JP6841613B2

JP6841613B2 - 発光装置の作製方法、発光装置、モジュール、及び電子機器

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Publication number: JP6841613B2
Application number: JP2016146159A
Authority: JP
Inventors: 章裕千田
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2015-07-30
Filing date: 2016-07-26
Publication date: 2021-03-10
Anticipated expiration: 2036-07-26
Also published as: JP2021093366A; US10804503B2; TW202044624A; KR20180035217A; US11411208B2; US20170033323A1; CN108738377B; KR102632066B1; US20200388795A1; US9917282B2; US20180175332A1; TW201712901A; WO2017017553A1; US10135037B2; JP2017228512A; TWI757241B; CN108738377A; US20190074485A1

Description

本発明の一態様は、発光装置、モジュール、電子機器、及びそれらの作製方法に関する。本発明の一態様は、特に、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光装置とその作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

近年、発光装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められている。

例えば、携帯機器用途等の発光装置では、薄型であること、軽量であること、又は破損しにくいこと等が求められている。

ＥＬ現象を利用した発光素子（ＥＬ素子とも記す）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、発光装置への応用が検討されている。

例えば、特許文献１に、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタ及び有機ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。

有機ＥＬ素子は、外部から侵入する水分又は酸素などの不純物により信頼性が損なわれてしまうという課題がある。

有機ＥＬ素子の外部から、水分又は酸素などの不純物が、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物又は金属材料に侵入することで、有機ＥＬ素子の寿命は大幅に低減されてしまう場合がある。有機ＥＬ素子に用いる有機化合物又は金属材料が、不純物と反応し、劣化してしまうためである。

したがって、不純物の侵入を防ぐために有機ＥＬ素子を封止する技術について、研究開発が進められている。

特開２０１４−１９７５２２号公報

本発明の一態様は、発光装置の信頼性を高めることを課題の一とする。本発明の一態様は、発光装置の作製工程における歩留まりを向上することを課題の一とする。

本発明の一態様は、曲面を有する発光装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、可撓性を有する発光装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、軽量な発光装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、薄型の発光装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な発光装置等を提供することを課題の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、発光素子を有する発光部と、発光部の外側に枠状に設けられた非発光部と、を有する発光装置の作製方法である。非発光部は、スペーサ及び無機絶縁層を有することが好ましい。

本発明の一態様の発光装置の作製方法ａは、第１の基板上に発光素子を形成する第１の工程と、接着層を、第１の基板上又は第２の基板上に形成する第２の工程と、第１の基板と第２の基板を重ね、発光素子を、接着層、第１の基板、及び第２の基板に囲まれた空間に配置する第３の工程と、接着層を硬化する第４の工程と、硬化した接着層を加熱しながら、凸部を有する部材を用いて非発光部の少なくとも一部に圧力を加える第５の工程と、を有する。

作製方法ａにおいて、第２の工程より前に、第１の基板上又は第２の基板上に、スペーサ、及び、スペーサの側面及び上面を覆う無機絶縁層を形成することが好ましい。作製方法ａにおいて、第５の工程では、凸部を無機絶縁層に重ねることが好ましい。

本発明の一態様の発光装置の作製方法ｂは、第１の基板上に剥離層を形成する第１の工程と、剥離層上に被剥離層を形成する第２の工程と、接着層を、第１の基板上又は第２の基板上に形成する第３の工程と、第１の基板と第２の基板を重ねる第４の工程と、接着層を硬化する第５の工程と、第１の基板と、被剥離層と、を分離する第６の工程と、硬化した接着層を加熱しながら、凸部を有する部材を用いて非発光部の少なくとも一部に圧力を加える第７の工程と、を有する。作製方法ｂにおいて、第２の工程では、剥離層上の絶縁層と、絶縁層上の発光素子と、を被剥離層として形成する。作製方法ｂにおいて、第３の工程では、接着層が剥離層及び被剥離層と重なるように、接着層を形成する。作製方法ｂにおいて、第４の工程では、発光素子を、接着層、第１の基板、及び第２の基板に囲まれた空間に配置する。

作製方法ｂは、被剥離層に第３の基板を貼り合わせる工程を、第６の工程と第７の工程の間に有していてもよい。または、作製方法ｂは、被剥離層に第３の基板を貼り合わせる工程を、第７の工程の後に有していてもよい。

作製方法ｂにおいて、第３の工程より前に、第１の基板上又は第２の基板上に、スペーサ、及び、スペーサの側面及び上面を覆う無機絶縁層を形成することが好ましい。作製方法ｂにおいて、第７の工程では、凸部を無機絶縁層に重ねることが好ましい。

本発明の一態様の発光装置の作製方法ｃは、第１の基板上に第１の剥離層を形成する第１の工程と、第１の剥離層上に第１の被剥離層を形成する第２の工程と、第２の基板上に第２の剥離層を形成する第３の工程と、第２の剥離層上に第２の被剥離層を形成する第４の工程と、接着層を、第１の基板上又は第２の基板上に形成する第５の工程と、第１の基板と第２の基板を重ねる第６の工程と、接着層を硬化する第７の工程と、第１の基板と、第１の被剥離層と、を分離する第８の工程と、第１の被剥離層に第３の基板を貼り合わせる第９の工程と、第２の基板と、第２の被剥離層と、を分離する第１０の工程と、硬化した接着層を加熱しながら、凸部を有する部材を用いて非発光部の少なくとも一部に圧力を加える第１１の工程と、を有する。作製方法ｃにおいて、第１の被剥離層又は第２の被剥離層として、絶縁層と、絶縁層上の発光素子と、を形成する。作製方法ｃにおいて、第５の工程では、接着層が第１の剥離層及び第１の被剥離層と重なるように、接着層を形成する。作製方法ｃにおいて、第６の工程では、発光素子を、接着層、第１の基板、及び第２の基板に囲まれた空間に配置する。

作製方法ｃは、第２の被剥離層に第４の基板を貼り合わせる工程を、第１０の工程と第１１の工程の間に有していてもよい。または、作製方法ｃは、第２の被剥離層に第４の基板を貼り合わせる工程を、第１１の工程の後に有していてもよい。

作製方法ｃは、第６の工程よりも前に、隔壁を第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有することが好ましい。該隔壁は、接着層を囲むように設けられる。

作製方法ｃにおいて、第５の工程より前に、第１の基板上又は第２の基板上に、スペーサ、及び、スペーサの側面及び上面を覆う無機絶縁層を形成することが好ましい。作製方法ｃにおいて、第１１の工程では、凸部を無機絶縁層に重ねることが好ましい。

本発明の一態様の発光装置は、発光部と、発光部の外側に枠状に設けられた非発光部と、を有する。該発光装置は、第１の可撓性基板、第２の可撓性基板、第１の接着層、第２の接着層、第１の絶縁層、及び第１の機能層を有する。第１の接着層は、第１の可撓性基板と第１の絶縁層の間に位置する。第２の接着層は、第２の可撓性基板と第１の絶縁層の間に位置する。第１の機能層は、第２の接着層と第１の絶縁層の間に位置する。第１の接着層と第２の接着層は、第１の絶縁層を介して互いに重なる部分を有する。発光部は、第１の機能層に発光素子を有する。非発光部は、第１の機能層にスペーサ及び無機絶縁層を有する。無機絶縁層は、スペーサの側面及び上面を覆う。非発光部は、発光部に比べて、第１の可撓性基板と第２の可撓性基板との間隔が狭い第１の部分を有する。第１の部分は、該無機絶縁層を有することが好ましい。

本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の発光装置を有し、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ、以下ＦＰＣと記す）もしくはＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられたモジュール、又はＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（ＣｈｉｐＯｎＦｉｌｍ）方式等により集積回路（ＩＣ）が実装されたモジュール等のモジュールである。

本発明の一態様では、上記の構成が、発光装置でなく、表示装置又は入出力装置（タッチパネルなど）に適用されていてもよい。

本発明の一態様は、上記のモジュールと、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する電子機器である。

本発明の一態様により、発光装置の信頼性を高めることができる。本発明の一態様により、発光装置の作製工程における歩留まりを向上することができる。

本発明の一態様により、曲面を有する発光装置を提供することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する発光装置を提供することができる。本発明の一態様により、軽量な発光装置を提供することができる。本発明の一態様により、薄型の発光装置を提供することができる。本発明の一態様により、新規な発光装置等を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

発光装置の作製方法の一例を示すフローチャート及び断面図。発光装置の作製方法の一例を示す断面図。発光装置の作製方法の一例を示すフローチャート、断面図及び上面図。発光装置の作製方法の一例を示すフローチャート及び断面図。発光装置の作製方法の一例を示すフローチャート及び断面図。発光装置の作製方法の一例を示す断面図。発光装置の作製方法の一例を示すフローチャート。発光装置の作製方法の一例を示す断面図。発光装置の作製方法の一例を示す断面図。発光装置の作製方法の一例を示すフローチャート及び断面図。発光装置の作製方法の一例を示す断面図。発光装置の一例を示す上面図。発光装置の作製方法の一例を示す断面図。凸部を有する部材の上面図及び部材の凸部と発光装置の凹部を説明する断面図。凸部を有する部材の上面図及び発光装置の作製方法の一例を示す断面図。発光装置の一例を示す上面図及び断面図。発光装置の一例を示す断面図、並びに、トランジスタの一例を示す上面図及び断面図。発光装置の一例を示す上面図及び断面図。発光装置の一例を示す断面図。発光装置の一例を示す断面図。発光装置の一例を示す断面図。発光装置の一例を示す断面図。発光装置の一例を示す断面図。入出力装置の一例を示す上面図及び断面図。入出力装置の一例を示す斜視図。入出力装置の一例を示す断面図。入出力装置の一例を示す断面図。電子機器及び照明装置の一例を示す図。電子機器の一例を示す図。電子機器の一例を示す図。試料のＸＲＤスペクトルの測定結果を説明する図。試料のＴＥＭ像、及び電子線回折パターンを説明する図。試料のＥＤＸマッピングを説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置とその作製方法について図１〜図１５を用いて説明する。

本実施の形態では、主にＥＬ素子を用いた発光装置を例示するが、本発明の一態様はこれに限られない。他の発光素子又は表示素子を用いた発光装置又は表示装置も、本発明の一態様である。また、本発明の一態様は、発光装置及び表示装置に限られず、半導体装置、入出力装置等の各種装置に適用することができる。

本発明の一態様の発光装置は、発光部及び非発光部を有する。発光部は発光素子を有する。非発光部は、発光部の外側に枠状に設けられる。

発光装置を構成する機能素子（発光素子又はトランジスタ等）は、外部から侵入する水分等の不純物により劣化し、信頼性が損なわれてしまう場合がある。発光装置の厚さ方向からの（言い換えると、発光面と、発光面に対向する面からの）不純物の侵入は、機能素子を一対のガスバリア性の高い層（基板又は絶縁層等）で挟持することで抑制することができる。一方、発光装置の側面では、発光素子等を封止するための接着層が大気に露出する。例えば、接着層に樹脂を用いる場合、ガラスフリット等を用いる場合に比べて、耐衝撃性及び耐熱性に優れ、外力等による変形で壊れにくいという利点がある。接着層に樹脂を用いることで、発光装置の可撓性及び曲げ耐性を高めることができる。一方で、樹脂は、ガスバリア性、防水性、又は防湿性が不十分な場合がある。

そこで、本発明の一態様では、発光装置の非発光部に、発光部よりも厚さが薄い部分を設ける。

発光装置の側面から水分等の不純物が侵入してきた場合、発光装置（又は接着層）に、他の部分よりも厚さが薄い領域があると、不純物が該領域を通過しにくくなる。その結果、発光装置（又は接着層）の厚さが一定の場合に比べて、不純物が機能素子に到達しにくくなり、発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。

このように、本発明の一態様では、発光装置の形状（又は接着層の厚さ）によって発光装置の信頼性を高めることができるため、接着層に用いる材料の選択の幅が広くなる。例えば、接着層に樹脂を用いても、長寿命の発光装置を作製できる。

なお、他の部分よりも厚さが薄い領域は、非発光部に局所的に設けられていてもよい。または、非発光部の発光部側から発光装置の端部にかけて連続的に（滑らかに）厚さが薄くなっている部分を有していてもよい。

以下では、本発明の一態様の発光装置の作製方法を例示する。

＜作製方法１＞
図１（Ａ）に発光装置の作製方法１のフローチャートを示す。

［Ｓ１−１：発光素子を形成する］
まず、一対の基板（基板１１及び基板１９）を用意する。そして、基板１１上に、発光素子１５を形成する（図１（Ｂ））。図１（Ｂ）等では、基板１１に発光素子１５が設けられている部分を発光部２５として示し、それ以外の部分を非発光部２６として示す。

一対の基板には、少なくとも作製工程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を用いる。一対の基板には、それぞれ、ガラス、石英、サファイア、セラミック、有機樹脂、金属、合金、半導体などの材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。

一対の基板には、それぞれ、可撓性を有する基板（以下、可撓性基板と記す）を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂、又は、可撓性を有する程度の厚さのガラス、金属、もしくは合金を用いることができる。例えば、可撓性基板の厚さは、１μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、１μｍ以上１００μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下がさらに好ましい。可撓性基板の厚さ及び硬さは、機械的強度及び可撓性を両立できる範囲とする。可撓性基板は単層構造であっても積層構造であってもよい。

金属基板を構成する材料としては、例えば、アルミニウム、銅、及びニッケル等が挙げられる。合金基板を構成する材料としては、例えば、アルミニウム合金及びステンレス等が挙げられる。半導体基板を構成する材料としては、例えば、シリコン等が挙げられる。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、及びＡＢＳ樹脂等が挙げられる。特に、線膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプレグともいう）、又は無機フィラーを有機樹脂に混ぜて線膨張係数を下げた基板を使用することもできる。

発光素子１５としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。なお、本発明の一態様は、発光装置に限られず、様々な表示素子を用いた表示装置に適用することができる。例えば、表示装置には、発光素子の他に、液晶素子、電気泳動素子、又はＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子等を適用することができる。

基板１１上には、発光素子１５に加えて、トランジスタ、抵抗素子、スイッチ素子、及び容量素子等の様々な機能素子のうち一種以上を形成することができる。

機能素子が設けられる領域は発光部２５に限られない。例えば、非発光部２６に、信号線駆動回路、走査線駆動回路、及び外部接続電極等のうち一種以上を形成することができる。外部接続電極は、外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、もしくはリセット信号等）又は電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。

［Ｓ１−２：接着層を形成する］
次に、接着層１７を基板１１上又は基板１９上に形成する。

接着層１７の厚さは、例えば、１μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。

接着層１７の形成方法に特に限定は無く、例えば、液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷法やオフセット印刷法など）、スピンコート法、スプレー塗布法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンス法、ナノインプリント法等をそれぞれ用いることができる。

接着層１７に用いる接着剤のガラス転移温度が低いほど、後の工程で接着層１７を加圧した際に、接着層１７が凹みやすい。そのため、発光装置に、接着層１７の厚さが極めて薄い部分を形成しやすく、発光装置の信頼性を高めることができる。一方、接着層１７に用いる接着剤のガラス転移温度が高いほど、発光装置の耐熱性を高めることができる。そのため、接着層１７に用いる接着剤のガラス転移温度は、６０℃以上１２０℃以下が好ましく、８０℃以上１００℃以下がより好ましい。

また、後述する通り、接着層１７は熱可塑性を有することが好ましい。

接着層１７には、熱硬化型接着剤又はＵＶ遅延硬化型接着剤を用いることが好ましい。または、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型の接着剤を用いてもよい。接着剤に含まれる樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウム又は酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライト又はシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、大気中の水分の侵入による機能素子の劣化を抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂にレベリング剤又は界面活性剤を含んでいてもよい。

上記樹脂にレベリング剤又は界面活性剤を添加することで、樹脂の表面張力を下げ、樹脂の濡れ性を向上させることができる。濡れ性が高いほど、樹脂を均一に塗布することができる。これにより、一対の基板を貼り合わせる際に気泡が混入することを抑制でき、接着層の凝集破壊や、接着層と被接着層との間での界面破壊が生じにくい構成とすることができる。また、発光装置における表示不良を抑制することもできる。

レベリング剤又は界面活性剤としては、発光素子等に悪影響を及ぼさない材料を用いる。例えば、エポキシ樹脂に０．０１ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下のフッ素系レベリング剤を添加した材料を用いてもよい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラー又は光散乱部材を混合することにより、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

［Ｓ１−３：一対の基板を重ねる］
次に、基板１１と基板１９とを重ね、発光素子１５を、接着層１７、基板１１、及び基板１９に囲まれた空間に配置する（図１（Ｃ））。発光装置の信頼性の観点から、この工程は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。

［Ｓ１−４：接着層を硬化する］
次に、接着層１７を硬化する。

［Ｓ１−５：接着層を加熱しながら非発光部に圧力を加える］
次に、接着層１７を加熱しながら、凸部を有する部材２１ａを用いて非発光部２６の少なくとも一部に圧力を加える（図１（Ｄ））。

加圧された部分では、接着層１７の厚さが他の部分よりも薄くなる（図１（Ｅ））。または、非発光部２６に、発光部２５と比べて、基板１１と基板１９との間隔が狭い部分が設けられる、ということもできる。

発光装置の側面から侵入する不純物が発光素子１５に到達しにくい条件としては、例えば、発光装置の厚さの最小値が小さいこと、基板１１と基板１９との間隔の最小値が小さいこと、又は接着層１７の厚さの最小値が小さいことが挙げられる。本発明の一態様において、非発光部に圧力を加える工程は、これら３つの最小値の少なくとも一つをより小さくすることを目的としている。

なお、発光部２５の厚さが不均一になると、表示品位が低下する恐れがある。本発明の一態様では、接着層１７を一度硬化させた後に、変形させる。硬化した接着層１７は、硬化する前の接着層１７に比べて、硬い状態又は流動性が低い状態である。そのため、凸部を有する部材２１ａを用いて接着層１７を局所的に変形させることができる。接着層１７の変形する領域は、直接凸部で非発光部２６を押した範囲に対して、過度に広がらない。したがって、接着層１７の厚さが薄くなる領域を非発光部のみにとどめることができ、発光部２５の厚さが不均一になりにくい。本発明の一態様では、発光装置の信頼性を高めることができ、かつ、発光装置の視野角特性が低下すること及び表示品位が低下することを抑制できる。

接着層１７には、熱可塑性を有する樹脂（以下、熱可塑性樹脂と記す）を用いることが好ましい。熱可塑性樹脂として、エポキシ樹脂などを好適に用いることができる。

熱可塑性樹脂を用いることで、硬化させた接着層１７を加熱により軟化させることができる。例えば、工程Ｓ１−４では、約６０℃で接着層１７を硬化させ、工程Ｓ１−５では、約１００℃で接着層１７を軟化させる。軟化している接着層１７は、完全に硬化している接着層１７に比べて、加圧により変形させやすい。また、軟化している接着層１７は、硬化する前の接着層１７に比べて、局所的に変形させることができる。

例えば、凸部を有する金型を用いて、非発光部２６の少なくとも一部に圧力をかけることができる。具体的には、凸部が非発光部２６と重なるように、金型を基板１１又は基板１９に重ねる。そして、発光装置１０及び金型の積層構造に圧力を加える。これにより、発光装置１０における、凸部と重なる部分とその近傍は、凸部に押し潰されて、他の部分よりも接着層１７の厚さが薄くなる。そして、発光装置の非発光部２６に、発光部２５よりも厚さが薄い第１の部分が設けられる。なお、非発光部２６は、厚さが薄い第１の部分の外側に、第１の部分より厚い第２の部分を有していてもよい。第２の部分と、発光部２５とで、厚さの大小関係に限定はなく、第２の部分の方が、発光部２５よりも薄くてもよいし、厚くてもよいし、同一であってもよい。

熱プレス機など、加圧が可能な装置を用いて、発光装置１０に圧力を加えることが好ましい。熱プレス機の一例は、本実施の形態にて後述する。

以上により、非発光部２６に、発光部２５よりも厚さが薄い部分を有する構成の発光装置を作製することができる。このような構成とすることで、水分又は酸素等の不純物が発光装置の内部に侵入すること、及び発光素子に到達することを抑制できる。

非発光部２６に厚さが薄い領域が形成されていることは、例えば、非発光部２６に生じた干渉縞で確認することができる。非発光部２６には、干渉縞の形成された領域が、例えば、０．１ｍｍ以上、０．５ｍｍ以上、又は１ｍｍ以上、かつ、１０ｍｍ以下、５ｍｍ以下、又は２ｍｍ以下の幅で形成される。なお、発光部２５に干渉縞が生じると、表示品質が低下する場合がある。したがって、発光部２５においては、干渉縞が形成されないことが好ましく、発光部２５の厚さは均一（概略均一）であることが好ましい。

図１（Ｄ）では、凸部を有する部材２１ａを用いて、基板１９側から非発光部２６に圧力を加える例を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。基板１１と基板１９のうち、可撓性がより高い基板側、又は厚さがより薄い基板側に、凸部を有する部材２１ａを配置すると、非発光部２６を加圧しやすくなり、好ましい。

図２（Ａ）では、凸部を有する部材２１ｂを用いて、基板１１側から非発光部に圧力を加える例を示す。この場合も、非発光部における加圧された部分では、接着層１７の厚さが他の部分よりも薄くなる（図２（Ｂ））。

図２（Ｃ）では、凸部を有する部材２１ａ、２１ｂを用いて、基板１１側と基板１９側の双方から非発光部に圧力を加える例を示す。このとき、凸部の幅、高さ、及び位置は、凸部を有する部材２１ａ、２１ｂでそれぞれ独立に決定できる。特に、部材２１ａ、２１ｂが有する凸部どうしが、発光装置を介して重なると、非発光部に、発光部よりも極めて厚さが薄い部分を形成することができる（図２（Ｄ））。このような構成では、発光装置の側面から侵入する不純物が発光素子１５に到達しにくく、発光装置の信頼性の低下を抑制でき、好ましい。なお、部材２１ａ、２１ｂが有する凸部は、互いにずれて位置していてもよい。

凸部を有する部材２１ａによって加圧される部分は、発光部２５の端部から発光装置の端部までの間に、単数又は複数設けられる。図１（Ｄ）では、発光部２５の左端から発光装置の左端までの間と、発光部２５の右端から発光装置の右端までの間に、凸部によって加圧される部分を１つずつ有する場合を示す。図２（Ｅ）では、２つずつ有する場合を示す。図２（Ｅ）の場合、発光装置の左右それぞれに２つの凹部（くぼみ、へこんだ部分を指す）が設けられる（図２（Ｆ））。その後、図２（Ｇ）に示すように、２つの凹部のうち、外側の凹部の一部を除去することで、発光装置の非発光部の幅を狭くしてもよい（発光装置の狭額縁化）。このとき、発光装置の厚さが最も薄い部分を残して、発光装置を切断することが好ましい。図２（Ｇ）に示す発光装置は、非発光部の発光部側から発光装置の端部にかけて連続的に（滑らかに）厚さが薄くなっている部分を有する。

図２（Ｇ）に示す発光装置は、端部の厚さが薄いため、外部の不純物が端部から侵入しにくい。図２（Ｇ）に示す発光装置は、さらに非発光部に凹部を有するため、発光装置の端部から不純物が侵入した場合でも、不純物が発光素子に到達しにくい構成となっている。

作製方法１では、基板１１上に直接、発光素子１５を形成する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。以下の作製方法２、３に示すように、作製基板３１上で作製した発光素子等を、基板１１上に転置してもよい。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い作製基板上で形成した被剥離層を、耐熱性の低い基板に転置することができ、被剥離層の作製温度が、耐熱性の低い基板によって制限されない。作製基板に比べて軽い、薄い、又は可撓性が高い基板等に被剥離層を転置することで、発光装置の軽量化、薄型化、フレキシブル化を実現できる。

＜作製方法２＞
図３（Ａ）に発光装置の作製方法２のフローチャートを示す。

［Ｓ２−１：剥離層を形成する］
まず、一対の基板（作製基板３１及び基板１９）を用意する。そして、作製基板３１上に、剥離層３２を形成する。

ここでは、島状の剥離層を形成する例を示したがこれに限られない。この工程では、作製基板３１と後述する絶縁層１３とを分離する際に、作製基板３１と剥離層３２の界面、剥離層３２と絶縁層１３の界面、又は剥離層３２中で分離が生じるような材料を選択する。本実施の形態では、絶縁層１３と剥離層３２の界面で分離が生じる場合を例示するが、剥離層３２や絶縁層１３に用いる材料の組み合わせによってはこれに限られない。

作製基板３１には、少なくとも作製行程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を用いる。作製基板３１には、ガラス、石英、サファイア、セラミック、有機樹脂、金属、合金、半導体などの材料を用いることができる。作製基板３１の透光性は問わない。

なお、量産性を向上させるため、作製基板３１として大型のガラス基板を用いることが好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）以上、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）以下のガラス基板、又はこれよりも大型のガラス基板等を用いることができる。

作製基板３１にガラス基板を用いる場合、作製基板３１と剥離層３２との間に、下地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等の絶縁層を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層３２は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等の金属酸化物を用いてもよい。剥離層３２に、タングステン、チタン、モリブデンなどの高融点金属材料を用いると、絶縁層１３及び機能素子の形成工程の自由度が高まるため好ましい。

剥離層３２は、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法（スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法等により形成できる。剥離層３２の厚さは例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。

剥離層３２が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。

また、剥離層３２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物を含む絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。また、プラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層３２の表面状態を変えることで、剥離層３２と絶縁層１３との密着性を制御することが可能である。

なお、作製基板３１と絶縁層１３の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板３１としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成する。次に、レーザ照射や加熱処理を行うことで、作製基板３１と有機樹脂の密着性を向上させる。そして、有機樹脂上に絶縁層１３及び発光素子１５等を形成する。その後、先のレーザ照射よりも高いエネルギー密度でレーザ照射を行う、又は、先の加熱処理よりも高い温度で加熱処理を行うことで、作製基板３１と有機樹脂の界面で剥離することができる。また、剥離の際には、作製基板３１と有機樹脂の界面に液体を浸透させて分離してもよい。

当該方法では、耐熱性の低い有機樹脂上に絶縁層１３、発光素子１５、及びトランジスタ等を形成するため、作製工程で基板に高温をかけることが難しい。ここで、酸化物半導体を用いたトランジスタは、高温の作製工程が必須でないため、有機樹脂上に好適に形成することができる。

なお、該有機樹脂を、装置を構成する基板として用いてもよいし、該有機樹脂を除去し、露出した面に接着剤を用いて別の基板を貼り合わせてもよい。

または、作製基板３１と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

［Ｓ２−２：被剥離層を形成する］
次に、剥離層３２上に、被剥離層を形成する。図３（Ｂ）では、被剥離層として、剥離層３２上の絶縁層１３と、絶縁層１３上の発光素子１５とを形成する例を示す。

絶縁層１３としては、ガスバリア性、防水性、又は防湿性の高い絶縁層を用いることが好ましい。

防湿性の高い絶縁層としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、又は、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。

例えば、防湿性の高い絶縁層の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

また、絶縁層１３として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

絶縁層１３は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として絶縁層１３を形成することで、緻密で防湿性の高い膜とすることができる。なお、絶縁層１３の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。

作製基板３１上には、被剥離層として、発光素子１５に加えて、トランジスタ、抵抗素子、スイッチ素子、及び容量素子等の様々な機能素子のうち一種以上を形成することができる。また、発光素子以外の表示素子を作製してもよい。また、着色層や遮光層を作製してもよい。

［Ｓ２−３：接着層を形成する］
次に、接着層１７を作製基板３１上又は基板１９上に形成する。

接着層１７の端部が剥離層３２及び絶縁層１３と重なるように、接着層１７を形成することが好ましい。これにより、作製基板３１を剥離する歩留まりを高めることができる。基板１９上に接着層１７を形成する場合には、次の工程Ｓ２−４で作製基板３１と基板１９を重ねた際に、接着層１７の端部が剥離層３２及び絶縁層１３と重なればよい。

［Ｓ２−４：一対の基板を重ねる］
次に、作製基板３１と基板１９とを重ね、発光素子１５を、接着層１７、作製基板３１、及び基板１９に囲まれた空間に配置する（図３（Ｃ））。

図３（Ｃ）に示すように、接着層１７の端部は、剥離層３２の端部よりも内側に位置することが好ましい。または、接着層１７の端部と剥離層３２の端部とが重なっていてもよい。これにより、作製基板３１と基板１９が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。

接着層１７に流動性の高い材料を用いる場合には、図３（Ｄ）に示す隔壁１８ａを用いて、接着層１７をせき止めることが好ましい。

図３（Ｅ）に示す上面図は、基板１９上に接着層１７及び隔壁１８ａを形成した際の一例である。枠状の隔壁１８ａの内側に、接着層１７が設けられている。

また、図３（Ｆ）に示すように、隔壁１８ａの外側に、仮封止層１８ｂを設けてもよい。

図３（Ｇ）に示す上面図は、基板１９上に接着層１７、隔壁１８ａ、及び仮封止層１８ｂを形成した際の一例である。枠状の隔壁１８ａの内側に、接着層１７が設けられている。枠状の隔壁１８ａの外側に、枠状の仮封止層１８ｂが設けられている。

接着層１７、隔壁１８ａ、及び仮封止層１８ｂは、それぞれ、作製基板３１及び基板１９のどちらに形成されてもよい。一方の基板に、接着層１７、隔壁１８ａ、及び仮封止層１８ｂの全てを形成してもよい。または、一方の基板に接着層１７及び隔壁１８ａを形成し、他方の基板に仮封止層１８ｂを形成してもよい。

隔壁１８ａ及び仮封止層１８ｂの厚さは、それぞれ、例えば、１μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。

隔壁１８ａ及び仮封止層１８ｂの形成方法に特に限定は無く、例えば、液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷法やオフセット印刷法など）、スピンコート法、スプレー塗布法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンス法、ナノインプリント法等をそれぞれ用いることができる。

隔壁１８ａ及び仮封止層１８ｂには、接着層１７に用いることができる各種材料を適用することができる。

隔壁１８ａには、接着層１７よりも粘性の高い材料を用いることが好ましい。隔壁１８ａに用いる材料の粘性が高いと、大気からの水分等の不純物の侵入を抑制でき、好ましい。

［Ｓ２−５：接着層を硬化する］
次に、接着層１７を硬化する。

さらに、仮封止層１８ｂの少なくとも一部を硬化してもよい。発光装置が大気雰囲気に曝されることで、作製基板３１及び基板１９が大気圧によって加圧される。これにより、仮封止層１８ｂ、作製基板３１、及び基板１９に囲まれた空間の減圧状態が保持される。したがって、大気中の水分等の不純物が発光装置内に侵入することを抑制できる。

さらに、隔壁１８ａを硬化してもよい。隔壁１８ａを硬化することで、接着層１７、隔壁１８ａ、及び基板１９によって発光素子１５が封止された発光装置を作製することができる。

