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JP6803701B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 Download PDF

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Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体に関する。
特許文献１には、処理液を貯留する処理液容器と、処理液を吐出する吐出ノズルと、処理液容器と吐出ノズルを接続する供給管路と、供給管路に設けられたフィルタと、フィルタの二次側の供給管路に設けられたポンプと、ポンプの吐出側とフィルタの一次側とを接続する戻り管路と、を備える液処理装置が開示されている。
特開２０１４−１４０００１号公報
本開示は、処理液のフィルタの目詰まり抑制に有効な基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供することを目的とする。
本開示の一形態に係る基板処理装置は、処理液を吐出するノズルと、ノズルに処理液を供給する処理液供給部と、コントローラと、を備え、処理液供給部は、処理液を収容するタンクと、タンクからノズルに処理液を導く第一管路と、第一管路に設けられたポンプと、第一管路においてタンクとポンプとの間に設けられ、タンク側の第一空間、ポンプ側の第二空間、及び第一空間と前記第二空間とを仕切る濾材を含むフィルタと、を有し、コントローラは、ポンプにより、濾材を経て第一空間側から第二空間側に処理液を流すように処理液供給部を制御する第一制御と、第一制御の後、ポンプにより、濾材を経て第二空間側から第一空間側に処理液を流すように処理液供給部を制御する第二制御と、を実行するように構成されている。
コントローラが第一制御を実行すると、処理液中のパーティクルが濾材の第一空間側に捕集される。このため、第一制御のみを継続的に実行すると、濾材の第一空間側にパーティクルが蓄積し、フィルタの目詰まりが生じ得る。なお、フィルタの目詰まりとは、濾材に蓄積したパーティクルに起因する流量の低下が許容できなくなった状態を意味する。これに対し、コントローラは、第二制御を実行するように構成されている。コントローラが第二制御を実行することで、濾材を経て第二空間側から第一空間側に処理液が流れるので、濾材の第一空間側に蓄積していたパーティクルの少なくとも一部が濾材から離れる。これにより、濾材の第一空間側へのパーティクルの蓄積が緩和される。従って、フィルタの目詰まり抑制に有効である。
第二制御は、濾材を経て第二空間から第一空間に流入した処理液を、フィルタの内圧が高まるのに応じて排出することを含んでもよい。濾材を経て第二空間から第一空間に流入した処理液は、濾材から離れたパーティクルを含む。この処理液を排出することで、濾材から離れたパーティクルが再度濾材に蓄積することを抑制できる。従って、フィルタの目詰まり抑制に更に有効である。
コントローラは、第一空間の内圧と第二空間の内圧との差が大きくなるのに応じて第二制御を開始するように構成されていてもよい。第一空間の内圧と第二空間の内圧との差（差圧）は、濾材に蓄積したパーティクル（以下、「蓄積パーティクル」という。）が増えるのに応じて大きくなる。このため、当該差圧が大きくなるのに応じて第一制御を第二制御に切り替えることにより、蓄積パーティクルが増えるのに応じて第一制御を第二制御に切り替えることが可能となる。蓄積パーティクルが増えるのに応じて第二制御を開始することにより、濾材から蓄積パーティクルを離す効果を高めることができる。従って、フィルタの目詰まり抑制に更に有効である。
処理液供給部は、タンク内の処理液をポンプ側に加圧する加圧部と、濾材を経ずに第一空間と第二空間とを接続する第二管路と、を更に有してもよく、コントローラは、第二制御により処理液が濾材を経て第二空間側から第一空間側に流れた後に、加圧部により加圧された処理液を第二管路により第二空間に導くことで、濾材を経て第二空間側から第一空間側に処理液を流すように処理液供給部を制御する第三制御を更に実行するように構成されていてもよい。この場合、第三制御を実行することで、第二制御の実行後においても第二空間側から第一空間側への処理液の流れを継続させてパーティクルを洗い流すことができる。従って、フィルタの目詰まり抑制に更に有効である。
第三制御は、第二空間の内圧がタンクの内圧に比較して低くなるのに応じて、第二管路を経る処理液の流路を開くように処理液供給部を制御することを含んでもよい。この場合、第三制御の実行開始後において、第二空間側から第一空間側への処理液の流れを速やかに形成することができる。従って、フィルタの目詰まり抑制に更に有効である。
コントローラは、第一制御の前に、ポンプにより、濾材を経て第二空間側から第一空間側に処理液を流すように処理液供給部を制御する第四制御を更に実行するように構成されていてもよい。濾材の交換直後等においては、第一制御の実行に先立って、濾材に処理液を十分に含浸させる工程を実行することが望ましい。以下、濾材に処理液を含浸させることを、「フィルタを濡らす」といい、基板処理に使用可能なレベルまで濾材を濡らすことを「フィルタの立上げ」という。フィルタの立上げに際しては、濾材からパーティクルが発生する場合がある。上記第四制御によれば、フィルタの立上げに際して第二空間側から第一空間側に処理液を流すことで、パーティクルを第一空間側に発生させることができる。これにより、ノズル側へのパーティクルの流出を抑制できる。
コントローラは、第一空間の内圧と第二空間の内圧との差が小さくなるのに応じて第四制御を完了するように構成されていてもよい。第一空間の内圧と第二空間の内圧との差（差圧）は、フィルタの濡れが進行するのに応じて小さくなる。このため、当該差圧が小さくなるまで第四制御を継続することにより、フィルタの濡れを十分に進行させることができる。これにより、第一制御の開始時点における濾材の利用効率を高めことができ、濾材からの気泡発生を抑制することもできる。
コントローラは、第四制御の後、第一制御の前に、ポンプにより、濾材を経て第一空間側から第二空間側に処理液を流すように処理液供給部を制御する第五制御を更に実行するように構成されていてもよい。この場合、第四制御及び第五制御の併用により、フィルタの立上げを早く完了させることができる。
本開示の一形態に係る基板処理方法は、処理液を吐出するノズルと、ノズルに処理液を供給する処理液供給部と、を備え、処理液供給部は、処理液を収容するタンクと、タンクからノズルに処理液を導く第一管路と、第一管路に設けられたポンプと、第一管路においてタンクとポンプとの間に設けられ、タンク側の第一空間、ポンプ側の第二空間、及び第一空間と第二空間とを仕切る濾材を含むフィルタと、を有する基板処理装置を用い、ポンプにより、濾材を経て第一空間側から第二空間側に処理液を流すことと、濾材を経て第一空間側から第二空間側に処理液を流した後に、ポンプにより、濾材を経て第二空間側から第一空間側に処理液を流すことと、を含む。
濾材を経て第二空間側から第一空間側に処理液を流すことは、濾材を経て第二空間から第一空間に流入した処理液を、フィルタの内圧が高まるのに応じて排出することを含んでもよい。
第一空間の内圧と第二空間の内圧との差が大きくなるのに応じて、濾材を経て第一空間側から第二空間側に処理液を流すことから、濾材を経て第二空間側から第一空間側に処理液を流すことに実行内容を切り替えてもよい。
処理液供給部が、タンク内の処理液をポンプ側に加圧する加圧部と、濾材を経ずに第一空間と第二空間とを接続する第二管路と、を更に有する基板処理装置を用い、処理液が濾材を経て第二空間側から第一空間側に流れた後に、加圧部により加圧された処理液を第二管路により第二空間に導くことで、濾材を経て第二空間側から第一空間側に処理液を流すことを更に含んでもよい。
加圧部により加圧された処理液を第二管路により第二空間に導くことで、濾材を経て第二空間側から第一空間側に処理液を流すことは、第二空間の内圧がタンクの内圧に比較して低くなるのに応じて、第二管路を経る処理液の流路を開くことを含んでもよい。
本開示の一形態に係る記録媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
本開示によれば、処理液のフィルタの目詰まり抑制に有効な基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供することができる。
基板処理システムの斜視図である。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 塗布ユニットの模式図である。 処理液供給部の模式図である。 コントローラの機能上の構成を示すブロック図である。 コントローラのハードウェア構成を示すブロック図である。 処理液供給手順を示すフローチャートである。 フィルタの洗浄手順を示すフローチャートである。 フィルタの立上手順を示すフローチャートである。
以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
（塗布・現像装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００とを備える。
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。
処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像用の処理液（現像液）を塗布した後、これを洗浄用の処理液（リンス液）により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。
まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、被膜形成用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１４，１５，１６の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
（液処理ユニット）
続いて、処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１について詳細に説明する。図４に示すように、処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、回転保持機構２１と、ノズル２２と、処理液供給部３０とを備える。
回転保持機構２１は、基板の一例として、半導体のウェハＷを保持して回転させる。回転保持機構２１は、例えば保持部２３と回転駆動部２４とを有する。保持部２３は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部２４は、例えば電動モータ等を動力源としたアクチュエータであり、鉛直な回転中心まわりに保持部２３及びウェハＷを回転させる。
ノズル２２は、ウェハＷの表面Ｗａに処理液を吐出する。処理液は、例えば感光性のレジスト剤を含むレジスト液である。ノズル２２は、ウェハＷの上方に配置され、処理液を下方に吐出する。
処理液供給部３０は、ノズル２２に処理液を供給する。図５に示すように、処理液供給部３０は、タンク４０と、送液管Ｌ１と、フィルタ６０と、トラップ７０と、ポンプ５０と、送液管Ｌ２，Ｌ３と、排液管Ｌ４と、加圧部８０と、流路切替バルブＶ２１，Ｖ２２と、排液バルブＶ３１と、吐出バルブＶ３３と、圧力センサＰＳ１，ＰＳ２とを有する。
タンク４０は、処理液を収容する。送液管Ｌ１（第一管路）は、タンク４０からノズル２２に処理液を導く。フィルタ６０、トラップ７０、及びポンプ５０は、送液管Ｌ１に設けられ、タンク４０側からノズル２２側に順に並んでいる。すなわち、フィルタ６０は、送液管Ｌ１においてタンク４０とポンプ５０との間に設けられている。トラップ７０は、送液管Ｌ１においてフィルタ６０とポンプ５０との間に設けられている。以下、送液管Ｌ１のうち、タンク４０とフィルタ６０との間を第一部分Ｌ１１といい、フィルタ６０とトラップ７０との間を第二部分Ｌ１２といい、トラップ７０とポンプ５０との間の第三部分Ｌ１３といい、ポンプ５０とノズル２２との間を第四部分Ｌ１４という。
フィルタ６０は、送液管Ｌ１においてタンク４０とポンプ５０との間に設けられており、処理液中のパーティクルを除去する。フィルタ６０は、タンク４０側の第一空間６１と、ポンプ５０側の第二空間６２と、第一空間６１と第二空間６２とを仕切る濾材６３とを含む。第一空間６１は送液管Ｌ１の第一部分Ｌ１１に接続され、第二空間６２は送液管Ｌ１の第二部分Ｌ１２に接続されている。第一空間６１には、第一部分Ｌ１１に加えて排液管Ｌ４が接続されている。排液管Ｌ４（第四管路）は、第一空間６１内の処理液を排出する。なお、排出とは、タンク４０側からポンプ５０側又はポンプ５０側からタンク４０側に処理液を導く管路の外に処理液を排出することを意味する。
トラップ７０は、処理液から気体を分離する。
ポンプ５０は、処理液を圧送する。例えばポンプ５０は、液収容室５１と、ダイアフラム５２と、受入口５３と、送出口５４と、還流口５５と、受入バルブＶ１と、送出バルブＶ２と、還流バルブＶ３とを有する。液収容室５１は、圧送対象の処理液を収容する。ダイアフラム５２は、液収容室５１の容積を大きくすることで液収容室５１内に処理液を吸入し、液収容室５１の容積を小さくすることで液収容室５１内の処理液を液収容室５１外に送出する。
受入口５３は、トラップ７０側から液収容室５１内に処理液を受け入れる。受入口５３は、送液管Ｌ１の第三部分Ｌ１３に接続され、液収容室５１内に開口している。送出口５４は、液収容室５１内からノズル２２側に処理液を送り出す。送出口５４は、送液管Ｌ１の第四部分Ｌ１４に接続され、液収容室５１内に開口している。還流口５５は、液収容室５１内からトラップ７０側に処理液を送り出す。還流口５５は、送液管Ｌ３を介してトラップ７０に接続され、液収容室５１内に開口している。送液管Ｌ３（第三管路）は、液収容室５１からトラップ７０に処理液を導く。
受入バルブＶ１は、トラップ７０からポンプ５０への処理液の流路を開閉する。例えば受入バルブＶ１は、第三部分Ｌ１３に設けられ、第三部分Ｌ１３内の流路を開閉する。受入バルブＶ１は、第三部分Ｌ１３とポンプ５０との接続部に設けられ、受入口５３を開閉してもよい。
送出バルブＶ２は、ポンプ５０からノズル２２への処理液の流路を開閉する。例えば送出バルブＶ２は、第四部分Ｌ１４に設けられ、第四部分Ｌ１４内の流路を開閉する。送出バルブＶ２は、第四部分Ｌ１４とポンプ５０との接続部に設けられ、送出口５４を開閉してもよい。
還流バルブＶ３は、ポンプ５０からトラップ７０への処理液の流路を開閉する。例えば還流バルブＶ３は、送液管Ｌ３に設けられ、送液管Ｌ３内の流路を開閉する。還流バルブＶ３は、送液管Ｌ３とポンプ５０との接続部に設けられ、還流口５５を開閉してもよい。
受入バルブＶ１、送出バルブＶ２及び還流バルブＶ３は、流路を開閉可能であればいかなるものであってもよい。具体例としてエアオペレーションバルブ等が挙げられる。
加圧部８０は、タンク４０内の処理液をポンプ５０側に加圧する。例えば加圧部８０は、加圧管８１と、調圧バルブＶ１１と、加圧バルブＶ１２とを有する。加圧管８１は、加圧源（不図示）とタンク４０とを接続する。加圧源は、加圧用の不活性ガス（例えば窒素ガス）を送出する。
調圧バルブＶ１１及び加圧バルブＶ１２は、加圧管８１に設けられ、加圧源側からタンク４０側に順に並んでいる。調圧バルブＶ１１は、加圧源からタンク４０への流路の開度を調節することで、タンク４０の圧力を調節する。調圧バルブＶ１１は、流路の開度を調節可能であればいかなるものであってもよい。具体例として電子バルブ等が挙げられる。加圧バルブＶ１２は、加圧源からタンク４０への流路を開閉することで、加圧部８０によりタンク４０を加圧する状態と、加圧部８０におりタンク４０を加圧しない状態とを切り替える。加圧バルブＶ１２は、流路を開閉可能であればいかなるものであってもよい。具体例としてエアオペレーションバルブ等が挙げられる。
送液管Ｌ２（第二管路）は、フィルタ６０の濾材６３を経ずに、フィルタ６０の第一空間６１と第二空間６２とを接続する。例えば送液管Ｌ２は、送液管Ｌ１の第一部分Ｌ１１から分岐してトラップ７０に接続されている。換言すると、送液管Ｌ２の一端部は第一部分Ｌ１１を介して第一空間６１に接続され、送液管Ｌ２の他端部はトラップ７０及び送液管Ｌ３を介して第二空間６２に接続されている。これにより、第一空間６１と第二空間６２とが、濾材６３を経ずに接続されている。以下、第一部分Ｌ１１から送液管Ｌ２が分岐している部分を分岐部Ｊ１という。
流路切替バルブＶ２１は、分岐部Ｊ１とフィルタ６０との間において送液管Ｌ１に設けられ、送液管Ｌ１内の流路を開閉する。流路切替バルブＶ２２は、送液管Ｌ２に設けられ、送液管Ｌ２内の流路を開閉する。流路切替バルブＶ２１，Ｖ２２は、流路を開閉可能であればいかなるものであってもよい。具体例としてエアオペレーションバルブ等が挙げられる。
流路切替バルブＶ２１，Ｖ２２により、タンク４０とトラップ７０との間における処理液の流路の切り替えが可能である。例えば流路切替バルブＶ２１を開き、流路切替バルブＶ２２を閉じることで、フィルタ６０を経てタンク４０からトラップ７０へと処理液を導くことが可能となる。また、流路切替バルブＶ２２を開き、流路切替バルブＶ２１を閉じることで、フィルタ６０を経ることなく、タンク４０からトラップ７０へと処理液を導くことが可能となる。更に、流路切替バルブＶ２１，Ｖ２２の両方を開くことで、トラップ７０からフィルタ６０の第一空間６１に処理液を導くことも可能となる。
排液バルブＶ３１は、排液管Ｌ４に設けられ、排液管Ｌ４内の流路を開閉することで、第一空間６１内の処理液を排出可能な状態と、第一空間６１内の処理液を排出不能な状態とを切り替える。排液バルブＶ３１は、流路を開閉可能であればいかなるものであってもよい。具体例としてエアオペレーションバルブ等が挙げられる。
吐出バルブＶ３３は、ポンプ５０とノズル２２との間において送液管Ｌ１に設けられ（すなわち第四部分Ｌ１４に設けられ）、送液管Ｌ１内の流路を開閉することで、処理液をノズル２２から吐出可能な状態と、処理液をノズル２２から吐出不能な状態とを切り替える。
圧力センサＰＳ１は、タンク４０側から第一空間６１に連なる流路の内圧を検出する。なお、第一空間６１に連なるとは、濾材６３を経ずに第一空間６１に連なることを意味する。例えば圧力センサＰＳ１は、流路切替バルブＶ２１とフィルタ６０との間において送液管Ｌ１に設けられ、送液管Ｌ１内の圧力を検出する。
圧力センサＰＳ２は、トラップ７０側から第二空間６２に連なる流路の内圧を検出する。なお、第二空間６２に連なるとは、濾材６３を経ずに第二空間６２に連なることを意味する。例えば圧力センサＰＳ２は、フィルタ６０とトラップ７０との間において送液管Ｌ１に設けられ、送液管Ｌ１内の圧力を検出する。
（コントローラ）
処理液供給部３０は、上述のコントローラ１００により制御される。以下、処理液供給部３０を制御するためのコントローラ１００の構成を説明する。
コントローラ１００は、ポンプ５０により、濾材６３を経て第一空間６１側から第二空間６２側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する第一制御と、第一制御の後、ポンプ５０により、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する第二制御と、を実行するように構成されている。第二制御は、濾材６３を経て第二空間６２から第一空間６１に流入した処理液を、フィルタ６０の内圧が高まるのに応じて排出することを含んでもよい。コントローラ１００は、第一空間６１の内圧と第二空間６２の内圧との差が大きくなるのに応じて第二制御を開始するように構成されていてもよい。
コントローラ１００は、第二制御により処理液が濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に流れた後に、加圧部８０により加圧された処理液を送液管Ｌ２により第二空間６２に導くことで、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する第三制御を更に実行するように構成されていてもよい。第三制御は、第二空間６２の内圧がタンク４０の内圧に比較して低くなるのに応じて、送液管Ｌ２を経る処理液の流路を開放するように処理液供給部３０を制御することを含んでもよい。
コントローラ１００は、第一制御の前に、ポンプ５０により、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する第四制御を更に実行するように構成されていてもよい。コントローラ１００は、第一空間６１の内圧と第二空間６２の内圧との差が小さくなるのに応じて第四制御を完了するように構成されていてもよい。
図６に例示するように、コントローラ１００は、機能上のモジュール（以下、「機能モジュール」という。）として、処理液供給制御部１１１と、第一逆洗制御部１１２と、第二逆洗制御部１１３と、立上制御部１１４とを有する。
処理液供給制御部１１１は、処理液供給制御を実行する。処理液供給制御部１１１は、ウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給するに際して処理液供給制御を実行する。処理液供給制御は、ポンプ５０により、フィルタ６０を経てタンク４０からノズル２２に処理液を供給するように処理液供給部３０を制御することを含む。処理液はフィルタ６０を通過する過程において、濾材６３を経て第一空間６１側から第二空間６２側に流れる。すなわち処理液供給制御部１１１は上記第一制御を含む。
第一逆洗制御部１１２は、第一逆洗制御を実行する。第一逆洗制御部１１２は、処理液供給制御の実行中に、フィルタ６０の洗浄が必要と判断した場合に第一逆洗制御を実行する。第一逆洗制御は、ポンプ５０により、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御することを含む。すなわち第一逆洗制御は上記第二制御を含む。
第二逆洗制御部１１３は、第二逆洗制御を実行する。第二逆洗制御部１１３は、第一逆洗制御が実行された後に第二逆洗制御を実行する。第二逆洗制御は、加圧部８０により加圧された処理液を送液管Ｌ２により第二空間６２に導くことで、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御することを含む。すなわち第二逆洗制御は上記第三制御を含む。
立上制御部１１４は、立上制御を実行する。立上制御部１１４は、フィルタ６０の濾材６３が交換された後において最初の処理液供給制御が実行される前に立上制御を実行する。立上制御は、ポンプ５０により、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御することを含む。すなわち立上制御は上記第四制御を含む。
コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図７に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。入出力ポート１２４は、ポンプ５０、流路切替バルブＶ２１，Ｖ２２、排液バルブＶ３１及び加圧バルブＶ１２等との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。
ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体を有する。記録媒体は、後述の基板処理手順をキャリアブロック４及び処理ブロック５に実行させるためのプログラムを記録している。記録媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記録媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。
なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
〔基板処理手順〕
続いて、基板処理方法の一例として、コントローラ１００の制御に応じて処理液供給部３０が実行する処理液供給手順、フィルタ洗浄手順及びフィルタ立上手順を説明する。
（処理液供給手順）
図８に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、処理液供給制御部１１１が、吐出開始指令の有無を確認する。吐出開始指令は、コントローラ１００の他の機能モジュールにより自動生成されてもよいし、オペレータにより入力されてもよい。例えば吐出開始指令は、液処理ユニットＵ１内にウェハＷが搬入された後に自動生成される。
ステップＳ０１において、吐出開始指令が無いと判定した場合、コントローラ１００は、タンク４０とポンプ５０との間で処理液を循環させるように処理液供給部３０を制御する。具体的に、コントローラ１００は、ステップＳ０２〜Ｓ０５を実行する。
ステップＳ０２では、処理液供給制御部１１１が、ポンプ５０の液収容室５１内に処理液を吸入することで、フィルタ６０を経てタンク４０側からポンプ５０側に処理液を流すことを開始するように処理液供給部３０を制御する。例えば処理液供給制御部１１１は、流路切替バルブＶ２１を開き、流路切替バルブＶ２２を閉じ、排液バルブＶ３１を閉じ、送出バルブＶ２及び還流バルブＶ３を閉じ、受入バルブＶ１を開いた状態にて、液収容室５１内への処理液の吸入を開始するようにポンプ５０を制御する。これにより、フィルタ６０を経て、タンク４０側からポンプ５０側に処理液が流れる。フィルタ６０内においては、濾材６３を経て、第一空間６１側から第二空間６２側に処理液が流れる。すなわち、ステップＳ０２は上記第一制御を含む。
ステップＳ０３では、第一逆洗制御部１１２が、フィルタ６０の第一空間６１の内圧と、第二空間６２の内圧との差に関するデータ（以下、「差圧データ」という。）を取得する。例えば第一逆洗制御部１１２は、圧力センサＰＳ１による検出値と、圧力センサＰＳ２による検出値との差を取得する。この差圧データは、後述のように、フィルタ６０の洗浄の要否判定に用いられる。
ステップＳ０４では、処理液供給制御部１１１が、液収容室５１内への処理液の吸入を停止するようにポンプ５０を制御する。
ステップＳ０５では、処理液供給制御部１１１が、液収容室５１内の処理液を送出することで、送液管Ｌ２を経てポンプ５０側からタンク４０側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する。例えば処理液供給制御部１１１は、流路切替バルブＶ２１を閉じ、流路切替バルブＶ２２を開き、受入バルブＶ１及び送出バルブＶ２を閉じ、還流バルブＶ３を開いた状態にて、液収容室５１内の処理液を送出するようにポンプ５０を制御する。これにより、処理液は、送液管Ｌ３、送液管Ｌ２及び送液管Ｌ１を経てタンク４０に還流される。
次に、コントローラ１００は、処理を後述のステップＳ１２に進める。
ステップＳ０１において、吐出開始指令が有ると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ０６〜Ｓ０９を実行する。ステップＳ０６では、処理液供給制御部１１１が、ポンプ５０の液収容室５１内に処理液を吸入することで、フィルタ６０を経てタンク４０側からポンプ５０側に処理液を流すことを開始するように処理液供給部３０を制御する。例えば処理液供給制御部１１１は、流路切替バルブＶ２１を開き、流路切替バルブＶ２２を閉じ、排液バルブＶ３１を閉じ、送出バルブＶ２及び還流バルブＶ３を閉じ、受入バルブＶ１を開いた状態にて、液収容室５１内への処理液の吸入を開始するようにポンプ５０を制御する。これにより、フィルタ６０を経て、タンク４０側からポンプ５０側に処理液が流れる。フィルタ６０内においては、濾材６３を経て、第一空間６１側から第二空間６２側に処理液が流れる。すなわち、ステップＳ０６も上記第一制御を含む。
ステップＳ０７では、第一逆洗制御部１１２が、ステップＳ０３と同様に差圧データを取得する。
ステップＳ０８では、処理液供給制御部１１１が、液収容室５１内への処理液の吸入を停止するようにポンプ５０を制御する。
ステップＳ０９では、処理液供給制御部１１１が、液収容室５１内の処理液を送出することで、処理液をノズル２２に供給するように処理液供給部３０を制御する。例えば処理液供給制御部１１１は、受入バルブＶ１及び還流バルブＶ３を閉じ、送出バルブＶ２を開き、吐出バルブＶ３３を開いた状態にて液収容室５１内の処理液を送出するようにポンプ５０を制御する。これにより、処理液は、送液管Ｌ１を経てノズル２２に供給される。
次に、コントローラ１００はステップＳ１０を実行する。ステップＳ１０では、処理液供給制御部１１１が、吐出停止指令を待機する。吐出停止指令は、コントローラ１００の他の機能モジュールにより自動生成されてもよいし、オペレータにより入力されてもよい。例えば吐出停止指令は、ウェハＷへの処理液の塗布が完了したタイミング又はその直前又は直後に自動生成される。
次に、コントローラ１００はステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、処理液供給制御部１１１が、ノズル２２への処理液の供給を停止するように処理液供給部３０を制御する。例えば処理液供給制御部１１１は、吐出バルブＶ３３を閉じる。これにより、ノズル２２への処理液の供給が停止する。その後、処理液供給制御部１１１は、液収容室５１内に残存する処理液を送出することで、送液管Ｌ２を経てポンプ５０側からタンク４０側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する。例えば処理液供給制御部１１１は、流路切替バルブＶ２１を閉じ、流路切替バルブＶ２２を開き、受入バルブＶ１及び送出バルブＶ２を閉じ、還流バルブＶ３を開いた状態にて、液収容室５１内に残存する処理液を送出するようにポンプ５０を制御する。これにより、処理液は、送液管Ｌ３、送液管Ｌ２及び送液管Ｌ１を経てタンク４０に還流される。
次に、コントローラ１００はステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、処理液供給制御部１１１が、一セットのウェハＷの液処理が完了したか否かを確認する。一セットのウェハＷは、一枚のウェハＷであってもよいし、複数枚のウェハＷであってもよい。例えば一セットのウェハＷは、同一ロットの複数のウェハＷであってもよいし、一つのキャリア１１に収容された複数のウェハＷであってもよい。
ステップＳ１２において、一セットのウェハＷの液処理が完了していないと判定した場合、コントローラ１００は処理をステップＳ０１に戻す。以後、一セットのウェハＷの液処理が完了するまで、吐出開始指令が無い場合には処理液を循環させ、吐出開始指令が有る場合にはノズル２２に処理液を供給することが繰り返される。
ステップＳ１２において、一セットのウェハＷの液処理が完了したと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、第一逆洗制御部１１２が、ステップＳ０３又はステップＳ０７で取得された差圧データの値（以下、これを「差圧」という。）が第一閾値以上であるか否かを確認する。第一閾値は、濾材６３におけるパーティクルの蓄積の程度と差圧との相関に基づいて予め設定されている。当該相関は、実験又はシミュレーション等により把握可能である。
ステップＳ１３において、差圧が第一閾値以上ではないと判定した場合、コントローラ１００は、処理を後述のステップＳ１５に進める。
ステップＳ１３において、差圧が第一閾値以上であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４では、第一逆洗制御部１１２及び第二逆洗制御部１１３が、フィルタ６０の洗浄処理を実行する。その具体的手順については後述する。
次に、コントローラ１００はステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５では、処理液供給制御部１１１が、全てのウェハＷの液処理が完了したか否かを確認する。ステップＳ１５において、全てのウェハＷの液処理は完了していないと判定した場合、コントローラ１００は処理をステップＳ０１に戻す。ステップＳ１５において、全てのウェハＷの液処理が完了したと判定した場合、コントローラ１００は処理を完了する。
（フィルタ洗浄手順）
続いて、ステップＳ１４におけるフィルタ６０の洗浄手順について詳述する。図９に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、処理液供給制御部１１１が、ポンプ５０の液収容室５１内に処理液を吸入することで、フィルタ６０を経てタンク４０側からポンプ５０側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する。例えば第一逆洗制御部１１２は、流路切替バルブＶ２１を開き、流路切替バルブＶ２２を閉じ、排液バルブＶ３１を閉じ、送出バルブＶ２及び還流バルブＶ３を閉じ、受入バルブＶ１を開いた状態にて、液収容室５１内に処理液を吸入するようにポンプ５０を制御する。これにより、フィルタ６０を経て、タンク４０側からポンプ５０側に処理液が流れる。フィルタ６０内においては、濾材６３を経て、第一空間６１側から第二空間６２側に処理液が流れる。すなわち、ステップＳ２１も上記第一制御を含む。
次に、コントローラ１００は上記第一逆洗制御（第二制御）を実行する。例えばコントローラ１００は、ステップＳ２２〜Ｓ２４を実行する。
ステップＳ２２では、第一逆洗制御部１１２が、液収容室５１内の処理液を送出することで、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すことを開始するように処理液供給部３０を制御する。例えば第一逆洗制御部１１２は、流路切替バルブＶ２１を閉じ、流路切替バルブＶ２２を閉じ、排液バルブＶ３１を閉じ、送出バルブＶ２及び還流バルブＶ３を閉じ、受入バルブＶ１を開いた状態にて、液収容室５１内の処理液を送出するようにポンプ５０を制御する。これにより、送液管Ｌ１を経てフィルタ６０の第二空間６２内が加圧され、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液が流れ、第一空間６１内も加圧される。
ステップＳ２３では、第一空間６１側における処理液の内圧が第二閾値以上となるのを第一逆洗制御部１１２が待機する。第二閾値は、フィルタ６０の洗浄に適した流れを形成する観点で、事前の条件出し又はシミュレーションにより適宜設定可能である。なお、ステップＳ２３では、第二空間６２側における処理液の内圧が所定の閾値以上となるのを待機してもよい。
ステップＳ２４では、第一逆洗制御部１１２が、濾材６３を経て第二空間６２から第一空間６１に流入した処理液を排出するように処理液供給部３０を制御する。例えば第一逆洗制御部１１２は、排液バルブＶ３１を開き、排液管Ｌ４を経た処理液の排出を開始する。これにより、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液が継続的に流れる。
次に、コントローラ１００は、ステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５では、第二逆洗制御部１１３が、加圧部８０による処理液の加圧を開始するように処理液供給部３０を制御する。例えば第二逆洗制御部１１３は、流路切替バルブＶ２１，Ｖ２２を閉じた状態にて加圧バルブＶ１２を開く。
次に、コントローラ１００は、第二空間６２の内圧がタンク４０の内圧に比較して低くなるのに応じて、上記第一逆洗制御（第二制御）を上記第二逆洗制御（第三制御）に切り替える。例えばコントローラ１００は、ステップＳ２６〜Ｓ２８を実行する。
ステップＳ２６では、第一逆洗制御部１１２が、ポンプ５０により、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すことを停止するように処理液供給部３０を制御する。例えば第一逆洗制御部１１２は、液収容室５１内からの処理液の送出を停止するようにポンプ５０を制御し、受入バルブＶ１を閉じる。
ステップＳ２７では、第二逆洗制御部１１３が、第二空間６２の内圧がタンク４０の内圧未満となるのを待機する。第二空間６２の内圧がタンク４０の内圧未満となったか否かは、例えば、圧力センサＰＳ２による検出値がタンク４０の内圧の設定値未満となったか否かに基づいて確認可能である。圧力センサＰＳ２による検出値がタンク４０の内圧の設定値未満となったと判定すると、コントローラ１００は、ステップＳ２８を実行して上記第二逆洗制御を開始する。
ステップＳ２８では、第二逆洗制御部１１３が、送液管Ｌ２（第二管路）を経る流路を開くように処理液供給部３０を制御する。例えば第二逆洗制御部１１３は、流路切替バルブＶ２２を開く。流路切替バルブＶ２２が開くと、加圧部８０により加圧された処理液が、送液管Ｌ２を経てタンク４０側からトラップ７０側に流れ、トラップ７０を経て第二空間６２内に流入する。これにより、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液が流れる。
次に、コントローラ１００はステップＳ２９を実行する。ステップＳ２９では、第二逆洗制御部１１３が、所定時間の経過を待機する。所定時間は、フィルタ６０を十分に洗浄する観点で、事前の条件出し又はシミュレーションにより適宜設定可能である。
次に、コントローラ１００はステップＳ３０を実行する。ステップＳ３０では、第二逆洗制御部１１３が、送液管Ｌ２（第二管路）を経る流路を閉じ、第一空間６１内の処理液を排出することを停止するように処理液供給部３０を制御する。例えば第二逆洗制御部１１３は、流路切替バルブＶ２２を閉じ、排液バルブＶ３１を閉じる。以上でフィルタ６０の洗浄手順が完了する。
なお、以上の手順は一例であり、適宜変更可能である。例えば、ステップＳ２２の実行後、ステップＳ２７の実行前であれば、いずれのタイミングでステップＳ２５を実行してもよい。
（フィルタ立上手順）
フィルタ６０の濾材６３が交換された後において、最初の処理液供給制御が実行される前に、処理液供給部３０は、濾材６３に処理液を含浸させる処理を実行する。なお、濾材６３に処理液を含浸させることを「フィルタ６０を濡らす」といい、基板処理に使用可能なレベルまでフィルタ６０を濡らすことを「フィルタ６０の立上げ」という。以下、フィルタ６０の立上手順を説明する。この手順は、フィルタ６０の濾材６３が交換された後において、上記ステップＳ０１を最初に実行する前に実行される。
図１０に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ４１を実行する。ステップＳ４１では、立上制御部１１４が、ポンプ５０の液収容室５１内に処理液を吸入することで、送液管Ｌ２を経て（フィルタ６０を経ずに）タンク４０側からポンプ５０側に処理液を流す。例えば立上制御部１１４は、流路切替バルブＶ２１を閉じ、流路切替バルブＶ２２を開き、排液バルブＶ３１を閉じ、送出バルブＶ２及び還流バルブＶ３を閉じ、受入バルブＶ１を開いた状態にて、液収容室５１内に処理液を吸入するようにポンプ５０を制御する。これにより、送液管Ｌ２を経て、タンク４０側からポンプ５０側に処理液が流れる。
次に、コントローラ１００はステップＳ４２を実行する。ステップＳ４２では、立上制御部１１４が、液収容室５１内の処理液を送出することで、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すことを開始するように処理液供給部３０を制御する。例えば立上制御部１１４は、流路切替バルブＶ２１を閉じ、流路切替バルブＶ２２を閉じ、排液バルブＶ３１を閉じ、送出バルブＶ２及び還流バルブＶ３を閉じ、受入バルブＶ１を開いた状態にて、液収容室５１内の処理液を送出するようにポンプ５０を制御する。これにより、送液管Ｌ１を経てフィルタ６０の第二空間６２内が加圧され、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液が流れ、第一空間６１内も加圧される。これにより、処理液が第二空間６２側から濾材６３に含浸する。
次に、コントローラ１００はステップＳ４３を実行する。ステップＳ４３では、第一空間６１側における処理液の内圧が第三閾値以上となるのを立上制御部１１４が待機する。第三閾値は、フィルタ６０の立上げに適した流れを形成する観点で、事前の条件出し又はシミュレーションにより適宜設定可能である。第三閾値は第二閾値と同じであってもよい。
次に、コントローラ１００はステップＳ４４を実行する。ステップＳ４４では、立上制御部１１４が、濾材６３を経て第二空間６２から第一空間６１に流入した処理液を排出するように処理液供給部３０を制御する。例えば立上制御部１１４は、排液バルブＶ３１を開き、排液管Ｌ４を経た処理液の排出を開始する。これにより、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液が継続的に流れる。
次に、コントローラ１００はステップＳ４５を実行する。ステップＳ４５では、立上制御部１１４が、ステップＳ０３と同様に差圧データを取得する。
次に、コントローラ１００はステップＳ４６を実行する。ステップＳ４６では、立上制御部１１４が、ポンプ５０により、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すことを停止するように処理液供給部３０を制御する。例えば立上制御部１１４は、液収容室５１内からの処理液の送出を停止するようにポンプ５０を制御する。
次に、コントローラ１００はステップＳ４７を実行する。ステップＳ４７では、ステップＳ４５で取得された差圧データの値（以下、これを「差圧」という。）が第四閾値以下であるか否かを確認する。第四閾値は、フィルタ６０の濡れの程度と差圧との相関に基づいて予め設定されている。当該相関は、実験又はシミュレーション等により把握可能である。
ステップＳ４７において、差圧が第四閾値より大きいと判定した場合、コントローラ１００は処理をステップＳ４１に戻す。以後、差圧が第四閾値以下となるまで、送液管Ｌ２を経てタンク４０側からポンプ５０側に処理液を流すことと、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すこととが繰り返される。
ステップＳ４７において、差圧が第四閾値以下であると判定した場合、コントローラ１００はフィルタ６０の立上げ手順を完了する。
なお、以上の手順は一例であり、適宜変更可能である。コントローラ１００は、第四制御の後、第一制御の前に、ポンプ５０により、濾材６３を経て第一空間６１側から第二空間６２側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する第五制御を更に実行するように構成されていてもよい。すなわち、上記立上制御は、第四制御の後に第五制御を更に含んでいてもよい。例えば、立上制御部１１４は、ステップＳ４１〜Ｓ４７の後に、ポンプ５０の液収容室５１内に処理液を吸入することで、フィルタ６０を経てタンク４０側からポンプ５０側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御することを更に実行してもよい。より具体的に、立上制御部１１４は、上述のステップＳ４１〜Ｓ４７の後に、流路切替バルブＶ２１を開き、流路切替バルブＶ２２を閉じ、排液バルブＶ３１を閉じ、送出バルブＶ２及び還流バルブＶ３を閉じ、受入バルブＶ１を開いた状態にて、液収容室５１内に処理液を吸入するようにポンプ５０を制御してもよい。
〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、処理液を吐出するノズル２２と、ノズル２２に処理液を供給する処理液供給部３０と、コントローラ１００と、を備える。処理液供給部３０は、処理液を収容するタンク４０と、タンク４０からノズル２２に処理液を導く送液管Ｌ１と、送液管Ｌ１に設けられたポンプ５０と、送液管Ｌ１においてタンク４０とポンプ５０との間に設けられ、タンク４０側の第一空間６１、ポンプ５０側の第二空間６２、及び第一空間６１と第二空間６２とを仕切る濾材６３を含むフィルタ６０と、を有する。コントローラ１００は、ポンプ５０により、濾材６３を経て第一空間６１側から第二空間６２側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する第一制御と、第一制御の後、ポンプ５０により、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する第二制御と、を実行するように構成されている。
コントローラ１００が第一制御を実行すると、処理液中のパーティクルが濾材６３の第一空間６１側に捕集される。このため、第一制御のみを継続的に実行すると、濾材６３の第一空間側にパーティクルが蓄積し、フィルタ６０の目詰まりが生じ得る。なお、フィルタ６０の目詰まりとは、濾材６３に蓄積したパーティクルに起因する流量の低下が許容できなくなった状態を意味する。これに対し、コントローラ１００は、第二制御を実行するように構成されている。コントローラ１００が第二制御を実行することで、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液が流れるので、濾材６３の第一空間６１側に蓄積していたパーティクルの少なくとも一部が濾材６３から離れる。これにより、濾材６３の第一空間６１側へのパーティクルの蓄積が緩和される。従って、フィルタ６０の目詰まり抑制に有効である。
第二制御は、濾材６３を経て第二空間６２から第一空間６１に流入した処理液を、フィルタ６０の内圧が高まるのに応じて排出することを含んでもよい。濾材６３を経て第二空間６２から第一空間６１に流入した処理液は、濾材６３から離れたパーティクルを含む。この処理液を排出することで、濾材６３から離れたパーティクルが再度濾材６３に蓄積することを抑制できる。従って、フィルタ６０の目詰まり抑制に更に有効である。
コントローラ１００は、第一空間６１の内圧と第二空間６２の内圧との差が大きくなるのに応じて第二制御を開始するように構成されていてもよい。第一空間６１の内圧と第二空間６２の内圧との差（以下、これを「差圧」という。）は、濾材６３に蓄積したパーティクル（以下、これを「蓄積パーティクル」という。）が増えるのに応じて大きくなる。このため、当該差圧が大きくなるのに応じて第二制御を開始することにより、蓄積パーティクルが増えるのに応じて第一制御を第二制御に切り替えることが可能となる。蓄積パーティクルが増えるのに応じて第一制御を第二制御に切り替えることにより、濾材６３から蓄積パーティクルを離す効果を高めることができる。従って、フィルタ６０の目詰まり抑制に更に有効である。
処理液供給部３０は、タンク４０内の処理液をポンプ５０側に加圧する加圧部８０と、濾材６３を経ずに第一空間６１と第二空間６２とを接続する送液管Ｌ２と、を更に有してもよい。コントローラ１００は、第二制御により処理液が濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に流れた後に、加圧部８０により加圧された処理液を送液管Ｌ２により第二空間６２に導くことで、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する第三制御を更に実行するように構成されていてもよい。この場合、第三制御を実行することで、第二制御の実行後においても第二空間６２側から第一空間６１側への処理液の流れを継続させてパーティクルを洗い流すことができる。従って、フィルタ６０の目詰まり抑制に更に有効である。
第三制御は、第二空間６２の内圧がタンク４０の内圧に比較して低くなるのに応じて、送液管Ｌ２を経る処理液の流路を開くように処理液供給部３０を制御することを含んでもよい。この場合、第三制御の実行開始後において、第二空間６２側から第一空間６１側への処理液の流れを速やかに形成することができる。従って、フィルタの目詰まり抑制に更に有効である。
コントローラ１００は、第一制御の前に、ポンプ５０により、濾材６３を経て第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する第四制御を更に実行するように構成されていてもよい。フィルタ６０の立上げに際しては、濾材６３からパーティクルが発生する場合がある。上記第四制御によれば、フィルタ６０の立上げに際して第二空間６２側から第一空間６１側に処理液を流すことで、パーティクルを第一空間６１側に発生させることができる。これにより、ノズル２２側へのパーティクルの流出を抑制できる。
コントローラ１００は、第一空間６１の内圧と第二空間６２の内圧との差が小さくなるのに応じて第四制御を完了するように構成されていてもよい。第一空間６１の内圧と第二空間６２の内圧との差（差圧）は、フィルタ６０の濡れが進行するのに応じて小さくなる。このため、当該差圧が小さくなるまで第四制御を継続することにより、フィルタ６０の濡れを十分に進行させることができる。これにより、第一制御の開始時点における濾材６３の利用効率を高めことができ、濾材６３からの気泡発生を抑制することもできる。
コントローラ１００は、第四制御の後、第一制御の前に、ポンプ５０により、濾材６３を経て第一空間６１側から第二空間６２側に処理液を流すように処理液供給部３０を制御する第五制御を更に実行するように構成されていてもよい。この場合、第四制御及び第五制御の併用により、フィルタ６０の立上げを早く完了させることができる。
なお、本実施形態においては、圧力センサＰＳ１，ＰＳ２を複数の用途で活用している。具体的に、圧力センサＰＳ１，ＰＳ２による検出結果を、ステップＳ１３におけるフィルタ６０の洗浄の要否判断、ステップＳ２３における処理液排出の開始タイミング調整、ステップＳ２７における第二逆洗制御（第三制御）の開始タイミング調整、ステップＳ４３における処理液排出の開始タイミング調整、及びステップＳ４９における第二立上制御（第四制御）の完了タイミング調整に用いている。このように、フィルタ６０の第一空間６１側及び第二空間６２側の少なくとも一方の内圧に相関する圧力を検出可能なセンサを設けると、当該センサによる検出情報を様々な条件判断に利用可能である。そして、共通のセンサを複数の用途に活用することは、装置構成の複雑化を抑制しつつ性能向上（フィルタ６０の目詰まり抑制及び、フィルタ６０立上げ時間の短縮）を図ることに寄与している。
以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、実施形態においては、処理液供給手順、フィルタ洗浄手順、及びフィルタ立上手順を処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１に適用する例を示したが、処理モジュール１４，１６，１７の液処理ユニットＵ１にも適用可能である。また、処理対象の基板は、半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。
２…塗布・現像装置（基板処理装置）、１００…コントローラ、３０…処理液供給部、４０…タンク、Ｌ１…送液管（第一管路）、６０…フィルタ、５０…ポンプ、Ｌ２…送液管（第二管路）、８０…加圧部、６１…第一空間、６２…第二空間、６３…濾材。

Claims (12)

  1. 処理液を吐出するノズルと、
    前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部と、
    コントローラと、を備え、
    前記処理液供給部は、
    前記処理液を収容するタンクと、
    前記タンクから前記ノズルに前記処理液を導く第一管路と、
    前記第一管路に設けられたポンプと、
    前記第一管路において前記タンクと前記ポンプとの間に設けられ、前記タンク側の第一空間、前記ポンプ側の第二空間、及び前記第一空間と前記第二空間とを仕切る濾材を含むフィルタと、を有し、
    前記コントローラは、
    前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第一空間側から前記第二空間側に前記処理液を流すように前記処理液供給部を制御する第一制御と、
    前記第一制御の後、前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に前記処理液を流すように前記処理液供給部を制御し、前記濾材を経て前記第二空間から前記第一空間に流入した前記処理液を、前記フィルタの内圧が高まるのに応じて排出する第二制御と、を実行するように構成されている、基板処理装置。
  2. 前記コントローラは、前記第一空間の内圧と前記第二空間の内圧との差が大きくなるのに応じて前記第二制御を開始するように構成されている、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記処理液供給部は、
    前記タンク内の前記処理液を前記ポンプ側に加圧する加圧部と、
    前記濾材を経ずに前記第一空間と前記第二空間とを接続する第二管路と、を更に有し、
    前記コントローラは、
    前記第二制御により前記処理液が前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に流れた後に、前記加圧部により加圧された前記処理液を前記第二管路により前記第二空間に導くことで、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に処理液を流すように前記処理液供給部を制御する第三制御を更に実行するように構成されている、請求項１又は２記載の基板処理装置。
  4. 前記第三制御は、前記第二空間の内圧が前記タンクの内圧に比較して低くなるのに応じて、前記第二管路を経る前記処理液の流路を開くように前記処理液供給部を制御することを含む、請求項３記載の基板処理装置。
  5. 前記コントローラは、前記第一制御の前に、前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に前記処理液を流すように前記処理液供給部を制御する第四制御を更に実行するように構成されている、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
  6. 前記コントローラは、前記第一空間の内圧と前記第二空間の内圧との差が小さくなるのに応じて前記第四制御を完了するように構成されている、請求項５記載の基板処理装置。
  7. 前記コントローラは、前記第四制御の後、前記第一制御の前に、前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第一空間側から前記第二空間側に前記処理液を流すように前記処理液供給部を制御する第五制御を更に実行するように構成されている、請求項５又は６記載の基板処理装置。
  8. 処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部と、を備え、前記処理液供給部は、前記処理液を収容するタンクと、前記タンクから前記ノズルに前記処理液を導く第一管路と、前記第一管路に設けられたポンプと、前記第一管路において前記タンクと前記ポンプとの間に設けられ、前記タンク側の第一空間、前記ポンプ側の第二空間、及び前記第一空間と前記第二空間とを仕切る濾材を含むフィルタと、を有する基板処理装置を用い、
    前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第一空間側から前記第二空間側に前記処理液を流すことと、
    前記濾材を経て前記第一空間側から前記第二空間側に前記処理液を流した後に、前記ポンプにより、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に前記処理液を流し、前記濾材を経て前記第二空間から前記第一空間に流入した前記処理液を、前記フィルタの内圧が高まるのに応じて排出することと、を含む基板処理方法。
  9. 前記第一空間の内圧と前記第二空間の内圧との差が大きくなるのに応じて、前記濾材を経て前記第一空間側から前記第二空間側に前記処理液を流すことから、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に前記処理液を流すことに実行内容を切り替える、請求項８記載の基板処理方法。
  10. 前記処理液供給部が、前記タンク内の前記処理液を前記ポンプ側に加圧する加圧部と、
    前記濾材を経ずに前記第一空間と前記第二空間とを接続する第二管路と、を更に有する基板処理装置を用い、
    前記処理液が前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に流れた後に、前記加圧部により加圧された前記処理液を前記第二管路により前記第二空間に導くことで、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に処理液を流すことを更に含む、請求項８又は９記載の基板処理方法。
  11. 前記加圧部により加圧された前記処理液を前記第二管路により前記第二空間に導くことで、前記濾材を経て前記第二空間側から前記第一空間側に処理液を流すことは、前記第二空間の内圧が前記タンクの内圧に比較して低くなるのに応じて、前記第二管路を経る前記処理液の流路を開くことを含む、請求項１０記載の基板処理方法。
  12. 請求項８〜１１のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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