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JP6763121B2 - Laser device - Google Patents

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JP6763121B2
JP6763121B2 JP2015118068A JP2015118068A JP6763121B2 JP 6763121 B2 JP6763121 B2 JP 6763121B2 JP 2015118068 A JP2015118068 A JP 2015118068A JP 2015118068 A JP2015118068 A JP 2015118068A JP 6763121 B2 JP6763121 B2 JP 6763121B2
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Description

本発明は、画像処理を伴うアプリケーションに使用される光ファイバ出力型のレーザ装置に関する。 The present invention relates to an optical fiber output type laser apparatus used in an application involving image processing.

レーザ光を用いて、被対象物を観察及び分析する顕微鏡等のアプリケーションにおいては、レーザ光に含まれるノイズ成分が画質や分解能等の性能品質を劣化させる。このため、レーザ装置には、光出力の安定性や低雑音化が求められている。 In applications such as microscopes that observe and analyze an object using a laser beam, noise components contained in the laser beam deteriorate performance quality such as image quality and resolution. Therefore, the laser device is required to have stable light output and low noise.

レーザ装置に搭載されるレーザ光源としては、アプリケーションに応じて波長及び出力が異なる半導体レーザが多用されるとともに、取扱性の観点から光ファイバ出力の形態が望まれる。 As the laser light source mounted on the laser apparatus, semiconductor lasers having different wavelengths and outputs are often used depending on the application, and an optical fiber output form is desired from the viewpoint of handleability.

半導体レーザの雑音としては、自然放出光の揺らぎによって生じる量子雑音や、縦モードが変動することによって生じるモードホッピング雑音等が知られている。 Known noises of semiconductor lasers include quantum noise caused by fluctuations in naturally emitted light, mode hopping noise caused by fluctuations in longitudinal mode, and the like.

モードホッピング雑音は、レーザ外部からの戻り光がレーザに再入射されることで縦モードの変動を誘発し、これによる出力変動が強度雑音として現れる現象である。アプリケーションにおいては、この影響が支配的になる。 Mode hopping noise is a phenomenon in which the return light from the outside of the laser is re-entered into the laser to induce fluctuations in the longitudinal mode, and the resulting output fluctuations appear as intensity noise. In applications, this effect dominates.

モードホッピング雑音を低減する方法としては、縦モードを完全に単一モード化してモードの変動をなくす方法と、縦モードを多モード化して多安定状態を作る方法がある。 As a method of reducing mode hopping noise, there are a method of completely making the vertical mode into a single mode to eliminate mode fluctuation, and a method of making the vertical mode into multiple modes to create a multi-stable state.

縦モードを単一モード化した半導体レーザとして、電流変調や温度変化時においても単一モード動作を維持する動的単一モードレーザが知られている(特許文献1)。半導体レーザを多モード化する方法として、半導体レーザの駆動電流に数百MHz程度の高周波電流を重畳する方法が知られている(特許文献2)。 As a semiconductor laser in which the longitudinal mode is changed to a single mode, a dynamic single-mode laser that maintains a single-mode operation even when current modulation or temperature change is known (Patent Document 1). As a method for converting a semiconductor laser into multiple modes, a method of superimposing a high frequency current of about several hundred MHz on the drive current of the semiconductor laser is known (Patent Document 2).

また、上述した雑音低減対策とは別に、半導体レーザへの戻り光自体を回避するために、半導体レーザと外部反射機構との間に光アイソレータを挿入する方法がある。 Further, apart from the noise reduction measures described above, there is a method of inserting an optical isolator between the semiconductor laser and the external reflection mechanism in order to avoid the return light itself to the semiconductor laser.

特許第3226065号Patent No. 3226065 特許第2532283号Patent No. 2532283

しかしながら、戻り光の影響を受けやすい半導体レーザにおける光雑音の低減方法は、以下のような課題を有していた。即ち、上述した動的単一モードレーザにおいては、温度変化や変調時の単一モード発振は、維持できるが、外部からの戻り光がある場合には、僅かに存在するサイドモードとの間でモード分配雑音が強調され、アプリケーションの性能に影響を与えてしまう。 However, a method for reducing optical noise in a semiconductor laser that is easily affected by return light has the following problems. That is, in the above-mentioned dynamic single-mode laser, single-mode oscillation at the time of temperature change or modulation can be maintained, but when there is return light from the outside, there is a slight amount of side mode. Mode distribution noise is emphasized, which affects the performance of the application.

また、高周波重畳法を用いた多モード化では、アプリケーションで要求される雑音の周波数が広帯域に及ぶ場合、重畳電流の高周波成分が光ノイズとして残ってしまう。また、光アイソレータにより戻り光を回避する方法では、光アイソレータの適用波長が限定され、さらに装置の小型化が困難となる。即ち、レーザ装置が大型化し高価になる。 Further, in multimode using the high frequency superimposition method, when the frequency of noise required by the application extends over a wide band, the high frequency component of the superimposition current remains as optical noise. Further, in the method of avoiding the return light by the optical isolator, the applicable wavelength of the optical isolator is limited, and it becomes difficult to miniaturize the device. That is, the laser device becomes large and expensive.

本発明の課題は、モードホッピングによる出力変動を小さくし、戻り光の影響を低減できる安価なレーザ装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an inexpensive laser apparatus capable of reducing output fluctuation due to mode hopping and reducing the influence of return light.

上記の課題を解決するために、本発明に係るレーザ装置は、レーザ光源と、前記レーザ光源の光を集光する集光素子と、前記集光素子を透過した光を入射する光ファイバと、前記光ファイバの出射光を成型する成型素子と、前記レーザ光源の波長領域において波長選択特性を有せず、前記光の一部を反射させる反射素子とを備え、前記反射素子は、前記レーザ光源と前記集光素子との間、前記集光素子と前記光ファイバとの間、前記光ファイバと前記成型素子との間、前記成型素子の出射側のいずれかに配置され、反射された光の一部を前記反射素子の位置に最も近い前記レーザ光源又は前記集光素子又は前記光ファイバ又は前記成型素子に入射させることを特徴とする。 In order to solve the above problems, the laser apparatus according to the present invention includes a laser light source, a condensing element that condenses the light of the laser light source, and an optical fiber that incidents light transmitted through the condensing element. A molding element for molding the emitted light of the optical fiber and a reflecting element having no wavelength selection characteristic in the wavelength region of the laser light source and reflecting a part of the light are provided, and the reflecting element is the laser light source. Of the reflected light, which is arranged between the light source and the light source, between the light source and the optical fiber, between the optical fiber and the molding element, and on the emission side of the molding element. A part of the light is incident on the laser light source or the light collecting element or the optical fiber or the molding element closest to the position of the reflecting element.

本発明によれば、光の一部を波長選択特性を有しない反射素子で反射させ、反射された光の一部を反射素子の位置に最も近いレーザ光源又は集光素子又は光ファイバ又は成型素子に入射させるので、反射光は、レーザ光源に再入射される。 According to the present invention, a part of light is reflected by a reflecting element having no wavelength selection characteristic, and a part of the reflected light is reflected by a laser light source or a condensing element or an optical fiber or a molding element closest to the position of the reflecting element. The reflected light is re-incidented into the laser light source.

即ち、半導体レーザにおいて、入射波に反射波が加わることにより、安定した多モード発振を実現することができる。これにより、モードホッピングによる出力変動を小さくし、戻り光の影響を低減できる。 That is, in a semiconductor laser, stable multimode oscillation can be realized by adding a reflected wave to an incident wave. As a result, the output fluctuation due to mode hopping can be reduced, and the influence of the return light can be reduced.

本発明の実施例1に係るレーザ装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the laser apparatus which concerns on Example 1 of this invention. 半導体レーザの発振スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the oscillation spectrum of a semiconductor laser. 本発明の実施例2に係るレーザ装置の半導体レーザの戻り光で不安定となった発振スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the oscillation spectrum which became unstable by the return light of the semiconductor laser of the laser apparatus which concerns on Example 2 of this invention. 本発明の実施例1に係るレーザ装置の半導体レーザの発振スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the oscillation spectrum of the semiconductor laser of the laser apparatus which concerns on Example 1 of this invention. 本発明の実施例2に係るレーザ装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the laser apparatus which concerns on Example 2 of this invention. 本発明の実施例3に係るレーザ装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the laser apparatus which concerns on Example 3 of this invention. 本発明の実施例1に係るレーザ装置の第1の変形例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the 1st modification of the laser apparatus which concerns on Example 1 of this invention. 本発明の実施例1に係るレーザ装置の第2の変形例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the 2nd modification of the laser apparatus which concerns on Example 1 of this invention.

以下、本発明のレーザ装置の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the laser apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(実施例1)
図1は、本発明の実施例1に係る本発明の実施例1に係るレーザ装置の構成を示す図である。このレーザ装置は、半導体レーザ1、結合レンズ2、光ファイバ3、コリメートレンズ4、反射板5、結合レンズ6、光ファイバ7を備えている。
(Example 1)
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a laser apparatus according to a first embodiment of the present invention according to the first embodiment of the present invention. This laser device includes a semiconductor laser 1, a coupling lens 2, an optical fiber 3, a collimating lens 4, a reflector 5, a coupling lens 6, and an optical fiber 7.

半導体レーザ1は、本発明のレーザ光源に対応し、任意のスペクトルを有し、供給電流により所望の光出力を得る。 The semiconductor laser 1 corresponds to the laser light source of the present invention, has an arbitrary spectrum, and obtains a desired light output by a supply current.

結合レンズ2は、本発明の集光素子に対応し、集光レンズの役目をしており、半導体レーザ1からのレーザ光を集光することにより光ファイバ3に結合する。結合レンズ2は、減反射膜が施されるとともに、光軸に対して所定の角度で配置されている。これにより、半導体レーザ1への戻り光を低減することができる。 The coupling lens 2 corresponds to the condensing element of the present invention and serves as a condensing lens, and is coupled to the optical fiber 3 by condensing the laser beam from the semiconductor laser 1. The coupling lens 2 is provided with a antireflection film and is arranged at a predetermined angle with respect to the optical axis. As a result, the return light to the semiconductor laser 1 can be reduced.

光ファイバ3は、結合レンズ2からのレーザ光を伝搬させてコリメートレンズ4に出射する。光ファイバ3の入射端面は、斜めに研磨されており、端面反射光が半導体レーザ1に戻らないように配置されている。 The optical fiber 3 propagates the laser beam from the coupling lens 2 and emits it to the collimating lens 4. The incident end face of the optical fiber 3 is obliquely polished, and is arranged so that the end face reflected light does not return to the semiconductor laser 1.

コリメートレンズ4は、本発明の成型素子に対応し、光ファイバ3からのレーザ光を平行光にして出力する。 The collimating lens 4 corresponds to the molded element of the present invention, and outputs the laser beam from the optical fiber 3 as parallel light.

反射板5は、本発明の反射素子に対応し、レーザ光源の波長領域において波長選択特性を有せず、コリメートレンズ4を透過した光の一部を反射させ、反射光をコリメートレンズ4を通して光ファイバ3に入射させる。反射板5は、残りの光を透過させて結合レンズ6に出射する。反射板5は、石英ガラス又はサファイアに、誘電体又はアルミニウム等の金属がコーティングされて構成されている。 The reflecting plate 5 corresponds to the reflecting element of the present invention, does not have a wavelength selection characteristic in the wavelength region of the laser light source, reflects a part of the light transmitted through the collimating lens 4, and transmits the reflected light through the collimating lens 4. It is incident on the fiber 3. The reflector 5 transmits the remaining light and emits it to the coupling lens 6. The reflector 5 is formed by coating quartz glass or sapphire with a metal such as a dielectric or aluminum.

結合レンズ6は、集光レンズの役目をしており、反射板5からのレーザ光を集光することにより光ファイバ7に結合する。結合レンズ6は、減反射膜が施されるとともに、光軸に対して所定の角度で配置されている。これにより、半導体レーザ1への戻り光を低減することができる。 The coupling lens 6 serves as a condensing lens, and is coupled to the optical fiber 7 by condensing the laser light from the reflector 5. The coupling lens 6 is provided with a antireflection film and is arranged at a predetermined angle with respect to the optical axis. As a result, the return light to the semiconductor laser 1 can be reduced.

