JP6962371B2 - 高周波モジュール - Google Patents
高周波モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP6962371B2 JP6962371B2 JP2019534528A JP2019534528A JP6962371B2 JP 6962371 B2 JP6962371 B2 JP 6962371B2 JP 2019534528 A JP2019534528 A JP 2019534528A JP 2019534528 A JP2019534528 A JP 2019534528A JP 6962371 B2 JP6962371 B2 JP 6962371B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- substrate
- main surface
- heat radiating
- radiating member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5383—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
- H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0088—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明の第1実施形態に係るモジュール1について図1および図2を参照して説明する。なお、図1は第1実施形態に係るモジュール1の平面図、図2は図1のA−A矢視断面図である。なお、図1はシールド層10の天面部分を図示省略している。
次に、モジュール1の製造方法について説明する。この第1実施形態では、複数のモジュール1の集合体を形成した後に、個片化することによりモジュール1を製造する。
本発明の第2実施形態に係るモジュール1aについて、図3および図4を参照して説明する。なお、図3は第2実施形態に係るモジュール1aの平面図、図4は図3のA−A矢視断面図である。なお、図3はシールド層10の天面部分を図示省略している。
本発明の第3実施形態に係るモジュール1bについて、図5および図6を参照して説明する。なお、図5は第3実施形態に係るモジュール1bの平面図、図6は図5のA−A矢視断面図である。なお、図5はシールド層10の天面部分を図示省略している。
本発明の第4実施形態に係るモジュール1cについて図7および図8を参照して説明する。なお、図7は第4実施形態に係るモジュール1cの平面図、図8は図7のA−A矢視断面図である。なお、図7はシールド層10の天面部分を図示省略している。
本発明の第5実施形態に係るモジュール1dについて図9および図10を参照して説明する。なお、図9は第5実施形態に係るモジュール1dの平面図、図10は図9のA−A矢視断面図である。なお、図9はシールド層10の天面部分を図示省略している。
本発明の第6実施形態に係るモジュール1eについて図11および図12を参照して説明する。なお、図11は第5実施形態に係るモジュール1eの平面図、図12は図11のA−A矢視断面図である。なお、図11はシールド層10の天面部分を図示省略している。
2 基板
2a 上面(主面)
4 第1部品
8、8b 放熱部材
9 封止樹脂層
10 シールド層
14 貫通孔
15 第2部品
16 第3部品
17 凹部
18 接続導体
Claims (6)
- 基板と、
前記基板の主面に実装された第1部品と、
前記第1部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、
前記基板の前記主面、前記第1部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、
前記放熱部材の形状は、略平板状をしており、
前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部品よりも大きい面積を有しており、
前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、
前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されている
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 前記基板の前記主面に実装された第2部品をさらに備え、
前記第2部品の前記主面からの高さは、前記第1部品の前記主面からの高さよりも高く、
前記複数の貫通孔のうち1つは、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第2部品よりも大きく形成されており、
前記第2部品は、該第2部品よりも大きく形成された前記貫通孔に挿通されて配置されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。 - 基板と、
前記基板の主面に実装された第1部品と、
前記第1部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、
前記基板の前記主面、前記第1部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、
前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部品よりも大きい面積を有しており、
前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、
前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されており、
前記基板の前記主面に実装された第3部品をさらに備え、
前記第3部品の前記主面からの高さは、前記第1部品の前記主面からの高さよりも低く、
前記放熱部材は、前記第3部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面と直接接触しているか、あるいは、他の放熱部材を介して接触していることを特徴とする高周波モジュール。 - 前記封止樹脂層は、前記基板の前記主面と当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁どうしを繋ぐ側面とを有し、
高周波モジュールは、前記封止樹脂層の前記対向面および前記側面を少なくとも被覆するシールド層をさらに備え、
前記放熱部材は、一部が前記封止樹脂層の前記側面に露出して前記シールド層に接触していることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の高周波モジュール。 - 基板と、
前記基板の主面に実装された第1部品と、
前記第1部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、
前記基板の前記主面、前記第1部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、
前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部品よりも大きい面積を有しており、
前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、
前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されており、
前記封止樹脂層は、前記基板の前記主面と当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁どうしを繋ぐ側面とを有し、
高周波モジュールは、前記封止樹脂層の前記対向面および前記側面を少なくとも被覆するシールド層をさらに備え、
前記放熱部材は、一部が前記封止樹脂層の前記側面に露出して前記シールド層に接触しており、
高周波モジュールは、前記封止樹脂層に形成された複数の接続導体をさらに備え、
前記接続導体は、前記封止樹脂層の前記対向面と前記放熱部材との間に導電性材料が配置され、前記シールド層と前記放熱部材とを接続することを特徴とする高周波モジュール。 - 基板と、
前記基板の主面に実装された第1部品と、
前記第1部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、
前記基板の前記主面、前記第1部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、
前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部品よりも大きい面積を有しており、
前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第1部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、
前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されており、
前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記封止樹脂層の前記複数の貫通孔に重ならない位置に、識別文字または識別マークを構成する凹部が形成されていることを特徴とする高周波モジュール。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017148851 | 2017-08-01 | ||
| JP2017148851 | 2017-08-01 | ||
| PCT/JP2018/028649 WO2019026902A1 (ja) | 2017-08-01 | 2018-07-31 | 高周波モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019026902A1 JPWO2019026902A1 (ja) | 2020-06-18 |
| JP6962371B2 true JP6962371B2 (ja) | 2021-11-05 |
Family
ID=65232800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019534528A Active JP6962371B2 (ja) | 2017-08-01 | 2018-07-31 | 高周波モジュール |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11699670B2 (ja) |
| JP (1) | JP6962371B2 (ja) |
| CN (1) | CN110959189A (ja) |
| WO (1) | WO2019026902A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017088091A1 (zh) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 影像撷取模组及航拍飞行器 |
| CN108601241B (zh) | 2018-06-14 | 2021-12-24 | 环旭电子股份有限公司 | 一种SiP模组及其制造方法 |
| WO2020196752A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
| US11035910B2 (en) * | 2019-03-29 | 2021-06-15 | Ablic Inc. | Magnetic substance detection sensor |
| KR102652484B1 (ko) * | 2019-08-20 | 2024-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 및 이의 제조 방법 |
| WO2021060163A1 (ja) | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 株式会社村田製作所 | モジュールおよびその製造方法 |
| WO2022038887A1 (ja) | 2020-08-20 | 2022-02-24 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
| WO2022050042A1 (ja) | 2020-09-03 | 2022-03-10 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
| KR102510878B1 (ko) * | 2021-07-09 | 2023-03-17 | 제엠제코(주) | 음각형 표면 형상의 패키지 하우징 구비한 반도체 패키지 |
| KR102615841B1 (ko) * | 2021-07-26 | 2023-12-22 | 한국과학기술원 | 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
| WO2023162029A1 (ja) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | 三菱電機株式会社 | 駆動装置および空気調和装置 |
| WO2024029313A1 (ja) * | 2022-08-01 | 2024-02-08 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
| CN118969750A (zh) * | 2024-08-02 | 2024-11-15 | 华天科技(南京)有限公司 | 工业级模组类产品散热结构及其对应加工工艺 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2556294B2 (ja) * | 1994-05-19 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US7180169B2 (en) * | 2003-08-28 | 2007-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit component built-in module and method for manufacturing the same |
| JP4012496B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2007-11-21 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置 |
| WO2006046713A1 (ja) | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Kyocera Corporation | 電子部品モジュール及び無線通信機器 |
| JP4499577B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2010-07-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP5121783B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2013-01-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Led光源およびその製造方法ならびにled光源を用いた露光装置及び露光方法 |
| JP2013251323A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Kyocera Corp | 電子部品 |
| JP2015211105A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
| KR102424402B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2022-07-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| WO2018101381A1 (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| WO2018101382A1 (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| JP6885175B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2021-06-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2018
- 2018-07-31 WO PCT/JP2018/028649 patent/WO2019026902A1/ja not_active Ceased
- 2018-07-31 JP JP2019534528A patent/JP6962371B2/ja active Active
- 2018-07-31 CN CN201880049889.9A patent/CN110959189A/zh not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-01-27 US US16/773,100 patent/US11699670B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2019026902A1 (ja) | 2020-06-18 |
| CN110959189A (zh) | 2020-04-03 |
| US20200161259A1 (en) | 2020-05-21 |
| US11699670B2 (en) | 2023-07-11 |
| WO2019026902A1 (ja) | 2019-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6962371B2 (ja) | 高周波モジュール | |
| JP7067609B2 (ja) | 高周波モジュール | |
| JP6891965B2 (ja) | 高周波モジュールおよびその製造方法 | |
| JP6911917B2 (ja) | モジュール | |
| US11171067B2 (en) | Module having a sealing resin layer with radiating member filled depressions | |
| JP7354594B2 (ja) | 電子素子モジュール及びその製造方法 | |
| US10952310B2 (en) | High-frequency module | |
| US11145569B2 (en) | Module equipped with a heat dissipation member | |
| US20140190727A1 (en) | Method of fabricating flexible metal core printed circuit board | |
| US11322472B2 (en) | Module | |
| WO2018164159A1 (ja) | モジュール | |
| US11177189B2 (en) | Module including heat dissipation structure | |
| WO2018164160A1 (ja) | モジュール | |
| JP7320923B2 (ja) | モジュール | |
| US12387990B2 (en) | Electronic component accommodation package and electronic device | |
| JP7062473B2 (ja) | アンテナモジュール | |
| JP6322764B2 (ja) | 回路基板の実装構造体および回路基板の実装方法 | |
| JP2019021856A (ja) | モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200117 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210126 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210326 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210914 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210927 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6962371 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |