JP6626031B2 - 磁気テープ装置および磁気再生方法 - Google Patents

Description

本発明は、磁気テープ装置および磁気再生方法に関する。

記録媒体に情報を記録する方式の１つとして、磁気記録が挙げられる。磁気記録では、情報が磁化パターンとして磁気記録媒体に記録される。そして磁気記録媒体に記録された情報は、磁化パターンから得られる磁気的な信号を磁気ヘッドにより読み取ることによって再生される。かかる再生のために用いられる磁気ヘッドとして、各種磁気ヘッドが提案されている（例えば特許文献１参照）。

特開２００４−１８５６７６号公報

近年の情報量の莫大な増大に伴い、磁気記録媒体には記録容量を高めること（高容量化）が求められている。高容量化のための手段としては、磁気記録媒体の記録密度を高めることが挙げられる。しかし、記録密度を高めるほど磁性層から得られる磁気的な信号（具体的には漏れ磁界）は微弱になる傾向があるため、再生ヘッドとして、微弱な信号を感度よく読み取ることができる高感度な磁気ヘッドを用いることが望ましい。磁気ヘッドの感度に関しては、磁気抵抗効果を動作原理とするＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドが、従来使用されていたインダクティブヘッドと比べて優れていると言われている。

ＭＲヘッドとしては、特許文献１の段落０００３に記載されているように、ＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドおよびＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドが知られている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドより感度が高いと言われているＭＲヘッドである。更に、特許文献１の段落０００４等に記載されているＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドは、更なる高感度化の可能性が期待されているＭＲヘッドである。

一方、磁気記録の記録再生方式は、浮上型と摺動型に大別される。また、磁気記録により情報が記録される磁気記録媒体は、磁気ディスクと磁気テープとに大別される。以下において、磁気記録媒体として磁気ディスクを含むドライブを「磁気ディスク装置」といい、磁気記録媒体として磁気テープを含むドライブを「磁気テープ装置」という。
磁気ディスク装置は一般にＨＤＤ（Ｈａｒｄ ｄｉｓｋ ｄｒｉｖｅ）と呼ばれ、浮上型の記録再生方式を採用している。磁気ディスク装置では、磁気ディスク回転時の空気流によって磁気ディスクと磁気ヘッドとの所定の間隔を維持できるように、磁気ヘッドスライダの磁気ディスク対向面の形状および磁気ヘッドスライダを支えるヘッドサスペンションアセンブリが設計される。かかる磁気ディスク装置では、磁気ディスクと磁気ヘッドが接触しない状態で情報の記録および再生が行われる。このような記録再生方式が浮上型である。これに対し、磁気テープ装置は摺動型の記録再生方式を採用している。磁気テープ装置では、情報の記録および再生時には、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する。

特許文献１には、ＴＭＲヘッドを磁気ディスク装置において使用することが提案されている。これに対し、磁気テープ装置におけるＴＭＲヘッドの使用については、現在、将来的な使用の可能性が予測されているに留まる。現実の使用に至っていない理由としては、磁気テープ装置に用いられる再生ヘッドに対して、ＴＭＲヘッドを使用するほどの感度向上が現状要求されていないことが挙げられる。しかるに、磁気テープ装置においても再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用することができれば、今後の磁気テープの更なる高密度記録化に対応することが可能となる。

また、磁気テープ装置には、磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ−Ｒａｔｉｏ）で再生できることも望まれている。しかし、記録密度を高めるほど、ＳＮＲは低下しやすい傾向がある。

そこで本発明の目的は、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを搭載し、かつ磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲで再生可能な磁気テープ装置を提供することにある。

磁気テープに記録された情報を再生する際のＳＮＲを高めるための手段としては、磁気テープの磁性層表面の平滑性を高めることが挙げられる。更に本発明者らは、磁気テープの磁性層表面の平滑性を高めることに加えて更なる手段を採用することによって、より一層の高ＳＮＲ化を達成するために鋭意検討を重ねた。
一方、ＴＭＲヘッド等のＭＲヘッドの動作原理である磁気抵抗効果とは、磁界の変化によって電気抵抗が変化する現象である。ＭＲヘッドは、磁気記録媒体から発生する漏れ磁界の変化を抵抗値（電気抵抗）の変化として検出し、この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって情報を再生する。特許文献１の段落０００７に記載されているようにＴＭＲヘッドは一般に抵抗値が高いと言われているものの、ＴＭＲヘッドを用いて情報の再生を続けるうちにＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の大きな低下が発生することは、再生初期に対して経時的に再生出力が低下する原因となってしまう。
本発明者らは上記目的を達成するために検討を重ねる中で、磁気テープ装置において再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用すると、ＴＭＲヘッドにおいて抵抗値（電気抵抗）の顕著な低下が発生するという、従来まったく知られていなかった現象を見出した。ＴＭＲヘッドにおける抵抗値の低下とは、ＴＭＲヘッドに含まれるトンネル磁気抵抗効果型素子を構成する２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて測定される電気抵抗の低下である。この抵抗値が顕著に低下する現象は、磁気ディスク装置におけるＴＭＲヘッド使用時にも、磁気ディスク装置または磁気テープ装置におけるＧＭＲヘッド等の他のＭＲヘッド使用時にも、見られない。即ち、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用して情報の再生を行うとＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の顕著な低下が発生することは、従来認識すらされていなかった。磁気ディスク装置と磁気テープ装置の記録再生方式の違い、詳しくは、再生時の磁気記録媒体と磁気ヘッドとの接触の有無が、磁気テープ装置において発生するＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下が、磁気ディスク装置では見られない理由と考えられる。また、ＴＭＲヘッドが、磁気テープが搬送される方向に、絶縁層（トンネルバリア層）を挟んで２つの電極を有するという、現在実用化されている他のＭＲヘッドにはない特殊な構造を有することが、ＴＭＲヘッドにおいて発生する抵抗値の顕著な低下が他のＭＲヘッドでは見られない理由と考えられる。更にＴＭＲヘッドにおける抵抗値の顕著な低下は、磁気テープとして、磁性層表面の平滑性を高めた磁気テープを搭載した磁気テープ装置において一層顕著に発生する傾向が見られることも明らかとなった。これに対し、本発明者らは、上記現象を見出したうえで更なる鋭意検討を重ねた結果、かかる抵抗値の顕著な低下は、磁気テープとして以下に詳述する磁気テープを使用することによって抑制することができることを新たに見出した。
以上の知見に基づき、本発明の一態様は完成された。

即ち、本発明の一態様は、
磁気テープと、再生ヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子（以下、「ＴＭＲ素子」とも記載する。）を含む磁気ヘッド（以下、「ＴＭＲヘッド」とも記載する。）であり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末、結合剤および脂肪酸エステルを含む磁性層を有し、
上記強磁性粉末は強磁性六方晶フェライト粉末であり、
Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた上記磁性層のＸ線回折分析により求められる六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４）；以下、「ＸＲＤ（Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）強度比」とも記載する。）は０．５以上４．０以下であり、
上記磁気テープの垂直方向角型比は、０．６５以上１．００以下であり、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ（以下、「磁性層表面粗さＲａ」とも記載する。）は、２．０ｎｍ以下であり、
上記磁気テープを真空加熱する前に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅（以下、「ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}」ともいう。）は、０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、
上記磁気テープを真空加熱した後に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅（以下、「ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}」ともいう。）は、０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、かつ
上記磁気テープを真空加熱した後に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}と、上記磁気テープを真空加熱する前に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}との差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）（以下、単に「差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）」ともいう。）は、０ｎｍ超かつ８．０ｎｍ以下である、磁気テープ装置、
に関する。

また、本発明の一態様は、
磁気テープに記録された情報を再生ヘッドによって再生することを含む磁気再生方法であって、
上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末、結合剤および脂肪酸エステルを含む磁性層を有し、
上記強磁性粉末は強磁性六方晶フェライト粉末であり、
Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた上記磁性層のＸ線回折分析により求められる六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４））は０．５以上４．０以下であり、
上記磁気テープの垂直方向角型比は、０．６５以上１．００以下であり、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
上記磁気テープを真空加熱する前に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、
上記磁気テープを真空加熱した後に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、かつ
上記磁気テープを真空加熱した後に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}と、上記磁気テープを真空加熱する前に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}との差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、０ｎｍ超かつ８．０ｎｍ以下である、磁気再生方法、
に関する。

本発明および本明細書において、磁気テープの「真空加熱」とは、磁気テープを２００Ｐａ以上０．０１ＭＰａ以下の圧力かつ７０〜９０℃の雰囲気温度の環境下に２４時間保持することにより行われる。

本発明および本明細書において、磁気テープの磁性層表面において光学干渉法により測定されるスペーシングとは、以下の方法により測定される値とする。また、本発明および本明細書において、磁気テープの「磁性層（の）表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。
磁気テープと透明な板状部材（例えばガラス板等）を、磁気テープの磁性層表面が透明な板状部材と対向するように重ね合わせた状態で、磁気テープの磁性層側とは反対側から５．０５×１０^４Ｎ／ｍ（０．５ａｔｍ）の圧力で押圧部材を押しつける。この状態で、透明な板状部材を介して磁気テープの磁性層表面に光を照射し（照射領域：１５００００〜２０００００μｍ^２）、磁気テープの磁性層表面からの反射光と透明な板状部材の磁気テープ側表面からの反射光との光路差によって発生する干渉光の強度（例えば干渉縞画像のコントラスト）に基づき、磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間のスペーシング（距離）を求める。ここで照射される光は特に限定されるものではない。照射される光が、複数波長の光を含む白色光のように、比較的広範な波長範囲にわたり発光波長を有する光の場合には、透明な板状部材と反射光を受光する受光部との間に、干渉フィルタ等の特定波長または特定波長域以外の光を選択的にカットする機能を有する部材を配置し、反射光の中の一部の波長または一部の波長域の光を選択的に受光部に入射させる。照射させる光が単一の発光ピークを有する光（いわゆる単色光）の場合には、上記の部材は用いなくてもよい。受光部に入射させる光の波長は、一例として、例えば５００〜７００ｎｍの範囲にあることができる。ただし、受光部に入射させる光の波長は、上記範囲に限定されるものではない。また、透明な板状部材は、この部材を介して磁気テープに光を照射し干渉光が得られる程度に、照射される光を透過する透明性を有する部材であればよい。
以上の測定は、例えばＭｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ等の市販のテープスペーシングアナライザー（ＴＳＡ；Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ）を用いて行うことができる。実施例におけるスペーシング測定は、Ｍｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒを用いて実施した。
また、本発明および本明細書におけるスペーシング分布の半値全幅とは、上記スペーシングの測定により得られる干渉縞画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのスペーシング（磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間の距離）を求め、これをヒストグラムとし、このヒストグラムをガウス分布でフィッティングしたときの半値全幅（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ；ＦＷＨＭ）である。
また、差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、上記３０００００ポイントにおける真空加熱後の最頻値から真空加熱前の最頻値を差し引いた値をいうものとする。

上記磁気テープ装置および上記磁気再生方法の一態様は、以下の通りである。

一態様では、ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}は、３．０ｎｍ以上７．０ｎｍ以下である。

一態様では、ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}は、３．０ｎｍ以上７．０ｎｍ以下である。

一態様では、差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、２．０ｎｍ以上８．０ｎｍ以下である。

一態様では、上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上２．０ｎｍ以下である。

一態様では、上記垂直方向角型比は、０．６５以上０．９０以下である。

一態様では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する。

本発明の一態様によれば、磁気テープに記録された情報をＴＭＲヘッドによって再生する際、高ＳＮＲでの再生が可能であり、かつＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の顕著な低下が発生することを抑制することができる。

実施例で用いた振動付与装置の概略構成図である。

［磁気テープ装置］
本発明の一態様は、磁気テープと、再生ヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末、結合剤および脂肪酸エステルを含む磁性層を有し、上記強磁性粉末は強磁性六方晶フェライト粉末であり、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた上記磁性層のＸ線回折分析により求められる六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４））は０．５以上４．０以下であり、上記磁気テープの垂直方向角型比は０．６５以上１．００以下であり、上記磁気テープを真空加熱する前に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅（ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、上記磁気テープを真空加熱した後に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅（ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}）は、０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、かつ上記磁気テープを真空加熱した後に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}と、上記磁気テープを真空加熱する前に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}との差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は０ｎｍ超かつ８．０ｎｍ以下である磁気テープ装置に関する。

本発明および本明細書において、「強磁性六方晶フェライト粉末」とは、複数の強磁性六方晶フェライト粒子の集合を意味するものとする。強磁性六方晶フェライト粒子とは、六方晶フェライト結晶構造を有する強磁性粒子である。以下では、強磁性六方晶フェライト粉末を構成する粒子（強磁性六方晶フェライト粒子）を、「六方晶フェライト粒子」または単に「粒子」とも記載する。「集合」とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。以上の点は、本発明および本明細書における非磁性粉末等の各種粉末についても同様とする。

本発明および本明細書において、方向および角度に関する記載（例えば垂直、直交、平行等）には、特記しない限り、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。上記誤差の範囲とは、例えば、厳密な角度±１０°未満の範囲を意味し、厳密な角度±５°以内であることが好ましく、±３°以内であることがより好ましい。

本発明者らは、上記磁気テープ装置において磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲで再生可能なことには、磁性層表面粗さＲａ、垂直方向角型比およびＸＲＤ強度比が上記範囲であることが寄与し、ＴＭＲヘッドにおける抵抗値の顕著な低下の抑制が可能であることには、ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}、ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}および差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）が上記範囲であることが寄与すると考えている。

磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下であることは、ＳＮＲ低下の原因となるスペーシングロスを低減することに寄与し得る。更に垂直方向角型比が０．６５以上１．００以下であること、およびＸＲＤ強度比が０．５以上４．０以下であることも、ＳＮＲ向上に寄与し得る。この点について、以下に更に記載する。

本発明者らは、磁性層に含まれる強磁性六方晶フェライト粉末の中には、強磁性六方晶フェライト粉末（粒子の集合）の磁気特性に影響を及ぼす粒子（以下、「前者の粒子」ともいう。）と、影響を及ぼさないか影響が少ないと考えられる粒子（以下、「後者の粒子」ともいう。）とが含まれていると推察している。後者の粒子は、例えば磁性層形成用組成物の調製時に行われる分散処理により粒子が一部欠けること（チッピング（ｃｈｉｐｐｉｎｇ））により発生した微細な粒子と考えられる。
そして本発明者らは、磁性層に含まれる強磁性六方晶フェライト粉末に含まれる粒子の中で、前者の粒子は、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いたＸ線回折分析において回折ピークをもたらす粒子であり、後者の粒子は微細なため回折ピークをもたらさないか回折ピークへの影響は小さいと考えている。そのため、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた磁性層のＸ線回折分析によってもたらされる回折ピークの強度に基づけば、強磁性六方晶フェライト粉末の磁気特性に影響を及ぼす粒子の磁性層における存在状態を制御することができると推察している。詳細を後述するＸＲＤ強度比は、この点に関する指標と本発明者らは考えている。
一方、垂直方向角型比とは、磁性層表面に対して垂直な方向で測定される飽和磁化に対する残留磁化の比であって、残留磁化が小さいほど値が小さくなる。上記の後者の粒子は微細であり磁化を保持し難いと考えられるため、磁性層において後者の粒子が多く含まれるほど、垂直方向角型比は小さくなる傾向があると推察される。そのため、垂直方向角型比は、磁性層における上記の後者の粒子（微細な粒子）の存在量の指標になり得ると本発明者らは考えている。かかる微細な粒子の磁性層における存在量が少ないほど、強磁性六方晶フェライト粉末の磁気特性は向上すると考えられる。
そして上記磁気テープ装置に含まれる磁気テープにおいて、垂直方向角型比およびＸＲＤ強度比がそれぞれ上記範囲にあることが、磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲで再生できることに寄与し、その結果、高密度記録された情報であっても高ＳＮＲでの再生が可能になると推察される。高ＳＮＲでの再生が可能になることは、磁性層における後者の粒子（微細な粒子）の存在量を低減し、かつ磁性層における前者の粒子の存在状態を制御することによりもたらされると本発明者らは推察している。

以上が、上記磁気テープ装置において、磁気テープに記録された情報を高ＳＮＲで再生可能であることに関する本発明者らの推察である。更に、上記磁気テープにおいて、抵抗値の顕著な低下が発生することを抑制してＴＭＲヘッドを使用できることについて、本発明者らは以下のように考えている。

磁気テープ装置において、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する場合、従来の磁気テープを適用すると、ＴＭＲヘッドにおいて抵抗値（電気抵抗）が顕著に低下する現象が発生してしまう。この現象は、本発明者によって新たに見出された現象である。かかる現象が発生する理由を、本発明者らは以下のように考えている。
ＴＭＲヘッドは、トンネル磁気抵抗効果を利用する磁気ヘッドであって、絶縁層（トンネルバリア層）を挟んで２つの電極を有する。２つの電極間に位置するトンネルバリア層は絶縁層であるため、２つの電極間に電圧を印加しても、通常は電極間に電流は流れないかほとんど流れない。しかし、磁気テープからの漏れ磁界の影響を受けたフリー層の磁界の向きによって、トンネル効果により電流（トンネル電流）が流れ、トンネル磁気抵抗効果によって、トンネル電流が流れる量の変化が抵抗値の変化として検出される。この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって、磁気テープに記録された情報を再生することができる。
また、ＭＲヘッドの構造としては、ＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ）構造とＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−Ｐｌａｎｅ）構造とがあり、ＴＭＲヘッドはＣＰＰ構造を有する磁気ヘッドである。ＣＰＰ構造のＭＲヘッドでは、ＭＲ素子の膜面に垂直な方向、即ち磁気テープに記録された情報を再生する場合に磁気テープが搬送される方向に電流が流れる。これに対し、他のＭＲヘッド、例えばＧＭＲヘッドの中で近年広く用いられているスピンバルブ型ＧＭＲヘッドは、ＣＩＰ構造を有する。ＣＩＰ構造を有するＭＲヘッドでは、ＭＲ素子の膜面内方向、即ち磁気テープに記録された情報を再生する場合に磁気テープが搬送される方向と直交する方向に電流が流れる。
以上のように、ＴＭＲヘッドは現在実用化されている他のＭＲヘッドにはない特殊な構造を有する。このため、２つの電極間に１箇所でも短絡（損傷によってできた迂回路）が発生すると抵抗値が顕著に低下してしまう。このように２つの電極間に１箇所でも短絡が発生すると抵抗値が顕著に低下することは、他のＭＲヘッドでは起こらない現象である。また、浮上型の記録再生方式を採用する磁気ディスク装置では、再生時に磁気ディスクと再生ヘッドは接触しないため、短絡を引き起こす損傷は発生し難い。これに対し、摺動型の記録再生方式を採用する磁気テープ装置では、何ら対策を施さない場合には、磁気テープとの摺動によって、ＴＭＲヘッドが損傷し短絡が起こりやすい。以上のことが、磁気テープ装置において再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用すると、再生時にＴＭＲヘッドの抵抗値低下が顕著に発生する理由と本発明者らは推察している。また、磁気テープの磁性層表面の平滑性を高めると、磁性層表面と再生ヘッドとの接触面積（いわゆる真実接触面積）は増すと考えられる。この接触面積が増すことにより磁気テープとの摺動時に再生ヘッドがより損傷しやすくなることが、磁性層表面の平滑性を高めた磁気テープを搭載した磁気テープ装置において、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下が顕在化する傾向がある理由と考えられる。

これに対し本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}、ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}、および差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）がそれぞれ上記範囲の磁気テープによって、磁気テープ装置において再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用すると再生時にＴＭＲヘッドの抵抗値低下が顕著に発生する現象を抑制することが可能になることを新たに見出した。この点に関する本発明者らの推察は、下記（１）および（２）の通りである。

（１）磁性層表面には、通常、磁気テープと再生ヘッドとが摺動する際に再生ヘッドと主に接触（いわゆる真実接触）する部分（突起）と、この部分より低い部分（以下、「素地部分」と記載する。）とが存在する。先に説明したスペーシングは、磁気テープと再生ヘッドとが摺動する際の再生ヘッドと素地部分との距離の指標になる値であると、本発明者らは考えている。ただし磁性層に含まれる潤滑剤が磁性層表面に液膜を形成していると、素地部分と再生ヘッドとの間に液膜が存在することにより、液膜の厚み分、スペーシングは狭くなると考えられる。
ところで、潤滑剤は、一般に流体潤滑剤と境界潤滑剤とに大別される。上記磁気テープの磁性層に含まれる脂肪酸エステルは、流体潤滑剤として機能し得る成分と言われている。流体潤滑剤は、それ自体が磁性層表面に液膜を形成することにより、磁性層表面を保護する役割を果たすことができると考えられる。本発明者らは、磁性層表面に脂肪酸エステルの液膜が存在することが、磁気テープと再生ヘッド（ＴＭＲヘッド）とが円滑に摺動すること（摺動性の向上）に寄与すると考えた。ただし、脂肪酸エステルが磁性層表面に過剰に存在すると、脂肪酸エステルにより磁性層表面と再生ヘッドとの間にメニスカス（液架橋）が形成されて貼り付きの原因になり摺動性が低下すると考えられる。
以上の点に関して本発明者らは、脂肪酸エステルが真空加熱により揮発する性質を有する成分であることに着目し、真空加熱後（脂肪酸エステルの液膜が揮発し除去された状態）と真空加熱前（脂肪酸エステルの液膜が存在している状態）のスペーシングの差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）を、磁性層表面における脂肪酸エステルにより形成される液膜の厚みの指標として採用した。この値が０ｎｍ超かつ８．０ｎｍ以下となるように磁性層表面に脂肪酸エステルの液膜を存在させることが、貼り付きの発生を抑制しつつ、再生ヘッド（ＴＭＲヘッド）と磁気テープとの摺動性を向上することにつながると、本発明者らは推察している。

（２）上記のスペーシング分布の半値全幅は、この値が小さいほど、磁性層表面の各部において測定されるスペーシングの値にばらつきが少ないことを意味する。本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、磁気テープと再生ヘッドとを円滑に摺動させるためには、磁性層表面に存在する突起の高さの均一性を高め、かつ脂肪酸エステルの液膜の厚みの均一性を高めることにより、磁性層表面と再生ヘッドとの接触状態の均一性を高めることが有効であると考えるに至った。
この点に関し、上記のスペーシングの値がばらつく要因は、磁性層表面の突起の高さのばらつきと、脂肪酸エステルの液膜の厚みのばらつきにあると考えられる。真空加熱前、即ち磁性層表面に脂肪酸エステルの液膜が存在する状態で測定されるスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}は、突起の高さのばらつきと脂肪酸エステルの液膜の厚みのばらつきが大きいほど大きくなり、中でも脂肪酸エステルの液膜の厚みのばらつきが大きく影響すると、本発明者らは推察している。これに対し、真空加熱後、即ち磁性層表面から脂肪酸エステルの液膜が除去された状態で測定されるスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}は、突起の高さのばらつきが大きいほど大きくなると本発明者らは考えている。即ち、スペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}およびＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}がともに小さいほど、磁性層表面の脂肪酸エステルの液膜の厚みのばらつきも突起の高さのばらつきも小さいことを意味すると、本発明者らは推察している。そしてスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}およびＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}がともに０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下となるように、突起の高さおよび脂肪酸エステルの液膜の厚みの均一性を高めることが、磁気テープとＴＭＲヘッドとを円滑に摺動させることに寄与すると考えられる。その結果、磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍであり磁性層表面の平滑性に優れる磁気テープとの摺動によってＴＭＲヘッドが損傷し短絡が発生することを抑制することができると本発明者らは推察している。
ただし以上は本発明者らの推察であって、本発明を何ら限定するものではない。

以下、上記磁気テープ装置について、更に詳細に説明する。以下に記載の「ＴＭＲヘッドの抵抗値低下」とは、特記しない限り、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを搭載した磁気テープ装置において磁気テープに記録された情報をＴＭＲヘッドによって再生する際に発生するＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下をいうものとする。

＜磁気テープ＞
＜＜磁性層表面粗さＲａ＞＞
上記磁気テープの磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ（磁性層表面粗さＲａ）は、２．０ｎｍ以下である。このことが、上記磁気テープ装置において、磁気テープに高密度記録された情報を高ＳＮＲで再生できることに寄与し得る。ＳＮＲを更に高める観点からは、磁性層表面粗さＲａは、１．９ｎｍ以下であることが好ましく、１．８ｎｍ以下であることがより好ましく、１．７ｎｍ以下であることが更に好ましく、１．６ｎｍ以下であることが一層好ましく、１．５ｎｍ以下であることがより一層好ましい。また、磁性層表面粗さＲａは、例えば１．０ｎｍ以上または１．２ｎｍ以上であることができる。ただし、磁気テープに高密度記録された情報を再生する際のＳＮＲを高める観点からは磁性層表面粗さＲａが低いことは好ましいため、上記例示した下限を下回ってもよい。

本発明および本明細書における磁気テープの磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）により磁性層表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域において測定される値とする。測定条件の一例としては、下記の測定条件を挙げることができる。後述の実施例に示す磁性層表面粗さＲａは、下記測定条件下での測定によって求めた値である。
ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて磁気テープの磁性層の表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域を測定する。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ−３００を使用し、スキャン速度（探針移動速度）は４０μｍ／秒、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとする。

磁性層表面粗さＲａは、公知の方法により制御することができる。例えば、磁性層に含まれる各種粉末のサイズ、磁気テープの製造条件等により磁性層表面粗さＲａは変わり得る。したがって、これらの１つ以上を調整することにより、磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下の磁気テープを得ることができる。

＜＜スペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}、ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}＞＞
上記磁気テープにおいて測定される真空加熱前のスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}、および真空加熱後のスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}は、ともに０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下である。このことが、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下を抑制することに寄与すると、本発明者らは推察している。ＴＭＲヘッドの抵抗値低下をより一層抑制する観点から、ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}およびＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}は、６．５ｎｍ以下であることが好ましく、６．０ｎｍ以下であることがより好ましく、５．５ｎｍ以下であることが更に好ましく、５．０ｎｍ以下であることが一層好ましく、４．５ｎｍ以下であることが更に一層好ましい。ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}およびＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}は、例えば０．５ｎｍ以上、１．０ｎｍ以上、２．０ｎｍ以上、または３．０ｎｍ以上であることができる。ただし、値が小さいほど、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下を抑制する観点から好ましいため、上記の例示した値を下回ってもよい。
真空加熱前のスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}は、主に脂肪酸エステルの液膜の厚みのばらつきを低減することにより小さくすることができる。具体的な手段の一例は後述する。一方、真空加熱後のスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}は、磁性層表面の突起の高さのばらつきを低減することにより小さくすることができる。そのためには、磁性層に含まれる粉末成分、例えば詳細を後述する非磁性フィラーの磁性層における存在状態を制御することが好ましい。具体的な手段の一例は後述する。

＜＜差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）＞＞
上記磁気テープにおいて測定される真空加熱前後のスペーシングの差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、０ｎｍ超かつ８．０ｎｍ以下である。このことも、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下を抑制することに寄与すると、本発明者らは推察している。ＴＭＲヘッドの抵抗値低下をより一層抑制する観点から、差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、０．１ｎｍ以上であることが好ましく、１．０ｎｍ以上であることがより好ましく、１．５ｎｍ以上であることが更に好ましく、２．０ｎｍ以上であることが一層好ましく、２．５ｎｍ以上であることがより一層好ましい。一方、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下をより一層抑制する観点からは、差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、７．５ｎｍ以下であることが好ましく、７．０ｎｍ以下であることがより好ましく、６．５ｎｍ以下であることが更に好ましく、６．０ｎｍ以下であることが一層好ましく、５．５ｎｍ以下であることがより一層好ましく、５．０ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、４．５ｎｍ以下であることが更により一層好ましく、４．０ｎｍ以下であることが更になお一層好ましい。差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、磁性層形成用組成物に添加する脂肪酸エステル量によって制御することができる。また、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する磁気テープについては、非磁性層形成用組成物に添加する脂肪酸エステル量によっても制御することができる。非磁性層は、潤滑剤を保持し磁性層に供給する役割を果たすことができ、非磁性層に含まれる脂肪酸エステルは磁性層に移行し磁性層表面に存在し得るからである。

＜＜ＸＲＤ強度比＞＞
上記磁気テープは、磁性層に強磁性六方晶フェライト粉末を含む。ＸＲＤ強度比は、強磁性六方晶フェライト粉末を含む磁性層をＩｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いてＸ線回折分析することによって求められる。以下において、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いて行われるＸ線回折分析を、「Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤ」とも記載する。Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤは、薄膜Ｘ線回折装置を用いて、以下の条件で、磁性層表面にＸ線を照射して行うものとする。測定方向は、磁気テープの長手方向とする。
Ｃｕ線源使用（出力４５ｋＶ、２００ｍＡ）
Ｓｃａｎ条件：２０〜４０ｄｅｇｒｅｅの範囲を０．０５ｄｅｇｒｅｅ／ｓｔｅｐ、０．１ｄｅｇｒｅｅ／ｍｉｎ
使用光学系：平行光学系
測定方法：:２θχスキャン(Ｘ線入射角０．２５°)
上記条件は、薄膜Ｘ線回折装置における設定値である。薄膜Ｘ線回折装置としては、公知の装置を用いることができる。薄膜Ｘ線回折装置の一例としては、リガク社製ＳｍａｒｔＬａｂを挙げることができる。Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤの分析に付す試料は、測定対象の磁気テープから切り出したテープ試料であって、後述する回折ピークが確認できればよく、その大きさおよび形状は限定されるものではない。

Ｘ線回折分析の手法としては、薄膜Ｘ線回折と粉末Ｘ線回折が挙げられる。粉末Ｘ線回折は粉末試料のＸ線回折を測定するのに対し、薄膜Ｘ線回折によれば基板上に形成された層等のＸ線回折を測定することができる。薄膜Ｘ線回折は、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法とＯｕｔ−Ｏｆ−Ｐｌａｎｅ法とに分類される。測定時のＸ線入射角は、Ｏｕｔ−Ｏｆ−Ｐｌａｎｅ法では５．００〜９０．００°の範囲であるのに対し、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法では通常０．２０〜０．５０°の範囲である。本発明および本明細書におけるＩｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤでは、上記の通りＸ線入射角は０．２５°とする。Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法は、Ｏｕｔ−Ｏｆ−Ｐｌａｎｅ法と比べてＸ線入射角が小さいためＸ線の侵入深さが浅い。したがって、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いるＸ線回折分析（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤ）によれば、測定対象試料の表層部のＸ線回折分析を行うことができる。テープ試料については、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤによれば磁性層のＸ線回折分析を行うことができる。上記のＸＲＤ強度比とは、かかるＩｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤにより得られたＸ線回折スペクトルの中で、六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４））である。Ｉｎｔは、Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（強度）の略称として用いている。Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤにより得られるＸ線回折スペクトル（縦軸：Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ、横軸：回折角２θχ（ｄｅｇｒｅｅ））において、（１１４）面の回折ピークは、２θχが３３〜３６ｄｅｇｒｅｅの範囲で検出されるピークであり、（１１０）面の回折ピークは、２θχが２９〜３２ｄｅｇｒｅｅの範囲で検出されるピークである。

回折面の中で、六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面は、強磁性六方晶フェライト粉末の粒子（六方晶フェライト粒子）の磁化容易軸方向（ｃ軸方向）近くに位置する。また、六方晶フェライト結晶構造の（１１０）面は、磁化容易軸方向と直交する方向に位置する。
本発明者らは、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤによって求められるＸ線回折スペクトルにおいて、六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４）；ＸＲＤ強度比）が大きいほど、磁化容易軸方向と直交する方向が磁性層表面に対してより平行に近い状態で存在する前者の粒子が磁性層に多く存在することを意味し、ＸＲＤ強度比が小さいほど、そのような状態で存在する前者の粒子が磁性層に少ないことを意味すると推察している。そして、ＸＲＤ強度比が０．５以上４．０以下である状態とは、前者の粒子が磁性層において適度に整列した状態にあることを意味すると考えられる。このことが、磁気テープに記録された情報をＴＭＲヘッドによって再生する際のＳＮＲを高めることに寄与すると、本発明者らは推察している。
ＸＲＤ強度比は、ＳＮＲをより一層高める観点から、３．５以下であることが好ましく、３．０以下であることがより好ましい。また、同様の観点から、ＸＲＤ強度比は、０．７以上であることが好ましく、１．０以上であることがより好ましい。ＸＲＤ強度比は、例えば、磁気テープの製造工程において行われる配向処理の処理条件によって制御することができる。配向処理としては、垂直配向処理を行うことが好ましい。垂直配向処理は、好ましくは、湿潤状態（未乾燥状態）の磁性層形成用組成物の塗布層の表面に対して垂直に磁場を印加することにより行うことができる。配向条件を強化するほど、ＸＲＤ強度比の値は大きくなる傾向がある。配向処理の処理条件としては、配向処理における磁場強度等が挙げられる。配向処理の処理条件は特に限定されるものではない。０．５以上４．０以下のＸＲＤ強度比が実現できるように配向処理の処理条件を設定すればよい。一例として、垂直配向処理における磁場強度は、０．１０〜０．８０Ｔとすることができ、または０．１０〜０．６０Ｔとすることもできる。磁性層形成用組成物における強磁性六方晶フェライト粉末の分散性を高めるほど、垂直配向処理によりＸＲＤ強度比の値は大きくなる傾向がある。

＜＜垂直方向角型比＞＞
垂直方向角型比とは、磁気テープの垂直方向において測定される角型比である。角型比に関して記載する「垂直方向」とは、磁性層表面と直交する方向をいう。即ち磁気テープについて、垂直方向は、磁気テープの長手方向と直交する方向でもある。垂直方向角型比は、振動試料型磁束計を用いて測定される。詳しくは、本発明および本明細書における垂直方向角型比は、振動試料型磁束計において、２３℃±１℃の測定温度において、磁気テープに外部磁場を最大外部磁場１１９４ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）かつスキャン速度４．８ｋＡ／ｍ／秒（６０Ｏｅ／秒）の条件で掃引して求められる値であって、反磁界補正後の値とする。測定値は、振動試料型磁束計のサンプルプローブの磁化をバックグラウンドノイズとして差し引いた値として得るものとする。

上記テープの垂直方向角型比は、０．６５以上である。本発明者らは、磁気テープの垂直方向角型比は、先に記載した後者の粒子（微細な粒子）の存在量の指標になり得ると推察している。磁気テープの垂直方向角型比が０．６５以上である磁性層は、かかる微細な粒子の存在量が少ないと考えられる。このことが、磁気テープに記録された情報をＴＭＲヘッドによって再生する際のＳＮＲを高めることに寄与すると、本発明者らは推察している。ＳＮＲをより一層高める観点から、上記垂直方向角型比は０．７０以上であることが好ましく、０．７３以上であることがより好ましく、０．７５以上であることが更に好ましい。また、角型比は、原理上、最大で１．００である。したがって、上記磁気テープの垂直方向角型比は１．００以下である。上記垂直方向角型比は、例えば０．９５以下、０．９０以下、０．８７以下または０．８５以下であってもよい。ただし、上記垂直方向角型比の値が大きいほど、磁性層中に上記の微細な後者の粒子が少なくＳＮＲを高める観点から好ましいと考えられる。したがって、上記垂直方向角型比は、上記例示した値を上回ってもよい。

上記垂直方向角型比を０．６５以上とするためには、磁性層形成用組成物の調製工程において、粒子が一部欠けること（チッピング）によって微細な粒子が発生することを抑制することが好ましいと本発明者らは考えている。チッピングの発生を抑制するための具体的手段は後述する。

次に、上記磁気テープに含まれる磁性層等について、更に詳細に説明する。

＜＜磁性層＞＞
（強磁性粉末）
上記磁気テープの磁性層は、強磁性粉末として強磁性六方晶フェライト粉末を含む。強磁性六方晶フェライト粉末に関して、六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。上記磁性層に含まれる強磁性六方晶フェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。また、六方晶フェライトの結晶構造には、構成原子として、鉄原子および二価金属原子が含まれる。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、バリウム原子、ストロンチウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。例えば、二価金属原子としてバリウム原子を含む六方晶フェライトは、バリウムフェライトであり、ストロンチウム原子を含む六方晶フェライトは、ストロンチウムフェライトである。また、六方晶フェライトは、二種以上の六方晶フェライトの混晶であってもよい。混晶の一例としては、バリウムフェライトとストロンチウムフェライトの混晶を挙げることができる。

強磁性六方晶フェライト粉末の粒子サイズの指標としては、活性化体積を用いることができる。「活性化体積」とは、磁化反転の単位である。本発明および本明細書に記載の活性化体積は、振動試料型磁束計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで雰囲気温度２３℃±１℃の環境下で測定し、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１−［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］^１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数、Ｍｓ：飽和磁化、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、Ｖ：活性化体積、Ａ：スピン歳差周波数、ｔ：磁界反転時間］
高密度記録化を達成するための方法としては、磁性層に含まれる強磁性粉末の粒子サイズを小さくし、磁性層の強磁性粉末の充填率を高める方法が挙げられる。この点から、強磁性六方晶フェライト粉末の活性化体積は、２５００ｎｍ^３以下であることが好ましく、２３００ｎｍ^３以下であることがより好ましく、２０００ｎｍ^３以下であることが更に好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、活性化体積は、例えば８００ｎｍ^３以上であることが好ましく、１０００ｎｍ^３以上であることがより好ましく、１２００ｎｍ^３以上であることが更に好ましい。なお磁性層形成用組成物の調製のために使用する強磁性六方晶フェライト粉末（以下、「原料粉末」とも記載する。）の活性化体積と、調製した磁性層形成用組成物を用いて形成された磁性層における強磁性六方晶フェライト粉末の活性化体積は、同じ場合もあり異なる場合もある。

強磁性六方晶フェライト粉末を構成する粒子の形状は、強磁性六方晶フェライト粉末を透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントして得た粒子写真において、デジタイザーで粒子（一次粒子）の輪郭をトレースして特定するものとする。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。透過型電子顕微鏡を用いる撮影は、加速電圧３００ｋＶで透過型電子顕微鏡を用いて直接法により行うものとする。透過型電子顕微鏡観察および測定は、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型およびカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて行うことができる。強磁性六方晶フェライト粉末を構成する粒子の形状に関して、「板状」とは、対向する２つの板面を有する形状をいう。一方、そのような板面を持たない粒子形状の中で、長軸と短軸の区別のある形状が「楕円状」である。長軸とは、粒子の長さを最も長く取ることができる軸（直線）として決定する。一方、短軸とは、長軸と直交する直線で粒子長さを取ったときに長さが最も長くなる軸として決定する。長軸と短軸の区別がない形状、即ち長軸長＝短軸長となる形状が「球状」である。形状から長軸および短軸が特定できない形状を不定形と呼ぶ。上記の粒子形状特定のための透過型電子顕微鏡を用いる撮影は、撮影対象粉末に配向処理を施さずに行う。磁性層形成用組成物の調製に用いる原料粉末および磁性層に含まれる強磁性六方晶フェライト粉末の形状は、板状、楕円状、球状および不定形のいずれでもよい。

なお本発明および本明細書に記載の各種粉末に関する平均粒子サイズは、特記しない限り、上記のように撮影された粒子写真を用いて、無作為に抽出した５００個の粒子について求められた値の算術平均とする。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて得られた値である。

強磁性六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３４〜０１３６も参照できる。

磁性層における強磁性六方晶フェライト粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。磁性層の強磁性六方晶フェライト粉末以外の成分は少なくとも結合剤および脂肪酸エステルであり、任意に一種以上の添加剤が含まれ得る。磁性層において強磁性六方晶フェライト粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。

（結合剤）
上記磁気テープは塗布型磁気テープであって、磁性層に、強磁性粉末とともに結合剤を含む。結合剤としては、一種以上の樹脂を使用する。樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００２８〜００３１を参照できる。また、結合剤は、電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂であってもよい。放射線硬化型樹脂については、特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００４４〜００４５を参照できる。
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。測定条件としては、下記条件を挙げることができる。後述の実施例に示す重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ(ｉｎｎｅｒ ｄｉａｍｅｔｅｒ（内径）)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）

また、結合剤とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１２４〜０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０〜８０．０質量部、磁性層等の各層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０〜８０．０質量部の量で使用することができる。

（脂肪酸エステル）
上記磁気テープは、磁性層に脂肪酸エステルを含む。脂肪酸エステルは、一種のみ含まれていてもよく、二種以上が含まれていてもよい。脂肪酸エステルとしては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等のエステルを挙げることができる。具体例としては、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル（ブチルステアレート）、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。
脂肪酸エステル含有量は、磁性層形成用組成物における含有量として、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１〜１０.０質量部であり、好ましくは１．０〜７．０質量部である。脂肪酸エステルとして二種以上の異なる脂肪酸エステルを使用する場合、含有量とは、それらの合計含有量をいうものとする。この点は、本発明および本明細書において、特記しない限り、他の成分の含有量についても同様である。また、本発明および本明細書において、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく二種以上用いてもよい。
また、上記磁気テープが非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する場合、非磁性層形成用組成物における脂肪酸エステル含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは０．１〜８．０質量部である。

（その他潤滑剤）
上記磁気テープは、少なくとも磁性層に、潤滑剤の一種である脂肪酸エステルを含む。脂肪酸エステル以外の潤滑剤が、任意に磁性層および／または非磁性層に含まれていてもよい。上記の通り、非磁性層に含まれる潤滑剤は、磁性層に移行し磁性層表面に存在し得る。任意に含まれ得る潤滑剤としては、脂肪酸を挙げることができる。また、脂肪酸アミド等を挙げることもできる。なお脂肪酸エステルは流体潤滑剤として機能することができる成分と言われているのに対し、脂肪酸および脂肪酸アミドは、境界潤滑剤として機能することができる成分と言われている。境界潤滑剤は、粉末（例えば強磁性粉末）の表面に吸着し強固な潤滑膜を形成することで接触摩擦を下げることのできる潤滑剤と考えられる。
脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。脂肪酸は、金属塩等の塩の形態で磁性層に含まれていてもよい。
脂肪酸アミドとしては、上記の各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。
脂肪酸と脂肪酸の誘導体（アミドおよびエステル等）については、脂肪酸誘導体の脂肪酸由来部位は、併用される脂肪酸と同様または類似の構造を有することが好ましい。例えば、一例として、脂肪酸としてステアリン酸を用いる場合にステアリン酸エステルおよび／またはステアリン酸アミドを使用することは好ましい。
磁性層形成用組成物における脂肪酸含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０.０質量部であり、好ましくは０．１〜１０.０質量部であり、より好ましくは１．０〜７．０質量部である。磁性層形成用組成物における脂肪酸アミド含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜３.０質量部であり、好ましくは０〜２．０質量部であり、より好ましくは０〜１．０質量部である。
また、上記磁気テープが非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する場合、非磁性層形成用組成物における脂肪酸含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは１．０〜１０．０質量部であり、より好ましくは１．０〜７．０質量部である。非磁性層形成用組成物における脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜３．０質量部であり、好ましくは０〜１．０質量部である。

（その他成分）
磁性層には、上記の各種成分とともに、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤の一例としては、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれ得る添加剤としては、非磁性フィラー、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。非磁性フィラーとは、非磁性粉末と同義である。非磁性フィラーとしては、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性フィラー（以下、「突起形成剤」と記載する。）、および研磨剤として機能することができる非磁性フィラー（以下、「研磨剤」と記載する。）を挙げることができる。

−非磁性フィラー−
非磁性フィラーの一態様である突起形成剤としては、一般に突起形成剤として使用される各種非磁性粉末を用いることができる。これらは、無機物質であっても有機物質であってもよい。一態様では、摩擦特性の均一化の観点からは、突起形成剤の粒度分布は、分布中に複数のピークを有する多分散ではなく、単一ピークを示す単分散であることが好ましい。単分散粒子の入手容易性の点からは、突起形成剤は無機物質の粉末（無機粉末）であることが好ましい。無機粉末としては、金属酸化物等の無機酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末を挙げることができ、無機酸化物の粉末であることが好ましい。突起形成剤は、より好ましくはコロイド粒子であり、更に好ましくは無機酸化物コロイド粒子である。また、単分散粒子の入手容易性の観点からは、無機酸化物コロイド粒子を構成する無機酸化物は二酸化珪素（シリカ）であることが好ましい。無機酸化物コロイド粒子は、コロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）であることがより好ましい。本発明および本明細書において、「コロイド粒子」とは、少なくとも、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエンもしくは酢酸エチル、または上記溶媒の二種以上を任意の混合比で含む混合溶媒の少なくとも１つの有機溶媒１００ｍＬあたり１ｇ添加した際に、沈降せず分散しコロイド分散体をもたらすことのできる粒子をいうものとする。コロイド粒子については、平均粒子サイズは、特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められる値とする。また、他の一態様では、突起形成剤は、カーボンブラックであることも好ましい。

突起形成剤の平均粒子サイズは、例えば３０〜３００ｎｍであり、好ましくは４０〜２００ｎｍである。

非磁性フィラーの他の一態様である研磨剤は、好ましくはモース硬度８超の非磁性粉末であり、モース硬度９以上の非磁性粉末であることがより好ましい。なおモース硬度の最大値は、ダイヤモンドの１０である。具体的には、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭化珪素、ボロンカーバイド（Ｂ_４Ｃ）、ＳｉＯ_２、ＴｉＣ、酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）、酸化セリウム、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化鉄、ダイヤモンド等の粉末を挙げることができ、中でもα−アルミナ等のアルミナ粉末および炭化珪素粉末が好ましい。また、研磨剤の粒子サイズに関しては、粒子サイズの指標である比表面積として、例えば１４ｍ^２／ｇ以上、好ましくは１６ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは１８ｍ^２／ｇ以上である。また、研磨剤の比表面積は、例えば４０ｍ^２／ｇ以下であることができる。比表面積とは、窒素吸着法（ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）１点法とも呼ばれる。）により求められる値であって、一次粒子について測定する値とする。以下において、かかる方法により求められる比表面積を、ＢＥＴ比表面積とも記載する。

また、突起形成剤および研磨剤が、それらの機能をより良好に発揮することができるという観点から、磁性層における突起形成剤の含有量は、好ましくは強磁性粉末１００．０質量部に対して、１．０〜４．０質量部であり、より好ましくは１．５〜３．５質量部である。一方、研磨剤については、磁性層における含有量は、好ましくは強磁性粉末１００．０質量部に対して１．０〜２０．０質量部であり、より好ましくは３．０〜１５．０質量部であり、更に好ましくは４．０〜１０．０質量部である。

研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３−１３１２８５号公報の段落００１２〜００２２に記載の分散剤を、磁性層形成用組成物における研磨剤の分散性を向上させるための分散剤として挙げることができる。研磨剤等の非磁性フィラーの磁性層形成用組成物における分散性を向上させることは、磁性層表面粗さＲａを小さくするうえで好ましい。

また、分散剤としては、カルボキシ基含有化合物、含窒素化合物等の公知の分散剤を挙げることもできる。例えば、含窒素化合物は、ＮＨ_２Ｒで表される第一級アミン、ＮＨＲ_２で表される第二級アミン、ＮＲ_３で表される第三級アミンのいずれであってもよい。上記において、Ｒは含窒素化合物を構成する任意の構造を示し、複数存在するＲは同一であっても異なっていてもよい。含窒素化合物は、分子中に複数の繰り返し構造を有する化合物（ポリマー）であってもよい。本発明者らは、含窒素化合物の含窒素部が強磁性六方晶フェライト粉末の粒子表面への吸着部として機能することが、含窒素化合物が分散剤として働くことができる理由と考えている。カルボキシ基含有化合物としては、例えばオレイン酸等の脂肪酸を挙げることができる。カルボキシ基含有化合物については、カルボキシ基が強磁性粉末の粒子表面への吸着部として機能することが、カルボキシ基含有化合物が分散剤として働くことができる理由と本発明者らは考えている。カルボキシ基含有化合物と含窒素化合物を併用することも、好ましい。

＜＜非磁性層＞＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末でも有機物質の粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１４６〜０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００４０〜００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。

非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。

上記磁気テープの非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。

＜＜非磁性支持体＞＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。

＜＜バックコート層＞＞
上記磁気テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有することもできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層に含まれる結合剤および任意に含まれ得る各種添加剤については、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することができる。

＜＜各種厚み＞＞
非磁性支持体の厚みは、好ましくは３．００〜６．００μｍである。
磁性層の厚みは、近年求められている高密度記録化の観点からは０．１５μｍ以下であることが好ましく、０．１０μｍ以下であることがより好ましい。磁性層の厚みは、更に好ましくは０．０１〜０．１０μｍの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。

非磁性層の厚みは、例えば０．１０〜１．５０μｍであり、０．１０〜１．００μｍであることが好ましい。

ところで、磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容されて流通され、使用される。磁気テープカートリッジの１巻あたりの記録容量を高めるためには、磁気テープカートリッジ１巻に収められる磁気テープ全長を長くすることが望ましい。そのためには、磁気テープを薄くする（以下、「薄型化」と記載する。）ことが求められる。磁気テープの薄型化のための手段の１つとして、非磁性支持体上に非磁性層と磁性層とをこの順に有する磁気テープについては、磁性層と非磁性層との合計厚みを薄くすることが挙げられる。上記磁気テープが非磁性層を有する場合、磁気テープの薄型化の観点からは、磁性層と非磁性層との合計厚みは、１．８０μｍ以下であることが好ましく、１．５０μｍ以下であることがより好ましく、１．１０μｍ以下であることが更に好ましい。また、磁性層と非磁性層との合計厚みは、例えば０．１０μｍ以上であることができる。

バックコート層の厚みは、０．９０μｍ以下であることが好ましく、０．１０〜０．７０μｍの範囲であることが更に好ましい。

磁気テープの各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行う。断面観察において厚み方向の１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。

＜＜製造方法＞＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。本発明で用いられるすべての原料は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の原料を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程、および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。磁気テープの製造工程では、従来の公知の製造技術を一部または全部の工程において用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１−１０６３３８号公報および特開平１−７９２７４号公報に記載されている。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１〜３μｍのフィルタを用いることができる。

磁性層形成用組成物の分散処理に関しては、先に記載したように、チッピングの発生を抑制することが好ましい。そのためには、磁性層形成用組成物を調製する工程において、強磁性六方晶フェライト粉末の分散処理を二段階の分散処理により行い、第一の段階の分散処理により強磁性六方晶フェライト粉末の粗大な凝集物を解砕した後、分散ビーズとの衝突によって強磁性六方晶フェライト粉末の粒子に加わる衝突エネルギーが第一の分散処理より小さな第二の段階の分散処理を行うことが好ましい。かかる分散処理によれば、強磁性六方晶フェライト粉末の分散性向上とチッピングの発生の抑制とを両立することができる。

上記の二段階の分散処理の好ましい態様としては、強磁性六方晶フェライト粉末、結合剤および溶媒を、第一の分散ビーズの存在下で分散処理することにより分散液を得る第一の段階と、第一の段階で得られた分散液を、第一の分散ビーズよりビーズ径および密度が小さい第二の分散ビーズの存在下で分散処理する第二の段階と、を含む分散処理を挙げることができる。以下に、上記の好ましい態様の分散処理について、更に説明する。

強磁性六方晶フェライト粉末の分散性を高めるためには、上記の第一の段階および第二の段階は、強磁性六方晶フェライト粉末を他の粉末成分と混合する前の分散処理として行うことが好ましい。例えば、上記非磁性フィラーを含む磁性層を形成する場合、上記非磁性フィラーと混合する前に、強磁性六方晶フェライト粉末、結合剤、溶媒および任意に添加される添加剤を含む液（磁性液）の分散処理として、上記の第一の段階および第二の段階を行うことが好ましい。

第二の分散ビーズのビーズ径は、好ましくは、第一の分散ビーズのビーズ径の１／１００以下であり、より好ましくは１／５００以下である。また、第二の分散ビーズのビーズ径は、例えば第一の分散ビーズのビーズ径の１／１００００以上であることができる。ただし、この範囲に限定されるものではない。例えば、第二の分散ビーズのビーズ径は、８０〜１０００ｎｍの範囲であることが好ましい。一方、第一の分散ビーズのビーズ径は、例えば０．２〜１．０ｍｍの範囲であることができる。
なお本発明および本明細書におけるビーズ径は、先に記載した粉末の平均粒子サイズの測定方法と同様の方法で測定される値とする。

上記の第二の段階は、質量基準で、第二の分散ビーズが、強磁性六方晶フェライト粉末の１０倍以上の量で存在する条件下で行うことが好ましく、１０倍〜３０倍の量で存在する条件下で行うことがより好ましい。
一方、第一の段階における第一の分散ビーズ量も、上記範囲とすることが好ましい。

第二の分散ビーズは、第一の分散ビーズより密度が小さいビーズである。「密度」とは、分散ビーズの質量（単位：ｇ）を体積（単位：ｃｍ^３）で除して求められる。測定は、アルキメデス法によって行われる。第二の分散ビーズの密度は、好ましくは３．７ｇ／ｃｍ^３以下であり、より好ましくは３．５ｇ／ｃｍ^３以下である。第二の分散ビーズの密度は、例えば２．０ｇ／ｃｍ^３以上であってもよく、２．０ｇ／ｃｍ^３を下回ってもよい。密度の点から好ましい第二の分散ビーズとしては、ダイヤモンドビーズ、炭化ケイ素ビーズ、窒化ケイ素ビーズ等を挙げることができ、密度および硬度の点で好ましい第二の分散ビーズとしては、ダイヤモンドビーズを挙げることができる。
一方、第一の分散ビーズとしては、密度が３．７ｇ／ｃｍ^３超の分散ビーズが好ましく、密度が３．８ｇ／ｃｍ^３以上の分散ビーズがより好ましく、４．０ｇ／ｃｍ^３以上の分散ビーズが更に好ましい。第一の分散ビーズの密度は、例えば７．０ｇ／ｃｍ^３以下であってもよく、７．０ｇ／ｃｍ^３超でもよい。第一の分散ビーズとしては、ジルコニアビーズ、アルミナビーズ等を用いることが好ましく、ジルコニアビーズを用いることがより好ましい。

分散時間は特に限定されるものではなく、用いる分散機の種類等に応じて設定すればよい。

（塗布工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を、例えば、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の磁性層を有する（または磁性層が追って設けられる）側とは反対側に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。

（その他の工程）
磁気テープ製造のためのその他の各種工程については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６７〜００７０を参照できる。

（好ましい製造方法の一態様）
上記磁気テープの好ましい製造方法としては、磁性層表面における脂肪酸エステルの液膜の厚みの均一性向上のために、磁性層に振動を加える製造方法を挙げることができる。振動を加えることにより、磁性層表面の脂肪酸エステルの液膜が流動し、液膜の厚みの均一性が向上されると、本発明者らは推察している。
即ち、上記磁気テープは、非磁性支持体上に、強磁性粉末、結合剤および脂肪酸エステルを含む磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させることにより磁性層を形成し、形成した磁性層に振動を加えることを含む製造方法により製造することができる。上記製造方法は、磁性層に振動を加える点以外は、通常の磁気テープの製造方法と同様であり、その詳細は先に記載した通りである。

上記振動を加える手段は特に限定されるものではない。例えば、磁性層を形成した非磁性支持体の磁性層とは反対側の面を、振動付与ユニットと接触させることにより、磁性層に振動を加えることができる。磁性層を形成した非磁性支持体を振動付与ユニットと接触させながら走行させてもよい。振動付与ユニットは、例えば、内部に超音波振動子を備えることにより、このユニットと接触した物品に振動を加えることができる。超音波振動子の振動周波数、強度、および／または振動付与ユニットとの接触時間によって、磁性層に加える振動を調整することができる。例えば接触時間は、磁性層を形成した非磁性支持体の振動付与ユニットとの接触中の走行速度によって調整することができる。これらの振動付与条件は特に限定されるものではなく、先に記載したスペーシング分布の半値全幅、特に、真空加熱前のスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}を制御できるように設定すればよい。振動付与条件の設定のために実製造前に予備実験を行い、条件を最適化することもできる。

また、真空加熱後のスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}は、磁性層形成用組成物の分散条件を強化する（例えば分散回数を増やす、分散時間を延ばす等）、および／または、ろ過条件を強化する（例えばろ過に用いるフィルタとして孔径の小さいフィルタを用いる、フィルタろ過回数を増やす等）ことによって、小さくなる傾向がある。これらによって、磁性層形成用組成物に含まれる粒状物質、中でも先に記載した突起形成剤として機能し得る非磁性フィラーの分散性および／または粒子サイズの均一性が向上することにより、磁性層表面に存在する突起の高さの均一性が向上するためと、本発明者らは推察している。分散条件および／またはろ過条件も、実製造前に予備実験を行い最適化することもできる。

更に、カーボンブラックを含む磁性層を有する磁気テープについては、カーボンブラックの分散性を向上させるための分散剤を磁性層成分として用いることは、真空加熱後のスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}を小さくするために有効である。例えば一例として、カーボンブラックの分散剤としては、有機三級アミンを挙げることができる。有機三級アミンについては、特開２０１３−０４９８３２号公報の段落００１１〜００１８および００２１を参照できる。上記有機三級アミンは、より好ましくはトリアルキルアミンである。トリアルキルアミンが有するアルキル基は、好ましくは炭素数１〜１８のアルキル基である。トリアルキルアミンが有する３つのアルキル基は、同一であっても異なっていてもよい。アルキル基の詳細については、特開２０１３−０４９８３２号公報の段落００１５〜００１６を参照できる。トリアルキルアミンとしては、トリオクチルアミンが特に好ましい。

以上、上記磁気テープの好ましい製造方法の一態様を説明した。ただし、上記の製造方法は例示であって、磁性層表面粗さＲａ、ＸＲＤ強度比、垂直方向角型比、ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}、ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}および差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）を調整可能な任意の手段によって、磁性層表面粗さＲａ、ＸＲＤ強度比、垂直方向角型比、ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}、ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}および差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）をそれぞれ上記範囲に制御することができ、そのような態様も本発明に包含される。

以上説明した磁気テープには、磁気テープ装置においてヘッドトラッキングサーボを行うことを可能とするために、公知の方法によってサーボパターンを形成することもできる。磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容され、磁気テープカートリッジが磁気テープ装置に装着される。磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻き取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジは、磁気テープへの情報（磁気信号）の記録および／または再生のために磁気テープ装置（ドライブ）に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されてドライブ側のリールに巻き取られる。磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路には、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）とドライブ側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる。この間、磁気ヘッドと磁気テープの磁性層表面とが接触し摺動することにより、磁気信号の記録および／または再生が行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジは、供給リールと巻き取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。本発明の一態様にかかる磁気テープは、単リール型および双リール型のいずれの磁気テープカートリッジに収容されてもよい。磁気テープカートリッジの構成は公知である。

＜再生ヘッド＞
上記磁気テープ装置は、再生ヘッドとして、ＴＭＲヘッドを含む。ＴＭＲヘッドは、トンネル磁気抵抗効果型素子（ＴＭＲ素子）を含む磁気ヘッドである。ＴＭＲ素子は、磁気テープに記録された情報（詳しくは、磁気テープの磁性層に記録された情報）を再生するための再生素子として、磁気テープからの漏れ磁界の変化を、トンネル磁気抵抗効果を利用して抵抗値（電気抵抗）の変化として検出する役割を果たすことができる。検出された抵抗値の変化が電圧の変化に変換されることによって、磁気テープに記録された情報を再生することができる。

上記磁気テープ装置に含まれるＴＭＲヘッドとしては、トンネル磁気抵抗効果型素子（ＴＭＲ素子）を含む公知の構成のＴＭＲヘッドを用いることができる。例えば、ＴＭＲヘッドの構造、ＴＭＲヘッドを構成する各部の材料等の詳細については、ＴＭＲヘッドに関する公知技術を適用することができる。

ＴＭＲヘッドはいわゆる薄膜ヘッドである。ＴＭＲヘッドに含まれるＴＭＲ素子は、少なくとも、２つの電極層と、トンネルバリア層と、フリー層と、固定層と、を有する。ＴＭＲヘッドは、これらの層の断面が、磁気テープと摺動する面の側に向いた状態でＴＭＲ素子を含んでいる。２つの電極層の間にトンネルバリア層が位置し、トンネルバリア層は絶縁層である。一方、フリー層および固定層は、磁性層である。フリー層は磁化自由層とも呼ばれ、外部磁界によって磁化方向が変化する層である。これに対し、固定層は、外部磁界によって磁化方向が変化しない層である。２つの電極間にはトンネルバリア層（絶縁層）が位置しているため、電圧を印加しても、通常、電流は流れないかほとんど流れない。しかし、磁気テープからの漏れ磁界の影響を受けたフリー層の磁化方向によって、トンネル効果により電流（トンネル電流）が流れる。トンネル電流が流れる量は、固定層の磁化方向とフリー層の磁化方向との相対角度によって変化し、相対角度が小さいほどトンネル電流が流れる量は多くなる。このトンネル電流が流れる量の変化は、トンネル磁気抵抗効果によって、抵抗値の変化として検出される。そして、この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって、磁気テープに記録された情報を再生することができる。ＴＭＲヘッドの構成の一例については、例えば、特開２００４−１８５６７６号公報の図１を参照することができる。ただし、かかる図面に示されている態様に限定されるものではない。特開２００４−１８５６７６号公報の図１では、２つの電極層と２つのシールド層が示されている。ただし、シールド層が電極層を兼ねる構成のＴＭＲヘッドも公知であり、かかる構成のＴＭＲヘッドも使用可能である。ＴＭＲヘッドでは、トンネル磁気抵抗効果によって、２つの電極間に電流（トンネル電流）が流れて電気抵抗が変化する。ＴＭＲヘッドはＣＰＰ構造を有する磁気ヘッドであるため、電流が流れる方向は、磁気テープの搬送方向である。ＴＭＲヘッドの抵抗値低下とは、２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて測定される電気抵抗の低下であって、電流が流れていない状態での２つの電極間の電気抵抗の低下を意味する。この抵抗値（電気抵抗）の著しい低下は、磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下の磁性層を有する磁気テープに記録された情報を再生する際に顕在化する傾向がある。しかし、このような抵抗値の著しい低下は、再生初期に対して経時的に再生出力が低下する原因となってしまう。この抵抗値の著しい低下は、再生すべき情報が記録されている磁性層表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下の磁気テープにおいて、ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}、ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}および差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）がそれぞれ上記範囲であることにより抑制することができる。

好ましい一態様では、上記磁気テープ装置では、上記磁気テープに２５０ｋｆｃｉ以上の線記録密度で記録された情報を、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを用いて再生することができる。なお単位ｋｆｃｉとは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。線記録密度が高くなるほど情報が記録された磁気テープの磁性層から得られる磁気的な信号（漏れ磁界）は微弱になる傾向があるため、何ら対策を施さない場合にはＳＮＲは低下する傾向がある。その一因としては、高線記録密度領域では、磁気テープ起因のノイズ（いわゆる媒体ノイズ）がＳＮＲに及ぼす影響が大きいことが考えられる。ただし、このＳＮＲの低下は、上記磁気テープ装置において磁気テープの磁性層表面粗さＲａ、ＸＲＤ強度比および垂直方向角型比がそれぞれ上記範囲であることにより、抑制することができる。また、上記磁気テープ装置では、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用することにより、高線密度で記録された情報を高感度再生することができる。線記録密度は、例えば２５０ｋｆｃｉ以上であることができ、３００ｋｆｃｉ以上であることもできる。線記録密度は、例えば８００ｋｆｃｉ以下であることができ、８００ｋｆｃｉ超であることもできる。

上記再生ヘッドは、少なくとも磁気テープに記録された情報を再生するための再生素子としてＴＭＲ素子を含む磁気ヘッドである。かかる磁気ヘッドには、磁気テープに情報を記録するための素子が含まれていてもよく、含まれていなくてもよい。即ち、再生ヘッドと記録ヘッドは、１つの磁気ヘッドであってもよく分離した磁気ヘッドであってもよい。また、再生素子としてＴＭＲ素子を含む磁気ヘッドに、ヘッドトラッキングサーボを行うためのサーボパターン読み取り素子が含まれていてもよい。

上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は、速いほど再生時間を短くすることができる。一方、磁気テープ搬送速度を低速化することは、記録再生特性の劣化を抑制するうえで望ましい。記録再生特性の劣化を抑制する観点からは、磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であることが好ましく、１５ｍ／秒以下であることがより好ましく、１０ｍ／秒以下であることが更に好ましい。また、磁気テープ搬送速度は、例えば１ｍ／秒以上であることができる。
磁気テープ搬送速度とは、走行速度とも呼ばれ、磁気テープに記録された情報を再生するために磁気テープ装置内で磁気テープが搬送される（走行する）際の磁気テープと再生ヘッドとの相対速度であり、通常、磁気テープ装置の制御部において設定される。磁気テープ搬送速度が低速になるほど、再生時に、ＴＭＲヘッドの同一箇所が磁気テープと接触する時間がより長くなるため、ＴＭＲヘッドの損傷はより発生し易くなり抵抗値低下が起こり易くなると考えられる。かかる抵抗値低下は、本発明の一態様にかかる磁気テープ装置では、上記磁気テープを用いることにより抑制することができる。

［磁気再生方法］
本発明の一態様は、磁気テープに記録された情報を再生ヘッドによって再生することを含む磁気再生方法であって、上記再生ヘッドは再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、上記磁気テープは非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、上記強磁性粉末は強磁性六方晶フェライト粉末であり、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた上記磁性層のＸ線回折分析により求められる六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４））、即ちＸＲＤ強度比は０．５以上４．０以下であり、上記磁気テープの垂直方向角型比は０．６５以上１．００以下であり、上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、上記磁気テープを真空加熱する前に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、上記磁気テープを真空加熱した後に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、かつ上記磁気テープを真空加熱した後に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}と、上記磁気テープを真空加熱する前に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}との差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は０ｎｍ超かつ８．０ｎｍ以下である磁気再生方法に関する。磁気テープに記録された情報の再生は、磁気テープを搬送しながら（走行させながら）磁気テープと再生ヘッドとを接触させ摺動させることによって行われる。上記磁気再生方法における再生の詳細、上記磁気再生方法において用いられる磁気テープおよび再生ヘッドの詳細は、先に本発明の一態様にかかる磁気テープ装置について記載した通りである。

更に本発明の一態様によれば、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用する磁気テープ装置において使用される磁気テープであって、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、上記強磁性粉末は強磁性六方晶フェライト粉末であり、ＸＲＤ強度比が０．５以上４．０以下であり、垂直方向角型比が０．６５以上１．００以下であり、上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下であり、上記磁気テープを真空加熱する前に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅が０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、上記磁気テープを真空加熱した後に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅が０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、かつ上記磁気テープを真空加熱した後に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}と、上記磁気テープを真空加熱する前に上記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}との差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）が０ｎｍ超かつ８．０ｎｍ以下である磁気テープも提供される。かかる磁気テープの詳細も、先に本発明の一態様にかかる磁気テープ装置について記載した通りである。

以下に、本発明を実施例に基づき説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。以下に記載の「部」、「％」の表示は、特に断らない限り、「質量部」、「質量％」を示す。また、以下に記載の工程および評価は、特記しない限り、雰囲気温度２３℃±１℃の環境において行った。

［実施例１］
１．磁気テープの作製
各層形成用組成物の処方を、下記に示す。

＜磁性層形成用組成物の処方＞
（磁性液）
板状強磁性六方晶フェライト粉末（Ｍ型バリウムフェライト）：１００.０部
（活性化体積：１５００ｎｍ^３）
オレイン酸：２.０部
塩化ビニル共重合体（日本ゼオン製ＭＲ−１０４）：１０.０部
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４.０部
（重量平均分子量：７００００、ＳＯ_３Ｎａ基：０.０７ｍｅｑ／ｇ）
アミン系ポリマー（ビックケミー社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０２）：６.０部
メチルエチルケトン：１５０.０部
シクロヘキサノン：１５０.０部
（研磨剤液）
α−アルミナ：６.０部
（ＢＥＴ比表面積：１９ｍ^２／ｇ、モース硬度：９）
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：０.６部
（重量平均分子量：７００００、ＳＯ_３Ｎａ基：０.１ｍｅｑ／ｇ）
２，３−ジヒドロキシナフタレン：０.６部
シクロヘキサノン：２３.０部
（突起形成剤液）
コロイダルシリカ：２.０部
（平均粒子サイズ：表１参照）
メチルエチルケトン：８.０部
（潤滑剤および硬化剤液）
ブチルステアレート：表１参照
ステアリン酸：１．０部
メチルエチルケトン：１１０.０部
シクロヘキサノン：１１０.０部
ポリイソシアネート（日本ポリウレタン製コロネート（登録商標）Ｌ）：３．０部

＜非磁性層形成用組成物の処方＞
非磁性無機粉末 α酸化鉄：１００．０部
（平均粒子サイズ：１０ｎｍ、ＢＥＴ比表面積：７５ｍ^２／ｇ）
カーボンブラック：２５．０部
（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）
電子線硬化型塩化ビニル共重合体：１３．０部
電子線硬化型ポリウレタン樹脂：６．０部
ブチルステアレート：表１参照
ステアリン酸：１．０部シクロヘキサノン：３００．０部
メチルエチルケトン：３００．０部

＜バックコート層形成用組成物の処方＞
非磁性無機粉末 α酸化鉄：８０．０部
（平均粒子サイズ：０.１５μｍ、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ^２／ｇ）
カーボンブラック：２０．０部
（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）
塩化ビニル共重合体：１３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１５５．０部
メチルエチルケトン：１５５．０部
ブチルステアレート：３．０部
ステアリン酸：３．０部
ポリイソシアネート：５．０部
シクロヘキサノン：２００．０部

＜磁性層形成用組成物の調製＞
磁性層形成用組成物を、以下の方法によって調製した。
上記磁性液の各種成分を、バッチ式縦型サンドミルによりビーズ径０.５ｍｍのジルコニアビーズ（第一の分散ビーズ、密度６．０ｇ／ｃｍ^３）を使用して２４時間分散し（第一の段階）、その後、０.５μｍの孔径を有するフィルタを用いて濾過することにより分散液Ａを調製した。ジルコニアビーズは、強磁性六方晶バリウムフェライト粉末に対して、質量基準で１０倍量用いた。
その後、分散液Ａをバッチ式縦型サンドミルにより表１に示すビーズ径のダイヤモンドビーズ（第二の分散ビーズ、密度３．５ｇ／ｃｍ^３）を使用して１時間分散し（第二の段階）、遠心分離機を用いてダイヤモンドビーズを分離した分散液（分散液Ｂ）を調製した。下記磁性液は、こうして得られた分散液Ｂである。ダイヤモンドビーズは、強磁性六方晶バリウムフェライト粉末に対して、質量基準で１０倍量用いた。
研磨剤液は、上記の研磨剤液の各種成分を混合してビーズ径０．３ｍｍのジルコニアビーズとともに横型ビーズミル分散機に入れ、ビーズ体積／（研磨剤液体積＋ビーズ体積）が８０％になるように調整し、１２０分間ビーズミル分散処理を行い、処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散濾過装置を用いて、超音波分散濾過処理を施した。こうして研磨剤液を調製した。
調製した磁性液、研磨剤液、上記の突起形成剤液、ならびに潤滑剤および硬化剤液をディゾルバー攪拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間攪拌した。その後、フロー式超音波分散機により流量７．５ｋｇ／分で表１に示すパス回数で処理を行った後に、表１に示す孔径のフィルタで表１に示す回数ろ過して磁性層形成用組成物を調製した。

＜非磁性層形成用組成物の調製＞
上記の非磁性層形成用組成物の各種成分を、バッチ式縦型サンドミルによりビーズ径０.１ｍｍのジルコニアビーズを使用して２４時間分散し、その後、０.５μｍの孔径を有するフィルタを用いて濾過することにより、非磁性層形成用組成物を調製した。

＜バックコート層形成用組成物の調製＞
上記のバックコート層形成用組成物の各種成分のうち潤滑剤（ブチルステアレートおよびステアリン酸）、ポリイソシアネートならびにシクロヘキサノン２００．０部を除いた成分をオープンニーダにより混練および希釈した後、横型ビーズミル分散機によりビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で１パス滞留時間を２分間とし、１２パスの分散処理に供した。その後、上記の残りの成分を添加してディゾルバーで撹拌し、得られた分散液を１．０μｍの孔径を有するフィルタを用いて濾過することにより、バックコート層形成用組成物を調製した。

＜磁気テープの作製方法＞
厚み５．００μｍのポリエチレンナフタレート支持体上に、乾燥後の厚みが１．００μｍになるように非磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させた後、１２５ｋＶの加速電圧で４０ｋＧｙのエネルギーとなるように電子線を照射した。その上に乾燥後の厚みが７０ｎｍ（０．０７μｍ）になるように磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。この塗布層が湿潤状態（未乾燥状態）にあるうちに、配向ゾーンにおいて表１に示す強度の磁場を塗布層表面に対し垂直方向に印加し垂直配向処理を行った後、塗布層を乾燥させた。
その後、上記塗布層を形成した支持体を、図１に示す振動付与装置に、上記塗布層を形成した表面とは反対側の表面が振動付与ユニットと接するように設置し、上記塗布層を形成した支持体（図１中、符号１）を搬送速度０．５ｍ／秒で搬送させて上記塗布層に振動を付与した。図１中、符号２はガイドローラ（符号２は２つのガイドローラの一方に付した）、符号３は振動付与装置（超音波振動子を含む振動付与ユニット）、矢印は搬送方向を示す。上記塗布層を形成した支持体の任意の箇所が振動付与ユニットとの接触を開始してから接触が終了するまでの時間（振動付与時間）を、付与時間として表１に示す。使用した振動付与ユニットは内部に超音波振動子を備えている。超音波振動子の振動の周波数および強度を表１に示す値として振動付与を行った。
その後、上記支持体の、非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対側の表面上に、バックコート層形成用組成物を乾燥後の厚みが０．４０μｍになるように塗布し乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダロールを用いて、カレンダ処理速度８０ｍ／ｍｉｎ、線圧３００ｋｇ／ｃｍ（２９４ｋＮ／ｍ）、および表１に示すカレンダ温度（カレンダロールの表面温度）にて、表面平滑化処理（カレンダ処理）を行った。カレンダ処理条件を強化するほど（例えばカレンダロールの表面温度を高くするほど）、磁性層表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは小さくなる傾向がある。
その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間熱処理を行った。熱処理後、１／２インチ（０．０１２７メートル）幅にスリットし、スリット品の送り出しおよび巻き取り装置を持った装置に不織布とカミソリブレードが磁性層表面に押し当たるように取り付けたテープクリーニング装置で磁性層の表面のクリーニングを行った後、市販のサーボライターによって磁性層にサーボパターンを形成した。
以上により、実施例１の磁気テープを作製した。
作製した磁気テープの各層厚みおよび非磁性支持体の厚みを以下の方法により求め、上記厚みであることを確認した。
磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡によって断面観察を行った。断面観察において厚み方向の２箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めた。

