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JP6692801B2 - マルチレベルインバータ、及びマルチレベルインバータを利用することによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法 - Google Patents

マルチレベルインバータ、及びマルチレベルインバータを利用することによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法 Download PDF

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Description

本発明はインバータに関し、特に、マルチレベルインバータと、マルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法とに関する。
磁気共鳴画像法(MRI:magnetic resonance imaging)では、傾斜磁場コイルが使用される。傾斜磁場コイルの電流は、撮像要件のために、数百アンペアに対して数十ppmの精度を達成しなければならない。例えば、図1の電流プロファイル100に示されるように、傾斜磁場コイルの電流Icoilは、短時間(ms範囲)のうちに−180Aから+180Aまで変化する必要がある。
傾斜磁場コイルの電流を正確に制御するために、傾斜磁場コイルに正確な電圧を供給するための傾斜増幅器が必要とされ、傾斜増幅器は、傾斜磁場コイルの電流Icoilが1つのレベルから別のレベルに変化する電流過渡状態中には高電圧を供給し、傾斜磁場コイルの電流Icoilがあるレベルのままである電流定常状態中には低電圧を供給する必要がある。例えば、図1に示すように、傾斜磁場コイルの電流Icoilが−180Aから180Aに又は180Aから−180Aに変化する状態は電流過渡状態であり、傾斜磁場コイルの電流Icoilが−180A又は180Aの何れかに留まっている状態は電流定常状態である。
しかしながら、従来の傾斜増幅器は、一般的に高周波高調波を発生させる。従って、図2Aに示すように、傾斜増幅器210によって生成される高周波高調波を取り除くために、傾斜増幅器210と傾斜磁場コイル230との間に電磁妨害(EMI:electromagnetic interference)フィルタ220が必要である。図2Bに示すように、従来のEMIフィルタ220は、通常、2つのインダクタL1、L2と、2つのダンピング抵抗R1と、3つのコンデンサC1、C2、C3とを含む。
これまで、傾斜増幅器について異なるトポロジーが提案されており、その中では、カスケード接続されたHブリッジ(CHB:cascaded H bridge)トポロジーの傾斜増幅器が業界で広く使用されている。CHBトポロジーを有する既存の傾斜増幅器210は、1つの従来型の2レベルインバータ、又はより多くのカスケード接続された従来型の2レベルインバータからなる。図3は、従来型の2レベルインバータ300の概略図を示す。図3に示すように、従来型の2レベルインバータ300は、直列に結合されたスイッチQAH及びQALにより形成される第1のハーフブリッジ脚310と、直列に結合されたスイッチQBH及びQBLにより形成される第2のハーフブリッジ脚320とを含み、第1のハーフブリッジ脚310及び第2のハーフブリッジ脚320は、電圧Vbusを有する直流電源330に並列に接続されている。従来型の2レベルインバータ300は、スイッチQAH及びQAL間に位置するノードAにおいて第1のハーフブリッジ脚310により出力される電圧VAと、スイッチQBH及びQBL間に位置するノードBにおいて第2のハーフブリッジ脚320により出力される電圧VBとの差である出力電圧VABを供給する。
しかしながら、2レベルインバータからなる従来型の傾斜増幅器210では、通常、多くの高周波高調波が生成される。従って、傾斜増幅器210により生成される多くの高周波高調波を減衰させるために、EMIフィルタ220内に含まれるインダクタL1、L2に対する大きいインダクタンス値と、EMIフィルタ220内に含まれるダンピング抵抗R1に対する大きい抵抗値と、EMIフィルタ220内に含まれるコンデンサC1、C2、C3に対する大きい静電容量値とが必要となる。しかしながら、ダンピング抵抗R1の抵抗値が大きいとフィルタ効率が悪くなり、更に、インダクタL1、L2のインダクタンス値が大きく且つコンデンサC1、C2、C3の静電容量値が大きいと、システム制御帯域幅全体に影響を及ぼす。
更に、図2Aに戻ると、傾斜磁場コイル230は、安全のため及びEMI遮蔽要件のために、接地240に接続されることが必要であり、従って、傾斜磁場コイル230と接地240との間には大きい重複領域があり、これは大きい浮遊容量Cstrayをもたらす。傾斜増幅器210は動作中に出力電圧に大きい変化を有するため、大きいコモンモード電流Istrayが浮遊容量Cstrayを通って流れる。コモンモード電流Istrayは、傾斜磁場コイル230とEMIフィルタ220との間に配置された高精度電流センサ250により感知され、MRIシステムの動作中の不安定さにつながる高周波外乱として作用する。
更に、傾斜磁場コイル230の電流は大きい振幅で変動し、なぜなら、傾斜増幅器210が出力電圧に大きい変化を有し、これが傾斜磁場コイル230の高い電流リップルにつながるからである。
従って、2レベルインバータからなる従来型の傾斜増幅器における上述の欠点を考慮して、改善された性能を有する新規の傾斜増幅器が必要とされている。
このために、本発明の発明者らは多数の実験を行い、従来型の傾斜増幅器210における欠陥が増幅器中で利用される2レベルインバータに起因し、2レベルインバータが出力電圧に大きい変化を有し、次には従来型の傾斜増幅器210によって多くの高周波高調波が生成されることにつながることを見出した。
従って、本発明は、前述した問題に対処するために、マルチレベルインバータと、マルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法とを提供する。
本発明の第1の態様に従うと、この態様は、少なくとも1つのカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュールを含むマルチレベルインバータを提案し、各Hブリッジマルチレベルモジュールは、第1のHブリッジマルチレベル脚の出力端子において複数の出力レベルを有する第1のHブリッジマルチレベル脚と、第2のHブリッジマルチレベル脚の出力端子において複数の出力レベルを有する第2のHブリッジマルチレベル脚とを備え、第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚は並列に接続され、及びHブリッジマルチレベルモジュールのマルチレベル出力は、第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚の出力端子間に出力され、第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚の各々は、結合インダクタを介して並列に結合された第1のインバータ脚及び第2のインバータ脚を備え、第1のインバータ脚は、複数の電圧レベルを有する第1の入力電圧を供給するために結合インダクタの一次巻線に結合され、第2のインバータ脚は、複数の電圧レベルを有する第2の入力電圧を供給するために結合インダクタの二次巻線に結合され、結合インダクタの一次及び二次巻線は直列に結合され、及び直列に結合された一次及び二次巻線の接合ノードは、Hブリッジマルチレベル脚の出力端子を形成し、第1の入力電圧は、第2の入力電圧に対して所定の位相シフトを有する。
このようにして、各Hブリッジマルチレベルモジュールの第1のHブリッジマルチレベル脚及び第2のHブリッジマルチレベル脚の各々がマルチレベル出力電圧を出力するため、マルチレベルインバータは、出力電圧のより小さい変化を有することができ、従って、出力電圧の大きい変化により引き起こされる問題を解消する。
本発明の一実施形態では、第1及び第2のインバータ脚の各々は、ハイサイド(上側)スイッチ及びローサイド(下側)スイッチが直列に結合されたハーフブリッジ脚を備え、第1のHブリッジマルチレベル脚の第1及び第2のインバータ脚のハイサイドスイッチの駆動信号は、互いに対して所定の位相シフトを有し、及び第2のHブリッジマルチレベル脚の第1及び第2のインバータ脚のローサイドスイッチの駆動信号は、互いに対して所定の位相シフトを有する。このようにして、第1のインバータ脚により供給される第1の入力電圧は、第2のインバータ脚により供給される第2の入力電圧に対して所定の位相シフトを有することが可能になる。本発明の一実施形態では、M個のHブリッジマルチレベルモジュールはカスケード接続され、及び各Hブリッジマルチレベルモジュールの出力は、隣接するHブリッジマルチレベルモジュールに対して360°/M位相シフトを有し、ここで、Mは2以上の整数である。
このようにして、マルチレベルインバータは、均等なスイッチング周波数を増加させることができ、従って、電流リップルの低減をもたらす。
本発明の第2の態様に従うと、この態様は、マルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法を提案し、マルチレベルインバータは、少なくとも1つのカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュールを備え、各Hブリッジマルチレベルモジュールは、並列に接続された第1のHブリッジマルチレベル脚と第2のHブリッジマルチレベル脚とを備え、及びHブリッジマルチレベルモジュールの出力電圧は、第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚の出力端子間に出力され、第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚の各々は、結合インダクタを介して並列に結合された第1のインバータ脚と第2のインバータ脚とを備え、第1のインバータ脚は、結合インダクタの一次巻線に結合され、第2のインバータ脚は、結合インダクタの二次巻線に結合され、結合インダクタの一次及び二次巻線は直列に結合され、及び直列に結合された一次及び二次巻線の接合ノードは、Hブリッジマルチレベル脚の出力端子を形成し、この方法は、各Hブリッジマルチレベルモジュールの第1のHブリッジマルチレベル脚の第1のインバータ脚により、複数のレベルを有する第1の電圧を生成するステップと、各Hブリッジマルチレベルモジュールの第1のHブリッジマルチレベル脚の第2のインバータ脚により、第1の電圧に対して所定の位相シフトを有する複数のレベルを有する第2の電圧を生成するステップと、各Hブリッジマルチレベルモジュールの第1のHブリッジマルチレベル脚により、生成された第1及び第2の電圧に基づいて複数のレベルを有する第3の電圧を生成するステップと、各Hブリッジマルチレベルモジュールの第2のHブリッジマルチレベル脚の第1のインバータ脚により、複数のレベルを有する第4の電圧を生成するステップと、各Hブリッジマルチレベルモジュールの第2のHブリッジマルチレベル脚の第2のインバータ脚により、第4の電圧に対して所定の位相シフトを有する複数レベルを有する第5の電圧を生成するステップと、各Hブリッジマルチレベルモジュールの第2のHブリッジマルチレベル脚により、生成された第4及び第5の電圧に基づいて複数のレベルを有する第6の電圧を生成するステップと、各Hブリッジマルチレベルモジュールにより、生成された第3及び第6の電圧に基づいてマルチレベル出力電圧を生成するステップと、各Hブリッジマルチレベルモジュールにより出力されるマルチレベル出力電圧に基づいて、マルチレベルインバータのマルチレベル出力電圧を供給するステップとを含む。
上述したように、本発明に従ったマルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法は、マルチレベルインバータにより供給される出力電圧の変化を小さくすることができ、従って、出力電圧の大きい変化により引き起こされる問題を解消することができる。
本発明の第3の態様に従うと、この態様は、n個のHブリッジマルチレベル脚と、n個の巻線の接合ノードで互いに結合されたn個の巻線を有する結合インダクタとを備えるマルチレベルインバータを提案し、n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、少なくとも1つのカスケード接続されたHブリッジインバータを有し、nは1より大きい整数であり、n個のHブリッジマルチレベル脚は、結合インダクタを介して並列に結合され、n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、複数の電圧レベルを有する入力電圧を供給するためにn個の巻線のうちの1つに結合され、及び接合ノードは、マルチレベル出力レベルを供給するためにマルチレベルインバータの出力端子を形成し、n個のHブリッジマルチレベル脚により供給される入力電圧は、互いに対して位相シフトを有する。
このようにして、マルチレベルインバータは、出力電圧の変化をより小さくすることができ、同時に、マルチレベルインバータにより1つのみの結合インダクタが使用されるため、コストを下げ、より小型にすることができる。
本発明の一実施形態では、少なくとも1つのカスケード接続されたHブリッジインバータは、少なくとも1つの給電Hブリッジインバータと、少なくとも1つの浮動Hブリッジインバータとを備える。このようにして、マルチレベルインバータはより少ない電源を必要とすることができる。
本発明の第4の態様に従うと、この態様は、マルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法を提案し、マルチレベルインバータは、n個のHブリッジマルチレベル脚及び結合インダクタを備え、nは1より大きい整数であり、n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、少なくとも1つのカスケード接続されたHブリッジインバータを有し、結合インダクタは、n個の巻線の接合ノードで互いに結合されたn個の巻線を有し、n個のHブリッジマルチレベル脚は、結合インダクタを介して並列に結合され、n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、n個の巻線のうちの1つに結合され、接合ノードは、マルチレベルインバータの出力端子を形成し、この方法は、n個のHブリッジマルチレベル脚により、それぞれが複数の電圧レベルを有するn個の電圧を生成するステップであって、このn個の電圧は互いに対して位相シフトを有する、ステップと、生成されたn個の電圧に基づいてマルチレベルインバータにより出力されるマルチレベル出力電圧を供給するステップとを含む。
このようにして、マルチレベルインバータは、出力電圧のより小さい変化を有することができ、同時に、マルチレベルインバータにより1つのみの結合インダクタが必要とされるため、コストを下げ、より小型にすることができる。
本発明の第5の態様に従うと、この態様は、n個のHブリッジマルチレベル脚と、n個のHブリッジマルチレベル脚の両側に対称的に結合された結合インダクタの分割セットとを備えるマルチレベルインバータを提案し、n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、少なくとも1つのカスケード接続されたHブリッジインバータを有し、nは1より大きい整数であり、及び結合インダクタセットの各々は、n個の巻線の接合ノードで互いに結合されたn個の巻線を有し、n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、複数の電圧レベルを有する入力電圧を供給するために、結合インダクタセットのうちの1つの結合インダクタのn個の巻線のうちの1つと、結合インダクタセットのうちの別の結合インダクタのn個の巻線のうちの1つとの間に結合され、及び結合インダクタセット内の接合ノードは、マルチレベル出力レベルを供給するためにマルチレベルインバータの出力端子を形成し、n個のHブリッジマルチレベル脚により供給される入力電圧は、互いに対して位相シフトを有する。
このようにして、マルチレベルインバータは、出力電圧のより小さい変化を有することができ、同時に、結合インダクタの分割セットを使用しているため、ガルバニック分離要件及び電磁両立性(EMC:electro magnetic compatibility)を満たすことができる。
本発明の一実施形態では、少なくとも1つのカスケード接続されたHブリッジインバータは、少なくとも1つの給電Hブリッジインバータと、少なくとも1つの浮動Hブリッジインバータとを備える。このようにして、マルチレベルインバータはより少ない電源を必要とすることができる。
本発明の第6の態様に従うと、この態様は、マルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法を提案し、マルチレベルインバータは、n個のHブリッジマルチレベル脚及び結合インダクタの分割セットを備え、nは1より大きい整数であり、n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、少なくとも1つのカスケード接続されたHブリッジインバータを有し、結合インダクタの分割セットは、n個のHブリッジマルチレベル脚の両側に対称的に結合され、結合インダクタセットの各々は、n個の巻線の接合ノードで互いに結合されたn個の巻線を有し、n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、結合インダクタセットのうちの1つの結合インダクタのn個の巻線のうちの1つと、結合インダクタセットのうちの別の結合インダクタのn個の巻線のうちの1つとの間に結合され、結合インダクタセット内の接合ノードは、マルチレベルインバータの出力端子を形成し、この方法は、n個のHブリッジマルチレベル脚により、それぞれが複数の電圧レベルを有するn個の電圧を生成するステップであって、このn個の電圧は互いに対して位相シフトを有する、ステップと、生成されたn個の電圧に基づいてマルチレベルインバータにより出力されるマルチレベル出力電圧を供給するステップとを含む。
このようにして、マルチレベルインバータは、出力電圧の変化をより小さくすることができ、同時に、結合インダクタの分割セットを使用しているため、ガルバニック分離要件及び電磁両立性(EMC)を満たすことができる。
以下では、本発明の様々な実施形態が、添付の図面を参照して、単なる例として、説明される。
傾斜磁場コイルの典型的な電流プロファイルの概略図を示す。 傾斜増幅器、EMIフィルタ、及び傾斜磁場コイル間の接続関係の概略図を示す。 EMIフィルタの概略回路図を示す。 従来型の2レベルインバータの概略図を示す。 従来型の2レベルインバータの2つのハーフブリッジ脚により出力される電圧VA、VBの波形と、電流定常状態において従来型の2レベルインバータにより出力される電圧VABの波形とを示す。 電流過渡状態において従来型の2レベルインバータにより出力される電圧VABの波形を示す。 本発明の第1の実施形態に従ったHブリッジマルチレベルモジュールの概略図を示す。 本発明の第1の実施形態に従った結合インダクタの概略図を示す。 本発明の第1の実施形態に従ったマルチレベルインバータの概略図を示す。 本発明の第1の実施形態に従ったマルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法のフローチャートを示す。 本発明の第1の実施形態に従った電圧VA1、VA2、及びVAの波形を示す。 本発明の第1の実施形態に従った電圧VB1、VB2、及びVBの波形を示す。 本発明の第1の実施形態に従ってマルチレベルインバータにより生成される、電流定常状態における出力電圧VABの波形を示す。 本発明の第1の実施形態に従ってマルチレベルインバータにより生成される、電流過渡状態における出力電圧VABの波形を示す。 第1の実施形態の変形形態に従った、3つのカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュールからなるマルチレベルインバータの概略図を示す。 本発明の第1の実施形態に従った、図11に示すマルチレベルインバータの3つのHブリッジマルチレベルモジュールにより生成される、電流過渡状態での出力電圧VAB1、VAB2、及びVAB3の波形を示す。 本発明の第1の実施形態の変形形態に従った、5つの出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚の概略図を示す。 本発明の第1の実施形態の変形形態に従った、9つの出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚の概略図を示す。 本発明の第2の実施形態に従ったマルチレベルインバータの概略図を示す。 本発明の第2の実施形態に従ったマルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法のフローチャートを示す。 本発明の第2の実施形態に従った、マルチレベルインバータの第1のHブリッジマルチレベル脚及びそのHブリッジインバータにより生成される電圧の概略図を示す。 本発明の第2の実施形態に従った、マルチレベルインバータの第2のHブリッジマルチレベル脚及びそのHブリッジインバータにより生成される電圧の概略図を示す。 本発明の第2の実施形態に従ったマルチレベルインバータにより生成される出力電圧の概略図を示す。 本発明の第3の実施形態に従ったマルチレベルインバータの概略図を示す。 本発明の第4の実施形態に従ったマルチレベルインバータの概略図を示す。 本発明の第5の実施形態に従ったマルチレベルインバータの概略図を示す。 本発明の第2及び第3の実施形態の変形形態に従った、結合インダクタのk個の巻線とマルチレベルインバータのk個のHブリッジマルチレベル脚との間の接続関係の概略図を示す。
