貫通穴が形成されている。

図６（ａ）は、第２のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す第２のシート２０は、複数の素子領域Ｒ２１（以下、第１の素子領域という）と、複数の素子領域Ｒ２２（以下、第２の素子領域という）と、を有している。

図６（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ２１は、長さ方向（Ｌ方向）において相対する第１の端部Ｅ２１及び第２の端部Ｅ２２と、上記長さ方向と直交する幅方向（Ｗ方向）において相対する第１の側部Ｓ２１及び第２の側部Ｓ２２とによって区画されている。そして、第１の素子領域Ｒ２１の第１の端部Ｅ２１を長さ方向に跨ぐように、第３の貫通穴Ｈ３が複数個（図６（ｂ）では３個）形成されているとともに、第１の素子領域Ｒ２１の第２の端部Ｅ２２を長さ方向に跨ぐように、第４の貫通穴Ｈ４が１個形成されている。第３の貫通穴Ｈ３は、第１の素子領域Ｒ２１の幅よりも小さい幅を有する複数個の略丸穴からなり、第４の貫通穴Ｈ４は、第１の素子領域Ｒ２１の幅以上の幅を有する１個の長穴からなる。

一方、第２の素子領域Ｒ２２は、第１の素子領域Ｒ２１と同じ形状を有しているが、第１の素子領域Ｒ２１とは第１の端部Ｅ２１及び第２の端部Ｅ２２の向きが反対である。

図６（ａ）に示すように、第２のシート２０においては、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが長さ方向に交互に配置されている。図６（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ２１は、隣接する第２の素子領域Ｒ２２と第１の端部Ｅ２１及び第３の貫通穴Ｈ３を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ２２と第２の端部Ｅ２２及び第４の貫通穴Ｈ４を共有している。

さらに、図６（ａ）に示すように、第２のシート２０においては、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが幅方向に交互に配置されている。図２（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ２１は、隣接する第２の素子領域Ｒ２２と第１の側部Ｓ２１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ２２と第２の側部Ｓ２２を共有している。

第２のシートは、好ましくは、以下のように作製される。
まず、金属箔２１を準備する。

金属箔は、アルミニウム、銅、銀及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属からなることが好ましい。
金属箔が上記の金属からなると、金属箔の抵抗値を低減させることができ、ＥＳＲを低減させることができる。

また、金属箔として、表面にスパッタや蒸着等の成膜方法によりカーボンコートやチタンコートがされた金属箔を用いてもよい。

金属箔の厚みは特に限定されないが、ＥＳＲを低減させる観点からは、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。

金属箔の表面には、粗化面が形成されていることが好ましい。
金属箔の表面に粗化面が形成されていると、金属箔と導電性接着剤層との密着性、及び、金属箔と絶縁性接着剤層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。
粗化面の形成方法は、特に限定されず、エッチング等により粗化面を形成してもよい。特にアルミニウムを用いる場合は、粗面化処理（エッチング処理）が施されたものにカーボンコートやチタンコートを行うことが低抵抗化の上で好ましい。

また、金属箔の表面には、アンカーコート剤からなるコート層が形成されていてもよい。
金属箔の表面にアンカーコート剤からなるコート層が形成されていると、金属箔と固体電解質層との密着性、又は、金属箔と他の導電体層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。

続いて、各素子領域の第１の端部Ｅ２１を跨ぐように第３の貫通穴Ｈ３を形成するとともに、各素子領域の第２の端部Ｅ２２を跨ぐように第４の貫通穴Ｈ４を形成する。
第３の貫通穴及び第４の貫通穴は、例えば、レーザ加工、エッチング加工、パンチング加工等によって形成される。

第２のシート全体のサイズは特に限定されないが、第１のシート全体のサイズと同じであることが好ましい。第２のシートの素子領域の形状、数及び配置は、対向する第１のシートの素子領域の形状、数及び配置と同じであることが好ましい。

第２のシートは、製造効率の観点から、複数個の素子領域を有する。特に、第２のシートが第１の素子領域及び第２の素子領域を有し、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されていることが好ましく、第１の素子領域と第２の素子領域とが幅方向にも交互に配置されていることがより好ましい。第１の素子領域と第２の素子領域とが交互に配置される場合、第４の貫通穴が第２のシートの幅方向に偏在しないため、シートの強度が低下しにくくなる。

第２のシートにおいて、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の端部及び第３の貫通穴を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域と第２の端部及び第４の貫通穴を共有することが好ましい。この場合、素子領域を分割するための切断回数、及び、廃棄すべき部分を減らすことができる。

しかし、第２のシートが第１の素子領域及び第２の素子領域を有する場合、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されていなくてもよいし、幅方向に交互に配置されていなくてもよい。また、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の端部及び第３の貫通穴を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域と第２の端部及び第４の貫通穴を共有しなくてもよい。さらに、第１の素子領域と第２の素子領域とが幅方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の側部を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域と第２の側部を共有しなくてもよい。

第３の貫通穴は、素子領域の幅よりも小さい幅を有する限り、その形状、個数及び配置等は特に限定されないが、それぞれの素子領域において、幅方向に２個以上形成されていることが好ましい。第３の貫通穴が２個以上形成されている場合、これらの貫通穴は等間隔に形成されていることが好ましい。
なお、第３の貫通穴の１個あたりの幅が小さすぎると、後述する工程において封止材を充填することが困難となり、一方、素子領域の幅に対する第３の貫通穴の幅の合計の割合が大きすぎると、固体電解コンデンサの端面に露出する金属箔の割合が小さくなるためＥＳＲが増大しやすくなる。

第４の貫通穴は、素子領域の幅以上の幅を有する限り、その形状は特に限定されない。

［（Ｃ）工程］
（Ｃ）工程では、第１のシート及び／又は第２のシートの各素子領域の第１の端部及び第２の端部と、第１の側部及び第２の側部とに、絶縁性接着剤層を形成し、かつ、第１のシートの各素子領域の第１の端部及び／若しくは第２の端部、並びに／又は、第２のシートの各素子領域の第１の端部及び／若しくは第２の端部を跨ぐように、絶縁性接着剤層が形成されていない領域である切り欠き部を設ける。

切り欠き部が設けられた絶縁性接着剤層を形成する方法としては、例えば、素子領域の第１の端部、第２の端部、第１の側部及び第２の側部の全てに絶縁性接着剤層を形成したあと、その一部を取り除く方法や、予め切り欠き部が設けられた形状に絶縁性接着剤層を形成する方法等が挙げられる。
第１のシート及び／又は第２のシートに絶縁性接着剤層を形成する方法としては、インクジェット印刷やシルクスクリーン印刷等が挙げられる。
絶縁性接着剤層の一部を取り除く方法としては、例えば、レーザー加工等が挙げられる。また、あらかじめ切り欠き部が存在する形で絶縁性接着剤層を設けることもできる。

第１のシートに絶縁性接着剤層を形成する場合の例を、図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照しながら説明する。
図７（ａ）は、絶縁性接着剤層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図７（ａ）及び図７（ｂ）では、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す第１のシート１０のマスク層１４上に、絶縁性接着剤層３１が設けられている。
絶縁性接着剤層３１は、各素子領域の外側部分に設けられ、内側部分には、導電性接着剤層が配置される空間が設けられている。さらに、第１の端部Ｅ１１側に面する部分に、絶縁性接着剤層３１が設けられていない領域である切り欠き部３３が設けられている。
なお、切り欠き部は、第１の端部Ｅ１１と素子領域とを最短で接続する方向（切り欠き部の長さが最短となる方向）から傾斜した方向に沿って、斜めに設けられていてもよい。

（Ｂ）工程において第１のシートにマスク層を形成していた場合、（Ｃ）工程において該マスク層の上に絶縁性接着剤層を形成することが好ましい。
一方、（Ｂ）工程において第１のシートにマスク層を形成していない場合、（Ｃ）工程において誘電体層の表面に絶縁性接着剤層を形成してもよい。

