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JP6940777B2 - フッ化物蛍光体、発光装置及びフッ化物蛍光体の製造方法 - Google Patents

フッ化物蛍光体、発光装置及びフッ化物蛍光体の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、フッ化物蛍光体、それを用いた発光装置及びフッ化物蛍光体の製造方法に関する。
発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)等の発光素子と蛍光体とを組み合わせて白色や電球色、橙色等に発光する発光装置が種々開発されている。このような発光装置は、例えば紫外光から可視光に相当する短波長側の光を発する発光素子と、赤色、緑色、又は青色の光を発する蛍光体とを組み合わせて、光の3原色である赤色、緑色、青色が混合されて、白色系の混色光を発する。このような発光装置は、照明、車載照明、ディスプレイ、液晶用バックライト等の幅広い分野で利用される。例えば、液晶用バックライト用途の発光装置に用いられる蛍光体は、色度座標上の広範囲の色を再現するために、色純度が良い、すなわち発光ピークの半値幅が狭いことが求められている。この半値幅は、発光スペクトルにおける発光ピークの半値全幅(Full Width at Half Maximum:FWHM)をいい、発光スペクトルにおける発光ピークの最大値の50%の値を示す発光ピークの波長幅をいう。
このように半値幅が狭く赤色に発光する蛍光体として、例えば、特許文献1には、組成がKSiF:Mn4+で表されるフッ化物蛍光体が開示されている。また、非特許文献1には、Mn4+で賦活されたフッ化物蛍光体の発光メカニズムが開示されている。
特開2010−209311号公報
A.G.Paulusz,"Efficient Mn(IV) Emission in Fluorine Coordination",J.Electrochem.Soc.,;SOLID−STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY,Vol.120,No.7,1973,p.942−947
Mn4+で賦活された赤色発光のフッ化物蛍光体の発光強度の更なる向上が望まれる。
そこで、本発明の一態様は、発光強度を向上させたフッ化物蛍光体、それを用いた発光装置及びフッ化物蛍光体の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下の態様を包含する。
本発明の第一の態様は、Kと、Geと、Mn4+と、Fとを含む組成を有し、組成1モル中のKのモル比が2であり、GeとMn4+の合計のモル比が1であり、Mn4+のモル比が0を超えて0.2未満であり、Fのモル比が6で表される組成を有し、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下である第一の発光ピークと、625nm以上635nm未満の範囲内に第二の発光ピークを有し、波長が450nmの光励起による内部量子効率が85%以上である、ことを特徴とするフッ化物蛍光体である。
本発明の第二の態様は、前記フッ化物蛍光体と、380nm以上485nm以下の範囲内に発光ピークを有する励起光源を備える発光装置である。
本発明の第三の態様は、Kと、Geと、Mn4+と、Fとを含む組成を有し、組成1モル中のKのモル比が2であり、GeとMn4+の合計のモル比が1であり、Mn4+のモル比が0を超えて0.2未満であり、Fのモル比が6で表される組成を有するフッ化物粒子を準備することと、前記フッ化物粒子を、フッ素含有物質と接触させて、400℃以上の温度で熱処理することを含む、フッ化物蛍光体の製造方法である。
上述の態様により、発光強度が向上されたフッ化物蛍光体、それを用いた発光装置及びフッ化物蛍光体の製造方法を提供することができる。
図1は、フッ化物蛍光体を用いた発光装置の一例を示す概略断面図である。 図2は、実施例1に係るフッ化物蛍光体の発光スペクトルである。 図3は、比較例1に係るフッ化物蛍光体の発光スペクトルである。 図4は、実施例1及び比較例1に係るフッ化物蛍光体のX線回折パターンである。 図5は、実施例1に係るフッ化物蛍光体のX線回折パターンと、ICDDカードNo.01−077−2133のKMnFの結晶構造モデルのX線回折パターンである。 図6は、参考例1に係るフッ化物蛍光体の発光スペクトルである。 図7は、参考例2に係るフッ化物蛍光体の発光スペクトルである。 図8は、参考例1及び参考例2に係るフッ化物蛍光体のX線回折パターンである。
以下、本開示に係るフッ化物蛍光体、発光装置及びフッ化物蛍光体の製造方法を実施形態に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明は、以下のフッ化物蛍光体、発光装置及びフッ化物蛍光体の製造方法に限定されない。なお、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係等は、JIS Z8110に従う。
フッ化物蛍光体
フッ化物蛍光体は、Kと、Geと、Mn4+と、Fとを含む組成を有し、組成1モル中のKのモル比が2であり、GeとMn4+の合計のモル比が1であり、Mn4+のモル比が0を超えて0.2未満であり、Fのモル比が6で表される組成を有し、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下である第一の発光ピークと、625nm以上635nm未満の範囲内に第二の発光ピークを有し、波長が450nmの光励起による内部量子効率が85%以上である。
フッ化物蛍光体は、下記式(I)で表される組成を有することが好ましい。
[Ge1−aMn4+ ] (I)
(式(I)中、aは、0<a<0.2を満たす数である。)
フッ化物蛍光体の発光スペクトルが、625nm以上635nm未満の範囲内の第二の発光ピークと共に、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下の第一の発光ピークを有する理由は明らかではないが、第一の発光ピークを有していないフッ化物蛍光体と比べて、結晶構造が異なっている。結晶構造が異なる理由として、熱処理の影響により結晶構造が変化したことが考えられる。Kと、Geと、Mn4+と、Fとを含み、Siを含まない組成を有するフッ化物粒子を、400℃以上の温度で熱処理することによって、フッ化物粒子が、KGeFの結晶構造からKMnFの結晶構造に近い結晶構造に変化する。このように変化した結晶構造のもとで得られるフッ化物蛍光体の発光スペクトルは、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下の第一の発光ピークと、625nm以上635nm未満の範囲内に第二の発光ピークを有する。それらのうち、第一の発光ピークにかかる発光成分がフッ化物蛍光体の発光スペクトルに追加されるため、組成にSiを含むフッ化物蛍光体よりも、高い発光強度を有する。
フッ化物蛍光体の組成において、GeとSiとを含む場合、結晶構造の骨格を形成するGeとSiのうち、Siのイオン半径は、Geのイオン半径又は賦活元素であるMn4+のイオン半径よりもかなり小さいため、歪んだ結晶構造となる。フッ化物蛍光体の組成においてGeだけでなくSiも含む場合には、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内の第一の発光ピークを有していても、フッ化物蛍光体の組成にSiを含まない場合と比べて第一の発光ピークの発光強度が減少し、フッ化物蛍光体として高い発光強度が得られない場合がある。
フッ化物蛍光体は、六方晶系の結晶構造を有し、空間群がP63mcの対称性を有することが好ましい。フッ化物蛍光体の結晶構造及び空間群は、CuKα線を用いた粉末X線回折(X−ray Diffraction:XRD)法による測定において、RIR(Reference Intensity Ratio:参照強度比)法により定量分析することができる。
例えば、組成がK[Ge1−aMn4+ ](aは0<a<0.2)で表されるフッ化物蛍光体であって、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に第一の発光ピークを有していないフッ化物蛍光体は、六方晶系の結晶構造を有し、空間群がP-3m1の対称性を有する。結晶相の空間群の違いから、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に第一の発光ピークを有するフッ化物蛍光体と、615nm以上625nm未満の範囲内に第一の発光ピークを有していないフッ化物蛍光体とは、結晶構造が異なることが確認できる。発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下である第一の発光ピークを有し、625nm以上635nm未満の範囲内に第二の発光ピークを有するフッ化物蛍光体は、400℃以上の温度で熱処理されたことによって、KGeFの結晶構造よりも、KMnFの結晶構造により近くなったと推測される。
フッ化物蛍光体は、波長が450nmの光励起による内部量子効率が85%以上であり、90%以上であることが好ましく、95%以上であることがより好ましい。フッ化物蛍光体は、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下である第一の発光ピークを有し、625nm以上635nm未満の範囲内に第二の発光ピークを有するため、発光強度を高くすることができ、波長が450nmの光励起による内部量子効率を85%以上と高くすることができる。
フッ化物蛍光体は、625nm以上635nm未満の範囲内の第二の発光ピークの発光強度を100%として、615nm以上625nm未満の範囲内の第一の発光ピークの発光強度が、30%以上であることが好ましく、35%以上であることがより好ましく、37%以上であることがさらに好ましい。フッ化物蛍光体は、前記第二の発光ピークの発光強度100%として、第一の発光ピークの発光強度が30%以上であると、発光強度をより向上させることができる。
フッ化物蛍光体は、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に存在する第一の発光ピークの半値幅が6nm以下であり、5nm以下であることが好ましい。これにより、フッ化物蛍光体は、色純度が良く、発光強度が高い光を発することができる。フッ化物蛍光体は、優れた色純度の発光色を得る観点から、発光スペクトルにおいて、625nm以上635nm未満の範囲内の第二の発光ピークの半値幅が10nm以下であることが好ましく、8nm以下であることがより好ましい。フッ化物蛍光体の発光スペクトルにおいて、625nm以上635nm未満の範囲内にある第二の発光ピークは、その発光ピークを主ピークとして635nm付近に存在する副ピークと重なる場合があり、1つの発光ピークの半値幅の測定が困難な場合がある。フッ化物蛍光体は、発光スペクトルにおいて、625nm以上635nm未満の範囲内に存在する第二の発光ピークが、2つのピークの一部が重複している場合であっても、625nm以上635nm未満の範囲内に存在する第二の発光ピークの半値幅が10nm以下であることが好ましい。
発光装置
発光装置は、上記フッ化物蛍光体と、380nm以上485nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光源とを備える。発光装置は、必要に応じて、その他の構成部材を更に含んでいてもよい。発光装置は、励起光源からの光によって、高い発光強度を有し、発光スペクトルの半値幅が狭く、色純度の優れた発光色を発するフッ化物蛍光体を備えることによって、色度座標上で広範囲の色を再現することができ、色再現性の優れた混色光を発することができる。
光源