本発明は、特定の実施形態に関して特定の図面を参照して説明されるが、本発明はそれらに限定されず、特許請求の範囲によってのみ限定される。記載される図面は概略的に過ぎず、限定するものではない。図面では、説明のために、幾つかの要素のサイズが誇張されていることがあり、正確な縮尺で描かれていないことがある。
上述したように、本発明の発明者らは多数の実験を行い、従来型の傾斜増幅器210における欠陥が増幅器中で利用される2レベルインバータに起因し、2レベルインバータが出力電圧に大きい変化を有し、次には従来型の傾斜増幅器210によって多くの高周波高調波が生成されることにつながることを見出した。
具体的には、図4Aは、電流定常状態での、従来型の2レベルインバータ300の2つのハーフブリッジ脚により出力される電圧VA及びVB、並びに従来型の2レベルインバータ300により出力される電圧VABの概略図を示し、ここで、Vbusは例として450vであるように選択されている。図4Aに示すように、電流定常状態で従来型の2レベルインバータ300の第1及び第2のハーフブリッジ脚310、320により出力される電圧VA及びVB(それぞれ401及び402で表わされる)の各々が2つの出力レベル0v及びVbusを有し、電流定常状態で従来型の2レベルインバータ300により出力される電圧VAB(これは403で表わされる)は、同様に2つの出力レベル0v及びVbusを有し、各周期内に2つの電圧パルスを含む。
更に、図4Bは、電流過渡状態での従来型の2レベルインバータ300により出力される電圧VABの概略図を示しており、ここで、Vbusは例として450vであるように選択されている。図4Bに示すように、電流過渡状態での従来型の2レベルインバータ300により出力される電圧VAB(これは404で表わされる)は、2つの出力レベル0v及びVbusを有し、各周期内に2つの電圧パルスを含む。
図4A及び図4Bから分かるように、従来型の2レベルインバータ300により出力される電圧VABは、各遷移において0vからVbusに又はその逆に切り替わり、即ち、従来型の2レベルインバータ300により出力される電圧VABは毎回Vbusの量を変化させ、従って、従来型の2レベルインバータ300は、出力電圧において大きい変化量(この例では450v−0v=450v)を有する。従って、従来型の2レベルインバータ300により形成される傾斜増幅器210も出力電圧の変化が大きくなり、多くの高周波高調波が傾斜増幅器210により生成されることにつながる。
従って、本発明者らの見識を踏まえて、本発明はマルチレベルインバータを提供し、このマルチレベルインバータは、2つ以上の出力レベルを有し、従って従来型の2レベルインバータにより形成される既存の傾斜増幅器と比べて出力電圧の変化がより小さくなり、従って、既存の傾斜増幅器での出力電圧の大きい変化により引き起こされる問題を解決することができる。
以下では、本発明の様々な実施形態が、図面と共に詳細に説明される。
第1の実施形態
図5は、本発明の第1の実施形態に従ったHブリッジマルチレベルモジュール50の概略図を示す。図5に示すように、Hブリッジマルチレベルモジュール50はHブリッジマルチレベル脚A510及びHブリッジマルチレベル脚B540を含み、Hブリッジマルチレベル脚A510及びHブリッジマルチレベル脚B540は、電圧Vbusを有する直流電源580に並列に接続されている。第1の実施形態では、Vbusは例として450vであるように選択されている。しかしながら、Vbusは必要に応じて他の値を有し得ることが当業者には容易に想到される。
Hブリッジマルチレベル脚A510は、第1のインバータ脚512、第2のインバータ脚514、及び結合インダクタ516を含む。当業者により認められるように、複数の巻線を有するいかなるインダクタ又は変圧器も結合インダクタと呼ばれる。
第1のインバータ脚512及び第2のインバータ脚514は、直流電源580に並列に接続される。第1のインバータ脚512は、ハイサイドスイッチQAH1_A1及びローサイドスイッチQAL1_A1により形成されるハーフブリッジ脚であり、スイッチQAH1_A1及びQAL1_A1は直列に結合される。
第2のインバータ脚514は、ハイサイドスイッチQAH1_A2及びローサイドスイッチQAL1_A2により形成されるハーフブリッジ脚であり、スイッチQAH1_A2及びQAL1_A2は直列に結合される。
図6に示すように、結合インダクタ516は、磁気コアの周りに巻かれた一次巻線pと二次巻線sとを含む。一次巻線p及び二次巻線sは、直列に結合され、接合ノードAを有する。接合ノードAを流れる電流icmは、結合インダクタ516の一次巻線pを流れる電流icm1と結合インダクタ516の二次巻線sを流れる電流icm2との合計である。結合インダクタ516の一次巻線p及び二次巻線sが直列に結合されているため、電流icm1及び電流icm2により生成される磁束は、電流icm1が電流icm2と同じである場合には互いに打ち消し合い、従って、結合インダクタ516は抵抗器として動作する。
図5に戻ると、第1のインバータ脚512のハイサイドスイッチQAH1_A1とローサイドスイッチQAL1_A1との間のノードA1が結合インダクタ516の一次巻線pに接続されており、第2のインバータ脚514のハイサイドスイッチQAH1_A2とローサイドスイッチQAL1_A2との間に位置するノードA2が結合インダクタ516の二次巻線sに接続されている。結合インダクタ516の接合ノードAは、Hブリッジマルチレベル脚A510の出力端子を形成する。
同様に、Hブリッジマルチレベル脚B540は、第1のインバータ脚542、第2のインバータ脚544、及び結合インダクタ546を含む。
第1のインバータ脚542及び第2のインバータ脚544は、直流電源580に並列に接続される。第1のインバータ脚542は、ハイサイドスイッチQBH1_B1及びローサイドスイッチQBL1_B1により形成されるハーフブリッジ脚であり、スイッチQBH1_B1及びQBL1_B1は直列に結合される。
第2のインバータ脚544は、ハイサイドスイッチQBH1_B2及びローサイドスイッチQBL1_B2により形成されるハーフブリッジ脚であり、スイッチQBH1_B2及びQBL1_B2は直列に結合される。
結合インダクタ546は、結合インダクタ516と同じであり、直列に結合された一次巻線及び二次巻線を含み、一次巻線及び二次巻線の接合ノードBを有し得る。第1のインバータ脚542のスイッチQBH1_B1及びQBL1_B1間に位置するノードB1は、結合インダクタ546の一次巻線に接続され、第2のインバータ脚544のスイッチQBH1_B2及びQBL1_B2間に位置するノードB2は、結合インダクタ546の二次巻線に接続される。接合ノードBは、Hブリッジマルチレベル脚B540の出力端子を形成し得る。
Hブリッジマルチレベル脚A510及びHブリッジマルチレベル脚B540の出力端子は、Hブリッジマルチレベルモジュール50の出力端子を形成する。スイッチQAH1_A1、QAL1_A1、QAH1_A2、QAL1_A2、QBH1_B1、QBL1_B1、QBH1_B2、QBL1_B2の各々は、パワートランジスタ(例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT:insulated gate bipolar transistor)、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET:metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)、サイリスタ等)及びダイオードにより形成され、スイッチQAH1_A1、QAL1_A1、QAH1_A2、QAL1_A2、QBH1_B1、QBL1_B1、QBH1_B2、QBL1_B2は、同じ電圧定格及び電流定格を有し得る。
図7は、本発明の第1の実施形態に従ったマルチレベルインバータ70の概略図を示す。図7に示すように、マルチレベルインバータ70は、上述した1つのHブリッジマルチレベルモジュール50を含み、Hブリッジマルチレベルモジュール50は、電圧Vbusを有する直流電源78に接続される。図7に示すように、マルチレベルインバータ70は、EMIフィルタ220を介して傾斜磁場コイル230に接続される。
以下では、Hブリッジマルチレベルモジュール50の原理、即ち、マルチレベルインバータを利用することによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法が、図8と共に説明され、図8は、本発明の第1の実施形態に従ったマルチレベルインバータ70によりマルチレベル出力電圧を供給するための方法800のフローチャートを示す。
図8に示すように、ステップS802において、マルチレベルインバータ70におけるHブリッジマルチレベルモジュール50の第1のインバータ脚512は、第1のインバータ脚512のハイサイドスイッチQAH1_A1及びローサイドスイッチQAL1_A1の駆動信号が、この2つのスイッチのこれらの駆動信号が相補的になるように変調されている状態下で、第1のインバータ脚512のノードA1において電圧VA1を発生させる。電圧VA1は、マルチレベルインバータ70のHブリッジマルチレベルモジュール50の結合インダクタ516の一次巻線に入力される。図9Aに示すように、901によって表わされる電圧VA1は2つの出力レベル0v及びVbusを有しており、上述したように、Vbusは一例として450vである。
ステップS804において、第2のインバータ脚514のハイサイドスイッチQAH1_A2及びローサイドスイッチQAL1_A2の駆動信号が、これら2つのスイッチの駆動信号が相補的であるように変調されており、ハイサイドスイッチQAH1_A2の駆動信号がハイサイドスイッチQAH1_A1の駆動信号のデューティサイクルと同じデューティサイクルを有し、ハイサイドスイッチQAH1_A2の駆動信号がハイサイドスイッチQAH1_A1の駆動信号に対してθ位相シフトを有する状態下で、第2のインバータ脚514は、第2のインバータ脚514のノードA2において電圧VA2を発生させる。電圧VA2は、マルチレベルインバータ70のHブリッジマルチレベルモジュール50の結合インダクタ516の二次巻線に入力される。図9Aに示すように、902で表わされる電圧VA2は2つの出力レベル0v及びVbusを有する。ハイサイドスイッチQAH1_A2の駆動信号がハイサイドスイッチQAH1_A1の駆動信号に対してθ位相シフトを有するため、電圧VA2は電圧VA1に対してθ位相シフトを有している。
ステップS806において、マルチレベルインバータ70におけるHブリッジマルチレベルモジュール50のHブリッジマルチレベル脚A510は、電圧VA1及びVA2に基づいて、ノードAにおいて電圧VAを発生させる。この実施形態では、結合インダクタ516の一次巻線と二次巻線との巻数比は1:1であり、従って、電圧VAは式1に従って算出される。
VA=(VA1+VA2)/2(式1)
電圧VA2が電圧VA1に対してθ位相シフトを有するため、図9Aに示すように、903で表わされる電圧VAは、3つのレベル0v、1/2Vbus、及びVbusを有する。
ステップS808において、マルチレベルインバータ70におけるHブリッジマルチレベルモジュール50の第1のインバータ脚542のハイサイドスイッチQBH1_B1及びローサイドスイッチQBL1_B1の駆動信号が、これら2つのスイッチの駆動信号が相補的であるように変調されており、ローサイドスイッチQBL1_B1の駆動信号がハイサイドスイッチQAH1_A1の駆動信号のデューティサイクルと同じデューティサイクルを有し、ローサイドスイッチQBL1_B1の駆動信号がハイサイドスイッチQAH1_A1の駆動信号に対して180°位相シフトを有する状態下で、第1のインバータ脚542は、第1のインバータ脚542のノードB1において電圧VB1を発生させる。電圧VB1は、マルチレベルインバータ70におけるHブリッジマルチレベルモジュール50の結合インダクタ546の一次巻線に入力される。図9Bに示すように、904で表わされる電圧VB1は2つのレベル0v及びVbusを有しており、上述したように、Vbusは一例として450vである。
ステップS810において、マルチレベルインバータ70のHブリッジマルチレベルモジュール50の第2のインバータ脚544のハイサイドスイッチQBH1_B2及びローサイドスイッチQBL1_B2の駆動信号が、これら2つのスイッチの駆動信号が相補的であるように変調されており、ローサイドスイッチQBH1_B2の駆動信号がローサイドスイッチQBH1_B1の駆動信号のデューティサイクルと同じデューティサイクルを有し、ローサイドスイッチQBH1_B2の駆動信号がローサイドスイッチQBH1_B1の駆動信号に対してθ位相シフトを有する状態下で、第2のインバータ脚544は、第2のインバータ脚544のノードB2において電圧VB2を発生させる。電圧VB2は、マルチレベルインバータ70のHブリッジマルチレベルモジュール50の結合インダクタ546の二次巻線に入力される。図9Bに示すように、905で表わされる電圧VB2は2つの出力レベル0v及びVbusを有する。ハイサイドスイッチQBH1_B2の駆動信号がハイサイドスイッチQBH1_B1の駆動信号に対してθ位相シフトを有するため、電圧VB2は電圧VB1に対してθ位相シフトを有している。
ステップS812において、マルチレベルインバータ70におけるHブリッジマルチレベルモジュール50のHブリッジマルチレベル脚B540は、電圧VB1及びVB2を使用することにより、ノードBにおいて電圧VBを発生させる。この実施形態では、結合インダクタ546の一次巻線と二次巻線との巻数比は1:1であり、従って、電圧VBは式2に従って算出される。
VB=(VB1+VB2)/2(式2)
電圧VB2が電圧VB1に対してθ位相シフトを有するため、図9Bに示すように、906で表わされる電圧VBは、3つの出力レベル0v、1/2Vbus、及びVbusを有する。
ステップS814において、マルチレベルインバータ70のHブリッジマルチレベルモジュール50は、Hブリッジマルチレベルモジュール50のHブリッジマルチレベル脚A510及びHブリッジマルチレベル脚B540によって生成される電圧VA及びVBの差である出力電圧VABを発生させる。
この実施形態では、電流定常状態用に選択されるハイサイドスイッチQAH1_A1の駆動信号のデューティサイクルと、電流過渡状態用に選択されるハイサイドスイッチQAH1_A1の駆動信号のデューティサイクルとは異なる。結果として、図10Aに示すように、Hブリッジマルチレベルモジュール50により生成される電流定常状態での出力電圧VAB(これは1001で表わされる)は、2つの出力レベル0v及び1/2Vbusを有し、各周期内に4つの電圧パルスを含み、一方、図10Bに示すように、Hブリッジマルチレベルモジュール50により生成される電流過渡状態での出力電圧VAB(これは1002で表わされる)は、3つの出力レベル0v、1/2Vbus、及びVbusを有し、各周期内に2つの電圧パルスを含む。
この実施形態ではマルチレベルインバータ70は1つのHブリッジマルチレベルモジュール50を含むため、マルチレベルインバータ70のHブリッジマルチレベルモジュール50により生成される出力電圧VABが、マルチレベルインバータ70の出力電圧VABになる。
上記の説明から分かるように、電圧VA1及びVA2間及び電圧VB1及びVB2間のθ位相シフトは、第1の実施形態における電圧VA及びVBの各々が3つの出力レベル0v、1/2Vbus、及びVbusを有することにつながり、3つの出力レベル0v、1/2Vbus、及びVbusを有する電圧VA及びVBは、電流定常状態でマルチレベルインバータ70により出力される出力電圧VABが、図10Aに示すように、各遷移において0vと1/2Vbusとの間で切り替わり、電流過渡状態でマルチレベルインバータ70により出力される出力電圧VABが、図10Bに示すように、各遷移において0vと1/2Vbusとの間又は1/2VbusとVbusとの間で切り替わることにつながる。
従って、マルチレベルインバータ70により出力される出力電圧VABは、各遷移において1/2Vbusの量を変化させ、従って、既存の傾斜増幅器と比べて出力電圧の変化をより小さくする。マルチレベルインバータ70により出力される出力電圧VABは出力電圧の変化がより小さいため、より少ない高周波高調波がマルチレベルインバータ70により生成され、従って、マルチレベルインバータ70により生成される高周波高調波を減衰させるためのEMIフィルタ220は、より小さい抵抗値のダンピング抵抗、小さい静電容量値のコンデンサ、及びより小さいインダクタンス値のインダクタを使用することができ、これにより、EMIフィルタ220のフィルタ効率を改善させることができ、システム全般の制御帯域幅には影響を及ぼさない。更に、マルチレベルインバータ70に係る出力電圧の変化がより小さいと、浮遊容量Cstrayにより引き起こされるコモンモード電流が遥かに小さくなり、安定化が大幅に容易になる。更に、マルチレベルインバータ70に係る出力電圧の変化がより小さいと、傾斜磁場コイル230の電流リップルも低下する。
加えて、電流定常状態でマルチレベルインバータ70により生成される出力電圧VABは各周期内に4つの電圧パルスを含み、既存の傾斜増幅器の各2レベルインバータにより出力される出力電圧VABは図4Bに示すように各周期内に2つの電圧パルスを含むため、電流定常状態でのマルチレベルインバータ70の等価スイッチング周波数は、既存の傾斜増幅器の各2レベルインバータの等価スイッチング周波数の2倍であり、従って、マルチレベルインバータ70は、既存の傾斜増幅器に比べて、電流定常状態でより少ない電流リップルを更に供給する。
第1の実施形態では、マルチレベルインバータ70は1つのHブリッジマルチレベルモジュール50のみを含んでいるが、マルチレベルインバータ70は、必要に応じて、複数のカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュール50を含むことを理解されたい。図11は、第1の実施形態の変形形態に従った、3つのカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュール50からなるマルチレベルインバータ70の概略図を示す。
マルチレベルインバータ70が複数のカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュール50を含む場合、マルチレベルインバータ70に含まれるスイッチは、マルチレベルインバータ70の各Hブリッジマルチレベルモジュールにより生成される電圧が、マルチレベルインバータ70の隣接するHブリッジマルチレベルモジュールにより生成される電圧に対して360°/n位相シフトを有するように変調される(nは、マルチレベルインバータ70中に含まれるカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュール50の数である)。図12は、図11に示すマルチレベルインバータ70の3つのカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュール50により生成される電流定常状態での電圧の概略図を示し、1201、1202、及び1203は、それぞれ、3つのカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュール50により生成される電圧VAB1、VAB2、VAB3を表している。
マルチレベルインバータ70の任意の2つの隣接するHブリッジマルチレベルモジュール50間の360°/n位相シフトは、マルチレベルインバータ70の複数のHブリッジマルチレベルモジュール50により生成される電圧パルスが、マルチレベルインバータ70により生成される出力電圧VAB中に均等に分散されることにつながる。従って、マルチレベルインバータ70により生成される出力電圧VABが各周期により多くの電圧パルスを含むようになり、その結果、マルチレベルインバータ70はより大きい等価スイッチング周波数を提供するようになり、従って、傾斜磁場コイル230の電流リップルを低減することができる。
第1の実施形態では、結合インダクタ516、546の各々の一次巻線と二次巻線との巻数比は1:1であるが、結合インダクタ516、546の各々の一次巻線と二次巻線との巻数比はn1:n2であり、ここで、n1及びn2は互いに異なる整数であることを理解されたい。この場合、電圧VA及びVBは次の数式に従って算出される。
VA=(VA1*n1+VA2*n2)/(n1+n2)、及びVB=(VB1*n1+VB2*n2)/(n1+n2)
第1の実施形態では、Hブリッジマルチレベルモジュール50のHブリッジマルチレベル脚A510及びHブリッジマルチレベル脚B540の各々は、3つの出力レベル(0v、1/2Vbus、及びVbus)を有するHブリッジマルチレベル脚であるが、Hブリッジマルチレベルモジュール50のHブリッジマルチレベル脚A510及びHブリッジマルチレベル脚B540の各々は、出力電圧の変化をより小さくするために、2+1個の出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚であり、ここで、mは2以上の整数であることを理解されたい。
Hブリッジマルチレベルモジュール50のHブリッジマルチレベル脚A510及びHブリッジマルチレベル脚B540の各々が、2+1個の出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚である場合、2+1個の出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚は以下の態様で構成される:3つの出力レベルを有する2つのHブリッジマルチレベル脚を、結合インダクタ516と同様の結合インダクタを介して並列に結合することにより、3つの出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚がまず5つの出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚に拡張され、次いで、5つの出力レベルを有する2つのHブリッジマルチレベル脚を、結合インダクタ516と同様の結合インダクタを介して並列に結合することにより、5つの出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚が9つの出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚に拡張される等であり、最終的に、2m−1+1個の出力レベルを有する2つのHブリッジマルチレベル脚を、結合インダクタ516と同様の結合インダクタを介して並列に結合することにより、2m−1+1個の出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚が2+1個の出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚に拡張される。図13A及び図13Bは、それぞれ、5つの出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚及び9つの出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚の概略図を示しており、132及び134の各々は3つの出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚を表し、136及び138の各々は、5つの出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚を表している。
第2の実施形態
図14は、本発明の第2の実施形態に従ったマルチレベルインバータ1400の概略図を示す。図14に示すように、マルチレベルインバータ1400は、結合インダクタ1320、第1のHブリッジマルチレベル脚1340、及び第2のHブリッジマルチレベル脚1360を含む。第1のHブリッジマルチレベル脚1340及び第2のHブリッジマルチレベル脚1360は、結合インダクタ1320を介して並列に結合される。
結合インダクタ1320は、結合インダクタ516と同じであり、直列に結合された一次巻線及び二次巻線を含み、一次巻線及び二次巻線の接合ノードAを有し得る。結合インダクタ1320の接合ノードAは、マルチレベルインバータ1400の出力端子を形成して、マルチレベル出力電圧Vmを傾斜磁場コイル230に供給する。第1のHブリッジマルチレベル脚1340の一方の側及び第2のHブリッジマルチレベル脚1360の一方の側は、それぞれ、結合インダクタ1320の一次巻線及び二次巻線に接続され、第1のHブリッジマルチレベル脚1340の他方の側と第2のHブリッジマルチレベル脚1360の他方の側との接合ノードが、マルチレベルインバータ1400の他方の出力端子を形成する。
第1のHブリッジマルチレベル脚1340は、3つのカスケード接続されたHブリッジインバータ1342、1344、1346を含む。
Hブリッジインバータ1342は、直流電源U1に並列に接続される第1のハーフブリッジ脚F11及び第2のハーフブリッジ脚F12を含む。第1のハーフブリッジ脚F11は、直列に結合されたハイサイドスイッチQHA1及びローサイドスイッチQLA1を含む。第2のハーフブリッジ脚F12は、直列に結合されたハイサイドスイッチQHB1及びローサイドスイッチQLB1を含む。これらのスイッチの駆動信号は、スイッチQHA1の駆動信号とスイッチQLA1の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHB1の駆動信号とスイッチQLB1の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHA1の駆動信号がスイッチQLB1の駆動信号と同じデューティサイクルを有し、スイッチQLB1の駆動信号がスイッチQHA1の駆動信号に対して180°位相シフトを有するように変調される。
同様に、Hブリッジインバータ1344は、直列に結合されたハイサイドスイッチQHA2及びローサイドスイッチQLA2からなる第1のハーフブリッジ脚F21と、直列に結合されたハイサイドスイッチQHB2及びローサイドスイッチQLB2からなる第2のハーフブリッジ脚F22とを含み、脚F21及びF22は直流電源U2に並列に接続され、スイッチQHA2、QLA2、QHB2、QLB2の駆動信号は、スイッチQHA2の駆動信号がスイッチQHA1の駆動信号に対してΘ位相シフトを有することを除いて、スイッチQHA1、QLA1、QHB1、QLB1の駆動信号と同様である。Hブリッジインバータ1346は、直列に結合されたハイサイドスイッチQHA3及びローサイドスイッチQLA3からなる第1のハーフブリッジ脚F31と、直列に結合されたハイサイドスイッチQHB3及びローサイドスイッチQLB3からなる第2のハーフブリッジ脚F32とを含み、脚F31及びF32は直流電源U3に並列に接続され、スイッチQHA3、QLA3、QHB3、QLB3の駆動信号は、スイッチQHA3の駆動信号がスイッチQHA2の駆動信号に対してΘ位相シフトを有することを除いて、スイッチQHA2、QLA2、QHB2、QLB2の駆動信号と同様である。
第2のHブリッジマルチレベル脚1360は、3つのカスケード接続されたHブリッジインバータ1362、1364、1366を含む。
Hブリッジインバータ1362は、直列に結合されたハイサイドスイッチQHA4及びローサイドスイッチQLA4からなる第1のハーフブリッジ脚F41と、直列に結合されたハイサイドスイッチQHB4及びローサイドスイッチQLB4からなる第2のハーフブリッジ脚F42とを含み、脚F41及びF42は直流電源U4に並列に接続され、スイッチQHA4、QLA4、QHB4、QLB4の駆動信号は、スイッチQHA4の駆動信号がスイッチQHA1の駆動信号に対してΨ位相シフトを有することを除いて、スイッチQHA1、QLA1、QHB1、QLB1の駆動信号と同様である。
Hブリッジインバータ1364は、直列に結合されたハイサイドスイッチQHA5及びローサイドスイッチQLA5からなる第1のハーフブリッジ脚F51と、直列に結合されたハイサイドスイッチQHB5及びローサイドスイッチQLB5からなる第2のハーフブリッジ脚F52とを含み、脚F51及びF52は直流電源U5に並列に接続され、スイッチQHA5、QLA5、QHB5、QLB5の駆動信号は、スイッチQHA5の駆動信号がスイッチQHA2の駆動信号に対してΨ位相シフトを有することを除いて、スイッチQHA2、QLA2、QHB2、QLB2の駆動信号と同様である。
Hブリッジインバータ1366は、直列に結合されたハイサイドスイッチQHA6及びローサイドスイッチQLA6からなる第1のハーフブリッジ脚F61と、直列に結合されたハイサイドスイッチQHB6及びローサイドスイッチQLB6からなる第2のハーフブリッジ脚F62とを含み、脚F61及びF62は直流電源U6に並列に接続され、スイッチQHA6、QLA6、QHB6、QLB6の駆動信号は、スイッチQHA6の駆動信号がスイッチQHA3の駆動信号に対してΨ位相シフトを有することを除いて、スイッチQHA3、QLA3、QHB3、QLB3の駆動信号と同様である。
駆動信号間のΘ位相シフト及びΨ位相シフトは、Hブリッジインバータ1342、1344により生成される出力電圧間、Hブリッジインバータ1344、1346により生成される出力電圧間、Hブリッジインバータ1362、1364により生成される出力電圧間、及びHブリッジインバータ1364、1366により生成される出力電圧間にΘ位相シフトが存在し、Hブリッジインバータ1342、1362により生成される出力電圧間、Hブリッジインバータ1344、1364により生成される出力電圧間、及びHブリッジインバータ1346、1366により生成される出力電圧間にΨ位相シフトが存在することにつながる。換言すると、Hブリッジインバータ1342、1344、及び1346のスイッチの変調は、Hブリッジインバータ1362、1364、及び1366のスイッチの変調に対して位相シフトを有している。この位相シフトは、出力電圧V1及びV2間に位相シフトをもたらす。結合インダクタ1320に供給される、この変調方式に従った出力電圧V1及びV2により、出力信号Vmのリップル周波数は、スタックされたHブリッジインバータの数(例えば、図14の実施形態では3つのスタックされたHブリッジインバータ)だけ増倍され、これはより詳細に説明される。更に、出力電圧V1及びV2のレベルはスタックされたHブリッジインバータの数と関連しているため、出力信号Vmのスイッチングレベルの数は、スタックされたHブリッジインバータの数に等しい倍率だけ増加されることが当業者により理解されるであろう。
更に、直流電源U1、U2、U3、U4、U5、及びU6は、同じ電圧Vbusを有する。
6つの結合インダクタを使用する第1の実施形態におけるマルチレベルインバータ70と比較すると、第2の実施形態におけるマルチレベルインバータ1400は1つの結合インダクタのみを使用する。従って、第2の実施形態のマルチレベルインバータ1400は、第1の実施形態のマルチレベルインバータ70と比較して、より低コストでより小型である。
図15は、本発明の第2の実施形態に従ったマルチレベルインバータ1400によりマルチレベル出力電圧を供給するための方法のフローチャートを示す。図15の方法は、図14に関連して詳細に説明される。
図15に示すように、ステップS1500において、マルチレベルインバータ1400の第1のHブリッジマルチレベル脚1340は、スイッチQHA1の駆動信号とスイッチQLA1の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHB1の駆動信号とスイッチQLB1の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHA1の駆動信号がスイッチQLB1の駆動信号と同じデューティサイクルを有し、スイッチQLB1の駆動信号がスイッチQHA1の駆動信号に対して180°位相シフトを有し、スイッチQHA2の駆動信号とスイッチQLA2の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHB2の駆動信号とスイッチQLB2の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHA2の駆動信号がスイッチQLB2の駆動信号と同じデューティサイクルを有し、スイッチQLB2の駆動信号がスイッチQHA2の駆動信号に対して180°位相シフトを有し、スイッチQHA3の駆動信号とスイッチQLA3の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHB3の駆動信号とスイッチQLB3の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHA3の駆動信号がスイッチQLB3の駆動信号と同じデューティサイクルを有し、スイッチQLB3の駆動信号がスイッチQHA3の駆動信号に対して180°位相シフトを有し、スイッチQHA1、QHA2の駆動信号間、及びスイッチQHA2、QHA3の駆動信号間にΘ位相シフトが存在するように、第1のHブリッジマルチレベル脚1340に含まれるスイッチが変調されている状態下で、複数の出力レベルを有する電圧V1を発生させる。電圧V1は、結合インダクタ1320の一次巻線に入力される。第1のHブリッジマルチレベル脚1340及びそのHブリッジインバータにより生成される電圧の例が図16Aに示されており、ここで、Tは1周期を表し、1601、1602、1603、及び1604でそれぞれ表わされる電圧V1、V11、V12、V13は、それぞれ、第1のHブリッジマルチレベル脚1340及びHブリッジインバータ1342、1344、1346により出力され、Vbusは450vであると仮定される。
ステップS1502において、マルチレベルインバータ1400の第2のHブリッジマルチレベル脚1360は、スイッチQHA1、QHA4の駆動信号間、スイッチQHA2、QHA5の駆動信号間、及びスイッチQHA3、QHA6の駆動信号間にΨ位相シフトが存在し、スイッチQHA4の駆動信号とスイッチQLA4の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHB4の駆動信号とスイッチQLB4の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHA4の駆動信号がスイッチQLB4の駆動信号と同じデューティサイクルを有し、スイッチQLB4の駆動信号がスイッチQHA4の駆動信号に対して180°位相シフトを有し、スイッチQHA5の駆動信号とスイッチQLA5の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHB5の駆動信号とスイッチQLB5の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHA5の駆動信号がスイッチQLB5の駆動信号と同じデューティサイクルを有し、スイッチQLB5の駆動信号がスイッチQHA5の駆動信号に対して180°位相シフトを有し、スイッチQHA6の駆動信号とスイッチQLA6の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHB6の駆動信号とスイッチQLB6の駆動信号とが相補的であり、スイッチQHA6の駆動信号がスイッチQLB6の駆動信号と同じデューティサイクルを有し、スイッチQLB6の駆動信号がスイッチQHA6の駆動信号に対して180°位相シフトを有し、スイッチQHA1、QHA4の駆動信号間、スイッチQHA2、QHA5の駆動信号間、及びスイッチQHA3、QHA6の駆動信号間にΨ位相シフトが存在するように、第2のHブリッジマルチレベル脚1360に含まれるスイッチが変調されている状態下で、複数の出力レベルを有する電圧V2を発生させる。電圧V2は、結合インダクタ1320の二次巻線に入力される。スイッチQHA1、QHA4の駆動信号間、スイッチQHA2、QHA5の駆動信号間、及びスイッチQHA3、QHA6の駆動信号間にΨ位相シフトが存在するため、電圧V2は、電圧V1に対してΨ位相シフトを有する。
第2のHブリッジマルチレベル脚1360及びそのHブリッジインバータにより生成される電圧の例が図16Bに示されており、ここで、Tは1周期を表し、1605、1606、1607、及び1608でそれぞれ表わされる電圧V2、V21、V22、V23は、それぞれ、第2のHブリッジマルチレベル脚1360及びHブリッジインバータ1362、1364、1366により出力され、Vbusは450vであると仮定される。
ステップS1504において、マルチレベルインバータ1400は、電圧V1及び電圧V2から出力電圧Vmを発生させる。第2の実施形態では、結合インダクタ1320の一次巻線と二次巻線との巻数比は1:1であり、従って、電圧Vmは式3に従って算出される。
Vm=(V1+V2)/2(式3)
マルチレベルインバータ1400により生成される出力電圧Vmの一例が図16Cに示されており、ここで、電圧Vmは1609で表わされている。
図16Cから分かるように、マルチレベルインバータ1400により生成される出力電圧Vmは、各遷移において0vと1/2Vbus(225v)との間で切り替わり、従って、マルチレベルインバータ1400により生成される出力電圧Vmは、各遷移において1/2Vbusを変化させる。従って、マルチレベルインバータ1400は、既存の傾斜増幅器に比べて出力電圧の変化がより小さくなる。
更に、第2の実施形態において開示された内容から分かるように、マルチレベルインバータ1400の第1のHブリッジマルチレベル脚1340の3つのカスケード接続されたHブリッジインバータ1342、1344、1346により生成される出力電圧V11、V12、V13と、マルチレベルインバータ1400の第2のHブリッジマルチレベル脚1360の3つのカスケード接続されたHブリッジインバータ1362、1364、1366により生成される出力電圧V21、V22、V23とは、結合インダクタ1320によって接続され、Θ位相シフト及びΨ位相シフトで変調される。従って、この変調方式と結合インダクタ1320との組み合わせにより、図16Cに示すように、マルチレベルインバータ1400により生成される出力電圧Vmが各周期内に12個の電圧パルスを含むようになり、他方、図16A及び図16Bに示すように、Hブリッジインバータ1342、1344、1346、1362、1364、1366の各々は各周期内に2つの電圧パルスのみを含み、従って、マルチレベルインバータ1400の出力電圧Vmのリップル周波数は、各Hブリッジインバータにより生成される出力電圧のリップル周波数の6倍であり、マルチレベルインバータ1400のスイッチング周波数は各Hブリッジインバータのスイッチング周波数の6倍である。マルチレベルインバータ1400は6つのカスケード接続されたHブリッジインバータを含むため、この変調方式と結合インダクタ1320との組み合わせにより、マルチレベルインバータ1400の出力電圧のリップル周波数は、マルチレベルインバータ1400に含まれるカスケード接続されたHブリッジインバータの数だけ増倍されることになる。
第3の実施形態
図17は、本発明の第3の実施形態に従ったマルチレベルインバータ1700の概略図を示す。図17に示すように、第3の実施形態のマルチレベルインバータ1700は、Hブリッジインバータ1342及び1362の両方が単一の直流電源U1に接続され(即ち、Hブリッジインバータ1342及び1362は給電Hブリッジインバータであり)、第1のHブリッジマルチレベル脚1340のHブリッジインバータ1344、1346、及び第2のHブリッジマルチレベル脚1360のHブリッジインバータ1364、1366は浮動Hブリッジインバータであるという点で、第2の実施形態のマルチレベルインバータ1400と異なる。即ち、浮動HブリッジインバータとしてのHブリッジインバータ1344は、直流電源U2の代わりにコンデンサCdc1に接続され、浮動HブリッジインバータとしてのHブリッジインバータ1346は、直流電源U3の代わりにコンデンサCdc2に接続され、浮動HブリッジインバータとしてのHブリッジインバータ1364は、直流電源U5の代わりにコンデンサCdc3に接続され、浮動HブリッジインバータとしてのHブリッジインバータ1366は、直流電源U6の代わりにコンデンサCdc4に接続される。浮動HブリッジインバータはPCT出願国際公開第2010/109399A1号に詳細に記載されており、その開示全体が参照により本明細書に組み込まれる。
第2の実施形態のマルチレベルインバータ1400と比べると、第3の実施形態のマルチレベルインバータ1700は、より少ない直流電源を必要とし得る。更に、マルチレベルインバータ1700に浮動Hブリッジインバータを導入することにより、マルチレベルインバータ1700の変調アルゴリズムに追加的な自由度がもたらされ、これは、傾斜磁場コイル230に電流が流れていない場合であっても、始動時にマルチレベルインバータ1700の浮動Hブリッジインバータのコンデンサを充電するために使用され得る。
本発明の第3の実施形態に従ったマルチレベルインバータ1700によりマルチレベル出力電圧を供給するための方法については、上述した本発明の第2の実施形態に従った方法と同じであるため、ここでは説明を省略する。
第4の実施形態
図18は、本発明の第4の実施形態に従ったマルチレベルインバータ1800の概略図を示す。図18に示すように、第4の実施形態のマルチレベルインバータ1800は、マルチレベルインバータ1800が結合インダクタ1320の代わりに結合インダクタ1322、1324のセットを含むという点で、第2の実施形態のマルチレベルインバータ1400と異なる。結合インダクタ1322、1324の各々は第2の実施形態の結合インダクタ1320の半分のインピーダンスを有する、即ち、第2の実施形態の結合インダクタ1320が結合インダクタ1322、1324のセットに分割される。
結合インダクタ1322、1324のセットの各々は、結合インダクタ1320と同じであり、直列に結合された一次巻線及び二次巻線を含み、一次巻線及び二次巻線の接合ノードAを有し得る。
図18に示すように、結合インダクタ1322、1324の分割セットは第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚1340、1360の両側に対称的に結合される。具体的には、第1のHブリッジマルチレベル脚1340は結合インダクタ1322、1324の一次巻線間に結合され、第2のHブリッジマルチレベル脚1360は結合インダクタ1322、1324の二次巻線間に結合される。結合インダクタ1322、1324の接合ノードAが、マルチレベルインバータ1800の2つの出力端子を形成する。
結合インダクタ1322、1324はマルチレベルインバータ1800内で対称的に配置されるため、マルチレベルインバータ1800はガルバニック分離要件及びEMC適合に対して有益である。更に、2つのコンデンサC1及びC2が傾斜磁場コイル230の2つの側にそれぞれ配置される場合、結合インダクタ1322、1324のセットをこの2つのコンデンサC1及びC2と結合することにより、二次フィルタが形成され得、これは高周波高調波をより効果的に減衰させることができる。
本発明の第4の実施形態に従ったマルチレベルインバータ1800によりマルチレベル出力電圧を供給するための方法については、上述した本発明の第2の実施形態に従った方法と同じであるため、ここでは説明を省略する。
第5の実施形態
図19は、本発明の第5の実施形態に従ったマルチレベルインバータ1900の概略図を示す。図19に示すように、第5の実施形態のマルチレベルインバータ1900は、Hブリッジインバータ1342及び1362が給電Hブリッジインバータであり、第1のHブリッジマルチレベル脚1340のHブリッジインバータ1344、1346、及び第2のHブリッジマルチレベル脚1360のHブリッジインバータ1364、1366が浮動Hブリッジインバータであるという点で、第4の実施形態のマルチレベルインバータ1800と異なる。
本発明の第5の実施形態に従ったマルチレベルインバータ1900によりマルチレベル出力電圧を供給するための方法については、上述した本発明の第2の実施形態に従った方法と同じであるため、ここでは説明を省略する。
改変形態
第2及び第4の実施形態では、直流電源U1、U2、U3、U4、U5、及びU6は同じ電圧Vbusを有するが、直流電源U1、U2、U3、U4、U5、及びU6が互いに異なる電圧を有し得ることが当業者には容易に想到されることを理解されたい。
第2、第3、第4、及び第5の実施形態で説明されたΘ位相シフト及び/又はΨ位相シフトは、一定であり得、又は時間と共に変化し得ることを理解されたい。
第2、第3、第4及び第5の実施形態では、スイッチQHA1、QHA2の駆動信号間、スイッチQHA2、QHA3の駆動信号間、スイッチQHA4、QHA5の駆動信号間、及びスイッチQHA5、QHA6の駆動信号間に同じΘ位相シフトが存在するが、これらの位相シフトは互いに異なり得ることを理解されたい。
第2、第3、第4及び第5の実施形態では、スイッチQHA1、QHA4の駆動信号間、スイッチQHA2、QHA5の駆動信号間、及びスイッチQHA3、QHA6の駆動信号間に同じΨ位相シフトが存在するが、これらの位相シフトは互いに異なり得ることを理解されたい。
第2、第3、第4、及び第5の実施形態では、第1のHブリッジマルチレベル脚1340及び第2のHブリッジマルチレベル脚1360の各々は3つのカスケード接続されたHブリッジインバータを含むが、第1のHブリッジマルチレベル脚1340及び第2のHブリッジマルチレベル脚1360の各々に含まれるHブリッジインバータの数は、必要に応じて、3より少ない又は多いことができることを理解されたい。
第2、第3、第4、及び第5の実施形態では、第1のHブリッジマルチレベル脚1340に含まれるHブリッジインバータの数は第2のHブリッジマルチレベル脚1360に含まれるHブリッジインバータの数と同じであるが、第1のHブリッジマルチレベル脚1340に含まれるHブリッジインバータの数は、第2のHブリッジマルチレベル脚1360に含まれるHブリッジインバータの数と異なり得ることを理解されたい。
第3及び第5の実施形態における第1のHブリッジマルチレベル脚1340及び第2のHブリッジマルチレベル脚1360の各々は、1つの給電Hブリッジインバータ及び2つの浮動Hブリッジインバータを含むが、第1のHブリッジマルチレベル脚1340及び第2のHブリッジマルチレベル脚1360の各々は、少なくとも1つの給電Hブリッジインバータと少なくとも1つの浮動Hブリッジインバータとを含むことを理解されたい。
第2、第3、第4、及び第5の実施形態では、結合インダクタ1320の一次巻線と二次巻線との巻数比は1:1であるが、結合インダクタ1320の一次巻線と二次巻線との巻数比はn3:n4であり得、ここで、n3及びn4は互いに異なる整数であることを理解されたい。この場合、電圧Vmは次の数式に従って算出される。
Vm=(V1*n3+V2*n4)/(n3+n4)
第2及び第3の実施形態では、マルチレベルインバータは2つのHブリッジマルチレベル脚1340、1360を含むが、マルチレベルインバータは、k個のHブリッジマルチレベル脚T1、T2、T3、...、Tkを含み、ここで、kは2よりも大きい整数であることを理解されたい。マルチレベルインバータに含まれるスイッチは、k個のHブリッジマルチレベル脚により生成される電圧が互いに対して位相シフトを有し、k個のHブリッジマルチレベル脚の各々に含まれるHブリッジインバータにより生成される電圧が互いに対して位相シフトを有するように変調される。この場合、結合インダクタ1320は、互いに接続されたK個の巻線m1、m2、m3、...、mkを含み、K個の巻線の接合ノードAを有する。マルチレベルインバータに含まれるk個のHブリッジマルチレベル脚T1、T2、T3、...、Tkの各々は、結合インダクタ1320のk個の巻線m1、m2、m3、...、mkのうちの1つに接続される。図20は、結合インダクタ1320のk個の巻線とマルチレベルインバータのk個のHブリッジマルチレベル脚との間の接続関係の概略図を示し、Hブリッジマルチレベル脚T1は、入力電圧V1を供給するために結合インダクタ1320の巻線m1に結合され、Hブリッジマルチレベル脚T2は、入力電圧V2を供給するために結合インダクタ1320の巻線m2に結合され、Hブリッジマルチレベル脚T3は、入力電圧V3を供給するために結合インダクタ1320の巻線m3に結合される等であり、Hブリッジマルチレベル脚Tkは、入力電圧Vkを供給するために結合インダクタ1320の巻線mkに結合され、結合インダクタ1320の接合ノードAは、マルチレベルインバータの出力電圧として電圧Vmを出力する。マルチレベルインバータに含まれるHブリッジマルチレベル脚が多くなるほど、マルチレベルインバータの出力電圧の各周期内に含まれる電圧パルスが多くなることは明らかであり、結果として、傾斜磁場コイル230の電流リップルの低減につながる。
第4及び第5の実施形態では、マルチレベルインバータは2つのHブリッジマルチレベル脚1340、1360を含むが、マルチレベルインバータは、k個のHブリッジマルチレベル脚を含むことを理解されたい。この場合、結合インダクタ1322及び1324の各々は、互いに接続されたk個の巻線を含み、k個の巻線の接合ノードAを有する。マルチレベルインバータに含まれるk個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、結合インダクタ1322のk個の巻線うちの1つと、結合インダクタ1324のk個の巻線のうちの1つとの間に接続される。マルチレベルインバータに含まれるスイッチは、k個のHブリッジマルチレベル脚により生成される電圧が互いに対して位相シフトを有し、k個のHブリッジマルチレベル脚の各々に含まれるHブリッジインバータにより生成される電圧が互いに対して位相シフトを有するように変調される。
好ましい実施形態が例として詳細に説明されたが、本明細書を考慮し本明細書に開示された本発明を実施するにあたり、当業者には本発明の他の実施形態及び変形形態が明らかであろう。本明細書及び与えられた例は例示的なものに過ぎないと見なされるべきであり、添付の特許請求の範囲が、本発明の真の範囲内にある任意の他の実施形態又は変形形態を包含することが企図されている。
本発明で示された方法のステップは、上述したステップに限定されるべきではないことに留意されたい。特許請求される本発明の様々な態様は、これらの特定の詳細から逸脱した他の例において実施され得ることが当業者には明らかであろう。
更に、当業者により容易に理解されるように、幾つかの手段を列挙した装置クレームにおいて、これらの手段のうちの幾つかは同一のハードウェア品目により具現化され得る。特定の処置が互いに異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの処置の組み合わせが利益を得るように使用され得ないことを示すものではない。
上述した実施形態は、本発明を限定するのではなく説明するものであり、当業者であれば、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく代替の実施形態を設計できるであろうことに留意されたい。特許請求の範囲において、括弧内に置かれたいかなる参照符号も、特許請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。「含む」という語は、請求項又は本明細書に記載されていない要素又はステップの存在を排除するものではない。要素に先行する「1つの(a)」又は「1つの(an)」という語は、複数のそのような要素の存在を排除するものではない。幾つかのユニットを列挙するシステムクレームにおいて、これらのユニットのうちの幾つかは同一のソフトウェア品目及び/又はハードウェア品目により具現化され得る。第1、第2、及び第3などの語の使用は、何らかの順序を示すものではない。これらの語は名称として解釈されるべきである。

Claims (13)

  1. 各々がM個のカスケード接続されたHブリッジインバータを有し、n及びMは1より大きい整数である、n個のHブリッジマルチレベル脚と、
    コアの周りに巻かれ且つ前記n個の巻線の接合ノードで共に結合された当該n個の巻線を有する結合インダクタと
    を備え、前記n個のHブリッジマルチレベル脚は、前記結合インダクタを介して並列に結合され、前記n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、複数の電圧レベルを有する入力電圧を供給するために前記n個の巻線のうちの1つに結合され、前記接合ノードは、マルチレベル出力レベルを供給するためのマルチレベルインバータの出力端子を形成し、前記n個のHブリッジマルチレベル脚により供給される前記入力電圧は、互いに対して位相シフトを有し、
    前記M個のカスケード接続されたHブリッジインバータにより生成される電圧は、隣接するHブリッジインバータに対して360°/M位相シフトを有する、マルチレベルインバータ。
  2. 各々がM個のカスケード接続されたHブリッジインバータを有し、n及びMは1より大きい整数である、n個のHブリッジマルチレベル脚と、
    前記n個のHブリッジマルチレベル脚の両側に対称的に結合された結合インダクタの分割セットと
    を備え、前記結合インダクタのセットの各々は、コアの周りに巻かれ且つn個の巻線の接合ノードで共に結合された当該n個の巻線を有し、前記n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、複数の電圧レベルを有する入力電圧を供給するために、前記結合インダクタのセットのうちの1つの結合インダクタの前記n個の巻線のうちの1つと、前記結合インダクタのセットのうちの別の結合インダクタの前記n個の巻線のうちの1つとの間に結合され、前記結合インダクタのセット内の前記接合ノードは、マルチレベル出力レベルを供給するためにマルチレベルインバータの出力端子を形成し、前記n個のHブリッジマルチレベル脚により供給される前記入力電圧は、互いに対して位相シフトを有し、
    前記M個のカスケード接続されたHブリッジインバータにより生成される電圧は、隣接するHブリッジインバータに対して360°/M位相シフトを有する、マルチレベルインバータ。
  3. 前記n個のHブリッジマルチレベル脚の各々における前記カスケード接続されたHブリッジインバータの数は、他のHブリッジマルチレベル脚の各々における前記カスケード接続されたHブリッジインバータの数と同じであるか、又は異なっている、請求項1又は2に記載のマルチレベルインバータ。
  4. 前記M個のカスケード接続されたHブリッジインバータは、少なくとも1つの給電Hブリッジインバータと、少なくとも1つの浮動Hブリッジインバータとを備える、請求項1又は2に記載のマルチレベルインバータ。
  5. M個のカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュールを備え、Mは1より大きい整数である、マルチレベルインバータであって、
    各Hブリッジマルチレベルモジュールは、第1のHブリッジマルチレベル脚の出力端子において複数の出力レベルを有する当該第1のHブリッジマルチレベル脚と、第2のHブリッジマルチレベル脚の出力端子において複数の出力レベルを有する当該第2のHブリッジマルチレベル脚とを備え、前記第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚は並列に接続され、前記Hブリッジマルチレベルモジュールのマルチレベル出力は、前記第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚の前記出力端子間に出力され、
    前記第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚の各々は、コアの周りに巻かれた一次巻線及び二次巻線を含む結合インダクタを介して並列に結合された第1のインバータ脚と第2のインバータ脚とを備え、前記第1のインバータ脚は、複数の電圧レベルを有する第1の入力電圧を供給するために前記結合インダクタの前記一次巻線に結合され、前記第2のインバータ脚は、複数の電圧レベルを有する第2の入力電圧を供給するために前記結合インダクタの前記二次巻線に結合され、前記結合インダクタの前記一次及び二次巻線は直列に結合され、直列に結合された前記一次及び二次巻線の接合ノードは、前記Hブリッジマルチレベル脚の前記出力端子を形成し、前記第1の入力電圧は、前記第2の入力電圧に対して所定の位相シフトを有し、
    前記M個のカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュールにより生成される電圧は、隣接するHブリッジマルチレベルモジュールに対して360°/M位相シフトを有する、マルチレベルインバータ。
  6. 前記第1及び第2のインバータ脚の各々は、直列に結合されたハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチを有するハーフブリッジ脚を備える、請求項5に記載のマルチレベルインバータ。
  7. 前記第1のHブリッジマルチレベル脚の前記第1及び第2のインバータ脚における前記ハイサイドスイッチの駆動信号は、互いに対して前記所定の位相シフトを有し、前記第2のHブリッジマルチレベル脚の前記第1及び第2のインバータ脚における前記ローサイドスイッチの駆動信号は、互いに対して前記所定の位相シフトを有する、請求項6に記載のマルチレベルインバータ。
  8. n−1+1個の電圧レベルを有する前記第1及び第2の入力電圧は、前記第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚の各々から出力される2+1個の出力レベルをもたらし、nは1以上の整数である、請求項5に記載のマルチレベルインバータ。
  9. +1個の出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚は、2+1個の出力レベルを有する2つのHブリッジマルチレベル脚を前記結合インダクタを介して並列に結合することにより、2k+1+1個の出力レベルを有するHブリッジマルチレベル脚に拡張され、kは1、...、nである、請求項8に記載のマルチレベルインバータ。
  10. マルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法であって、前記マルチレベルインバータは、M個のカスケード接続されたHブリッジマルチレベルモジュールを備え、Mは1より大きい整数であり、各Hブリッジマルチレベルモジュールは、並列に接続された第1のHブリッジマルチレベル脚と第2のHブリッジマルチレベル脚とを備え、前記Hブリッジマルチレベルモジュールの出力電圧は、前記第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚の出力端子間に出力され、前記第1及び第2のHブリッジマルチレベル脚の各々は、コアの周りに巻かれた一次巻線及び二次巻線を含む結合インダクタを介して並列に結合された第1のインバータ脚と第2のインバータ脚とを備え、前記第1のインバータ脚は、前記結合インダクタの前記一次巻線に結合され、前記第2のインバータ脚は、前記結合インダクタの前記二次巻線に結合され、前記結合インダクタの前記一次及び二次巻線は直列に結合され、直列に結合された前記一次及び二次巻線の接合ノードは、前記Hブリッジマルチレベル脚の前記出力端子を形成し、前記方法は、
    各Hブリッジマルチレベルモジュールの前記第1のHブリッジマルチレベル脚の前記第1のインバータ脚により、複数のレベルを有する第1の電圧を生成するステップと、
    各Hブリッジマルチレベルモジュールの前記第1のHブリッジマルチレベル脚の前記第2のインバータ脚により、前記第1の電圧に対して所定の位相シフトを有する複数のレベルを有する第2の電圧を生成するステップと、
    各Hブリッジマルチレベルモジュールの前記第1のHブリッジマルチレベル脚により、生成された前記第1及び第2の電圧に基づいて複数のレベルを有する第3の電圧を生成するステップと、
    各Hブリッジマルチレベルモジュールの前記第2のHブリッジマルチレベル脚の前記第1のインバータ脚により、複数のレベルを有する第4の電圧を生成するステップと、
    各Hブリッジマルチレベルモジュールの前記第2のHブリッジマルチレベル脚の前記第2のインバータ脚により、前記第4の電圧に対して前記所定の位相シフトを有する複数のレベルを有する第5の電圧を生成するステップと、
    各Hブリッジマルチレベルモジュールの前記第2のHブリッジマルチレベル脚により、前記生成された第4及び第5の電圧に基づいて複数のレベルを有する第6の電圧を生成するステップと、
    各Hブリッジマルチレベルモジュールにより、前記生成された第3及び第6の電圧に基づいて、マルチレベル出力電圧を生成するステップと、
    各Hブリッジマルチレベルモジュールにより出力される前記マルチレベル出力電圧に基づいて、前記マルチレベルインバータのマルチレベル出力電圧を供給するステップと、含み、
    各Hブリッジマルチレベルモジュールの出力は、隣接するHブリッジマルチレベルモジュールに対して360°/M位相シフトを有する、方法。
  11. 前記第1及び第2のインバータ脚の各々は、直列に結合されたハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチを有するハーフブリッジ脚を備え、
    前記第1のHブリッジマルチレベル脚の前記第1及び第2のインバータ脚における前記ハイサイドスイッチの駆動信号は、互いに対して前記所定の位相シフトを有し、及び前記第2のHブリッジマルチレベル脚の前記第1及び第2のインバータ脚における前記ローサイドスイッチの駆動信号は、互いに対して前記所定の位相シフトを有する、請求項10に記載の方法。
  12. マルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法であって、前記マルチレベルインバータは、n個のHブリッジマルチレベル脚と、コアの周りに巻かれたn個の巻線を含む結合インダクタとを備え、n及びMは1より大きい整数であり、前記n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、M個のカスケード接続されたHブリッジインバータを有し、及び前記n個の巻線は、接合ノードで互いに結合され、前記n個のHブリッジマルチレベル脚は、前記結合インダクタを介して並列に結合され、前記n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、前記n個の巻線のうちの1つに結合され、及び前記接合ノードは、前記マルチレベルインバータの出力端子を形成し、前記方法は、
    前記n個のHブリッジマルチレベル脚により、n個の電圧を生成するステップであって、前記n個の電圧の各々は複数の電圧レベルを有し、前記n個の電圧は互いに対して位相シフトを有する、ステップと、
    前記生成されたn個の電圧に基づいて、前記マルチレベルインバータにより出力されるマルチレベル出力電圧を供給するステップと、を含み、
    前記M個のカスケード接続されたHブリッジインバータにより生成される電圧は、隣接するHブリッジインバータに対して360°/M位相シフトを有する、方法。
  13. マルチレベルインバータによりマルチレベル出力電圧を供給するための方法であって、前記マルチレベルインバータは、n個のHブリッジマルチレベル脚及び結合インダクタの分割セットを備え、n及びMは1より大きい整数であり、前記n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、M個のカスケード接続されたHブリッジインバータを有し、及び前記結合インダクタの分割セットは、前記n個のHブリッジマルチレベル脚の両側に対称的に結合され、前記結合インダクタセットの各々は、n個の巻線であって、コアの周りに巻かれ且つ前記n個の巻線の接合ノードで互いに結合されたn個の巻線を有し、前記n個のHブリッジマルチレベル脚の各々は、前記結合インダクタセットのうちの1つの結合インダクタの前記n個の巻線のうちの1つと、前記結合インダクタセットのうちの別の結合インダクタの前記n個の巻線のうちの1つとの間に結合され、及び前記結合インダクタセット内の前記接合ノードは、前記マルチレベルインバータの出力端子を形成し、前記方法は、
    前記n個のHブリッジマルチレベル脚により、n個の電圧を生成するステップであって、前記n個の電圧の各々は複数の電圧レベルを有し、前記n個の電圧は互いに対して位相シフトを有する、ステップと、
    前記生成されたn個の電圧に基づいて、前記マルチレベルインバータにより出力されるマルチレベル出力電圧を供給するステップと、を含み、
    前記M個のカスケード接続されたHブリッジインバータにより生成される電圧は、隣接するHブリッジインバータに対して360°/M位相シフトを有する、方法。
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