接着層１７、隔壁１８ａ、及び仮封止層１８ｂの硬化順は問わない。

以降の工程には、作製方法２−Ａ、２−Ｂ、２−Ｃの３通りの進め方がある。

まず、図４（Ａ）に、作製方法２−Ａのフローチャートを示す。作製方法２−Ａは、作製基板３１の剥離前に、発光装置を変形させる例である。

［Ｓ２−６Ａ：接着層を加熱しながら非発光部に圧力を加える］
次に、接着層１７を加熱しながら、凸部を有する部材２１ａを用いて非発光部２６の少なくとも一部に圧力を加える（図４（Ｂ））。

図４（Ｂ）等では、作製基板３１に発光素子１５が設けられている部分を発光部２５として示し、それ以外の部分を非発光部２６として示す。

加圧された部分では、接着層１７の厚さが他の部分よりも薄くなる（図４（Ｃ））。または、非発光部２６に、発光部２５と比べて、作製基板３１と基板１９との間隔が狭い部分が設けられる、ということもできる。

［Ｓ２−７Ａ：作製基板を剥離する］
次に、作製基板３１と絶縁層１３とを分離する。ここで、作製基板３１を剥離するための剥離の起点（きっかけ、ともいえる）を形成することが好ましい。剥離の起点は、接着層１７と剥離層３２とが重なる領域に形成する。

剥離の起点は、レーザ光の照射、ガスもしくは溶液などによる剥離層のエッチング、基板の分断、又は、ナイフ、メス、カッターなどの鋭利な刃物で切り込みを入れるなどの機械的な除去等を用いて、形成することができる。剥離の起点を形成することで、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にすることができ、好ましい。

例えば、基板１９が刃物等で切断できる場合、基板１９、接着層１７、及び絶縁層１３に切り込みを入れることで、剥離の起点を形成することができる。

また、レーザ光を照射する場合、レーザ光は、硬化状態の接着層１７と、絶縁層１３と、剥離層３２とが重なる領域に対して照射することが好ましい。レーザ光は、どちらの基板側から照射してもよいが、散乱した光が発光素子又はトランジスタ等に照射されることを抑制するため、剥離層３２が設けられた作製基板３１側から照射することが好ましい。なお、レーザ光を照射する側の基板は、該レーザ光を透過する材料を用いる。

絶縁層１３にクラックを入れる（膜割れやひびを生じさせる）ことで、剥離の起点を形成できる。このとき、絶縁層１３だけでなく、剥離層３２、接着層１７の一部を除去してもよい。レーザ光の照射によって、絶縁層１３、剥離層３２、又は接着層１７に含まれる膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。

剥離工程時、剥離の起点に、絶縁層１３と剥離層３２を引き離す力が集中することが好ましいため、硬化状態の接着層１７の中央部よりも端部近傍に剥離の起点を形成することが好ましい。特に、端部近傍の中でも、辺部近傍に比べて、角部近傍に剥離の起点を形成することが好ましい。接着層１７と重ならない位置に剥離の起点を形成する場合、剥離層３２と絶縁層１３とを確実に分離するため、剥離の起点の形成位置は、接着層１７からの距離が近いほど好ましく、具体的には、接着層１７の端部からの距離が１ｍｍ以内に剥離の起点を形成することが好ましい。

剥離の起点を形成するために用いるレーザには特に限定はない。例えば、連続発振型のレーザ又はパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザ光の照射条件（周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等）は、作製基板３１及び剥離層３２の厚さ、材料等を考慮して適宜制御する。

レーザ光を用いることで、剥離の起点を形成するために基板の切断等をする必要がなく、ゴミ等の発生を抑制でき、好ましい。また、剥離の起点の形成にかかる時間を短縮することができる。また、作製基板３１の表面に残るゴミを低減できるため、作製基板３１の再利用が容易となる。また、カッター等の鋭利な刃物の摩耗がないため、コストが抑制できる、量産に適用しやすい、といった利点がある。また、いずれかの基板の端部を引っ張ることで剥離を開始できるため、量産化に応用しやすい。

そして、形成した剥離の起点から、絶縁層１３と作製基板３１とを分離する。このとき、一方の基板を吸着ステージ等に固定することが好ましい。例えば、作製基板３１を吸着ステージに固定し、作製基板３１から絶縁層１３を剥離してもよい。また、基板１９を吸着ステージに固定し、基板１９から作製基板３１を剥離してもよい。

例えば、剥離の起点から、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）によって絶縁層１３と作製基板３１とを分離すればよい。

また、剥離層３２と絶縁層１３との界面に水などの液体を浸透させて作製基板３１と絶縁層１３とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層３２と絶縁層１３の間にしみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静電気が、絶縁層１３に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊されるなど）を抑制できる。なお、液体を霧状又は蒸気にして吹き付けてもよい。液体としては、純水又は有機溶剤などを用いることができ、中性、アルカリ性、もしくは酸性の水溶液、又は塩が溶けている水溶液などを用いてもよい。

なお、剥離後に、基板１９上に残った、絶縁層１３と基板１９との接着に寄与していない接着層１７、隔壁１８ａ、及び仮封止層１８ｂ等を除去してもよい。除去することで、後の工程で機能素子に悪影響を及ぼすこと（不純物の混入など）を抑制でき好ましい。例えば、ふき取り、又は洗浄等によって、不要な樹脂を除去することができる。

［Ｓ２−８Ａ：基板を貼る］
次に、作製基板３１を剥離することで露出した絶縁層１３に、接着層１２を用いて、基板１１を貼り合わせる。そして、発光装置の端部を切断するなどにより、図４（Ｄ）に示す発光装置を作製することができる。

接着層１２は、接着層１７に用いることができる各種材料を適用することができる。基板１１には、上述の材料を適用することができ、特に可撓性基板を用いることが好ましい。

以上により、本発明の一態様の発光装置を作製することができる。

次に、図５（Ａ）に、作製方法２−Ｂ、２−Ｃのフローチャートを示す。作製方法２−Ｂ、２−Ｃは、作製基板３１の剥離後に、発光装置を変形させる例である。作製方法２−Ｂは、基板１１を貼った後に、発光装置を変形させる例である。作製方法２−Ｃは、基板１１を貼る前に、発光装置を変形させる例である。

［Ｓ２−６Ｂ：作製基板を剥離する］
作製方法２−Ｂ、２−Ｃのいずれにおいても、接着層１７の硬化後、作製基板３１と絶縁層１３とを分離する。剥離方法の詳細は、工程Ｓ２−７Ａを参照することができる。本工程により、絶縁層１３が露出する（図５（Ｂ））。

発光装置を変形させる前に、作製基板３１の剥離を行うため、発光装置の変形に起因する、剥離の歩留まりの低下を抑制することができる。

［Ｓ２−７Ｂ：基板を貼る］
作製方法２−Ｂでは、次に、接着層１２を用いて、絶縁層１３に基板１１を貼り合わせる。

基板１１として好適に用いることができるフィルムの両面には、剥離フィルム（セパレートフィルム、離型フィルムともいう）が設けられている場合が多い。基板１１と絶縁層１３を貼り合わせる際には、基板１１に設けられた一方の剥離フィルムのみを剥がす。他方の剥離フィルムは残したままにしておくと、後の工程での搬送や加工が容易となる。剥離フィルムの線膨張係数等の物性、並びに、発光装置を変形させる際の条件（温度及び圧力等）によっては、発光装置を変形させる工程より前に、剥離フィルムを剥がすことが好ましい場合もある。

［Ｓ２−８Ｂ：接着層を加熱しながら非発光部に圧力を加える］
次に、接着層１７を加熱しながら、凸部を有する部材２１ｂを用いて非発光部２６の少なくとも一部に圧力を加える（図５（Ｃ））。

図５（Ｃ）等では、基板１１に発光素子１５が設けられている部分を発光部２５として示し、それ以外の部分を非発光部２６として示す。

加圧された部分では、接着層１７の厚さが他の部分よりも薄くなる（図５（Ｄ））。または、非発光部２６に、発光部２５と比べて、基板１１と基板１９との間隔が狭い部分が設けられる、ということもできる。

図５（Ｃ）では、凸部を有する部材２１ｂを用いて、基板１１側から非発光部２６に圧力を加える例を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。

図６（Ａ）では、凸部を有する部材２１ａ、２１ｂを用いて、基板１１側と基板１９側の双方から非発光部に圧力を加える例を示す。この場合も、非発光部における加圧された部分では、接着層１７の厚さが他の部分よりも薄くなる（図６（Ｂ））。部材２１ａ、２１ｂが有する凸部は、発光装置を介して互いに重ならなくてもよい。

［Ｓ２−７Ｃ：接着層を加熱しながら非発光部に圧力を加える］
作製方法２−Ｃでは、工程Ｓ２−６Ｂの次に、接着層１７を加熱しながら、凸部を有する部材２１ｂを用いて非発光部２６の少なくとも一部に圧力を加える（図５（Ｅ））。

図５（Ｅ）では、絶縁層１３上に発光素子１５が設けられている部分を発光部２５として示し、それ以外の部分を非発光部２６として示す。

図５（Ｅ）では、接着層１７と凸部を有する部材２１ｂの間に絶縁層１３のみが位置する例を示す。基板１１等を介して接着層１７に圧力を加える工程Ｓ２−８Ｂ等に比べて、より直接的に接着層１７に圧力を加えることができる。そのため、本工程では、より確実に接着層１７の厚さを他の部分よりも薄くすることができる。

［Ｓ２−８Ｃ：基板を貼る］
次に、接着層１２を用いて、絶縁層１３に基板１１を貼り合わせる。そして、発光装置の端部を切断するなどにより、図５（Ｆ）に示す発光装置を作製することができる。

加圧された部分では、接着層１７の厚さが他の部分よりも薄くなっている（図５（Ｆ））。または、非発光部に、発光部と比べて、基板１１と基板１９との間隔が狭い部分が設けられている、ということもできる。

作製方法２−Ｃでは、接着層１７を変形させた後に基板１１を貼るため、基板１１の線膨張係数等の物性、及び接着層１２のガラス転移温度等の物性が、発光装置を変形させる工程の条件（温度及び圧力等）によって制限されない。

図５（Ｅ）では、凸部を有する部材２１ｂを用いて、絶縁層１３側から非発光部２６に圧力を加える例を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。

図６（Ｃ）では、凸部を有する部材２１ａ、２１ｂを用いて、絶縁層１３側と基板１９側の双方から非発光部に圧力を加える例を示す。この場合も、非発光部における加圧された部分では、接着層１７の厚さが他の部分よりも薄くなる（図６（Ｄ））。部材２１ａ、２１ｂが有する凸部は、発光装置を介して重なる部分を有することが好ましい。部材２１ａ、２１ｂが有する凸部どうしが、発光装置を介して一部分でも重なると、非発光部に、発光部よりも極めて厚さが薄い部分を形成することができる。

＜作製方法３＞
図７に発光装置の作製方法３のフローチャートを示す。

［Ｓ３−１：第１の作製基板上に第１の剥離層を形成する］
作製基板３１上に、剥離層３２を形成する。

［Ｓ３−２：第１の剥離層上に第１の被剥離層を形成する］
次に、剥離層３２上に、被剥離層を形成する。図８（Ａ）では、被剥離層として、剥離層３２上の絶縁層１３と、絶縁層１３上の発光素子１５とを形成する例を示す。

［Ｓ３−３：第２の作製基板上に第２の剥離層を形成する］
作製基板５１上に、剥離層５２を形成する。作製基板５１には、作製基板３１に用いることができる各種材料を適用することができる。剥離層５２には、剥離層３２に用いることができる各種材料を適用することができる。

［Ｓ３−４：第２の剥離層上に第２の被剥離層を形成する］
次に、剥離層５２上に、被剥離層を形成する。図８（Ｂ）では、被剥離層として、剥離層５２上の絶縁層５３と、絶縁層５３上の着色層５５とを形成する例を示す。

剥離層５２上の被剥離層は、着色層５５のみに限られず、遮光層又はタッチセンサ等を被剥離層として形成してもよい。

工程Ｓ３−１と工程Ｓ３−３の順序に特に限定は無い。どちらを先に行ってもよいし、２つの工程を同時に行ってもよい。工程Ｓ３−２と工程Ｓ３−４の順序についても同様である。

［Ｓ３−５：接着層を形成する］
次に、接着層１７を作製基板３１上又は作製基板５１上に形成する。

次の工程Ｓ３−６で作製基板３１と作製基板５１とを重ねた際に、接着層１７が剥離層３２、剥離層５２、絶縁層１３、及び絶縁層５３と重なるように、接着層１７を形成することが好ましい。これにより、作製基板３１及び作製基板５１のそれぞれを剥離する歩留まりを高めることができる。

本実施の形態では、接着層１７、隔壁１８ａ、及び仮封止層１８ｂを形成する例を示す（次の工程を示す図８（Ｃ）の断面図参照）。

［Ｓ３−６：一対の作製基板を重ねる］
次に、作製基板３１と作製基板５１とを重ね、発光素子１５を、接着層１７、作製基板３１、及び作製基板５１に囲まれた空間に配置する（図８（Ｃ））。

図８（Ｃ）では、剥離層３２と剥離層５２の大きさが同じ場合を示すが、２つの剥離層の大きさは異なっていてもよい。

接着層１７の端部は、剥離層３２又は剥離層５２の少なくとも一方の端部よりも内側に位置することが好ましい。具体的には先に剥離したい作製基板側の剥離層の端部よりも内側に位置することが好ましい。これにより、作製基板３１と作製基板５１が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。図８（Ｃ）では、接着層１７の端部が、剥離層３２及び剥離層５２の双方の端部よりも内側に位置する例を示す。

［Ｓ３−７：接着層を硬化する］
次に、接着層１７を硬化する。さらに、隔壁１８ａ及び仮封止層１８ｂのうち少なくとも一方を硬化してもよい。

接着層１７を加熱しながら非発光部に圧力を加えるタイミングは、工程Ｓ３−７よりも後であれば、いつでもよい。なお、タイミングによって、剥離工程の歩留まりの高さ、及び、接着層１７の変形しやすさ、等が変わる場合がある。そのため、工程Ｓ３−７の後は、工程Ｓ３−８に進むことが好ましい。

［Ｓ３−８：第１の作製基板を剥離する］
次に、作製基板３１と絶縁層１３とを分離する。剥離方法の詳細は、工程Ｓ２−７Ａを参照することができる。本工程により、絶縁層１３が露出する。

以降の工程には、作製方法３−Ａ、３−Ｂ、３−Ｃ、３−Ｄの４通りの進め方がある。

まず、図７に、作製方法３−Ａ、３−Ｂのフローチャートを示す。作製方法３−Ａ、３−Ｂは、作製基板５１の剥離前に、発光装置を変形させる例である。作製方法３−Ａは、基板１１を貼った後に、発光装置を変形させる例である。作製方法３−Ｂは、基板１１を貼る前に、発光装置を変形させる例である。

［Ｓ３−９Ａ：第１の基板を貼る］
作製方法３−Ａでは、次に、接着層１２を用いて、絶縁層１３に基板１１を貼り合わせる。ここで、接着層１２を囲う隔壁１８ｃと、隔壁１８ｃの外側に位置する枠状の仮封止層１８ｄと、を形成してもよい（次の工程を示す図８（Ｄ）の断面図参照）。

［Ｓ３−１０Ａ：接着層を加熱しながら非発光部に圧力を加える］
次に、接着層１７を加熱しながら、凸部を有する部材２１ｂを用いて非発光部２６の少なくとも一部に圧力を加える（図８（Ｄ））。

図８（Ｄ）では、絶縁層１３上に発光素子１５が設けられている部分を発光部２５として示し、それ以外の部分を非発光部２６として示す。

加圧された部分では、接着層１７の厚さが他の部分よりも薄くなる（図８（Ｄ））。または、非発光部２６に、発光部２５と比べて、基板１１と作製基板５１との間隔が狭い部分が設けられる、ということもできる。

［Ｓ３−１１Ａ：第２の作製基板を剥離する］
次に、作製基板５１と絶縁層５３とを分離する。剥離方法の詳細は、工程Ｓ２−７Ａを参照することができる。本工程により、絶縁層５３が露出する。

［Ｓ３−１２Ａ：第２の基板を貼る］
次に、接着層１６を用いて、絶縁層５３に基板１９を貼り合わせる。そして、発光装置の端部を切断するなどにより、図８（Ｅ）に示す発光装置を作製することができる。

［Ｓ３−９Ｂ：接着層を加熱しながら非発光部に圧力を加える］
作製方法３−Ｂでは、工程Ｓ３−８の次に、接着層１７を加熱しながら、凸部を有する部材２１ｂを用いて非発光部２６の少なくとも一部に圧力を加える（図９（Ａ））。

図９（Ａ）では、絶縁層１３上に発光素子１５が設けられている部分を発光部２５として示し、それ以外の部分を非発光部２６として示す。

図９（Ａ）では、接着層１７と凸部を有する部材２１ｂの間に絶縁層１３のみが位置する例を示す。基板１１等を介して接着層１７に圧力を加える工程Ｓ３−１０Ａ等に比べて、より直接的に接着層１７に圧力を加えることができる。そのため、本工程では、より確実に接着層１７の厚さを他の部分よりも薄くすることができる。

［Ｓ３−１０Ｂ：第１の基板を貼る］
次に、接着層１２を用いて、絶縁層１３に基板１１を貼り合わせる（図９（Ｂ））。図９（Ｂ）に示すように、接着層１２を囲う隔壁１８ｃと、隔壁１８ｃの外側に位置する枠状の仮封止層１８ｄと、を形成してもよい。

［Ｓ３−１２Ａ：第２の基板を貼る］
次に、接着層１６を用いて、絶縁層５３に基板１９を貼り合わせる。そして、発光装置の端部を切断するなどにより、図９（Ｃ）に示す発光装置を作製することができる。

なお、接着層１７の厚さの最小値を小さくするために、発光装置に、図９（Ｄ）、（Ｅ）に示すスペーサ５９を設けてもよい。スペーサ５９は、非発光部に設けられる。スペーサ５９は、絶縁層５３上に設けてもよい（図９（Ｄ）参照）し、絶縁層１３上に設けてもよい（図９（Ｅ）参照）し、絶縁層５３上及び絶縁層１３上の双方に設けてもよい。凸部を有する部材を用いて圧力を加える部分は、スペーサ５９と重なることが好ましい。これにより、接着層１７の厚さの最小値を極めて小さくすることができる。

スペーサ５９は、少なくとも表面が無機材料からなることが好ましい。例えば、スペーサ５９全体を無機材料で形成することができる。図９（Ｅ）に示すように、スペーサ５９は、厚い有機膜と、有機膜の上面及び側面を覆う無機膜と、の積層構造であると好ましい。スペーサ５９の一部に有機材料を用いることで、全てを無機材料で形成する場合に比べて、スペーサ５９の高さを高くする（厚さを厚くする）ことが容易となる。また、スペーサ５９の作製に要する時間を短縮することができる。スペーサ５９は、絶縁性を有することが好ましい。

次に、図１０（Ａ）に、作製方法３−Ｃ、３−Ｄのフローチャートを示す。作製方法３−Ｃ、３−Ｄは、作製基板３１及び作製基板５１の双方を剥離した後に、発光装置を変形させる例である。作製方法３−Ｃは、基板１９を貼った後に、発光装置を変形させる例である。作製方法３−Ｄは、基板１９を貼る前に、発光装置を変形させる例である。

［Ｓ３−１０Ｃ：第２の作製基板を剥離する］
作製方法３−Ｃ、３−Ｄのいずれにおいても、工程Ｓ３−９Ａにて基板１１を貼った後、作製基板５１と絶縁層５３とを分離する。剥離方法の詳細は、工程Ｓ２−７Ａを参照することができる。本工程により、絶縁層５３が露出する。

発光装置を変形させる前に、作製基板３１の剥離だけでなく、作製基板５１の剥離も行うため、いずれの剥離工程においても、発光装置の変形に起因する、歩留まりの低下を抑制することができる。

なお、図１０（Ｂ）には、工程Ｓ３−９Ａで、隔壁１８ａ及び仮封止層１８ｂを用いず、接着層１２のみを用いて基板１１を貼る例を示す。発光装置の端部には、剥離層５２を介さずに基板１１と作製基板５１が接着層１２によって貼り合わされている部分が生じている。このような場合、基板１１に刃物等で切り込みを入れて、枠状の剥離の起点を形成することが好ましい。基板１１から絶縁層５３にまで切り込みを入れることで、剥離の起点を形成することができる。例えば、図１０（Ｂ）に示す矢印の部分から切り込みを入れることが好ましい。

［Ｓ３−１１Ｃ：第２の基板を貼る］
作製方法３−Ｃでは、次に、接着層１６を用いて、絶縁層５３に基板１９を貼り合わせる。

［Ｓ３−１２Ｃ：接着層を加熱しながら非発光部に圧力を加える］
次に、接着層１７を加熱しながら、凸部を有する部材２１ａを用いて非発光部２６の少なくとも一部に圧力を加える（図１１（Ａ））。

図１１（Ａ）では、絶縁層１３上に発光素子１５が設けられている部分を発光部２５として示し、それ以外の部分を非発光部２６として示す。

加圧された部分では、接着層１７の厚さが他の部分よりも薄くなる（図１１（Ｂ））。または、非発光部２６に、発光部２５と比べて、基板１１と基板１９との間隔が狭い部分が設けられる、ということもできる。

［Ｓ３−１１Ｄ：接着層を加熱しながら非発光部に圧力を加える］
作製方法３−Ｄでは、工程Ｓ３−１０Ｃの次に、接着層１７を加熱しながら、凸部を有する部材２１ａを用いて非発光部２６の少なくとも一部に圧力を加える（図１１（Ｃ））。

図１１（Ｃ）では、絶縁層１３上に発光素子１５が設けられている部分を発光部２５として示し、それ以外の部分を非発光部２６として示す。

図１１（Ｃ）では、接着層１７と凸部を有する部材２１ａの間に絶縁層５３のみが位置する例を示す。基板１９等を介して接着層１７に圧力を加える工程Ｓ３−１２Ｃ等に比べて、より直接的に接着層１７に圧力を加えることができる。そのため、本工程では、より確実に接着層１７の厚さを他の部分よりも薄くすることができる。

［Ｓ３−１２Ｄ：第２の基板を貼る］
次に、接着層１６を用いて、絶縁層５３に基板１９を貼り合わせる（図１１（Ｄ））。

＜発光装置の上面図の例＞
本発明の一態様の発光装置は、非発光部の少なくとも一部に、厚さが薄い領域が形成されている。図１２（Ａ）〜（Ｈ）には、一対の基板（可撓性基板２５１及び可撓性基板２５９）を有する発光装置を示す。発光装置には、ＦＰＣ８０８が接続されている。ＦＰＣ８０８は、可撓性基板２５１上の外部接続電極（図示しない）と電気的に接続されている。

図１２（Ａ）では、発光装置の四辺に沿って枠状に、厚さが薄い領域２５８が形成されている例を示す。発光部８０４及び駆動回路部８０６の外側に、厚さが薄い領域２５８が設けられている。

図１２（Ｂ）では、発光装置の三辺に沿って、厚さが薄い領域２５８が形成されている例を示す。図１２（Ｂ）では、非発光部のうち、駆動回路部８０６及び外部接続電極が設けられた部分（図１２（Ｂ）における発光装置の右辺側）には、厚さが薄い領域２５８を有していない。発光部８０４の駆動回路部８０６と隣接する辺側では、発光装置の端部から発光部８０４までの最短距離が、他の辺に比べて長く、不純物が発光素子等に到達しにくい。このような場合には、非発光部であっても、発光部よりも厚さが薄い部分を設けなくてもよい。これにより、駆動回路部８０６を構成する素子が曲げにより劣化することを抑制することができる。また、外部接続電極とＦＰＣ８０８を確実に導通させることができる。また、凹部を形成する際に加圧されることで、駆動回路部８０６を構成する素子がダメージを受けることを抑制することができる。

なお、素子の信頼性への影響が問題ない場合は、駆動回路部８０６と重なる位置に凹部を形成してもよい。例えば、可撓性基板２５９は、走査線駆動回路又は信号線駆動回路と重なる部分に、凹部を有していてもよい。また、可撓性基板２５９は、発光素子の電極（陽極又は陰極）と、配線とのコンタクト部と重なる部分に、凹部を有していてもよい。また、発光部においても、ダミー画素上又はカラーフィルタの端部など、表示品質に影響のない部分に、厚さの薄い領域が設けられていてもよい。

図１２（Ｃ）では、発光装置の二辺に沿って、厚さが薄い領域２５８が形成されている例を示す。

図１２（Ｄ）では、発光装置の一辺に沿って、厚さが薄い領域２５８が形成されている例を示す。

図１２（Ｅ）では、発光装置の四辺に沿って枠状に、厚さが薄い領域２５８が形成されている例を示す。図１２（Ｅ）に示す例は、発光部８０４と駆動回路部８０６の間に、厚さが薄い領域２５８が設けられている点で、図１２（Ａ）と異なる。

図１２（Ｆ）では、発光装置の四辺に沿って枠状に、厚さが薄い領域２５８が形成されている例を示す。図１２（Ｆ）に示す例は、厚さが薄い領域２５８が、間隔を空けて複数設けられている点で、図１２（Ａ）と異なる。

図１２（Ｇ）、（Ｈ）は、それぞれ、発光部８０４が円形の上面形状を有する発光装置の例である。発光部８０４は、多角形に限られず、円形、又は楕円形など、様々な上面形状をとることができる。

また、発光装置も、多角形に限られず、円形、又は楕円形など、様々な上面形状をとることができる。図１２（Ｇ）、（Ｈ）の発光装置の上面形状は、曲線の部分と直線の部分の双方を有する。

また、厚さが薄い領域２５８も、多角形状、円状、又は楕円状など、様々な上面形状をとることができる。図１２（Ｇ）では、厚さが薄い領域２５８が、曲線状に設けられている部分と、直線状に設けられている部分と、の双方を有する。図１２（Ｈ）では、厚さが薄い領域２５８が円状に設けられている。

＜熱プレス機を用いた加圧方法の例＞
工程Ｓ１−５等で行う発光装置の加圧方法について説明する。

図１３（Ａ）、（Ｂ）では、上板２０００ａ及び下板２０００ｂを有する熱プレス機を示す。熱プレス機は、熱源を有し、上板２０００ａ及び下板２０００ｂのうち一方又は双方を温めることができる。

まず、熱プレス機が有する上板２０００ａと下板２０００ｂとの間に、発光装置１０、治具、緩衝材等を配置する。

図１３（Ａ）の構成を説明する。下板２０００ｂ上には、緩衝材２００５ｂを介して、基板２１００が配置されている。基板２１００はプレス治具の一例である。基板２１００上には、発光装置１０（図１（Ｄ）参照）が配置されている。発光装置１０上には、凸部を有する部材２１ａが配置されている。凸部は、基板１９と接する。凸部は、発光装置１０の非発光部と重なる。凸部を有する部材２１ａはプレス治具の一例である。凸部を有する部材２１ａと上板２０００ａの間には、緩衝材２００５ａが配置されている。

図１３（Ｂ）に示すように、凸部を有する部材２１ａと発光装置１０の間に、緩衝材２００５ｃを配置してもよい。または、図１３（Ｂ）に示すように、基板２１００と発光装置１０の間に、緩衝材２００５ｄを配置してもよい。緩衝材を配置することで、発光装置１０に局所的に圧力がかかり、発光装置１０が破損することを抑制できる。また、緩衝材を配置しないことで、発光装置１０を局所的に押して、接着層１７に厚さが極めて薄い部分を形成することができる。各緩衝材の使用の要否は、発光装置１０の構成及びプレス条件（荷重又は時間等）等に応じて決定すればよい。

熱プレス機は、アライメント機構を有していることが好ましい。これにより、発光装置１０の所望の位置に凹部を設けることができる。また、熱プレス機は、吸着機構など、発光装置１０の固定機構を有していることが好ましい。これにより、凸部に対する発光装置１０の相対的な位置を固定することができる。

部材２１ａと、凸部には、加えられる圧力に耐えうる材料を用いることができる。凸部を有する部材２１ａには、凸部を有する金型を用いてもよい。金型には、基板に用いることができる材料を適用することができる。例えば、金型には、樹脂、ガラス、金属、又は合金等を用いることができる。また、基板上に、樹脂等の有機材料、又は、金属等の無機材料を用いて凸部を形成することができる。凸部の形成方法に限定はなく、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、塗布法、印刷法、液滴吐出法、ディスペンス法等を用いてもよい。凸部は、基板上に、接着剤を配置し硬化させることで形成することもできる。

凸部を有する部材２１の上面形状の例を図１４（Ａ）〜（Ｆ）にそれぞれ示す。

図１４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、凸部２２を枠状に形成してもよい。凸部２２は、部材２１の端部には位置していなくてもよい（図１４（Ａ））。または、凸部２２は、部材２１の端部にまで位置していてもよい（図１４（Ｂ））。凸部２２は、凸部を有する部材２１の四辺のうち、三辺に沿って設けられていてもよい（図１４（Ｃ））。または、凸部２２は、部材２１の二辺もしくは一辺に沿って設けられていてもよい。なお、凸部２２は、部材２１のいずれかの辺に平行に設けられる構成に限られない。凸部２２の数は、単数又は複数とすることができる。図１４（Ｄ）では、４辺それぞれにおいて、凸部２２が辺に沿って設けられている例を示す。図１４（Ｅ）では、４辺それぞれにおいて、複数の凸部２２が間隔を空けて辺に沿って設けられている例を示す。図１４（Ｆ）では、枠状の凸部２２ａとその内側に位置する枠状の凸部２２ｂとの２つの凸部を有する部材２１を示す。

次に、図１３（Ａ）又は図１３（Ｂ）に示す状態で、発光装置１０に軽く圧力を加え、発光装置１０を固定する。

そして、熱源を用いて発光装置１０を加熱する。例えば、熱源の温度を８０℃以上１００℃以下とする。

次に、発光装置１０を加圧する。発光装置１０は、熱源によって加熱されながら、凸部を有する部材２１ａによって加圧される。

加圧する際の荷重には特に限定は無い。荷重は、例えば、０．５ｔ以上、０．８ｔ以上、又は１．０ｔ以上、かつ、１．５ｔ以下、２．０ｔ以下、又は３．０ｔ以下とすればよい。加熱温度には特に限定は無い。接着層１７及び発光素子１５に用いる材料のガラス転移温度等に応じて決定すればよい。例えば、８０℃以上、９０℃以上、又は１００℃以上、かつ、１２０℃以下、１５０℃以下、又は２００℃以下とすればよい。発光装置１０を加熱しながら加圧する時間には特に限定は無い。

発光装置１０の基板１９に形成される凹部の幅Ｗ２は、凸部の幅Ｗ１に比べて広くなる（図１４（Ｇ））。例えば、幅Ｗ２は、幅Ｗ１の１倍より大きく、１．５倍以下、２倍以下、又は３倍以下となる。幅Ｗ２は、幅Ｗ１の３倍を超えてもよい。また、発光装置１０の基板１９に形成される凹部の深さは、凸部の高さｄ以下となる。また、幅Ｗ２は、例えば、凹部の深さの１倍以上、５倍以上、又は１０倍以上、かつ、２０倍以下、５０倍以下、１００倍以下であればよい。

例えば、凹部の深さは、０．０１ｍｍ以上、０．０５ｍｍ以上、又は０．１ｍｍ以上、かつ、２ｍｍ以下、１ｍｍ以下、又は０．５ｍｍ以下とすることができる。また、幅Ｗ２は、０．１ｍｍ以上、１ｍｍ以上、又は１ｃｍ以上、かつ、１０ｃｍ以下、５ｃｍ以下、又は３ｃｍ以下とすることができる。また、幅Ｗ２は、非発光部の幅の０倍より大きく１倍以下であることが好ましく、０．２倍以上０．８倍以下、又は０．４倍以上０．６倍以下であってもよい。なお、幅Ｗ２は凹部の幅に限られず、発光部に比べて厚さが薄い領域の幅としてもよい。

加熱及び加圧を一定時間行った後、加圧を続けながら冷却を行い、接着層１７を硬化させる。そのため、熱プレス機は、加熱機構及び冷却機構の双方を備えることが好ましい。加圧しながら冷却することで、発光装置１０の非発光部が厚さの薄い部分を有する状態を保持できる。

以上のように、熱プレス機を用いることで、発光装置１０の非発光部に厚さの薄い部分を形成することができる。

また、基板１１を用いて複数の発光装置を作製する場合、凸部を有する部材の大きさ及び凸部の形状等を、発光装置の取り数又はマスクの形状等に応じて決定することが好ましい。

図１５（Ａ）に示す部材２１は、枠状の凸部２２を２つ有する。２つの枠状の凸部２２は、互いに間隔を空けて配置されている。

図１５（Ｂ）では、基板１１を用いて２つの発光装置１０を作製する例を示す。図１５（Ａ）に示す凸部を有する部材２１を用いることで、基板１１上に発光素子１５を形成して作製する２つの発光装置１０を一度に加圧することができる。

以上のように、本発明の一態様の発光装置の作製方法では、発光素子を封止する接着層を一度硬化させた後に、加熱しながら加圧することで変形させる。これにより、接着層を局所的に変形させることができ、発光装置の信頼性を高め、かつ、発光装置の視野角特性が低下すること及び表示品位が低下することを抑制できる。

また、本発明の一態様の作製方法では、発光素子等を形成するための作製基板を剥離した後に、接着層の加圧を行う。これにより、発光装置の変形に起因する、剥離工程の歩留まりの低下を抑制することができる。また、本発明の一態様の作製方法では、作製基板を剥離した後、別の基板を貼る前に、接着層の加圧を行う。これにより、基板を介して接着層を加圧する場合に比べて、より直接的に接着層１７に圧力を加えることができる。そのため、より確実に接着層１７の厚さを他の部分よりも薄くすることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図面を用いて説明する。

本実施の形態では、主にＥＬ素子を用いた発光装置を例示するが、本発明の一態様はこれに限られない。本実施の形態で示す各発光装置は、発光部よりも厚さが薄い領域を非発光部に有するため、信頼性が高い。

本実施の形態において、発光装置は、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成、又はＲ、Ｇ、Ｂ、Ｙ（黄）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷＹ以外の色を用いてもよく、例えば、シアン又はマゼンタ等を用いてもよい。

図１６（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１６（Ａ）における一点鎖線Ｄ１−Ｄ２間の断面図の一例を図１６（Ｂ）に示す。図１６（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置は、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。

図１６（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４、駆動回路部８０６を有する。発光装置において発光部８０４以外の領域は全て非発光部といえる。発光装置には、ＦＰＣ８０８が接続されている。発光装置には、三辺にわたって凹部７１２が設けられている。凹部７１２は、発光装置の他の部分に比べて、厚さが薄い部分である。

図１６（Ｂ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第１の機能層（複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、及び絶縁層８２１）、第３の接着層８２２、第２の機能層（着色層８４５及び遮光層８４７）、第２の絶縁層７１５、第２の接着層７１３、並びに第２の可撓性基板７１１を有する。第３の接着層８２２、第２の絶縁層７１５、第２の接着層７１３、及び第２の可撓性基板７１１は可視光を透過する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子及びトランジスタは第１の可撓性基板７０１、第２の可撓性基板７１１、及び第３の接着層８２２によって封止されている。

第１の絶縁層７０５と第１の可撓性基板７０１は第１の接着層７０３によって貼り合わされている。また、第２の絶縁層７１５と第２の可撓性基板７１１は第２の接着層７１３によって貼り合わされている。第１の絶縁層７０５及び第２の絶縁層７１５に防湿性の高い膜を用いることが好ましい。一対の防湿性の高い絶縁層の間に発光素子８３０及びトランジスタ等を配置することで、これらの素子に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。

発光部８０４は、第１の接着層７０３及び第１の絶縁層７０５を介して、第１の可撓性基板７０１上にトランジスタ８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重なる遮光層８４７と、を有する。発光素子８３０と着色層８４５の間は第３の接着層８２２で充填されている。

絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を選択することが好適である。

図１６（Ｂ）に示す発光装置は、実施の形態１の作製方法３を用いて作製できる。一方の被剥離層としては、第１の絶縁層７０５及び第１の機能層を形成する。他方の被剥離層としては、第２の絶縁層７１５と第２の機能層を形成する。

図１６（Ｂ）の構成のように、絶縁層８１７が発光装置全面にわたって設けられていると、剥離工程の歩留まりを高めることができるため、好ましい。

また、絶縁層８１７として有機材料を用いる場合、絶縁層８１７を通って発光素子８３０等に絶縁層８１７の外部から水分等の不純物が侵入する恐れがある。不純物の侵入により、発光素子８３０が劣化すると、発光装置の劣化につながる。そのため、図１７（Ａ）に示すように、絶縁層８１７に無機膜（ここでは絶縁層８１５）に達する開口を設け、発光装置の外部から水分等の不純物が侵入しても、発光素子８３０に到達しにくい構造とすることが好ましい。

駆動回路部８０６は、第１の接着層７０３及び第１の絶縁層７０５を介して、第１の可撓性基板７０１上にトランジスタを複数有する。図１６（Ｂ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。

図１６（Ｂ）では、ボトムゲート型のトランジスタを例示するが、本発明の一態様の発光装置が有するトランジスタの構造に限定はない。

例えば、本発明の一態様の発光装置には、図１７（Ｂ）〜（Ｄ）に示すトランジスタ８４８を適用することもできる。

図１７（Ｂ）に、トランジスタ８４８の上面図を示す。図１７（Ｃ）は、本発明の一態様の発光装置の、トランジスタ８４８のチャネル長方向の断面図である。図１７（Ｃ）に示すトランジスタ８４８は、図１７（Ｂ）における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面に相当する。図１７（Ｄ）は、本発明の一態様の発光装置の、トランジスタ８４８のチャネル幅方向の断面図である。図１７（Ｄ）に示すトランジスタ８４８は、図１７（Ｂ）における一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面に相当する。

トランジスタ８４８はバックゲートを有するトップゲート型のトランジスタの一種である。

トランジスタ８４８では、絶縁層７７２に設けた凸部上に半導体層７４２が形成されている。絶縁層７７２に設けた凸部上に半導体層７４２を設けることによって、半導体層７４２の側面もゲート７４３で覆うことができる。すなわち、トランジスタ８４８は、ゲート７４３の電界によって、半導体層７４２を電気的に取り囲むことができる構造を有している。このように、導電層の電界によって、チャネルが形成される半導体層を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。また、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタを、「ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ型トランジスタ」もしくは「ｓ−ｃｈａｎｎｅｌトランジスタ」ともいう。

ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、半導体層７４２の全体（バルク）にチャネルを形成することもできる。ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのドレイン電流を大きくすることができ、さらに大きいオン電流を得ることができる。また、ゲート７４３の電界によって、半導体層７４２に形成されるチャネル形成領域の全領域を空乏化することができる。したがって、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのオフ電流をさらに小さくすることができる。

バックゲート７２３は絶縁層３７８上に設けられている。

絶縁層７２９上に設けられた導電層７４４ａは、ゲート絶縁層３１２、絶縁層７２８、及び絶縁層７２９に設けられた開口７４７ｃにおいて、半導体層７４２と電気的に接続されている。また、絶縁層７２９上に設けられた導電層７４４ｂは、ゲート絶縁層３１２、絶縁層７２８、及び絶縁層７２９に設けられた開口７４７ｄにおいて、半導体層７４２と電気的に接続されている。

ゲート絶縁層３１２上に設けられたゲート７４３は、ゲート絶縁層３１２及び絶縁層７７２に設けられた開口７４７ａ及び開口７４７ｂにおいて、バックゲート７２３と電気的に接続されている。よって、ゲート７４３とバックゲート７２３には、同じ電位が供給される。また、開口７４７ａ及び開口７４７ｂは、どちらか一方を設けなくてもよい。また、開口７４７ａ及び開口７４７ｂの両方を設けなくてもよい。開口７４７ａ及び開口７４７ｂの両方を設けない場合は、バックゲート７２３とゲート７４３に異なる電位を供給することができる。

なお、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタに用いる半導体としては、酸化物半導体、又は、多結晶シリコン、もしくは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン等のシリコンなどが挙げられる。

第１の絶縁層７０５と第１の可撓性基板７０１は第１の接着層７０３によって貼り合わされている。また、第２の絶縁層７１５と第２の可撓性基板７１１は第２の接着層７１３によって貼り合わされている。第１の絶縁層７０５及び第２の絶縁層７１５の一方又は双方に防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０等に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、外部接続電極の一例である。導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号及び電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐため、導電層８５７は、発光部又は駆動回路部に用いる電極及び配線のいずれかと同一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図１６（Ｂ）に示す発光装置では、ＦＰＣ８０８が第２の可撓性基板７１１上に位置する。接続体８２５は、第２の可撓性基板７１１、第２の接着層７１３、第２の絶縁層７１５、第３の接着層８２２、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。導電層８５７と第２の可撓性基板７１１とが重なる場合には、第２の可撓性基板７１１を開口する（又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦＰＣ８０８を電気的に接続させることができる。

実施の形態１に示す作製方法３−Ｃを適用する場合は、第２の可撓性基板７１１等に開口を設け、導電層８５７を露出させてから、工程Ｓ３−１２Ｃ（非発光部に圧力を加える工程）を行うことが好ましい。発光装置の変形に起因して、導電層８５７を露出させる工程の歩留まりが低下することを抑制できる。

図１６（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置の変形例を、図１８（Ａ）、（Ｂ）、及び図１９（Ａ）に示す。図１８（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１８（Ａ）における一点鎖線Ｄ３−Ｄ４間の断面図の一例を図１８（Ｂ）に示す。図１８（Ａ）における一点鎖線Ｄ５−Ｄ６間の断面図の一例を図１９（Ａ）に示す。

図１８（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板７０１と第２の可撓性基板７１１の大きさが異なる場合の例である。ＦＰＣ８０８が第２の絶縁層７１５上に位置し、第２の可撓性基板７１１と重ならない。接続体８２５は、第２の絶縁層７１５、第３の接着層８２２、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。第２の可撓性基板７１１に開口を設ける必要がないため、第２の可撓性基板７１１の材料が制限されない。

実施の形態１に示す作製方法３−Ｃ又は３−Ｄを適用する場合は、第２の絶縁層７１５等に開口を設け、導電層８５７を露出させてから、非発光部に圧力を加える工程を行うことが好ましい。発光装置の変形に起因して、導電層８５７を露出させる工程の歩留まりが低下することを抑制できる。

図１６（Ｂ）、図１７（Ｂ）、図１８（Ｂ）、及び図１９（Ａ）に示す発光装置の非発光部には凹部７１２が設けられている。凹部７１２では、第２の可撓性基板７１１、第２の接着層７１３、及び第２の絶縁層７１５に、凹部が設けられている。さらに、図１８（Ｂ）及び図１９（Ａ）に示す発光装置の凹部７１２では、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、及び第１の絶縁層７０５にも、凹部が設けられている。このように、発光部よりも厚さが薄い部分を非発光部に形成することで、発光装置の側面から不純物が侵入することを抑制できる。

なお、ガスバリア性又は防湿性が低い有機樹脂を用いて形成する絶縁層は、発光装置の端部に露出させないことが好ましい。このような構成とすることで、発光装置の側面から不純物が侵入することを抑制できる。例えば、図１８（Ｂ）、図１９（Ａ）に示すように、発光装置の端部に、絶縁層８１７を設けない構成としてもよい。

また、発光素子８３０の変形例を図１９（Ｂ）に示す。

なお、図１９（Ｂ）に示すように、発光素子８３０は、下部電極８３１とＥＬ層８３３の間に、光学調整層８３２を有していてもよい。光学調整層８３２には、透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。カラーフィルタ（着色層）とマイクロキャビティ構造（光学調整層）との組み合わせにより、本発明の一態様の発光装置からは、色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整層の厚さは、各副画素の発光色に応じて変化させる。

図１６（Ｂ）に示す発光装置の変形例を、図２０（Ａ）、（Ｂ）、及び、図２１（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示す。

図２０（Ａ）、（Ｂ）、及び、図２１（Ａ）、（Ｂ）に示す各発光装置は、非発光部にスペーサ８１０を有する点で、図１６（Ｂ）に示す発光装置と異なる。

スペーサ８１０は、凹部７１２に位置することが好ましい。これにより、接着層８２２の厚さの最小値をさらに小さくすることができる。

スペーサ８１０の表面は、無機膜であることが好ましい。これにより、水分等の不純物がスペーサ８１０を透過しにくくなり、該不純物が発光素子８３０に到達しにくくなる。したがって、発光装置の劣化を抑制できる。

図２０（Ａ）に示す発光装置が有するスペーサ８１０は、絶縁層８１７上の絶縁層８１１と、絶縁層８１１上の無機絶縁層８１３とが積層された構造である。絶縁層８１１は、絶縁層８２１と同一の材料、同一の工程で作製することができる。無機絶縁層８１３は、絶縁層８１１の上面及び側面を覆っている。

図２０（Ｂ）に示す発光装置が有するスペーサ８１０は、第２の絶縁層７１５と接着層８２２との間の絶縁層８１１、及び、絶縁層８１１と接着層８２２との間の無機絶縁層８１３、が積層された構造である。無機絶縁層８１３は、絶縁層８１１の上面及び側面を覆っている。

スペーサ８１０は、第１の可撓性基板７０１側に設けられていてもよいし、第２の可撓性基板７１１側に設けられていてもよいし、第１の可撓性基板７０１側と第２の可撓性基板７１１側の双方に設けられていてもよい。

図２１（Ａ）に示す発光装置が有するスペーサ８１０は、絶縁層８１７上の絶縁層８１１と、絶縁層８１１上の絶縁層８１２と、絶縁層８１２上の無機絶縁層８１３とが積層された構造である。絶縁層８１１は、絶縁層８２１と同一の材料、同一の工程で作製することができる。無機絶縁層８１３は、絶縁層８１２の上面及び側面、並びに絶縁層８１１の上面及び側面を覆っている。

図２１（Ｂ）に示す発光装置が有するスペーサ８１０は、絶縁層８１７上に単層で設けられている。スペーサ８１０は、無機絶縁材料を用いて形成される。

また、発光部８０４と凹部７１２の変形例を図２２（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示す。

図２２（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置は、絶縁層８１７ａ及び絶縁層８１７ｂを有し、絶縁層８１７ａ上に導電層８５６を有する。トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と、発光素子８３０の下部電極と、が、導電層８５６を介して、電気的に接続される。