次にこのように構成された実施例1のレーザ装置の動作を説明する。まず、半導体レーザ1で発振したレーザ光は、結合レンズ2で集光されて、光ファイバ3に結合される。光ファイバ3からのレーザ光は、コリメートレンズ4でコリメートされて、反射板5でレーザ光の一部が反射される。このとき、光軸に対する反射板5の角度を調整することにより反射光量を調整する。 Next, the operation of the laser apparatus of the first embodiment configured in this way will be described. First, the laser light oscillated by the semiconductor laser 1 is focused by the coupling lens 2 and coupled to the optical fiber 3. The laser light from the optical fiber 3 is collimated by the collimating lens 4, and a part of the laser light is reflected by the reflector 5. At this time, the amount of reflected light is adjusted by adjusting the angle of the reflector 5 with respect to the optical axis.

反射光量が調整された反射レーザ光は、コリメートレンズ4に入射され、さらに、光ファイバ3に再結合され、結合レンズ2を通って、半導体レーザ1に入射される。このため、半導体レーザ1において、入射光に反射光が加わり、レーザ発振が行われる。 The reflected laser light whose reflected light amount is adjusted is incident on the collimating lens 4, further recoupled to the optical fiber 3, passed through the coupled lens 2, and is incident on the semiconductor laser 1. Therefore, in the semiconductor laser 1, reflected light is added to the incident light, and laser oscillation is performed.

このとき、光ファイバ7の出力側にモニタを接続し、モニタにより発振スペクトルを監視する。そして、反射板の角度を調整することにより、反射光量を調整することで、図4に示すような発振スペクトルが得られる。即ち、安定した多モード発振を実現することができる。 At this time, a monitor is connected to the output side of the optical fiber 7, and the oscillation spectrum is monitored by the monitor. Then, the oscillation spectrum as shown in FIG. 4 can be obtained by adjusting the amount of reflected light by adjusting the angle of the reflector. That is, stable multi-mode oscillation can be realized.

図2に半導体レーザの発振スペクトルを示す。図2では、半導体レーザ1の連続波駆動(CW)において、縦単一モードに近いスペクトルを示している。この状態から、任意の戻り光を与えた時の発振スペクトルを図3に示す。任意の戻り光により、発振スペクトルが不安定になり、時間的に、図2と図3に示す状態又はその他の状態にスペクトルが変化する。 FIG. 2 shows the oscillation spectrum of the semiconductor laser. FIG. 2 shows a spectrum close to a vertical single mode in the continuous wave drive (CW) of the semiconductor laser 1. FIG. 3 shows an oscillation spectrum when an arbitrary return light is applied from this state. The oscillation spectrum becomes unstable due to arbitrary return light, and the spectrum changes to the state shown in FIGS. 2 and 3 or other states in time.

図4に実施例1のレーザ装置の半導体レーザの発振スペクトルを示す。図4では、反射板5の角度を調整したときの発振スペクトルを示す例である。図3と同様の縦多モード発振となっているが、図4では、図3と比較して明確な縦モードの本数が多くなり、モード間隔も均一になっている。縦モード間隔から、実施例1のレーザは、半導体レーザ1自身の共振器モードで発振していることがわかる。反射板5で構成される外部共振器モードは、競合していないため、安定した発振状態を持続することができる。 FIG. 4 shows the oscillation spectrum of the semiconductor laser of the laser apparatus of Example 1. FIG. 4 is an example showing an oscillation spectrum when the angle of the reflector 5 is adjusted. The oscillation is in the same longitudinal mode as in FIG. 3, but in FIG. 4, the number of clear longitudinal modes is larger than that in FIG. 3, and the mode interval is uniform. From the longitudinal mode interval, it can be seen that the laser of the first embodiment oscillates in the resonator mode of the semiconductor laser 1 itself. Since the external resonator mode composed of the reflector 5 does not compete with each other, a stable oscillation state can be maintained.

このように実施例1のレーザ装置によれば、コリメートレンズ4を透過した光の一部を波長選択特性を有しない反射板5で反射させ、反射された光の一部を反射板5の位置に最も近いコリメートレンズ4に入射させるので、反射光は、半導体レーザ1に再入射される。 As described above, according to the laser apparatus of the first embodiment, a part of the light transmitted through the collimating lens 4 is reflected by the reflecting plate 5 having no wavelength selection characteristic, and a part of the reflected light is reflected at the position of the reflecting plate 5. The reflected light is re-entered into the semiconductor laser 1 because it is incident on the collimating lens 4 closest to.

