JP6917352B2 - 赤外線検出素子 - Google Patents

Description

本開示は赤外線検出素子に関する。

一般に波長が２μｍ以上の長波長帯の赤外線は、その熱的効果やガスによる赤外線吸収の効果から、人体を検知する人感センサや非接触温度センサ、及びガスセンサ等に使用されている。例えばガスセンサは、大気環境の監視や保護、更には火災の早期検知等にも使用可能であり、近年注目されている。特に波長２．５μｍから波長６．０μｍまでの領域においては各種ガスに固有の吸収帯が数多く存在し、ガスセンサに用いるのに適した波長帯である。

上記赤外線を使用したガスセンサの原理は以下のようなものである。例えば、赤外線の光源と赤外線検出素子の間の空間にガスが注入されると、特定のガスは特定の波長の赤外線を吸収する為、ガスの注入前と注入後の波長スペクトルを解析することでガスの種類や濃度を測定することが出来る。ここで、赤外線検出素子としては、例えば焦電センサやサーモパイルのような熱型の赤外線検出素子と、半導体受光素子を使用した量子型の赤外線検出素子があるが、熱型の赤外線検出素子に比べて、量子型の赤外線検出素子の方が、高ＳＮＲ、高速応答といった利点がある。

量子型の赤外線検出素子は、一般に波長が２ｕｍ以上の赤外線を検出可能である半導体中にＰＮ接合を形成し、受光層において、吸収した赤外線によって生成した電子及び正孔が、ＰＮ接合部分の空乏層における内部電界によって電荷分離されることで、電気信号に変換される。

しかしながら、波長が２ｕｍ以上の赤外線を吸収できる半導体のバンドギャップは、０．６２ｅＶ以下と小さい。このようなバンドギャップの小さな半導体では、熱励起キャリアのために室温での真性キャリア密度が大きくなり、素子の電気抵抗が小さくなるので十分なＰＮダイオードの特性が得られない。これは真性キャリア密度が大きい場合、拡散電流や暗電流の様な素子の漏れ電流が大きくなるためである。このため、量子型の赤外線検出素子は熱励起キャリアを抑制するために、冷却機構を備えた赤外線検出素子が従来使用されている。

この様な周辺温度の影響による問題を解決した赤外線検出素子としては、例えば、特許文献１に記載の量子型の赤外線検出素子がある。この特許文献１に記載の量子型の赤外線検出素子は、センサ部分の化合物半導体の積層構造及び素子構造により拡散電流を抑制し、更に信号増幅用ＩＣとセンサのパッケージを改良することにより、室温動作が可能であり、かつ従来にない小型の赤外線検出素子を実現したものである。

国際公開第２００５／０２７２２８号

この様に、赤外線検出素子の特性改良のための研究開発が成されているが、さらなるＳＮＲ特性の向上が望まれている。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ＳＮＲの高い赤外線検出素子を提供することを目的とする。

本発明の赤外線検出素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、第１導電型を有する第１の化合物半導体層と、
前記第１の化合物半導体層上に形成され、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_{ｌｉｇｈｔ}［％］（０≦ｎ_{ｌｉｇｈｔ}＜１８）である受光層と、
前記受光層上に形成され、第２導電型を有する第３の化合物半導体層と、
前記受光層と前記第３の化合物半導体層の間、又は、前記第１の化合物半導体層と当該受光層の間、の少なくとも一方に形成され、Ｉｎ、Ａｌ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_２［％］（０＜ｎ_２＜１００）であり、膜厚がｍ_２［ｎｍ］（ｍ_２＞２）である第２の化合物半導体層と、を備え、
前記第１の化合物半導体層は、
Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_１Ａ［％］（０≦ｎ_１Ａ＜１８）である第１Ａ層と、
Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_１Ｂ［％］（０≦ｎ_１Ｂ＜１００）であり、膜厚がｍ_１Ｂ［ｎｍ］である第１Ｂ層と、
Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_１Ｃ［％］（０≦ｎ_１Ｃ＜１８）である第１Ｃ層と、
をこの順に有し、
前記ｎ_１Ａ、前記ｎ_１Ｂ、前記ｎ_１Ｃ、前記ｎ_２、前記ｎ_{ｌｉｇｈｔ}、前記ｍ_１Ｂ及び前記ｍ_２は、
｜ｎ_２−ｎ_{ｌｉｇｈｔ}｜×ｍ_２≦｜ｎ_１Ｂ−ｎ_１Ａ｜×ｍ_１Ｂ、
ｎ_１Ｂ＞ｎ_１Ａ且つｎ_１Ｂ＞ｎ_１Ｃ、又は、ｎ_１Ｂ＜ｎ_１Ａ且つｎ_１Ｂ＜ｎ_１Ｃ、及び
ｎ_２＞ｎ_{ｌｉｇｈｔ}＋５
を満たし、
前記ｎ _{ｌｉｇｈｔ} 、前記ｎ _１Ａ 及び前記ｎ _１Ｃ は、
８≦ｎ _{ｌｉｇｈｔ} ≦１２、
８≦ｎ _１Ａ ≦１２、及び
８≦ｎ _１Ｃ ≦１２
を満たす。
また、本発明の赤外線検出素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、第１導電型を有する第１の化合物半導体層と、
前記第１の化合物半導体層上に形成され、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ _{ｌｉｇｈｔ} ［％］（０≦ｎ _{ｌｉｇｈｔ} ＜１８）である受光層と、
前記受光層上に形成され、第２導電型を有する第３の化合物半導体層と、
前記受光層と前記第３の化合物半導体層の間、又は、前記第１の化合物半導体層と当該受光層の間、の少なくとも一方に形成され、Ｉｎ、Ａｌ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ _２ ［％］（０＜ｎ _２ ＜１００）であり、膜厚がｍ _２ ［ｎｍ］（ｍ _２ ＞２）である第２の化合物半導体層と、を備え、
前記第１の化合物半導体層は、
Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ _１Ａ ［％］（０≦ｎ _１Ａ ＜１８）である第１Ａ層と、
Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ _１Ｂ ［％］（０≦ｎ _１Ｂ ＜１００）であり、膜厚がｍ _１Ｂ ［ｎｍ］である第１Ｂ層と、
Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ _１Ｃ ［％］（０≦ｎ _１Ｃ ＜１８）である第１Ｃ層と、
をこの順に有し、
前記ｎ _１Ａ 、前記ｎ _１Ｂ 、前記ｎ _１Ｃ 、前記ｎ _２ 、前記ｎ _{ｌｉｇｈｔ} 、前記ｍ _１Ｂ 及び前記ｍ _２ は、
｜ｎ _２ −ｎ _{ｌｉｇｈｔ} ｜×ｍ _２ ≦｜ｎ _１Ｂ −ｎ _１Ａ ｜×ｍ _１Ｂ 、
ｎ _１Ｂ ＞ｎ _１Ａ 且つｎ _１Ｂ ＞ｎ _１Ｃ 、又は、ｎ _１Ｂ ＜ｎ _１Ａ 且つｎ _１Ｂ ＜ｎ _１Ｃ 、及び
ｎ _２ ＞ｎ _{ｌｉｇｈｔ} ＋５
を満たし、
前記ｎ _{ｌｉｇｈｔ} 、前記ｎ _１Ａ 及び前記ｎ _１Ｃ は、
４≦ｎ _{ｌｉｇｈｔ} ≦８、
４≦ｎ _１Ａ ≦８、及び
４≦ｎ _１Ｃ ≦８
を満たす。

また、本発明の赤外線検出素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、第１導電型を有する第１の化合物半導体層と、
前記第１の化合物半導体層上に形成され、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}［％］の和が０＜ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}＜１８である受光層と、
前記受光層上に形成され、第２導電型を有する第３の化合物半導体層と、
前記受光層と前記第３の化合物半導体層の間、又は、前記第１の化合物半導体層と当該受光層の間、の少なくとも一方に形成され、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_Ａｌ２［％］（０＜ｎ_Ａｌ２＜１００）、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合がｎ_Ｇａ２［％］（０＜ｎ_Ｇａ２＜１００）であり、膜厚がｍ_２［ｎｍ］（ｍ_２＞２）である第２の化合物半導体層と、
を備え、
前記第１の化合物半導体層は、
Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_Ａｌ１Ａ［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_Ｇａ１Ａ［％］の和が０＜ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ＜１８である第１Ａ層と、
Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_Ａｌ１Ｂ［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_Ｇａ１Ｂ［％］の和が０＜ｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ＜１００であり、膜厚がｍ_１Ｂ［ｎｍ］である第１Ｂ層と、
Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_Ａｌ１Ｃ［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_Ｇａ１Ｃ［％］の和が０＜ｎ_Ａｌ１Ｃ＋ｎ_Ｇａ１Ｃ＜１８である第１Ｃ層と、
をこの順に有し、
前記ｎ_Ａｌ１Ａ、前記ｎ_Ｇａ１Ａ、前記ｎ_Ａｌ１Ｂ、前記ｎ_Ｇａ１Ｂ、前記ｎ_Ａｌ１Ｃ、前記ｎ_Ｇａ１Ｃ、前記ｎ_Ａｌ２、前記ｎ_Ｇａ２、前記ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}、前記ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}、前記ｍ_１Ｂ及び前記ｍ_２は、
｜ｎ_Ａｌ２＋ｎ_Ｇａ２−（ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}）｜×ｍ_２≦｜ｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ−（ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ）｜×ｍ_１Ｂ、
ｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ＞ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ且つｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ＞ｎ_Ａｌ１Ｃ＋ｎ_Ｇａ１Ｃ、又は、ｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ＜ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ且つｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ＜ｎ_Ａｌ１Ｃ＋ｎ_Ｇａ１Ｃ、
ｎ_Ａｌ２＋ｎ_Ｇａ２＞ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}＋５、
０＜ｎ_Ｇａ２／（ｎ_Ａｌ２＋ｎ_Ｇａ２）＜１、
０＜ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}／（ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}）≦１、
０＜ｎ_Ｇａ１Ａ／（ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ）≦１、
０＜ｎ_Ｇａ１Ｂ／（ｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ）≦１、及び、
０＜ｎ_Ｇａ１Ｃ／（ｎ_Ａｌ１Ｃ＋ｎ_Ｇａ１Ｃ）≦１
を満たす。

本発明によれば、よりＳＮＲ特性の良い赤外線検出素子を提供することが可能となる。

第１実施形態の赤外線検出素子の構成を示す断面図である。 第２実施形態の赤外線検出素子の構成を示す断面図である。 実施例１、２、３、比較例１、２、３、の赤外線検出素子の素子抵抗の測定値を示すグラフである。図中、プロットを結ぶ曲線は、カーブフィッティングにより得られた曲線を示す。図中、破線は、素子抵抗が１．２５×１０^７（Ω・μｍ^２）を示し、矢印は、上記曲線と上記破線との交点における第２の化合物半導体層の膜厚ｍ２（ｍｍ）を示す。 実施例１、４、５、比較例４、５の赤外線検出素子の素子抵抗の測定値を示すグラフである。図中、プロットを結ぶ曲線は、カーブフィッティングにより得られた曲線を示す。図中、破線は、素子抵抗が１．２５×１０ ^７ （Ω・μｍ^２）を示し、矢印は、上記曲線と上記破線との交点における第２の化合物半導体層と受光層のＡｌ組成差（％）を示す。 良好なＳＮＲ特性を有する赤外線検出素子の範囲を例示する図である。 上段は、実施例６の３サンプル及び比較対象となるサンプルの断面ＴＥＭ解析結果を示す図である。下段は、実施例６の３サンプル及び比較対象となるサンプルの平面ＴＥＭ解析結果より求めた、受光層の線欠陥密度（本／ｃｍ^２）を示す表である。 上段は、実施例６の３サンプル及び比較対象となるサンプルの断面ＴＥＭ解析結果を示す図である。下段は、実施例６の３サンプル及び比較対象となるサンプルの平面ＴＥＭ解析結果より求めた、受光層の線欠陥密度（本／ｃｍ^２）を示す表である。

以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の具体的な構成について記載されている。しかしながら、このような特定の具体的な構成に限定されることなく他の実施態様が実施できることは明らかであろう。また、以下の実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、実施形態で説明されている特徴的な構成の組み合わせの全てを含むものである。

＜赤外線検出素子＞
以下、第一の態様の赤外線検出素子及び第二の態様の赤外線検出素子について記載する。

第１の態様に係る赤外線検出素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、第１導電型を有する第１の化合物半導体層と、第１の化合物半導体層上に形成され、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_light［％］（０≦ｎ_light＜１８）である受光層と、受光層上に形成され、第２導電型を有する第３の化合物半導体層と、受光層と第３の化合物半導体層の間、又は、第１の化合物半導体層と受光層の間、の少なくとも一方に形成され、Ｉｎ、Ａｌ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ₂［％］（０＜ｎ₂＜１００）であり、膜厚がｍ₂［ｎｍ］（ｍ₂＞２）である第２の化合物半導体層と、を備え、第１の化合物半導体層は、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_1A［％］（０≦ｎ_1A＜１８）である第１Ａ層と、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_1B［％］（０≦ｎ_1B＜１００）であり、膜厚がｍ_1B［ｎｍ］である第１Ｂ層と、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_1C［％］（０≦ｎ_1C＜１８）である第１Ｃ層と、をこの順に有し、ｎ_1A、ｎ_1B、ｎ_1C、ｎ₂、ｎ_light、ｍ_1B及びｍ₂は、
｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂≦｜ｎ_1B−ｎ_1A｜×ｍ_1B、
ｎ_1B＞ｎ_1A且つｎ_1B＞ｎ_1C、又は、ｎ_1B＜ｎ_1A且つｎ_1B＜ｎ_1C、及び
ｎ₂＞ｎ_light＋５
を満たすものである。

ここで赤外線検出素子のＳＮＲは、赤外線が入射したときに発生する光電流Ｉｐと赤外線検出素子の素子抵抗Ｒ０の平方根の積に比例する。すなわち、式（１）の様に表される。

従って、Ｉｐを低下させることなく、素子抵抗Ｒ０を大きくすることで、赤外線検出素子のＳＮＲ特性の向上が実現する。

赤外線検出素子の素子抵抗Ｒ０は、上述の拡散電流と赤外線検出素子内で生じるキャリア再結合電流の二つの要素で決まる。第２の化合物半導体層の膜厚及び第２の化合物半導体層と受光層とのＡｌ組成差の積（つまり｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂）が十分大きければ、拡散電流は十分抑制できるためＲ０はキャリア再結合電流の大きさによって決まる。キャリア再結合電流の大きさは、第２の化合物半導体層近傍の線欠陥を介したキャリア再結合電流に大きく依存しており、第２の化合物半導体層近傍の線欠陥密度を低減することでキャリア再結合電流が抑制され、素子抵抗Ｒ０を大きくすることができる。

第２の化合物半導体層近傍の線欠陥密度の低減に効果的な手法として、線欠陥フィルタ層（例えば第１の態様では、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_1B［％］（０≦ｎ_1B＜１００）である第１Ｂ層）の導入が挙げられる。線欠陥フィルタ層とは、線欠陥密度の低減を目的に母材（例えば第１の態様では、Ａｌ組成がｎ_1A［％］（０≦ｎ_1A＜１８）である第１Ａ層及びＩｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_1C［％］（０≦ｎ_1C＜１８）である第１Ｃ層）間に導入される層のことである。この線欠陥フィルタ層は、母材との格子定数が大きく異なるように材料を選択し、また母材と比べて膜厚が薄い層である。

母材と線欠陥フィルタ層との格子定数差により発生するミスフィット応力が、薄い線欠陥フィルタ層に集中することで、線欠陥フィルタ層近傍で線欠陥が横方向（半導体基板の主面に平行な方向）に曲折する。ここで複数の曲折した線欠陥同士が衝突するとそれらは消滅するため、母材間に線欠陥フィルタ層を導入することで、上層（第１の態様では受光層）への線欠陥の伝播が抑制される。

赤外線検出素子の素子抵抗Ｒ０を向上させるためには、第１の化合物半導体層、第２の化合物半導体層及び受光層の各材料の組成や膜厚を最適化する必要がある。しかしながら、最適値を理論的に求めることは困難であり、最適化を実現するには実験的な検討を要する。

本発明者らは様々な検討の結果、赤外線検出素子の素子抵抗Ｒ０の向上において重要な設計要素は、（１）第２の化合物半導体層の膜厚及び第２の化合物半導体層と受光層とのＡｌ組成差の積（つまり｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂）と、（２）第１Ｂ層の膜厚及び第１Ｂ層と第１Ａ層とのＡｌ組成差の積（つまり｜ｎ_1B−ｎ_1A｜×ｍ_1B）、の大小関係（具体的には、｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂≦｜ｎ_1B−ｎ_1A｜×ｍ_1B）であることを見出した。ここで、線欠陥の曲折のしやすさについては、Ａｌ組成差の「大きさ」と相関があることが知られている。そのため、Ａｌ組成差を示す式では絶対値を用いる。

ここで｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂が十分大きければ、第２の化合物半導体層によって拡散電流抑制効果が得られることが期待されるが、｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂＞｜ｎ_1B−ｎ_1A｜×ｍ_1Bを満たす場合には、第１Ｂ層近傍で曲折せずに貫通した線欠陥が、第２の化合物半導体層近傍で横方向に曲折することが分かった。この場合には、第２の化合物半導体層近傍の線欠陥密度が大きくなることで、第２の化合物半導体層近傍の線欠陥を介したキャリア再結合が促進され、赤外線検出素子の素子抵抗Ｒ０が低下してしまうことを見出した。

本実施形態の赤外線検出素子によれば、｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂≦｜ｎ_1B−ｎ_1A｜×ｍ_1Bを満たすことで、第２の化合物半導体層近傍で生じる線欠陥の曲折が抑制されることで第２の化合物半導体層近傍の線欠陥密度を低減させることが可能となる。これにより第２の化合物半導体層近傍の線欠陥を介したキャリア再結合が抑制され、結果として赤外線検出素子の素子抵抗Ｒ０を最大化することを可能とした。

赤外線検出素子の材料としては、比較的良好な質の結晶が得られるＡｌＩｎＳｂを用いることができる。ＡｌＩｎＳｂを用いて形成される赤外線検出素子に線欠陥フィルタ層（第１の態様における第１Ｂ層）を導入する場合、屈折率差が少なく内部反射でのロスが少ないという観点や素子形成プロセスの容易性の観点から、同一元素種であるＡｌＩｎＳｂを含む線欠陥フィルタ層を導入することが好ましい。母材（第１の態様における第１Ａ層及び第１Ｃ層）のＡｌＩｎＳｂ層とはＡｌ組成が異なるＡｌＩｎＳｂ層を線欠陥フィルタ層として導入することで、格子定数差及びミスフィット応力が生じ線欠陥を曲折することが可能になる。

なおここで、「半導体基板上に形成され、第１導電型を有する第１の化合物半導体層」という表現における「上に」という文言は、半導体基板の上に第１導電型を有する第１の化合物半導体層が形成されていることを意味するが、半導体基板と第１導電型を有する第１の化合物半導体層の間に別の層がさらに存在する場合もこの表現に含まれる。その他の層同士の関係を表現する場合に「上の」という文言を使用する場合にも、同様の意味を有するものとする。

またここで、「Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含む」という表現における「含む」という文言は、ＩｎとＳｂをその層内に含むことを意味するが、その他の元素を含む場合もこの表現に含まれる。具体的には、他の元素を少量（例えばＡｌ、Ａｓ、Ｐ、Ｇａ、Ｎ等の元素を数％以下）加える等してこの層の組成に軽微な変更を加える場合についてもこの表現に含まれることは当然である。その他の層の組成を表現する場合に「含む」という文言を使用する場合にも、同様の意味を有するものとする。

またここで、「層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合」という表現における「層内」という文言は、請求項１に記載の「第１導電型を有する第１の化合物半導体層」、「受光層」、「第２導電型を有する第３の化合物半導体層」、「第２の化合物半導体層」、「第１Ａ層」、「第１Ｂ層」、「第１Ｃ層」、それぞれの層内を意味しており、記載の全層内という意味ではない。

また光取入れ効率向上の観点から、第１の態様に係る赤外線検出素子は、電極材料が形成されている半導体基板の化合物半導体が成膜された面よりも、半導体基板側から入射した赤外線を検出することが好ましい。

以下、本実施形態に係る赤外線検出素子の各構成部について、例を挙げて説明する。

＜半導体基板＞
本実施形態に係る赤外線検出素子における半導体基板は、この半導体基板上に後述の第１導電型を有する第１の化合物半導体層を積層することができれば特に制限されない。半導体基板の一例としては、ＧａＡｓ基板、Ｓｉ基板、ＩｎＰ基板、ＩｎＳｂ基板が挙げられるがこの限りではない。化合物半導体の結晶成長が容易であるという観点から、ＧａＡｓ基板が好ましい。

その上に第１の化合物半導体層を形成する面を、半導体基板の主面と呼ぶ。

半導体基板はドナー不純物やアクセプター不純物によるドーピングの制限はないが、導体基板上に形成した独立の複数の赤外線検出素子を直列又は並列に接続可能にする観点から、半絶縁性であること又は化合物半導体層とは絶縁分離可能であることが望ましい。

また半導体基板は化合物半導体単結晶を積層する観点から単結晶基板であることが望ましい。半導体基板の面方位は特に制限はないが、（００１）、（１１１）、（１０１）等が望ましい。また、これらの面方位に対して１°から５°程度傾けた面方位を用いることも好ましい。

半導体基板の表面は、真空中で加熱して酸化膜を除去しても良いし、有機物や金属等の汚染物質を除去したのち、酸やアルカリによる洗浄処理を行ってもよい。
＜第１の化合物半導体層＞

本実施形態に係る赤外線検出素子における第１の化合物半導体層は、半導体基板上に形成され、第１導電型（ｎ型、ｉ型及びｐ型のいずれか）を有するものである。

また第１導電型を有する第１の化合物半導体層は、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_1A［％］（０≦ｎ_1A＜１８）である第１Ａ層と、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_1B［％］（０≦ｎ_1B＜１００）であり、膜厚がｍ_1B［ｎｍ］である第１Ｂ層と、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_1C［％］（０≦ｎ_1C＜１８）である第１Ｃ層と、をこの順に有し、ｎ_1B＞ｎ_1A且つｎ_1B＞ｎ_1C、又は、ｎ_1B＜ｎ_1A且つｎ_1B＜ｎ_1Cを満たすものである。

また第１の化合物半導体層と後述の第２化合物半導体層及び受光層は、｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂≦｜ｎ_1B−ｎ_1A｜×ｍ_1Bを満たすものである。

（各層のＡｌ組成の測定方法）
第１の化合物半導体層が有する各層のＡｌ組成は、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）法により以下のように求めることができる。測定には、ＣＡＭＥＣＡ社製磁場型ＳＩＭＳ装置ＩＭＳ ７ｆを用てよい。この手法は、固体表面にビーム状の一次イオン種を照射することで、スパッタリング現象により深さ方向に掘り進めながら、同時に発生する二次イオンを検出することで、組成分析を行う手法である。
なおここで、各層のＡｌ組成とは、各層に含まれる全ＩＩＩ族元素（１３族元素）に対するＡｌ元素の比率を指す。

具体的には、一次イオン種をセシウムイオン（Ｃｓ＋）、一次イオンエネルギーを２．５ｋｅＶ、ビーム入射角を６７．２°とし、検出二次イオン種としてマトリックス効果が小さいＭＣｓ＋（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｓｂ等）を検出することができる。

この際、上述のような一定条件でスパッタリングを行い、目的とする層の深さまでスパッタリングを所定の時間行うことで、目的とする層の組成分析を行う。なお、目的とする層の深さは、後述の断面ＴＥＭ測定により各層の厚さから求めることができる。ＳＩＭＳ分析のスパッタリング時間―深さの変換は、分析と同条件での一定時間スパッタリング深さを、例えば触針式の段差計を用いて測定しスパッタレートを求め、これを使って試料測定時のスパッタリング時間を深さに変換することで求めることができる。

そして、各層におけるＭＣｓ＋の信号強度から、Ａｌ組成を求めた。例えばＡｌＩｎＳｂ層の場合、Ａｌ組成は（ＡｌＣｓ＋の信号強度）÷（（ＡｌＣｓ＋の信号強度）＋（ＩｎＣｓ＋の信号強度））から求めることができる。
なお、各層が深さ方向に均一な組成であっても、スパッタリングの影響により信号強度が深さ方向に分布を生じる場合があるが、この場合は最大の信号強度を各層の信号強度の代表値とする。

なお、分析で求められるＡｌ組成定量値は真値からのずれを伴い得る。この真値からのずれを補正するために、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｏｎ）法から得られる格子定数値を求めた別サンプルを用意し、Ａｌ組成値が既知である標準試料として用いて、第１の化合物半導体層が有する各層のＡｌ組成についての測定条件を用いてＳＩＭＳ分析を行うことで、信号強度に対するＡｌ組成の感度係数を求めることができる。第１の化合物半導体層が有する各層のＡｌ組成を、第１の化合物半導体層が有する各層におけるＳＩＭＳ信号強度に上記感度係数をかけることで求めることができる。

ここで、別サンプルとしてはＧａＡｓ基板上に積層された膜厚８００ｎｍのＡｌ_xＩｎ_1-xＳｂを用いることができる。このサンプルについて、格子定数をスペクトリス株式会社製Ｘ線回折装置Ｘ’Ｐｅｒｔ ＭＰＤを用いてＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ Ｄｉｆｆａｃｔｉｏｎ）法により以下のように求め、標準試料としてのＡｌ組成ｘを求めてよい。

Ｘ線回折による２θ−ωスキャンを行うことにより、基板表面の面方位に対応する面の面指数の２θ−ωスキャンにおけるピーク位置から、第１Ａ層の基板表面に対する法線方向の格子定数を求め、該法線方向の格子定数からベガード則を用いてＡｌ組成ｘを決定することができる。ここでは、Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂ層の異方的な歪みはないものとした。ベガード則は具体的には以下の式（２）で表される。

ここでａ_AlSbはＡｌＳｂ、ａ_InSbはＩｎＳｂの格子定数であり、ａ_AlInSbは上記のＸ線回折により求まるＡｌ_xＩｎ_1-xＳｂ層の格子定数である。ａ_AlSbには６．１３５５Åを、ａ_InSbには６．４７９４Åを使用してよい。

ＳＩＭＳ測定に対する標準試料としては、０．１０＜ｘ＜０．１５のものを用いてよい。

（各層のＡｌ以外の元素の組成の測定方法）
第１の化合物半導体層が有する各層のＡｌ以外の元素の組成についても、上記と同様の手法を用いることで測定可能である。
例えば、Ｇａを含む場合のＧａ組成についても上記と同様の手法を用いることで測定可能である。
この際には、別サンプルとしてＧａＡｓ基板上に積層された膜厚８００ｎｍのＧａ_gＩｎ_1-gＳｂを用いる。Ｇａ_gＩｎ_1-gＳｂを用い、ベガード則は具体的には以下の式で表される。

ここで、ａ_GaSbはＧａＳｂ、ａ_InSbはＩｎＳｂの格子定数であり、ａ_GaInSbは上記のＸ線回折により求まるＡｌ_gＩｎ_1-gＳｂの格子定数である。ａ_GaSbには６．０９５９Åを、ａ_InSbには６．４７９４Åを使用した。ＳＩＭＳ測定に対する標準試料としては、０．１０＜ｇ＜０．１５のものを用いた。

第１の化合物半導体層以外の層のＡｌ以外の元素の組成についても、同様の測定方法を用いることで測定可能である。

（各層の膜厚の測定方法）
第１の化合物半導体層が有する各層の膜厚は断面ＴＥＭ（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）法により測定することが可能である。具体的には、およそ５００ｎｍ以下の厚みの試料作成を日立ハイテクノロジーズ社製ＦＩＢ装置（ＦＢ−２１００）を用いてＦＩＢ法により行い、日立製ＳＴＥＭ装置（ＨＤ−２３００Ａ）を用いて加速電圧２００ｋＶにて透過像で断面観察を行い各層の厚さを測定した。第１の化合物半導体層以外の層の膜厚についても、同様の測定方法を用いることで測定可能である。

線欠陥の曲折のために必要な応力を導入する観点から、第１Ａ層の膜厚ｍ_1A[ｎｍ］の下限値は２ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であることがより好ましい。

また第１Ａ層の膜厚ｍ_1Aとしては、ミスフィット応力の吸収の観点からｍ_1A≧２００ｎｍであることが好ましく、ｍ_1A≧３００ｎｍであることがより好ましい。第１Ｃ層の膜厚ｍ_1Cについても同様の範囲が好ましい。

また成膜時間の増加や、素子形成プロセスの容易性の観点から、ｍ_1A≦７００ｎｍであることが好ましく、ｍ_1A≦６００ｎｍであることが特に好ましい。ｍ_1Cについても同様の範囲が好ましい。

３．３μｍ帯の赤外線に対する感度を向上させる観点からは、第１Ａ層のＡｌ組成ｎ_1Aは、８以上であることが好ましく、９以上であることがより好ましい。同様の観点から、１２以下であることが好ましく、１１以下であることがより好ましい。また同様に、第１Ｃ層のＡｌ組成ｎ_1Cは、８以上であることが好ましく、９以上であることがより好ましい。同様に１２以下であることが好ましく、１１以下であることがより好ましい。これにより、受光層との格子定数差が小さくなり、受光層の結晶性を向上させることが可能となる。この波長帯はメタンの吸収波長帯と重なるため、メタンガスセンサ用の赤外線検出素子として好適である。

また４．３μｍ帯の赤外線に対する感度を向上させる観点からは、第１Ａ層のＡｌ組成ｎ_1Aは、４以上であることが好ましく、５以上であることがより好ましい。同様の観点から、８以下であることが好ましく、７以下であることがより好ましい。また同様に、第１Ｃ層のＡｌ組成ｎ_1Cは、４以上であることが好ましく、５以上であることがより好ましい。同様に８以下であることが好ましく、７以下であることがより好ましい。これにより、受光層との格子定数差が小さくなり、受光層の結晶性を向上させることが可能となる。この波長帯はＣＯ₂の吸収波長帯と重なるため、ＣＯ₂ガスセンサ用の赤外線検出素子として好適である。

また、第１Ｂ層に均一に応力をかけるという観点から、｜ｎ_1A−ｎ_1C｜＜１０であることが好ましく、｜ｎ_1A−ｎ_1C｜＜３であることがより好ましい。

また、結晶欠陥低減の観点から、第１Ａ層のＡｌ組成ｎ_1A、第１Ｃ層のＡｌ組成ｎ_1C及び受光層のＡｌ組成ｎ_lightは同一であることが好ましい。

また第１の化合物半導体層は、第１Ａ層と、第１Ｂ層と、第１Ｃ層と、をこの順に繰り返し回数ｉだけ順次積層された積層構造を有することが好ましい。具体的には、第１Ａ層₍₁₎→第１Ｂ層₍₁₎→第１Ｃ層₍₁₎→第１Ａ層₍₂₎→第１Ｂ層₍₂₎→第１Ｃ層₍₂₎→・・・→第１Ａ層_(i)→第１Ｂ層_(i)→第１Ｃ層_(i)→・・・という順に順次積層された積層構造である。この場合、第１Ａ層_(k)（ｋ＝１、２、…、ｉ）の組成や膜厚は同じであることが好ましい。同様に第１Ｂ層_(k)（ｋ＝１、２、…、ｉ）の組成や膜厚についても同じあることが好ましい。また同様に第１Ｃ層_(k)（ｋ＝１、２、…、ｉ）の組成や膜厚についても同じあることが好ましい。また第１Ｃ層_(k)と第１Ａ層_(k+1)の組成は同じであることが好ましい。また第１Ｃ層_(k)と第１Ａ層_(k+1)とが一体化されてもよい。

ここで繰り返し回数ｉについては、線欠陥密度低減の観点からｉ≧２であることが好ましく、ｉ≧３であることがより好ましい。

また成膜時間の増加や素子形成プロセスの容易性の観点から、ｉ≦６であることが好ましく、ｉ≦５であることがより好ましい。

第１の化合物半導体層の材料としては、上述の第１Ａ層と、第１Ｂ層と、第１Ｃ層と、をこの順に有する積層構造の他に、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＰの単体もしくは混晶の単層もしくは積層構造等を有してもよい。

また前述の半導体基板がＧａＡｓ基板である場合、第１の化合物半導体層のうち、ＧａＡｓ基板と接する層はＩｎＳｂ層であることが好ましい。つまり、第１の化合物半導体層のうち、最もＧａＡｓ基板に近い第１Ａ層はＩｎＳｂ層に接して形成されることが好ましい。

第１の化合物半導体層はドナー不純物やアクセプター不純物によりｎ型やｐ型にドーピングされていることが好ましいが、第１導電型を有するのであれば必ずしもドープされていなくてもよい。第１の化合物半導体層がドープされている場合、ドープ濃度は金属（電極）との接触抵抗の低減の観点から１×１０¹⁸［ｃｍ^-3］以上が好ましく、また結晶性確保の観点から１×１０¹⁹［ｃｍ^-3］以下であることが望ましい。

第１導電型は、赤外検出素子の電流拡散の観点及びバーシュタインモス効果による赤外線透過率の向上の観点から、ｎ型の導電型であることが好ましい。

＜第２の化合物半導体層＞
本実施形態に係る赤外線検出素子における第２の化合物半導体層は、第１の化合物半導体層上に形成され、ｎ型、ｉ型及びｐ型のいずれかの導電型を有するものである。

第２の化合物半導体層はＩｎ、Ａｌ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ₂［％］（０＜ｎ₂＜１００）であり、膜厚がｍ₂［ｎｍ］（ｍ₂＞２）であり、ｎ₂＞ｎ_light＋５を満たす層である。

ここで図３及び図４で示すように、膜厚がｍ₂［ｎｍ］（ｍ₂＞２）であり、Ａｌ組成ｎ₂がｎ₂＞ｎ_light＋５を満たすことで、ＳＮＲ低下の原因となる拡散電流のトンネル（受光層で発生した拡散電流が、第２の化合物半導体層を通過し、第１の化合物半導体内に流れる現象）を防ぐことが可能となる。また、ｎ₂が小さすぎることにより生じるトンネル電流を要因とするＲ０の低下率を、ｎ２が最適値の場合から５割以下に抑制するという観点からは、図３及び図４で示したｎ₂下限値とｍ₂下限値より、ｎ₂＞ｎ_light＋７であることがより好ましく、ｍ₂は４ｎｍ以上であることがより好ましい。

また、第１Ｂ層を貫通した線欠陥が、第２の化合物半導体層近傍で曲折することを要因としたＲ０の低下率を、｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂が最適値の場合から５割以下に抑制するという観点からは、図３及び図４で示したｎ₂上限値とｍ₂上限値の積より、｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂≦５７２を満たすことが好ましい。

第２の化合物半導体層の材料は、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_light［％］（０≦ｎ_light＜１００）を満たす化合物半導体であれば特に制限されない。

また、図３及び図４に示すように、好適な素子抵抗（例えば、１．２５×１０⁷Ω・μｍ²以上）を得る意味で、ｍ₂は４〜２６ｎｍであることが好ましく、６〜１５ｎｍであることがより好ましく、また、第２の化合物半導体層と受光層のＡｌ組成差は７〜２１％であることが好ましく、８〜１５％であることがより好ましい。

＜受光層＞
本実施形態に係る赤外線検出素子における受光層は、第２の化合物半導体層上に形成され、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_light［％］（０≦ｎ_light＜１８）である。

３．３μｍ帯の赤外線に対する感度を向上させる観点からは、受光層のＡｌ組成ｎ_lightは、８以上であることが好ましく、９以上であることがより好ましい。同様の観点から、１２以下であることが好ましく、１１以下であることがより好ましい。この波長帯はメタンの吸収波長帯と重なるため、メタンガスセンサ用の赤外線検出素子として好適である。

また４．３μｍ帯の赤外線に対する感度を向上させる観点からは、受光層のＡｌ組成ｎ_light、４以上であることが好ましく、５以上であることがより好ましい。同様の観点から、８以下であることが好ましく、７以下であることがより好ましい。この波長帯はＣＯ₂の吸収波長帯と重なるため、ＣＯ₂ガスセンサ用の赤外線検出素子として好適である。

受光層の材料は、波長が２μｍ以上の赤外線に相当するバンドギャップを有する化合物半導体であれば特に制限されない。

受光層の導電型はｎ型、ｉ型及びｐ型のいずれでもよい。また受光層へのドーピングとしては、ノンドープ（不純物を含まないこと）でもよく、ドナー不純物やアクセプター不純物によりｎ型やｐ型にドーピングされていてもよい。

電圧印可時に電子と正孔のオーバーフローを防ぐ観点から、受光層の膜厚の下限値は１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましい。

成膜時間の増加や、素子形成プロセスの容易性の観点から、受光層の膜厚の上限値は４０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。

＜第２導電型を有する層＞
本実施形態に係る赤外線検出素子における第２導電型を有する層は、受光層上に形成され、第２導電型（ｎ型、ｉ型及びｐ型のいずれか）を有する層である。

第２導電型を有する層は、第１の化合物半導体層が有する第１導電型とは反対の導電型であることが好ましい。例えば第１の化合物半導体層がｎ型であれば第２導電型を有する層はｐ型であることが好ましく、第１の化合物半導体層がｐ型であれば第２導電型を有する層はｎ型であることが好ましい。

また前述の通り、第１の化合物半導体層はｎ型であることが好ましいため、第２導電型を有する層はｐ型であることが好ましい。

第２導電型を有する層はドナー不純物やアクセプター不純物によりｎ型やｐ型にドーピングされていることが好ましいが、第２導電型を有するのであれば必ずしもドープされていなくてもよい。

第２導電型を有する層がドープされている場合、そのドープ濃度は金属（電極）との接触抵抗の低減の観点から１×１０¹⁸［ｃｍ^-3］以上が好ましく、また結晶性確保の観点から１×１０¹⁹［ｃｍ^-3］以下であることが好ましい。

第２導電型を有する層の材料は化合物半導体であれば特に制限されない。例えば、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＰの単体もしくは混晶の単層もしくは積層構造等が挙げられる。

第２導電型を有する層と受光層が直接接する場合には、受光層へのキャリア閉じ込め効果の向上の観点から、第２導電型を有する層のうち受光層と接する層の材料は、受光層よりもバンドギャップの大きいものであることが好ましい。

素子形成プロセス時のダメージを防ぐ観点から、第２導電型を有する層の膜厚[ｎｍ]の下限値は３０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましい。成膜時間の増加や、素子形成プロセスの容易性の観点から、第２導電型を有する層の膜厚の上限値［ｎｍ］は２０００ｎｍ以下であることが好ましく、１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。

拡散電流のトンネルをさらに防ぐという観点から、第２の化合物半導体層は、受光層と第３の化合物半導体層の間、及び、第１の化合物半導体層と受光層の間の両方に形成されることがより好ましい。

本発明の実施形態において、各化合物半導体層（第１の化合物半導体層、受光層及び第２の化合物半導体層等）は各種の成膜方法を用いて形成することが可能である。例えば、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法や有機金属気相エピタキシー（ＭＯＶＰＥ）法等が好ましい方法である。これらの方法を用いて、半導体基板上に各化合物半導体層を形成することができる。各化合物半導体層の形成工程では、各化合物半導体層を構成する各層の形成途中で半導体基板を成膜装置から一旦、大気中に取り出してもよい。

＜積層構造＞
本発明の実施形態において、赤外線検出素子は次のような積層構造を有する。
第１の化合物半導体層２０は、請求項１記載の第１Ａ層と、第１Ｂ層と、第１Ｃ層と、がこの順に積層されてなる構造を少なくとも含む。

ここで、第１Ｂ層は線欠陥フィルタ層としての機能を、第１Ａ層と第１Ｃ層はミスフィット応力を吸収するバッファ層としての機能を果たし、第１Ｂ層にミスフィット応力を与えることで第１Ａ層と第１Ｂ層の界面及び第１Ｂ層と第１Ｃ層との界面において線欠陥を曲折する。

したがって第１Ｂ層は、第１Ａ層及び第１Ｃ層とのＡｌ組成差が大きくなるほど、ミスフィット応力が大きくなるため線欠陥が曲折しやすくなる。一方で、第１Ｂ層の第１Ａ層及び第１Ｃ層とのＡｌ組成差が大きくなりすぎると、大きくなりすぎたミスフィット応力に結晶が耐えられず逆に線欠陥を発生してしまう。

また第１Ｂ層の膜厚ｍ_1Bが厚くなるほどミスフィット応力が大きくなるため線欠陥が曲折しやすくなる。一方、第１Ｂ層の膜厚ｍ_1Bが厚くなりすぎると一定以上ミスフィット応力が大きくなり結晶が応力に耐えられず逆に線欠陥を発生してしまう。
上記、第１Ｂ層と第１Ａ層とのＡｌ組成差、第１Ｂ層と第１Ｃ層とのＡｌ組成差、及び第１Ｂ層の膜厚ｍ_1Bは互いに独立ではなく、好適な範囲が存在する。

第２の化合物半導体層３０は、
ｍ₂＞２
ｎ₂＞ｎ_light＋５
を満たすことで、前述の通り拡散電流を抑制する機能を果たす。

一方で、第２の化合物半導体層と受光層のＡｌ組成差が大きくなるほど、第１の化合物半導体層で曲折せずに貫通し第２の化合物半導体層まで到達した線欠陥が、第２の化合物半導体層近傍で曲折しやすくなり、第２の化合物半導体層近傍の線欠陥を介したキャリア再結合が促進され、赤外線検出素子の素子抵抗Ｒ０が低下してしまう。

また、第２の化合物半導体層の膜厚ｍ₂が厚くなるほど、第１の化合物半導体層で曲折せずに貫通し第２の化合物半導体層まで到達した線欠陥が、第２の化合物半導体層近傍で曲折しやすくなり、第２の化合物半導体層近傍の線欠陥を介したキャリア再結合が促進され、赤外線検出素子の素子抵抗Ｒ０が低下してしまう。

上記、第２の化合物半導体層と受光層のＡｌ組成差、第１Ｂ層と第１Ａ層とのＡｌ組成差、及び第２の化合物半導体層の膜厚ｍ₂は互いに独立ではなく、前述の通り好適な範囲が存在する。

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下に説明する各図において相互に対応する部分には同一符号を付し、重複部分においては後述での説明を適宜省略する。また、本発明の実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、各部の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに特定するものでない。また、本発明の実施形態は、以下で説明されている特徴的な構成の組み合わせの全てを含むものである。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

以下、第１の態様に従う第１実施形態及び第２実施形態の赤外線検出素子について図面を用いて詳述する。

図１は、本発明に係る赤外線検出素子１００の第１実施形態の構成を示す断面図である。赤外線検出素子１００は、半導体基板１０の上に化合物半導体層６０が積層された構造を有する。化合物半導体層６０は、第１の化合物半導体層２０、第２の化合物半導体層３０、受光層４０及び第２導電型を有する層５０がこの順に積層された構造を有する。第１実施形態において、第１の化合物半導体層２０は、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_1A［％］（０≦ｎ_1A＜１８）である第１Ａ層２２を有する。また、第１の化合物半導体層２０は、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_1B［％］（０≦ｎ_1B＜１００）である第１Ｂ層２３を有する。また、第１の化合物半導体層２０は、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_1C［％］（０≦ｎ_1C＜１８）である第１Ｃ層２４を有する。第１実施形態において、第１の化合物半導体層２０は、第１Ａ層と、第１Ｂ層及び第１Ｃ層をこの順に１層（一組）積層された構造を含む。

ここで、第１の化合物半導体層２０は、更にＩｎＳｂを含む層（ＩｎＳｂ層２１）と、を有する。図１に示すように、第１の化合物半導体層２０は、ＩｎＳｂ層２１の直上に第１Ａ層２２が積層される構造を有する。また、第１実施形態において、赤外線検出素子１００は、第１Ｃ層の直上に第２の化合物半導体層が積層される構造を有する。

図２は、本発明に係る赤外線検出素子１００の第２実施形態の構成を示す断面図である。第２実施形態において、第１の化合物半導体層２０は、上記の積層構造の繰り返し回数ｉを２とした場合の構造を有する。図２において、第１実施形態の赤外線検出素子１００と同じ要素には同じ符号が付されており、説明を省略する。

第２実施形態において、第１の化合物半導体層２０は、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_1D［％］（０≦ｎ_1D＜１００）である第１Ｄ層２５を有する。また、第１の化合物半導体層２０は、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、Ａｌ組成がｎ_1E［％］（０≦ｎ_1E＜１８）である第１Ｅ層２６を有する。また、第２実施形態において、第１Ｅ層の直上に第２の化合物半導体層が積層される構造を有する。

以上、本発明の第１実施形態及び第２実施形態を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。例えば、積層構造の繰り返し回数ｉは２に限定されるものではなく、３〜６の範囲で選択されてもよい。また、上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

以下、第二の態様の赤外線検出素子について記載する。

第２の態様に係る赤外線検出素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、第１導電型を有する第１の化合物半導体層と、第１の化合物半導体層上に形成され、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_{Al light}［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_{Ga light}［％］の和が０＜ｎ_{Al light}＋ｎ_{Ga light}＜１８である受光層と、受光層上に形成され、第２導電型を有する第３の化合物半導体層と、受光層と第３の化合物半導体層の間、又は、第１の化合物半導体層と受光層の間、の少なくとも一方に形成され、Ｉｎ、Ａｌ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_Al2［％］（０≦ｎ_Al2＜１００）、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合がｎ_Ga2［％］（０≦ｎ_Ga2＜１００）であり、膜厚がｍ₂［ｎｍ］（ｍ₂＞２）である第２の化合物半導体層と、を備え、第１の化合物半導体層は、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_Al1A［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_Ga1A［％］の和が０＜ｎ_Al1A＋ｎ_Ga1A＜１８である第１Ａ層と、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_Al1B［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_Ga1B［％］の和が０＜ｎ_Al1B＋ｎ_Ga1B＜１００であり、膜厚がｍ_1B［ｎｍ］である第１Ｂ層と、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_Al1C［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_Ga1C［％］の和が０＜ｎ_Al1C＋ｎ_Ga1C＜１８である第１Ｃ層と、をこの順に有し、ｎ_Al1A、ｎ_Ga1A、ｎ_Al1B、ｎ_Ga1B、ｎ_Al1C、ｎ_Ga1C、ｎ_Al2、ｎ_Ga2、ｎ_{Al light}、ｎ_{Ga light}、ｍ_1B及びｍ₂は、
｜ｎ_Al2＋ｎ_Ga2−（ｎ_{Al light}＋ｎ_{Ga light}）｜×ｍ₂≦｜ｎ_Al1B＋ｎ_Ga1B−（ｎ_Al1A＋ｎ_Ga1A）｜×ｍ_1B、
ｎ_Al1B＋ｎ_Ga1B＞ｎ_Al1A＋ｎ_Ga1A且つｎ_Al1B＋ｎ_Ga1B＞ｎ_Al1C＋ｎ_Ga1C、又は、ｎ_Al1B＋ｎ_Ga1B＜ｎ_Al1A＋ｎ_Ga1A且つｎ_Al1B＋ｎ_Ga1B＜ｎ_Al1C＋ｎ_Ga1C、
ｎ_Al2＋ｎ_Ga2＞ｎ_{Al light}＋ｎ_{Ga light}＋５、
を満たすものである。

ここで、第１の態様の赤外線検出素子においては、Ａｌを含む各層のＡｌ組成の割合について定めていたところを、第２の態様の赤外線検出素子では、Ａｌを含む各層のＡｌ組成の割合とＧａ組成の割合との和について定めたものとなっている。

さらに、第２の態様の赤外線検出素子では、以下の条件も満たす。
０＜ｎ_Ga2／（ｎ_Al2＋ｎ_Ga2）≦１、
０＜ｎ_{Ga light}／（ｎ_{Al light}＋ｎ_{Ga light}）≦１、
０＜ｎ_Ga1A／（ｎ_Al1A＋ｎ_Ga1A）≦１、
０＜ｎ_Ga1B／（ｎ_Al1B＋ｎ_Ga1B）≦１、及び、
０＜ｎ_Ga1C／（ｎ_Al1C＋ｎ_Ga1C）≦１

この態様の赤外線検出素子も、Ｉｐを低下させることなく、素子抵抗Ｒ０を大きくすることでＳＮＲ特性の向上を可能とする。
Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂのうちのＡｌの全部もしくは一部をＧａに置き換えたＧａ_xＩｎ_1-xＳｂもしくはＡｌ_x-yＧａ_yＩｎ_1-xＳｂは、Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂと近い格子定数を有し、Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂと同等の応力を発生することができるため、Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂの代わりに線欠陥フィルタ層材料として使用することができる。

Ｇａ_xＩｎ_1-xＳｂもしくはＡｌ_x-yＧａ_yＩｎ_1-xＳｂは、ｘ及びｙを調整することで、Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂと同様に拡散電流を抑制する機能も実現できるため、前記第２の化合物半導体層の材料としても使用することができる。前記のとおり、Ｇａ_xＩｎ_1-xＳｂもしくはＡｌ_x-yＧａ_yＩｎ_1-xＳｂは、Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂと近い格子定数をもち、Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂと同等の応力を発生するため、第２の化合物半導体層にＧａ_xＩｎ_1-xＳｂもしくはＡｌ_x-yＧａ_yＩｎ_1-xＳｂを使用した場合でも、第２の化合物半導体近傍で曲折した線欠陥を介したキャリア再結合が生じる。

Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂのうちのＡｌの全部もしくは一部をＧａに置き換えたＧａ_xＩｎ_1-xＳｂもしくはＡｌ_x-yＧａ_yＩｎ_1-xＳｂにおいても本発明の効果は同様に発現し得る。

第２の態様の赤外線検出素子についてのＳＮＲ、素子抵抗Ｒ０、本発明の作用効果等については、第１の態様の赤外線検出素子について記載したのと同様としてよい。
第２の態様の赤外線検出素子の各構成部に関しては以下の形態としてよい。
すなわち、半導体基板については第１の態様と同様としてよい。
また、第１の化合物半導体層、第２の化合物半導体層、受光層、第２導電型を有する第３の化合物半導体層については、前述のとおり、Ａｌを含む各層のＡｌ組成の割合について定めていたところを、Ａｌを含む各層のＡｌ組成の割合とＧａ組成の割合との和について定めたものに置き換えた点以外については、第１の態様と同様としてよい。ここで、各層のＡｌ組成の測定方法、各層のＡｌ以外の元素の組成の測定方法、各層の膜厚の測定方法については、第１の態様と同様としてよい。
さらに、赤外線検出素子の積層構造についても、第１の態様と同様としてよい。

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明は、下記実施例に限定されるものではなく、その発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることは言うまでもない。

＜実施例１＞
図２に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板（半導体基板１０）上に、ＭＢＥ装置を用いて、
Ｓｎを７×１０¹⁸［ｃｍ^-3］ドーピングしたｎ型ＩｎＳｂ層２１を０．５μｍと、
Ｓｎを７×１０¹⁸［ｃｍ^-3］ドーピングしたｎ型Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層を０．５μｍと（第１Ａ層２２）、
Ｓｎを７×１０¹⁸［ｃｍ^-3］ドーピングしたｎ型Ａｌ_0.30Ｉｎ_0.70Ｓｂ層を０．０２μｍと（第１Ｂ層２３）、
Ｓｎを７×１０¹⁸［ｃｍ^-3］ドーピングしたｎ型Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層）を０．５μｍと（第１Ｃ層２４）、
Ｓｎを７×１０¹⁸［ｃｍ^-3］ドーピングしたｎ型Ａｌ_0.30Ｉｎ_0.70Ｓｂ層を０．０２μｍと（第１Ｄ層２５）、
Ｓｎを７×１０¹⁸［ｃｍ^-3］ドーピングしたｎ型Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層）を０．５μｍと（第１Ｅ層２６）、
Ｓｎを７×１０¹⁸［ｃｍ^-3］ドーピングしたｎ型Ａｌ_0.30Ｉｎ_0.70Ｓｂ層を０．０２μｍと（第２の化合物半導体層３０）、
ノンドープのＡｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層（受光層４０）を１μｍと、
Ｚｎを３×１０¹⁸［ｃｍ^-3］ドーピングしたｐ型Ａｌ_0.30Ｉｎ_0.70Ｓｂ層を０．０２μｍと（第２導電型を有する、第３の化合物半導体層）、
Ｚｎを３×１０¹⁸［ｃｍ^-3］ドーピングしたｐ型Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層）を０．５μｍと（第２導電型を有する層５０）、
を半絶縁性ＧａＡｓ基板（半導体基板１０）側からこの順に積層し、化合物半導体層６０を形成した。

次いで、化合物半導体層６０上にレジストパターンを形成し、エッチングを施すことで、メサ構造を作製した。さらに各受光素子が電気的に独立となるように、メサ構造どうしの間に、酸化ケイ素からなる絶縁溝を形成し、メサ構造及び絶縁溝を含む化合物半導体層６０全面に、絶縁層として窒化ケイ素を形成した。この絶縁層の一部にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを覆うように、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）をこの順に堆積して電極部を形成し、複数個直列接続された赤外線検出素子を得た。

＜実施例２〜５＞
表１に従って、第２の化合物半導体層３０のＡｌ組成ｎ₂、膜厚ｍ₂を変えた。

＜比較例１〜５＞
表２に従って、第２の化合物半導体層３０のＡｌ組成ｎ₂、膜厚ｍ₂を変えた。

＜各層のＡｌ組成及びＡｌ以外の元素の組成の測定＞
各層のＡｌ組成の測定は、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）法により、ＣＡＭＥＣＡ社製磁場型ＳＩＭＳ装置ＩＭＳ ７ｆを用いて、行った。具体的には、一次イオン種をセシウムイオン（Ｃｓ＋）、一次イオンエネルギーを２．５ｋｅＶ、ビーム入射角を６７．２°とし、検出二次イオン種としてマトリックス効果が小さいＭＣｓ＋（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｓｂ等）を検出した。
また、各層のＡｌ組成の測定は、ＧａＡｓ基板上に積層された膜厚８００ｎｍのＡｌ_xＩｎ_1-xＳｂを代替サンプルとして用い、このサンプルについて、格子定数を、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ Ｄｉｆｆａｃｔｉｏｎ）法により、スペクトリス株式会社製Ｘ線回折装置Ｘ’Ｐｅｒｔ ＭＰＤを用いて、行った。
各層のＡｌ組成の測定の詳細については、発明を実施するための形態において記載してとおりとした。
各層のＡｌ以外の元素の組成の測定は、上記各層のＡｌ組成の測定に準じて行った。各層のＡｌ以外の元素の組成の測定の詳細については、発明を実施するための形態において記載してとおりとした。

＜素子抵抗の比較＞
上記実施例１〜５及び比較例１〜５により形成した赤外線検出素子について、素子抵抗を測定した。具体的には、上記例にて得られた素子に、順方向に５ｎＶの電圧を印加した際に流れる電流値を測定し、続いて逆方向に５ｎＶの電圧を印加した際に流れる電流値を測定し、測定電流値が印加電圧に比例した値が得られていることを確認し、得られた順方向と逆方向の素子抵抗値の平均値を印加電圧０Ｖ近傍の素子抵抗として得た。

ｍ₂とｎ₂が下記の関係式を満たす実施例１〜５の条件では、比較例１〜５と比較し高い素子抵抗が得られることが確認された。
｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂≦｜ｎ_1B−ｎ_1A｜×ｍ_1B、
ｎ_1B＞ｎ_1A且つｎ_1B＞ｎ_1C、又は、ｎ_1B＜ｎ_1A且つｎ_1B＜ｎ_1C、及び
ｎ₂＞ｎ_light＋５

ここで、図５を用いて、実施例１〜５と比較例１〜５とを比較し、さらに上記の関係式を確認する。図５の横軸は第２の化合物半導体層３０の膜厚ｍ₂［ｎｍ］を示す。また、図５の縦軸は第２の化合物半導体層３０と受光層４０のＡｌ組成差［％］を示す。前述の通り、ＳＮＲ低下の原因となる拡散電流を防ぐために、ｎ₂＞ｎ_light＋５を満たすことが肝要であり、さらにｍ₂＞２を満たすことが好ましい。まず、図５において、直線１１００よりも右側の領域においてｍ₂＞２が満たされる。また、第２の化合物半導体層３０と受光層４０のＡｌ組成差の大きさ［％］は｜ｎ₂−ｎ_light｜である。つまり、図５において、直線１１０１よりも上の領域においてｎ₂＞ｎ_light＋５が満たされる。

さらに、第１Ｂ層を貫通した線欠陥が、第２の化合物半導体層近傍で曲折することを防ぐために、｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂≦４４０を満たすことが好ましい。図５において、曲線１１０２を超えない範囲で｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂≦４４０が満たされる。拡散電流を防いで、第１Ｂ層を貫通した線欠陥が第２の化合物半導体層近傍で曲折することを防ぐために、赤外線検出素子１００は、直線１１００、直線１１０１及び曲線１１０２で囲まれる領域１１０に含まれるような構成を有することが好ましい。ここで、領域１１０は、直線１１００及び直線１１０１上を含まないが、曲線１１０２上を含む。図５に示すように、実施例１〜５は領域１１０に含まれる。一方、比較例１〜５は領域１１０に含まれない。

そして、領域１１０に含まれる赤外線検出素子１００は、線欠陥が第２の化合物半導体層近傍で曲折しないように、さらに第１Ｂ層における線欠陥フィルタの特性との間で所定の関係を有することが好ましい。つまり、第２の化合物半導体層近傍では、線欠陥フィルタのように線欠陥を曲折させないことを示す式を満たすことが好ましい。この式は、前述の検討により、｜ｎ₂−ｎ_light｜×ｍ₂≦｜ｎ_1B−ｎ_1A｜×ｍ_1Bで示される。図５を用いて再確認したとおり、上記の関係式を満たす実施例１〜５の赤外線検出素子１００は、高い素子抵抗を得ることが可能であり、ＳＮＲ特性をさらに向上させることができる。

＜実施例６＞
半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、
ＩｎＳｂ層０．５μｍと
第１の化合物半導体層（第１Ａ層）：Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層０．５μｍ、
後述の線欠陥フィルタ層（第１Ｂ層）０．０２μｍ、
第１の化合物半導体層（第１Ｃ層）：Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層０．５μｍ、
後述の線欠陥フィルタ層（第１Ｄ層）：Ａｌ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂ層０．０２μｍ、
第１の化合物半導体層（第１Ｅ層）：Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層０．５μｍ、
第２の化合物半導体層：Ａｌ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂ層０．０２μｍ、
受光層：Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層１μｍ、
第２の化合物半導体層：Ａｌ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂ層０．０２μｍ、
第２導電型を有する第３の化合物半導体層：Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層０．５μｍ
を半絶縁性ＧａＡｓ基板側からこの順に積層し、化合物半導体層を形成した。
第１の化合物半導体層に挿入する線欠陥フィルタ層（第１Ｂ層及び第１Ｄ層）として、それぞれＡｌ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂ、Ａｌ_0.15Ｇａ_0.15Ｉｎ_0.7Ｓｂ、Ｇａ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂを使用した、３サンプルを作製した（それぞれ、実施例６ａ、６ｂ、６ｃともいう）。

比較対象となるサンプルは、
半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、
ＩｎＳｂ層０．５μｍと
第１の化合物半導体層（第１Ａ層）：Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層０．５μｍ、
第２の化合物半導体層：Ａｌ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂ層０．０２μｍ、
受光層：Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層２μｍ、
第２の化合物半導体層：Ａｌ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂ層０．０２μｍ、
第２導電型を有する第３の化合物半導体層：Ａｌ_0.08Ｉｎ_0.92Ｓｂ層０．５μｍ
を半絶縁性ＧａＡｓ基板側からこの順に積層し、化合物半導体層を形成した、１サンプルを作製した。

図６上段及び図７上段は、実施例６の３サンプル及び比較対象となるサンプルの断面ＴＥＭ解析結果を示す図である。
図６下段及び図７下段は、実施例６の３サンプル及び比較対象となるサンプルの平面ＴＥＭ解析結果より求めた、受光層の線欠陥密度（単位：本／ｃｍ²）を示す表である。

図６上段及び図７上段の解析結果より、線欠陥フィルタ層としてＡｌ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂ、Ａｌ_0.15Ｇａ_0.15Ｉｎ_0.7Ｓｂ、Ｇａ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂいずれを使用した場合でも、線欠陥フィルタ層近傍で線欠陥がＧａＡｓ基板の面方向と並行に曲折しており、線欠陥フィルタより上側の層の線欠陥密度を低減する効果があることがわかる。

また、図６下段及び図７下段に示した前記３サンプルの受光層の線欠陥密度から、Ａｌ_0.15Ｇａ_0.15Ｉｎ_0.7Ｓｂ（実施例６ｂ）、Ｇａ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂ（実施例６ｃ）を使用した場合でも、Ａｌ_0.3Ｉｎ_0.7Ｓｂ（実施例６ａ）を線欠陥フィルタ層として使用した場合と同様に、受光層の線欠陥密度を低減する効果があり、Ａｌの全部もしくは一部をＧａに置換しても線欠陥フィルタ層として機能することを確認した。
Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂの中のＡｌの全部もしくは一部をＧａに置き換えたＧａ_xＩｎ_1-xＳｂもしくはＡｌ_x-yＧａ_yＩｎ_1-xＳｂにおいても本発明の効果は同様に発現することが理解される。

＜各層のＡｌ組成及びＡｌ以外の元素の組成の測定＞

＜素子抵抗の比較＞
実施例６ａ〜６ｃのサンプルで素子抵抗を測定した結果、実施例６aでは１５ＭΩ・μｍ²であったのに対し、線欠陥フィルタ層のＡｌ_xＩｎ_1-xＳｂのうちのＡｌの一部をＧａに置き換えた実施例６bでは１４ＭΩ・μｍ²、線欠陥フィルタ層のＡｌ_xＩｎ_1-xＳｂのうちのＡｌの全部をＧａに置き換えた実施例６ｃでは１５ＭΩ・μｍ²であった。このように、Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂのうちのＡｌの全部もしくは一部をＧａに置き換えたＧａ_xＩｎ_1-xＳｂもしくはＡｌ_x-yＧａ_yＩｎ_1-xＳｂを、線欠陥フィルタ層に用いた素子でも、高い素子抵抗を得ることが可能であり、ＳＮＲ特性をさらに向上させることができる。

１０ 半導体基板
２０ 第１の化合物半導体層
２１ ＩｎＳｂ層
２２ 第１Ａ層
２３ 第１Ｂ層
２４ 第１Ｃ層
２５ 第１Ｄ層
２６ 第１Ｅ層
３０ 第２の化合物半導体層
４０ 受光層
５０ 第２導電型を有する層
１００ 赤外線検出素子

Claims (19)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板上に形成され、第１導電型を有する第１の化合物半導体層と、
   前記第１の化合物半導体層上に形成され、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_{ｌｉｇｈｔ}［％］（０≦ｎ_{ｌｉｇｈｔ}＜１８）である受光層と、
   前記受光層上に形成され、第２導電型を有する第３の化合物半導体層と、
   前記受光層と前記第３の化合物半導体層の間、又は、前記第１の化合物半導体層と当該受光層の間、の少なくとも一方に形成され、Ｉｎ、Ａｌ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_２［％］（０＜ｎ_２＜１００）であり、膜厚がｍ_２［ｎｍ］（ｍ_２＞２）である第２の化合物半導体層と、を備え、
   前記第１の化合物半導体層は、
   Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_１Ａ［％］（０≦ｎ_１Ａ＜１８）である第１Ａ層と、
   Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_１Ｂ［％］（０≦ｎ_１Ｂ＜１００）であり、膜厚がｍ_１Ｂ［ｎｍ］である第１Ｂ層と、
   Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_１Ｃ［％］（０≦ｎ_１Ｃ＜１８）である第１Ｃ層と、
   をこの順に有し、
   前記ｎ_１Ａ、前記ｎ_１Ｂ、前記ｎ_１Ｃ、前記ｎ_２、前記ｎ_{ｌｉｇｈｔ}、前記ｍ_１Ｂ及び前記ｍ_２は、
   ｜ｎ_２−ｎ_{ｌｉｇｈｔ}｜×ｍ_２≦｜ｎ_１Ｂ−ｎ_１Ａ｜×ｍ_１Ｂ、
   ｎ_１Ｂ＞ｎ_１Ａ且つｎ_１Ｂ＞ｎ_１Ｃ、又は、ｎ_１Ｂ＜ｎ_１Ａ且つｎ_１Ｂ＜ｎ_１Ｃ、及び
   ｎ_２＞ｎ_{ｌｉｇｈｔ}＋５
   を満たし、
   前記ｎ _{ｌｉｇｈｔ} 、前記ｎ _１Ａ 及び前記ｎ _１Ｃ は、
   ８≦ｎ _{ｌｉｇｈｔ} ≦１２、
   ８≦ｎ _１Ａ ≦１２、及び
   ８≦ｎ _１Ｃ ≦１２
   を満たす赤外線検出素子。
2. 半導体基板と、
   前記半導体基板上に形成され、第１導電型を有する第１の化合物半導体層と、
   前記第１の化合物半導体層上に形成され、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ _{ｌｉｇｈｔ} ［％］（０≦ｎ _{ｌｉｇｈｔ} ＜１８）である受光層と、
   前記受光層上に形成され、第２導電型を有する第３の化合物半導体層と、
   前記受光層と前記第３の化合物半導体層の間、又は、前記第１の化合物半導体層と当該受光層の間、の少なくとも一方に形成され、Ｉｎ、Ａｌ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ _２ ［％］（０＜ｎ _２ ＜１００）であり、膜厚がｍ _２ ［ｎｍ］（ｍ _２ ＞２）である第２の化合物半導体層と、を備え、
   前記第１の化合物半導体層は、
   Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ _１Ａ ［％］（０≦ｎ _１Ａ ＜１８）である第１Ａ層と、
   Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ _１Ｂ ［％］（０≦ｎ _１Ｂ ＜１００）であり、膜厚がｍ _１Ｂ ［ｎｍ］である第１Ｂ層と、
   Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ _１Ｃ ［％］（０≦ｎ _１Ｃ ＜１８）である第１Ｃ層と、
   をこの順に有し、
   前記ｎ _１Ａ 、前記ｎ _１Ｂ 、前記ｎ _１Ｃ 、前記ｎ _２ 、前記ｎ _{ｌｉｇｈｔ} 、前記ｍ _１Ｂ 及び前記ｍ _２ は、
   ｜ｎ _２ −ｎ _{ｌｉｇｈｔ} ｜×ｍ _２ ≦｜ｎ _１Ｂ −ｎ _１Ａ ｜×ｍ _１Ｂ 、
   ｎ _１Ｂ ＞ｎ _１Ａ 且つｎ _１Ｂ ＞ｎ _１Ｃ 、又は、ｎ _１Ｂ ＜ｎ _１Ａ 且つｎ _１Ｂ ＜ｎ _１Ｃ 、及び
   ｎ _２ ＞ｎ _{ｌｉｇｈｔ} ＋５
   を満たし、
   前記ｎ _{ｌｉｇｈｔ} 、前記ｎ _１Ａ 及び前記ｎ _１Ｃ は、
   ４≦ｎ _{ｌｉｇｈｔ} ≦８、
   ４≦ｎ _１Ａ ≦８、及び
   ４≦ｎ _１Ｃ ≦８
   を満たす赤外線検出素子。
3. 前記ｎ_２、前記ｎ_{ｌｉｇｈｔ}及び前記ｍ_２は、
   ｜ｎ_２−ｎ_{ｌｉｇｈｔ}｜×ｍ_２≦５７２
   を満たす請求項１又は２に記載の赤外線検出素子。
4. 前記ｎ_{ｌｉｇｈｔ}及び前記ｎ_２は、
   ｎ_２＞ｎ_{ｌｉｇｈｔ}＋７
   を満たす請求項１から３のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
5. 前記ｍ_２は、ｍ_２≧４
   を満たす請求項１から４のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
6. 前記第１導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型である
   請求項１から５のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
7. 前記半導体基板側から入射した赤外線を検出する
   請求項１から６のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
8. 前記ｎ_１Ａ、前記ｎ_１Ｃ及び前記ｎ_{ｌｉｇｈｔ}は同一である
   請求項１から７のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
9. 前記第２の化合物半導体層は、前記受光層と前記第３の化合物半導体層の間、及び、前記第１の化合物半導体層と当該受光層の間の両方に形成される
   請求項１から８のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
10. 半導体基板と、
    前記半導体基板上に形成され、第１導電型を有する第１の化合物半導体層と、
    前記第１の化合物半導体層上に形成され、Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}［％］の和が０＜ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}＜１８である受光層と、
    前記受光層上に形成され、第２導電型を有する第３の化合物半導体層と、
    前記受光層と前記第３の化合物半導体層の間、又は、前記第１の化合物半導体層と当該受光層の間、の少なくとも一方に形成され、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合がｎ_Ａｌ２［％］（０＜ｎ_Ａｌ２＜１００）、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合がｎ_Ｇａ２［％］（０＜ｎ_Ｇａ２＜１００）であり、膜厚がｍ_２［ｎｍ］（ｍ_２＞２）である第２の化合物半導体層と、を備え、
    前記第１の化合物半導体層は、
    Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_Ａｌ１Ａ［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_Ｇａ１Ａ［％］の和が０＜ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ＜１８である第１Ａ層と、
    Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_Ａｌ１Ｂ［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_Ｇａ１Ｂ［％］の和が０＜ｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ＜１００であり、膜厚がｍ_１Ｂ［ｎｍ］である第１Ｂ層と、
    Ｉｎ及びＳｂを少なくとも含み、層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＡｌ組成の割合ｎ_Ａｌ１Ｃ［％］と層内の全ＩＩＩ族元素に占めるＧａ組成の割合ｎ_Ｇａ１Ｃ［％］の和が０＜ｎ_Ａｌ１Ｃ＋ｎ_Ｇａ１Ｃ＜１８である第１Ｃ層と、
    をこの順に有し、
    前記ｎ_Ａｌ１Ａ、前記ｎ_Ｇａ１Ａ、前記ｎ_Ａｌ１Ｂ、前記ｎ_Ｇａ１Ｂ、前記ｎ_Ａｌ１Ｃ、前記ｎ_Ｇａ１Ｃ、前記ｎ_Ａｌ２、前記ｎ_Ｇａ２、前記ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}、前記ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}、前記ｍ_１Ｂ及び前記ｍ_２は、
    ｜ｎ_Ａｌ２＋ｎ_Ｇａ２−（ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}）｜×ｍ_２≦｜ｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ−（ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ）｜×ｍ_１Ｂ、
    ｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ＞ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ且つｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ＞ｎ_Ａｌ１Ｃ＋ｎ_Ｇａ１Ｃ、又は、ｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ＜ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ且つｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ＜ｎ_Ａｌ１Ｃ＋ｎ_Ｇａ１Ｃ、
    ｎ_Ａｌ２＋ｎ_Ｇａ２＞ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}＋５、
    ０＜ｎ_Ｇａ２／（ｎ_Ａｌ２＋ｎ_Ｇａ２）＜１、
    ０＜ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}／（ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}）≦１、
    ０＜ｎ_Ｇａ１Ａ／（ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ）≦１、
    ０＜ｎ_Ｇａ１Ｂ／（ｎ_Ａｌ１Ｂ＋ｎ_Ｇａ１Ｂ）≦１、及び、
    ０＜ｎ_Ｇａ１Ｃ／（ｎ_Ａｌ１Ｃ＋ｎ_Ｇａ１Ｃ）≦１
    を満たす赤外線検出素子。
11. 前記ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}、前記ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}、前記ｎ_Ａｌ１Ａ、前記ｎ_Ｇａ１Ａ、前記ｎ_Ａｌ１Ｃ及び前記ｎ_Ｇａ１Ｃは、
    ８≦ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}≦１２、
    ８≦ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ≦１２、及び
    ８≦ｎ_Ａｌ１Ｃ＋ｎ_Ｇａ１Ｃ≦１２
    を満たす請求項１０に記載の赤外線検出素子。
12. 前記ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}、前記ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}、前記ｎ_Ａｌ１Ａ、前記ｎ_Ｇａ１Ａ、前記ｎ_Ａｌ１Ｃ及び前記ｎ_Ｇａ１Ｃは、
    ４≦ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}≦８、
    ４≦ｎ_Ａｌ１Ａ＋ｎ_Ｇａ１Ａ≦８、及び
    ４≦ｎ_Ａｌ１Ｃ＋ｎ_Ｇａ１Ｃ≦８
    を満たす請求項１０に記載の赤外線検出素子。
13. 前記ｎ_Ａｌ２、前記ｎ_Ｇａ２、前記ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}、前記ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}及び前記ｍ_２は、
    ｜ｎ_Ａｌ２＋ｎ_Ｇａ２−（ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}）｜×ｍ_２≦５７２
    を満たす請求項１０から１２のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
14. 前記ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}、前記ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}、前記ｎ_Ａｌ２及び前記ｎ_Ｇａ２は、
    ｎ_Ａｌ２＋ｎ_Ｇａ２＞ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}＋ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}＋７
    を満たす請求項１０から１３のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
15. 前記ｍ_２は、ｍ_２≧４
    を満たす請求項１０から１４のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
16. 前記第１導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型である
    請求項１０から１５のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
17. 前記半導体基板側から入射した赤外線を検出する
    請求項１０から１６のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
18. 前記ｎ_Ａｌ１Ａ、前記ｎ_Ａｌ１Ｃ及び前記ｎ_{Ａｌ ｌｉｇｈｔ}は同一であり、
    前記ｎ_Ｇａ１Ａ、前記ｎ_Ｇａ１Ｃ及び前記ｎ_{Ｇａ ｌｉｇｈｔ}も同一である、
    請求項１０から１７のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
19. 前記第２の化合物半導体層は、前記受光層と前記第３の化合物半導体層の間、及び、前記第１の化合物半導体層と当該受光層の間の両方に形成される
    請求項１０から１８のいずれか一項に記載の赤外線検出素子。
    

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