[go: up one dir, main page]

JP6450653B2 - 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム - Google Patents

格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム Download PDF

Info

Publication number
JP6450653B2
JP6450653B2 JP2015126402A JP2015126402A JP6450653B2 JP 6450653 B2 JP6450653 B2 JP 6450653B2 JP 2015126402 A JP2015126402 A JP 2015126402A JP 2015126402 A JP2015126402 A JP 2015126402A JP 6450653 B2 JP6450653 B2 JP 6450653B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
space
storage unit
transfer
rectifying plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015126402A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017011150A (ja
Inventor
貴光 深沢
貴光 深沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2015126402A priority Critical patent/JP6450653B2/ja
Priority to US15/187,989 priority patent/US10777437B2/en
Priority to KR1020160077616A priority patent/KR102357510B1/ko
Priority to TW105119623A priority patent/TWI702678B/zh
Publication of JP2017011150A publication Critical patent/JP2017011150A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6450653B2 publication Critical patent/JP6450653B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67379—Closed carriers characterised by coupling elements, kinematic members, handles or elements to be externally gripped
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明の実施形態は、清浄化のために基板を格納する格納ユニット、当該格納ユニットを備える搬送装置、及び、当該搬送装置を備える基板処理システムに関するものである。
電子デバイスの製造においては、基板処理システムが利用されている。基板処理システムは、一般的に、ローダモジュール、ロードロックモジュール、トランスファモジュール、及び、複数のプロセスモジュールを備えている。
ローダモジュールは、大気圧環境下で基板を搬送する搬送装置である。ローダモジュールは、大気圧に設定される搬送チャンバを提供し、当該搬送チャンバ内に搬送ロボットを有している。ローダモジュールの搬送ロボットは、フープとロードロックモジュールとの間で、基板を搬送するように構成されている。
ロードロックモジュールは、予備減圧チャンバを提供しており、ローダモジュールとトランスファモジュールとの間に設けられている。トランスファモジュールは、減圧可能な搬送チャンバを提供しており、当該搬送チャンバ内に搬送ロボットを有している。トランスファモジュールの搬送ロボットは、ロードロックモジュールと複数のプロセスモジュールとの間でウエハを搬送する。複数のプロセスモジュールは、プラズマエッチング、成膜、熱処理といった各々に専用の基板の処理を行うように構成された基板処理装置である。
このような基板処理システムでは、フープから取り出されたウエハが、ローダモジュール、ロードロックモジュール、及びトランスファモジュールを経由して、プロセスモジュールに搬入される。次いで、一以上のプロセスモジュールにおいて基板が処理される。処理済の基板は、トランスファモジュール、ロードロックモジュール、及び、ローダモジュールを経て、フープに戻される。このような基板処理システムについては、例えば、特許文献１に記載されている。
特開２０１０−２２５６４１号公報
ところで、プロセスモジュールにおける処理では、基板に付着物が形成される。この付着物が完全に除去されていない状態で基板がフープに戻されると、フープ自体、フープ内の別の基板、及び測定器等に汚染をもたらす。したがって、基板の付着物を除去することが必要である。このため、ローダモジュールに格納ユニットが取り付けられることがある。格納ユニットは、複数の基板を鉛直方向において多段に格納するように構成されている。格納ユニット内の複数の基板には、当該複数の基板の側方から気体（例えば、空気）が供給され、当該気体と付着物との反応生成物が生成され、当該気体と当該反応生成物が排気されるようになっている。
しかしながら、上述したような格納ユニットは、基板に沿った気体の流れが不均一になるので、基板に多くの付着物が残される。したがって、格納ユニットには、基板に沿った気体の流れの不均一性を低減させて、基板に付着物を残さないようすることが望まれている。
一態様においては、清浄化のために基板を格納する格納ユニットが提供される。即ち、パージ機能を有する格納ユニットが提供される。この格納ユニットは、容器、整流板、及び排気ダクトを備えている。容器は、前方において開口し、鉛直方向において多段に複数の基板を配置するための第１空間、及び、第１空間の後方の第２空間を提供する。整流板は、第１空間と第２空間との間に設けられている。排気ダクトは、第２空間に連通している。整流板は、第１空間に面する有効領域を有する。有効領域は、第１領域及び第２領域を含んでいる。第１領域は、整流板に直交する第１方向と鉛直方向とに直交する第２方向における第１空間の中央に面する領域である。即ち、第１領域は、第１方向において、複数の基板それぞれの中央に面する領域である。第２領域は、第２方向における第１領域の一方側又は両側で延在している。第１領域には、当該第１領域にわたって分布するように複数の貫通孔が形成されている。第２領域は、第１領域のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有している。
一態様に係る格納ユニットでは、第２空間に排気ダクトが接続されているので、第２空間の圧力は、第１空間の圧力よりも低くなる。したがって、容器の開口を介して気体が第１空間に流入する。第１空間に流入した気体は、当該第１空間において多段に格納された複数の基板にそれらの側方から与えられ、当該複数の基板に沿って流れる。これにより、基板の付着物が払拭され、払拭された付着物は、気体と共に整流板の貫通孔を通過して、第２空間に向かう。第２空間に到達した気体及び付着物は排気ダクトを経由して排気される。
第１空間において複数の基板が多段に格納されていると、当該第１空間の第２方向（即ち、幅方向）の中央のコンダクタンスは、当該中央に対して幅方向側方における第１空間のコンダクタンスよりも低くなる。このような第１空間内のコンダクタンスの差を緩和するために、整流板の第１領域、即ち、第１空間の中央に対して第１方向において対面する領域には複数の貫通孔が形成されている。また、第１領域に対して一方側又は両側で延在する整流板の第２領域のコンダクタンスは、第１領域のコンダクタンスよりも低くなっている。一態様に係る格納ユニットでは、かかる整流板が第１空間と第２空間との間に介在しているので、第１空間から整流板を経由して第２空間に到る気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。その結果、格納ユニットにおいて、複数の基板それぞれに沿った気体の流れの不均一性が低減されて、基板の付着物が排気される。
一実施形態では、第２領域は、第１領域の一方側に設けられており、且つ、第１領域よりも、第２空間の側の排気ダクトの開口の近くに設けられている。この実施形態によれば、第１空間から排気ダクトの開口までの気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。その結果、複数の基板それぞれに沿った気体の流れの不均一性が低減されて、基板の付着物が排気される。
一実施形態では、第２領域は、第２方向における第１領域の両側で延在しており、且つ、第２空間の側の排気ダクトの開口に対して、第２方向において対称に延在していてもよい。この実施形態によれば、第１空間から排気ダクトの開口までの気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。その結果、複数の基板それぞれに沿った気体の流れの不均一性が低減されて、基板の付着物が排気される。
一実施形態では、有効領域は、第２領域の上側において第２方向に延びる第３領域を含み、第３領域には、該第３領域にわたって分布するように複数の貫通孔が形成されていてもよい。この実施形態によれば、排気ダクトの開口が整流板の上側部分（第３領域）よりも下側部分に近い場合に、第１空間から整流板の第３領域を経由して排気ダクトの開口に到る気体の経路のコンダクタンスと、第１空間から整流板の下側部分を経由して排気ダクトの開口に到る気体の経路のコンダクタンスとの差が低減される。
別の一態様では、搬送装置が提供される。即ち、大気圧環境下で基板を搬送するローダモジュールが提供される。この搬送装置は、チャンバ本体、搬送ロボット、上述した格納ユニットの何れか、及び送風機を備える。チャンバ本体は、搬送チャンバを提供する。搬送ロボットは、搬送チャンバに設けられている。格納ユニットは、第１空間が搬送チャンバに連通するようにチャンバ本体に接続されている。送風機は、搬送チャンバ及び第１空間に向かう気体の流れを発生する。
更に別の一態様では、基板処理システムが提供される。この基板処理システムは上述の搬送装置、ロードロックモジュール、トランスファモジュール、及び、プロセスモジュールを備えている。ロードロックモジュールは、予備減圧のためのチャンバを提供し、搬送装置のチャンバ本体に接続されている。トランスファモジュールは、減圧可能な搬送チャンバを提供し、搬送チャンバ内に搬送ロボットを有し、ロードロックモジュールに接続されている。プロセスモジュールは、基板を処理するためのモジュールであり、トランスファモジュールに接続されている。
以上説明したように、格納ユニット内に格納された基板に沿った気体の流れの不均一性を低減して基板の付着物を排気することが可能となる。
一実施形態に係る基板処理システムを概略的に示す図である。 一実施形態に係る搬送装置の斜視図である。 一実施形態に係る搬送装置を一部破断して示す図である。 一実施形態に係る格納ユニットの斜視図である。 一実施形態に係る格納ユニットの断面図である。 支持部を示す斜視図である。 整流板を示す平面図である。 整流板と支持部とを示す平面図である。 整流板を示す平面図である。 整流板と支持部とを示す平面図である。 別の実施形態に係る基板処理システムを概略的に示す図である。 別の実施形態に係る格納ユニットを示す斜視図である。 別の実施形態に係る格納ユニットの断面図である。 整流板と支持部とを示す平面図である。 整流板と支持部とを示す平面図である。 図１２に示す格納ユニットの断面図である。 更に別の実施形態に係る基板処理システムを概略的に示す図である。 更に別の実施形態に係る格納ユニットの断面図である。 整流板と支持部とを示す平面図である。 図１８に示す格納ユニットの別の断面図である。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図１は、一実施形態に係る基板処理システムを概略的に示す図である。図１に示す基板処理システム１０は、ローダモジュール１２、ロードロックモジュール１４１、ロードロックモジュール１４２、トランスファモジュール１６、及び複数のプロセスモジュール１８１〜１８４を備えている。
ローダモジュール１２は、一実施形態の搬送装置であり、大気圧環境下において基板を搬送する装置である。ローダモジュール１２には、複数の台２０が取り付けられている。複数の台２０の各々の上には、複数の基板（以下、基板を「ウエハＷ」という）を収容したフープ２２がそれぞれ搭載される。
ローダモジュール１２は、その内部の搬送チャンバ１２ｃに搬送ロボット１２ｒを有している。ローダモジュール１２には、ロードロックモジュール１４１及びロードロックモジュール１４２が接続されている。搬送ロボット１２ｒは、フープ２２とロードロックモジュール１４１の間、又は、フープ２２とロードロックモジュール１４２の間においてウエハＷを搬送する。また、搬送ロボット１２ｒは、後述する格納ユニット３０にもウエハＷを搬送することが可能である。なお、ウエハＷは、フープ２２からロードロックモジュール１４１，１４２に搬送される際に、図示しないウエハアライナーにおいてアライメントされてから当該ロードロックモジュール１４１，１４２に搬送される。
ロードロックモジュール１４１及びロードロックモジュール１４２は、予備減圧のためのチャンバ１４１ｃ及びチャンバ１４２ｃをそれぞれ提供する。ロードロックモジュール１４１及びロードロックモジュール１４２には、トランスファモジュール１６が接続されている。トランスファモジュール１６は、減圧可能な搬送チャンバ１６ｃを提供しており、当該搬送チャンバ１６ｃに搬送ロボット１６ｒを有している。このトランスファモジュール１６には、複数のプロセスモジュール１８１〜１８４が接続されている。トランスファモジュール１６の搬送ロボット１６ｒは、ロードロックモジュール１４１及びロードロックモジュール１４２の何れかと複数のプロセスモジュール１８１〜１８４の何れかとの間、及び、複数のプロセスモジュール１８１〜１８４のうち任意の二つのプロセスモジュール間で、ウエハＷを搬送する。
複数のプロセスモジュール１８１〜１８４の各々は、ウエハＷに対する専用の処理を行うための基板処理装置である。プロセスモジュール１８１〜１８４によって行われる処理は、例えば、プラズマエッチング、成膜、熱処理といった任意の処理である。
以下、基板処理システム１０の搬送装置であるローダモジュール１２について詳細に説明する。図２は、一実施形態に係る搬送装置の斜視図であり、図３は、一実施形態に係る搬送装置を一部破断して示す図である。図２及び図３に示すように、ローダモジュール１２は、チャンバ本体１２ｍ、搬送ロボット１２ｒ、及び格納ユニット３０を備えている。
チャンバ本体１２ｍは、略箱形をなしており、その内部空間として搬送チャンバ１２ｃを提供している。この搬送チャンバ１２ｃは、大気圧環境下においてウエハＷを搬送するための空間であり、当該搬送チャンバ１２ｃには、搬送ロボット１２ｒが設けられている。
ローダモジュール１２は、更に上部ファンフィルタユニット１２ｕを備えている。上部ファンフィルタユニット１２ｕは、搬送チャンバ１２ｃの上方に設けられている。上部ファンフィルタユニット１２ｕは、送風ファンである送風機１２ａ、及びフィルタ１２ｆを有している。送風機１２ａは、フィルタ１２ｆを介して搬送チャンバ１２ｃへの下向きの気体（例えば、クリーン空気）の流れ（ダウンフロー）を形成する。また、送風機１２ａから搬送チャンバ１２ｃへ供給される気体は、格納ユニット３０にも供給されるようになっている。また、搬送チャンバ１２ｃ内の空間は、格納ユニット３０内の付着物が当該搬送チャンバ１２ｃ内の空間に逆流してこないように陽圧に制御される。
また、ローダモジュール１２は、更に下部ファンフィルタユニット１２ｂを備えている。下部ファンフィルタユニット１２ｂは、搬送チャンバ１２ｃの下方に設けられている。この下部ファンフィルタユニット１２ｂは、整流板１２ｐ及びファン１２ｄを備えている。整流板１２ｐには多数の貫通孔が形成されている。ファン１２ｄは、整流板１２ｐによって囲まれた空間１２ｓ内に設けられている。このローダモジュール１２では、上部ファンフィルタユニット１２ｕから搬送チャンバ１２ｃに供給された気体は、格納ユニット３０内へ向かう一方で、ファン１２ｄによって整流板１２ｐを介して空間１２ｓ内に引き込まれる。空間１２ｓ内に引き込まれた気体は、空間１２ｓに接続されたダクト１２ｇを介してローダモジュール１２の外部に排気されるようになっている。
格納ユニット３０は、チャンバ本体１２ｍに接続されている。図４は、一実施形態に係る格納ユニットの斜視図であり、図５は、一実施形態に係る格納ユニットの断面図である。図５は、格納ユニットの高さ方向の中間位置における当該格納ユニットの断面を示している。以下、図３と共に、図４及び図５を参照する。
格納ユニット３０は、複数のウエハＷを鉛直方向において多段に格納するように構成されている。また、格納ユニット３０は、複数のウエハＷの清浄化のために、複数のウエハＷに沿った気体の流れを形成し、例えば、ウエハＷの付着物を、そのままの状態で、当該付着物と気体中の水分との結合体として、或いは、当該付着物と気体中の水分との反応生成物として、気体と共に排気するように構成されている。即ち、格納ユニット３０は、パージ機能を有している。
格納ユニット３０は、容器３２、二つの整流板３４１，３４２、及び、排気ダクト３６を備えている。容器３２は、容器本体３８、及び、二つの支持部４０１，４０２を含んでいる。容器本体３８は、外壁３８ａ、及び隔壁３８ｂを有している。外壁３８ａは、前方において開口した内部空間ＳＩを提供している。外壁３８ａの前端は、ローダモジュール１２のチャンバ本体１２ｍに結合されている。これにより、ローダモジュール１２のチャンバ本体１２ｍ内の搬送チャンバ１２ｃと内部空間ＳＩとが連通するようになっている。
隔壁３８ｂは、整流板３４１と整流板３４２との間に介在して、整流板３４１及び整流板３４２と共に、内部空間ＳＩを、前側空間ＳＦと当該前側空間ＳＦより後方の第２空間Ｓ２とに分けている。
前側空間ＳＦには、二つの支持部４０１，４０２が設けられている。図６は、支持部を示す斜視図である。以下、図３〜図５に加えて、図６を参照する。二つの支持部４０１，４０２は、複数のウエハＷを鉛直方向において多段に支持するよう構成されている。二つの支持部４０１，４０２はそれぞれ、前側空間ＳＦ内において第１空間Ｓ１ａ，Ｓ１ｂを規定している。以下、支持部４０１及び第１空間Ｓ１ａに関連する方向を示す用語として、方向ＶＤ、方向Ｄ１１、及び方向Ｄ１２との用語を用いる。方向ＶＤは鉛直方向である。方向Ｄ１１は、整流板３４１に直交する第１方向である。方向Ｄ１２は、方向ＶＤ及び方向Ｄ１１に直交する第２方向であり、第１空間Ｓ１ａの幅方向である。また、支持部４０２及び第１空間Ｓ１ｂに関連する方向を示す用語として、方向ＶＤ、方向Ｄ２１、及び方向Ｄ２２との用語を用いる。方向Ｄ２１は、整流板３４２に直交する第１方向である。方向Ｄ２２は、方向ＶＤ及び方向Ｄ２１に直交する第２方向であり、第１空間Ｓ１ｂの幅方向である。
図６に示すように、支持部４０１及び支持部４０２の各々は、底板４０ｂ、上部フレーム４０ｔ、及び一対の側部材４０ｆを有している。一対の側部材４０ｆは、幅方向の両側において底板４０ｂ上に支持されている。また、一対の側部材４０ｆは、それらの上端において上部フレーム４０ｔによって支持されている。
支持部４０１の一対の側部材４０ｆは、方向Ｄ１２（幅方向）の両側から上述の第１空間Ｓ１ａを規定している。また、支持部４０２の一対の側部材４０ｆは、方向Ｄ２２（幅方向）の両側から第１空間Ｓ１ｂを規定している。第１空間Ｓ１ａ及び第１空間Ｓ１ｂは、複数のウエハＷを鉛直方向において多段に格納するための空間であり、前方、即ち、搬送チャンバ１２ｃに向けて開口しており、当該搬送チャンバ１２ｃと連通している。したがって、第１空間Ｓ１ａ，第１空間Ｓ１ｂには、送風機１２ａからの気体がそれらの開口を介して供給されるようになっている。
一対の側部材４０ｆの各々は、幅方向外側に板状のベース部を含んでいる。また、一対の側部材４０ｆの各々は、当該ベース部から幅方向内側に突出した複数の薄板部を含んでいる。複数の薄板部は、鉛直方向に沿って配列されている。一対の側部材４０ｆの複数の薄板部は、複数のウエハＷを鉛直方向において多段に収納する複数のスロットを提供している。
第１空間Ｓ１ａと第２空間Ｓ２との間には、整流板３４１が設けられている。図７は、整流板を示す平面図である。図８は、整流板と支持部とを示す平面図である。整流板３４１は、略矩形の平面形状を有する板状の部材である。整流板３４１の一方側の主面は第１空間Ｓ１ａ側に向いており、他方側の主面は第２空間Ｓ２側に向いている。
整流板３４１は、有効領域ＲＥ１を有している。有効領域ＲＥ１は、方向Ｄ１１において第１空間Ｓ１ａに面し、第１空間Ｓ１ａと第２空間Ｓ２との間に介在する領域である。また、整流板３４１は、有効領域ＲＥ１の周囲にエッジ領域を有している。エッジ領域は、容器本体３８によって支持される領域であり、第１空間Ｓ１ａと第２空間Ｓ２との間の気体の流れに関与しない領域である。
有効領域ＲＥ１は、第１領域Ｒ１１、及び第２領域Ｒ１２を含んでいる。一実施形態では、有効領域ＲＥ１は、第３領域Ｒ１３を更に含んでいてもよい。第１領域Ｒ１１は、第１空間Ｓ１ａの方向Ｄ１２（幅方向）の中央Ｃ１に、方向Ｄ１１に沿って面する帯状の領域である。即ち、第１領域Ｒ１１は、第１空間Ｓ１ａにおいて多段に格納された複数のウエハＷそれぞれの中央に対面する帯状の領域である。この第１領域Ｒ１１には、複数の貫通孔３４ｔが当該第１領域Ｒ１１の全体にわたって分布するように形成されている。
第２領域Ｒ１２は、略矩形の領域であり、方向Ｄ１２における第１領域Ｒ１１の一方側で延在している。第２領域Ｒ１２は、方向Ｄ１２における第１空間Ｓ１ａの縁部に面する領域である。なお、本実施形態では、第２領域Ｒ１２は、第１領域Ｒ１１よりも、後述する排気ダクト３６の第２空間Ｓ２側の開口３６ａに近い側に設けられている。この第２領域Ｒ１２は、第１領域Ｒ１１のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有している。このようなコンダクタンスを第２領域Ｒ１２に与えるために、一例では、第２領域Ｒ１２には貫通孔が形成されていない。
第３領域Ｒ１３は、第２領域Ｒ１２の上方で延在している。この第３領域Ｒ１３にも、複数の貫通孔３４ｔが当該第３領域Ｒ１３の全体にわたって分布するように形成されている。
なお、整流板３４１の有効領域ＲＥ１は、別の第２領域Ｒ１２ａ及び別の第３領域Ｒ１３ａを更に含んでいてもよい。第２領域Ｒ１２ａは、方向Ｄ１２における第１領域Ｒ１１の他方側で延在する。この第２領域Ｒ１２ａは、第２領域Ｒ１２と同様に、第１領域Ｒ１１のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有する。また、この第２領域Ｒ１２ａは、第２領域Ｒ１２の幅よりも狭い幅を有する。第３領域Ｒ１３ａは、第２領域Ｒ１２ａの上方において延在する。この第３領域Ｒ１３ａには、複数の貫通孔３４ｔが形成される。
また、第１空間Ｓ１ｂと第２空間Ｓ２との間には、整流板３４２が設けられている。図９は、整流板を示す平面図である。図１０は、整流板と支持部とを示す平面図である。整流板３４２は、略矩形の板状の部材である。整流板３４２の一方側の主面は第１空間Ｓ１ｂ側に向いており、他方側の主面は第２空間Ｓ２側に向いている。
整流板３４２は、有効領域ＲＥ２を有している。有効領域ＲＥ２は、第１空間Ｓ１ｂに面し、第１空間Ｓ１ｂと第２空間Ｓ２との間に介在する領域である。また、整流板３４２は、有効領域ＲＥ２の周囲にエッジ領域を有している。エッジ領域は、容器本体３８によって支持される部分であり、第１空間Ｓ１ｂと第２空間Ｓ２との間の気体の流れに関与しない領域である。
有効領域ＲＥ２は、第１領域Ｒ２１、及び第２領域Ｒ２２を含んでいる。一実施形態では、有効領域ＲＥ２は、第３領域Ｒ２３を更に含んでいてもよい。第１領域Ｒ２１は、第１空間Ｓ１ｂの方向Ｄ２２（幅方向）の中央Ｃ２に、方向Ｄ２１に沿って面する帯状の領域である。即ち、第１領域Ｒ２１は、第１空間Ｓ１ｂにおいて多段に格納された複数のウエハＷそれぞれの中央に対面する帯状の領域である。この第１領域Ｒ２１には、複数の貫通孔３４ｔが当該第１領域Ｒ２１の全体にわたって分布するように形成さている。
第２領域Ｒ２２は、略矩形の領域であり、方向Ｄ２２における第１領域Ｒ２１の一方側で延在している。第２領域Ｒ２２は、方向Ｄ２２における第１空間Ｓ１ｂの縁部に面する領域である。なお、本実施形態では、第２領域Ｒ２２は、第１領域Ｒ２１よりも、排気ダクト３６の第２空間Ｓ２側の開口３６ａに近い側に設けられている。この第２領域Ｒ２２は、第１領域Ｒ２１のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有している。このようなコンダクタンスを第２領域Ｒ２２に与えるために、一例では、第２領域Ｒ２２には貫通孔が形成されていない。
第３領域Ｒ２３は、第２領域Ｒ２２の上方で延在している。この第３領域Ｒ２３にも、複数の貫通孔３４ｔが当該第３領域Ｒ２３の全体にわたって分布するように形成されている。
なお、整流板３４２の有効領域ＲＥ２は、第２領域Ｒ２２の下方に領域Ｒ２４を更に含んでいてもよい。この領域Ｒ２４には複数の貫通孔３４ｔが形成される。また、整流板３４２の有効領域ＲＥ２は、別の第２領域Ｒ２２ａ及び別の第３領域Ｒ２３ａを更に含んでいてもよい。第２領域Ｒ２２ａは、方向Ｄ２２における第１領域Ｒ２１の他方側で延在する。この第２領域Ｒ２２ａは、第２領域Ｒ２２と同様に、第１領域Ｒ２１のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有する。また、この第２領域Ｒ２２ａは、第２領域Ｒ２２の幅よりも狭い幅を有する。第３領域Ｒ２３ａは、第２領域Ｒ２２ａの上方において延在する。この第３領域Ｒ２３ａには、複数の貫通孔３４ｔが形成される。
再び図３〜図５を参照する。容器３２には排気ダクト３６が接続されている。排気ダクト３６は、第２空間Ｓ２に連通しており、第２空間Ｓ２の下方に開口３６ａ（第２空間Ｓ２側の開口）を提供している。この排気ダクト３６は、下流側において、排気ボックス４４に接続している。排気ボックス４４には、逆止弁及び流量調整バルブが設けられている。さらに、排気ボックス４４は、下流側において、別の排気ダクト４６に接続している。排気ダクト４６は、第２空間Ｓ２からの気体及び反応生成物をローダモジュール１２の外部に排気するための配管である。
かかる格納ユニット３０では、第２空間Ｓ２に排気ダクト３６が接続されているので、第２空間Ｓ２の圧力は、第１空間Ｓ１ａ，Ｓ１ｂの圧力よりも低くなる。したがって、容器３２の開口を介して気体が第１空間Ｓ１ａ，Ｓ１ｂに流入する。第１空間Ｓ１ａ，Ｓ１ｂに流入した気体は、第１空間Ｓ１ａ，Ｓ１ｂにおいて多段に格納された複数のウエハＷにそれらの側方から与えられ、当該複数のウエハＷに沿って流れる。これにより、ウエハＷの付着物が払拭され、払拭された付着物は、そのままの状態で、当該付着物と気体中の水分との結合体として、或いは、当該付着物と気体中の水分との反応生成物として、気体と共に、整流板３４１，３４２の貫通孔を通過して、第２空間Ｓ２に向かう。第２空間Ｓ２に到達した気流及び反応生成物は排気ダクト３６を経由して排気される。
第１空間Ｓ１ａにおいて複数のウエハＷが多段に格納されていると、第１空間Ｓ１ａの中央Ｃ１のコンダクタンスは、当該中央Ｃ１に対して幅方向側方における第１空間Ｓ１ａのコンダクタンスよりも低くなる。このような第１空間Ｓ１ａ内のコンダクタンスの差を緩和するために、整流板３４１の第１領域Ｒ１１には複数の貫通孔３４ｔが形成されている。また、第１領域Ｒ１１に対して一方側で延在する整流板３４１の第２領域Ｒ１２のコンダクタンスは、第１領域Ｒ１１のコンダクタンスよりも低くなっている。かかる整流板３４１が第１空間Ｓ１ａと第２空間Ｓ２との間に介在しているので、第１空間Ｓ１ａから整流板３４１を経由して第２空間Ｓ２に到る気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。その結果、第１空間Ｓ１ａに格納された複数のウエハＷそれぞれに沿った気体の流れの不均一性が低減されて、付着物が排気される。故に、第１空間Ｓ１ａに格納された複数のウエハＷの付着物を排気することが可能となる。
また、第１空間Ｓ１ｂにおいても複数のウエハＷが多段に格納されていると、第１空間Ｓ１ｂの中央Ｃ２のコンダクタンスは、当該中央Ｃ２に対して幅方向側方における第１空間Ｓ１ｂのコンダクタンスよりも低くなる。このような第１空間Ｓ１ｂ内のコンダクタンスの差を緩和するために、整流板３４２の第１領域Ｒ２１には複数の貫通孔３４ｔが形成されている。また、第１領域Ｒ２１に対して一方側で延在する整流板３４２の第２領域Ｒ２２のコンダクタンスは、第１領域Ｒ２１のコンダクタンスよりも低くなっている。かかる整流板３４２が第１空間Ｓ１ｂと第２空間Ｓ２との間に介在しているので、第１空間Ｓ１ｂから整流板３４２を経由して第２空間Ｓ２に到る気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。その結果、第１空間Ｓ１ｂに格納された複数のウエハＷそれぞれに沿った気体の流れの不均一性が低減される。故に、第１空間Ｓ１ｂに格納された複数のウエハＷの付着物を排気することが可能となる。
また、整流板３４１の第２領域Ｒ１２は、第１領域Ｒ１１よりも、排気ダクト３６の開口３６ａの近くに設けられている。したがって、第１空間Ｓ１ａから排気ダクト３６の開口３６ａまでの気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。また、整流板３４２の第２領域Ｒ２２は、第１領域Ｒ２１よりも、排気ダクト３６の開口３６ａの近くに設けられている。したがって、第１空間Ｓ１ｂから排気ダクト３６の開口３６ａまでの気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。
また、整流板３４１の第３領域Ｒ１３により、第１空間Ｓ１ａから整流板３４１の上側部分を経由して排気ダクト３６の開口３６ａに到る気体の経路のコンダクタンスと、第１空間Ｓ１ａから整流板３４１の下側部分を経由して排気ダクト３６の開口３６ａに到る気体の経路のコンダクタンスとの差が低減される。また、整流板３４２の第３領域Ｒ２３により、第１空間Ｓ１ｂから整流板３４２の上側部分を経由して排気ダクト３６の開口３６ａに到る気体の経路のコンダクタンスと、第１空間Ｓ１ｂから整流板３４２の下側部分を経由して排気ダクト３６の開口３６ａに到る気体の経路のコンダクタンスとの差が低減される。
以下、別の実施形態に係る基板処理システムについて説明する。図１１は、別の実施形態に係る基板処理システムを概略的に示す図である。図１１に示す基板処理システム１０Ａは、ローダモジュール１２に代えて、ローダモジュール１２Ａを備えている点において、基板処理システム１０とは異なっている。また、ローダモジュール１２Ａは、格納ユニット３０に代えて、格納ユニット３０Ａを備えている点において、ローダモジュール１２と異なっている。以下、格納ユニット３０Ａについて説明する。
図１２は、別の実施形態に係る格納ユニットを示す斜視図である。図１３は、別の実施形態に係る格納ユニットの断面図である。図１２及び図１３に示す格納ユニット３０Ａは、容器３２Ａ、二つの整流板３４１Ａ，３４２Ａ、及び、排気ダクト３６Ａを備えている。容器３２Ａは、容器本体３８Ａ、及び、二つの支持部４０１Ａ，４０２Ａを含んでいる。容器本体３８Ａは、外壁３８Ａａ、及び隔壁３８Ａｂを有している。外壁３８Ａａは、略箱形状を有しており、前方において開口した内部空間ＳＩを提供している。外壁３８Ａａの前端は、ローダモジュール１２Ａのチャンバ本体１２ｍに結合されている。これにより、ローダモジュール１２Ａのチャンバ本体１２ｍ内の搬送チャンバ１２ｃと内部空間ＳＩとが連通するようになっている。
隔壁３８Ａｂは、外壁３８Ａａと整流板３４１Ａとの間、整流板３４１Ａと整流板３４２Ａとの間、及び、外壁３８Ａａと整流板３４２Ａとの間に介在しており、整流板３４１Ａ及び整流板３４２Ａと共に、内部空間ＳＩを前側空間ＳＦと当該前側空間ＳＦより後方の第２空間Ｓ２とに分けている。
前側空間ＳＦには、二つの支持部４０１Ａ，４０２Ａが設けられている。二つの支持部４０１Ａ，４０２Ａはそれぞれ、前側空間ＳＦ内において第１空間Ｓ１ａ，Ｓ１ｂを規定している。二つの支持部４０１Ａ，４０２Ａは、図６に示した支持部４０１，４０２と同一の構造を有している。但し、支持部４０１，４０２は、それらの幅方向が同一方向ではなく、互いに交差する方向となるように、配置されている。一方、支持部４０１Ａ及び支持部４０２Ａは、それらの幅方向が同一方向となるように、配置されている。以下、整流板３４１Ａ及び整流板３４２Ａに直交する第１方向を方向Ｄ１と呼ぶ。また、方向Ｄ１及び鉛直方向（方向ＶＤ）に直交する第２方向、即ち、第１空間Ｓ１ａ及び第１空間Ｓ１ｂの幅方向を、方向Ｄ２と呼ぶ。
第１空間Ｓ１ａと第２空間Ｓ２との間には、整流板３４１Ａが設けられている。図１４は、整流板と支持部とを示す平面図である。整流板３４１Ａは、略矩形の平面形状を有する板状の部材である。整流板３４１Ａの一方側の主面は第１空間Ｓ１ａ側に向いており、他方側の主面は第２空間Ｓ２側に向いている。
整流板３４１Ａは、有効領域ＲＥＡ１を有している。有効領域ＲＥＡ１は、第１空間Ｓ１ａに面し、第１空間Ｓ１ａと第２空間Ｓ２との間に介在する領域である。また、整流板３４１Ａは、有効領域ＲＥＡ１の周囲にエッジ領域を有している。エッジ領域は、容器本体３８Ａによって支持される領域であり、第１空間Ｓ１ａと第２空間Ｓ２との間の気体の流れに関与しない領域である。
有効領域ＲＥＡ１は、第１領域ＲＡ１１、及び第２領域ＲＡ１２を含んでいる。一実施形態では、有効領域ＲＥＡ１は、第３領域ＲＡ１３を更に含んでいてもよい。第１領域ＲＡ１１は、第１空間Ｓ１ａの方向Ｄ２（幅方向）の中央Ｃ１に、方向Ｄ１に沿って面する帯状の領域である。即ち、第１領域ＲＡ１１は、第１空間Ｓ１ａにおいて多段に格納された複数のウエハＷそれぞれの中央に対面する帯状の領域である。この第１領域ＲＡ１１には、複数の貫通孔３４ｔが当該第１領域ＲＡ１１の全体にわたって分布するように形成さている。
第２領域ＲＡ１２は、略矩形の領域であり、方向Ｄ２における第１領域ＲＡ１１の一方側で延在している。第２領域ＲＡ１２は、方向Ｄ２における第１空間Ｓ１ａの縁部に面する領域である。なお、本実施形態では、第２領域ＲＡ１２は、第１領域ＲＡ１１よりも、後述する排気ダクト３６Ａの第２空間Ｓ２側の開口３６Ａａに近い側に設けられている。この第２領域ＲＡ１２は、第１領域ＲＡ１１のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有している。このようなコンダクタンスを第２領域ＲＡ１２に与えるために、一例では、第２領域ＲＡ１２には貫通孔が形成されていない。
第３領域ＲＡ１３は、第２領域ＲＡ１２の上方で延在している。この第３領域ＲＡ１３にも、複数の貫通孔３４ｔが当該第３領域ＲＡ１３の全体にわたって分布するように形成されている。
なお、整流板３４１Ａの有効領域ＲＥＡ１は、別の第２領域ＲＡ１２ａ及び別の第３領域ＲＡ１３ａを更に含んでいてもよい。第２領域ＲＡ１２ａは、方向Ｄ２における第１領域ＲＡ１１の他方側で延在する。この第２領域ＲＡ１２ａは、第２領域ＲＡ１２と同様に、第１領域ＲＡ１１のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有する。また、この第２領域ＲＡ１２ａは、第２領域ＲＡ１２の幅よりも狭い幅を有する。第３領域ＲＡ１３ａは、第２領域ＲＡ１２ａの上方において延在する。この第３領域ＲＡ１３ａには、複数の貫通孔３４ｔが形成される。
また、第１空間Ｓ１ｂと第２空間Ｓ２との間には、整流板３４２Ａが設けられている。図１５は、整流板と支持部とを示す平面図である。整流板３４２Ａは、略矩形の平面形状を有する板状の部材である。整流板３４２Ａの一方側の主面は第１空間Ｓ１ｂ側に向いており、他方側の主面は第２空間Ｓ２側に向いている。
整流板３４２Ａは、有効領域ＲＥＡ２を有している。有効領域ＲＥＡ２は、第１空間Ｓ１ｂに面し、第１空間Ｓ１ｂと第２空間Ｓ２との間に介在する領域である。また、整流板３４２Ａは、有効領域ＲＥＡ２の周囲にエッジ領域を有している。エッジ領域は、容器本体３８Ａによって支持される領域であり、第１空間Ｓ１ｂと第２空間Ｓ２との間の気体の流れに関与しない領域である。
有効領域ＲＥＡ２は、第１領域ＲＡ２１、及び第２領域ＲＡ２２を含んでいる。一実施形態では、有効領域ＲＥＡ２は、第３領域ＲＡ２３を更に含んでいてもよい。第１領域ＲＡ２１は、第１空間Ｓ１ｂの方向Ｄ２（幅方向）の中央Ｃ２に、方向Ｄ１に沿って面する帯状の領域である。即ち、第１領域ＲＡ２１は、第１空間Ｓ１ｂにおいて多段に格納された複数のウエハＷそれぞれの中央に対面する帯状の領域である。この第１領域ＲＡ２１には、複数の貫通孔３４ｔが当該第１領域ＲＡ２１の全体にわたって分布するように形成さている。
第２領域ＲＡ２２は、略矩形の領域であり、方向Ｄ２における第１領域ＲＡ２１の一方側で延在している。第２領域ＲＡ２２は、方向Ｄ２における第１空間Ｓ１ｂの縁部に面する領域である。なお、本実施形態では、第２領域ＲＡ２２は、第１領域ＲＡ２１よりも、排気ダクト３６Ａの第２空間Ｓ２側の開口３６Ａａに近い側に設けられている。この第２領域ＲＡ２２は、第１領域ＲＡ２１のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有している。このようなコンダクタンスを第２領域ＲＡ２２に与えるために、一例では、第２領域ＲＡ２２には貫通孔が形成されていない。
第３領域ＲＡ２３は、第２領域ＲＡ２２の上方で延在している。この第３領域ＲＡ２３にも、複数の貫通孔３４ｔが当該第３領域ＲＡ２３の全体にわたって分布するように形成されている。
なお、整流板３４２Ａの有効領域ＲＥＡ２は、別の第２領域ＲＡ２２ａ及び別の第３領域ＲＡ２３ａを更に含んでいてもよい。第２領域ＲＡ２２ａは、方向Ｄ２における第１領域ＲＡ２１の他方側で延在する。この第２領域ＲＡ２２ａは、第２領域ＲＡ２２と同様に、第１領域ＲＡ２１のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有する。また、この第２領域ＲＡ２２ａは、第２領域ＲＡ２２の幅よりも狭い幅を有する。第３領域ＲＡ２３ａは、第２領域ＲＡ２２ａの上方において延在する。この第３領域ＲＡ２３ａには、複数の貫通孔３４ｔが形成される。
再び図１２及び図１３を参照する。また、図１２及び図１３に加えて、図１６を参照する。図１６は、図１２に示す格納ユニットの断面図であり、幅方向及び鉛直方向に延び第２空間を通る平面において格納ユニットを切断した断面を示している。
容器３２Ａには排気ダクト３６Ａが接続されている。排気ダクト３６Ａは、第２空間Ｓ２に連通しており、第２空間Ｓ２の下方に開口３６Ａａ（第２空間Ｓ２側の開口）を提供している。この開口３６Ａａは、方向Ｄ２における第２空間Ｓ２の中央に対して下方に位置している。即ち、開口３６Ａａは、幅方向において整流板３４１Ａ及び整流板３４２Ａから略等距離にある。排気ダクト３６Ａは、下流側において、排気ボックス４４に接続している。さらに、排気ボックス４４は、下流側において、別の排気ダクト４６に接続している。
この格納ユニット３０Ａでは、上述した第１領域ＲＡ１１及び第２領域ＲＡ１２を有する整流板３４１Ａが、第１空間Ｓ１ａと第２空間Ｓ２との間に介在しているので、第１空間Ｓ１ａから整流板３４１Ａを経由して第２空間Ｓ２に到る気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。その結果、第１空間Ｓ１ａに格納された複数のウエハＷそれぞれに沿った気体の流れの不均一性が低減される。故に、第１空間Ｓ１ａに格納された複数のウエハＷの付着物を排気することが可能となる。また、上述した第１領域ＲＡ２１及び第２領域ＲＡ２２を有する整流板３４２Ａが第１空間Ｓ１ｂと第２空間Ｓ２との間に介在しているので、第１空間Ｓ１ｂから整流板３４２Ａを経由して第２空間Ｓ２に到る気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。その結果、第１空間Ｓ１ｂに格納された複数のウエハＷそれぞれに沿った気体の流れの不均一性が低減される。故に、第１空間Ｓ１ｂに格納された複数のウエハＷの付着物を排気することが可能となる。
また、整流板３４１Ａの第２領域ＲＡ１２は、第１領域ＲＡ１１よりも、排気ダクト３６Ａの開口３６Ａａの近くに設けられている。したがって、第１空間Ｓ１ａから排気ダクト３６Ａの開口３６Ａａまでの気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。また、整流板３４２Ａの第２領域ＲＡ２２は、第１領域ＲＡ２１よりも、排気ダクト３６Ａの開口３６Ａａの近くに設けられている。したがって、第１空間Ｓ１ｂから排気ダクト３６Ａの開口３６Ａａまでの気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。
また、整流板３４１Ａの第３領域ＲＡ１３により、第１空間Ｓ１ａから整流板３４１Ａの上側部分を経由して排気ダクト３６Ａの開口３６Ａａに到る気体の経路のコンダクタンスと、第１空間Ｓ１ａから整流板３４１Ａの下側部分を経由して排気ダクト３６Ａの開口３６Ａａに到る気体の経路のコンダクタンスとの差が低減される。また、整流板３４２Ａの第３領域ＲＡ２３により、第１空間Ｓ１ｂから整流板３４２Ａの上側部分を経由して排気ダクト３６Ａの開口３６Ａａに到る気体の経路のコンダクタンスと、第１空間Ｓ１ｂから整流板３４２Ａの下側部分を経由して排気ダクト３６Ａの開口３６Ａａに到る気体の経路のコンダクタンスとの差が低減される。
以下、更に別の実施形態について説明する。図１７は、別の実施形態に係る基板処理システムを概略的に示す図である。図１７に示す基板処理システム１０Ｂは、ローダモジュール１２に代えて、ローダモジュール１２Ｂを備えている点において、基板処理システム１０とは異なっている。また、ローダモジュール１２Ｂは、格納ユニット３０に代えて、格納ユニット３０Ｂを備えている点において、ローダモジュール１２と異なっている。以下、格納ユニット３０Ｂについて説明する。
図１８は、更に別の実施形態に係る格納ユニットの断面図である。図１８に示す格納ユニット３０Ｂは、容器３２Ｂ、一つの整流板３４、及び、排気ダクト３６Ｂを備えている。容器３２Ｂは、容器本体３８Ｂ、及び、一つの支持部４０を含んでいる。容器本体３８Ｂは、外壁３８Ｂａ、及び隔壁３８Ｂｂを有している。外壁３８Ｂａは、略箱形状を有しており、前方において開口した内部空間ＳＩを提供している。外壁３８Ｂａの前端は、ローダモジュール１２Ｂのチャンバ本体１２ｍに結合されている。これにより、ローダモジュール１２Ｂのチャンバ本体１２ｍ内の搬送チャンバ１２ｃと内部空間ＳＩとが連通するようになっている。
隔壁３８Ｂｂは、外壁３８Ｂａと整流板３４との間に介在して、整流板３４と共に、内部空間ＳＩを、前側空間ＳＦと当該前側空間ＳＦより後方の第２空間Ｓ２とに分けている。
前側空間ＳＦには、支持部４０が設けられている。支持部４０は前側空間ＳＦ内において第１空間Ｓ１を規定している。支持部４０は、図６に示した支持部４０１，４０２と同一の構造を有している。以下、整流板３４に直交する第１方向を方向Ｄ１と呼ぶ。また、方向Ｄ１及び鉛直方向（方向ＶＤ）に直交する第２方向、即ち、第１空間Ｓ１の幅方向を、方向Ｄ２と呼ぶ。
第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２との間には、整流板３４が設けられている。図１９は、整流板と支持部とを示す平面図である。整流板３４は、略矩形の平面形状を有する板状の部材である。整流板３４の一方側の主面は第１空間Ｓ１側に向いており、他方側の主面は第２空間Ｓ２側に向いている。
整流板３４は、有効領域ＲＥを有している。有効領域ＲＥは、第１空間Ｓ１に面し、第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２との間に介在する領域である。また、整流板３４は、有効領域ＲＥの周囲にエッジ領域を有している。エッジ領域は、容器本体３８Ｂによって支持される領域であり、第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２との間の気体の流れに関与しない領域である。
有効領域ＲＥは、第１領域Ｒ１、及び第２領域Ｒ２を含んでいる。一実施形態では、有効領域ＲＥは、第３領域Ｒ３を更に含んでいてもよい。第１領域Ｒ１は、第１空間Ｓ１の方向Ｄ２（幅方向）の中央Ｃ１に、方向Ｄ１に沿って面する帯状の領域である。即ち、第１領域Ｒ１は、第１空間Ｓ１において多段に格納された複数のウエハＷそれぞれの中央に面する帯状の領域である。この第１領域Ｒ１には、複数の貫通孔３４ｔが当該第１領域Ｒ１の全体にわたって分布するように形成さている。
第２領域Ｒ２は、略矩形の領域であり、方向Ｄ２における第１領域Ｒ１の両側で延在している。第２領域Ｒ２は、方向Ｄ２における第１空間Ｓ１の両縁部に面する領域である。なお、本実施形態では、第２領域Ｒ２は、後述する排気ダクト３６Ｂの第２空間Ｓ２側の開口３６Ｂａに対して、対称に延在している。この第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有している。このようなコンダクタンスを第２領域Ｒ２に与えるために、一例では、第２領域Ｒ２には貫通孔が形成されていない。
第３領域Ｒ３は、第２領域Ｒ２の上方で延在している。この第３領域Ｒ３にも、複数の貫通孔３４ｔが当該第３領域Ｒ３の全体にわたって分布するように形成されている。
なお、整流板３４の有効領域ＲＥは、第２領域Ｒ２の下方で延在する第４領域Ｒ４を更に含んでいてもよい。第４領域Ｒ４にも、複数の貫通孔３４ｔが当該第４領域Ｒ４の全体にわたって分布するように形成されている。
再び図１８を参照する。また、図１８に加えて図２０を参照する。図２０は、図１８に示す格納ユニットの別の断面図であり、幅方向及び鉛直方向に延び第２空間を通る平面において格納ユニットを切断した断面を示している。
容器３２Ｂには排気ダクト３６Ｂが接続されている。排気ダクト３６Ｂは、第２空間Ｓ２に連通しており、第２空間Ｓ２の下方に開口３６Ｂａ（第２空間Ｓ２側の開口）を提供している。この開口３６Ｂａは、方向Ｄ２における第２空間Ｓ２の中央に対して下方に位置している。排気ダクト３６Ｂは、下流側において、排気ボックス４４に接続し、排気ボックス４４は、下流側において、別の排気ダクト４６に接続している。
この格納ユニット３０Ｂでは、上述した第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２を有する整流板３４が第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２との間に介在しているので、第１空間Ｓ１から整流板３４を経由して第２空間Ｓ２に到る気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。その結果、第１空間Ｓ１に格納された複数のウエハＷそれぞれに沿った気体の流れの不均一性が低減される。故に、第１空間Ｓ１に格納された複数のウエハＷの付着物の量を低減させることが可能となる。
また、整流板３４の第２領域Ｒ２は、排気ダクト３６Ｂの開口３６Ｂａに対して対称に延在している。これにより、第１空間Ｓ１から排気ダクト３６Ｂの開口３６Ｂａまでの気体の経路間のコンダクタンスの差が低減される。
また、第３領域Ｒ３により、第１空間Ｓ１から整流板３４の上側部分を経由して排気ダクト３６Ｂの開口３６Ｂａに到る気体の経路のコンダクタンスと、第１空間Ｓ１から整流板３４の下側部分を経由して排気ダクト３６Ｂの開口３６Ｂａに到る気体の経路のコンダクタンスとの差が低減される。
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、処理システムにおいてフープを搭載する台の個数、ロードロックモジュールの個数、プロセスモジュールの個数等は任意であり得る。また、基板処理システムの各要素のレイアウトは上述した実施形態のレイアウトと異なっていてもよい。
１０，１０Ａ，１０Ｂ…基板処理システム、１２，１２Ａ，１２Ｂ…ローダモジュール、１２ｍ…チャンバ本体、１２ｃ…搬送チャンバ、１２ｒ…搬送ロボット、１２ａ…送風機、１４１，１４２…ロードロックモジュール、１６…トランスファモジュール、１６ｃ…搬送チャンバ、１６ｒ…搬送ロボット、１８１〜１８４…プロセスモジュール、３０，３０Ａ，３０Ｂ…格納ユニット、３２，３２Ａ，３２Ｂ…容器、３４，３４１，３４２，３４１Ａ，３４２Ａ…整流板、３４ｔ…貫通孔、ＲＥ，ＲＥ１，ＲＥ２，ＲＥＡ１，ＲＥＡ２…有効領域、Ｒ１，Ｒ１１，Ｒ２１，ＲＡ１１，ＲＡ２１…第１領域、Ｒ２，Ｒ１２，Ｒ２２，ＲＡ１２，ＲＡ２２…第２領域、３６，３６Ａ，３６Ｂ…排気ダクト、３６ａ，３６Ａａ，３６Ｂａ…開口、４０，４０１，４０２，４０１Ａ，４０２Ａ…支持部、４０ｆ…側部材、Ｓ１，Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ…第１空間、Ｓ２…第２空間。

Claims (7)

  1. 清浄化のために基板を格納する格納ユニットであって、
    前方において開口し、鉛直方向において多段に複数の基板を格納するための第１空間、及び、前記第１空間の後方の第２空間を提供する容器と、
    前記第１空間と前記第２空間との間に設けられた整流板と、
    前記第２空間に連通する排気ダクトと、
    を備え、
    前記整流板は、前記第１空間に面する有効領域を有し、該有効領域は、
    前記整流板に直交する第１方向と前記鉛直方向とに直交する第２方向における前記第１空間の中央に面する第１領域と、
    前記第２方向における前記第１領域の一方側又は両側で延在する第２領域と、
    を含み、
    前記第１領域には、該第１領域にわたって分布するように複数の貫通孔が形成されており、
    前記第２領域は、前記第１領域のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有する、
    格納ユニット。
  2. 前記第２領域は、前記第１領域の前記一方側に設けられており、且つ、前記第１領域よりも、前記第２空間の側の前記排気ダクトの開口の近くに設けられている、
    請求項１に記載の格納ユニット。
  3. 前記第２領域は、前記第２方向における前記第１領域の両側で延在しており、且つ、前記第２空間の側の前記排気ダクトの開口に対して、前記第２方向において対称に延在している、請求項１に記載の格納ユニット。
  4. 前記有効領域は、前記第２領域の上側において前記第２方向に延びる第３領域を含み、
    前記第３領域には、該第３領域にわたって分布するように複数の貫通孔が形成されている、
    請求項１〜３の何れか一項に記載の格納ユニット。
  5. 前記第１領域は、前記第１空間において多段に格納される複数の基板それぞれの中央に対面するように延在している、請求項１〜４の何れか一項に記載の格納ユニット。
  6. 搬送チャンバを提供するチャンバ本体と、
    前記搬送チャンバに設けられた搬送ロボットと、
    請求項１〜５の何れか一項に記載の格納ユニットであり、前記第１空間が前記搬送チャンバに連通するように前記チャンバ本体に接続された該格納ユニットと、
    前記搬送チャンバ及び前記第１空間に向かう気体の流れを発生する送風機と、
    を備える搬送装置。
  7. 請求項６に記載の搬送装置と、
    予備減圧のためのチャンバを提供し、前記搬送装置の前記チャンバ本体に接続されたロードロックモジュールと、
    減圧可能な搬送チャンバを提供し、該搬送チャンバ内に搬送ロボットを有し、前記ロードロックモジュールに接続されたトランスファモジュールと、
    基板を処理するためのプロセスモジュールであり、前記トランスファモジュールに接続された該プロセスモジュールと、
    を備える基板処理システム。
JP2015126402A 2015-06-24 2015-06-24 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム Active JP6450653B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015126402A JP6450653B2 (ja) 2015-06-24 2015-06-24 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム
US15/187,989 US10777437B2 (en) 2015-06-24 2016-06-21 Storage unit, transfer apparatus, and substrate processing system
KR1020160077616A KR102357510B1 (ko) 2015-06-24 2016-06-21 격납 유닛, 반송 장치, 및 기판 처리 시스템
TW105119623A TWI702678B (zh) 2015-06-24 2016-06-22 收納單元、搬送裝置及基板處理系統

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015126402A JP6450653B2 (ja) 2015-06-24 2015-06-24 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017011150A JP2017011150A (ja) 2017-01-12
JP6450653B2 true JP6450653B2 (ja) 2019-01-09

Family

ID=57602754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015126402A Active JP6450653B2 (ja) 2015-06-24 2015-06-24 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10777437B2 (ja)
JP (1) JP6450653B2 (ja)
KR (1) KR102357510B1 (ja)
TW (1) TWI702678B (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10566216B2 (en) * 2017-06-09 2020-02-18 Lam Research Corporation Equipment front end module gas recirculation
TWI717034B (zh) * 2017-06-23 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 側儲存倉、電子裝置處理系統、和處理基板的方法
KR102527659B1 (ko) 2017-11-27 2023-05-03 삼성전자주식회사 공기청정기
US20190214283A1 (en) * 2018-01-10 2019-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Process system of performing fabrication process, and torque initiated lifting tool included therein
JP7234527B2 (ja) * 2018-07-30 2023-03-08 Tdk株式会社 センサー内蔵フィルタ構造体及びウエハ収容容器
US11373891B2 (en) * 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same
US11244844B2 (en) * 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
US11508593B2 (en) 2018-10-26 2022-11-22 Applied Materials, Inc. Side storage pods, electronic device processing systems, and methods for operating the same
US11189511B2 (en) * 2018-10-26 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs
US11610794B2 (en) * 2018-10-26 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
CN109979870B (zh) * 2019-04-23 2020-04-07 浙江金麦特自动化系统有限公司 一种硅晶片自动分片上料机构
US11236424B2 (en) * 2019-11-01 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
JP2023044397A (ja) 2021-09-17 2023-03-30 キオクシア株式会社 基板格納装置
KR102797917B1 (ko) * 2021-11-23 2025-04-22 한국야스카와전기(주) 반도체 제조 설비용 웨이퍼의 자동 티칭장치
KR102395665B1 (ko) * 2021-11-23 2022-05-09 한국야스카와전기(주) 웨이퍼의 공정장치

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3372581B2 (ja) * 1993-01-21 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5482068A (en) * 1993-08-18 1996-01-09 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus
US5879458A (en) * 1996-09-13 1999-03-09 Semifab Incorporated Molecular contamination control system
US6273107B1 (en) * 1997-12-05 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
US5934991A (en) * 1998-02-01 1999-08-10 Fortrend Engineering Corporation Pod loader interface improved clean air system
JP3916380B2 (ja) 1999-07-06 2007-05-16 株式会社荏原製作所 基板搬送容器待機ステーション
US6875282B2 (en) * 2001-05-17 2005-04-05 Ebara Corporation Substrate transport container
JP3882139B2 (ja) * 2001-09-25 2007-02-14 株式会社日立プラントテクノロジー クリーン搬送車
JP3670617B2 (ja) * 2002-03-22 2005-07-13 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置および熱処理方法
US6899145B2 (en) * 2003-03-20 2005-05-31 Asm America, Inc. Front opening unified pod
JP2009087972A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 基板収容機構及び半導体製造装置
JP5388643B2 (ja) 2009-03-19 2014-01-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
KR101404621B1 (ko) * 2012-11-05 2014-06-09 우범제 밀폐형 도어장치와 흄 제거장치를 갖춘 사이드 스토레이지
KR101448131B1 (ko) * 2013-01-02 2014-10-07 (주) 세츠 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버
KR101444241B1 (ko) * 2013-01-14 2014-09-26 우범제 웨이퍼 처리장치의 배기시스템
JP6213079B2 (ja) * 2013-09-09 2017-10-18 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
KR101682473B1 (ko) * 2013-10-18 2016-12-05 삼성전자주식회사 사이드 스토리지 및 이를 구비하는 반도체 소자 제조 설비
TWI635552B (zh) * 2013-12-13 2018-09-11 昕芙旎雅股份有限公司 設備前端模組（ｅｆｅｍ）
KR102162366B1 (ko) * 2014-01-21 2020-10-06 우범제 퓸 제거 장치
KR102164544B1 (ko) * 2014-01-22 2020-10-12 삼성전자 주식회사 가스 충진부를 구비하는 웨이퍼 스토리지 장치를 포함하는 반도체 제조 장치
KR101637498B1 (ko) * 2015-03-24 2016-07-07 피코앤테라(주) 웨이퍼 수납용기
KR200483073Y1 (ko) * 2016-07-15 2017-04-11 오션브릿지 주식회사 웨이퍼 스토리지용 퓸 제거 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170000790A (ko) 2017-01-03
JP2017011150A (ja) 2017-01-12
US20160379855A1 (en) 2016-12-29
TWI702678B (zh) 2020-08-21
KR102357510B1 (ko) 2022-02-03
TW201709391A (zh) 2017-03-01
US10777437B2 (en) 2020-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6450653B2 (ja) 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム
TWI841616B (zh) 側儲存倉、設備前端模組、和其操作方法
US10512948B2 (en) Gas purge unit and gas purge apparatus
JP2013045989A5 (ja)
JP2016086161A5 (ja)
JP2019161116A (ja) Ｅｆｅｍ
TWI677051B (zh) 晶舟支撐台及使用其之熱處理裝置
JPWO2016117588A1 (ja) 基板処理装置
WO2020086707A1 (en) Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating efems
US10636680B2 (en) Robot transport device
JP5562759B2 (ja) 基板処理装置
JP2016004834A (ja) 真空処理装置
JP2008172080A (ja) 処理装置及びこの装置における清浄気体の排出方法
JP7613808B2 (ja) 配管構造及び処理装置
JP2015167240A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR102732475B1 (ko) 물품 반송 설비
JP7087357B2 (ja) ポッド及びパージ装置
JP3562743B2 (ja) 基板処理装置
JP2020113629A (ja) 処理装置
JP5897832B2 (ja) 大気圧プラズマ処理システム
JP5465979B2 (ja) 半導体製造装置
US8834582B2 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor wafer
US12476127B2 (en) Vacuum processing apparatus
TWI474373B (zh) Airtight module and exhaust method of the airtight module
KR100888353B1 (ko) 플라즈마 처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181127

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181210

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6450653

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250