即ち、半導体レーザ1において、入射波に反射波が加わることにより、安定した多モード発振を実現することができる。これにより、モードホッピングによる出力変動を小さくし、戻り光の影響を低減できる。 That is, in the semiconductor laser 1, stable multimode oscillation can be realized by adding a reflected wave to the incident wave. As a result, the output fluctuation due to mode hopping can be reduced, and the influence of the return light can be reduced.

(実施例2)
図5は、本発明の実施例2に係るレーザ装置の構成を示す図である。図1では、反射板5をコリメートレンズ4の出射側に配置したが、図5では、反射板5を光ファイバ3とコリメートレンズ4との間に配置したことを特徴とする。
(Example 2)
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a laser device according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 1, the reflector 5 is arranged on the exit side of the collimating lens 4, but in FIG. 5, the reflector 5 is arranged between the optical fiber 3 and the collimating lens 4.

このように実施例2に係るレーザ装置の場合にも、上述した半導体レーザの多モードの安定発振の原理に基づき、実施例1に係るレーザ装置と同様な効果が得られる。 As described above, in the case of the laser apparatus according to the second embodiment, the same effect as that of the laser apparatus according to the first embodiment can be obtained based on the principle of the multi-mode stable oscillation of the semiconductor laser described above.

(実施例3)
図6は、本発明の実施例3に係るレーザ装置の構成を示す図である。実施例3に係るレーザ装置は、多波長出力の光ファイバ出力型レーザ装置である。レーザ装置は、互いに異なる波長λa,λbのレーザ光を出力する2つの半導体レーザ1a,1bと、半導体レーザ1a,1bの光を集光する2つの結合レンズ2a,2b、結合レンズ2a,2bを透過した光を入射する2つの光ファイバ3a,3bと、光ファイバ3a,3bの出射光を成型する2つのコリメートレンズ4a,4bと、半導体レーザの波長領域において波長選択特性を有せず、光の一部を反射させる2つの反射板5a,5bと、合波素子8aと、反射板5bからの光を合波素子8aに導く合波素子8bを備えている。合波素子8bは、反射ミラー等である。合波素子8aは、ハーフミラー等である。
(Example 3)
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a laser device according to a third embodiment of the present invention. The laser apparatus according to the third embodiment is an optical fiber output type laser apparatus having a multi-wavelength output. The laser device includes two semiconductor lasers 1a and 1b that output laser light having different wavelengths λa and λb, two coupled lenses 2a and 2b that collect the light of the semiconductor lasers 1a and 1b, and coupled lenses 2a and 2b. The two optical fibers 3a and 3b that incident the transmitted light, the two collimating lenses 4a and 4b that mold the emitted light of the optical fibers 3a and 3b, and the light that does not have wavelength selection characteristics in the wavelength region of the semiconductor laser. It is provided with two reflectors 5a and 5b that reflect a part of the light, a combiner 8a, and a combiner 8b that guides the light from the reflector 5b to the combiner 8a. The combiner element 8b is a reflection mirror or the like. The combiner element 8a is a half mirror or the like.

合波素子8aは、合波素子8bからの光と反射板5aからの光とを合波して結合レンズ6に導く。結合レンズ6と光ファイバ7の構成は、図1に示すものと同じであるので、その説明は省略する。 The combiner element 8a combines the light from the combiner element 8b and the light from the reflector 5a and guides them to the coupling lens 6. Since the configurations of the coupling lens 6 and the optical fiber 7 are the same as those shown in FIG. 1, the description thereof will be omitted.

なお、実施例3では、半導体レーザ、結合レンズ、光ファイバ、コリメートレンズ、反射板をそれぞれ2つとしたが、それぞれを3つ以上設けても良い。 In Example 3, the semiconductor laser, the coupling lens, the optical fiber, the collimating lens, and the reflector are each two, but three or more of each may be provided.

このように実施例3に係るレーザ装置によれば、縦多モードを実現できるとともに、多波長のレーザ光を1つの光ファイバに結合することができる。 As described above, according to the laser apparatus according to the third embodiment, the vertical multi-mode can be realized and the multi-wavelength laser light can be combined with one optical fiber.

