[go: up one dir, main page]

JP6549038B2 - エレクトロニクス適用のための複合組成物 - Google Patents

エレクトロニクス適用のための複合組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP6549038B2
JP6549038B2 JP2015545432A JP2015545432A JP6549038B2 JP 6549038 B2 JP6549038 B2 JP 6549038B2 JP 2015545432 A JP2015545432 A JP 2015545432A JP 2015545432 A JP2015545432 A JP 2015545432A JP 6549038 B2 JP6549038 B2 JP 6549038B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
chip
electronic
electronics assembly
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2015545432A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016506072A (ja
Inventor
マロフスキー，バーナード・マイルス
マロフスキー，アダム・グレッグ
エリソン，マシュー・マクブレイヤー
Original Assignee
シラス・インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シラス・インコーポレイテッド filed Critical シラス・インコーポレイテッド
Publication of JP2016506072A publication Critical patent/JP2016506072A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6549038B2 publication Critical patent/JP6549038B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L24/09—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

関連出願の相互参照
本出願は、参照によって本明細書に記載内容のすべてを援用する２０１２年１１月３０日に出願のＵ．Ｓ．Ｐｒｏｖｉｓｉｏｎａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｅｒｉａｌ Ｎｏ．６１／７３１，８５０への優先権、及び、それからの利益を主張する。
本明細書中で引用または参照するすべての文書、及び、本明細書中で引用する文書中に引用または参照されているすべての文書は、本明細書中で言及する製品に対する、または本明細書中での参照により援用される文書中で言及されている製品に対するメーカーの指示事項、説明文、製品仕様及び製品シートと共に、参照により本明細書に援用され、本発明の実施に使用されてもよい。
発明の背景
発明の背景
本開示は、チップ・パッケージのためのアンダーフィルに関し、より詳しくは集積回路チップ・パッケージのための接着性エレクトロニクス材料に関する。
集積回路は、通常、モノリシックなシリコンチップとして製造される。特定の構造においては、チップ内に構築された電子デバイスに電気的にアクセスすることによりチップ内の回路を利用できるよう、チップの表面に配列された金属パッドに複数のインターコネクトが付着される。
インターコネクトは、典型的に、チップの外面上に区画形成された金属パッド間に延びる、ハンダまたは類似物質から形成された伝導構造であり、外部回路上のコネクタを補足するものである。そのようなインターコネクトは、通常、フリップチップ・プロセス、例えば、制御式崩壊チップ接続（Ｃ４）プロセスを用いて形成される。チップ上面の金属パッド上に、複数のハンダバンプが形成される。その後、ハンダバンプが外部回路に対向するようにチップが『反転される』。そしてチップは、ハンダバンプが、外部回路の各対応するコネクタに隣接するよう、外部回路に位置合わせされる。それからハンダボールが溶かされ、ハンダが、チップと外部回路との間に区画形成されたギャップ内を延びる電気的インターコネクトを形成する。電気的インターコネクトが形成されたら、チップと外部回路との間のギャップには、アンダーフィル組成物が導入される。
集積回路、そしてそれらのインターコネクトは、熱を発生する。この熱は、チップ、インターコネクト及び外部回路に熱膨張を誘起する。これらの構造は、典型的に、異なる熱膨張率を持つ異なる物質から形成されているので、チップと外部回路の間には、ストレスが生じることもある。従来のアンダーフィル材料は、通常、ポリマー複合体またはエポキシ樹脂であり、これらのストレスから、チップと外部回路との間の電気的インターコネクトを保護するよう機能する。それらは、アンダーフィルの熱膨張率（ＣＴＥ）を修正するよう、高分子マトリックス中にシリカ（ＳｉＯ２）等の無機粒子を含むことができる。このことは、アンダーフィルのＣＴＥを、電気的インターコネクトを形成する使用材料に、より緊密に合わせることを可能にするため、熱膨張によるインターコネクト内のストレスを減らすことができる。
従来のアンダーフィル組成物、そしてチップのパッケージング方法は、概して、それらの意図された目的を満たしていると考えられている。しかしながら、次世代エレクトロニクスへの適用には、改良された材料及びチップ構造が必要である。したがって、本技術分野には、低ＣＴＥ、高熱伝導率、適度なモジュラス、硬化前の妥当な流動性、そして、硬化組成物のガラス遷移温度の可同調性を持つ改善されたアンダーフィル材料及びアンダーフィル方法が必要である。また、本技術分野には、製造・作成が容易で使用が簡単な、アンダーフィル組成物などの、改善されたエレクトロニクス材料の必要性、そしてチップと外部回路サブストレートとの間のギャップをアンダーフィルする方法の必要性は、依然として残っている。本開示は、これらの問題に解決案を提供する。
一つの実施形態においては、硬化後にエレクトロニクス材料を提供するエレクトロニクス組成物が提供される。エレクトロニクス材料は、接着剤（結合剤）、コーティング、またはシーラントとして、チップ・パッケージまたは他のエレクトロニクス構造内に統合されてもよい。エレクトロニクス材料のいくつかの模範的な適用は、回路基板及びエレクトロニクス構造上への部品結合、電子部品に対する歪みの軽減、回路基板及びチップ担体のためのアンダーフィル、回路基板へのワイヤ・ボンディング、ワイヤ絶縁、チップ・パッケージ内へのチップ・ボンディング、ハンダ及び回路基板マスキング、コンフォーマルコーティング、チップ保護コーティング、チップのための誘電層、部品及び回路製造、回路リソグラフィのコーティング、回路基板製造のための樹脂（例えば、ガラスと一緒に）、放射線防護、光ファイバー被覆及び／または接着、回路基板及び部品の多孔性シーリング、コンデンサ及び他の部品の製造中のシーラント、ホイル・コーティング、回路基板上へのネジ止め要素などを含む。
エレクトロニクス組成物は、硬化可能なマトリックス材料と、任意で、所望の適用に応じた充填剤とを含む。模範的な実施形態においては、充填剤は、マトリックス材料内に配置される。硬化マトリックス材料は、メチレン・マロネート・モノマー、多官能メチレン・モノマー、メチレン・ベータ・ケトエステル・モノマー、メチレン・ベータ・ジケトン・モノマー、もしくはそれらの組合せから選択された化合物から生じたオリゴマーまたはポリマー物質を含む。
特定の実施形態においては、エレクトロニクス組成物は、約３０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張率（ＣＴＥ）を持つ硬化エレクトロニクス材料を形成する。他の模範的な実施形態においては、エレクトロニクス組成物内への充填剤の装填は、硬化エレクトロニクス材料に所望のＣＴＥを提供するよう調整されてもよい。混合物は、およそ環境温度または室温の硬化温度を持つことができる。エレクトロニクス組成物は、約５分未満の硬化時間を持つことができる。エレクトロニクス組成物が室温で低粘度の液体である可能性も想定している。
もう一つの模範的な実施形態においては、エレクトロニクス材料が提供される。エレクトロニクス材料は、硬化マトリックス材料内に配置された充填剤を含む。硬化マトリックス材料は、メチレン・マロネート・モノマー、多官能メチレン・モノマー、メチレン・ベータ・ケトエステル・モノマー、メチレン・ベータ・ジケトン・モノマー、もしくはそれらの混合物から選択された化合物から生じたオリゴマーまたはポリマー物質を含む。
もう一つの模範的な実施形態においては、チップ・パッケージが提供される。チップ・パッケージは、少なくとも電気的インターコネクト及びエレクトロニクス材料を含み、エレクトロニクス材料はアンダーフィルである。アンダーフィルは、少なくとも一つのインターコネクトの周囲に配置される。アンダーフィルは、硬化マトリックス材料内に配置された充填剤を含む。硬化マトリックス材料は、メチレン・マロネート・モノマー、多官能メチレン・モノマー、メチレン・ベータ・ケトエステル・モノマー、メチレン・ベータ・ジケトン・モノマー、もしくはそれらの組合せから選択された化合物から生じたオリゴマーまたはポリマー物質を含む。
特定の実施形態においては、チップ・パッケージはサブストレート及びチップを含む。チップ及びサブストレートは、チップとサブストレートとの間にギャップを区画形成する対向面を持つことができ、アンダーフィルは、少なくとも一つのインターコネクトによって占有されないギャップの部分を占有することができる。アンダーフィルは、少なくとも一つのインターコネクトの周囲に配置される電気絶縁材料であってもよい。アンダーフィルは、サブストレートにチップを接着連結させることができる。チップ、サブストレート及びインターコネクトの一つが、マトリックス材料の硬化を開始するよう作用可能な、化学的に塩基性の属性を持つことができる、と想定している。適切なイニシエータは、他の手段、例えばアプリケータまたは注入ポートによって、硬化可能なマトリックス材料に導入されてもよい、ということも想定している。
特定の実施形態によれば、チップが集積回路を含み、サブストレートが外部回路を含み、少なくとも一つのインターコネクトが、集積回路を外部回路に電気的に結合する。他の可能性としては、前記チップが第一のチップであり、前記サブストレートが第二のチップであり、各々のチップは集積回路が、インターコネクトによって相互に電気的に結合される。
前記チップが第一のチップであり、前記パッケージが第二のチップを含み、第一及び第二のチップが、チップの対向面間に第二のギャップを区画形成する、ことも想定している。第二のインターコネクトが、第一のチップを第二のチップに電気的に結合することができる。第二のアンダーフィル部分が、第一のチップに第二のチップを結合させるよう第二のギャップを占有して、第二のインターコネクトの周囲に配置されることができる。さらに、アンダーフィルが接着性組成物である、ことも想定している。
開示対象のシステム及び方法に関するこれらの、そして他の特徴は、以下の好適な実施形態の詳細な説明から図面を参照しながら考察すれば、当業者にはより容易に明らかになる。
本開示が関係する当業者が、余計な実験なしで、開示対象の装置及び方法をどのように製作し、且つ使用するかを容易に理解できるよう、それらの好ましい実施形態を、特定の図を参照しながら、以下の本明細書で詳細に説明する。
本開示に従って製造されたチップ・パッケージの断面側面図であり、一実施形態によるエレクトロニクス材料を表す。 図１のチップ・パッケージの断面側面図であり、一実施形態による、エレクトロニクス材料のマトリックス及び充填剤を表す。 本開示に従って製造された三次元チップ・オン・チップ・パッケージの断面側面図であり、一実施形態に応じて各チップ間に配置された複数のアンダーフィル部分を表す。 チップ及びサブストレートのパッケージング方法のプロセス・フロー図であり、一実施形態による硬化作業を示す。
ここで、図面を参照する。図面内の類似する符号は、開示対象の類似する構造的特徴または態様を表す。限定ではなく、説明及び例解の目的で、本開示に従いアンダーフィルとして利用されるエレクトロニクス材料の模範的な実施形態の部分図を、図１に示す。これには、概して参照符号１００が付与されている。開示に従う複合材の他の実施形態、またはそれらの態様を図２から図４に示し、以下に説明する。本明細書中で説明されるシステム及び方法は、集積回路のパッケージング・アプリケーション、例えば「フリップ・チップ」チップ・オン・サブストレート（ＣｏＳ）及び「チップ・オン・チップ」（ＣｏＣ）（図３を参照）アプリケーションにおけるアンダーフィル材料に利用可能である。
図１は、エレクトロニクス・アセンブリ、例えば、フリップ・チップ・パッケージ１０の断面図である。フリップ・チップ・パッケージ１０は、サブストレート１２、チップ１４、複数の電気的インターコネクト１６及びアンダーフィル１００を含む。サブストレート１０、例えばプリント回路基板は、サブストレート活性面１８、回路２０及び複数のボンディングパッド２２を持つ。ボンディングパッド２２は、サブストレート活性面１８の一部分に配置され、外部回路２０に電気的に接続されている。チップ１４、例えばダイは、チップ活性面２４、内部集積回路２６及び複数のチップ・コンタクト２８を持つ。チップ・コンタクト２６は、チップ活性面２４の一部分上に配置され、内部集積回路２６に電気的に接続されている。
チップ活性面２４が、サブストレート活性面１８に対向してそれからオフセットされることによって、それらの間にギャップ３０が区画形成されている。複数の電気的インターコネクト１６がギャップ３０内に配置され、ギャップを通って、対応するチップ・コンタクト２８及びボンディングパッド２２間に延びている。この構成は、チップ１４の外部デバイスに対して、集積回路２６への電気的アクセスを提供する。アンダーフィル１００も、近隣の電気的インターコネクト１６間のギャップ３０内に、そしてギャップ３０の周辺に配置されている。周縁域は、任意でヒレ部分１０８を含む。
ここで、図２を参照する。これは、電気的インターコネクト１６を含む、フリップ・チップ・パッケージ１０の一部分を示す。電気的インターコネクト１６は、任意で、サブストレート１２への結合のためにチップ１４が『反転される』前にチップ活性面２４上に押し付けられるハンダボールから形成されてもよい。アンダーフィル１００は、マトリックス材料１０２、及び、マトリックス材料内に配置された少なくとも一つの充填剤１０４を含む。任意で、充填剤１０４が第一の充填剤であり、アンダーフィルが第二の充填剤１０６を含んでもよい。模範的な実施形態においては、アンダーフィル１００は、本明細書中で開示されるエキソメチレン誘導体化合物及び適切な充填剤を含むエレクトロニクス材料の反応生成物または硬化生成物から形成されたマトリックス１０２を含む。
典型的に、チップ１４のような集積回路チップは、シリコンなどの、比較的に低い熱膨張率（ＣＴＥ）を持つ材料から製造され、サブストレート１２は、有機材料などの、比較的大きなＣＴＥを持つ材料から製造される。温度変化にさらされると、そのようなミスマッチな材料は、ＸーＹ平面内で異なる率で膨張するため（歪み矢印Ａ及びＢで図示）、ミスマッチがジョイント３２内にストレスを課し、電気的切断が生じる。
凝集複合材においては、ポリマー複合体の性能を改善するのに、高分子マトリックス内に無機粒子を分散させることが有用である、と知られている。加えて、ポリマー複合体の熱膨張率（ＣＴＥ）を修正するのに、シリカ（ＳｉＯ２）などの無機材料を用いることができ、アンダーフィル材料は、典型的に、硬化後のＣＴＥがチップ１０のそれに、より緊密に類似する。このことが、サブストレート活性面１８への膨張率の影響を低減させた。Ｘ−Ｙ平面内の移動が抑制され、ＣＴＥ差異によるストレスが最小となっている。模範的な実施形態は、チップとサブストレートとの間の移動を最小にするために、それらの間に十分な接着性を提供する。
シリカ充填ポリマー複合体の一つの実施例は、超小型電子技術に適用されている従来のアンダーフィル、すなわち接着層である。シリカは、「フリップ・チップ」アセンブリにおいてチップとサブストレートとを結合するのに用いるハンダ材料のＣＴＥにマッチさせるよう、接着性高分子マトリックスのＣＴＥを修正するのに用いられる。アンダーフィル１００は、ジョイント３２などのジョイントにおける熱機械的ストレスを減少させる。アンダーフィルが、摂氏１度につき４０から１５５ｐｐｍ（ｐｐｍ／℃）の範囲で調整可能な、Ｔｇを超えるＣＴＥを持つことを想定している。このことは、フリップ・チップ及び３Ｄパッケージの発熱を許容する充填剤の添加による、アンダーフィル１００の調整を可能としている。以降から分かるように、材料の粘性が、この範囲外のＣＴＥに対して、より多量の充填剤の利用を、潜在的に可能にする。
エポキシ樹脂は、従来のアンダーフィル調合物に一般的に用いられる。しかしながら、エポキシ材料は特別な取り扱い及び保管状態を必要とする。従来のエポキシ樹脂は、また、硬化に熱を必要とする。この熱は、チップとサブストレートとの間で延びるインターコネクト内に、潜在的にストレスを課し、歪みを生じさせる可能性があり、潜在的にチップ・パッケージの信頼性を低減する恐れがある。さらに、３Ｄチップ・パッケージ等のマルチレイヤーＣｏＣデバイスの各層は、一連のエポキシ・アンダーフィルを硬化させるための別個の加熱サイクルを必要とする。この熱暴露履歴は、チップ・パッケージの信頼性を潜在的に低減させる可能性がある。したがって、チップ・パッケージング及びエレクトロニクス材料の改良は、常に探求されている。
図３は、サブストレート１２’、第一のチップ１４’及び第二のチップ１４’を含むチップ・オン・チップ（ＣｏＣ）アセンブリ１０’を表す。アセンブリ１０’は、インターコネクト１６’、１６”を含む。適切なエレクトロニクス材料１０２が、サブストレート１０’と第一のチップ１４’の間、及び／または第一のチップ１４’と第二のチップ１４”の間に配置されている。
図４は、模範的なチップ製造プロセスを示す。模範的な実施形態においては、エレクトロニクス組成物（例えば、アンダーフィル）が、チップとチップ・サブストレートの間に区画形成されたギャップ内に導入される。その後、エレクトロニクス組成物は、硬化エレクトロニクス材料を形成するために硬化処理される。模範的な実施形態における硬化は、周囲温度で生ずる。他の模範的な実施形態においては、硬化は室温で生ずる。他の模範的な実施形態では、エレクトロニクス組成物を硬化させるのに、軽度の加熱条件を適用できる。
本明細書で開示される材料は、広範囲にわたるプラットホームを示す。以下の通り、重要な材料は、メチレン・マロネート・モノマー、メチレン・ベータ・ジケトン・モノマー、メチレン・ベータ・ケトエステル及び多官能モノマーを含み、各々が一つ以上のエキソメチレン反応基を含む。模範的な重合性モノマー材料は、
Figure 0006549038
 を含む。
この場合、選択式中におけるＲ及びＲ’、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６は、Ｃ１−Ｃ１５アルキル、Ｃ２−Ｃ１５アルケニル、ハロ−（Ｃ１−Ｃ１５アルキル）、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル、ハロ−（Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル）、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−（Ｃ１−Ｃ１５アルキル）、アリール−（Ｃ１−Ｃ１５アルキル）、ヘテロアリールまたはヘテロアリール−（Ｃ１−Ｃ１５アルキル）、あるいはアルコキシ−（Ｃ１−１５アルキル）からなるグループから独立的に選択される。任意で、それらの各々は、Ｃ１−Ｃ１５アルキル、ハロ−（Ｃ１−Ｃ１５アルキル）、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル、ハロ−（Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル）、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−（Ｃ１−Ｃ１５アルキル）、アリール、アリール−（Ｃ１−Ｃ１５アルキル）、ヘテロアリール、Ｃ１−Ｃ１５アルコキシ、Ｃ１−Ｃ１５アルキルチオ、ヒドロキシル、ニトロ、アジド、シアノ、アシロキシ、カルボキシ、またはエステルで置換されてもよい。
または、この場合、選択式中、Ｒ及びＲ’、Ｒ１及びＲ２、またはＲ３及びＲ４は、それらが５−７員複素環を形成するように結合される原子と共に採用される。それらは任意で、Ｃ１−Ｃ１５アルキル、ハロ−（Ｃ１−Ｃ１５アルキル）、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル、ハロ−（Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル）、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−（Ｃ１−Ｃ１５アルキル）、アリール、アリール−（Ｃ１−Ｃ１５アルキル）、ヘテロアリール、Ｃ１−Ｃ１５アルコキシ、Ｃ１−Ｃ１５アルキルチオ、ヒドロキシル、ニトロ、アジド、シアノ、アシロキシ、カルボキシまたはエステルによって置換されてもよい。
または、この場合、選択式中、−［Ａ］−は、−（ＣＲＡＲＢ）ｎ−、−（ＣＲＡＲＢ）ｎ−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＨ２）１−１５−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−（ＣＲＡＲＢ）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎ−［ＣＹ］−（ＣＨ２）ｎ、ポリブタジエニル連結基、ポリエチレングリコール連結基、ポリエーテル連結基、ポリウレタン連結基、エポキシ連結基、ポリアクリル連結基、またはポリカーボネート連結基を表す。
この場合、ＲＡまたはＲＢの各例は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ１５アルキル、Ｃ２−Ｃ１５アルケニル、式
Figure 0006549038
 によって表される一部分である。
この場合、−Ｌ−は、アルキレン、アルケニレン、ハロアルキレン、シクロアルキレン、シクロアルキレン、ヘテロシクリレン、ヘテロシクリル・アルキレン、アリール−アルキレン、ヘテロアリーレンまたはヘテロアリール−（アルキレン）、またはアルコキシ−（アルキレン）からなるグループから選択された連結基であり、各々は、任意で、枝分かれさせてもよい。また、各々は任意で、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ハロ・シクロアルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−（アルキル）、アリール、アリール−（アルキル）、ヘテロアリール、Ｃ１−Ｃ１５アルコキシ、Ｃ１−Ｃ１５アルキルチオ、ヒドロキシル、ニトロ、アジド、シアノ、アシロキシ、カルボキシ、エステルによって置換されてもよく、任意で各々は枝分かれさせてもよい。
Ｒ３は、上記Ｒ６において定義されたグループから、独立的に選択される。
また、Ｒ４は、アルキル、アルケニル、ハロアルキル、シクロアルキル、ハロ・シクロアルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−（アルキル）、アリール−（アルキル）、ヘテロアリールまたはヘテロアリール−（アルキル）、あるいはアルコキシ−（アルキル）であり、各々は、任意で枝分かれさせてもよい。各々は、任意で、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ハロ・シクロアルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−（アルキル）、アリール、アリール−（アルキル）、ヘテロアリール、Ｃ１−Ｃ１５アルコキシ、Ｃ１−Ｃ１５アルキルチオ、ヒドロキシル、ニトロ、アジド、シアノ、アシロキシ、カルボキシ、エステルによって置換されてもよく、各々は任意で枝分かれさせてもよい。
−［ＣＹ］−は、アルキル、アルケニル、ハロアルキル、シクロアルキル、ハロ・シクロアルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−（アルキル）、アリール−（アルキル）、ヘテロアリールまたはヘテロアリール−（アルキル）またはアルコキシ−（アルキル）グループを表す。
ｎは、１から２５の整数である。
ｍは、１から２５の整数である。
Ｑの各例は、−Ｏ−または直接接合を表す。
材料のプラットホームは、広範囲にわたるガラス遷移温度（Ｔｇ）を許容する。例えば、硬化処理された材料の特定の実施形態は、５０℃、８０℃、または１００℃を超えるガラス遷移温度（Ｔｇ）を示す。模範的な実施形態においては、材料は、高い耐溶剤性を示す。特定の模範的実施形態においては、材料は、少なくとも約２００℃の分解温度を持つ。
本明細書に開示される重合性モノマー組成物（重合性組成物）は、以下のように、反復単位を持つオリゴマー及びポリマーを形成することができる。
Figure 0006549038
これらの種類の化合物とそれらの関連モノマー及びポリマーに基づく生成物は、エレクトロニクスへの適用、例えばアンダーフィル１００に、また、本明細書中に開示される他の応用にも有用である。
特定のモノマー及びモノマー混合物を、模範的な充填剤との適合性について試験した。結果を以下にまとめる。
適合性テスト：混合モノマーを持つ多様なシリカ・サンプル
目標：サンプルＴＸＤ０２６１４４中の１０重量％のシリカ含有量（ＤＥＭＭモノマー中の最高１０重量％の二官能モノマーを含むモノマー混合物）
Figure 0006549038
追加の適合性テスト：ＤＥＭＭモノマー
Figure 0006549038
メチレン・マロネート・モノマーの改良型合成方法は、メチレン・マロネートの改良型合成方法に関する公開特許出願に開示されている。それらは、ＷＯ２０１２／０５４６１６「不純物を実質的に含まないメチレン・マロネートの合成（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｍａｌｏｎａｔｅｓ Ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ Ｆｒｅｅ ｏｆ Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ）」、及びＷＯ２０１２／０５４６３３「熱伝達剤の存在の下での急速な回復を用いた合成またはメチレン・マロネート（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｒ Ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｍａｌｏｎａｔｅｓ Ｕｓｉｎｇ Ｒａｐｉｄ Ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｉｎ ｔｈｅ Ｐｒｅｓｅｎｃｅ ｏｆ ａ Ｈｅａｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ａｇｅｎｔ）」であり、各文献の全文は参照により本明細書に援用される。それらに開示の合成手順は、これまで達成できなかった高品質メチレン・マロネート及び他の硬化可能な組成物の収率を改善する。他の模範的なモノマーの種類は、本発明の特定の発明者によって達成され、例えば、共に特許出願中のＰＣＴ／ＵＳ１２／０６８３０「多官能モノマー、多官能モノマー製造方法、重合性組成物及びそれから形成される製品（Ｍｕｌｔｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｍｅｔｈｏｄｓ Ｆｏｒ Ｍａｋｉｎｇ Ｍｕｌｔｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｂｌｅ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓ Ａｎｄ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｆｏｒｍｅｄ Ｔｈｅｒｅｆｒｏｍ）」、ＰＣＴ／ＵＳ１２／６０８３７「メチレン・ベータ−ケトエステル・モノマー、メチレン・ベータ−ケトエステル・モノマー製造方法、重合性組成物及びそれから形成される製品（Ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｂｅｔａ−Ｋｅｔｏｅｓｔｅｒ Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｍａｋｉｎｇ Ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｂｅｔａ−Ｋｅｔｏｅｓｔｅｒ Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｂｌｅ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｆｏｒｍｅｄ Ｔｈｅｒｅｆｏｒｍ）」、及びＰＣＴ／ＵＳ１２／６０８４０「メチレン・ベータ−ジケトン・モノマー、メチレン・ベータ−ジケトン・モノマー製造方法、重合性組成物及びそれから形成される製品（Ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｂｅｔａ−Ｄｉｋｅｔｏｎｅ Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｍａｋｉｎｇ Ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｂｅｔａ−Ｄｉｋｅｔｏｎｅ Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｂｌｅ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｆｏｒｍｅｄ Ｔｈｅｒｅｆｒｏｍ）」に開示されている。各々は、本明細書中にその全文が援用される。
これらの組成物は、「アンダーフィルの化学及び物理学（Ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ），Ｄｒ．Ｋｅｎ Ｇｉｌｌｅｏ，ＥＴ−Ｔｒｅｎｄｓ」、「フリップ・チップ・パッケージングのためのアンダーフィル選択（Ｓｅｌｅｃｔｉｎｇ ａｎ ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ ｆｏｒ ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ ｐａｃｋａｇｉｎｇ）Ｄｒ．Ｉｇｎａｔｉｏｕｓ Ｊ．Ｒａｓｉａｈ」及び第１１章「木製複合材、パネル製品、接着積層材、構造用複合木材及び木製・非木製複合材（Ｗｏｏｄ−ｂａｓｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｐａｎｅｌ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，Ｇｌｕｅｄ−Ｌａｍｉｎａｔｅｄ Ｔｉｍｂｅｒ，Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｌｕｍｂｅｒ，ａｎｄ Ｗｏｏｄ−Ｎｏｎｗｏｏｄ Ｃｏｍｐｏｓｔｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）Ｎｉｃｏｌｅ Ｍ．Ｓｔａｒｋ，Ｚｈｉｙｏｎｇ Ｃａｉ，Ｃｈａｒｌｅｓ Ｃａｒｌｌ」で説明するような適用に有用である。各文献は、本明細書中に全文が援用される。
本発明の一つの態様においては、メチレン・マロネート、多官能メチレン・モノマー、メチレン・ベータ・ケトエステル、メチレン・ベータ・ジケトンの少なくとも一つまたはそれらの組合せ、及び少なくとも一つのＣＴＥ改質剤（すなわち充填剤）を含む、硬化可能なマトリックス材料を含むエレクトロニクス材料が提供される。この場合、一つ以上のＣＴＥ改質剤は、エレクトロニクス材料に、硬化後、約３０ｐｐｍ未満／℃のＣＴＥを提供するのに適切な量で存在する。
本発明のもう一つの態様においては、エレクトロニクス・アセンブリ（すなわちチップ及び／またはサブストレート）のためのアンダーフィルが提供される。この場合、アンダーフィルは、メチレン・マロネート、多官能メチレン・モノマー、メチレン・ベータ−ケトエステル、メチレン・ベータ−ジケトンまたはそれらの混合物を硬化させることによって形成された生成物を含む。
本発明のもう一つの態様においては、電子部品とサブストレートを提供することを含むエレクトロニクス・アセンブリ製造方法が提供される。この場合、電子部品とサブストレートとを電気的に結合するために、電子部品及びサブストレートの一方が複数のハンダバンプを持ち、他方が複数の電気的ボンディングパッドを持つ。電子部品とサブストレートとの間にエレクトロニクス組成物を提供し、エレクトロニクス組成物を硬化処理することによってエレクトロニクス材料を形成する。この場合、エレクトロニクス組成物は、メチレン・マロネート・モノマー、多官能メチレン・モノマー、メチレン・ベータ−ケトエステル・モノマー、メチレン・ベータ−ジケトン・モノマーまたはそれらの組合せを含む。
本発明のもう一つの態様においては、電子部品とサブストレートとの間のエレクトロニクス材料で、サブストレートに電気的に結合された電子部品を含むエレクトロニクス・アセンブリが提供される。この場合、エレクトロニクス材料は、メチレン・マロネート・モノマー、多官能メチレン・モノマー、メチレン・ベータ−ケトエステル・モノマー、メチレン・ベータ−ジケトン・モノマーまたはそれらの組合せを含む硬化可能なエレクトロニクス組成物を硬化させることによって形成された生成物を含む。
本明細書中で開示される模範的な実施形態は、エレクトロニクス材料として使用するための硬化可能な組成物、樹脂、または調合物を含み、（ａ）エキソメチレン官能性を含む硬化可能なマトリックス材料、及び（ｂ）少なくとも一つの充填剤、例えばＣＴＥ改質剤を含む。模範的な実施形態においては、硬化可能なマトリックス材料は、適切なイニシエータまたはアクチベータへの暴露によって、アニオン重合に修正可能である。したがって、塩基または化学的に塩基性を示す材料を、硬化イニシエータまたはアクチベータとして利用してもよい。
模範的な実施形態においては、本明細書で開示の反応性マトリックス材料に適切なイニシエータが、サブストレート内に、または、チップ構築処理中に反応性マトリックス材料が接触するいずれの部品内に統合されてもよい、と想定できる。
他の模範的な実施形態においては、イニシエータは、熱、ＵＶ照射または他の発動メカニズムで活性化されるまで、「不活性状態」または非反応状態でエレクトロニクス材料に含まれてもよい。本明細書中で用いる「不活性状態」は、賦活イベント、例えば、熱、放射、化学的または物理的変化が生ずるまで、イニシエータが、一時的な非反応形態にあってもよく、もしくは、カプセル化されていてもよいこと、または他の様式で硬化を開始できる状態から隔離されていてもよいことを意味する。例えば、イニシエータは、ワックスでカプセル化してもよい。
模範的な実施形態においては、エレクトロニクス材料は、室温で低粘性、均質あるいは非均質の、液体であってもよい。固体、粒子材料、例えば充填剤を、未硬化あるいは硬化ポリマーの物理的性質に多様な修正を加えるために、エレクトロニクス材料内に統合させてもよい。例えば、アンダーフィルと電子部品との間のＣＴＥ差を最小にするために、ＣＴＥ改質剤を含ませる。すなわち、適切な高分子マトリックス材料のＣＴＥと比較して、ＣＴＥを修正する。所望の化学的及び物理的性質を得るために、他のオプション材料を含ませてもよい。
模範的な実施形態においては、特定のエレクトロニクス適用のために、充填剤は、第一の部品と第二の部品との間に電気接続が確立可能な電導性物質を含んでもよい。
もう一つの模範的な実施形態においては、特定のエレクトロニクス適用のために、充填剤は熱抵抗物質を含んでもよい。
したがって、本明細書で開示されるエレクトロニクス材料は、所望の適用要件を満たすよう、充填剤の使用を通して、調製されてもよい。
模範的な実施形態においては、エレクトロニクス材料は、高圧、真空補助、または高温への加熱の適用なしで、小さなギャップを満たすことができる。しかしながら、必ずしもそのような処置が除外されるわけではない。これは、潜在的に、連続したアンダーフィル体の製造を可能にする。すなわち、サブストレートとチップとの間に空隙がない状態になる。このことは、潜在的に、チップとサブストレートとの間に、小さなインターコネクト構造の微細なピッチ・アレイを収めることを可能にする。
本明細書で開示される模範的な実施形態は、重合可能なモノマー、エキソメチレン誘導体化合物を含む硬化可能なエレクトロニクス材料、エキソメチレン誘導体化合物を含む部分的に硬化した組成物、及びエキソメチレン誘導体化合物を含む硬化アンダーフィルを含む。例えば、模範的な実施形態は、エレクトロニクス・アセンブリ内に利用される薄膜の形態でもよい、部分的に硬化された組成物を含み、その後、完全に硬化される。
本明細書で開示される模範的な実施形態は、また、エレクトロニクス組成物を提供し、そのような組成物を硬化させてエレクトロニクス材料を提供することを含む、電子部品の組み立て方法も含む。エレクトロニクス材料は、部品に電流が流れた結果として、一つのチップ・パッケージ部品の熱膨張を、もう一つの部品の熱膨張に、より密接に従うよう制限する接着性エレクトロニクス用材料であってもよい。このことは、潜在的に、部品間に延びる電気的インターコネクトによって形成されたジョイントへのストレスを軽減し、歪みを阻止することができる。アンダーフィルは、さらに、チップ・パッケージから熱を移動させるよう機能することができる。アンダーフィルは、例えば、側面熱コンジットを提供することによって、チップ・パッケージから熱を移送できる。
種々の電子部品をいろいろなサブストレートに付加するために、模範的な調合物が用いられてもよい。適切な電子部品は、ダイ、コンデンサ、レジスタなどを含むが、これらに限定されるものではない。さらに、ＭＥＭＳデバイスをサブストレート及び／またはチップに接着して連結させるのにアンダーフィルが使用できる、と考えられる。本明細書中で用いる用語「ダイ」は、多様なプロセスによって所望の集積回路デバイスに変形されるワークピースを意味する。ダイは、通常、半導体、非半導体またはそれらの組合せから製造可能なウェーハーから切り離される。適切なサブストレートは、プリント回路基板及びフレキシブル回路を含むが、これに限定されるものではない。本明細書で開示される方法によって調製されるエレクトロニクス・アセンブリは、サブストレートに結合されたパッケージも含む。「パッケージ」は、薄い回路基板上に配置されてカプセル化された集積回路に言及する。パッケージは、典型的に基板の底に、サブストレートとの電気的インターコネクトを形成するのに使用されるハンダボールを含む。
電子部品及びサブストレートの一方が複数のハンダバンプを持ち、他方が複数の電気的ボンディングパッドを持つ。本明細書中で用いる用語「ハンダバンプ」は、ハンダバンプ、ハンダボール、ピン及び、銅ピラーなどのピラーを含む。ハンダバンプは、ボールグリッドアレイ及びピングリッドアレイを含む。ハンダバンプは、スズ、スズ・鉛、スズ・ビスマス、スズ・銀、スズ・銀・銅、スズ・インジウム及び銅などの適切なハンダ材料から構成されてもよいが、これに限定されるものではない。特に有用なハンダバンプは、スズ、スズ・鉛、スズ・銀及びスズ・銀・銅から構成されたものである。スズ合金ハンダバンプは、典型的に共融混合物である。例えば、適切なスズ・銀ハンダバンプは、９６．５％のスズと３．５％の銀の組成物である。ハンダバンプは、ペーストまたは電気メッキなどの従来の手段によって付着させてもよい。合金からなるハンダバンプは、例えば、Ｓｎ−Ａｇハンダバンプを電気メッキすることによって、直接合金として付着させてもよい。または順次に、スズなどの第一の金属を付着させ、そして第一の金属の上に銀などの第二の金属を付着させ、その後、金属を再流動化させることによって、合金を形成してもよい。適切な電気的ボンディングパッドは、適切なパッドでもよく、サブストレートまたは電子部品の表面と同一平面であってもよい。あるいは電子部品のサブストレートの表面であってもよい。適切なボンディングパッドは、銅、銀、金または他の適切な金属でもよい。
使用の際、ハンダバンプ及びボンディングパッドには、良いハンダ付け適性を保証するためにフラックスが用いられる。当業者の判断で、適切なフラックスが使用される。電子部品及びサブストレートは、ハンダバンプとボンディングパッドとの位置が合うよう配置される。それから、アセンブリを加熱してハンダを再流動化させ、電子部品とサブストレートとを電気的に結合する（つまり、ハンダ付けする）。特定のハンダ・リフロー温度は、ハンダバンプの組成に依存し、当業者には既知である。
電子部品がサブストレートにハンダ付けされた後、電子部品とサブストレートとの間にエレクトロニクス材料が流入される。エレクトロニクス材料は、ハンダ接合部の周囲にも流れる。エレクトロニクス材料は、最終適用状態に応じて、多数の方法によって適用できる。例えば、典型的な適用方法は、アンダーフィル適用のための計量分配を行うシリンジまたはカートリッジを含む。
エレクトロニクス材料が電子部品とサブストレートとの間のスペースを満たしたら、その後、エレクトロニクス材料を硬化させる。模範的な実施形態においては、硬化は、周囲温度で開始される。他の模範的な実施形態においては、エレクトロニクス材料は、組成物を硬化させるのに十分な所定時間、予め定めた温度で硬化させてもよい。特定の硬化状態は、組成物に特有なものである。模範的な実施形態においては、エレクトロニクス材料は５分未満で硬化する。他の模範的な実施形態においては、硬化時間は、所望の「オープンな」時間すなわち作業時間が得られるよう調整されてもよい。
模範的なエレクトロニクス材料は、より良い部品信頼性性能を得るために、硬化されるシステムの熱機械的性質を改善する充填剤を含む。例えば、電子部品及びサブストレートのＣＴＥをより良くマッチさせるために、硬化後のアンダーフィルのモジュラスを増加させ、また、接着剤（硬化アンダーフィル）のＣＴＥを減少させるよう、ＣＴＥ改質剤が利用されてもよい。模範的な充填剤は、限定せずに、溶融シリカ、天然シリカ、合成シリカ、天然アルミニウム酸化物、合成アルミニウム酸化物、ホロー充填剤、アルミニウム三水酸化物、アルミニウム水酸化酸化物、ホウ素、シリコン・カーバイド、マイカ、アルミニウム粉、酸化亜鉛、銀、グラファイト、アルミニウム窒化物、ムライト、金、カーボン、カーボンナノチューブ、グラフェン、グラスファイバーもしくはシート、カーボン・ファイバーまたは他の有機もしくは無機粒子充填剤を含み、それらの最終状態で調合物に加えられる、あるいは途中状態で形成される。シリカは、溶解、天然または合成であっても、好ましい充填剤である。任意で、充填剤とモノマー及び／またはポリマーの相互作用を改善するために、充填剤の表面が処理されてもよい。充填剤は、概して、ナノから従来のミクロのサイズ範囲に渡ってもよい。
充填剤は、限定せずに、例えば、小板状、繊維状、球状、針状、アモルファスまたはそれらの組合せの許容形状を持ってもよい。熱膨張率、モジュラス、電気及び／または熱伝導率に相乗的影響をもたらすよう、異なるサイズ及び異なる形状の充填剤を併用してもよい。
本明細書で説明される組成物は、チップ（ダイ）が、個別の集積回路としてパッケージされるのではなく、それの最終回路基板上に直接載置されて電気的に相互接続される適用に適切である。
本開示の方法及びシステムは、前述し図面に示したように、チップ・パッケージに対して優れた性質、例えばインターコネクトへのストレスの減少及び室温硬化状態を提供する。開示対象の装置及び方法を好適実施形態に関して図示し説明したが、開示対象の精神及び範囲から逸脱することなく変更及び／または修正が可能であることは、当業者に容易に明らかである。

Claims (15)

  1. 複数の電気的インターコネクトを含む電子部品と、
    複数の電気的ボンディングパッドを含むサブストレートと、
    電子部品とサブストレートとの間に配置される第一の組成物と、
    を含むエレクトロニクス・アセンブリであって、
    第一の組成物が、メチレン・マロネート・モノマー、メチレン・ベータ・ケトエステル・モノマー、及びメチレン・ベータ・ジケトン・モノマーから成る群から選択される１つ以上のモノマーから形成されるオリゴマー又はポリマーと、充填剤とを含み、
    各々の電気的インターコネクトが、複数の電気的ボンディングパッドの１つに、それぞれ電気的に結合している、エレクトロニクス・アセンブリ。
  2. 第一の組成物が３０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張率を有する、請求項１に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  3. 第一の組成物が電子部品と等しい熱膨張率を有する、請求項１又は２に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  4. 第一の組成物が電気的に絶縁されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  5. 第一の組成物が、電子部品への接着性アンダーフィルである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  6. 充填剤が導電性充填剤及びＣＴＥ充填剤（coefficient of thermal expansion filler）の１つ以上を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  7. ＣＴＥ充填剤が、溶融シリカ、天然シリカ、合成シリカ、天然酸化アルミニウム、合成酸化アルミニウム、中空充填剤、三水酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、ホウ素、シリコン・カーバイド、マイカ、アルミニウム粉、酸化亜鉛、銀、グラファイト、窒化アルミニウム、ムライト、金、カーボン、カーボンナノチューブ、グラフェン、グラスファイバー及びカーボン・ファイバーの１つ以上を含む、請求項６に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  8. 第一の組成物が、硬化前に室温で液体である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  9. 第一の組成物が、熱、放射、又は化学的開始剤の１つ以上で硬化する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  10. 電子部品及びサブストレートの少なくとも１つが、第一の組成物を硬化するよう設定された開始剤を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  11. 第一の組成物が、周囲温度にて、硬化時間５分以下で硬化する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  12. 電子部品が集積回路チップである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  13. サブストレートがプリント基板を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  14. 集積回路チップが第一のチップであり、第二の複数の電気的ボンディングパッドをさらに含み；
    エレクトロニクス・アセンブリが、第二の複数の電気的インターコネクトを含む第二の集積回路チップと、第一のチップと第二の集積回路チップとの間に配置された第二の組成物とをさらに含み；
    各々の第二の複数の電気的インターコネクトが、第二の複数の電気的ボンディングパッドの１つに、それぞれ電気的に結合している、請求項１３に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
  15. 第一の組成物と第二の組成物が同一である、請求項１４に記載のエレクトロニクス・アセンブリ。
JP2015545432A 2012-11-30 2013-11-27 エレクトロニクス適用のための複合組成物 Expired - Fee Related JP6549038B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261731850P 2012-11-30 2012-11-30
US61/731,850 2012-11-30
PCT/US2013/072203 WO2014085570A1 (en) 2012-11-30 2013-11-27 Composite compositions for electronics applications

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019116984A Division JP6854851B2 (ja) 2012-11-30 2019-06-25 エレクトロニクス適用のための複合組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016506072A JP2016506072A (ja) 2016-02-25
JP6549038B2 true JP6549038B2 (ja) 2019-07-24

Family

ID=50828450

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015545432A Expired - Fee Related JP6549038B2 (ja) 2012-11-30 2013-11-27 エレクトロニクス適用のための複合組成物
JP2019116984A Active JP6854851B2 (ja) 2012-11-30 2019-06-25 エレクトロニクス適用のための複合組成物

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019116984A Active JP6854851B2 (ja) 2012-11-30 2019-06-25 エレクトロニクス適用のための複合組成物

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10607910B2 (ja)
EP (2) EP2926368B1 (ja)
JP (2) JP6549038B2 (ja)
CN (1) CN105164797B (ja)
WO (1) WO2014085570A1 (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10414839B2 (en) 2010-10-20 2019-09-17 Sirrus, Inc. Polymers including a methylene beta-ketoester and products formed therefrom
US9279022B1 (en) 2014-09-08 2016-03-08 Sirrus, Inc. Solution polymers including one or more 1,1-disubstituted alkene compounds, solution polymerization methods, and polymer compositions
WO2013059479A2 (en) 2011-10-19 2013-04-25 Bioformix Inc. Methylene beta-diketone monomers, methods for making methylene beta-diketone monomers, polymerizable compositions and products formed therefrom
US9828324B2 (en) 2010-10-20 2017-11-28 Sirrus, Inc. Methylene beta-diketone monomers, methods for making methylene beta-diketone monomers, polymerizable compositions and products formed therefrom
US9249265B1 (en) 2014-09-08 2016-02-02 Sirrus, Inc. Emulsion polymers including one or more 1,1-disubstituted alkene compounds, emulsion methods, and polymer compositions
CA2869112A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Bioformix Inc. Composite and laminate articles and polymerizable systems for producing the same
EP2831185B1 (en) 2012-03-30 2019-09-25 Sirrus, Inc. Ink and coating formulations and polymerizable systems for producing the same
US10047192B2 (en) 2012-06-01 2018-08-14 Sirrus, Inc. Optical material and articles formed therefrom
EP2920231B1 (en) 2012-11-16 2020-05-06 Sirrus, Inc. Plastics bonding systems and methods
CN105164797B (zh) 2012-11-30 2019-04-19 瑟拉斯公司 用于电子应用的复合组合物
WO2014110388A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Bioformix Inc. Method to obtain methylene malonate via bis(hydroxymethyl) malonate pathway
US9315597B2 (en) 2014-09-08 2016-04-19 Sirrus, Inc. Compositions containing 1,1-disubstituted alkene compounds for preparing polymers having enhanced glass transition temperatures
US9416091B1 (en) 2015-02-04 2016-08-16 Sirrus, Inc. Catalytic transesterification of ester compounds with groups reactive under transesterification conditions
US10501400B2 (en) 2015-02-04 2019-12-10 Sirrus, Inc. Heterogeneous catalytic transesterification of ester compounds with groups reactive under transesterification conditions
US9334430B1 (en) 2015-05-29 2016-05-10 Sirrus, Inc. Encapsulated polymerization initiators, polymerization systems and methods using the same
US9217098B1 (en) 2015-06-01 2015-12-22 Sirrus, Inc. Electroinitiated polymerization of compositions having a 1,1-disubstituted alkene compound
CN108475670B (zh) * 2016-04-05 2022-05-03 琳得科株式会社 三维集成层叠电路制造用片及三维集成层叠电路的制造方法
US9518001B1 (en) 2016-05-13 2016-12-13 Sirrus, Inc. High purity 1,1-dicarbonyl substituted-1-alkenes and methods for their preparation
US9617377B1 (en) * 2016-06-03 2017-04-11 Sirrus, Inc. Polyester macromers containing 1,1-dicarbonyl-substituted 1 alkenes
US9567475B1 (en) 2016-06-03 2017-02-14 Sirrus, Inc. Coatings containing polyester macromers containing 1,1-dicarbonyl-substituted 1 alkenes
US10196481B2 (en) 2016-06-03 2019-02-05 Sirrus, Inc. Polymer and other compounds functionalized with terminal 1,1-disubstituted alkene monomer(s) and methods thereof
US10428177B2 (en) 2016-06-03 2019-10-01 Sirrus, Inc. Water absorbing or water soluble polymers, intermediate compounds, and methods thereof
DE102016218338A1 (de) 2016-09-23 2018-03-29 Siemens Healthcare Gmbh Röntgendetektor mit wärmeleitfähiger Zwischenschicht
CN113249041B (zh) * 2017-05-18 2023-08-15 纳美仕有限公司 树脂组合物
JP6427848B1 (ja) * 2017-10-17 2018-11-28 ナミックス株式会社 樹脂組成物
JPWO2019088102A1 (ja) 2017-10-31 2020-12-03 ナミックス株式会社 樹脂組成物
JP6402381B1 (ja) * 2017-12-07 2018-10-10 ナミックス株式会社 樹脂組成物
JP7343912B2 (ja) 2018-10-05 2023-09-13 ナミックス株式会社 樹脂組成物
US12146014B2 (en) 2018-10-09 2024-11-19 Namics Corporation Curing agent composition for curing 2-methylene-1,3-dicarbonyl compound
US11374148B2 (en) * 2019-06-11 2022-06-28 Facebook Technologies, Llc Dielectric-dielectric and metallization bonding via plasma activation and laser-induced heating
US11267062B2 (en) * 2020-06-02 2022-03-08 Dell Products L.P. System and method for compensating for thermal expansion caused by soldering process
GB202010228D0 (en) * 2020-07-03 2020-08-19 Sumitomo Chemical Co Thermally conductive material for electronic devices
CN117774482B (zh) * 2023-12-15 2024-05-17 江苏耀鸿电子有限公司 一种高速低损耗碳氢覆铜板及其制备方法

Family Cites Families (290)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB432628A (en) 1933-12-23 1935-07-23 John David Kendall Improvements in or relating to the production of compounds containing an ethylenic linkage, or a polymethine chain
US2277479A (en) 1938-08-13 1942-03-24 Gen Electric Acetoacetic ester-formaldehyde resins
US2245567A (en) 1939-06-23 1941-06-17 Eastman Kodak Co Manufacture of unsaturated ketones
US2212506A (en) 1939-08-15 1940-08-27 Eastman Kodak Co Preparation of methylene dialkyl malonates
US2313501A (en) 1939-08-15 1943-03-09 Eastman Kodak Co Process for preparing methylene dialkyl malonates
US2403791A (en) 1939-11-16 1946-07-09 Gen Electric Interpolymers of a methylene malonic ester and an unsaturated alkyd resin
US2330033A (en) 1939-11-16 1943-09-21 Gen Electric Method of preparing methylene malonic esters
US2569767A (en) 1946-05-27 1951-10-02 L D Caulk Company Dental material and method
US2726204A (en) 1949-04-14 1955-12-06 Monsanto Chemicals Polymerization process
US2730457A (en) 1953-06-30 1956-01-10 Ncr Co Pressure responsive record materials
US3042710A (en) 1960-10-03 1962-07-03 Borden Co Ethenoid carbonyl compounds
DE1569968B1 (de) 1960-10-19 1969-11-06 Eastman Kodak Co Verwendung von hochgereinigten monomeren Estern der Methylenmalonsaeure als autopolymerisierbare Klebstoffe
US3197318A (en) 1960-11-07 1965-07-27 Borden Co 2-methylenemalonic acid ester contact adhesive compositions
GB965767A (en) 1960-11-17 1964-08-06 Hoyt Harrison Todd Method of fusing materials to metal surfaces
FR1290837A (fr) 1960-12-23 1962-04-20 Air Liquide Nouveaux polymères anthraquinoniques réducto-oxydables, leurs procédés de préparation et leur application à la fabrication de l'eau oxygénée
US3140276A (en) 1961-07-11 1964-07-07 Exxon Research Engineering Co Continuous electrolytic polymerization process
GB975733A (en) 1961-12-18 1964-11-18 Ici Ltd Process for preventing haze formation in fermented beverages
US3203915A (en) 1962-07-02 1965-08-31 Dal Mon Research Co Oxygen convertible polymeric compositions
US3221745A (en) 1962-09-12 1965-12-07 Eastman Kodak Co Method of bonding body tissue together using methylenemalonic acid esters
US3427250A (en) 1963-03-25 1969-02-11 Polaroid Corp Microscopic capsules and process for their preparation
US3385777A (en) 1964-12-30 1968-05-28 Shell Oil Co Electrochemical deposition of organic films
US3489663A (en) 1965-10-19 1970-01-13 Owens Illinois Inc Electrolytic polymerization
US3557185A (en) 1967-03-06 1971-01-19 Toa Gosei Chem Ind Stabilized alpha-cyanoacrylate adhesive compositions
US4105688A (en) 1968-05-09 1978-08-08 Lonza, Ltd. Process for the production of malonic acid dinitrile and purification thereof
US3595869A (en) 1968-05-15 1971-07-27 Merck & Co Inc Process for preparing a diastereomer of an optically active ester or amide of (cis-1,2-epoxypropyl)-phosphonic acid
US3591676A (en) 1968-11-01 1971-07-06 Eastman Kodak Co Surgical adhesive compositions
DE2027502C3 (de) 1970-05-29 1980-06-19 Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen Verfahren zur Herstellung von Cyanacrylsäureestern
US3677989A (en) 1970-06-16 1972-07-18 Union Carbide Corp Ethylene/acrylic acid copolymer emulsions
DE2042610C3 (de) 1970-08-27 1979-03-15 Wacker-Chemie Gmbh, 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung von Methylenmalonester
JPS4923808B1 (ja) 1970-12-21 1974-06-18
US3940362A (en) 1972-05-25 1976-02-24 Johnson & Johnson Cross-linked cyanoacrylate adhesive compositions
US3975422A (en) 1972-11-21 1976-08-17 Johnson & Johnson Preparation of bis (2-cyanoacrylate)monomers
US3923836A (en) 1973-07-18 1975-12-02 Smithkline Corp Chroman and chromene compounds
US3973438A (en) 1973-08-21 1976-08-10 Westinghouse Electric Corporation Composition for forming thermo-particulating coating which protects electrical apparatus
US4079058A (en) 1973-08-29 1978-03-14 Dynamit Nobel Ag Process of performing cyclization reactions using benzyl or pyridylamino malonic acid derivatives
CH582655A5 (ja) 1973-10-18 1976-12-15 Lonza Ag
US3945891A (en) 1974-06-20 1976-03-23 Fmc Corporation Distillation process for purification of triaryl phosphate esters
US3966562A (en) 1974-07-31 1976-06-29 Agency Of Industrial Science & Technology Multi-stage flash distillation plant
US4018656A (en) 1974-09-03 1977-04-19 Bechtel International Corporation Thermal softening and distillation by regenerative method
US4004984A (en) 1975-02-07 1977-01-25 Aktiebolaget Atomenergi Distillation plant
US4148693A (en) 1975-02-26 1979-04-10 Williamson William R Horizontal cylindrical distillation apparatus
US3978422A (en) 1975-02-28 1976-08-31 Alpha Engineering Corporation Broadband automatic gain control amplifier
US4046943A (en) 1975-04-15 1977-09-06 Westinghouse Electric Corporation Malonic acid derivative composition for forming thermoparticulating coating
US3995489A (en) 1975-04-15 1976-12-07 Westinghouse Electric Corporation Malonic acid derivative composition for forming thermoparticulating coating
US4001345A (en) 1975-06-02 1977-01-04 Ppg Industries, Inc. Distillation of methylchloroform
SU614742A3 (ru) 1975-06-02 1978-07-05 Динамит Нобель Аг (Фирма) Способ получени с - с диалкиловых эфиров малоновой кислоты
US4036985A (en) 1975-07-16 1977-07-19 Jose Amato Mono substituted malonic acid diamides and process of preparing them
US4083751A (en) 1975-08-11 1978-04-11 Occidental Petroleum Corporation Continuous feed pyrolysis chamber for decomposing solid waste
DE2647452A1 (de) 1975-11-07 1977-05-18 Ciba Geigy Ag Neue hydroxybenzylmalonsaeure-derivate
US4319964A (en) 1976-04-28 1982-03-16 Jerome Katz Apparatus for high volume distillation of liquids
US4282067A (en) 1976-04-28 1981-08-04 Jerome Katz Apparatus for high volume distillation of liquids
US4186058A (en) 1976-04-28 1980-01-29 Fogel S J Method and apparatus for high volume distillation of liquids
US4186060A (en) 1976-04-28 1980-01-29 Fogel S J Method and apparatus for high volume distillation of liquids
US4035243A (en) 1976-04-28 1977-07-12 Jerome Katz Method and apparatus for high volume distillation of liquids
US4154914A (en) 1976-05-01 1979-05-15 Toyo Seal Kogyo Kabushiki Kaisha (Toyo Seal Industries Co., Ltd.) Process for producing acrylic rubber by copolymerizing acrylic ester and malonic acid derivative having active methylene group
US4229263A (en) 1976-06-11 1980-10-21 Phillips Petroleum Company Recovery of methyl heptafluorobutyrate from methanol by distillation
US4236975A (en) 1976-06-11 1980-12-02 Phillips Petroleum Company Recovery of methyl heptafluorobutyrate from water by distillation
US4224112A (en) 1976-06-11 1980-09-23 Phillips Petroleum Company Recovery of 1,1-dihydroheptafluorobutanol from water by distillation
US4080238A (en) 1976-07-14 1978-03-21 Pratt & Lambert, Inc. One-liquid cold setting adhesive with encapsulated catalyst initiator
US4049698A (en) 1976-08-05 1977-09-20 Eastman Kodak Company Process for producing methylene malonic esters
US4118422A (en) 1976-08-23 1978-10-03 Texaco Development Corp. Polyols from 2,3-morpholinediones
US4056543A (en) 1976-09-07 1977-11-01 Eastman Kodak Company Process of preparing substituted acrylates
US4160864A (en) 1976-09-07 1979-07-10 Eastman Kodak Company Adhesive compositions comprising methyl allyl methylenemalonate
US4282071A (en) 1977-04-25 1981-08-04 The Dow Chemical Company Anhydrous separation of volatile aluminum chloride complex from an ethylbenzene production stream by distillation
EP0002260B1 (de) 1977-12-02 1982-07-14 Ciba-Geigy Ag Malonsäurederivate von sterisch gehinderten Piperidinen, Verfahren zu ihrer Herstellung und mit ihnen stabilisiertes organisches Material
US4176012A (en) 1978-01-10 1979-11-27 Bryant Jeffrey J Adjacent loop distillation
US4243493A (en) 1978-02-03 1981-01-06 Mannesmannrohren-Werke A.G. Process for transportation and distillation of petroleum with methanol
US4256908A (en) 1978-07-03 1981-03-17 Ube Industries, Ltd. Process for preparing diesters of malonic acid
US4483951A (en) 1979-06-06 1984-11-20 The Standard Products Company Radiation curable adhesive compositions and composite structures
JPS5946382B2 (ja) 1979-07-20 1984-11-12 富士写真フイルム株式会社 カラ−拡散転写法写真要素
JPS5647471A (en) 1979-09-28 1981-04-30 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Instantaneous adhesive composition
JPS5667383A (en) 1979-11-08 1981-06-06 Mitsui Petrochem Ind Ltd Thixotropic agent
JPS5681537A (en) 1979-12-06 1981-07-03 Denki Kagaku Kogyo Kk Purification of methylenemalonic diester
US4440601A (en) 1980-01-28 1984-04-03 Jerome Katz Method and apparatus for high volume fractional distillation of liquids
US4291171A (en) 1980-08-20 1981-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Esters of 2-fluoro-2,2-dinitroethylmalonate and 2,2-dinitropropylmalonate
DE3105718A1 (de) 1981-02-17 1982-09-02 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Fuer lebensmittel, insbesondere wurstwaren, geeignete rauchdurchlaessige schlauchhuelle mit einer klebenaht und verfahren zu ihrer herstellung
US4329479A (en) 1981-04-07 1982-05-11 Nihon Nohyaku Co., Ltd. Process for producing 1,3-dithiol-2-ylidene malonic acid dialkyl esters
US4450067A (en) 1981-04-30 1984-05-22 Mobil Oil Corporation Distillation-induced extraction process
US4897473A (en) 1981-05-01 1990-01-30 Union Carbide Chemicals And Plastics Company Inc. Homologation of carbonyloxy containing compounds
US4444928A (en) 1981-08-14 1984-04-24 Ciba-Geigy Corporation Polymeric malonic acid derivatives
JPS5867647A (ja) 1981-10-15 1983-04-22 Ube Ind Ltd マロン酸ジエステルの製造法
US4440910A (en) 1982-01-18 1984-04-03 Loctite Corporation Toughened cyanoacrylates containing elastomeric rubbers
JPS597193A (ja) 1982-07-02 1984-01-14 Shionogi & Co Ltd マロニルメチル基の異性化方法
EP0103233B1 (en) 1982-08-31 1987-11-25 Daikin Kogyo Co., Ltd. A method to trap the enolate ion of the malonic acid or its derivatives
US4411740A (en) 1982-09-20 1983-10-25 Dow Corning Corporation Separation of chlorosilanes by extractive distillation
DE3241512A1 (de) 1982-11-10 1984-05-10 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Substituierte malonsaeurediamide, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als schaedlingsbekaempfungsmittel
FR2540739A1 (fr) 1983-02-11 1984-08-17 Elf France Dispositif et installations pour la distillation par evaporation en couches minces, en particulier pour hydrocarbures, et procede de mise en oeuvre de ce dispositif
US4517105A (en) 1983-03-07 1985-05-14 Aluminum Company Of America Metalworking lubricant composition containing a novel substituted malonic acid diester
AT379602B (de) 1983-07-11 1986-02-10 Vianova Kunstharz Ag Verfahren zur herstellung von vernetzungskomponenten fuer lackbindemittel
US4767503A (en) 1983-08-29 1988-08-30 Allied Corporation Removal of light impurities from caprolactam by distillation with water
US4728701A (en) 1983-09-19 1988-03-01 Jarvis Marvin A Process for the polymerization of acrylates
US4560723A (en) 1983-11-14 1985-12-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Cyanoacrylate adhesive composition having sustained toughness
AT380008B (de) 1983-12-23 1986-03-25 Chemie Linz Ag Verfahren zur herstellung von mono- oder biscarbonylverbindungen
DE3400401A1 (de) 1984-01-07 1985-08-22 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Substituierte malonsaeurederivate, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als schaedlingsbekaempfungsmittel
US4720543A (en) 1985-06-06 1988-01-19 Georgetown University 1a-7-substituted derivatives of mitomycin and uses thereof
US4727801A (en) 1985-09-05 1988-03-01 Nippon Light Metal Company Limited Defrosting cabinet
US4613658A (en) 1985-10-15 1986-09-23 University Of Southern Mississippi Vinyl monomers capable of forming side-chain liquid crystalline polymers and the resulting polymers
US4724053A (en) 1985-12-20 1988-02-09 Polaroid Corporation, Patent Dept. Method for the electropolymerization of conductive polymers
US5292937A (en) 1986-03-31 1994-03-08 Rhone-Poulenc Inc. Use of malonic acid derivative compounds for retarding plant growth
US4783242A (en) 1986-05-22 1988-11-08 The Dow Chemical Company Distillation system and process
IT1196500B (it) 1986-07-16 1988-11-16 Eniricerche Spa Derivati dell'acido malonico e metodi per la loro sintesi
JPS6342135A (ja) 1986-08-08 1988-02-23 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法
JPS63159385A (ja) 1986-08-29 1988-07-02 Nippon Nohyaku Co Ltd マロン酸誘導体及びその製法並びにその用途
US5446195A (en) 1986-09-02 1995-08-29 West Point Pepperell Water-soluble active methylenes as formaldehyde scavengers
HU197574B (en) 1986-10-09 1989-04-28 Chinoin Gyogyszer Es Vegyeszet Process for production of derivatives of 3,7-dihydro-3-methil-7-//1,2,4-oxadiasole/-3-il/alkylenil/-1h-purin-2,6-dion and medical compositions containing these substances
US4736056A (en) 1986-12-15 1988-04-05 Smith Oliver W Process for the production of malonic acid derivative compounds
FR2611705B1 (fr) 1987-03-05 1989-07-13 Union Pharma Scient Appl Procede de preparation de monesters ou diesters de l'acide endoethano-9, 10 dihydro-9, 10 anthracene bicarboxylique-11, 11, nouveaux monesters ou diesters ainsi prepares et utilisation de ceux-ci pour la preparation de methylenemalonates symetriques ou asymetriques
US4828882A (en) 1987-03-16 1989-05-09 Canadian Patents & Developments Limited Particle encapsulation technique
DE3733552A1 (de) 1987-10-03 1989-04-13 Herberts Gmbh Kathodisch abscheidbares waessriges elektrotauchlack-ueberzugsmittel und dessen verwendung
US5021486A (en) 1989-03-21 1991-06-04 Ciba-Geigy Corporation Hindered amine-substituted malonic acid derivatives of s-triazine
JPH02281013A (ja) 1989-04-24 1990-11-16 Cemedine Co Ltd ジケトン化合物系共重合体
DE3934190A1 (de) 1989-10-13 1991-04-18 Basf Ag Malonsaeurefarbstoffe und deren polykondensationsprodukte
DE4009621A1 (de) 1990-03-26 1991-10-02 Henkel Kgaa (alpha) -cyanacrylatklebstoffzusammensetzungen
US5284987A (en) 1990-06-15 1994-02-08 Amoco Corporation Preparation of a dimethyltetralin in a distillation reactor
US5227027A (en) 1990-08-23 1993-07-13 Topper Robert T High efficiency water distillation apparatus using a heat pump system and process for use thereof
US5064507A (en) 1990-09-27 1991-11-12 Allied-Signal Inc. Distillation process for recovery of high purity phenol
MX9200216A (es) 1991-01-21 1992-08-01 Lonza Ag Procedimiento para la preparacion de anhidrido de acido malonico.
DE4114733A1 (de) 1991-05-06 1992-11-12 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur herstellung von substituierten malonesteraniliden und malonsaeure-monoaniliden
JPH0517723A (ja) 1991-07-10 1993-01-26 Three Bond Co Ltd 接着剤組成物
US5259835A (en) 1991-08-29 1993-11-09 Tri-Point Medical L.P. Wound closure means and method using flowable adhesive
US5391624A (en) 1992-02-10 1995-02-21 S. C. Johnson & Son, Inc. Thermosettable compositions
US5328687A (en) 1993-03-31 1994-07-12 Tri-Point Medical L.P. Biocompatible monomer and polymer compositions
US5624669A (en) 1993-03-31 1997-04-29 Tri-Point Medical Corporation Method of hemostatic sealing of blood vessels and internal organs
US5567761A (en) 1993-05-10 1996-10-22 Guertin Bros. Coatings And Sealants Ltd. Aqueous two-part isocyanate-free curable, polyurethane resin systems
KR970010594B1 (ko) 1993-10-16 1997-06-28 한국과학기술연구원 말론산 유도체의 백금착화합물 및 그 제조방법
AU672337B2 (en) 1993-10-27 1996-09-26 Nippon Paint Co., Ltd. Curable resin composition for coating uses
EP0671409A3 (de) 1994-03-11 1996-06-12 Hoechst Ag Malonsäurederivate mit antiadhäsiven Eigenschaften.
DE4408248A1 (de) 1994-03-11 1995-09-14 Hoechst Ag Physiologisch verträgliche und physiologisch abbaubare Kohlenhydrat-Mimetika, ein Verfahren zur Herstellung und ihre Verwendung
ES2135073T3 (es) 1994-06-06 1999-10-16 Henkel Kgaa Procedimiento para la obtencion de biscianoacrilatos.
CA2193968A1 (en) 1994-06-28 1996-01-11 Jeffrey G. Clark Ph-modified biocompatible monomer and polymer compositions
US5550172A (en) 1995-02-07 1996-08-27 Ethicon, Inc. Utilization of biocompatible adhesive/sealant materials for securing surgical devices
DE19508049C2 (de) 1995-02-23 1997-02-06 Schering Ag Verwendung von Methylenmalondiesterderivaten zur Herstellung von gasenthaltenden Mikropartikeln
JPH08231564A (ja) 1995-02-28 1996-09-10 Nippon Shokubai Co Ltd リン酸エステルおよびその製造方法並びにリン酸エステル重合体
US5928611A (en) 1995-06-07 1999-07-27 Closure Medical Corporation Impregnated applicator tip
DE19541213A1 (de) 1995-11-04 1997-05-07 Rwe Dea Ag Verfahren zur chemischen Umsetzung von Stoffen in einer Reaktionskolonne
JPH09258448A (ja) 1996-03-19 1997-10-03 Fujitsu Ltd レジスト組成物及びそれを用いた半導体装置製造方法
EP0808822B1 (en) 1996-05-22 2001-10-04 Nippon Paint Co., Ltd. Method for preparing malonate group-containing acrylate monomers
DE19623142A1 (de) 1996-06-10 1997-12-11 Huels Chemische Werke Ag Enantiomerenangereicherte, durch einen tertiären Kohlenwasserstoffrest substituierte Malonsäuremonoester sowie deren Herstellung
DE19629372A1 (de) 1996-07-20 1998-01-22 Degussa Verfahren zur Herstellung von Malonsäure oder einem Salz derselben
FR2755136B1 (fr) 1996-10-25 1999-01-22 Virsol Procede de preparation de nanoparticules de methylidene malonate, nanoparticules contenant eventuellement une ou plusieurs molecules biologiquement actives et compositions pharmaceutiques les contenant
DE19704449A1 (de) 1997-02-06 1998-08-13 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von Malonsäure und Alkylmalonsäuren
US6238896B1 (en) 1997-02-20 2001-05-29 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Process for producing malonic acid derivatives
DE19711762A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von Bishydroxymethylverbindungen
DE19724074C2 (de) 1997-06-07 2000-01-13 Metallgesellschaft Ag Verfahren zur Hochtemperatur-Kurzzeit-Destillation von Rückstandsölen
WO1999001420A1 (en) 1997-07-03 1999-01-14 Taito Co., Ltd. Process for the preparation of 2-aminomalonic acid derivatives and intermediates used in the process
AU8502798A (en) * 1997-07-21 1999-02-10 Aguila Technologies, Inc. Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof
BR9704357A (pt) 1997-08-13 1999-05-11 Trikem Sa Processo para produção de acido malônico e de ésteres de acido malônico
US6353268B1 (en) 1997-08-22 2002-03-05 Micron Technology, Inc. Semiconductor die attachment method and apparatus
FR2774096B1 (fr) 1998-01-29 2000-04-07 Virsol Nouveaux copolymeres tensioactifs a base de methylidene malonate
US6291703B1 (en) 1998-02-09 2001-09-18 Ciba Specialty Chemicals Corporation Preparation of substituted hydroxyhydrocinnamate esters by continuous transesterification using reactive distillation
WO1999046619A1 (en) 1998-03-09 1999-09-16 Corning Incorporated Optical waveguide having non absorbing cladding region
FR2778100B1 (fr) 1998-04-29 2001-05-04 Virsol Nouvelles microspheres a base de poly(methylidene malonate), leur procede de preparation et compositions pharmaceutiques les contenant
CN1299293A (zh) 1998-04-30 2001-06-13 科乐医药有限公司 具有聚合试剂和/或生物活性物质的黏合剂涂药器
US6512023B1 (en) * 1998-06-18 2003-01-28 Closure Medical Corporation Stabilized monomer adhesive compositions
JP2000019936A (ja) 1998-07-06 2000-01-21 Central Glass Co Ltd ホログラムの作製方法およびその装置
US6057402A (en) * 1998-08-12 2000-05-02 Johnson Matthey, Inc. Long and short-chain cycloaliphatic epoxy resins with cyanate ester
US6632518B1 (en) 1998-10-14 2003-10-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluoropolymer film structures and laminates produced therefrom
CN1156505C (zh) 1998-12-07 2004-07-07 拜尔公司 含有分散的反应性或二次交联聚氨酯的水性聚氨酯分散体的凝聚方法和用该方法制备的产品及其用途
WO2000040571A1 (en) 1999-01-02 2000-07-13 Aventis Pharma Deutschland Gmbh Novel malonic acid derivatives, processes for their preparation, their use and pharmaceutical compositions containing them (inhibition of factor xa activity)
FR2788516B1 (fr) 1999-01-14 2001-04-06 Virsol Procede de preparation de polymere de methylidene malonate
FR2789314B1 (fr) 1999-02-09 2001-04-27 Virsol Materiau de suture de plaies a base de methylidene malonate
US6197482B1 (en) * 1999-05-14 2001-03-06 Eastman Kodak Company Polymer overcoat for imaging elements
IL146775A0 (en) 1999-05-27 2002-07-25 Tno Method for the purification of a liquid by membrane distillation, in particular for the production of desalinated water from seawater or brackish water or process water
US6210474B1 (en) 1999-06-04 2001-04-03 Eastman Kodak Company Process for preparing an ink jet ink
US6448337B1 (en) 1999-10-07 2002-09-10 3M Innovative Properties Company Pressure sensitive adhesives possessing high load bearing capability
US6225038B1 (en) 1999-11-04 2001-05-01 Eastman Kodak Company Thermally processable imaging element
US6245933B1 (en) 1999-11-19 2001-06-12 Closure Medical Corporation Transesterification method for making cyanoacrylates
DE19959587B4 (de) 1999-12-10 2006-08-24 Lurgi Lentjes Ag Verfahren zur schonenden Kurzzeit-Destillation von Rückstandsölen
US6183593B1 (en) * 1999-12-23 2001-02-06 Closure Medical Corporation 1,1-disubstituted ethylene adhesive compositions containing polydimethylsiloxane
AUPQ540200A0 (en) 2000-02-02 2000-02-24 Aquadyne Incorporated Water distillation systems
US6541656B2 (en) 2000-02-10 2003-04-01 Nippon Shokubai Company, Ltd. Process for producing α, β-unsaturated carboxylic acid esters and catalyst for use in such process
EP1254105A1 (de) 2000-02-10 2002-11-06 Lonza AG Verfahren zur herstellung von alkoxymalonsäuredinitrilen
EP1127884A1 (en) 2000-02-26 2001-08-29 Aventis Pharma Deutschland GmbH Novel malonic acid derivatives, processes for their preparation, their use as inhibitor of factor XA activity and pharmaceutical compositions containing them
JP2001302758A (ja) * 2000-04-20 2001-10-31 Hitachi Ltd 熱硬化性樹脂組成物、それを用いた半導体装置及び多層配線基板
WO2001098439A2 (en) 2000-06-22 2001-12-27 The Lubrizol Corporation Acylating agents and dispersants for lubricating oil and fuels
FR2812551B1 (fr) 2000-08-07 2003-03-28 Virsol Forme pharmaceutique comprenant un materiau support a base de methylidene malonate et un facteur de regulation cellulaire
ES2233544T3 (es) 2000-10-17 2005-06-16 Societe De Technologie Michelin Procedimiento de preparacion de un elastomero dienico por polimerizacion anionica.
US6545097B2 (en) 2000-12-12 2003-04-08 Scimed Life Systems, Inc. Drug delivery compositions and medical devices containing block copolymer
JP4803885B2 (ja) 2001-02-01 2011-10-26 サンメディカル株式会社 歯科用接着性金属色遮蔽材セット及びその使用方法
US20020151629A1 (en) 2001-02-08 2002-10-17 Buffkin Halbert C. Protective coating
US7450290B2 (en) 2001-06-25 2008-11-11 University Of Washington Electropolymerization of enhanced electrochromic (EC) polymer film
JP3976663B2 (ja) 2001-11-01 2007-09-19 横浜ゴム株式会社 １液湿気硬化型ウレタン樹脂組成物
US6896838B2 (en) 2001-11-21 2005-05-24 Closure Medical Corporation Halogenated polymeric containers for 1, 1-disubstituted monomer compositions
US6767980B2 (en) 2002-04-19 2004-07-27 Nippon Shokubai Co., Ltd. Reactive diluent and curable resin composition
US6794515B2 (en) 2002-05-15 2004-09-21 Genzyme Corporation Synthesis of 2-alkylcysteine via substituted thiazoline amide
US7629416B2 (en) 2002-08-12 2009-12-08 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Plasticized polyolefin compositions
US6800274B2 (en) 2002-09-17 2004-10-05 The C.P. Hall Company Photostabilizers, UV absorbers, and methods of photostabilizing a sunscreen composition
WO2004035540A1 (ja) 2002-10-18 2004-04-29 Meiji Seika Kaisha, Ltd. マロン酸モノエステルおよびその製造方法
US7056540B2 (en) 2002-10-29 2006-06-06 Council Of Scientific And Industrial Research Enzymatic process for the preparation of optically active alcohols from ketones using tuberous root Daucus carota
US6826341B2 (en) 2002-11-04 2004-11-30 Fitel Usa Corp. Systems and methods for reducing splice loss in optical fibers
JP3959364B2 (ja) * 2003-04-01 2007-08-15 サンスター技研株式会社 半導体の実装方法および該方法に用いる樹脂封止材料
EP1475367B1 (de) 2003-05-08 2010-07-07 Bayer MaterialScience AG Verfahren zur Destillation eines Gemisches isomerer Diisocyanatodiphenylmethane
US6767857B1 (en) 2003-05-29 2004-07-27 Fina Technology, Inc. Process for forming a Ziegler-Natta catalyst system having a controlled morphology
GB0317268D0 (en) 2003-07-23 2003-08-27 Viral Asa A Compounds
WO2005012427A1 (ja) 2003-08-04 2005-02-10 Zeon Corporation 重合性組成物及びそれを用いてなる成形体
JP2005101125A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置、回路基板並びに電子機器
US7226957B1 (en) 2003-11-03 2007-06-05 University Of Iowa Research Foundation Method for producing polymers with controlled molecular weight and end group functionality using photopolymerization in microemulsions
JP2005170803A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Daicel Chem Ind Ltd 新規なマロン酸モノメチル誘導体とその製造法
US20050228074A1 (en) 2004-04-05 2005-10-13 Bridgestone Corporation Amphiphilic polymer micelles and use thereof
US7170188B2 (en) 2004-06-30 2007-01-30 Intel Corporation Package stress management
CA2574113C (en) 2004-07-23 2014-02-18 Anna Lee Tonkovich Distillation process using microchannel technology
US7305850B2 (en) 2004-07-23 2007-12-11 Velocys, Inc. Distillation process using microchannel technology
US9598527B2 (en) 2004-09-01 2017-03-21 Ppg Industries Ohio, Inc. Polyurethanes, articles and coatings prepared therefrom and methods of making the same
US8119214B2 (en) 2004-09-01 2012-02-21 Appleton Papers Inc Encapsulated cure systems
US7371804B2 (en) 2004-09-07 2008-05-13 Ophthonix, Inc. Monomers and polymers for optical elements
US8075906B2 (en) 2005-02-01 2011-12-13 Boston Scientific Scimed, Inc. Medical devices having polymeric regions with copolymers containing hydrocarbon and heteroatom-containing monomeric species
US7645854B2 (en) 2005-03-04 2010-01-12 Central Michigan University Board Of Trustees Conjugate addition products of primary amines and activated acceptors
US7504460B2 (en) * 2005-03-07 2009-03-17 Delphi Technologies, Inc. Composition of aromatic or cycloaliphatic amine-derived polyepoxide and polyamine
JP4375564B2 (ja) * 2005-03-17 2009-12-02 日本電気株式会社 封止樹脂組成物、封止樹脂組成物で封止された電子部品装置及び半導体素子のリペア方法
US7603889B2 (en) 2005-04-01 2009-10-20 MEAS France System for monitoring and controlling unit operations that include distillation
WO2007018736A2 (en) 2005-07-22 2007-02-15 Appleton Papers Inc. Encapsulated structural adhesive
US7919543B2 (en) 2005-08-16 2011-04-05 Electronics For Imaging, Inc. Inkjet inks, methods for applying inkjet ink, and articles printed with inkjet inks
DE602006012593D1 (de) 2005-08-24 2010-04-15 Nippon Catalytic Chem Ind Durch Radiation vernetzbare Zusammensetzungen und daraus hergestelte vernetzte Produkte
US7771567B2 (en) 2005-09-02 2010-08-10 Rives Michael L Salt water distillation system
US20070092483A1 (en) 2005-10-21 2007-04-26 Pollock Polymer Group Surgical adhesive compostion and process for enhanced tissue closure and healing
US8113895B2 (en) 2005-12-16 2012-02-14 Yoshihiro Watanabe Article such as surfboard and production method thereof
JP4881044B2 (ja) * 2006-03-16 2012-02-22 株式会社東芝 積層型半導体装置の製造方法
WO2007120630A2 (en) 2006-04-10 2007-10-25 Abm Associates Llc Activated anaerobic adhesive and use thereof
US7659423B1 (en) 2006-04-18 2010-02-09 Loctite (R&D) Limited Method of preparing electron deficient olefins in polar solvents
WO2007139116A1 (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha クロス共重合体の製造方法、得られるクロス共重合体、及びその用途
EP2452962B1 (en) 2006-08-16 2017-03-22 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Block copolymer or hydrogenated product thereof
FR2907131B1 (fr) 2006-10-12 2008-11-21 Commissariat Energie Atomique Procede de formation de films organiques sur des surfaces conductrices ou semi-conductrices de l'electricite a partir de solutions aqueuses en deux etapes
EP1927477B1 (en) 2006-11-30 2009-03-18 FUJIFILM Corporation Ink composition for inkjet-recording and method for inkjet-recording
JP2010514172A (ja) * 2006-12-22 2010-04-30 パルス・エムイーエムエス・アンパルトセルスカブ 低い熱膨張係数を有するアンダーフィル剤を用いるマイクロフォン組立品
JP2008174494A (ja) 2007-01-19 2008-07-31 Nippon Shokubai Co Ltd メチレンマロン酸組成物およびその安定化方法
JP2008189776A (ja) 2007-02-02 2008-08-21 Fujifilm Corp 活性放射線硬化型重合性組成物、インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法、及び平版印刷版
US8110251B2 (en) 2007-02-06 2012-02-07 Glumetrics, Inc. Method for polymerizing a monomer solution within a cavity to generate a smooth polymer surface
JP5243072B2 (ja) 2007-03-30 2013-07-24 富士フイルム株式会社 インク組成物、並びに、それを用いた画像記録方法及び画像記録物
US8168213B2 (en) 2007-05-15 2012-05-01 Boston Scientific Scimed, Inc. Medical devices having coating with improved adhesion
JP2009084432A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Nippon Shokubai Co Ltd 硬化性組成物
US7742670B2 (en) 2007-10-01 2010-06-22 Corning Cable Systems Llc Index-matching gel for nanostructure optical fibers and mechanical splice assembly and connector using same
CN102083784A (zh) 2007-10-24 2011-06-01 洛克泰特(R&D)有限公司 缺电子烯烃和由其制备的可固化组合物
KR20090064862A (ko) 2007-12-17 2009-06-22 광주과학기술원 피리딘을 기능성 그룹으로 함유한 스티렌 유도체의 음이온중합 방법
JP2010010368A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8138610B2 (en) * 2008-02-08 2012-03-20 Qimonda Ag Multi-chip package with interconnected stacked chips
US8344156B2 (en) 2008-03-18 2013-01-01 Mitsui Chemicals Agro, Inc. Method for producing fluorine-containing acylacetic acid derivative, method for producing fluorine-containing pyrazolecarboxylic acid ester derivative, and method for producing fluorine-containing pyrazolecarboxylic acid derivative
KR101215459B1 (ko) 2008-03-27 2012-12-26 도쿄 프린팅 잉크 엠에프지. 캄파니 리미티드 에칭 레지스트용 잉크젯 잉크 조성물
US8318060B2 (en) 2008-07-22 2012-11-27 University Of New Hampshire Microencapsulation of amines
GB2463065B (en) 2008-09-01 2012-11-07 Loctite R & D Ltd Transferable curable non-liquid film on a release substrate
EP2324071B2 (en) 2008-09-10 2022-05-04 Dow Global Technologies LLC Improved process for bonding reactive adhesives to substrates
EP2344207B1 (en) 2008-09-22 2013-12-25 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Implantable or insertable medical devices
US8993795B2 (en) 2009-05-07 2015-03-31 Optmed Inc Methylidene malonate process
US8106234B2 (en) 2009-05-07 2012-01-31 OptMed, Inc Methylidene malonate process
US7829738B1 (en) 2009-05-19 2010-11-09 Nalco Company Production of N,N-dialklylaminoethyl (meth)acrylates
SG176270A1 (en) 2009-05-29 2012-01-30 Jx Nippon Oil & Energy Corp Isobutylene-based polymer and method for producing same
JP5671302B2 (ja) 2009-11-10 2015-02-18 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
EP2325876A3 (en) * 2009-11-23 2016-04-20 DOW Global Technologies Epoxy resin formulations for underfill applications
JPWO2011070739A1 (ja) * 2009-12-07 2013-04-22 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、その硬化体及び半導体装置
JP2011122005A (ja) 2009-12-08 2011-06-23 Sony Corp 反射防止フィルム及びその製造方法、並びに紫外線硬化性樹脂材料組成物塗液
EP3195858B1 (en) 2010-04-03 2019-08-07 Praful Doshi Medical devices including medicaments and methods of making and using same
EP2585422B1 (en) 2010-06-23 2018-01-10 Total Research & Technology Feluy Dehydration of alcohols on poisoned acidic catalysts
JP5607486B2 (ja) 2010-10-08 2014-10-15 サーモディクス，インコーポレイティド 開始剤基を有する水溶性コーティング剤およびコーティング方法
WO2013059479A2 (en) 2011-10-19 2013-04-25 Bioformix Inc. Methylene beta-diketone monomers, methods for making methylene beta-diketone monomers, polymerizable compositions and products formed therefrom
CN105949358A (zh) 2010-10-20 2016-09-21 瑟拉斯公司 基本不含杂质的亚甲基丙二酸酯的合成
US9505943B2 (en) 2010-12-20 2016-11-29 Dsm Ip Assets B.V. Aqueous bio-renewable vinyl polymer composition
KR101336775B1 (ko) 2011-05-26 2013-12-04 대흥화학공업주식회사 디메틸 2-메틸렌말로네이트를 이용한 순간접착제 조성물
EP2532694B1 (de) 2011-06-08 2014-05-07 Sika Technology AG Bonding system comprising an adhesive or sealant and an adhesion promoter
CN102901754A (zh) 2011-07-27 2013-01-30 中国科学院电子学研究所 基于电聚合分子印迹技术的双参数复合微传感器及制备法
WO2013113035A1 (en) 2012-01-28 2013-08-01 Optmed, Inc. Improved methylidene malonate process
CN104411668B (zh) 2012-01-28 2016-12-07 Opt迈德有限公司 1,1‑二取代的乙烯化合物的纯化
US9181365B2 (en) 2012-03-30 2015-11-10 Sirrus, Inc. Methods for activating polymerizable compositions, polymerizable systems, and products formed thereby
EP2831185B1 (en) 2012-03-30 2019-09-25 Sirrus, Inc. Ink and coating formulations and polymerizable systems for producing the same
CA2869112A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Bioformix Inc. Composite and laminate articles and polymerizable systems for producing the same
US10047192B2 (en) 2012-06-01 2018-08-14 Sirrus, Inc. Optical material and articles formed therefrom
EP2909364B1 (en) 2012-10-19 2019-09-25 The Colorado State University Research Foundation Electropolymerization of a coating onto an electrode material
EP2920231B1 (en) 2012-11-16 2020-05-06 Sirrus, Inc. Plastics bonding systems and methods
CN105164797B (zh) 2012-11-30 2019-04-19 瑟拉斯公司 用于电子应用的复合组合物
WO2014110388A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Bioformix Inc. Method to obtain methylene malonate via bis(hydroxymethyl) malonate pathway
CN104995166A (zh) 2013-01-29 2015-10-21 Opt迈德有限公司 改进的1,1-二取代的乙烯方法
US10501400B2 (en) 2015-02-04 2019-12-10 Sirrus, Inc. Heterogeneous catalytic transesterification of ester compounds with groups reactive under transesterification conditions
US9334430B1 (en) 2015-05-29 2016-05-10 Sirrus, Inc. Encapsulated polymerization initiators, polymerization systems and methods using the same
US9217098B1 (en) 2015-06-01 2015-12-22 Sirrus, Inc. Electroinitiated polymerization of compositions having a 1,1-disubstituted alkene compound
DE102017204525A1 (de) 2016-03-23 2017-09-28 Basf Se Verbundfolienlaminate für flexible Verpackungen
EP3445830A1 (en) 2016-04-21 2019-02-27 Zephyros Inc. Malonates and derivatives for in-situ films
US20180010014A1 (en) 2016-07-11 2018-01-11 Zephyros, Inc. Compositions for adhesive applications
CN109642098B (zh) 2016-07-26 2022-02-11 Ppg工业俄亥俄公司 包含1,1-二活化的乙烯基化合物的可电沉积的涂料组合物
WO2018022810A1 (en) 2016-07-26 2018-02-01 Ppg Industries Ohio, Inc. Curable compositions containing 1,1-di-activated vinyl compounds and related coatings and processes
EP3491057B1 (en) 2016-07-26 2022-11-09 PPG Industries Ohio, Inc. Particles having surfaces functionalized with 1,1-di-activated vinyl compounds
CN109641237B (zh) 2016-07-26 2021-11-30 Ppg工业俄亥俄公司 含有1,1-二-活化的乙烯基化合物的酸催化的可固化涂料组合物和相关的涂料和方法
WO2018022785A1 (en) 2016-07-26 2018-02-01 Ppg Industries Ohio, Inc. Three-dimensional printing processes using 1,1-di-activated vinyl compounds
US11078376B2 (en) 2016-07-26 2021-08-03 Ppg Industries Ohio, Inc. Polyurethane coating compositions containing 1,1-di-activated vinyl compounds and related coatings and processes
ES2932659T3 (es) 2016-07-26 2023-01-23 Ppg Ind Ohio Inc Composiciones curables multicapa que contienen productos de compuestos vinílicos 1,1-diactivados y procesos relacionados
WO2018053503A1 (en) 2016-09-19 2018-03-22 Zephyros, Inc. Malonate and cyanoacrylate adhesives for joining dissimilar materials
US11999866B2 (en) 2016-09-19 2024-06-04 Zephyros, Inc. Polymalonate and cyanoacrylate based surface concrete sealers
JP2019537527A (ja) 2016-11-09 2019-12-26 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ポリウレタン−ビニルハイブリッドポリマー、それらの製造方法およびそれらの使用
KR101963009B1 (ko) 2016-12-15 2019-03-27 한화토탈 주식회사 에틸렌 올리고머화 방법
KR101853569B1 (ko) 2016-12-15 2018-04-30 한화토탈 주식회사 에틸렌 올리고머화 반응용 촉매계 및 이를 이용한 에틸렌 올리고머화 방법
CN113249041B (zh) 2017-05-18 2023-08-15 纳美仕有限公司 树脂组合物
US20190100662A1 (en) 2017-09-29 2019-04-04 Ppg Industries Ohio, Inc. Intumescent coating compositions containing expansion agents and related coatings and methods
JP6427848B1 (ja) 2017-10-17 2018-11-28 ナミックス株式会社 樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016506072A (ja) 2016-02-25
EP3712928A1 (en) 2020-09-23
WO2014085570A1 (en) 2014-06-05
CN105164797A (zh) 2015-12-16
JP2019195079A (ja) 2019-11-07
EP2926368B1 (en) 2020-04-08
US10607910B2 (en) 2020-03-31
US20150303122A1 (en) 2015-10-22
US20200219781A1 (en) 2020-07-09
EP2926368A4 (en) 2016-08-03
EP2926368A1 (en) 2015-10-07
JP6854851B2 (ja) 2021-04-07
CN105164797B (zh) 2019-04-19
US10978365B2 (en) 2021-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6549038B2 (ja) エレクトロニクス適用のための複合組成物
JP7056775B2 (ja) 緩衝シート用組成物及び緩衝シート
CN107771354B (zh) 工程聚合物类电子材料
JP4402717B2 (ja) 導電性粒子を用いたフリップチップ実装方法およびバンプ形成方法
CN1257541C (zh) 形成倒装芯片式半导体封装的方法
JP5958529B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
WO2006030674A1 (ja) フリップチップ実装方法及びフリップチップ実装体
JP5915727B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN101138078A (zh) 金属粒子分散组合物以及使用了它的倒装片安装方法及隆起焊盘形成方法
JP2019509620A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201137023A (en) Curable resin compositions useful as underfill sealants for low-k dielectric-containing semiconductor devices
EP3051580B1 (en) Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using said underfill material
TWI807135B (zh) 半導體用膜狀接著劑、半導體裝置及其製造方法
JP7183702B2 (ja) 半導体用フィルム状接着剤、半導体用フィルム状接着剤の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR101900602B1 (ko) 열경화성 수지 조성물 및 전자 부품 탑재 기판
CN112566997A (zh) 黏合剂组合物及半导体装置的制造方法
JP2020065063A (ja) 先供給型アンダーフィル材、先供給型アンダーフィル材の硬化物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
CN1831075A (zh) 包含苯并噁嗪的助熔不流动底层填料组合物
JP6582744B2 (ja) 電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
JP5135287B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
TW201936865A (zh) 半導體用接著劑及使用其的半導體裝置的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150730

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170804

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170822

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20171116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180626

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190528

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190626

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6549038

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees