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JP6538008B2 - Multiplexer and method of manufacturing the same - Google Patents

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JP6538008B2
JP6538008B2 JP2016132042A JP2016132042A JP6538008B2 JP 6538008 B2 JP6538008 B2 JP 6538008B2 JP 2016132042 A JP2016132042 A JP 2016132042A JP 2016132042 A JP2016132042 A JP 2016132042A JP 6538008 B2 JP6538008 B2 JP 6538008B2
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conductor pattern
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inductor
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齋藤 利之
利之 齋藤
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Description

本発明は、マルチプレクサおよびその製造方法に関し、例えば複数の誘電体層が積層されたマルチプレクサおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a multiplexer and a method of manufacturing the same, for example, to a multiplexer in which a plurality of dielectric layers are stacked and a method of manufacturing the same.

スマートホンや携帯電話等の無線通信端末には、ダイプレクサ等のマルチプレクサが用いられている。ダイプレクサとして、誘電体層を積層した積層体を用いることが知られている。ダイプレクサの小型化のため、積層体の下面にランド電極を有するLGA(Land Grid Array)を用いることが知られている。LGAのランド電極の1つを積層体の上面に設けられたメッキ用電極と、積層体を介し電気的に接続することが知られている(例えば特許文献1)   Multiplexers such as diplexers are used in wireless communication terminals such as smart phones and mobile phones. It is known to use a laminate in which dielectric layers are laminated as a diplexer. In order to miniaturize a diplexer, it is known to use an LGA (Land Grid Array) having land electrodes on the lower surface of the laminate. It is known to electrically connect one of the land electrodes of LGA to a plating electrode provided on the upper surface of the laminate via the laminate (for example, Patent Document 1)

特開2016−39334号公報JP, 2016-39334, A

特許文献1では、積層体の上面にメッキ用電極と方向識別マークが設けられている。このため、小型化が難しい。   In Patent Document 1, a plating electrode and a direction identification mark are provided on the top surface of the laminate. For this reason, miniaturization is difficult.

本発明は、上記課題に鑑み見なされたものであり、小型化することを目的とする。   The present invention is considered in view of the above-mentioned subject, and aims at miniaturizing.

本発明は、間に導電体パターンが設けられた複数の誘電体層が積層された積層体と、前記積層体の下面に設けられた共通端子、第1端子、第2端子およびグランド端子と、前記共通端子と前記第1端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第1インダクタおよび第1キャパシタを含む第1フィルタと、前記共通端子と前記第2端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第2インダクタおよび第2キャパシタを含む第2フィルタと、前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通され、前記グランド端子に前記導電体パターンを介し導通され、前記積層体の上面に設けられた方向識別マークと、を具備するマルチプレクサである。 According to the present invention, there is provided a laminated body in which a plurality of dielectric layers provided with a conductive pattern therebetween are laminated, a common terminal provided on the lower surface of the laminated body, a first terminal, a second terminal, and a ground terminal. A first filter connected between the common terminal and the first terminal and connected between the common terminal and the second terminal, and a first filter including a first inductor and a first capacitor formed of the conductor pattern And a second filter including a second inductor and a second capacitor formed of the conductor pattern, and the common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal among the other through the conductor pattern. is non-conducting terminal that is not electrically connected to the terminal and conduction through the conductor pattern, wherein the conductive via the conductor pattern to the ground terminal, the direction provided on the upper surface of the laminate A multiplexer having a, and another mark.

上記構成において、前記非導通端子は複数あり、前記方向識別マークは、前記複数の非導通端子のうち最も面積の小さい端子に前記導電体パターンを介し導通されている構成とすることができる。   In the above configuration, a plurality of the nonconductive terminals may be provided, and the direction identification mark may be conductive to the terminal having the smallest area among the plurality of nonconductive terminals through the conductor pattern.

本発明は、間に導電体パターンが設けられた複数の誘電体層が積層された積層体と、前記積層体の下面に設けられた共通端子、第1端子、第2端子およびグランド端子と、前記共通端子と前記第1端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第1インダクタおよび第1キャパシタを含む第1フィルタと、前記共通端子と前記第2端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第2インダクタおよび第2キャパシタを含む第2フィルタと、前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通され、前記積層体の上面に設けられた方向識別マークと、を具備し、前記方向識別マークは、前記第1インダクタ、前記第1キャパシタ、前記第2インダクタおよび前記第2キャパシタを形成する導電体パターンのうち平面方向に延伸する少なくとも一部を介し前記非導通端子と導通されているマルチプレクサである According to the present invention, there is provided a laminated body in which a plurality of dielectric layers provided with a conductive pattern therebetween are laminated, a common terminal provided on the lower surface of the laminated body, a first terminal, a second terminal, and a ground terminal. A first filter connected between the common terminal and the first terminal and connected between the common terminal and the second terminal, and a first filter including a first inductor and a first capacitor formed of the conductor pattern And a second filter including a second inductor and a second capacitor formed of the conductor pattern, and the common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal among the other through the conductor pattern. It is non-conducting terminal that is not electrically connected to the terminal and conduction through the conductor pattern, anda direction identification mark provided on the upper surface of the laminate, the direction identification mark, the first Inductor, a first capacitor, the second inductor and the multiplexer being electrically connected to said non-conductive terminal through at least a portion extending in a plane direction of the conductor pattern in which the second forms a capacitor.

本発明は、間に導電体パターンが設けられた複数の誘電体層が積層された積層体と、前記積層体の下面に設けられた共通端子、第1端子、第2端子およびグランド端子と、前記共通端子と前記第1端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第1インダクタおよび第1キャパシタを含む第1フィルタと、前記共通端子と前記第2端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第2インダクタおよび第2キャパシタを含む第2フィルタと、前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通され、前記積層体の上面に設けられた方向識別マークと、を具備し、前記第1インダクタおよび前記第2インダクタの少なくとも一方は中央部にパターンが設けられていないスパイラルパターンを含み、前記方向識別マークは平面視において前記スパイラルパターンの中央部に位置し前記スパイラルパターンに重ならないマルチプレクサである According to the present invention, there is provided a laminated body in which a plurality of dielectric layers provided with a conductive pattern therebetween are laminated, a common terminal provided on the lower surface of the laminated body, a first terminal, a second terminal, and a ground terminal. A first filter connected between the common terminal and the first terminal and connected between the common terminal and the second terminal, and a first filter including a first inductor and a first capacitor formed of the conductor pattern And a second filter including a second inductor and a second capacitor formed of the conductor pattern, and the common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal among the other through the conductor pattern. is non-conducting terminal that is not electrically connected to the terminal and conduction through the conductor pattern, anda direction identification mark provided on the upper surface of the laminate, said first inductor and said At least one of the second inductor comprises a spiral pattern that is not the pattern is provided at the center, the direction identification mark is a multiplexer which does not overlap the spiral pattern located in the central portion of the spiral pattern in a plan view.

上記構成において、前記スパイラルパターンは最も前記方向識別マーク側の導電体パターンにより形成されている構成とすることができる。   In the above configuration, the spiral pattern may be formed by the conductor pattern closest to the direction identification mark.

本発明は、間に導電体パターンが設けられた複数の誘電体層が積層された積層体と、前記積層体の下面に設けられた共通端子、第1端子、第2端子およびグランド端子と、前記共通端子と前記第1端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第1インダクタおよび第1キャパシタを含む第1フィルタと、前記共通端子と前記第2端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第2インダクタおよび第2キャパシタを含む第2フィルタと、前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通され、前記積層体の上面に設けられた方向識別マークと、を具備し、最も前記方向識別マーク側に設けられた導電体パターンは、平面視において前記方向識別マークに重なり、前記方向識別マークに導通された前記第1キャパシタまたは前記第2キャパシタの電極を含むマルチプレクサである According to the present invention, there is provided a laminated body in which a plurality of dielectric layers provided with a conductive pattern therebetween are laminated, a common terminal provided on the lower surface of the laminated body, a first terminal, a second terminal, and a ground terminal. A first filter connected between the common terminal and the first terminal and connected between the common terminal and the second terminal, and a first filter including a first inductor and a first capacitor formed of the conductor pattern And a second filter including a second inductor and a second capacitor formed of the conductor pattern, and the common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal among the other through the conductor pattern. It is non-conducting terminal that is not electrically connected to the terminal and conduction through the conductor pattern, anda direction identification mark provided on the upper surface of the laminate, set in the most the direction identification mark side Conductive patterns that are is a multiplexer which includes the overlap in the direction identification mark, wherein is conductive in a direction identification mark first capacitor or electrode of the second capacitor in a plan view.

上記構成において、前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子は、前記積層体の面のうち前記下面にのみ設けられている構成とすることができる。   In the above configuration, the common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal may be provided only on the lower surface of the surfaces of the laminate.

上記構成において、前記積層体の下面に設けられた第3端子と、前記共通端子と前記第3端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第3インダクタおよび第3キャパシタを含む第3フィルタと、を具備し、前記方向識別マークは、前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子、前記第3端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通されている構成とすることができる。   In the above configuration, it includes a third inductor and a third capacitor connected between the third terminal provided on the lower surface of the laminate, the common terminal and the third terminal, and formed of the conductor pattern. A third filter is provided, and the direction identification mark is electrically connected to another of the common terminal, the first terminal, the second terminal, the third terminal, and the ground terminal through the conductor pattern. It can be set as the structure currently conducted via the non-conductive terminal which is not carried out, and the said conductor pattern.

上記構成において、前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子、前記グランド端子および前記方向識別マークはメッキ層である構成とすることができる。   In the above configuration, the common terminal, the first terminal, the second terminal, the ground terminal, and the direction identification mark may be plated layers.

本発明は、間に導電体パターンが設けられた複数の誘電体層が積層され、共通端子と第1端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第1インダクタおよび第1キャパシタを含む第1フィルタと、前記共通端子と第2端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第2インダクタおよび第2キャパシタを含む第2フィルタと、を含む積層体の下面に設けられた前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子およびグランド端子と、前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通され、前記グランド端子に前記導電体パターンを介し導通され、前記積層体の上面に設けられた方向識別マークと、をバレルメッキ法を用い形成する工程を含むマルチプレクサの製造方法である。 The present invention is a first inductor and a first capacitor formed by laminating the plurality of dielectric layers provided with a conductor pattern therebetween, connected between the common terminal and the first terminal, and formed of the conductor pattern. And a second filter including a second inductor and a second capacitor formed between the common pattern and the second terminal and connected between the common terminal and the second terminal. And the other terminal of the common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal, and the common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal provided via the conductor pattern. is conductive conduction that are not non-conductive terminal via the conductor pattern, the conductor pattern are conductively via the orientation identification mer provided on the upper surface of the laminate to the ground terminal When a method of manufacturing a multiplexer comprising forming using a barrel plating method.

本発明によれば、小型化することができる。   According to the present invention, miniaturization can be achieved.

図1は、実施例1に係るダイプレクサの回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of the diplexer according to the first embodiment. 図2(a)および図2(b)は、実施例1に係るダイプレクサの斜視図および側面図である。FIGS. 2A and 2B are a perspective view and a side view of the diplexer according to the first embodiment. 図3は、実施例1における積層体の解体斜視図(その1)である。FIG. 3: is a disassembled perspective view (the 1) of the laminated body in Example 1. FIG. 図4は、実施例1における積層体の解体斜視図(その2)である。FIG. 4 is a disassembled perspective view (part 2) of the laminate in the first embodiment. 図5は、実施例1に係るダイプレクサの製造方法を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart of the method of manufacturing the diplexer according to the first embodiment. 図6は、比較例1に係るダイプレクサの回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of the diplexer according to Comparative Example 1. 図7(a)および図7(b)は、比較例1に係るダイプレクサの斜視図および側面図である。FIGS. 7A and 7B are a perspective view and a side view of a diplexer according to Comparative Example 1, respectively. 図8は、実施例1における積層体の平面図である。FIG. 8 is a plan view of the laminate in the first embodiment. 図9は、実施例1におけるD1/D2に対する挿入損失を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing the insertion loss with respect to D1 / D2 in the first embodiment. 図10は、実施例2に係るダイプレクサの回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram of the diplexer according to the second embodiment. 図11は、実施例2における積層体の解体斜視図(その1)である。FIG. 11 is a disassembled perspective view (part 1) of the laminate in the second embodiment. 図12は、実施例2における積層体の解体斜視図(その2)である。FIG. 12 is a disassembled perspective view (part 2) of the laminate in the second embodiment. 図13は、実施例2における積層体の平面図である。FIG. 13 is a plan view of the laminate in the second embodiment. 図14は、実施例3に係るトリプレクサの回路図である。FIG. 14 is a circuit diagram of a triplexer according to a third embodiment. 図15は、実施例3に係るトリプレクサの斜視図である。FIG. 15 is a perspective view of a triplexer according to a third embodiment. 図16(a)から図16(d)は、ビア配線の形成方法の一例を示す断面図である。16 (a) to 16 (d) are cross-sectional views showing an example of a method of forming a via wire. 図17(a)から図17(d)は、ビア配線の形成方法の別の一例を示す断面図である。FIG. 17A to FIG. 17D are cross-sectional views showing another example of the method of forming the via wiring.

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、実施例1に係るダイプレクサの回路図である。図1に示すように、ダイプレクサ100において共通端子Taと端子T1との間にLPF(ローパスフィルタ)24が接続されている。共通端子Taと端子T2との間にHPF(ハイパスフィルタ)26が接続されている。LPF24およびHPF26のグランド側はグランド端子Tgに接続されている。グランド端子Tgは方向識別マーク22に接続されている。   FIG. 1 is a circuit diagram of the diplexer according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, in the diplexer 100, an LPF (low pass filter) 24 is connected between the common terminal Ta and the terminal T1. An HPF (high pass filter) 26 is connected between the common terminal Ta and the terminal T2. The ground sides of the LPF 24 and the HPF 26 are connected to the ground terminal Tg. The ground terminal Tg is connected to the direction identification mark 22.

LPF24はインダクタL11およびL12とキャパシタC11、C12およびC13を備えている。インダクタL11およびL12は共通端子Taと端子T1との間に直列に接続されている。キャパシタC11はインダクタL12に並列に接続されている。キャパシタC12およびC13はインダクタL12の両側のノードとグランド端子Tgとの間にそれぞれ接続されている。   The LPF 24 includes inductors L11 and L12 and capacitors C11, C12 and C13. The inductors L11 and L12 are connected in series between the common terminal Ta and the terminal T1. The capacitor C11 is connected in parallel to the inductor L12. Capacitors C12 and C13 are respectively connected between nodes on both sides of inductor L12 and ground terminal Tg.

HPF26は、インダクタL21およびキャパシタC21からC23を備えている。キャパシタC21およびC23は共通端子Taと端子T2との間に直列に接続されている。キャパシタC22およびインダクタL21はキャパシタC21とC23との間のノードとグランド端子Tgとの間に直列に接続されている。   The HPF 26 includes an inductor L21 and capacitors C21 to C23. The capacitors C21 and C23 are connected in series between the common terminal Ta and the terminal T2. Capacitor C22 and inductor L21 are connected in series between the node between capacitors C21 and C23 and ground terminal Tg.

各インダクタのインダクタンスは以下である。
L11:7nH、L12:4nH、L21:6nH
各キャパシタのキャパシタンスは以下である。
C11:2pF、C12:4pF、C13:2.5pF
C21:2.5pF、C22:5pF、C23:3pF
各フィルタの通過帯域は以下の周波数帯域を含むように設定されている。
LPF24:669MHz〜960MHz
HPF26:1710MHz〜2690MHz
The inductance of each inductor is as follows.
L11: 7 nH, L12: 4 nH, L21: 6 nH
The capacitance of each capacitor is
C11: 2 pF, C12: 4 pF, C13: 2.5 pF
C21: 2.5 pF, C22: 5 pF, C23: 3 pF
The pass band of each filter is set to include the following frequency bands.
LPF 24: 669 MHz to 960 MHz
HPF 26: 1710 MHz to 2690 MHz

LPF24は、共通端子Ta(または端子T1)に入力する高周波信号のうち通過帯域内の信号を端子T1(または共通端子Ta)に通過させHPF26の通過帯域の信号を抑圧する。HPF26は、共通端子Ta(または端子T2)に入力する高周波信号のうち通過帯域内の信号を端子T2(または共通端子Ta)に通過させLPF24の通過帯域の信号を抑圧する。共通端子Taには例えばアンテナが接続される。端子T1およびT2には例えば高周波スイッチ等を介してそれぞれ低周波帯域用および高周波帯域用のデュプレクサが接続される。   The LPF 24 passes the signal in the passband of the high frequency signal input to the common terminal Ta (or terminal T1) to the terminal T1 (or common terminal Ta) and suppresses the signal in the passband of the HPF 26. The HPF 26 passes the signal in the passband of the high frequency signal input to the common terminal Ta (or terminal T2) to the terminal T2 (or common terminal Ta) and suppresses the signal in the passband of the LPF 24. For example, an antenna is connected to the common terminal Ta. Low frequency band duplexers and high frequency band duplexers are connected to the terminals T1 and T2 via high frequency switches, for example.

図2(a)および図2(b)は、実施例1に係るダイプレクサの斜視図および側面図である。図2(a)は、積層体10を透過して端子電極20を図示している。以下の斜視図も同様である。図2(a)および図2(b)に示すように、積層体10の下面に端子電極20が設けられている。端子電極20は、共通端子Ta、端子T1、T2およびグランド端子Tgを含む。端子電極20はLGAのランド電極であり、図2(b)のように、マザーボード30に接続するための端子である。このため、全ての端子が積層体10の下面に設けられている。方向識別マーク22は上から見たときに積層体10の方向を識別するためのマークである。図2(a)のように、端子T1とT2の形状および位置は対称である。そこで、積層体10の上面に方向識別マーク22を設ける。図2(a)では方向識別マーク22のある方の端子電極20が端子T2と識別できる。   FIGS. 2A and 2B are a perspective view and a side view of the diplexer according to the first embodiment. FIG. 2A shows the terminal electrode 20 through the stacked body 10. The same is true for the following perspective views. As shown in FIGS. 2A and 2B, the terminal electrode 20 is provided on the lower surface of the laminate 10. The terminal electrode 20 includes a common terminal Ta, terminals T1 and T2, and a ground terminal Tg. The terminal electrode 20 is a land electrode of LGA, and is a terminal for connecting to the motherboard 30 as shown in FIG. For this reason, all the terminals are provided on the lower surface of the laminate 10. The direction identification mark 22 is a mark for identifying the direction of the laminate 10 when viewed from above. As shown in FIG. 2A, the shapes and positions of the terminals T1 and T2 are symmetrical. Therefore, the direction identification mark 22 is provided on the top surface of the laminate 10. In FIG. 2A, the terminal electrode 20 having the direction identification mark 22 can be identified as the terminal T2.

端子電極20および方向識別マーク22は例えばメッキ層である。端子電極20および方向識別マーク22の膜厚は例えば10μmである。端子電極20の大きさは、例えば以下である。
共通端子Taおよびグランド端子Tg:180μm×125μm
端子T1およびT2;180μm×400μm
方向識別マーク22の直径は例えば150μmである。
The terminal electrode 20 and the direction identification mark 22 are, for example, plated layers. The film thickness of the terminal electrode 20 and the direction identification mark 22 is, for example, 10 μm. The size of the terminal electrode 20 is, for example, as follows.
Common terminal Ta and ground terminal Tg: 180 μm × 125 μm
Terminal T1 and T2; 180 μm × 400 μm
The diameter of the direction identification mark 22 is, for example, 150 μm.

共通端子Taと端子T1とは図1のようにインダクタL11およびL12を介しDC(Direct Current)的に接続されている(図2(a)の実線52)。端子T2およびグランド端子Tgは、他の端子との間にキャパシタC12、C13またはC22が接続されており、他の端子とDC的に接続されていない。グランド端子Tgと方向識別マーク22とは破線50のようにDC的に接続されている。   The common terminal Ta and the terminal T1 are connected DC (Direct Current) via the inductors L11 and L12 as shown in FIG. 1 (solid line 52 in FIG. 2A). The terminal T2 and the ground terminal Tg are connected with the capacitor C12, C13 or C22 between the other terminal and the other terminal, and are not DC connected with the other terminal. The ground terminal Tg and the direction identification mark 22 are DC-connected as indicated by a broken line 50.

図3および図4は、実施例1における積層体10の解体斜視図である。図3および図4に示すように、複数の誘電体層11aから11iが積層されている。誘電体層11aの上面に導電体パターン12aが形成されている。誘電体層11bから11iの間に導電体パターン12bから12iが形成されている。誘電体層11iの下面に導電体パターン12jが形成されている。   3 and 4 are exploded perspective views of the laminate 10 in the first embodiment. As shown in FIGS. 3 and 4, a plurality of dielectric layers 11a to 11i are stacked. A conductor pattern 12a is formed on the top surface of the dielectric layer 11a. Conductor patterns 12b to 12i are formed between dielectric layers 11b to 11i. A conductor pattern 12j is formed on the lower surface of the dielectric layer 11i.

導電体パターン12aは方向識別マーク22の下地層となる。導電体パターン12jは端子電極20の下地層となる。図4では、共通端子Ta、端子T1、T2およびグランド端子Tgに対応する導電体パターン12hを端子T1、T2およびグランド端子Tgと図示する。   The conductor pattern 12 a is a base layer of the direction identification mark 22. The conductor pattern 12 j is a base layer of the terminal electrode 20. In FIG. 4, the conductor pattern 12h corresponding to the common terminal Ta, the terminals T1 and T2, and the ground terminal Tg is illustrated as the terminals T1 and T2 and the ground terminal Tg.

導電体パターン12bから12iはインダクタのコイル14およびキャパシタの電極15を形成する。導電体パターン12aから12h間はビア配線13により接続される。ビア配線13の接続は垂直方向の破線で示す。この例では、導電体パターン12bおよび12cにより、インダクタL11およびL21が形成され、導電体パターン12dおよび12eによりインダクタL12が形成される。導電体パターン12fおよび12gによりキャパシタC11およびC22が形成される。導電体パターン12fから12hによりキャパシタC12が形成される。導電体パターン12gから12iによりキャパシタC21およびC23が形成される。導電体パターン12hおよび12jによりキャパシタC13が形成される。   The conductor patterns 12b to 12i form the coil 14 of the inductor and the electrode 15 of the capacitor. The conductor patterns 12 a to 12 h are connected by via wires 13. The connection of the via wiring 13 is indicated by a broken line in the vertical direction. In this example, the conductor patterns 12b and 12c form inductors L11 and L21, and the conductor patterns 12d and 12e form an inductor L12. Capacitors C11 and C22 are formed by conductor patterns 12f and 12g. Capacitor C12 is formed of conductor patterns 12f to 12h. Capacitors C21 and C23 are formed by conductor patterns 12g to 12i. Capacitor C13 is formed of conductor patterns 12h and 12j.

LPF24に含まれるキャパシタの電極15およびコイル14と、HPF26に含まれるキャパシタの電極15およびコイル14と、は平面視において重なっていない。これにより、LPF24とHPF26との干渉を抑制することができる。   The electrode 15 and the coil 14 of the capacitor included in the LPF 24 and the electrode 15 and the coil 14 of the capacitor included in the HPF 26 do not overlap in a plan view. Thereby, the interference between the LPF 24 and the HPF 26 can be suppressed.

グランド端子Tgは、導電体パターン12hのキャパシタC12の電極15、導電体パターン12fのキャパシタC12の電極15、導電体パターン12bのインダクタL21の一部のコイル14aを介し方向識別マーク22に接続されている。各誘電体層11aから11iの膜厚は、例えば、35μm、15μm、80μm、15μm、75μm、10μm、10μm、10μmおよび35μmである。   The ground terminal Tg is connected to the direction identification mark 22 via the electrode 15 of the capacitor C12 of the conductor pattern 12h, the electrode 15 of the capacitor C12 of the conductor pattern 12f, and the coil 14a of the inductor L21 of the conductor pattern 12b. There is. The thickness of each of the dielectric layers 11a to 11i is, for example, 35 μm, 15 μm, 80 μm, 15 μm, 75 μm, 10 μm, 10 μm, 10 μm, and 35 μm.

図5は、実施例1に係るダイプレクサの製造方法を示すフローチャートである。図5に示すように、シート状の誘電体層11を形成する(ステップS10)。誘電体層11は例えばドクターブレード法を用い作製する。誘電体層11は、例えばAl、Siおよび/またはCa等の酸化物を含むセラミックス材料である。誘電体層11を貫通するビア配線13を形成する(ステップS12)。例えば誘電体層11を貫通するビアホールをレーザ光照射により形成する。スキージ法等を用いビアホール内にビア配線13を形成する。誘電体層11の表面に導電体パターン12を形成する(ステップS14)。導電体パターン12は例えばスクリーン印刷法または転写法を用い形成する。導電体パターン12およびビア配線13は、例えばAg、Pd、Pt、Cu、Ni、Au、Au−Pd合金またはAg−Pt合金等の金属層である。誘電体層11を積層して積層体10を形成する(ステップS16)。誘電体層11の積層には例えば熱加圧または接着剤を用いる。積層体10を焼成する(ステップS18)。焼成温度は、700℃以上である。これにより、誘電体層11が焼結体となる。なお、誘電体層11は、セラミックス材料以外にも樹脂材料またはガラス材料を用いることもできる。   FIG. 5 is a flowchart of the method of manufacturing the diplexer according to the first embodiment. As shown in FIG. 5, the sheet-like dielectric layer 11 is formed (step S10). The dielectric layer 11 is produced, for example, using a doctor blade method. The dielectric layer 11 is a ceramic material containing an oxide such as Al, Si and / or Ca, for example. Via wiring 13 is formed to penetrate dielectric layer 11 (step S12). For example, a via hole penetrating the dielectric layer 11 is formed by laser light irradiation. Via interconnections 13 are formed in the via holes using the squeegee method or the like. The conductor pattern 12 is formed on the surface of the dielectric layer 11 (step S14). The conductor pattern 12 is formed using, for example, a screen printing method or a transfer method. The conductor pattern 12 and the via wiring 13 are metal layers, such as Ag, Pd, Pt, Cu, Ni, Au, an Au-Pd alloy or an Ag-Pt alloy, for example. The dielectric layer 11 is stacked to form a stacked body 10 (step S16). For the lamination of the dielectric layer 11, for example, heat pressure or an adhesive is used. The laminate 10 is fired (step S18). The firing temperature is 700 ° C. or more. Thereby, the dielectric layer 11 becomes a sintered body. In addition to the ceramic material, the dielectric material layer 11 can also use a resin material or a glass material.

メッキ法を用い端子電極20および方向識別マーク22を形成する(ステップS20)。端子電極20および方向識別マーク22の形成には例えばバレルメッキ法を用いる。バレルメッキ法では、積層体10と導電性の金属粒(メディア)をメッキ液に浸す。メッキ液を攪拌しながらメッキ液に電流を流す。これにより、導電体パターン12aおよび12jにより形成された電極の表面にメッキ金属が析出する。電流は、メディアが積層体10の電極に接触したときに流れメッキ金属が析出する。電極の面積が大きいと、電極がメディアに接触する確率が高くなる。これにより、メッキ金属の析出量が多くなる。このように、メッキ金属の析出量は、端子電極20および方向識別マーク22の面積に依存する。   The terminal electrode 20 and the direction identification mark 22 are formed by plating (step S20). For example, barrel plating is used to form the terminal electrode 20 and the direction identification mark 22. In the barrel plating method, the laminate 10 and conductive metal particles (media) are immersed in a plating solution. A current is applied to the plating solution while stirring the plating solution. Thereby, plated metal is deposited on the surface of the electrode formed by the conductor patterns 12a and 12j. The current flows as the media contacts the electrodes of the stack 10 and the plated metal deposits. When the area of the electrode is large, the probability that the electrode contacts the media is high. Thereby, the deposition amount of plating metal increases. Thus, the deposition amount of the plated metal depends on the area of the terminal electrode 20 and the direction identification mark 22.

(比較例1)
図6は、比較例1に係るダイプレクサの回路図である。図7(a)および図7(b)は、比較例1に係るダイプレクサの斜視図および側面図である。図6および図7(b)に示すように、ダイプレクサ110では、方向識別マーク22aは、共通端子Ta、端子T1、T2およびグランド端子Tgのいずれにも接続されていない。その他の構成は実施例1の図1と同じであり説明を省略する。
(Comparative example 1)
FIG. 6 is a circuit diagram of the diplexer according to Comparative Example 1. FIGS. 7A and 7B are a perspective view and a side view of a diplexer according to Comparative Example 1, respectively. As shown in FIGS. 6 and 7B, in the diplexer 110, the direction identification mark 22a is not connected to any of the common terminal Ta, the terminals T1 and T2, and the ground terminal Tg. The other configuration is the same as that of FIG. 1 of the first embodiment, and the description will be omitted.

図7(a)のように、共通端子Taおよびグランド端子Tgは端子T1およびT2の面積より小さい。共通端子Taおよびグランド端子Tgが小さいのは小型化のためである。端子電極20内で面積を異ならせるのは、マザーボード30に実装するときの要求による。特に、端子電極20をLGAとすると、端子電極20は、積層体10の面のうち下面にのみ設けられることになる。ダイプレクサを小型化しようとすると、積層体10の下面の面積が小さくなる。よって、端子電極20の配置に制約ができ、端子電極20のうち一部の面積が小さくなる。   As shown in FIG. 7A, the common terminal Ta and the ground terminal Tg are smaller than the areas of the terminals T1 and T2. The reason why the common terminal Ta and the ground terminal Tg are small is for miniaturization. The area of the terminal electrode 20 is made different depending on the requirements for mounting on the motherboard 30. In particular, when the terminal electrode 20 is LGA, the terminal electrode 20 is provided only on the lower surface of the surface of the laminate 10. When the diplexer is to be miniaturized, the area of the lower surface of the laminate 10 is reduced. Therefore, the arrangement of the terminal electrodes 20 can be restricted, and the area of a part of the terminal electrodes 20 is reduced.

前述のように、端子電極20の面積が小さいとメッキ金属の析出量が少なくなり、端子電極20が薄くなる。共通端子Taおよび端子T1は、インダクタL11およびL12を介し導電体パターン12bから12iを介し導通されている。このため、共通端子Taおよび端子T1は、ステップS20のメッキを行なうときの実質的面積が大きい。端子T2はいずれの端子にも導通されていないが面積が大きい。グランド端子Tgは他の端子に導通されておらずかつ小さい。このため、図7(b)のように、グランド端子Tgが薄くなってしまう。これにより、ダイプレクサをマザーボード30に実装したときに、グランド端子Tgとマザーボード30との接合が弱くなってしまう可能性がある。   As described above, when the area of the terminal electrode 20 is small, the amount of deposited plating metal decreases, and the terminal electrode 20 becomes thin. The common terminal Ta and the terminal T1 are conducted through the conductor patterns 12b to 12i through the inductors L11 and L12. For this reason, the common terminal Ta and the terminal T1 have a large substantial area when performing the plating of step S20. The terminal T2 is not conducted to any of the terminals but has a large area. The ground terminal Tg is not conducted to the other terminals and is small. Therefore, as shown in FIG. 7B, the ground terminal Tg becomes thin. As a result, when the diplexer is mounted on the mother board 30, the connection between the ground terminal Tg and the mother board 30 may be weakened.

実施例1によれば、LPF24(第1フィルタ)は、導電体パターン12bから12iにより形成されたインダクタL11およびL12(第1インダクタ)とキャパシタC11からC13(第1キャパシタ)とを含む。HPF26は、導電体パターン12bから12iにより形成されたインダクタL21(第2インダクタ)とキャパシタC21からC23(第2キャパシタ)とを含む。グランド端子Tgは、積層体10の上面に設けられた方向識別マーク22と導電体パターン12bから12iを介して導通されている。このように、共通端子Ta、端子T1(第1端子)端子T2(第2端子)およびグランド端子Tgのうち導電体パターン12bから12iを介し他の端子と導通されていない非導通端子を方向識別マーク22とDC的に接続する。   According to the first embodiment, the LPF 24 (first filter) includes inductors L11 and L12 (first inductor) formed by the conductor patterns 12b to 12i and capacitors C11 to C13 (first capacitor). The HPF 26 includes an inductor L21 (second inductor) formed by the conductor patterns 12b to 12i and capacitors C21 to C23 (second capacitor). The ground terminal Tg is electrically connected through the direction identification mark 22 provided on the top surface of the laminate 10 and the conductor patterns 12b to 12i. Thus, the direction identification of the non-conductive terminals not electrically connected to the other terminals through the conductive patterns 12b to 12i among the common terminal Ta, the terminal T1 (first terminal) terminal T2 (second terminal), and the ground terminal Tg Connect with the mark 22 in a DC manner.

これにより、端子電極20および方向識別マーク22をメッキ法を用い形成するときに、グランド端子Tgの面積が実質的に大きくなる。よって、グランド端子Tgの膜厚を他の端子電極20程度とすることができる。よって、グランド端子Tgとマザーボード30との接合強度を確保できる。また、メッキ用の電極と方向識別マーク22を共通にすることにより、ダイプレクサを小型化することができる。方向識別マーク22の形状は円形以外に四角形、三角形等の多角形でもよく、楕円形状でもよい。また、方向識別マーク22は英数字等の文字または矢印等の記号でもよい。方向識別マーク22の形状により方向を識別してもよいし、方向識別マーク22の位置により方向を識別してもよい。   Thereby, when the terminal electrode 20 and the direction identification mark 22 are formed by plating, the area of the ground terminal Tg is substantially increased. Therefore, the film thickness of the ground terminal Tg can be set to about the other terminal electrode 20. Thus, the bonding strength between the ground terminal Tg and the motherboard 30 can be secured. Further, by using the plating electrode and the direction identification mark 22 in common, the size of the diplexer can be reduced. The shape of the direction identification mark 22 may be a polygon such as a quadrangle or a triangle other than a circle, or may be an oval. Also, the direction identification mark 22 may be characters such as alphanumeric characters or symbols such as arrows. The direction may be identified by the shape of the direction identification mark 22, or the direction may be identified by the position of the direction identification mark 22.

また、端子T2とグランド端子Tgのように、他の端子に接続されていない非導通端子が複数ある場合、方向識別マーク22は、非導通端子のうち最も面積の小さい端子に導電体パターン12bから12iを介し導通されている。これにより、より薄くなりやすい端子電極20の膜厚を大きくできる。   Also, when there are a plurality of non-conductive terminals not connected to other terminals, such as the terminal T2 and the ground terminal Tg, the direction identification mark 22 is a terminal having the smallest area among the non-conductive terminals from the conductor pattern 12b. It is conducted through 12i. Thereby, the film thickness of the terminal electrode 20 which tends to be thinner can be enlarged.

方向識別マーク22に接続される端子電極20はグランド端子Tg以外でもよい。方向識別マーク22に導通される端子電極20をグランド端子Tgとすることで、方向識別マーク22が接続することにより高周波特性への影響を抑制できる。   The terminal electrode 20 connected to the direction identification mark 22 may be other than the ground terminal Tg. By setting the terminal electrode 20 conducted to the direction identification mark 22 as the ground terminal Tg, the connection to the direction identification mark 22 can suppress the influence on the high frequency characteristics.

図3のコイル14aのように、方向識別マーク22は、導電体パターン12aから12iのうち平面方向に延伸する少なくとも一部を介し非導通端子と導通されていることが好ましい。これにより、平面方向に延伸するインダクタのコイル14またはキャパシタの電極15の一部と、グランド端子Tgと方向識別マーク22とを接続する経路とを共通にすることができる。よって、ダイプレクサを小型化することができる。   As in the coil 14a of FIG. 3, the direction identification mark 22 is preferably electrically connected to the nonconductive terminal through at least a part of the conductor patterns 12a to 12i extending in the planar direction. Thereby, a part of the coil 14 of the inductor or the electrode 15 of the capacitor extending in the planar direction can be shared by the path connecting the ground terminal Tg and the direction identification mark 22. Therefore, the diplexer can be miniaturized.

LPF24は共通端子Taと端子T1との間に直列にインダクタが接続される。このため、共通端子Taと端子T1とがDC的に接続される。HPF26は共通端子Taと端子T2との間に直列にキャパシタが接続される。このため、共通端子Taと端子T2とがDC的に接続されない。よって、HPF26の端子T2は非接続端子となりやすい。また、グランド端子Tgと他の端子との間にはキャパシタが接続され、非接続端子となりやすい。   The inductor 24 is connected in series between the common terminal Ta and the terminal T1. Therefore, the common terminal Ta and the terminal T1 are connected in a DC manner. The HPF 26 has a capacitor connected in series between the common terminal Ta and the terminal T2. Therefore, the common terminal Ta and the terminal T2 are not connected in a DC manner. Therefore, the terminal T2 of the HPF 26 is likely to be a non-connection terminal. In addition, a capacitor is connected between the ground terminal Tg and the other terminal, which tends to be a non-connection terminal.

端子T2を方向識別マーク22と導通させた場合、方向識別マーク22は、積層体10のうちHPF26に含まれるキャパシタおよびインダクタが形成された領域上に設けることが好ましい。これにより、方向識別マーク22とLPF24とが高周波的に結合することを抑制し、アイソレーション特性の劣化を抑制することができる。   When the terminal T2 is electrically connected to the direction identification mark 22, the direction identification mark 22 is preferably provided on the region of the laminate 10 in which the capacitor and the inductor included in the HPF 26 are formed. Thus, coupling of the direction identification mark 22 and the LPF 24 at high frequency can be suppressed, and deterioration of the isolation characteristic can be suppressed.

グランド端子Tgを方向識別マーク22と導通させた場合、グランド端子TgにはHPF26のインダクタL21が接続されている。よって、方向識別マーク22は、積層体10のうちHPF26に含まれるキャパシタおよびインダクタが形成された領域上に設けることが好ましい。これにより、方向識別マーク22とLPF24とが高周波的に結合することを抑制し、アイソレーション特性の劣化を抑制することができる。   When the ground terminal Tg is electrically connected to the direction identification mark 22, the inductor L21 of the HPF 26 is connected to the ground terminal Tg. Therefore, the direction identification mark 22 is preferably provided on the region of the laminate 10 in which the capacitor and the inductor included in the HPF 26 are formed. Thus, coupling of the direction identification mark 22 and the LPF 24 at high frequency can be suppressed, and deterioration of the isolation characteristic can be suppressed.

図8は、実施例1における積層体の平面図である。図8では、方向識別マーク22、導電体パターン12bで形成されたコイル14aおよび14bを図示している。図8に示すように、誘電体層11bの上面には導電体パターン12bによりコイル14aおよび14bが形成されている。コイル14aおよび14bはそれぞれインダクタL21およびL11の一部である。コイル14aはパッド62aおよび62bとスパイラルパターン64とを含む。スパイラルパターン64はパッド62aと62bとの間に接続されている。パッド62aはビア配線13aにより方向識別マーク22と接続されている。パッド62bはビア配線13bを介しグランド端子Tgと接続されている。   FIG. 8 is a plan view of the laminate in the first embodiment. In FIG. 8, the coils 14a and 14b formed by the direction identification mark 22 and the conductor pattern 12b are illustrated. As shown in FIG. 8, on the top surface of the dielectric layer 11b, coils 14a and 14b are formed of a conductor pattern 12b. Coils 14a and 14b are part of inductors L21 and L11, respectively. Coil 14a includes pads 62a and 62b and a spiral pattern 64. The spiral pattern 64 is connected between the pads 62a and 62b. The pad 62a is connected to the direction identification mark 22 by the via wire 13a. The pad 62b is connected to the ground terminal Tg via the via wiring 13b.

スパイラルパターン64は中央部にパターンが設けられていない。スパイラルパターン64の中心と方向識別マーク22の中心は例えば略一致している。スパイラルパターン64の内径をD2とし、方向識別マーク22の直径をD1とする。   The spiral pattern 64 is not provided at the center. For example, the center of the spiral pattern 64 and the center of the direction identification mark 22 substantially coincide with each other. The inner diameter of the spiral pattern 64 is D2, and the diameter of the direction identification mark 22 is D1.

D1/D2を変化させ、HPF26の通過帯域における挿入損失をシミュレーションした。図9は、実施例1におけるD1/D2に対する挿入損失を示す図である。図9に示すように、D1/D2×100%が80%以下では、挿入損失はほとんど変化しない。D1/D2×100%が100%以上となると挿入損失が大きくなる。実施例1では、D1=150μm、D2=250μmおよびD1/D2=60%とする。   D1 / D2 was varied to simulate insertion loss in the pass band of the HPF 26. FIG. 9 is a diagram showing the insertion loss with respect to D1 / D2 in the first embodiment. As shown in FIG. 9, the insertion loss hardly changes when D1 / D2 × 100% is 80% or less. When D1 / D2 × 100% is 100% or more, the insertion loss increases. In Example 1, D1 = 150 μm, D2 = 250 μm, and D1 / D2 = 60%.

このように、インダクタL11、L12およびL21の少なくとも1つは、中央部にパターンが設けられていないスパイラルパターン64を含む。方向識別マーク22は平面視においてスパイラルパターン64の中央部に位置しスパイラルパターン64に重ならない。これにより、LPF24またはHPF26の特性が劣化することを抑制できる。   Thus, at least one of the inductors L11, L12 and L21 includes a spiral pattern 64 which is not provided with a pattern at its center. The direction identification mark 22 is located at the center of the spiral pattern 64 in plan view and does not overlap the spiral pattern 64. As a result, deterioration of the characteristics of the LPF 24 or the HPF 26 can be suppressed.

特に、導電体パターン12bから12iのうち、最も方向識別マーク22側の導電体パターン12bにより形成されたスパイラルパターン64は方向識別マークの影響を受けやすい。そこで、方向識別マーク22は最も方向識別マーク22側の導電体パターン12bにより形成されたスパイラルパターン64の中央部に位置しスパイラルパターン64に重ならないことが好ましい。   In particular, among the conductor patterns 12b to 12i, the spiral pattern 64 formed by the conductor pattern 12b closest to the direction identification mark 22 is susceptible to the direction identification mark. Therefore, it is preferable that the direction identification mark 22 be located at the center of the spiral pattern 64 formed by the conductor pattern 12 b closest to the direction identification mark 22 and not overlap the spiral pattern 64.

図10は、実施例2に係るダイプレクサの回路図である。図10に示すように、ダイプレクサ102では、グランド端子TgとキャパシタC21およびC23の間のノードとの間に直列接続されたキャパシタC22とインダクタL21のうち、キャパシタC22がグランド端子Tg側に、インダクタL21がノード側に接続されている。すなわち、キャパシタC22とインダクタL21とが実施例1の図1と逆に接続されている。その他の構成は実施例1の図1と同じであり説明を省略する。   FIG. 10 is a circuit diagram of the diplexer according to the second embodiment. As shown in FIG. 10, in the diplexer 102, of the capacitor C22 and the inductor L21 connected in series between the ground terminal Tg and the node between the capacitors C21 and C23, the capacitor C22 is on the side of the ground terminal Tg, the inductor L21. Are connected to the node side. That is, the capacitor C22 and the inductor L21 are connected reversely to FIG. 1 of the first embodiment. The other configuration is the same as that of FIG.

図11および図12は、実施例2における積層体10の解体斜視図である。図11および図12に示すように、導電体パターン12bおよび12cにより、インダクタL11およびキャパシタC22が形成される。導電体パターン12dおよび12eによりインダクタL12およびL21が形成される。導電体パターン12fおよび12gによりキャパシタC11が形成される。導電体パターン12fから12hによりキャパシタC12が形成される。導電体パターン12gから12iによりキャパシタC21およびC23が形成される。導電体パターン12hおよび12iによりキャパシタC13が形成される。キャパシタC22の電極15aが最も方向識別マーク22側の導電体パターン12bにより形成されている。   11 and 12 are disassembled perspective views of the laminate 10 in the second embodiment. As shown in FIGS. 11 and 12, conductor patterns 12b and 12c form an inductor L11 and a capacitor C22. Conductor patterns 12d and 12e form inductors L12 and L21. Capacitor C11 is formed of conductor patterns 12f and 12g. Capacitor C12 is formed of conductor patterns 12f to 12h. Capacitors C21 and C23 are formed by conductor patterns 12g to 12i. Capacitor C13 is formed of conductor patterns 12h and 12i. The electrode 15a of the capacitor C22 is formed by the conductor pattern 12b closest to the direction identification mark 22.

グランド端子Tgは、導電体パターン12hのキャパシタC13の電極15、導電体パターン12fのキャパシタC12の電極15、導電体パターン12bのキャパシタC22の電極15aを介し方向識別マーク22に接続されている。その他の構成は、実施例1の図3および図4と同じであり説明を省略する。   The ground terminal Tg is connected to the direction identification mark 22 via the electrode 15 of the capacitor C13 of the conductor pattern 12h, the electrode 15 of the capacitor C12 of the conductor pattern 12f, and the electrode 15a of the capacitor C22 of the conductor pattern 12b. The other configuration is the same as in FIGS. 3 and 4 of the first embodiment, and the description will be omitted.

図13は、実施例2における積層体の平面図である。図13では、方向識別マーク22、導電体パターン12bで形成された電極15aコイル14bを図示している。図13に示すように、誘電体層11bの上面には導電体パターン12bにより電極15aおよびコイル14bが形成されている。電極15aおよびコイル14bはそれぞれキャパシタC22およびインダクタL11の一部である。電極15aはビア配線13bを介しグランド端子Tgに接続されている。方向識別マーク22はビア配線13aを介し電極15aに接続されている。方向識別マーク22は平面視において、電極15aと重なる。   FIG. 13 is a plan view of the laminate in the second embodiment. In FIG. 13, the electrode 15a coil 14b formed of the direction identification mark 22 and the conductor pattern 12b is illustrated. As shown in FIG. 13, an electrode 15a and a coil 14b are formed of a conductor pattern 12b on the top surface of the dielectric layer 11b. The electrode 15a and the coil 14b are parts of the capacitor C22 and the inductor L11, respectively. The electrode 15a is connected to the ground terminal Tg via the via wiring 13b. The direction identification mark 22 is connected to the electrode 15a via the via wiring 13a. The direction identification mark 22 overlaps the electrode 15a in plan view.

実施例2によれば、最も方向識別マーク22側に設けられた導電体パターン12bは、平面視において方向識別マーク22に重なりかつ方向識別マーク22に導通された電極15aを含む。電極15aは、LPF24およびHPF26の少なくとも一方に含まれるキャパシタの電極である。これにより、方向識別マーク22が導電体パターン12bより下の導電体パターン12cから12iと容量結合することを抑制できる。よって、LPF24およびHPF26の特性劣化を抑制できる。方向識別マーク22は、電極15aより小さく、平面視において電極15aの外側には重ならないことが好ましい。   According to the second embodiment, the conductor pattern 12b provided closest to the direction identification mark 22 includes the electrode 15a which overlaps the direction identification mark 22 and is conducted to the direction identification mark 22 in plan view. The electrode 15 a is an electrode of a capacitor included in at least one of the LPF 24 and the HPF 26. As a result, capacitive coupling between the direction identification mark 22 and the conductor patterns 12c to 12i below the conductor pattern 12b can be suppressed. Therefore, characteristic deterioration of the LPF 24 and the HPF 26 can be suppressed. The direction identification mark 22 is preferably smaller than the electrode 15a and does not overlap the outside of the electrode 15a in a plan view.

図14は、実施例3に係るトリプレクサの回路図である。図14に示すように、トリプレクサ104では、共通端子Taと端子T3との間にバンドパスフィルタ(BPF)28が接続されている。BPF28は、インダクタL31からL33とキャパシタC30からC33を含む。インダクタL31、キャパシタC30およびC31は共通端子Taと端子T3との間に直列に接続されている。キャパシタC30とC31との間のノードとグランド端子Tgとの間にインダクタL32およびキャパシタC32が並列に接続されている。端子T3とグランド端子Tgとの間にインダクタL33およびキャパシタC33が並列に接続されている。   FIG. 14 is a circuit diagram of a triplexer according to a third embodiment. As shown in FIG. 14, in the triplexer 104, a band pass filter (BPF) 28 is connected between the common terminal Ta and the terminal T3. BPF 28 includes inductors L31 to L33 and capacitors C30 to C33. An inductor L31 and capacitors C30 and C31 are connected in series between the common terminal Ta and the terminal T3. An inductor L32 and a capacitor C32 are connected in parallel between a node between the capacitors C30 and C31 and the ground terminal Tg. An inductor L33 and a capacitor C33 are connected in parallel between the terminal T3 and the ground terminal Tg.

BPF28は、LPF24とHPF26の通過帯域の間に通過帯域を有する。BPF28は、共通端子Ta(または端子T3)に入力する高周波信号のうち通過帯域内の信号を端子T3(または共通端子Ta)に通過させLPF24とHPF26との通過帯域の信号を抑圧する。端子T3には例えば高周波スイッチ等を介して中間周波数帯域用のデュプレクサが接続される。   The BPF 28 has a passband between the LPF 24 and the passband of the HPF 26. The BPF 28 passes the signal in the passband of the high frequency signal input to the common terminal Ta (or terminal T3) to the terminal T3 (or common terminal Ta) and suppresses the signal in the passband of the LPF 24 and the HPF 26. A duplexer for an intermediate frequency band is connected to the terminal T3 via, for example, a high frequency switch.

図15は、実施例3に係るトリプレクサの斜視図である。図15に示すように、積層体10の下面に端子電極20が設けられている。端子電極20は、共通端子Ta、端子T1、T2、T3および2つのグランド端子Tgを含む。端子電極20の大きさは、例えば180μm×125μmである。   FIG. 15 is a perspective view of a triplexer according to a third embodiment. As shown in FIG. 15, the terminal electrode 20 is provided on the lower surface of the laminate 10. The terminal electrode 20 includes a common terminal Ta, terminals T1, T2, and T3 and two ground terminals Tg. The size of the terminal electrode 20 is, for example, 180 μm × 125 μm.

共通端子Taと端子T1とは図14のようにインダクタL11およびL12を介しDC的に接続されている(図15の実線52)。端子T3とグランド端子TgとはインダクタL33を介しDC的に導通されている(図15の点線54)。端子T2は、他の端子との間にキャパシタC12、C13またはC22が接続されており、他の端子とDC的に接続されていない。そこで、グランド端子Tgと方向識別マーク22とを導電体パターンを介し導通させる。これにより、端子T3が薄くなることを抑制できる。   The common terminal Ta and the terminal T1 are DC-connected via the inductors L11 and L12 as shown in FIG. 14 (solid line 52 in FIG. 15). The terminal T3 and the ground terminal Tg are conducted in a DC manner via the inductor L33 (dotted line 54 in FIG. 15). The capacitor C12, C13 or C22 is connected between the terminal T2 and the other terminal, and is not connected to the other terminal in a DC manner. Therefore, the ground terminal Tg and the direction identification mark 22 are electrically connected via the conductor pattern. Thereby, it can suppress that terminal T3 becomes thin.

実施例3によれば、BPF28(第3フィルタ)は、共通端子Taと端子T3(第3端子)との間に接続され、インダクタL31からL33(第1インダクタ)およびキャパシタC30からC33(第3キャパシタ)を含む。方向識別マーク22は、共通端子Ta、端子T1,T2,T3およびグランド端子Tgのうち導電体パターン12bから12iを介し他の端子と導通されていない非導通端子と導電体パターン12bから12iを介し導通されている。これにより、非導通端子が薄くなることを抑制できる。また、方向識別マーク22をメッキ用電極として用いるため、トリプレクサを小型化することができる。   According to the third embodiment, the BPF 28 (third filter) is connected between the common terminal Ta and the terminal T3 (third terminal), and inductors L31 to L33 (first inductor) and capacitors C30 to C33 (third Capacitors). Direction identification mark 22 includes a nonconductive terminal not electrically connected to another terminal through conductive pattern 12b to 12i among common terminal Ta, terminals T1, T2 and T3 and ground terminal Tg and conductive pattern 12b to 12i. It is conducted. This can suppress thinning of the non-conductive terminal. Further, since the direction identification mark 22 is used as a plating electrode, the triplexer can be miniaturized.

実施例1から3において、第1フィルタがLPF24であり、第2フィルタがHPF26であり、および第3フィルタがBPF28である例に説明したが、第1フィルタから第3フィルタは、所望のフィルタ特性を得るためLPF、BPFおよびHPFから任意に選択することができる。第1フィルタから第3フィルタにそれぞれ含まれるキャパシタおよびインダクタの個数や大きさ等は、所望のフィルタ特性を得るため任意に選択することができる。   In the first to third embodiments, the first filter is the LPF 24, the second filter is the HPF 26, and the third filter is the BPF 28, but the first to third filters have desired filter characteristics. It can be arbitrarily selected from LPF, BPF and HPF to obtain. The number and size of the capacitors and inductors included in each of the first to third filters can be arbitrarily selected to obtain desired filter characteristics.

次に、図5のステップS12におけるビア配線の形成方法の例を説明する。図16(a)から図16(d)は、ビア配線の形成方法の一例を示す断面図である。図16(b)および図16(d)は、図16(a)および図16(c)のビアホールまたはビア配線付近の拡大図である。   Next, an example of the method of forming the via wiring in step S12 of FIG. 5 will be described. 16 (a) to 16 (d) are cross-sectional views showing an example of a method of forming a via wire. 16 (b) and 16 (d) are enlarged views of the vicinity of the via hole or via wiring of FIGS. 16 (a) and 16 (c).

図16(a)に示すように、支持シート42上にシート状の誘電体層11が貼り付けられている。支持シート42は例えばPET(Polyethylene Terephthalate)シート等の樹脂シートである。支持シート42は吸着テーブル40に吸着されている。吸着テーブル40は支持シート42を真空吸着する。誘電体層11に集光レンズ44aより集光されたレーザ光44を直接照射する。これにより、誘電体層11を貫通するビアホール32が形成される。図16(b)に示すように、微細なビアホール32を形成するため、レーザ光44の強度を小さくすると、誘電体層11内のビアホール32の断面形状は三角形に近い台形となる。すわなち、ビアホール32の側面はテーパ状となる。   As shown in FIG. 16A, the sheet-like dielectric layer 11 is attached onto the support sheet 42. The support sheet 42 is, for example, a resin sheet such as a PET (Polyethylene Terephthalate) sheet. The support sheet 42 is suctioned to the suction table 40. The suction table 40 sucks the support sheet 42 in a vacuum. The laser beam 44 condensed by the condenser lens 44 a is directly irradiated to the dielectric layer 11. Thereby, a via hole 32 penetrating the dielectric layer 11 is formed. As shown in FIG. 16B, when the intensity of the laser beam 44 is reduced to form fine via holes 32, the cross-sectional shape of the via holes 32 in the dielectric layer 11 becomes a trapezoidal shape close to a triangle. That is, the side surface of the via hole 32 is tapered.

図16(c)に示すように、ビアホール32上に開口47を有するスクリーン48を誘電体層11上に配置する。開口47は、ビアホール32に対応する位置に設けられる。このため、スクリーン48は、ビアホール32の配置に合わせた開口47を有する専用マスクとなる。スキージ46を用い金属ペースト34をビアホール32内に充填する。図16(d)に示すように、ビアホール32内に金属ペースト34が充填される。開口47によりビアホール32上にビアホール32より大きなランド36が形成される。その後、誘電体層11から支持シート42を剥がす。   As shown in FIG. 16C, the screen 48 having the opening 47 on the via hole 32 is disposed on the dielectric layer 11. The opening 47 is provided at a position corresponding to the via hole 32. Therefore, the screen 48 is a dedicated mask having the openings 47 matched to the arrangement of the via holes 32. The metal paste 34 is filled in the via hole 32 using the squeegee 46. As shown in FIG. 16D, the metal paste 34 is filled in the via hole 32. The openings 47 form lands 36 larger than the via holes 32 on the via holes 32. Thereafter, the support sheet 42 is peeled off from the dielectric layer 11.

図17(a)から図17(d)は、ビア配線の形成方法の別の一例を示す断面図である。図17(b)および図17(d)は、図17(a)および図17(c)のビアホールまたはビア配線付近の拡大図であり、図17(a)および図17(b)と上下を反転している。   FIG. 17A to FIG. 17D are cross-sectional views showing another example of the method of forming the via wiring. 17 (b) and 17 (d) are enlarged views of the vicinity of the via hole or via wiring of FIGS. 17 (a) and 17 (c), and FIGS. 17 (a) and 17 (b) and FIG. It is reversed.

図17(a)に示すように、吸着テーブル40上に緩衝板43を介し誘電体層11および支持シート42を配置する。緩衝板43は例えばアクリル板等の樹脂板である。支持シート42を介しレーザ光44を誘電体層11に照射する。支持シート42、誘電体層11および緩衝板43にそれぞれ開口32a、ビアホール32および開口32bが形成される。レーザ光44は支持シート42を透過して誘電体層11に照射される。このため、レーザ光44の強度を図16(a)より大きくしても、ビアホール32を微細化できる。緩衝板43は、吸着テーブル40をレーザ光44から保護する。図17(b)のように、ビアホール32の断面形状はほぼ長方形となる。すなわち、ビアホール32の側面はほぼストレート状である。   As shown in FIG. 17A, the dielectric layer 11 and the support sheet 42 are disposed on the suction table 40 with the buffer plate 43 interposed therebetween. The buffer plate 43 is, for example, a resin plate such as an acrylic plate. Laser light 44 is irradiated to the dielectric layer 11 through the support sheet 42. An opening 32a, a via hole 32 and an opening 32b are formed in the support sheet 42, the dielectric layer 11 and the buffer plate 43, respectively. The laser beam 44 passes through the support sheet 42 and is irradiated to the dielectric layer 11. Therefore, the via hole 32 can be miniaturized even if the intensity of the laser beam 44 is made larger than that of FIG. The buffer plate 43 protects the suction table 40 from the laser light 44. As shown in FIG. 17B, the sectional shape of the via hole 32 is substantially rectangular. That is, the side surface of the via hole 32 is substantially straight.

図17(c)に示すように、誘電体層11および支持シート42を緩衝板43から剥がす。吸着テーブル40上に保護層45を介し誘電体層11および支持シート42を配置する。保護層45は例えばクリーン紙である。保護層45は誘電体層11の表面を吸着テーブル40から保護する。スクリーン48を支持シート42上に配置する。スクリーン48は、ビアホール32の配置にあわせた開口47を有する。スキージ46を用い金属ペースト34をビアホール32内に充填する。図17(d)に示すように、支持シート42に設けられた開口32aを開口47とともに印刷用の開口として用いる。これにより、ビアホール32内に金属ペースト34が充填される。   As shown in FIG. 17C, the dielectric layer 11 and the support sheet 42 are peeled off from the buffer plate 43. The dielectric layer 11 and the support sheet 42 are disposed on the suction table 40 with the protective layer 45 interposed therebetween. The protective layer 45 is, for example, clean paper. The protective layer 45 protects the surface of the dielectric layer 11 from the adsorption table 40. The screen 48 is placed on the support sheet 42. The screen 48 has an opening 47 matched to the arrangement of the via holes 32. The metal paste 34 is filled in the via hole 32 using the squeegee 46. As shown in FIG. 17D, the opening 32 a provided in the support sheet 42 is used as an opening for printing together with the opening 47. Thereby, the metal paste 34 is filled in the via hole 32.

図17(a)から図17(d)の方法では、図17(a)において、支持シート42を透過してレーザ光44を誘電体層11に照射する。これにより、図17(b)のように、微細でかつほぼストレート状の側面を有するビアホール32を形成できる。また、図17(c)のように、支持シート42に形成された開口32aを印刷用の開口の一部として用いる。これにより、図17(d)のように、ランド36が形成されない。これにより、ビアホール32とランド36との合わせマージンが不要となる。よって、パターンの微細化が可能となる。これにより、誘電体層11を積層してビアホール32を積み重ねた際にランド36が無くストレート状のビアホール32が形成可能である。   In the method of FIG. 17A to FIG. 17D, in FIG. 17A, the laser light 44 is irradiated to the dielectric layer 11 through the support sheet 42. As a result, as shown in FIG. 17B, it is possible to form the via holes 32 having fine and substantially straight side surfaces. Further, as shown in FIG. 17C, the opening 32a formed in the support sheet 42 is used as a part of the opening for printing. As a result, as shown in FIG. 17D, the lands 36 are not formed. Thereby, the alignment margin of the via hole 32 and the land 36 becomes unnecessary. Thus, the pattern can be miniaturized. As a result, when the dielectric layer 11 is stacked and the via holes 32 are stacked, the land 36 does not exist, and the straight via holes 32 can be formed.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   As mentioned above, although the embodiment of the present invention has been described in detail, the present invention is not limited to such a specific embodiment, and various modifications may be made within the scope of the subject matter of the present invention described in the claims. Changes are possible.

10 積層体
11、11a−11i 誘電体層
12、12a−12j 導電体パターン
13、13a、13b ビア配線
14、14a、14b コイル
15、15a 電極
20 端子電極
22 方向識別マーク
24 LPF
26 HPF
28 BPF
64 スパイラルパターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 laminated body 11, 11a-11i dielectric material layer 12, 12a-12j conductor pattern 13, 13a, 13b via wiring 14, 14a, 14b coil 15, 15a electrode 20 terminal electrode 22 direction identification mark 24 LPF
26 HPF
28 BPF
64 spiral pattern

Claims (10)

間に導電体パターンが設けられた複数の誘電体層が積層された積層体と、
前記積層体の下面に設けられた共通端子、第1端子、第2端子およびグランド端子と、
前記共通端子と前記第1端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第1インダクタおよび第1キャパシタを含む第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第2インダクタおよび第2キャパシタを含む第2フィルタと、
前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通され、前記グランド端子に前記導電体パターンを介し導通され、前記積層体の上面に設けられた方向識別マークと、
を具備するマルチプレクサ。
A laminated body in which a plurality of dielectric layers provided with a conductor pattern between them are laminated;
A common terminal, a first terminal, a second terminal and a ground terminal provided on the lower surface of the laminate;
A first filter connected between the common terminal and the first terminal and including a first inductor and a first capacitor formed of the conductor pattern;
A second filter connected between the common terminal and the second terminal and including a second inductor and a second capacitor formed of the conductor pattern;
Of the common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal, the non-conductive terminal not electrically connected to the other terminal through the conductor pattern is electrically connected to the ground terminal via the conductor pattern. A direction identification mark which is conducted through the conductor pattern and provided on the upper surface of the laminate;
Equipped with a multiplexer.
間に導電体パターンが設けられた複数の誘電体層が積層された積層体と、
前記積層体の下面に設けられた共通端子、第1端子、第2端子およびグランド端子と、
前記共通端子と前記第1端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第1インダクタおよび第1キャパシタを含む第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第2インダクタおよび第2キャパシタを含む第2フィルタと、
前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通され、前記積層体の上面に設けられた方向識別マークと、
を具備し、
前記方向識別マークは、前記第1インダクタ、前記第1キャパシタ、前記第2インダクタおよび前記第2キャパシタを形成する導電体パターンのうち平面方向に延伸する少なくとも一部を介し前記非導通端子と導通されているマルチプレクサ
A laminated body in which a plurality of dielectric layers provided with a conductor pattern between them are laminated;
A common terminal, a first terminal, a second terminal and a ground terminal provided on the lower surface of the laminate;
A first filter connected between the common terminal and the first terminal and including a first inductor and a first capacitor formed of the conductor pattern;
A second filter connected between the common terminal and the second terminal and including a second inductor and a second capacitor formed of the conductor pattern;
The common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal are electrically connected to the nonconductive terminal which is not electrically connected to the other terminal through the conductive pattern, and the conductive pattern; A direction identification mark provided on the upper surface,
Equipped with
The direction identification mark is electrically connected to the non-conductive terminal through at least a portion extending in a planar direction of conductor patterns forming the first inductor, the first capacitor, the second inductor, and the second capacitor. Is a multiplexer .
間に導電体パターンが設けられた複数の誘電体層が積層された積層体と、
前記積層体の下面に設けられた共通端子、第1端子、第2端子およびグランド端子と、
前記共通端子と前記第1端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第1インダクタおよび第1キャパシタを含む第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第2インダクタおよび第2キャパシタを含む第2フィルタと、
前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通され、前記積層体の上面に設けられた方向識別マークと、
を具備し、
前記第1インダクタおよび前記第2インダクタの少なくとも一方は中央部にパターンが設けられていないスパイラルパターンを含み、前記方向識別マークは平面視において前記スパイラルパターンの中央部に位置し前記スパイラルパターンに重ならないマルチプレクサ
A laminated body in which a plurality of dielectric layers provided with a conductor pattern between them are laminated;
A common terminal, a first terminal, a second terminal and a ground terminal provided on the lower surface of the laminate;
A first filter connected between the common terminal and the first terminal and including a first inductor and a first capacitor formed of the conductor pattern;
A second filter connected between the common terminal and the second terminal and including a second inductor and a second capacitor formed of the conductor pattern;
The common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal are electrically connected to the nonconductive terminal which is not electrically connected to the other terminal through the conductive pattern, and the conductive pattern; A direction identification mark provided on the upper surface,
Equipped with
At least one of the first inductor and the second inductor includes a spiral pattern not provided with a pattern at a central portion, and the direction identification mark is positioned at a central portion of the spiral pattern in plan view and does not overlap the spiral pattern Multiplexer .
前記スパイラルパターンは最も前記方向識別マーク側の導電体パターンにより形成されている請求項記載のマルチプレクサ。 The multiplexer according to claim 3, wherein the spiral pattern is formed by a conductor pattern closest to the direction identification mark. 間に導電体パターンが設けられた複数の誘電体層が積層された積層体と、
前記積層体の下面に設けられた共通端子、第1端子、第2端子およびグランド端子と、
前記共通端子と前記第1端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第1インダクタおよび第1キャパシタを含む第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第2インダクタおよび第2キャパシタを含む第2フィルタと、
前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通され、前記積層体の上面に設けられた方向識別マークと、
を具備し、
最も前記方向識別マーク側に設けられた導電体パターンは、平面視において前記方向識別マークに重なり、前記方向識別マークに導通された前記第1キャパシタまたは前記第2キャパシタの電極を含むマルチプレクサ
A laminated body in which a plurality of dielectric layers provided with a conductor pattern between them are laminated;
A common terminal, a first terminal, a second terminal and a ground terminal provided on the lower surface of the laminate;
A first filter connected between the common terminal and the first terminal and including a first inductor and a first capacitor formed of the conductor pattern;
A second filter connected between the common terminal and the second terminal and including a second inductor and a second capacitor formed of the conductor pattern;
The common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal are electrically connected to the nonconductive terminal which is not electrically connected to the other terminal through the conductive pattern, and the conductive pattern; A direction identification mark provided on the upper surface,
Equipped with
The conductor pattern provided on the most side of the direction identification mark overlaps the direction identification mark in plan view, and the multiplexer includes the electrode of the first capacitor or the second capacitor conducted to the direction identification mark.
前記非導通端子は複数あり、
前記方向識別マークは、前記複数の非導通端子のうち最も面積の小さい端子に前記導電体パターンを介し導通されている請求項1から5のいずれか一項記載のマルチプレクサ。
There are a plurality of non-conductive terminals,
The multiplexer according to any one of claims 1 to 5, wherein the direction identification mark is conducted to the terminal having the smallest area among the plurality of nonconductive terminals via the conductor pattern.
前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子は、前記積層体の面のうち前記下面にのみ設けられている請求項1からのいずれか一項記載のマルチプレクサ。 The multiplexer according to any one of claims 1 to 6 , wherein the common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal are provided only on the lower surface of the surfaces of the laminate. 前記積層体の下面に設けられた第3端子と、
前記共通端子と前記第3端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第3インダクタおよび第3キャパシタを含む第3フィルタと、
を具備し、
前記方向識別マークは、前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子、前記第3端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通されている請求項1からのいずれか一項記載のマルチプレクサ。
A third terminal provided on the lower surface of the laminate;
A third filter connected between the common terminal and the third terminal and including a third inductor and a third capacitor formed of the conductor pattern;
Equipped with
The direction identification mark is a non-conductive terminal not electrically connected to another terminal through the conductive pattern among the common terminal, the first terminal, the second terminal, the third terminal, and the ground terminal, and the conductive terminal. any one claim of the multiplexer of claims 1, which is conductive through the body pattern 7.
前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子、前記グランド端子および前記方向識別マークはメッキ層である請求項1からのいずれか一項記載のマルチプレクサ。 The multiplexer according to any one of claims 1 to 8 , wherein the common terminal, the first terminal, the second terminal, the ground terminal, and the direction identification mark are plated layers. 間に導電体パターンが設けられた複数の誘電体層が積層され、共通端子と第1端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第1インダクタおよび第1キャパシタを含む第1フィルタと、前記共通端子と第2端子との間に接続され、前記導電体パターンより形成された第2インダクタおよび第2キャパシタを含む第2フィルタと、を含む積層体の下面に設けられた前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子およびグランド端子と、
前記共通端子、前記第1端子、前記第2端子および前記グランド端子のうち前記導電体パターンを介し他の端子と導通されていない非導通端子と前記導電体パターンを介し導通され、前記グランド端子に前記導電体パターンを介し導通され、
前記積層体の上面に設けられた方向識別マークと、
をバレルメッキ法を用い形成する工程を含むマルチプレクサの製造方法。
A plurality of dielectric layers provided with a conductor pattern between them, and connected between the common terminal and the first terminal, and including a first inductor and a first capacitor formed of the conductor pattern; The lower surface of a laminate including a filter and a second filter connected between the common terminal and the second terminal and including a second inductor and a second capacitor formed of the conductor pattern. A common terminal, the first terminal, the second terminal and a ground terminal;
Of the common terminal, the first terminal, the second terminal, and the ground terminal, the non-conductive terminal not electrically connected to the other terminal through the conductor pattern is electrically connected to the ground terminal via the conductor pattern. Conducted through the conductor pattern,
A direction identification mark provided on the top surface of the laminate;
A method of manufacturing a multiplexer, comprising the step of forming using a barrel plating method.
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