JP6623577B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
電極形成面と、該電極形成面と対向する側に光取り出し面とを備えた発光素子を準備する工程と、
前記凸部を有する上面を備えた下金型を準備する工程と、
前記下金型の上面の凸部の上面に、光取り出し面を前記凸部の上面と向かい合せるように発光素子を載置する工程と、
前記凸部の側面と、前記発光素子の側面とを、被覆部材で被覆する工程と、
前記下金型を除去し、前記凸部の側面を被覆する被覆部材を側壁とする凹部を形成し、該凹部内に第1透光性部材を配置させる工程と、
を備え、
前記発光素子を載置後、該発光素子の側面を被覆する第2透光性部材を配置させる工程を備え、
前記被覆部材で被覆する工程は、前記第2透光性部材の側面を被覆する工程を含む、
発光装置の製造方法。
実施形態1に係る発光装置1を図1(a)〜(c)に示す。発光装置1は、発光素子20と、発光素子20の上面に設けられた第1透光性部材30と、第1透光性部材30の側面を覆う被覆部材40とを含む。第1透光性部材30の上面は発光装置1の発光面(光取り出し面)12として機能する。
発光素子20として、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を準備する。発光素子は、積層構造体(透光性基板と、半導体層)21と、電極25と、を備えている。電極25が供えられた側の面(電極形成面)とは反対側の面、すなわち、透光性基板の表面(半導体層が形成されていない側の面)が光の取り出し面23として用いられる。
例えば、図2(a)に示すように、上面に複数の凸部101を備えた金型(下金型)100を準備する。各凸部101は、発光素子を載置させるための上面101aを備える。凸部の上面101aは発光素子の下面(後述の光取り出し面)に合わせて、平坦な面を備えていることが好ましい。尚、この金型の凸部は、後の工程で金型を除去した後に第1透光性部材が配置される凹部となる部分である。
図2(b)に示すように、下金型100の凸部の上面101aに発光素子20を配置する。このとき、例えば、発光素子20の光取り出し面を、凸部の上面101aと向かい合わせて配置する。換言すると、電極形成面(電極25が形成された側の面)を上側にし、積層構造体21側を下側にして配置する。発光素子20の固定は、接着剤を用いることができるほか、真空吸着してもよい。接着剤を用いる場合は、凸部の上面101aに接着剤を設けてもよく、または、発光素子の光取り出し面に接着剤を設けてもよい。真空吸着する場合は、下金型の凸部の上面に真空吸着用の貫通孔を設けておき、その上に載置した発光素子を吸引(吸着)することができる。この場合、貫通孔の開口径は、発光素子の面積(光取り出し面の面積)よりも大きくすることが好ましい。シートを用いる場合については後述する。
次いで、金型の凸部の側面101bと、発光素子20の側面とを覆うように被覆部材40を形成する。このとき、発光素子20の側面の全面を覆うように設けることが好ましい。さらに、発光素子の電極形成面も覆うように設けてもよい。例えば、図2(c)に示すように、電極25の上面が埋設されるように被覆部材40を設けてもよい。このように電極25を埋設させる場合、図2(d)に示すように、電極25の上面を露出させる工程が必要となる。
上記のように、凸部を備えた金型を用いて形成された被覆部材40は、この凸部に対応するように凹部50が形成される。そして、この凹部内に第1透光性部材を充填する。透光性部材は、ポッティング、スプレー塗布、印刷等で設けることができ、特にポッティングが好ましい。例えば、図3(b)に示す例では、被覆部材40の上端と同じ高さまで第1透光性部材30を充填している。
発光素子を準備する際に、シートを用いてもよい。例えば、図9(a)に示すように、個片化された発光素子20を、光取り出し面をシートS1の上面に対向するようにして配置する。その後に、下金型400の上面にシートS2ごと発光素子20を配置することができる。これにより、下金型の凸部の上面に個別に発光素子を配置する場合に比して、短い時間で配置することができる。
第1透光性部材は、透光性材料と波長変換部材とを含有していてもよい。透光性材料を調整する際に波長変換部材を所定の割合で混合させた後に、発光素子の凹部内に充填することができる。このように、凹部内に波長変換部材を含む第1透光性部材を設けることで、発光素子と波長変換部材との混色光を発光可能な発光装置とすることができる。
実施形態2に係る発光装置4を図10に示す。発光装置4は、発光素子20と、発光素子20の上面に設けられた第1透光性部材30と、発光素子20の側面24に設けられた第2透光性部材32と、第2透光性部材32の側面24を覆う被覆部材40とを含む。第1透光性部材30は発光装置4の発光面として機能する。実施形態2は、発光素子の側面に第2透光性部材32を備えるほかは、実施形態1と同様である。
実施形態3に係る発光装置5を図13に示す。発光装置5は、発光素子20と、発光素子20の上面に設けられた第1透光性部材30と、発光素子20の側面に設けられた第2透光性部材32と、第2透光性部材32の側面を覆う被覆部材40とを含む。第1透光性部材30は発光装置5の発光面として機能する。実施形態3は、発光素子の側面に設けられた第2透光性部材32が、発光素子の側面に加え、更に発光素子の光取り出し面23にも設けられている備えるほかは、実施形態1と同様である。
発光素子としては、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができ、青色、緑色、赤色等の可視光を発光可能な発光素子を用いることができる。半導体発光素子は、透光性基板と、その上に形成された半導体積層体とを含むことができる。また、半導体積層体は、透光性基板とは反対側(対向する面)に、電極を備えた電極形成面を備えている。透光性基板側は光の取り出し面として用いられる。
半導体積層体は、複数の半導体層を含む。半導体積層体の一例としては、第1導電型半導体層(例えばn型半導体層)、発光層(活性層)および第2導電型半導体層(例えばp型半導体層)の3つの半導体層を含むことができる。紫外光や、青色光から緑色光の可視光を発光可能な半導体層としては、例えば、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等の半導体材料から形成することができる。具体的には、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物系の半導体材料(例えばInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等)を用いることができる。赤色を発光可能な半導体積層体としては、GaAs、GaAlAs、GaP、InGaAs、InGaAsP等を用いることができる。
発光素子の透光性基板には、例えば、上記の窒化物系半導体材料の場合、サファイア(Al2O3)、スピネル(MgA12O4)のような透光性の絶縁性材料や、半導体積層体からの発光を透過する半導体材料(例えば、窒化物系半導体材料)を用いることができる。また、GaAs等の半導体材料の場合、GaAlAs、InGaAs等が挙げられる。ここでの透光性とは、発光素子から出射される光の60%、65%、70%又は80%程度以上を透過し得る性質を指す。
発光素子が有する一対の電極は、半導体層の同一面側に配置されている。これらの一対の電極は、上述した第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層と、それぞれ、電流−電圧特性が直線又は略直線となるようなオーミック接続されるものであれば、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。このような電極は、当該分野で公知の材料及び構成で、任意の厚みで形成することができる。例えば、十数μm〜300μmが好ましい。また、電極としては、電気良導体を用いることができ、例えばCu、Au、Ag、AuSn等の金属が好適である。
第1透光性部材は、透光性材料としては、透光性樹脂、ガラス等が使用できる。特に、透光性樹脂が好ましく、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。
また、第1透光性部材には、粘度を調整する等の目的で、各種のフィラー等を含有させてもよい。
第2透光性部材は、透光性樹脂、ガラス等の透光性材料から形成することができる。透光性樹脂としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。第2透光性部材は発光素子の側面と接触しているので、点灯時に発光素子で発生する熱の影響を受けやすい。熱硬化性樹脂は、耐熱性に優れているので、第2透光性部材に適している。なお、第2透光性部材は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、通常は、第2透光性部材には、光を反射、吸収又は散乱する添加物は添加されないことが好ましい。しかし、望ましい特性を付与するために、第2透光性部材に添加物を添加するのが好ましい場合もある。例えば、第2透光性部材の屈折率を調整するため、または硬化前の第2透光性透光性部材の粘度を調整するために、各種フィラーを添加してもよい。
被覆部材は、第1透光性部材の側面を覆うように設けられる。さらに、発光素子の側面も覆うように設けられることが好ましい。発光素子の側面に第2透光性部材が設けられる場合は、そのさらに外側に設けられる。
12…発光装置の光取り出し面
14…発光装置の端子形成面
20…発光素子
21…積層構造体
22…発光素子の電極形成面
23…発光素子の光取り出し面
24…発光素子の側面
25…電極
30…第1透光性部材
32…第2透光性部材
40…被覆部材
40a…被覆部材の壁部
50…凹部
51…第1凹部
52…第2凹部
60…第2透光性部材
100、200、300、400…下金型
101、201、301a、301b、401…凸部
101a、201a…凸部の上面
101b、201b…凸部の側面
340…凸部の上面の溝部
440…貫通孔
S1、S2…シート
3 発光装置
Claims (7)
- 電極形成面と、該電極形成面と対向する側に光取り出し面とを備えた発光素子を準備する工程と、
凸部を有する上面を備えた下金型を準備する工程と、
前記下金型の上面の凸部の上面に、前記光取り出し面を前記凸部の上面と向かい合せるように発光素子を載置する工程と、
前記凸部の側面と、前記発光素子の側面とを、被覆部材で被覆する工程と、
前記下金型を除去し、前記凸部の側面を被覆する被覆部材を側壁とする凹部を形成し、該凹部内に第1透光性部材を配置させる工程と、
を備え、
前記発光素子を載置後、該発光素子の側面を被覆する第2透光性部材を配置させる工程を備え、
前記被覆部材で被覆する工程は、前記第2透光性部材の側面を被覆する工程を含む、
発光装置の製造方法。 - 電極形成面と、該電極形成面と対向する側に光取り出し面とを備えた発光素子を準備する工程と、
凸部を有する上面を備えた下金型を準備する工程と、
前記下金型の上面の凸部の上面に、前記光取り出し面を前記凸部の上面と向かい合せるように発光素子を載置する工程と、
前記凸部の側面と、前記発光素子の側面とを、被覆部材で被覆する工程と、
前記下金型を除去し、前記凸部の側面を被覆する被覆部材を側壁とする凹部を形成し、該凹部内に第1透光性部材を配置させる工程と、
を備え、
前記発光素子を載置する前に、前記凸部の上面に第2透光性部材を配置させる工程を備える、
発光装置の製造方法。 - 前記発光素子を載置する工程は、前記第2透光性部材を前記発光素子の側面に這い上がらせる工程を含み、
前記被覆部材で被覆する工程は、前記第2透光性部材を被覆する工程を含む、請求項2に記載の発光装置の製造方法。 - 前記発光素子を準備する工程は、シート上に発光素子を載置する工程を含み、前記下金型の上面に、前記シートを介して前記発光素子を載置する請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記下金型に前記シートを吸着する貫通孔を備える請求項4に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1透光性部材は、波長変換部材を備える請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子は、1つの前記凸部の上に、複数配置される請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015131581A JP6623577B2 (ja) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 発光装置の製造方法 |
| US15/197,761 US9728688B2 (en) | 2015-06-30 | 2016-06-30 | Method of manufacturing light emitting device including light emitting element having lateral surface covered with cover member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015131581A JP6623577B2 (ja) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017017159A JP2017017159A (ja) | 2017-01-19 |
| JP6623577B2 true JP6623577B2 (ja) | 2019-12-25 |
Family
ID=57684007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015131581A Active JP6623577B2 (ja) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9728688B2 (ja) |
| JP (1) | JP6623577B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6790478B2 (ja) | 2016-06-14 | 2020-11-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP7111939B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2022-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP6912728B2 (ja) | 2018-03-06 | 2021-08-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び光源装置 |
| KR20190134941A (ko) * | 2018-05-24 | 2019-12-05 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
| TW202010150A (zh) * | 2018-08-17 | 2020-03-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光裝置及其製作方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420201B1 (en) * | 2001-01-03 | 2002-07-16 | Amkor Technology, Inc. | Method for forming a bond wire pressure sensor die package |
| EP1708284B1 (en) * | 2004-01-20 | 2017-03-29 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| JP3936365B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2007-06-27 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 機能素子実装モジュール及びその製造方法 |
| US7273767B2 (en) * | 2004-12-31 | 2007-09-25 | Carsem (M) Sdn. Bhd. | Method of manufacturing a cavity package |
| TWI396298B (zh) * | 2007-08-29 | 2013-05-11 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光半導體元件塗佈螢光粉的方法及其應用 |
| JP2009081346A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Panasonic Corp | 光学デバイスおよびその製造方法 |
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| KR101517644B1 (ko) * | 2007-11-29 | 2015-05-04 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광장치 및 그 제조방법 |
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| JP5326705B2 (ja) | 2009-03-17 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP5076017B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2012-11-21 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
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| JP5777952B2 (ja) | 2011-06-28 | 2015-09-09 | シチズン電子株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
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| JP2014112669A (ja) | 2012-11-12 | 2014-06-19 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US9470652B1 (en) * | 2015-09-15 | 2016-10-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Sensing field effect transistor devices and method of their manufacture |
-
2015
- 2015-06-30 JP JP2015131581A patent/JP6623577B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-30 US US15/197,761 patent/US9728688B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9728688B2 (en) | 2017-08-08 |
| US20170005243A1 (en) | 2017-01-05 |
| JP2017017159A (ja) | 2017-01-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180824 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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