フッ化物蛍光体を励起する光源(以下、「励起光源」とも称する。)は、フッ化物蛍光体を効率よく励起し、可視光を有効に活用することができることから、420nm以上485nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有することが好ましく、440nm以上480nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有することがより好ましい。励起光源として半導体発光素子(以下、「発光素子」とも称する。)を用いることが好ましい。励起光源に半導体発光素子を用いることによって、高効率で入力に対する出力のリニアリティが高く、機械的衝撃にも強い安定した発光装置を得ることができる。半導体発光素子としては、例えば、窒化物系半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いた半導体発光素子を用いることができる。発光素子の発光スペクトルにおける発光ピークの半値幅は、例えば、30nm以下であることが好ましい。
蛍光体
発光装置には、上述のフッ化物蛍光体を、例えば、励起光源を覆う蛍光部材に含有させることができる。励起光源がフッ化物蛍光体を含有する蛍光部材で覆われた発光装置は、励起光源から発せられた光の一部がフッ化物蛍光体に吸収されて、赤色光として放射される。
発光装置は、フッ化物蛍光体に加えて、フッ化物蛍光体以外の蛍光体をさらに含むことができる。フッ化物蛍光体以外の蛍光体は、光源からの光を吸収し、フッ化物蛍光体とは異なる波長の光に波長変換するものであればよい。発光装置は、495nm以上573nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体をさらに含むことが好ましい。
フッ化物蛍光体以外の蛍光体として例えば、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体、ハロゲンケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類アルミン酸塩蛍光体、βサイアロン系蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、Eu等のランタノイド系又はMn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロリン酸塩蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体、及びEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体蛍光体からなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
380nm以上485nm以上の範囲内に発光ピーク波長を有する励起光源からの照射により495nm以上573nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体として、例えば、(Lu,Y,Gd,Lu)(Ga,Al)12:Ce、(Ca,Sr,Ba)MgSi16(F,Cl,Br):Eu、Si6−zAl8−z:Eu(0<z≦4.2)、(Ca,Sr,Ba)SiO:Eu等が挙げられる。ここで、蛍光体の組成を表す式中、カンマ(,)で区切られて記載されている複数の元素は、これらの複数の元素のうち少なくとも1種の元素を組成中に含有することを意味する。また、本明細書において、蛍光体の組成を表す式中、コロン(:)の前は母体結晶を構成する元素及びそのモル比を表し、コロン(:)の後は賦活元素を表す。
以下、発光装置の一例を図面に基づいて説明する。図1は、発光装置の一例を示す概略断面図である。この発光装置は、表面実装型発光装置の一例である。
発光装置100は、可視光の短波長側、例えば380nm以上485nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光を発する発光素子10と、発光素子10を配置する成形体40と、を有する。成形体40は第1のリード20と第2のリード30とを有しており、熱可塑性樹脂若しくは熱硬化性樹脂により一体成形されている。成形体40は底面と側面を持つ凹部が形成されており、凹部の底面に発光素子10が配置されている。発光素子10は一対の正負の電極を有しており、その一対の正負の電極は第1のリード20及び第2のリード30とワイヤ60を介して電気的に接続されている。発光素子10は蛍光部材50により封止されている。蛍光部材50は、発光素子10からの光を波長変換するフッ化物蛍光体を含む蛍光体70を含有している。蛍光体70は、フッ化物蛍光体を第一蛍光体71とし、発光素子10からの励起光によりフッ化物蛍光体とは異なる波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第二蛍光体72を含んでいてもよい。
蛍光部材は、樹脂と蛍光体を含み、蛍光部材を構成する樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂を挙げることができる。蛍光部材は、樹脂及び蛍光体に加えて、例えばシリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、アルミナ等の光拡散材をさらに含んでいてもよい。光拡散材を含むことで、発光素子からの指向性を緩和させ、視野角を増大させることができる。
フッ化物蛍光体の製造方法
フッ化物蛍光体の製造方法は、Kと、Geと、Mn4+と、Fとを含む組成を有し、組成1モル中のKのモル比が2であり、GeとMn4+の合計のモル比が1であり、Mn4+のモル比が0を超えて0.2未満であり、Fのモル比が6で表される組成を有するフッ化物粒子を準備することと、前記フッ化物粒子を、フッ素含有物質と接触させて、400℃以上の温度で熱処理することを含む。
フッ化物粒子は、下記式(I)で表される組成を有することが好ましい。
[Ge1−aMn4+ ] (I)
(式(I)中、aは、0<a<0.2を満たす数である。)
フッ化物粒子を、フッ素含有物質と接触させて、400℃以上の温度で熱処理することによって、KGeFの結晶構造からKMnFの結晶構造に近い結晶構造に変化したフッ化物蛍光体が得られる。このフッ化物蛍光体は、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下である第一の発光ピークを有し、625nm以上635nm未満の範囲内に第二の発光ピークを有し、第一の発光ピークの半値幅が狭い。これにより、色純度がよく、第一の発光ピーク及び第二の発光ピークを有するため、より高い発光強度を有する。
フッ化物粒子の製造方法
