JP6941711B2 - 金属錯体及びそれを含有する発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、金属錯体、金属錯体を含有する組成物、及び、金属錯体を含有する発光素子に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物が種々検討されている。このような燐光発光性化合物としては、中心金属が第５周期又は第６周期に属する遷移金属である金属錯体が数多く検討されている。例えば、特許文献１では、デンドロンを有するフェニルピリジン構造を配位子として有する金属錯体（例えば、下記式で表される金属錯体）が提案されている。

特開２０１１−１０５７０１号公報

しかし、上記金属錯体を用いて作製された発光素子は、長期劣化の抑制が必ずしも十分ではなかった。

そこで、本発明は、長期劣化が抑制された発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することを目的とする。本発明はまた、該金属錯体を含有する組成物、及び、該金属錯体を含有する発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］〜［１１］を提供する。

［１］
式（１）で表される金属錯体。

［式中、
Ｍは、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ_１は、１、２又は３を表す。ｎ_２は、０、１又は２を表す。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は３であり、Ｍが白金原子又はパラジウム原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は２である。
環Ｒ^Ａは芳香族複素環を表し、当該芳香族複素環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合してそれぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
環Ｒ^Ｂ１及び環Ｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合してそれぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^Ｂ１及び環Ｒ^Ｂ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｙ^ａ及びＹ^ｂのうち一方は単結合であり、他方は式（Ｃ−１）：

（式中、
Ｒ^Ｃは、炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子又は鉛原子を表す。
環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合してそれぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^Ｃ１が有していてもよい置換基と環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。）
で表される基である。Ｙ^ａ及びＹ^ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１及びＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｒ^Ａ、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち少なくとも一つの環は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を置換基として有する。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１は、０以上の整数を表す。
Ａｒ^ＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［２］
前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１）で表される金属錯体、式（１−Ａ２）で表される金属錯体又は式（１−Ａ３）で表される金属錯体である、［１］に記載の金属錯体。

［式中、
Ｍ、ｎ^１、ｎ^２、Ｙ^ａ、Ｙ^ｂ及びＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。
Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３及びＥ^４は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３及びＥ^４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^１は存在しない。Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^２は存在しない。Ｅ^３が窒素原子の場合、Ｒ^３は存在しない。Ｅ^４が窒素原子の場合、Ｒ^４は存在しない。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１及びＲ^１２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^１０とＲ^１１、及び、Ｒ^５とＲ^１２は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
但し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、環Ｒ^Ｃ１が有する置換基及び環Ｒ^Ｃ２が有する置換基のうち、少なくとも一つは、前記式（Ｄ−Ａ）、前記式（Ｄ−Ｂ）又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。］
［３］
前記式（Ｃ−１）で表される基が、式（Ｃ−２）で表される基である、［１］又は［２］に記載の金属錯体。

［式中、Ｒ^Ｃは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３及びＲ^Ｃ２４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３及びＲ^Ｃ２４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Ｃ１１とＲ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１２とＲ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１３とＲ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１４とＲ^Ｃ２４、Ｒ^Ｃ２４とＲ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２３とＲ^Ｃ２２、及び、Ｒ^Ｃ２２とＲ^Ｃ２１は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
但し、環Ｒ^Ｂ１が有する置換基、環Ｒ^Ｂ２が有する置換基、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３及びＲ^Ｃ２４のうち、少なくとも一つは、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。］
［４］
前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１−１）で表される金属錯体である、請求項［３］に記載の金属錯体。

［式中、Ｍ、ｎ^１、ｎ^２、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２４、及び、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。］
［５］
環Ｒ^Ａが、前記式（Ｄ−Ａ）、前記式（Ｄ−Ｂ）又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を置換基として有する、［１］〜［４］のいずれかに記載の金属錯体。
［６］
環Ｒ^Ａが、六員環であり、且つ、環Ｒ^Ｂ１と結合する炭素原子に対するパラ位に、前記式（Ｄ−Ａ）、前記式（Ｄ−Ｂ）又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を有する、［５］に記載の金属錯体。
［７］
前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、式（Ｄ−Ａ１）で表される基、式（Ｄ−Ａ２）で表される基、式（Ｄ−Ａ３）で表される基、式（Ｄ−Ａ４）で表される基又は式（Ｄ−Ａ５）で表される基である、［１］〜［６］のいずれかに記載の金属錯体。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３及びＲ^ｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ４が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎ^ｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎ^ｐ２は０〜３の整数を表し、ｎ^ｐ３は０又は１を表し、ｎ^ｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎ^ｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
［８］
環Ｒ^Ａがピリジン環である、［１］〜［７］のいずれかに記載の金属錯体。
［９］
［１］〜［８］のいずれかに記載の金属錯体と、
式（Ｈ−１）で表される化合物及び式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種とを含有する組成物。

［式中、
Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^Ｈ１及びｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^Ｈ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ３は、０以上の整数を表す。
Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［１０］
［１］〜［８］のいずれかに記載の金属錯体と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
［１１］
［１］〜［８］のいずれかに記載の金属錯体を含有する発光素子。

本発明によれば、長期劣化が抑制された発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することができる。また、本発明によれば、該金属錯体を含有する組成物、及び、該金属錯体を含有する発光素子を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。

水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３以上（例えば、１×１０^３〜１×１０^８）である重合体を意味する。
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。高分子化合物中に２個以上存在する構成単位は、一般に、「繰り返し単位」とも呼ばれる。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性又は輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。高分子化合物の末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介して高分子化合物の主鎖と結合するアリール基又は１価の複素環基が挙げられる。

「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
アルキル基は、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基及びドデシル基が挙げられる。また、アルキル基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。このようなアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基が挙げられる。

「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
アリール基は、置換基を有していてもよい。アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基が挙げられる。また、アリール基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。

「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。また、アルコキシ基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。

「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルコキシ基としては、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基が挙げられる。また、アリールオキシ基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基が挙げられる。また、１価の複素環基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基であってもよい。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基（好ましくは第２級アミノ基又は第３級アミノ基、より好ましくは第３級アミノ基）が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。アミノ基が有する置換基が複数存在する場合、それらは同一で異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する窒素原子とともに環を形成していてもよい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基（例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基）、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基（例えば、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基）が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。シクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロオクタトリエニル基、ノルボルニレニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよい。アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。シクロアルキニル基としては、例えば、シクロオクチニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよい。アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。アリーレン基は、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

（式中、Ｒ及びＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。）

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよい。２価の複素環基としては、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール又はトリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられる。また、２価の複素環基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基であってもよい。２価の複素環基は、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

（式中、Ｒ及びＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。）

「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基である。架橋基は、好ましくは、式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−１８）のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよく、各基が有する置換基同士が結合して環を形成していてもよい。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

＜金属錯体＞
次に、本実施形態の金属錯体について説明する。本実施形態の金属錯体は、式（１）で表される金属錯体である。

式（１）で表される金属錯体は、通常、室温（２５℃）で燐光発光性を示す金属錯体であり、好ましくは、室温で三重項励起状態からの発光を示す金属錯体である。

式（１）で表される金属錯体は、中心金属であるＭと、添え字ｎ^１でその数を規定されている配位子と、添え字ｎ^２でその数を規定されている配位子とから構成されている。

Ｍは、本実施形態の金属錯体を用いた発光素子の長期劣化がより抑制されるため、イリジウム原子であることが好ましい。

ｎ^２は、本実施形態の金属錯体を用いた発光素子の長期劣化がより抑制されるため、０であること（換言すれば、例えば、Ｍがイリジウム原子である場合、ｎ^１は３であること）が好ましい。

環Ｒ^Ａにおいて、芳香族複素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜３０であり、より好ましくは、４〜１５である。

環Ｒ^Ａにおける芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環、トリアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環及びジヒドロフェナジン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環又はカルバゾール環であり、更に好ましくは、ピリジン環又はジアザベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^Ａは、置換基として式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を有していてもよい。

式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基以外に、環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、本実施形態の金属錯体の合成が容易になるため、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子がより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましい。

環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基において、アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４０であり、より好ましくは６〜２５である。

環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基において、アリール基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、又は、これらの環が縮合した環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環又はトリフェニレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環又はスピロビフルオレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくはベンゼン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基において、アリールオキシ基としては、−Ｏ−Ａｒ^１（Ａｒ^１はアリール基を示し、当該アリール基は置換基を有していてもよい）で表される基が挙げられる。Ａｒ^１のアリール基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基において、１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜３０であり、より好ましくは、３〜１５である。

環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基において、１価の複素環基としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環、トリアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環、ジヒドロフェナジン環、又は、これらの環に芳香環が縮合した環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくは、トリアジン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基における置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。アミノ基が有する置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基において、ハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２において、芳香族炭化水素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２における芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピレン環、クリセン環及びトリフェニレン環が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環又はジヒドロフェナントレン環、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環又はスピロビフルオレン環であり、更に好ましくはベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２において、芳香族複素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜３０であり、より好ましくは、４〜１５である。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２における芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環、トリアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環及びジヒドロフェナジン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環又はカルバゾール環であり、更に好ましくは、ピリジン環又はジアザベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２は、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち少なくとも一つが芳香族炭化水素環であることが好ましく、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち２つ以上が芳香族炭化水素環であることがより好ましく、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２の全てが芳香族炭化水素環であることが更に好ましい。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２は、置換基として式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を有していてもよい。

式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基以外に、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基がより好ましく、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、１価の複素環基が特に好ましい。これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基において、アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４０であり、より好ましくは６〜２５である。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基において、アリール基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、又は、これらの環が縮合した環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環又はトリフェニレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環又はスピロビフルオレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくはベンゼン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基において、アリールオキシ基としては、−Ｏ−Ａｒ^２（Ａｒ^２はアリール基を示し、当該アリール基は置換基を有していてもよい）で表される基が挙げられる。Ａｒ^２のアリール基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基において、１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜３０であり、より好ましくは、３〜１５である。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基において、１価の複素環基としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環、トリアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環、ジヒドロフェナジン環、又は、これらの環に芳香環が縮合した環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくは、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、特に好ましくは、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基における置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。アミノ基が有する置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基において、ハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲と同じである。

本実施形態の金属錯体を含有する発光素子の長期劣化がより抑制されるので、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち、少なくとも１つが置換基としてアリール基又は１価の複素環基を有することが好ましく、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち、少なくとも１つが置換基としてアリール基を有することがより好ましく、環Ｒ^Ｂ２が置換基としてアリール基を有することが更に好ましい。

環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち、少なくとも１つがアリール基又は１価の複素環基を有する場合、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が置換基として有するアリール基及び１価の複素環基の合計の個数は、好ましくは１〜５個であり、より好ましくは、１〜３個であり、更に好ましくは１又は２個であり、特に好ましくは１個である。

Ｒ^Ｃは、本実施形態の金属錯体を含有する発光素子の長期劣化がより抑制されるので、好ましくは炭素原子、ケイ素原子又はゲルマニウム原子であり、より好ましくは炭素原子又はケイ素原子であり、更に好ましくは炭素原子である。

式（Ｃ−１）で表される基としては、例えば、式（Ｃ−２）で表される基が挙げられる。

Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３及びＲ^Ｃ２４におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３及びＲ^Ｃ２４における各基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３及びＲ^Ｃ２４は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基以外の基である場合は、長期劣化がより抑制されるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基であることが更に好ましい。

式（１）で表される金属錯体において、環Ｒ^Ａ、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち少なくとも一つの環は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を置換基として有する。

式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基は、環Ｒ^Ａに置換していることが好ましい。また、環Ｒ^Ａが六員環であるとき、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基は、環Ｒ^Ｂ１と結合する炭素原子に対するパラ位（すなわち、例えば、後述の式（１−Ａ）におけるＲ^２）に置換していることが好ましい。これにより、本実施形態の金属錯体を含有する発光素子の長期劣化がより抑制される。

式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基のうち、本実施形態の金属錯体を含有する発光素子の長期劣化がより抑制されるため、式（Ｄ−Ａ）で表される基がより好ましく、式（Ｄ−Ａ１）、式（Ｄ−Ａ２）又は式（Ｄ−Ａ３）で表される基が更に好ましく、式（Ｄ−Ａ３）で表される基が特に好ましい。

式（１）で表される金属錯体としては、例えば、式（１−Ａ）で表される金属錯体が挙げられる。

［式中、Ｍ、ｎ^１、ｎ^２、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、Ｙ^ａ、Ｙ^ｂ及びＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。
Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３及びＥ^４は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３及びＥ^４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^１は存在しない。Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^２は存在しない。Ｅ^３が窒素原子の場合、Ｒ^３は存在しない。Ｅ^４が窒素原子の場合、Ｒ^４は存在しない。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３及びＥ^４は、本実施形態の金属錯体の合成が容易になるため、炭素原子であることが好ましい。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４における各基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基以外の基である場合は、本実施形態の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。

式（１−Ａ）で表される金属錯体としては、例えば、式（１−Ａ１）で表される金属錯体、式（１−Ａ２）で表される金属錯体、及び、式（１−Ａ３）で表される金属錯体が挙げられる。

Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１及びＲ^１２におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環Ｒ^Ｂ１及び環Ｒ^Ｂ２が有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１及びＲ^１２における各基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^Ｂ１及び環Ｒ^Ｂ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１及びＲ^１２は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基以外の基である場合は、長期劣化がより抑制されるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基であることが更に好ましい。

本実施形態の金属錯体を含有する発光素子の長期劣化がより抑制されるので、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９のうち少なくとも一つが、アリール基又は１価の複素環基（より好ましくはアリール基）であることが好ましく、Ｒ^７及びＲ^８のうち少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基（更に好ましくはアリール基）であることがより好ましい。

式（１−Ａ１）で表される金属錯体としては、例えば、式（１−Ａ１−１）で表される金属錯体が挙げられる。

・式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは２以下の整数であり、更に好ましくは０又は１である。ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^ＤＡは、好ましくは芳香族炭化水素基又は複素環基であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環又はカルバゾール環から環を構成する炭素原子又は窒素原子に直接結合する水素原子３個を除いてなる基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｇ^ＤＡが有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、更に好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｇ^ＤＡが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｇ^ＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜式（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、より好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜式（ＧＤＡ−１４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＧＤＡ−１１）又は式（ＧＤＡ−１４）で表される基である。

［式中、
＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。
＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ４、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ６との結合を表す。
＊＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ５、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ７との結合を表す。
Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^ＤＡが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基が好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^ＤＡが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基が好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はカルバゾールジイル基であり、より好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜式（ＡｒＤＡ−５）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜式（ＡｒＤＡ−３）で表される基であり、特に好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）又は式（ＡｒＤＡ−２）で表される基であり、とりわけ好ましくは式（ＡｒＤＡ−２）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｇ^ＤＡが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

［式中、
Ｒ^ＤＡは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^ＤＢは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^ＤＢが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^ＤＢが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｔ^ＤＡが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｔ^ＤＡが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｔ^ＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜式（ＴＤＡ−３）で表される基であり、より好ましくは式（ＴＤＡ−１）で表される基である。

［式中、Ｒ^ＤＡ及びＲ^ＤＢは、前記と同じ意味を表す。］

式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ−Ａ３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３及びＲ^ｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ４が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

式（Ｄ−Ｂ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）〜式（Ｄ−Ｂ６）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）〜式（Ｄ−Ｂ３）、式（Ｄ−Ｂ５）又は式（Ｄ−Ｂ６）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）、式（Ｄ−Ｂ３）又は式（Ｄ−Ｂ５）で表される基であり、特に好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３及びＲ^ｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ４が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎｐ１は同一でも異なっていてもよい。複数あるｎ^ｐ２は、それらは同一でも異なっていてもよい。］

式（Ｄ−Ｃ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）〜式（Ｄ−Ｃ４）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）〜式（Ｄ−Ｃ３）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）又は式（Ｄ−Ｃ２）で表される基であり、特に好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎ^ｐ４は０〜４の整数を表し、ｎ^ｐ５は０〜５の整数を表し、ｎ^ｐ６は０〜５の整数を表す。］

ｎ^ｐ１は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１である。ｎ^ｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎ^ｐ３は好ましくは０である。ｎ^ｐ４は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０である。ｎ^ｐ５は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０又は１である。ｎ^ｐ６は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１である。

Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６におけるアルキル基は、好ましくは炭素原子数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基である。
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６におけるシクロアルキル基は、好ましくは炭素原子数５〜６のシクロアルキル基であり、より好ましくはシクロヘキシル基である。

Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６におけるアルコキシ基は、好ましくは炭素原子数１〜６のアルコキシ基であり、より好ましくはメトキシ基又は２−エチルヘキシルオキシ基である。
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６におけるシクロアルコキシ基は、好ましくは炭素原子数５〜６のシクロアルコキシ基であり、より好ましくはシクロへキシルオキシ基である。

Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６は、好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基であり、より好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基であり、更に好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基である。

Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６が有していてもよい置換基としては、アルキル基又はシクロアルキル基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基又はシクロアルキル基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｄ−Ａ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ａ−１）〜式（Ｄ−Ａ−１２）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｄは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｄが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Ｄにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びシクロアルコキシ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６におけるアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びシクロアルコキシ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^Ｄが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

金属錯体の量子収率の観点から、Ｒ^Ｄは、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基又はシクロへキシルオキシ基であることが好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基であることがより好ましく、水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−オクチル基であることが更に好ましい。

式（Ｄ−Ｂ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｂ−１）〜式（Ｄ−Ｂ−７）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｄは前記と同じ意味を表す。］

式（Ｄ−Ｃ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｃ−１）〜式（Ｄ−Ｃ−１３）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｄは前記と同じ意味を表す。］

・アニオン性の２座配位子
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。但し、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ^１でその数を定義されている配位子とは異なる。

［式中、
＊は、Ｍと結合する部位を表す。
Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はフッ素原子であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｌ２は、アルキル基又はアリール基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｌ１が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｌ１が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｌ２が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｌ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（１）で表される金属錯体としては、例えば、式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２０）で表される金属錯体が挙げられる。これらの中でも、本実施形態の金属錯体の量子収率がより優れるため、式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−８）、式（Ｉｒ−１３）〜式（Ｉｒ−１６）で表される金属錯体が好ましく、式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−８）で表される金属錯体がより好ましい。これらの中でも、本実施形態の金属錯体の合成が容易になるため、式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−４）で表される金属錯体が更に好ましく、式（Ｉｒ−１）又は式（Ｉｒ−３）で表される金属錯体が特に好ましい。

式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２０）中、
Ｒ^Ｌ５は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、４位及び６位にアリール基を置換基として有する１，３，５−トリアジン−２−イル基、４位及び６位にアリール基を置換基として有する１，３−ピリミジン−２−イル基、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。Ｒ^Ｌ５が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^１ａは式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。Ｚ^１ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^Ｌ５におけるアルキル基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６におけるアルキル基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^Ｌ５におけるシクロアルキル基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６におけるシクロアルキル基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^Ｌ５におけるアリール基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^Ａが有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^Ｌ５が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｌ５が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基又はアリール基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２０）中、
Ｒ^Ｌ５は、下記群ＩＩの式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−１５）で表される基及び下記群ＩＩＩの式（ＩＩＩ−１）〜式（ＩＩＩ−１７）で表される基から選ばれる基であることが好ましい。
Ｚ^１ａは、上記式（Ｄ−Ａ）で表される基に相当する下記群ＩＩＩの式（ＩＩＩ−１）〜式（ＩＩＩ−１７）で表される基から選ばれる基であることが好ましい。

＜群ＩＩ＞

＜群ＩＩＩ＞

式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２０）中、Ｚ^１ａとしては、式（ＩＩＩ−１）〜式（ＩＩＩ−１３）で表される基からなる群から選ばれる基であることがより好ましく、式（ＩＩＩ−７）〜式（ＩＩＩ−１３）で表される基からなる群から選ばれる基であることが特に好ましい。

式（１）で表される金属錯体の具体例としては、式（Ｉｒ−１０１）〜式（Ｉｒ−１１８）で表される金属錯体が挙げられる。

本実施形態の金属錯体を用いて得られる発光素子には、本実施形態の金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

式（１）で表される金属錯体には、複数の幾何異性体が考えられ、いずれの幾何異性体であってもよいが、本実施形態の金属錯体の発光スペクトルの半値幅がより優れるため、ｆａｃｉａｌ体が金属錯体全体に対して８０モル％以上であることが好ましく、９０モル％以上であることがより好ましく、９９モル％以上であることが更により好ましく、１００モル％（すなわち、他の幾何異性体を含まないこと）が特に好ましい。

＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞
［製造方法１］
本実施形態の金属錯体である式（１）で表される金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。

式（１）で表される金属錯体の中で、Ｍがイリジウム原子であり、ｎ_１が２又は３であるものは、例えば、
式（Ｍ１−１）で表される化合物と、イリジウム化合物又はその水和物とを反応させることで、式（Ｍ１−２）で表される金属錯体を合成する工程Ａ１、及び、
式（Ｍ１−２）で表される金属錯体と、式（Ｍ１−１）で表される化合物又はＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ１を含む方法により製造することができる。

工程Ａ１において、イリジウム化合物としては、例えば、塩化イリジウム、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）が挙げられ、イリジウム化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物が挙げられる。

工程Ａ１及び工程Ｂ１は、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水が挙げられる。

工程Ａ１及び工程Ｂ１において、反応時間は、通常、３０分〜１５０時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。

工程Ａ１において、式（Ｍ１−１）で表される化合物の量は、イリジウム化合物又はその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

工程Ｂ１において、式（Ｍ１−１）で表される化合物又はＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体の量は、式（Ｍ１−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、１〜１００モルである。

工程Ｂ１において、反応は、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で行うことが好ましい。銀化合物を用いる場合、その量は、式（Ｍ１−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

式（Ｍ１−１）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−３）で表される化合物と、式（Ｍ１−４）で表される化合物とを、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｋｕｍａｄａ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応等のカップリング反応させる工程により合成することができる。

［式（Ｍ１−３）中、環Ｒ^Ａ、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、Ｙ^ａ及びＹ^ｂは、前記と同じ意味を表す。但し、環Ｒ^Ａ、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち少なくとも一つの環は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基の代わりに、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を置換基として有する。
Ｒ^Ｗ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｗ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。］

式（Ｍ１−４）中、Ｚ^１は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表す。Ｗ^１は、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｗ１は、前記と同じ意味を表す。

−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基としては、例えば、式（Ｗ−１）〜式（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。

Ｗ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられる。
Ｗ^１で表されるアリールスルホニルオキシ基としては、例えば、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられる。

Ｗ^１としては、式（Ｍ１−４）で表される化合物と式（Ｍ１−３）で表される金属錯体とのカップリング反応が容易に進行するので、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が好ましく、これらの中でも、式（Ｍ１−４）で表される化合物の合成が容易であるため、塩素原子、臭素原子又は式（Ｗ−７）で表される基がより好ましい。

環Ｒ^Ａ、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち少なくとも一つの環が式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基の代わりに有する置換基における、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基及びアリールスルホニルオキシ基は、それぞれ、Ｗ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基及びアリールスルホニルオキシ基と同じ意味を表す。

Ｚ^１としては、式（Ｄ−Ａ）で表される基が好ましく、式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）で表される基がより好ましい。

式（Ｍ１−３）で表される化合物と式（Ｍ１−４）で表される化合物とのカップリング反応は、通常、溶媒中で行う。用いられる溶媒、反応時間及び反応温度は、工程Ａ１及び工程Ｂ１について説明したものと同じであってよい。

式（Ｍ１−３）で表される化合物と式（Ｍ１−４）で表される化合物とのカップリング反応において、式（Ｍ１−４）で表される化合物の量は、式（Ｍ１−３）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０５〜２０モルである。

式（Ｍ１−４）で表される化合物としては、例えば、Ｚ^１が式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）で表される基であり、且つ、Ｗ^１が−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、臭素原子又はヨウ素原子である化合物が挙げられる。

式（Ｍ１−４）で表される化合物の実施形態の１つである式（Ｍ１−４−１）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。

［式中、
Ｒ^ｐ１及びｎ^ｐ１は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^２は−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

式（Ｍ１−４−１）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−４−１ａ）で表される化合物と、式（Ｍ１−４−１ｂ）で表される化合物とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同様の反応であってよい。

式（Ｍ１−４）で表される化合物の実施形態の１つである式（Ｍ１−４−２）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。

［式中、Ｒ^ｐ１、ｎ^ｐ１及びＷ^２は、前記と同じ意味を表す。］

式（Ｍ１−４−２ｃ）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−４−２ａ）で表される化合物と、式（Ｍ１−４−２ｂ）で表される化合物とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同様の反応であってよい。

式（Ｍ１−４−２）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−４−２ｃ）で表される化合物と、式（Ｍ１−４−２ｄ）で表される化合物とを、石山−宮浦−Ｈａｒｔｗｉｇ反応させることにより合成することができる。

式（Ｍ１−３）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−５）で表される化合物と、式（Ｍ１−６）で表される化合物とを、カップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同様の反応であってよい。

［式（Ｍ１−５）中、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、Ｙ^ａ及びＹ^ｂは、前記と同じ意味を表す。また、式（Ｍ１−６）中、環Ｒ^Ａは、前記と同じ意味を表す。但し、環Ｒ^Ａ、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち少なくとも一つの環は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基の代わりに、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を置換基として有する。
Ｗ^３及びＷ^４は、それぞれ独立に、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

式（１）で表される金属錯体の中で、Ｍがイリジウム原子であり、ｎ_１が１であるものは、例えば、
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体と、イリジウム化合物又はその水和物とを反応させる工程Ａ１’、及び、
工程Ａ１’で得られた金属錯体と、式（Ｍ１−１）で表される化合物とを反応させる工程Ｂ１’を含む方法により製造することができる。
工程Ａ１’及び工程Ｂ１’は、それぞれ、工程Ａ１及び工程Ｂ１に準じて実施することができる。

［製造方法２］
本実施形態の金属錯体である式（１）で表される金属錯体は、例えば、金属錯体の前駆体と金属錯体の配位子の前駆体とを反応させる方法によっても製造することができる。

式（１）で表される金属錯体は、例えば、
上記式（Ｍ１−４）で表される化合物と、式（Ｍ１−７）で表される金属錯体とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同様の反応であってよい。

［式（Ｍ１−７）中、ｎ_１、ｎ_２、環Ｒ^Ａ、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、Ｙ^ａ、Ｙ^ｂ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。但し、環Ｒ^Ａ、環Ｒ^Ｂ１、環Ｒ^Ｂ２、環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２のうち少なくとも一つの環は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基の代わりに、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を置換基として有する。
Ｒ^Ｗ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｗ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。］

式（Ｍ１−７）で表される金属錯体は、例えば、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法１］における工程Ａ１及び工程Ｂ１において、式（Ｍ１−１）で表される化合物の代わりに、前記式（Ｍ１−３）で表される化合物を用いることで合成することができる。

＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞で説明した各反応において用いられる化合物、触媒及び溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜組成物＞
本実施形態の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（本実施形態の金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤及び溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本実施形態の金属錯体とを含有する。

本実施形態の組成物において、本実施形態の金属錯体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

［ホスト材料］
本実施形態の金属錯体は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性及び電子輸送性から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、本実施形態の金属錯体を用いて得られる発光素子の外部量子収率がより優れたものとなる。本実施形態の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

本実施形態の金属錯体と、ホスト材料とを含有する組成物において、本実施形態の金属錯体の含有量は、本実施形態の金属錯体とホスト材料との合計を１００質量部とした場合、通常、０．０１〜８０質量部であり、好ましくは０．０５〜４０質量部であり、より好ましくは０．１〜２０質量部であり、更に好ましくは１〜２０質量部である。

ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）は、本実施形態の組成物を用いて得られる発光素子の外部量子収率がより優れるため、本実施形態の金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）と同等のエネルギー準位、又は、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料としては、本実施形態の組成物を用いて得られる発光素子を溶液塗布プロセスにて作製する観点から、本実施形態の金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

ホスト材料は、低分子ホストと高分子ホストとに分類される。

・低分子ホスト
低分子ホストは、好ましくは、式（Ｈ−１）で表される化合物である。

［式中、
Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^Ｈ１及びｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^Ｈ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ３は、０以上の整数を表す。
Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることが更に好ましく、式（ＴＤＡ−１）又は（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、式（ＴＤＡ−３）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基又はシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

ｎ^Ｈ１は、好ましくは１である。ｎ^Ｈ２は、好ましくは０である。

ｎ^Ｈ３は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。

ｎ^Ｈ１１は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましくは１以上３以下の整数であり、更に好ましくは１である。

Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましい。

Ｌ^Ｈ１は、式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜式（Ａ−１０）、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−２１）又は式（ＡＡ−２４）〜式（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）又は式（ＡＡ−２９）〜式（ＡＡ−３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）又は式（ＡＡ−１４）で表される基であることが特に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）又は式（ＡＡ−１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。

Ｌ^Ｈ１が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１は、単結合又はアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の例及び好ましい範囲は、Ｌ^Ｈ１で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の例及び好ましい範囲と同様である。

Ｒ^Ｈ２１は、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｈ２１で表されるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２で表されるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同様である。

Ｒ^Ｈ２１が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同様である。

式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^Ｈ１、Ａｒ^Ｈ２、ｎ^Ｈ３及びＬ^Ｈ１は、前記と同じ意味を表す。］

ホスト材料に用いられる低分子化合物の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

・高分子ホスト
ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。

ホスト材料として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」ともいう。）に関して説明する。

高分子ホストとしては、式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）〜式（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）又は式（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）又は式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−１８）〜式（ＡＡ−２１）、式（Ａ−５３）又は式（Ａ−５４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）、式（ＡＡ−１４）又は式（ＡＡ−３３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

「アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^ＸＸは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−１０）で表される構成単位が挙げられ、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−３）で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−４）〜式（Ｙ−７）で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−８）〜式（Ｙ−１０）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Ｙ１は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Ｙ１は、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−又はＣ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Ｙ２は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基としては、好ましくは式（Ｙ−Ａ１）〜式（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の４個のＲ^Ｙ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数あるＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基は、好ましくは式（Ｙ−Ｂ１）〜式（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ２は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Ｙ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Ｙ４は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１０１）〜式（Ｙ−１２１）で表されるアリーレン基からなる構成単位、式（Ｙ−２０１）〜式（Ｙ−２０６）で表される２価の複素環基からなる構成単位、式（Ｙ−３０１）〜式（Ｙ−３０４）で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位は、高分子ホストと本実施形態の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜１００モル％であり、より好ましくは６０〜９５モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストと本実施形態の金属錯体との組成物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜３０モル％であり、より好ましくは３〜２０モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、ａ^Ｘ１及びａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

ａ^Ｘ１は、高分子ホストと本実施形態の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ^Ｘ２は、高分子ホストと本実施形態の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）又は式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（ＡＡ−１）、式（ＡＡ−２）又は式（ＡＡ−７）〜式（ＡＡ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）又は式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ）のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ１〜Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１〜Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｘ）で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ−１）〜式（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−１）〜式（Ｘ−６）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ−３）〜式（Ｘ−６）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜５０モル％であり、より好ましくは１〜４０モル％であり、更に好ましくは２〜３０モル％である。

式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１−１）〜式（Ｘ１−１７）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１−３）〜式（Ｘ１−１０）で表される構成単位である。

高分子ホストにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストとしては、例えば、表１の高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−７が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。その他の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、上記観点から、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

＜高分子ホストの製造方法＞
高分子ホストは、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応及びＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。

前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続又は分割して仕込む方法、単量体を連続又は分割して仕込む方法等が挙げられる。

遷移金属触媒としては、特に限定されないが、パラジウム触媒、ニッケル触媒が挙げられる。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独又は組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

本実施形態の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本実施形態の金属錯体１００質量部に対して、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

本実施形態の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本実施形態の金属錯体１００質量部に対して、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；式（Ｘ）で表される基を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

本実施形態の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の配合量は、各々、本実施形態の金属錯体１００質量部に対して、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。

［発光材料］
発光材料（本実施形態の金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイルジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、低分子化合物及び高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体及び高分子化合物を含む。

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

本実施形態の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の金属錯体１００質量部に対して、通常、０．１〜４００質量部である。

本実施形態の金属錯体及び溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。

インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。

インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−デカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の配合量は、本実施形態の金属錯体１００質量部に対して、通常、１０００〜１０００００質量部であり、好ましくは２０００〜２００００質量部である。

＜膜＞
膜は、本実施形態の金属錯体を含有する。

膜には、本実施形態の金属錯体を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、本実施形態の金属錯体を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるため、発光素子の積層化に好適に使用することができる。

膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、２５〜３００℃であり、外部量子収率が良好になるので、好ましくは５０〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２００℃である。

膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

膜は、発光素子における正孔輸送層又は正孔注入層として好適である。

膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。

膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１０μｍである。

＜発光素子＞
本実施形態の発光素子は、本実施形態の金属錯体を用いて得られる発光素子であり、本実施形態の金属錯体が分子内又は分子間で架橋されたものであってもよく、本実施形態の金属錯体が分子内及び分子間で架橋されたものであってもよい。
本実施形態の発光素子の構成としては、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本実施形態の金属錯体を用いて得られる層とを有する。

［層構成］
本実施形態の金属錯体を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本実施形態の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び電子注入層の材料としては、本実施形態の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料及び電子注入材料が挙げられる。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料及び発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層及び発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

本実施形態の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数及び厚さは、外部量子収率及び素子寿命を勘案して調整すればよい。

［基板／電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極及び陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［用途］
本実施形態の発光素子は、例えば、ディスプレイ、照明に有用である。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

ＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：１２９０ Ｉｎｆｉｎｉｔｙ ＬＣ及び６２３０ ＴＯＦ ＬＣ／ＭＳ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＳＵＭＩＰＡＸ ＯＤＳ Ｚ−ＣＬＵＥ（住化分析センター製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（ＪＥＯＬ ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製、商品名：ＪＮＭ−ＥＣＺ４００Ｓ／Ｌ１、又は、ブルカー製、商品名：ＡＶＡＮＣＥ６００）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０〜０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＳＵＭＩＰＡＸ ＯＤＳ Ｚ−ＣＬＵＥ（住化分析センター製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒径３μｍ）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

化合物の純度の指標として、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＧＣ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、商品名：Ａｇｉｌｅｎｔ７８２０）での値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＧＣに１〜１０μＬ注入した。キャリヤーはヘリウムを用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムオーブンは５０℃〜３００℃まで変化させながら用いた。ヒーター温度は注入口２８０℃、検出器３２０℃とした。カラムは、ＳＧＥ製ＢＰＸ−５（３０ｍ×０．２５ｍｍ×０．２５μｍ）を用いた。

ＴＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料をトルエン、テトラヒドロフラン又はクロロホルムのいずれかの溶媒に任意の濃度で溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製、商品名：ＹＳＫ５−１００）上に塗布し、ＴＬＣ−ＭＳ（日本電子社製、商品名：ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００〜４００℃の範囲で調節した。

＜実施例１＞ 金属錯体Ｍ１の合成

（化合物Ｌ１Ａの合成）
化合物Ｌ１Ａは、特開２０１１−１７４０６２号公報に記載の方法に準じて合成した。

（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｌ１Ｂの合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ａ（３００ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（２５８ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（１５ｇ）、酢酸カリウム（１３６ｇ）、及び１，２−ジメトキシエタン（３Ｌ）を加え、８０℃で１時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、イオン交換水（２．７Ｌ）とｎ−ヘプタン（１．４Ｌ）を加え、水層を除去し、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、アセトニトリルを用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ１Ｂ（３００ｇ）を得た。化合物Ｌ１ＢのＧＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｌ１Ｄの合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｂ（７３ｇ）、化合物Ｌ１Ｃ（７５ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４．５ｇ）、３５質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３２８ｇ）、イオン交換水（１９０ｍＬ）、及びトルエン（１０４０ｍＬ）を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、イオン交換水（４００ｍＬ）を加え、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びｎ−ヘキサンの混合溶媒）により精製することで、化合物Ｌ１Ｄ（７９ｇ）を得た。化合物Ｌ１ＤのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．３％であった。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５０２［Ｍ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ（ｐｐｍ）＝７．８９（ｓ，１Ｈ），７．８１−７．７３（ｍ，２Ｈ），７．６８−７．５８（ｍ，２Ｈ），７．４７（ｄ，１Ｈ），７．２７（ｓ，２Ｈ），７．０５（ｓ，１Ｈ），２．６９−２．６１（ｍ，４Ｈ），１．７０−１．６０（ｍ，４Ｈ），１．４３−１．２８（ｍ，１２Ｈ），０．９４−０．８５（ｍ，６Ｈ）．

（Ｓｔａｇｅ３：化合物Ｌ１Ｅの合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、２−ブロモジフェニル（５３ｇ）、及びテトラヒドロフラン（１３００ｇ）を加え、−７０℃に冷却した。そこへ、１．６Ｍｎ−ブチルリチウムｎ−ヘキサン溶液（１３９ｍＬ）をゆっくり加え、−７０℃で１時間撹拌した。そこへ、化合物Ｌ１Ｄ（７２ｇ）、トルエン（７２ｇ）、及びテトラヒドロフラン（２１６ｇ）の混合物をゆっくり加え、その後、−６５℃で２時間撹拌した。そこへ、メタノール（７２ｇ）をゆっくり加え、得られた反応液を室温とした後、イオン交換水（３６０ｇ）とトルエン（３６０ｇ）を加え、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びｎ−ヘキサンの混合溶媒）により精製することで、化合物Ｌ１Ｅ（７５ｇ）を得た。化合物Ｌ１ＥのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝６３９［Ｍ−ＯＨ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ（ｐｐｍ）＝８．４５（ｄ，１Ｈ），７．５８−７．５２（ｍ，１Ｈ），７．４７−７．４３（ｍ，１Ｈ），７．４０−７．３１（ｍ，４Ｈ），７．２２−７．１６（ｍ，３Ｈ），７．０８（ｄ，１Ｈ）６．９９（ｓ，１Ｈ），６．９２−６．８３（ｍ，２Ｈ），６．７５−６．００（ｍ，２Ｈ），６，１４−６．０３（ｍ，２Ｈ），２．６７−２．５８（ｍ，４Ｈ），２．４８（ｓ，１Ｈ），１．６８−１．５８（ｍ，４Ｈ），１．４１−１．２６（ｍ，１２Ｈ），０．９３−０．８６（ｍ，６Ｈ）．

（Ｓｔａｇｅ４：化合物Ｌ１Ｆの合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｅ（７４ｇ）、及びトルエン（８５６ｍＬ）を加え、０℃に冷却した。そこへ、濃硫酸（１７ｇ）をゆっくり加え、０℃で３時間撹拌した。そこへ、イオン交換水（７４２ｇ）をゆっくり加え、その後、トルエン（７４２ｇ）を加え、得られた反応液を室温で４０分撹拌した。水層を除去し、得られた有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、次いでイオン交換で洗浄し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いた
晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ１Ｆ（６８ｇ）を得た。化合物Ｌ１ＦのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝６３９［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ（ｐｐｍ）＝７．９３−７．８８（ｍ，３Ｈ），７．７７（ｄ，１Ｈ），７．６５（ｄｄ，１Ｈ），７．５２（ｄｄ，１Ｈ），７．４１（ｔ，２Ｈ），７．１６（ｔ，２Ｈ），７．０４（ｓ，２Ｈ），６．９３−６．９０（ｍ，２Ｈ），６．８３−６．７４（ｍ，３Ｈ），２．５７−２．４９（ｍ，４Ｈ），１．５９−１．４９（ｍ，４Ｈ），１．３４−１．２２（ｍ，１２Ｈ），０．８９−０．８３（ｍ，６Ｈ）．

（Ｓｔａｇｅ５：化合物Ｌ１Ｇの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｆ（１４ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（６．４ｇ）、シクロペンチルメチルエーテル（１３５ｍＬ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（８６０ｍｇ）及び酢酸カリウム（４．１ｇ）を加え、１００℃で６時間撹拌した。
その後、そこへｎ−ヘプタンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥後、トルエン／ヘプタンで溶解後、活性炭を加えて３０分攪拌後、セライトを敷いたろ過器でろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ１Ｇ（１３．２ｇ）を白色の固体として得た。化合物Ｌ１ＧのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝６８７［Ｍ＋Ｈ］^＋

（Ｓｔａｇｅ６：化合物Ｌ１Ｈの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｇ（１３ｇ）、２，５−ジブロモピリジン（４．５ｇ）、トルエン（１２０ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５６ｇ）を加え、６５℃で１５時間撹拌した。
その後、そこへ、ｎ−ヘプタン加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
得られた油状物を、トルエン、ｎ−ヘプタン及び活性炭を加え、６０℃で３０分攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮後トルエン、ｎ−ヘプタン及びエタノールで、晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ１Ｈ（７．３ｇ）を白色固体として得た。化合物Ｌ１ＨのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ（ｐｐｍ）＝８．５７（ｓ，１Ｈ），８．０３−７．９１（ｍ，５Ｈ），７．７８（ｄ，１Ｈ），７．６８（ｄ，１Ｈ），７．５２（ｄ，１Ｈ），７．４１（ｔ，２Ｈ），７．３１（ｓ，１Ｈ），７．１４（ｔ，２Ｈ），７．０４（ｓ，２Ｈ），６．９３（ｄ，２Ｈ），６．７８（ｄ，２Ｈ），２．５３（ｔ，４Ｈ），１．５９−１．４９（ｍ，４Ｈ），１．３３−１．２２（ｍ，１２Ｈ），０．８８−０．８３（ｍ，６Ｈ）．

（Ｓｔａｇｅ７：化合物Ｌ１Ｉの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｈ（７．３ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（３．４ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（２９０ｍｇ）、酢酸カリウム（３．２ｇ）及び１，２−ジメトキシエタン（６０ｍＬ）を加え、加熱還流下で３時間攪拌した。
その後、そこへ、トルエン（９０ｍＬ）を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへトルエン、ｎ−ヘプタン及び活性炭を加え、室温で３０分攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮し、更にトルエン／アセトニトリルで晶析することにより、化合物Ｌ１Ｉ（７．８ｇ）を白色固体として得た。化合物Ｌ１ＩのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝７６４［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝８．８９（ｓ，１Ｈ），８．１５（ｄ，１Ｈ），７．９７−７．８８（ｍ，５Ｈ），７．６３（ｄ，１Ｈ），７．５１（ｄ，１Ｈ），７．３９（ｔ，２Ｈ），７．３２（ｓ，１Ｈ），７．１４（ｔ，２Ｈ），７．０３（ｓ，２Ｈ），６．９０（ｍ，２Ｈ），６．８３（ｄ，２Ｈ），２．５４（ｔ，４Ｈ），１．５９−１．４９（ｍ，４Ｈ），１．３３−１．２２（ｍ，２４Ｈ），０．８８−０．８３（ｍ，６Ｈ）．

（Ｓｔａｇｅ８：化合物Ｌ１の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｉ（７．０ｇ）、化合物Ｌ１Ｊ（３．７ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２１０ｍｇ）、トルエン（７０ｍＬ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２７ｇ）を加え、７０℃で３時間撹拌した。なお、化合物Ｌ１Ｊは、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。
その後、そこへトルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥後、更にトルエン／エタノールで晶析することにより化合物Ｌ１（８．３ｇ）を淡黄色固体として得た。化合物Ｌ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝９．８９（ｓ，１Ｈ），８．８８（ｄ，１Ｈ），８．６３（ｄ，４Ｈ），８．２５（ｄ，１Ｈ），８．０２−７．８９（ｍ，４Ｈ），７．７６（ｄ，１Ｈ），７．６６（ｄ，１Ｈ），７．５８（ｄ，４Ｈ），７．４８（ｓ，１Ｈ），７．３９（ｔ，１Ｈ），７．１７−７．１３（ｍ，３Ｈ），７．０６（ｓ，２Ｈ），６．９４（ｓ，１Ｈ），６．９０（ｓ，１Ｈ），６．８６（ｄ，２Ｈ），２．５６（ｔ，４Ｈ），１．５９−１．４９（ｍ，４Ｈ），１．３３−１．２４（ｍ，１２Ｈ），０．８８−０．８３（ｍ，６Ｈ）．

（Ｓｔａｇｅ９：金属錯体Ｍ１ａの合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、イオン交換水（５ｍＬ）、塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（６５ｍｇ）、化合物Ｌ１（４．０ｇ）及び２−ブトキシエタノール（４０ｍＬ）を加え、１０５℃で１時間攪拌した。その後、１５０℃で６５時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（９０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、得られた残渣を減圧乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製した後、減圧濃縮後、金属錯体Ｍ１ａを含む赤色固体（２．８ｇ）を得た。

（Ｓｔａｇｅ１０：金属錯体Ｍ１の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ１ａを含む赤色固体（８００ｍｇ）、化合物Ｌ１（２１０ｍｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）（１２２ｍｇ）、２，６−ルチジン（８６０μＬ）及びジエチレングリコールジメチルエーテル（６．４ｍＬ）を加え、１４０℃で８時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（４０ｍＬ）に加え、０℃で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、得られた残渣にトルエン（２０ｍＬ）を加え、活性炭を加えて３０分攪拌後、セライトを敷いたろ過器でろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）、晶析（トルエン／ｎ−ヘプタン／アセトニトリル）で順次精製した後、減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｍ１（５９０ｍｇ、塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物を３水和物とした場合のＩｒＣｌ_３・３Ｈ_２Ｏ仕込量に対して収率４０％）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２６２３［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜実施例２＞ 金属錯体Ｍ２の合成

（Ｓｔａｇｅ１：金属錯体Ｍ２の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、金属錯体Ｍ１ａ（１．００ｇ）、２，８−ジメチル−４，６−ノナンジオン（２１０ｍｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）（１２２ｍｇ）、炭酸ナトリウム（８１ｍｇ）、トルエン（５０ｍｌ）及び２−エトキシエタノール（２５ｍＬ）を加え、５０℃で３０分攪拌した。続いて８０℃で２時間撹拌した後、１００℃で２時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（４５ｍＬ）に加え、０℃で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、得られた残渣にジクロロメタン（２０ｍＬ）を加え、アミンシリカゲルを敷いたろ過器でろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体を晶析（ジクロロメタン／２−プロパノール）、トルエンで精製した後、減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｍ２（５６４ｍｇ、収率４４％）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ（ｐｐｍ）＝９．９９（ｄ、２Ｈ），９．０１（ｄ、１Ｈ），８．９９（ｄ、１Ｈ），８．８２−８．７７（ｍ、８Ｈ），７．９４（ｄ、４Ｈ），７．８８（ｄ、２Ｈ），７．６７−７．５５（ｍ、１２Ｈ），７．５２（ｄ、２Ｈ），７．４５−７．３７（ｍ、６Ｈ），７．２７−７．０８（ｍ、１２Ｈ），６．９２（ｄ、４Ｈ），６．８５−６．８０（ｍ、８Ｈ），５．４２（ｓ、１Ｈ），２．４６（ｔ、８Ｈ），２．２２−２．１１（ｍ、４Ｈ），１．７５−１．６５（ｍ、２Ｈ），１．４７（ｐｅｎｔａ、８Ｈ），１．２８−１．１５（ｍ、２４Ｈ），０．８１（ｔ、１２Ｈ），０．５７（ｄ、６Ｈ），０．５２（ｄ、６Ｈ）．

＜比較例１＞ 金属錯体ＣＭ１の合成

（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｌ１ｂの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１ａ（１２ｇ）、２，５−ジブロモピリジン（５．７ｇ）、トルエン（１４０ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブタノール（９０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（７０ｍＬ）、イオン交換水（４５ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５３０ｍｇ）及び４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６０ｇ）を加え、５０℃で１５時間撹拌した。
その後、そこへ、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ１ｂ（１０ｇ、収率８０％）を無色の油状物として得た。化合物Ｌ１ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５４６［Ｍ＋Ｈ］^＋

（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｌ１ｃの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１ｂ（１０ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（７．２ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２、７８０ｍｇ）、酢酸カリウム（５．６ｇ）及び１，２−ジメトキシエタン（６０ｍＬ）を加え、加熱還流下で２時間攪拌した。
その後、そこへ、トルエン（９０ｍＬ）を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへ、ヘキサン及び活性炭を加え、６０℃で１時間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ１ｃ（１２ｇ）を無色の油状物として得た。化合物Ｌ１ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。

（Ｓｔａｇｅ３：化合物ＣＬ１の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１ｃ（１２ｇ）、化合物Ｌ１Ｊ（８．７ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４４０ｍｇ）、トルエン（１０５ｍＬ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５６ｇ）を加え、７０℃で３時間撹拌した。
その後、そこへ、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥させることにより、化合物ＣＬ１（９．３ｇ）を淡黄色固体として得た。化合物ＣＬ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝８１２［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１０．０２（ｄ，１Ｈ），９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．７２（ｄｔ，４Ｈ），８．２３（ｓ，１Ｈ），８．１９（ｄｄ，１Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．８１−７．７８（ｍ，１Ｈ），７．６５（ｄｔ，４Ｈ），７．４３−７．３５（ｍ，３Ｈ），２．１８−２．０１（ｍ，４Ｈ），１．４３（ｓ，１８Ｈ），１．２１−１．０７（ｍ，２０Ｈ），０．８０（ｔ，６Ｈ），０．７５−０．５６（ｍ，４Ｈ）．

（Ｓｔａｇｅ４：金属錯体ＣＭ１ａの合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＬ１（４８０ｍｇ）及び２−エトキシエタノール（４０ｍＬ）を加え、６０℃まで加熱した。その後、そこへ、イオン交換水（１３ｍＬ）に溶解させた塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（８８ｍｇ）を加え、１０５℃で１５時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（８０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、得られた残渣を減圧乾燥させることにより、金属錯体ＣＭ１ａを含む赤色固体（４７０ｍｇ）を得た。

（Ｓｔａｇｅ５：金属錯体ＣＭ１の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＣＭ１ａを含む赤色固体（４７０ｍｇ）、化合物ＣＬ１（２１０ｍｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）（８７ｍｇ）、２，６−ルチジン（４０μＬ）及びジエチレングリコールジメチルエーテル（６．３ｍＬ）を加え、１５０℃で１７時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（２０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、得られた残渣にトルエン（２０ｍＬ）を加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）、再結晶（酢酸エチル／アセトニトリル）で順次精製した後、減圧乾燥させることにより、金属錯体ＣＭ１（２００ｍｇ、塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物を３水和物とした場合のＩｒＣｌ_３・３Ｈ_２Ｏ仕込量に対して収率３０％）を赤色固体として得た。金属錯体ＣＭ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３１３２［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜比較例２＞ 金属錯体ＣＭ２の合成