図２２（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置は、発光部８０４において、絶縁層８２１上にスペーサ８２３を有する。スペーサ８２３を設けることで、第１の可撓性基板７０１と第２の可撓性基板７１１の間隔を調整することができる。

図２２（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置は、着色層８４５及び遮光層８４７を覆うオーバーコート８４９を有する。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は接着層８２２で充填されている。

発光装置は、凹部７１２にスペーサ８１０を有することが好ましい。これにより、接着層８２２の厚さの最小値をさらに小さくすることができる。

図２２（Ａ）に示す発光装置が有するスペーサ８１０は、絶縁層８１７ｂ上の絶縁層８１１と、絶縁層８１１上の絶縁層８１２と、絶縁層８１２上の無機絶縁層８１３とが積層された構造である。絶縁層８１１は、絶縁層８２１と同一の材料、同一の工程で作製することができる。絶縁層８１２は、発光部８０４に位置するスペーサ８２３と同一の材料、同一の工程で作製することができる。無機絶縁層８１３は、絶縁層８１２の上面及び側面、並びに絶縁層８１１の上面及び側面を覆っている。

図２２（Ｂ）に示す発光装置は、無機絶縁層８１３が、絶縁層８１７ａの端部及び絶縁層８１７ｂの端部を覆っている点で、図２２（Ａ）に示す発光装置と異なる。絶縁層８１７ａ及び絶縁層８１７ｂに有機絶縁層を用いる場合には、これらの端部を無機絶縁層８１３で覆うことが好ましい。これにより、絶縁層８１７ａ又は絶縁層８１７ｂに水分等の不純物が侵入し、さらには、発光素子８３０にまで到達することを抑制できる。

本発明の一態様の発光装置は、図２３（Ａ）に示すように、カラーフィルタ方式を用いたボトムエミッション型とすることができる。

図２３（Ａ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第１の機能層（複数のトランジスタ、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１７ｂ、導電層８５６、複数の発光素子、及び絶縁層８２１）、第２の接着層７１３、及び第２の可撓性基板７１１を有する。第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、及び絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。

発光部８０４は、第１の接着層７０３及び第１の絶縁層７０５を介して第１の可撓性基板７０１上にトランジスタ８２０、トランジスタ８２４、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７ｂ上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過する。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間、又は絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設けることができる。

第１の絶縁層７０５と第１の可撓性基板７０１は第１の接着層７０３によって貼り合わされている。第１の絶縁層７０５に防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０等に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。

図２３（Ａ）に示す発光装置は、実施の形態１の作製方法２を用いて作製できる。被剥離層としては、第１の絶縁層７０５及び第１の機能層を形成する。

本発明の一態様の発光装置は、図２３（Ｂ）に示すように、塗り分け方式を用いたトップエミッション型とすることができる。

図２３（Ｂ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第１の機能層（複数のトランジスタ、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１、及びスペーサ８２３）、第２の接着層７１３、及び第２の可撓性基板７１１を有する。第２の接着層７１３及び第２の可撓性基板７１１は可視光を透過する。

図２３（Ｂ）に示す発光装置は、実施の形態１の作製方法２を用いて作製できる。被剥離層としては、第１の絶縁層７０５及び第１の機能層を形成する。

また、図２３（Ｃ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第１の機能層（導電層８１４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、及び絶縁層８２１）、第２の接着層７１３、及び第２の可撓性基板７１１を有する。

図２３（Ｃ）に示す発光装置は、実施の形態１の作製方法２を用いて作製できる。被剥離層としては、第１の絶縁層７０５及び第１の機能層を形成する。

導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、発光装置の外部接続電極であり、ＦＰＣ等と電気的に接続させることができる。

発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッション型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１と電気的に接続する。

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レンズ又はフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する基板を形成することができる。

導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電気的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに設けてもよい。

導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の厚さは、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

＜材料の一例＞
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明した構成については説明を省略する場合がある。

発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、第１４族の元素、化合物半導体又は酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体、又はインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。

特に、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

例えば、上記酸化物半導体として、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｆ又はＮｄ等の金属）で表記される酸化物を含む。

トランジスタに用いる半導体材料として、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ＣＡｘｉｓＡｌｉｇｎｅｄＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いることが好ましい。ＣＡＡＣ−ＯＳは非晶質とは異なり、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高めることができる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶粒界が確認されないという特徴を有するため、大面積に安定で均一な膜を形成することが可能で、また可撓性を有する発光装置を湾曲させたときの応力によってＣＡＡＣ−ＯＳ膜にクラックが生じにくい。

ＣＡＡＣ−ＯＳは、膜面に対して、結晶のｃ軸が概略垂直配向した結晶性酸化物半導体のことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確認されている。ＣＡＡＣ−ＯＳは、単結晶よりも結晶性が低く、ｎｃに比べて結晶性が高い。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複数のペレット（ナノ結晶）が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳを、ＣＡＡｃｒｙｓｔａｌ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄａ−ｂ−ｐｌａｎｅ−ａｎｃｈｏｒｅｄｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体と称することもできる。

発光装置が有する絶縁層には、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いることができる。有機樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリシロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、及びフェノール樹脂等が挙げられる。無機絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等が挙げられる。

発光装置が有する各種の導電層には、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いることができる。なお、導電層には、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物元素を含有させる等により低抵抗化させた多結晶シリコン又は酸化物半導体等の半導体、又はニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。

本発明の一態様の発光装置は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。

下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発光する。

光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電層を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電層を用いることが好ましい。

可視光を透過する導電層は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電層は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料又は合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、又は、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電層と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成することができる。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。

ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、複数の発光層を有していてもよい。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

発光素子は、２種類以上の発光物質を含んでいてもよい。これにより、例えば、白色発光の発光素子を実現することができる。例えば２種類以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、又はＯ（橙）等の発光を示す発光物質、又は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質を用いることができる。例えば、青の発光を示す発光物質と、黄の発光を示す発光物質を用いてもよい。このとき、黄の発光を示す発光物質の発光スペクトルは、緑及び赤のスペクトル成分を含むことが好ましい。また、発光素子の発光スペクトルは、可視領域の波長（例えば３５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、又は４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下など）の範囲内に２以上のピークを有することが好ましい。

また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、電荷発生層を介して積層されたＥＬ層を複数有するタンデム素子であってもよい。

また、本発明の一態様では、量子ドットなどの無機化合物を用いた発光素子を適用してもよい。量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料、などが挙げられる。例えば、カドミウム（Ｃｄ）、セレン（Ｓｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、テルル（Ｔｅ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、アルミニウム（Ａｌ）等の元素を有していてもよい。

絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、及び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させることで、各絶縁層を形成してもよい。

絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、下部電極８３１上に開口部を形成し、絶縁層８２１の側壁が曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。

絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されず、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いることができる。

スペーサ８２３は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することができる。例えば、無機絶縁材料及び有機絶縁材料としては、それぞれ、上記絶縁層に用いることができる各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。導電材料を含むスペーサ８２３と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成とすることで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８２３は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。

なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、又は量子ドット方式等を適用してもよい。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料、又は、顔料もしくは染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成することができる。なお、遮光層は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

オーバーコートは、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、又は、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、接着層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として接着層の材料に対して濡れ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコートとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電層、又は透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好ましい。

オーバーコートの材料に、接着層の材料に対して濡れ性の高い材料を用いることで、接着層の材料を均一に塗布することができる。これにより、一対の基板を貼り合わせた際に気泡が混入することを抑制でき、表示不良を抑制できる。

接続体としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ）及び異方性導電ペースト（ＡＣＰ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ）などを用いることができる。

なお、本発明の一態様の発光装置は、表示装置として用いてもよいし、照明装置として用いてもよい。例えば、バックライト又はフロントライトなどの光源、つまり、表示パネルのための照明装置として活用してもよい。

以上、本実施の形態で示したように、本発明の一態様の発光装置は、非発光部に、発光部よりも厚さが薄い領域を有することで、発光装置の側面からの不純物の侵入を抑制することができる。したがって、信頼性の高い発光装置を実現することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置について図面を用いて説明する。なお、入出力装置が有する構成要素のうち、実施の形態２で説明した発光装置と同様の構成要素については、先の記載も参照することができる。本実施の形態では、発光素子を用いた入出力装置を例示するが、これに限られない。本実施の形態で説明する入出力装置は、タッチパネルともいえる。

本実施の形態で示す各入出力装置は、表示部よりも厚さが薄い領域を非表示部に有するため、信頼性が高い。なお、入出力装置において、表示部（発光部）以外の部分はすべて非表示部（非発光部）といえる。したがって、表示部３０１又は表示部５０１の外側に非表示部が枠状に設けられているといえる。例えば、駆動回路は非発光部の一部である。

＜構成例１＞
図２４（Ａ）は入出力装置の上面図である。図２４（Ｂ）は図２４（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間及び一点鎖線Ｃ−Ｄ間の断面図である。図２４（Ｃ）は図２４（Ａ）の一点鎖線Ｅ−Ｆ間の断面図である。

図２４（Ａ）に示す入出力装置３９０は、表示部３０１（入力部も兼ねる）、走査線駆動回路３０３ｇ（１）、撮像画素駆動回路３０３ｇ（２）、画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）、及び撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を有する。

表示部３０１は、複数の画素３０２と、複数の撮像画素３０８と、を有する。

画素３０２は、複数の副画素を有する。各副画素は、発光素子及び画素回路を有する。

画素回路は、発光素子を駆動する電力を供給することができる。画素回路は、選択信号を供給することができる配線と電気的に接続される。また、画素回路は、画像信号を供給することができる配線と電気的に接続される。

走査線駆動回路３０３ｇ（１）は、選択信号を画素３０２に供給することができる。

画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、画像信号を画素３０２に供給することができる。

撮像画素３０８を用いてタッチセンサを構成することができる。具体的には、撮像画素３０８は、表示部３０１に触れる指等を検知することができる。

撮像画素３０８は、光電変換素子及び撮像画素回路を有する。

撮像画素回路は、光電変換素子を駆動することができる。撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線と電気的に接続される。また、撮像画素回路は、電源電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

制御信号としては、例えば、記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。

撮像画素駆動回路３０３ｇ（２）は、制御信号を撮像画素３０８に供給することができる。

撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）は、撮像信号を読み出すことができる。

図２４（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、入出力装置３９０は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第２の可撓性基板７１１、第２の接着層７１３、及び第２の絶縁層７１５を有する。また、第１の可撓性基板７０１及び第２の可撓性基板７１１は、第３の接着層３６０で貼り合わされている。

構成例１では、非表示部に凹部を有する。凹部では、第３の接着層３６０の厚さが薄くなっている。このような構成とすることで、入出力装置の側面から内部に不純物が侵入することを抑制できる。

第１の可撓性基板７０１と第１の絶縁層７０５は第１の接着層７０３で貼り合わされている。また、第２の可撓性基板７１１と第２の絶縁層７１５は第２の接着層７１３で貼り合わされている。基板、接着層、及び絶縁層に用いることができる材料については実施の形態２を参照することができる。

画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ、及び副画素３０２Ｂを有する（図２４（Ｃ））。

例えば副画素３０２Ｒは、発光素子３５０Ｒ及び画素回路を有する。画素回路は、発光素子３５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む。また、副画素３０２Ｒは、さらに光学素子（例えば赤色の光を透過する着色層３６７Ｒ）を有する。

発光素子３５０Ｒは、下部電極３５１Ｒ、ＥＬ層３５３、及び上部電極３５２をこの順で積層して有する（図２４（Ｃ））。

ＥＬ層３５３は、第１のＥＬ層３５３ａ、中間層３５４、及び第２のＥＬ層３５３ｂをこの順で積層して有する。

なお、特定の波長の光を効率よく取り出せるように、発光素子３５０Ｒにマイクロキャビティ構造を配設することができる。具体的には、特定の光を効率よく取り出せるように配置された可視光を反射する膜及び半反射・半透過する膜の間にＥＬ層を配置してもよい。

例えば、副画素３０２Ｒは、発光素子３５０Ｒと着色層３６７Ｒに接する第３の接着層３６０を有する。着色層３６７Ｒは発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子３５０Ｒが発する光の一部は、第３の接着層３６０及び着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように副画素３０２Ｒの外部に射出される。

入出力装置３９０は、遮光層３６７ＢＭを有する。遮光層３６７ＢＭは、着色層（例えば着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。

入出力装置３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に有する。反射防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

入出力装置３９０は、絶縁層３２１を有する。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔ等を覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路及び撮像画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制することができる絶縁層で、トランジスタ３０２ｔ等を覆うことが好ましい。

入出力装置３９０は、下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を有する。また、第１の可撓性基板７０１と第２の可撓性基板７１１の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔壁３２８上に有する。

画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図２４（Ｂ）に示すようにトランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有していてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続されていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第２のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ、トランジスタ３０２ｔ等に設けてもよい。

撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び撮像画素回路を有する。撮像画素回路は、光電変換素子３０８ｐに照射された光を検知することができる。撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを含む。例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。

入出力装置３９０は、信号を供給することができる配線３１１を有し、端子３１９が配線３１１に設けられている。画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ３０９が端子３１９に電気的に接続されている。ＦＰＣ３０９にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。

なお、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタは、同一の工程で形成することができる。または、それぞれ異なる工程で形成してもよい。

＜構成例２＞
図２５（Ａ）、（Ｂ）は、入出力装置５０５の斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素を示す。図２６（Ａ）、（Ｂ）は、図２５（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図である。

図２５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、入出力装置５０５は、表示部５０１、走査線駆動回路３０３ｇ（１）、及びタッチセンサ５９５等を有する。また、入出力装置５０５は、第１の可撓性基板７０１、第２の可撓性基板７１１、及び可撓性基板５９０を有する。

入出力装置５０５は、複数の画素及び複数の配線３１１を有する。複数の配線３１１は、画素に信号を供給することができる。複数の配線３１１は、第１の可撓性基板７０１の外周部にまで引き回され、その一部が端子３１９を構成している。端子３１９はＦＰＣ５０９（１）と電気的に接続する。

入出力装置５０５は、タッチセンサ５９５及び複数の配線５９８を有する。複数の配線５９８は、タッチセンサ５９５と電気的に接続される。複数の配線５９８は可撓性基板５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、図２５（Ｂ）では明瞭化のため、可撓性基板５９０の裏面側（第１の可撓性基板７０１と対向する面側）に設けられるタッチセンサ５９５の電極及び配線等を実線で示している。

タッチセンサ５９５には、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。ここでは、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合を示す。

投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

なお、タッチセンサ５９５には、指等の検知対象の近接又は接触を検知することができるさまざまなセンサを適用することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。

電極５９２は、図２５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。

電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。

配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。配線５９４は、電極５９２の１つを挟む２つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、光の透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。

なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。

図２６（Ａ）に示すように、入出力装置５０５は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第２の可撓性基板７１１、第２の接着層７１３、及び第２の絶縁層７１５を有する。また、第１の可撓性基板７０１及び第２の可撓性基板７１１は、第３の接着層３６０で貼り合わされている。

接着層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、可撓性基板５９０を第２の可撓性基板７１１に貼り合わせている。接着層５９７は、透光性を有する。

電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。

また、電極５９１、電極５９２、配線５９４などの導電層、つまり、タッチパネルを構成する配線及び電極に用いる材料として、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等を有する透明導電層（例えば、ＩＴＯなど）が挙げられる。また、タッチパネルを構成する配線及び電極に用いることのできる材料は、抵抗値が低いことが好ましい。一例として、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン、ハロゲン化金属（ハロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常に細くした（例えば、直径が数ナノメートル）、複数の導電体を用いて構成される金属ナノワイヤを用いてもよい。または、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい。一例としては、Ａｇナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュ、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッシュなどを用いてもよい。例えば、タッチパネルを構成する配線や電極にＡｇナノワイヤを用いる場合、可視光において透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／□以上１００Ω／□以下とすることができる。また、上述したタッチパネルを構成する配線及び電極に用いることのできる材料の一例である、金属ナノワイヤ、金属メッシュ、カーボンナノチューブ、グラフェンなどは、可視光において透過率が高いため、表示素子に用いる電極（例えば、画素電極又は共通電極など）として用いてもよい。

透光性を有する導電性材料を可撓性基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９１及び電極５９２を形成することができる。

電極５９１及び電極５９２は絶縁層５９３で覆われている。また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、入出力装置の開口率を高まることができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることができる。

なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護することができる。

また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。画素は、構成例１と同様であるため、説明を省略する。

なお、図２６（Ｂ）に示すように、可撓性基板５９０を用いず、第１の可撓性基板７０１及び第２の可撓性基板７１１の２枚の基板でタッチパネルを構成してもよい。第２の可撓性基板７１１と第２の絶縁層７１５が第２の接着層７１３で貼り合わされており、第２の絶縁層７１５に接してタッチセンサ５９５が設けられている。タッチセンサ５９５を覆う絶縁層５８９に接して、着色層３６７Ｒ及び遮光層３６７ＢＭが設けられている。絶縁層５８９を設けず、着色層３６７Ｒ及び遮光層３６７ＢＭを配線５９４に接して設けてもよい。

＜構成例３＞
図２７は、入出力装置５０５Ｂの断面図である。本実施の形態で説明する入出力装置５０５Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する点及びタッチセンサが表示部の第１の可撓性基板７０１側に設けられている点が、構成例２の入出力装置５０５とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

着色層３６７Ｒは発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。また、図２７（Ａ）に示す発光素子３５０Ｒは、トランジスタ３０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより、発光素子３５０Ｒが発する光の一部は着色層３６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の入出力装置５０５Ｂの外部に射出される。

入出力装置５０５Ｂは、光を射出する方向に遮光層３６７ＢＭを有する。遮光層３６７ＢＭは、着色層（例えば着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチセンサ５９５は、第２の可撓性基板７１１側でなく、第１の可撓性基板７０１側に設けられている（図２７（Ａ））。

接着層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部に重なるように、可撓性基板５９０を第１の可撓性基板７０１に貼り合わせている。接着層５９７は、透光性を有する。

なお、ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図２７（Ａ）、（Ｂ）に示す。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図２７（Ａ）に示すトランジスタ３０２ｔ及びトランジスタ３０３ｔに適用することができる。

例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図２７（Ｂ）に示すトランジスタ３０２ｔ及びトランジスタ３０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを適用する場合の構成を、図２７（Ｃ）に示す。

例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコン基板から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図２７（Ｃ）に示すトランジスタ３０２ｔ及びトランジスタ３０３ｔに適用することができる。

（実施の形態４）
＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（ＣｌｏｕｄＡｌｉｇｎｅｄＣｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）−ＯＳの構成について説明する。

本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。

本明細書において、金属酸化物が、導電体の機能を有する領域と、誘電体の機能を有する領域とが混合し、金属酸化物全体では半導体として機能する場合、ＣＡＣ（ＣｌｏｕｄＡｌｉｇｎｅｄＣｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）−ＯＳ（ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、またはＣＡＣ−ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅと定義する。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の元素が偏在し、該元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

特定の元素が偏在した領域は、該元素が有する性質により、物理特性が決定する。例えば、金属酸化物を構成する元素の中でも比較的、絶縁体となる傾向がある元素が偏在した領域は、誘電体領域となる。一方、金属酸化物を構成する元素の中でも比較的、導体となる傾向がある元素が偏在した領域は、導電体領域となる。また、導電体領域、及び誘電体領域がモザイク状に混合することで、材料としては、半導体として機能する。

つまり、本発明の一態様における金属酸化物は、物理特性が異なる材料が混合した、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌｍａｔｒｉｘｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）の一種である。

なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種）が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１−ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状領域が観察され、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状領域が観察され、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該元素を主成分とするナノ粒子状領域が観察され、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状領域が観察され、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

＜ＣＡＣ−ＯＳの解析＞
続いて、各種測定方法を用い、基板上に成膜した酸化物半導体について測定を行った結果について説明する。

≪試料の構成と作製方法≫
以下では、本発明の一態様に係る９個の試料について説明する。各試料は、酸化物半導体を成膜する際の基板温度、及び酸素ガス流量比が異なる条件で作製する。なお、試料は、基板と、基板上の酸化物半導体と、を有する構造である。

各試料の作製方法について、説明する。

まず、基板として、ガラス基板を用いる。続いて、スパッタリング装置を用いて、ガラス基板上に酸化物半導体として、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を形成する。成膜条件は、チャンバー内の圧力を０．６Ｐａとし、ターゲットには、酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）を用いる。また、スパッタリング装置内に設置された酸化物ターゲットに２５００ＷのＡＣ電力を供給する。

なお、酸化物を成膜する際の条件として、基板温度を、意図的に加熱しない温度（以下、室温またはＲ．Ｔ．ともいう。）、１３０℃、または１７０℃とした。また、Ａｒと酸素の混合ガスに対する酸素ガスの流量比（以下、酸素ガス流量比ともいう。）を、１０％、３０％、または１００％とすることで、９個の試料を作製する。

≪Ｘ線回折による解析≫
本項目では、９個の試料に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定を行った結果について説明する。なお、ＸＲＤ装置として、Ｂｒｕｋｅｒ社製Ｄ８ＡＤＶＡＮＣＥを用いた。また、条件は、Ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンにて、走査範囲を１５ｄｅｇ．乃至５０ｄｅｇ．、ステップ幅を０．０２ｄｅｇ．、走査速度を３．０ｄｅｇ．／分とした。

図３１にＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法を用いてＸＲＤスペクトルを測定した結果を示す。なお、図３１において、上段には成膜時の基板温度条件が１７０℃の試料における測定結果、中段には成膜時の基板温度条件が１３０℃の試料における測定結果、下段には成膜時の基板温度条件がＲ．Ｔ．の試料における測定結果を示す。また、左側の列には酸素ガス流量比の条件が１０％の試料における測定結果、中央の列には酸素ガス流量比の条件が３０％の試料における測定結果、右側の列には酸素ガス流量比の条件が１００％の試料における測定結果を示す。

図３１に示すＸＲＤスペクトルは、成膜時の基板温度を高くする、または、成膜時の酸素ガス流量比の割合を大きくすることで、２θ＝３１°付近のピーク強度が高くなる。なお、２θ＝３１°付近のピークは、被形成面または上面に略垂直方向に対してｃ軸に配向した結晶性ＩＧＺＯ化合物（ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓａｌｉｇｎｅｄｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＩＧＺＯともいう。）であることに由来することが分かっている。

また、図３１に示すＸＲＤスペクトルは、成膜時の基板温度が低い、または、酸素ガス流量比が小さいほど、明確なピークが現れなかった。従って、成膜時の基板温度が低い、または、酸素ガス流量比が小さい試料は、測定領域のａ−ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

≪電子顕微鏡による解析≫
本項目では、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料を、ＨＡＡＤＦ（Ｈｉｇｈ−ＡｎｇｌｅＡｎｎｕｌａｒＤａｒｋＦｉｅｌｄ）−ＳＴＥＭ（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって観察、及び解析した結果について説明する（以下、ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭによって取得した像は、ＴＥＭ像ともいう。）。

ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭによって取得した平面像（以下、平面ＴＥＭ像ともいう。）、及び断面像（以下、断面ＴＥＭ像ともいう。）の画像解析を行った結果について説明する。なお、ＴＥＭ像は、球面収差補正機能を用いて観察した。なお、ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像の撮影には、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆを用いて、加速電圧２００ｋＶ、ビーム径約０．１ｎｍφの電子線を照射して行った。

図３２（Ａ）は、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料の平面ＴＥＭ像である。図３２（Ｂ）は、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料の断面ＴＥＭ像である。

≪電子線回折パターンの解析≫
本項目では、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料に、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで、電子線回折パターンを取得した結果について説明する。

図３２（Ａ）に示す、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料の平面ＴＥＭ像において、黒点ａ１、黒点ａ２、黒点ａ３、黒点ａ４、及び黒点ａ５で示す電子線回折パターンを観察する。なお、電子線回折パターンの観察は、電子線を照射しながら０秒の位置から３５秒の位置まで一定の速度で移動させながら行う。黒点ａ１の結果を図３２（Ｃ）、黒点ａ２の結果を図３２（Ｄ）、黒点ａ３の結果を図３２（Ｅ）、黒点ａ４の結果を図３２（Ｆ）、及び黒点ａ５の結果を図３２（Ｇ）に示す。

図３２（Ｃ）、図３２（Ｄ）、図３２（Ｅ）、図３２（Ｆ）、及び図３２（Ｇ）より、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測できる。また、リング状の領域に複数のスポットが観測できる。

また、図３２（Ｂ）に示す、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料の断面ＴＥＭ像において、黒点ｂ１、黒点ｂ２、黒点ｂ３、黒点ｂ４、及び黒点ｂ５で示す電子線回折パターンを観察する。黒点ｂ１の結果を図３２（Ｈ）、黒点ｂ２の結果を図３２（Ｉ）、黒点ｂ３の結果を図３２（Ｊ）、黒点ｂ４の結果を図３２（Ｋ）、及び黒点ｂ５の結果を図３２（Ｌ）に示す。

図３２（Ｈ）、図３２（Ｉ）、図３２（Ｊ）、図３２（Ｋ）、及び図３２（Ｌ）より、リング状に輝度の高い領域が観測できる。また、リング状の領域に複数のスポットが観測できる。

ここで、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、試料面に平行にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させると、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶の（００９）面に起因するスポットが含まれる回折パターンが見られる。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることがわかる。一方、同じ試料に対し、試料面に垂直にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させると、リング状の回折パターンが確認される。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ軸及びｂ軸は配向性を有さないことがわかる。

また、微結晶を有する酸化物半導体（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ。以下、ｎｃ−ＯＳという。）に対し、大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。また、ｎｃ−ＯＳに対し、小さいプローブ径の電子線（例えば５０ｎｍ未満）を用いるナノビーム電子線回折を行うと、輝点（スポット）が観測される。また、ｎｃ−ＯＳに対しナノビーム電子線回折を行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。さらに、リング状の領域に複数の輝点が観測される場合がある。

成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料の電子線回折パターンは、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点を有する。従って、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料は、電子線回折パターンが、ｎｃ−ＯＳになり、平面方向、及び断面方向において、配向性は有さない。

以上より、成膜時の基板温度が低い、または、酸素ガス流量比が小さい酸化物半導体は、アモルファス構造の酸化物半導体膜とも、単結晶構造の酸化物半導体膜とも明確に異なる性質を有すると推定できる。

≪元素分析≫
本項目では、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：ＥｎｅｒｇｙＤｉｓｐｅｒｓｉｖｅＸ−ｒａｙｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用い、ＥＤＸマッピングを取得し、評価することによって、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料の元素分析を行った結果について説明する。なお、ＥＤＸ測定には、元素分析装置として日本電子株式会社製エネルギー分散型Ｘ線分析装置ＪＥＤ−２３００Ｔを用いる。なお、試料から放出されたＸ線の検出にはＳｉドリフト検出器を用いる。

ＥＤＸ測定では、試料の分析対象領域の各点に電子線照射を行い、これにより発生する試料の特性Ｘ線のエネルギーと発生回数を測定し、各点に対応するＥＤＸスペクトルを得る。本実施の形態では、各点のＥＤＸスペクトルのピークを、Ｉｎ原子のＬ殻への電子遷移、Ｇａ原子のＫ殻への電子遷移、Ｚｎ原子のＫ殻への電子遷移及びＯ原子のＫ殻への電子遷移に帰属させ、各点におけるそれぞれの原子の比率を算出する。これを試料の分析対象領域について行うことにより、各原子の比率の分布が示されたＥＤＸマッピングを得ることができる。

図３３には、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料の断面におけるＥＤＸマッピングを示す。図３３（Ａ）は、Ｇａ原子のＥＤＸマッピング（全原子に対するＧａ原子の比率は１．１８乃至１８．６４［ａｔｏｍｉｃ％］の範囲とする。）である。図３３（Ｂ）は、Ｉｎ原子のＥＤＸマッピング（全原子に対するＩｎ原子の比率は９．２８乃至３３．７４［ａｔｏｍｉｃ％］の範囲とする。）である。図３３（Ｃ）は、Ｚｎ原子のＥＤＸマッピング（全原子に対するＺｎ原子の比率は６．６９乃至２４．９９［ａｔｏｍｉｃ％］の範囲とする。）である。また、図３３（Ａ）、図３３（Ｂ）、及び図３３（Ｃ）は、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料の断面において、同範囲の領域を示している。なお、ＥＤＸマッピングは、範囲における、測定元素が多いほど明るくなり、測定元素が少ないほど暗くなるように、明暗で元素の割合を示している。また、図３３に示すＥＤＸマッピングの倍率は７２０万倍である。

図３３（Ａ）、図３３（Ｂ）、及び図３３（Ｃ）に示すＥＤＸマッピングでは、画像に相対的な明暗の分布が見られ、成膜時の基板温度Ｒ．Ｔ．、及び酸素ガス流量比１０％で作製した試料において、各原子が分布を持って存在している様子が確認できる。ここで、図３３（Ａ）、図３３（Ｂ）、及び図３３（Ｃ）に示す実線で囲む範囲と破線で囲む範囲に注目する。

図３３（Ａ）では、実線で囲む範囲は、相対的に暗い領域を多く含み、破線で囲む範囲は、相対的に明るい領域を多く含む。また、図３３（Ｂ）では実線で囲む範囲は、相対的に明るい領域を多く含み、破線で囲む範囲は、相対的に暗い領域を多く含む。

つまり、実線で囲む範囲はＩｎ原子が相対的に多い領域であり、破線で囲む範囲はＩｎ原子が相対的に少ない領域である。ここで、図３３（Ｃ）では、実線で囲む範囲において、右側は相対的に明るい領域であり、左側は相対的に暗い領域である。従って、実線で囲む範囲は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１などが主成分である領域である。

また、実線で囲む範囲はＧａ原子が相対的に少ない領域であり、破線で囲む範囲はＧａ原子が相対的に多い領域である。図３３（Ｃ）では、破線で囲む範囲において、左上の領域は、相対的に明るい領域であり、右下側の領域は、相対的に暗い領域である。従って、破線で囲む範囲は、ＧａＯ_Ｘ３、またはＧａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４などが主成分である領域である。

また、図３３（Ａ）、図３３（Ｂ）、及び図３３（Ｃ）より、Ｉｎ原子の分布は、Ｇａ原子よりも、比較的、均一に分布しており、ＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が主成分となる領域を介して、互いに繋がって形成されているように見える。このように、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、クラウド状に広がって形成されている。

このように、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、ＣＡＣ−ＯＳと呼称することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳにおける結晶構造は、ｎｃ構造を有する。ＣＡＣ−ＯＳが有するｎｃ構造は、電子線回折像において、単結晶、多結晶、またはＣＡＡＣ構造を含むＩＧＺＯに起因する輝点（スポット）以外にも、数か所以上の輝点（スポット）を有する。または、数か所以上の輝点（スポット）に加え、リング状に輝度の高い領域が現れるとして結晶構造が定義される。

また、図３３（Ａ）、図３３（Ｂ）、及び図３３（Ｃ）より、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域、及びＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域のサイズは、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下で観察される。なお、好ましくは、ＥＤＸマッピングにおいて、各元素が主成分である領域の径は、１ｎｍ以上２ｎｍ以下とする。

以上より、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。

本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等を用いて、信頼性の高い電子機器又は照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等を用いて、曲面又は可撓性を有し、信頼性の高い電子機器又は照明装置を作製できる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

また、本発明の一態様の電子機器又は照明装置は可撓性を有するため、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。

また、本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像又は情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

図２８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。

表示部７０００は、本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。

本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。

図２８（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機７１００は、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６等を有する。

図２８（Ａ）に示す携帯電話機７１００は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指又はスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、又は表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

図２８（Ｂ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７２００は、筐体７２０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７２０３により筐体７２０１を支持した構成を示している。

図２８（Ｂ）に示すテレビジョン装置７２００の操作は、筐体７２０１が備える操作スイッチ、又は別体のリモコン操作機７２１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７２１１は、当該リモコン操作機７２１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７２１１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル又は音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７２００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図２８（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報端末は、筐体７３０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指又はスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

図２８（Ｃ１）は、携帯情報端末７３００の斜視図であり、図２８（Ｃ２）は携帯情報端末７３００の上面図である。図２８（Ｄ）は、携帯情報端末７３１０の斜視図である。図２８（Ｅ）は、携帯情報端末７３２０の斜視図である。

本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。

携帯情報端末７３００、携帯情報端末７３１０及び携帯情報端末７３２０は、文字及び画像情報等をその複数の面に表示することができる。例えば、図２８（Ｃ１）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボタン７３０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７３０３を他の面に表示することができる。図２８（Ｃ１）、（Ｃ２）では、携帯情報端末の上側に情報が表示される例を示し、図２８（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよく、図２８（Ｅ）では、情報７３０４、情報７３０５、情報７３０６がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。

なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メール又は電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。

例えば、携帯情報端末７３００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７３００を収納した状態で、その表示（ここでは情報７３０３）を確認することができる。

具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末７３００の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７３００をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

図２８（Ｆ）〜（Ｈ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示している。

図２８（Ｆ）〜（Ｈ）に示す各照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の発光装置等を用いて作製される。

本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。

図２８（Ｆ）に示す照明装置７４００は、波状の発光面を有する発光部７４０２を備える。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。

図２８（Ｇ）に示す照明装置７４１０の備える発光部７４１２は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４１０を中心に全方位を照らすことができる。

図２８（Ｈ）に示す照明装置７４２０は、凹状に湾曲した発光部７４２２を備える。したがって、発光部７４２２からの発光を、照明装置７４２０の前面に集光するため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができにくいという効果を奏する。

また、照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０の備える各々の発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材又は可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。

照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０は、それぞれ、操作スイッチ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部を有する。

なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。

図２９（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）〜（Ｉ）に、可撓性を有する表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。

表示部７００１は、本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる発光装置、表示装置、又は入出力装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。

本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。

図２９（Ａ１）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図２９（Ａ２）は、携帯情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。

携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部７００１を有する。引き出し部材７５０２を用いて表示部７００１を引き出すことができる。

また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクタを接続する端子部を備え、映像信号及び電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。

また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、又は表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図２９（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）又は裏面に配置してもよい。

図２９（Ｂ）には、表示部７００１を引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図２９（Ａ１）の状態と表示部７００１を引き出した図２９（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図２９（Ａ１）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。

なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。

なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。

図２９（Ｃ）〜（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２９（Ｃ）では、展開した状態、図２９（Ｄ）では、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図２９（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。

表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。

図２９（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２９（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図２９（Ｇ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れ及び傷つきを抑制できる。

図２９（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７００１と重ねて配置してもよい。

筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させること、及び携帯情報端末７７００に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側又は外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体７７０１及び表示部７００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、又は意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。

また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、又は、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。

図２９（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１又はバンド７８０１と重ねて配置してもよい。

バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。

操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。

また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。

また、携帯情報端末７８００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。

また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。

図３０（Ａ）に自動車９７００の外観を示す。図３０（Ｂ）に自動車９７００の運転席を示す。自動車９７００は、車体９７０１、車輪９７０２、フロントガラス９７０３、ライト９７０４、フォグランプ９７０５等を有する。本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等は、自動車９７００の表示部などに用いることができる。例えば、図３０（Ｂ）に示す表示部９７１０乃至表示部９７１５に本発明の一態様の発光装置等を設けることができる。または、ライト９７０４又はフォグランプ９７０５に本発明の一態様の発光装置等を用いてもよい。

表示部９７１０と表示部９７１１は、自動車のフロントガラスに設けられた表示装置である。本発明の一態様の発光装置等は、電極及び配線を、透光性を有する導電性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態とすることができる。表示部９７１０又は表示部９７１１がシースルー状態であれば、自動車９７００の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の発光装置等を自動車９７００のフロントガラスに設置することができる。なお、発光装置等を駆動するためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタ、又は酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。

表示部９７１２はピラー部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。表示部９７１３はダッシュボード部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１３に映し出すことによって、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。

また、図３０（Ｃ）は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示している。表示部９７２１は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７２１に映し出すことによって、ドアで遮られた視界を補完することができる。また、表示部９７２２は、ハンドルに設けられた表示装置である。表示部９７２３は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお、表示装置を座面又は背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。

表示部９７１４、表示部９７１５、又は表示部９７２２はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目及びレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部９７１０乃至表示部９７１３、表示部９７２１、表示部９７２３にも表示することができる。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は照明装置として用いることも可能である。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は加熱装置として用いることも可能である。

本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等が適用される表示部は平面であってもよい。

図３０（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体９８０１、筐体９８０２、表示部９８０３、表示部９８０４、マイクロフォン９８０５、スピーカ９８０６、操作キー９８０７、スタイラス９８０８等を有する。

図３０（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部９８０３と表示部９８０４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも１つの表示部が本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等を有していればよい。

図３０（Ｅ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９８２１、表示部９８２２、キーボード９８２３、ポインティングデバイス９８２４等を有する。

１０発光装置
１１基板
１２接着層
１３絶縁層
１５発光素子
１６接着層
１７接着層
１８ａ隔壁
１８ｂ仮封止層
１８ｃ隔壁
１８ｄ仮封止層
１９基板
２１部材
２１ａ部材
２１ｂ部材
２２凸部
２２ａ凸部
２２ｂ凸部
２５発光部
２６非発光部
３１作製基板
３２剥離層
５１作製基板
５２剥離層
５３絶縁層
５５着色層
５９スペーサ
２５１可撓性基板
２５８厚さが薄い領域
２５９可撓性基板
３０１表示部
３０２画素
３０２Ｂ副画素
３０２Ｇ副画素
３０２Ｒ副画素
３０２ｔトランジスタ
３０３ｃ容量
３０３ｇ（１）走査線駆動回路
３０３ｇ（２）撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１）画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２）撮像信号線駆動回路
３０３ｔトランジスタ
３０４ゲート
３０８撮像画素
３０８ｐ光電変換素子
３０８ｔトランジスタ
３０９ＦＰＣ
３１１配線
３１２ゲート絶縁層
３１９端子
３２１絶縁層
３２８隔壁
３２９スペーサ
３５０Ｒ発光素子
３５１Ｒ下部電極
３５２上部電極
３５３ＥＬ層
３５３ａＥＬ層
３５３ｂＥＬ層
３５４中間層
３６０接着層
３６７ＢＭ遮光層
３６７ｐ反射防止層
３６７Ｒ着色層
３７８絶縁層
３９０入出力装置
５０１表示部
５０５入出力装置
５０５Ｂ入出力装置
５０９ＦＰＣ
５８９絶縁層
５９０可撓性基板
５９１電極
５９２電極
５９３絶縁層
５９４配線
５９５タッチセンサ
５９７接着層
５９８配線
５９９接続層
７０１第１の可撓性基板
７０３第１の接着層
７０５第１の絶縁層
７１１第２の可撓性基板
７１２凹部
７１３第２の接着層
７１５第２の絶縁層
７２３バックゲート
７２８絶縁層
７２９絶縁層
７４２半導体層
７４３ゲート
７４４ａ導電層
７４４ｂ導電層
７４７ａ開口
７４７ｂ開口
７４７ｃ開口
７４７ｄ開口
７７２絶縁層
８０４発光部
８０６駆動回路部
８０８ＦＰＣ
８１０スペーサ
８１１絶縁層
８１２絶縁層
８１３無機絶縁層
８１４導電層
８１５絶縁層
８１７絶縁層
８１７ａ絶縁層
８１７ｂ絶縁層
８２０トランジスタ
８２１絶縁層
８２２接着層
８２３スペーサ
８２４トランジスタ
８２５接続体
８３０発光素子
８３１下部電極
８３２光学調整層
８３３ＥＬ層
８３５上部電極
８４５着色層
８４７遮光層
８４８トランジスタ
８４９オーバーコート
８５６導電層
８５７導電層
８５７ａ導電層
８５７ｂ導電層
２０００ａ上板
２０００ｂ下板
２００５ａ緩衝材
２００５ｂ緩衝材
２００５ｃ緩衝材
２００５ｄ緩衝材
２１００基板
７０００表示部
７００１表示部
７１００携帯電話機
７１０１筐体
７１０３操作ボタン
７１０４外部接続ポート
７１０５スピーカ
７１０６マイク
７２００テレビジョン装置
７２０１筐体
７２０３スタンド
７２１１リモコン操作機
７３００携帯情報端末
７３０１筐体
７３０２操作ボタン
７３０３情報
７３０４情報
７３０５情報
７３０６情報
７３１０携帯情報端末
７３２０携帯情報端末
７４００照明装置
７４０１台部
７４０２発光部
７４０３操作スイッチ
７４１０照明装置
７４１２発光部
７４２０照明装置
７４２２発光部
７５００携帯情報端末
７５０１筐体
７５０２引き出し部材
７５０３操作ボタン
７６００携帯情報端末
７６０１筐体
７６０２ヒンジ
７６５０携帯情報端末
７６５１非表示部
７７００携帯情報端末
７７０１筐体
７７０３ａボタン
７７０３ｂボタン
７７０４ａスピーカ
７７０４ｂスピーカ
７７０５外部接続ポート
７７０６マイク
７７０９バッテリ
７８００携帯情報端末
７８０１バンド
７８０２入出力端子
７８０３操作ボタン
７８０４アイコン
７８０５バッテリ
９７００自動車
９７０１車体
９７０２車輪
９７０３フロントガラス
９７０４ライト
９７０５フォグランプ
９７１０表示部
９７１１表示部
９７１２表示部
９７１３表示部
９７１４表示部
９７１５表示部
９７２１表示部
９７２２表示部
９７２３表示部
９８０１筐体
９８０２筐体
９８０３表示部
９８０４表示部
９８０５マイクロフォン
９８０６スピーカ
９８０７操作キー
９８０８スタイラス
９８２１筐体
９８２２表示部
９８２３キーボード
９８２４ポインティングデバイス

Claims

発光素子を有する発光部と、前記発光部の外側に枠状に設けられた非発光部と、を有する発光装置の作製方法であって、
第１の基板上に前記発光素子を形成する第１の工程と、
接着層を、前記第１の基板上又は第２の基板上に形成する第２の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板を重ね、前記発光素子を、前記接着層、前記第１の基板、及び前記第２の基板に囲まれた空間に配置する第３の工程と、
前記接着層を硬化する第４の工程と、
硬化した前記接着層を加熱しながら、凸部を有する第１の部材を用いて前記第１の基板側から前記非発光部の少なくとも一部に圧力を加え、凸部を有する第２の部材を用いて前記第２の基板側から前記非発光部の少なくとも一部に圧力を加える第５の工程と、を有し、
前記第１の部材が有する凸部と、前記第２の部材が有する凸部とは重ならない位置に設けられている、発光装置の作製方法。
発光素子を有する発光部と、前記発光部の外側に枠状に設けられた非発光部と、を有する発光装置の作製方法であって、
第１の基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に被剥離層を形成する第２の工程と、
接着層を、前記第１の基板上又は第２の基板上に形成する第３の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板を重ねる第４の工程と、
前記接着層を硬化する第５の工程と、
前記第１の基板と、前記被剥離層と、を分離する第６の工程と、
硬化した前記接着層を加熱しながら、凸部を有する第１の部材を用いて前記第１の基板側から前記非発光部の少なくとも一部に圧力を加え、凸部を有する第２の部材を用いて前記第２の基板側から前記非発光部の少なくとも一部に圧力を加える第７の工程と、を有し、
前記第１の部材が有する凸部と、前記第２の部材が有する凸部とは重ならない位置に設けられ、
前記第２の工程では、前記剥離層上の絶縁層と、前記絶縁層上の前記発光素子と、を前記被剥離層として形成し、
前記第３の工程では、前記剥離層及び前記被剥離層と重なるように、前記接着層を形成し、
前記第４の工程では、前記発光素子を、前記接着層、前記第１の基板、及び前記第２の基板に囲まれた空間に配置する、発光装置の作製方法。
請求項２において、
前記被剥離層に第３の基板を貼り合わせる工程を、前記第６の工程と前記第７の工程の間に有する、発光装置の作製方法。
請求項２において、
前記被剥離層に第３の基板を貼り合わせる工程を、前記第７の工程の後に有する、発光装置の作製方法。
発光素子を有する発光部と、前記発光部の外側に枠状に設けられた非発光部と、を有する発光装置の作製方法であって、
第１の基板上に第１の剥離層を形成する第１の工程と、
前記第１の剥離層上に第１の被剥離層を形成する第２の工程と、
第２の基板上に第２の剥離層を形成する第３の工程と、
前記第２の剥離層上に第２の被剥離層を形成する第４の工程と、
接着層を、前記第１の基板上又は前記第２の基板上に形成する第５の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板を重ねる第６の工程と、
前記接着層を硬化する第７の工程と、
前記第１の基板と、前記第１の被剥離層と、を分離する第８の工程と、
前記第１の被剥離層に第３の基板を貼り合わせる第９の工程と、
前記第２の基板と、前記第２の被剥離層と、を分離する第１０の工程と、
硬化した前記接着層を加熱しながら、凸部を有する第１の部材を用いて前記第１の基板側から前記非発光部の少なくとも一部に圧力を加え、凸部を有する第２の部材を用いて前記第２の基板側から前記非発光部の少なくとも一部に圧力を加える第１１の工程と、を有し、
前記第１の部材が有する凸部と、前記第２の部材が有する凸部とは重ならない位置に設けられ、
前記第１の被剥離層又は前記第２の被剥離層として、絶縁層と、前記絶縁層上の前記発光素子と、を形成し、
前記第５の工程では、前記第１の剥離層及び前記第１の被剥離層と重なるように、前記接着層を形成し、
前記第６の工程では、前記発光素子を、前記接着層、前記第１の基板、及び前記第２の基板に囲まれた空間に配置する、発光装置の作製方法。
請求項５において、
前記第２の被剥離層に、第４の基板を貼り合わせる工程を、前記第１０の工程と前記第１１の工程の間に有する、発光装置の作製方法。
請求項５において、
前記第２の被剥離層に、第４の基板を貼り合わせる工程を、前記第１１の工程の後に有する、発光装置の作製方法。
請求項５乃至７のいずれか一において、
前記第６の工程よりも前に、隔壁を前記第１の基板上又は前記第２の基板上に形成する工程を有し、
前記隔壁は、前記接着層を囲むように設けられる、発光装置の作製方法。