JP6391545B2 - インクジェット用接着剤、半導体装置の製造方法及び電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、インクジェット装置によって塗布されて用いられるインクジェット用接着剤に関する。また、本発明は、上記接着剤を用いる半導体装置の製造方法、並びに上記接着剤を用いた電子部品に関する。

半導体素子と基板等の支持部材との接合には、半導体素子固定用接着剤としてペースト状の接着剤が主に使用されている。

近年、半導体素子の小型化、半導体パッケージの小型化、高性能化に伴って、使用される支持部材にも小型化が要求されている。こうした要求に対して、ペースト状の接着剤では、濡れ拡がって、はみ出しなどの問題が発生している。また、ペースト状の接着剤では厚み制御が困難であり、この結果、半導体素子が傾いて、ワイヤボンディングの不具合等の問題が発生している。このため、近年の半導体パッケージには、従来のペースト状の接着剤を用いる接合では、十分に対処できなくなってきている。

また、近年、下記の特許文献１に記載されるように、フィルム状の接着剤層を有する接着シートが使用されるようになっている。

この接着シートを用いた接合方法では、まず、半導体ウェハの裏面に接着シート（接着剤層）を貼り付け、更に接着剤層の他方の面にダイシングシートを貼り合わせる。その後、ダイシングによって、接着剤層が貼り合わされた状態で半導体ウェハを個片化して半導体素子を得る。次いで接着剤層付きの半導体素子をピックアップして、支持部材に接合する。その後、ワイヤボンド、封止等の組立工程を経て、半導体装置が得られる。

しかし、接着シートを用いた半導体装置の製造では、接着シートがダイシング時の切断刃にまとわりつくことで、切断性が低下し、半導体チップが欠けて歩留まりが低下するという問題がある。また、基板等の支持部材には配線パターン等の段差があるために、段差部分にボイドが残りやすい。ボイドは信頼性を悪化させる原因になる。

また、特許文献２では、放射線重合性化合物と、光開始剤と、熱硬化性樹脂とを含有する接着剤が開示されている。

下記の特許文献３では、（１）エポキシ樹脂、（２）ラジカル硬化性樹脂、（３）光ラジカル開始剤、及び、（４）潜在性エポキシ硬化剤を含む接着剤が開示されている。（４）潜在性エポキシ硬化剤は、（ａ）特定の式（Ｉ）で表されるアミン化合物、（ｂ）分子内に２個以上のアミノ基を有するポリアミン化合物、（ｃ）有機ポリイソシアネート化合物、及び（ｄ）エポキシ化合物を反応させて得られる。

特開平３−１９２１７８号公報 ＷＯ２０１１／０５８９９８Ａ１ 特開２０１３−８２８３６号公報

特許文献２，３に記載のような従来の接着剤では、保存安定性が低く、保管時に粘度が上昇することがある。さらに、従来の接着剤では、貼り合わせ後の接着性が低くなることがある。

従来の接着剤では、優れた保存安定性と、優れた接着性とを両立することは困難である。

本発明の目的は、保存安定性に優れており、かつ、硬化後に接着性に優れているインクジェット用接着剤を提供することである。また、本発明は、上記接着剤を用いる半導体装置の製造方法、並びに上記接着剤を用いた電子部品を提供することも目的とする。

本発明の広い局面によれば、インクジェット装置によって塗布されて用いられる接着剤であって、環状エーテル基を１個有する第１の熱硬化性化合物及び環状エーテル基を１個有し、かつ光反応性官能基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物の内の少なくとも一方と、環状エーテル基を２個以上有する第２の熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、接着剤１００重量％中、前記第２の熱硬化性化合物の含有量が０．１重量％以上、１０重量％以下である、インクジェット用接着剤（以下、接着剤と記載することがある）が提供される。

本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記接着剤１００重量％中、前記第１の熱硬化性化合物と、前記光及び熱硬化性化合物と、前記第２の熱硬化性化合物との合計の含有量が３５重量％以上である。

本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記第２の熱硬化性化合物が、多環脂環式骨格を有し、かつ環状エーテル基を２個以上有する熱硬化性化合物を含む。

本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記接着剤は、前記第１の熱硬化性化合物を含まないか又は含み、前記光及び熱硬化性化合物を含み、前記光及び熱硬化性化合物が、環状エーテル基を１個有し、かつ（メタ）アクリロイル基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物を含む。

本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記光及び熱硬化性化合物が、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルを含む。

本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記接着剤は、光硬化性化合物と、光重合開始剤とを含む。

本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記光硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を１個有する第１の光硬化性化合物と、（メタ）アクリロイル基を２個以上有する第２の光硬化性化合物とを含む。

本発明の広い局面によれば、半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子の表面上に、インクジェット装置によって、上述したインクジェット用接着剤を塗布する工程と、光の照射により前記接着剤の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤を形成する工程と、前記Ｂステージ化接着剤の前記支持部材又は前記半導体素子側とは反対の表面上に、半導体素子を積層する工程と、前記半導体素子の積層後に、前記Ｂステージ化接着剤を熱硬化させる工程とを備える、半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の広い局面によれば、半導体ウェハの表面上に、インクジェット装置によって、上述したインクジェット用接着剤を塗布する工程と、光の照射により前記接着剤の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤を形成する工程と、前記Ｂステージ化接着剤の前記半導体ウェハ側とは反対の表面上に、カバーガラスを積層して、積層体を得る工程と、前記積層体における前記Ｂステージ化接着剤を熱硬化させる工程と、熱硬化後に前記積層体を切断する工程とを備える、半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の広い局面によれば、第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体と、前記第１の電子部品本体と前記第２の電子部品本体とを接続している接着剤とを備え、前記接着剤が、上述したインクジェット用接着剤を、インクジェット装置を用いて塗布し、かつ硬化させて形成されている、電子部品が提供される。

本発明に係る電子部品のある特定の局面では、前記第１の電子部品本体が半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子であり、前記第２の電子部品本体が半導体素子である。

本発明に係るインクジェット用接着剤は、環状エーテル基を１個有する第１の熱硬化性化合物及び環状エーテル基を１個有し、かつ光反応性官能基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物の内の少なくとも一方と、環状エーテル基を２個以上有する第２の熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、接着剤１００重量％中、上記第２の熱硬化性化合物の含有量が０．１重量％以上、１０重量％以下であるので、接着剤の保存安定性を高めることができ、かつ、硬化後に接着性を高めることができる。

図１は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用接着剤を用いて得られる電子部品を模式的に示す正面断面図である。 図２（ａ）〜（ｅ）は、図１に示す電子部品の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 図３は、図２に示す電子部品の製造方法において用いられるインクジェット装置の一例を示す概略構成図である。 図４は、図２に示す電子部品の製造方法において用いられるインクジェット装置の他の例を示す概略構成図である。 図５は、図１に示す電子部品の変形例を模式的に示す正面断面図である。 図６は、電子部品の第１の変形例を模式的に示す正面断面図である。 図７は、電子部品の第２の変形例を模式的に示す正面断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明に係るインクジェット用接着剤（以下、接着剤と記載することがある）は、インクジェット装置によって塗布されて用いられる。本発明に係る接着剤は、スクリーン印刷により塗布される接着剤、及びディスペンサーによる塗布される接着剤等とは異なる。

本発明に係る接着剤は、熱硬化性を有する。本発明に係る接着剤は、光硬化性を有していてもよく、光硬化性を有していなくてもよい。

本発明に係る接着剤は、環状エーテル基を１個有する第１の熱硬化性化合物及び環状エーテル基を１個有し、かつ光反応性官能基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物の内の少なくとも一方と、環状エーテル基を２個以上有する第２の熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む。本発明に係る接着剤は、環状エーテル基を１個有する第１の熱硬化性化合物を含んでいてもよく、環状エーテル基を１個有し、かつ光反応性官能基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物を含んでいてもよく、環状エーテル基を１個有する第１の熱硬化性化合物と、環状エーテル基を１個有し、かつ光反応性官能基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物とを含んでいてもよい。

本発明に係る接着剤１００重量％中、上記第２の熱硬化性化合物の含有量は０．１重量％以上、１０重量％以下である。

本発明では、上記の構成が備えられているので、接着剤の保存安定性を高めることができる。例えば、保管中に、粘度が上昇し難くなる。さらに、本発明では、上記の構成が備えられているので、硬化後に接着性を高めることができる。本発明では、優れた保存安定性と、優れた接着性とを両立することができる。

本発明に係る接着剤は、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で塗布されることが好ましい。本発明では、５０℃以上に加温しても、粘度が上昇し難い。

２５℃で、３６５ｎｍでの照度が１００ｍＷ／ｃｍ^２になるように積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２の光をインクジェット用接着剤に照射してＢステージ化物を得る。Ｂステージ化物の２５℃での弾性率は好ましくは５．０×１０^２Ｐａ以上、より好ましくは８．０×１０^２Ｐａ以上、好ましくは８．０×１０^４Ｐａ以下、より好ましくは５．０×１０^４Ｐａ以下である。上記弾性率が上記下限以上であると、半導体チップ等の移動が起こりにくくなる。上記弾性率が上記上限以下であると、半導体チップ等の貼り合せ後の接着力がより一層高くなり、ボイドの発生が抑えられる。

上記弾性率は、ティー・エイ・インスツルメント社製の粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用いて、２５℃、測定プレート：直径８ｍｍの平行プレート、及び周波数１Ｈｚで測定される。なお、本明細書において、上記弾性率は貯蔵弾性率（Ｇ’）を意味する。

本発明に係る接着剤は、インクジェット装置を用いて塗布されるので、塗布時に液状であり、一般に２５℃で液状である。上記接着剤の２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度は好ましくは３ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは５ｍＰａ・ｓ以上、更に好ましくは１６０ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは２０００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは１６００ｍＰａ・ｓ以下、更に好ましくは１５００ｍＰａ・ｓ以下である。硬化した接着剤の厚み精度をより一層高め、更に硬化した接着剤にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤の２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度は１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下であることが特に好ましい。

上記粘度は、ＪＩＳ Ｋ２２８３に準拠して、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、２５℃で測定される。

硬化した接着剤をより一層高精度に形成し、硬化した接着剤にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記インクジェット用接着剤を循環させながら、塗布することが好ましい。

上記インクジェット装置が、上記接着剤が貯留されるインクタンクと、上記インクタンクと接続されておりかつ上記接着剤が吐出される吐出部と、一端が上記吐出部に接続されており、他端が上記インクタンクに接続されており、かつ内部を上記接着剤が流れる循環流路部とを有することが好ましい。

上記接着剤を塗布する際に、上記インクジェット装置内で、上記接着剤を上記インクタンクから上記吐出部に移動させた後に、上記吐出部から吐出されなかった上記接着剤を、上記循環流路部内を流して上記インクタンクに移動させることにより、上記接着剤を循環させながら、塗布する。上記接着剤を循環させながら塗布すれば、本発明の効果がより一層効果的に得られる。すなわち、硬化した接着剤の厚み精度をより一層高め、更に硬化した接着剤にボイドをより一層生じ難くすることができる。

また、本発明では、厚みの厚い硬化した接着剤を高精度に形成することができる。また、本発明では、多層化された硬化した接着剤であっても、微細かつ高精度に形成することができる。

上記接着剤は、電子部品本体の接着に好適に用いられる。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子の表面上に、インクジェット装置によって、上記インクジェット用接着剤を塗布する工程と、光の照射により上記接着剤の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤を形成する工程と、上記Ｂステージ化接着剤の上記支持部材又は上記半導体素子側とは反対の表面上に、半導体素子を積層する工程と、上記半導体素子の積層後に、上記Ｂステージ化接着剤を熱硬化させる工程とを備える。

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの表面上に、インクジェット装置によって、上記インクジェット用接着剤を塗布する工程と、光の照射により上記接着剤の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤を形成する工程と、上記Ｂステージ化接着剤の上記半導体ウェハ側とは反対の表面上に、カバーガラスを積層して、積層体を得る工程と、上記積層体における上記Ｂステージ化接着剤を熱硬化させる工程と、熱硬化後に上記積層体を切断する工程とを備える。

本発明に係る接着剤を用いれば、硬化した接着剤の厚み精度を高め、更に硬化した接着剤にボイドを生じ難くすることができる。従って、本発明に係る接着剤は、本発明に係る半導体装置の製造方法に好適に使用可能である。

また、本発明に係る電子部品は、第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体と、上記第１の電子部品本体と上記第２の電子部品本体とを接続している接着剤とを備える。この電子部品では、上記接着剤が、上記インクジェット用接着剤を、インクジェット装置を用いて塗布し、かつ硬化させて形成されている。

以下、図面を参照しつつ、インクジェト用接着剤を用いた本発明の具体的な実施形態を説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用接着剤を用いて得られる電子部品を模式的に示す正面断面図である。

図１に示す電子部品１は、第１の電子部品本体２と、第１の電子部品本体２の表面上に配置された接着剤３（接着剤層）と、接着剤３の表面上に配置された第２の電子部品本体４とを備える。接着剤３は、硬化した接着剤であり、接着剤層である。接着剤３の第１の表面上に、第１の電子部品本体２が配置されている。接着剤３の第１の表面側とは反対の第２の表面上に、第２の電子部品本体４が配置されている。本実施形態では、接着剤３は硬化した接着剤である。接着剤３を形成するために、上述したインクジェット用接着剤が用いられている。この接着剤が、インクジェット装置によって塗布され、かつ硬化されて、接着剤３が形成されている。

上記電子部品本体としては、具体的には、回路基板、半導体素子（ダイシング後の半導体ウェハも含む）、半導体ウェハ、カバーガラス、コンデンサ、ダイオード、プリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等が挙げられる。上記電子部品本体は、半導体素子搭載用の支持部材であってもよい。

硬化した接着剤を高精度に形成することが特に求められることから、上記第１の電子部品本体が、半導体素子又は半導体素子搭載用の支持部材であり、かつ、上記第２の電子部品本体が、半導体素子であるか、又は、上記第１の電子部品本体が、半導体ウェハであり、かつ上記第２の電子部品本体が、カバーガラスであることが好ましい。上記第１の電子部品本体が、半導体素子又は半導体素子搭載用の支持部材であり、かつ、上記第２の電子部品本体が、半導体素子であることが好ましい。上記第１の電子部品本体が、半導体ウェハであり、かつ上記第２の電子部品本体が、カバーガラスであることが好ましい。

第１の電子部品本体及び第２の電子部品本体の少なくとも一方が、半導体素子であることが好ましい。上記電子部品は、半導体素子を備えていることが好ましく、半導体装置であることが好ましい。

以下、図２（ａ）〜（ｅ）を参照しつつ、図１に示す電子部品の製造方法の一例について説明する。

先ず、図２（ａ）に示すように、第１の電子部品本体２上に、インクジェット装置１１によって、インクジェット用接着剤を塗布して、接着剤１２を形成する（塗布工程）。ここでは、第１の電子部品本体２の表面上に、全体に、接着剤を塗布している。塗布後、接着剤の液滴が互いに混ざり合い、図２（ｂ）に示す状態の接着剤１２になる。

図３に示すように、インクジェット装置１１は内部に、インクタンク２１と、吐出部２２と、循環流路部２３とを有する。

循環流路部２３は、循環流路部２３内に、バッファタンク２３Ａとポンプ２３Ｂとを有する。但し、図４に示すインクジェット装置１１Ｘのように、循環流路部２３Ｘは、循環流路部２３Ｘ内に、バッファタンクとポンプとを有していなくてもよい。上記循環流路部は、上記循環流路部内に、上記バッファタンクを有することが好ましく、上記ポンプを有することが好ましい。また、上記循環流路部は、上記循環流路部内に、バッファタンク及びポンプの他に、流速計、温度計、フィルター、液面センサー等を有していてもよい。

インクタンク２１には、上記接着剤が貯留されている。吐出部２２（インクジェットヘッド）から、上記接着剤が吐出される。吐出部２２は吐出ノズルを含む。インクタンク２１に、吐出部２２が接続されている。インクタンク２１と吐出部２２とは流路を介して接続されている。循環流路部２３の一端は吐出部２２に接続されており、他端はインクタンク２１に接続されている。循環流路部２３の内部を、上記接着剤が流れる。

バッファタンク２３Ａ又はポンプ２３Ｂが備えられる場合には、バッファタンク２３Ａ及びポンプ２３Ｂはそれぞれ、吐出部２２とインクタンク２１との間に配置されることが好ましい。バッファタンク２３Ａはポンプ２３Ｂよりも吐出部２２側に配置されている。ポンプ２３Ｂは、バッファタンク２３Ａよりもインクタンク２１側に配置されている。バッファタンク２３Ａには、上記接着剤が仮貯留される。

上記吐出部としては、サーマル方式、バブル噴射方式、電磁バルブ方式又はピエゾ方式のインクジェットヘッド等が挙げられる。また、上記吐出部内の循環流路部としては、共通循環流路（マニフォールド）から吐出ノズルへ分岐しているエンドシュータータイプや吐出ノズルをインクが循環するサイドシュータータイプが挙げられる。接着剤の吐出性を高めて、微細な硬化した接着剤の形成精度をより一層高める観点からは、上記インクジェット装置がピエゾ方式のインクジェットヘッドを用いるインクジェット装置であり、上記塗布工程において、ピエゾ素子の作用によって、上記接着剤を塗布することが好ましい。

上記接着剤の循環方法に関しては、インクの自重を利用したり、ポンプ等を利用して加圧、減圧等を行い循環したりすることが可能である。これらは複数組み合わせて用いてもよい。ポンプとしてはシリンダ方式の無脈動ポンプ、プロペラポンプ、ギヤポンプ及びダイヤフラムポンプ等が挙げられる。循環効率を高めて、微細な硬化した接着剤の形成精度をより一層高める観点からは、上記循環流路部は、上記循環流路部内に上記接着剤を移送させるポンプを含むことが好ましい。

上記吐出部の吐出ノズルにおいては、適切な圧力に保ちかつ、その範囲内で圧力変動（脈動）が少ないことが好ましい。ポンプ等を使用する場合にはポンプの脈動を抑えるために、ポンプと上記吐出部との間に減衰器を設けることが好ましい。このような減衰器としては、上記接着剤が仮貯留されるバッファタンクや膜式のダンパ等が挙げられる。

硬化した接着剤をより一層高精度に形成する観点からは、上記循環流路部は、上記循環流路部内に、上記接着剤が仮貯留されるバッファタンクを含むことが好ましい。

上記接着剤を加熱しながら循環させる場合には、上記インクタンク内に加熱ヒーターを導入したり、上記循環流路部に加熱ヒーターを用いたりすることで、上記接着剤の温度を調節することが可能である。

上記接着剤を加熱しながら循環させる場合には、インクタンク２１内に加熱ヒーターを導入したり、循環流路部２３，２３Ｘに加熱ヒーターを用いたりすることで、上記接着剤の温度を調節することが可能である。

上記の塗布工程において、インクジェット装置１１内で、上記接着剤をインクタンク２１から吐出部２２に移動させた後に、吐出部２２から吐出されなかった上記接着剤を、循環流路部２３内を流してインクタンク２１に移動させる。それによって、上記の塗布工程において、上記接着剤を循環させながら、塗布することが好ましい。

次に、図２（ｂ），（ｃ）に示すように、上記の塗布工程後に、第１の光照射部１３から接着剤１２に光を照射して、接着剤１２の硬化を進行させる（第１の光照射工程）。それによって、第１の光照射部１３により光が照射された接着剤１２Ａが形成される。接着剤１２Ａは、予備硬化物であり、Ｂステージ化接着剤である。この上記Ｂステージ化接着剤の２５℃での弾性率を１．０×１０^２Ｐａ以上、８．０×１０^４Ｐａ以下にすることが好ましい。後述する第２の光照射部１４から光が照射される場合、第１の光照射部１３から照射される光の波長や照射強度と、後述する第２の光照射部１４から照射される光の波長や照射強度とが同じでも異なっていてもよい。接着剤の硬化性をより一層高める観点からは、第２の光照射部１４から照射される照射強度が第１の光照射部１３から照射される光の照射強度より強い方が好ましい。光硬化性化合物と、光及び熱硬化性化合物とを用いる場合に、光硬化性を制御するために、上記第１の光照射工程と、後述する第２の光照射工程とを行うことが好ましい。

なお、「第１の光照射部１３から接着剤１２に光を照射して、接着剤１２の硬化を進行させる」には、反応を進行させて増粘状態にすることも含まれる。

光照射を行う装置としては特に限定されず、紫外線を発生する発光ダイオード（ＵＶ−ＬＥＤ）、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、及び超高圧水銀ランプ等が挙げられる。硬化した接着剤の形成精度をより一層高める観点からは、特に第１の光照射部に、ＵＶ−ＬＥＤを用いることが好ましい。

次に、図２（ｃ），（ｄ）に示すように、上記の第１の光照射工程後に、第１の光照射部１３とは別の第２の光照射部１４から、第１の光照射部１３から光が照射された接着剤１２Ａに光を照射して、接着剤１２Ａの硬化をさらに進行させる（第２の光照射工程）。それによって、第２の光照射部１４により光が照射された接着剤１２Ｂが形成される。接着剤１２Ｂは、予備硬化物であり、Ｂステージ化接着剤である。この上記Ｂステージ化接着剤の表面の２５℃での弾性率を１．０×１０^２Ｐａ以上、８．０×１０^４Ｐａ以下にすることが好ましい。なお、上記第２の光照射工程後のＢステージ化接着剤と、上記第１の光照射後のＢステージ化接着剤とのうち、上記第１の光照射後のＢステージ化接着剤の表面の２５℃での弾性率を１．０×１０^２Ｐａ以上、８．０×１０^４Ｐａ以下にすることが好ましい。上記第２の光照射工程後のＢステージ化接着剤と、上記第１の光照射後のＢステージ化接着剤との双方の表面の２５℃での弾性率を１．０×１０^２Ｐａ以上、８．０×１０^４Ｐａ以下にすることがより好ましい。

上記の第２の光照射工程は、後述する配置工程前に行われることが好ましく、加熱工程前に行われることが好ましい。硬化した接着剤をより一層高精度に形成する観点からは、上記第２の光照射工程が行われることが好ましい。但し、上記第２の光照射工程は必ずしも行われる必要はなく、上記第１の光照射工程後に、上記第２の光照射工程を行わずに、後述する配置工程が行われてもよい。

次に、図２（ｄ），（ｅ）に示すように、上記の第２の光照射工程後に、光が照射された接着剤１２Ｂ上に、第２の電子部品本体４を配置する（配置工程／積層工程）。第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４とを、光が照射された接着剤１２Ｂを介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体１Ａを得る。なお、上記第１の光照射工程後に、上記第２の光照射工程を行わない場合には、光が照射された接着剤１２Ａ上に、第２の電子部品本体４を配置する。この場合に、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４とを、光が照射された接着剤１２Ａを介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体を得る。

次に、上記の配置工程後に、接着剤を加熱する（加熱工程）。一次積層体１Ａを加熱して、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４との間の接着剤１２Ｂを硬化させて、電子部品を得る（加熱工程）。このようにして、図１に示す電子部品１を得ることができる。

なお、上記塗布工程と上記第１の光照射工程とを繰り返すことで、接着剤を多層化して、多層の接着剤を形成してもよい。図５に示すように、複数の接着剤３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃが積層された接着剤３２を備える電子部品３１を得てもよい。

上記の電子部品の製造方法において、接着剤の吐出性及び移送性を高めて、硬化した接着剤をより一層高精度に形成する観点からは、循環されている上記接着剤の温度は好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下である。

硬化した接着剤をより一層高精度に形成する観点からは、上記配置工程において、貼り合わせ時に付与する圧力は好ましくは０．０１ＭＰａ以上、より好ましくは０．０５ＭＰａ以上、好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは８ＭＰａ以下である。

硬化した接着剤をより一層高精度に形成する観点からは、上記配置工程において、貼り合わせ時の温度は好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１３０℃以下である。

上記接着剤は、環状エーテル基を１個有する第１の熱硬化性化合物（加熱により硬化可能な硬化性化合物）又は環状エーテル基を１個有し、かつ光反応性官能基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物（光の照射及び加熱の双方により硬化可能な硬化性化合物）と、環状エーテル基を２個以上有する第２の熱硬化性化合物（加熱により硬化可能な硬化性化合物）と、熱硬化剤とを含む。上記接着剤は、光硬化性化合物（光の照射により硬化可能な硬化性化合物）と、光重合開始剤とを含むことが好ましい。上記接着剤は、硬化促進剤を含むことが好ましい。

以下、上記接着剤に用いることができる各成分の詳細を説明する。

（光及び熱硬化性化合物）
硬化した接着剤の厚み精度をより一層高め、更に硬化した接着剤にボイドをより一層生じ難くし、冷熱サイクル等の信頼性を向上させる観点からは、上記接着剤は、環状エーテル基を１個有し、かつ光反応性官能基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物を含むことが好ましい。保存安定性及び接着性をバランスよく良好にし、硬化した接着剤を高精度に形成する観点からは、上記光及び熱硬化性化合物は、環状エーテル基を１個有し、かつ（メタ）アクリロイル基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物を含むことが好ましい。上記光及び熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光硬化性化合物、上記第１の光硬化性化合物、上記第２の光硬化性化合物、上記第１の熱硬化性化合物及び上記第２の熱硬化性化合物は、上記光及び熱硬化性化合物とは異なる成分として配合されていることが好ましい。

上記光及び熱硬化性化合物としては、特に限定されないが、（メタ）アクリロイル基とエポキシ基を有する化合物、エポキシ化合物の部分（メタ）アクリル化物、ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物等が挙げられる。

上記（メタ）アクリロイル基とエポキシ基を有する化合物としては、グリシジル（メタ）アクリレート、及び４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートグリシジルエーテル等が挙げられる。

上記エポキシ化合物の部分（メタ）アクリル化物としては、エポキシ化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って触媒の存在下で反応させることにより得られる。上記エポキシ化合物の部分（メタ）アクリル化物に用いることができるエポキシ化合物としては、ノボラック型エポキシ化合物及びビスフェノール型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、トリスフェノールノボラック型エポキシ化合物、及びジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、２，２’−ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ化合物、水添ビスフェノール型エポキシ化合物、及びポリオキシプロピレンビスフェノールＡ型エポキシ化合物等が挙げられる。エポキシ化合物と（メタ）アクリル酸との配合量を適宜変更することにより、所望のアクリル化率のエポキシ化合物を得ることが可能である。エポキシ基１当量に対してカルボン酸の配合量は、好ましくは０．１当量以上、より好ましくは０．２当量以上、好ましくは０．７当量以下、より好ましくは０．５当量以下である。

上記ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物は、例えば、以下の方法によって得られる。ポリオールと２官能以上のイソシアネートを反応させ、さらに残りのイソシアネート基に、酸基を有する（メタ）アクリルモノマー及びグリシドールを反応させる。または、ポリオールを用いず、２官能以上のイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリルモノマーとグリシドールとを反応させてもよい。または、イソシアネート基を有する（メタ）アクリレートモノマーにグリシドールを反応させても、上記ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物が得られる。具体的には、例えば、まず、トリメチロールプロパン１モルとイソホロンジイソシアネート３モルとを錫系触媒下で反応させる。得られた化合物中に残るイソシアネート基と、水酸基を有するアクリルモノマーであるヒドロキシエチルアクリレート、及び水酸基を有するエポキシであるグリシドールを反応させることにより、上記ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物が得られる。

上記ポリオールとしては、特に限定されず、例えば、エチレングリコール、グリセリン、ソルビトール、トリメチロールプロパン、及び（ポリ）プロピレングリコール等が挙げられる。

上記イソシアネートは、２官能以上であれば、特に限定されない。上記イソシアネートとしては、例えば、イソホロンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート（ＭＤＩ）、水添ＭＤＩ、ポリメリックＭＤＩ、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシネート、トリジンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、水添ＸＤＩ、リジンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリス（イソシアネートフェニル）チオフォスフェート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、及び１，６，１０−ウンデカントリイソシアネート等が挙げられる。

保存安定性及び接着性をバランスよく良好にし、硬化した接着剤の厚み精度をより一層高め、更に硬化した接着剤にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記光及び熱硬化性化合物は、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルを含むことが好ましい。

硬化した接着剤をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤１００重量％中、上記光及び熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは０重量％以上、より好ましくは０重量％を超え、更に好ましくは０．５重量％以上、特に好ましくは１重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

（熱硬化性化合物）
熱硬化性化合物としては、環状エーテル基を１個有する第１の熱硬化性化合物、及び環状エーテル基を２個以上有する第２の熱硬化性化合物等が挙げられる。

本発明では、環状エーテル基を１個有する第１の熱硬化性化合物と、環状エーテル基を１個有し、かつ光反応性官能基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物との内の少なくとも一方が用いられる。本発明では、上記第２の熱硬化性化合物が必須で用いられる。

硬化した接着剤をより一層高精度に形成する観点から、熱硬化性化合物として、環状エーテル基を１個有する第１の熱硬化性化合物が好適に用いられる。環状エーテル基を有する熱硬化性化合物は、エポキシ基を有する熱硬化性化合物（エポキシ化合物）であることがより好ましい。上記第１の熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物としては特に限定されず、例えば、ノボラック型エポキシ化合物及びビスフェノール型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、トリスフェノールノボラック型エポキシ化合物、及びジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、２，２’−ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ化合物、水添ビスフェノール型エポキシ化合物、及びポリオキシプロピレンビスフェノールＡ型エポキシ化合物等が挙げられる。また、上記エポキシ化合物としては、その他に、環式脂肪族エポキシ化合物、及びグリシジルアミン等も挙げられる。

硬化した接着剤をより一層高精度に形成し、硬化した接着剤にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記熱硬化性化合物は芳香族骨格を有することが好ましい。

接着性を効果的に高める観点からは、上記第２の熱硬化性化合物は、多環脂環式骨格を有することが好ましい。

ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性化合物は２５℃で固形であることが好ましい。ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性化合物の軟化点は、好ましくは２５℃以上、より好ましくは３０℃以上、更に好ましくは４０℃以上である。軟化点の上限は特に限定されない。上記熱硬化性化合物の軟化点は好ましくは１５０℃以下である。

上記軟化点は、ＪＩＳ Ｋ７２３４に従って測定することができる。

上記接着剤１００重量％中、上記第１の熱硬化性化合物と上記光及び熱硬化性化合物との合計の含有量は、好ましくは２５重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。上記第１の熱硬化性化合物と上記光及び熱硬化性化合物との合計の含有量が上記下限以上であると、接着剤の保存安定性がより一層高くなり、熱硬化後の接着力がより一層高くなる。

上記接着剤１００重量％中、上記第２の熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは９重量％以下、より好ましくは８重量％以下である。上記第２の熱硬化性化合物の含有量が上記上限以下であると、接着剤の保存安定性がより一層高くなる。

熱硬化後の接着力をより一層高める観点からは、上記接着剤１００重量％中、上記第１の熱硬化性化合物と上記光及び熱硬化性化合物と上記第２の熱硬化性化合物の合計の含有量は好ましくは３５重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。

（光硬化性化合物）
上記光硬化性化合物としては、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、ビニル基を有する硬化性化合物及びマレイミド基を有する硬化性化合物等が挙げられる。硬化した接着剤をより一層高精度に形成する観点からは、上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基（１個以上）を有することが好ましい。上記光硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

本明細書では、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、メタクリロイル基及びアクリロイル基の内の少なくとも一方を有する化合物を意味する。

上記光硬化性化合物として、（メタ）アクリロイル基を１個有する光硬化性化合物（第１の光硬化性化合物（Ａ１）と呼ぶ）を用いてもよく、（メタ）アクリロイル基を２個以上有する光硬化性化合物（第２の光硬化性化合物（Ａ２）と呼ぶ）を用いてもよい。第１の光硬化性化合物（Ａ１）は、例えば単官能化合物である。第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、例えば多官能化合物である。第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、（メタ）アクリロイル基を２個以上有するため、光の照射により重合が進行し、硬化する。第１の光硬化性化合物（Ａ１）及び第２の光硬化性化合物（Ａ２）はそれぞれ、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、光硬化性化合物は、第１の光硬化性化合物（Ａ１）と第２の光硬化性化合物（Ａ２）とを含有することが好ましい。また、光硬化性化合物として、第１の光硬化性化合物（Ａ１）と、第２の光硬化性化合物（Ａ２）とを併用することで、硬化した接着剤を高精度に形成することができる。

第２の光硬化性化合物（Ａ２）としては、多価アルコールの（メタ）アクリル酸付加物、多価アルコールのアルキレンオキサイド変性物の（メタ）アクリル酸付加物、ウレタン（メタ）アクリレート類、及びポリエステル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。上記多価アルコールとしては、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、トリメチロールプロパン、シクロヘキサンジメタノール、トリシクロデカンジメタノール、ビスフェノールＡのアルキレンオキシド付加物、及びペンタエリスリトール等が挙げられる。

第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、二官能の（メタ）アクリレートであってもよく、三官能のメタアクリレートであってもよく、四官能以上の（メタ）アクリレートであってもよい。

二官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、２，４−ジメチル−１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ブチルエチルプロパンジオール（メタ）アクリレート、エトキシ化シクロヘキサンメタノールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、オリゴエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ブチルブタンジオールジ（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ブチルプロパンジオールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、及びジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

三官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンのアルキレンオキシド変性トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（（メタ）アクリロイルオキシプロピル）エーテル、イソシアヌル酸アルキレンオキシド変性トリ（メタ）アクリレート、プロピオン酸ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリ（（メタ）アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、及びソルビトールトリ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

四官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ソルビトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、及びプロピオン酸ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

五官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、ソルビトールペンタ（メタ）アクリレート、及びジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートが挙げられる。

六官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ソルビトールヘキサ（メタ）アクリレート、及びフォスファゼンのアルキレンオキシド変性ヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記「（メタ）アクリレート」の用語は、アクリレート又はメタクリレートを示す。上記「（メタ）アクリル」の用語は、アクリル又はメタクリルを示す。

第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、多環骨格又はウレタン骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有する第２の光硬化性化合物であることが好ましい。この第２の光硬化性化合物の使用により、硬化した接着剤の耐湿熱性を高くすることができる。従って、電子部品の信頼性を高めることができる。上記第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、多環骨格を有していてもよく、ウレタン骨格を有していてもよい。

多環骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有する第２の光硬化性化合物の具体例としては、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、イソボルニルジメタノールジ（メタ）アクリレート及びジシクロペンテニルジメタノールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。硬化した接着剤の耐湿性及び耐湿熱性をより一層高める観点からは、第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートであることが好ましい。

多環骨格とは、複数の環状骨格を連続して有する構造を示す。具体的には、多環骨格は、２個以上の環がそれぞれ２個以上の原子を共有した形で一体となっている骨格であり、縮合環を有する骨格である。上記多環骨格は、例えば、２つの環の間にアルキレン基が存在する骨格ではない。多環骨格としては、多環脂環式骨格及び多環芳香族骨格等が挙げられる。

上記多環脂環式骨格としては、ビシクロアルカン骨格、トリシクロアルカン骨格、テトラシクロアルカン骨格及びイソボルニル骨格等が挙げられる。

絶縁信頼性や接着信頼性をより一層高める観点から、上記光硬化性化合物は、ジシクロペンタジエン骨格を有する光硬化性化合物を含むことが好ましい。

上記多環芳香族骨格としては、ナフタレン環骨格、アントラセン環骨格、フェナントレン環骨格、テトラセン環骨格、クリセン環骨格、トリフェニレン環骨格、テトラフェン環骨格、ピレン環骨格、ペンタセン環骨格、ピセン環骨格及びペリレン環骨格等が挙げられる。

ウレタン骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有する多官能化合物は特に限定されないが、例えば、以下の方法によって得られる。ポリオールと２官能以上のイソシアネートとを反応させ、さらに残りのイソシアネート基に、アルコールや酸基を有する（メタ）アクリルモノマーを反応させる。２官能以上のイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリルモノマーを反応させてもよい。具体的には、例えば、トリメチロールプロパン１モルとイソホロンジイソシアネート３モルとを錫系触媒下で反応させる。得られた化合物中に残るイソシアネート基と、２モルの水酸基を有するアクリルモノマーであるヒドロキシエチルアクリレートを反応させることにより、上記ウレタン変性（メタ）アクリル化合物が得られる。

上記ポリオールとしては、特に限定されず、例えば、エチレングリコール、グリセリン、ソルビトール、トリメチロールプロパン、及び（ポリ）プロピレングリコール等が挙げられる。

上記イソシアネートは、２官能以上であれば、特に限定されない。上記イソシアネートとしては、例えば、イソホロンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート（ＭＤＩ）、水添ＭＤＩ、ポリメリックＭＤＩ、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシネート、トリジンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、水添ＸＤＩ、リジンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリス（イソシアネートフェニル）チオフォスフェート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、及び１，６，１０−ウンデカントリイソシアネート等が挙げられる。

第１の光硬化性化合物（Ａ１）の具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシジエチレングルコール（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングルコール（メタ）アクリレート、メトキシプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ジヒドロキシシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ナフチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、及びステアリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、第１の光硬化性化合物（Ａ１）は、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートを含有することが好ましい。

上記ビニル基を有する光硬化性化合物としてはビニルエーテル類、エチレン誘導体、スチレン、クロロメチルスチレン、α−メチルスチレン、無水マレイン酸、ジシクロペンタジエン、Ｎ−ビニルピロリドン及びＮ−ビニルホルムアミド等が挙げられる。

上記マレイミド基を有する光硬化性化合物としては、特に限定されず例えば、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ドデシルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−カルボキシフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−ヒドロキシフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−クロロフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−トリルマレイミド、Ｎ−ｐ−キシリルマレイミド、Ｎ−ｏ−クロロフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−トリルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−２，５−ジエチルフェニルマレイミド、Ｎ−２，５−ジメチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−トリルマレイミド、Ｎ−α−ナフチルマレイミド、Ｎ−ｏ−キシリルマレイミド、Ｎ−ｍ−キシリルマレイミド、ビスマレイミドメタン、１，２−ビスマレイミドエタン、１，６−ビスマレイミドヘキサン、ビスマレイミドドデカン、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンジマレイミド、４，４’−ビスマレイミドジフェニルエーテル、４，４’−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−メチルフェニル）メタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−エチルフェニル）メタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−メチル−５−エチル−フェニル）メタン、Ｎ，Ｎ’−（２，２−ビス−（４−フェノキシフェニル）プロパン）ジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，４−トリレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，６−トリレンジマレイミド、及びＮ，Ｎ’−ｍ−キシリレンジマレイミド等が挙げられる。

硬化した接着剤をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤１００重量％中、光硬化性化合物の含有量、並びに第１の光硬化性化合物（Ａ１）と第２の光硬化性化合物（Ａ２）との合計の含有量はそれぞれ、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。硬化した接着剤の厚み精度をより一層高め、更に硬化した接着剤にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤１００重量％中、光硬化性化合物の含有量、並びに第１の光硬化性化合物（Ａ１）と光及び熱硬化性化合物と第２の光硬化性化合物（Ａ２）との合計の含有量は、５重量％以上、８０重量％以下であることが特に好ましい。

ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、第１の光硬化性化合物（Ａ１）と光及び熱硬化性化合物と第２の光硬化性化合物（Ａ２）との合計１００重量％中、第１の光硬化性化合物（Ａ１）の含有量が５０重量％以上、９９．９５重量％以下、第２の光硬化性化合物（Ａ２）の含有量が０．０５重量％以上、５０重量％以下であることが好ましく、第１の光硬化性化合物（Ａ１）の含有量が６０重量％以上、９９．９重量％以下、第２の光硬化性化合物（Ａ２）の含有量が０．１重量％以上、４０重量％以下であることがより好ましく、第１の光硬化性化合物（Ａ１）の含有量が７０重量％以上、９９．５重量％以下、第２の光硬化性化合物（Ａ２）の含有量が０．５重量％以上、３０重量％以下であることが更に好ましい。

（熱硬化剤）
上記熱硬化剤としては、有機酸、アミン化合物、アミド化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、イミダゾリン化合物、フェノール化合物、ユリア化合物、ポリスルフィド化合物及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤として、アミン−エポキシアダクトなどの変性ポリアミン化合物を用いてもよい。これら以外の熱硬化剤を用いてもよい。

上記アミン化合物とは、１個以上の１〜３級のアミノ基を有する化合物を意味する。上記アミン化合物としては、例えば、（１）脂肪族アミン、（２）脂環族アミン、（３）芳香族アミン、（４）ヒドラジド、及び（５）グアニジン誘導体等が挙げられる。また、エポキシ化合物付加ポリアミン（エポキシ化合物とポリアミンの反応物）、マイケル付加ポリアミン（α，β−不飽和ケトンとポリアミンの反応物）、マンニッヒ付加ポリアミン（ポリアミンとホルマリン及びフェノールの縮合体）、チオ尿素付加ポリアミン（チオ尿素とポリアミンの反応物）、ケトン封鎖ポリアミン（ケトン化合物とポリアミンの反応物［ケチミン］）などのアダクト体を用いてもよい。

上記（１）脂肪族アミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、及びジエチルアミノプロピルアミン等が挙げられる。

上記（２）脂環族アミンとしては、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカンアダクト、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、及びビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン等が挙げられる。

上記（３）芳香族アミンとしては、１，３−ジアミノトルエン、１，４−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノトルエン、３，５−ジエチル−２，４−ジアミノトルエン、３，５−ジエチル−２，６−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノアニソール、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−メチレン−ビス［２−クロロアニリン］、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，２−ビス［４−［４−アミノフェノキシ］フェニル］プロパン、ビス［４−［４−アミノフェノキシ］フェニル］スルホン、１，３−ビス［４−アミノフェノキシ］ベンゼン、メチレンビス−（２−エチル−６メチルアニリン）、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、及び３，３’，５，５’−テトラエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン等が挙げられる。

上記（４）ヒドラジドとしては、カルボジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、及びイソフタル酸ジヒドラジド等が挙げられる。

上記（５）グアニジン誘導体としては、ジシアンジアミド、１−ｏ−トリルジグアニド、α−２，５−ジメチルグアニド、α，ω−ジフェニルジグアニジド、α，α−ビスグアニルグアニジノジフェニルエーテル、ｐ−クロロフェニルジグアニド、α，α−ヘキサメチレンビス［ω−（ｐ−クロロフェノール）］ジグアニド、フェニルジグアニドオキサレート、アセチルグアニジン、及びジエチルシアノアセチルグアニジン等が挙げられる。

上記フェノール化合物としては、多価フェノール化合物等が挙げられる。上記多価フェノール化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、オクチルフェノール、ビスフェノールＡ、テトラブロムビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、４，４’−ビフェニルフェノール、ナフタレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノールノボラック樹脂、及びフルオレン骨格含有フェノールノボラック樹脂等が挙げられる。

上記酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ドデシル無水コハク酸、無水クロレンディック酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、及びポリアゼライン酸無水物等が挙げられる。

硬化した接着剤の厚み精度をより一層高め、更に硬化した接着剤にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記熱硬化剤は、酸無水物又は芳香族アミンを含有することが好ましく、芳香族アミンを含有することがより好ましい。

上記接着剤１００重量％中、上記熱硬化剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。

（光重合開始剤）
上記接着剤は、光重合開始剤を含まないか又は含む。上記接着剤が上記光及び熱硬化性化合物を含む場合に、上記接着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。上記光重合開始剤としては、光ラジカル重合開始剤及び光カチオン重合開始剤等が挙げられる。上記光重合開始剤は、光ラジカル重合開始剤であることが好ましい。上記光重合開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光ラジカル重合開始剤は特に限定されない。上記光ラジカル重合開始剤は、光の照射によりラジカルを発生し、ラジカル重合反応を開始するための化合物である。上記光ラジカル重合開始剤の具体例としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾイン化合物；２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン等のアルキルフェノン化合物；アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン化合物；２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアセトフェノン等のアミノアセトフェノン化合物；２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン化合物；２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン化合物；アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール化合物；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；１，２−オクタンジオン、１−［４−（フェニルチオ）−２−（ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン、１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（ｏ−アセチルオキシム）等のオキシムエステル化合物；ビス（シクロペンタジエニル）−ジ−フェニル−チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）−ジ−クロロ−チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス（２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（ピロール−１−イル）フェニル）チタニウムなどのチタノセン化合物等が挙げられる。上記光ラジカル重合開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光重合開始剤とともに、光重合開始助剤を用いてもよい。該光重合開始助剤としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、トリエチルアミン及びトリエタノールアミン等が挙げられる。これら以外の光重合開始助剤を用いてもよい。上記光重合開始助剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記接着剤１００重量％中、上記光重合開始剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．２重量％以上、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下である。

（硬化促進剤）
上記硬化促進剤としては、第三級アミン、イミダゾール、第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム塩、有機金属塩、リン化合物及び尿素系化合物等が挙げられる。

上記接着剤１００重量％中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下である。

（溶剤）
上記接着剤は溶剤を含まないか又は含む。上記接着剤は、溶剤を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。硬化した接着剤の厚み精度をより一層高め、更に硬化した接着剤にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤における溶剤の含有量は少ないほどよい。

上記溶剤としては、水及び有機溶剤等が挙げられる。残留物の除去性をより一層高める観点からは、有機溶剤が好ましい。上記有機溶剤としては、エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン等のエステル類、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、並びに石油エーテル、ナフサ等の石油系溶剤等が挙げられる。

上記接着剤が上記溶剤を含む場合には、上記接着剤１００重量％中、上記溶剤の含有量は好ましくは５重量％以下、より好ましくは１重量％以下、更に好ましくは０．５重量％以下である。

（フィラー）
上記接着剤はフィラーを含まないか又は含む。上記接着剤は、フィラーを含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。硬化した接着剤の厚み精度をより一層高め、更に硬化した接着剤にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤におけるフィラーの含有量は少ないほどよい。さらに、上記接着剤におけるフィラーの含有量が少ないほど、インクジェット装置による吐出不良の発生が抑えられる。

上記フィラーとしては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素等が挙げられる。

上記接着剤が上記フィラーを含む場合には、上記接着剤１００重量％中、上記フィラーの含有量は好ましくは５重量％以下、より好ましくは１重量％以下、更に好ましくは０．５重量％以下である。

（他の成分）
上記接着剤は、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては特に限定されないが、カップリング剤等の接着助剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、及び重合禁止剤等が挙げられる。

（電子部品の具体例）
以下、電子部品の他の具体例について説明する。

図６は、電子部品の第１の変形例を模式的に示す正面断面図である。

図６に示す半導体装置７１は、電子部品である。半導体装置７１は、基板５３Ａと、接着剤７２と、第１の半導体ウェハ７３とを備える。基板５３Ａは上面に、第１の接続端子５３ａを有する。第１の半導体ウェハ７３は上面に、接続端子７３ａを有する。基板５３Ａは、第２の接続端子５３ｂが設けられていないことを除いては、後述する基板５３と同様に形成されている。

基板５３Ａ上に、接着剤７２を介して、第１の半導体ウェハ７３が積層されている。接着剤７２は、上記接着剤を光硬化させることにより形成されている。

第１の半導体ウェハ７３は上面に、接続端子７３ａを有する。接続端子７３ａから配線７４が引き出されている。配線７４により、接続端子７３ａと第１の接続端子５３ａとが電気的に接続されている。

図７は、電子部品の第２の変形例を模式的に示す正面断面図である。

図７に示す半導体装置５１は、電子部品である。半導体装置５１は、積層構造体５２を備える。積層構造体５２は、基板５３と、接着剤５４と、基板５３上に接着剤５４を介して積層された第２の半導体ウェハ５５とを有する。基板５３上に、第２の半導体ウェハ５５が配置されている。基板５３上に、第２の半導体ウェハ５５は間接に積層されている。平面視において、基板５３は、第２の半導体ウェハ５５よりも大きい。基板５３は、第２の半導体ウェハ５５よりも側方に張り出している領域を有する。

接着剤５４は、例えば、接着剤を硬化させることにより形成されている。硬化前の接着剤は、粘着性を有していてもよい。硬化前の接着剤を形成するために、接着シートを用いてもよい。

基板５３は上面に、第１の接続端子５３ａを有する。第２の半導体ウェハ５５は上面に、接続端子５５ａを有する。接続端子５５ａから配線５６が引き出されている。配線５６の一端は、第２の半導体ウェハ５５上に設けられた接続端子５５ａに接続されている。配線５６の他端は、基板５３上に設けられた第１の接続端子５３ａに接続されている。配線５６により、接続端子５５ａと第１の接続端子５３ａとが電気的に接続されている。配線５６の他端は、第１の接続端子５３ａ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線５６は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。

積層構造体５２における第２の半導体ウェハ５５上に、接着剤６１を介して、第１の半導体ウェハ６２が積層されている。接着剤６１は、上記接着剤を光硬化させることにより形成されている。

基板５３は上面に、第２の接続端子５３ｂを有する。第１の半導体ウェハ６２は上面に、接続端子６２ａを有する。接続端子６２ａから配線６３が引き出されている。配線６３の一端は、第１の半導体ウェハ６２上に設けられた接続端子６２ａに接続されている。配線６３の他端は、基板５３上に設けられた第２の接続端子５３ｂに接続されている。配線６３により、接続端子６２ａと第２の接続端子５３ｂとが電気的に接続されている。配線６３の他端は、第２の接続端子５３ｂ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線６３は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。

半導体装置５１では、第２の半導体ウェハ５５上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を、インクジェット装置から吐出して、接着剤６１を形成することで得ることができる。これに対して、半導体装置７１は、基板５３Ａ上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を、インクジェット装置から吐出して、接着剤７２を形成することで得ることができる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（実施例１〜４、参考例５、実施例６〜７、参考例８、実施例９、参考例１０及び比較例１〜２）
（接着剤Ａ〜Ｌの調製）
下記の表１，２に示す成分を下記の表２に示す配合量で配合して均一に混合し、接着剤Ａ〜Ｌを得た。

（評価）
（保存安定性（粘度上昇））
ＪＩＳ Ｋ２２８３に準拠して、粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、作製直後の硬化性組成物の７０℃及び１０ｒｐｍでの粘度η１を測定した。次に、硬化性組成物を７０℃で４８時間加熱した。加熱後の硬化性組成物の７０℃及び１０ｒｐｍでの粘度η２を測定した。粘度上昇を下記の判定基準で判定した。

［粘度上昇の判定基準］
○○：比（η２／η１）が１以上、１．２以下
○：比（η２／η１）が１．２を超え、１．５以下
×：比（η２／η１）が１．５以上

（熱硬化後のダイシェア強度）
シリコンウェハ上に上述した電子部品の製造方法に従って、図２（ａ）〜（ｅ）に示す各工程を経て、接着剤層を形成した。上記接着剤を７０℃で循環させながら、塗布する上記塗布工程と、上記第１の光照射工程（３６５ｎｍを主波長とするＵＶ−ＬＥＤランプ、１００ｍＷ／ｃｍ^２、０．１秒）とを繰り返し３０μｍの接着剤層を形成し、第２の光照射工程（超高圧水銀ランプ、１００ｍＷ／ｃｍ^２、１０秒）で光硬化させた。その後、接着剤層上に、ダイボンド装置を用いて、半導体チップ（縦３ｍｍ×横３ｍｍ×厚み７５０μｍ）に見立てたシリコンベアチップを１１０℃で０．１ＭＰａの条件で１秒間加圧し、更に１６０℃のオーブン内に入れ、５時間加熱することで、熱硬化させることにより、熱硬化後の接着試験片を得た。ダイシェア強度測定装置（Ｄａｇｅ社製「Ｄａｇｅ シリーズ４０００」、試験温度：２６０℃）を用いて、熱硬化後の接着試験片のダイシェア強度の測定を行った。

（半導体装置における接着剤層のボイド確認）
配線の段差が５μｍあるＢＧＡ基板（厚み０．３ｍｍ、市販のソルダーレジストが塗布されている、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍの半導体チップが置かれる場所が５行×１６列で９０か所設けられている）を用意した。上述した本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法に従って、図２（ａ）〜（ｅ）に示す各工程を経て、接着剤層を形成した。上記接着剤を７０℃で循環させながら、塗布する上記塗布工程と、上記第１の光照射工程（３６５ｎｍを主波長とするＵＶ−ＬＥＤランプ、１００ｍＷ／ｃｍ^２）とを８回繰り返して（合計積算光量は２００ｍＪ／ｃｍ^２）、厚み３０μｍの接着剤層を形成し、第２の光照射工程（超高圧水銀ランプ、１００ｍＷ／ｃｍ^２、１０秒）で光硬化させた。その後、接着剤層上に、ダイボンド装置を用いて、半導体チップ（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み８０μｍ）に見立てたシリコンベアチップを８０℃で０．０５ＭＰａの条件で積層して、積層体を得た。シリコンベアチップを積層した後、光学顕微鏡（キーエンス社製「デジタルマイクロスコープＶＨ−Ｚ１００」）を用いて接着剤層のはみ出しが１００μｍ未満であることを確認した。得られた積層体を１７０℃のオーブン内に入れ、２時間加熱することで、熱硬化させることにより、９０個の半導体装置（積層構造体）を得た。

超音波探査映像装置（日立建機ファインテック社製「ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ」）を用いて、得られた半導体装置における接着剤層のボイドを観察し、下記の基準で評価した。

［ボイドの判定基準］
○○：ボイドがほとんど観察されない
○：ボイドがわずかに観察される（使用上問題がない）
×：ボイドが観察される（使用上問題あり）

（半導体装置の吸湿リフロー＋冷熱サイクル信頼性試験）
ボイドの確認の評価で得られた半導体装置（９０個）を８５℃及び湿度８５ＲＨ％に１６８時間放置して吸湿させた。その後、半田リフロー炉（プレヒート１５０℃×１００秒、リフロー［最高温度２６０℃］）に５サイクル通過させた。その吸湿リフロー試験を行った半導体装置を液槽式熱衝撃試験機（ＥＳＰＥＣ社製「ＴＳＢ−５１」）を用いて、−５５℃で５分間保持した後、１５０℃まで昇温し、１５０℃で５分間保持した後−５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル信頼性試験を実施した。２５０サイクル及び５００サイクル後に半導体装置を取り出し、超音波探査映像装置（日立建機ファインテック社製「ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ」）を用いて、半導体装置の接着剤層の剥離を観察し、下記の基準で評価した。

［吸湿リフロー＋冷熱サイクル信頼性試験の判定基準］
○○：剥離していない
○：わずかに剥離している（使用上問題がない）
×：大きく剥離している（使用上問題あり）

用いた配合成分の詳細を下記の表１に示し、組成及び結果を下記の表２に示す。配合成分の配合単位は、重量部である。

１…電子部品
１Ａ…一次積層体
２…第１の電子部品本体
３…接着剤（加熱後）
４…第２の電子部品本体
１１，１１Ｘ…インクジェット装置
１２…接着剤
１２Ａ…第１の光照射部により光が照射された接着剤
１２Ｂ…第２の光照射部により光が照射された接着剤
１３…第１の光照射部
１４…第２の光照射部
２１…インクタンク
２２…吐出部
２３，２３Ｘ…循環流路部
２３Ａ…バッファタンク
２３Ｂ…ポンプ
３１…電子部品
３２…多層の接着剤（加熱後）
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ…接着剤（加熱後）
５１，７１…半導体装置
５２…積層構造体
５３，５３Ａ…基板
５３ａ…第１の接続端子
５３ｂ…第２の接続端子
５４，６１，７２…接着剤
５５…第２の半導体ウェハ
５５ａ，７３ａ…接続端子
５６，６３，７４…配線
６２，７３…第１の半導体ウェハ
６２ａ…接続端子

Claims (9)

1. インクジェット装置によって塗布されて用いられる接着剤であって、
   環状エーテル基を１個有する第１の熱硬化性化合物及び環状エーテル基を１個有し、かつ光反応性官能基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物の内の少なくとも一方と、
   環状エーテル基を２個以上有する第２の熱硬化性化合物と、
   光硬化性化合物と、
   熱硬化剤と、
   光重合開始剤とを含み、
   接着剤１００重量％中、前記第２の熱硬化性化合物の含有量が０．１重量％以上、１０重量％以下であり、前記光硬化性化合物の含有量が５重量％以上、８０重量％以下である、インクジェット用接着剤。
2. 前記第２の熱硬化性化合物が、多環脂環式骨格を有し、かつ環状エーテル基を２個以上有する熱硬化性化合物を含む、請求項１に記載のインクジェット用接着剤。
3. 前記第１の熱硬化性化合物を含まないか又は含み、
   前記光及び熱硬化性化合物を含み、
   前記光及び熱硬化性化合物が、環状エーテル基を１個有し、かつ（メタ）アクリロイル基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物を含む、請求項１又は２に記載のインクジェット用接着剤。
4. 前記光及び熱硬化性化合物が、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルを含む、請求項３に記載のインクジェト用接着剤。
5. 前記光硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を１個有する第１の光硬化性化合物と、（メタ）アクリロイル基を２個以上有する第２の光硬化性化合物とを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のインクジェット用接着剤。
6. 半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子の表面上に、インクジェット装置によって、請求項１〜５のいずれか１項に記載のインクジェット用接着剤を塗布する工程と、
   光の照射により前記接着剤の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤を形成する工程と、
   前記Ｂステージ化接着剤の前記支持部材又は前記半導体素子側とは反対の表面上に、半導体素子を積層する工程と、
   前記半導体素子の積層後に、前記Ｂステージ化接着剤を熱硬化させる工程とを備える、半導体装置の製造方法。
7. 半導体ウェハの表面上に、インクジェット装置によって、請求項１〜５のいずれか１項に記載のインクジェット用接着剤を塗布する工程と、
   光の照射により前記接着剤の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤を形成する工程と、
   前記Ｂステージ化接着剤の前記半導体ウェハ側とは反対の表面上に、カバーガラスを積層して、積層体を得る工程と、
   前記積層体における前記Ｂステージ化接着剤を熱硬化させる工程と、
   熱硬化後に前記積層体を切断する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
8. 第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体と、前記第１の電子部品本体と前記第２の電子部品本体とを接続している接着剤とを備え、
   前記接着剤が、請求項１〜５のいずれか１項に記載のインクジェット用接着剤を、インクジェット装置を用いて塗布し、かつ硬化させて形成されている、電子部品。
9. 前記第１の電子部品本体が半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子であり、
   前記第２の電子部品本体が半導体素子である、請求項８に記載の電子部品。

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