JP6640599B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関する。特に、表示装置の配線の構成に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。

有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。

近年、表示領域が折り曲げ可能なフレキシブル表示装置が盛んに開発されている。フレキシブル表示装置の表示領域に形成した配線は、表示装置の折り曲げ時に応力が集中し、断線し易いという問題がある。また、トランジスタに含まれるゲート絶縁層や、トランジスタを被覆する層間絶縁層等についても、表示装置を折り曲げた際にクラックが入りやすく、信頼性不良となり易かった。

特許文献１には、アレイ基板とカラーフィルタ基板とがそれぞれの表面で互いに対向するようにシール材で貼り合わされ、両基板間に液晶が封入された液晶表示装置において、前記アレイ基板の表面には表示領域の周辺部にコモン配線が形成され、前記コモン配線にはメッシュ状に光透過孔が形成され、前記シール材は、前記コモン配線の表面の前記メッシュ状に形成された光透過孔と平面視で重畳する位置に配置されていることを特徴とする液晶表示装置が開示されている。

特開２０１０−０２０２０９号公報

特許文献１では、コモン配線にメッシュ状に光透過孔を形成している。

このような配線の構成によれば、容易にシール材を硬化させることができるといった効果を奏すると考えられる。しかしながら、特許文献１に記載された発明では、アレイ基板及びカラーフィルタ基板としてガラス基板を用いていることから、表示装置を折り曲げることについては想定していない。

本発明は、表示装置の折り曲げ時に、配線や層間絶縁層にクラックが生じにくく、信頼性の高い表示装置を提供することを目的の一つとする。

本発明の一態様は、可撓性を有する基板と、基板上に配列された複数の画素と、基板上に設けられ、複数の画素を駆動するための信号を送信する配線とを備え、配線は、少なくとも一部の領域に開口パターンを有する第１導電層を含むことを特徴とする表示装置である。

本発明の一態様は、可撓性を有する基板と、基板上に行列状に配列された複数の画素とを備え、複数の画素の各々は、画素毎に設けられた画素電極、発光層、前記複数の画素に共通して設けられた共通電極の積層構造を有する発光素子を含み、画素電極は、開口パターンを有する第１導電層を含むことを特徴とする表示装置である。

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配置を説明する平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の構成を説明する平面図及び断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する折り曲げ状態の斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の構成を説明する平面図及び断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の構成を説明する平面図及び断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配置を説明する平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する折り曲げ状態の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の構成を説明する平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の構成を説明する平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む画素電極の構成を説明する平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む画素電極の構成を説明する断面図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。

＜第１実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置１００の概略構成、回路構成及び表示装置１００が含む配線の構成について説明する。

［概略構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成を説明する斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、第２基板１０４と、複数の画素１０８と、各種配線１０９と、複数の接続端子１１６とを有している。

第１基板１０２は、可撓性を有している。可撓性を有する基板としては、樹脂材料が用いられる。樹脂材料としては、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子材料を用いるのが好ましく、例えば、ポリイミドが用いられる。具体的には、第１基板１０２として、ポリイミドをシート状に成形したフィルム基板が用いられる。第１基板１０２上には、表示領域１０６及び端子領域１１４が設けられている。

複数の画素１０８は、第１基板１０２上の表示領域１０６に配列されている。複数の画素１０８の各々は、少なくとも選択トランジスタ、駆動トランジスタ及び発光素子を有する画素回路から構成される。

各種配線１０９は、第１基板１０２上に設けられている。また、詳細は後述するが、各種配線１０９は、複数の画素１０８を駆動するための信号を送信する。各種配線１０９は、詳細は後述するが、少なくとも走査信号線及び映像信号線を含む。

第２基板１０４は、可撓性を有している。可撓性を有する基板としては、第１基板１０２と同様の基板を用いることができる。第２基板１０４は、表示領域１０６の上面に、第１基板１０２と対向するように設けられている。第２基板１０４は表示領域１０６を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に配置された表示領域１０６は、第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。

複数の接続端子１１６は、端子領域１１４に設けられている。端子領域１１４は、第１基板１０２の一端部、且つ第２基板１０４の外側に配置されている。複数の接続端子１１６には、映像信号を出力する機器や電源などと表示装置１００とを接続する配線基板１５０が配置される。配線基板と接続する複数の接続端子１１６との接点は、外部に露出している。

［回路構成］
図２は、本実施形態に係る表示装置１００の回路構成を説明する平面図である。表示装置１００は、複数の接続端子１１６から表示装置１００を駆動する信号が走査信号線駆動回路１１８及び映像信号線駆動回路１２０に入力される。走査信号線駆動回路１１８は複数の走査信号線１２２に信号を出力し、映像信号線駆動回路１２０は複数の映像信号線１２４に信号を出力する。複数の走査信号線１２２及び複数の映像信号線１２４は、複数の画素１０８にこれらの信号を送信する。

複数の画素１０８は、行方向及び列方向に配列されている。画素１０８の配列数は任意である。例えば、行方向（Ｄ１方向）にｍ個、列方向（Ｄ２方向）にｎ個の画素１０８が配列される（ｍ及びｎは整数）。表示領域１０６において、複数の走査信号線１２２は行方向に延びて列方向に整列され、複数の映像信号線１２４は列方向に延びて行方向に整列される。

尚、図２においては表示装置１００の外に座標軸を示したが、実際の座標軸は表示装置１００に固定されているものとする。

［配線の構成］
本実施形態に係る表示装置１００が含む各種配線１０９の構成について詳細に説明する。図３は、本実施形態に係る表示装置１００が含む各種配線１０９の構成の例を説明する平面図及び断面図である。

図３に示したこれらの各種配線１０９の構成については、飽くまでも例であり、これらに限られるものではない。５通りの開口パターンを有する例を示したが、本実施形態に係る表示装置１００が含む配線１０９に適用可能な開口パターンは、これらに限られるものではない。

本実施形態に係る表示装置１００が含む各種配線１０９は、２層の導電層を含み、上から、第１導電層１２６、第２導電層１２８の順で配置されている。更に、配線１０９の上には、絶縁層１３０が配置されている。絶縁層１３０は、例えば層間絶縁層又は保護層としての機能を有するものである。

第１導電層１２６は、少なくとも一部の領域に開口パターン１２６ａを有している。「一部の領域」は、折り曲げ部である。

ここで「一部の領域」とは、第１基板１０２上の一部の領域を意味してもよい。この場合、第１基板１０２上の当該一部の領域と配線１０９とが重なる領域において、第１導電層１２６が開口パターン１２６ａを有する。

「一部の領域」とは、また、少なくともある特定の方向に延びる領域を含む配線１０９内において、当該特定の方向に延びる領域のみを意味してもよい。

図３（ａ）の配線１０９は、複数の開口部を有している。複数の開口部の各々は、配線１０９の延びる方向に沿って溝状に延びている。複数の開口部の各々は、配線１０９の幅方向に周期的に配置されている。この例では、第１導電層１２６は、５個の溝状の開口部を有している。換言すると、配線１０９は、互いに分離した複数の配線に細分化されている。この例では、配線１０９は、互いに分離し、実質的に幅の同じ６本の配線に細分化されている。つまり、開口パターン１２６ａは、第１導電層１２６に、ストライプ状のパターンを形成する。

このような構成によれば、配線１０９の幅方向の折り曲げに対する耐性を向上させることができる。更に、細分化された複数の配線の内の１本が断線しても、他の細分化された配線の寄与により、配線１０９全体として断線することが無い。

図３（ｂ）の配線１０９は、複数の開口部を有している。複数の開口部の各々は、配線１０９の延びる方向に長辺を有する長方形の形状を有している。当該複数の開口部は、配線１０９の延びる方向に繰り返し配置されている。更に、配線１０９の延びる方向に繰り返し配置された複数の開口部のパターンが、配線１０９の幅方向に繰り返し配置されている。配線１０９の延びる方向及び幅方向に隣接する開口部の間隔は一定である。換言すると、図３（ｂ）の配線１０９は、細分化された複数の配線が、格子状に配置されている。つまり、開口パターン１２６ａは、第１導電層１２６に、格子状のパターンを形成する。

