[go: up one dir, main page]

JP6483099B2 - チャージポンプの電力を低減する装置 - Google Patents

チャージポンプの電力を低減する装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6483099B2
JP6483099B2 JP2016520047A JP2016520047A JP6483099B2 JP 6483099 B2 JP6483099 B2 JP 6483099B2 JP 2016520047 A JP2016520047 A JP 2016520047A JP 2016520047 A JP2016520047 A JP 2016520047A JP 6483099 B2 JP6483099 B2 JP 6483099B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
output
bias
sequential
charge pump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016520047A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017500763A (ja
Inventor
ゴルトマン,ゲナディ
ファン,ヨーンピーン
シェン,クワン−ユエー
Original Assignee
インテル コーポレイション
インテル コーポレイション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by インテル コーポレイション, インテル コーポレイション filed Critical インテル コーポレイション
Publication of JP2017500763A publication Critical patent/JP2017500763A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6483099B2 publication Critical patent/JP6483099B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/0802Details of the phase-locked loop the loop being adapted for reducing power consumption
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/089Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/089Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses
    • H03L7/0891Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses the up-down pulses controlling source and sink current generators, e.g. a charge pump
    • H03L7/0895Details of the current generators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/093Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal using special filtering or amplification characteristics in the loop

Landscapes

  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

位相ロックループ(PLL;Phase Locked Loop)に基づくRF(radio-frequency)発振器(例えば、シンセサイザ)及びクロック発生器は、ラップトップ、タブレット、スマートフォンなどのような、如何なるバッテリ(又は非バッテリ)駆動の計算及び通信デバイスの基本構成要素でもある。通常、そのようなデバイスが低電力モードに入るとき、それらのデバイスのPLLは動作し続け、そして電力を消費し続ける。PLLを動作し続ける理由の1つは、PLLがオフされる場合に、長いPLLロック時間(標準的に、250μsである。)に起因してデバイスのウェイクアップ時間が増大するためである。PLLがオフされ得ず、チップ内のPLLの数が増大しつつある(例えば、マルチコアチップにおいて10以上のPLL)ことを考えると、電力消費は無視され得ない。
本開示の実施形態は、以下で与えられている詳細な説明から、及び本開示の様々な実施形態の添付の図面から、より完全に理解されるであろう。なお、それらは、本開示を具体的な実施形態に制限すると見なされるべきではなく、説明及び理解のために過ぎない。
チャージポンプ及びバイアス生成器を備えた位相ロックループ(PLL)を表す。
本開示の一実施形態に従って、チャージポンプの電力を低減するために位相周波数検出器(PFD)の出力に従って無効にするよう動作可能なバイアス生成器を備えたPLLを表す。
本開示の一実施形態に従って、チャージポンプのバイアス生成器を有効又は無効にするよう動作可能なPFDを表す。
本開示の一実施形態に従って、図3のPFDの信号のタイミング図を表す。
本開示の他の実施形態に従って、チャージポンプのバイアス生成器を有効又は無効にするよう動作可能なPFDを表す。
本開示の一実施形態に従って、図5のPFDの信号のタイミング図を表す。
本開示の一実施形態に従って、バイアス生成器及びチャージポンプを備えた回路を表す。
本開示の一実施形態に従って、チャージポンプのバイアス生成器を有効又は無効にするよう動作可能なPFDを備えたスマートデバイス又はコンピュータシステム又はSoC(system-on-chip)である。
図1は、位相周波数検出器(PFD;Phase Frequency Detector)101、バイアス生成器102、チャージポンプ103、ループフィルタ104、電圧制御発振器(VCO;Voltage Controlled Oscillator)105、及びフィードバック分割器106を有する位相ロックループ(PLL)100を表す。PFD101は、基準クロック(RefClk)の位相及び周波数をフィードバッククロック(FbClk)のそれらと比較し、アップ(Up)及びダウン(Down)信号(又はパルス)を生成する。アップ及びダウン信号は、FbClkがRefClkに対して加速又は減速される必要があるのかどうかを示す。
チャージポンプ103は、制御電圧の電圧レベルを調整するために、電流をキャパシタC2(及びC1)に供給するか又はキャパシタC2(及びC1)から汲み上げる電流源を有する。チャージポンプ103の2つのポンプ(又は電流源)は、ポンプアップ及びポンプダウンとされる。チャージポンプ103及びバイアス生成器102は、DC電流で動作するアナログ回路であることから、相当量の電力を消費する(例えば、PLL電力の最大約70%)。ここで、“バイアス”電圧は、ポンプアップ及びポンプダウンのためにバイアス生成器102によって供給される。バイアス生成器102は、バイアスにおける如何なるノイズにもフィルタをかけるようバイアスフィルタリングキャパシタを更に使用してよい。チャージポンプ103の幾つかの実施形態では、バイアス生成器102は2つの異なるバイアス電圧を供給してよい。1つのポンプアップ用であり、もう1つはポンプダウン用である。チャージポンプ103の幾つかの実施形態では、バイアス生成器102は基準電流を供給してよい。
アップ及びダウン信号は、“制御電圧”と称されるノードでの電流をポンプアップ又はポンプダウンするようチャージポンプ103に指示するパルスである。ここで、信号及びノードの名称は同義的に使用される。例えば、“バイアス”は、文脈に応じてバイアスノード又はバイアス信号を示すために使用される。アップパルスがハイであるとき、チャージポンプ103は、電流をキャパシタC2(及びC1)に供給する。ダウンパルスがハイであるとき、チャージポンプ103は、電流をキャパシタC2(及びC1)からシンクする。
ループフィルタ104は、PLL100の制御ループに安定性を提供する。それはRC(resistor-capacitor)ネットワークを含む。この例では、ループフィルタ104は、直列にキャパシタC1へ結合された抵抗Rと、キャパシタC2とを有する。制御電圧は、VCO105の発振周波数を制御するために使用される。VCO105の出力は、下流ロジックによって使用される出力クロック(OutClk)である。OutClkは、フィードバック分割器106によっても受け取られる。フィードバック分割器106は、FbClkを生成するようOutClkの周波数を分割する。
バイアス生成器102は、通常は、2つ以上の閉ループシステムを含み得る複雑な回路である。例えば、1つの閉ループシステムは、アップ及びダウン電流源の電流を安定させバランスをとるためのものであり、もう1つの閉ループシステムは、ループフィルタ104への寄生電荷注入を除去するためのものである。バイアス生成器102は、特に、PLL100がペリフェラル・コンポーネント・インターネット・エクスプレス(PCIe;Peripheral Component Interface Express)、ユニバーサル・シリアル・バス3(USB3:Universal Serial Bus 3)のような高速インターフェイス用のクロックを生成している場合に、通常は、PLL100内の主たる電力要因の1つである。
本来なら、PLL100は、ロックされると、ロックした状態のままである。この状態において、制御電圧はほぼ一定となり、PFD101は非常に短い同時のアップ及びダウンパルスを生成する。ロック状態におけるそれらのアップ及びダウンパルスの存続期間は、通常は、RefClkの周期存続期間の約1%であり、最小パルス幅(例えば、50〜90ps)及び定常位相誤差(例えば、最大10ps)を含む。この場合に、全体の時間の約99%の間、バイアス生成器102は、チャージポンプ103のためのバイアス電圧を生成するための一定の電力を消費するが、チャージポンプ103は、制御電圧ノードとの間で電流をやり取りする必要がないので、バイアス電圧を使用しない。
実施形態は、チャージポンプ電流がPLL100によって必要とされない場合にバイアス生成器102をオフする方法及び装置を提供することによって、PLL電力を大いに低減する。実施形態において、PFD101、バイアス生成器102、及びチャージポンプ103は、バイアス生成器102が必要とされるときにオンされ、必要とされないときにオフされるように、設計される。
実施形態はPLLを参照して記載されるが、それらは、RefClkが他のクロックと比較されている如何なる閉ループシステムにも適用可能である。例えば、実施形態は、遅延ロックループ(DLL;delay locked loop)にも適用可能である。
以下の記載で、多数の詳細は、本開示の実施形態のより完全な説明を提供するために議論される。しかし、当業者に明らかなように、本開示の実施形態は、それらの具体的な詳細によらずに実施されてよい。他の事例では、よく知られている構造及びデバイスは、本開示の実施形態を不明りょうにしないように、詳細にではなくブロック図形式で示される。
実施形態の対応する図面において、信号は線により表されている点に留意されたい。幾つかの線は、より要素たる信号経路を示すよう、より太く、且つ/あるいは、主たる情報フロー方向を示すよう、1つ以上の端部で矢印を有してよい。そのような表示は、制限的であるよう意図されない。むしろ、線は、回路又は論理ユニットのより容易な理解を助けるよう、1つ以上の例となる実施形態に関して使用される。如何なる表されている信号も、設計ニーズ又は好みによって決定づけられるように、いずれか一方の方向において移動し得る1つ以上の信号を実際に有してよく、如何なる適切なタイプの信号スキームによっても実施されてよい。
明細書の全体を通して、そして特許請求の範囲において、語「接続される(connected)」は、如何なる中間デバイスもなしで接続されているモノどうしの間の直接的な電気接続を意味する。語「結合される(coupled)」は、接続されているモノどうしの間の直接的な電気接続、又は1つ以上の受動的又は能動的中間デバイスを通じた間接的な接続のいずれかを意味する。語「回路(circuit)」は、所望の機能を提供するために互いと協働するよう構成されている1つ以上の受動的及び/又は能動的な部品を意味する。語「信号(signal)」は、少なくとも1つの電流信号、電圧信号又はデータ/クロック信号を意味する。要素の単称形(不定冠詞“a”又は“an”)及び「前記(the)」の意味は、複数個の言及を含む。「〜における/において(in)」の意味は、中(in)及び上(on)を含む。
語「スケーリング(scaling)」は、一般に、1つのプロセステクノロジから他のプロセステクノロジへ設計(回路図及びレイアウト)を変換することを言う。また、語「スケーリング」は、一般に、同じテクノロジノード内でレイアウト及びデバイスをダウンサイジングすることを言う。また、語「スケーリング」は、他のパラメータ(例えば、電源レベル)に対する信号周波数の調整を言う。語「略(substantially)」、「〜に近い(close)」、「おおよそ(approximately)」、「〜の近く(near)」、及び「約(about)」は、一般に、目標値の±20%であることを言う。
特段示されない限り、共通のオブジェクトを記述するための序数形容詞「第1」、「第2」及び「第3」等の使用は、同じオブジェクトの異なるインスタンスが参照されていることを単に示し、そのように記述されているオブジェクトが時間的に、空間的に、序列において、又は何らかの他の方法において、所与の順序になければならないことを示すよう意図されない。
実施形態のために、トランジスタは、ドレイン、ソース、ゲート及びバルク端子を含む金属酸化膜半導体(MOS;metal oxide semiconductor)である。トランジスタには、Tri−Gate及びFinFETトランジスタ、Gate−All−Around円筒型トランジスタ、又はカーボンナノチューブ若しくはスピントロニクスデバイスのようなトランジスタ機能性を実装する他のデバイスが更に含まれる。ソース及びドレイン端子は、同じ端子であってよく、ここでは同義的に使用される。当業者に明らかなように、他のトランジスタ、例えば、バイポーラ接合トランジスタ、BJT PNP/NPN、BiCMOS、CMOS、eFET等は、本開示の適用範囲から逸脱することなしに使用されてよい。語「MN」は、n型トランジスタ(例えば、NMOS、NPN BJT、等)を示す、語「MP」は、p型トランジスタ(例えば、PMOS、PNP BJT、等)を示す。
図2は、本開示の一実施形態に従って、チャージポンプの電力を低減するよう位相周波数検出器(PFD)の出力に従って無効にするよう動作可能なバイアス生成器を備えたPLL200を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照符号(又は名称)を持った図2の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。図2は、図1を参照して記載される。故に、実施形態を不明りょうにしないように、先に論じられた回路及びブロックは、再度詳細には議論されない。
一実施形態において、PLL200は、上述された構成要素とともにPFD201及びバイアス生成器202を有する。一実施形態において、PFD201は、チャージポンプ103を作動させるために必要とされるかどうかに応じてバイアス生成器202を有効又は無効にするイネーブル信号を生成するロジックを有する。PLL200がロックされる場合に、定常位相誤差は数ピコ秒(ps)程度である。ロックされた状態で、アップ及びダウンパルスは非常に短い(例えば、100MHzでRefClkの1%、すなわち、100psに満たない。)。一実施形態において、バイアス生成器202は、アップ及びダウンパルスがオンである前のある期間(例えば、400ps)に安定することができ、次いで、アップ及びダウンパルスが消えた後にオフされる。この例では、バイアス生成器202は、全部で約500psの間オンされ、約9.5nsの間オフされて、95%の電力節約が実現される。
図3は、本開示の一実施形態に従って、チャージポンプ103のバイアス生成器202を有効又は無効にするよう動作可能なPFD300を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照符号(又は名称)を持った図3の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
一実施形態において、PFD300は、第1シーケンシャルユニットFF1、第2シーケンシャルユニットFF2、第3シーケンシャルユニットFF3、第1ロジックユニット(例えば、ORゲート)、第2ロジックユニット(例えば、ANDゲート及び第1遅延セル)、第2遅延セル、並びに第3遅延セルを有する。一実施形態において、PFD300はRefClk及びFbClkを受け、アップ、ダウン及びイネーブル信号を生成する。一実施形態において、イネーブル信号はバイアス生成器202によって受け取られる。イネーブル信号の論理レベルに応じて、バイアス生成器202は、一実施形態に従って、有効又は無効にされる。
一実施形態において、遅延セル2及び遅延セル3は、RefClk及びFbClkを夫々受ける。一実施形態において、遅延セル2及び遅延セル3は、遅延されたRefClk及び遅延されたFbClkを夫々生成する。一実施形態において、遅延されたRefClk及び遅延されたFbClkは、FF1及びFF2のためのクロック入力として夫々受け取られる。一実施形態において、遅延セル2及び遅延セル3は、インバータのチェーンである。他の実施形態では、遅延セルの他の実施が使用されてよい。一実施形態において、遅延セル2及び遅延セル3は、プログラム可能な遅延セルである(すなわち、ハードウェア又はソフトウェアによってプログラム可能である。)。一実施形態において、遅延セル2及び遅延セル3は、略同じ遅延、すなわち、一致した遅延を有する。
一実施形態において、FF1、FF2及びFF3のデータ入力は、電源(例えば、Vcc)へ結合される。一実施形態において、FF1の出力はアップ信号(又はアップパルス)である。一実施形態において、FF2の出力はダウン信号(又はダウンパルス)である。一実施形態において、第2ロジックはANDゲート及び遅延セル1を有する。一実施形態において、ANDゲートは、ダウン及びアップパルスを入力として受けて、PFDリセットを生成する。一実施形態において、PFDリセットは、遅延されたPFDリセット信号を生成するよう、遅延セル1の遅延によって遅延される。一実施形態において、遅延セル1の遅延は、遅延セル2の遅延及び遅延セル3の遅延とは異なる。一実施形態において、遅延セル1の遅延は(ソフトウェア又はハードウェアによって)プログラム可能である。一実施形態において、遅延されたPFDリセット信号は、FF1、FF2及びFF3のリセット又はクリア(CLR)入力部によって受け取られる。
一実施形態において、第1ロジックユニットはORゲート(又はNORゲート)である。第1及び第2ロジックユニットは、如何なるタイプのロジックゲートによっても実施可能であり、OR,NOR及びNANDゲートに制限されない。一実施形態において、ORゲートは、RefClk及びFbClkを受けて、ウェイクアップ信号を生成する。一実施形態において、ウェイクアップ信号は、FF3によってクロック入力として受け取られる。一実施形態において、FF3の出力はイネーブル信号である。この実施形態では、イネーブル信号は、バイアス生成器202を有効又は無効にするために使用される。一実施形態において、第1ロジックユニットはエッジ検出器である。
図4は、本開示の一実施形態に従って、図3のPFDの信号のタイミング図400を表す。いずれかの他の図と同じ参照符号(又は名称)を持った図4の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
タイミング図400における信号は、基準クロックと、基準クロックに対してアライメントされた位相及び周波数(すなわち、PLLが安定したロック状態にある場合)であるフィードバッククロックとを含む。信号は、基準クロック及びフィードバッククロックの夫々遅延されたバージョンである遅延された基準クロック及び遅延されたフィードバッククロックを更に含む。それらの信号は、遅延セル2及び遅延セル3の遅延によって夫々遅延されている。タイミング図400における信号は、ANDゲートの出力であるPFDリセットと、遅延セル1の出力である遅延されたPFDリセットとを更に含む。タイミング図400の残りの信号は、アップ、ダウン、ウェイクアップ及びイネーブル信号である。アップ及びダウン信号は、従来のPFD信号であり、ウェイクアップ及びイネーブル信号は、バイアス生成器202を制御するために生成される。
一実施形態において、基準及びフィードバッククロックへ直接に結合されているORゲートは、それらのクロック信号のいずれかが立ち上がるたびに立ち上がるウェイクアップ信号を生成する。一実施形態において、ウェイクアップ信号の立ち上がりは、FF3のD入力からその出力Qへハイ(すなわち、電源)レベルを伝える。そのような実施形態では、イネーブル信号も立ち上がっている。一実施形態において、立ち上がっているイネーブル信号はバイアス生成器202をオンする。この実施形態では、遅延セル2及び遅延セル3のために、PFD300のリセットは、直ぐにはその動作を開始せず、故に、アップ及びダウン信号は論理的にローのままである。
一実施形態において、遅延セル2及び遅延セル3によって生成される遅延は、バイアス電圧の安定化のために時間において略等しい(すなわち、同じである)ように選択される。例えば、バイアス生成器202が、安定したバイアス電圧を供給するのに約400psを要する場合には、正常なPFD機能は、バイアス電圧が安定した後に開始する。
一実施形態において、PLL200は、バイアスノードにおいて大きいフィルタリングキャパシタを有する。このキャパシタは電荷を蓄え、バイアス生成器202がPFD201のイネーブル信号によって無効にされている時間中に電荷がバイアスノードから直ちに放電することを防ぐ。一実施形態において、遅延セル2及び遅延セル3によって挿入される遅延は、バイアス電圧をリフレッシュするために使用される。例えば、遅延セル2及び遅延セル3の遅延は、バイアスフィルタリングキャパシタが、バイアス電圧レベルにおける大した低下を伴わずに、その時間の間バイアス電圧レベルを保持することができるので、約数ピコ秒である。
PFD201の動作は、PFD201が遅延されたPFDリセットを生成する場合に基準クロックの1周期において完了する。遅延されたPFDリセット信号は、PFDのDフリップ・フロップ(FF1及びFF2)をリセットし、アップ及びダウンポンプ(又は電流)源を無効にすることによってチャージポンプ103によって生成される電流をオフする。アップ及びダウンポンプは、それらへのバイアスが無効にされるので、無効にされる。一実施形態において、遅延されたPFDリセット信号は、FF3のリセット入力部によっても受け取られ、それをリセットさせる。一実施形態において、FF3がリセットされる場合に、イネーブル信号(FF3のQ出力部から伝来する。)は論理ローレベルへ戻り、チャージポンプバイアス信号を無効にする。一実施形態において、PLL200が低電力モードに入る場合に、このモードではVCO105が主に電力を消費し、バイアス生成器202は、その入力クロックのいずれかの次の立ち上がりまでオフのままである(よって、チャージポンプ103はオフのままである。)。
図2乃至3の実施形態は、PLL(又はDLL)における有意な電力節約をもたらす。例えば、VCOの発振周波数が5GHzであるPCIe(Peripheral Component Interconnect Express)gen2(すなわち、第2世代)LCPLLでは、PFD202は、チャージポンプ103の電力を約95%低減し、そしてPLL全体の電力を約20%低減する。より低い周波数で発振するVCOを備えたPLLに関し、全体の更なる電力節約が実施形態によって実現される。
図5は、本開示の他の実施形態に従って、チャージポンプのバイアス生成器を有効又は無効にするよう動作可能なPFD500を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照符号(又は名称)を持った図5の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
図5の実施形態は、図3を参照して記載される。PFD300と比較して、PFD500は、第1ロジックユニットと、入力経路遅延セル、すなわち、遅延セル2及び遅延セル3とを有さない。この実施形態では、遅延されたPFDリセット信号は、FF3のクロック入力部によって(反転して)受信される。この実施形態では、イネーブル信号(PFD300のイネーブル信号と同じ機能を有する。)は、FF3の反転出力部によって生成される。この実施形態では、基準クロックの反転されたバージョンは、FF3をリセット(又はクリア)するために使用される。
幾つかの具体的な適用又は実施は、基準クロック経路及びフィードバッククロック経路への遅延セルの挿入を許さなくてよい。そのような及び他の設計ケースについて、PFD500の実施形態が使用されてよい。一実施形態において、PFD500は、入力経路において遅延セルがなく、チャージポンプ103へのバイアスが図3の実施形態よりも短い期間の間オフされることを可能にする。例えば、チャージポンプ103へのバイアスは、PLLの全体の動作時間の約40%の間オフされる。
一実施形態において、基準クロックは、FF3の反転リセット入力部(すなわち、“resetb”又は“clearb”)へ直接に結合される。ここで、“clearb”は、図中“CLR”と符号を付された“クリア(clear)”の反転である。一実施形態において、イネーブル信号は、FF3の反転出力部によって生成される。この実施形態において、チャージポンプバイアスは、このようなPFDの動作範囲の開始である基準クロックの各立ち下がりにおいてオンされる。
図3の実施形態と比較して、図5の実施形態は、バイアス生成器202(及び/又はチャージポンプ103)のバイアス電圧を、遅延されたPFDリセットパルスの立ち下がりの間オフさせる。この実施形態では、バイアス生成器202(及び/又はチャージポンプ103)は、アップ及びダウン信号の立ち下がりと同時にオフされなくてよく、遅延されたPFDリセットパルスのパルス幅を待った後にオフされる。一実施形態において、このパルス幅は、セル1の遅延と略等しい。一実施形態において、FF3は、アクティブロー・クロック入力によりアクティブにされる。図5の実施形態は、アップ/ダウンパルスとイネーブル信号との間の如何な競り合いも機能上無視する。そのような実施形態では、チャージポンプ電流は、アップ及びダウンパルスによって有効に停止され、バイアス生成器202によっては停止されない。
図6は、本開示の一実施形態に従って、図5のPFDの信号のタイミング図600を表す。いずれかの他の図と同じ参照符号(又は名称)を持った図6の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
タイミング図600はPFD500の信号を含む。それらの信号は、基準クロック、フィードバッククロック、PFDリセット、遅延されたPFDリセット、アップ、ダウン、及びイネーブル信号を含む。ここで、基準クロック、フィードバッククロック、PFDリセット、遅延されたPFDリセット、アップ、及びダウン信号は、図4を参照して図示及び記載されたのと同じように動作する。
この実施形態では、遅延されたPFDリセットは、FF3の反転クロック入力部へ結合され、一方、その‘D’入力部はハイレベル(すなわち、電源)へ結合される。この実施形態では、イネーブル信号はローになり、チャージポンプバイアスは、PFD201がその動作を完了した後にオフされる。この実施形態では、バイアス生成器202は、図3の実施形態と比べて、より短い期間の間オフされる。この実施形態では、バイアス生成器202は、基準クロックの立ち下がりを用いてオンされ、遅延されたPFDリセットがデアサートされるまでオンされたままである。
図7は、本開示の一実施形態に従って、バイアス生成器701(例えば、202)及びチャージポンプ(CP)702(例えば、103)を備えた回路700を表す。いずれかの他の図と同じ参照符号(又は名称)を持った図7の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
図7の実施形態は、PFD201からのイネーブル信号がCP702及びバイアス生成器701の電力を低減するために如何にして使用されるのかを表す。一実施形態において、バイアス生成器701は、電力節約ロジック703、増幅器704、Nバイアス生成器705、p型トランジスタMP1及びMP2、並びにn型トランジスタMN1及びMN2を有する。一実施形態において、Nバイアス生成器705はnバイアス信号を生成し、一方、増幅器704はpバイアス信号を生成する。一実施形態において、nバイアス及びpバイアス信号は、CP702のトランジスタにバイアスをかけるために使用される。
一実施形態において、電力節約ロジック703は、PFD201からイネーブル信号を受信し、“en”、“pegb”及び“pwg”を含む内部制御信号を生成する。なお、“pwgb”は“pwg”の反転である。一実施形態において、イネーブル信号“en”は、アップ及びダウンパルスがアサート又はデアサートした後に、すなわち、図4及び図6の電力節約時間の間、増幅器704をオフする。図7を参照し直すと、図4及び図6の電力節約時間の間、電力節約ロジック703は更に“pwgb”信号を介してMP1をオフするとともに、“pwg”信号を介してMN1をオフする。図7を参照し直すと、図4及び図6の電力節約時間の間、電力節約ロジック703はNバイアス生成器をオフしてよい。
一実施形態において、CP702は、p型トランジスタMPc1及びMPc2並びにn型トランジスタMNc1及びMNc2を有する。実施形態は、CP702においてあるものとしてpバイアス補償キャパシタCpbiasを表すが、それはバイアス生成器701において存在することができる。一実施形態において、MPc1は、PFD201からのUpb(すなわち、アップ信号の反転)によって制御される。一実施形態において、MNc1は、PFD201からのダウン信号によって制御される。一実施形態において、MPc2はpバイアスによってバイアスをかけられ、一方、MNc2はnバイアスによってバイアスをかけられる。
図8は、本開示の一実施形態に従って、チャージポンプのバイアス生成器を有効又は無効にするよう動作可能なPFDを備えたスマートデバイス又はコンピュータシステム又はSoC(system-on-chip)1600である。いずれかの他の図の要素と同じ参照符号(又は名称)を持った図8の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
図8は、フラットサーフェス・インターフェイスコネクタが使用され得るモバイルデバイスの実施形態のブロック図を表す。一実施形態において、コンピュータデバイス1600は、例えば、コンピュータタブレット、携帯電話機若しくはスマートフォン、無線対応電子リーダー、又は他の無線モバイルデバイスのような、モバイルコンピュータデバイスに相当する。特定のコンポーネントが一般的に示されており、そのようなデバイスの全てのコンポーネントがコンピュータデバイス1600において示されているわけでないことが理解されるであろう。
一実施形態において、コンピュータデバイス1600は、論じられている実施形態を参照して記載されるチャージポンプのバイアス生成器を有効又は無効にするよう動作可能なPFDを備えた第1プロセッサ1610を有する。コンピュータデバイス1600の他のブロックは、実施形態を参照して記載されるチャージポンプのバイアス生成器を有効又は無効にするよう動作可能なPFDを更に有してよい。本開示の様々な実施形態は、システムの実施形態が無線デバイス、例えば、携帯電話機若しくはパーソナルデジタルアシスタント又は装用性のデバイスに組み込まれ得るように、無線インターフェイスのような1670内のネットワークインターフェイスを更に有してよい。
一実施形態において、プロセッサ1610(及び/又はプロセッサ1690)は、マイクロプロセッサ、アプリケーションプロセッサ、マイクロコントローラ、プログラマブル論理デバイス、又は他のプロセッシング手段のような、1つ以上の物理デバイスを有することができる。プロセッサ1690は任意であってよい。実施形態は2つのプロセッサを示すが、単一の又は2つよりも多いプロセッサが使用されてよい。プロセッサ1610によって実行されるプロセッシング動作は、アプリケーション及び/又はデバイス機能が実行されるオペレーティングプラットフォーム又はオペレーティングシステムの実行を含む。プロセッシング動作は、人間のユーザによる若しくは他のデバイスによるI/O(入力/出力)に関連した動作、電力管理に関連した動作、及び/又はコンピュータデバイス1600を他のデバイスへ接続することに関連した動作を含む。プロセッシング動作は、オーディオI/O及び/又はディスプレイI/Oに関連した動作を更に含んでよい。
一実施形態において、コンピュータデバイス1600は、コンピュータデバイスへオーディオ機能を提供することに関連したハードウェア(例えば、オーディオハードウェア及びオーディオ回路)及びソフトウェア(例えば、ドライバ、コーデック)コンポーネントに相当するオーディオサブシステム1620を有する。オーディオ機能は、マイクロホン入力とともに、スピーカ及び/又はヘッドホン出力を含むことができる。そのような機能のためのデバイスは、コンピュータデバイス1600に組み込まれるか、又はコンピュータデバイス1600へ接続され得る。一実施形態において、ユーザは、プロセッサ1610によって受け取られて処理されるオーディオコマンドを供給することによって、コンピュータデバイス1600と対話する。
ディスプレイサブシステム1630は、ユーザがコンピュータデバイス1600と対話するよう視覚的及び/又は触覚的表示を提供するハードウェア(例えば、ディスプレイデバイス)及びソフトウェア(例えば、ドライバ)コンポーネントに相当する。ディスプレイサブシステム1630は、ユーザに表示を提供するために使用される特定のスクリーン又はハードウェアデバイスを含むディスプレイインターフェイス1632を有する。一実施形態において、ディスプレイインターフェイス1632は、表示関連した少なくとも何らかのプロセッシングを実行するようプロセッサ1610とは別個のロジックを有する。一実施形態において、ディスプレイサブシステム1630は、出力及び入力の両方をユーザに提供するタッチスクリーン(又はタッチパッド)デバイスを有する。
I/Oコントローラ1640は、ユーザとのインタラクションに関連したハードウェアデバイス及びソフトウェアコンポーネントに相当する。I/Oコントローラ1640は、オーディオサブシステム1620及び/又はディスプレイサブシステム1630の部分であるハードウェアを管理するよう動作可能である。加えて、I/Oコントローラ1640は、コンピュータデバイス1600へ接続する更なるデバイスのための接続ポイントを表し、それを通じてユーザはシステムと対話してよい。例えば、コンピュータデバイス1600に取り付けられ得るデバイスは、マイクロホンデバイス、スピーカ若しくはステレオシステム、ビデオシステム若しくは他のディスプレイデバイス、キーボード若しくはキーパッドデバイス、又は特定のアプリケーション(例えば、カードリーダー又は他のデバイス)とともに使用される他のI/Oデバイスを含んでよい。
上述されたように、I/Oコントローラ1640は、オーディオサブシステム1620及び/又はディスプレイサブシステム1630と相互作用することができる。例えば、マイクロホン又は他のオーディオデバイスを通じた入力は、コンピュータデバイス1600の1つ以上のアプリケーション又は機能のための入力又はコマンドを与えることができる。加えて、オーディオ入力は、ディスプレイ出力の代わりに、又はそれに加えて、与えられ得る。他の例では、ディスプレイサブシステム1630がタッチスクリーンを有する場合には、ディスプレイデバイスは入力デバイスとしても動作し、I/Oコントローラ1640によって少なくとも部分的に管理され得る。I/Oコントローラ1640によって管理されるI/O機能を提供するためにコンピュータデバイス1600には追加のボタン又はスイッチも存在することができる。
一実施形態において、I/Oコントローラ1640は、加速度計、カメラ、光センサ、若しくは他の環境センサのようなデバイス、又はコンピュータデバイス1600に含まれ得る他のハードウェアを管理する。入力は、システムの動作(例えば、ノイズのフィルタ処理、輝度検出のためのディスプレイの調整、カメラのフラッシュの適用、又は他の機能)に作用するようシステムへ環境入力を供給するとともに、直接的なユーザインタラクションの部分であることができる。
一実施形態において、コンピュータデバイス1600は、バッテリ電力使用量、バッテリの充電、及び電力節約動作に関連した特性を管理する電力管理部1650を有する。メモリサブシステム1660は、コンピュータデバイス1600において情報を記憶するためのメモリデバイスを有する。メモリは、不揮発性(メモリデバイスへの電力が中断される場合に状態が変化しない。)及び/又は揮発性(メモリデバイスへの電力が中断される場合に状態が不定である。)のメモリデバイスを含むことができる。メモリサブシステム1660は、アプリケーションデータ、ユーザデータ、写真、文書、又は他のデータとともに、コンピュータデバイス1600のアプリケーション及び機能の実行に関連したシステムデータ(長期又は一時のいずれに関わらず。)を記憶することができる。
実施形態の例は、コンピュータ実行可能命令(例えば、ここで論じられている如何なる他のプロセスも実施するための命令)を記憶する機械読み出し可能な媒体(例えば、メモリ)としても提供される。機械読み出し可能な媒体(例えば、メモリ1660)には、フラッシュメモリ、光ディスク、CD−ROM、DVD ROM、RAM、EPROM、EEPROM、磁気若しくは光カード、相変化メモリ(PCM;phase change memory)、又は電子若しくはコンピュータ実行可能命令を記憶するのに適した他のタイプの機械読み出し可能な媒体が含まれてよいが、それらに限られない。例えば、本開示の実施形態は、通信リンク(例えば、モデム又はネットワーク接続)を介してデータ信号によって遠隔のコンピュータ(例えば、サーバ)から要求元のコンピュータ(例えば、クライアント)へ転送され得るコンピュータプログラム(例えば、BIOS)としてダウンロードされてよい。
接続1670は、コンピュータデバイス1600が外部のデバイスと通信することを可能にするハードウェアデバイス(例えば、無線及び/又は有線コネクタ並びに通信ハードウェア)及びソフトウェアコンポーネント(例えば、ドライバ、プロトコルスタック)を含む。コンピュータデバイス1600は、他のコンピュータデバイス、無線アクセスポイント又は基地局のような別個のデバイスであるとともに、ヘッドセット、プリンタ又は他のデバイスのような周辺機器であってよい。
接続1670は、多種多様なタイプの接続を含むことができる。一般化するよう、コンピュータデバイス1600は、セルラー接続1670及び無線接続1674を有して表されている。セルラー接続1672は、一般に、GSM(global system for mobile communications)又は変形物若しくは派生物、CDMA(code division multiple access)又は変形物若しくは派生物、TDM(time division multiplexing)又は変形物若しくは派生物、あるいは、他のセルラーサービス標準を介して提供されるような、無線キャリアによって提供されるセルラーネットワーク接続を言う。無線接続(又は無線インターフェイス)1674は、セルラーでない無線接続を言い、パーソナルエリアネットワーク(例えば、Bluetooth(登録商標)、近距離、等)、ローカルエリアネットワーク(例えば、Wi−Fi(登録商標))、及び/又はワイドエリアネットワーク(例えば、WiMax(登録商標))、あるいは、他の無線通信を含むことができる。
周辺接続1680は、周辺接続を行うためのハードウェアインターフェイス及びコネクタ並びにソフトウェアコンポーネント(例えば、ドライバ、プロトコルスタック)を含む。コンピュータデバイス1600は、他のコンピュータデバイスへの周辺機器(“to”1682)であるとともに、自身へ接続されている周辺機器(“from”1684)を有してよい。コンピュータデバイス1600は、一般に、コンピュータデバイス1600でコンテンツを管理すること(例えば、ダウンロード及び/又はアップロード、変更、同期化)のような目的のために、他のコンピュータデバイスへ接続する“ドッキング”コネクタを備える。加えて、ドッキングコネクタは、コンピュータデバイス1600が。例えば、オーディオビジュアル又は他のシステムへのコンテンツ出力を制御することを可能にする特定の周辺機器へコンピュータデバイス1600が接続することを可能にすることができる。
独自仕様のドッキングコネクタ又は他の独自仕様の接続ハードウェアに加えて、コンピュータデバイス1600は、一般的な又は標準規格に基づくコネクタを介して周辺接続1680を確立することができる。一般的なタイプには、ユニバーサルシリアルバス(USB)コネクタ(多数の異なったハードウェアデバイスのいずれかを含むことができる。)、ミニディスプレイポート(MDP;MiniDisplayPort)を含むディスプレイポート、高精細マルチメディアインターフェイス(HDMI;High Definition Multimedia Interface)、ファイアワイア、又は他のタイプが含まれ得る。
「実施形態」、「一実施形態」、「幾つかの実施形態」又は「他の実施形態」との明細書中の言及は、実施形態に関して記載されている特定の機能、構造又は特性が少なくとも1つの実施形態に含まれるが必ずしも全ての実施形態に含まれるわけではないことを意味する。「実施形態」、「一実施形態」又は「幾つかの実施形態」の様々な出現は、必ずしも全てが同じ実施形態に言及しているわけではない。コンポーネント、機能、構造又は特性が「含まれてよい」、「含まれることがある」又は「含まれ得る」と明細書中で記載される場合に、その特定のコンポーネント、機能、構造又は特性は含まれる必要はない。明細書又は特許請求の範囲において単称の要素が現れる場合に(不定冠詞a又はanの使用)、それは、要素がただ1つしかないことを意味するわけではない。明細書又は特許請求の範囲において「追加の」要素が現れる場合に、それは、その追加の要素が1つよりも多く存在することを除外しない。
更に、特定の特徴、構造、機能又は特性は、1つ以上の実施形態において如何なる適切な方法によっても組み合わされてよい。例えば、2つの実施形態に関連した特定の特徴、構造、機能又は特性が相互排他的でないならばいつでも、第1の実施形態は第2の実施形態と組み合わされてよい。
本開示は、その具体的な実施形態に関連して記載されてきたが、そのような実施形態の多くの代替、変更及び変形は、上記の説明を鑑みて当業者に明らかである。例えば、他のメモリアーキテクチャ、例えば、動的RAM(DRAM)は、論じられている実施形態を使用してよい。本開示の実施形態は、添付の特許請求の範囲の広範な適用範囲内にあるように全てのそのような代替、変更及び変形を包含するよう意図される。
加えて、集積回路(IC)チップ及び他のコンポーネントへのよく知られている電源/接地接続は、説明及び議論の簡単のために、更には本開示を不明りょうにしないように、提示されている図において示されていてもいなくてもよい。更に、配置は、本開示を不明りょうにしないために、更には、そのようなブロック図配置の実施に対する仕様が、本開示が実施されるべきプラットフォームに大いに依存するという事実を鑑みて(すなわち、そのような仕様は、十分に当業者の視野内にあるべきである。)、ブロック図形式で示されてよい。具体的な詳細(例えば、回路)が本開示の例となる実施形態を記載するために示されている場合に、当業者には当然ながら、本開示は、そのような具体的な詳細によらずに、又はその変形例を用いて、実施され得る。このように、記載は、制限ではなく例示として見なされるべきである。
以下の例は、更なる実施形態に関係がある。例における詳細は、1つ以上の実施形態においてどこでも使用されてよい。ここで記載される装置の全ての任意の特徴は、方法又はプロセスに関しても実施されてよい。
例えば、一実施形態において、装置は、基準クロックを受け、遅延された基準クロックを第1シーケンシャルユニットへ供給する第1遅延ユニットと、フィードバッククロックを受け、遅延されたフィードバッククロックを第2シーケンシャルユニットへ供給する第2遅延ユニットと、前記基準クロック及び前記フィードバッククロックを受け、該受け取られた基準クロック及びフィードバッククロックに対して論理OR演算を実行し、第3シーケンシャルユニットのためのトリガ信号を生成する第1ロジックユニットと、前記第1シーケンシャルユニット及び前記第2シーケンシャルユニットの出力を受け、前記第3シーケンシャルユニットへ結合される出力を生成する第2ロジックユニットとを有する。
一実施形態において、前記第2ロジックユニットは、前記第1シーケンシャルユニットの出力へ結合される第1入力と、前記第2シーケンシャルユニットの出力へ結合される第2入力とを有するANDゲートを有する。一実施形態において、前記第2ロジックユニットは、前記ANDゲートの出力を受け、出力を生成する第3遅延ユニットを更に有する。一実施形態において、前記第3遅延ユニットの出力は、前記第1シーケンシャルユニット、前記第2シーケンシャルユニット及び前記第3シーケンシャルユニットの入力をリセット又はクリアするよう結合される。一実施形態において、前記第1遅延ユニット及び前記第2遅延ユニットは、略等しい遅延を有する。一実施形態において、前記第1遅延ユニット及び前記第2遅延ユニットは、プログラム可能な遅延を有する。
一実施形態において、前記第1シーケンシャルユニットは、チャージポンプのためのアップ出力を生成し、前記第2シーケンシャルユニットは、前記チャージポンプのためのダウン出力を生成し、前記第3シーケンシャルユニットは、イネーブル信号を生成する。一実施形態において、当該装置は、前記チャージポンプのためのバイアスを生成するバイアス生成回路を更に有する。一実施形態において、前記第3シーケンシャルユニットの出力は、前記バイアス生成回路を有効又は無効にする。一実施形態において、前記第3シーケンシャルユニットは、前記アップ出力及び前記ダウン出力の遷移が完了した後に前記バイアス生成回路を無効にする。一実施形態において、前記第3シーケンシャルユニットは、前記アップ出力及び前記ダウン出力が生成される前に前記バイアス生成回路を有効にする。
他の例では、基準クロックを受ける第1シーケンシャルユニットと、フィードバッククロックを受ける第2シーケンシャルユニットと、前記第1シーケンシャルユニット及び前記第2シーケンシャルユニットの出力を受けて、出力を生成するロジックユニットと、前記基準クロック及び前記ロジックユニットの出力を受ける第3シーケンシャルユニットとを有する装置が提供される。一実施形態において、前記ロジックユニットは、前記第1シーケンシャルユニットの出力へ結合される第1入力と、前記第2シーケンシャルユニットの出力へ結合される第2入力とを有するANDゲートを有する。一実施形態において、前記ロジックユニットは、前記ANDゲートの出力を受け、当該ロジックユニットの出力を生成する遅延ユニットを更に有する。一実施形態において、前記遅延ユニットの出力は、前記第1シーケンシャルユニット、前記第2シーケンシャルユニット及び前記第3シーケンシャルユニットの入力をリセット又はクリアするよう結合される。一実施形態において、当該装置は、前記第3シーケンシャルユニットの出力を受けるバイアス生成回路を更に有する。
一実施形態において、当該装置は、前記バイアス生成回路からバイアスを受けるチャージポンプを更に有する。一実施形態において、前記第3シーケンシャルユニットは、前記第1シーケンシャルユニット及び前記第2シーケンシャルユニットの出力がそれらの遷移を完了した後に、前記バイアス生成回路を無効にする。一実施形態において、前記第3シーケンシャルユニットは、前記基準クロックが遷移するときに前記バイアス生成回路を有効にする。
他の例では、メモリユニットと、該メモリユニットへ結合され、上記の装置に従う位相ロックループを備えるプロセッサと、前記プロセッサが他のドライブと通信することを可能にする無線インターフェイスとを有するシステムが提供される。
要約は、技術的な開示の本質及び主旨を読者が確定することを可能にするために与えられている。要約は、特許請求の範囲の適用範囲又は意義を制限するために使用されないとの理解の下で提示される。特許請求の範囲は、これによって詳細な説明に組み込まれ、各請求項は別個の実施形態として自立する。

Claims (7)

  1. 基準クロックを受け、チャージポンプのためのアップ出力を生成する第1シーケンシャルユニットと、
    フィードバッククロックを受け、前記チャージポンプのためのダウン出力を生成する第2シーケンシャルユニットと、
    前記第1シーケンシャルユニット及び前記第2シーケンシャルユニットの出力を受けて、出力を生成するロジックユニットと、
    前記基準クロック及び前記ロジックユニットの出力を受ける第3シーケンシャルユニットと、
    前記チャージポンプのためのバイアスを生成するバイアス生成回路と
    を有し、
    前記第3シーケンシャルユニットは、前記バイアス生成回路を有効又は無効にするイネーブル信号を生成する、装置。
  2. 前記ロジックユニットは、
    前記第1シーケンシャルユニットの出力へ結合される第1入力と、前記第2シーケンシャルユニットの出力へ結合される第2入力とを有するANDゲート
    を有する、請求項に記載の装置。
  3. 前記ロジックユニットは、前記ANDゲートの出力を受け、当該ロジックユニットの出力を生成する遅延ユニットを更に有する、
    請求項に記載の装置。
  4. 前記遅延ユニットの出力は、前記第1シーケンシャルユニット、前記第2シーケンシャルユニット及び前記第3シーケンシャルユニットの入力をリセット又はクリアするよう結合される、
    請求項に記載の装置。
  5. 前記第3シーケンシャルユニットは、前記第1シーケンシャルユニット及び前記第2シーケンシャルユニットの出力がそれらの遷移を完了した後に、前記バイアス生成回路を無効にする、
    請求項に記載の装置。
  6. 前記第3シーケンシャルユニットは、前記基準クロックが遷移するときに前記バイアス生成回路を有効にする、
    請求項に記載の装置。
  7. メモリユニットと、
    前記メモリユニットへ結合され、請求項乃至のうちいずれか一項に記載の装置に従う位相ロックループを備えるプロセッサと、
    前記プロセッサが他のドライブと通信することを可能にする無線インターフェイスと
    を有するシステム。
JP2016520047A 2013-11-08 2013-11-08 チャージポンプの電力を低減する装置 Active JP6483099B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2013/069327 WO2015069285A1 (en) 2013-11-08 2013-11-08 Apparatus to reduce power of a charge pump

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017500763A JP2017500763A (ja) 2017-01-05
JP6483099B2 true JP6483099B2 (ja) 2019-03-13

Family

ID=53041894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016520047A Active JP6483099B2 (ja) 2013-11-08 2013-11-08 チャージポンプの電力を低減する装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9379717B2 (ja)
EP (1) EP3066759A4 (ja)
JP (1) JP6483099B2 (ja)
DE (1) DE112013007445B4 (ja)
WO (1) WO2015069285A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9991896B2 (en) * 2016-08-09 2018-06-05 Synopsys, Inc. Phase locked loop circuit with charge pump up-down current mismatch adjustment and static phase error reduction
WO2023233642A1 (ja) 2022-06-03 2023-12-07 三菱電機株式会社 位相比較器及びpll回路

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4819081A (en) * 1987-09-03 1989-04-04 Intel Corporation Phase comparator for extending capture range
JPH0221724A (ja) * 1988-07-09 1990-01-24 Hitachi Ltd 位相同期回路
US5740213A (en) * 1994-06-03 1998-04-14 Dreyer; Stephen F. Differential charge pump based phase locked loop or delay locked loop
JP3338748B2 (ja) * 1996-01-30 2002-10-28 日本電気株式会社 Pll周波数シンセサイザ
US5847614A (en) * 1996-11-15 1998-12-08 Analog Devices, Inc. Low power charge pump
JPH10256903A (ja) * 1997-03-07 1998-09-25 Murata Mfg Co Ltd Pll回路
GB2335322B (en) * 1998-03-13 2002-04-24 Ericsson Telefon Ab L M Phase detector
US6049233A (en) 1998-03-17 2000-04-11 Motorola, Inc. Phase detection apparatus
US6232038B1 (en) 1998-10-07 2001-05-15 Mitsubishi Chemical Corporation Photosensitive composition, image-forming material and image-forming method employing it
JP3375584B2 (ja) * 2000-01-07 2003-02-10 松下電器産業株式会社 周波数比較器とそれを備えた位相同期回路
US6265947B1 (en) 2000-01-11 2001-07-24 Ericsson Inc. Power conserving phase-locked loop and method
US6441691B1 (en) * 2001-03-09 2002-08-27 Ericsson Inc. PLL cycle slip compensation
US7003065B2 (en) * 2001-03-09 2006-02-21 Ericsson Inc. PLL cycle slip detection
US6483389B1 (en) * 2001-04-27 2002-11-19 Semtech Corporation Phase and frequency detector providing immunity to missing input clock pulses
US20030189463A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Walker Brett C. Current saving technique for charge pump based phase locked loops
US20040091064A1 (en) * 2002-11-12 2004-05-13 Broadcom Corporation Phase detector with delay elements for improved data regeneration
TW583837B (en) * 2003-05-06 2004-04-11 Realtek Semiconductor Corp Phase frequency detector applied in digital PLL system
US7148757B2 (en) * 2003-06-02 2006-12-12 National Semiconductor Corporation Charge pump-based PLL having dynamic loop gain
US7119583B2 (en) * 2004-03-31 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Phase detector and method having hysteresis characteristics
US7154304B2 (en) * 2004-07-13 2006-12-26 Semtech Corporation Enhanced phase and frequency detector that improves performance in the presence of a failing clock
KR100639677B1 (ko) * 2004-11-08 2006-10-30 삼성전자주식회사 위상 및 지연 동기 루프와 이를 구비한 반도체 메모리 장치
US7271645B2 (en) * 2005-09-30 2007-09-18 Ana Semiconductor Smart charge-pump circuit for phase-locked loops
US7592847B2 (en) * 2007-03-22 2009-09-22 Mediatek Inc. Phase frequency detector and phase-locked loop
JP5200530B2 (ja) * 2007-12-27 2013-06-05 日本電気株式会社 モニタ回路及び電力低減システム
US7999586B2 (en) 2009-12-23 2011-08-16 Intel Corporation Digital phase locked loop with closed loop linearization technique
KR102204174B1 (ko) * 2014-01-13 2021-01-18 한국전자통신연구원 전하 펌프 회로 및 이를 포함하는 위상 고정 루프

Also Published As

Publication number Publication date
DE112013007445B4 (de) 2018-12-27
EP3066759A1 (en) 2016-09-14
US20150194970A1 (en) 2015-07-09
US9768788B2 (en) 2017-09-19
US20160308538A1 (en) 2016-10-20
DE112013007445T5 (de) 2016-06-09
WO2015069285A1 (en) 2015-05-14
US9379717B2 (en) 2016-06-28
EP3066759A4 (en) 2017-06-14
JP2017500763A (ja) 2017-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10712768B2 (en) Apparatus and method for extending frequency range of a circuit and for over-clocking and under-clocking
US9628094B2 (en) Apparatus and method for fast phase locking for digital phase locked loop
JP6195800B2 (ja) 電源変動に関して動的に適用するクロックジェネレーター装置
US10574243B2 (en) Apparatus and method for generating stable reference current
US9722606B2 (en) Digital clamp for state retention
US10707878B2 (en) Apparatus and system for digitally controlled oscillator
US11387815B2 (en) Apparatus and method for improving lock time
US9647653B2 (en) Method for reduced power clock frequency monitoring
US20140077841A1 (en) Phase frequency detector
CN113783570A (zh) 具有频率跟踪回路的耦合倍频器
US9698764B2 (en) Quadrature divider
CN111512556A (zh) 用于改进锁频环的锁定时间的装置
US11909403B2 (en) Low power apparatus and method to multiply frequency of a clock
US11188117B2 (en) Low latency analog adaptive clocking
JP6483099B2 (ja) チャージポンプの電力を低減する装置
CN115842548A (zh) 带有自适应环路滤波器的锁相环
WO2013141837A1 (en) Self-biased oscillator

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160404

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170512

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170523

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180418

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181126

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20181203

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6483099

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250