JP6952121B2 - インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 - Google Patents
インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6952121B2 JP6952121B2 JP2019541249A JP2019541249A JP6952121B2 JP 6952121 B2 JP6952121 B2 JP 6952121B2 JP 2019541249 A JP2019541249 A JP 2019541249A JP 2019541249 A JP2019541249 A JP 2019541249A JP 6952121 B2 JP6952121 B2 JP 6952121B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- droplets
- substrate
- imprint lithography
- lithography method
- spacer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 114
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 106
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 97
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 264
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 198
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 186
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 2
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCC(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBGVQVDENOPZGD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-ol Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(O)C(C)(C)N1CCOCC1 XBGVQVDENOPZGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPFQJMVQJWHPOL-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropane-1,2-diol Chemical compound CC(C)(O)C(O)C1=CC=CC=C1 UPFQJMVQJWHPOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000000203 droplet dispensing Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N hexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C=C LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13398—Spacer materials; Spacer properties
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
- G02B2207/101—Nanooptics
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
本願は、米国仮出願第62/453,249号(2017年2月1日出願)の出願日の利益を主張する。米国仮出願第62/453,249号の内容は、その全体が参照により本明細書に引用される。
(技術分野)
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
光学層を構成するインプリントリソグラフィ方法であって、前記インプリントリソグラフィ方法は、
液滴の組が基板上に形成された機能的パターンに接触しないような様式で、前記基板の側面の上に液滴の組を堆積させることと、
前記液滴の組を硬化させ、前記基板の側面に関連付けられたスペーサ層を形成することと
を含み、
前記スペーサ層は、前記スペーサ層が、前記基板に隣接し、前記機能的パターンから間隔を置かれた位置で前記液滴の組に及ぶ表面を支持できるように選択された高さを有する、インプリントリソグラフィ方法。
(項目2)
前記液滴の組のうちの各液滴は、約1pL〜約100pLの体積を有する、項目1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目3)
ドロップオンデマンドプログラミング方式を生成することをさらに含む、項目1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目4)
印刷スクリーンを提供することをさらに含む、項目1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目5)
前記基板上に前記機能的パターンをインプリントすることをさらに含む、項目1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目6)
前記基板の前記側面の上に前記液滴の組を堆積させることは、前記基板の前記側面の上に重合性物質の液滴体積を分注することを含む、項目1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目7)
前記液滴の組は、液滴の第1の組であり、前記インプリントリソグラフィ方法は、
前記基板の側面の上に直接、前記液滴の第1の組のうちの各滴を堆積させることと、
前記基板の側面の上に直接、前記液滴の第1の組を硬化させることと
をさらに含む、項目1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目8)
前記液滴の第1の組のうちの各液滴は、約0.5μm〜約20.0μmの硬化高さを有する、項目7に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目9)
前記液滴の第1の組が硬化させられた後、
前記基板の前記側面の上に液滴の第2の組を堆積させることであって、前記液滴の第2の組のうちの各液滴は、それぞれ、前記液滴の第1の組のうちの液滴の上に直接分注される、ことと、
前記液滴の第1の組の上に直接、前記液滴の第2の組を硬化させ、前記スペーサ層の高さを増加させることと
をさらに含む、項目7に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目10)
前記液滴の第1の組における液滴の第1の数は、前記スペーサ層が一様な高さを有するように、前記液滴の第2の組における液滴の第2の数に等しい、項目9に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目11)
前記液滴の第1の組における液滴の第1の数は、前記スペーサ層が可変高さを有するように、前記液滴の第2の組における液滴の第2の数に等しくない、項目9に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目12)
前記スペーサ層は、楔形状を有する、項目11に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目13)
前記機能的パターンは、前記基板の前記側面上にインプリントされる、項目1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目14)
前記機能的パターンは、前記基板の前記側面の内部領域に沿ってインプリントされ、前記インプリントリソグラフィ方法は、前記基板の前記側面の周辺縁に沿って前記液滴の組を堆積させることをさらに含む、項目13に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目15)
前記基板の前記側面は、前記基板の第1の側面であり、前記機能的パターンは、前記基板の前記第1の側面の反対側である前記基板の第2の側面上にインプリントされる、項目1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目16)
前記基板の第1の側面の全体にわたって前記液滴の組を堆積させることをさらに含む、項目15に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目17)
前記スペーサ層が前記基板と前記表面との間に間隙を形成するように、前記基板を前記液滴の組において前記基板に隣接する前記表面に取り付けることをさらに含む、項目1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目18)
前記間隙は、低屈折率領域を提供する、項目17に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目19)
前記低屈折率領域は、1の屈折率を有する空気を備えている、項目18に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目20)
1.3〜1.6の範囲の屈折率を有する重合性材料で前記間隙を充填することをさらに含む、項目17に記載のインプリントリソグラフィ方法。
(項目21)
光学層であって、前記光学層は、
基板と、
前記基板上に形成された機能的パターンと、
前記基板の側面上に配置され、前記機能的パターンから間隔を置かれた硬化させられた液滴の組と
を備え、
前記硬化させられた液滴の組は、前記基板の前記側面に関連付けられたスペーサ層を形成し、前記スペーサ層は、前記スペーサ層が、前記基板に隣接し、前記機能的パターンから間隔を置かれた位置で前記硬化させられた液滴の組に及ぶ表面を支持できるように選択された高さを有する、光学層。
Claims (34)
- 光学層を構成するインプリントリソグラフィ方法であって、前記インプリントリソグラフィ方法は、
液滴の第1の組が基板上に形成された機能的パターンに接触しないような様式で、前記基板の側面の上に前記液滴の第1の組を堆積させることと、
前記液滴の第1の組を硬化させ、前記基板の前記側面に関連付けられたスペーサ層の第1の部分を形成することと、
前記液滴の第1の組が硬化させられた後、前記基板の前記側面の上に液滴の第2の組を堆積させることであって、それにより、前記液滴の第2の組のうちの各液滴は、それぞれ、前記液滴の第1の組のうちの液滴の上に直接分注される、ことと、
前記液滴の第1の組の上に直接、前記液滴の第2の組を硬化させ、前記スペーサ層の高さを増加させる前記スペーサ層の第2の部分を形成することであって、それにより、前記スペーサ層は、前記基板に隣接し、かつ前記機能的パターンから間隔を置かれた位置で前記液滴の第1および第2の組に及ぶ表面を支持できる、ことと
を含み、
前記液滴の第1の組における液滴の第1の数は、前記スペーサ層の高さが可変であるように、前記液滴の第2の組における液滴の第2の数に等しくない、インプリントリソグラフィ方法。 - 前記液滴の第1および第2の組のうちの各液滴は、約1pL〜約100pLの体積を有する、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板の前記側面の上に前記液滴の第1の組を堆積させることは、前記基板の前記側面の上方に印刷スクリーンを位置付けることと、前記印刷スクリーンの上面にわたって前記液滴の第1の組を堆積させることとを含み、前記液滴の第1の組を硬化させることは、前記印刷スクリーンを前記基板から移動させることを含み、前記基板の前記側面の上に前記液滴の第2の組を堆積させることは、前記基板の前記側面の上方に前記印刷スクリーンを位置付けることと、前記印刷スクリーンの前記上面にわたって前記液滴の第2の組を堆積させることとを含み、前記液滴の第2の組を硬化させることは、前記印刷スクリーンを前記基板から移動させることを含む、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板上に前記機能的パターンをインプリントすることをさらに含む、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板の前記側面の上に前記液滴の第1および第2の組を堆積させることは、前記基板の前記側面の上に重合性物質の液滴体積を分注することを含む、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板の前記側面の上に直接、前記液滴の第1の組のうちの各液滴を堆積させることと、
前記基板の前記側面の上に直接、前記液滴の第1の組を硬化させることと