フッ化物粒子は、例えば、カリウムイオン及びフッ化水素を少なくとも含む第一の溶液と、4価のマンガンを含む第一の錯イオン及びフッ化水素を少なくとも含む第二の溶液と、ゲルマニウムとフッ素イオンを含む第二の錯イオンを少なくとも含む第三の溶液とを混合する工程を含む製造方法で、製造することができる。第一の溶液と、第二の溶液と、第三の溶液とを混合することで、所望の組成を有し、蛍光体として機能するフッ化物粒子を、生産性に優れる簡便な方法で製造することができる。
第一の溶液
第一の溶液(以下「溶液A」とも称する。)は、カリウムイオンとフッ化水素とを少なくとも含み、必要に応じてその他の成分を含んでいてもよい。第一の溶液は、例えば、カリウムイオンを含むフッ化水素酸の水溶液として得られる。第一の溶液に含まれるカリウムを含む化合物として、ハロゲン化物、フッ化水素化物、水酸化物、酢酸化物、炭酸塩等の水溶性の化合物が挙げられる。具体的には、KF、KHF、KOH、KCl、KBr、KI、酢酸カリウム、KCO等の水溶性カリウム塩を挙げることができる。中でも溶液中のフッ化水素濃度を下げることなく溶解することができ、また、溶解熱が小さく安全性が高いことから、KHFが好ましい。第一の溶液を構成するカリウムを含む化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
第一の溶液におけるフッ化水素濃度の下限値は、通常1質量%以上、好ましくは3質量%以上、より好ましくは5質量%以上である。また、第一の溶液におけるフッ化水素濃度の上限値は、通常80質量%以下、好ましくは75質量%以下、より好ましくは70質量%以下である。
また、第一の溶液におけるカリウムイオン濃度の下限値は、通常1質量%以上、好ましくは3質量%以上、より好ましくは5質量%以上である。また、第一の溶液におけるカリウムイオン濃度の上限値は、通常30質量%以下、好ましくは25質量%以下、より好ましくは20質量%以下である。カリウムイオン濃度が5質量%以上であると、フッ化物粒子の収率が向上する傾向がある。
第二の溶液
第二の溶液(以下「溶液B」とも称する。)は、4価のマンガンを含む第一の錯イオンと、フッ化水素とを少なくとも含み、必要に応じてその他の成分を含んでいてもよい。第二の溶液は、例えば、4価のマンガン源を含むフッ化水素酸の水溶液として得られる。マンガン源は、4価のマンガンを含む化合物である。第二の溶液に含まれる、マンガン源として、具体的には、KMnF、KMnO、KMnCl等を挙げることができる。中でも、結晶格子を歪ませて不安定化させる傾向にある塩素を含まないこと、賦活することのできる酸化数(4価)を維持しながら、MnF錯イオンとしてフッ化水素酸中に安定して存在することができること等から、KMnFが好ましい。なお、マンガン源のうち、A元素又はAイオンを含むものは、第一の溶液に含まれるA元素又はAイオン源を兼ねることができる。第二の溶液を構成するマンガン源は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
第二の溶液におけるフッ化水素濃度の下限値は、通常1質量%以上、好ましくは3質量%以上、より好ましくは5質量%以上である。また、第二の溶液におけるフッ化水素濃度の上限値は、通常80質量%以下、好ましくは75質量%以下、より好ましくは70質量%以下である。
第二の溶液における第一の錯イオン濃度の下限値は、通常0.01質量%以上、好ましくは0.03質量%以上、より好ましくは0.05質量%以上である。また、第二の溶液における第一の錯イオン濃度の上限値は、通常5質量%以下、好ましくは4質量%以下、より好ましくは3質量%以下である。
第三の溶液
第三の溶液(以下「溶液C」とも称する。)は、ゲルマニウムとフッ素イオンとを含む第二の錯イオンを少なくとも含み、必要に応じてその他の成分を含んでいてもよい。第三の溶液は、例えば、第二の錯イオンを含む水溶液として得られる。
第二の錯イオン源は、ゲルマニウムとフッ化物イオンを含み、溶液への溶解性に優れる化合物であることが好ましい。第二の錯イオン源として、具体的には、HGeF、NaGeF、(NHGeF、RbGeF、CsGeF等を挙げることができる。これらの中でも、水への溶解度が高く、不純物としてアルカリ金属元素を含まないことにより、HGeFが好ましい。第三の溶液を構成する第二の錯イオン源は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
第三の溶液における第二の錯イオン濃度の下限値は、通常10質量%以上、好ましくは15質量%以上、より好ましくは20質量%以上である。また、第三の溶液における第二の錯イオン濃度の上限値は、通常60質量%以下、好ましくは55質量%以下、より好ましくは50質量%以下である。
第一の溶液、第二の溶液及び第三の溶液の混合方法として例えば、第一の溶液を撹拌しながら第二の溶液及び第三の溶液を添加して混合してもよく、第三の溶液を撹拌しながら第一溶液及び第二の溶液を添加して混合してもよい。また、第一の溶液、第二の溶液及び第三の溶液をそれぞれ容器に投入して撹拌混合してもよい。
第一の溶液、第二の溶液及び第三の溶液を混合することにより、第一の錯イオンと、カリウムイオンと、第二の錯イオンとが反応して目的のフッ化物粒子が析出する。析出した結晶は濾過等により固液分離して回収することができる。またエタノール、イソプロピルアルコール、水、アセトン等の溶媒で洗浄してもよい。更に乾燥処理を行ってもよく、通常50℃以上、好ましくは55℃以上、より好ましくは60℃以上、また、通常110℃以下、好ましくは105℃以下、より好ましくは100℃以下で乾燥する。乾燥時間としては、フッ化物粒子に付着した水分を蒸発することができれば、特に制限はなく、例えば、10時間程度である。
なお、第一の溶液、第二の溶液及び第三の溶液の混合に際しては、前述の蛍光体原料の仕込み組成と得られるフッ化物粒子の組成とのずれを考慮して、生成物としてのフッ化物粒子の組成が目的の組成となるように、第一の溶液、第二の溶液及び第三の溶液の混合割合を適宜調整することが好ましい。
洗浄
得られたフッ化物粒子は、不純物を除去するため、洗浄液で洗浄してもよい。洗浄液は、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、水、アセトン等が挙げられる。中でもフッ化カリウム等のフッ化塩の溶解度が高い水を使用することが好ましい。水は、脱イオン水であることが好ましい。洗浄液は、過酸化水素等の還元剤を含んでいてもよい。洗浄液に還元剤が含まれていると、熱処理によってフッ化物粒子中の賦活剤であるマンガンが酸化した場合であっても、洗浄液中の還元剤によって還元され、得られるフッ化物蛍光体の発光特性を高くすることができる。洗浄後のフッ化物蛍光体は、さらに乾燥処理が行われてもよく、乾燥処理における乾燥温度は、通常50℃以上、好ましくは55℃以上、より好ましくは60℃以上、また、通常110℃以下、好ましくは105℃以下、より好ましくは100℃以下である。乾燥時間としては、洗浄液による洗浄によってフッ化物蛍光体に付着した水分を蒸発することができる時間であり、例えば、10時間程度である。
フッ化物粒子の熱処理
フッ化物粒子を、フッ素含有物質と接触させて、400℃以上の温度で熱処理する。フッ化物粒子を400℃以上の温度で熱処理することによって、フッ化物粒子中の賦活元素であるMn4+近傍の結晶構造が安定化し、フッ化物粒子が有していたKGeFで表される組成を有する結晶構造を、KMnFで表される組成を有する結晶構造に近い結晶構造に変化させたフッ化物蛍光体を得ることができる。フッ化物粒子は、フッ素含有物質と接触させて、400℃以上の温度で熱処理することによって、安定化した結晶構造に変化する。熱処理により得られたフッ化物蛍光体の発光スペクトルは、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下である第一の発光ピークを有し、625nm以上635nm未満の範囲内に第二の発光ピークを有する。得られるフッ化物蛍光体は、波長が450nmの光励起による内部量子効率が85%以上であることが好ましい。また、得られるフッ化物蛍光体は、前記式(I)で表される組成を有することが好ましい。
得られるフッ化物蛍光体は、発光スペクトルにおいて、625nm以上635nm未満の範囲内の第二の発光ピークの発光強度を100%として、615nm以上625nm未満の範囲内の第一の発光ピークの発光強度が、30%以上であることが好ましい。例えばフッ化物粒子が、組成中にKと、Geと、Siと、Mn4+と、Fとを含む場合、結晶構造の骨格を形成するGeとSiのうち、Siのイオン半径が、Geのイオン半径又は賦活元素であるMn4+のイオン半径よりもかなり小さいため、歪んだ結晶構造となる。また、フッ化物粒子が組成中に、Kと、Geと、Siと、Mn4+と、Fとを含む場合には、フッ化物粒子がKMnFの結晶構造に近い結晶構造を有していたとしても、400℃以上の温度で熱処理すると、KSiFの結晶構造に近い結晶構造に変化し、得られるフッ化物蛍光体は、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内にある第一の発光ピークの発光強度が低くなる。
フッ化物粒子を熱処理する温度は、好ましくは400℃を超える温度であり、さらに好ましくは425℃以上であり、さらに好ましくは450℃以上である。フッ化物粒子を熱処理する温度が400℃未満であると、フッ化物粒子の結晶構造の変化が少なく、より高い発光強度を得ることが難しくなる。フッ化物粒子を熱処理する温度が高すぎる場合には、フッ化物粒子が熱分解する場合がある。このため、フッ化物粒子を熱処理する温度は、好ましくは600℃以下であり、より好ましくは450℃以上550℃以下の範囲内である。
フッ化物粒子の熱処理は、不活性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。不活性ガス雰囲気とは、アルゴン、ヘリウム、窒素等を雰囲気中の主成分とする雰囲気を意味する。雰囲気中の主成分とは、アルゴン、ヘリウム及び窒素から選ばれる少なくとも1種のガスの雰囲気中のガス濃度が70体積%以上であることを意味する。不活性ガスは、窒素を含むことが好ましい。不活性ガス雰囲気中の窒素ガス濃度は、好ましくは70体積%以上であり、より好ましくは80体積%以上であり、さらに好ましくは85体積%以上であり、よりさらに好ましくは90体積%以上である。不活性ガス雰囲気は、不可避的不純物として酸素を含むことがあるが、ここでは、雰囲気中に含まれる酸素の濃度が15体積%以下であれば不活性ガス雰囲気とする。不活性ガス雰囲気中の酸素の濃度は、好ましくは0.3体積%以下、より好ましくは0.1体積%以下であり、雰囲気中に酸素を含まないことがさらに好ましい。フッ化物粒子の熱処理における不活性ガス雰囲気中の酸素濃度が所定値以上であると、フッ化物粒子中の賦活剤であるMn4+が酸化されることでフッ化物蛍光体の発光強度が低下する虞がある。
フッ素含有物質は、フッ化物粒子と接触させ易いことから、F、CHF、CF、NHHF、NHF、SiF、及びNFからなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。フッ素含有物質は、F又はNHFであることがより好ましい。
フッ化物粒子と、固体状態又は液体状態のフッ素含有物質とを接触させる環境の温度は、室温(20℃±5℃)から熱処理温度よりも低い温度でもよく、熱処理温度でもよい。具体的には、20℃以上400℃未満の低い温度でもよく、400℃以上の熱処理の温度でもよい。フッ化物粒子と常温で固体状態のフッ素含有物質とを接触させる環境の温度が20℃以上400℃未満の場合は、フッ化物粒子とフッ素含有物質とを接触させて、400℃以上の熱処理を行なう。
フッ素含有物質が、常温で固体状態又は液体状態のものである場合は、フッ化物粒子とフッ素含有物質の合計量100質量%に対して、フッ素元素量で1質量%以上20質量%以下のフッ素含有物質を、フッ化物粒子に接触させることが好ましい。フッ化物粒子を、フッ素含有物質と接触させることにより、高い発光強度を有するフッ化物蛍光体が得られる。