このような構成によれば、配線１０９の延びる方向及び幅方向の折り曲げに対する耐性が向上する。更に、細分化された複数の配線の内の１本が断線しても、他の細分化された配線の寄与により、配線１０９全体として断線することが無く、配線１０９が大幅に高抵抗化することは無い。

図３（ｃ）の配線１０９は、複数の開口部を有している。複数の開口部の各々は、配線１０９の延びる方向に長辺を有する長方形の形状を有している。当該複数の開口部は、配線１０９の延びる方向に繰り返し配置されている。配線１０９の延びる方向に繰り返し配置された複数の開口部のパターンは、配線１０９の幅方向に互い違いに配置されている。配線１０９の延びる方向及び幅方向に隣接する開口部の間隔は一定である。

このような構成によれば、配線１０９の延びる方向及び幅方向の折り曲げに対する耐性を向上させることができる。更に、細分化された複数の配線の内の１本が断線しても、他の細分化された配線の寄与により、配線１０９全体として断線することが無く、配線１０９が大幅に高抵抗化することは無い。

図３（ｄ）の配線１０９は、複数の開口部を有している。複数の開口部の各々は、配線１０９の延びる方向に長辺を有する長方形の形状を有している。当該複数の開口部は、配線１０９の延びる方向に繰り返し配置されている。配線１０９の延びる方向に繰り返し配置された複数の開口部のパターンは、配線１０９の幅方向に複数配置されている。配線１０９の延びる方向に隣接する開口部の間隔は、配線１０９の幅方向に隣接する開口部の間隔よりも大きい。

このような構成によれば、配線１０９の高抵抗化を抑えつつ、配線１０９の延びる方向及び幅方向の折り曲げに対する耐性を向上させることができる。更に、細分化された複数の配線の内の１本が断線しても、他の細分化された配線の寄与により、配線１０９全体として断線することが無く、配線１０９が大幅に高抵抗化することは無い。

図３（ｅ）の配線１０９は、複数の開口部を有している。複数の開口部の各々は、円形の形状を有している。当該複数の開口部は、配線１０９の延びる方向に繰り返し配置されている。配線１０９の延びる方向に繰り返し配置された複数の開口部のパターンは、配線１０９の幅方向に互い違いに配置されている。

第１導電層１２６の材料としては、本実施形態においては透明導電層から成る。透明導電層としては、導電性酸化物から成る。導電性酸化物としては、例えばＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等を用いることができる。導電性酸化物から構成される配線は、金属から構成される配線に比べてクラックが生じやすい。導電性酸化物から構成される配線に上述のような開口パターン１２６ａを設けることによって、クラックへの耐性が向上する。

尚、導電性酸化物としては結晶性を有さず、アモルファス状であることが好ましい。アモルファス状であることによって、折り曲げ時のクラックや高抵抗化への耐性が向上する。

更に、導電性酸化物に、比較的大きなｓ軌道を有する元素を混入してもよい。比較的大きなｓ軌道を有する元素としては、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等が挙げられる。

これによって、当該元素のｓ軌道同士の重なりが大きくなる。更に、ｓ軌道は等方性を有することにより、折り曲げ時に当該元素のｓ軌道同士が分離しにくくなり、クラックや高抵抗化への耐性が向上する。

第２導電層１２８は、第１導電層１２６の下方に配置されている。第２導電層１２８の材料としては、本実施形態においては金属導電層を用いる。金属導電層としては、例えばＣｕ（銅）を用いる。

絶縁層１３０の材料としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。

絶縁層１３０として無機絶縁層を使用する場合、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）等の膜を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。

絶縁層１３０の下層の第１導電層１２６が開口パターン１２６ａを有しているため、絶縁層１３０は自己整合的にパターン化される。これによって、絶縁層１３０についても、折り曲げ時のクラックへの耐性が向上する。

以上、本実施形態に係る表示装置１００が含む配線１０９の構成の例について説明した。このような構成によれば、配線１０９の高抵抗化を抑えつつ、配線１０９の延びる方向及び幅方向の折り曲げに対する耐性を向上した表示装置１００を提供することができる。

＜第２実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置２００の構成及び表示装置２００が含む配線１０９の構成について説明する。表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成と比較すると、各種配線１０９が有する開口パターンが異なっている。これ以外の構成については表示装置１００と同様であるため、その詳細な説明は省略する。

図４は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を説明する折り曲げ状態の斜視図である。図５Ａ及び図５Ｂは、本実施形態に係る表示装置２００が含む配線１０９の構成を説明する平面図及び断面図である。

表示装置２００と、第１実施形態に係る表示装置１００とを比較すると、表示装置２００は、折り曲げ方向が規定されている点で異なっている。表示装置２００は、折り曲げ方向がＤ１方向に規定されている。

ここで「折り曲げ方向」とは、曲面上において、折り曲げの前後で曲率が変化しない直線の方向に垂直な方向とする。本実施形態においては、折り曲げの前後でＤ２方向の直線の曲率が変化しないため、折り曲げ方向は、Ｄ２方向に直交するＤ１方向である。

折り曲げ方向に直交する方向のＤ２方向に延びる配線１０９は、図５Ａに示すように、図３（ａ）に例示した配線１０９と同様の開口パターンを有している。Ｄ２方向に延びる配線１０９としては、例えば映像信号線１２４である。

一方、折り曲げ方向であるＤ１方向に延びる配線１０９は、図５Ｂに示すように、図３（ｅ）に例示した配線１０９と同様の開口パターンを有している。Ｄ１方向に延びる配線１０９としては、例えば走査信号線１２２である。

このような構成を有することによって、規定された折り曲げ方向に対する折り曲げに対し、配線１０９や絶縁層１３０にクラックが生じにくく、信頼性の高い表示装置２００を提供することができる。

＜第３実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置３００の構成及び表示装置３００が含む配線１０９の構成について説明する。表示装置３００は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成と比較すると、折り曲げ部１３２が規定されている点で異なっている。これ以外の構成については表示装置１００と同様であるため、その詳細な説明は省略する。

図６は、本実施形態に係る表示装置３００の回路構成を説明する平面図である。図７は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を説明する折り曲げ状態の断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、本実施形態に係る表示装置３００が含む配線１０９の構成を説明する平面図である。

図６に示すように、本実施形態に係る表示装置３００は、表示領域１０６及び端子領域１１４の間に折り曲げ部１３２が規定されている。折り曲げ部１３２をＤ２方向に折り曲げることによって、表示装置３００を折り畳むことができる（図７）。

折り曲げ部１３２に配置される配線１０９は、複数の接続端子１１６及び走査信号線駆動回路１１８、複数の接続端子１１６及び映像信号線駆動回路１２０をそれぞれ接続する配線１０９である。これらの配線１０９は、ほぼＤ２方向に延びる方向を有する。これらの配線１０９が有する開口パターンの例が図８Ａ及び図８Ｂに示されている。図８Ａには、映像信号線１２４を拡大して示した。図８Ｂには、電源電位線ＰＶＤＤを拡大して示した。これらの配線は、２層の導電層を含み、上から、第１導電層１２６、第２導電層１２８の順で配置されている。ここで、電源電位線ＰＶＤＤは、比較的高い電流が流れるため、複数の接続端子１１６に共通して接続される場合がある。電源電位線ＰＶＤＤは比較的太いため、他の配線に比べてクラックが生じやすい。本実施形態においては、電源電位線ＰＶＤＤに格子状の開口パターンＰＶＤＤａを設けている。

このような構成を有することによって、規定された折り曲げ部１３２における折り曲げに対し、配線１０９や絶縁層１３０にクラックが生じにくく、信頼性の高い表示装置３００を提供することができる。

尚、本実施形態においては、電源電位線ＰＶＤＤ及び接続端子１１６の層構造については、電源電位線ＰＶＤＤの上に接続端子１１６が配置される例を示した。しかし、この層構造に限られるものではない。他の例として、接続端子１１６及び電源電位線ＰＶＤＤの第２導電層１２８が同一のパターニング工程によって形成されてもよい。つまり、この場合は第２導電層１２８が接続端子１１６を兼ねる。更にこの場合、第１導電層１２６は、接続端子１１６上まで延長され、接続端子１１６を覆う構成としてもよい。

また、本実施形態においては、電源電位線ＰＶＤＤの第２導電層１２８は、端子領域１１４において隣接する複数の接続端子１１６に亘って配置される例を示したが、この配置に限られるものではない。例えば、電源電位線ＰＶＤＤの第２導電層１２８は、端子領域１１４において複数に細分化され、複数に細分化された第２導電層１２８の各々が、複数の接続端子１１６の各々に接続されてもよい。

＜第４実施形態＞
図面を用いて本実施形態に係る表示装置が含む画素電極１３６の構成について説明する。表示装置は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成と比較すると、画素電極１３６の構成のみが異なっている。これ以外の構成については表示装置１００と同様であるため、その詳細な説明は省略する。

図９は、本実施形態に係る表示装置が含む画素１０８の構成を説明する平面図である。図１０は、本実施形態に係る表示装置が含む画素１０８の構成を説明する断面図である。

複数の画素１０８の各々は、少なくとも選択トランジスタ（図示せず）、駆動トランジスタ（図示せず）及び発光素子１３４を含む。発光素子１３４は、画素１０８毎に設けられた画素電極１３６、発光層１４６、複数の画素１０８に共通して設けられた共通電極１４８の積層構造を有する。

画素電極１３６は、画素１０８毎に設けられている。本実施形態に係る表示装置が有する画素電極１３６は、３層の導電層を含み、下から、第１導電層１３８、第２導電層１４０、第３導電層１４２の順で配置されている。

第１導電層１３８は、開口パターン１３８ａを有している。開口パターンのレイアウトとしては、図９に例示したものに限られない。例えば図３に例示した開口パターン１２６ａのレイアウトを適用してもよい。

第１導電層１３８の材料としては、本実施形態においては透明導電層から成る。透明導電層としては、導電性酸化物から成る。導電性酸化物としては、例えばＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等を用いることができる。

尚、導電性酸化物としては結晶性を有さず、アモルファス性を有することが好ましい。アモルファス性を有することによって、折り曲げ時のクラックや高抵抗化への耐性が向上する。

更に、導電性酸化物に、比較的大きなｓ軌道を有する元素を混入してもよい。比較的大きなｓ軌道を有する元素としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）等が挙げられる。

これによって、当該元素のｓ軌道同士の重なりが大きくなる。更に、ｓ軌道は等方性を有することにより、折り曲げ時に当該元素のｓ軌道同士が分離しにくくなり、クラックや高抵抗化への耐性が向上する。

第２導電層１４０は、第１導電層１３８が有する開口部を埋め込むように配置されている。第２導電層１４０は、例えばＡｇ（銀）等の光反射性の材料から成る。これによって、発光層１４６で発生した光は第１基板１０２側へ伝搬せず、表示面の側である第２基板１０４側へ伝搬する。

第３導電層１４２は、第２導電層１４０の上に配置されている。第３導電層の材料としては、第１導電層と同様の材料を用いることができる。

画素電極の周縁部には、バンク１４４が設けられている。バンク１４４は、その端部が画素電極１３６の周縁部を覆うように設けられている。バンク１４４は、画素電極１３６の端部で発光層１４６が十分に被覆されず、共通電極１４８と短絡するのを防ぎ、隣接する画素１０８間を絶縁するものである。

バンク１４４の材料としては、絶縁材料を用いる。絶縁材料としては例えば、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化珪素等の無機材料を用いることが好ましい。

発光層１４６は、少なくとも画素電極１３６上に設けられている。この例では、発光層１４６は、複数の画素１０８に共通して設けられ、画素１０８間のバンク１４４を覆うように設けられている。

発光層１４６が、例えば有機ＥＬ層から成る場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１４６は、発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。

本実施形態においては、発光層１４６は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルタによってフルカラー発光を実現している。

共通電極１４８は、発光層１４６上に設けられている。また、共通電極１４８は、発光層１４６で発光した光を透過させるため、透光性を有している。共通電極１４８の材料としては、透光性を有し且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通電極１４８として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。

また、発光素子１３４の下方には、複数の画素１０８の各々の発光を制御するための、トランジスタや配線等を含む図示しない駆動回路や、トランジスタや配線等を覆う図示しない絶縁膜が設けられている。

以上、本実施形態に係る表示装置が含む画素電極１３６の構成の例について説明した。このような構成によれば、画素電極１３６の折り曲げに対する耐性を向上した表示装置１００を提供することができる。

以上、本発明の好ましい態様を第１実施形態乃至第４実施形態によって説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。

１００、２００、３００・・・表示装置 １０２、１０４・・・基板 １０６・・・表示領域 １０８・・・画素 １０９・・・配線 １１０・・・シール材 １１４・・・端子領域 １１６・・・接続端子 １１８・・・走査信号線駆動回路 １２０・・・映像信号線駆動回路 １２２・・・走査信号線 １２４・・・映像信号線 １２６・・・第１導電層 １２６ａ・・・開口パターン １２８・・・第２導電層 １３０・・・絶縁層 １３２・・・折り曲げ部 １３４・・・発光素子 １３６・・・画素電極 １３８・・・第１導電層 １３８ａ・・・開口パターン １４０・・・第２導電層 １４２・・・第３導電層 １４４・・・バンク １４６・・・発光層 １４８・・・共通電極 １５０・・・配線基板

Claims (11)

1. 可撓性を有する基板と、
   前記基板上に配列された複数の画素と、
   前記基板上に設けられ、前記複数の画素を駆動するための信号を送信する配線と、を備え、
   前記配線は、少なくとも一部の領域に開口パターンを有する第１導電層と、前記第１導電層の下側で前記第１導電層と接する第２導電層を含み、
   前記開口パターンは、前記配線が延びる第１方向と同じ方向に長辺を有する溝状の開口を有し、
   前記開口は、前記配線の前記第１方向に沿って繰り返し配置された部分を有し、
   前記開口は、前記第１方向と交差する第２方向にも配置され、
   前記開口は、前記第２導電層の一部を露出させ、
   前記基板は、前記配線に前記開口が配置された部分で、前記第２方向に湾曲する
   を特徴とする表示装置。
2. 前記一部の領域は、折り曲げ部であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１導電層は、透明導電層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記透明導電層は、導電性酸化物を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記導電性酸化物は、アモルファス状であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
6. 前記開口パターンは、前記第１導電層に、少なくともストライプ状のパターン又は格子状のパターンのいずれかを形成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 可撓性を有する基板と、
   前記基板上に行列状に配列された複数の画素と、を備え、
   前記複数の画素の各々は、前記画素毎に設けられた画素電極、発光層、前記複数の画素に共通して設けられた共通電極の積層構造を有する発光素子を含み、
   前記画素電極は、開口パターンを有する第１導電層と、前記第１導電層の上方で前記第１導電層と接する第２導電層を含み、
   前記開口パターンは、第１方向と同じ方向に長辺を有する溝状の開口を有し、
   前記開口は、前記配線の前記第１方向に沿って繰り返し配置され、
   前記開口は、前記第１方向と交差する第２方向にも配置され、
   前記開口は、前記第２導電層の一部で埋め込まれており、
   前記基板は、前記画素電極を含む領域で前記第２方向に湾曲する
   ことを特徴とする表示装置。
8. 前記第２導電層と、前記発光層との間に、透明導電層を含む第３導電層をさらに有する、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１導電層は、透明導電層を含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
10. 前記透明導電層は、導電性酸化物を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 前記導電性酸化物は、アモルファス状であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
    

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