(第1の変形例)
図7は、本発明の実施例1に係るレーザ装置の第1の変形例の構成を示す図である。図1では、反射板5をコリメートレンズ4の出射側に配置したが、図7では、反射板5を結合レンズ2と光ファイバ3との間に配置したことを特徴とする。
(First modification)
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a first modification of the laser apparatus according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the reflector 5 is arranged on the exit side of the collimating lens 4, but in FIG. 7, the reflector 5 is arranged between the coupling lens 2 and the optical fiber 3.

このように第1の変形例の場合にも、上述した半導体レーザの多モードの安定発振の原理に基づき、実施例1に係るレーザ装置と同様な効果が得られる。 As described above, also in the case of the first modification, the same effect as that of the laser apparatus according to the first embodiment can be obtained based on the above-mentioned principle of multi-mode stable oscillation of the semiconductor laser.

(第2の変形例)
図8は、本発明の実施例1に係るレーザ装置の第2の変形例の構成を示す図である。図1では、反射板5をコリメートレンズ4の出射側に配置したが、図8では、反射板5を半導体レーザ1と結合レンズ2との間に配置したことを特徴とする。
(Second modification)
FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a second modification of the laser apparatus according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the reflector 5 is arranged on the exit side of the collimating lens 4, but in FIG. 8, the reflector 5 is arranged between the semiconductor laser 1 and the coupling lens 2.

このように第2の変形例に係るレーザ装置の場合にも、上述した半導体レーザの多モードの安定発振の原理に基づき、実施例1に係るレーザ装置と同様な効果が得られる。 As described above, in the case of the laser apparatus according to the second modification, the same effect as that of the laser apparatus according to the first embodiment can be obtained based on the principle of the multi-mode stable oscillation of the semiconductor laser described above.

なお、本発明のレーザ装置は、上述した実施例1乃至3、第1の変形例、第2の変形例に限定されるものではない。例えば、第1の変形例に実施例3を組み合わせて用いても良い。また、例えば、第2の変形例に実施例3を組み合わせて用いても良い。 The laser apparatus of the present invention is not limited to the above-described first to third embodiments, the first modification, and the second modification. For example, Example 3 may be used in combination with the first modification. Further, for example, the second modification may be used in combination with the third embodiment.

本発明は、画像処理を伴うアプリケーションに使用される光ファイバ出力型のレーザ装置に利用できる。 The present invention can be applied to an optical fiber output type laser apparatus used in an application involving image processing.

1,1a 半導体レーザ
2,2a,6 結合レンズ
3,7 光ファイバ
4 コリメートレンズ
5 反射板
8a,8b 合波素子
1,1a Semiconductor laser 2,2a, 6 Coupling lens 3,7 Optical fiber 4 Collimating lens 5 Reflector 8a, 8b Combined element

Claims (1)

レーザ光源と、
前記レーザ光源の光を集光する集光素子と、
前記集光素子を透過した光を入射する光ファイバと、
前記光ファイバの出射光を成型するコリメートレンズと、
前記レーザ光源の波長領域において波長選択特性を有せず、波長選択されていない前記光の一部を反射させる、角度調整可能な反射素子とを備え、
前記反射素子は、前記レーザ光源と前記集光素子との間、前記集光素子と前記光ファイバとの間、前記光ファイバと前記コリメートレンズとの間、前記コリメートレンズの出射側のいずれかに配置され、反射された光の一部を前記反射素子の位置に最も近い前記レーザ光源又は前記集光素子又は前記光ファイバ又は前記コリメートレンズに入射させて、前記レーザ光源に再入射される前記反射された光の一部の入射量を調整するように、角度を調整されることを特徴とするレーザ装置。
With a laser light source
A condensing element that condenses the light of the laser light source and
An optical fiber that incidents light that has passed through the condensing element,
A collimating lens that molds the emitted light of the optical fiber and
Wherein not have the wavelength selection characteristics in the wavelength region of the laser light source, Ru to reflect part of the light that is not wavelength selective, and a angle adjustable reflective elements,
The reflecting element may be located between the laser light source and the condensing element, between the condensing element and the optical fiber, between the optical fiber and the collimating lens, or on the exit side of the collimating lens. A part of the arranged and reflected light is incident on the laser light source or the condensing element or the optical fiber or the collimating lens closest to the position of the reflecting element, and the reflection is re-incidented on the laser light source. A laser device characterized in that the angle is adjusted so as to adjust the incident amount of a part of the emitted light.
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