絶縁性接着剤層は、マスク層と成分や粘度が同じでもよいが、マスク層と成分や粘度が異なることが好ましい。

マスク層と絶縁性接着剤層とを合わせた厚み方向の高さは、固体電解質層の厚み方向の高さと同じでもよいが、固体電解質層の厚み方向の高さより大きいことが好ましい。

（Ｃ）工程において、固体電解質層上には、さらに導電体層を形成してもよい。
図８（ａ）は、導電体層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図８（ａ）及び図８（ｂ）では、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す第１のシート１０の固体電解質層１３上に導電体層１５が設けられている。

導電体層は、カーボン層のみから構成されることが好ましいが、銀層のみから構成されてもよいし、下地であるカーボン層と、その上の銀層の２層から構成されてもよい。カーボン層及び銀層は、例えば、カーボンペースト及び銀ペーストをそれぞれ塗布することにより設けることができる。

［（Ｄ）工程］
（Ｄ）工程では、第１のシートの固体電解質層上、及び／又は、第２のシートの表面に導電性接着剤層を形成する。なお、第１のシートの固体電解質層上に導電体層が形成されている場合、導電性接着剤層は導電体層上に形成してもよい。
第１のシートに導電性接着剤層を形成する場合の例について、図９（ａ）及び図９（ｂ）を参照しながら説明する。
図９（ａ）は、絶縁性接着剤層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図９（ａ）及び図９（ｂ）では、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す第１のシート１０の導電体層１５上に導電性接着剤層３２が設けられている。
導電性接着剤層３２の外側を囲むように絶縁性接着剤層３１が設けられており、第１の貫通穴Ｈ１側（すなわち陰極側）に切り欠き部３３が設けられている。

［（Ｅ）工程］
（Ｅ）工程では、第１のシートと第２のシートとを積層して、積層シートを作製する。
このとき、各素子領域の第１の端部同士及び第２の端部同士がそれぞれ対向するように、かつ、各素子領域において絶縁性接着剤層が導電性接着剤層の外側を囲むように、かつ、第１の貫通穴と第３の貫通穴、及び、第２の貫通穴と第４の貫通穴がそれぞれ積層方向に連通されるように、第１のシートと第２のシートを積層する。

絶縁性接着剤層と導電性接着剤層は、同じシートに形成されていてもよく、異なるシートに形成されていてもよい。
例えば、絶縁性接着剤層と導電性接着剤層が異なるシートに設けられている場合には、絶縁性接着剤層が導電性接着剤層の外側を囲むように、第１のシートと第２のシートの位置を合わせる必要がある。
一方で、図９（ｂ）に示すように、絶縁性接着剤層３１と導電性接着剤層３２が同じシートに設けられている場合には、すでに絶縁性接着剤層が導電性接着剤層の外側を囲むように設けられているため、特に位置合わせの必要はない。

図１０（ａ）は、第１のシートと第２のシートとを積層する前の状態の一例を模式的に示す斜視図であり、図１０（ｂ）は、積層シートの一例を模式的に示す斜視図である。
図１０（ａ）に示すように、第１のシート１０と第２のシート２０とを交互に積層することにより、図１０（ｂ）に示す積層シート４０が得られる。積層シート４０は、積層方向（Ｔ方向）において相対する第１の主面Ｍ４１及び第２の主面Ｍ４２を有する。
第１のシート１０と第２のシート２０の間には、接着剤層３０が配置されている。

図１０（ａ）及び図１０（ｂ）では、第１のシート１０及び第２のシート２０が５枚ずつ積層され、かつ、積層シート４０の第１の主面Ｍ４１に第２のシート２０、第２の主面Ｍ４２に第１のシート１０がそれぞれ配置された例を示したが、第１のシート及び第２のシートを積層する枚数は特に限定されない。また、第１のシートの枚数と第２のシートの枚数は同じであってもよいし、異なっていてもよい。従って、積層シートの主面には、第１のシート及び第２のシートのどちらが配置されてもよい。また、積層シートを作製する際、ガラスエポキシ樹脂等からなる基板の上に第１のシート及び第２のシートを積層してもよい。

なお、図７（ａ）及び図７（ｂ）では、第１のシート１０に絶縁性接着剤層３１を設ける手順を説明したが、図７（ａ）、図７（ｂ）に示した工程に加えて、又は、図７（ａ）、図７（ｂ）に示した工程に代えて、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示した第２のシート２０に絶縁性接着剤層３１を設ける工程を行ってもよい。
第１のシート及び第２のシートの両方に絶縁性接着剤層を設ける場合、第１のシートに設けられた絶縁性接着剤層及び第２のシートに設けられた絶縁性接着剤層の少なくとも一方に切り欠き部を設ければよい。

また、図９（ａ）及び図９（ｂ）では、第１のシート１０の導電体層１５上に導電性接着剤層３２を設ける手順を説明したが、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示した工程に加えて、又は、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示した工程に代えて、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示した第２のシート２０に導電性接着剤層３２を設ける工程を行ってもよい。

［（Ｆ）工程］
（Ｆ）工程では、積層シートの積層方向において相対する第１の主面及び第２の主面のうち、少なくとも一方の主面側から、第１の貫通穴と第３の貫通穴、第２の貫通穴と第４の貫通穴にそれぞれ封止材を充填して、積層ブロック体を作製する。
図１１（ａ）は、積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
図１１（ａ）に示す積層ブロック体５０においては、第１の貫通穴と第３の貫通穴、第２の貫通穴と第４の貫通穴にそれぞれ封止材を充填することにより、図１１（ｂ）に示すように、第１の貫通穴Ｈ１及び第３の貫通穴Ｈ３を充填する第１の封止部１４１、及び、第２の貫通穴Ｈ２と第４の貫通穴Ｈ４を充填する第２の封止部１４２が形成される。また、図１１（ａ）に示すように、積層ブロック体５０は、それぞれの主面を被覆する第３の封止部１４３をさらに備えている。

なお、図１１（ｂ）では、切り欠き部３３が第１の封止部１４１で充填されているが、切り欠き部３３は封止材が充填されていなくてもよい。

封止材は、少なくとも樹脂を含み、好ましくは樹脂及びフィラーを含む。
封止材に含まれる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、封止材に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等が挙げられる。

封止材が樹脂及びフィラーを含む場合、封止材の充填性を確保する観点から、フィラーの最大径は、第２の貫通穴及び第３の貫通穴の最小径よりも小さいことが好ましい。
なお、貫通穴の径とは、断面形状が円形の場合には直径、円形以外の場合には断面の中心を通る最大長さをいう。

また、封止材が樹脂及びフィラーを含む場合、封止材の充填性を確保する観点から、フィラーの最大径は、金属箔の最小厚みよりも小さいことが好ましい。

封止材に含まれるフィラー径の最大径は、例えば、３０μｍ以上、４０μｍ以下の範囲にあることが好ましい。

［（Ｇ）工程］
（Ｇ）工程では、積層ブロック体を、貫通穴に封止材が充填された封止部を両側に分離するように、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断する。
積層ブロック体を、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより、複数個の素子積層体を作製する。

図１２（ａ）は、切断する前の弁作用金属基体を模式的に示す平面図であり、図１２（ｂ）は、切断した後の弁作用金属基体を模式的に示す平面図である。
図１２（ａ）に示すように、積層ブロック体に含まれる第１のシートを構成する弁作用金属基体１１には、各素子領域の第１の端部Ｅ１１を跨ぐ第１の貫通穴Ｈ１を充填する第１の封止部１４１、及び、各素子領域の第２の端部Ｅ１２を跨ぐ第２の貫通穴Ｈ２を充填する第２の封止部１４２が形成されている。

