JP6668723B2 - インダクタ部品 - Google Patents

Description

本発明は、インダクタ部品に関する。

従来、インダクタ部品としては、特開２０１３−２２５７１８号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品は、ガラスエポキシ基板と、ガラスエポキシ基板の両面に設けられたスパイラル配線と、スパイラル配線を覆う絶縁樹脂と、絶縁樹脂の上下を覆うコアとを有する。コアは、金属磁性粉含有樹脂であり、コアは、平均粒径が２０〜５０μｍである金属磁性粉を含む。

特開２０１３−２２５７１８号公報

ところで、ＰＣ、サーバーの高性能化やモバイル機器の普及に伴い省電力化技術への要求が高まっているなか、ＣＰＵ(Central Processing Unit：中央処理装置)の低消費電力化技術としてＩＶＲ(Integrated Voltage Regulator：統合電圧調整器)技術が注目されている。

ここで、従来のシステムでは、図５に示すように、ＩＣ(integrated circuit：集積回路)チップ１００内にあるＮ個のＣＰＵ１０１に対し、１つのＶＲ(Voltage Regulator：電圧調整器)１０３を介して、電源１０５から電圧を供給していた。

一方、ＩＶＲ技術のシステムでは、図６に示すように、ＣＰＵ１０１毎に電源１０５からの電圧を調整する個別のＶＲ１１３を備え、各ＣＰＵ１０１のクロック動作周波数に応じて、当該ＣＰＵ１０１に供給する電圧を個別にコントロールする。

ＣＰＵ１０１の動作周波数の変化に対応するように供給電圧を制御するためには、高速で供給電圧を変化させる必要があり、ＶＲ１１３では、１０〜１００ＭＨｚといった高速スィッチング動作を行うチョッパー回路が必要となる。

これに伴い、チョッパー回路の出力側リップルフィルタに使用されるインダクタも、１０〜１００ＭＨｚといった高速スィッチング動作に適応でき、かつ、ＣＰＵ１０１の動作上コアへの充分な電流として数Ａレベルを通電できる、高周波パワーインダクタが必要となっている。

加えて、ＩＶＲでは、ＩＣチップ１１０に上述のシステムを統合することで、省電力化と同時に小型化をはかることも目的としており、ＩＣパッケージ内に内蔵可能な小型の高周波パワーインダクタが求められる。特に、ＳｉＰ(System in Package)やＰｏＰ(Package on Package)といった３次元実装によるシステムの小型化が進む中、ＩＣパッケージ基板への内蔵や、当該基板のＢＧＡ(Ball Grid Array)サイドへの実装が可能な、例えば０．３３ｍｍ厚み以下の薄型の高周波パワーインダクタが必要である。

しかしながら、従来のインダクタ部品では、ガラスエポキシ基板の両面にスパイラル配線を設けているため、ガラスエポキシ基板の厚みが阻害要因となり、薄型化が困難である。ガラスエポキシ基板は、ガラスクロスの厚みの限界により、薄くとも８０μｍ程度の厚みを有するため、２層のスパイラル配線の層間ピッチをこれ以上小さくできない。また、無理にこの基板を薄くした場合、基板の強度が保てず、配線加工等が困難になる。

また、コアに平均粒径が２０〜５０μｍの金属磁性粉が含まれているので、金属磁性粉のサイズが大きい。これにより、絶縁樹脂の上下のコアの厚みが厚くなり、薄型化が困難である。また、例えば、Ｌ値を向上させるために、スパイラル配線を覆う絶縁樹脂に金属磁性粉を含有させるためには、配線ピッチを金属磁性粉の平均粒径より十分大きく確保する必要があり、小型化も困難である。

そこで、本願発明者は、現在、低背小型化を図ることができるインダクタ部品を考えている。このインダクタ部品は、スパイラル配線と、スパイラル配線を覆う絶縁体と、絶縁体を覆うと共に、樹脂および金属磁性粉のコンポジット材料からなる磁性コンポジット体と、磁性コンポジット体の外面から端面が露出するように磁性コンポジット体に埋め込まれ、スパイラル配線に電気的に接続された内部電極とを有する。

ところが、このインダクタ部品を実装すると、インダクタ部品の実装安定性が低下する場合があることが分かった。具体的には、このインダクタ部品では、内部電極の露出する端面が外部端子となるが、内部電極の端面の面積がインダクタ部品の幅に対して小さい場合、内部電極の端面を半田により接合する際に、インダクタ部品の姿勢が不安定になることがある。一方、内部電極の端面の面積を大きくすると、その分だけ磁性コンポジット体の体積が少なくなるため、特性が低下してしまう問題がある。

そこで、本発明の課題は、特性を低下させることなく、実装安定性を向上できるインダクタ部品を提供することにある。

前記課題を解決するため、本発明のインダクタ部品は、
複数層のスパイラル配線と、
前記複数層のスパイラル配線を直接的または間接的に覆うと共に、樹脂および平均粒径が５μｍ以下の金属磁性粉のコンポジット材料からなる磁性コンポジット体と、
前記磁性コンポジット体の外面から端面が露出するように前記磁性コンポジット体に埋め込まれ、前記スパイラル配線に電気的に接続された内部電極と、
前記磁性コンポジット体の外面に設けられ、前記内部電極に電気的に接続された外部端子と
を備え、
前記外部端子は、前記磁性コンポジット体の前記樹脂および前記金属磁性粉と前記内部電極の前記端面とに接触する金属膜を含み、
前記金属膜の前記端面側の面積は、前記端面の面積よりも大きい。

本発明のインダクタ部品によれば、外部端子は、磁性コンポジット体の樹脂および金属磁性粉と内部電極の端面とに接触する金属膜を含み、金属膜の端面側の面積は、端面の面積よりも大きい。これにより、半田と接合する外部端子の面積をインダクタ部品の幅に対して大きくすることができ、外部端子を半田により接合する際に、インダクタ部品の姿勢が安定して、インダクタ部品の実装安定性を向上できる。また、実装安定性を向上させる際に内部電極の端面の面積を大きくする必要がなく、磁性コンポジット体の体積の減少を抑えて、特性の低下を防止できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子は、前記金属膜と、前記金属膜を覆う被覆膜とを有する。

前記実施形態によれば、外部端子は、金属膜と、金属膜を覆う被覆膜とを有するので、例えば、金属膜に電気抵抗の低い（低抵抗な）材料を、被覆膜に耐半田食われ性や半田濡れ性の高い材料を用いることで、導電性、信頼性及び半田接合性に優れた外部端子を構成することができるなど、外部端子の設計自由度が向上する。

また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記外部端子は、複数あり、前記複数の外部端子のそれぞれの前記金属膜は、前記磁性コンポジット体の第１面に設けられ、
前記磁性コンポジット体の前記第１面における前記金属膜が設けられていない部分に、樹脂膜が設けられている。

前記実施形態によれば、磁性コンポジット体の第１面における金属膜が設けられていない部分に、樹脂膜が設けられているので、複数の金属膜（外部端子）の間の絶縁性を向上できる。また、樹脂膜が金属膜のパターン形成時のマスク代わりとなり、製造効率が向上する。樹脂膜は、樹脂から露出する金属磁性粉を覆うので、金属磁性粉の外部への露出を防止することができる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記外部端子は、前記樹脂膜よりも前記第１面と反対側に突出している。

前記実施形態によれば、外部端子は、樹脂膜よりも突出しているので、外部端子を実装するとき、実装安定性を向上できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記樹脂膜は、絶縁材料からなるフィラーを含有する。

前記実施形態によれば、樹脂膜は、絶縁材料からなるフィラーを含有するので、外部端子間の絶縁性を向上できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記金属膜の厚みは、前記スパイラル配線の厚みの１／５以下である。

前記実施形態によれば、金属膜の厚みは、スパイラル配線の厚みの１／５以下であり、スパイラル配線よりも十分に薄いため、インダクタ部品を低背化できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記金属膜の厚みは、１μｍ以上でかつ１０μｍ以下である。

前記実施形態によれば、金属膜の厚みは、１μｍ以上でかつ１０μｍ以下であるので、インダクタ部品を低背化できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記金属膜の材料と前記内部電極の材料とは、同種金属である。

前記実施形態によれば、金属膜の材料と内部電極の材料とは、同種金属であるので、接続信頼性を向上できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記磁性コンポジット体は、前記外面の一部に凹部を有し、前記金属膜は、前記凹部に充填されている。

前記実施形態によれば、金属膜は、磁性コンポジット体の凹部に充填されているので、金属膜と磁性コンポジット体との密着性を向上できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記金属膜は、前記金属磁性粉の外面に沿って前記磁性コンポジット体の内部側に回り込んでいる。

前記実施形態によれば、金属膜は、金属磁性粉の外面に沿って磁性コンポジット体の内部側に回り込んでいるので、金属磁性粉と接触する面積が増えることにより金属磁性粉と強固に接合させるとともに、凹部の形状に沿って磁性コンポジット体と接触することによるアンカー効果を得ることができ、金属膜と磁性コンポジット体との密着性を向上できる。

本発明のインダクタ部品によれば、外部端子は、磁性コンポジット体の樹脂および金属磁性粉と内部電極の端面とに接触する金属膜を含み、金属膜の端面側の面積は、端面の面積よりも大きいので、特性を低下させることなく、実装安定性を向上できる。

本発明のインダクタ部品の第１実施形態を示す断面図である。 図１のＡ部の拡大図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第１実施例を示す断面画像である。 従来のシステムを示す簡略構成図である。 ＩＶＲのシステムを示す簡略構成図である。

以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明のインダクタ部品の第１実施形態を示す断面図である。なお、図面は模式的なものであり、部材の縮尺や寸法の関係が実際のものとは異なる場合がある。インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。

図１に示すように、インダクタ部品１は、複数層のスパイラル配線２１，２２と、複数層のスパイラル配線１１，１２と交互に積層される複数層の絶縁層４１〜４３を含む絶縁体４０と、絶縁体４０を覆う磁性コンポジット体３０と、磁性コンポジット体３０に埋め込まれ、第１、第２スパイラル配線２１，２２に電気的に接続された第１、第２内部電極１１，１２と、磁性コンポジット体３０の外面に設けられ、第１、第２内部電極１１，１２に電気的に接続された第１、第２外部端子６１，６２とを有する。ここで、対象物を覆うとは、対象物の少なくとも一部を覆うことをいう。

第１、第２スパイラル配線２１，２２は、下層から上層に順に、配置される。なお、本明細書においては、インダクタ部品１における上下を、図１の紙面上下と一致するものとして記載する。第１、第２スパイラル配線２１，２２は、積層方向に電気的に接続されている。ここで、積層方向とは、層が積み重なる方向を指し、具体的には図１の紙面上下に沿った方向を意味する。

第１、第２スパイラル配線２１，２２は、それぞれ、平面においてスパイラル状に形成されている。第１スパイラル配線２１は、例えば、上方からみて、時計回りに旋回しながら中心から遠ざかる渦巻き状に形成される。第２スパイラル配線２２は、例えば、上方からみて、反時計回りに旋回しながら中心から遠ざかる渦巻き状に形成される。

第１、第２スパイラル配線２１，２２は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗な金属によって構成される。好ましくは、セミアディティブ工法によって形成されるＣｕめっきを用いることで、低抵抗でかつ狭ピッチなスパイラル配線を形成できる。

第１、第２内部電極１１，１２は、第１、第２スパイラル配線２１，２２の積層方向の上方に設けられる。第１、第２内部電極１１，１２は、第１、第２内部電極１１，１２の上端面１１ａ，１２ａが磁性コンポジット体３０の外面の上端面（第１面）３０ａから露出するように磁性コンポジット体３０に埋め込まれている。ここで、露出とは、インダクタ部品１の外部への露出だけではなく、他の部材への露出、つまり、他の部材との境界面での露出も含むものとする。

第１内部電極１１は、第１スパイラル配線２１に電気的に接続され、第２内部電極１２は、第２スパイラル配線２２に電気的に接続される。内部電極１１，１２は、例えばスパイラル配線２１，２２と同じ材料から構成される。

絶縁体４０は、無機フィラーおよび樹脂のコンポジット材料からなる。樹脂は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料である。無機フィラーの平均粒径は、５μｍ以下である。無機フィラーは、ＳｉＯ２などの絶縁体である。好ましくは、無機フィラーは、平均粒径が０．５μｍ以下のＳｉＯ２である。好ましくは、無機フィラーの含有率は、絶縁体４０に対して、２０Ｖｏｌ％以上７０Ｖｏｌ％以下である。なお、絶縁体４０は、コンポジット材料に限定されず、樹脂のみから構成されるようにしてもよい。

絶縁体４０は、第１から第３絶縁層４１〜４３から構成される。第１から第３絶縁層４１〜４３は、下層から上層に順に、配置される。第１スパイラル配線２１は、第１絶縁層４１上に積層される。第２絶縁層４２は、第１スパイラル配線２１に積層され、第１スパイラル配線２１を覆う。第２スパイラル配線２２は、第２絶縁層４２上に積層される。第３絶縁層４３は、第２スパイラル配線２２に積層され、第２スパイラル配線２２を覆う。このように、第１、第２スパイラル配線２１，２２と複数の絶縁層とは、交互に積層される。言い換えると、第１、第２スパイラル配線２１，２２のそれぞれは、絶縁層上に積層されると共に、当該絶縁層より上層の絶縁層に覆われる。

第２スパイラル配線２２は、積層方向に延在するビア配線２７を介して、第１スパイラル配線２１に電気的に接続される。ビア配線２７は、第２絶縁層４２内に設けられる。第１スパイラル配線２１の内周部２１ａと第２スパイラル配線２２の内周部２２ａとは、ビア配線２７を介して、電気的に接続される。これにより、第１スパイラル配線２１及び第２スパイラル配線２２は一つのインダクタを構成する。

第１スパイラル配線２１の外周部２１ｂと第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂは、積層方向からみて、絶縁体４０の両端側に位置する。第１内部電極１１は、第１スパイラル配線２１の外周部２１ｂ側に位置し、第２内部電極１２は、第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂ側に位置する。

第１スパイラル配線２１の外周部２１ｂは、第２絶縁層４２内に設けられたビア配線２７と、第２絶縁層４２上に設けられた第１接続配線２５と、第３絶縁層４３内に設けられたビア配線２７とを介して、第１内部電極１１に電気的に接続される。第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂは、第３絶縁層４３内に設けられたビア配線２７を介して、第２内部電極１２に電気的に接続される。第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂは、第２絶縁層４２内に設けられたビア配線２７を介して、第１絶縁層４１上に設けられた第２接続配線２６に電気的に接続される。なお、第１接続配線２５と第２スパイラル配線２２とは接続されておらず、第２接続配線２６と第１スパイラル配線２１とは接続されていない。

第１、第２スパイラル配線２１，２２のそれぞれの高さ方向の厚みは、４０μｍ以上であり、好ましくは、１２０μｍ以下である。なお、高さ方向は、インダクタ部品１の上下方向に沿った方向である。第１、第２スパイラル配線２１，２２のそれぞれの配線ピッチは、１０μｍ以下であり、好ましくは、３μｍ以上である。スパイラル配線の層間ピッチは、１０μｍ以下であり、好ましくは、３μｍ以上である。なお、配線ピッチ及び層間ピッチは設計値であり、製造ばらつきとしては±約２０％である。

配線厚みを４０μm以上にすることで直流抵抗を十分に下げることができる。さらに、配線厚みを１２０μｍ以下にすることで、配線の高さ方向と幅方向の厚みの比である配線アスペクトを極端に大きくすることを防ぎ、プロセスばらつきを抑制することができる。また、配線ピッチを１０μｍ以下にすることで配線幅を大きくとることができ、直流抵抗を確実に下げることができる。さらに、配線ピッチを3μｍ以上にすることで配線間の絶縁性を十分に確保できる。また、層間ピッチを１０μｍ以下にすることで低背化が可能となる。さらに、層間ピッチを３μｍ以上にすることで層間ショートを抑制することができる。

第１、第２スパイラル配線２１，２２によって構成されるインダクタのターン数は、１ターン以上１０ターン以下であり、好ましくは、１．５〜５ターン以下である。

磁性コンポジット体３０は、樹脂３５および金属磁性粉３６のコンポジット材料からなる。樹脂３５は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料である。金属磁性粉３６の平均粒径は、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下である。なお、ここでいう平均粒径とは、後述する金属膜の結晶の平均粒径と同様にして算出される。また、インダクタ部品１の製造段階においては、金属磁性粉３６の平均粒径を、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径として算出することができる。金属磁性粉３６は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。金属磁性粉３６の含有率は、好ましくは、磁性コンポジット体３０に対して、２０Ｖｏｌ％以上７０Ｖｏｌ％以下である。

磁性コンポジット体３０は、内磁路３７ａと外磁路３７ｂを有する。内磁路３７ａは、第１、第２コイル導体２１，２２の内径および絶縁体４０の内径孔部４０ａに位置する。外磁路３７ｂは、第１、第２コイル導体２１，２２および絶縁体４０の上下に位置する。

第１、第２外部端子６１，６２は、磁性コンポジット体３０の上端面３０ａ側に設けられる。第１、第２外部端子６１，６２は、それぞれ、金属膜６３と、金属膜６３を覆う被覆膜６４とを有する。金属膜６３は、磁性コンポジット体３０の上端面３０ａに接触する。被覆膜６４は、金属膜６３の上面から磁性コンポジット体３０の側面側に延在する。第１外部端子６１の被覆膜６４は、第１内部電極１１の側面、ビア配線２７の側面、第１接続配線２５の側面、および、第１スパイラル配線２１の外周部２１ｂに接触する。第２外部端子６２の被覆膜６４は、第２内部電極１２の側面、ビア配線２７の側面、第２接続配線２６の側面、および、第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂに接触する。

金属膜６３は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗な金属によって構成される。金属膜６３の材料は、好ましくは、内部電極１１，１２の材料と同種の金属であり、この場合、金属膜６３と内部電極１１，１２との接続信頼性を向上できる。金属膜６３は、後述するように、好ましくは、無電解めっきにより形成される。なお、金属膜６３は、電解めっきやスパッタリング、蒸着などにより形成されるようにしてもよい。被覆膜６４は、例えば、ＳｎＮｉなどの耐半田食われ性や半田濡れ性の高い材料によって構成され、金属膜６３の上面から磁性コンポジット体３０の側面側にメッキにて形成される。このように、第１、第２外部端子６１，６２は、金属膜６３と、金属膜６３を覆う被覆膜６４とを有することにより、例えば上記のように、金属膜６３に低抵抗な材料を、被覆膜６４に耐半田食われ性や半田濡れ性の高い材料を用いることができる。すなわち、導電性、信頼性及び半田接合性に優れた外部端子６１，６２を構成することができるなど、外部端子６１，６２の設計自由度が向上する。

一方、被覆膜６４は、金属膜６３と同一の材料で構成してもよく、例えば、金属膜６３を無電解めっきで形成したＣｕの層とし、被覆膜６４を電解めっきで形成したＣｕの層としてもよい。この場合、低抵抗な被覆膜６４でインダクタ部品１の側面を覆うことで、側面で半田接合することが可能となる。また、被覆膜６４は、積層構造を有してもよく、例えばＣｕの層の表面をＳｎＮｉなどの層で覆う構成であってもよい。さらに、被覆膜６４は必須の構成ではなく、被覆膜６４を備えない構成であってもよい。

図２は、図１のＡ部の拡大図である。図１と図２に示すように、第２外部端子６２の金属膜６３は、磁性コンポジット体３０の樹脂３５および金属磁性粉３６と第２内部電極１２の端面１２ａとに接触する。第２外部端子６２の金属膜６３の端面１２ａ側の面積は、端面１２ａの面積よりも大きい。第１外部端子６１の金属膜６３も、第２外部端子６２の金属膜６３と同様である。

磁性コンポジット体３０の上端面３０ａは、研削により形成された研削面である。このため、上端面３０ａにおいて、金属磁性粉３６が樹脂３５から露出している。また、磁性コンポジット体３０は上端面３０ａの一部に、研削時の金属磁性粉３６の脱粒により設けられた凹部３５ａを樹脂３５部分に有している。

特に、金属膜６３は、樹脂３５の凹部３５ａに充填されている。これにより、アンカー効果が得られ、金属膜６３と磁性コンポジット体３０との密着性を向上できる。また、後述するように、金属膜６３は、金属磁性粉３６の外面に沿って磁性コンポジット体３０の内部側に回り込む。つまり、金属膜６３は、金属磁性粉３６の外面に沿って、樹脂３５と金属磁性粉３６との間の隙間に入り込む。これにより、金属膜６３は、金属磁性粉３６と接触する面積が増えることにより金属磁性粉３６と強固に接合されるとともに、樹脂３５の凹部３５ａの形状に沿って磁性コンポジット体３０と接触することによるアンカー効果を得ることができ、金属膜６３と磁性コンポジット体３０との密着性を向上できる。なお、金属膜６３を凹部３５ａに充填するためには、例えば、後述するように金属膜６３を無電解めっきにより形成すればよい。また、金属膜６３は、凹部３５ａの全体に充填されている場合だけに限られず、凹部３５ａの一部に充填されていてもよい。

金属膜６３の厚みは、第１、第２スパイラル配線２１，２２のそれぞれの厚みの１／５以下である。具体的に述べると、金属膜６３の厚みは、１μｍ以上でかつ１０μｍ以下である。これにより、インダクタ部品１を低背化できる。なお、金属膜６３の厚みが１μｍ以上であることにより、金属膜６３を良好に製造でき、金属膜６３の厚みが１０μｍ以下であることにより、インダクタ部品１を低背化できる。

磁性コンポジット体３０の上端面３０ａにおける金属膜６３が設けられていない部分に、樹脂膜６５が設けられている。樹脂膜６５は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド等の電気絶縁性が高い樹脂材料から構成される。これにより、第１、第２外部端子６１，６２（金属膜６３）の間の絶縁性を向上できる。また、樹脂膜６５が金属膜６３のパターン形成時のマスク代わりとなり、製造効率が向上する。樹脂膜６５は、樹脂３５から露出する金属磁性粉３６を覆うので、金属磁性粉３６の外部への露出を防止することができる。

第１、第２外部端子６１，６２は、樹脂膜６５よりも上端面３０ａと反対側に突出している。すなわち、第１、第２外部端子６１，６２の厚みは、樹脂膜６４の膜厚よりも大きく、これにより、第１、第２外部端子６１，６２を実装するとき、実装安定性を向上できる。

樹脂膜６５は、絶縁材料からなるフィラーを含有してもよい。これにより、、第１、第２外部端子６１，６２間の絶縁性を向上できる。

次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。

図３Ａに示すように、基台５０を準備する。基台５０は、絶縁基板５１と、絶縁基板５１の両面に設けられたベース金属層５２とを有する。この実施形態では、絶縁基板５１は、ガラスエポキシ基板であり、ベース金属層５２は、Ｃｕ箔である。後述するように基台５０が剥離されることにより、基台５０の厚みは、インダクタ部品１の厚みに影響を与えないため、加工上のそりなどの理由から適宜取り扱いやすい厚さのものを用いればよい。

そして、図３Ｂに示すように、基台５０の一面上にダミー金属層６０を接着する。この実施形態では、ダミー金属層６０は、Ｃｕ箔である。ダミー金属層６０は、基台５０のベース金属層５２と接着されるので、ダミー金属層６０は、ベース金属層５２の円滑面に接着される。このため、ダミー金属層６０とベース金属層５２の接着力を弱くすることができて、後工程において、基台５０をダミー金属層６０から容易に剥がすことができる。好ましくは、基台５０とダミー金属層６０を接着する接着剤は、低粘着接着剤とする。また、基台５０とダミー金属層６０の接着力を弱くするために、基台５０とダミー金属層６０の接着面を光沢面とすることが望ましい。

その後、基台５０に仮止めされたダミー金属層６０上に第１絶縁層４１を積層する。このとき、第１絶縁層４１を、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し熱硬化する。その後、内磁路（磁芯）に相当する第１絶縁層４１の部分を、レーザ等により除去し、開口部４１ａを形成する。

そして、図３Ｃに示すように、第１絶縁層４１上に、セミアディティブ工法を用いて、第１スパイラル配線２１および第２接続配線２６を積層する。第１スパイラル配線２１および第２接続配線２６は、互いに接触していない。第２接続配線２６は、外周部２１ｂと反対側に設ける。詳しくは、まず、第１絶縁層４１上に無電解メッキやスパッタリング、蒸着などにより給電膜を形成する。給電膜の形成後、給電膜上に感光性のレジストを塗布や貼り付け、フォトリソグラフィーにより配線パターンを形成する。その後、電解めっきによって、配線２１，２６に相当するメタル配線を形成する。メタル配線の形成後、感光性レジストを薬液により剥離除去し、給電膜をエッチング除去する。なお、その後、さらにこのメタル配線を給電部として、追加のＣｕ電解メッキを施すことでより狭スペースな配線２１，２６を得ることが可能である。本実施形態においては、例えば、Ｌ（配線幅）／Ｓ（配線スペース（配線ピッチ））／ｔ（配線厚み）が５０／３０／６０μｍのＣｕ配線をセミアディティブ工法にて形成後、１０μｍ厚み分の追加Ｃｕ電解メッキを実施することで、Ｌ／Ｓ／ｔ＝７０／１０／７０μｍの配線を得ることができる。また、第１絶縁層４１の開口部４１ａ内のダミー金属層６０上に、セミアディティブ工法を用いて、内磁路に対応する第１犠牲導体７１を設ける。

そして、図３Ｄに示すように、第１スパイラル配線２１、第２接続配線２６及び第１犠牲導体７１に第２絶縁層４２を積層して、第１スパイラル配線２１、第２接続配線２６及び第１犠牲導体７１を第２絶縁層４２で覆う。さらに、第２絶縁層４２を、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し熱硬化する。この際、第１スパイラル配線２１の上方における第２絶縁層４２の厚みを１０μｍ以下とする。これにより、第１、第２スパイラル配線２１，２２の層間ピッチを、１０μｍ以下とできる。

ここで、第１スパイラル配線２１の配線ピッチ（例えば１０μｍ）への充填性を確保するため、第２絶縁層４２に含まれる無機フィラー（絶縁体）は、第１スパイラル配線２１の配線ピッチより充分に粒径が小さいものである必要がある。また、部品の薄型化を実現するためには、続く上部の配線との層間ピッチを、例えば１０μｍ以下に薄くする必要があることから、同じく絶縁体は充分に粒径が小さいものである必要がある。

そして、図３Ｅに示すように、第２絶縁層４２に、レーザ加工などにより、ビア配線２７を充填するためのビアホール４２ｂを形成する。また、内磁路（磁芯）に相当する第２絶縁層４２の部分を、レーザ等により除去し、開口部４２ａを形成する。

そして、図３Ｆに示すように、ビアホールにビア配線２７を充填し、第２絶縁層４２上に、第２スパイラル配線２２および第１接続配線２５を積層する。第２スパイラル配線２２および第１接続配線２５は、互いに接触していない。第１接続配線２５は、外周部２２ｂと反対側に設ける。また、第２絶縁層４２の開口部４２ａ内の第１犠牲導体７１上に、内磁路に対応する第２犠牲導体７２を設ける。このとき、ビア配線２７、第２スパイラル配線２２、第１接続配線２５及び第２犠牲導体７２は、第１スパイラル配線２１、第２接続配線２６及び第１犠牲導体７１と同様の処理にて設けることができる。

そして、図３Ｇに示すように、第２スパイラル配線２２、第１接続配線２５及び第２犠牲導体７２に第３絶縁層４３を積層して、第２スパイラル配線２２、第１接続配線２５及び第２犠牲導体７２を第３絶縁層４３で覆う。さらに、第３絶縁層４３を、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し熱硬化する。

そして、図３Ｈに示すように、内磁路（磁芯）に相当する第３絶縁層４３の部分を、レーザ等により除去し、開口部４３ａを形成する。

その後、基台５０（ベース金属層５２）の一面とダミー金属層６０との接着面で基台５０をダミー金属層６０から剥がす。そして、ダミー金属層６０をエッチングなどにより取り除き、第１、第２犠牲導体７１，７２をエッチングなどにより取り除いて、図３Ｉに示すように、絶縁体４０に、内磁路に対応する孔部４０ａを設ける。その後、第３絶縁層４３に、レーザ加工などにより、ビア配線２７を充填するためのビアホール４３ｂを形成する。さらに、ビアホール４３ｂにビア配線２７を充填し、第３絶縁層４３上に、柱状の第１、第２内部電極１１，１２を積層する。このとき、ビア配線２７及び第１、第２内部電極１１、１２は第１スパイラル配線２１と同様の処理にて設けることができる。

そして、図３Ｊに示すように、第１、第２内部電極１１，１２および絶縁体４０の上下面側を磁性コンポジット体３０で覆い、磁性コンポジット体３０を、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し熱硬化することにより、インダクタ基板５を形成する。この際、磁性コンポジット体３０は、絶縁体４０の孔部４０ａにも充填される。

そして、図３Ｋに示すように、インダクタ基板５の上下の磁性コンポジット体３０を研削工法により薄層化する。このとき、第１、第２内部電極１１，１２の一部を露出させることで、第１、第２内部電極１１，１２の上端面１１ａ，１２ａは、磁性コンポジット体３０の上端面３０ａと同一平面上に位置する。このとき、インダクタンス値が得られるのに充分な厚みまで磁性コンポジット体３０を研削することで、部品の薄型化を図ることができる。例えば、本実施形態では、絶縁体４０上の磁性コンポジット体３０の厚みを２０μｍとできる。また、磁性コンポジット体３０を研削することで、磁性コンポジット体３０の研削面（上端面３０ａ）から金属磁性粉３６が露出する。この際、金属磁性粉３６の脱粒により、磁性コンポジット体３０の研削面の一部（樹脂３５部分）において、凹部３５ａが形成される場合がある。

そして、図３Ｌに示すように、磁性コンポジット体３０の上端面３０ａ上に、スクリーン印刷にて樹脂膜６５を形成する。このとき、樹脂膜６５には、外部端子６１，６２に対応する位置に開口部を設ける。なお、開口部をフォトリソグラフィー等で形成してもよい。また、内部電極１１，１２の上端面１１ａ，１２ａが露出するように、開口部を配置する。そして、樹脂膜６５の開口部に、無電解めっきにより、金属膜６３を形成する。なお、金属膜６３をスパッタリングや蒸着、電解めっきなどで形成してもよい。

その後、図３Ｍに示すように、インダクタ基板５をダイシングやスクライブにより個片化して、金属膜６３と、配線２１ｂ，２２ｂ，２５〜２７と、内部電極１１，１２とを覆うように、被覆膜６４を形成して、外部端子６１，６２を形成する。被覆膜６４は、例えば、バレルメッキ等の方法で形成されたＮｉＳｎなどのメッキである。これにより、インダクタ部品１を形成する。なお、図３Ｍにおいては、図１と比較して、個片化する際の切断位置が異なる。このように、インダクタ部品１では、例えば図１のように、第１、第２内部電極１１，１２の側面、ビア配線２７の側面、第１、第２接続配線２５，２６の側面、および、第１、第２スパイラル配線２１，２２の各外周部２１ｂ，２２ｂを露出させてもよいし、例えば図３Ｍに示すようにこれらを露出させなくてもよい。

なお、基台５０の両面のうちの一面にインダクタ基板５を形成しているが、基板５０の両面のそれぞれにインダクタ基板５を形成するようにしてもよい。また、多数のインダクタ基板５を同時に形成できるように、基台５０の一面に、複数の第１、第２スパイラル配線２１，２２や絶縁体４０などを並列形成し、ダイシングの際にこれらを個片化してもよい。これにより、高い生産性を得ることができる。

前記インダクタ部品１１によれば、外部端子６１，６２は、磁性コンポジット体３０の樹脂３５および金属磁性粉３６と内部電極１１，１２の上端面１１ａ，１２ａとに接触する金属膜６３を含み、金属膜６３の上端面１１ａ，１２ａ側の面積は、上端面１１ａ，１２ａの面積よりも大きい。これにより、インダクタ部品１における外部端子６１，６２の露出面積を上端面１１ａ，１２ａの面積よりも大きくすることができる。この結果、半田と接合する外部端子６１，６２の面積をインダクタ部品１の幅に対して大きくすることができ、外部端子６１，６２を半田により接合する際に、インダクタ部品１の姿勢が安定して、インダクタ部品１の実装安定性を向上できる。また、このように実装安定性を向上させる際に内部電極１１，１２の上端面１１ａ，１２ａの面積を大きくする必要がなく、内部電極１１，１２の断面積の増加による磁性コンポジット体３０の体積の減少を抑えて、特性の低下を防止できる。なお、ここでインダクタ部品１の幅とは、インダクタ部品１の実装面における幅であり、例えば、金属膜６３が配置される側の主面（上端面３０ａ側のインダクタ部品１の面）における辺の長さを指す。具体的には、例えば図１において、インダクタ部品１の紙面上側に位置する主面における紙面と垂直な方向に沿った側の辺の長さを指す。
さらに、実装時に第１、第２内部電極１１，１２が半田と触れないため、第１、第２内部電極１１，１２の半田食われを抑制できる。

なお、インダクタ部品１の外部端子６１，６２などには、一般的にＣｕなどの導電体の金属粉を含有する樹脂ペーストをスクリーン印刷などで塗布した樹脂電極膜を用いることが多い。すなわち、外部端子６１，６２は、磁性コンポジット体３０に接触する樹脂電極膜を含むことが一般的である。この場合、樹脂電極膜とコンポジット体との密着性や、樹脂電極膜自身の膜強度、導電性を確保するためには、樹脂電極膜の膜厚をある程度大きくする必要がある。しかし、強く低背化が要求されるインダクタ部品１では、外部端子６１，６２の厚みには制限が課せられる場合が多い。このような膜厚の制限により、インダクタ部品１の構成において、外部端子６１，６２が樹脂電極膜を含む場合は、十分な密着性、膜強度及び導電性を確保できない可能性がある。一方、インダクタ部品１によれば、外部端子６１，６２は、磁性コンポジット体３０の樹脂３５および金属磁性粉３６に接触する金属膜６３を含む。金属膜６３は、樹脂電極膜と比較して、膜厚を小さくしても磁性コンポジット体３０との密着性や、金属膜６３自身の膜強度、導電性の低下率が低い。このため、インダクタ部品１では、低背化を実現しつつ、密着性、膜強度、導電性を確保した外部端子６１，６２を実現することができる。

また、金属磁性粉３６の平均粒径は、５μｍ以下であるので、インダクタ部品１に高周波信号が引加された場合であっても、金属磁性粉３６内部での渦電流損は小さくなり、高周波対応が可能となる。なお、金属磁性粉３６の平均粒径が５μｍ以下と小さい場合、磁性コンポジット体３０の上端面３０ａの表面粗さが小さくなり、外部端子６１，６２と磁性コンポジット体３０とのアンカー効果が得られにくい構造となる。しかし、インダクタ部品１では、上記のように樹脂電極膜と比較して密着性を確保した金属膜６３を有する外部端子６１，６２を備えるため、外部端子６１，６２の剥離を低減できる。

また、複数層のスパイラル配線１１，１２は、絶縁体４０の複数層の絶縁層４１〜４３と交互に積層されるので、ガラスエポキシ基板を設けておらず、ガラスエポキシ基板の厚みを省くことで、低背化を図ることができる。また、絶縁体４０の絶縁層４１〜４３は、無機フィラーおよび樹脂のコンポジット材料からなるので、絶縁層４１〜４３を薄膜化してもクラック等の物理的欠損が発生しない。

また、金属磁性粉３６の平均粒径は、５μｍ以下であるので、スパイラル配線１１，１２の配線ピッチおよび層間ピッチを小さくでき、さらに、スパイラル配線１１，１２の配線ピッチおよび層間ピッチは、１０μｍ以下であるので、ＩＣパッケージ基板への内蔵やＩＣパッケージ基板のＢＧＡ再度への実装が可能な、例えば厚みが０．３３ｍｍ以下などの低背小型化を図ることができる。

（第１実施例）
第１実施形態の実施例について説明する。インダクタ部品は、用途として、スィッチング周波数１００ＭＨｚの降圧スィッチングレギュレータに用いられ、サイズは１ｍｍ ｘ ０．５ｍｍ、厚さ０．２３ｍｍのパワーインダクタである。スパイラル配線のターン数は、２層構造で、２．５回巻きであり、インダクタンス値は１００ＭＨｚでおよそ５ｎＨである。

スパイラル配線の巻き数はスィッチング周波数に合わせ、必要なインダクタンス値を得られるよう設定する。スィッチング周波数が４０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚに対し、１０ターン以下で設定される。

スパイラル配線は、Ｌ／Ｓ／ｔ＝７０／１０／７０μｍの実施例を図示するが、チップサイズとインダクタに通電する許容電流に応じてＬ、ｔを設定している。各スパイラル配線の層間ピッチは、配線ピッチと同じく１０μｍであり、スパイラル配線の配線ピッチと層間ピッチを１０μｍ以下と非常に狭くすることにより、スパイラル配線を密に周回させ、インダクタの小型化、低背化を可能としている。

（さらに好ましい形態）
次に、さらに好ましい形態について説明する。

インダクタ部品１では、金属膜６３をめっきで形成することが好ましい。特に、金属膜６３を無電解めっきで形成することが好ましく、この場合、樹脂３５と接する金属膜６３の結晶における平均粒径は、金属磁性粉３６と接する金属膜６３の結晶における平均粒径に対し、６０％以上１２０％以下となる。このように、金属磁性粉３６上と樹脂３５上との間で金属膜６３の結晶の平均粒径の差が小さい状態は、樹脂３５上に比較的結晶粒径の小さい金属膜６３を形成できている状態に相当する。

具体的に説明すると、一般的に磁性コンポジット体上にめっきで形成された金属膜は、まず金属磁性粉上から析出し、徐々に樹脂上を含めた金属磁性粉の周囲に析出する。ここで、後述するように、めっきで形成された金属膜の結晶の平均粒径は、初期に析出した領域より後で析出した領域ほど大きくなる。よって、上記好ましい形態における金属膜６３のように、初期に析出した金属膜６３である金属磁性粉３６と接する金属膜６３と、樹脂３５と接する金属膜６３との間で、結晶の平均粒径の差が小さいという状態は、比較的早い段階で樹脂３５上に金属膜６３が形成できており、樹脂３５上に比較的結晶粒径の小さい金属膜６３が形成できている状態に相当する。

また、材料が異なる金属膜６３と樹脂３５と密着性については、界面の凹凸に沿って金属膜６３と樹脂３５とが接触することによるアンカー効果の影響が大きい。上記好ましい形態における金属膜６３では、結晶の粒径が小さいことにより、樹脂３５のわずかな凹凸であっても、当該凹凸に沿って界面を形成することができる。すなわち、当該金属膜６３では、金属膜６３と樹脂３５との間におけるアンカー効果を得やすく、樹脂３５と金属膜６３との密着性を向上できる。よって、樹脂３５上の密着性も確保することで、金属膜６３全体における磁性コンポジット体３０との密着性を向上できる。特に、インダクタ部品１では、金属磁性粉３６の平均粒径が５μｍ以下と小さく、前述のようにアンカー効果が得られにくい構造であるため、上記効果の影響は大きい。また、金属磁性粉３６の平均粒径が５μｍ以下と小さい場合、磁性コンポジット体３０の上端面３０ａの研削時に、金属磁性粉３６が脱粒しやすく、上端面３０ａにおいて、金属膜６３が樹脂３５と接触する割合が増えるため、上記効果の影響はさらに大きくなる。

なお、無電解めっきを用いて金属膜６３を形成した場合に、上記のように金属磁性粉３６上と樹脂３５上との間で金属膜６３の平均粒径の差を小さくできる理由としては、以下が考えられる。インダクタ部品１などにおいては、電解めっきを行う際、製造効率の観点からバレルめっきが採用されることが一般的であるが、この場合、金属磁性粉３６ごとに通電されるタイミングがばらつくことにより、樹脂３５上を含め形成した金属膜６３の各部分では、析出タイミングのばらつきが大きくなる。一方、無電解めっきでは、めっき液に触れた金属磁性粉３６上から金属膜６３が析出するが、各金属磁性粉３６にめっき液が触れるタイミングは比較的均一であり、形成した金属膜６３の各部分に渡って、析出タイミングを比較的均一にすることができる。このように無電解めっきでは、金属膜６３の各部分における析出タイミングが近づくことにより、上記のように金属磁性粉３６上と樹脂３５上との間で金属膜６３の結晶の平均粒径の差を小さくできる。特に、インダクタ部品１では、金属磁性粉３６の平均粒径が５μｍ以下と小さく、上端面３０ａにおける樹脂３５の占める割合が大きいため、電解めっきを用いた場合に金属膜６３の各部分の析出タイミングのばらつきはより大きくなり、無電解めっきとの差異は顕著に表れる。

なお、スパッタリングや蒸着によって形成した膜では、めっきのような形成タイミングによる結晶の平均粒径の差が発生しないと考えられ、同様の効果は得られにくい。また、スパッタリングや蒸着と比較して、めっきを用いて形成した金属膜６３では、金属磁性粉３６との密着性を高いため、金属膜６３全体の磁性コンポジット体３０との密着性の観点からは、めっきを用いることが好ましい。また、設備、工程、形成時間、処理数などの製造効率の高さ、金属膜６３の電気抵抗率の低さの観点からも、スパッタリングや蒸着と比較してめっきを用いることが好ましい。

ここで、本願における平均粒径の比は、金属膜６３の断面のＦＩＢ−ＳＩＭ像から金属膜６３を構成する結晶（粒塊）の平均粒径を算出することにより求められるものである。ＦＩＢ−ＳＩＭ像とは、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：集束イオンビーム）を用いて観測したＳＩＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｉｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査イオン顕微鏡）による断面画像である。なお、平均粒径の算出方法としては、ＦＩＢ−ＳＩＭ像を画像解析して粒度分布を求め、その積算値が５０％となる粒径（Ｄ５０、メディアン径）を平均粒径とする方法を用いることができる。ただし、重要なのは平均粒径の絶対値ではなく比（相対値）であるため、上記画像解析が困難な場合などは、ＦＩＢ−ＳＩＭ像において、金属膜６３の各結晶の最大径を粒径として複数個測定し、その算術平均値を平均粒径として求める方法を用いてもよい。

また、算出に当たり、粒径を測定する結晶の個数は、２０〜５０個程度であればよい。さらに、算出する際に対象とする「樹脂３５と接する金属膜６３の結晶」及び「金属磁性粉３６と接する金属膜６３の結晶」は、厳密に樹脂３５又は金属磁性粉３６と直接接する結晶のみに限られず、金属膜６３と樹脂材料３５との界面又は金属膜６３と金属磁性粉３６との界面から、それぞれ金属膜６３の膜厚方向に向かって１μｍ程度の範囲に存在する結晶を対象とする。なお、上記平均粒径の比の関係は、金属膜６３全体で成立していることが好ましいが、金属膜６３の一部で成立していても効果は発揮される。したがって、平均粒径の算出においては、金属膜６３の一部のＦＩＢ−ＳＩＭ像から算出してもよく、例えば上端面３０ａに沿った方向において、５μｍ程度の範囲のＦＩＢ−ＳＩＭ像から算出してもよい。

また、無電解めっきでは、前述の析出タイミングの点から、金属膜６３の膜厚の凹凸も低減できる。これに対して、電解めっきでは、樹脂３５上の金属膜６３の膜厚が、金属磁性粉３６上の金属膜６３の膜厚より小さくなる。膜の最薄部の厚みを揃えた場合、凹凸が低減された金属膜６３では、凹凸が激しい膜に比べて、膜の最厚部を薄くすることができ、結果として膜厚を小さくすることができる。

好ましくは、金属磁性粉３６上の金属膜６３の膜厚の一部は、樹脂３５上の金属膜６３の膜厚以下となる。これにより、インダクタ部品１における凹凸を低減させることができる。特に、金属膜６３は、外部端子６１，６２を構成するので、実装安定性と信頼性が向上する。

好ましくは、金属磁性粉３６は、Ｆｅを含む金属又は合金からなり、金属膜６３は、Ｃｕを含む金属又は合金からなる。この場合、磁性コンポジット体３０の上端面３０ａを研削することにより、上端面３０ａにＣｕよりも卑であるＦｅを含む金属磁性粉３６を露出させることができる。この上端面３０ａがＣｕを含む無電解めっき液に浸漬すると、Ｆｅと置換してＣｕが析出し、その後は無電解めっき液に含まれている還元剤の効果でめっきが成長し、Ｃｕを含む金属膜６３を形成することができる。これにより、触媒を用いずに、金属膜６３を無電解めっきにより形成することができる。また、金属膜６３は、Ｃｕを含む金属又は合金からなるので、導電性を向上できる。

好ましくは、金属磁性粉３６上の金属膜６３の膜厚は、樹脂３５上の金属膜６３の膜厚の６０％以上１６０％以下である。これにより、金属膜６３の膜厚は、均一となる。したがって、インダクタ部品における凹凸を低減できる。特に、金属膜６３が外部端子６１，６２を構成するとき、実装安定性と信頼性が向上する。なお、膜厚は例えば金属膜６３のＦＩＢ−ＳＩＭ像において、画像解析により算出してもよいし、直接測定してもよい。また、上記膜厚の比の関係は、金属膜６３全体で成立していることが好ましいが、金属膜６３の一部で成立していても効果は発揮される。したがって、膜厚の算出においては、金属膜６３の一部のＦＩＢ−ＳＩＭ像から算出してもよく、例えば上端面３０ａに沿った方向において、５μｍ程度の範囲のＦＩＢ−ＳＩＭ像から算出してもよいし、樹脂３５上、金属磁性粉３６上のそれぞれから数箇所（例えば５箇所など）測定した膜厚を比較してもよい。膜厚の比較においては、樹脂３５上、金属磁性粉３６上のそれぞれの膜厚の平均値同士を比較することが好ましい。

なお、金属磁性粉３６と金属膜６３との界面においては、Ｐｄが存在するようにしてもよく、すなわちＰｄを触媒に用いて、金属膜６３を無電解めっきにより形成してもよい。この方法によると、金属磁性粉３６よりも金属膜６３の方が卑である場合、例えば、金属磁性粉３６がＣｕを含む金属又は合金からなり、金属膜６３がＮｉを含む金属又は合金からなる場合などであっても、置換Ｐｄ触媒の処理を行うことにより、金属膜６３を無電解めっきにより形成することができる。したがって、この場合、金属磁性粉３６と金属膜６３の材料選択の自由度が向上する。

図４は、インダクタ部品の一実施例の断面画像を示す。図４は、無電解めっきを用いて磁性コンポジット体３０上に金属膜６３を形成した場合のＦＩＢ−ＳＩＭ像である。図４に示すように、無電解めっきを用いて形成した場合、金属膜６３の一部は、金属磁性粉３６の外面に沿って磁性コンポジット体３０の内部側に回り込んでいることが分かる。具体的に述べると、金属膜６３は、図４の金属磁性粉３６の外面に沿った色の薄い部分が示すように、金属磁性粉３６の外面に沿って、樹脂３５と金属磁性粉３６との間の隙間に入り込んでいる。つまり、金属膜６３は、金属磁性粉３６の樹脂３５から露出している露出面３６ａに加えて、金属磁性粉３６の樹脂３５に内包されている内包面３６ｂに、析出している。このように、金属膜６３を無電解めっきを用いて形成することにより、金属膜６３の一部が、金属磁性粉３６の外面に沿って磁性コンポジット体３０の内部側に回り込み、前述のとおりアンカー効果が向上する。

また、図４に示すように、めっきを用いて形成された金属膜６３の結晶粒径は、磁性コンポジット体３０と接触する側からその反対側にかけて（矢印Ｄ方向）、大きくなっている。つまり、磁性コンポジット体３０から離れた金属膜６３の結晶粒径（図４のＦ部分）は、磁性コンポジット体３０と接触する金属膜６３の結晶粒径（図４のＥ部分）よりも、大きいことが分かる。このように、めっきを用いて形成された金属膜６３は、初期に析出した領域より後で析出した領域ほど大きくなる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。

前記実施形態では、磁性コンポジット体は、絶縁体を介して、スパイラル配線を間接的に覆っているが、磁性コンポジット体は、スパイラル配線を直接的に覆ってもよい。このとき、磁性コンポジット体は、複数層のコンポジット層を含み、複数層のスパイラル配線と複数層のコンポジット層とは、交互に積層される。これにより、コンポジット層は薄膜化してもクラック等の物理的欠損が発生せず、ガラスエポキシ基板などを設けなくても十分な強度を保持でき、ガラスエポキシ基板の厚みを省くことで、低背化を図ることができる。

前記実施形態では、インダクタ部品は、２層のスパイラル配線を含んでいるが、３層以上のスパイラル配線を含んでいてもよい。

前記実施形態では、複数層のスパイラル配線によって構成されるインダクタの数は１つであったが、インダクタ部品が有するインダクタの数は１つに限られない。例えば同一平面に複数の螺旋を有するスパイラル配線によって、複数のインダクタが構成されていてもよい。

１ インダクタ部品
５ インダクタ基板
１１，１２ 第１、第２内部電極
１１ａ，１２ａ 上端面
２１，２２ 第１、第２スパイラル配線
２１ａ，２２ａ 内周部
２１ｂ，２２ｂ 外周部
２５，２６ 第１、第２接続配線
２７ ビア配線
３０ 磁性コンポジット体
３０ａ 上端面（第１面）
３５ 樹脂
３５ａ 凹部
３６ 金属磁性粉
４０ 絶縁体
４１〜４３ 第１〜第３絶縁層
６１，６２ 第１、第２外部端子
６３ 金属膜
６４ 被覆膜
６５ 樹脂膜

Claims (9)

1. 複数層のスパイラル配線と、
   前記複数層のスパイラル配線を直接的または間接的に覆うと共に、樹脂および平均粒径が５μｍ以下の金属磁性粉のコンポジット材料からなる磁性コンポジット体と、
   前記磁性コンポジット体の外面の上端面から端面が露出するように前記磁性コンポジット体に埋め込まれ、前記スパイラル配線に電気的に接続された内部電極と、
   前記磁性コンポジット体の外面の上端面側に設けられ、前記内部電極に電気的に接続された外部端子と
   を備え、
   前記外部端子は、前記磁性コンポジット体の前記樹脂および前記金属磁性粉と前記内部電極の前記端面とに接触する金属膜と、前記金属膜を覆う被覆膜とを含み、
   前記金属膜の前記端面側の面積は、前記端面の面積よりも大きく、
   前記被覆膜は、前記金属膜の上面から磁性コンポジット体の側面に延在し、前記内部電極の露出した側面や、前記スパイラル配線の露出した外周部に接続する、インダクタ部品。
2. 前記外部端子は、複数あり、前記複数の外部端子のそれぞれの前記金属膜は、前記磁性コンポジット体の第１面に設けられ、
   前記磁性コンポジット体の前記第１面における前記金属膜が設けられていない部分に、樹脂膜が設けられている、請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記外部端子は、前記樹脂膜よりも前記第１面と反対側に突出している、請求項２に記載のインダクタ部品。
4. 前記樹脂膜は、絶縁材料からなるフィラーを含有する、請求項２または３に記載のインダクタ部品。
5. 前記金属膜の厚みは、前記スパイラル配線の厚みの１／５以下である、請求項１から４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
6. 前記金属膜の厚みは、１μｍ以上でかつ１０μｍ以下である、請求項１から５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
7. 前記金属膜の材料と前記内部電極の材料とは、同種金属である、請求項１から６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
8. 前記磁性コンポジット体は、前記外面の一部に凹部を有し、前記金属膜は、前記凹部に充填されている、請求項１から７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
9. 前記金属膜は、前記金属磁性粉の外面に沿って前記磁性コンポジット体の内部側に回り込んでいる、請求項１から８の何れか一つに記載のインダクタ部品。

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