JP6560971B2 - 表示装置および入力装置 - Google Patents

Description

本発明は表示装置および入力装置に関する。

近年、表示装置の表示面側に、タッチパネルあるいはタッチセンサと呼ばれる入力装置を取り付け、タッチパネルに指やタッチペンなどの入力具などを接触させて入力動作を行ったときに、入力位置を検出して出力する技術がある。

このような入力装置としてのタッチパネルに指などが接触した接触位置を検出する検出方式の一つとして、静電容量方式がある。静電容量方式を用いたタッチパネルでは、タッチパネルの面内に、検出電極からなる容量素子が複数個設けられている。そして、指やタッチペンなどの入力具を容量素子に接触させて入力動作を行ったときに、容量素子の静電容量が変化することを利用して、入力位置を検出する。

例えば、特開２０１３−４５４６６号公報（特許文献１）には、タッチセンサ装置において、Ｔｘライン、Ｔｘラインと交差するＲｘライン、及びＴｘラインとＲｘラインとの間に形成されたタッチセンサを含んだタッチスクリーンと、タッチ入力の位置を検出するタッチスクリーン駆動回路と、を含む技術が記載されている。

特開２０１３−４５４６６号公報

このような入力装置において、検出モードとして、指の位置、すなわち指の座標を検出する指座標検出処理を行う前に、待機モードとして、指の近接または接触を検出する指近接検出処理を行うことがある。また、指座標検出処理では、複数の検出電極を１個ずつまたは複数個ずつ順次切り替えて検出回路に接続することにより、複数の検出電極の各々の静電容量を個別に検出する。

しかし、指近接検出処理において、指座標検出処理と同様に、複数の検出電極を複数個ずつ切り替えて検出回路に接続することにより、複数の検出電極の各々の静電容量を検出する場合、検出処理に要する時間が長くなるか、または、消費電力が増加するという問題がある。

一方、検出処理に要する時間を短くするために、複数の検出電極のうち一部から複数個ずつ選択するか、または、検出処理を繰り返す間の待ち時間を長くした場合、検出ミスが発生するおそれがある。

本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、検出モードとしての指座標検出処理の前に待機モードとして行われる指近接検出処理において、検出処理に要する時間を短くし、消費電力を低減しつつ、検出ミスの発生を防止または抑制することができる入力装置および表示装置を提供することを目的とする。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明の一態様としての表示装置は、画像が表示される表示面を有する表示パネルと、平面視において表示パネルにマトリクス状に設けられた複数の第１電極と、複数の第１電極の各々の静電容量を検出する検出部と、を有する。検出部は、複数の第１電極の全部または一部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出することにより、前記表示パネルへの物体の近接または接触を検出する第１検出処理を行う。第１検出処理において、物体の近接または接触が検出されなかったとき、検出部は、第１検出処理を繰り返す。第１検出処理において、物体の近接または接触が検出されたとき、検出部は、複数の第１電極の各々の静電容量を個別に検出することにより、物体の位置を検出する第２検出処理を行う。

また、本発明の一態様としての入力装置は、基板と、平面視において基板にマトリクス状に設けられた複数の第１電極と、複数の第１電極の各々の静電容量を検出する検出部と、を有する。検出部は、複数の第１電極の全部または一部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出することにより、前記基板への物体の近接または接触を検出する第１検出処理を行う。第１検出処理において、物体の近接または接触が検出されなかったとき、検出部は、第１検出処理を繰り返す。第１検出処理において、物体の近接または接触が検出されたとき、検出部は、複数の第１電極の各々の静電容量を個別に検出することにより、物体の位置を検出する第２検出処理を行う。

実施の形態１の表示装置の一例を示す平面図である。 実施の形態１の表示装置における画素を示す等価回路図である。 実施の形態１の表示装置の一例を示す断面図である。 実施の形態１の表示装置における共通電極の配置の一例を示す平面図である。 自己容量検出方式を説明するための図である。 自己容量検出方式を説明するための図である。 自己容量検出方式を説明するための図である。 自己容量検出方式を説明するための図である。 自己容量検出方式を実現する回路の一例を示す図である。 電源から出力される交流矩形波Ｓｇ、検出電極の電圧Ｖｘ、および、電圧検出器の出力としての電圧Ｖｄｅｔの時間依存性の例を模式的に示すグラフである。 自己容量検出方式を実現する回路の別の例を示す図である。 交流矩形波Ｓｇ、および、電圧検出器の出力としての電圧Ｖｄｅｔの時間依存性の例を模式的に示すグラフである。 自己容量検出方式を実現する回路のさらに別の例を示す図である。 実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出方法を説明するための図である。 実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出方法を説明するためのフロー図である。 実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出回路を示す図である。 実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出処理のうち指近接検出処理を説明するためのタイミングチャートである。 実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出処理のうち指近接検出処理を説明するためのタイミングチャートである。 比較例の表示装置におけるタッチ検出方法を説明するための図である。 比較例の表示装置におけるタッチ検出方法を説明するためのフロー図である。 比較例の表示装置におけるタッチ検出回路を示す図である。 比較例の表示装置におけるタッチ検出処理のうち指近接検出処理を説明するためのタイミングチャートである。 比較例の表示装置におけるタッチ検出処理のうち指近接検出処理を説明するためのタイミングチャートである。 実施の形態１の表示装置の第１変形例におけるタッチ検出回路を示す図である。 実施の形態１の表示装置の第２変形例におけるタッチ検出回路を示す図である。 実施の形態１の表示装置の第３変形例におけるタッチ検出回路を示す図である。 実施の形態２の入力装置を示す断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。

なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

さらに、実施の形態で用いる図面においては、構造物を区別するために付したハッチング（網掛け）を図面に応じて省略する場合もある。

（実施の形態１）
初めに、実施の形態１として、入力装置としてのタッチパネルを、入力装置の検出電極が、表示装置の表示パネル内に設けられ、かつ、表示装置の共通電極として機能するインセル型のタッチ検出機能付き表示装置に適用した例について説明する。ここで、本実施の形態１の表示装置は、液晶表示装置である。なお、本願明細書では、入力装置とは、少なくとも電極に対して近接または接触する物体の容量に応じて変化する静電容量を検出する入力装置である。ここで、静電容量を検出する方式としては、１つの電極の静電容量を検出する自己容量方式を用いることができる。また、インセル型のタッチ検出機能付き表示装置とは、タッチ検出用の駆動電極または検出電極が、画素による画像表示用の駆動電極として機能する、という特徴を持つタッチ検出機能付き表示装置を意味する。

＜表示装置＞
図１は、実施の形態１の表示装置の一例を示す平面図である。図２は、実施の形態１の表示装置における画素を示す等価回路図である。図３は、実施の形態１の表示装置の一例を示す断面図である。図４は、実施の形態１の表示装置における共通電極の配置の一例を示す平面図である。なお、図３では、実際には図３の断面には配置されていない走査線ＧＬを便宜上一緒に示している。

図１に示すように、液晶表示装置としての表示装置ＤＳＰは、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルとしての表示パネルＰＮＬ、表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ１、および、静電容量型の検出部ＳＥを有する。表示パネルＰＮＬは、画像が表示される表示面ＤＳ（図３参照）を有する。また、タッチ検出回路としての検出部ＳＥおよび検出部ＳＥによる検出方法については、後述する図１４〜図１８を用いて説明する。なお、図示は省略するが、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬの外部に設けられた制御モジュール、表示パネルＰＮＬと制御モジュールとを接続するフレキシブル配線基板、および、検出部ＳＥを駆動する駆動ＩＣチップなどを有してもよい。

図１および図３に示すように、液晶表示パネルとしての表示パネルＰＮＬは、基板ＳＵＢ１と、基板ＳＵＢ１と対向配置された基板ＳＵＢ２と、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間に配置された液晶層ＬＱと、を有する。なお、本実施の形態１において、基板ＳＵＢ１をアレイ基板と言い換えることができ、基板ＳＵＢ２を対向基板と言い換えることができる。

また、図３および図４に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬの内部にマトリクス状に設けられた複数の検出電極Ｒｘを有する。後述する図１４〜図１８を用いて説明するが、検出部ＳＥは、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量を検出する。また、複数の検出電極Ｒｘが表示パネルＰＮＬの内部に設けられている場合、表示装置ＤＳＰは、インセル型のタッチ検出機能付き表示装置である。なお、後述する実施の形態２で説明するように、検出電極Ｒｘを表示パネルＰＮＬの外部に設けることもでき、この場合の表示装置ＤＳＰは、オンセル型のタッチ検出機能付き表示装置である。

図１および図４に示すように、表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域（アクティブエリア）ＤＡを備えている。平面視において、互いに交差、好適には直交する２つの方向をＸ軸方向およびＹ軸方向とする。このとき、複数の検出電極Ｒｘは、平面視において、表示領域ＤＡ内において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。すなわち、複数の検出電極Ｒｘは、平面視において表示パネルＰＮＬにマトリクス状に設けられている。なお、本願明細書では、平面視において、とは、表示パネルＰＮＬの表示面に垂直な方向から視た場合を意味する。

図３に示すように、表示装置ＤＳＰは、バックライトユニットＢＬを有する。バックライトユニットＢＬは、基板ＳＵＢ１の背面側に配置されている。このようなバックライトユニットＢＬとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）を利用したものや、冷陰極管（Cold Cathode Fluorescent Lamp：ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。

図１に示すように、駆動ＩＣチップＩＣ１は、表示パネルＰＮＬの領域であって、表示領域ＤＡの外側の領域である非表示領域ＮＤＡにおいて、基板ＳＵＢ１上に、設けられている。駆動ＩＣチップＩＣ１は、信号線駆動回路ＳＤなどを有する。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、マルチプレクサ回路ＭＵ１と、複数の走査線ＧＬと、複数の走査線に入力される走査信号を出力する走査信号出力回路としての走査線駆動回路ＧＤと、走査線駆動回路ＧＤと複数の走査線ＧＬとの接続状態を切り替える切り替え部ＧＳＰと、を有する。また、表示装置ＤＳＰは、複数の信号線ＳＬと、複数の共通電極ＣＥと、複数の画素ＰＸと、を有する。

マルチプレクサ回路ＭＵ１、走査線駆動回路ＧＤおよび共通電極駆動回路ＣＤは、非表示領域ＮＤＡにおいて、基板ＳＵＢ１上に、設けられている。駆動ＩＣチップＩＣ１は、マルチプレクサ回路ＭＵ１および走査線駆動回路ＧＤに接続されている。

なお、図示は省略するが、非表示領域ＮＤＡにおいて、基板ＳＵＢ１上には、共通電極駆動回路が設けられていてもよい。共通電極駆動回路は、表示装置ＤＳＰが画像を表示する際に、共通電極ＣＥを切り替えて駆動する。

表示領域ＤＡにおいて、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間には、複数の画素ＰＸが配置されている。複数の画素ＰＸは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列され、ｍ×ｎ個配置されている（ただし、ｍおよびｎは正の整数である）。

表示領域ＤＡにおいて、基板ＳＵＢ１の上方には、ｎ本の走査線ＧＬの一部としての走査線ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３およびＧＬｎ、ｍ本の信号線ＳＬの一部としての信号線ＳＬ１、ＳＬ２およびＳＬｍ、ならびに、共通電極ＣＥなどが形成されている。

複数の走査線ＧＬは、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に互いに間隔を空けて配列されている。複数の走査線ＧＬの各々は、表示領域ＤＡの外側に引き出され、切り替え部ＧＳＰに含まれるスイッチング素子ＧＳＷを介して、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数の信号線ＳＬは、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に互いに間隔を空けて配列されている。また、複数の信号線ＳＬは、複数の走査線ＧＬと交差している。複数の信号線ＳＬの各々は、表示領域ＤＡの外側に引き出され、マルチプレクサ回路ＭＵ１に接続されている。

図４に示すように、共通電極ＣＥは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。本実施の形態１では、共通電極ＣＥが、自己容量方式のタッチ検出用の検出電極Ｒｘを兼ねる場合を例示して説明する。しかし、共通電極ＣＥが、検出電極Ｒｘを兼ねる場合には限られない。共通電極ＣＥが、検出電極Ｒｘを兼ねない場合、複数の共通電極ＣＥは、Ｘ軸方向に分割されずにそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に互いに間隔を空けて配列されていてもよい。あるいは、複数の共通電極ＣＥは、Ｙ軸方向に分割されずにそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に互いに間隔を空けて配列されていてもよい。

駆動ＩＣチップＩＣ１は、マルチプレクサ回路ＭＵ１および走査線駆動回路ＧＤに接続されている。また、図１に示す例では、検出部ＳＥとスイッチング素子ＧＳＷとは、配線Ｗ１により接続され、駆動ＩＣチップＩＣ１と走査線駆動回路ＧＤとは、配線Ｗ２により接続されている。このため、検出部ＳＥは、配線Ｗ１を介してスイッチング素子ＧＳＷに制御信号を与えることができる。例えば、後述する図１６を用いて説明するように、検出部ＳＥは、スイッチング素子ＧＳＷをオフ状態（非導通状態）にするオフ電圧としての制御信号（図１６の電圧Ｖ２に相当）を出力することができ、全ての走査線ＧＬを電気的に浮遊した状態（フローティング状態）に切替えることができる。なお、検出部ＳＥが駆動ＩＣチップＩＣ１に含まれてもよく、駆動ＩＣチップＩＣ１に含まれる検出部ＳＥとスイッチング素子ＧＳＷとが、配線Ｗ１により接続されていてもよい。

図２に示すように、各画素ＰＸは、画素スイッチング素子ＰＳＷと、画素電極ＰＥと、を有する。また、複数の画素ＰＸは、共通電極ＣＥを、共有する。画素スイッチング素子ＰＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を含む。画素スイッチング素子ＰＳＷは、走査線ＧＬおよび信号線ＳＬと電気的に接続されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、トップゲート型ＴＦＴおよびボトムゲート型ＴＦＴのいずれであってもよい。また、画素スイッチング素子ＰＳＷの半導体層は、例えば、多結晶シリコン（ポリシリコン）からなるが、アモルファスシリコンからなるものでもよい。

画素電極ＰＥは、画素スイッチング素子ＰＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜を介して共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ、絶縁膜および画素電極ＰＥは、保持容量ＣＳを形成している。

図３に示すように、表示装置ＤＳＰは、光学素子ＯＤ１と、光学素子ＯＤ２と、を有する。また、表示装置ＤＳＰは、表示モードとして、横電界モードであるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードに対応した構成を有するが、同じく横電界モードであるＩＰＳ（In Plane Switching）モードなどの他の表示モードに対応した構成を有してもよい。

なお、ＦＦＳモードを利用する表示装置ＤＳＰでは、基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥが設けられている。液晶層ＬＱを構成する液晶分子は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される横電界（特に、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界）を主に利用してスイッチングされる。

基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２とは一定の間隔で離れた状態で貼り合わされている。液晶層ＬＱは、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間に封入されている。

図３に示すように、基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する絶縁基板１０を有する。また、基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０の基板ＳＵＢ１に対向する側に、複数の走査線ＧＬと、複数の信号線ＳＬと、複数の共通電極ＣＥと、複数の画素電極ＰＥと、絶縁膜１１と、絶縁膜１２と、絶縁膜１３と、配向膜ＡＬ１と、を有する。なお、図３では、１個の走査線ＧＬと、１個の共通電極ＣＥと、を示している。

走査線ＧＬは、絶縁基板１０上に形成されている。走査線ＧＬは、例えばクロム（Ｃｒ）もしくはモリブデン（Ｍｏ）等の金属またはそれらの合金からなる。

絶縁膜１１は、走査線ＧＬおよび絶縁基板１０の上に形成されている。絶縁膜１１は、例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等からなる透明な絶縁膜である。なお、詳述しないが、絶縁基板１０と絶縁膜１１との間には、走査線ＧＬの他に、画素スイッチング素子のゲート電極や半導体層などが形成されている。

信号線ＳＬは、絶縁膜１１上に形成されている。信号線ＳＬは、例えばアルミニウム（Ａｌ）をモリブデン（Ｍｏ）等で挟んだ多層構造の金属膜からなる。また、画素スイッチング素子のソース電極やドレイン電極なども絶縁膜１１の上に形成されている。図示した例では、信号線ＳＬは、Ｙ軸方向に延在する。

絶縁膜１２は、信号線ＳＬおよび絶縁膜１１の各々の上に形成されている。絶縁膜１２は、例えばアクリル系の感光性樹脂からなる。

共通電極ＣＥは、絶縁膜１２上に形成されている。なお、共通電極ＣＥは、前述したように複数個設けられており、タッチ検出用の検出電極Ｒｘを兼ねている。共通電極ＣＥは、ＩＴＯ（Indium tin oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明な導電材料からなる。なお、表示装置が、縦電界モードとしてのＴＮ（Twisted Nematic）モードまたはＶＡ（Vertical Alignment）モード等の表示装置である場合、共通電極ＣＥは、基板ＳＵＢ２に形成されていてもよい。

絶縁膜１３は、共通電極ＣＥおよび絶縁膜１２の各々の上に形成されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１３上に形成されている。各画素電極ＰＥは、互いに隣り合う２つの信号線ＳＬの間に位置し、共通電極ＣＥと対向している。また、各画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬＴを有している。このような画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電材料からなる。配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥおよび絶縁膜１３を覆っている。

一方、基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する絶縁基板２０を有する。また、基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０の基板ＳＵＢ１に対向する側に、ブラックマトリクスＢＭと、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧおよびＣＦＢと、オーバーコート層ＯＣＬと、配向膜ＡＬ２と、を有する。

ブラックマトリクスＢＭは、絶縁基板２０の基板ＳＵＢ１側の面に形成され、各画素を区画している。カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧおよびＣＦＢは、それぞれ絶縁基板２０の基板ＳＵＢ１側の面に形成され、平面視において、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧおよびＣＦＢの各々の一部がブラックマトリクスＢＭと重なっている。カラーフィルタＣＦＲは赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦＧは緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦＢは青色カラーフィルタである。オーバーコート層ＯＣＬは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧおよびＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣＬは、透明な樹脂材料からなる。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣＬを覆っている。

光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０とバックライトユニットＢＬとの間に配置されている。光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０の上方、すなわち絶縁基板２０を挟んで基板ＳＵＢ１と反対側に配置されている。光学素子ＯＤ１および光学素子ＯＤ２は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。

＜自己容量型タッチ検出方式＞
次に、表示装置ＤＳＰが、検出電極Ｒｘを利用して指などの物体からなる入力具の位置、すなわち入力位置を検出する方法について説明する。

表示装置ＤＳＰは、自己容量検出（Self-Capacitive Sensing）方式を用いて、検出電極Ｒｘにて検出した静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断することができる。これにより、表示装置ＤＳＰのタッチ検出面ＴＤＳ（図３参照）に指が接触していること、または、表示装置ＤＳＰのタッチ検出面ＴＤＳに指が近接していることを検出することができる。本実施の形態１において、タッチ検出面ＴＤＳは、光学素子ＯＤ２の面であって、基板ＳＵＢ２側と反対側の面である。

以下では、自己容量検出方式を用いたタッチ検出方式（自己容量型タッチ検出方式）について説明する。しかし、表示装置ＤＳＰは、相互容量検出（Mutual-Capacitive Sensing）方式を用いて、検出電極Ｒｘにて検出した静電容量の変化に基づいて入力位置情報を判断してもよい。

自己容量検出方式による入力位置情報の判断は、各々の検出電極Ｒｘに対して書込み信号を書込み、書込み信号が書込まれた各々の検出電極Ｒｘに生じた静電容量の変化を示す読取り信号を読取ることにより行われる。

次に、自己容量検出方式を用いたタッチ検出方式の原理を説明する。自己容量検出方式は、検出電極Ｒｘが有する容量Ｃｘ１を利用する。また自己容量検出方式は、検出電極Ｒｘに近接している利用者の指等により生じる容量Ｃｘ２を利用する。

図５〜図８は、自己容量検出方式を説明するための図である。

図５および図６は、表示装置ＤＳＰのタッチ検出面に、利用者の指が接触も近接もしていない状態を示している。このため、検出電極Ｒｘと指との間に静電容量結合は生じていない。図５は、制御スイッチＳＷｃにより、検出電極Ｒｘが電源Ｖｄｄに接続された状態を示す。図６は、制御スイッチＳＷｃにより、検出電極Ｒｘが電源Ｖｄｄから遮断され、検出電極Ｒｘがコンデンサとしての容量Ｃｃｐに接続された状態を示す。

図５の状態で、容量Ｃｘ１は例えば充電され、図６の状態で、容量Ｃｘ１は例えば放電される。ここで、容量Ｃｘ１が充電されることとは、検出電極Ｒｘに対して書込み信号が書込まれることである。また、容量Ｃｘ１が放電されることとは、検出電極Ｒｘに生じた静電容量の変化を示す読取り信号を読取ることである。

一方、図７および図８は、表示装置ＤＳＰのタッチ検出面に、利用者の指が接触または近接している状態を示している。このため、検出電極Ｒｘと指との間に静電容量結合が生じている。図７は、制御スイッチＳＷｃにより、検出電極Ｒｘが電源Ｖｄｄに接続された状態を示す。図８は、制御スイッチＳＷｃにより、検出電極Ｒｘが電源Ｖｄｄから遮断され、検出電極Ｒｘが容量Ｃｃｐに接続された状態を示す。

図７の状態で、容量Ｃｘ１は例えば充電され、図８の状態で、容量Ｃｘ１は例えば放電される。

ここで、図６に示す放電時の容量Ｃｃｐの電圧の時間依存性に対して、図８に示す放電時の容量Ｃｃｐの電圧の時間依存性は、容量Ｃｘ２が存在するために、明らかに異なる。したがって、自己容量検出方式では、容量Ｃｃｐの電圧の時間依存性が、容量Ｃｘ２の有無により、異なることを利用して、入力位置情報（例えば、操作入力の有無）を判断している。

次に、自己容量検出方式を実現する回路の例について説明する。図９は、自己容量検出方式を実現する回路の一例を示す図である。なお、図９では、検出電極Ｒｘの容量を容量Ｃｘと表示している。

図９に示すような自己容量検出方式を実現する回路は、例えば図１に示した検出部ＳＥに設けられている。あるいは、検出部ＳＥが、例えば図１に示した駆動ＩＣチップＩＣ１内に設けられ、このような自己容量検出方式を実現する回路が、駆動ＩＣチップＩＣ１に設けられていてもよい。

図９に示すように、検出電極Ｒｘは、スイッチＳＷｃ１により、電源Ｖｄｄに切り替え可能に接続されている。また、検出電極Ｒｘは、スイッチＳＷｃ２により、積分回路としての電圧検出器ＤＥＴに切り替え可能に接続されている。電圧検出器ＤＥＴは、例えばオペアンプＯＰｄｅｔと、容量Ｃｄｅｔと、スイッチＳＷｃ３と、を含む。オペアンプＯＰｄｅｔには、参照信号Ｖｒｅｆが入力される。

なお、図９では、図１６を用いて説明する検出部ＳＥに含まれる検出回路ＤＣＰ１を図示している。

図１０は、電源から出力される交流矩形波Ｓｇ、検出電極の電圧Ｖｘ、および、電圧検出器の出力としての電圧Ｖｄｅｔの時間依存性の例を模式的に示すグラフである。

図１０に示すように、電源Ｖｄｄは、時刻Ｔ０１と時刻Ｔ０２との時間差を周期とし、かつ、電圧Ｖｄｒの波形高さを有する交流矩形波Ｓｇを出力する。交流矩形波Ｓｇは、例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数を有する。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（波形Ｖｄｅｔ０および波形Ｖｄｅｔ１）に変換する。

前述したように、検出電極Ｒｘは、スイッチＳＷｃ１およびスイッチＳＷｃ２により、電源Ｖｄｄおよび電圧検出器ＤＥＴに、切り替え可能に接続されている。図１０において、時刻Ｔ０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖｄｒ分だけ電圧を上昇させる。このとき、スイッチＳＷｃ１はオン状態にされ、スイッチＳＷｃ２はオフ状態にされている。このため、検出電極Ｒｘの電圧Ｖｘも電圧Ｖｄｒ分だけ上昇する。次に、時刻Ｔ１１のタイミングの前に、スイッチＳＷｃ１をオフ状態にする。このとき、検出電極Ｒｘは電気的に浮遊した状態であるが、検出電極Ｒｘの容量Ｃｘ１（図５参照）、あるいは検出電極Ｒｘの容量Ｃｘ１に指等の接触または近接による容量Ｃｘ２を加えた容量Ｃｘ１＋Ｃｘ２（図７参照）によって、検出電極Ｒｘの電圧Ｖｘの電圧Ｖｄｒ分の上昇は維持される。さらに、時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷｃ３をオン状態にし、所定の時間経過後にスイッチＳＷｃ３をオフ状態にすることにより、電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。このリセット動作により、電圧検出器ＤＥＴの出力としての電圧Ｖｄｅｔは、参照信号Ｖｒｅｆと略等しい電圧となる。

続いて、時刻Ｔ１１のタイミングでスイッチＳＷｃ２をオン状態にすると、電圧検出器ＤＥＴの反転入力部に入力される電圧が検出電極Ｒｘの電圧Ｖｘに等しくなり、その後、検出電極Ｒｘの容量Ｃｘ１（または容量Ｃｘ１＋Ｃｘ２）と電圧検出器ＤＥＴに含まれる容量Ｃｄｅｔに起因した時定数に従って、電圧検出器ＤＥＴの反転入力部の電圧は、参照信号Ｖｒｅｆまで低下する。このとき、検出電極Ｒｘの容量Ｃｘ１（または容量Ｃｘ１＋Ｃｘ２）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴに含まれる容量Ｃｄｅｔに移動するため、電圧検出器ＤＥＴの電圧Ｖｄｅｔが上昇する。検出電極Ｒｘに指などの物体が近接も接触もしていないときは、電圧Ｖｄｅｔは、実線で示す波形Ｖｄｅｔ０となり、Ｖｄｅｔ＝Ｃｘ１×Ｖｄｒ／Ｃｄｅｔとなる。指などの物体が近接または接触してその物体の影響による容量が付加されたときは、電圧Ｖｄｅｔは、破線で示す波形Ｖｄｅｔ１となり、Ｖｄｅｔ＝（Ｃｘ１＋Ｃｘ２）×Ｖｄｒ／Ｃｄｅｔとなる。

その後、検出電極Ｒｘの容量Ｃｘ１（または容量Ｃｘ１＋Ｃｘ２）の電荷が容量Ｃｄｅｔに十分移動した後の時刻Ｔ３１のタイミングでスイッチＳＷｃ２をオフ状態にし、スイッチＳＷｃ１およびスイッチＳＷｃ３をオン状態にすることにより、検出電極Ｒｘの電圧を交流矩形波Ｓｇのローレベルと等しい電圧にするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。なお、このとき、スイッチＳＷｃ１をオン状態にするタイミングは、スイッチＳＷｃ２をオフ状態にした後、時刻Ｔ０２以前であればいずれのタイミングでもよい。また、電圧検出器ＤＥＴをリセットさせるタイミングは、スイッチＳＷｃ２をオフ状態にした後、時刻Ｔ１２以前であればいずれのタイミングでもよい。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。そして、波形Ｖｄｅｔ０と波形Ｖｄｅｔ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、外部からタッチ検出面に近接または接触した物体の有無（タッチの有無）を測定することができる。

なお、指などの物体が近接も接触もしていないときは、検出電極Ｒｘの電圧Ｖｘの波形は、実線で示す波形Ｖｘ０となり、指などの物体が近接または接触してその物体の影響による容量Ｃｘ２が付加されたときは、検出電極Ｒｘの電圧Ｖｘの波形は、破線で示す波形Ｖｘ１となる。波形Ｖｘ０と波形Ｖｘ１とが、それぞれ所定の閾値電圧Ｖｔｈまで下がる時間を測定することにより、外部からタッチ検出面に近接または接触した物体の有無（タッチの有無）を測定することもできる。

あるいは、自己容量検出方式を実現する回路として別の例を用いてもよい。図１１は、自己容量検出方式を実現する回路の別の例を示す図である。

図１１に示すような自己容量検出方式を実現する回路は、例えば図１に示した検出部ＳＥに設けられている。あるいは、検出部ＳＥが、例えば図１に示した駆動ＩＣチップＩＣ１内に設けられ、このような自己容量検出方式を実現する回路が、駆動ＩＣチップＩＣ１に設けられていてもよい。

図１１に示すように、検出電極Ｒｘは、積分回路としての電圧検出器ＤＥＴに接続されている。電圧検出器ＤＥＴは、例えばオペアンプＯＰｄｅｔと、容量Ｃｄｅｔと、スイッチＳＷｃ３と、を含む。オペアンプＯＰｄｅｔの２つの入力端子のうち、「＋」により表された非反転入力端子には、検出電極Ｒｘが接続されており、「−」により表された反転入力端子には、交流矩形波Ｓｇが入力される。また、オペアンプＯＰｄｅｔでは、反転入力端子と非反転入力端子とが仮想的に短絡、すなわちイマジナリショートされている。検出電極Ｒｘが検出回路ＤＣＰ１に接続されるとき、スイッチＳＷｃ３はオフ状態（非導通状態）にされ、検出電極Ｒｘが検出回路ＤＣＰ１に接続されないとき、スイッチＳＷｃ３はオン状態（導通状態）にされる。

なお、図１１では、図１６を用いて説明する検出部ＳＥに含まれる検出回路ＤＣＰ１を図示している。

図１２は、交流矩形波Ｓｇ、および、電圧検出器の出力としての電圧Ｖｄｅｔの時間依存性の例を模式的に示すグラフである。

図１２に示すように、交流矩形波Ｓｇは、電圧Ｖｄｒの波形高さを有する。前述したように、オペアンプＯＰｄｅｔは、イマジナリショートされているため、オペアンプＯＰｄｅｔの反転入力端子に交流矩形波Ｓｇが入力されると、オペアンプＯＰｄｅｔの非反転入力端子に接続された検出電極Ｒｘには、交流矩形波Ｓｇと同電位の駆動信号が印加される。

一方、検出電極Ｒｘは容量Ｃｘを有するため、検出電極Ｒｘの電位と駆動信号との間には差分の電圧が発生し、この差分の電圧に相当する電流が検出電極ＲｘとオペアンプＯＰｄｅｔの非反転入力端子との間で流れることになる。電圧検出器ＤＥＴからは、この電流を電圧検出器ＤＥＴにより電圧に変換して積分した値が、波形Ｖｄｅｔ０を有する電圧Ｖｄｅｔとして出力される。電圧Ｖｄｅｔの波形Ｖｄｅｔ０は、図１２において、実線で示されている。

検出電極Ｒｘに指などの物体が近接または接触すると、容量Ｃｘが増加するため、検出電極Ｒｘの電位と駆動信号との間に発生する差分の電圧が増加し、この差分の電圧に相当し、検出電極ＲｘとオペアンプＯＰｄｅｔの非反転入力端子との間で流れる電流が増加する。そのため、この電流を電圧検出器ＤＥＴにより電圧に変換して積分した値が増加し、電圧検出器ＤＥＴから出力される電圧Ｖｄｅｔの波形Ｖｄｅｔ１の変化は、波形Ｖｄｅｔ０の変化に比べて増加する。波形Ｖｄｅｔ１は、図１２において、破線で示されている。

したがって、電圧検出器ＤＥＴから出力された電圧Ｖｄｅｔを所定の閾値電圧と比較することにより、検出電極Ｒｘへの指などの近接または接触の有無を検出することができる。すなわち、波形Ｖｄｅｔ０と波形Ｖｄｅｔ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、外部からタッチ検出面に近接または接触した物体の有無（タッチの有無）を測定することができる。なお、電圧検出器ＤＥＴの動作は、絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、例えばスイッチＳＷｃ３により、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、容量Ｃｄｅｔの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作としてもよい。

このような、図１１および図１２を用いて説明した検出方法は、図９および図１０を用いて説明した検出方法と異なり、スイッチＳＷｃ１およびＳＷｃ２のいずれも不要であり、駆動信号としての交流矩形波Ｓｇを、直接オペアンプＯＰｄｅｔに供給する方法である。

なお、図１１に示す検出回路ＤＣＰ１は、自己容量検出方式および相互容量検出方式のいずれにも兼用することができる。図１１に示す検出回路ＤＣＰ１を相互容量検出方式に用いる場合には、オペアンプＯＰｄｅｔの反転入力端子が、交流矩形波Ｓｇを供給する供給回路に代えて、固定電位としての参照信号を供給する供給回路に接続されるように、接続を切り替えればよい。

あるいは、自己容量検出方式を実現する回路としてさらに別の例を用いてもよい。図１３は、自己容量検出方式を実現する回路のさらに別の例を示す図である。

図１３に示す例では、検出電極Ｒｘは、分圧用の容量Ｃｐの一方の端子に接続されるとともに、比較器ＣＯＭＰの一方の入力端子に接続される。検出電極Ｒｘは、自己の容量Ｃｘを有する。比較器ＣＯＭＰの他方の入力端子には、参照信号Ｖｒｅｆの供給端子が接続されている。

容量Ｃｐの他方の端子は、スイッチＳＷ１を介して電圧Ｖｃｃの電源配線に接続される。また容量Ｃｐの他方の端子は、抵抗Ｒｃを介して容量Ｃｃの一方の端子に接続されている。容量Ｃｃの他方の端子は、基準電位（例えばアース電位）に接続されている。

スイッチＳＷ２は、容量Ｃｐの他方の端子と基準電位間に接続され、スイッチＳＷ３は、容量Ｃｐの一方の端子と基準電位間に接続されている。スイッチＳＷ１、ＳＷ２およびＳＷ３ならびに比較器ＣＯＭＰは、例えば図１に示した検出部ＳＥに設けられている。

なお、図１３では、図１６を用いて説明する検出部ＳＥに含まれる検出回路ＤＣＰ１を図示している。

図１３に示す例では、スイッチＳＷ１は、一定の周期でオン状態（導通状態）にされ、このオン状態のときに容量Ｃｃを充電することができる。容量Ｃｃが充電されるときは、スイッチＳＷ２およびＳＷ３はオフ状態にされている。容量Ｃｃが充電されると、スイッチＳＷ１、ＳＷ２およびＳＷ３が全てオフ状態にされ、容量Ｃｃの電荷が保持される。

続いて、スイッチＳＷ１のオフ状態を維持したまま、スイッチＳＷ２およびＳＷ３が一定時間オン状態にされる。すると、容量ＣｐおよびＣｘの電荷のほとんどが放電されるとともに、容量Ｃｃの電荷の一部が、抵抗Ｒｃを介して放電される。

次いで、スイッチＳＷ１、ＳＷ２およびＳＷ３が全てオフ状態にされる。すると、容量Ｃｃの電荷が、容量ＣｐおよびＣｘに移動する。そして、容量Ｃｘの電圧Ｖｘが比較器ＣＯＭＰにおいて、参照信号Ｖｒｅｆまたは閾値電圧Ｖｔｈと比較される。

容量Ｃｃの電圧を電圧Ｖｃとし、容量Ｃｐの電圧を電圧Ｖｐとする。このとき、電圧Ｖｘは、電圧Ｖｃと電圧Ｖｐとの和に等しく、電圧Ｖｃの変化の特性または変換の度合いは、容量Ｃｐと容量Ｃｘの合計値に応じて変化する。容量Ｃｘの変化は、容量Ｃｘの電圧Ｖｘに対しても影響を与える。また、容量Ｃｘの値は、検出電極Ｒｘに対する利用者の指の接近の程度に応じて異なる。

このため、指が検出電極Ｒｘから遠い場合は、電圧Ｖｃの時間依存性は、ゆっくりした変化を伴う特性となり、指が検出電極Ｒｘに近い場合は、電圧Ｖｃの時間依存性は、すばやい変化を伴う特性となる。

比較器ＣＯＭＰは、スイッチＳＷ２およびＳＷ３のオン状態とオフ状態とが繰り返されるのに同期して、電圧Ｖｘを参照信号Ｖｒｅｆまたは閾値電圧Ｖｔｈと比較する。そしてＶｘ＞Ｖｒｅｆのときは、比較器ＣＯＭＰは、出力パルスを得る。しかし比較器ＣＯＭＰは、Ｖｘ＜Ｖｒｅｆになると出力パルスを停止する。

このとき、比較器ＣＯＭＰの出力パルスが得られる期間が計測されてもよいし、比較器ＣＯＭＰの出力パルス数（容量Ｃｃの充電後、Ｖｘ＜Ｖｒｅｆになるまでのパルス数）が計測されてもよい。

このように、図１３を用いて説明した方法によっても、検出面に対する指の近接または接触の程度を比較器ＣＯＭＰの出力パルスの状態で判断することができる。

＜タッチ検出方法およびタッチ検出回路＞
次に、本実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出方法およびタッチ検出回路について説明する。

初めに、本実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出方法について説明する。図１４は、実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出方法を説明するための図である。図１５は、実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出方法を説明するためのフロー図である。なお、図１４においてハッチングを付した部分である領域ＡＲ１は、領域ＡＲ１を拡大して領域ＡＲ２として示すように、例えば矩形波を有する駆動信号が検出回路ＤＣＰ１により供給されている部分である。

本実施の形態１の表示装置は、タッチ検出機能を有する検出部ＳＥ（図１参照）を有する。そして、図１４および図１５に示すように、本実施の形態１の表示装置では、検出部ＳＥは、指の近接または接触を検出する指近接検出処理としてのステップＳ１と、近接または接触した指の座標を検出する指座標検出処理としてのステップＳ２と、を行う。

ここで、指近接検出処理としてのステップＳ１を待機モードと称し、指座標検出処理としてのステップＳ２を検出モードと称する場合、検出部ＳＥは、検出モードとしての指座標検出処理の前に、待機モードとしての指近接検出処理を行うことになる。

ステップＳ１では、検出部ＳＥは、まず、全ての検出電極Ｒｘを同時に検出する（図１５のステップＳ１１）。このステップＳ１１では、検出部ＳＥは、複数の検出電極Ｒｘの全部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量の変化を一括して検出することにより、タッチ検出面ＴＤＳへの指などの物体の近接または接触を検出する。すなわち、ステップＳ１１は、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量の変化を一括して検出する一括検出処理である。

ステップＳ１では、検出部ＳＥは、次に、物体の近接が検出されたか判定する（図１５のステップＳ１２）。このステップＳ１２では、検出部ＳＥは、タッチ検出面ＴＤＳへの指などの物体の近接または接触が検出されたか判定する。ステップＳ１２において、指などの物体の近接または接触が検出されなかったと判定されたとき、検出部ＳＥは、しばらく待つ（図１５のステップＳ１３）。そして、検出部ＳＥは、ステップＳ１３を行ってしばらく待った後、ステップＳ１１を再び繰り返す。一方、ステップＳ１２において、指などの物体の近接または接触が検出されたと判定されたとき、検出部ＳＥは、ステップＳ２を行う。

ステップＳ２では、まず、検出部ＳＥは、各検出電極Ｒｘを個別に検出する（図１５のステップＳ２１）。このステップＳ２１では、検出部ＳＥは、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量の変化を一括ではなく個別に検出することにより、タッチ検出面ＴＤＳでの指などの物体の位置、すなわち座標を検出する。すなわち、ステップＳ２１は、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量の変化を個別に検出する個別検出処理である。

ステップＳ２では、次に、検出部ＳＥは、物体の座標が検出されたか判定する（図１５のステップＳ２２）。このステップＳ２２では、タッチ検出面ＴＤＳでの指などの物体の座標が検出されたか判定する。ステップＳ２２において、指などの物体の座標が検出されたときは、検出部ＳＥは、ステップＳ２１を再び繰り返す。一方、ステップＳ２２において、指などの物体の座標が検出されなかった場合には、検出部ＳＥは、ステップＳ１、すなわちステップＳ１１を再び行う。

なお、図１４では、ステップＳ１１において、複数の検出電極Ｒｘの全部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量の変化を一括して検出する場合を示している。しかし、後述する図２４および図２５を用いて説明するように、複数の検出電極Ｒｘの一部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量の変化を一括して検出してもよい。

次に、図１６を参照し、本実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出回路について説明する。図１６は、実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出回路を示す図である。なお、図１６は、複数の検出電極Ｒｘの全てにハッチングを付すことにより、ステップＳ１１において、複数の検出電極Ｒｘの全てが選択されている状態を示している。

図１６に示すように、タッチ検出回路としての検出部ＳＥは、検出回路ＤＣＰ１と、接続回路ＣＮＣ１と、を含む。検出回路ＤＣＰ１は、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量の変化を検出する。接続回路ＣＮＣ１は、複数の検出電極Ｒｘの各々を検出回路ＤＣＰ１に切り替え可能に接続する。

平面視においてＹ軸方向に配列された複数の検出電極Ｒｘからなる電極群を、電極群ＲＧと称する。このとき、表示装置は、複数の電極群ＲＧを有する。複数の電極群ＲＧは、平面視においてＸ軸方向に配列され、複数の電極群ＲＧの各々は、平面視においてＹ軸方向に配列された複数の検出電極Ｒｘを有する。

図１６に示す例では、電極群ＲＧとして、検出電極Ｒｘ１１、Ｒｘ１２、Ｒｘ１３およびＲｘ１４からなる電極群ＲＧ１、ならびに、検出電極Ｒｘ２１、Ｒｘ２２、Ｒｘ２３およびＲｘ２４からなる電極群ＲＧ２が、設けられている。また、電極群ＲＧとして、検出電極Ｒｘ３１、Ｒｘ３２、Ｒｘ３３およびＲｘ３４からなる電極群ＲＧ３、ならびに、検出電極Ｒｘ４１、Ｒｘ４２、Ｒｘ４３およびＲｘ４４からなる電極群ＲＧ４が、設けられている。すなわち、電極群ＲＧ１は、複数の検出電極Ｒｘ１を含み、電極群ＲＧ２は、複数の検出電極Ｒｘ２を含み、電極群ＲＧ３は、複数の検出電極Ｒｘ３を含み、電極群ＲＧ４は、複数の検出電極Ｒｘ４を含む。

好適には、接続回路ＣＮＣ１は、複数の電極群ＲＧの各々を検出回路ＤＣＰ１にそれぞれ接続する複数のトランジスタ群ＴＧを含む。複数のトランジスタ群ＴＧの各々は、複数のトランジスタＴｄを含む。複数のトランジスタＴｄの各々は、スイッチング素子としての電界トランジスタであり、複数のトランジスタＴｄの各々は、ゲート電極を含む。電極群ＲＧとトランジスタ群ＴＧとの組において、トランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄは、電極群ＲＧに含まれる複数の検出電極Ｒｘの各々を、検出回路ＤＣＰ１にそれぞれ接続する。

図１６に示す例では、検出部ＳＥは、検出回路ＤＣＰ１として、検出回路ＤＣ１、ＤＣ２、ＤＣ３およびＤＣ４を含む。また、図１６に示す例では、接続回路ＣＮＣ１は、トランジスタＴｄとして、トランジスタ群ＴＧ１に含まれるトランジスタＴｄ１１、Ｔｄ１２、Ｔｄ１３およびＴｄ１４、ならびに、トランジスタ群ＴＧ２に含まれるＴｄ２１、Ｔｄ２２、Ｔｄ２３およびＴｄ２４を含む。また、接続回路ＣＮＣ１は、トランジスタＴｄとして、トランジスタ群ＴＧ３に含まれるトランジスタＴｄ３１、Ｔｄ３２、Ｔｄ３３およびＴｄ３４、ならびに、トランジスタ群ＴＧ４に含まれるトランジスタＴｄ４１、Ｔｄ４２、Ｔｄ４３およびＴｄ４４を含む。

トランジスタＴｄ１１は、検出電極Ｒｘ１１を検出回路ＤＣ１に接続し、トランジスタＴｄ１２は、検出電極Ｒｘ１２を検出回路ＤＣ２に接続し、トランジスタＴｄ１３は、検出電極Ｒｘ１３を検出回路ＤＣ３に接続し、トランジスタＴｄ１４は、検出電極Ｒｘ１４を検出回路ＤＣ４に接続する。トランジスタＴｄ２１は、検出電極Ｒｘ２１を検出回路ＤＣ１に接続し、トランジスタＴｄ２２は、検出電極Ｒｘ２２を検出回路ＤＣ２に接続し、トランジスタＴｄ２３は、検出電極Ｒｘ２３を検出回路ＤＣ３に接続し、トランジスタＴｄ２４は、検出電極Ｒｘ２４を検出回路ＤＣ４に接続する。

トランジスタＴｄ３１は、検出電極Ｒｘ３１を検出回路ＤＣ１に接続し、トランジスタＴｄ３２は、検出電極Ｒｘ３２を検出回路ＤＣ２に接続し、トランジスタＴｄ３３は、検出電極Ｒｘ３３を検出回路ＤＣ３に接続し、トランジスタＴｄ３４は、検出電極Ｒｘ３４を検出回路ＤＣ４に接続する。トランジスタＴｄ４１は、検出電極Ｒｘ４１を検出回路ＤＣ１に接続し、トランジスタＴｄ４２は、検出電極Ｒｘ４２を検出回路ＤＣ２に接続し、トランジスタＴｄ４３は、検出電極Ｒｘ４３を検出回路ＤＣ３に接続し、トランジスタＴｄ４４は、検出電極Ｒｘ４４を検出回路ＤＣ４に接続する。

また、好適には、接続回路ＣＮＣ１は、電圧供給回路ＶＳＣ１およびＶＳＣ２と、クロック信号供給回路ＣＬＣ１と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲと、を含む。

電圧供給回路ＶＳＣ１は、トランジスタＴｄのゲート電圧である電圧Ｖ１を供給する。トランジスタＴｄは、ゲート電極に電圧Ｖ１が入力されているときに、オン状態である。

電圧供給回路ＶＳＣ２は、複数のトランジスタ群ＴＧの各々に、トランジスタＴｄのゲート電圧である電圧Ｖ２を供給する。すなわち、電圧供給回路ＶＳＣ２は、複数のトランジスタ群ＴＧの各々に含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に、電圧Ｖ２を供給する。トランジスタＴｄは、ゲート電極に電圧Ｖ２が入力されているときに、オン状態である。

複数の単位レジスタ回路ＵＳＲは、複数のトランジスタ群ＴＧの各々に、トランジスタＴｄのゲート電圧である電圧Ｖ１を供給する。また、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲによりシフトレジスタ回路ＳＲが形成されている。そして、シフトレジスタ回路ＳＲは、クロック信号供給回路ＣＬＣ１からのスタートパルスまたはクロック信号に基づいて、電圧供給回路ＶＳＣ１からの電圧Ｖ１を、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲの各々から順次切り替えて供給する。すなわち、シフトレジスタ回路ＳＲは、クロック信号供給回路ＣＬＣ１からのクロック信号に基づいて、電圧供給回路ＶＳＣ１からの電圧Ｖ１を、複数のトランジスタ群ＴＧの各々に、順次切り替えて供給する。

なお、シフトレジスタ回路に代え、例えばマルチプレクサ回路またはデコーダ回路など各種の回路を用いることができる。

本実施の形態１では、好適には、接続回路ＣＮＣ１は、複数のＯＲ回路ＯＣを含む。複数のＯＲ回路ＯＣの各々には、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲの各々の出力とが入力され、複数のＯＲ回路ＯＣの各々は、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲの各々の出力との論理和をそれぞれ求める。トランジスタ群ＴＧと単位レジスタ回路ＵＳＲとＯＲ回路ＯＣとの組において、ＯＲ回路ＯＣの出力は、トランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に入力される。

なお、シフトレジスタ回路ＳＲは、複数のＡＮＤ回路ＡＣを含んでもよい。複数のＡＮＤ回路ＡＣの各々には、電圧供給回路ＶＳＣ１の出力と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲの各々の出力が入力され、複数のＡＮＤ回路ＡＣの各々は、電圧供給回路ＶＳＣ１の出力と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲの各々の出力との論理積をそれぞれ求める。単位レジスタ回路ＵＳＲとＯＲ回路ＯＣとＡＮＤ回路ＡＣとの組において、ＡＮＤ回路ＡＣの出力は、電圧供給回路ＶＳＣ１の出力として、ＯＲ回路ＯＣに入力される。

検出部ＳＥは、指近接検出処理としてのステップＳ１に含まれるステップＳ１１において、電圧供給回路ＶＳＣ２により電圧Ｖ２を供給する。前述したように、トランジスタＴｄは、ゲート電極に電圧Ｖ２が入力されているときに、オン状態である。したがって、電圧供給回路ＶＳＣ２により電圧Ｖ２を供給することにより、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲの各々の出力との論理和としての電圧Ｖ２が、複数のトランジスタ群ＴＧの各々にそれぞれ含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に入力される。

これにより、複数のトランジスタ群ＴＧの各々にそれぞれ含まれる複数のトランジスタＴｄの各々がオン状態になり、複数の電極群ＲＧの各々にそれぞれ含まれる複数の検出電極Ｒｘが、複数のトランジスタ群ＴＧの各々にそれぞれ含まれる複数のトランジスタＴｄの各々により、検出回路ＤＣＰ１にそれぞれ接続されることになる。すなわち、検出部ＳＥが、複数の電極群ＲＧの各々に含まれる複数の検出電極Ｒｘを複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々を接続回路ＣＮＣ１により検出回路ＤＣＰ１に接続することにより、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出することになる。

ここで、選択された検出処理用電極を、選択検出電極Ｒｘｓ（図１４参照）と称する。図１６に示す例では、検出部ＳＥは、複数の電極群ＲＧの全てに含まれる複数の検出電極Ｒｘの全てを、複数の検出処理用電極として選択する。

一方、検出部ＳＥは、指座標検出処理としてのステップＳ２に含まれるステップＳ２１において、電圧供給回路ＶＳＣ２により電圧Ｖ２を供給しない。そして、複数のトランジスタ群ＴＧのうちいずれかのトランジスタ群ＴＧを選択し、選択されたトランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に、電圧供給回路ＶＳＣ１からの電圧Ｖ１を、選択された単位レジスタ回路ＵＳＲにより供給する。前述したように、トランジスタＴｄは、ゲート電極に電圧Ｖ１が入力されているときに、オン状態である。したがって、単位レジスタ回路ＵＳＲにより電圧Ｖ１を供給することにより、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力と、選択された単位レジスタ回路ＵＳＲの出力との論理和としての電圧Ｖ１が、選択されたトランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に入力される。

これにより、選択されたトランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々がオン状態になり、複数の電極群ＲＧのいずれかに含まれる複数の検出電極Ｒｘが、選択されたトランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々により、検出回路ＤＣＰ１にそれぞれ接続されることになる。

前述したように、シフトレジスタ回路ＳＲは、電圧供給回路ＶＳＣ１からの電圧Ｖ１を、複数のトランジスタ群ＴＧの各々に、順次切り替えて供給する。したがって、検出部ＳＥは、ステップＳ２１において、接続回路ＣＮＣ１により複数の検出電極Ｒｘを１個ずつまたは複数個ずつ順次切り替えて検出回路ＤＣＰ１に接続することにより、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量を個別に検出することになる。

一方、検出部ＳＥは、ガード信号供給回路ＶＳＣ３を含む。また、検出部ＳＥは、電界効果トランジスタとしてのトランジスタＴｇを複数個含む。ガード信号供給回路ＶＳＣ３は、選択された検出電極Ｒｘの静電容量の変化が、選択されない検出電極Ｒｘからの影響を受けないようにするためのガード信号としての信号Ｖ３を、選択されない検出電極Ｒｘに供給する。複数のトランジスタＴｇの各々は、複数の電極群ＲＧの各々に含まれる複数の検出電極Ｒｘを、ガード信号供給回路ＶＳＣ３に接続する。

検出部ＳＥは、指座標検出処理としてのステップＳ２において、検出処理用電極として選択されない検出電極Ｒｘ、すなわち非選択検出電極Ｒｘｕ（図１４参照）に、ガード信号供給回路ＶＳＣ３によりガード信号としての信号Ｖ３を供給する。ガード信号として、例えば検出回路ＤＣＰ１から選択検出電極Ｒｘｓに供給される駆動信号と同位相の信号を用いることができる。

前述したように、検出部ＳＥは、ステップＳ２１において、電圧供給回路ＶＳＣ２により電圧Ｖ２を供給しない。そして、検出部ＳＥは、ステップＳ２１において、選択されない複数の検出電極Ｒｘの各々とそれぞれ接続された複数のトランジスタＴｇの各々のゲート電極には、電圧供給回路ＶＳＣ１からの電圧Ｖ１も供給しない。また、トランジスタＴｇは、ゲート電極に電圧Ｖ１および電圧Ｖ２のいずれも入力されていないときに、オン状態である。

これにより、選択されない複数の検出電極Ｒｘの各々とそれぞれ接続された複数のトランジスタＴｇの各々がオン状態にされ、選択されない検出電極Ｒｘにガード信号としての信号Ｖ３が供給されるため、選択された検出電極Ｒｘの静電容量の変化が、選択されない検出電極Ｒｘからの影響を受けないようにすることができる。

なお、前述したように、検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、電圧供給回路ＶＳＣ２により電圧Ｖ２を供給する。このとき、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲの各々の出力との論理和としての電圧Ｖ２が、複数のトランジスタＴｇの各々のゲート電極に入力される。これにより、複数のトランジスタＴｇのいずれにもオン電圧が印加されないため、複数のトランジスタＴｇの全てがオフ状態にされる。

表示装置ＤＳＰは、複数の走査線ＧＬと、走査線駆動回路ＧＤと、切り替え部ＧＳＰと、を有する。複数の走査線ＧＬは、平面視において、複数の電極群ＲＧ、すなわち複数の検出電極Ｒｘと重なる。走査線駆動回路ＧＤは、複数の走査線ＧＬに入力される走査信号を出力する走査信号出力回路である。切り替え部ＧＳＰは、走査線駆動回路ＧＤと複数の走査線ＧＬとの接続状態を切り替える。切り替え部ＧＳＰは、電界効果トランジスタとしてのスイッチング素子ＧＳＷを複数個含む。複数のスイッチング素子ＧＳＷは、複数の走査線ＧＬの各々を、走査線駆動回路ＧＤにそれぞれ接続する。複数のスイッチング素子ＧＳＷの各々は、ゲート電極を含み、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力は、複数のスイッチング素子ＧＳＷの各々のゲート電極に入力される。スイッチング素子ＧＳＷは、ゲート電極に電圧Ｖ２が入力されているときに、オフ状態である。

表示装置ＤＳＰが、切り替え部ＧＳＰを有するとき、検出部ＳＥは、電圧供給回路ＶＳＣ２により電圧Ｖ２を複数のスイッチング素子ＧＳＷの各々のゲート電極に供給し、複数の走査線ＧＬの各々を電気的に浮遊させた状態で、ステップＳ１１を行う。これにより、複数の検出電極Ｒｘの各々が有する寄生容量のうち、走査線ＧＬを介して有する寄生容量を低減することができる。そのため、ステップＳ１１を行う際の検出精度を向上させ、ステップＳ１１を行う際の消費電力を低減することができる。

なお、図１６に示すように、複数の走査線ＧＬの各々の両端に、走査線駆動回路ＧＤがそれぞれ設けられている場合には、複数の走査線ＧＬの各々を電気的に浮遊状態にするため、複数の走査線ＧＬの各々の両端に切り替え部ＧＳＰが設けられていてもよい。

また、切り替え部ＧＳＰが、走査線駆動回路ＧＤに代え、信号線駆動回路ＳＤと複数の信号線ＳＬとの接続状態を切り替えるものであってもよい。このとき、検出部ＳＥは、電圧供給回路ＶＳＣ２により電圧Ｖ２を複数のスイッチング素子ＧＳＷの各々のゲート電極に供給し、複数の信号線ＳＬの各々を電気的に浮遊させた状態で、ステップＳ１１を行ってもよい。これにより、複数の検出電極Ｒｘの各々が有する寄生容量のうち、信号線ＳＬを介して有する寄生容量を低減することができる。そのため、ステップＳ１１を行う際の検出精度を向上させ、ステップＳ１１を行う際の消費電力を低減することができる。

次に、図１７および図１８を参照し、本実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出処理のタイミングチャートについて説明する。図１７および図１８は、実施の形態１の表示装置におけるタッチ検出処理のうち指近接検出処理を説明するためのタイミングチャートである。図１７は、ステップＳ１１およびステップＳ１３を１回ずつ行う際のタイミングチャートを示し、図１８は、ステップＳ１１およびステップＳ１３を２回ずつ行う際のタイミングチャートを示す。図１７は、トランジスタＴｇの状態、トランジスタＴｄの状態、および、検出回路ＤＣＰ１の駆動波形を模式的に示す。図１８は、走査線ＧＬの電圧、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力、ｎを２以上の整数としたときに、１列目、２列目、ｎ−１列目、ｎ列目およびｎ＋１列目の電極群ＲＧ（図１６参照）に含まれる検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘｎ−１、ＲｘｎおよびＲｘｎ＋１の検出波形、ならびに、検出回路ＤＣＰ１の駆動波形を模式的に示す。なお、図１８においてハッチングを付した部分は、図１４において領域ＡＲ１を拡大して領域ＡＲ２として示したのと同様に、例えば矩形波を有する信号が検出または印加されている部分である。

図１７に示すように、ステップＳ１１において、複数のトランジスタＴｇの全てが、オフ状態にされる。そして、ステップＳ１１において、複数のトランジスタＴｄの全てが、オン状態にされる。

図１８に示すように、ステップＳ１１において、複数の走査線ＧＬの各々は、電気的に浮遊した状態であり、複数の走査線ＧＬの各々には、信号が入力されない。また、ステップＳ１１において、電圧供給回路ＶＳＣ２からは、電圧Ｖ２が供給され、検出回路ＤＣＰ１からは、駆動波形が供給される。そして、検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘｎ−１、ＲｘｎおよびＲｘｎ＋１の検出波形が一括して検出される。

一方、図１７に示すように、ステップＳ１３において、複数のトランジスタＴｇの全てのオフ状態を維持したまま、複数のトランジスタＴｄの全てが、オフ状態にされる。また、図１８に示すように、ステップＳ１３において、電圧供給回路ＶＳＣ２からは、電圧Ｖ２が供給されず、検出回路ＤＣＰ１からは、駆動波形が供給されない。そして、検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘｎ−１、ＲｘｎおよびＲｘｎ＋１の検出波形が検出されない。

すなわち、検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、複数の電極群ＲＧの全部を複数の検出処理用電極群として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々にそれぞれ含まれる複数の検出電極Ｒｘを複数の検出処理用電極として選択する。そして、検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、選択された複数の検出処理用電極の各々を接続回路ＣＮＣ１により検出回路ＤＣＰ１に接続することにより、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出する。一方、検出部ＳＥは、ステップＳ１３において、複数の電極群ＲＧの全てに含まれる複数の検出電極Ｒｘのいずれも検出回路ＤＣＰ１に接続せず、複数の電極群ＲＧの全てに含まれる複数の検出電極Ｒｘのいずれの静電容量の変化も検出しない。

このように、本実施の形態１では、検出部ＳＥが、ステップＳ１１において、複数の電極群ＲＧの全てに含まれる複数の検出電極Ｒｘの全ての静電容量の変化を一括して検出するため、検出時間を短くすることができ、消費電力を低減することができる。また、複数の走査線ＧＬの各々を電気的に浮遊させた状態で、ステップＳ１１を行うことにより、ステップＳ１１を行う際の検出精度を向上させ、ステップＳ１１を行う際の消費電力を低減することができる。

＜比較例のタッチ検出方法およびタッチ検出回路＞
次に、比較例のタッチ検出方法およびタッチ検出回路について説明し、比較例のタッチ検出方法およびタッチ検出回路における問題点について説明する。

初めに、比較例の表示装置におけるタッチ検出方法について説明する。図１９は、比較例の表示装置におけるタッチ検出方法を説明するための図である。図２０は、比較例の表示装置におけるタッチ検出方法を説明するためのフロー図である。なお、図１９においてハッチングを付した部分である領域ＡＲ１は、領域ＡＲ１を拡大して領域ＡＲ２として示すように、例えば矩形波を有する駆動信号が検出回路ＤＣＰ１により供給されている部分である。

図１９および図２０に示すように、比較例の表示装置では、検出部ＳＥは、指の近接または接触を検出する指近接検出処理としてのステップＳ１０１と、近接または接触した指の座標を検出する指座標検出処理としてのステップＳ２と、を行う。

ここで、指近接検出処理としてのステップＳ１０１を待機モードと称し、指座標検出処理としてのステップＳ２を検出モードと称する場合、比較例においても、検出部ＳＥは、検出モードとしての指座標検出処理の前に、待機モードとしての指近接検出処理を行うことになる。

ステップＳ１０１では、検出部ＳＥは、まず、各検出電極Ｒｘを個別に検出する（図２０のステップＳ１１１）。このステップＳ１１１では、図１５のステップＳ１１とは異なり、検出部ＳＥは、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量の変化を一括ではなく個別に検出することにより、タッチ検出面ＴＤＳへの指などの物体の近接または接触を検出する。

ステップＳ１０１では、検出部ＳＥは、次に、物体の近接が検出されたか判定する（図２０のステップＳ１１２）。このステップＳ１１２では、検出部ＳＥは、タッチ検出面ＴＤＳへの物体の近接または接触が検出されたか判定する。ステップＳ１１２において、指などの物体の近接または接触が検出されなかったと判定されたとき、検出部ＳＥは、しばらく待つ（図２０のステップＳ１１３）。そして、検出部ＳＥは、ステップＳ１１３を行ってしばらく待った後、ステップＳ１１１を再び繰り返す。一方、ステップＳ１１２において、指などの物体の近接または接触が検出されたと判定されたとき、検出部ＳＥは、ステップＳ２を行う。

ステップＳ２については、図１５のステップＳ２と同様にすることができる。

次に、図２１を参照し、比較例の表示装置におけるタッチ検出回路について説明する。図２１は、比較例の表示装置におけるタッチ検出回路を示す図である。なお、図２１は、ハッチングを付すことにより、ステップＳ１１１において、電極群ＲＧ１に含まれる検出電極Ｒｘ１１、Ｒｘ１２、Ｒｘ１３およびＲｘ１４が選択されている場合を示している。

比較例の表示装置は、接続回路ＣＮＣ１が、電圧供給回路ＶＳＣ２（図１６参照）、複数のＯＲ回路ＯＣ（図１６参照）および切り替え部ＧＳＰ（図１６参照）を有しない点で、実施の形態１の表示装置と異なる。すなわち、比較例の表示装置では、検出部ＳＥは、実施の形態１の表示装置と同様に、検出回路ＤＣＰ１と、接続回路ＣＮＣ１と、を含むが、接続回路ＣＮＣ１は、実施の形態１の表示装置とは異なり、電圧供給回路ＶＳＣ２および複数のＯＲ回路ＯＣを含まない。そのため、トランジスタ群ＴＧと単位レジスタ回路ＵＳＲとＡＮＤ回路ＡＣとの組において、ＡＮＤ回路ＡＣの出力は、トランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に、ＯＲ回路を介さずに入力される。

検出部ＳＥは、指近接検出処理としてのステップＳ１０１に含まれるステップＳ１１１において、電圧供給回路ＶＳＣ１により電圧Ｖ１を供給する。前述したように、トランジスタＴｄは、ゲート電極に電圧Ｖ１が入力されているときに、オン状態である。したがって、電圧供給回路ＶＳＣ１により電圧Ｖ１を供給することにより、電圧供給回路ＶＳＣ１の出力と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲの各々の出力との論理積としての電圧Ｖ１が、選択されたトランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に入力される。一方、電圧Ｖ１は、選択されないトランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極には入力されない。

次に、図２２および図２３を参照し、比較例の表示装置におけるタッチ検出処理のタイミングチャートについて説明する。図２２および図２３は、比較例の表示装置におけるタッチ検出処理のうち指近接検出処理を説明するためのタイミングチャートである。図２２は、ステップＳ１１１を１回行う際のタイミングチャートを示し、図２３は、ステップＳ１１１およびステップＳ１１３を２回ずつ行う際のタイミングチャートを示す。図２２は、トランジスタＴｇの状態、トランジスタＴｄの状態、および、検出回路ＤＣＰ１の駆動波形を模式的に示す。図２３は、走査線ＧＬの電圧、電圧供給回路ＶＳＣ１の出力、および、クロック信号供給回路ＣＬＣ１からのクロック信号を模式的に示す。また、図２３は、ｎを２以上の整数としたときに、１列目、２列目、３列目、ｎ−１列目、ｎ列目およびｎ＋１列目の電極群ＲＧ（図２１参照）に含まれる検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘｎ−１、ＲｘｎおよびＲｘｎ＋１の検出波形、ならびに、検出回路ＤＣＰ１の駆動波形を模式的に示す。なお、図２３においてハッチングを付した部分は、図１９において領域ＡＲ１を拡大して領域ＡＲ２として示したのと同様に、例えば矩形波を有する信号が検出または印加されている部分である。

図２２に示すように、ステップＳ１１１において、複数のトランジスタＴｇのうち、選択されたトランジスタＴｇ（選択トランジスタ）は、オフ状態にされ、複数のトランジスタＴｇのうち、選択されていないトランジスタＴｇ（非選択トランジスタＴｇｕ）は、オン状態にされている。そして、ステップＳ１１１において、複数のトランジスタＴｄのうち、選択されたトランジスタＴｄ（選択トランジスタ）は、オン状態にされ、選択されていないトランジスタＴｄ（非選択トランジスタＴｄｕ）は、オフ状態にされている。

図２２では、１列目の検出電極Ｒｘ１に接続されたトランジスタＴｄ１、２列目の検出電極Ｒｘ２に接続されたトランジスタＴｄ２、が順次オン状態にされ、非選択トランジスタＴｄｕがオフ状態にされている。また、ｎ−１列目の検出電極Ｒｘｎ−１に接続されたトランジスタＴｄｎ−１、ｎ列目の検出電極Ｒｘｎに接続されたトランジスタＴｄｎ、ｎ＋１列目の検出電極Ｒｘｎ＋１に接続されたトランジスタＴｄｎ＋１、が順次オン状態にされ、非選択トランジスタＴｄｕがオフ状態にされている。

図２３に示すように、ステップＳ１１１において、電圧供給回路ＶＳＣ１からは、電圧Ｖ１が供給され、クロック信号供給回路ＣＬＣ１からのクロック信号に同期して、検出回路ＤＣＰ１からは、駆動波形が供給される。そして、検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘｎ−１、ＲｘｎおよびＲｘｎ＋１の検出波形が、クロック信号供給回路ＣＬＣ１からのクロック信号に同期して、順次検出される。なお、ステップＳ１１１において、選択されない検出電極Ｒｘには、選択された検出電極Ｒｘの静電容量の変化が、選択されない検出電極Ｒｘからの影響を受けないようにするために、ガード信号供給回路ＶＳＣ３からガード信号としての信号Ｖ３が供給される。

一方、図２２および図２３では図示は省略するものの、ステップＳ１１３において、複数のトランジスタＴｄの全てが、オフ状態にされる。また、図２３に示すように、ステップＳ１１３において、ガード信号供給回路ＶＳＣ３からは、信号Ｖ３が供給されず、検出回路ＤＣＰ１からは、駆動波形が供給されない。そして、検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘｎ−１、ＲｘｎおよびＲｘｎ＋１の検出波形が検出されない。

すなわち、比較例の表示装置では、実施の形態１の表示装置と同様に、検出部ＳＥは、ステップＳ１１３において、複数の電極群ＲＧの全てに含まれる複数の検出電極Ｒｘのいずれも検出回路ＤＣＰ１に接続せず、複数の電極群ＲＧの全てに含まれる複数の検出電極Ｒｘのいずれの静電容量の変化も検出しない。しかし、比較例の表示装置では、実施の形態１の表示装置と異なり、ステップＳ１１１において、接続回路ＣＮＣ１により複数の検出電極Ｒｘを１個ずつまたは複数個ずつ順次切り替えて検出回路ＤＣＰ１に接続することにより、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量を個別に検出する。

比較例の表示装置では、ステップＳ１１１において、ステップＳ２１と同様に、例えば複数の電極群ＲＧの各々を順次選択し、選択された電極群ＲＧに含まれる複数の検出電極Ｒｘ、すなわち選択された選択検出電極Ｒｘｓ（図１９参照）について静電容量の変化を検出するため、検出処理に要する時間が長くなるという問題がある。また、検出処理に要する時間が長くなるため、ステップＳ１１１を繰り返す際の時間間隔が短い場合、ステップＳ１０１における平均的な消費電力が増加するという問題がある。

検出処理に要する時間を短くするために、ステップＳ１１１において、検出処理用電極群を、複数の電極群ＲＧの全部から順次選択するのではなく、例えば１個おきに電極群ＲＧを選択するなど、複数の電極群ＲＧの一部から順次選択する方法が考えられる。このような複数の電極群ＲＧの一部から順次選択する方法によれば、ステップＳ１１１において、検出処理に要する時間は短くなる。しかし、複数の電極群ＲＧの全部が検出に用いられなくなるので、指などの物体が近接または接触しているにも関わらず、物体の近接または接触が検出されないという検出ミスが発生するおそれがある。

また、消費電力を小さくするために、ステップＳ１１１を繰り返す間の待ち時間（図２０のステップＳ１１３）を長くする方法が考えられる。しかし、指が近接または接触した後、指の近接または接触を検出するまでの時間が長くなるので、指などの物体が近接または接触しているにも関わらず、物体の近接または接触が検出されないという検出ミスが発生するおそれがある。

なお、上記特許文献１に記載された技術では、タッチスクリーン駆動回路が、１次センシングステップでタッチスクリーン内の全てのタッチセンサを１次センシングしてタッチ入力有無を検出した後、１次センシングの結果タッチ入力が検出されたタッチセンサを２次センシングしてタッチ入力の位置を検出する。

上記特許文献１に記載された技術では、１次センシングステップでタッチ入力位置を絞り込む必要があるため、１次センシングステップでＴｘラインを順次選択して検出処理を行うことになる。すなわち、上記特許文献１に記載された１次センシングステップは、タッチ入力位置を絞り込むためのものであり、本実施の形態１における指近接検出処理とは目的が異なる。

また、上記特許文献１に記載された技術でも、比較例と同様に、１次センシングステップ、すなわち検出モードとしての指座標検出処理の前に待機モードとして行われる指近接検出処理において、検出処理に要する時間を短くし、消費電力を低減しつつ、検出ミスの発生を防止または抑制することはできない。

なお、上記特許文献１に記載された技術では、タッチ検出用の検出電極とは異なる層に、タッチ検出用の駆動電極が形成され、相互容量方式を用いてタッチ検出を行う。そのため、上記特許文献１に記載されたタッチセンサ装置は、タッチ検出用の検出電極のみが同一層に形成され、自己容量方式を用いてタッチ検出を行う本実施の形態１における入力装置とは異なる。

＜本実施の形態の主要な特徴＞
本実施の形態１の表示装置における技術的思想は、このような比較例の表示装置の問題点を解決するためのものであり、検出モードとしての指座標検出処理の前に待機モードとして行われる指近接検出処理において、検出処理に要する時間を短くし、消費電力を低減しつつ、検出ミスの発生を防止または抑制するためのものである。

すなわち、本実施の形態１の表示装置では、検出部ＳＥは、マトリクス状に設けられた複数の検出電極Ｒｘの全部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出することにより、外部から表示パネルへの物体の近接または接触を検出する検出処理（図１５のステップＳ１１）を行う。ステップＳ１１において、物体の近接または接触が検出されなかったとき、検出部ＳＥは、ステップＳ１１を繰り返す。ステップＳ１１において、物体の近接または接触が検出されたとき、検出部ＳＥは、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量を個別に検出することにより、物体の位置を検出する検出処理（図１５のステップＳ２１）を行う。

これにより、ステップＳ１１において、例えば複数の電極群ＲＧの全部を複数の検出処理用電極群として選択し、選択された複数の検出処理用電極群の各々にそれぞれ含まれる複数の検出電極Ｒｘを複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量の変化を一括して検出することができる。そのため、検出処理に要する時間を短くすることができる。また、検出処理に要する時間が短くなるため、ステップＳ１１を繰り返す際の時間間隔が短い場合でも、指近接検出処理（図１５のステップＳ１）における平均的な消費電力を減少させることができる。

本実施の形態１では、検出処理に要する時間を短くするために、ステップＳ１１において、検出処理用電極群を、例えば１個おきに電極群ＲＧを選択するなど、複数の電極群ＲＧの一部から順次選択する必要がない。そのため、複数の電極群ＲＧの全部を検出に用いることができ、指などの物体が近接または接触しているにも関わらず、物体の近接または接触が検出されないという検出ミスの発生を防止または抑制することができる。

また、本実施の形態１では、消費電力を小さくするために、ステップＳ１１を繰り返す間の待ち時間（図１５のステップＳ１３）を長くする必要がない。そのため、指が近接または接触した後、指の近接または接触を検出するまでの時間を短くすることができ、指などの物体が近接または接触しているにも関わらず、物体の近接または接触が検出されないという検出ミスの発生を防止または抑制することができる。

すなわち、本実施の形態１の表示装置によれば、検出モードとしての指座標検出処理の前に待機モードとして行われる指近接検出処理において、検出処理に要する時間を短くし、消費電力を低減しつつ、検出ミスの発生を防止または抑制することができる。

前述したように、好適には、検出部ＳＥは、電圧供給回路ＶＳＣ２により電圧Ｖ２をスイッチング素子ＧＳＷの各々のゲート電極に供給し、複数の走査線ＧＬの各々を電気的に浮遊させた状態で、ステップＳ１１を行う。これにより、複数の検出電極Ｒｘの各々が有する寄生容量のうち、走査線ＧＬを介して有する寄生容量を低減することができる。そのため、ステップＳ１１を行う際の検出精度を向上させ、ステップＳ１１を行う際の消費電力を低減することができる。

＜実施の形態１の第１変形例＞
次に、実施の形態１の第１変形例について説明する。図２４は、実施の形態１の表示装置の第１変形例におけるタッチ検出回路を示す図である。なお、図２４は、電極群ＲＧ１およびＲＧ３の各々にそれぞれ含まれる複数の検出電極Ｒｘにハッチングを付すことにより、ステップＳ１１において、電極群ＲＧ１およびＲＧ３の各々にそれぞれ含まれる複数の検出電極Ｒｘが選択されている状態を示している。

本第１変形例では、検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、１個おきまたは複数個おきなど、互いに隣り合わない複数の電極群ＲＧを、複数の検出処理用電極群として選択し、選択された複数の検出処理用電極群の各々にそれぞれ含まれる複数の検出電極Ｒｘを複数の検出処理用電極として選択する。そして、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量の変化を一括して検出することにより、物体の近接または接触を検出する。すなわち、本第１変形例では、検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、複数の検出電極Ｒｘの一部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出することにより、物体の近接または接触を検出する。

なお、検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、Ｘ軸方向またはＹ軸方向で、１個おきまたは複数個おきなど、互いに隣り合わない複数の検出電極Ｒｘを、複数の検出処理用電極として選択してもよい。そして、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量の変化を一括して検出することにより、物体の近接または接触を検出してもよい。

本第１変形例の表示装置は、接続回路ＣＮＣ１は、互いに隣り合う２つのトランジスタ群ＴＧのうち少なくとも一方に含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極にその出力が入力されるＯＲ回路ＯＣを含まない点で、実施の形態１の表示装置と異なり、それ以外の点で、実施の形態１の表示装置と同様である。すなわち、本第１変形例では、検出部ＳＥは、実施の形態１と同様に、検出回路ＤＣＰ１と、接続回路ＣＮＣ１と、を含むが、接続回路ＣＮＣ１は、実施の形態１と異なり、一部のＯＲ回路ＯＣを含まない。

ステップＳ１１において検出処理用電極群として選択される電極群ＲＧについては、実施の形態１の表示装置と同様に、トランジスタ群ＴＧと単位レジスタ回路ＵＳＲとＯＲ回路ＯＣとの組において、ＯＲ回路ＯＣの出力は、トランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に入力される。

一方、ステップＳ１１において検出処理用電極群として選択されない電極群ＲＧについては、トランジスタ群ＴＧと単位レジスタ回路ＵＳＲとＡＮＤ回路ＡＣとの組において、ＡＮＤ回路ＡＣの出力は、トランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に、ＯＲ回路を介さずに入力される。

検出部ＳＥは、指近接検出処理としてのステップＳ１に含まれるステップＳ１１において、電圧供給回路ＶＳＣ２により電圧Ｖ２を供給する。

このとき、検出処理用電極群として選択された電極群ＲＧについては、電圧Ｖ２は、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲの各々の出力との論理和として、複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に入力され、複数のトランジスタＴｇの各々のゲート電極に入力される。そのため、複数のトランジスタＴｄの各々はオン状態にされ、複数のトランジスタＴｇの各々はオフ状態にされ、検出処理用電極群として選択された電極群ＲＧに含まれる複数の検出電極Ｒｘの各々は、検出回路ＤＣＰ１に接続される。

一方、検出処理用電極群として選択されていない電極群ＲＧについては、電圧Ｖ２は、複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に入力されず、複数のトランジスタＴｇの各々のゲート電極に入力されない。そのため、複数のトランジスタＴｄの各々はオフ状態にされ、複数のトランジスタＴｇの各々はオン状態にされ、検出処理用電極群として選択されていない電極群ＲＧに含まれる複数の検出電極Ｒｘの各々は、検出回路ＤＣＰ１に接続されない。

これにより、検出処理用電極群として選択された電極群ＲＧについては、検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量の変化を一括して検出する。一方、検出処理用電極群として選択されていない電極群ＲＧについては、検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量の変化を検出しない。

図２４に示す例では、電極群ＲＧ１およびＲＧ３が検出処理用電極群として選択されており、検出処理用電極群として選択された電極群ＲＧ１およびＲＧ３に含まれる検出電極Ｒｘ１１、Ｒｘ１２、Ｒｘ１３、Ｒｘ１４、Ｒｘ３１、Ｒｘ３２、Ｒｘ３３およびＲｘ３４の静電容量の変化が一括して検出される。また、図２４に示す例では、電極群ＲＧ２およびＲＧ４が検出処理用電極群として選択されておらず、検出処理用電極群として選択されていない電極群ＲＧ２およびＲＧ４に含まれる検出電極Ｒｘ２１、Ｒｘ２２、Ｒｘ２３、Ｒｘ２４、Ｒｘ４１、Ｒｘ４２、Ｒｘ４３およびＲｘ４４の静電容量の変化が検出されない。

本第１変形例では、実施の形態１と異なり、ステップＳ１１において、例えば複数の電極群ＲＧの一部を複数の検出処理用電極群として選択し、選択された複数の検出処理用電極群の各々にそれぞれ含まれる複数の検出電極Ｒｘを、複数の検出処理用電極として選択する。そして、複数の検出処理用電極の各々の静電容量の変化を一括して検出する。そのため、本第１変形例では、実施の形態１に比べ、ステップＳ１１において、検出処理に要する時間をさらに短くすることができる。

また、本第１変形例では、実施の形態１に比べ、静電容量の変化を一括して検出する検出電極Ｒｘの個数が少なくなるため、指近接検出処理（図１５のステップＳ１）における平均的な消費電力を減少させることができる。ただし、本第１変形例では、実施の形態１に比べ、静電容量の変化を一括して検出する検出電極Ｒｘの個数が少なくなるため、検出ミスの発生を防止または抑制する効果は、実施の形態１の方が大きい。

すなわち、本第１変形例では、ステップＳ１１において、複数の電極群ＲＧの一部を複数の検出処理用電極群として選択するが、複数の電極群ＲＧの他の部分を複数の検出処理用電極群として選択しない。例えば検出回路ＤＣＰ１に接続される検出電極Ｒｘの容量の総和が大きいために、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量の変化を容易に一括して検出できない場合を考える。このような場合には、本第１変形例のように、検出処理用電極群として選択される一部の電極群ＲＧのみに対応してＯＲ回路ＯＣを設け、ＯＲ回路ＯＣの個数を減少させることが望ましい。これにより、ステップＳ１１において、検出回路ＤＣＰ１に接続される検出電極Ｒｘの数を少なくすることができ、検出回路ＤＣＰ１に接続される検出電極Ｒｘの容量の総和を低減することができる。

＜実施の形態１の第２変形例＞
次に、実施の形態１の第２変形例について説明する。図２５は、実施の形態１の表示装置の第２変形例におけるタッチ検出回路を示す図である。なお、図２５は、複数の検出電極Ｒｘのうち一部にハッチングを付すことにより、ステップＳ１１において、複数の検出電極Ｒｘのうちハッチングが付されたものが選択されている状態を示している。

本第２変形例では、検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のいずれの方向でも、１個おきまたは複数個おきなど、互いに隣り合わない複数の検出電極Ｒｘを、複数の検出処理用電極として選択する。そして、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量の変化を一括して検出することにより、物体の近接または接触を検出する。すなわち、本第２変形例でも、第１変形例と同様に、複数の検出電極Ｒｘの一部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出することにより、物体の近接または接触を検出する。

本第２変形例では、複数の電極群ＲＧの各々は、ゲート電極にＯＲ回路ＯＣの出力が入力されるトランジスタＴｄと接続された検出電極Ｒｘと、ゲート電極にＯＲ回路ＯＣを介さずにＡＮＤ回路ＡＣの出力が入力されるトランジスタＴｄと接続された検出電極Ｒｘと、を含む。また、複数の電極群ＲＧの各々では、Ｙ軸方向において、ゲート電極にＯＲ回路ＯＣの出力が入力されるトランジスタＴｄと接続された検出電極Ｒｘと、ゲート電極にＯＲ回路ＯＣを介さずにＡＮＤ回路ＡＣの出力が入力されるトランジスタＴｄと接続された検出電極Ｒｘと、が交互に配置されている。

具体的には、図２５に示す例では、トランジスタ群ＴＧ１に含まれる複数のトランジスタＴｄ１１、Ｔｄ１２、Ｔｄ１３およびＴｄ１４の各々のゲート電極には、ＯＲ回路ＯＣの出力が入力されている。そして、トランジスタＴｄ１１は、検出電極Ｒｘ１１を検出回路ＤＣ１に接続し、トランジスタＴｄ１２は、検出電極Ｒｘ２２を検出回路ＤＣ２に接続し、トランジスタＴｄ１３は、検出電極Ｒｘ１３を検出回路ＤＣ３に接続し、トランジスタＴｄ１４は、検出電極Ｒｘ２４を検出回路ＤＣ４に接続する。

一方、図２５に示す例では、トランジスタ群ＴＧ２に含まれる複数のトランジスタＴｄ２１、Ｔｄ２２、Ｔｄ２３およびＴｄ２４の各々のゲート電極には、ＡＮＤ回路ＡＣの出力がＯＲ回路ＯＣを介さずに入力されている。そして、トランジスタＴｄ２１は、検出電極Ｒｘ２１を検出回路ＤＣ１に接続し、トランジスタＴｄ２２は、検出電極Ｒｘ１２を検出回路ＤＣ２に接続し、トランジスタＴｄ２３は、検出電極Ｒｘ２３を検出回路ＤＣ３に接続し、トランジスタＴｄ２４は、検出電極Ｒｘ１４を検出回路ＤＣ４に接続する。

また、図２５に示す例では、トランジスタ群ＴＧ３に含まれる複数のトランジスタＴｄ３１、Ｔｄ３２、Ｔｄ３３およびＴｄ３４の各々のゲート電極には、ＯＲ回路ＯＣの出力が入力されている。そして、トランジスタＴｄ３１は、検出電極Ｒｘ３１を検出回路ＤＣ１に接続し、トランジスタＴｄ３２は、検出電極Ｒｘ４２を検出回路ＤＣ２に接続し、トランジスタＴｄ３３は、検出電極Ｒｘ３３を検出回路ＤＣ３に接続し、トランジスタＴｄ３４は、検出電極Ｒｘ４４を検出回路ＤＣ４に接続する。

一方、図２５に示す例では、トランジスタ群ＴＧ４に含まれる複数のトランジスタＴｄ４１、Ｔｄ４２、Ｔｄ４３およびＴｄ４４の各々のゲート電極には、ＡＮＤ回路ＡＣの出力がＯＲ回路ＯＣを介さずに入力されている。そして、トランジスタＴｄ４１は、検出電極Ｒｘ４１を検出回路ＤＣ１に接続し、トランジスタＴｄ４２は、検出電極Ｒｘ３２を検出回路ＤＣ２に接続し、トランジスタＴｄ４３は、検出電極Ｒｘ４３を検出回路ＤＣ３に接続し、トランジスタＴｄ４４は、検出電極Ｒｘ３４を検出回路ＤＣ４に接続する。

すなわち、本第２変形例では、検出部ＳＥは、Ｘ軸方向において互いに隣り合う２つの電極群ＲＧ１およびＲＧ２と、Ｘ軸方向において互いに隣り合う２つのトランジスタ群ＴＧ１およびＴＧ２と、を含む。トランジスタ群ＴＧ１は、複数のトランジスタＴｄ１を含み、トランジスタ群ＴＧ２は、複数のトランジスタＴｄ２を含む。複数のトランジスタＴｄ１の各々のゲート電極には、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力がＯＲ回路ＯＣを介して入力され、複数のトランジスタＴｄ２の各々のゲート電極には、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力が入力されない。

電極群ＲＧ１は、複数の検出電極Ｒｘ１ｓと複数の検出電極Ｒｘ１ｕとを含み、電極群ＲＧ２は、複数の検出電極Ｒｘ２ｓと複数の検出電極Ｒｘ２ｕとを含む。複数の検出電極Ｒｘ１ｓおよび複数の検出電極Ｒｘ２ｓの各々は、トランジスタ群ＴＧ１に含まれる複数のトランジスタＴｄ１の各々をそれぞれ介して検出回路ＤＣＰ１に接続されている。複数の検出電極Ｒｘ１ｕおよび複数の検出電極Ｒｘ２ｕの各々は、トランジスタ群ＴＧ２に含まれるトランジスタＴｄ２の各々をそれぞれ介して検出回路ＤＣＰ１に接続されている。

検出電極Ｒｘ１ｓと検出電極Ｒｘ１ｕとは、Ｙ軸方向に交互に配列され、検出電極Ｒｘ２ｓと検出電極Ｒｘ２ｕとは、Ｙ軸方向に交互に配列されている。Ｘ軸方向において、検出電極Ｒｘ１ｓと検出電極Ｒｘ２ｕとが隣り合い、Ｘ軸方向において、検出電極Ｒｘ１ｕと検出電極Ｒｘ２ｓとが隣り合っている。

電極群ＲＧ３は、複数の検出電極Ｒｘ３ｓと複数の検出電極Ｒｘ３ｕとを含み、電極群ＲＧ４は、複数の検出電極Ｒｘ４ｓと複数の検出電極Ｒｘ４ｕとを含む。複数の検出電極Ｒｘ３ｓおよび複数の検出電極Ｒｘ４ｓの各々は、トランジスタ群ＴＧ３に含まれる複数のトランジスタＴｄ３の各々をそれぞれ介して検出回路ＤＣＰ１に接続されている。複数の検出電極Ｒｘ３ｕおよび複数の検出電極Ｒｘ４ｕの各々は、トランジスタ群ＴＧ４に含まれるトランジスタＴｄ４の各々をそれぞれ介して検出回路ＤＣＰ１に接続されている。

検出電極Ｒｘ３ｓと検出電極Ｒｘ３ｕとは、Ｙ軸方向に交互に配列され、検出電極Ｒｘ４ｓと検出電極Ｒｘ４ｕとは、Ｙ軸方向に交互に配列されている。Ｘ軸方向において、検出電極Ｒｘ３ｓと検出電極Ｒｘ４ｕとが隣り合い、Ｘ軸方向において、検出電極Ｒｘ３ｕと検出電極Ｒｘ４ｓとが隣り合っている。また、Ｘ軸方向において、検出電極Ｒｘ２ｓと検出電極Ｒｘ３ｕとが隣り合い、Ｘ軸方向において、検出電極Ｒｘ２ｕと検出電極Ｒｘ３ｓとが隣り合っている。そして、複数の検出電極Ｒｘ１ｓ、Ｒｘ２ｓ、Ｒｘ３ｓおよびＲｘ４ｓを含む検出処理用電極は、市松模様の形状を有する。

検出部ＳＥは、指近接検出処理としてのステップＳ１に含まれるステップＳ１１において、電圧供給回路ＶＳＣ１により電圧Ｖ１を供給せず、電圧供給回路ＶＳＣ２により電圧Ｖ２を供給する。

このとき、検出処理用電極として選択された複数の検出電極Ｒｘについては、電圧Ｖ２は、電圧供給回路ＶＳＣ２の出力と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲの各々の出力との論理和として、複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に入力され、複数のトランジスタＴｇの各々のゲート電極に入力される。そのため、複数のトランジスタＴｄの各々はオン状態にされ、複数のトランジスタＴｇの各々はオフ状態にされ、検出処理用電極として選択された複数の検出電極Ｒｘの各々は、検出回路ＤＣＰ１に接続される。

一方、検出処理用電極として選択されていない複数の検出電極Ｒｘについては、電圧Ｖ２は、複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に入力されず、複数のトランジスタＴｇの各々のゲート電極に入力されない。そのため、複数のトランジスタＴｄの各々はオフ状態にされ、複数のトランジスタＴｇの各々はオン状態にされ、検出処理用電極として選択されていない複数の検出電極Ｒｘの各々は、検出回路ＤＣＰ１に接続されない。

具体的には、図２５に示す例では、検出電極Ｒｘ１１、Ｒｘ２２、Ｒｘ１３、Ｒｘ２４、Ｒｘ３１、Ｒｘ４２、Ｒｘ３３およびＲｘ４４は、検出回路ＤＣＰ１に接続され、検出電極Ｒｘ２１、Ｒｘ１２、Ｒｘ２３、Ｒｘ１４、Ｒｘ４１、Ｒｘ３２、Ｒｘ４３およびＲｘ３４は、検出回路ＤＣＰ１に接続されない。そして、ステップＳ１１において、検出電極Ｒｘ１１、Ｒｘ２２、Ｒｘ１３、Ｒｘ２４、Ｒｘ３１、Ｒｘ４２、Ｒｘ３３およびＲｘ４４の静電容量の変化を一括して検出することができる。

本第２変形例では、実施の形態１と異なり、ステップＳ１１において、例えば複数の検出電極Ｒｘの一部を複数の検出処理用電極として選択し、複数の検出処理用電極の各々の静電容量の変化を一括して検出する。そのため、本第２変形例でも、実施の形態１の第１変形例と同様に、実施の形態１に比べ、ステップＳ１１において、検出処理に要する時間をさらに短くすることができる。

また、本第２変形例でも、実施の形態１の第１変形例と同様に、実施の形態１に比べ、静電容量の変化を一括して検出する検出電極Ｒｘの個数が少なくなるため、指近接検出処理（図１５のステップＳ１）における平均的な消費電力を減少させることができる。ただし、本第２変形例でも、実施の形態１の第１変形例と同様に、実施の形態１に比べ、静電容量の変化を一括して検出する検出電極Ｒｘの個数が少なくなるため、検出ミスの発生を防止または抑制する効果は、実施の形態１の方が大きい。

また、本第２変形例でも、実施の形態１の第１変形例と同様に、検出回路ＤＣＰ１に接続される検出電極Ｒｘの数を少なくすることができ、検出回路ＤＣＰ１に接続される検出電極Ｒｘの容量の総和を低減することができる。

＜実施の形態１の第３変形例＞
次に、実施の形態１の第３変形例について説明する。図２６は、実施の形態１の表示装置の第３変形例におけるタッチ検出回路を示す図である。なお、図２６は、複数の検出電極Ｒｘの全てにハッチングを付すことにより、ステップＳ１１において、複数の検出電極Ｒｘの全てが選択されている状態を示している。

本第３変形例の表示装置は、検出部ＳＥが、検出回路ＤＣＰ１に加え、検出回路ＤＣＰ２を有し、接続回路ＣＮＣ１に加え、接続回路ＣＮＣ２を有し、接続回路ＣＮＣ１が、複数のＯＲ回路を含まない点で、実施の形態１の表示装置と異なり、それ以外の点で、実施の形態１の表示装置と同様である。すなわち、本第３変形例の表示装置では、検出部ＳＥは、実施の形態１の表示装置と同様に、検出回路ＤＣＰ１と、接続回路ＣＮＣ１と、を含むが、検出部ＳＥは、実施の形態１の表示装置と異なり、さらに、検出回路ＤＣＰ２と、接続回路ＣＮＣ２と、を含み、接続回路ＣＮＣ１が、複数のＯＲ回路を含まない。そのため、電圧供給回路ＶＳＣ２は、複数のスイッチング素子ＧＳＷの各々のゲート電極に、電圧Ｖ２を供給するが、複数のトランジスタ群ＴＧの各々に、電圧Ｖ２を供給しない。なお、接続回路ＣＮＣ２は、複数のトランジスタＴｇと、スイッチング素子ＤＳＷと、を含む。

検出回路ＤＣＰ２は、検出回路ＤＣＰ１と同様にすることができる。検出回路ＤＣＰ２およびガード信号供給回路ＶＳＣ３は、接続回路ＣＮＣ２に含まれるスイッチング素子ＤＳＷを介して複数のトランジスタＴｇの各々と切り替え可能に接続されている。そのため、複数のトランジスタＴｇおよびスイッチング素子ＤＳＷは、複数の検出電極Ｒｘを、検出回路ＤＣＰ２に切り替え可能に接続する。

また、本第３変形例では、接続回路ＣＮＣ１は、実施の形態１の表示装置とは異なり、複数のＯＲ回路を含まない。そのため、トランジスタ群ＴＧと単位レジスタ回路ＵＳＲとＡＮＤ回路ＡＣとの組において、ＡＮＤ回路ＡＣの出力は、トランジスタ群ＴＧに含まれる複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に、ＯＲ回路を介さずに入力される。

検出部ＳＥは、指近接検出処理としてのステップＳ１に含まれるステップＳ１１において、電圧供給回路ＶＳＣ１により電圧Ｖ１を供給しない。このとき、電圧Ｖ１は、複数のトランジスタＴｄの各々のゲート電極に入力されず、複数のトランジスタＴｇの各々のゲート電極に入力されない。そのため、複数のトランジスタＴｄの各々はオフ状態にされ、複数のトランジスタＴｇの各々はオン状態にされ、複数の検出電極Ｒｘの各々は、検出回路ＤＣＰ１に接続されない。

一方、検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、検出回路ＤＣＰ２と複数のトランジスタＴｇの各々とを、スイッチング素子ＤＳＷを介して接続する。そのため、複数の検出電極Ｒｘは、複数のトランジスタＴｇおよびスイッチング素子ＤＳＷにより、検出回路ＤＣＰ２に接続される。これにより、複数の検出電極Ｒｘの各々は、検出回路ＤＣＰ２に接続される。すなわち、検出部ＳＥは、複数の検出電極Ｒｘの全部を複数の検出処理用電極として選択することができる。そして、本第３変形例でも、検出部ＳＥは、実施の形態１と同様に、ステップＳ１１において、複数の検出電極Ｒｘの全部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量の変化を一括して検出することにより、タッチ検出面への指などの物体の近接または接触を検出することができる。

一方、本第３変形例では、実施の形態１と異なり、例えば複数のＯＲ回路ＯＣ（図１６参照）が複数の電極群ＲＧの各々に対応して設けられなくてもよい。そのため、本第３変形例では、実施の形態１に比べ、接続回路ＣＮＣ１の構成を単純にすることができる。

（実施の形態２）
実施の形態１では、入力装置としてのタッチパネルを、入力装置の検出電極が、表示装置の表示パネル内に設けられ、かつ、表示装置の共通電極として機能するインセル型のタッチ検出機能付き表示装置に適用した例について説明した。それに対して、実施の形態２では、入力装置としてのタッチパネルを、液晶表示装置の表示面側に外付けすることによって、タッチ検出機能付き液晶表示装置として使用可能な入力装置に適用した例について説明する。なお、本実施の形態２の入力装置は、液晶表示装置を始めとして、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置などの各種の表示装置の表示面側に外付けすることが可能である。

＜入力装置＞
図２７は、実施の形態２の入力装置を示す断面図である。図２７に示す例では、入力装置ＴＣＰは、基板ＳＵＢ３を有する。基板ＳＵＢ３は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する絶縁基板３０を有する。また、基板ＳＵＢ３は、基板ＳＵＢ３の一方の側に、検出電極Ｒｘと、絶縁膜３１と、を有する。検出電極Ｒｘは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電材料からなる。絶縁膜３１は、検出電極Ｒｘおよび絶縁基板３０の上に配置されている。

また、図２７では図示を省略するが、入力装置ＴＣＰは、走査線駆動回路ＧＤ（図１６参照）、走査線ＧＬ（図１６参照）および切り替え部ＧＳＰ（図１６参照）など、表示装置のうち表示機能のみを有する部分を有しない点を除き、実施の形態１の表示装置と同様にすることができる。

したがって、入力装置ＴＣＰは、実施の形態１の表示装置と同様に、検出部ＳＥ（図１６参照）を有し、検出部ＳＥは、検出回路ＤＣＰ１（図１６参照）と、接続回路ＣＮＣ１（図１６参照）と、を含む。また、接続回路ＣＮＣ１は、複数のトランジスタ群ＴＧ（図１６参照）と、複数の単位レジスタ回路ＵＳＲ（図１６参照）と、電圧供給回路ＶＳＣ２（図１６参照）と、を含む。また、複数の検出電極Ｒｘの配置、および、複数の検出電極Ｒｘが接続回路ＣＮＣ１により検出回路ＤＣＰ１に接続されることについては、図１６を用いて説明した実施の形態１、図２４〜図２６を用いて説明した実施の形態１の第１変形例〜第３変形例と同様にすることができる。したがって、基板ＳＵＢ３に垂直な方向から視た場合、すなわち平面視において、複数の検出電極Ｒｘは、基板ＳＵＢ３にマトリクス状に設けられている。また、検出部ＳＥは、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量を検出する。

また、例えば共通電極ＣＥが表示機能を有するがタッチ検出機能を有しない点を除いて実施の形態１の表示装置と同様の表示装置において、本実施の形態２の入力装置ＴＣＰを、光学素子ＯＤ２（図３参照）と基板ＳＵＢ２（図３参照）との間に設けることができる。これにより、共通電極ＣＥが表示機能を有するがタッチ検出機能を有しない表示装置を、タッチ検出機能付き表示装置とすることができる。

本実施の形態２の入力装置でも、実施の形態１および実施の形態１の第１変形例〜第３変形例の各々の表示装置に備えられた入力装置と同様に、検出部ＳＥ（図１６参照）は、ステップＳ１１（図１５参照）を行う。検出部ＳＥは、ステップＳ１１において、マトリクス状に設けられた複数の検出電極Ｒｘの全部または一部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出することにより、外部から基板への物体の近接または接触を検出する。ステップＳ１１において、物体の近接または接触が検出されなかったとき、検出部ＳＥは、ステップＳ１１を繰り返す。ステップＳ１１において、物体の近接または接触が検出されたとき、検出部ＳＥは、ステップＳ２１（図１５参照）を行う。検出部ＳＥは、ステップＳ２１において、複数の検出電極Ｒｘの各々の静電容量の変化を個別に検出することにより、物体の位置を検出する。

また、本実施の形態２の入力装置によれば、実施の形態１の表示装置と同様に、検出モードとしての指座標検出処理の前に待機モードとして行われる指近接検出処理において、検出処理に要する時間を短くし、消費電力を低減しつつ、検出ミスの発生を防止または抑制することができる。

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

また、前記実施の形態においては、開示例として液晶表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることはいうまでもない。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本発明は、表示装置および入力装置に適用して有効である。

１０ 絶縁基板
１１〜１３ 絶縁膜
２０、３０ 絶縁基板
３１ 絶縁膜
ＡＣ ＡＮＤ回路
ＡＬ１、ＡＬ２ 配向膜
ＡＲ１、ＡＲ２ 領域
ＢＬ バックライトユニット
ＢＭ ブラックマトリクス
Ｃｃ、Ｃｃｐ、Ｃｄｅｔ、Ｃｐ、Ｃｘ、Ｃｘ１、Ｃｘ２ 容量
ＣＤ 共通電極駆動回路
ＣＥ 共通電極
ＣＦＢ、ＣＦＧ、ＣＦＲ カラーフィルタ
ＣＬＣ１ クロック信号供給回路
ＣＮＣ１、ＣＮＣ２ 接続回路
ＣＯＭＰ 比較器
ＣＳ 保持容量
ＤＡ 表示領域
ＤＣ１〜ＤＣ４、ＤＣＰ１、ＤＣＰ２ 検出回路
ＤＥＴ 電圧検出器
ＤＳ 表示面
ＤＳＰ 表示装置
ＤＳＷ スイッチング素子
ＧＤ 走査線駆動回路
ＧＬ、ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬｎ 走査線
ＧＳＰ 切り替え部
ＧＳＷ スイッチング素子
ＩＣ１ 駆動ＩＣチップ
ＬＱ 液晶層
ＭＵ１ マルチプレクサ回路
ＮＤＡ 非表示領域
ＯＣ ＯＲ回路
ＯＣＬ オーバーコート層
ＯＤ１、ＯＤ２ 光学素子
ＯＰｄｅｔ オペアンプ
ＰＥ 画素電極
ＰＮＬ 表示パネル
ＰＳＷ 画素スイッチング素子
ＰＸ 画素
Ｒｃ 抵抗
Ｒｅｓｅｔ 期間
ＲＧ、ＲＧ１〜ＲＧ４ 電極群
Ｒｘ 検出電極
Ｒｘ１、Ｒｘ１１〜Ｒｘ１４、Ｒｘ１ｓ、Ｒｘ１ｕ 検出電極
Ｒｘ２、Ｒｘ２１〜Ｒｘ２４、Ｒｘ２ｓ、Ｒｘ２ｕ 検出電極
Ｒｘ３、Ｒｘ３１〜Ｒｘ３４、Ｒｘ３ｓ、Ｒｘ３ｕ 検出電極
Ｒｘ４、Ｒｘ４１〜Ｒｘ４４、Ｒｘ４ｓ、Ｒｘ４ｕ 検出電極
Ｒｘｎ−１、Ｒｘｎ、Ｒｘ＋１ 検出電極
Ｒｘｓ 選択検出電極
Ｒｘｕ 非選択検出電極
ＳＤ 信号線駆動回路
ＳＥ 検出部
Ｓｇ 交流矩形波
ＳＬ、ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬｍ 信号線
ＳＬＴ スリット
ＳＲ シフトレジスタ回路
ＳＵＢ１〜ＳＵＢ３ 基板
ＳＷ１〜ＳＷ３、ＳＷｃ１〜ＳＷｃ３ スイッチ
ＳＷｃ 制御スイッチ
Ｔ０１、Ｔ０２、Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ３１ 時刻
ＴＣＰ 入力装置
Ｔｄ トランジスタ
Ｔｄ１、Ｔｄ１１〜Ｔｄ１４、Ｔｄ２、Ｔｄ２１〜Ｔｄ２４ トランジスタ
Ｔｄ３、Ｔｄ３１〜Ｔｄ３４、Ｔｄ４、Ｔｄ４１〜Ｔｄ４４ トランジスタ
Ｔｄｎ−１、Ｔｄｎ、Ｔｄｎ＋１、Ｔｇ トランジスタ
ＴＤＳ タッチ検出面
Ｔｄｕ、Ｔｇｕ 非選択トランジスタ
ＴＧ、ＴＧ１〜ＴＧ４ トランジスタ群
ＵＳＲ 単位レジスタ回路
Ｖ１、Ｖ２ 電圧
Ｖ３ 信号
Ｖｃ、Ｖｃｃ、Ｖｄｅｔ、Ｖｄｒ、Ｖｐ、Ｖｘ 電圧
Ｖｄｄ 電源
Ｖｄｅｔ０、Ｖｄｅｔ１、Ｖｘ０、Ｖｘ１ 波形
Ｖｒｅｆ 参照信号
ＶＳＣ１、ＶＳＣ２ 電圧供給回路
ＶＳＣ３ ガード信号供給回路
Ｖｔｈ 閾値電圧
Ｗ１、Ｗ２ 配線

Claims (12)

1. 画像が表示される表示面を有する表示パネルと、
   平面視において前記表示パネルにマトリクス状に設けられた複数の第１電極と、
   前記複数の第１電極の各々の静電容量を検出する検出部と、
   平面視において第５方向に配列された複数の第２電極群と、
   を有し、
   前記検出部は、前記複数の第１電極の全部または一部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された前記複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出することにより、前記表示パネルへの物体の近接または接触を検出する第１検出処理を行い、
   前記第１検出処理において、前記物体の近接または接触が検出されなかったとき、前記検出部は、前記第１検出処理を繰り返し、
   前記第１検出処理において、前記物体の近接または接触が検出されたとき、前記検出部は、前記複数の第１電極の各々の静電容量を個別に検出することにより、前記物体の位置を検出する第２検出処理を行い、
   前記検出部は、
   前記複数の第１電極の各々の静電容量を検出する検出回路と、
   前記複数の第１電極の各々を前記検出回路に接続する接続回路と、
   を含み、
   前記検出部は、前記第１検出処理において、選択された前記複数の検出処理用電極の各々を前記接続回路により前記検出回路に接続することにより、前記複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出し、
   前記検出部は、前記第２検出処理において、前記接続回路により前記複数の第１電極を１個ずつまたは複数個ずつ順次切り替えて前記検出回路に接続することにより、前記複数の第１電極の各々の静電容量を個別に検出し、
   前記複数の第２電極群の各々は、平面視において前記第５方向と交差する第６方向に配列された複数の前記第１電極を有し、
   前記接続回路は、前記複数の第２電極群の各々を前記検出回路にそれぞれ接続する複数のトランジスタ群を含み、
   前記複数のトランジスタ群の各々は、複数の第１電界効果トランジスタを含み、
   前記複数の第１電界効果トランジスタの各々は、第１ゲート電極を含み、
   前記第２電極群と前記トランジスタ群との組において、前記トランジスタ群に含まれる前記複数の第１電界効果トランジスタは、前記第２電極群に含まれる複数の前記第１電極の各々を、前記検出回路にそれぞれ接続し、
   前記接続回路は、さらに、
   前記複数のトランジスタ群の各々に、前記第１電界効果トランジスタの第１ゲート電圧をそれぞれ供給する複数の単位レジスタ回路と、
   前記複数のトランジスタ群の各々に、前記第１電界効果トランジスタの第２ゲート電圧を供給する電圧供給回路と、
   前記電圧供給回路の出力と、前記複数の単位レジスタ回路の各々の出力との論理和をそれぞれ求める複数のＯＲ回路と、
   を含み、
   前記複数の単位レジスタ回路により、シフトレジスタ回路が形成され、
   前記トランジスタ群と前記単位レジスタ回路と前記ＯＲ回路との組において、前記ＯＲ回路の出力は、前記トランジスタ群に含まれる前記複数の第１電界効果トランジスタの各々の前記第１ゲート電極に入力され、
   前記第１電界効果トランジスタは、前記第１ゲート電極に前記第１ゲート電圧および前記第２ゲート電圧のいずれが入力されているときも、オン状態であり、
   前記検出部は、前記第１検出処理において、前記電圧供給回路により前記第２ゲート電圧を供給することにより、前記複数の第２電極群の各々に含まれる複数の前記第１電極を前記複数の検出処理用電極として選択する、表示装置。
2. 請求項１記載の表示装置において、
   平面視において第１方向に配列された複数の第１電極群を有し、
   前記複数の第１電極群の各々は、平面視において前記第１方向と交差する第２方向に配列された複数の前記第１電極を有し、
   前記検出部は、前記第１検出処理において、前記複数の第１電極群の一部を複数の検出処理用電極群として選択し、選択された前記複数の検出処理用電極群の各々にそれぞれ含まれる複数の前記第１電極を前記複数の検出処理用電極として選択する、表示装置。
3. 請求項２記載の表示装置において、
   前記検出部は、前記第１検出処理において、互いに隣り合わない複数の前記第１電極群を、前記複数の検出処理用電極群として選択する、表示装置。
4. 請求項１記載の表示装置において、
   前記複数の第１電極は、平面視において、互いに交差する第３方向および第４方向にマトリクス状に配列され、
   前記検出部は、前記第１検出処理において、前記第３方向で互いに隣り合わない複数の前記第１電極を、前記複数の検出処理用電極として選択する、表示装置。
5. 請求項４記載の表示装置において、
   前記検出部は、前記第１検出処理において、前記第３方向および前記第４方向のいずれの方向でも互いに隣り合わない複数の前記第１電極を、前記複数の検出処理用電極として選択する、表示装置。
6. 請求項１記載の表示装置において、
   平面視において前記複数の第１電極と重なる複数の走査線を有し、
   前記検出部は、前記複数の走査線の各々を電気的に浮遊させた状態で、前記第１検出処理を行う、表示装置。
7. 請求項１記載の表示装置において、
   平面視において前記複数の第２電極群と重なる複数の走査線と、
   前記複数の走査線に入力される走査信号を出力する走査信号出力回路と、
   前記走査信号出力回路と前記複数の走査線との接続状態を切り替える切り替え部と、
   を有し、
   前記切り替え部は、前記複数の走査線の各々を、前記走査信号出力回路とそれぞれ接続する複数の第２電界効果トランジスタを含み、
   前記複数の第２電界効果トランジスタの各々は、第２ゲート電極を含み、
   前記電圧供給回路の出力は、前記複数の第２電界効果トランジスタの各々の前記第２ゲート電極に入力され、
   前記第２電界効果トランジスタは、前記第２ゲート電極に前記第２ゲート電圧が入力されているときに、オフ状態であり、
   前記検出部は、前記電圧供給回路により前記第２ゲート電圧を前記複数の第２電界効果トランジスタの各々の前記第２ゲート電極に供給し、前記複数の走査線の各々を電気的に浮遊させた状態で、前記第１検出処理を行う、表示装置。
8. 基板と、
   平面視において前記基板にマトリクス状に設けられた複数の第１電極と、
   前記複数の第１電極の各々の静電容量を検出する検出部と、
   平面視において第５方向に配列された複数の第２電極群と、
   を有し、
   前記検出部は、前記複数の第１電極の全部または一部を複数の検出処理用電極として選択し、選択された前記複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出することにより、前記基板への物体の近接または接触を検出する第１検出処理を行い、
   前記第１検出処理において、前記物体の近接または接触が検出されなかったとき、前記検出部は、前記第１検出処理を繰り返し、
   前記第１検出処理において、前記物体の近接または接触が検出されたとき、前記検出部は、前記複数の第１電極の各々の静電容量を個別に検出することにより、前記物体の位置を検出する第２検出処理を行い、
   前記検出部は、
   前記複数の第１電極の各々の静電容量を検出する検出回路と、
   前記複数の第１電極の各々を前記検出回路に接続する接続回路と、
   を含み、
   前記検出部は、前記第１検出処理において、選択された前記複数の検出処理用電極の各々を前記接続回路により前記検出回路に接続することにより、前記複数の検出処理用電極の各々の静電容量を一括して検出し、
   前記検出部は、前記第２検出処理において、前記接続回路により前記複数の第１電極を１個ずつまたは複数個ずつ順次切り替えて前記検出回路に接続することにより、前記複数の第１電極の各々の静電容量を個別に検出し、
   前記複数の第２電極群の各々は、平面視において前記第５方向と交差する第６方向に配列された複数の前記第１電極を有し、
   前記接続回路は、前記複数の第２電極群の各々を前記検出回路にそれぞれ接続する複数のトランジスタ群を含み、
   前記複数のトランジスタ群の各々は、複数の第１電界効果トランジスタを含み、
   前記複数の第１電界効果トランジスタの各々は、第１ゲート電極を含み、
   前記第２電極群と前記トランジスタ群との組において、前記トランジスタ群に含まれる前記複数の第１電界効果トランジスタは、前記第２電極群に含まれる複数の前記第１電極の各々を、前記検出回路にそれぞれ接続し、
   前記接続回路は、さらに、
   前記複数のトランジスタ群の各々に、前記第１電界効果トランジスタの第１ゲート電圧をそれぞれ供給する複数の単位レジスタ回路と、
   前記複数のトランジスタ群の各々に、前記第１電界効果トランジスタの第２ゲート電圧を供給する電圧供給回路と、
   前記電圧供給回路の出力と、前記複数の単位レジスタ回路の各々の出力との論理和をそれぞれ求める複数のＯＲ回路と、
   を含み、
   前記複数の単位レジスタ回路により、シフトレジスタ回路が形成され、
   前記トランジスタ群と前記単位レジスタ回路と前記ＯＲ回路との組において、前記ＯＲ回路の出力は、前記トランジスタ群に含まれる前記複数の第１電界効果トランジスタの各々の前記第１ゲート電極に入力され、
   前記第１電界効果トランジスタは、前記第１ゲート電極に前記第１ゲート電圧および前記第２ゲート電圧のいずれが入力されているときも、オン状態であり、
   前記検出部は、前記第１検出処理において、前記電圧供給回路により前記第２ゲート電圧を供給することにより、前記複数の第２電極群の各々に含まれる複数の前記第１電極を前記複数の検出処理用電極として選択する、入力装置。
9. 請求項８記載の入力装置において、
   平面視において第１方向に配列された複数の第１電極群を有し、
   前記複数の第１電極群の各々は、平面視において前記第１方向と交差する第２方向に配列された複数の前記第１電極を有し、
   前記検出部は、前記第１検出処理において、前記複数の第１電極群の一部を複数の検出処理用電極群として選択し、選択された前記複数の検出処理用電極群の各々にそれぞれ含まれる複数の前記第１電極を前記複数の検出処理用電極として選択する、入力装置。
10. 請求項９記載の入力装置において、
    前記検出部は、前記第１検出処理において、互いに隣り合わない複数の前記第１電極群を、前記複数の検出処理用電極群として選択する、入力装置。
11. 請求項８記載の入力装置において、
    前記複数の第１電極は、平面視において、互いに交差する第３方向および第４方向にマトリクス状に配列され、
    前記検出部は、前記第１検出処理において、前記第３方向で互いに隣り合わない複数の前記第１電極を、前記複数の検出処理用電極として選択する、入力装置。
12. 請求項１１記載の入力装置において、
    前記検出部は、前記第１検出処理において、前記第３方向および前記第４方向のいずれの方向でも互いに隣り合わない複数の前記第１電極を、前記複数の検出処理用電極として選択する、入力装置。

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