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JP6457121B2 - 複合酸窒化セラミック変換体およびこの変換体を備えた光源 - Google Patents

複合酸窒化セラミック変換体およびこの変換体を備えた光源 Download PDF

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Description

本発明は、複合酸窒化セラミック変換体およびこの変換体を備えた光源に関する。
発光ダイオード(LED)のパッケージから放出された光の色全体に影響を及ぼすため、発光ダイオード(LED)から放出された青色光をより長い波長に変換するために(「波長変換」)、蛍光体を使用することが周知である。そのようなLEDを、一般に、蛍光体−変換LED(pc−LED)と呼ぶ。アプリケーションおよび所望の光出力に応じて、蛍光体は、白色LEDの場合のようにLEDによって放出された光の一部のみを変換してもよいし、あるいは青色LED光を緑などの別の色に完全に変換してもよい。
蛍光体は、LED上に付着されたシリコーン樹脂に埋め込まれていてもよく、またはいくつかの有利な適用例では、固体の焼結済みセラミック変換体としてLEDに付着されていてもよい。そのような固体のモノリシック変換体には、蛍光体粉末に勝る少なくとも2つの明らかな利点がある。第1は、製造の際により良好な色の一貫性および制御をもたらすよう、ルミネセント・セラミック変換体を、定められた形状および均一な厚さに作製できることである。第2は、モノリシック変換体は透光性にすることができ、それにより散乱損失を低減しかつ取り出し効率を向上させることができる。ルミネセント・セラミック変換体の例は、特許文献1、特許文献2、および特許文献3に記載されている。
米国特許第7,554,258号 米国特許出願公開第2007/0126017号 国際特許出願公開WO 2006/087660
β−SiAlON:EuおよびSrSi:Euなどの酸窒化物系緑色放出蛍光体は、色域、熱および化学安定性、消光効果において、多くの利点をもたらす。しかし、これらの材料は、典型的には、バルク拡散係数が非常に低く、細長い粒子(β−SiAlON)または平板様粒子(SrSi)であり、かつ大きい粒径を有するので、高温または長い滞留時間(dwell times)であっても稠密なセラミック部品を実現することは難しい。したがって、酸窒化セラミック変換体は、多孔質ミクロ構造により引き起こされる激しい散乱により、それらの粉末状形態に比べて通常は変換効率が低い。
本発明は、緑色LEDの適用例で使用され得る量子効率(QE)の高い稠密な複合セラミック変換体が実現されるように、三斜晶SrSi:Eu蛍光体の第1の相と六方晶SrSi:Eu蛍光体の第2の相とを組み合わせた、複合酸窒化セラミック変換体である。特に、複合酸窒化セラミック変換体は、好ましくは、ピーク波長が540〜570nmの、より好ましくは550〜560nmの緑色光を放出する。
別の態様では、複合酸窒化セラミック変換体は、SrSi:Eu蛍光体 xモル対SrSi:Eu蛍光体 (1−x)モルの相対モル比を有し、xは0.01〜0.99、より好ましくは0.20〜0.80であり、さらにより好ましくは0.30〜0.60である。
他の態様では、複合酸窒化セラミック変換体は、LEDと対になって光源を形成する。より詳細には、セラミック変換体は、好ましくは青色放出LEDと組み合わされて、LEDにより放出された青色光を緑色光に実質的に変換し、それによって緑色放出LED光源を提供する。
一実施形態によれば、複合酸窒化セラミック変換体は、三斜晶SrSi:Eu蛍光体の第1の相および六方晶SrSi:Eu蛍光体の第2の相を有する。
一実施形態によれば、SrSi:Eu蛍光体およびSrSi:Eu蛍光体は、Euを0.1モルパーセント〜5モルパーセント含有する。
一実施形態によれば、SrSi:Eu蛍光体およびSrSi:Eu蛍光体は、Euを0.1モルパーセント〜3モルパーセント含有する。
一実施形態によれば、SrSi:Eu蛍光体およびSrSi:Eu蛍光体は、Euを0.3モルパーセント〜1.5モルパーセント含有する。
一実施形態によれば、変換体は、SrSi:Eu蛍光体 xモル対SrSi:Eu蛍光体 (1−x)モルの相対モル比を有し、xは0.01〜0.99である。
一実施形態によれば、変換体は、SrSi:Eu蛍光体 xモル対SrSi:Eu蛍光体 (1−x)モルの相対モル比を有し、xは0.20〜0.80である。
一実施形態によれば、変換体は、SrSi:Eu蛍光体 xモル対SrSi:Eu蛍光体 (1−x)モルの相対モル比において、xは0.30〜0.60である。
一実施形態によれば、複合酸窒化セラミック変換体の平均粒径は0.1〜10μmである。
一実施形態によれば、複合酸窒化セラミック変換体の平均粒径は2〜10μmである。
一実施形態によれば、変換体は、ピーク波長が540〜570nmである緑色光を放出する。
一実施形態によれば、変換体は、ピーク波長が550〜560nmである緑色光を放出する。
一実施形態によれば、変換体は、平板様形状を持つ第1の粒子と、断面が六角形の細長い形状を有する第2の粒子とを含む。
一実施形態によれば、細長い形状を持つ第2の粒子は、アスペクト比が1超〜約12未満の範囲にある。
一実施形態によれば、光源は、発光ダイオード(LED)および複合酸窒化セラミック変換体を含み、複合酸窒化セラミック変換体が、三斜晶SrSi:Eu蛍光体の第1の相と、六方晶SrSi:Eu蛍光体の第2の相とを有する。
光源の一実施形態によれば、SrSi:Eu蛍光体およびSrSi:Eu蛍光体は、Euを0.1モルパーセント〜5モルパーセント含有する。
光源の一実施形態によれば、変換体は、SrSi:Eu蛍光体 xモル対SrSi:Eu蛍光体 (1−x)モルの相対モル比を有し、xは0.20〜0.80である。
光源の一実施形態によれば、複合酸窒化セラミック変換体は、ピーク波長が540〜570nmである緑色光を放出する。
光源の一実施形態によれば、LEDは一次光を放出し、複合酸窒化セラミック変換体は、一次光の実質的に全てを緑色光に変換する。
光源の一実施形態によれば、一次光のピーク波長は420〜490nmの範囲である。
光源の一実施形態によれば、緑色光のピーク波長は550〜560nmである。
本発明による、複合酸窒化セラミック変換体のミクロ構造の顕微鏡写真である。 本発明による複合酸窒化セラミック変換体のx線回折パターンに、SrSi相の回折パターンを重ね合わせた状態を示す図である。 本発明による複合酸窒化セラミック変換体のx線回折パターンに、SrSi相の回折パターンを重ね合わせた状態を示す図である。 SrSi相の結晶構造を示す図である。 SrSi相の結晶構造を示す図である。 図4Aは、常圧焼結および放電プラズマ焼結(SPS)技法によって形成された複合体酸窒化セラミック変換体の発光スペクトルの、グラフによる比較を示す図である。 図4Bは、図4Aの複合酸窒化セラミック変換体の色度点を示す図である。 本発明による光源の断面図である。 x線回折データを示す図である。 x線回折データを示す図である。 x線回折データを示す図である。 x線回折データを示す図である。 x線回折データを示す図である。
本発明を、その他および別の目的、それらの利点、および能力と一緒に、より良好に理解するために、以下の開示および添付される特許請求の範囲を、上述の図面と併せて参照する。
蛍光体、LED、レーザ、または変換材料の色と言った場合は、他に指定しない限り、一般にその発光色を指す。したがって、青色LEDは青色光を放出し、黄色蛍光体は黄色光を放出し、以下同様である。
本明細書で使用される「セラミック変換体」という用語は、励起源からの光の少なくとも一部を異なる波長の光に変換する、無機蛍光体などの少なくとも1つの焼結された多結晶質ルミネセント材料からなる固体モノリシック片を指す。セラミック変換体の密度は、好ましくは、この変換体を含むルミネセント材料の理論密度の少なくとも約90%である。本発明の複合酸窒化セラミック変換体の好ましい密度は、理論密度の少なくとも約95%である。より好ましくは、複合セラミック変換体の密度は、理論密度の少なくとも約98%、またはさらに99%である。
上述のように、β−SiAlON:EuおよびSrSi:Euなどの緑色酸窒化蛍光体を備える、適正に稠密なセラミック変換体を実現することは難しい。熱間静水圧圧縮成形(HIP)、放電プラズマ焼結(SPS)、または高圧(HP)を含めた方法を、セラミック変換体の生成に用いてもよいが、これらの蛍光体では、大量の細孔がセラミック塊に存在するので、得られる部品が一般に満足できないものになる。例えば、焼結助剤の添加がない場合、単相の細長いβ−SiAlON:Euは、SPSによって1725℃でも稠密化せず;単相の平板様SrSi:Eu部品は一般に、SPSまたは常圧焼結法のいずれかによって、より低いQEを有し、特に約30%付近の低いQEを有する。
本発明は、2つの酸窒化物層を組み合わせて、緑色pc−LEDの適用例で使用され得る稠密な均質ミクロ構造および高いQEを持つ複合酸窒化セラミック変換体を形成することによって、この問題を克服する。特に、セラミック変換体は、三斜晶SrSi:Eu蛍光体の第1の相と、六方晶SrSi:Eu蛍光体の第2の相とを含有する。単相の代わりに2相を使用することにより、稠密化のためのより大きい推進力が得られると考えられる。これら2つの酸窒化物層はその化学組成が類似しているが、酸素原子と窒素原子との比は異なっている(即ち、三斜晶SrSi蛍光体は、O/N比が1:1であり、それに対して六方晶SrSi蛍光体は、O/N比がより高く、2.25:1である)。組成の差は、不均衡な化学ポテンシャルを創出し、焼結中の質量拡散/輸送を通してより良好な稠密化のための追加の推進力をもたらし、それほど費用のかからない常圧焼結法を実現可能にする。光学性能の面で、複合酸窒化セラミック変換体は、常圧焼結によって作製された単相SrSi:Eu変換体(約33〜35%)よりも高い非補正変換効率、約41%を提供し、単相SrSi:Eu(それぞれ、主波長555.8nm、および主波長555nm)と比べて、より緑色の濃い発光(それぞれ、主波長555.3nm、および主波長546.5nm)を提供する。
SrSi:Eu/SrSi:Eu複合セラミック変換体の典型的なミクロ構造を、図1に示し、この構造は、三斜晶(明るい白色平板様形状)相および六方晶(暗色)相からなる。細長い六方晶形状の粒子は、好ましくは、そのアスペクト比(長さ対幅)が1超から約12未満の範囲にある。複合酸窒化セラミック変換体の平均粒径は、好ましくは0.1〜10μm、より好ましくは0.5〜12μm、さらにより好ましくは2〜10μmである。図2Aおよび図2Bは、複合酸窒化セラミック変換体の例示的なx線回折パターンに、それぞれ、SrSi相およびSrSi相の回折パターンを重ね合わせたものを示す。単位格子パラメータは、六方晶SrSi相の回折パターンに基づいて、x線回折(XRD)技法により決定した。六方結晶相は、格子寸法a=7.106、c=6.6182、vol.=289.5の、空間群P3(143)に属する。複合体中に存在する2相の結晶構造モデルを、図3A(三斜晶SrSi)および図3B(六方晶SrSi)に示す。
本発明は、SrSi材料を用いたときの緑色完全変換の課題に基づいてなされたものである。本発明は、以下の最適化のために探索された一連の処理ステップおよび条件の後に、なされたものである:(1)異なる処理条件下、Euがドープされた緑色SrSiのDoE。(2)異なる脱バインダー処理(debinding process)条件(空気中、真空、異なる温度で)。(3)例えばSPSおよび常圧焼結を使用した、異なる焼結方法。ステップ(1)は、最良の出発粉末を最適化するように設計され、ステップ(2)は、最良の脱バインター条件を最適化するように設計され、どちらのステップも、蛍光体粉末、したがってさらに最終的な組成物の、表面化学が修正されるように設計された。ステップ(3)は、異なる焼結方法および条件を使用することによって、稠密化およびルミネセント性能を選択し最適化するように設計された。まず、SPSは、DoE粉末の焼結挙動、条件、および光学性能の評価のために使用した。酸処理なしで、エタノール中でミリングした蛍光体粉末が、少量の未特定の第2の相が、得られる粉末中に存在してはいるが、DoE粉末の中で最高変換効率(球状ピンホールで約32.9%)を有することがわかった。セラミック変換体を作製するための費用効果のある手法を探索するために、最も有望なDoE粉末を使用して、テープ流延の後に脱バインターおよび常圧焼結プロセスを行った。粉末から作製されたセラミック変換体を脱バインターさせ、部分的に酸化させ、N中で常圧焼結後に、X SrSiからY SrSiへの相変態が部分的に生じたことがわかった。即ち、最終セラミック変換体は、2つの主な相SrSiおよびSrSiからなり、前者が三斜晶相であり、後者が六方晶構造である。複合セラミック変換体は、SPSプロセスにより生成されたものの変換効率(32.9%)よりも高い変換効率(ピンホール内で40.6%)を示した。
本発明の複合酸窒化セラミック変換体は、異なる形の出発粉末を使用して生成されてもよい。例えば出発粉末は、(1)固溶体組成物SrSi:Eu(式中、0.95≦a≦1.05、1.5≦b≦2.5、1.5≦c≦2.5、1.5≦d≦2.5であり、好ましくは0.1〜5モルパーセントのユーロピウム(モル%Eu)を含有する)の酸窒化物系蛍光体粉末;(2)SrSi:Eu xモル対SrSi:Eu(1−x)モルの相対モル比(式中、xは0.01〜0.99の間である)を有する混合型蛍光体粉末であって、好ましくは0.1〜5モル%のEuでドープされている粉末;または(3)Sr、Si、Al、およびEuの酸化物または窒化物(例えば、SrO、SrCO、Sr、SiO、Si、Al、AlN、Eu、SrSi、SrSi12、SrSi、SrSi、SrSi8−xなど)の形をとり、最終複合セラミック変換体が2つの主な蛍光体相SrSi:EuおよびSrSi:Euからなるように設計された相対的な割合を有する原材料粉末を含んでいてもよい。複合変換体は、固相反応、SPS、常圧焼結、またはその他の方法、例えば熱間プレス、熱間静水圧圧縮成形、および加圧焼結によって生成されてもよい。好ましくは、酸窒化蛍光体相は、0.1〜5モル%のEu、より好ましくは0.1〜3モル%のEu、さらにより好ましくは0.3〜1.5モル%のEuを含有する。
[実施例1]
Eu含量が0.1〜10モル%または0.1〜5モル%のEuである、いくつかの異なる酸窒化蛍光体粉末(例えば、SrSi)を、異なる条件下で処理した。粉末は、その粒径(d50)が0.20〜5.0μmの間であり、好ましい範囲は0.50〜3.0μmであった。主なSrSi:Eu蛍光体相は、XRDにより≧70重量パーセント(wt.%)と決定され、好ましい範囲は80wt.%〜99.9wt.%であった。セラミック変換体は、放電プラズマ焼結によって形成した。複合酸窒化蛍光体粉末を、黒鉛加圧ダイに投入し、ダイにパルス状直流を流すことによってこのダイを加熱した。窒化ホウ素塗料を、粉末に接触するダイアセンブリの部分に塗布して、粉末と黒鉛との間の反応を防止した。直径15〜20mmおよび厚さ約1.5〜6.5mmの試料を、5〜100MPaの一軸圧力、好ましい範囲は20〜80MPaである一軸圧力を使用して焼結した。圧力を、500〜1350℃の間の温度、好ましい範囲は800〜1300℃の温度で加え、焼結サイクルの終わりまで一定に保持した。当初、試料を、室温から950℃まで、真空中で30〜35℃/分の速度で加熱した。Ar、N、H、またはこれらの組合せを含む気体(好ましくは、100%Nまたは2%H/98%N(フォーミングガス))を950℃で導入し、焼結をピーク温度まで続けた。典型的には、セラミック変換体を、1400〜1600℃(好ましくは、1400〜1500℃)のピーク温度で1〜360分間(好ましくは、5〜240分間、または5〜120分間)焼結した。焼結プロセスが終了したら、試料を室温まで素早く冷却した。最終焼結温度から500℃まで下げる冷却速度は、約350℃/分であった。焼結セラミック円筒物を粉砕して、厚さが約50〜200μmの薄いディスク状にした。非補正変換効率(「ピンホール効率」)を測定し、色度点を計算した。非補正変換効率は、フォトン・パー・フォトン・ベース(a photon-per-photon basis)でどの程度効果的に青色励起光が緑色に変換されるかを示すパラメータである。
[実施例2]
実施例1に類似した組成を持つ酸窒化蛍光体粉末を、例えばHO、エタノール、トルエン、ベンゼン、ヘキサン、メタノール、およびイソプロピルアルコールなどの水性溶媒または有機溶媒に懸濁した。ミリング媒体を添加し、スラリーをミリングして均質な分散体を得た(例えば、160rpmで24時間)。可塑剤および結合剤を懸濁液に添加し、懸濁液をさらにミリングした(例えば、60rpmで24時間)。ただし、速度は、ジャー・サイズおよび使用されるローラ機に応じて調節することができる。最終組成物中の固体、分散剤、可塑剤、および結合剤の体積含有率は、それぞれ26.23%、2.68%、2.64%、および6.10%であった。ミリング媒体と固体との比は、2:1〜10:1の範囲、好ましくは4:1〜8:1の範囲に保った。生成されたスラリーを、必要とされる最終的な厚さに応じて、ブレード高さ30μm〜1000μmでテープ流延した。スラリーは、担体フィルム上に流延した。担体フィルム上のテープを剥がし、平坦化処理し(blanked)、種々のサイズおよび形状、例えば円形、長方形、および正方形に打ち抜いた。ミリングされたスラリーをテープ流延して、厚さが20〜500μmの平板を形成した。結合剤の焼却を、300〜1100℃の間の温度の炉内で、種々の雰囲気(空気、N、H、N/H、または真空)中で実施した。結合剤の焼却後、セラミック平板を、非酸化雰囲気の炉内で焼結した。焼結プロファイルは、出発粉末の特性および炉の条件を考慮に入れて調節した。特に、粉末バッチ、試料のサイズおよび厚さと、使用される炉のタイプに応じて、温度を2℃/分〜20℃/分の速度で上昇させ、平板を1400℃〜1600℃の温度で焼結した。焼結したセラミック変換体の厚さは、約50〜200μmであった。ピンホール効率を測定し、色度点を計算した。
図4Aは、SPS(実施例1、4−1と示される)法および常圧焼結(実施例2、4−2と示される)法により作製された、最も高いピンホール効率を示す試料の、発光スペクトルを比較する。nmを単位とする波長λの関数として、任意の単位(a.U.)の発光強度Iが示される。試料の光学パラメータを、以下の表で比較する。データは、443.5nmの青色励起光源を使用することによって得た。図4Bは、実施例1および2の色度点をそれぞれ示す。
および/または
実施例2の試料では、三斜晶(020)ピークを100%と仮定した場合、六方晶の三斜晶相に対する比は41%〜59%(wt.%を単位とする)である。比は、脱結合温度、焼結温度、および雰囲気などを変えることによって、変えることができる。
熱間プレス、熱間静水圧圧縮成形、および加圧焼結は、緑色複合セラミック変換体を焼結するための、3つの可能性ある代替方法である。これらは、テープ流延の後に常圧焼結を行うプロセスに比べ、費用効果および効率が比較的少ないプロセスである。
複合酸窒化セラミック変換体をLEDと対にした堅牢性試験では、1000時間の動作後、複合セラミック変換体が、ほぼ完全に安定した光出力を示すことがわかった。緑色方向への僅かなカラーシフトが観察されたが、これは飽和しているように見え、より重要なのは強度が安定して、緑色LEDの適用例への可能性が実証されたことであった。試験条件:T=125℃、I=1000mA、持続時間1000時間、およびT=85℃、相対湿度85%、I=500mA、持続時間1000時間。pc−LEDは、反射性ハウジングを含む。
図5は、蛍光体−変換LED(pc−LED)構成での複合酸窒化セラミック変換体の使用を示す。特に、複合酸窒化セラミック変換体104を有するpc−LEDの形をした光源100が示されている。複合体酸窒化セラミック変換体は、三斜晶SrSi:Eu2+相および六方晶SrSi:Eu2+相からなる。セラミック変換体104は一般に、その厚さが20μm〜500μmの間であり、好ましくは100μm〜250μmの間の厚さである。好ましい実施形態では、セラミック変換体は、平らな板の形を有するが、そのような形に限定するものではない。
青色発光LEDダイ102の発光面107から放出された一次光106は、セラミック変換体104に入り、そこで青色光の少なくとも一部を、異なるピーク波長を持つ二次光116に、例えば緑色光に変換する。好ましくは、青色一次光106は、そのピーク波長が420nm〜490nmの範囲にある。セラミック変換体104の発光面120から最終的に放出される光の色は、セラミック変換体を通過する未変換一次光106の量と、セラミック変換体内で二次光116に変換される一次光の量との比に依存することになる。いくつかの適用例では、一次光106の実質的に全てが変換され、変換された光116のみが放出される(完全変換)。
少なくとも1つの実施形態に基づき、構成要素は半導体チップ102を含む。前記半導体チップは、少なくとも青色スペクトル範囲から電磁一次放射線を発生させるよう設定される。セラミック変換体104は、半導体チップ102とは空間的に離れて配置構成することができる。例えば、セラミック変換体104と半導体チップ102との間隔を、200μm以上に、好ましくは750μm以上に、より好ましくは900μm以上にすることができる(いわゆる遠隔蛍光体変換)。あるいは、セラミック変換体104は、半導体チップ102上に直接配置構成することができる。半導体チップは、半導体多層構造を含むことができる。半導体チップの前記半導体多層構造は、好ましくはIII−IV族化合物半導体材料をベースにする。半導体材料は、好ましくは、AlIn1−n−mGaNなどの窒化物化合物半導体材料である。しかし、簡略化のため、半導体多層構造の結晶格子の必須構成要素のみ、即ちAl、As、Ga、In、N、またはPが示されるが、後者を少量の他の物質で置き換えかつ/または補うこともできる。
図6A〜図6Eは、計算されたx線回折データを示す。選択されたパラメータは:SrSi:Eu、Cell:7.106×7.106×6.6192<90.0<90.0×120.0>Vol=2895、Z=1、Dx=3.6219、I/Ic=2.0(v);218 反射 0.0−76.58度>=0.0%(M=多重度(multiplicity);六方晶:P3(143)[M3]、hP22、[回折計 LP][U(I,j)][F’+F’’][A=0.5][VS]。
現時点で本発明の好ましい実施形態と見なされるものについて図示し記述してきたが、添付される特許請求の範囲により定義された本発明の範囲から逸脱しない範囲で、様々な変更および修正を行うことができることは、当業者にとって明らかであろう。
本特許出願は、参照によりその開示内容が本明細書に組み込まれる米国特許出願第62/172,552号の優先権を主張するものである。

Claims (20)

  1. 三斜晶SrSi:Eu蛍光体の第1の相と、六方晶SrSi:Eu蛍光体の第2の相とを有する、複合酸窒化セラミック変換体。
  2. 前記SrSi:Eu蛍光体および前記SrSi:Eu蛍光体が、Euを0.1モルパーセント〜5モルパーセント含有する、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  3. 前記SrSi:Eu蛍光体および前記SrSi:Eu蛍光体が、Euを0.1モルパーセント〜3モルパーセント含有する、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  4. 前記SrSi:Eu蛍光体および前記SrSi:Eu蛍光体が、Euを0.3モルパーセント〜1.5モルパーセント含有する、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  5. 前記SrSi:Eu蛍光体 xモル対前記SrSi:Eu蛍光体 (1−x)モルの相対モル比を有し、xは0.01〜0.99である、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  6. 前記SrSi:Eu蛍光体 xモル対前記SrSi:Eu蛍光体 (1−x)モルの相対モル比を有し、xは0.20〜0.80である、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  7. 前記SrSi:Eu蛍光体 xモル対前記SrSi:Eu蛍光体 (1−x)モルの相対モル比を有し、xは0.30〜0.60である、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  8. 平均粒径が0.1〜10μmである、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  9. 前記平均粒径が2〜10μmである、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  10. ピーク波長が540〜570nmである緑色光を放出する、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  11. ピーク波長が550〜560nmである緑色光を放出する、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  12. 平板様形状の第1の粒子と、六角形の断面を持つ細長い形状の第2の粒子とを含む、請求項1に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  13. 細長い形状を持つ前記第2の粒子のアスペクト比が、1超から約12未満の範囲にある、請求項12に記載の複合酸窒化セラミック変換体。
  14. 発光ダイオード(LED)と、複合酸窒化セラミック変換体とを含む光源であって、前記複合酸窒化セラミック変換体が、三斜晶SrSi:Eu蛍光体の第1の相と六方晶SrSi:Eu蛍光体の第2の相とを有する光源。
  15. 前記SrSi:Eu蛍光体および前記SrSi:Eu蛍光体が、Euを0.1モルパーセント〜5モルパーセント含有する、請求項14に記載の光源。
  16. 前記複合酸窒化セラミック変換体が、前記SrSi:Eu蛍光体 xモル対前記SrSi:Eu蛍光体 (1−x)モルの相対モル比を有し、xは0.20〜0.80である、請求項14に記載の光源。
  17. 前記複合酸窒化セラミック変換体が、ピーク波長が540〜570nmである緑色光を放出する、請求項14に記載の光源。
  18. 前記LEDが一次光を放出し、前記複合酸窒化セラミック変換体が、前記一次光の実質的に全てを前記緑色光に変換する、請求項17に記載の光源。
  19. 前記一次光のピーク波長が420〜490nmの範囲にある、請求項18に記載の光源。
  20. 前記緑色光のピーク波長が550〜560nmである、請求項19に記載の光源。
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