をさらに含む、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。 - 前記液滴の第1の組のうちの各液滴は、約0.5μm〜約20.0μmの硬化高さを有する、請求項6に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記スペーサ層は、楔形状を有する、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記機能的パターンは、前記基板の前記側面上にインプリントされる、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記機能的パターンは、前記基板の前記側面の内部領域に沿ってインプリントされ、前記インプリントリソグラフィ方法は、前記基板の前記側面の周辺縁に沿って前記液滴の第1および第2の組を堆積させることをさらに含む、請求項9に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板の前記側面は、前記基板の第1の側面であり、前記機能的パターンは、前記基板の前記第1の側面の反対側である前記基板の第2の側面上にインプリントされる、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板の前記第1の側面の全体にわたって前記液滴の第1および第2の組を堆積させることをさらに含む、請求項11に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記スペーサ層が前記基板と前記表面との間に間隙を形成するように、前記基板を前記液滴の第2の組において前記基板に隣接する前記表面に取り付けることをさらに含む、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記間隙は、1の屈折率を有する空気を備える領域を提供する、請求項13に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 1.3〜1.6の範囲の屈折率を有する重合性材料で前記間隙を充填することをさらに含む、請求項13に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 重合性物質は、約0.5cP〜約500.0cPの範囲の粘度を有し、それにより、前記液滴の第1の組の上にそれぞれに堆積させられた前記液滴の第2の組から形成されたスペーサは、楕円体半円である形状を有する、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記スペーサ層は、三日月形を有する、請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 光学層であって、前記光学層は、
基板と、
前記基板上に形成された機能的パターンと、
前記基板の側面上に配置され、前記機能的パターンから間隔を置かれたスペーサの組と
を備え、
前記スペーサの組は、前記基板の前記側面に関連付けられたスペーサ層を形成し、前記スペーサ層は、前記スペーサ層が、前記基板に隣接し、かつ前記機能的パターンから間隔を置かれた位置で液滴の硬化させられた組に及ぶ表面を支持できるように選択された高さを有し、
前記スペーサの組は、
硬化させられた液滴の第1の組と、
前記硬化させられた液滴の第1の組の上に堆積させられた硬化させられた液滴の第2の組であって、それにより、前記液滴の第2の組のうちの各液滴は、それぞれ、前記液滴の第1の組のうちの液滴の上に直接支持されている、硬化させられた液滴の第2の組と
を備え、
前記硬化させられた液滴の第1の組における液滴の第1の数は、前記スペーサ層の高さが可変であるように、前記硬化させられた液滴の第2の組における液滴の第2の数に等しくない、光学層。 - 光学層を構成するインプリントリソグラフィ方法であって、前記インプリントリソグラフィ方法は、
液滴の組が、基板に接触するが、前記基板上に形成された機能的パターンに接触しないような様式で、前記基板の側面に沿って前記基板の上に前記液滴の組を堆積させることと、
前記液滴の組を硬化させ、前記基板の前記側面に関連付けられたスペーサ層を形成することであって、前記スペーサ層は、前記スペーサ層が、前記基板に隣接し、かつ前記機能的パターンから間隔を置かれた位置で前記液滴の組に及ぶ表面を支持できるように選択された高さを有する、ことと
を含み、
前記液滴の組は、液滴の第1の組であり、前記インプリントリソグラフィ方法は、
前記基板の前記側面の上に直接、前記液滴の第1の組のうちの各滴を堆積させることと、
前記基板の前記側面の上に直接、前記液滴の第1の組を硬化させることと、
前記基板の前記側面の上に液滴の第2の組を堆積させることであって、それにより、前記液滴の第2の組のうちの各液滴は、それぞれ、前記液滴の第1の組のうちの液滴の上に直接分注される、ことと、
前記液滴の第1の組の上に直接、前記液滴の第2の組を硬化させ、前記スペーサ層の高さを増加させることと
をさらに含み、
前記液滴の第1の組における液滴の第1の数は、前記スペーサ層が可変高さを有するように、前記液滴の第2の組における液滴の第2の数に等しくない、インプリントリソグラフィ方法。 - 前記液滴の組のうちの各液滴は、約1pL〜約100pLの体積を有する、請求項19に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板の前記側面の上に前記液滴の第1の組を堆積させることは、前記基板の前記側面の上方に印刷スクリーンを位置付けることと、前記印刷スクリーンの上面にわたって前記液滴の第1の組を堆積させることとを含み、前記液滴の第1の組を硬化させることは、前記印刷スクリーンを前記基板から移動させることを含み、前記基板の前記側面の上に前記液滴の第2の組を堆積させることは、前記基板の前記側面の上方に前記印刷スクリーンを位置付けることと、前記印刷スクリーンの前記上面にわたって前記液滴の第2の組を堆積させることとを含み、前記液滴の第2の組を硬化させることは、前記印刷スクリーンを前記基板から移動させることを含む、請求項19に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板上に前記機能的パターンをインプリントすることをさらに含む、請求項19に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板上に前記液滴の組を堆積させることは、前記基板の前記側面の上に、前記基板上に直接、重合性物質の液滴体積を分注することを含む、請求項19に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記液滴の第1の組のうちの各液滴は、約0.5μm〜約20.0μmの硬化高さを有する、請求項19に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記スペーサ層は、楔形状を有する、請求項19に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記機能的パターンは、前記基板の前記側面上にインプリントされる、請求項19に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記機能的パターンは、前記基板の前記側面の内部領域に沿ってインプリントされ、前記インプリントリソグラフィ方法は、前記基板の前記側面の周辺縁に沿って前記液滴の組を堆積させることをさらに含む、請求項26に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板の前記側面は、前記基板の第1の側面であり、前記機能的パターンは、前記基板の前記第1の側面の反対側である前記基板の第2の側面上にインプリントされる、請求項19に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板の前記第1の側面の全体にわたって前記液滴の組を堆積させることをさらに含む、請求項28に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記スペーサ層が前記基板と前記表面との間に間隙を形成するように、前記基板を前記液滴の組において前記基板に隣接する前記表面に取り付けることをさらに含む、請求項19に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記間隙は、約1.0〜約1.2の範囲の屈折率を有する低屈折率領域を提供する、請求項19に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記低屈折率領域は、空気を備えている、請求項31に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記低屈折率領域は、1の屈折率を有する、請求項31に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 光学層であって、前記光学層は、
基板と、
前記基板上に形成された機能的パターンと、
前記基板の側面に沿って前記基板上に配置された液滴の第1の硬化させられた組であって、それにより、前記液滴の第1の硬化させられた組は、前記基板に接触し、前記機能的パターンから間隔を置かれており、前記液滴の第1の硬化させられた組は、前記基板の前記側面に関連付けられたスペーサ層を形成し、前記スペーサ層は、前記スペーサ層が、前記基板に隣接し、前記機能的パターンから間隔を置かれた位置で前記液滴の第1の硬化させられた組に及ぶ表面を支持できるように選択された高さを有する、液滴の第1の硬化させられた組と、
前記基板の前記側面上の液滴の第2の硬化させられた組であって、それにより、前記液滴の第2の硬化させられた組のうちの各液滴は、前記液滴の第1の硬化させられた組のうちの硬化させられた液滴の上に直接にあり、それによって前記液滴の第1の硬化させられた組に対して前記スペーサ層の高さを増加させる、液滴の第2の硬化させられた組と
を備え、
前記硬化させられた液滴の第1の組における液滴の数は、前記スペーサ層が可変高さを有するように、前記液滴の第2の硬化させられた組における液滴の第2の数に等しくない、光学層。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021156380A JP7324257B2 (ja) | 2017-02-01 | 2021-09-27 | インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762453249P | 2017-02-01 | 2017-02-01 | |
| US62/453,249 | 2017-02-01 | ||
| PCT/US2018/016156 WO2018144549A1 (en) | 2017-02-01 | 2018-01-31 | Configuring optical layers in imprint lithography processes |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021156380A Division JP7324257B2 (ja) | 2017-02-01 | 2021-09-27 | インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020506546A JP2020506546A (ja) | 2020-02-27 |
| JP2020506546A5 JP2020506546A5 (ja) | 2021-03-11 |
| JP6952121B2 true JP6952121B2 (ja) | 2021-10-20 |
Family
ID=62979788
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019541249A Active JP6952121B2 (ja) | 2017-02-01 | 2018-01-31 | インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 |
| JP2021156380A Active JP7324257B2 (ja) | 2017-02-01 | 2021-09-27 | インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021156380A Active JP7324257B2 (ja) | 2017-02-01 | 2021-09-27 | インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US10379438B2 (ja) |
| EP (1) | EP3577522A4 (ja) |
| JP (2) | JP6952121B2 (ja) |
| KR (2) | KR102565288B1 (ja) |
| CN (2) | CN116449646A (ja) |
| TW (1) | TWI748051B (ja) |
| WO (1) | WO2018144549A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6952121B2 (ja) | 2017-02-01 | 2021-10-20 | モレキュラー インプリンツ, インコーポレイテッドMolecular Imprints,Inc. | インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2751427B2 (ja) * | 1989-06-27 | 1998-05-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5324683A (en) | 1993-06-02 | 1994-06-28 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor structure having an air region |
