JP6861213B2 - ファブリペロー干渉フィルタ - Google Patents

Description

本発明の一形態は、ファブリペロー干渉フィルタに関する。

特許文献１に記載されたファブリ・ペロー干渉計は、基板と、基板上に配置された下側固定ミラーを有する第１ミラー構造と、空間を介して下側固定ミラーと対向する上側可動ミラーを有する第２ミラー構造と、第１ミラー構造と第２ミラー構造との間において空間を画定する犠牲層と、を備えている。このファブリ・ペロー干渉計では、犠牲層の外側面が露出している。また、犠牲層の外側面が、平面状を呈し、犠牲層における第１ミラー構造とは反対側の表面と直交していると共に、第２ミラー構造の外側面と面一となっている。

特表２０１２−５２８３４５号公報

上述したようなファブリ・ペロー干渉計では、犠牲層の外側面が露出しているため、犠牲層の外側面から光が入射する。このような光は、下側固定ミラーと上側可動ミラーとの間の距離に応じた波長とは異なる波長を有していても、下側固定ミラーを透過してファブリ・ペロー干渉計からの出力光に含まれるおそれがある。この場合、出力光においてノイズが増大し、ファブリ・ペロー干渉計の特性が劣化する。

また、上述したようなファブリ・ペロー干渉計では、第２ミラー構造が犠牲層に支持された状態で、静電気力によって上側可動ミラーが下側固定ミラー側に移動する。このため、上側可動ミラーが下側固定ミラー側に移動する際に、第２ミラー構造において犠牲層に支持された領域に対して、上側可動ミラー側に向かうように力が作用する。そして、その力の反作用によって、犠牲層において上側可動ミラーを支持する領域に応力が作用する。特に、このファブリ・ペロー干渉計では、犠牲層の外側面が、平面状を呈し、犠牲層における第１ミラー構造とは反対側の表面と直交していると共に、第２ミラー構造の外側面と面一となっている。このため、犠牲層の外側面における第２ミラー構造側の角部に応力が集中し易い。その結果、当該角部においてクラック等の損傷が発生するおそれがある。

そこで、本発明の一形態は、高い信頼性を得ることができるファブリペロー干渉フィルタを提供することを目的とする。

本発明の一形態のファブリペロー干渉フィルタは、第１表面を有する基板と、第１表面に配置された第１ミラー部を有する第１層と、第１ミラー部に対して基板とは反対側において空隙を介して第１ミラー部と対向する第２ミラー部を有する第２層と、第１層と第２層との間において空隙を画定する中間層と、を備え、中間層の外側面は、中間層の基板側の縁部が、中間層の基板とは反対側の縁部よりも、第１表面に平行な方向において外側に位置するように、湾曲しており、第２層は、中間層の外側面を被覆している。

このファブリペロー干渉フィルタでは、第２層が中間層の外側面を被覆している。このため、中間層の外側面から光が入射することに起因してファブリペロー干渉フィルタからの出力光においてノイズが増大するのを抑制することができる。したがって、ファブリペロー干渉フィルタの特性が劣化するのを抑制することができる。ところで、このファブリペロー干渉フィルタでは、第２層が中間層の外側面を被覆していることから、第２ミラー部が第１ミラー部側に移動する際に、第２層において中間層の外側面を被覆する領域に対しても、第２ミラー部側に向かうように力が作用する。したがって、中間層の外側面における第２層側の角部に応力が集中し易い。ここで、このファブリペロー干渉フィルタでは、中間層の外側面は、中間層の基板側の縁部が、中間層の基板とは反対側の縁部よりも、第１表面に平行な方向において外側に位置するように、湾曲している。このため、中間層の外側面における第２層側の角部において応力を分散させることができる。したがって、当該角部においてクラック等の損傷が発生するのを抑制することができる。以上により、このファブリペロー干渉フィルタによれば、高い信頼性を得ることができる。

本発明の一形態のファブリペロー干渉フィルタでは、中間層の外側面は、中間層の基板側の縁部が、中間層の基板とは反対側の縁部よりも、第１表面に平行な方向において外側に位置するように、空隙側に凹状に湾曲していてもよい。この場合、第１表面に対する中間層の外側面の角度が、中間層の外側面のうち基板に近い部分において、第１表面に垂直な方向において基板に近付くほど、小さくなる。これにより、中間層の外側面のうち基板に近い部分から第２層が剥がれるのを抑制することができる。

本発明の一形態のファブリペロー干渉フィルタでは、中間層の外側面は、第１表面に垂直な方向において基板に近付くほど、第１表面に平行な方向において空隙から遠ざかるように、湾曲していてもよい。この場合、中間層の外側面は、その全体において、第１表面に垂直な方向において基板に近付くほど、第１表面に平行な方向において空隙から遠ざかる。これにより、中間層の外側面における第２層側の角部において応力をより一層分散させることができる。

本発明の一形態のファブリペロー干渉フィルタでは、第１層の外側面は、中間層の外側面よりも、第１表面に平行な方向において外側に位置しており、第２層は、第１層の外側面を被覆していてもよい。この場合、第２層が、中間層の外側面を越えて第１層の外側面まで被覆し、第１層の外側面に対して固定される。よって、中間層の外側面のうち基板に近い部分から第２層が剥がれるのを抑制することができる。

本発明の一形態のファブリペロー干渉フィルタでは、基板は、第１表面に垂直な方向から見た場合に第１層の外縁よりも外側に位置する外縁部を有し、第２層は、外縁部を被覆していてもよい。この場合、第２層が、第１層の外縁を越えて基板の外縁部まで被覆することにより、第１層を基板側に対して固定する。よって、第１層が基板側から剥がれるのを抑制することができる。

本発明の一形態のファブリペロー干渉フィルタでは、第１層の外側面は、第１表面に垂直な方向において基板に近付くほど、第１表面に平行な方向において空隙から遠ざかるように、湾曲していてもよい。この場合、第２層が、第１層の外側面に対してより強固に固定される。よって、中間層の外側面のうち基板に近い部分から第２層が剥がれるのをより確実に抑制することができる。

本発明の一形態のファブリペロー干渉フィルタは、基板において第１表面と対向する第２表面に配置された第３層を更に備えていてもよい。この場合、基板の第１表面側と第２表面側との間の層構成の不一致に起因した応力を低減することができるので、中間層における応力の集中をより一層抑制することができる。

本発明の一形態によれば、高い信頼性を得ることができるファブリペロー干渉フィルタを提供することが可能となる。

図１は、本発明の一実施形態のファブリペロー干渉フィルタの平面図である。 図２は、図１のファブリペロー干渉フィルタの底面図である。 図３は、図１のIII-III線に沿ってのファブリペロー干渉フィルタの断面図である。 図４は、図１のファブリペロー干渉フィルタの第１端子部分の拡大断面図である。 図５は、図１のファブリペロー干渉フィルタの第２端子部分の拡大断面図である。 図６は、図１のファブリペロー干渉フィルタの外縁部分の拡大断面図である。 図７は、図１のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図８は、図１のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図９は、図１のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図１０は、図１のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図１１は、図１のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図１２は、図１のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図１３は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図１４は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図１５は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図１６は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図１７は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図１８は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図１９は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図２０は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの製造方法を説明するための図である。 図２１は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの外縁部分の拡大断面図である。 図２２は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの外縁部分の拡大断面図である。 図２３は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの外縁部分の拡大断面図である。 図２４は、変形例のファブリペロー干渉フィルタの外縁部分の拡大断面図である。

以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一又は相当要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。

図１、図２及び図３に示されるように、ファブリペロー干渉フィルタ１は、基板１１を備えている。基板１１は、第１表面１１ａと、第１表面１１ａと対向する第２表面１１ｂと、を有している。第１表面１１ａには、反射防止層２１、第１積層体（第１層）２２、中間層２３及び第２積層体（第２層）２４が、この順序で積層されている。第１積層体２２と第２積層体２４との間には、枠状の中間層２３によって空隙（エアギャップ）Ｓが画定されている。また、ファブリペロー干渉フィルタ１の第１表面１１ａ側には、第１端子１５及び第２端子１６が設けられている。なお、以下の説明においては、枠状の中間層２３に対して空隙Ｓとは反対側から、空隙Ｓ側に向かう方向を、「内側」という。また、空隙Ｓ側から、枠状の中間層２３に対して空隙Ｓとは反対側に向かう方向を、「外側」という。

第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合（平面視）における各部の形状及び位置関係は、次の通りである。基板１１の外縁は、例えば矩形状である。基板１１の外縁と第２積層体２４の外縁とは、互いに一致している。反射防止層２１の外縁と第１積層体２２の外縁とは、互いに一致している。反射防止層２１の外縁及び第１積層体２２の外縁は、中間層２３の外縁よりも、空隙Ｓの中央部に対して外側に位置している。基板１１は、第１積層体２２の外縁よりも外側に位置する外縁部１１ｃを有している。外縁部１１ｃは、例えば、枠状であり、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に第１積層体２２を包囲している。

ファブリペロー干渉フィルタ１は、その中央部に画定された光透過領域１ａにおいて、所定の波長を有する光を透過させる。光透過領域１ａは、例えば円柱状の領域である。基板１１は、例えば、シリコン、石英又はガラス等からなる。基板１１がシリコンからなる場合には、反射防止層２１及び中間層２３は、例えば、酸化シリコンからなる。中間層２３の厚さは、例えば、数十ｎｍ〜数十μｍである。

第１積層体２２のうち光透過領域１ａに対応する部分は、第１ミラー部３１として機能する。第１ミラー部３１は、反射防止層２１を介して第１表面１１ａに配置されている。第１積層体２２は、複数のポリシリコン層２５と複数の窒化シリコン層２６とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。本実施形態では、ポリシリコン層２５ａ、窒化シリコン層２６ａ、ポリシリコン層２５ｂ、窒化シリコン層２６ｂ及びポリシリコン層２５ｃが、この順で反射防止層２１上に積層されている。第１ミラー部３１を構成するポリシリコン層２５及び窒化シリコン層２６のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の１／４の整数倍であることが好ましい。なお、第１ミラー部３１は、反射防止層２１を介することなく第１表面１１ａ上に直接に配置されてもよい。

第２積層体２４のうち光透過領域１ａに対応する部分は、第２ミラー部３２として機能する。第２ミラー部３２は、第１ミラー部３１に対して基板１１とは反対側において空隙Ｓを介して第１ミラー部３１と対向している。第２ミラー部３２は、反射防止層２１、第１積層体２２及び中間層２３を介して第１表面１１ａに配置されている。第２積層体２４は、複数のポリシリコン層２７と複数の窒化シリコン層２８とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。本実施形態では、ポリシリコン層２７ａ、窒化シリコン層２８ａ、ポリシリコン層２７ｂ、窒化シリコン層２８ｂ及びポリシリコン層２７ｃが、この順で中間層２３上に積層されている。第２ミラー部３２を構成するポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の１／４の整数倍であることが好ましい。

なお、第１積層体２２及び第２積層体２４では、窒化シリコン層の代わりに酸化シリコン層が用いられてもよい。また、第１積層体２２及び第２積層体２４を構成する各層の材料としては、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、シリコン、ゲルマニウム、硫化亜鉛等が用いられてもよい。

第２積層体２４において空隙Ｓに対応する部分には、第２積層体２４の中間層２３とは反対側の表面２４ａから空隙Ｓに至る複数の貫通孔２４ｂが形成されている。複数の貫通孔２４ｂは、第２ミラー部３２の機能に実質的に影響を与えない程度に形成されている。複数の貫通孔２４ｂは、エッチングによって中間層２３の一部を除去して空隙Ｓを形成するために用いられる。

第１積層体２２には、第１電極１２が設けられている。より具体的には、第１ミラー部３１に、光透過領域１ａを囲むように第１電極１２が形成されている。第１電極１２は、ポリシリコン層２５ｃに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第１ミラー部３１には、光透過領域１ａを含むように第２電極１３が形成されている。第２電極１３は、ポリシリコン層２５ｃに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第２電極１３の大きさは、光透過領域１ａの全体を含む大きさであることが好ましいが、光透過領域１ａの大きさと略同一であってもよい。

第２積層体２４には、第３電極１４が設けられている。より具体的には、第２ミラー部３２に、第３電極１４が形成されている。第３電極１４は、空隙Ｓを介して第１電極１２及び第２電極１３と対向している。第３電極１４は、ポリシリコン層２７ａに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。

図１及び図４に示されるように、第１端子１５は、光透過領域１ａを挟んで対向するように一対設けられている。各第１端子１５は、第２積層体２４の表面２４ａから第１積層体２２に至る貫通孔内に配置されている。各第１端子１５は、配線１２ａを介して第１電極１２と電気的に接続されている。第１端子１５は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。

図１及び図５に示されるように、第２端子１６は、光透過領域１ａを挟んで対向するように一対設けられている。各第２端子１６は、第２積層体２４の表面２４ａから第１積層体２２に至る貫通孔内に配置されている。各第２端子１６は、配線１３ａを介して第２電極１３と電気的に接続されていると共に、配線１４ａを介して第３電極１４と電気的に接続されている。第２端子１６は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。一対の第１端子１５が対向する方向と、一対の第２端子１６が対向する方向とは、直交している。

図３、図４及び図５に示されるように、第１積層体２２の表面２２ｂには、トレンチ１８が設けられている。トレンチ１８は、第１電極１２の内縁に沿って環状に延在している。トレンチ１８は、第１電極１２と第１電極１２の内側の領域（第２電極１３）とを電気的に絶縁している。トレンチ１８内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。

第２積層体２４には、トレンチ１９が設けられている。トレンチ１９は、第１端子１５を囲むように環状に延在している。トレンチ１９は、第１端子１５と第３電極１４とを電気的に絶縁している。トレンチ１９内の領域は、本実施形態では空隙であるが、絶縁材料であってもよい。

また、第１積層体２２の表面２２ｂには、トレンチ２０が設けられている。トレンチ２０は、第２端子１６を囲むように環状に延在している。トレンチ２０は、第２端子１６と第１電極１２とを電気的に絶縁している。トレンチ２０は、第１積層体２２を構成するポリシリコン層２５ｃの一部が除去されることによって基板１１側に向かって形成された溝部２５ｄに、中間層２３が入り込むことによって、構成されている。なお、中間層２３が溝部２５ｄに入り込むことによって、中間層２３の表面２３ａは、溝部２５ｄに対応する領域において基板１１側に向かって溝部２３ｃを形成している。また、第２積層体２４が溝部２３ｃに入り込むことによって、第２積層体２４の表面２４ａは、溝部２３ｃに対応する領域において基板１１側に向かって溝部２４ｃを形成している。このように第２積層体２４が溝部２３ｃに入り込むことによって、第２積層体２４が中間層２３の表面２３ａに対して固定される。これにより、中間層２３からの第２積層体２４の剥がれが抑制される。なお、トレンチ２０は、第１積層体２２を構成するポリシリコン層２５ｃの一部に加え、窒化シリコン層２６ｂの一部が除去されることによって基板１１側に向かって形成された溝部に、中間層２３が入り込むことによって、構成されていてもよい。

図４〜図６に示されるように、中間層２３は、第１端子１５を囲むように形成された第１内側面２３ｄと、第２端子１６を囲むように形成された第２内側面２３ｅと、当該中間層２３の外縁を構成する外側面２３ｂと、を有している。

図４に示されるように、第１内側面２３ｄは、中間層２３の基板１１側の縁部２３ｇが、中間層２３の基板１１とは反対側の縁部２３ｆよりも、第１表面１１ａに平行な方向において第１端子１５側に位置するように、湾曲している（すなわち、連続した曲面を形成している）。つまり、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に、縁部２３ｆが縁部２３ｇを包囲している。より具体的には、第１内側面２３ｄは、第１表面１１ａに垂直な断面において、第１端子１５とは反対側に凹状に湾曲している。第１内側面２３ｄにおける第１積層体２２側の端部は、第１積層体２２の表面２２ｂに滑らかに接続している。なお、図４に示される第１内側面２３ｄは、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において第１端子１５に近付くように、第１端子１５とは反対側に凹状に湾曲している。換言すると、図４に示される第１内側面２３ｄでは、第１表面１１ａに対する第１内側面２３ｄの角度が、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、小さくなっている。

図５に示されるように、第２内側面２３ｅは、中間層２３の基板１１側の縁部２３ｉが、中間層２３の基板１１とは反対側の縁部２３ｈよりも、第１表面１１ａに平行な方向において第２端子１６側に位置するように、湾曲している（すなわち、連続した曲面を形成している）。つまり、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に、縁部２３ｈが縁部２３ｉを包囲している。より具体的には、第２内側面２３ｅは、第１表面１１ａに垂直な断面において、第２端子１６とは反対側に凹状に湾曲している。第２内側面２３ｅにおける第１積層体２２側の端部は、第１積層体２２の表面２２ｂに滑らかに接続している。なお、図５に示される第２内側面２３ｅは、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において第２端子１６に近付くように、第２端子１６とは反対側に凹状に湾曲している。換言すると、図５に示される第２内側面２３ｅでは、第１表面１１ａに対する第２内側面２３ｅの角度が、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、小さくなっている。

図６に示されるように、外側面２３ｂは、中間層２３の基板１１側の縁部２３ｋが、中間層２３の基板１１とは反対側の縁部２３ｊよりも、第１表面１１ａに平行な方向において外側に位置するように、湾曲している（すなわち、連続した曲面を形成している）。つまり、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に、縁部２３ｋが縁部２３ｊを包囲している。より具体的には、外側面２３ｂは、第１表面１１ａに垂直な断面において、空隙Ｓ側に凹状に湾曲している。外側面２３ｂにおける第１積層体２２側の端部は、第１積層体２２の表面２２ｂ又は外側面２２ａに滑らかに接続している。なお、図６に示される外側面２３ｂは、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において空隙Ｓから遠ざかるように、空隙Ｓ側に凹状に湾曲している。換言すると、図６に示される外側面２３ｂでは、第１表面１１ａに対する外側面２３ｂの角度が、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、小さくなっている。

第１積層体２２は、当該第１積層体２２の外縁を構成する外側面２２ａを有している。第１積層体２２の外側面２２ａは、中間層２３の外側面２３ｂよりも、空隙Ｓの中央部に対して、第１表面１１ａに平行な方向において外側に位置している。第１積層体２２の外側面２２ａは、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において空隙Ｓから遠ざかるように、湾曲している（すなわち、連続した曲面を形成している）。より具体的には、第１積層体２２の外側面２２ａは、第１表面１１ａに平行な方向において、空隙Ｓとは反対側に凸状に湾曲している。換言すると、第１積層体２２の外側面２２ａでは、第１表面１１ａに対する第１積層体２２の外側面２２ａの角度が、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、大きくなっている。

図４に示されるように、第２積層体２４は、第１被覆部３３ａ及び第１内底部３５ａを更に有している。第１被覆部３３ａ及び第１内底部３５ａは、第２ミラー部３２（図３参照）と同じ積層構造を有し且つ互いに連続するように、一体的に形成されている。第１被覆部３３ａは、中間層２３の基板１１とは反対側の表面２３ａ、及び、第１内側面２３ｄを被覆しており、第１積層体２２に至っている。第１内底部３５ａは、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に第１内側面２３ｄによって囲まれた領域において、第１積層体２２上に形成されている。

図５に示されるように、第２積層体２４は、第２被覆部３３ｂ及び第２内底部３５ｂを更に有している。第２被覆部３３ｂ及び第２内底部３５ｂは、第２ミラー部３２（図３参照）の積層構造の一部と同じ層構造を有し且つ互いに連続するように、一体的に形成されている。第２被覆部３３ｂは、中間層２３の基板１１とは反対側の表面２３ａ、及び、第２内側面２３ｅを被覆しており、第１積層体２２に至っている。第２内底部３５ｂは、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に第２内側面２３ｅによって囲まれた領域において、第１積層体２２上に形成されている。

図６に示されるように、第２積層体２４は、第３被覆部３３ｃ及び周縁部３４を更に有している。第３被覆部３３ｃ及び周縁部３４は、第２ミラー部３２（図３参照）と互いに同じ積層構造を有し且つ互いに連続するように、一体的に形成されている。第３被覆部３３ｃは、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に第２ミラー部３２を包囲している。第３被覆部３３ｃは、中間層２３の基板１１とは反対側の表面２３ａ、並びに、中間層２３の外側面２３ｂ、第１積層体２２の外側面２２ａ及び反射防止層２１の側面２１ａを被覆しており、第１表面１１ａに至っている。すなわち、第３被覆部３３ｃは、中間層２３の外縁、第１積層体２２の外縁及び反射防止層２１の外縁を被覆している。

周縁部３４は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に第３被覆部３３ｃを包囲している。周縁部３４は、外縁部１１ｃにおける第１表面１１ａ上に位置している。すなわち、周縁部３４は、外縁部１１ｃを被覆している。周縁部３４の外縁は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に基板１１の外縁と一致している。

周縁部３４は、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されている。すなわち、周縁部３４のうち外縁部１１ｃの外縁に沿う部分は、周縁部３４のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。本実施形態では、周縁部３４は、第２積層体２４を構成するポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８の一部が除去されていることによって薄化されている。周縁部３４は、第３被覆部３３ｃに連続する非薄化部３４ａと、非薄化部３４ａを包囲する薄化部３４ｂと、を有している。薄化部３４ｂにおいては、第１表面１１ａ上に直接に設けられたポリシリコン層２７ａ以外のポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８が除去されている。

非薄化部３４ａの基板１１とは反対側の表面３４ｃの第１表面１１ａからの高さは、中間層２３の表面２３ａの第１表面１１ａからの高さよりも低い。非薄化部３４ａの表面３４ｃの第１表面１１ａからの高さは、例えば１００ｎｍ〜５０００ｎｍである。中間層２３の表面２３ａの第１表面１１ａからの高さは、例えば５００ｎｍ〜２００００ｎｍであって、且つ、非薄化部３４ａの表面３４ｃの第１表面１１ａからの高さよりも高い。薄化部３４ｂの幅（非薄化部３４ａの外縁と外縁部１１ｃの外縁との間の距離）は、基板１１の厚さの０．０１倍以上である。薄化部３４ｂの幅は、例えば５μｍ〜４００μｍである。基板１１の厚さは、例えば５００μｍ〜８００μｍである。

基板１１の第２表面１１ｂには、反射防止層４１、第３積層体（第３層）４２、中間層（第３層）４３及び第４積層体（第３層）４４が、この順序で積層されている。反射防止層４１及び中間層４３は、それぞれ、反射防止層２１及び中間層２３と同様の構成を有している。第３積層体４２及び第４積層体４４は、それぞれ、基板１１を基準として第１積層体２２及び第２積層体２４と対称の積層構造を有している。反射防止層４１、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、基板１１の反りを抑制する機能を有している。

第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化されている。すなわち、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４のうち外縁部１１ｃの外縁に沿う部分は、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。本実施形態では、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に薄化部３４ｂと重なる部分において第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４の全部が除去されていることによって薄化されている。

第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４には、光透過領域１ａを含むように開口４０ａが設けられている。開口４０ａは、光透過領域１ａの大きさと略同一の径を有している。開口４０ａは、光出射側に開口しており、開口４０ａの底面は、反射防止層４１に至っている。

第４積層体４４の光出射側の表面には、遮光層４５が形成されている。遮光層４５は、例えばアルミニウム等からなる。遮光層４５の表面及び開口４０ａの内面には、保護層４６が形成されている。保護層４６は、第３積層体４２、中間層４３、第４積層体４４及び遮光層４５の外縁を被覆すると共に、外縁部１１ｃ上の反射防止層４１を被覆している。保護層４６は、例えば酸化アルミニウムからなる。なお、保護層４６の厚さを１〜１００ｎｍ（好ましくは、３０ｎｍ程度）にすることで、保護層４６による光学的な影響を無視することができる。

以上のように構成されたファブリペロー干渉フィルタ１においては、第１端子１５及び第２端子１６を介して第１電極１２と第３電極１４との間に電圧が印加されると、当該電圧に応じた静電気力が第１電極１２と第３電極１４との間に発生する。当該静電気力によって、第２ミラー部３２が、基板１１に固定された第１ミラー部３１側に引き付けられ、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との距離が調整される。このように、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との距離が可変とされている。

ファブリペロー干渉フィルタ１を透過する光の波長は、光透過領域１ａにおける第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との距離に依存する。したがって、第１電極１２と第３電極１４との間に印加する電圧を調整することで、透過する光の波長を適宜選択することができる。このとき、第２電極１３は、第３電極１４と同電位である。したがって、第２電極１３は、光透過領域１ａにおいて第１ミラー部３１及び第２ミラー部３２を平坦に保つための補償電極として機能する。

ファブリペロー干渉フィルタ１では、例えば、ファブリペロー干渉フィルタ１に印加する電圧を変化させながら（すなわち、ファブリペロー干渉フィルタ１において第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との距離を変化させながら）、ファブリペロー干渉フィルタ１を透過した光（出力光）を光検出器によって検出することで、分光スペクトルを得ることができる。

以上説明したように、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第２積層体２４の第３被覆部３３ｃが中間層２３の外側面２３ｂを被覆している。このため、中間層２３の外側面２３ｂから光が入射することに起因してファブリペロー干渉フィルタ１からの出力光においてノイズが増大するのを抑制することができる。したがって、ファブリペロー干渉フィルタ１の特性が劣化するのを抑制することができる。ところで、このファブリペロー干渉フィルタ１では、第２積層体２４が中間層２３の外側面２３ｂを被覆していることから、第２ミラー部３２が第１ミラー部３１側に移動する際に、第２積層体２４において中間層２３の外側面２３ｂを被覆する領域に対しても、第２ミラー部３２側に向かうように力が作用する。したがって、中間層２３の外側面２３ｂにおける第２積層体２４側の角部に応力が集中し易い。ここで、ファブリペロー干渉フィルタ１では、中間層２３の外側面２３ｂは、中間層２３の基板１１側の縁部２３ｋが、中間層２３の基板１１とは反対側の縁部２３ｊよりも、第１表面１１ａに平行な方向において外側に位置するように、湾曲している。このため、中間層２３の外側面２３ｂにおける第２積層体２４側の角部において応力を分散させることができる。したがって、当該角部においてクラック等の損傷が発生するのを抑制することができる。以上により、ファブリペロー干渉フィルタ１によれば、高い信頼性を得ることができる。

また、ファブリペロー干渉フィルタ１では、中間層２３の外側面２３ｂが湾曲していない場合と比較して、中間層２３の外側面２３ｂと第２積層体２４との接触面積が拡大する。このため、中間層２３の外側面２３ｂに対して第２積層体２４を強固に固定することができる。また、中間層２３の外側面２３ｂが、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において空隙Ｓから遠ざかるように、湾曲している。このため、製造工程において、第２積層体２４の第３被覆部３３ｃが中間層２３の外側面２３ｂを被覆する厚さ（カバレッジ）を良好に維持することができる。

また、ファブリペロー干渉フィルタ１では、中間層２３の外側面２３ｂは、中間層２３の基板１１側の縁部２３ｋが、中間層２３の基板１１とは反対側の縁部２３ｊよりも、第１表面１１ａに平行な方向において外側に位置するように、空隙Ｓ側に凹状に湾曲している。このため、第１表面１１ａに対する中間層２３の外側面２３ｂの角度が、中間層２３の外側面２３ｂのうち基板１１に近い部分において、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、小さくなる。これにより、中間層２３の外側面２３ｂのうち基板１１に近い部分から第２積層体２４が剥がれるのを抑制することができる。

また、ファブリペロー干渉フィルタ１では、中間層２３の外側面２３ｂは、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において空隙Ｓから遠ざかるように、湾曲している。このため、中間層２３の外側面２３ｂは、その全体において、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において空隙Ｓから遠ざかる。これにより、中間層２３の外側面２３ｂにおける第２積層体２４側の角部において応力をより一層分散させることができる。

また、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１積層体２２の外側面２２ａは、中間層２３の外側面２３ｂよりも、空隙Ｓの中央部に対して、第１表面１１ａに平行な方向において外側に位置しており、第２積層体２４の第３被覆部３３ｃは、第１積層体２２の外側面２２ａを被覆している。このため、第２積層体２４の第３被覆部３３ｃが、中間層２３の外側面２３ｂを越えて第１積層体２２の外側面２２ａまで被覆し、第１積層体２２の外側面２２ａに対して固定される。よって、中間層２３の外側面２３ｂのうち基板１１に近い部分から第２積層体２４が剥がれるのを抑制することができる。

また、ファブリペロー干渉フィルタ１では、基板１１は、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に第１積層体２２の外縁よりも外側に位置する外縁部１１ｃを有し、第２積層体２４は、外縁部１１ｃを被覆している。このため、第２積層体２４が、第１積層体２２の外縁を越えて基板１１の外縁部１１ｃまで被覆することにより、第１積層体２２を基板１１側に対して固定する。よって、第１積層体２２が基板１１側から剥がれるのを抑制することができる。

また、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１積層体２２の外側面２２ａは、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において空隙Ｓから遠ざかるように、湾曲していている。このため、第２積層体２４の第３被覆部３３ｃが、第１積層体２２の外側面２２ａに対してより強固に固定される。よって、中間層２３の外側面２３ｂのうち基板１１に近い部分から第２積層体２４が剥がれるのを抑制することができる。

また、ファブリペロー干渉フィルタ１は、基板１１において第１表面１１ａと対向する第２表面１１ｂに配置された第３積層体４２を更に備えている。このため、基板１１の第１表面１１ａ側と第２表面１１ｂ側との間の層構成の不一致に起因した応力を低減することができるので、中間層２３における応力の集中をより一層抑制することができる。

次に、図７〜図１２を参照しつつ、ファブリペロー干渉フィルタ１の製造方法の一例を説明する。ただし、図７、図１０〜図１２においては、第１積層体２２の外側面２２ａ、中間層２３の外側面２３ｂ、及び、第２積層体２４の第３被覆部３３ｃの図示を簡略化している。まず、図７（ａ）に示されるように、基板１１に対応する部分Ｒを複数含むウェハ１０を用意し、第１ミラー部３１を有する第１積層体２２を、ウェハ１０の基板１１に対応する部分Ｒごとに形成する（第１ステップ）。ウェハ１０は、例えばシリコンウェハである。ウェハ１０において、部分Ｒは、例えば、互いに隣接するように格子状に配置されている。部分Ｒ同士の境界上には、ダイシングラインＬが設定されている。

第１ステップでは、まず、部分Ｒの第１表面１１ａ上に反射防止層２１を形成し、これと同時に、部分Ｒの第２表面１１ｂ上に反射防止層４１を形成する。続いて、反射防止層２１上に、第１積層体２２を構成するポリシリコン層２５ａ、窒化シリコン層２６ａ、ポリシリコン層２５ｂ、窒化シリコン層２６ｂ及びポリシリコン層２５ｃをこの順序で積層する。この第１積層体２２の積層と同時に、反射防止層４１上に、第３積層体４２を構成するポリシリコン層及び窒化シリコン層を積層する。第１積層体２２の積層の際には、ポリシリコン層２５及び窒化シリコン層２６を第１表面１１ａ上にわたって積層した後に、ポリシリコン層２５及び窒化シリコン層２６のうち第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に外縁部１１ｃ上に位置する部分をエッチングによって除去する。また、第１積層体２２の積層と並行して、ポリシリコン層２５ｂ，２５ｃを不純物ドープによって部分的に低抵抗化し、第１電極１２及び第２電極１３を形成する。続いて、エッチングによってトレンチ１８を形成する。

続いて、図７（ｂ）に示されるように、空隙Ｓに対応する除去予定部５０を有する中間層２３を、部分Ｒごとに形成する（第２ステップ）。第２ステップでは、まず、中間層２３によって第１積層体２２が覆われるように、部分Ｒの第１表面１１ａ上にわたって中間層２３を形成する。この中間層２３の形成と同時に、第３積層体４２上に中間層４３を形成する。続いて、中間層２３のうち第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に外縁部１１ｃ上に位置する部分をエッチングによって除去する。このエッチングの際に、反射防止層２１のうち第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に外縁部１１ｃ上に位置する部分が除去される。また、このエッチングの際に、図４の第１端子１５、第１被覆部３３ａ及び第１内底部３５ａ、並びに、図５の第２端子１６、第２被覆部３３ｂ及び第２内底部３５ｂに対応する部分に空隙が形成される。

更に、このエッチングの際に、第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂが湾曲した形状とされる。より具体的には、第１内側面２３ｄは、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において第１端子１５に近付くように、第１端子１５とは反対側に凹状に湾曲した形状とされる。また、第２内側面２３ｅは、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において第２端子１６に近付くように、第２端子１６とは反対側に凹状に湾曲した形状とされる。また、外側面２３ｂは、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において空隙Ｓから遠ざかるように、空隙Ｓ側に凹状に湾曲した形状とされる。

第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂを、上述したように凹状に湾曲した形状とするための製造方法の一例を説明する。まず、図８（ａ）に示されるように、中間層２３上にわたってレジストＭを塗布する。次に、図８（ｂ）に示されるように、レジストパターニングによって、除去されるべき中間層２３の領域に対応する領域のレジストＭを除去する。次に、図９（ａ）に示されるように、中間層２３をエッチング（ウェットエッチング）により除去する。このとき、中間層２３は、レジストＭに覆われた部分まで除去されて、凹状に湾曲した形状となる。なお、成膜及びエッチングを繰り返しながら反射防止層２１及び第１積層体２２を段階的に形成し、中間層２３の外側面２３ｂが第１積層体２２の外側面２２ａに連続的に（滑らかに）接続するように中間層２３のエッチングを実施する。これにより、図６に示されるように、中間層２３の外側面２３ｂ、第１積層体２２の外側面２２ａ及び反射防止層２１の側面２１ａが連続的に湾曲した形状となる。次に、図９（ｂ）に示されるように、中間層２３上に残っているレジストＭを剥離することにより、上述した形状の第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂを得ることができる。

続いて、図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１１（ａ）に示されるように、複数の貫通孔２４ｂが形成された第２ミラー部３２と、中間層２３を被覆する第１被覆部３３ａ、第２被覆部３３ｂ及び第３被覆部３３ｃと、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化された周縁部３４と、第１内底部３５ａ及び第２内底部３５ｂと、を有する第２積層体２４を、部分Ｒごとに形成する（第３ステップ）。

第３ステップでは、まず、中間層２３上に、第２積層体２４を構成するポリシリコン層２７ａ、窒化シリコン層２８ａ、ポリシリコン層２７ｂ、窒化シリコン層２８ｂ及びポリシリコン層２７ｃをこの順序で積層する。より具体的には、図１０（ａ）に示されるように、第２積層体２４によって中間層２３の表面２３ａ、外側面２３ｂ、第１内側面２３ｄ及び第２内側面２３ｅ、第１積層体２２の外側面２２ａ並びに反射防止層２１の側面２１ａが覆われるように、部分Ｒの第１表面１１ａ上にわたって第２積層体２４を積層する。一方、第２積層体２４の積層と同時に、中間層４３上に、第４積層体４４を構成するポリシリコン層及び窒化シリコン層を積層する。続いて、図１０（ｂ）に示されるように、ポリシリコン層２７ａ以外のポリシリコン層２７及び窒化シリコン層２８のうち薄化部３４ｂに対応する部分をエッチングによって除去することにより、外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化された周縁部３４を形成する。また、第２積層体２４の積層と並行して、ポリシリコン層２７ａを不純物ドープによって部分的に低抵抗化し、第３電極１４を形成する。続いて、第１端子１５及び第２端子１６を形成する。

続いて、図１１（ａ）に示されるように、第２積層体２４を部分的にエッチングすることにより、第２ミラー部３２の表面２４ａから除去予定部５０に至る貫通孔２４ｂを形成する。続いて、第４積層体４４上に遮光層４５を形成する。続いて、第３積層体４２、中間層４３、第４積層体４４及び遮光層４５のうち垂直な方向から見た場合に薄化部３４ｂと重なる部分をエッチングによって除去することにより、第３積層体４２、中間層４３及び第４積層体４４を外縁部１１ｃの外縁に沿って薄化する。また、このエッチングの際に、第３積層体４２、中間層４３、第４積層体４４及び遮光層４５に開口４０ａを形成する。続いて、遮光層４５の表面及び開口４０ａの内面に、保護層４６を形成する。

続いて、図１１（ｂ）に示されるように、貫通孔２４ｂを介したエッチングによって除去予定部５０を除去することにより、第１ミラー部３１と第２ミラー部３２との間に位置する空隙Ｓを、部分Ｒごとに形成する（第４ステップ）。第４ステップでは、貫通孔２４ｂを介した気相エッチングによって除去予定部５０を除去する。この気相エッチングには、例えばフッ酸ガスが用いられる。

続いて、図１２に示されるように、ダイシングラインＬにおいて外縁部１１ｃの外縁に沿ってウェハ１０を切断し、ファブリペロー干渉フィルタ１を得る（第５ステップ）。第５ステップにおいては、例えば、第１表面１１ａ側からのレーザ光の照射によって、外縁部１１ｃの外縁に沿ってウェハ１０の内部に改質領域を形成し、改質領域からウェハ１０の厚さ方向に亀裂を伸展させることにより、外縁部１１ｃの外縁に沿ってウェハ１０を切断する。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限られない。例えば、各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。

また、反射防止層２１は、第１積層体２２の外縁よりも外側の領域に形成されていてもよい。例えば、反射防止層２１は、第２積層体２４の周縁部３４に対応する部分（すなわち、外縁部１１ｃ上に位置する部分）においても除去されずに形成されていてもよい。その場合、反射防止層２１の外縁と基板１１の外縁とが、互いに一致していてもよい。

また、基板１１は、外縁部１１ｃを有していなくてもよい。例えば、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に、第１積層体２２の外側面２２ａが基板１１の外縁に一致していてもよい。また、第１表面１１ａに垂直な方向から見た場合に、反射防止層２１の側面２１ａが基板１１の外縁に一致していてもよい。

また、周縁部３４は、薄化部３４ｂを有していなくてもよい。つまり、周縁部３４は、当該周縁部３４の全体にわたって一定の厚さとなるように形成されていてもよい。

また、第２積層体２４は、周縁部３４を有していなくてもよい。つまり、第２積層体２４は、第１表面１１ａ上に位置していなくてもよい。

また、第１電極１２は、第１ミラー部３１の一部として形成されていなくてもよい。第１電極１２は、ポリシリコン層２５ｃに不純物をドープして低抵抗化することで形成されていなくてもよい。例えば、第１電極１２は、第１積層体２２における第１ミラー部３１以外の領域に形成されていてもよく、この場合、第１電極１２は、アルミニウム等の金属によって構成されていてもよい。

また、第２電極１３は、第１ミラー部３１の一部として形成されていなくてもよい。第２電極１３は、ポリシリコン層２５ｃに不純物をドープして低抵抗化することで形成されていなくてもよい。例えば、第２電極１３は、第１積層体２２における第１ミラー部３１以外の領域に形成されていてもよく、この場合、第２電極１３は、アルミニウム等の金属によって構成されていてもよい。

また、第３電極１４は、第２ミラー部３２の一部として形成されていなくてもよい。第３電極１４は、ポリシリコン層２７ａに不純物をドープして低抵抗化することで形成されていなくてもよい。例えば、第３電極１４は、第２積層体２４における第２ミラー部３２以外の領域に形成されていてもよく、この場合、第３電極１４は、アルミニウム等の金属によって構成されていてもよい。

また、第２内側面２３ｅは、中間層２３の基板１１側の縁部２３ｉが、中間層２３の基板１１とは反対側の縁部２３ｈよりも、第１表面１１ａに平行な方向において第２端子１６側に位置するように、湾曲していなくてもよい。

また、第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ又は外側面２３ｂは、凹状に湾曲していなくてもよい。また、第２積層体２４は、第１内底部３５ａ又は第２内底部３５ｂを有していなくてもよく、第１内側面２３ｄ又は第２内側面２３ｅを被覆していなくてもよい。

また、第２ステップにおいて、第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂを凹状に湾曲した形状とするための製造方法としては、上述したものに限定されず、以下の製造方法を採用してもよい。まず、図１３（ａ）に示されるように、中間層２３上にわたってレジストＭを塗布する。次に、図１３（ｂ）に示されるように、レジストＭに対して３Ｄマスクを用いて露光し、現像する。これにより、除去されるべき中間層２３の領域に対応する領域のレジストＭを除去すると共に、レジストＭの側面が凹状に湾曲した形状となる。次に、図１４（ａ）に示されるように、中間層２３をドライエッチングにより除去する。これにより、レジストＭの側面の凹状に湾曲した形状が第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂに転写され、凹状に湾曲した形状となる。次に、図１４（ｂ）に示されるように、中間層２３上に残っているレジストＭを剥離することにより、上述した形状の第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂを得ることができる。

或いは、第２ステップにおいて、第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂを凹状に湾曲した形状とするための製造方法としては、以下の製造方法を採用してもよい。まず、図１５（ａ）に示されるように、中間層２３上にわたってレジストＭを塗布する。次に、図１５（ｂ）に示されるように、レジストＭに対してホトリソグラフィーを行って、除去されるべき中間層２３の領域に対応する領域のレジストＭを除去すると共に、レジストＭの側面を凹状に湾曲した形状とする。なお、このホトリソグラフィーを行う工程においては、レジストＭの条件（例えば、材料等）、及び、ホトリソグラフィーの条件（例えば、露光条件、現像条件、ベーク条件等）を調整することによって、レジストＭの側面を凹状に湾曲した形状とすることが可能である。次に、図１６（ａ）に示されるように、中間層２３をドライエッチングにより除去する。これにより、レジストＭの側面の凹状に湾曲した形状が第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂに転写され、凹状に湾曲した形状となる。次に、図１６（ｂ）に示されるように、中間層２３上に残っているレジストＭを剥離することにより、上述した形状の第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂを得ることができる。

また、第１内側面２３ｄは、第１端子１５側に凸状に湾曲していてもよい。換言すると、第１内側面２３ｄでは、第１表面１１ａに対する第１内側面２３ｄの角度が、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、大きくなっていてもよい。この場合、第１内側面２３ｄにおける第１積層体２２とは反対側の角部において、その断面の外形が鈍角状となる。よって、第１内側面２３ｄにおける第１積層体２２とは反対側の角部に作用する応力が一層分散されることにより、当該角部においてクラック等の損傷が発生するのを一層抑制することができる。

また、第２内側面２３ｅは、第２端子１６側に凸状に湾曲していてもよい。換言すると、第２内側面２３ｅでは、第１表面１１ａに対する第２内側面２３ｅの角度が、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、大きくなっていてもよい。この場合、第２内側面２３ｅにおける第１積層体２２とは反対側の角部において、その断面の外形が鈍角状となる。よって、第２内側面２３ｅにおける第１積層体２２とは反対側の角部に作用する応力が一層分散されることにより、当該角部においてクラック等の損傷が発生するのを一層抑制することができる。

また、外側面２３ｂは、空隙Ｓとは反対側に凸状に湾曲していてもよい。換言すると、外側面２３ｂでは、第１表面１１ａに対する外側面２３ｂの角度が、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、大きくなっていてもよい。この場合、外側面２３ｂにおける第１積層体２２とは反対側の角部において、その断面の外形が鈍角状となる。よって、外側面２３ｂにおける第１積層体２２とは反対側の角部に作用する応力が一層分散されることにより、当該角部においてクラック等の損傷が発生するのを一層抑制することができる。

この場合の第２ステップにおいて、第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂを、上述したように凸状に湾曲した形状とするための製造方法の一例を説明する。まず、図１７（ａ）に示されるように、中間層２３上にわたってレジストＭを塗布する。次に、図１７（ｂ）に示されるように、レジストパターニングによって、除去されるべき中間層２３の領域に対応する領域のレジストＭを除去する。次に、図１８（ａ）に示されるように、レジストＭをキュアする。これにより、レジストＭの側面を凸状に湾曲した形状とする。次に、図１８（ｂ）に示されるように、中間層２３をドライエッチングにより除去する。これにより、中間層２３がレジストＭに覆われた部分付近まで除去されると共に、レジストＭの側面の凸状に湾曲した形状が第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂに転写され、凸状に湾曲した形状となる。次に、図１８（ｃ）に示されるように、中間層２３上に残っているレジストＭを剥離することにより、上述した形状の第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂを得ることができる。

或いは、第２ステップにおいて、第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂを凸状に湾曲した形状とするための製造方法としては、以下の製造方法を採用してもよい。まず、図１９（ａ）に示されるように、中間層２３上にわたってレジストＭを塗布する。次に、図１９（ｂ）に示されるように、レジストＭに対して３Ｄマスクを用いて露光し、現像する。これにより、除去されるべき中間層２３の領域に対応する領域のレジストＭを除去すると共に、レジストＭの側面が凸状に湾曲した形状となる。次に、図２０（ａ）に示されるように、中間層２３をドライエッチングにより除去する。これにより、中間層２３がレジストＭに覆われた部分まで除去されると共に、レジストＭの側面の凸状に湾曲した形状が第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂに転写され、凸状に湾曲した形状となる。次に、図２０（ｂ）に示されるように、中間層２３上に残っているレジストＭを剥離することにより、上述した形状の第１内側面２３ｄ、第２内側面２３ｅ及び外側面２３ｂを得ることができる。

また、図２１〜図２４に示されるように、反射防止層２１の外縁と第１積層体２２の外縁とは、互いに一致していなくてもよい。また、第１積層体２２の外側面２２ａは、連続した面ではなく、断続的な面によって構成されていてもよい。例えば、反射防止層２１の側面２１ａは、第１積層体２２の外側面２２ａよりも、内側（光透過領域１ａ側）に位置していてもよい。この場合、反射防止層２１の側面２１ａ、第１積層体２２における基板１１側の表面２２ｃ、及び、基板１１の第１表面１１ａによって形成された溝内に、第２積層体２４のポリシリコン層２７ａの一部が入り込んでいる。これにより、第２積層体２４が剥がれるのを抑制することができる。

また、図２１及び図２２に示されるように、第１積層体２２のポリシリコン層２５ｃの外縁は、第１積層体２２を構成する各層のうちポリシリコン層２５ｃ以外の層の外側面の少なくとも一部を覆っていてもよい。

また、図２１及び図２２に示されるように、第１積層体２２を構成する各層のうちポリシリコン層２５ｃ以外の層の外縁は、断続的な形状（例えば、階段状）を呈していてもよい。例えば、ポリシリコン層２５ｂの外縁と窒化シリコン層２６ｂの外縁とは、互いに一致していなくてもよい。より具体的には、ポリシリコン層２５ｂの外側面は、窒化シリコン層２６ｂの外側面よりも、外側（光透過領域１ａとは反対側）に位置していてもよい。これにより、第２積層体２４の第３被覆部３３ｃと第１積層体２２の外側面２２ａとの接着面積が増大するため、第２積層体２４が剥がれるのを抑制することができる。

なお、図２１に示されるように、第１積層体２２を構成する各層のうちポリシリコン層２５ｃ以外の層の外側面、及び、反射防止層２１の側面２１ａは、平面状を呈し、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、第１表面１１ａに平行な方向において光透過領域１ａから遠ざかるように、傾斜していてもよい。

或いは、図２２に示されるように、第１積層体２２を構成する各層のうちポリシリコン層２５ｃ以外の層の外側面、及び、反射防止層２１の側面２１ａは、平面状を呈し、第１表面１１ａと略直交していてもよい。

また、図２３及び図２４に示されるように、第１積層体２２において、ポリシリコン層２５ｃの外縁は、窒化シリコン層２６ｂの外縁よりも、内側に位置していてもよい。この場合にも、第２積層体２４の第３被覆部３３ｃと第１積層体２２の外側面２２ａとの接着面積が増大するため、第２積層体２４が剥がれるのを抑制することができる。

また、第１積層体２２の外側面２２ａは、空隙Ｓ側に凹状に湾曲していてもよい。換言すると、外側面２２ａでは、第１表面１１ａに対する外側面２２ａの角度が、第１表面１１ａに垂直な方向において基板１１に近付くほど、小さくなっていてもよい。或いは、外側面２２ａは、湾曲せずに平面状を呈していてもよい。

１…ファブリペロー干渉フィルタ、１１…基板、１１ａ…第１表面、２２…第１積層体（第１層）、２２ａ…外側面、２３…中間層、２３ｂ…外側面、２３ｊ，２３ｋ…縁部、２４…第２積層体（第２層）、３１…第１ミラー部、３２…第２ミラー部、４２…第３積層体（第３層）、４３…中間層（第３層）、４４…第４積層体（第３層）、Ｓ…空隙。

Claims (7)

1. 第１表面を有する基板と、
   前記第１表面に配置された第１ミラー部を有する第１層と、
   前記第１ミラー部に対して前記基板とは反対側において空隙を介して前記第１ミラー部と対向する第２ミラー部を有する第２層と、
   前記第１層と前記第２層との間において前記空隙を画定する中間層と、を備え、
   前記中間層の外側面は、前記中間層の前記基板側の縁部が、前記中間層の前記基板とは反対側の縁部よりも、前記第１表面に平行な方向において外側に位置するように、湾曲しており、
   前記第２層は、前記中間層の前記外側面を被覆している、ファブリペロー干渉フィルタ。
2. 前記中間層の前記外側面は、前記中間層の前記基板側の縁部が、前記中間層の前記基板とは反対側の縁部よりも、前記第１表面に平行な方向において外側に位置するように、前記空隙側に凹状に湾曲している、請求項１に記載のファブリペロー干渉フィルタ。
3. 前記中間層の外側面は、前記第１表面に垂直な方向において前記基板に近付くほど、前記第１表面に平行な方向において前記空隙から遠ざかるように、湾曲している、請求項１又は２に記載のファブリペロー干渉フィルタ。
4. 前記第１層の外側面は、前記中間層の前記外側面よりも、前記第１表面に平行な方向において外側に位置しており、
   前記第２層は、前記第１層の前記外側面を被覆している、請求項１〜３のいずれか一項に記載のファブリペロー干渉フィルタ。
5. 前記基板は、前記第１表面に垂直な方向から見た場合に前記第１層の外縁よりも外側に位置する外縁部を有し、
   前記第２層は、前記外縁部を被覆している、請求項４に記載のファブリペロー干渉フィルタ。
6. 前記第１層の前記外側面は、前記第１表面に垂直な方向において前記基板に近付くほど、前記第１表面に平行な方向において前記空隙から遠ざかるように、湾曲している、請求項４又は５に記載のファブリペロー干渉フィルタ。
7. 前記基板において前記第１表面と対向する第２表面に配置された第３層を更に備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載のファブリペロー干渉フィルタ。

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