従って、各素子領域の第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２の位置で、第１の封止部１４１及び第２の封止部１４２を両側に分離するように弁作用金属基体１１をダイシング等で切断すると、図１２（ｂ）に示すように、第１の端部Ｅ１１側の切断面である第１の端面Ｅ１０１には、第１の封止部１４１が露出し、弁作用金属基体１１が露出しない。一方、第２の端部Ｅ１２側の切断面である第２の端面Ｅ１０２には、弁作用金属基体１１及び第２の封止部１４２が露出する。

また、各素子領域の第１の側部Ｓ１１及び第２の側部Ｓ１２の位置で弁作用金属基体１１をダイシング等で切断すると、図１２（ｂ）に示すように、どちらの切断面にも弁作用金属基体１１が露出する。

図１３（ａ）は、切断する前の金属箔を模式的に示す平面図であり、図１３（ｂ）は、切断した後の金属箔を模式的に示す平面図である。
図１３（ａ）に示すように、積層ブロック体に含まれる第２のシートを構成する金属箔２１には、各素子領域の第１の端部Ｅ２１を跨ぐ第３の貫通穴Ｈ３を充填する第１の封止部１４１、及び、各素子領域の第２の端部Ｅ２２を跨ぐ第４の貫通穴Ｈ４を充填する第２の封止部１４２が形成されている。

従って、各素子領域の第１の端部Ｅ２１及び第２の端部Ｅ２２の位置で、第１の封止部１４１及び第２の封止部１４２を両側に分離するように金属箔２１をダイシング等で切断すると、図１３（ｂ）に示すように、第１の端部Ｅ２１側の切断面である第１の端面Ｅ１０１には、金属箔２１及び第１の封止部１４１が露出する。一方、第２の端部Ｅ２２側の切断面である第２の端面Ｅ１０２には、第２の封止部１４２が露出し、金属箔２１が露出しない。

また、各素子領域の第１の側部Ｓ２１及び第２の側部Ｓ２２の位置で金属箔２１を切断すると、図１３（ｂ）に示すように、どちらの切断面にも金属箔２１が露出する。

以上のように、積層ブロック体を、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断することにより、得られる素子積層体の第１の端面には金属箔及び第１の封止部を露出させることができ、第２の端面には弁作用金属基体及び第２の封止部を露出させることができる。

また、積層ブロック体を、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより得られる切断面には、金属箔及び弁作用金属基体の両方が露出するため、素子積層体のそれぞれの側面を被覆する第４の封止部を形成することが好ましい。

素子積層体は、好ましくは、以下のように作製される。

まず、積層ブロック体を、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って切断する。積層ブロック体の切断には、例えば、ダイサーを用いたダイシング等の方法が適用される。

図１４（ａ）は、切断された後の積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
例えば、図１１（ａ）に示す積層ブロック体５０を、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って切断することによって、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、第１の側部及び第２の側部に沿った隙間Ｇが形成された積層ブロック体５０ａを作製する。積層ブロック体５０ａにおいては、図１４（ｂ）に示すように、切断によって現れた切断側面には、金属箔２１、絶縁性接着剤層３１及び弁作用金属基体１１が露出する。なお、図示していないが、金属箔２１及び弁作用金属基体１１の露出部の厚み（Ｔ方向の厚み）は、露出していない内部の金属箔２１及び弁作用金属基体１１の厚みに比べて大きく、厚み方向の上下にテーパー状に拡がっている。

次に、積層ブロック体に形成された隙間に封止材を充填する。これにより、上記隙間を充填する第４の封止部が形成される。封止材としては、例えば、第１の封止部及び第２の封止部を形成するための封止材を用いることができる。

図１５（ａ）は、第４の封止部が形成された積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
図１４（ａ）に示す積層ブロック体５０ａの隙間Ｇに封止材を充填することにより、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、隙間Ｇを充填する第４の封止部１４４が形成された積層ブロック体５０ｂを作製する。

その後、積層ブロック体を、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で、第１の封止部１４１及び第２の封止部１４２を両側に分離するように切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で、第４の封止部１４４を両側に分離するように切断する。これにより、第１の側部及び第２の側部が封止部により絶縁化された素子積層体に個片化することができる。積層ブロック体の切断には、例えば、ダイサーを用いたダイシングやカット刃、レーザー加工、スクライブ等の方法が適用される。なお、ガラエポ樹脂等からなる基板上に第１のシート及び第２のシートを積層する場合は、金属箔である第２のシートを確実に切断するために、基板をハーフカットする位置まで切断することが好ましい。

図１６（ａ）は、個片化された素子積層体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
図１５（ａ）に示す積層ブロック体５０ｂを、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより、図１５（ａ）に示す素子積層体１００が得られる。この際、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、第１の側部及び第２の側部の位置で切断することによって現れた切断側面が第４の封止部１４４で構成されるように、積層ブロック体５０ｂが切断される。

［（Ｈ）工程］
（Ｈ）工程では、素子積層体の長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面のうち、第１の端面に第１の外部電極を形成し、第２の端面に第２の外部電極を形成する。
得られた素子積層体に対して、第１の端面に第１の外部電極を形成し、第２の端面に第２の外部電極を形成する。以上により、本発明の固体電解コンデンサが得られる。
第１の外部電極は金属箔と接続されているため、陰極となる。
第２の外部電極は弁作用金属基体と接続されているため、陽極となる。

なお、本発明の固体電解コンデンサの製造方法において、積層シート又は積層ブロック体を切断する方法、及び、素子積層体に第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する方法は、特に限定されるものではない。

図５～図１６に示した方法では、絶縁性接着剤層を第１のシート側に形成していたが、絶縁性接着剤層は第２のシートに形成してもよい。
絶縁性接着剤層を第２のシートに設ける工程の一例を図１７（ａ）及び図１７（ｂ）を参照しながら説明する。
図１７（ａ）は、絶縁性接着剤層が設けられた第２のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、（Ｃ）工程においては、第１シートではなく第２シートに絶縁性接着剤層３１を設けてもよい。
第２のシート２０には、第４の貫通穴Ｈ４が設けられた側（すなわち陽極側）に切り欠き部３３ｉが設けられている。

１ 固体電解コンデンサ
１０ 第１のシート
１１ 弁作用金属基体
１２ 誘電体層
１３ 固体電解質層
１４ マスク層
１５ 導電体層
２０ 第２のシート
２１ 金属箔
３０ 接着剤層
３１ 絶縁性接着剤層
３２ 導電性接着剤層
３３，３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ，３３ｇ，３３ｈ，３３ｉ 切り欠き部
４０ 積層シート
５０，５０ａ，５０ｂ 積層ブロック体
１００ 素子積層体
１１０ 第１層
１２０ 第２層
１４１ 第１の封止部
１４２ 第２の封止部
１４３ 第３の封止部
１４４ 第４の封止部
１５１ 第１の外部電極
１５２ 第２の外部電極
Ｒ１１ 第１のシートの第１の素子領域
Ｒ１２ 第１のシートの第２の素子領域
Ｒ２１ 第２のシートの第１の素子領域
Ｒ２２ 第２のシートの第２の素子領域
Ｅ１１ 第１のシートの素子領域の第１の端部
Ｅ１２ 第１のシートの素子領域の第２の端部
Ｅ２１ 第２のシートの素子領域の第１の端部
Ｅ２２ 第２のシートの素子領域の第２の端部
Ｅ１０１ 素子積層体の第１の端面
Ｅ１０２ 素子積層体の第２の端面
Ｓ１１ 第１のシートの素子領域の第１の側部
Ｓ１２ 第１のシートの素子領域の第２の側部
Ｓ２１ 第２のシートの素子領域の第１の側部
Ｓ２２ 第２のシートの素子領域の第２の側部
Ｍ４１ 積層シートの第１の主面
Ｍ４２ 積層シートの第２の主面
Ｈ１ 第１の貫通穴
Ｈ２ 第２の貫通穴
Ｈ３ 第３の貫通穴
Ｈ４ 第４の貫通穴
Ｇ 積層ブロック体の隙間

Claims (7)

