[go: up one dir, main page]

JP6364606B2 - Manufacturing method of chip resistor - Google Patents

Manufacturing method of chip resistor Download PDF

Info

Publication number
JP6364606B2
JP6364606B2 JP2013223937A JP2013223937A JP6364606B2 JP 6364606 B2 JP6364606 B2 JP 6364606B2 JP 2013223937 A JP2013223937 A JP 2013223937A JP 2013223937 A JP2013223937 A JP 2013223937A JP 6364606 B2 JP6364606 B2 JP 6364606B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
resistance
primary
resist layer
chip resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013223937A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2015088533A (en
Inventor
裕介 山本
裕介 山本
泰治 木下
泰治 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2013223937A priority Critical patent/JP6364606B2/en
Publication of JP2015088533A publication Critical patent/JP2015088533A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6364606B2 publication Critical patent/JP6364606B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Description

本発明は、チップ抵抗器、特に抵抗値が100mΩ以下の低抵抗で、所謂0603(縦0.6mm、横0.3mm、高さ0.23mm程度の外形寸法)サイズや、0402(縦0.4mm、横0.2mm、高さ0.13mm程度の外形寸法)サイズ、またはそれ以下の微小サイズのチップ抵抗器の製造方法に関する。   The present invention is a chip resistor, in particular, a low resistance having a resistance value of 100 mΩ or less, so-called 0603 (external dimensions of about 0.6 mm in length, 0.3 mm in width, and about 0.23 mm in height) size, and 0402 (length of 0.0. The present invention relates to a manufacturing method of a chip resistor having a micro size of 4 mm, 0.2 mm in width, and 0.13 mm in height) size or smaller.

このようなチップ抵抗器の具体的な製造方法を簡単に説明する。シート状の基板の上面にAgPdからなる抵抗層を形成した後に、抵抗層上にレジストを形成する。その後に電解めっきを行うことで、レジストに覆われていない抵抗層上に電極層を形成する。この電極層の成分はAgである。この後に、レジストを剥離し、抵抗層にトリミングを施して抵抗値修正を行い、その後に露出している抵抗層を覆うように保護膜を形成する。その後の工程は、シート状基板を分割して端面電極を形成し、さらに、バレルめっきによりニッケルめっき層とスズめっき層を形成するというものである(特許文献1参照。)。   A specific method for manufacturing such a chip resistor will be briefly described. After a resistance layer made of AgPd is formed on the upper surface of the sheet-like substrate, a resist is formed on the resistance layer. Thereafter, electrolytic plating is performed to form an electrode layer on the resistance layer not covered with the resist. The component of this electrode layer is Ag. Thereafter, the resist is peeled off, the resistance layer is trimmed to correct the resistance value, and then a protective film is formed so as to cover the exposed resistance layer. Subsequent steps are to divide the sheet-like substrate to form end face electrodes, and further to form a nickel plating layer and a tin plating layer by barrel plating (see Patent Document 1).

特開2006−19323号公報JP 2006-19323 A

電流の測定に用いる抵抗器は、その抵抗値が小さければ小さいほど、その抵抗器が消費する電力を小さくすることができる。一方、抵抗値が小さいほど電圧降下も小さくなり、電圧を測定する精度の向上が求められる。従って、抵抗器による電力の消費と測定できる電圧精度との釣合いを考えて抵抗値を設定することが好ましい。特に、大電流を測定する場合には、測定用の抵抗器による電力消費を抑えて、この抵抗器による発熱を少なくするために、より低い抵抗値のチップ抵抗器が求められるようになってきた。   The smaller the resistance value of the resistor used for current measurement, the smaller the power consumed by the resistor. On the other hand, the smaller the resistance value, the smaller the voltage drop, and the higher the accuracy of measuring the voltage is required. Therefore, it is preferable to set the resistance value in consideration of the balance between the power consumption by the resistor and the voltage accuracy that can be measured. In particular, when measuring a large current, a chip resistor having a lower resistance value has been demanded in order to suppress the power consumption by the measuring resistor and reduce the heat generated by the resistor. .

このように、より低抵抗にすることにより、相対的に電極の抵抗値が抵抗器全体に占める割合が増加してくる。従って、従来ならば問題とならなかった電極に起因する抵抗値についての事象が存在することがわかった。   Thus, by making the resistance lower, the ratio of the resistance value of the electrode to the entire resistor is relatively increased. Therefore, it has been found that there is an event regarding the resistance value caused by the electrode, which was not a problem in the past.

そのような事象として、抵抗値の変動がある。従来技術において、抵抗値修正を行うことで、一度は抵抗値を所望の範囲にすることができる。しかし、最終的なチップ抵抗器になった際の抵抗値が、抵抗値修正を行った抵抗値から、変動し、しかも変動にバラツキがあるという事象である。これは、抵抗値修正を行った後に保護膜を形成する際に、保護膜を焼成したり、保護膜の凝固を促進するために200〜300℃程度の環境下においたりする場合に抵抗値が変動してしまうことによるものである。抵抗値の変動が一定であれば、変動分を見越して抵抗値修正を行うことで最終的なチップ抵抗器の抵抗値を所望の範囲にすることが可能となる。しかし、変動にバラツキがあるとそのような方法を採ることもできず、最終的な抵抗値が所望の範囲に収まらず、チップ抵抗器の製造後の検査工程により工程不良品として扱われることになり、歩留まりを低下させてしまう。そのため、シート状の基板の上面にAgPdからなる抵抗層を形成した後、抵抗値修正を行う前に熱処理を行うことで歩留まりの向上ができる。このとき、抵抗層上にレジストを形成し、その後に電解めっきを行って電極層を形成する。しかしながら、1次分割部にも電解めっきを行うと、ダイシングを行うときにバリが発生し、抵抗器上面に凹凸が生じて、実装効率を低下させてしまうという課題があった。   As such an event, there is a change in resistance value. In the prior art, by correcting the resistance value, the resistance value can be set within a desired range once. However, this is an event that the resistance value when it becomes the final chip resistor fluctuates from the resistance value after the resistance value correction, and the variation varies. This is because when the protective film is formed after the resistance value correction, the protective film is baked or when the protective film is placed in an environment of about 200 to 300 ° C. in order to promote solidification of the protective film. This is due to fluctuations. If the variation of the resistance value is constant, the final resistance value of the chip resistor can be set to a desired range by correcting the resistance value in anticipation of the variation. However, if there is variation, such a method cannot be adopted, the final resistance value does not fall within the desired range, and it is handled as a defective product by the inspection process after manufacturing the chip resistor. This will decrease the yield. Therefore, the yield can be improved by forming a resistance layer made of AgPd on the upper surface of the sheet-like substrate and then performing a heat treatment before correcting the resistance value. At this time, a resist is formed on the resistance layer, and then electrolytic plating is performed to form an electrode layer. However, when electrolytic plating is performed also on the primary divided portion, there is a problem that burrs are generated when dicing is performed, unevenness is generated on the upper surface of the resistor, and the mounting efficiency is lowered.

本発明は上記従来の課題を解決するもので、実装効率を高めることができる抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。   The present invention solves the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a resistor that can improve mounting efficiency.

上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を有している。   In order to achieve the above object, the present invention has the following means.

請求項1に記載の発明は、シート基板を分割して複数のチップ抵抗器を得るチップ抵抗器の製造方法であって、前記シート基板は複数の1次分割部と、前記複数の1次分割部に交わる複数の2次分割部とで分割されるものであり、前記シート基板上に抵抗体ペーストを印刷して抵抗層を形成する工程と、前記抵抗層上であって前記複数の1次分割部において隣接する1次分割部間に第1の保護層を形成し、前記第1の保護層と接しない部分に前記複数の1次分割部を跨ぐようにレジスト層を形成する工程と、前記抵抗層における前記第1の保護層と前記レジスト層に被覆されていない部分にめっきによる電極層を形成する工程と、前記シート基板を前記複数の1次分割部と前記複数の2次分割部とで分割する工程とを備え、前記第1の保護層と前記レジスト層をガラスを主成分とする同一材料で構成し、かつ同時に焼成して形成するようにし、前記レジスト層の上面における、前記1次分割部と前記レジスト層の端部との間に、樹脂またはガラスを主成分とする絶縁材料で構成された他のレジスト層を形成したチップ抵抗器の製造方法である。 The invention according to claim 1 is a chip resistor manufacturing method for dividing a sheet substrate to obtain a plurality of chip resistors, wherein the sheet substrate includes a plurality of primary division portions and the plurality of primary divisions. Divided into a plurality of secondary division parts intersecting the part, forming a resistance layer by printing a resistor paste on the sheet substrate, and on the resistance layer, the plurality of primary Forming a first protective layer between adjacent primary divided portions in the divided portion, and forming a resist layer so as to straddle the plurality of primary divided portions in a portion not in contact with the first protective layer; A step of forming an electrode layer by plating on a portion of the resistance layer not covered with the first protective layer and the resist layer; and the sheet substrate with the plurality of primary division portions and the plurality of secondary division portions. And dividing the first protective layer Between the resist layer was composed of the same material as glass, and so as to form by firing simultaneously, the the upper surface of the resist layer, an end portion of the resist layer and the primary division unit, This is a method for manufacturing a chip resistor in which another resist layer made of an insulating material mainly composed of resin or glass is formed .

請求項1に記載の発明は、バリの発生を抑制することができるため、抵抗器上面を平滑にでき、これにより、実装効率を高めることができ、さらに、生産性を向上させることができるという作用効果を有する。   According to the first aspect of the present invention, since the generation of burrs can be suppressed, the upper surface of the resistor can be smoothed, thereby improving the mounting efficiency and further improving the productivity. Has a working effect.

以上のように本発明のチップ抵抗器の製造方法は、1次分割部にガラスを主成分とするレジスト層を形成した後、電解めっきで電極層を形成するようにしているため、分割時に電極層ではなくレジスト層をダイシングすることになり、これにより、バリの発生を抑制することができるため、抵抗器上面を平滑にでき、この結果、実装効率を高めることができ、さらに、第1の保護層とレジスト層を同一材料で構成し、かつ同時に形成するようにしているため、生産性を向上させることができるという効果を有する。   As described above, in the method of manufacturing a chip resistor according to the present invention, an electrode layer is formed by electrolytic plating after forming a resist layer containing glass as a main component in the primary divided portion. Since the resist layer is diced instead of the layer, the generation of burrs can be suppressed, so that the upper surface of the resistor can be smoothed. As a result, the mounting efficiency can be improved. Since the protective layer and the resist layer are made of the same material and are formed at the same time, the productivity can be improved.

本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造工程の正面断面図Front sectional drawing of the manufacturing process of the chip resistor in one embodiment of the present invention 本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造工程の正面断面図Front sectional drawing of the manufacturing process of the chip resistor in one embodiment of the present invention 本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造工程の正面断面図Front sectional drawing of the manufacturing process of the chip resistor in one embodiment of the present invention 本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造工程の平面図The top view of the manufacturing process of the chip resistor in one embodiment of the present invention 本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造工程の平面図The top view of the manufacturing process of the chip resistor in one embodiment of the present invention 本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造工程の平面図The top view of the manufacturing process of the chip resistor in one embodiment of the present invention 本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造工程の平面図The top view of the manufacturing process of the chip resistor in one embodiment of the present invention 本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造工程の平面図The top view of the manufacturing process of the chip resistor in one embodiment of the present invention

図1〜図3は、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造工程の正面断面図、図4〜図8は、発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造工程の平面図である。   1 to 3 are front sectional views of a chip resistor manufacturing process according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 4 to 8 are plan views of the chip resistor manufacturing process according to an embodiment of the present invention. is there.

なお、図1(a)、図1(b)、図1(c)、図2(a)、図2(b)、図2(c)、図3(a)は、それぞれ、平面図である図5(a)、図5(b)、図5(c)、図6(a)、図6(b)、図6(c)、図8の正面断面図である。なお、それぞれの図面は、理解しやすいように記載しており、図面の縦横の長さの比や、図中の構成要素のそれぞれの厚みの比も実際のものとは異なる。   1 (a), FIG. 1 (b), FIG. 1 (c), FIG. 2 (a), FIG. 2 (b), FIG. 2 (c), and FIG. FIG. 9 is a front sectional view of FIG. 5 (a), FIG. 5 (b), FIG. 5 (c), FIG. 6 (a), FIG. 6 (b), FIG. 6 (c), and FIG. In addition, each drawing is described so that it can be easily understood, and the ratio of the length and width of the drawing and the ratio of the thickness of each component in the drawing are different from the actual ones.

本発明のチップ抵抗器の製造方法は、シート基板1を分割して複数のチップ抵抗器30を得るチップ抵抗器30の製造方法であって、前記シート基板1は直線で平行な1次分割部1aと、前記1次分割部1aに対して直角に交わる直線である複数の2次分割部1bとで分割されるものであり、前記シート基板1上に前記1次分割部1aを跨いで抵抗層2を形成する工程と、前記抵抗層2上であって前記複数の1次分割部1aにおいて隣接する1次分割部1a間に第1の保護層3と、前記抵抗層2上であって前記複数の1次分割部1aを跨いでレジスト層4とを形成する工程と、前記第1の保護層3と前記レジスト層4とをめっきレジストとして前記抵抗層2に電解めっきによる電極層5を形成する工程と、前記電極層5が形成されたシート基板1を熱処理する工程と、前記熱処理の工程の後に抵抗値修正を行う工程と、前記抵抗値修正を行った後に前記シート基板1を前記複数の1次分割部1aと前記複数の2次分割部1bとで分割する工程を備えている。   The chip resistor manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing a chip resistor 30 that divides a sheet substrate 1 to obtain a plurality of chip resistors 30, wherein the sheet substrate 1 is a linear and parallel primary dividing unit. 1a and a plurality of secondary division parts 1b that are straight lines intersecting at right angles to the primary division part 1a, and the resistance across the primary division part 1a on the sheet substrate 1 A step of forming a layer 2, a first protective layer 3 on the resistive layer 2, and between the primary divided portions 1 a adjacent to each other in the plurality of primary divided portions 1 a, on the resistive layer 2, A step of forming a resist layer 4 across the plurality of primary division parts 1a; and an electrode layer 5 by electrolytic plating on the resistance layer 2 using the first protective layer 3 and the resist layer 4 as a plating resist. And a sheet base on which the electrode layer 5 is formed A step of heat-treating 1, a step of correcting a resistance value after the step of the heat treatment, and a sheet substrate 1 after the correction of the resistance value, the plurality of primary division portions 1 a and the plurality of secondary division portions And 1b.

また、上記の製造方法に加え、前記抵抗値修正を行う工程の後に、前記第1の保護層3を覆う第2の保護層7を形成する工程と、前記シート基板1を前記1次分割部1aで分割して短冊基板20を得る工程と、前記短冊基板20上に形成された前記第2の保護層7上にマスク(図示せず)を配置して、前記短冊基板20の端面から前記電極層5上まで端面電極9、10を形成する工程と、を備え、前記端面電極9、10を形成する工程の後に、前記2次分割部1bで分割する工程を行い、前記分割する工程の後に、前記電極層5および前記端面電極9、10に電解めっきによるめっき層として銅めっき層11、ニッケルめっき層12、スズめっき層13を形成する工程を備えたものとすることもできる。   In addition to the above manufacturing method, after the step of correcting the resistance value, a step of forming a second protective layer 7 covering the first protective layer 3, and the sheet substrate 1 with the primary division unit A step of obtaining the strip substrate 20 by dividing by 1a, a mask (not shown) is disposed on the second protective layer 7 formed on the strip substrate 20, and the end surface of the strip substrate 20 Forming the end face electrodes 9 and 10 over the electrode layer 5, and after the step of forming the end face electrodes 9 and 10, performing the step of dividing by the secondary dividing portion 1 b, Later, a step of forming a copper plating layer 11, a nickel plating layer 12, and a tin plating layer 13 as a plating layer by electrolytic plating on the electrode layer 5 and the end face electrodes 9, 10 may be provided.

本発明のチップ抵抗器の製造方法のより詳細な説明について、以下に説明する。   A more detailed description of the manufacturing method of the chip resistor of the present invention will be described below.

シート基板1は絶縁体であり、好ましい例としては、アルミナ基板である。図4に示すように、シート基板1には互いに平行な直線である複数の1次分割部1aと、1次分割部1aに直角に交わる直線である複数の2次分割部1bが定義される。複数の2次分割部1bは互いに平行である。   The sheet substrate 1 is an insulator, and a preferable example is an alumina substrate. As shown in FIG. 4, a plurality of primary division parts 1a that are straight lines parallel to each other and a plurality of secondary division parts 1b that are straight lines that intersect at right angles to the primary division parts 1a are defined on the sheet substrate 1. . The plurality of secondary division parts 1b are parallel to each other.

この1次分割部1aと2次分割部1bとは、後にシート基板1を分割する際分割の位置を示す仮想の線である。また1次分割部1aと2次分割部1bとは、シート基板1の分割する位置に形成したスリット(図示せず)としてもよい。なお、シート基板1の上面とは、図1(b)のシート基板1において抵抗層2が形成されている面をいい、これと対向する面を裏面と言う。   The primary division unit 1a and the secondary division unit 1b are virtual lines that indicate division positions when the sheet substrate 1 is divided later. Moreover, the primary division part 1a and the secondary division part 1b are good also as a slit (not shown) formed in the position which the sheet | seat board | substrate 1 divides | segments. Note that the upper surface of the sheet substrate 1 refers to the surface on which the resistance layer 2 is formed in the sheet substrate 1 of FIG.

図4に示すシート基板1の一部を拡大したものが図1(a)および図5(a)である。図1(a)は正面断面図であり、その切断面は2次分割部1bと平行で、任意の隣り合う2次分割部1bの中央部におけるものである。   FIG. 1A and FIG. 5A are enlarged views of a part of the sheet substrate 1 shown in FIG. Fig.1 (a) is front sectional drawing, The cut surface is parallel to the secondary division part 1b, and is in the center part of arbitrary adjacent secondary division parts 1b.

本発明の製造方法の一実施の形態は、このようなシート基板1を用い、以下のように製造していく。   One embodiment of the manufacturing method of the present invention uses such a sheet substrate 1 to manufacture as follows.

最初に、図1(b)および図5(b)に示すように、シート基板1上に抵抗層2を形成する。抵抗層2は、PdAgのペーストを印刷し、その後焼成したものである。なお、PdAgを2回印刷して層を厚くして形成することで、抵抗層2の抵抗値を下げることもできる。抵抗層2は隣接する2次分割部1bの間にそれぞれ形成され、かつ、1次分割部1aを跨いで形成される。   First, as shown in FIG. 1B and FIG. 5B, the resistance layer 2 is formed on the sheet substrate 1. The resistance layer 2 is obtained by printing a PdAg paste and then firing it. In addition, the resistance value of the resistance layer 2 can be lowered by printing PdAg twice to form a thick layer. The resistance layer 2 is formed between the adjacent secondary division portions 1b and straddling the primary division portion 1a.

次に、図1(c)および図5(c)に示すように、抵抗層2上に第1の保護層3とレジスト層4を同時に焼成して形成する。第1の保護層3は1次分割部1a間に形成される。一方、レジスト層4は1次分割部1aを跨ぐように形成される。第1の保護層3およびレジスト層4は、ガラスペーストを印刷した後に焼成することで得られる。この焼成温度は、第1の保護層3、レジスト層4に用いたガラス材料にもよるが、620℃で焼成している。また、第1の保護層3およびレジスト層4は、分離しており、これらは繋がってはいない。そして、図5(c)に示すように、第1の保護層3およびレジスト層4は、抵抗層2の幅より広く形成されており、抵抗層2の幅の方向を覆っている。なお、抵抗層2の幅とは、抵抗層2における1次分割部1aに対し平行な方向の長さである。そして、この第1の保護層3およびレジスト層4は、次の工程の電解めっきの際のめっきレジストにもなる。さらに、第1の保護層3、レジスト層4を、2次分割部1bを跨いで帯状に形成してもよい。 Next, as shown in FIGS. 1C and 5C, the first protective layer 3 and the resist layer 4 are simultaneously baked and formed on the resistance layer 2 . The first protective layer 3 is formed between the primary divided portions 1a. On the other hand, the resist layer 4 is formed so as to straddle the primary divided portion 1a. The 1st protective layer 3 and the resist layer 4 are obtained by baking after printing a glass paste. This firing temperature is performed at 620 ° C., although it depends on the glass material used for the first protective layer 3 and the resist layer 4. The first protective layer 3 and the resist layer 4 are separated and are not connected. As shown in FIG. 5C, the first protective layer 3 and the resist layer 4 are formed wider than the width of the resistance layer 2 and cover the width direction of the resistance layer 2. The width of the resistance layer 2 is a length in a direction parallel to the primary division portion 1a in the resistance layer 2. And this 1st protective layer 3 and the resist layer 4 also become a plating resist in the case of the electrolytic plating of the next process. Furthermore, you may form the 1st protective layer 3 and the resist layer 4 in strip shape ranging over the secondary division part 1b.

さらにまた、レジスト層4の上面における、1次分割部1aとレジスト層4の抵抗層2側の端部との間に、樹脂またはガラスを主成分とする絶縁材料で構成された他のレジスト層を形成してもよい。これにより、電極層5が1次分割部1aに形成されるのを阻止できるため、ダイシングをレジスト層4で確実に行うことができ、これにより、バリの発生をより効果的に抑制することができる。   Furthermore, another resist layer made of an insulating material mainly composed of resin or glass between the primary divided portion 1a and the end of the resist layer 4 on the resistance layer 2 side on the upper surface of the resist layer 4 May be formed. Thereby, since it can prevent that the electrode layer 5 is formed in the primary division part 1a, dicing can be performed reliably with the resist layer 4, and this can suppress generation | occurrence | production of a burr | flash more effectively. it can.

次に、図2(a)および図6(a)に示すように電解めっきにより電極層5を形成する。電解めっきは、図1(c)および図5(c)に示すシート基板1をめっき液に浸漬させ、抵抗層2に電気を流すことで行うことができる。したがって、抵抗層2における露出している部分に電極層5が形成される。なお、図2(a)において、電極層5は第1の保護層3およびレジスト層4の上面の一部にも形成されている。この理由は、電解めっきにより、最初は抵抗層2上にめっきによる膜が形成されるが、このめっきによる膜も導体であり、抵抗層2に流した電気が流れるので、この膜上に、さらにめっきによる膜が形成される。このように、めっきによる膜上にさらにめっきによる膜が形成されることを繰り返すことで、第1の保護層3およびレジスト層4の上面の一部にも形成されるものであって、第1の保護層3およびレジスト層4の一部が導体ということではない。これらは絶縁体である。電極層5の組成はAgである。Agは導電性に優れるので、低抵抗のチップ抵抗器の電極に用いることは好ましい。   Next, as shown in FIGS. 2A and 6A, the electrode layer 5 is formed by electrolytic plating. Electrolytic plating can be performed by immersing the sheet substrate 1 shown in FIGS. 1C and 5C in a plating solution and causing electricity to flow through the resistance layer 2. Therefore, the electrode layer 5 is formed on the exposed portion of the resistance layer 2. In FIG. 2A, the electrode layer 5 is also formed on part of the upper surface of the first protective layer 3 and the resist layer 4. The reason for this is that, by electrolytic plating, a film by plating is initially formed on the resistance layer 2, but this film by plating is also a conductor, and the electricity that has flowed through the resistance layer 2 flows. A film is formed by plating. In this way, by repeatedly forming a film by plating on the film by plating, the first protective layer 3 and the resist layer 4 are also formed on part of the top surface. A part of the protective layer 3 and the resist layer 4 is not a conductor. These are insulators. The composition of the electrode layer 5 is Ag. Since Ag is excellent in conductivity, it is preferable to use it for an electrode of a low-resistance chip resistor.

次に、シート基板1は熱処理を施される。熱処理は、第1の保護層3およびレジスト層4の焼成温度と同じ温度で行われる。その理由は、第1の保護層3およびレジスト層4を溶融させるためである。そして、第1の保護層3およびレジスト層4が液体のように著しく粘性を低下させて流れ出さないような温度である必要もある。これらの理由により、熱処理温度は、第1の保護層3およびレジスト層4の焼成温度と同じにしている。なお、抵抗層2と電極層5との拡散には500℃以上の温度が必要であるので、第1の保護層3およびレジスト層4に用いるガラスの融点は、抵抗層2と電極層5との拡散に必要な温度以上であることが必要となる。   Next, the sheet substrate 1 is subjected to heat treatment. The heat treatment is performed at the same temperature as the firing temperature of the first protective layer 3 and the resist layer 4. The reason is to melt the first protective layer 3 and the resist layer 4. The first protective layer 3 and the resist layer 4 also need to have a temperature at which the viscosity is remarkably lowered and does not flow out like a liquid. For these reasons, the heat treatment temperature is the same as the firing temperature of the first protective layer 3 and the resist layer 4. Since the diffusion between the resistance layer 2 and the electrode layer 5 requires a temperature of 500 ° C. or more, the melting point of the glass used for the first protective layer 3 and the resist layer 4 is the resistance layer 2 and the electrode layer 5. It is necessary that the temperature be higher than the temperature required for diffusion of the.

次に、図2(b)および図6(b)に示すように、抵抗層2に抵抗値修正を行う。抵抗値修正は、レーザ光線を照射することで、第1の保護層3ごと抵抗層2の一部を、そのエネルギーにより消失させるものである。トリミング跡6は、このような抵抗値修正により、消失した部分を指す。このような抵抗値修正はトリミングとも呼ばれており、抵抗値を所定の抵抗値にするために行われるものである。この抵抗値修正は、2次分割部1bと平行な方向において隣接する電極層5にそれぞれ抵抗値測定用検針を接触させ、抵抗値を測定しながら行う。なお、抵抗値修正を行う際には、抵抗値の測定を正確に行うために、前処理が必要になる場合もある。例えば、シート基板1の端部で複数の抵抗層2を電気的に接続しておくと、所謂めっきランドを1箇所にすることができ、電解めっきの際には便利であるが、抵抗値修正のために抵抗値を測定する場合には、他の抵抗層2の影響を受けてしまい、正確な測定が出来なくなるので、このめっきランドを切断して各抵抗層2を電気的に独立させるような処理である。   Next, as shown in FIGS. 2B and 6B, the resistance value of the resistance layer 2 is corrected. In the correction of the resistance value, a part of the resistance layer 2 together with the first protective layer 3 is lost by the energy by irradiating the laser beam. The trimming trace 6 indicates a portion that has disappeared due to such resistance value correction. Such resistance value correction is also called trimming, and is performed in order to make the resistance value a predetermined resistance value. This resistance value correction is performed while a resistance value measuring meter is brought into contact with each of the electrode layers 5 adjacent in the direction parallel to the secondary divided portion 1b and the resistance value is measured. Note that when the resistance value is corrected, pre-processing may be required to accurately measure the resistance value. For example, if a plurality of resistance layers 2 are electrically connected at the end of the sheet substrate 1, a so-called plating land can be formed in one place, which is convenient for electrolytic plating, but the resistance value correction When the resistance value is measured for this reason, the resistance layer 2 is affected by other resistance layers, and accurate measurement cannot be performed. Thus, the plating land is cut so that each resistance layer 2 is electrically independent. Processing.

次に、図2(c)および図6(c)に示すように、第1の保護層3を覆うように第2の保護層7を形成する。第2の保護層7は完全に第1の保護層3を覆い、さらに電極層5の一部も覆う。この第2の保護層7は樹脂による保護材料を用いている。   Next, as shown in FIG. 2C and FIG. 6C, a second protective layer 7 is formed so as to cover the first protective layer 3. The second protective layer 7 completely covers the first protective layer 3 and further covers a part of the electrode layer 5. This second protective layer 7 uses a protective material made of resin.

次に、図7(a)に示すように、1次分割部1aおよび2次分割部1bが作る長方形の四隅に再上面電極層8を形成する。この再上面電極層8は隣接する2次分割部1b間の中央部には存在しないので、図3(a)、(b)には現れない。再上面電極層8は、Agと樹脂の混合ペーストを印刷し、その後乾燥させて形成される。再上面電極層8は無くてもよいが、再上面電極層8を形成すれば、後で説明する端面電極9を形成する際に、段差を少なくすることができる。なお、再上面電極層8は樹脂を含有しているため、ダンシングで切断してもバリはほとんど発生しない。   Next, as shown in FIG. 7A, the upper surface electrode layer 8 is formed at the four corners of the rectangle formed by the primary divided portion 1a and the secondary divided portion 1b. Since the upper surface electrode layer 8 does not exist in the central portion between the adjacent secondary division portions 1b, it does not appear in FIGS. 3 (a) and 3 (b). The upper surface electrode layer 8 is formed by printing a mixed paste of Ag and resin, and then drying. The upper surface electrode layer 8 may be omitted. However, if the upper surface electrode layer 8 is formed, a step difference can be reduced when an end surface electrode 9 described later is formed. Since the upper surface electrode layer 8 contains a resin, even if it is cut by dancing, burrs are hardly generated.

次に、シート基板1は、1次分割部1aの位置で切断され、複数の短冊基板20に分割される。この分割の方法は、ダンシングで切断する方法が挙げられる。図7(b)は、このように分割した後の短冊基板20の一部を拡大した図である。   Next, the sheet substrate 1 is cut at the position of the primary division unit 1 a and divided into a plurality of strip substrates 20. An example of this division method is a method of cutting by dancing. FIG. 7B is an enlarged view of a part of the strip substrate 20 after being divided in this way.

次に、図3(a)および図8に示すように、スパッタ工法により端面電極9および端面電極10を形成する。端面電極9は短冊基板20の端面と上面の端部に形成される。このスパッタ工法においては、まず、マスクを用いて、短冊基板20の上面側からスパッタを行うことで必要な部分のみ端面電極9を形成するようにしている。端面電極9は、2次分割部1b方向における隣接する第2の保護層7間に位置するシート基板1、レジスト層4、電極層5、再上面電極層8を覆う。端面電極9の形成が終了したら、今度は端面電極10をスパッタ工法で形成する。この端面電極10は、マスクを用いて短冊基板20の裏面側からスパッタを行うことで必要な部分のみ端面電極10を形成するようにしている。端面電極9および端面電極10は両方とも、NiCrからなる。なお、端面電極9を形成した後に端面電極10を形成するのではなく、順序を逆にしてもよい。また、マスクを用いて、短冊基板20の上面と裏面の両方から同時にスパッタを行い、端面電極9および端面電極10を一体的に形成することもできる。   Next, as shown in FIGS. 3A and 8, end face electrodes 9 and end face electrodes 10 are formed by sputtering. The end surface electrodes 9 are formed on the end surface of the strip substrate 20 and the end portions of the upper surface. In this sputtering method, first, the end face electrode 9 is formed only at a necessary portion by performing sputtering from the upper surface side of the strip substrate 20 using a mask. The end face electrode 9 covers the sheet substrate 1, the resist layer 4, the electrode layer 5, and the re-upper surface electrode layer 8 positioned between the adjacent second protective layers 7 in the secondary divided portion 1 b direction. When the formation of the end face electrode 9 is completed, the end face electrode 10 is now formed by a sputtering method. This end face electrode 10 is formed by sputtering from the back side of the strip substrate 20 using a mask so as to form the end face electrode 10 only in a necessary portion. Both the end face electrode 9 and the end face electrode 10 are made of NiCr. Instead of forming the end face electrode 10 after forming the end face electrode 9, the order may be reversed. Moreover, it is also possible to simultaneously form the end face electrode 9 and the end face electrode 10 by performing sputtering simultaneously from both the upper face and the rear face of the strip substrate 20 using a mask.

次に、短冊基板20を2次分割部1bで切断し、複数の基板21に分割する。この分割方法は、シート基板1を短冊基板20に分割する方法と同様である。   Next, the strip substrate 20 is cut by the secondary division unit 1 b and divided into a plurality of substrates 21. This dividing method is the same as the method of dividing the sheet substrate 1 into the strip substrates 20.

次に、図3(b)に示すように、端面電極9および端面電極10上にめっき層を形成する。このめっき層は、銅めっき層11、ニッケルめっき層12およびスズめっき層13からなり、いずれも電解めっきにより形成される。この電解めっきの方法としては、バレルめっき工法が好ましい。   Next, as shown in FIG. 3B, a plating layer is formed on the end face electrode 9 and the end face electrode 10. This plating layer includes a copper plating layer 11, a nickel plating layer 12, and a tin plating layer 13, all of which are formed by electrolytic plating. As this electrolytic plating method, a barrel plating method is preferable.

以上のような製造方法によるチップ抵抗器は、以下のような効果を有する。   The chip resistor by the above manufacturing method has the following effects.

まず、1次分割部1aを跨ぐのは抵抗層2とレジスト層4であり、電極層5は1次分割部1aを跨がない。電極層5は金属であるので、切断するとバリが出てしまうが、電極層5は1次分割部1aを跨がないので1次分割部1aでダイシングによって分割してもバリは生じにくいという効果を有する。   First, the resistance layer 2 and the resist layer 4 straddle the primary division part 1a, and the electrode layer 5 does not straddle the primary division part 1a. Since the electrode layer 5 is made of metal, burrs are generated when it is cut. However, since the electrode layer 5 does not straddle the primary division part 1a, even if it is divided by dicing at the primary division part 1a, the effect that burrs are hardly generated Have

すなわち、1次分割部1aにレジスト層4を形成した後、電解めっきで電極層5を形成するようにしているため、分割時は金属(電極層5)ではなくガラス(レジスト層4)をダイシングすることになり、これにより、バリの発生を抑制することができるため、抵抗器上面を平滑にでき、この結果、実装効率を高めることができる。   That is, since the electrode layer 5 is formed by electrolytic plating after forming the resist layer 4 in the primary division part 1a, glass (resist layer 4) is diced instead of metal (electrode layer 5) at the time of division. As a result, the generation of burrs can be suppressed, and the upper surface of the resistor can be smoothed. As a result, the mounting efficiency can be increased.

さらに、このバリを抑制するために設けられるレジスト層4を、第1の保護層3と同一材料で構成し、かつ同時に形成するようにしているため、生産性を向上させることができる。   Furthermore, since the resist layer 4 provided to suppress this burr is made of the same material as the first protective layer 3 and is formed at the same time, productivity can be improved.

なお、本実施の形態においては、シート基板1の上面側のみに抵抗層2を形成したが、上面側と裏面側の両方に形成してもよい。即ち、抵抗層2を両面に形成してもよい。こうすることで、チップ抵抗器としての抵抗値を1/2にすることができる。このときの裏面側は、上面側と同様の構成になり、その製造方法も上面側と同様に行うことができる。   In the present embodiment, the resistance layer 2 is formed only on the upper surface side of the sheet substrate 1, but may be formed on both the upper surface side and the back surface side. That is, the resistance layer 2 may be formed on both sides. By doing so, the resistance value as the chip resistor can be halved. The back side at this time has the same configuration as the top side, and the manufacturing method can be performed in the same manner as the top side.

本発明にかかるチップ抵抗器の製造方法は、電気機器や電子機器等に用いられるチップ抵抗器として適用することができる。   The method for manufacturing a chip resistor according to the present invention can be applied as a chip resistor used in electrical equipment, electronic equipment, and the like.

