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JP6753051B2 - 発光装置 - Google Patents

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JP6753051B2
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Description

本発明の実施形態は、発光装置に関する。
導電部材を備えたパッケージに、半導体発光素子（以下「発光素子」とも称する）が搭載されたＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの発光装置が知られている。発光素子は、例えばワイヤを介してパッケージの導電部材と電気的に接合されている。ワイヤの材料としては、優れた延性を備えた金（Ａｕ）が多く用いられている。更なる高出力化のため、金ワイヤよりも反射率が高い銀（Ａｇ）を含有させた、金銀合金ワイヤを用いることが検討されている（例えば、特許文献１）。
特開２０１３−１７９２７３号公報
しかしながら、金銀合金ワイヤは、金ワイヤに比べて延性が低い。そのため、発光装置に用いられている部材の種類や、発光装置のサイズ等によっては、破断しやすい傾向がある。
本発明の実施形態は、金銀合金ワイヤの破断を低減した発光装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、導電部材と、電極を有する発光素子と、導電部材と、発光素子とを接続し、金及び銀を含むワイヤと、発光素子とワイヤとを被覆する封止部材と、
を備え、ワイヤは、金が１５質量％以上２５質量％以下であり、発光素子の電極上に設けられたボール部と、その上に、長さが５０μｍ〜９０μｍの再結晶領域と、を有し、封止部材は、ボール部の上から、該封止部材の上面までの最短距離が、９０μｍ〜２３０μｍであり、発光素子は、上面にｐ電極及びｎ電極を備え、ｎ電極は前記ｐ電極に比べて端部に近い位置に形成されてなり、ｐ電極に接続されたワイヤは、再結晶領域から延伸した部分に形成されている屈曲部と、該屈曲部からやや水平方向に延伸された位置に、もう１つの屈曲部を備えている。
上記により、金銀合金ワイヤの破断を低減した発光装置とすることができる。
図１Ａは、一実施形態に係る発光装置を示す模式的斜視図である。 図１Ｂは、一実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。 図１Ｃは、一実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。 図２Ａは、一実施形態に係る発光装置を示す模式的斜視図である。 図２Ｂは、一実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。 図２Ｃは、一実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。
本開示を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本開示の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本開示は、発光装置を以下に限定するものではない。
また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本開示の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
本実施形態において発光装置は、導電部材と、発光素子と、ワイヤと、封止部材と、を備える。
（導電部材）
導電部材は、所定の形状にパターニングされた板状の金属部材からなる。導電部材は、母材である金属板と、その表面に形成されたメッキと、を有する。
金属板は、エッチング、プレス、パンチ、ブラスト等の加工方法で所望の形状にパターニングされる。一枚の金属板（リードフレーム）から、複数の発光装置を得ることができるよう、同じパターンを複数有するように加工される。各パターンは、発光装置として用いられる際に、電極端子として機能する正負一対のリード部や、放熱部材として機能する放熱部などとして機能する部位を含み、更に、各パターンを連結させる連結部やその他の部位などを有する。また、切り欠き、凹部、孔などを有していてもよい。このような加工は、後述のメッキを形成する前、またはメッキを形成した後に行うことができるが、好ましくは、メッキを形成する前に行う。
金属板の材料としては、例えば、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｎ等の金属又はこれらの合金が挙げられる。これらは単層であってもよいし、積層構造（例えば、クラッド材）であってもよい。主成分としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕを用いるのが好ましい。また、微量含有元素としてＳｉやＰなどの非金属が含まれていてもよい。
金属板の膜厚は、例えば、６０〜１０００μｍ程度が好ましく、更に、１００〜５００μｍが好ましい。
金属板の表面には、メッキを形成することが好ましい。メッキの厚みは、２〜１０μｍが好ましい。メッキとして用いられる材料としては、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｎi、Ａｇ等が挙げられる。これらは、単独（単層）で、あるいは、複数を積層させた構造で用いることができる。積層構造としては、例えば、金属板の表面側から、Ｃｕ／Ｎi／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇ等が挙げられ、なかでもＣｕ／Ａｇが好ましい。
尚、メッキは必ずしも金属板の全表面に形成されてなくてもよく、部分的に金属板が露出していても構わない。上記のように、銀を最表面とするメッキは、発光素子からの光が照射される領域、例えば、発光素子が載置される側の面に形成されていることが好ましい。また、発光素子からの光が照射されない領域、例えば、発光装置を実装する際に半田等が接合される面などは、上記のようなメッキは必ずしも必須ではない。
（発光素子）
発光素子は、通電により発光する発光層を備えた半導体層と、半導体層に通電するための電極と、を備える。
半導体層は、素子基板と、その上に積層された発光層を含む積層体と、から構成される。あるいは、素子基板上に発光層を含む積層体を積層した後に基板を除去することにより得られる、素子基板を有しない半導体の積層体から構成されていてもよい。
素子基板上に積層される積層体は、例えば、素子基板上に、任意にバッファ層等の１層又は複数層を介して、第１半導体層（ｎ型又はｐ型半導体層）、発光層及び第２半導体層（ｐ型又はｎ型半導体層）がこの順に積層されて構成されるものが挙げられる。
半導体層は、第２半導体層側から厚み方向に一領域が除去され、つまり、部分的に除去され、そこから第１半導体層が露出しており、この露出した領域以外の第１半導体層の他の領域上に、発光層および第２半導体層が順に積層されて構成されている。
半導体層を構成する第１半導体層、発光層及び第２半導体層としては、特に限定されるものではなく、例えば、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系化合物半導体が好適に用いられる。これらの窒化物半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、発光層は、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸で構造であることが好ましい。
素子基板としては、特に限定されるものではなく、例えば、窒化物半導体層を成長させるために通常用いられるものが挙げられる。なかでも、透光性の基板が好ましい。ここでの透光性とは、発光素子から出射される光の６０％、６５％、７０％又は８０％程度以上を透過し得る性質を指す。素子基板としては、サファイア、スピネル、ＮＧＯ、ＬｉＡｌＯ２、ＬｉＧａＯ３、ＧａＮ等が挙げられる。なかでも、酸化物からなる素子基板が好ましく、ウルツ鉱型結晶からなる素子基板がより好ましく、特にサファイアがさらに好ましい。
発光素子が有する一対の電極は、半導体層の同一面側に配置されている。これらの一対の電極は、上述した第１半導体層及び第２半導体層と、それぞれ、電流−電圧特性が直線又は略直線となるようなオーミック接続されるものであれば、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。このような電極は、当該分野で公知の材料（例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等）及び構成で、任意の厚みで形成することができる。例えば、十数μｍ〜３００μｍが好ましい。
特に、後述するように、発光素子の一対の電極がそれぞれ接合部材を介してリード部と電気的に接続される場合には、一対の電極の最も半導体層側の層として、反射層（めっき膜、ＤＢＲ膜）を配置することが好ましい。
（ワイヤ）
ワイヤは、導電部材と、発光素子とを接続する導電部材であり、金及び銀を含む。ワイヤは、図１Ｃに示すように、発光素子の電極と接続されるボール部３２と、ボール部３２の直上の再結晶領域３４と、を有する。尚、ボール部も溶融されることで再結晶される部分ではあるが、ここでは、ボール部以外であって、ボール部から延伸した部分に形成されている部分のみを再結晶領域という。
ボール部３２は、キャピラリの挿入孔に通されたワイヤの先端を電気放電等によって溶融させることで形成されたボール（イニシャルボール）を、発光素子の電極上に圧着接続させることで形成される部分である。
再結晶領域３４は、ボールを形成する際の電気放電時に、熱によって変質された領域であり、熱の影響を受けていない領域（通常領域）よりも粗粒化されている領域である。再結晶領域は、通常領域に比して応力の影響を受けやすい領域であり、この領域にかかる応力を緩和することで、ワイヤの破断を低減することができる。本実施形態においては、再結晶領域の長さを５０μｍ〜９０μｍとし、その周囲を封止している封止部材の高さ（ボール部の上から封止部材の上面までの最短距離）を９０μｍ〜２３０μｍとすることで、ワイヤにかかる応力を低減し、破断しにくくすることができる。
再結晶領域の長さは、５０μｍ〜９０μｍが好ましい。再結晶領域の長さは、ワイヤの主成分である金と銀との比率、その他の金属や添加物の量等を調整することで、この範囲の長さとすることができる。あるいは、イニシャルボールの形成条件を調整することで、再結晶領域の長さをこの範囲とすることができる。
再結晶領域を上記範囲とするために、例えば、金銀合金ワイヤの主成分である金を１５質量％以上２５質量％以下とすることが好ましい。さらに、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉ等が含まれていてもよい。また、放電条件として、電圧や放電時間を変更することができ、例えば、直径２５μｍのワイヤの場合、イニシャルボール径をワイヤの直径の約２倍とすることで、再結晶領域を５０μｍ〜９０μｍとすることができる。
また、金の比率を小さくし、銀の比率を大きくすることで出力を高くすることができる。例えば、金銀合金ワイヤ中の金を２質量％以上１５質量％未満とすることができる。このような比率の金銀合金ワイヤの場合は、再結晶領域は８０μｍ〜１５０μｍとすることができる。
再結晶領域をこの範囲の長さとすることで、ワイヤのループ高さ（ボール部の上から、ワイヤの最も高い位置までの距離）を、７０μｍ〜１５０μｍとすることができる。
ワイヤは、上記のボール部、再結晶領域のほかに、再結晶領域からさらに延伸された位置で屈曲された部分（屈曲部）、略直線状の部分（直線部）、導電部材又は隣接する発光素子の電極と接続される接続部等の部位を有する。屈曲部は１つ、または２つ以上あっても構わない。
ワイヤの径は、１８μｍ〜３０μｍが好ましい。ワイヤの線膨張係数は、１４．２×１０-６以上１９．７×１０-６以下が好ましく、更に、１７．６×１０-６以上１８．９×１０-６以下が好ましい。
い。
（封止部材）
封止部材は、発光素子、保護素子、ワイヤなどの電子部品を、塵芥、水分、外力などから保護する部材である。封止部材は、樹脂を主な構成部材として備えており、内包する上記の電子部品に比して線膨張係数が大きい部材である。そのため、発光装置の製造時、あるいは駆動時に、通電等の発熱により、封止部材が収縮する際に生じる応力は、内包する電子部品に大きく影響を与える。特に、ワイヤにかかる応力が大きくなり易いため、本実施形態では、ワイヤの周りの封止部材の厚みを特定の範囲とすることで、ワイヤにかかる応力を緩和している。詳細には、ワイヤのボール部の上から、封止部材の上面までの距離（最短距離）が、９０μｍ〜２３０μｍとしている。ボール部の上に形成される再結晶領域は、通常領域と性質が異なる領域であり、それらの境界は、応力による影響を受けることで損傷し易い。そのため、ワイヤ周囲の封止部材の量を少なくして応力による影響を低減することで、ワイヤの損傷（破断）を低減することができる。
封止部材は、ポッティング（滴下）、印刷、スプレー、トランスファモールド等で形成することができ、その供給量を調整することで、ワイヤのボール部の上からの高さを上記の範囲に調整することができる。封止部材の上面は、平面または凹面とすることができる。