フッ素含有物質が気体あるいは固体状態又は液体状態のフッ素含有物質からフッ素を含む気体が発生する場合には、フッ素含有物質を含む不活性ガス雰囲気中にフッ化物粒子を配置して接触させてもよい。また、フッ素含有物質を含む不活性ガス雰囲気中にフッ化物粒子を配置し、フッ素含有物質を含む不活性ガス雰囲気中で、フッ化物粒子を400℃以上の温度で熱処理を行ってもよい。フッ素含有物質がF(フッ素ガス)であり、Fを含む不活性ガス雰囲気中でフッ化物粒子を400℃以上で熱処理する場合には、不活性ガス雰囲気中のF濃度は、好ましくは3体積%であり、より好ましくは5体積%以上であり、好ましくは30体積%以下であり、より好ましくは25体積%以下である。不活性ガス雰囲気中のフッ素ガスの濃度が3体積%以上30体積%以下であれば、熱処理時にフッ化物粒子中のフッ素が欠損していた部分にフッ素が補われることで結晶構造が安定化するため、高い発光強度を有するフッ化物蛍光体が得られる。
フッ化物粒子の熱処理における保持時間は、熱処理の温度においてフッ化物粒子に熱処理を行う時間を意味する。熱処理温度における保持時間は、好ましくは2時間以上20時間以内、より好ましくは4時間以上15時間以内である。400℃以上の熱処理温度の保持時間が2時間以上20時間以内であれば、フッ化物粒子の結晶構造が安定化し、高い発光強度を有するフッ化物蛍光体が得られる。
熱処理時の圧力は、大気圧(0.101MPa)で行ってもよく、0.101MPaを超えて1MPa以下の加圧雰囲気で行ってもよい。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
フッ化物粒子の製造
まず、フッ化物粒子の製造方法を説明する。KHFを1483.7g秤量し、このKHFを11質量%のHF水溶液5.0Lに溶解させて、溶液A(第一の溶液)を調製した。またKMnFを123.56g秤量し、このKMnFを55質量%のHF水溶液5.0Lに溶解させ、脱イオン水5.0Lを加えて溶液B(第二の溶液)を調製した。続いてGeOを993.56g秤量し、このGeOを55質量%のHF水溶液に溶解させ、HGeFを40質量%含む水溶液4480gを調整し、溶液C(第三の溶液)とした。
次に溶液Aを、室温で撹拌しながら、約10分かけて溶液Bと溶液Cとをそれぞれ滴下して沈殿物を得た。
得られた沈殿物を固液分離後、エタノール洗浄を行い、90℃で10時間乾燥することで、フッ化物粒子を作製した。
フッ化物粒子の熱処理
得られたフッ化物粒子を、フッ素ガス(F)と、不活性ガスとして窒素ガス(N)とを含み、フッ素ガス濃度が20体積%、窒素ガス濃度が80体積%である雰囲気中、温度450℃、保持時間8時間で、熱処理を行い、K[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有する実施例1のフッ化物蛍光体を得た。
実施例2
熱処理温度を500℃にしたこと以外は、実施例1と同様にして、K[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有する実施例2のフッ化物蛍光体を得た。
実施例3
熱処理温度を550℃にしたこと以外は、実施例1と同様にして、K[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有する実施例3のフッ化物蛍光体を得た。
参考例4
熱処理温度を400℃にしたこと以外は、実施例1と同様にして、K[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有する参考例4のフッ化物蛍光体を得た。
比較例1
実施例1で製造したフッ化物粒子を、熱処理することなく、K[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有する比較例1のフッ化物蛍光体とした。
比較例2
熱処理温度を300℃にしたこと以外は、実施例1と同様にして、K[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有する比較例2のフッ化物蛍光体を得た。
比較例3
熱処理温度を150℃にしたこと以外は、実施例1と同様にして、K[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有する比較例3のフッ化物蛍光体を得た。
比較例4
熱処理温度を500℃とし、フッ化物粒子をフッ素含有物質と接触させることなく、窒素ガス濃度が100体積%である不活性ガス雰囲気中で熱処理したこと以外は、実施例1と同様にして、K[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有する比較例4のフッ化物蛍光体を得た。
比較例5
KHFを478.9g秤量し、このKHFを55質量%のHF水溶液5.0Lに溶解させて、溶液A(第一の溶液)を調製した。またKMnFを65.9g秤量し、このKMnFを55質量%のHF水溶液1.8Lに溶解させて溶液B(第二の溶液)を調製した。続いてGeOを224.5g秤量し、このGeOを55質量%のHF水溶液に溶解させ、HGeFを40質量%含む水溶液1012gと40質量%のHSiF水溶液331gを混合し、溶液C(第三の溶液)を調整した。
次に溶液Aを、室温で撹拌しながら、約10分かけて溶液Bと溶液Cとをそれぞれ滴下して沈殿物を得た。得られた沈殿物を固液分離後、エタノール洗浄を行い、90℃で10時間乾燥することで、フッ化物粒子を作製した。得られたフッ化物粒子を熱処理することなく、K[Si0.54Ge0.41Mn4+ 0.05]で表される組成を有する比較例5のフッ化物蛍光体を得た。
比較例6
比較例5で得られたフッ化物粒子を、フッ素ガス(F)と、不活性ガスとして窒素ガス(N)とを含み、フッ素ガス濃度が20体積%、窒素ガス濃度が80体積%である雰囲気中、温度450℃、保持時間8時間で、熱処理を行い、K[Si0.54Ge0.41Mn4+ 0.05]で表される組成を有する比較例6のフッ化物蛍光体を得た。
参考例1
参考例1として、KSiF:Mn4+で表される組成を有するフッ化物蛍光体を準備した。
参考例2
参考例1のKSiF:Mn4+で表される組成を有するフッ化物蛍光体を、実施例1と同様の条件で熱処理して、参考例2のフッ化物蛍光体を得た。
評価
発光スペクトル
得られた実施例及び比較例の各フッ化物蛍光体について、分光蛍光光度計(製品名:QE−2000、大塚電子株式会社製)を用いて、発光ピーク波長が450nmである励起光を各フッ化物蛍光体に照射し、室温における各フッ化物蛍光体の発光スペクトルを測定した。図2に、実施例1に係るフッ化物蛍光体の発光スペクトルを示す。図3に、比較例1に係るフッ化物蛍光体の発光スペクトルを示す。図6に、参考例1のKSiF:Mn4+で表される組成を有するフッ化物蛍光体の発光スペクトルを示す。図7に、参考例2のKSiF:Mn4+で表される組成を有するフッ化物蛍光体の発光スペクトルを示す。
色度x、y
実施例及び比較例の各フッ化物蛍光体について測定した発光スペクトルのデータから、CIE(国際照明委員会:Commission International de l’eclarirage)1931表色系におけるxy色座標上の色度x、色度yを求めた。結果を表1に示す。
相対発光強度
実施例及び比較例の各フッ化物蛍光体について測定した発光スペクトルのデータから、比較例1のフッ化物蛍光体の発光スペクトルにおける最大の発光強度を100%として、実施例1から3、参考例4及び比較例2から6のフッ化物蛍光体の最大の発光強度を相対発光強度として求めた。結果を表1に示す。
半値幅
実施例及び比較例の各フッ化物蛍光体について測定した発光スペクトルデータから、615nm以上625nm未満の範囲内にある第一の発光ピークの半値幅を求めた。結果を表1に示す。
内部量子効率
実施例及び比較例の各フッ化物蛍光体について測定した発光スペクトルのデータから、波長が450nmである光励起による内部量子効率(%)を求めた。結果を表1に示す。
発光ピーク強度比
実施例及び比較例の各フッ化物蛍光体について測定した発光スペクトルのデータから、625nm以上635nm未満の範囲内にある第二の発光ピークの発光ピーク強度を100%として、615nm以下625nm未満の範囲内にある第一の発光ピークの発光ピーク強度比を求めた。結果を表1に示す。
X線回折パターン
実施例1及び比較例1のフッ化物蛍光体について、試料水平型多目的X線回折装置(製品名:Ultima IV、株式会社リガク製)、X線源:CuKα線(λ=1.5418Å、管電圧40kV、管電流40mA)を用いて、X線回折パターンを測定した。図4に、実施例1及び比較例1のフッ化物蛍光体のX線回折パターンを示す。また、図5に、実施例1のフッ化物蛍光体のX線回折パターンと、ICDD(International Center for Diffraction Data、国際回折データセンター)のデータベースを用い、ICDDカードNo.01−077−2133のKMnFの結晶構造モデルのX線回折パターンを示す。図8に、参考例1及び2のKSiF:Mn4+で表される組成を有するフッ化物蛍光体のX線回折パターンを示す。
Figure 0006940777
表1に示されるように、実施例1から3及び参考例4のフッ化物蛍光体は、比較例1のフッ化物蛍光体と比べて相対発光強度が高くなり、内部量子効率も85%以上と高くなった。特に、実施例1から3のフッ化物蛍光体は、内部量子効率が90%以上である。実施例1から3及び参考例4のフッ化物蛍光体が、波長が450nmの光励起による内部量子効率が85%以上と、高い発光強度を有するのは、発光スペクトルにおいて、625nm以上635nm未満の範囲の第二の発光ピークと、この第二の発光ピークの発光強度を100%として、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下であり、第二の発光ピークの発光強度を100%として、発光ピーク強度が30%以上である、第一の発光ピークを有するためである。
比較例1のフッ化物蛍光体は、615nm以上625nm未満の範囲内に発光ピークを有しておらず、625nm以上635nm未満の範囲の発光ピークの発光強度を100%としたときに、615nm以上625nm未満の範囲内の発光ピークの発光強度が30%未満であった。
比較例2のフッ化物蛍光体は、不活性ガス雰囲気中の熱処理の温度が400℃未満であり、熱処理による影響が比較的少ない。そのため、615nm以上625nm未満の範囲内に発光ピークを有しているが、比較例1のフッ化物蛍光体よりも、発光強度が低くなっており、発光強度が向上しておらず、内部量子効率も低くなった。
比較例3のフッ化物蛍光体は、不活性ガス雰囲気中の熱処理の温度が150℃と低いため、熱処理による影響が比較的少なく、615nm以上625nm未満の範囲内に発光ピークを有していない。そのため、比較例1のフッ化物蛍光体よりも発光強度が低くなり、内部量子効率も低くなった。
比較例4のフッ化物蛍光体は、フッ素含有物質と接触させずに熱処理したため、フッ化物蛍光体の組成にフッ素が供給されず、比較例1のフッ化物蛍光体よりも発光強度が低くなり、内部量子効率も低くなった。
比較例5のフッ化物蛍光体は、比較例1のフッ化物蛍光体よりも少し高い相対発光強度を有し、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下の第一の発光ピークを有する。しかし、組成中にSiを含むため、結晶構造が歪み、第一の発光ピークの発光強度が小さくなり、波長が450nmの光励起による内部量子効率が85%に達していなかった。
比較例6のフッ化物蛍光体は、比較例1のフッ化物蛍光体よりも高い相対発光強度を有しているが、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内の発光ピークの発光強度が小さく、波長が450nmの光励起による内部量子効率が低下した。比較例6のフッ化物蛍光体は、組成にSiを含むため、結晶構造が歪んでいると推定される。この歪んだ結晶構造を有するフッ化物粒子を400℃以上の温度で熱処理することによって、KMnFの結晶構造に類似の結晶構造からKSiFの結晶構造に類似する結晶構造へ、結晶構造が変化する。その結果、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内の発光ピークの発光強度が低減したと推測される。