| US6335149B1 (en) * | 1997-04-08 | 2002-01-01 | Corning Incorporated | High performance acrylate materials for optical interconnects |
| US6396559B1 (en) | 1998-11-17 | 2002-05-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | LCD including spacers used in combination with polymer walls |
| DE60004798T3 (de) * | 1999-05-27 | 2007-08-16 | Patterning Technologies Ltd. | Verfahren zur erzeugung einer maske auf einer oberfläche |
| JP2001083528A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Canon Inc | 液晶素子及びその製造方法及びスペーサー付き基板及びその製造方法 |
| US7399574B2 (en) | 2001-09-28 | 2008-07-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Curable resin for photo-patterning, process for producing the same, curable resin composition, color filter, liquid crystal panel substrate, and liquid crystal panel |
| US6743368B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-06-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nano-size imprinting stamp using spacer technique |
| KR100508908B1 (ko) | 2003-01-22 | 2005-08-17 | 주식회사 엘지화학 | 스페이서 형성용 잉크 조성물 및 이를 이용한 스페이서 |
| WO2005012991A1 (en) | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device and method for manufacturing a display device |
| US20050069678A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | General Electric Company | Joined multi functional optical device |
| TWI260431B (en) * | 2004-02-18 | 2006-08-21 | Hannstar Display Corp | Color filter substrate and fabricating method thereof |
| US7354698B2 (en) * | 2005-01-07 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| KR100612292B1 (ko) * | 2005-03-22 | 2006-08-11 | 한국기계연구원 | 디스펜서를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법과 이를이용한 복제몰드의 제조방법 |
| TWI397995B (zh) | 2006-04-17 | 2013-06-01 | 豪威科技股份有限公司 | 陣列成像系統及其相關方法 |
| JP5273049B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2013-08-28 | 日立化成株式会社 | 液晶表示装置用スペーサの製造方法、並びに液晶表示装置及びその製造方法 |
| NL2003875A (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-05 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography method and apparatus. |
| JP2010260272A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Toyo Gosei Kogyo Kk | パターン形成方法 |
| US9098162B2 (en) * | 2010-02-02 | 2015-08-04 | Samsung Techwin Co., Ltd. | Touch panel including graphene and method of manufacturing the same |
| JP2012030590A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-02-16 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 表面形状転写樹脂シートの製造方法 |
| JP5641412B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2014-12-17 | 大日本印刷株式会社 | 着色層用樹脂組成物およびそれを用いたカラーフィルタの製造方法 |
| JP2013029741A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TWI432798B (zh) * | 2011-10-03 | 2014-04-01 | Benq Materials Corp | 彩色濾光片及其製造方法 |
| EP3396446B1 (en) * | 2013-03-22 | 2020-06-03 | Vlyte Innovations Limited | An electrophoretic device having a transparent light state |
| JP6606369B2 (ja) * | 2015-07-21 | 2019-11-13 | 株式会社Soken | 物体検出装置及び物体検出方法 |