以上の方法によって作製した磁気テープの一部を下記物性評価に使用し、他の一部を後述するＳＮＲおよびＴＭＲヘッドの抵抗値測定のために使用した。

上記の強磁性六方晶フェライト粉末の活性化体積は、磁性層形成用組成物に用いた強磁性六方晶フェライト粉末と同じ粉末ロット内の粉末を使用して測定し算出した値である。測定は、振動試料型磁束計（東英工業社製）を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで行い、先に記載した関係式から活性化体積を算出した。測定は２３℃±１℃の環境で行った。

２．磁気テープの物性評価
（１）磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ、Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて、磁気テープの磁性層表面において測定面積４０μｍ×４０μｍの範囲を測定し、中心線平均表面粗さＲａを求めた。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ−３００を使用し、スキャン速度（探針移動速度）は４０μｍ／秒、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとした。

（２）真空加熱前後のスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}、ＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}
ＴＳＡ（Ｔａｐｅ Ｓｐａｃｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｈｙｓｉｃｓ社製））を用いて、以下の方法により、真空加熱前後のスペーシング分布の半値全幅ＦＷＨＭ_{ｂｅｆｏｒｅ}およびＦＷＨＭ_{ａｆｔｅｒ}を求めた。
磁気テープの磁性層表面上に、ＴＳＡに備えられたガラス板を配置した状態で、押圧部材としてＴＳＡに備えられているウレタン製の半球を用いて、この半球を磁気テープのバックコート層表面に、５．０５×１０^４Ｎ／ｍ（０．５ａｔｍ）の圧力で押しつけた。この状態で、ＴＳＡに備えられているストロボスコープから白色光を、ガラス板を通して磁気テープの磁性層表面の一定領域（１５００００〜２０００００μｍ^２）に照射し、得られる反射光を、干渉フィルタ（波長６３３ｎｍの光を選択的に透過するフィルタ）を通してＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）で受光することで、この領域の凹凸で生じた干渉縞画像を得た。
この画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのガラス板の磁気テープ側の表面から磁気テープの磁性層表面までの距離（スペーシング）を求めこれをヒストグラムとし、ヒストグラムをガウス分布でフィッティングしたときの半値全幅をスペーシング分布の半値全幅とした。
真空加熱は、磁気テープを、２００Ｐａ以上０．０１ＭＰａ以下の真空度の内部雰囲気温度７０〜９０℃の真空定温乾燥機に２４時間保存することにより行った。

（３）差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）
上記（２）で得た真空加熱後のヒストグラムの最頻値から、真空加熱前のヒストグラムの最頻値を差し引いて、差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）とした。

（４）ＸＲＤ強度比
作製した磁気テープから、テープ試料を切り出した。
切り出したテープ試料について、薄膜Ｘ線回折装置（リガク社製ＳｍａｒｔＬａｂ）を用いて磁性層表面にＸ線を入射させて、先に記載した方法によりＩｎ−ＰｌａｎｅＸＲＤを行った。
Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤにより得られたＸ線回折スペクトルから、六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）および（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）を求め、ＸＲＤ強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４））を算出した。

（５）垂直方向角型比
作製した磁気テープについて、振動試料型磁束計（東英工業社製）を用いて先に記載した方法により垂直方向角型比を求めた。

３．ＳＮＲの測定
雰囲気温度２３℃±１℃かつ相対湿度５０％の環境下にて、上記１．で作製した磁気テープを、記録ヘッドおよび再生ヘッドを固定した１／２インチ（０．０１２７メートル）リールテスターに取り付け、記録および再生を行う際の記録ヘッドまたは再生ヘッドと磁気テープとの相対速度を４ｍ／秒として、情報の記録および再生を行った。記録ヘッドとしてはＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎ−Ｇａｐ）ヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使用し、再生ヘッドとしてはＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。記録は線記録密度３００ｋｆｃｉで行い、その後、再生を行った際の再生出力を測定し、再生出力とノイズとの比としてＳＮＲを求めた。ＳＮＲは、後述の比較例１について測定されたＳＮＲを０ｄＢとした相対値として算出した。こうして算出されるＳＮＲが７．０ｄＢ以上であれば、高密度記録化に伴う今後の厳しいニーズに対応し得る性能を有すると評価することができる。

４．再生ヘッドの抵抗値測定
雰囲気温度２３℃±１℃かつ相対湿度５０％の環境下にて、上記１．で作製した磁気テープを、記録ヘッドおよび再生ヘッドを固定した１／２インチ（０．０１２７メートル）リールテスターに取り付け、情報の記録および再生を行った。記録ヘッドとしてはＭＩＧヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使用し、再生ヘッドとしてはＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。磁気テープのテープ長は１０００ｍであり、再生を行う際の磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度（磁気テープ搬送速度）を４ｍ／秒として、磁気テープの搬送（走行）を合計４，０００パス行った。１パス毎に再生ヘッドを磁気テープの幅方向に２．５μｍずつ移動させ、４００パス搬送毎に再生ヘッドの抵抗値（電気抵抗）を測定し、初期値（０パスでの抵抗値）に対する抵抗値低下率を、以下の式によって求めた。
抵抗値低下率（％）＝［（初期値−４００パス搬送後の抵抗値）／初期値］×１００
抵抗値（電気抵抗）の測定は、ＴＭＲヘッドに含まれるＴＭＲ素子の２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器（三和電気計器株式会社製のデジタルマルチメータ（型番：ＤＡ−５０Ｃ））を当てて行った。算出された抵抗値低下率が３０％以上であった場合、抵抗値低下が発生したと判断して再生ヘッドを新品のヘッドに交換し、次の４００パス以降の搬送および抵抗値測定を行った。抵抗値低下回数が１回以上であることは、抵抗値の低下が顕著であることを意味する。４，０００パス走行において１回も抵抗値低下率が３０％以上にならなかった場合、抵抗値低下回数を０回とした。抵抗値低下回数０回の場合、測定された抵抗値低下率の最大値を表１に示す。

［実施例２〜８、比較例１〜１７］
１．磁気テープの作製
表１に示す各種条件を表１に示すように変更した点以外、実施例１と同様に磁気テープを作製した。
表１中、分散ビーズの欄および時間の欄に「なし」と記載されている比較例については、磁性液分散処理において第二の段階を実施せずに磁性層形成用組成物を調製した。
表１中、垂直配向処理磁場強度の欄に「なし」と記載されている比較例については、配向処理を行わずに磁性層を形成した。
表１中、超音波振動付与条件の欄に「なし」と記載されている比較例では、振動付与を行わない製造工程により磁気テープを作製した。

２．磁気テープの物性評価
作製した磁気テープの各種物性を、実施例１と同様に評価した。

３．ＳＮＲの測定
作製した磁気テープを使用して、実施例１と同様の方法によってＳＮＲを測定した。実施例２〜８および比較例５〜１４では、再生ヘッドとして、実施例１と同様のＴＭＲヘッドを使用した。比較例１〜４では、再生ヘッドとして、市販のスピンバルブ型ＧＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。

４．再生ヘッドの抵抗値測定
作製した磁気テープを使用して、実施例１と同様の方法によって再生ヘッドの抵抗値測定を行った。再生ヘッドは、ＳＮＲの測定で用いた再生ヘッドと同様の再生ヘッド（ＴＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッド）を使用した。比較例１０では磁気テープと再生ヘッドとの貼り付きにより磁気テープと再生ヘッドとを摺動させ続けることが困難となった。比較例１１では、磁気テープと再生ヘッドとの摺動により磁性層表面が削れて発生した削れ屑の影響によって、磁気テープと再生ヘッドとを摺動させることが困難となった。したがって、比較例１０および比較例１１については、再生ヘッドの抵抗値測定は行わなかった。
比較例１〜４については、再生ヘッドとして使用したＧＭＲヘッドは、磁気テープの搬送方向と直交する方向に、ＭＲ素子を挟んで２つの電極を有するＣＩＰ構造を有する磁気ヘッドであった。これら２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて、実施例１と同様に抵抗値測定を行った。

以上の結果を、表１に示す。

表１に示すように、実施例１〜８では、磁気テープに高線記録密度で記録された情報を再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用して高ＳＮＲで再生可能であった。更に、実施例１〜８では、ＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下を抑制することができた。

本発明は、高密度記録された情報を高感度再生することが望まれる磁気記録用途において有用である。

Claims (14)

1. 磁気テープと、再生ヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
   前記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
   前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末、結合剤および脂肪酸エステルを含む磁性層を有し、
   前記強磁性粉末は強磁性六方晶フェライト粉末であり、
   Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた前記磁性層のＸ線回折分析により求められる六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比、Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４）、は０．５以上４．０以下であり、
   前記磁気テープの垂直方向角型比は、０．６５以上１．００以下であり、
   前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
   前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、
   前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、かつ
   前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}と、前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}との差分、Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}、は、０ｎｍ超かつ８．０ｎｍ以下である、磁気テープ装置。
2. 前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、３．０ｎｍ以上７．０ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気テープ装置。
3. 前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、３．０ｎｍ以上７．０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の磁気テープ装置。
4. 前記差分、Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}、は、２．０ｎｍ以上８．０ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
5. 前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上２．０ｎｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
6. 前記磁気テープの垂直方向角型比は、０．６５以上０．９０以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
7. 前記磁気テープは、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
8. 磁気テープに記録された情報を再生ヘッドによって再生することを含む磁気再生方法であって、
   前記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
   前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末、結合剤および脂肪酸エステルを含む磁性層を有し、
   前記強磁性粉末は強磁性六方晶フェライト粉末であり、
   Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた前記磁性層のＸ線回折分析により求められる六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比、Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４）、は０．５以上４．０以下であり、
   前記磁気テープの垂直方向角型比は、０．６５以上１．００以下であり、
   前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、
   前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、
   前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、０ｎｍ超かつ７．０ｎｍ以下であり、かつ
   前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}と、前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}との差分、Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}、は、０ｎｍ超かつ８．０ｎｍ以下である、磁気再生方法。
9. 前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、３．０ｎｍ以上７．０ｎｍ以下である、請求項８に記載の磁気再生方法。
10. 前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁性層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、３．０ｎｍ以上７．０ｎｍ以下である、請求項８または９に記載の磁気再生方法。
11. 前記差分、Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}、は、２．０ｎｍ以上８．０ｎｍ以下である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の磁気再生方法。
12. 前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上２．０ｎｍ以下である、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の磁気再生方法。
13. 前記磁気テープの垂直方向角型比は、０．６５以上０．９０以下である、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の磁気再生方法。
14. 前記磁気テープは、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の磁気再生方法。