図2に示すように、実施例1のフッ化物蛍光体は、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下である第一の発光ピークと、625nm以上635nm未満の範囲内に第二の発光ピークを有していた。一方、図3に示すように、比較例1のフッ化物蛍光体は、発光スペクトルにおいて、625nm以上635nm未満の範囲内に発光ピークを有していたが、615nm以上625nm未満の範囲内に発光ピークを有していなかった。この結果から、実施例1のフッ化物蛍光体は、結晶構造が変化し、615nm以上625nm未満の範囲内に第一の発光ピークを有していないフッ化物蛍光体とは、結晶構造が異なることが確認できた。
図4に示すように、実施例1のK[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有するフッ化物蛍光体のX線回折パターンは、比較例1のK[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有するフッ化物蛍光体のX線回折パターンとは、異なる回折角2θの位置にピークが存在し、X線回折パターンからも、実施例1のフッ化物蛍光体は、結晶構造が変化し、比較例1のフッ化物蛍光体とは、結晶構造が異なっていることが確認できた。比較例1のフッ化物蛍光体は、KGeFの結晶構造を有していた。
図5に示すように、実施例1のK[Ge0.95Mn4+ 0.05]で表される組成を有するフッ化物蛍光体のX線回折パターンは、ICDDカードNo.01−077−2133のKMnFの結晶構造モデルのX線回折パターンとほぼ同じ回折角2θの位置にピークが存在することがから、実施例1のフッ化物蛍光体は、KGeFの結晶構造からKMnFの結晶構造と類似する結晶構造に変化していることが確認できた。
図6に示すように、KSiF:Mn4+で表される組成を有する参考例1のフッ化物蛍光体は、615nm以上625nm未満の範囲内の発光ピークが存在しないか、ピークとして認識できない程度に小さかった。図7に示すように、参考例1のフッ化物蛍光体をフッ素含有物質と接触させて、不活性ガス雰囲気中にて400℃で熱処理した参考例2のフッ化物蛍光体も、615nm以上625nm未満の範囲内に発光ピークが存在しないか、ピークとして認識できない程度に小さかった。
図8に示すように、KSiF:Mn4+で表される組成を有する参考例1のフッ化物蛍光体のX線回折パターンと、参考例1のフッ化物蛍光体を熱処理した参考例2のフッ化物蛍光体のX線回折パターンは、ほぼ同じ回折角2θの位置にピークが存在しており、熱処理による結晶構造の変化は確認できなかった。
本開示のフッ化物蛍光体は、特に発光ダイオードを励起光源とする照明用光源、LEDディスプレイ又は液晶バックライト用途等の画像表示装置用光源、信号機、照明式スイッチ、各種センサ、各種インジケータ、及び小型ストロボ等に好適に利用できる。
10:発光素子、20:第1のリード、30:第2のリード、40:成形体、50:蛍光部材、60:ワイヤ、70:蛍光体、71:第一蛍光体、72:第二蛍光体、100:発光装置。

Claims (10)

  1. カリウムイオンとフッ化水素とを少なくとも含む第一の溶液と、4価のマンガンを含む第一の錯イオン及びフッ化水素とを少なくとも含む第二の溶液と、ゲルマニウムとフッ素イオンとを含む第二の錯イオンを少なくとも含む第三の溶液を混合することより、Kと、Geと、Mn4+と、Fとを含み、Siを含まない組成を有し、組成1モル中のKのモル比が2であり、GeとMn4+の合計のモル比が1であり、Mn4+のモル比が0を超えて0.2未満であり、Fのモル比が6で表される組成を有するフッ化物粒子を含む沈殿物を得ることと、
    前記沈殿物を固液分離した後、洗浄液により前記沈殿物の洗浄を行うことと
    前記洗浄した後に50℃以上110℃以下の温度で前記フッ化物粒子を乾燥することと、
    前記乾燥した後のフッ化物粒子を、フッ素含有物質と接触させて、前記フッ素含有物質を含む不活性ガス雰囲気中で450℃以上550℃以下の温度で熱処理することにより、六方晶系の結晶構造を有し、P63mcの対称性を有するフッ化物蛍光体を得ることと、を含むフッ化物蛍光体の製造方法。
  2. 前記不活性ガス雰囲気中に窒素を含む、請求項に記載のフッ化物蛍光体の製造方法。
  3. 前記フッ素含有物質が、F、CHF、CF、NHHF、NHF、SiF、及びNFからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1又は2に記載のフッ化物蛍光体の製造方法。
  4. 下記式(I)で表される組成を有する、請求項1から3のいずれか1項に記載のフッ化物蛍光体の製造方法。
    [Ge1−aMn4+ ] (I)
    (式(I)中、aは、0<a<0.2を満たす数である。)
  5. 前記フッ化物蛍光体は、波長が450nmの光励起による内部量子効率が90%以上である、請求項1から4のいずれか1項に記載のフッ化物蛍光体の製造方法。
  6. 前記フッ素含有物質がフッ素ガスであり、前記不活性ガス雰囲気中のフッ素ガスの濃度が3体積%以上30体積%以下の範囲内である、請求項1から5のいずれか1項に記載のフッ化物蛍光体の製造方法。
  7. 前記第一の溶液中のフッ化水素濃度が1質量%以上80質量%以下の範囲内であり、カリウムイオン濃度が1質量%以上30質量%以下であり、
    前記第二の溶液中のフッ化水素濃度が1質量%以上80質量%以下の範囲内であり、前記第一の錯イオン濃度が0.01質量%以上5質量%以下の範囲内であり、
    前記第三の溶液中の前記第二の錯イオン濃度が10質量%以上60質量%以下の範囲内である、請求項1から6のいずれか1項に記載のフッ化物蛍光体の製造方法。
  8. 前記洗浄液が、エタノール、イソプロピルアルコール、水、及びアセトンからなる群から選ばれる少なくとも1種を含む、請求項1から7のいずれか1項に記載のフッ化物蛍光体の製造方法。
  9. 前記フッ化物蛍光体は、発光スペクトルにおいて、615nm以上625nm未満の範囲内に半値幅が6nm以下である第一の発光ピークと、625nm以上635nm未満の範囲内に第二の発光ピークを有する、請求項1から8のいずれか1項に記載のフッ化物蛍光体の製造方法。
  10. 前記第二の発光ピークの発光強度を100%として前記第一の発光ピークの発光強度が30%以上である、請求項9に記載のフッ化物蛍光体の製造方法。
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