ポッティングにより封止部材を形成する場合は、封止部材を硬化することで体積が減って上面が凹面となる。そのため、ワイヤのループの最も高い部分が、封止部材の上面が最も低くなる部分に設けられないようにすることが好ましい。ワイヤのなかで最も高くなるのは、ワイヤの再結晶領域の直上であるため、凹面の最も低くなる部分に、ワイヤの再結晶領域も位置させないことが好ましい。これにより、ワイヤの応力の影響を低減しつつ、ワイヤが封止部材の上面から出てしまうことを抑制することができる。また、封止部材の凹面の深さ（樹脂部材の凹部の上端からの距離）は、５〜５０μｍ程度が好ましい。これにより光の取り出し効率を向上させることができる。
封止部材の材料としては、発光素子からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、耐光性を有するものが好ましい。また、線膨張係数が３×１０-６以上３５０×１０-６以下であるものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の、発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。また、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。さらにまた、これらの有機物に限られず、ガラス、シリカゾル等の無機物も用いることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー、波長変換部材（蛍光体）などを含有させることもできる。
蛍光体としては、例えば、酸化物系、硫化物系、窒化物系の蛍光体などが挙げられる。例えば、発光素子として青色発光する窒化ガリウム系発光素子を用いる場合、青色光を吸収して黄色〜緑色系発光するＹＡＧ系、ＬＡＧ系、緑色発光するＳｉＡｌＯＮ系（βサイアロン）、赤色発光するＳＣＡＳＮ、ＣＡＳＮ系、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体、ナノ蛍光体等の少なくとも１種、又は２種以上を用いることができる。これらの蛍光体は、封止部材中に５質量％以上１２０質量％以下含有させるのが好ましい。特に、ＫＳＦ系蛍光体を用いる場合、封止部材中に２０質量％以上１００質量％以下含有させることが好ましい。
（樹脂部材）
少なくとも正負一対の電極となる導電部材は、樹脂部材によって一体的に保持されていてもよい。尚、樹脂部材と導電部材とをまとめて「樹脂パッケージ」とも称する。
樹脂部材は、前述の導電部材（リードフレーム）を保持する。樹脂部材は、一枚のリードフレームに、複数の発光装置分の樹脂パッケージが形成されるように形成されている。１枚のリードフレームには、塊として成形される樹脂部材が、１又は複数個形成されており、その塊としての樹脂部材は、１つの発光装置分の樹脂部材であってもよく、又は、発光装置複数個分の樹脂部材あってもよい。
樹脂部材に用いられる材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂によって形成することができる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、不飽和ポリエステル等の樹脂が挙げられる。
また、樹脂部材には、酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素、ムライトなどの光反射材が含有されていてもよい。これにより、発光素子からの光を効率よく反射させることができる。特に、発光素子からの光に対する樹脂部材の反射率が６０％以上であるものが好ましく、より好ましくは７０％、８０％又は９０％以上であるものが好ましい。例えば、酸化チタンを用いる場合は、樹脂部材の全重量に対して、２０〜４０重量％、さらに２５〜３５重量％含有させることが好ましい。また、カーボンブラック等の黒色材料が含有されてもよい。光反射材又は黒色材料は、樹脂成形法や樹脂流動性などの成形条件によって、また反射率や機械強度などの特性等によって適宜調整することができる。
樹脂部材は、発光装置１つ分において、一対の電極となるリードの間に配置され、各リードが個片化後に絶縁分離されるように成形される。また、凹部を有する発光装置とする場合、樹脂部材は、前記のリードの間に加え、側壁が設けられる。これらは、リードと一体的に１つの凹部を形成するのが好ましい。
（接合部材）
発光素子は、導電部材又は樹脂部材の上に、接合部材を介して固定されている。
接合部材としては、絶縁性の材料、あるいは導電性の材料を用いることができる。例えば、絶縁性の材料としては、樹脂が挙げられ、導電性の材料としては、共晶材料又ははんだが挙げられる。好ましい共晶材料としては、ＡｕとＳｎを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金などが挙げられる。はんだとしては、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金などが挙げられる。
発光装置には、ツェナーダイオード、ブリッジダイオードなどの保護素子等を有してもよい。
（実施形態１）
図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃは、実施形態１に係る発光装置の構成を例示する模式図である。図１Ａは、斜視図、図１Ｂは断面図、図１Ｃは、図１Ｂの部分拡大図である。
図１Ａ等に示すように、発光装置１は、導電部材１０と、発光素子２０と、金及び銀を含むワイヤ（金銀合金ワイヤ）３０と、封止部材４０と、を備える。
導電部材１０は、正負一対の電極となるよう、１つの発光装置１に、２つ備えられている。一方の導電部材１０には発光素子２０が載置され、さらに、ワイヤが接続されている。他方の導電部材１０は、ワイヤが接続されている。これら一対の導電部材１０は、樹脂部材５０によって一体的に保持されている。
樹脂部材５０と一対の導電部材１０とで、樹脂パッケージを構成している。この樹脂パッケージは、発光素子２０が載置可能な凹部を１つ有している。凹部の底面には一対の導電部材１０の上面がそれぞれ露出しており、これらの露出された導電部材の上に発光素子２０が載置され、ワイヤ３０が接続されている。凹部の側面は、樹脂部材５０で構成されている。
発光素子２０は、半導体層２２と、その上面に形成された電極２４と、を備えている。実施形態１では、樹脂パッケージに設けられた１つの凹部に、１つの発光素子２０が載置されている。発光素子２０は、サファイア基板上に窒化ガリウム系の半導体層が積層された半導体層を備える。発光素子２０の厚みは、７０μｍ〜２００μｍ程度であり、縦３００〜１０００μｍ×横１００〜５００μｍである。半導体層としては、窒化ガリウム系の半導体層が用いられている。さらに、ｐ型半導体層上に設けられたＩＴＯと、その上のＣｒＲｈ／ＣｒＰｔ／Ａｕからなるｐ電極、ｎ型半導体層上にＡｌ／ＣｒＰｒ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ電極と、を備える。
ワイヤ３０は、発光素子２０の電極２４に接続されるボール部３２と、その上に形成される再結晶領域３４と、を備える。ボール部３２は、発光素子の電極の幅（直径）と、同等程度の幅を有する。発光素子の電極の幅が６０μｍである場合、ボール部の幅（最大幅）は６０〜８５μｍ程度である。また、ボール部３２の高さは、５０μｍ程度である。このボール部３２の直上に形成される再結晶領域３４は、長さが５０μｍ〜９０μｍであり、さらに、その再結晶領域３４から延伸された部分に屈曲部を有する。
実施形態１では、発光素子の上面に形成されている電極の位置が、ｐ電極とｎ電極とで異なる発光素子２０を用いている。図１Ｃに示すように、発光素子２０の上面に形成されている２つの電極のうち、右側の電極（ｐ電極）は、発光素子２０の上面の端部から離れて形成されている。左側の電極（ｎ電極）は、ｐ電極に比べて、発光素子２０の端部に近い位置に形成されている。このような配置の電極とすることで、それぞれに接続されるワイヤのループ形状が異なっている。
詳細には、いずれの電極においても、電極の接続されるワイヤ３０は、ボール部３２の上に再結晶領域３４が形成されている点は同じであるが、その再結晶領域３４から延伸した部分に形成されている屈曲部を挟んで延伸されるワイヤの形状が異なる。右側のｐ電極に接続されたワイヤは、屈曲部からやや水平方向に延伸され、さらにもう１つの屈曲部を有している。このように２か所で屈曲させることで、ワイヤの高さを低減することができる。これにより、ワイヤの下方に配置される封止部材４０の量を低減することができるため、ワイヤにかかる応力を低減することができる。
封止部材４０は、発光素子２０とワイヤ３０とを被覆している。封止部材４０は、樹脂パッケージの凹部内に充填されている。凹部の側壁の上端にまで達するように封止部材４０を充填するのが好ましい。封止部材４０の上面は、図１Ｂで示すように平らな状態としてもよいし、あるいは、凹部を有していてもよい。いずれの場合も、封止部材４０の上面までの距離、詳細には、発光素子２０の上のワイヤ３０のボール部の上から、封止部材の上面までの距離が９０μｍ〜２３０μｍとするのが好ましい。
（実施形態２）
図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃは、実施形態２に係る発光装置の構成を例示する模式図である。図２Ａは、斜視図、図２Ｂは断面図、図２Ｃは、図２Ｂの部分拡大図である。実施形態２では、１つの発光装置２に１つの凹部を有し、その内部に２つの発光素子２０が実装されている点が実施形態１と異なる。また、実施形態２では、２つの導電部材１０の上に、それぞれ１つの発光素子２０が載置されている。ワイヤ３０は、導電部材１０と発光素子２０とを接続させるほか、発光素子同士の間を接合している。
発光素子２０は、それぞれ別の導電部材１０の上に載置されている。そのため、発光素子２０同士を接続するワイヤ３０は、導電部材１０と導電部材１０の間の樹脂部材５０上に配置される。ここでは、パッケージの凹部底面の樹脂部材５０であって、導電部材１０間に設けられる樹脂部材５０に、導電部材１０の上面よりも突出する突出部５０ａを設けている。このような突出部５０ａを設けることで、封止部材４０の量を低減することができるため、ワイヤ３０にかかる応力を低減することができる。突出部５０ａは、発光素子２０の高さより低い高さが好ましく、発光素子２０の高さの半分よりも高い高さとすることが好ましい。突出部５０ａの形状は、図２Ｃに示すように、発光素子２０と対向する面（側面）が傾斜した傾斜面とするのが好ましい。これにより、突出部５０ａの側面（傾斜面）を、発光素子２０からの光を反射する反射面として用いることができ、光の取り出し効率を向上させることができる。
実施形態２では、発光素子２０の電極２４の配置も、実施形態１とは異なる。すなわち、発光素子２０の上面に形成される電極２４が、端部に近接して形成されている。このような発光素子２０を用いることで、ワイヤ３０のボール部３２も、発光素子２０の上面の端部に近接して形成される。これにより、ワイヤ３０を短くすることができる。発光素子２０同士を接続するワイヤ３０は、発光装置２の中央を横切るように配置されるため応力がかかりやすいが、ワイヤ３０を短くすることで、ワイヤ３０に応力がかかりにくくすることができ、ワイヤの破線を低減することができる。
本発明に係る発光装置は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機等、種々の発光装置に使用することができる。また、所謂サイドビュー型の発光装置など、リードフレームを用いる全ての発光装置に適用可能である。
１、２、３…発光装置
１０…導電部材
２０…発光素子
２２…半導体層
２４…電極
３０…合金ワイヤ
３２…ボール部
３４…再結晶領域
４０…封止部材
５０…樹脂部材
５０ａ…突出部

Claims (8)

  1. 導電部材と、
    電極を有する発光素子と、
    前記導電部材と、前記発光素子とを接続し、金及び銀を含むワイヤと、
    前記発光素子と前記ワイヤとを被覆する封止部材と、
    を備え、
    前記ワイヤは、金が１５質量％以上２５質量％以下であり、前記発光素子の電極上に設けられたボール部と、その上に、長さが５０μｍ〜９０μｍの再結晶領域と、を有し、
    前記封止部材は、前記ボール部の上から、該封止部材の上面までの最短距離が、９０μｍ〜２３０μｍであり、
    前記発光素子は、上面にｐ電極及びｎ電極を備え、前記ｎ電極は前記ｐ電極に比べて端部に近い位置に形成されてなり、
    前記ｐ電極に接続されたワイヤは、前記再結晶領域から延伸した部分に形成されている屈曲部と、該屈曲部からやや水平方向に延伸された位置に、もう１つの屈曲部を備えている、
    ことを特徴とする発光装置。
  2. 前記ワイヤは、直径が１８μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記ワイヤは、ループ高さが７０μｍ〜１５０μｍである、請求項１又は２に記載の発光装置。
  4. 前記封止部材は、線膨張係数が３×１０-６以上３５０×１０-６以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記封止部材は、シリコーン樹脂組成物を主成分とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記封止部材は、上面が凹面である請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記ワイヤの再結晶領域は、前記封止部材の上面の最も低い部分からずれて配置される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 前記封止部材は、ＫＳＦ系蛍光体を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
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