1. 以下の工程を備える固体電解コンデンサの製造方法：
   （Ａ）第１のシートを準備する工程；
   前記第１のシートは、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、前記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、
   さらに、前記第１のシートは、複数個の素子領域を有し、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画され、
   さらに、前記第１のシートには、各素子領域の前記第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅以上の幅を有する第１の貫通穴が形成されているとともに、各素子領域の前記第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第２の貫通穴が形成されており、
   （Ｂ）第２のシートを準備する工程；
   前記第２のシートは、金属箔からなり、
   さらに、前記第２のシートは、複数個の素子領域を有し、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画され、
   さらに、前記第２のシートには、各素子領域の前記第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第３の貫通穴が形成されているとともに、各素子領域の前記第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅以上の幅を有する第４の貫通穴が形成されており、
   （Ｃ）前記第１のシート及び／又は前記第２のシートに絶縁性接着剤層を形成する工程；
   （Ｃ）工程では、前記第１のシート及び／又は前記第２のシートの各素子領域の前記第１の端部及び前記第２の端部と、前記第１の側部及び前記第２の側部とに、前記絶縁性接着剤層を形成し、かつ、
   前記第１のシートの各素子領域の前記第１の端部及び／若しくは前記第２の端部、並びに／又は、前記第２のシートの各素子領域の前記第１の端部及び／若しくは前記第２の端部を跨ぐように、前記絶縁性接着剤層が形成されていない領域である切り欠き部が設けられており、
   （Ｄ）前記第１のシート及び／又は前記第２のシートに導電性接着剤層を形成する工程；
   （Ｄ）工程では、前記第１のシートの前記導電体層上、及び／又は、前記第２のシートの表面に前記導電性接着剤層を形成し、
   （Ｅ）積層シートを作製する工程；
   （Ｅ）工程では、各素子領域の前記第１の端部同士及び前記第２の端部同士がそれぞれ対向するように、かつ、各素子領域において前記絶縁性接着剤層が前記導電性接着剤層の外側を囲むように、前記第１のシートと前記第２のシートとが積層され、
   さらに、前記積層シートにおいては、前記第１の貫通穴と前記第３の貫通穴、及び、前記第２の貫通穴と前記第４の貫通穴がそれぞれ積層方向に連通されており、
   （Ｆ）積層ブロック体を作製する工程；
   （Ｆ）工程では、前記積層シートの前記積層方向において相対する第１の主面及び第２の主面のうち、少なくとも一方の主面側から、前記第１の貫通穴と前記第３の貫通穴、前記第２の貫通穴と前記第４の貫通穴にそれぞれ封止材が充填され、
   （Ｇ）前記積層ブロック体を切断することにより、複数個の素子積層体を作製する工程；
   （Ｇ）工程では、前記積層ブロック体は、前記貫通穴に前記封止材が充填された封止部を両側に分離するように、各素子領域の前記第１の端部及び前記第２の端部の位置で切断されるとともに、
   前記積層ブロック体は、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って切断された後、前記切断により形成される隙間に封止材が充填され、さらに、前記隙間に前記封止材が充填された封止部を両側に分離するように切断され、
   （Ｈ）第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する工程；
   （Ｈ）工程では、前記素子積層体の前記長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面のうち、前記第１の端面に前記第１の外部電極が形成され、前記第２の端面に前記第２の外部電極が形成される。
2. 前記切り欠き部が、前記素子領域の角部に設けられている請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
3. 前記切り欠き部が、複数箇所に設けられている請求項１又は２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
4. 前記切り欠き部が、前記素子領域の前記第１の端部側に面する部分に設けられている請求項１～３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
5. 前記切り欠き部が、前記素子領域と前記第１の端部又は前記第２の端部とを最短で接続する方向から傾斜する方向に沿って設けられている請求項１～４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
6. 前記切り欠き部の幅は、５０μｍ以上５００μｍ以下である請求項１～５のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
7. 前記（Ｇ）工程において、前記切り欠き部に前記封止材を充填する請求項１～６のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

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