1 シート基板
1a 1次分割部
1b 2次分割部
2 抵抗層
3 第1の保護層
4 レジスト層
5 電極層
6 トリミング跡
7 第2の保護層
8 再上面電極層
9 端面電極
10 端面電極
11 銅めっき層
12 ニッケルめっき層
13 スズめっき層
20 短冊基板
21 基板
30 チップ抵抗器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sheet substrate 1a Primary division | segmentation part 1b Secondary division | segmentation part 2 Resistance layer 3 1st protective layer 4 Resist layer 5 Electrode layer 6 Trimming trace 7 2nd protective layer 8 Resurface electrode layer 9 End surface electrode 10 End surface electrode 11 Copper Plating layer 12 Nickel plating layer 13 Tin plating layer 20 Strip substrate 21 Substrate 30 Chip resistor

Claims (1)

シート基板を分割して複数のチップ抵抗器を得るチップ抵抗器の製造方法であって、前記シート基板は複数の1次分割部と、前記複数の1次分割部に交わる複数の2次分割部とで分割されるものであり、
前記シート基板上に抵抗体ペーストを印刷して抵抗層を形成する工程と、
前記抵抗層上であって前記複数の1次分割部において隣接する1次分割部間に第1の保護層を形成し、前記第1の保護層と接しない部分に前記複数の1次分割部を跨ぐようにレジスト層を形成する工程と、
前記抵抗層における前記第1の保護層と前記レジスト層に被覆されていない部分にめっきによる電極層を形成する工程と、
前記シート基板を前記複数の1次分割部と前記複数の2次分割部とで分割する工程とを備え、
前記第1の保護層と前記レジスト層をガラスを主成分とする同一材料で構成し、かつ同時
に焼成して形成するようにし、
前記レジスト層の上面における、前記1次分割部と前記レジスト層の端部との間に、樹脂またはガラスを主成分とする絶縁材料で構成された他のレジスト層を形成した、
チップ抵抗器の製造方法。
A chip resistor manufacturing method for dividing a sheet substrate to obtain a plurality of chip resistors, wherein the sheet substrate is divided into a plurality of primary divided portions and a plurality of secondary divided portions intersecting the plurality of primary divided portions. And is divided by
Printing a resistor paste on the sheet substrate to form a resistance layer;
A first protective layer is formed between the primary divided portions adjacent to each other in the plurality of primary divided portions on the resistance layer, and the plurality of primary divided portions are not in contact with the first protective layer. Forming a resist layer so as to straddle,
Forming an electrode layer by plating on a portion of the resistance layer that is not covered with the first protective layer and the resist layer;
Dividing the sheet substrate by the plurality of primary division units and the plurality of secondary division units,
The first protective layer and the resist layer are made of the same material mainly composed of glass, and fired at the same time,
On the upper surface of the resist layer, another resist layer made of an insulating material containing resin or glass as a main component was formed between the primary divided portion and an end of the resist layer.
Manufacturing method of chip resistor.
JP2013223937A 2013-10-29 2013-10-29 Manufacturing method of chip resistor Active JP6364606B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013223937A JP6364606B2 (en) 2013-10-29 2013-10-29 Manufacturing method of chip resistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013223937A JP6364606B2 (en) 2013-10-29 2013-10-29 Manufacturing method of chip resistor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015088533A JP2015088533A (en) 2015-05-07
JP6364606B2 true JP6364606B2 (en) 2018-08-01

Family

ID=53051033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013223937A Active JP6364606B2 (en) 2013-10-29 2013-10-29 Manufacturing method of chip resistor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6364606B2 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330801A (en) * 1996-06-07 1997-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resistor and manufacturing method thereof
JP3041684B2 (en) * 1998-04-22 2000-05-15 釜屋電機株式会社 Chip resistor and manufacturing method thereof
JP2013098358A (en) * 2011-11-01 2013-05-20 Panasonic Corp Chip resistor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015088533A (en) 2015-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10446304B2 (en) Resistor trimming method
US20170040091A1 (en) Chip resistor and method for manufacturing same
JP6371080B2 (en) Manufacturing method of chip resistor
JP6688025B2 (en) Chip resistor and method of manufacturing chip resistor
JP6364606B2 (en) Manufacturing method of chip resistor
JP5166140B2 (en) Chip resistor and manufacturing method thereof
JP2015060955A (en) Method for manufacturing thick film resistor
US11189402B2 (en) Metal plate resistor and manufacturing method thereof
JP2013058783A (en) Chip resistor
JP2013098358A (en) Chip resistor
JP2015230922A (en) Manufacturing method of chip resistor
JPWO2018147014A1 (en) Chip resistor manufacturing method and chip resistor
JP6326639B2 (en) Manufacturing method of chip resistor
JP2022109674A (en) Chip resistor and manufacturing method thereof
JP6379350B2 (en) Manufacturing method of chip resistor
JP6114905B2 (en) Manufacturing method of chip resistor
TWI817476B (en) Chip resistor and method of manufacturing chip resistor
JP2016131169A (en) Chip resistor
JP2013222916A (en) Method of manufacturing chip resistor
JP2013089655A (en) Method for manufacturing chip resistor
KR101544393B1 (en) Chip resistor device and method for fabricating the same
KR101538416B1 (en) Chip resistor device and method for fabricating the same
JP2015201489A (en) Resistance value measuring method of chip resistor
JP6574975B2 (en) Manufacturing method of chip resistor
JP2015170727A (en) Resistor and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20160519

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160914

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170814

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170905

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171019

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180326

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20180403

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180522

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180604

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6364606

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151