（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｌ２ｂの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、特開２０１２−１４４７２１号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｌ２ａ（８７．４ｇ）、及び、テトラヒドロフラン（脱水品、８７０ｍＬ）を加え、攪拌しながら−７４℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ−ブチルリチウムのへキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、１００ｍＬ）を加え、−７４℃で１時間攪拌した。その後、そこへ、イオン交換水（４４０ｍＬ）を加え、室温まで昇温させた後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をトルエンに溶解させた後、イオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
この油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ２ｂ（６３．５ｇ、収率８４％）を黄色の油状物として得た。化合物Ｌ２ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９３．０％を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５０２［Ｍ］^＋

（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｌ２ｃの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｂ（６３．５ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（３５．２ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（３．１ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（２．１ｇ）、酢酸カリウム（３７．１ｇ）及び１，４−ジオキサン（３７０ｍＬ）を加え、加熱還流下で３．５時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（５５０ｍＬ）を加え、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮した後、トルエン、活性白土及び活性炭を加え、６０℃で３０分間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ２ｃ（７８．５ｇ）を黄色の油状物として得た。化合物Ｌ２ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は８９．９％を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５５０［Ｍ］^＋

（Ｓｔａｇｅ３：化合物Ｌ２ｄの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｃ（６９．４ｇ）、２，５−ジブロモピリジン（３５．８ｇ）、トルエン（７６０ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブタノール（３８０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（５００ｍＬ）、イオン交換水（２５０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４．４ｇ）及び４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３３０ｍＬ）を加え、５０℃で１５時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
この油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）で精製し、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル及びアセトニトリルの混合溶媒）で精製した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ２ｄ（５７．２ｇ、収率７８％）を無色の油状物として得た。化合物Ｌ２ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５７９［Ｍ］^＋

（Ｓｔａｇｅ４：化合物Ｌ２ｅの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｄ（５６．９ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（３７．３ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（４．８ｇ）、酢酸カリウム（２８．９ｇ）及び１，２−ジメトキシエタン（３９０ｍＬ）を加え、加熱還流下で１．５時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（５９０ｍＬ）を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮した後、ヘキサン及び活性炭を加え、６５℃で１時間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ２ｅ（８２．１ｇ）を褐色の油状物として得た。化合物Ｌ２ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．６％を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝６２８［Ｍ＋Ｈ］^＋

（Ｓｔａｇｅ５：化合物ＣＬ２の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｅ（４１．４ｇ）、化合物Ｌ１J（３０．１ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４．６ｇ）、トルエン（３６０ｍＬ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３９０ｍＬ）を加え、７０℃で１２時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）で精製し、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル及びアセトニトリルの混合溶媒）で精製した後、酢酸エチル及びメタノールの混合溶媒を用いて再結晶することにより精製した。その後、４０℃で一晩減圧乾燥させることにより、化合物ＣＬ２（４５．５ｇ、収率８２％）を薄黄色固体として得た。化合物ＣＬ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．２％を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝８４５．５［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．９５（ｄ，１Ｈ），９．０２（ｄｄ，１Ｈ），８．７０（ｄｔ，４Ｈ），８．２１（ｄｄ，１Ｈ），８．０９（ｄ，１Ｈ），７．９６（ｔ，２Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．６３（ｄｔ，４Ｈ），７．４３−７．２７（ｍ，３Ｈ），６．８７（ｓ，３Ｈ），２．４９（ｔ，４Ｈ），１．９６（ｓ，３Ｈ），１．５８−１．２１（ｍ，３４Ｈ），０．８５（ｔ，６Ｈ）．

（Ｓｔａｇｅ６：金属錯体ＣＭ２ａの合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＬ２（３７６ｍｇ）及び２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）を加え、８０℃まで加熱した。その後、そこへ、イオン交換水（１０ｍＬ）に溶解させた塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（７１ｍｇ）を加え、１２０℃で１５時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（４０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、残渣を減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｍ２ａを含む固体（これを「固体Ａ」という。３８４ｍｇ）を得た。この操作を繰り返し行うことで、固体Ａの必要量を得た。
固体Ａをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）により精製した。その後、５０℃で一晩減圧乾燥させることにより、金属錯体ＣＭ２ａを含む赤色固体（これを「固体Ｂ」という。）を得た。

（Ｓｔａｇｅ７：金属錯体ＣＭ２の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、固体Ｂ（５００ｍｇ）、アセチルアセトン（２６０ｍｇ）、炭酸ナトリウム（２７７ｍｇ）及び２−エトキシエタノール（２７ｍＬ）を加え、１２０℃で３時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（１００ｍＬ）を加え、イオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
この固体をエタノールで洗浄し、ヘキサンで洗浄することにより精製した後、減圧乾燥させることにより、金属錯体ＣＭ２（３２０ｍｇ）を赤色固体として得た。金属錯体ＣＭ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．９％以上を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）： ｍ／ｚ＝２０１８［Ｍ＋Ｋ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．９７（ｄ，２Ｈ），９．０６（ｄ，２Ｈ），９．３５（ｄ，８Ｈ），８．０５（ｄ，２Ｈ），７．６９（ｍ，２Ｈ），７．６１（ｄ，８Ｈ），７．４０−７．３１（ｍ，２Ｈ），７．１３（ｔ，６Ｈ），６．８８−６．８１（ｍ，８Ｈ），５．４８（ｓ，１Ｈ），２．５２−２．３９（ｍ，８Ｈ），２．０６（ｓ，６Ｈ），１．８７−１．８３（ｍ，６Ｈ），１．６１−１．４０（ｍ，４４Ｈ），１．２６（ｍ，２４Ｈ），０．８９（ｍ，１２Ｈ）．

＜合成例１＞ 高分子化合物ＩＰ１の合成
高分子化合物ＩＰ１は、特開２０１１−１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ１と、国際公報第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ２と、国際公報第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ３と、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ４を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法で合成した。

高分子化合物ＩＰ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＰＭ１から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ２から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ３から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ４から誘導される構成単位とが、５０：３０：１２．５：７．５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例２＞ 高分子化合物Ｐ１の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記合成例２’に記載の方法で合成した単量体ＰＭ５（４．７７ｇ）、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ６（０．７７３ｇ）、単量体ＰＭ３（１．９７ｇ）、国際公報第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ７（０．３３１ｇ）、特開２００４−１４３４１９号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ８（０．４４３ｇ）及びトルエン（６７ｍＬ）を加えて、１０５℃に加熱しながら攪拌した。
その後、これに、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）を加え、次いで、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を滴下した後、還流下で３時間攪拌した。
その後、これに、フェニルボロン酸（０．０７７ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）、トルエン（６０ｍＬ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加え、還流下で２４時間攪拌した。
有機層を水層と分離した後、得られた有機層に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．３３ｇ）及びイオン交換水（６７ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回、３質量％酢酸水溶液（７８ｍＬ）で２回、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回の順番で洗浄した。有機層を水層と分離した後、有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液させた。得られた溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１（４．９５ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．４×１０^５、Ｍｗ＝４．１×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＰＭ５から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ６から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ３から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ７から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ８から誘導される構成単位とが、５０：１０：３０：５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例２’＞ 単量体ＰＭ５の合成

化合物ＰＭ５ａは、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。

（Ｓｔａｇｅ１：化合物ＰＭ５ｂの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、４−ブロモ−ｎ−オクチルベンゼン（２５０ｇ）及びテトラヒドロフラン（脱水品、２．５Ｌ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（３５５ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて３時間攪拌した。その後、そこへ、テトラヒドロフラン（脱水品、４００ｍＬ）に化合物ＰＭ５ａ（１４８ｇ）を溶解させた溶液を滴下した後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却した後、水（１５０ｍＬ）を加えて攪拌した。得られた反応混合物を減圧濃縮し、有機溶媒を除去した。得られた反応混合物に、ヘキサン（１Ｌ）及び水（２００ｍＬ）を加え、分液操作によって水層を除去した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。得られた混合物をろ過し、ろ液を減圧濃縮することで、化合物ＰＭ５ｂ（３３０ｇ）を黄色油状物として得た。

（Ｓｔａｇｅ２：化合物ＰＭ５ｃの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＰＭ５ｂ（３３０ｇ）及びジクロロメタン（９００ｍＬ）を加え、５℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．０ｍｏｌ／Ｌの三フッ素化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２４５ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を、氷水（２Ｌ）の入った容器に加え、３０分間攪拌した後、水層を除去した。得られた有機層を、１０質量％濃度のリン酸カリウム水溶液（１Ｌ）で１回、水（１Ｌ）で２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物をろ過し、ろ液を減圧濃縮することで油状物を得た。この油状物をトルエン（２００ｍＬ）に溶解させた後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することでトルエン溶液１を得た。トルエン溶液１を得た後、シリカゲルを敷いたろ過器に更にトルエン（約３Ｌ）を通液することでトルエン溶液２を得た。トルエン溶液１とトルエン溶液２を混合した後、減圧濃縮することで油状物を得た。この油状物にメタノール（５００ｍＬ）を加え、攪拌した。得られた反応混合物をろ過することで固体を得た。この固体に、酢酸ブチル及びメタノールの混合溶媒を加え、再結晶を繰り返すことにより、化合物ＰＭ５ｃ（１５１ｇ）を白色固体として得た。化合物ＰＭ５ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％以上を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５６（ｄ，２Ｈ），７．４９（ｄ，２Ｈ），７．４６（ｄｄ，２Ｈ），７．０６〜７．０１（ｍ，８Ｈ），２．５５（ｔ，４Ｈ），１．６１〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３０〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

（Ｓｔａｇｅ３：化合物ＰＭ５の合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＰＭ５ｃ（１００ｇ）及びテトラヒドロフラン（脱水品、１０００ｍＬ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１２６ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて５時間攪拌した。その後、そこへ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（８１ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を−３０℃に冷却し、２．０ｍｏｌ／Ｌの塩酸−ジエチルエーテル溶液（１４３ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、減圧濃縮することにより固体を得た。この固体にトルエン（１．２Ｌ）を加え、室温にて１時間攪拌した後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することによりろ液を得た。このろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。この固体にメタノールを加えて攪拌した後、ろ過することにより固体を得た。この固体に対して、イソプロピルアルコールを用いた再結晶を繰り返すことにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥させることにより、化合物ＰＭ５（７２ｇ）を白色固体として得た。化合物ＰＭ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％以上を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．１１（ｄ，４Ｈ），７．００（ｄ，４Ｈ），２．５２（ｔ，４Ｈ），１．５９〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３６〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），１．３１（ｓ，２４Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製及び評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚さでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに高分子化合物ＩＰ１を０．７０質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１及び金属錯体Ｍ１（高分子化合物Ｐ１／金属錯体Ｍ１＝９２．５質量％／７．５質量％）を１．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により９０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１５０℃、１０分間加熱させることにより発光層とした形成した。

（陰極の形成）
発光層の形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することにより、６２０ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６５８，０．３３９）であった。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１５．２％であった。電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電流値を設定後、定電流密度で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間は、２０３時間であった。

＜比較例ＣＤ１＞ 発光素子ＣＤ１の作製及び評価
実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び金属錯体Ｍ１」に代えて、高分子化合物Ｐ１及び金属錯体ＣＭ１を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。

発光素子ＣＤ１に電圧を印加することにより、６２５ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６６８，０．３２９）であった。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１５．１％であった。電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電流値を設定後、定電流密度で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間は、１６４時間であった。

＜実施例Ｄ２＞ 発光素子Ｄ２の作製及び評価
実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び金属錯体Ｍ１」に代えて、高分子化合物Ｐ１及び金属錯体Ｍ２を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。

発光素子Ｄ２に電圧を印加することにより、６３０ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６６２，０．３２７）であった。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１０．７％であった。電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電流値を設定後、定電流密度で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間は、２４４時間であった。

＜比較例ＣＤ２＞ 発光素子ＣＤ２の作製及び評価
実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び金属錯体Ｍ１」に代えて、高分子化合物Ｐ１及び金属錯体ＣＭ２を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。

発光素子ＣＤ２に電圧を印加することにより、６２５ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６６６，０．３３０）であった。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１０．６％であった。電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電流値を設定後、定電流密度で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間は、７９時間であった。

Claims (10)

1. 式（１−Ａ１）、式（１−Ａ２）又は式（１−Ａ３）で表される金属錯体。
   

   

   
   ［式中、
   Ｍは、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
   ｎ_１は、１、２又は３を表す。ｎ_２は、０、１又は２を表す。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は３であり、Ｍが白金原子又はパラジウム原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は２である。
   Ｙ ^ａ及びＹ^ｂのうち一方は単結合であり、他方は式（Ｃ−１）：
   

   

   
   （式中、
   Ｒ^Ｃは、炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子又は鉛原子を表す。
   環Ｒ^Ｃ１及び環Ｒ^Ｃ２はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合してそれぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^Ｃ１が有していてもよい置換基と環Ｒ^Ｃ２が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。）
   で表される基である。Ｙ^ａ及びＹ^ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１及びＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｅ ^１ 、Ｅ ^２ 、Ｅ ^３ 及びＥ ^４ は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ ^１ 、Ｅ ^２ 、Ｅ ^３ 及びＥ ^４ が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ ^１ が窒素原子の場合、Ｒ ^１ は存在しない。Ｅ ^２ が窒素原子の場合、Ｒ ^２ は存在しない。Ｅ ^３ が窒素原子の場合、Ｒ ^３ は存在しない。Ｅ ^４ が窒素原子の場合、Ｒ ^４ は存在しない。
   Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 及びＲ ^４ は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 及びＲ ^４ が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ 、Ｒ ^７ 、Ｒ ^８ 、Ｒ ^９ 、Ｒ ^１０ 、Ｒ ^１１ 及びＲ ^１２ は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ 、Ｒ ^７ 、Ｒ ^８ 、Ｒ ^９ 、Ｒ ^１０ 、Ｒ ^１１ 及びＲ ^１２ が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ ^６ とＲ ^７ 、Ｒ ^７ とＲ ^８ 、Ｒ ^８ とＲ ^９ 、Ｒ ^１０ とＲ ^１１ 、及び、Ｒ ^５ とＲ ^１２ は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   但し、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ 、Ｒ ^７ 、Ｒ ^８ 、Ｒ ^９ 、Ｒ ^１０ 、Ｒ ^１１ 、Ｒ ^１２ 、環Ｒ ^Ｃ１ が有する置換基及び環Ｒ ^Ｃ２ が有する置換基のうち、少なくとも一つは、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。］
   

   

   
   ［式中、
   ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、
   ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、
   ｍ^ＤＡ１は、０以上の整数を表す。
   Ａｒ^ＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
2. 前記式（Ｃ−１）で表される基が、式（Ｃ−２）で表される基である、請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   
   ［式中、Ｒ^Ｃは、前記と同じ意味を表す。
   Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３及びＲ^Ｃ２４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３及びＲ^Ｃ２４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Ｃ１１とＲ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１２とＲ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１３とＲ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１４とＲ^Ｃ２４、Ｒ^Ｃ２４とＲ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２３とＲ^Ｃ２２、及び、Ｒ^Ｃ２２とＲ^Ｃ２１は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   但し、環Ｒ^Ｂ１が有する置換基、環Ｒ^Ｂ２が有する置換基、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３及びＲ^Ｃ２４のうち、少なくとも一つは、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。］
3. 式（１−Ａ１−１）で表される金属錯体である、請求項２に記載の金属錯体。
   

   

   
   ［式中、Ｍ、ｎ^１、ｎ^２、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２４、及び、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。］
4. 環Ｒ^Ａが、前記式（Ｄ−Ａ）、前記式（Ｄ−Ｂ）又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を置換基として有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属錯体。
5. 環Ｒ^Ａが、六員環であり、且つ、環Ｒ^Ｂ１と結合する炭素原子に対するパラ位に、前記式（Ｄ−Ａ）、前記式（Ｄ−Ｂ）又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を有する、請求項４に記載の金属錯体。
6. 前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、式（Ｄ−Ａ１）で表される基、式（Ｄ−Ａ２）で表される基、式（Ｄ−Ａ３）で表される基、式（Ｄ−Ａ４）で表される基又は式（Ｄ−Ａ５）で表される基である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
   

   

   
   ［式中、
   Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３及びＲ^ｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ４が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
   ｎ^ｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎ^ｐ２は０〜３の整数を表し、ｎ^ｐ３は０又は１を表し、ｎ^ｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎ^ｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
7. 環Ｒ^Ａがピリジン環である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体と、
   式（Ｈ−１）で表される化合物及び式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種とを含有する組成物。
   

   

   
   ［式中、
   Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   ｎ^Ｈ１及びｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^Ｈ２は、同一でも異なっていてもよい。
   ｎ^Ｈ３は、０以上の整数を表す。
   Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
   

   

   
   ［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
9. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体と、
   正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
10. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体を含有する発光素子。