| JP6663250B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2020-03-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2018102002A1 (en) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | Molecular Imprints, Inc. | Configuring optical layers in imprint lithography processes |
| JP6952121B2 (ja) | 2017-02-01 | 2021-10-20 | モレキュラー インプリンツ, インコーポレイテッドMolecular Imprints,Inc. | インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 |
-
2018
- 2018-01-31 JP JP2019541249A patent/JP6952121B2/ja active Active
- 2018-01-31 CN CN202310432964.2A patent/CN116449646A/zh active Pending
- 2018-01-31 EP EP18747154.5A patent/EP3577522A4/en active Pending
- 2018-01-31 KR KR1020217039642A patent/KR102565288B1/ko active Active
- 2018-01-31 WO PCT/US2018/016156 patent/WO2018144549A1/en not_active Ceased
- 2018-01-31 TW TW107103507A patent/TWI748051B/zh active
- 2018-01-31 CN CN201880015078.7A patent/CN110383168B/zh active Active
- 2018-01-31 KR KR1020197025290A patent/KR102337213B1/ko active Active
- 2018-01-31 US US15/885,294 patent/US10379438B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-27 US US16/455,182 patent/US10747108B2/en active Active
-
2020
- 2020-07-02 US US16/920,042 patent/US11237479B2/en active Active
-
2021
- 2021-09-27 JP JP2021156380A patent/JP7324257B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110383168B (zh) | 2023-04-28 |
| CN116449646A (zh) | 2023-07-18 |
| TWI748051B (zh) | 2021-12-01 |
| KR20190111099A (ko) | 2019-10-01 |
| JP2022023065A (ja) | 2022-02-07 |
| EP3577522A1 (en) | 2019-12-11 |
| KR20210152002A (ko) | 2021-12-14 |
| KR102565288B1 (ko) | 2023-08-08 |
| CN110383168A (zh) | 2019-10-25 |
| JP7324257B2 (ja) | 2023-08-09 |
| US11237479B2 (en) | 2022-02-01 |
| US20190317399A1 (en) | 2019-10-17 |
| TW201841063A (zh) | 2018-11-16 |
| KR102337213B1 (ko) | 2021-12-07 |
| JP2020506546A (ja) | 2020-02-27 |
| WO2018144549A1 (en) | 2018-08-09 |
| US10747108B2 (en) | 2020-08-18 |
| US10379438B2 (en) | 2019-08-13 |
| US20180217495A1 (en) | 2018-08-02 |
| US20200333705A1 (en) | 2020-10-22 |
| EP3577522A4 (en) | 2020-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7008157B2 (ja) | インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 | |
| TWI426353B (zh) | 壓印微影系統及壓印方法 | |
| WO2006109425A1 (ja) | 光造形方法 | |
| JP6924248B2 (ja) | フレーム硬化テンプレート、およびフレーム硬化テンプレートを使用する方法 | |
| JP7324257B2 (ja) | インプリントリソグラフィプロセスにおける光学層の構成 | |
| WO2007023724A1 (ja) | 光造形装置および光造形方法 | |
| KR102006451B1 (ko) | 광 유도 현상을 이용한 3차원 구조물의 제조 장치 및 방법 | |
| JP4650161B2 (ja) | 光造形装置および光造形方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210129 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210129 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210129 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20210304 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210311 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210604 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210827 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210927 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6952121 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |