JP6842629B2 - Manufacturing method of nanoparticles using liquid phase laser ablation - Google Patents
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Description
本発明は、液相レーザーアブレーションを利用したナノ粒子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing nanoparticles using liquid phase laser ablation.
近年、ナノメートルオーダーの粒径を有する粒子では、通常、バルク体とは異なる物性を示すことがあることから、粒子のさらなる微細化について種々の検討がなされている。
このような中、ビスマス−テルル−アンチモン等の多元系金属材料を含む、熱と電気の相互エネルギー変換を行う熱電変換素子の熱電半導体材料として、粒径がナノメートルサイズの粒子の粉末が用いられることがある。粉末の粒径が小さくなるほど、粒界がフォノンの散乱源となり、熱伝導率が低下し、結果的に熱電性能の向上につながるからである。
特許文献１には、前記ナノメートルサイズの粒径を有する粒子の製造方法として、粉砕／ミル粉砕法、気相凝縮法、レーザーアブレーション法、化学合成（例えば、湿式または乾式法）法、スプレイの急速冷却法等が記載されている。
In recent years, since particles having a particle size on the order of nanometers usually exhibit physical characteristics different from those of bulk particles, various studies have been made on further miniaturization of the particles.
Under these circumstances, powder of particles having a particle size of nanometer size is used as a thermoelectric semiconductor material for a thermoelectric conversion element that performs mutual energy conversion between heat and electricity, including a multidimensional metal material such as bismuth-tellurium-antimony. Sometimes. This is because as the particle size of the powder becomes smaller, the grain boundary becomes a scattering source of phonons, the thermal conductivity decreases, and as a result, the thermoelectric performance is improved.
Patent Document 1 describes, as a method for producing particles having a nanometer-sized particle size, a pulverization / mill pulverization method, a gas phase condensing method, a laser ablation method, a chemical synthesis (for example, a wet or dry method) method, and a spray method. The rapid cooling method and the like are described.
しかしながら、例えば、粉砕法では、収率の観点から５０ｎｍ以下のナノ粒子を調製することが難しく、かつ不純物が混入しやすく、多元系金属材料の粉砕にあっては、各金属成分の組成比の維持が難しいという問題がある。また、レーザーアブレーションを行った場合、気相中のレーザーアブレーションでは、生成したナノ粒子を凝集させることなく回収することが困難であり、収率が低下してしまうという問題がある。さらに、多元系金属材料に関しては十分に検討されていない。 However, for example, in the pulverization method, it is difficult to prepare nanoparticles of 50 nm or less from the viewpoint of yield, and impurities are easily mixed. In pulverization of a multidimensional metal material, the composition ratio of each metal component is changed. There is a problem that it is difficult to maintain. Further, when laser ablation is performed, it is difficult to recover the produced nanoparticles without agglomeration by laser ablation in the gas phase, and there is a problem that the yield is lowered. Furthermore, the multidimensional metal materials have not been fully studied.
本発明は、上記を鑑み、従来法と比べ、収率が高く、より粒径の小さい多元系金属ナノ粒子の製造方法を提供することを課題とする。 In view of the above, it is an object of the present invention to provide a method for producing multidimensional metal nanoparticles having a higher yield and a smaller particle size than the conventional method.
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、分散剤を含む溶液中の多元系金属材料の粒子にレーザーを照射して、液相レーザーアブレーションを行い、該溶液中でもとの粒子より小さい多元系金属ナノ粒子を形成させることにより、従来の製造方法に比べ、収率が高く、より粒径の小さい粒子が得られることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（１０）を提供するものである。
（１）溶液中の多元系金属材料の粒子にレーザーを照射して、液相レーザーアブレーションを行い、該溶液中で多元系金属ナノ粒子を形成させる、多元系金属ナノ粒子の製造方法。
（２）前記溶液中に分散剤を含む、上記（１）に記載の多元系金属ナノ粒子の製造方法。
（３）前記多元系金属材料の粒子の平均粒径が、８０ｎｍ〜３０μｍである、上記（１）に記載の多元系金属ナノ粒子の製造方法。
（４）前記多元系金属ナノ粒子の平均粒径が、１〜４５ｎｍである、上記（１）に記載の多元系金属ナノ粒子の製造方法。
（５）前記多元系金属材料が、熱電半導体材料である、上記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の多元系金属ナノ粒子の製造方法。
（６）前記熱電半導体材料が、ビスマス−テルル系、テルライド系、アンチモン−テルル系、ビスマスセレナイド系、又はシリサイド系である、上記（５）に記載の多元系金属ナノ粒子の製造方法。
（７）前記レーザーが、基本波１０６４ｎｍ、第二高調波５３２ｎｍ、又は第三高調波３５５ｎｍの光を発するＮｄ：ＹＡＧレーザーである、上記（１）に記載の多元系金属ナノ粒子の製造方法。
（８）前記溶液の溶媒がアルコール、及び脂肪族炭化水素から選ばれる少なくとも１種である、上記（１）に記載の多元系金属ナノ粒子の製造方法。
（９）前記分散剤が、リン酸エステル系、ポリエステル／ポリエーテル型、又はポリエーテル型である、上記（２）に記載の多元系金属ナノ粒子の製造方法。
（１０）上記（１）〜（９）のいずれか１項に記載の多元系金属ナノ粒子の製造方法により形成される、多元系金属ナノ粒子。
As a result of diligent studies to solve the above problems, the present inventors irradiate particles of a multidimensional metal material in a solution containing a dispersant with a laser to perform liquid phase laser ablation, and even in the solution. We have found that by forming multidimensional metal nanoparticles smaller than the particles of the above, particles having a higher yield and a smaller particle size can be obtained as compared with the conventional production method, and the present invention has been completed.
That is, the present invention provides the following (1) to (10).
(1) A method for producing multidimensional metal nanoparticles, which irradiates particles of a multidimensional metal material in a solution with a laser, performs liquid phase laser ablation, and forms multidimensional metal nanoparticles in the solution.
(2) The method for producing multidimensional metal nanoparticles according to (1) above, which contains a dispersant in the solution.
(3) The method for producing multidimensional metal nanoparticles according to (1) above, wherein the average particle size of the particles of the multidimensional metal material is 80 nm to 30 μm.
(4) The method for producing multidimensional metal nanoparticles according to (1) above, wherein the average particle size of the multidimensional metal nanoparticles is 1 to 45 nm.
(5) The method for producing multidimensional metal nanoparticles according to any one of (1) to (4) above, wherein the multidimensional metal material is a thermoelectric semiconductor material.
(6) The method for producing multidimensional metal nanoparticles according to (5) above, wherein the thermoelectric semiconductor material is bismuth-tellurium-based, tellurium-based, antimony-tellurium-based, bismuth-selenide-based, or silicide-based.
(7) The method for producing multidimensional metal nanoparticles according to (1) above, wherein the laser is an Nd: YAG laser that emits light having a fundamental wave of 1064 nm, a second harmonic of 532 nm, or a third harmonic of 355 nm.
(8) The method for producing multidimensional metal nanoparticles according to (1) above, wherein the solvent of the solution is at least one selected from alcohol and an aliphatic hydrocarbon.
(9) The method for producing multidimensional metal nanoparticles according to (2) above, wherein the dispersant is a phosphate ester type, a polyester / polyether type, or a polyether type.
(10) Multidimensional metal nanoparticles formed by the method for producing multidimensional metal nanoparticles according to any one of (1) to (9) above.
本発明によれば、従来法と比べ、収率が高く、より粒径の小さい多元系金属ナノ粒子の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a method for producing multidimensional metal nanoparticles having a higher yield and a smaller particle size as compared with the conventional method.
［多元系金属ナノ粒子の製造方法］
本発明の多元系金属ナノ粒子の製造方法は、溶液中の多元系金属材料の粒子にレーザーを照射して、液相レーザーアブレーションを行い、該溶液中で多元系金属ナノ粒子を形成させる、多元系金属ナノ粒子の製造方法である。
[Manufacturing method of multidimensional metal nanoparticles]
In the method for producing multidimensional metal nanoparticles of the present invention, the particles of the multidimensional metal material in the solution are irradiated with a laser, liquid phase laser ablation is performed, and the multidimensional metal nanoparticles are formed in the solution. This is a method for producing based metal nanoparticles.
後述する所定の粒径を有する多元系金属材料の粒子に、溶液内でレーザーアブレーションを行うことにより、レーザー光により金属粒子が、溶液中に原子、イオン、クラスター等までに解離し、解離物が、溶液中で反応し、多元系金属粒子に成長することにより、平均粒径がレーザー照射前の多元系金属材料の粒子よりも小さなナノ粒子が形成される。 By performing laser ablation in a solution on particles of a multidimensional metal material having a predetermined particle size, which will be described later, the metal particles are dissociated into atoms, ions, clusters, etc. in the solution by laser light, and dissociated products are formed. By reacting in the solution and growing into multidimensional metal particles, nanoparticles having an average particle size smaller than the particles of the multidimensional metal material before laser irradiation are formed.
図１に本発明の本発明に用いる液相レーザーアブレーション装置の構成の一例を模式図により示す。液相レーザーアブレーション装置１は、レーザー装置２から出射したレーザー光３を、反射ミラー４、及び集光レンズ５等の光学系を介して、石英ガラスセル６からなる容器に満たされた、分散剤を含む溶液中の多元系金属材料の粒子７にレーザー光３を照射する構成となっている。レーザー光照射時は、分散性を維持するために、石英ガラスセル６内の回転子８を、スターラー９により回転させることにより、多元系金属材料の粒子の分散溶液を攪拌させる。 FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the liquid phase laser ablation apparatus used in the present invention of the present invention. The liquid phase laser ablation device 1 is a dispersant in which a laser beam 3 emitted from the laser device 2 is filled in a container made of a quartz glass cell 6 via an optical system such as a reflection mirror 4 and a condenser lens 5. The laser beam 3 is applied to the particles 7 of the multidimensional metal material in the solution containing the above. At the time of laser light irradiation, in order to maintain dispersibility, the rotor 8 in the quartz glass cell 6 is rotated by the stirrer 9 to stir the dispersion solution of the particles of the multidimensional metal material.
本発明に用いるレーザーの種類は、特に制限されないが、例えば、固体レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザーなど）、エキシマレーザー、又はガスレーザーを用いることができ、この中で、高調波を利用することで近赤外から紫外の波長領域を利用でき、安定した出力を得ることができる観点から、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーが好ましい。Ｎｄ:ＹＡＧレーザーを用いた場合、基本波の波長は１０６４ｎｍ、第二高調波の波長は５３２ｎｍ、第三高調波の波長は３５５ｎｍ、第四高調波の波長は２６６ｎｍである。 The type of laser used in the present invention is not particularly limited, and for example, a solid-state laser (Nd: YAG laser, Nd: YLF laser, etc.), an excimer laser, or a gas laser can be used, in which harmonics are used. The Nd: YAG laser is preferable from the viewpoint that the wavelength region from the near infrared to the ultraviolet can be used by using the laser and a stable output can be obtained. When the Nd: YAG laser is used, the wavelength of the fundamental wave is 1064 nm, the wavelength of the second harmonic is 532 nm, the wavelength of the third harmonic is 355 nm, and the wavelength of the fourth harmonic is 266 nm.
本発明に用いるレーザー光の波長は、好ましくは１５７〜１２００ｎｍ、より好ましくは２４８〜１１００ｎｍ、さらに好ましくは３５５〜１０６４ｎｍである。
本発明において、液相レーザーアブレーションにおけるレーザー照射の態様として、前述した集光レンズを介して集光してもよく、そのままレンズを介さずに照射してもよい。多元系金属材料の粒子の組成、粒径、形状、溶液中の含有量等により、選択できる。集光レンズを介して溶液中に照射する場合には、多元系金属材料の粒子に直接集光させる観点から、集光レンズの焦点距離は、１０〜１００ｍｍが好ましく、より好ましくは２０〜７５ｍｍ、さらに好ましくは２５〜５０ｍｍである。
また、レーザー照射の他の態様として、他の光学系、例えば、ＸＹ２次元エリアにレーザー光を走査させる、いわゆるガルバノミラーを用いた、レーザー光の照射方法が挙げられる。これによると、多元系金属材料の粒子が存在するエリアに対し照射効率を向上させることができ、液相レーザーアブレーションをより短時間に効率的に行い、結果として収率を上げることにつながる。
The wavelength of the laser light used in the present invention is preferably 157 to 1200 nm, more preferably 248 to 1100 nm, and even more preferably 355 to 1064 nm.
In the present invention, as a mode of laser irradiation in liquid phase laser ablation, light may be focused through the above-mentioned condenser lens, or irradiation may be performed as it is without passing through the lens. It can be selected according to the composition, particle size, shape, content in the solution, etc. of the particles of the multidimensional metal material. When irradiating into a solution through a condenser lens, the focal length of the condenser lens is preferably 10 to 100 mm, more preferably 20 to 75 mm, from the viewpoint of directly focusing on particles of a multidimensional metal material. More preferably, it is 25 to 50 mm.
Further, as another aspect of laser irradiation, there is a method of irradiating laser light using another optical system, for example, a so-called galvanometer mirror that scans the laser light in an XY two-dimensional area. According to this, the irradiation efficiency can be improved in the area where the particles of the multidimensional metal material are present, and the liquid phase laser ablation can be efficiently performed in a shorter time, resulting in an increase in yield.
レーザー光の照射強度は、溶液中の多元系金属材料の粒子に対し、アブレーションが行われる強度であればよい。レーザー光のパルス幅は、多元系金属材料の粒子の組成、粒径、形状等により、適宜調整されるが、好ましくは１〜５０ｎｓｅｃ、より好ましくは１〜２０ｎｓｅｃ、さらに好ましくは１〜１０ｎｓｅｃである。また、レーザーの強度は、１０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、２０〜５００ｍＪ／ｃｍ２より好ましく、さらに好ましくは３０〜１００ｍＪ／ｃｍ２である。ピークパワーは、好ましくは１〜１０００ＭＷ、さらに好ましくは１〜６００ＭＷ、平均パワーは、好ましくは０．０１〜１００Ｗ、さらに好ましくは０．１〜５０Ｗである。なお、レーザーの発振周波数は、特に限定されないが、好ましくは１〜６０Ｈｚ、より好ましくは１０〜３０Ｈｚである。レーザー光のパルス幅、強度、パワーが上記の範囲にあると、溶液中に分散した所定の粒径を有する多元系金属材料の粒子に対し、アブレーションが効果的に行われ、より粒径の小さなナノ粒子が得られる。 The irradiation intensity of the laser beam may be any intensity as long as the particles of the multidimensional metal material in the solution are ablated. The pulse width of the laser beam is appropriately adjusted depending on the composition, particle size, shape, etc. of the particles of the multidimensional metal material, but is preferably 1 to 50 nsec, more preferably 1 to 20 nsec, and further preferably 1 to 10 nsec. .. The intensity of the laser is preferably 10~1000mJ / cm 2, preferably from 20~500mJ / cm 2, more preferably from 30~100mJ / cm 2. The peak power is preferably 1 to 1000 MW, more preferably 1 to 600 MW, and the average power is preferably 0.01 to 100 W, still more preferably 0.1 to 50 W. The oscillation frequency of the laser is not particularly limited, but is preferably 1 to 60 Hz, more preferably 10 to 30 Hz. When the pulse width, intensity, and power of the laser beam are within the above ranges, ablation is effectively performed on the nanoparticles of the multidimensional metal material having a predetermined particle size dispersed in the solution, and the particle size is smaller. Nanoparticles are obtained.
（多元系金属材料）
本発明に用いる多元系金属材料は、２以上の金属からなるものであり、特に制限されないが、粉末の粒径が小さくなるほど、粒界がフォノンの散乱源となり、熱伝導率を低下させる観点から、好ましくは多元系の熱電半導体材料が挙げられる。
(Multi-dimensional metal material)
The multidimensional metal material used in the present invention is composed of two or more metals and is not particularly limited, but from the viewpoint that the smaller the particle size of the powder, the more the grain boundary becomes a phonon scattering source and the thermal conductivity is lowered. , Preferably a multidimensional thermoelectric semiconductor material.
前記熱電半導体材料としては、温度差を付与することにより、熱起電力を発生させることができる材料であれば特に制限されず、例えば、ｐ型ビスマステルライド、ｎ型ビスマステルライド、Ｂｉ２Ｔｅ３等のビスマス−テルル系熱電半導体材料；ＧｅＴｅ、ＰｂＴｅ等のテルライド系熱電半導体材料；アンチモン−テルル系熱電半導体材料；ＺｎＳｂ、Ｚｎ３Ｓｂ２、Ｚｎ４Ｓｂ３等の亜鉛−アンチモン系熱電半導体材料；ＳｉＧｅ等のシリコン−ゲルマニウム系熱電半導体材料；Ｂｉ２Ｓｅ３等のビスマスセレナイド系熱電半導体材料；β―ＦｅＳｉ２、ＣｒＳｉ２、ＭｎＳｉ１．７３、Ｍｇ２Ｓｉ等のシリサイド系熱電半導体材料；酸化物系熱電半導体材料；ＦｅＶＡｌ、ＦｅＶＡｌＳｉ、ＦｅＶＴｉＡｌ等のホイスラー材料、ＴｉＳ２等の硫化物系熱電半導体材料等が用いられる。 The thermoelectric semiconductor material is not particularly limited as long as it is a material capable of generating thermoelectromotive force by imparting a temperature difference. For example, p-type bismasterlide, n-type bismasterlide, Bi 2 Te 3, etc. Bismus-Teruru thermoelectric semiconductor materials; Telluride thermoelectric semiconductor materials such as GeTe and PbTe; Antimon-Teruru thermoelectric semiconductor materials; Zinc-antimon thermoelectric semiconductor materials such as ZnSb, Zn 3 Sb 2, Zn 4 Sb 3 ; SiGe Silicon-germanium-based thermoelectric semiconductor materials such as Bi 2 Se 3 ; bismus selenide-based thermoelectric semiconductor materials such as Bi 2 Se 3; VDD-based thermoelectric semiconductor materials such as β-FeSi 2 , CrSi 2 , MnSi 1.73 , Mg 2 Si; oxides Thermoelectric semiconductor materials; Whistler materials such as FeVAL, FeVALSi, and FeVTiAl, sulfide thermoelectric semiconductor materials such as TiS 2, and the like are used.
これらの中でも、本発明に用いる前記熱電半導体材料は、ｐ型ビスマステルライド又はｎ型ビスマステルライド、Ｂｉ２Ｔｅ３等のビスマス−テルル系熱電半導体材料であることが好ましい。
前記ｐ型ビスマステルライドは、キャリアが正孔で、ゼーベック係数が正値であり、例えば、ＢｉＸＴｅ３Ｓｂ２−Ｘで表わされるものが好ましく用いられる。この場合、Ｘは、好ましくは０＜Ｘ≦０．８であり、より好ましくは０．４≦Ｘ≦０．６である。Ｘが０より大きく０．８以下であるとゼーベック係数と電気伝導率が大きくなり、ｐ型熱電変換材料としての特性が維持されるので好ましい。
また、前記ｎ型ビスマステルライドは、キャリアが電子で、ゼーベック係数が負値であり、例えば、Ｂｉ２Ｔｅ３−ＹＳｅＹで表わされるものが好ましく用いられる。この場合、Ｙは、好ましくは０≦Ｙ≦３（Ｙ＝０の時：Ｂｉ２Ｔｅ３）であり、より好ましくは０．１＜Ｙ≦２．７である。Ｙが０以上３以下であるとゼーベック係数と電気伝導率が大きくなり、ｎ型熱電変換材料としての特性が維持されるので好ましい。
Among these, the thermoelectric semiconductor material used in the present invention is preferably a bismuth-tellurium-based thermoelectric semiconductor material such as p-type bismuthtellide, n-type bismuthellide, or Bi 2 Te 3.
As the p-type bismuth telluride, one having a hole as a carrier and a positive Seebeck coefficient, for example, represented by Bi X Te 3 Sb 2-X is preferably used. In this case, X is preferably 0 <X ≦ 0.8, more preferably 0.4 ≦ X ≦ 0.6. When X is larger than 0 and 0.8 or less, the Seebeck coefficient and the electric conductivity become large, and the characteristics as a p-type thermoelectric conversion material are maintained, which is preferable.
Further, as the n-type bismuth telluride, those having an electron carrier and a negative Seebeck coefficient, for example, represented by Bi 2 Te 3-Y Se Y , are preferably used. In this case, Y is preferably 0 ≦ Y ≦ 3 (when Y = 0: Bi 2 Te 3 ), and more preferably 0.1 <Y ≦ 2.7. When Y is 0 or more and 3 or less, the Seebeck coefficient and the electric conductivity become large, and the characteristics as an n-type thermoelectric conversion material are maintained, which is preferable.
本発明に用いる好ましい溶液の溶媒としては、使用するレーザー光の波長範囲において、吸収が小さい溶媒であれば、特に限定されず、水や非水溶媒を適宜使用することができる。好ましくは、アルコール、または脂肪族炭化水素が挙げられる。アルコールとしては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、モノテルペンアルコール等がさらに好ましい。脂肪族炭化水素としてはヘキサン等がさらに好ましい。モノテルペンアルコールとしては、テルピネオールが好ましい。これらの溶媒は、１種又は２種以上を組み合せて用いてもよい。レーザーとしてＮｄ：ＹＡＧレーザーを使用する場合は、エタノール、イソプロパノール、テルピネオールがさらに好ましい。 The solvent of the preferable solution used in the present invention is not particularly limited as long as it is a solvent having a small absorption in the wavelength range of the laser light to be used, and water or a non-aqueous solvent can be appropriately used. Preferred are alcohols or aliphatic hydrocarbons. As the alcohol, methanol, ethanol, isopropanol, monoterpene alcohol and the like are more preferable. Hexane and the like are more preferable as the aliphatic hydrocarbon. As the monoterpene alcohol, terpineol is preferable. These solvents may be used alone or in combination of two or more. When using an Nd: YAG laser as the laser, ethanol, isopropanol and terpineol are even more preferred.
本発明において、多元系金属材料の粒子の分散性を向上させるために、分散剤を含有させることが好ましい。上記溶媒と同様、使用するレーザー光の波長範囲において、吸収が小さい分散剤であれば、特に限定されない。例えば、リン酸エステル系、ポリエステル／ポリエーテル型、ポリエーテル型等が好ましい。この中で、末端吸着基が酸性または中性であることがより好ましい。また、分散剤の市販品として、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ１０３、１１１、１１８、１７１、１８０、２０２２、２１５２、ＢＹＫ４５１０（ビックケミージャパン社製）、ＳＭＡ１０００Ｐ、ＥＦ−３０（Ｃｒａｙ Ｖａｌｌｅｙ社製）、アルフォンＵＣ−３９００、ＵＳ−６１１０（東亞合成社製）等が挙げられる。上記の分散剤を用いることにより、多元系金属材料の粒子の分散性がより向上し、レーザーアブレーションを効率的に行え、収率が向上する。
さらに、溶液中には各種の公知の界面活性剤、金属塩、酸、又はアルカリ等を添加剤として加えてもよい。
In the present invention, it is preferable to contain a dispersant in order to improve the dispersibility of the particles of the multidimensional metal material. Similar to the above solvent, it is not particularly limited as long as it is a dispersant having a small absorption in the wavelength range of the laser light used. For example, a phosphoric acid ester type, a polyester / polyether type, a polyether type and the like are preferable. Of these, it is more preferable that the terminal adsorbent group is acidic or neutral. In addition, as commercially available dispersants, DISPERBYK103, 111, 118, 171, 180, 2022, 2152, BYK4510 (manufactured by Big Chemie Japan), SMA1000P, EF-30 (manufactured by Cray Valley), Alfon UC-3900, US -6110 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.) and the like can be mentioned. By using the above dispersant, the dispersibility of the particles of the multidimensional metal material is further improved, laser ablation can be performed efficiently, and the yield is improved.
Further, various known surfactants, metal salts, acids, alkalis and the like may be added to the solution as additives.
本発明において、多元系金属材料の粒子を含む溶液の温度は２０〜３０℃が好ましい。また、レーザーアブレーション時の溶液の温度は、用いる多元系金属材料からなる粒子のレーザー光の吸収率等に依存するが、好ましくは２５〜４０℃、より好ましくは２５〜３０℃である。溶液の温度がこの範囲にあれば、レーザーアブレーションが溶液内で均一に行われる。 In the present invention, the temperature of the solution containing the particles of the multidimensional metal material is preferably 20 to 30 ° C. The temperature of the solution during laser ablation depends on the absorption rate of the laser light of the particles made of the multidimensional metal material used, but is preferably 25 to 40 ° C, more preferably 25 to 30 ° C. If the temperature of the solution is in this range, laser ablation will be uniform in the solution.
本発明において、溶液に分散させる多元系金属材料の粒子は、公知の方法で、下述する平均粒径までに粉砕又は合成された粒子であることが好ましい。多元系金属材料の粒子の平均粒径は、好ましくは８０ｎｍ〜３０μｍ、より好ましくは１００ｎｍ〜２０μｍ、さらに好ましくは２００ｎｍ〜１５μｍである。
多元系金属材料の粒子の量は、溶液１Ｌ中に好ましくは０．０１〜３０ｇ、より好ましくは０．１０〜２０ｇ、さらに好ましくは１．０〜１５ｇである。
前記分散剤の含有量が、溶液中の多元系金属材料の粒子の量に対し、好ましくは０．１〜２００質量％、より好ましくは１．０〜１００質量％、さらに好ましくは５．０〜５５質量％である。
多元系金属材料の粒子の平均粒径、量、及び分散剤の含有量が上記の範囲にあれば、分散性が高く、アブレーションが効果的に行え、アブレーション後に凝集することもないことから、収率の向上につながる。
なお、本発明において平均粒径とは、レーザー回折式粒度分析装置で測定されるＤ５０（メディアン径；頻度分布が累積５０％に相当する粒子径）の値をいう。
In the present invention, the particles of the multidimensional metal material to be dispersed in the solution are preferably particles pulverized or synthesized to the average particle size described below by a known method. The average particle size of the particles of the multidimensional metal material is preferably 80 nm to 30 μm, more preferably 100 nm to 20 μm, and further preferably 200 nm to 15 μm.
The amount of particles of the multidimensional metal material is preferably 0.01 to 30 g, more preferably 0.10 to 20 g, and further preferably 1.0 to 15 g in 1 L of the solution.
The content of the dispersant is preferably 0.1 to 200% by mass, more preferably 1.0 to 100% by mass, still more preferably 5.0 to 50% by mass, based on the amount of particles of the multidimensional metal material in the solution. It is 55% by mass.
If the average particle size and amount of the particles of the multidimensional metal material and the content of the dispersant are within the above ranges, the dispersibility is high, the ablation can be effectively performed, and the particles do not aggregate after the ablation. It leads to an improvement in the rate.
In the present invention, the average particle size means a value of D50 (median diameter; particle size corresponding to a cumulative frequency distribution of 50%) measured by a laser diffraction type particle size analyzer.
液相レーザーアブレーションにおいて、容器中の多元系金属材料の粒子にレーザーを照
射する方向は特に制限されないが、容器の側面又は容器上部から照射することが好ましいい。
液相レーザーアブレーションに用いる容器は、特に限定されないが、用いる溶媒に不溶であり、用いるレーザー光の波長範囲に対し高い透明性を有し吸収が少ない材料からなる
容器を、適宜選択することが好ましい。例えば、石英ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。
容器側面からレーザーを照射する場合には、石英ガラスであることが好ましい。レーザーを上部から照射する場合には、前述した条件において、高い透明性を有さない容器を使用してもよい。
また、レーザーアブレーション時は、多元系金属材料の粒子が分散された溶液を攪拌することが好ましい。撹拌手段としては、レーザーアブレーションの効果が阻害されなければ、特に制限はなく、公知のものを用いることができる。
In the liquid phase laser ablation, the direction of irradiating the particles of the multidimensional metal material in the container with the laser is not particularly limited, but it is preferable to irradiate the particles from the side surface of the container or the upper part of the container.
The container used for liquid phase laser ablation is not particularly limited, but it is preferable to appropriately select a container made of a material that is insoluble in the solvent used, has high transparency with respect to the wavelength range of the laser light used, and has low absorption. .. For example, quartz glass, non-alkali glass and the like can be mentioned.
When irradiating the laser from the side surface of the container, quartz glass is preferable. When irradiating the laser from above, a container that does not have high transparency may be used under the above-mentioned conditions.
Further, at the time of laser ablation, it is preferable to stir the solution in which the particles of the multidimensional metal material are dispersed. The stirring means is not particularly limited as long as the effect of laser ablation is not impaired, and known ones can be used.
液相レーザーアブレーション後に形成された多元系金属ナノ粒子の平均粒径は、好ましくは１〜４５ｎｍであり、より好ましくは２ｎｍ〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは３ｎｍ〜２５ｎｍである。平均粒径がこの範囲にあると、例えば、熱と電気の相互エネルギー変換を行う熱電変換素子の熱電半導体材料として用いた場合、熱伝導率を小さくすることができるため、優れた熱電性能が得られる。また、ナノメートルオーダーの粒径を有する粒子では、前述したように、通常、バルク体とは異なる物性を示すことがあり、色々な応用が期待される。 The average particle size of the multidimensional metal nanoparticles formed after the liquid phase laser ablation is preferably 1 to 45 nm, more preferably 2 nm to 40 nm, and further preferably 3 nm to 25 nm. When the average particle size is in this range, for example, when used as a thermoelectric semiconductor material for a thermoelectric conversion element that performs mutual energy conversion between heat and electricity, the thermal conductivity can be reduced, so that excellent thermoelectric performance can be obtained. Be done. Further, as described above, particles having a particle size on the order of nanometers may usually exhibit physical characteristics different from those of the bulk body, and various applications are expected.
本発明の製造方法によれば、上記のように所定の平均粒径を有する多元系金属材料の粒子に溶液中でレーザー光を照射するという簡便な工程で、高い収率でより粒径の小さい多元系金属ナノ粒子が得られる。 According to the production method of the present invention, particles of a multidimensional metal material having a predetermined average particle size are irradiated with laser light in a solution as described above, and the particle size is smaller in high yield. Multidimensional metal nanoparticles can be obtained.
［多元系金属ナノ粒子］
本発明の液相レーザーアブレーションによる製造方法で得られる多元系金属ナノ粒子は、粒径が４５ｎｍ以下であり、不純物が少なく、各金属成分の組成比が維持される。
このため、例えば、粉末の粒径が小さくなるほど、粒界がフォノンの散乱源となり、熱伝導率を低下させることができることから、熱と電気の相互エネルギー変換を行う熱電変換素子の熱電半導体材料のナノ粒子として好適に利用できる。
[Multidimensional metal nanoparticles]
The multidimensional metal nanoparticles obtained by the production method by the liquid phase laser ablation of the present invention have a particle size of 45 nm or less, few impurities, and the composition ratio of each metal component is maintained.
Therefore, for example, as the particle size of the powder becomes smaller, the grain boundary becomes a phonon scattering source and the thermal conductivity can be lowered. Therefore, the thermoelectric semiconductor material of the thermoelectric conversion element that performs mutual energy conversion between heat and electricity. It can be suitably used as nanoparticles.
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。 Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these examples.
実施例、比較例で作製した熱電半導体微粒子の粒度分布評価は、以下の方法により行った。
＜粒度分布評価＞
実施例及び比較例で作製した熱電半導体微粒子を、レーザー回折式粒度分析装置（Malvern社製、マスターサイザー３０００）を用い粒度分布を測定し、平均粒径を算出した。なお、平均粒径は、前述したように、レーザー回折式粒度分析装置で測定されるＤ５０の値をいう。
The particle size distribution evaluation of the thermoelectric semiconductor fine particles produced in Examples and Comparative Examples was carried out by the following method.
<Evaluation of particle size distribution>
The particle size distribution of the thermoelectric semiconductor fine particles produced in Examples and Comparative Examples was measured using a laser diffraction type particle size analyzer (Mastersizer 3000 manufactured by Malvern), and the average particle size was calculated. As described above, the average particle size refers to the value of D50 measured by the laser diffraction type particle size analyzer.
（実施例１）
（熱電半導体微粒子の作製）
ビスマス−テルル系熱電半導体材料であるｐ型ビスマステルライドＢｉ０．４Ｔｅ３Ｓｂ１．６の粒子（高純度化学研究所製、平均粒径：１．８μｍ）２０ｍｇ、エタノール１．９９ｇに、分散剤（ＢＹＫ社製、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１８）１０ｍｇを加え溶液を調整した。調整した溶液、及び撹拌子を石英セルに加え、セル側面からＮｄ：ＹＡＧレーザー（波長：３５５ｎｍ、パルス幅：１０ｎｓｅｃ、繰り返し周波数：１０Ｈｚ、レーザー強度：５０ｍＪ／ｃｍ２）を１５分間照射することで、液相レーザーアブレーションを行った。得られた熱電半導体微粒子に関して、上述したレーザー回折式粒度分析装置を用い粒度分布測定を行った。熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Example 1)
(Preparation of thermoelectric semiconductor fine particles)
Dispersed in 20 mg of p-type bismuth tellurium Bi 0.4 Te 3 Sb 1.6 particles (manufactured by High Purity Chemical Laboratory, average particle size: 1.8 μm), which is a bismuth-tellurium thermoelectric semiconductor material, and 1.99 g of ethanol. 10 mg of an agent (DISPERBYK-118 manufactured by BYK) was added to prepare a solution. The prepared solution and the stirrer are added to the quartz cell, and the Nd: YAG laser (wavelength: 355 nm, pulse width: 10 nsec, repetition frequency: 10 Hz, laser intensity: 50 mJ / cm 2 ) is irradiated from the side surface of the cell for 15 minutes. , Liquid phase laser ablation was performed. The obtained thermoelectric semiconductor fine particles were measured for particle size distribution using the above-mentioned laser diffraction type particle size analyzer. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the thermoelectric semiconductor fine particles.
（実施例２）
熱電半導体材料をｎ型ビスマステルルの粒子（高純度化学研究所製、平均粒径：１．２μｍ）、分散剤をＢＹＫ社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０３にした以外は実施例１と同様にして、熱電半導体材料に対し、液相レーザーアブレーションを行った。得られた熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Example 2)
The thermoelectric semiconductor is the same as in Example 1 except that the thermoelectric semiconductor material is n-type bismasterl particles (manufactured by High Purity Chemical Laboratory, average particle size: 1.2 μm) and the dispersant is DISPERBYK-103 manufactured by BYK. The material was subjected to liquid phase laser ablation. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the obtained thermoelectric semiconductor fine particles.
（実施例３）
熱電半導体材料をｎ型マグネシウムシリサイドの粒子（高純度化学研究所製、平均粒径：１３．１μｍ）、分散剤をＢＹＫ社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０３にした以外は実施例１と同様にして、熱電半導体材料に対し、液相レーザーアブレーションを行った。得られた熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Example 3)
Thermoelectric semiconductor in the same manner as in Example 1 except that the thermoelectric semiconductor material was n-type magnesium silicide particles (manufactured by High Purity Chemical Laboratory, average particle size: 13.1 μm) and the dispersant was DISPERBYK-103 manufactured by BYK. The material was subjected to liquid phase laser ablation. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the obtained thermoelectric semiconductor fine particles.
（実施例４）
熱電半導体材料をｐ型マンガンシリサイドの粒子（高純度化学研究所製、平均粒径：５．７μｍ）、分散剤をＢＹＫ社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１８にした以外は実施例１と同様にして、熱電半導体材料に対し、液相レーザーアブレーションを行った。得られた熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Example 4)
Thermoelectric semiconductor in the same manner as in Example 1 except that the thermoelectric semiconductor material was p-type manganese silicide particles (manufactured by High Purity Chemical Laboratory, average particle size: 5.7 μm) and the dispersant was DISPERBYK-118 manufactured by BYK. The material was subjected to liquid phase laser ablation. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the obtained thermoelectric semiconductor fine particles.
（実施例５）
熱電半導体材料をｎ型テトラへドライトの粒子（高純度化学研究所製、平均粒径：６．７μｍ）、分散剤をＢＹＫ社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０３にした以外は実施例１と同様にして、熱電半導体材料に対し、液相レーザーアブレーションを行った。得られた熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Example 5)
The thermoelectric semiconductor material was n-type tetrahedrite particles (manufactured by High Purity Chemical Laboratory, average particle size: 6.7 μm), and the dispersant was DISPERBYK-103 manufactured by BYK. Liquid phase laser ablation was performed on the semiconductor material. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the obtained thermoelectric semiconductor fine particles.
（実施例６）
レーザーの波長を５３２ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、熱電半導体材料の粒子に対し、液相レーザーアブレーションを行った。得られた熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Example 6)
Liquid-phase laser ablation was performed on the particles of the thermoelectric semiconductor material in the same manner as in Example 1 except that the wavelength of the laser was set to 532 nm. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the obtained thermoelectric semiconductor fine particles.
（実施例７）
レーザーの波長を１０６４ｎｍとした以外は実施例１と同様にして、熱電半導体材料の粒子に対し、液相レーザーアブレーションを行った。得られた熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Example 7)
Liquid-phase laser ablation was performed on the particles of the thermoelectric semiconductor material in the same manner as in Example 1 except that the wavelength of the laser was set to 1064 nm. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the obtained thermoelectric semiconductor fine particles.
（実施例８）
レーザーの波長を５３２ｎｍとした以外は実施例２と同様にして、熱電半導体材料の粒子に対し、液相レーザーアブレーションを行った。得られた熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Example 8)
Liquid-phase laser ablation was performed on the particles of the thermoelectric semiconductor material in the same manner as in Example 2 except that the wavelength of the laser was set to 532 nm. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the obtained thermoelectric semiconductor fine particles.
（実施例９）
レーザーの波長を１０６４ｎｍとした以外は実施例２と同様にして、熱電半導体材料の粒子に対し、液相レーザーアブレーションを行った。得られた熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Example 9)
Liquid-phase laser ablation was performed on the particles of the thermoelectric semiconductor material in the same manner as in Example 2 except that the wavelength of the laser was set to 1064 nm. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the obtained thermoelectric semiconductor fine particles.
（比較例１）
ビスマス−テルル系熱電半導体材料であるｐ型ビスマステルライドＢｉ０．４Ｔｅ３Ｓｂ１．６の粒子（高純度化学研究所製、平均粒径：１．８μｍ）を、高圧ガスエネルギー下での粒子間衝突を利用し粉砕した。粉砕装置としてナノジェットマイザー（アイシンテクノロジーズ社製、型名：ＮＪ−５０）を使用した。得られた熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Comparative Example 1)
Particles of p-type bismuth tellurium Bi 0.4 Te 3 Sb 1.6 (manufactured by High Purity Chemical Laboratory, average particle size: 1.8 μm), which is a bismuth-tellurium thermoelectric semiconductor material, under high pressure gas energy. It was crushed using inter-collision. A nanojet mizer (manufactured by Aisin Technologies, model name: NJ-50) was used as a crushing device. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the obtained thermoelectric semiconductor fine particles.
（比較例２）
ビスマス−テルル系熱電半導体材料であるｐ型ビスマステルライドＢｉ０．４Ｔｅ３Ｓｂ１．６の粒子（高純度化学研究所製、平均粒径：１．８μｍ）を、高圧下湿式ジェットミルにより粉砕した。粉砕装置としてナノジェットパル（常光社製、型名：ＪＮ１００）を使用した。得られた熱電半導体微粒子の平均粒径の測定結果を表１に示す。
(Comparative Example 2)
Particles of p-type bismuth tellurium Bi 0.4 Te 3 Sb 1.6 (manufactured by High Purity Chemical Laboratory, average particle size: 1.8 μm), which is a bismuth-tellurium thermoelectric semiconductor material, are pulverized by a wet jet mill under high pressure. did. Nanojet Pal (manufactured by Jokko Co., Ltd., model name: JN100) was used as the crushing device. Table 1 shows the measurement results of the average particle size of the obtained thermoelectric semiconductor fine particles.
実施例１〜９の熱電半導体微粒子（多元系金属ナノ粒子）の平均粒径は１６〜４０ｎｍであり、もとの粒子と比べ非常に小さいものであり、かつ製造方法が異なる比較例１、２のナノ粒子の平均粒径と比べ、より小さくなっていることがわかる。 The average particle size of the thermoelectric semiconductor fine particles (multidimensional metal nanoparticles) of Examples 1 to 9 is 16 to 40 nm, which is very small as compared with the original particles, and Comparative Examples 1 and 2 having different production methods. It can be seen that the particle size is smaller than the average particle size of the nanoparticles.
本発明の製造方法で得られた多元系金属ナノ粒子、特に、熱電半導体ナノ粒子を、熱と電気の相互エネルギー変換を行う熱電変換素子に用いることで、優れた熱電性能が得られることが期待される。また、ナノメートルオーダーの粒径を有する粒子では、通常、バルク体とは異なる物性を示すことがあり、色々な応用が期待される。例えば、可視光波長範囲に表面プラズモン共鳴吸収を有する粒子の超格子構造は、光デバイスとして用いられ、量子サイズ効果による発色現象は、ディスプレイ用蛍光体として用いられる。 It is expected that excellent thermoelectric performance can be obtained by using the multidimensional metal nanoparticles obtained by the production method of the present invention, particularly thermoelectric semiconductor nanoparticles, in a thermoelectric conversion element that performs mutual energy conversion between heat and electricity. Will be done. In addition, particles having a particle size on the order of nanometers may usually exhibit physical characteristics different from those of bulk particles, and various applications are expected. For example, the superlattice structure of particles having surface plasmon resonance absorption in the visible light wavelength range is used as an optical device, and the color development phenomenon due to the quantum size effect is used as a phosphor for display.
１：液相レーザーアブレーション装置
２：レーザー装置
３：レーザー光
４：反射ミラー
５：集光レンズ
６：石英ガラスセル
７：多元系金属材料の粒子
８：回転子
９：スターラー
1: Liquid phase laser ablation device 2: Laser device 3: Laser light 4: Reflective mirror 5: Condensing lens 6: Quartz glass cell 7: Multidimensional metal material particles 8: Rotor 9: Stirrer
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