JP6377180B2 - 静電容量式センサ - Google Patents

Description

本発明は、金属ナノワイヤを含む透光性導電膜のパターンが形成された静電容量式センサに関する。

特許文献１には、単層構造の透明導電膜を備えた静電容量式センサであるタッチスイッチが開示されている。特許文献１に記載のタッチスイッチは、タッチ電極部ならびにタッチ電極部から延びる配線部が網目状の金属線で形成されている。このタッチスイッチの構成は、小型のタッチパネルでは実現できるものの、パネルサイズが大型になると細く長い配線を多数配置する必要がある。また、配線部が金属線で形成されているため、配線部を細く長くすると、配線部の電気抵抗が高くなる。

特許文献２に記載のタッチパネルは、基板の表面に複数の透明な導電構造体が形成され、この導電構造体はカーボンナノチューブで構成されている。また、導電構造体から延び出る導電線はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されている。

しかし、導電線をＩＴＯ等で形成すると電気抵抗が高くなってしまうため、導電線の電気抵抗が検知感度を低下させることになる。
このような問題を解決するために、低抵抗の透光性導電膜として金属ナノワイヤを含んだものが検討されている。

特開２０１０−１９１５０４号公報 特開２００９−１４６４１９号公報

しかしながら、単層構造の透光性導電膜に金属ナノワイヤを用いた場合、ＩＴＯに比べて静電気放電（ＥＳＤ：Electro Static Discharge）耐性が低いという問題がある。その理由として、（１）金属ナノワイヤを用いた透光性導電膜では、ＩＴＯに比べると電気抵抗が低いこと、（２）同じパターンであってもＥＳＤにおいてより多くの電気が流れやすいこと、（３）金属ナノワイヤはナノサイズのコネクションでの導電性発現であるため、バルク金属の融点に比べると低い温度で溶融してしまうこと（短時間に多くの電流が流れた場合の熱量で溶融してしまう）、（４）導通している実際の体積自体が少ないこと、などが挙げられる。

そこで、本発明は、金属ナノワイヤを含む透光性導電膜を用いた場合であっても十分なＥＳＤ耐性を得ることができる静電容量式センサを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の静電容量式センサは、基材に透光性導電膜のパターンが設けられた静電容量式センサであって、透光性導電膜は金属ナノワイヤを含み、パターンは、複数の検知電極が間隔を置いて配列された検知パターンと、複数の検知電極のそれぞれから第１方向に直線状に延在する複数の引き出し配線と、を有し、検知パターンの少なくとも一つの検知電極は、検知電極から引き出し配線へ向かう直線的な電流の経路長を延長する電流経路設定部を含むことを特徴とする。このような構成によれば、電流経路設定部を設けることで検知電極から引き出し配線に至るまでの直線的な電流の経路長が延長されるため、引き出し配線への瞬間的な電流の流れ込みを抑制でき、ＥＳＤ耐性を高めることができる。

本発明の静電容量式センサにおいて、電流経路設定部は、検知電極の周縁と、検知電極と引き出し配線との接続部分と、を結ぶ直線を遮るように設けられたスリットパターンを有していてもよい。このような構成によれば、検知電極から引き出し配線へ流れようとする電流がスリットパターンを避けるように蛇行するようになる。これにより、引き出し配線への瞬間的な電流の流れ込みを抑制でき、ＥＳＤ耐性を高めることができる。

本発明の静電容量式センサにおいて、電流経路設定部は、検知電極の長さの半分以上で電流経路を制限する複数のスリットパターンを有し、複数のスリットパターンは互いに平行に設けられ、前記複数のスリットパターンの少なくとも一部は前記検知電極の端部から内部に向けて延出し、隣り合うスリットパターンは互いに異なる位置で電流経路を制限するよう設けてもよい。このような構成によれば、検知電極から引き出し配線へ流れようとする電流が複数のスリットパターンを避けるように大きく蛇行するようになる。これにより、引き出し配線への瞬間的な電流の流れ込みを抑制でき、ＥＳＤ耐性を高めることができる。

本発明の静電容量式センサにおいて、複数の引き出し配線は、第１方向と直交する第２方向に一定の第１ピッチで配置される等間隔領域を含み、電流経路設定部は、検知電極の端部から第１方向に前記検知電極の長さの半分以上延出する複数のスリットパターンを有していてもよい。

このような構成によれば、複数の引き出し配線の等間隔領域と、電流経路設定部のパターンとが同一方向に延在する直線部分で構成されるため、電流経路設定部が設けられていてもパターンの相違が視認されにくくなる。

本発明の静電容量式センサにおいて、複数のスリットパターンのそれぞれの幅は複数の引き出し配線の間隔と等しく、複数のスリットパターンのピッチは第１ピッチと等しくなっていてもよい。

このような構成によれば、複数の引き出し配線の等間隔領域と、電流経路設定部との線と隙間（ライン＆スペース）が同等になり、よりパターンの相違が視認されにくくなる。

本発明の静電容量式センサにおいて、第１方向は、検知パターンから外部端子領域に向かう方向であり、複数の検知電極は第１方向に配列され、電流経路設定部は、少なくとも外部端子領域に最も近い検知電極に設けるようにしてもよい。このような構成によれば、ＥＳＤ耐性の最も低い引き出し配線、すなわち検知電極から外部端子領域まで最も短い引き出し配線への瞬間的な電流の流れ込みを抑制でき、ＥＳＤ耐性を高めることができる。

本発明の静電容量式センサにおいて、電流経路設定部は、複数の検知電極のそれぞれに設けられていてもよい。このような構成によれば、複数の検知電極のそれぞれから引き出される配線パターンのＥＳＤ耐性を均一化することができる。

本発明の静電容量式センサにおいて、金属ナノワイヤは銀ナノワイヤを含んでいても良い。このような構成によれば、銀ナノワイヤを含む透光性導電膜のパターンのＥＳＤ耐性を高めることができる。

本発明によれば、金属ナノワイヤを含む透光性導電膜を用いた場合であっても十分なＥＳＤ耐性を得ることができる静電容量式センサを提供することが可能になる。

本実施形態に係る静電容量式センサの導電パターンを例示する平面図である。 （ａ）および（ｂ）は、スリットパターンと電流経路との関係を例示する模式図である。 （ａ）〜（ｃ）は電流経路設定部の他の例について説明する平面図である。 ダミーパターンと電流経路設定部とを含むパターンの例について示す平面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。

（静電容量式センサの構成）
図１は、本実施形態に係る静電容量式センサの導電パターンを例示する平面図である。
図１に表したように、本実施形態に係る静電容量式センサは、基材１０の一例であるフィルム基材に単層構造の透光性導電膜のパターン２０が設けられた構成を備える。パターン２０は、検知パターン２１と、引き出し配線２２と、を有する。

基材１０の材質は限定されない。基材１０の材質として、例えば、透光性を有する無機基板、透光性を有するプラスチック基板が挙げられる。基材１０の形態は限定されない。基材１０の形態として、例えば、フィルム、シート、板材などが挙げられ、その形状は平面であっても、曲面であっても構わない。無機基板の材料としては、例えば、石英、サファイア、ガラスなどが挙げられる。プラスチック基板の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）等のポリオレフィン、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等のセルロース系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、などが挙げられる。基材１０は単層構造を有していてもよいし、積層構造を有していてもよい。

検知パターン２１は、四角形状の複数の検知電極２１ａを有する。複数の検知電極２１ａは、Ｘ１−Ｘ２方向（第２方向）およびＹ１−Ｙ２方向（第１方向）のそれぞれにおいて一定の間隔を置いて配列される。なお、第１方向および第２方向は互いに直交する。また、図１は単純化のため模式化された図であり、複数の検知電極２１ａのそれぞれの面積は互いに等しくなっている。

複数の引き出し配線２２は、複数の検知電極２１ａのＹ２側の端部からそれぞれ同一の方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に沿うように、互いに平行に延びている。より具体的には、複数の引き出し配線２２は、検知電極２１ａの第２縦辺２１ｃのＹ２側の端部から外部端子領域３０に向けて延びている。

検知パターンの少なくとも一つの検知電極には電流経路設定部２５が含まれる。電流経路設定部２５は、検知電極２１ａから引き出し配線２２へ向かう電流の経路を蛇行させる配線路を含む。本実施形態では、配線路を構成するため、複数のスリットパターンＳＰが設けられる。これにより、検知電極２１ａから引き出し配線２２へ向かう電流は、スリットパターンＳＰを避けるように蛇行した経路を進むことになる。

電流経路設定部２５は、少なくとも、外部端子領域３０に最も近い検知電極２１ａに含まれているとよい。すなわち、外部端子領域３０に最も近い検知電極２１ａでは、引き出し配線２２も最も短くなる。したがって、この検知電極２１ａに電流経路設定部２５を含めることで、最も短い引き出し配線への瞬間的な電流の流れ込みを抑制でき、ＥＳＤ耐性を高めることができる。図１に示す例では、各検知電極２１ａに電流経路設定部２５が含まれている。複数の検知電極２１ａのそれぞれに電流経路設定部２５が含まれていることで、各検知電極２１ａのそれぞれから引き出される引き出し配線２２のＥＳＤ耐性を均一化することができる。

電流経路設定部２５として複数のスリットパターンＳＰを備える場合、複数のスリットパターンＳＰは検知電極２１ａの長さの半分以上延出するように設けられるとともに、互いに平行に設けられ、隣り合うスリットパターンＳＰが互い違い異なる方向に延出するようにすることが望ましい。これにより、検知電極２１ａから引き出し配線２２へ流れようとする電流が複数のスリットパターンＳＰを避けるように大きく蛇行するようになる。電流経路の増加によって、引き出し配線２２への瞬間的な電流の流れ込みを抑制でき、ＥＳＤ耐性を高めることができる。

図２（ａ）および（ｂ）は、スリットパターンと電流経路との関係を例示する模式図である。
図２（ａ）にはスリットパターンＳＰの延出方向の例が表され、図２（ｂ）には電流経路が表される。なお、説明の便宜上、図２（ａ）および（ｂ）にはパターン２０の一部のみが表される。

ここで、図２（ａ）において、検知電極２１ａから引き出し配線２２へ向かう電流は、検知電極２１ａの周縁と、検知電極２１ａと引き出し配線２２との接続部分ＣＰとを結ぶ直線（図２（ａ）では矢印ＤＲ）に沿って流れる。電流経路設定部２５が設けられていないと、電流はこの矢印ＤＲに沿って直線的に接続部分ＣＰへ流れ込む。引き出し配線２２には、検知電極２１ａの広い領域から引き出し配線２２の細い領域へ電流が集中して流れ込むことになる。

そこで、本実施形態では、電流経路設定部２５としてこの直線（矢印ＤＲ）を遮るようにスリットパターンＳＰを設けている。しかも複数のスリットパターンＳＰが平行かつ互い違いに延出するよう設けられている。すなわち、各スリットパターンＳＰは検知電極２１ａの端部（縁）から内部に向けて検知電極２１ａの長さの半分以上で、向かい合う縁まで達しない長さに設けられる。さらに、隣り合うスリットパターンＳＰは互い違いに異なる方向に延出するよう設けられる。

このようにスリットパターンＳＰが設けられている場合には、図２（ｂ）に表したように、検知電極２１ａの接続部分ＣＰから離れた位置から引き出し配線２２に向かって流れようとする電流は、複数のスリットパターンＳＰを避けるようにジグザグの経路に沿って流れることになる。これにより、検知電極２１ａから引き出し配線２２への瞬間的に電流が流れ込もうとしても、接続部分ＣＰに向けて直線的に流れることができなくなる。これにより、接続部分ＣＰおよび引き出し配線２２への電流の短時間での集中的な流れ込みが抑制される。したがって、本実施形態では、検知電極２１ａに電流経路設定部２５が含まれていない場合に比べて引き出し配線２２でのＥＳＤ耐性が高まる。

ここで、複数のスリットパターンＳＰを含む電流経路設定部２５の場合、複数の引き出し配線２２がＹ１−Ｙ２方向に平行に並ぶ等間隔領域Ｓ１と並ぶように設けられていてもよい。等間隔領域Ｓ１では、複数の引き出し配線２２がＸ１−Ｘ２方向に一定のピッチ（第１ピッチ）で配置される。電流経路設定部２５として、複数のスリットパターンＳＰの幅を複数の引き出し配線２２の間隔と同等にし、ピッチを第１ピッチと同等とする。これにより、複数の引き出し配線２２の等間隔領域Ｓ１と、電流経路設定部２５のパターンとが同一方向に延在する直線部分を含む構成となり、等間隔領域Ｓ１の直線部分のパターンエッジからの反射／散乱強度が大きくなる角度から観察した場合でも、電流経路設定部２５の直線部分でも同様に反射／散乱強度が大きくなるため、視認されやすさの差が小さくなりスリットパターンＳＰが設けられていてもパターンの相違が視認されにくくなる。また、複数の引き出し配線２２の等間隔領域Ｓ１と、電流経路設定部２５との線と間隔（ライン＆スペース）が同等になることにより、反射／散乱強度の差異がより小さくなるうえ、透過光強度の差異も小さくなるため、スリットパターンＳＰが設けられていてもパターンの相違がさらに視認されにくくなる。

（検知動作）
本実施形態に係る静電容量式センサにおいては、隣り合う複数の検知電極２１ａの間に静電容量が形成される。検知電極２１ａの表面に指を接触または接近させると、指と、指に近い検知電極２１ａとの間に静電容量が形成されるため、検知電極２１ａから検出される電流値を計測することで、複数の検知電極２１ａのどの電極に指が最も接近しているかを検知できる。

（構成材料）
パターン２０を形成する透光性導電膜は導電性の金属ナノワイヤを含んでいる。この金属ナノワイヤの材質は限定されない。金属ナノワイヤを構成する材料として、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎから選択される１種類以上の金属元素を含む材料が例示される。金属ナノワイヤの平均短軸径は限定されない。金属ナノワイヤの平均短軸径は、１ｎｍよりも大きく５００ｎｍ以下であることが好ましい。金属ナノワイヤの平均長軸長は、限定されない。金属ナノワイヤの平均長軸長は、１μｍよりも大きく１０００μｍ以下であることが好ましい。

透光性導電膜を形成するナノワイヤインク中での金属ナノワイヤの分散性向上のため、金属ナノワイヤは、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリエチレンイミンなどのアミノ基含有化合物で表面処理されていてもよい。塗膜化した際に導電性が劣化しない程度の添加量にすることが好ましい。その他、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、ビニル基、チオール基、カルビノール基などの官能基を有する化合物で金属に吸着可能なものを分散剤として用いてもよい。

ナノワイヤインクの分散剤の種類は限定されない。ナノワイヤインクの分散剤としては、例えば、水、アルコール（メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等が具体例として挙げられる。）、ケトン（シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどが具体例として挙げられる。）、アミド（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等が具体例として挙げられる。）、スルホキシド（ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等が具体例として挙げられる。）などが挙げられる。ナノワイヤインクの分散剤は１種類の物質から構成されていてもよいし、複数種類の物質から構成されていてもよい。

ナノワイヤインクの乾燥ムラやクラックを抑えるため、高沸点溶媒をさらに添加して、溶剤の蒸発速度をコントロールすることもできる。高沸点溶媒の具体例として、ブチルセロソルブ、ジアセトンアルコール、ブチルトリグリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールイソプロピルエーテル、メチルグリコールが挙げられる。高沸点溶媒は単独で用いられてもよく、また、複数を組み合わせてもよい。

ナノワイヤインクに適用可能なバインダ材料としては、既知の透明な天然高分子樹脂または合成高分子樹脂から広く選択して使用することができる。例えば、透明な熱可塑性樹脂や、熱・光・電子線・放射線で硬化する透明硬化性樹脂を使用することができる。透明な熱可塑性樹脂の具体例として、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、フッ化ビニリデン、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースなどが挙げられる。透明硬化性樹脂の具体例として、メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、イソシアネート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル変性シリケート等のシリコン樹脂などが挙げられる。ナノワイヤインクはさらに添加剤を含有していてもよい。かかる添加剤としては、界面活性剤、粘度調整剤、分散剤、硬化促進触媒、可塑剤、酸化防止剤や硫化防止剤等の安定剤などが挙げられる。

（電流経路設定部の他の例）
次に、電流経路設定部２５の他の例について説明する。
図３（ａ）〜（ｃ）は電流経路設定部の他の例について説明する平面図である。なお、説明の便宜上、図３（ａ）〜（ｃ）にはパターン２０の一部のみが表される。
図３（ａ）に表した例では、電流経路設定部２５に含まれる複数のスリットパターンＳＰの延出方向がＸ１−Ｘ２方向になっている。スリットパターンＳＰを設ける場合、検知電極２１ａの縁と接続部分ＣＰとを結ぶ直線（矢印ＤＲ）を遮るように設ければよい。したがって、スリットパターンＳＰの延出方向は、Ｙ１−Ｙ２方向に限られず、Ｘ１ｐ−Ｘ２方向であってもよい。また、Ｘ１−Ｘ２方向およびＹ１−Ｙ２方向のいずれにも非平行な方向に延出していてもよい。さらに、複数のスリットパターンＳＰは必ずしも互いに平行に設けられていなくてもよい。

図３（ｂ）に表した例では、検知電極２１ａの内側にスリットパターンＳＰが設けられている。すなわち、スリットパターンＳＰの両端のいずれもが、検知電極２１ａの縁まで達していない。このようなスリットパターンＳＰであっても、直線（矢印ＤＲ）を遮るように設けられていればよい。

直線（矢印ＤＲ）を遮るようにスリットパターンＳＰを設けることで、検知電極２１ａの縁から接続部分ＣＰに直線的に流れようとする電流の経路を蛇行させることができ、短時間で集中的に電流が引き出し配線２２へ流れることを抑制することができる。これにより、引き出し配線２２のＥＳＤ耐性を高めることができる。

図３（ｃ）に表した例では、検知電極２１ａの両端からそれぞれ内部に向けて設けられたスリットパターンＳＰと、検知電極２１ａの内部に設けられた（検知電極２１ａの縁まで達していない）スリットパターンＳＰとが互いに異なる位置で電流経路を制限するように設けられている。このようなスリットパターンＳＰであっても、直線（矢印ＤＲ）を遮ることができ、短時間で集中的に電流が引き出し配線２２へ流れることを抑制することができる。これにより、引き出し配線２２のＥＳＤ耐性を高めることができる。

図４は、ダミーパターンと電流経路設定部とを含むパターンの例について示す平面図である。
ダミーパターンＤＰは、各検知電極２１ａに設けられたスリット状のパターンである。検知電極２１ａには、Ｙ１−Ｙ２方向に延びるダミーパターンＤＰが複数本平行に設けられる。これにより、検知電極２１ａのライン＆スペースの領域が構成される。

ダミーパターンＤＰによる各検知電極２１ａのライン＆スペースの幅およびピッチは、複数の引き出し配線２２の等間隔領域Ｓ１でのライン＆スペースの幅およびピッチと合わせることが望ましい。また、等間隔領域Ｓ１と、電流経路設定部２５との線と間隔（ライン＆スペース）を同じにすることが望ましい。これにより、パターン２０全体の広い領域において同じライン＆スペースが設けられることになり、パターン２０を目立たせなくすることができる。

さらに、最も外部端子領域３０に近い検知電極２１ａと外部端子領域３０との間の非検知領域Ｓ２に、抵抗設定部２３を設けてもよい。抵抗設定部２３は引き出し配線２２に接続される。抵抗設定部２３は、折り返しパターンを含む。

折り返しパターンを含む抵抗設定部２３を設けることで、抵抗設定部２３が設けられていない場合に比べて検知電極２１ａから外部端子領域３０に向かう配線パターンの電流経路が長くなる。電流経路が長くなると、それだけ電気抵抗が高くなる。したがって、抵抗設定部２３が設けられた引き出し配線２２においては、抵抗設定部２３が設けられない場合に比べて電気抵抗が高くなり、ＥＳＤ耐性を高めることができる。

抵抗設定部２３を設ける場合、折り返しパターンのライン＆スペースの幅およびピッチも等間隔領域Ｓ１のライン＆スペースの幅およびピッチと合わせることが望ましい。これにより、折り返しパターンが設けられていても光透過に違和感が生じない。

なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の実施の形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、実施の形態や変形例の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。

以上のように、本発明に係る静電容量式センサは、単層構造の透光性導電膜を有する大型のタッチパネルに有用であり、使用者から視認しづらい透光性パターンを形成することができる。

１０…基材
２０…パターン
２１…検知パターン
２１ａ…検知電極
２２…引き出し配線
２３…抵抗設定部
２５…電流経路設定部
３０…外部端子領域
Ｓ１…等間隔領域
Ｓ２…非検知領域
ＳＰ…スリットパターン

Claims (6)

1. 基材に透光性導電膜のパターンが設けられた静電容量式センサであって、
   前記透光性導電膜は金属ナノワイヤを含み、
   前記パターンは、
   複数の検知電極が間隔を置いて配列された検知パターンと、
   前記複数の検知電極のそれぞれから第１方向に直線状に延在する複数の引き出し配線と、を有し、
   前記検知パターンの少なくとも一つの検知電極は、前記検知電極から前記引き出し配線へ向かう電流の直線的な経路長を延長する電流経路設定部を含み、
   前記複数の引き出し配線は、前記第１方向と直交する第２方向に一定の第１ピッチで配置される等間隔領域を含み、
   前記電流経路設定部は、前記検知電極の端部から前記第１方向に前記検知電極の長さの半分以上延出する互いに平行な複数のスリットパターンを有し、
   前記複数のスリットパターンのそれぞれの幅は前記複数の引き出し配線の間隔と等しく、前記複数のスリットパターンのピッチは前記第１ピッチと等しいことを特徴とする静電容量式センサ。
2. 前記電流経路設定部は、前記検知電極の周縁と、前記検知電極と前記引き出し配線との接続部分と、を結ぶ直線を遮るように設けられたスリットパターンを有する、請求項１に記載の静電容量式センサ。
3. 前記電流経路設定部は、前記検知電極の長さの半分以上で電流経路を制限する複数のスリットパターンを有し、
   前記複数のスリットパターンは互いに平行に設けられ、
   前記複数のスリットパターンの少なくとも一部は前記検知電極の端部から内部に向けて延出し、
   隣り合う前記スリットパターンは互いに異なる位置で電流経路を制限する、請求項１に記載の静電容量式センサ。
4. 前記第１方向は、前記検知パターンから外部端子領域に向かう方向であり、
   前記複数の検知電極は前記第１方向に配列され、
   前記電流経路設定部は、少なくとも前記外部端子領域に最も近い検知電極に設けられている、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
5. 前記電流経路設定部は、前記複数の検知電極のそれぞれに設けられている、請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の静電容量式センサ。
6. 前記金属ナノワイヤは銀ナノワイヤを含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。

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