JP6587051B2 - 超音波センサー及びその製造方法 - Google Patents
超音波センサー及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6587051B2 JP6587051B2 JP2015061755A JP2015061755A JP6587051B2 JP 6587051 B2 JP6587051 B2 JP 6587051B2 JP 2015061755 A JP2015061755 A JP 2015061755A JP 2015061755 A JP2015061755 A JP 2015061755A JP 6587051 B2 JP6587051 B2 JP 6587051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- axis
- ultrasonic sensor
- diaphragm
- axis direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/52—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S15/00
- G01S7/521—Constructional features
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
- B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
- B06B1/0629—Square array
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/52—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S15/00
- G01S7/523—Details of pulse systems
- G01S7/524—Transmitters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/52—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S15/00
- G01S7/523—Details of pulse systems
- G01S7/526—Receivers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/03—Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N35/00—Magnetostrictive devices
- H10N35/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
Description
かかる態様によれば、上記の支持部材により振動板を支持できる。このため、例えば、レンズ部材を実装する際や、レンズ部材の実装後に該レンズ部材の密着性を確保する際、音響整合層側から所定の圧力が振動板に加わったとしても、振動板が包囲板の凹部内に大きく撓むことが防止される。よって、構造歪みが生じることを抑制でき、高い信頼性を確保できる。
尚、かかる態様によれば、圧電素子と重ならない位置に支持部材が設けられている。このため、圧電素子が支持部材によって過度に拘束されることが回避される。よって、支持部材を設けていない場合と比べ、超音波の送信効率や受信効率が過度に低下することも防止される。
ここで、前記支持部材は、前記X軸方向又は前記Y軸方向のうち、一方の方向に沿って延びる梁形状を有することが好ましい。かかる態様によれば、X軸方向又は前記Y軸方向に亘る広い範囲で、上記の支持部材により振動板を支持できる。よって、より高い信頼性を確保できる。
また、前記支持部材は、前記X軸方向又は前記Y軸方向のうち、前記一方の方向と交わる他方の方向に並設されていることが好ましい。かかる態様によれば、X軸方向及び前記Y軸方向に亘る広い範囲で、上記の支持部材により振動板を支持できる。よって、より高い信頼性を確保できる。
また、前記X軸及びY軸の何れにも直交する軸をZ軸としたとき、前記支持部材は、前記Z軸方向でのみ前記包囲板に接する柱形状を有することが好ましい。かかる態様によれば、特定の箇所を狙って、上記の支持部材により振動板を支持できる。よって、高い信頼性を確実に確保できる。
また、前記支持部材は、前記X軸方向又は前記Y軸方向のうち、少なくとも一方の方向に並設されていることが好ましい。かかる態様によれば、特定の箇所を狙いつつ広い範囲で、上記の支持部材により振動板を支持できる。よって、高い信頼性を確実に確保できる。
また、前記第1電極及び第2電極の少なくとも何れか一方に重なるように、及び/又は前記第2電極と連続するように、バイパス電極が設けられていることが好ましい。かかる態様によれば、バイパス電極が設けていることで、第2電極のインピーダンスの増大を平均化できる場合がある。この場合、高い信頼性を確保できる上、超音波の送信効率や受信効率の向上も図ることができる超音波センサーとなる。
また、前記バイパス電極は、前記包囲板及び前記支持部材と前記振動板との接合領域を除くよう、縞状に設けられていることが好ましい。かかる態様によれば、包囲板を超音波センサー素子側に接合するのが容易となる。また、包囲板及び支持部材と超音波センサー素子との密着性が、バイパス電極によって悪影響を受けるおそれもなくなる。よって、高い信頼性を確保できる。
上記課題を解決する本発明の他の態様は、互いに直交する2つの軸をX軸及びY軸とし、前記X軸及びY軸によって形成される平面をXY平面としたとき、前記XY平面に沿った基板と、前記X軸方向及び前記Y軸方向のうち少なくとも一方の方向に沿って前記基板に形成された複数の空間と、前記空間を塞ぐように前記基板上に設けられ、前記基板側の第1面と該第1面に対向する第2面とを有する振動板と、前記振動板の前記第2面側のうち空間に対応する部分に設けられ、超音波を発信及び/又は受信する複数の圧電素子と、前記振動板の前記第2面側に設けられ、複数の前記圧電素子の周囲の領域を包囲する包囲板と、を具備する超音波センサーの製造方法であって、前記圧電素子は、前記基板上に形成される第1電極と、前記第1電極上に形成される圧電体層と、前記圧電体層上に形成される第2電極と、を含んで構成されており、前記第1電極及び前記第2電極の何れか一方が一列又は複数の列毎に駆動可能な個別電極であり、他方が共通電極であり、前記包囲板は、前記圧電素子の前記X軸方向の両側及び前記Y軸方向の両側を覆う側面と、前記X軸及び前記Y軸に直交するZ軸方向側を覆う上面とを有し、前記包囲板の前記上面と前記振動板の前記第2面との間、かつ前記圧電素子と重ならない位置に、前記上面と前記第2面とを接続する支持部材を設けることを特徴とする超音波センサーの製造方法にある。かかる態様によれば、構造歪みが生じることを抑制でき、高い信頼性を確保できる超音波センサーを製造できる。
また、前記X軸方向又は前記Y軸方向のうち、一方の方向に沿って延びる梁形状を有する前記支持部材を、ウエットエッチングにより作製することが好ましい。かかる態様によれば、広い範囲で振動板を支持できる超音波センサーを容易に製造できる。
また、前記X軸及びY軸の何れにも直交する軸をZ軸としたとき、前記Z軸方向でのみ前記包囲板に接する柱形状を有する前記支持部材を、ドライエッチングにより作製することが好ましい。かかる態様によれば、特定の箇所を狙って振動板を支持できる超音波センサーを容易に製造できる。
本発明に関連する別の態様は、互いに直交する2つの軸をX軸及びY軸とし、前記X軸及びY軸によって形成される平面をXY平面としたとき、前記XY平面に沿った基板と、前記X軸方向及び前記Y軸方向のうち少なくとも一方の方向に沿って前記基板に形成された複数の空間と、前記空間を塞ぐように前記基板上に設けられ、前記基板側の第1面と該第1面に対向する第2面とを有する振動板と、前記振動板の前記第2面側のうち空間に対応する部分に設けられ、超音波を発信及び/又は受信する複数の圧電素子と、前記振動板の前記第2面側に設けられ、複数の前記圧電素子の周囲の領域を包囲する包囲板と、を具備し、前記包囲板の前記圧電素子側の面と前記振動板の前記第2面との間、かつ、前記圧電素子と重ならない位置に、支持部材が設けられていることを特徴とする超音波センサーにある。
かかる態様によれば、上記の支持部材により振動板を支持できる。このため、例えば、レンズ部材を実装する際や、レンズ部材の実装後に該レンズ部材の密着性を確保する際、音響整合層側から所定の圧力が振動板に加わったとしても、振動板が包囲板の凹部内に大きく撓むことが防止される。よって、構造歪みが生じることを抑制でき、高い信頼性を確保できる。
尚、かかる態様によれば、圧電素子と重ならない位置に支持部材が設けられている。このため、圧電素子が支持部材によって過度に拘束されることが回避される。よって、支持部材を設けていない場合と比べ、超音波の送信効率や受信効率が過度に低下することも防止される。
(超音波デバイス)
図1は、超音波センサーを搭載した超音波デバイスの構成例を示す断面図である。図示するように、超音波プローブIは、CAV面型の超音波センサー1と、超音波センサー1に接続されたフレキシブルプリント基板(FPC基板2)と、装置端末(図示せず)から引き出されたケーブル3と、FPC基板2及びケーブル3を中継ぎする中継基板4と、超音波センサー1、FPC基板2及び中継基板4を保護する筐体5と、筐体5及び超音波センサー1の間に充填された耐水性樹脂6と、等を具備して構成されている。
次に、超音波センサー1の構成例について説明する。図2は、超音波センサーの分解斜視図である。図3は、超音波センサーの基板の平面図である。図4(a)は、図3のA−A´線断面図である。図4(b)は、図3のB−B´線断面図である。
次に、超音波センサー1の製造方法の一例を説明する。図5〜図9は、超音波センサーの製造方法の各プロセスを示している。図5〜図6は、それぞれ、第3の方向Zから見た平面図と、a−a′線断面図と、からなる。図7〜図9は、それぞれ、第3の方向Zから見た平面図と、a−a′線断面図と、b−b′線断面図と、からなる。a−a′線は、第1の方向Xに沿っており、b−b′線は、第2の方向Yに沿っている。
図10(a)は、超音波センサーの基板の平面図である。図10(b)は、図10(a)のA−A´線断面図である。以下、これまでの実施形態と同一の部分は適宜省略し、超音波センサー1Aについて説明する。
図11は、超音波センサーの基板の平面図である。図12(a)は、図11のA−A´線断面図である。図12(b)は、図11のB−B´線断面図である。超音波センサーの基板の平面図である。以下、これまでの実施形態と同一の部分は適宜省略し、超音波センサー1Bについて説明する。
図15は、超音波センサーの基板の平面図である。以下、これまでの実施形態と同一の部分は適宜省略し、超音波センサー1Cについて説明する。
(超音波センサー)
図16は、超音波センサーの基板の平面図である。図17(a)は、図16のA−A´線断面図である。図17(b)は、図16のB−B´線断面図である。以下、これまでの実施形態と同一の部分は適宜省略し、超音波センサー1Dについて説明する。
次に、超音波センサー1Dの製造方法の一例を説明する。超音波センサー1Dの製造方法は、バイパス電極に関する構成を作製する点を除き、実施形態2の製造方法と同様である。
図18は、超音波センサーの断面図である。切断面は、図16のA−A´線に相当する。以下、これまでの実施形態と同一の部分は適宜省略し、超音波センサー1Eについて説明する。
以上、本発明の一実施形態を説明した。しかし、本発明の基本的構成は上記の態様に限定されない。上記の実施形態は、互いに組み合わせることができる。例えば、バイパス電極を具備する超音波センサーに、柱形状の支持部材を設けることもできる。
Claims (10)
- 互いに直交する2つの軸をX軸及びY軸とし、前記X軸及びY軸によって形成される平面をXY平面としたとき、
前記XY平面に沿った基板と、
前記X軸方向及び前記Y軸方向のうち少なくとも一方の方向に沿って前記基板に形成された複数の空間と、
前記空間を塞ぐように前記基板上に設けられ、前記基板側の第1面と該第1面に対向する第2面とを有する振動板と、
前記振動板の前記第2面側のうち空間に対応する部分に設けられ、超音波を発信及び/又は受信する圧電素子と、
前記振動板の前記第2面側に設けられ、前記圧電素子の周囲の領域を包囲する包囲板と、を具備し、
前記圧電素子は、前記基板上に形成される第1電極と、前記第1電極上に形成される圧電体層と、前記圧電体層上に形成される第2電極と、を含んで構成されており、
前記第1電極及び前記第2電極の何れか一方が一列又は複数の列毎に駆動可能な個別電極であり、他方が共通電極であり、
前記包囲板は、前記圧電素子の前記X軸方向の両側及び前記Y軸方向の両側を覆う側面と、前記X軸及び前記Y軸に直交するZ軸方向側を覆う上面とを有し、
前記包囲板の前記上面と前記振動板の前記第2面との間、かつ前記圧電素子と重ならない位置に、前記上面と前記第2面とを接続する支持部材が設けられていることを特徴とする超音波センサー。 - 前記支持部材は、前記X軸方向又は前記Y軸方向のうち、一方の方向に沿って延びる梁形状を有することを特徴とする請求項1に記載の超音波センサー。
- 前記支持部材は、前記X軸方向又は前記Y軸方向のうち、前記一方の方向と交わる他方の方向に並設されていることを特徴とする請求項2に記載の超音波センサー。
- 前記X軸及びY軸の何れにも直交する軸をZ軸としたとき、
前記支持部材は、前記Z軸方向でのみ前記包囲板に接する柱形状を有することを特徴とする請求項1に記載の超音波センサー。 - 前記支持部材は、前記X軸方向又は前記Y軸方向のうち、少なくとも一方の方向に並設されていることを特徴とする請求項4に記載の超音波センサー。
- 前記第1電極及び第2電極の少なくとも何れか一方に重なるように、及び/又は前記第2電極と連続するように、バイパス電極が設けられていることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の超音波センサー。
- 前記バイパス電極は、前記包囲板及び前記支持部材と前記振動板との接合領域を除くよう、縞状に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の超音波センサー。
- 互いに直交する2つの軸をX軸及びY軸とし、前記X軸及びY軸によって形成される平面をXY平面としたとき、
前記XY平面に沿った基板と、
前記X軸方向及び前記Y軸方向のうち少なくとも一方の方向に沿って前記基板に形成された複数の空間と、
前記空間を塞ぐように前記基板上に設けられ、前記基板側の第1面と該第1面に対向する第2面とを有する振動板と、
前記振動板の前記第2面側のうち空間に対応する部分に設けられ、超音波を発信及び/又は受信する圧電素子と、
前記振動板の前記第2面側に設けられ、前記圧電素子の周囲の領域を包囲する包囲板と、を具備する超音波センサーの製造方法であって、
前記圧電素子は、前記基板上に形成される第1電極と、前記第1電極上に形成される圧電体層と、前記圧電体層上に形成される第2電極と、を含んで構成されており、
前記第1電極及び前記第2電極の何れか一方が一列又は複数の列毎に駆動可能な個別電極であり、他方が共通電極であり、
前記包囲板は、前記圧電素子の前記X軸方向の両側及び前記Y軸方向の両側を覆う側面と、前記X軸及び前記Y軸に直交するZ軸方向側を覆う上面とを有し、
前記包囲板の前記上面と前記振動板の前記第2面との間、かつ前記圧電素子と重ならない位置に、前記上面と前記第2面とを接続する支持部材を設けることを特徴とする超音波センサーの製造方法。 - 前記X軸方向又は前記Y軸方向のうち、一方の方向に沿って延びる梁形状を有する前記支持部材を、ウエットエッチングにより作製することを特徴とする請求項8に記載の超音波センサーの製造方法。
- 前記X軸及びY軸の何れにも直交する軸をZ軸としたとき、
前記Z軸方向でのみ前記包囲板に接する柱形状を有する前記支持部材を、ドライエッチングにより作製することを特徴とする請求項8に記載の超音波センサーの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015061755A JP6587051B2 (ja) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | 超音波センサー及びその製造方法 |
| EP16160754.4A EP3072602A1 (en) | 2015-03-24 | 2016-03-16 | Ultrasonic sensor and manufacturing method for the same |
| CN201610157590.8A CN106025058B (zh) | 2015-03-24 | 2016-03-18 | 超声波传感器及其制造方法 |
| US15/076,999 US10203404B2 (en) | 2015-03-24 | 2016-03-22 | Ultrasonic sensor and manufacturing method for the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015061755A JP6587051B2 (ja) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | 超音波センサー及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016181842A JP2016181842A (ja) | 2016-10-13 |
| JP6587051B2 true JP6587051B2 (ja) | 2019-10-09 |
Family
ID=55701712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015061755A Active JP6587051B2 (ja) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | 超音波センサー及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10203404B2 (ja) |
| EP (1) | EP3072602A1 (ja) |
| JP (1) | JP6587051B2 (ja) |
| CN (1) | CN106025058B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9772314B2 (en) | 2013-12-18 | 2017-09-26 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic sensor and measuring method using the same, and method of manufacturing ultrasonic sensor |
| CN106646371B (zh) * | 2016-09-29 | 2019-05-03 | 武汉工程大学 | 一种水下超声源定位系统 |
| JP6907539B2 (ja) * | 2017-01-06 | 2021-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波デバイス、超音波プローブ、及び超音波装置 |
| JP6891506B2 (ja) * | 2017-01-17 | 2021-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、圧電アクチュエーター、超音波探触子、超音波装置、電子機器、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置 |
| CN106596716B (zh) * | 2017-01-20 | 2024-01-02 | 广东奥迪威传感科技股份有限公司 | 阵列超声波传感器与制作方法 |
| CN109482423B (zh) * | 2017-09-12 | 2021-05-18 | 南昌欧菲生物识别技术有限公司 | 超声波传感器制造方法及涂布机台 |
| JP7091699B2 (ja) * | 2018-02-21 | 2022-06-28 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波センサー、超音波装置、及び超音波センサーの製造方法 |
| JP7396108B2 (ja) * | 2020-02-20 | 2023-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 音波センサーユニット、及び記録装置 |
| DE102022120750A1 (de) * | 2022-08-17 | 2024-02-22 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung mit Ultraschallwandler und Verfahren zur Herstellung derselben |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3058143B2 (ja) * | 1998-02-12 | 2000-07-04 | 日本電気株式会社 | 圧電アクチュエータおよびその製造方法 |
| JP3852308B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2006-11-29 | 株式会社村田製作所 | 積層型圧電体素子及びその製造方法、並びに、圧電アクチュエータ |
| JP3852309B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2006-11-29 | 株式会社村田製作所 | 積層型圧電体素子及びその製造方法、並びに、圧電アクチュエータ |
| JP4513596B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2010-07-28 | 株式会社デンソー | 超音波センサ |
| JP5036284B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2012-09-26 | 日本碍子株式会社 | セラミックス構造体の製造方法 |
| CA2583007C (en) | 2007-03-29 | 2015-03-31 | Nova Chemicals Corporation | Amino phosphine |
| JP4509207B2 (ja) | 2008-02-22 | 2010-07-21 | 株式会社デンソー | 超音波センサ |
| DE102008054533B8 (de) | 2007-12-26 | 2013-02-14 | Denso Corporation | Ultraschallsensor |
| WO2010073920A1 (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-01 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 超音波探触子及び超音波探触子の作製方法 |
| JP5310119B2 (ja) | 2009-03-06 | 2013-10-09 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波センサーユニット |
| JP5560928B2 (ja) | 2010-06-10 | 2014-07-30 | コニカミノルタ株式会社 | 超音波探触子および超音波診断装置 |
| JP5659564B2 (ja) | 2010-06-10 | 2015-01-28 | コニカミノルタ株式会社 | 超音波探触子および超音波診断装置 |
| JP5327279B2 (ja) * | 2011-06-13 | 2013-10-30 | 株式会社デンソー | 超音波センサ装置 |
| JP6102075B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2017-03-29 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 |
| JP6078994B2 (ja) * | 2012-06-13 | 2017-02-15 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波トランスデューサー素子ユニットおよびプローブおよびプローブヘッド並びに電子機器および超音波診断装置 |
-
2015
- 2015-03-24 JP JP2015061755A patent/JP6587051B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-16 EP EP16160754.4A patent/EP3072602A1/en not_active Withdrawn
- 2016-03-18 CN CN201610157590.8A patent/CN106025058B/zh active Active
- 2016-03-22 US US15/076,999 patent/US10203404B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106025058A (zh) | 2016-10-12 |
| US10203404B2 (en) | 2019-02-12 |
| US20160282454A1 (en) | 2016-09-29 |
| CN106025058B (zh) | 2020-05-22 |
| JP2016181842A (ja) | 2016-10-13 |
| EP3072602A1 (en) | 2016-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6587051B2 (ja) | 超音波センサー及びその製造方法 | |
| JP6536792B2 (ja) | 超音波センサー及びその製造方法 | |
| JP6233581B2 (ja) | 超音波センサー及びその製造方法 | |
| US10600951B2 (en) | Vibrating plate structure and piezoelectric element application device | |
| CN104730525B (zh) | 超声波传感器及其制造方法以及使用该超声波传感器的测量方法 | |
| JP6610883B2 (ja) | 超音波センサー用の圧電デバイス | |
| JP6468426B2 (ja) | 超音波センサー | |
| JP6504361B2 (ja) | 超音波センサー及びその製造方法 | |
| US10784436B2 (en) | Piezoelectric sensor and piezoelectric device | |
| JP6565909B2 (ja) | 超音波センサー | |
| JP6565913B2 (ja) | 超音波センサー及びその製造方法 | |
| JP6693154B2 (ja) | 超音波トランスデューサー、超音波プローブ、超音波装置、超音波トランスデューサーの製造方法、及び振動装置 | |
| JP6458934B2 (ja) | 超音波センサー | |
| JP6323671B2 (ja) | 超音波センサー及びその製造方法 | |
| JP2018085612A (ja) | 超音波センサー及び超音波センサー用圧電デバイス | |
| JP2017143394A (ja) | 超音波センサー及び圧電素子の駆動方法 | |
| JP2016181840A (ja) | 超音波センサー | |
| JP2019165307A (ja) | 超音波センサ | |
| JP2018093380A (ja) | 超音波デバイスの製造方法、超音波プローブの製造方法、電子機器の製造方法及び超音波画像装置の製造方法 | |
| JP2017069453A (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
| JP2018082253A (ja) | 超音波素子及び超音波センサー |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150422 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180319 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190213 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190415 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190814 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190827 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6587051 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |