JP6116128B2

JP6116128B2 - リソグラフィ装置および方法

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Publication number: JP6116128B2
Application number: JP2012085380A
Authority: JP
Inventors: ループストラ，エリック，ルーロフ; ペケルデル，スフェン; ニーンフイス，ハン−クワン
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2011-04-11
Filing date: 2012-04-04
Publication date: 2017-04-19
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Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置および方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。

[0003] リソグラフィは、ＩＣや他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣあるいは他のデバイスおよび／または構造を製造できるようにするための最も重要な要因になりつつある。

[0004] パターン印刷の限界の理論推定値は、式（１）に示す解像度に関するレイリー基準によって得ることができる。

上の式で、λは使用される放射の波長であり、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ_１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、以下の３つの方法、露光波長λを短縮することによって、開口数ＮＡを増加させることによって、あるいはｋ１の値を低下させることによって達成することができる、と言える。

[0005] 露光波長を短縮するため、したがって、最小印刷可能サイズを縮小させるためには、極端紫外線（ＥＵＶ）放射原を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内、あるいは、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといったように５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源または電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が挙げられる。

[0006] ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、プラズマを提供するために燃料を励起するレーザと、プラズマを収容する放射源コレクタモジュールを含んでよい。プラズマは、例えば、適切な材料（例えば、スズ）の粒子などの燃料にレーザビームを向けることによって、あるいはＸｅガスまたはＬｉ蒸気などの適切なガスまたは蒸気の流れにレーザビームを向けることによって生成することができる。結果として生じるプラズマは、放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、これは、放射コレクタを用いて集光される。放射コレクタは、放射を受けてその放射をビームへと集束させるミラー法線入射放射コレクタであってよい。放射源コレクタモジュールは、プラズマを支持するために真空環境を提供するように構成された密閉構造またはチャンバを含んでよい。そのような放射システムを、一般的にレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ぶ。

[0007] ＥＵＶリソグラフィ装置の投影システムは、ミラーを用いて放射をパターニングデバイスから基板へと誘導する。汚染がミラーに蓄積した場合、その反射性は低下し、基板に供給される放射の強度は減少される。これは、リソグラフィ装置のスループット（すなわち、リソグラフィ装置によって１時間当たりにパターン形成することができる基板の数）を減少し得る。

[0008] 従来技術では知られていない方法でリソグラフィ装置の投影システム内への汚染の移動を防止または制限することが望ましい場合がある。

[0009] 本発明の一態様によると、複数の反射光学系を含む投影システムを含むリソグラフィ装置が提供される。開口部が反射光学系のうちの１つおよび投影システムの壁を通り抜ける。開口部は、ＥＵＶ放射を実質的に透過させる被覆層によって塞がれる。

[0010] 開口部は、リソグラフィ装置の基板テーブルに対して他の反射光学系より近い反射光学系にあってよい。反射光学系は、投影システムの壁の一部を含んでよい。あるいは、投影システムの壁は、反射光学系から離れていてよい。

[0011] 被覆層は、開口部の外端にまたは開口部の外端に隣接して配置されてよい。

[0012] 投影システムは、被覆層への汚染の移動を抑制するガス流を生成するように構成されたガス出口をさらに含んでよい。

[0013] ガス出口は、ガスが被覆層にわたって移動するようにガス流を生成するように構成されてよい。

[0014] 投影システムの壁は、誘導壁(guiding wall)を含んでよく、誘導壁は、ガスが被覆層をわたって移動した後にガスを受けるように構成された外側に先細りの体積を画定する。

[0015] 被覆層は、開口部の少なくとも途中に配置されてよく、投影システムは、ガスを被覆層の外側の開口部内に導入するように構成されたガス出口をさらに含んでよい。

[0016] 開口部は、投影システムの壁から延在する突出部を含んでよい。

[0017] 投影システムは、突出部をリソグラフィ装置の基板テーブルから離れるように構成されたアクチュエータをさらに含んでよい。

[0018] リソグラフィ装置は、被覆層が開口部から除去された場合に被覆層を受け入れるように構成された被覆層受入装置をさらに含んでよい。

[0019] 被覆層受入装置は、リソグラフィ装置の基板テーブル上に配置されてよい。

[0020] リソグラフィ装置は、被覆層を被覆層受入装置に向かって移動させるように構成されたアクチュエータをさらに含んでよい。

[0021] 本発明の一態様によると、チャンバ内に配置された複数の反射光学系を含む投影システムを含むリソグラフィ装置が提供される。開口部が反射光学系のうちの１つおよび投影システムの壁を通り抜ける。投影システムは、ガス流がチャンバから開口部を通って確立されるようにガスをチャンバ内へと供給するように構成されたガス出口をさらに含む。

[0022] 本発明の一態様によると、パターニングデバイスを用いて放射ビームをパターン形成し、その後投影システムを用いてパターン付き放射ビームを基板上に投影することを含むリソグラフィ方法が提供される。開口部が投影システムの反射光学系および投影システムの壁を通り抜ける。パターン付き放射ビームは、基板に入射する前に開口部を通り抜け、開口部は、ＥＵＶ放射を実質的に透過させる被覆層によって塞がれる。

[0023] 方法は、被覆層受入装置を用いて開口部から被覆層を除去し、被覆層を代替被覆層と取り替えることをさらに含んでよい。

[0024] 本発明の一態様によると、パターニングデバイスを用いて放射ビームをパターン形成し、その後投影システムを用いてパターン付き放射ビームを基板上に投影することを含むリソグラフィ方法が提供される。開口部が投影システムの反射光学系および投影システムの壁を通り抜ける。パターン付き放射ビームは、基板に入射する前に開口部を通り抜け、ガスは、ガス流が投影システムから開口部を通って確立されるように投影システム内へと導入される。

[00025] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[00026] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [00027] 図２は、放電生成プラズマ源コレクタモジュールを含むリソグラフィ装置のより詳細な図である。 [00028] 図３は、リソグラフィ装置の代替の放射源コレクタモジュールの図であり、その代替はレーザ生成プラズマ放射源コレクタモジュールである。 [00029] 図４は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の投影システムの一部を概略的に示し、開口部が反射光学系のうちの１つおよび投影システムの壁を通り抜ける。 [00030] 図５は、図４の投影システムの一部の壁の一実施形態を示す。 [00031] 図６は、本発明の一実施形態による図４の投影システムの一部を示し、開口部が被覆層によって塞がれている。 [00032] 図７は、被覆層を開口部から除去するために使用され得る本発明の一実施形態の断面図を示す。 [00033] 図８は、受入装置が被覆層の近くに被覆層を取り外すために構成された位置に移動される、図７の実施形態を示す。 [00034] 図９は、被覆層を被覆層交換場所に移動するために投影システム壁から離れた、図８の受入装置を示す。 [00035] 図１０は、被覆層を開口部から除去するために使用され得る本発明の一実施形態の断面図を示しており、投影システム壁に接続されたアクチュエータは、被覆層を受入装置に向かってかつ受入装置から離れるように構成されている。 [00036] 図１１は、被覆層を受入装置に向かって移動させるために投影システム壁は下方に移動される、図１０の実施形態を示す。 [00037] 図１２は、被覆層が被覆層交換場所への移動のために受入装置によって保持されている、図１０の実施形態を示す。 [00038] 図１３は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の投影システムの一部を示す。 [00039] 図１４は、ガス出口が被覆層の下に配置されている、図６の実施形態を示す。 [00040] 図１５は、図１４の実施形態を上から見た部分断面図を示す。

[00041] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。

[00042] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。

[00043] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。

[00044] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することができる。

[00045] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[00046] 投影システムは、照明システムのように、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。ガスはＥＵＶ放射を吸収しすぎることがあるので、ＥＵＶ放射に対しては真空を使用することが望ましい場合がある。したがって、真空壁および真空ポンプを用いてビームパスに真空環境を提供することができる。

[00047] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[00048] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[00049] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法としては、材料を、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有する、例えばキセノン、リチウムまたはスズなどの少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に変換することが挙げられるが必ずしもこれに限定されない。そのような一方法では、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多い所望のプラズマを、所要の線発光元素を有する材料の小滴、流れまたはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためである、図１に図示されていないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部分であってもよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、これは、放射源コレクタモジュールに配置された放射コレクタを用いて集光される。例えば、燃料励起のためのレーザビームを提供するためにＣＯ_２レーザが使用される場合、レーザと放射源コレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。

[00050] そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部分を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は、放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。

[00051] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。通常、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（それぞれ値σ-outerおよび値σ-innerを有する）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセット視野および瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。

[00052] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。

[00053] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[00054] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[00055] 図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含む装置１００をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールＳＯは、真空環境が放射源コレクタモジュールＳＯの筐体構造２２０内で維持されるように構成される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ（「ＤＰＰ」）源によって形成されてよい。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気によって生成されてよい。このガスまたは蒸気では、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマ２１０が生成される。非常に高温のプラズマ２１０は、例えば放電によって生成され、これは少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧は、放射の効率的な生成のために必要とされる場合がある。一実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。

[00056] 高温のプラズマ２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ２１１から、放射源チャンバ２１１における開口部内またはその後方に位置決めされた任意選択のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（一部の場合、汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれている）を介してコレクタチャンバ２１２へと進む。汚染物資トラップ２３０は、チャネル構造を含んでもよい。汚染トラップ２３０は、ガスバリア、またはガスバリアとチャネル構造との組み合わせも含んでもよい。本明細書中にさらに述べる汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０は、当該技術分野で公知であるように、少なくともチャネル構造を含む。

[00057] コレクタチャンバ２１１は、いわゆるかすめ入射コレクタであり得る放射コレクタＣＯを含んでもよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１および下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを通り抜けた放射は、格子スペクトルフィルタ２４０から反射して仮想放射源ポイントＩＦで合焦することができる。仮想放射源ポイントＩＦを一般的に中間焦点と呼び、放射源コレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが筐体構造２２０内の開口部２２１にまたはその近くに配置されるように構成される。仮想放射源ポイントＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。

[00058] その後、放射は照明システムＩＬを通り抜け、この照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにて放射ビーム２１の所望の角分布ならびにパターニングデバイスＭＡにて放射強度の所望の均一性を提供するように構成されたファセット視野ミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含んでよい。サポート構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡにて放射ビーム２１が反射すると、パターン付きビーム２６が形成され、このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって反射エレメント２８および３０を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。

[00059] 照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳ内には、通常、図示されたものよりも多くのエレメントが存在し得る。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに依存し、任意的に存在してもよい。さらに、図示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、図２に示す投影システムＰＳ内に存在する反射エレメントより１〜６個多くの反射エレメントが存在してもよい。

[00060] 図２に示すように、集光系ＣＯは、単なるコレクタ（または集光ミラー）の一例として、リフレクタ２５３、２５４および２５５を有する入れ子化されたコレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５は、光軸Ｏの周りで軸対称に配置され、このタイプの集光系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されることが好ましい。

[00061] あるいは、図３に示すように、放射源コレクタモジュールＳＯは、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）放射システムの一部分であってもよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギーを堆積させるように構成され、数十ｅＶの電子温度を有する高イオン化されたプラズマ２１０を生成する。これらのイオンの逆励起および再結合中に生成されるエネルギー放射はプラズマから放出され、近法線入射集光系ＣＯによって集光されて密閉構造２２０内の開口部２２１上で合焦される。

[00062] 図４は、リソグラフィ装置の投影システムＰＳの一部の断面を概略的に示している。第１ミラー２８は、第２ミラー３０の下に配置されている。図に概略的に示すように、第１ミラー２８および第２ミラー３０の両方は凹状であってよい。あるいは、第１ミラー２８および第２ミラー３０は、何らかの他の適切な形態を有してよく、例えば、そのいずれかまたは両方は、平坦、凸状または何らかの他のより複雑な形態を有してよい。ダクトまたは開口部３２は、第２ミラー３０を通り抜ける。このダクトまたは開口部を、以下第２ミラー開口部３２と呼ぶ。パターン付き放射ビーム２６は、リソグラフィ装置の動作中に第２ミラー開口部３２を通り抜ける。第２ミラー開口部３２は図２にも示されている。第２ミラー開口部３２は、図２において図４よりかなり大きく見えるが、これは、単に図の図式的な性質から生じるアーチファクトであり、開口部を図２ないし図４で縮尺通りに示すことを意図していない。第２ミラー開口部３２は、例えば、パターン付き放射ビーム２６を収容するように寸法決めされてよい。第２ミラー開口部３２は、例えば、傾斜側面を有してよく、傾斜側面の角度は、パターン付き放射ビーム２６の縁に実質的に合っている。第２ミラー開口部３２は、放射ビームの形状にほぼ一致する形状（上または下から見た形状）を有してよい。第２ミラー開口部３２は、非円形であってもよい。放射ビームは、例えば、第２ミラー開口部３２で中間焦点を有してよい。第２ミラー開口部３２は、例えば、幅数ミリメートルであってよい。第２ミラー開口部３２は、例えば、最長５０ミリメートルおよび最長８０ミリメートルであってもよい。

[00063] 第１ミラー２８は、パターン付き放射ビーム２６を第２ミラー３０に向かって反射するように構成される。パターン付き放射ビーム２６の伝搬方向は、パターン付き放射ビームの外縁を概略的に示す光線によって示されている。第２ミラー３０は、パターン付き放射ビーム２６が第１ミラー２８および投影システムの壁３６を通り抜けるダクトまたは開口部３４を通って反射するように構成される。第１ミラー２８自体は、（図４に概略的に示すように）投影システムの壁の一部を形成してもよい。あるいは、投影システムの壁は、（図５に概略的に示すように）第１ミラーと別々に設けられてもよい。ダクトまたは開口部３４を、以下、第１ミラー開口部３４と呼ぶ。

[00064] パターン付き放射は、露光スリット（または他の露光領域）に合焦されて基板Ｗに入射し、それによってパターンを基板上に露光させる。第１ミラー開口部３４は、図４で縮尺通りに示されていない（あるいは、図２でも縮尺通りに示されていない）。

[00065] 第１ミラー開口部３４は、非円形であってもよい。第１ミラー開口部３４は、放射ビームの形状にほぼ一致する形状（上または下から見た形状）を有してよい。第１ミラー開口部３４は、例えば、幅数ミリメートル（第１ミラー開口部の最下端部で測定された）であってよい。第１ミラー開口部３４は、例えば、ｘ方向（スキャン方向に対して直角）において長さ７ミリメートルから７０ミリメートルの間であってよく、あるいは、他の長さ（第１ミラー開口部の最下端部で測定された）を有してもよい。第１ミラー開口部３４は、例えば、ｙ方向（スキャン方向）において幅１ミリメートルから５０ミリメートルの間であってよく、あるいは、他の幅（第１ミラー開口部の最下端部で測定された）を有してもよい。第１ミラー開口部３４の寸法は、第１ミラー開口部がパターン付き放射ビーム２６を収容するために外側に傾斜する傾斜壁を有することにより、第１ミラー開口部をさらに増大することができる。

[00066] 図２および図４に概略的に示すように、第１ミラー開口部３４は、第１ミラー２８の反射面を通り抜ける。別の実施形態（図示せず）では、第１ミラー開口部は、第１ミラーの反射面を通り抜けることなく第１ミラー２８の一部を形成するサポート構造を通り抜けてよい。これは、第１ミラー２８に掩蔽（非反射領域）を作り出すことを回避することから有意であり得る。これら両方の代案は、第１ミラー２８を通り抜ける第１ミラー開口部３４の例とみなされてよい。

[00067] 投影システムＰＳの壁３６を図４に概略的に示している。壁は、任意の適切な形態を有してよく、必ずしも図４に示す形状（あるいは図２に示す形状）である必要はない。壁３６はチャンバ３７を画定することができ、このチャンバ３７内では、真空が作られるか、および／またはガスが提供されてもよい（ガスは、例えば、大気圧より低い圧力で提供される）。基板Ｗおよび基板テーブルを取り囲み且つ真空または大気圧より低い圧力のガスが提供され得る体積を画定する、追加の壁（図示せず）を設けてもよい。同様に、パターニングデバイスＭＡおよびサポート構造ＭＴを取り囲み（図２を参照）且つ真空または大気圧より低い圧力のガスが提供され得る体積を画定する、追加の壁（図示せず）を設けてもよい。

[00068] 基板Ｗの上面は、基板上へのパターンの投影中、第１ミラー開口部３４と近接していてよい。基板Ｗから投影システムＰＳ内への汚染の移動を防止または制限することが望ましい場合がある。汚染は、例えば、基板Ｗ上に存在するレジストから生じて第１ミラー２８および第２ミラー３０上に蓄積することがあり、それによって第１および第２ミラーの反射率の低下をもたらす。これは、基板Ｗでのパターン付き放射ビーム２６の強度を減少させ、それによってリソグラフィ装置のスループット（すなわち、一時間毎にパターニングすることができる基板の数）を減少するため、望ましくない。

[00069] 一実施形態では、ガスを投影システムチャンバ３７に供給するように構成されたガス供給源は、投影システムＰＳに接続されてよい。ガス供給源は、例えば、投影システム壁３６に接続されるガス出口３８を含んでよい。矢印は、投影システムチャンバ３７内に入るガスを概略的に示す。ガスは、例えば、水素であってよい。あるいは、ガスは、例えば、ヘリウム、窒素、アルゴンまたは他の適切なガスであってもよい。ガスは、１０〜１００Ｐａの範囲の圧力で投影システムチャンバ３７内に供給されてよい。

[00070] 基板Ｗおよび基板テーブルＷＴを囲う環境は、投影システムチャンバ３７内の圧力より低い圧力、例えば、約２Ｐａの圧力、であってよい。投影システムチャンバ３７内の圧力が投影システムチャンバの外の圧力より高いため、ガスは第１ミラー開口部３４を通って投影システムチャンバから流れ出る。同様に、パターニングデバイスＭＡおよびサポート構造ＭＴを囲う環境は、投影システムチャンバ３７内の圧力より低い圧力、例えば、約２Ｐａの圧力、であってよい。投影システムチャンバ３７内の圧力が投影システムチャンバの外の圧力より高いため、ガスは第２ミラー開口部３２を通って投影システムチャンバから流れ出る。第１ミラー開口部３４は第２ミラー開口部３２より大きく、したがって、第２ミラー開口部を通るより多くのガスが第１ミラー開口部から流れ出る（開口部３２および３４の外の圧力が同等または実質的に同等であることを仮定する）。これは、図４において、第１ミラー開口部３４に向いている大きい方の矢印および第２ミラー開口部３２に向いている小さい方の矢印によって概略的に示されている。第１ミラー開口部３４を通るガス流は、第１ミラー開口部を通る投影システムチャンバ３７内への汚染の移動を防止または制限する。

[00071] 第１ミラー２８および第１ミラー開口部３４を、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴとともに図５により詳細に示している。図５から分かるように、投影システム壁３６は、第１ミラー２８の下に延在するが、これは必ずしもそうとは限らない。例えば、一実施形態では、投影システム壁は、部分的に第１ミラー２８から形成されてよい。投影システム壁３６を第１ミラー２８の下に延在させることは、ガスによって圧力が第１ミラーの片側のみにかからず、それによってそのような圧力が第１ミラーを変形させる可能性を回避するという利点を与える。投影システム壁３６は、同じ理由により第２ミラー３０の上に延在してもよいが（例えば、図４に概略的に示すように）、これは絶対的ではない。

[00072] 第１ミラー開口部３４の効果的なサイズは、投影システム壁３６に接続された円錐壁４０によって減少される。円錐壁４０により、第１ミラー開口部３４は、断面にて実質的に円錐形であり、合焦されたパターン付き放射ビーム２６に合うように構成された傾斜を有する。図５において円錐壁４０は、第１ミラー２８に接続されていない。これは、投影システム壁３６の振動が第１ミラー２８に伝わる可能性を回避するため有意であることができる。これは、さらに、円錐壁４０および投影システム壁３６から第１ミラーへの熱変化の伝達も回避することができる。別の構成では、円錐壁４０は、第１ミラー２８に接続されていてもよい。

[00073] 第１ミラー開口部３４を通るガスの流路は、第１ミラー開口部３４を通って投影システムチャンバ３７内へと入る汚染の移動に対するペクレによって駆動される(Peclet driven)抑制をもたらす。ペクレよって駆動される汚染抑制の有効性は、第１ミラー開口部３４の長さ（ｚ方向で測定）による。より長い開口部が、より効果的な汚染抑制を提供する。この理由のために、円錐壁４０は、例えば、第１ミラー開口部における第１ミラー２８の高さを超えて延在する高さを有する。ペクレによって駆動される汚染抑制の有効性は、第１ミラー開口部３４の断面積（ｘおよびｙ方向で測定）にもよる。この理由のために、第１ミラー開口部３４は、パターン付き放射ビーム２６を収容できる程十分に大きいがこれより大幅に大きくはない形状および断面を有し得る（追加の領域は、有効な目的を与えることなくペクレによって駆動される汚染抑制を低下させる）。

[00074] 突起部は、円錐壁４０の底端部から下方に延在してよい。突起部の一例を図１３に示しており、突起部５６によって概略的示している。突起部は、例えば、図１３に関連して以下にさらに説明されるように基板テーブルから離れるように移動可能であってよい。

[00075] 円錐壁４０は、第１ミラー開口部３４を通り抜けたガスから生じる基板Ｗの局所加熱を減少させるために冷却されてよい。同様に、投影システム壁３６の一部は同じ理由のために冷却されてよい。冷却は、例えば、水性冷却システムなどの能動冷却システムを用いて提供されてよい。

[00076] 投影システムチャンバ３７内のガスは、パターン付き放射ビーム２６の一部を吸収され得る（ＥＵＶ放射はガスによって吸収される）。しかしながら、吸収の量は、リソグラフィ装置の生産的動作を妨げない程に十分に低いことがある。例えば、ＥＵＶ放射の吸収は、約３０％以下、例えば５〜３０％の範囲内であってもよい。投影システムＰＳ内でパターン付き放射ビーム２６が移動する経路長は、放射ＳＯでの生成から続いて放射ビームが移動する全経路長のうちの相対的に小さい部分である（図１および図２を参照）。したがって、ガスが１０〜１００Ｐａの範囲内の圧力で投影システムチャンバ３７内に存在する場合にガスから生じる吸収に適応し、適切なスループットでリソグラフィ装置を依然として動作することができる。リソグラフィ装置の中でガスが１０〜１００Ｐａの範囲内の圧力で提供される場合、ガスから生じる吸収に適応し、適切なスループットでリソグラフィ装置を依然として動作することができない場合がある。ガスは主に基板Ｗから生じる汚染の抑制を提供することを意図しているため、例えば照明システムＩＬ内に１０〜１００Ｐａの範囲内の圧力のガスを提供することなく投影システムチャンバ内にその圧力のガスを提供することが十分であり得る（投影システムＰＳは基板に最も近く、それによって基板から生じる汚染による影響を最も受けやすい）。

[00077] 図６は、本発明の別の実施形態を概略的に示す。この実施形態では、第１ミラー開口部３４は、被覆層５０によって塞がれている。被覆層５０は、ＥＵＶ放射を実質的に透過させるが、一部のＥＵＶ放射を吸収し得る（例えば、入射するＥＵＶ放射の３０％を吸収する）。被覆層５０は、パターン付き放射ビーム２６が第１ミラー開口部３４を通り抜けて基板ＷＴに保持されている基板Ｗに入射することを可能にする。「実質的に透過」という用語は、被覆層５０がそこに入射するＥＵＶ放射のうち５０％より多くを透過させるという意味として解釈されてよい。

[00078] 被覆層５０は、第１ミラー開口部３４を塞ぎ、それによって、基板Ｗから第１ミラー開口部を通る投影システムＰＳ内への汚染の移動を防止する。

[00079] 図４および図５に示すガス流の中の汚染抑制を用いることと比較して、被覆層５０を用いることの潜在的利点は、ガスがかなり少ないＥＵＶ放射を吸収するように投影システムチャンバがかなり低い圧力のガスを含むことができることである。上記したように、潜在的不利点は、被覆層５０が一部のＥＵＶ放射を吸収し得ることである。さらなる潜在的不利点は、被覆層５０が基板Ｗから生じる汚染物質によって汚染され得ることである。

[00080] 被覆層５０は、投影システムの壁３６に取り付けされ、および／または円錐壁４０に接続されてよい（あるいは、他の何らかの適切な構造によって取り付けられてもよい）。図６に示す実施形態では、被覆層５０は第１ミラー開口部３４の外端にあるが、被覆層は第１ミラー開口部の外端に隣接しているかまたは第１ミラー開口部の途中に配置されてもよい。図６に示す実施形態では、被覆層５０は、投影システム壁３６の下に配置され、それによって投影システム壁より基板Ｗに近い。

[00081] 被覆層は、例えば、シート状のバリア材料（または複数の材料）であってよい。被覆層５０は、シリコン、グラフェン、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒまたはその酸化物、あるいは他の何らかの適切な材料から成ってよい。材料は、ＥＵＶ放射に対して相対的に高い透過率を有してよく、さらに相対的に高い強度および熱伝導性を有してよい。被覆層は、単一の材料または複数の材料から成ってもよい。複数の材料は、複数の層として提供されるかまたは一緒に混合されてもよい。被覆層は、フレームなどのサポート構造（図示せず）によって支持されてもよい。

[00082] リソグラフィ装置の動作中に被覆層５０に入射する汚染物質は、汚染と被覆層を通り抜けるＥＵＶ放射との相互作用によって被覆層に付着し得る。被覆層５０上の汚染の蓄積は徐々に、被覆層の透過率を低下し得る（すなわち、より多くのＥＵＶ放射が被覆層に吸収され得る）。これは、基板に入射するＥＵＶ放射の強度の低下およびそれに対応するリソグラフィ装置のスループットの減少へと繋がり得る。この理由のために、被覆層５０を定期的に洗浄して汚染を除去（または少なくとも汚染の一部を除去）することが有意であることができる。

[00083] 被覆層５０は、リソグラフィ装置の動作中に、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴが配置される環境内に水素ラジカルを定期的に導入することによって洗浄することができる。水素ラジカルの導入は、例えば、基板が基板テーブルＷＴ上に存在しないときに行われてよい。環境内に導入される水素ラジカルは、被覆層５０から汚染を除去することができる。その後、水素ラジカルを汚染とともに環境から除去することができる。

[00084] 一実施形態では、被覆層５０は、第１ミラー開口部を塞がないように第１ミラー開口部３４から除去されてよく、さらに洗浄箇所に移動され、および／または代替被覆層と交換されてもよい。代替被覆層は、例えば、洗浄された被覆層または新しい被覆層であってもよい。

[00085] 図７〜図９は、第１ミラー開口部３４から被覆層５０を除去するために使用することができる本発明の一実施形態の断面図を概略的に示す。円錐壁４０、投影システム壁３６、第１ミラー２８および基板テーブルＷＴは全て図７に示されている。基板テーブルＷＴは、被覆層レシーバと呼ぶこともできる被服層受入装置１０２を含む。受入装置１０２は、基板テーブルＷＴから上方に延在し、且つ壁１０６に囲われた凹部１０４を含む。凹部１０４は、被覆層５０を受け入れるように寸法決めされ、例えば、被覆層５０と実質的に同じ形状を有してよい。受入装置１０２は、リソグラフィ装置の動作中に基板を受け入れない基板テーブルＷＴ上の箇所に設けられてよい。例えば、受入装置１０２は、基板テーブルＷＴの角に配置されるか、または角に隣接して配置されてよい。

[00086] リソグラフィ装置の通常動作中、受入装置１０２は、露光されている基板から離れるように配置され、且つリソグラフィ装置の動作を妨げない。第１ミラー開口部３４から被覆層５０除去することが望ましい場合、基板テーブルＷＴは、（図７に示すように）受入装置１０２が被覆層５０の下に配置されるように移動される。

[00087] 図８に示すように、基板テーブルＷＴは、次いで、受入装置１０２が被覆層５０により近づくが被覆層と接触しないように上方に移動される。被覆層５０は、その後、投影システム壁３６から取り外されて凹部１０４内へと落ちる。凹部１０４では、被覆層は、受入装置１０２に固定されてよい。

[00088] 図９を参照すると、基板テーブルＷＴは、次いで、下方および投影システム壁３６から離れるように移動されて被覆層５０と投影システム壁との間に所望の隙間を提供する。これに続いて、基板テーブルＷＴは、図９の矢印によって示されるｙ方向に移動される。被覆層５０は、例えば、被覆層を代替被覆層と交換することができる被覆層交換場所に移動されてよい。代替被覆層は、新しい被覆層であってもよく、あるいは、以前に使用されて汚染を除去するために洗浄された被覆層であってもよい。

[00089] 代替被覆層は、基板テーブルＷＴを用いて第１ミラー開口部３４の下に移動することができる。上記したプロセスと効果的に反対であるプロセスは、被覆層５０を第１ミラー開口部３４に取り付けるために使用されてよい。プロセスは、例えば、被覆層５０が投影システム壁３６（または他の被覆層受入構造）の底面と接触するまで基板テーブルＷＴを移動させることを含む。固定メカニズムは、次いで、基板テーブルＷＴを下方および被覆層から離れるように移動することができた後に、被覆層５０を投影システム壁３６に固定させるために使用されてよい。

[00090] 被覆層５０を投影システム壁３６（または他の構造）に固定するために使用されるメカニズムは、例えば、静電クランピング、電磁クランピング、磁気クランピングまたはあらゆる他の適切なメカニズムであってよい。同様に、被覆層５０は、静電クランピング、電磁クランピング、磁気クランピングまたはあらゆる他の適切なメカニズムを用いて受入装置１０２に固定されてよい。あるいは、被覆層５０は、受入装置１０２内において固定されなくてもよく、この場合被覆層は、単に、受入装置の凹部１０４および壁１０６によって保持される。一実施形態では、代替被覆層５０を投影システム壁３６に固定した場合、被覆層を投影システム壁に接触させるために基板テーブルＷＴを用いる代わりに、基板テーブルＷＴを用いて被覆層を投影システム壁に近づけるが投影システム壁と接触させないこともできる。投影システム壁３６（または他の構造）は、次いで、静電気引力（または他の引力）を用いて被覆層５０を引き寄せ、それによって、被覆層を受入装置１０２から持ち上げて投影システム壁に引き寄せる。ここで、被覆層は所定の位置に保持される。

[00091] 上記の方法は、基板を基板テーブルＷＴ上に有さずに行われてもよい。あるいは、方法は、基板を基板テーブルＷＴ上に有して行われてもよい。基板テーブルＷＴ上に基板を有してこの方法を行うことは、リソグラフィ装置のスループットの大幅な減少を招かずに方法を行うことを可能とする。基板は、リソグラフィ装置を用いて露光されてよく、その後、被覆層５０は、投影システム壁３６から受入装置１０２へと移動されてよい。（デュアルステージリソグラフィ装置では通常であるように）基板テーブルＷＴは、露光される基板が設けられる代替基板テーブルと交換されてよい。代替基板テーブルには、受入装置内に保持された代替被覆層が設けられる。代替被覆層は投影システム壁３６に取り付けられてよく、その後に、基板の露光が行われてよい。その一方で、投影システム壁３６から取り外された被覆層５０は、（例えば、洗浄または取替えを可能とするために）基板テーブルＷＴから取り外されてよい。

[00092] 本発明の代替の実施形態を図１０に概略的に示す。図７〜図９に示す実施形態と同様に、基板テーブルＷＴには、被覆層受入装置１０２ａが設けられる。図７〜図９に示す受入装置１０２とは異なり、図１０に示す受入装置１０２ａは基板テーブルＷＴの表面から隆起しているのではなく、単に、被覆層５０の形状に対応する形状を有する凹部を画定する壁１０６ａを含む。被覆層が受入装置に移動されるときに基板テーブルＷＴと投影システム壁３６との間の間隙を増大させたい場合、受入装置１０２ａを基板テーブルＷＴの表面から隆起させてもよい。受入装置１０２ａを隆起させる度合いは、所望される間隙のサイズに依存してよい。

[00093] 図１０に示す実施形態では、アクチュエータ１０８は、投影システム壁３６に接続されて投影システム壁を上下に移動するために使用することができ、それによって投影システム壁および被覆層５０を受入装置１０２ａに向かっておよび受入装置１０２ａから離れるように移動する。投影システム壁３６は、互いに移動可能である一連の壁部を含む伸張可能部分３６ａを含み、それによってその間に規定される角度は変更してもよい。投影システム壁３６の伸張可能部分３６ａは、アコーディオンの壁と同様の方法で作用し、投影システム壁が上下に移動する一方、投影システム壁の内部と外部との間の隔離を維持する。

[00094] 使用中、被覆層５０を取り替えることが望ましい場合、受入装置１０２ａが被覆層５０の下に配置されるまで基板テーブルＷＴは移動される。その後、図１１に概略的に示すように、アクチュエータ１０８を用いて投影システム壁３６を下方に移動する。投影システム壁３６の下降運動は、被覆層５０を受入装置１０２ａに向かって移動する。被覆層５０は、受入装置１０２ａと接触してもよく、または被覆層５０が受入装置１０２ａの上にあるが接触はしないように配置されてもよい。例えば、被覆層５０を投影システム壁３６から自由に引き離すことができるように静電クランプ力または他の固定メカニズムのスイッチを切ることによって、被覆層５０をその後投影システム壁３６から取り外すことができる。被覆層５０は、次いで、投影システム壁３６から受入装置１０２ａ内に落ちる。

[00095] 被覆層５０が一度投影システム壁３６から受入装置１０２ａに移動された後、被覆層は、例えば、静電気引力または何らかの他の固定メカニズムを用いて受入装置に固定されてよい。図１２に示すように、アクチュエータ１０８を用いて投影システム壁３６を基板テーブルＷＴから離れるように移動させる。これは、被覆層５０と投影システム壁３６との間に間隙を提供し、被覆層が被覆層交換場所または他の場所に移動されるように基板ＷＴを移動させる。

[00096] 被覆層５０は、代替被覆層と交換されてもよく、この代替被覆層は新しい被覆層または以前に使用されて洗浄された被覆層であり得る。代替被覆層は、図１０〜図１２に関連して上記されたステップを逆に行うことによって第１ミラー開口部３４に戻すことができる。投影システム壁３６が被覆層５０に接触するほど受入装置１０２ａに十分に近づかない一実施形態では、静電気引力または他の何らかの力を用いて被覆層を投影システム壁と接触させる。

[00097] 図１０〜図１２に関連して上記された方法は、基板テーブルＷＴ上に基板を有してまたは有さずに行われてよい。

[00098] 一実施形態では、被覆層５０を新しいまたはクリーンな被覆層と取り替える代わりに、被覆層が受入装置１０２および１０２ａ上の原位置にある間に被覆層を洗浄してもよい。例えば、受入装置１０２および１０２ａは、洗浄ガス（例えば、水素ラジカル）または洗浄液を供給するように構成された１つ以上の出口を含んでよく、それによってその洗浄ガスまたは洗浄液が被覆層５０の最下面と接触する。受入装置１０２および１０２ａは、さらに、洗浄ガスまたは液を除去しかつ被覆層の下に真空を作るための１つ以上の入口および（１つ以上の）ポンプを含んでよい。したがって、受入装置１０２および１０２ａを用いて被覆層５０を受け入れ、被覆層を洗浄し、その後被覆層を第１ミラー開口部３４に戻す。

[00099] 本発明の別の実施形態を図１３に概略的に示す。前の図に示す実施形態と同様に、第１ミラー開口部３４は被覆層によって塞がれているが、この場合、被覆層５２は、円錐壁４０の内側端に配置またはそこに隣接して配置される（被覆層は、第１ミラー開口部３４の少なくとも途中に配置されてよい）。円錐壁４０は、被覆層５２の外側にある（この実施形態では、被服層の下）第１ミラー開口部３４の一部にガスを供給するように構成されたガス出口５４が設けられている。ガス出口５４は、ガスをガス出口に供給するように構成された１つ以上の導管（図示せず）に接続される。（１つ以上の）導管は、投影システム壁３６内または投影システム壁の上に配置されてもよく、あるいは他の場所に設けられてもよい。ガス出口５４から供給されるガスは水素であってよい。あるいは、ガスは、ヘリウム、アルゴン、窒素、酸素または他の適切なガスであってもよい。

[000100] ガスは、ガス出口５４から、被覆層５２の下にある第１ミラー開口部３４の一部内に流れ、基板Ｗに向かって開口部３４から流れ出る。その後、ガスは、第１ミラー開口部３４から離れるように流れ、このガスは基板Ｗと投影システム壁３６との間に流れる。第１ミラー開口部３４から出るガスの流れは、ペクレによって駆動される汚染抑制を提供し、それによって被覆層５２上の汚染の蓄積を減少させる。これは、被覆層５２の透過率の低下を防ぐかまたは減速させ、それによって被覆層５２の有用な寿命を延長する。第１ミラー開口部３４は、パターン付き放射ビーム２６を収容するのに十分に大きいがこれより大幅に大きくはない形状および断面を有してよい。

[000101] ペクレによって駆動される汚染抑制の有効性は、汚染抑制ガス流が生じる第１ミラー開口部３４の面積および高さによる。この理由のために、さらに上記したように、第１ミラー開口部３４の形状は、パターン付き放射ビーム２６の形状に実質的に対応し得る。加えて、投影システム壁３６は、基板テーブルＷＴに向かって延在する突出部５６を含んでよい。投影システム壁３６の突出部５６は、ペクレによって駆動される汚染抑制が生じる第１ミラー開口部３４の面積および高さによる。この理由のために、さらに上述したように、第１ミラー開口部３４の形状は、パターン付き放射ビーム２６の形状に実質的に対応する。さらに、投影システム壁３６は、基板テーブルＷＴに向かって延在する突出部５６を含んでよい。投影システム壁３６の突出部５６は、ペクレによって駆動される汚染抑制が生じる第１ミラー開口部３４の高さを増大させ、それによって被覆層５２での汚染の蓄積を減少させる。突出部５６は第１ミラー開口部３４の最も狭い直径を有する部分に設けられるため、ペクレによって駆動される汚染抑制は最も効果的である（例えば、第１ミラー開口部３４のより広い部分に余分の高さを提供することに比べて）。図７に示す突出部５６は、基板テーブルＷＴに直接向かって下方に延在する。別の構成（図示せず）では、突出部５６は、傾斜内面を有してもよく、例えば、パターン付き放射ビーム２６の外端に従うかまたは実質的に従う傾斜を有する。これは、ガス出口５４を通って供給されるガスによって提供されるペクレによって駆動される汚染抑制のさらなる改善点を提供することができる。

[000102] 突出部５６は投影システム壁３６と比べて基板Ｗにより近くに延在するため、ガスが流れる突出部５６と基板Ｗとの間の間隙は、ガス流を主として制限するものである。したがって、ガス流によってもたらされる基板Ｗのあらゆる加熱または冷却、および基板の結果として生じるあらゆる変形は、突出部５６の下の領域に制限することができる。これは、基板Ｗと投影システム壁３６との間の間隙が突出部５６と基板Ｗとの間の間隙よりかなり大きいからであり、結果的に、突出部を通り過ぎたガス流の速度は比較的低いことが可能である。これは、ガスから得られる基板の加熱または冷却が生じる領域を制限するため有利であることができる。

[000103] 一実施形態では、突出部５６はアクチュエータ（図示せず）に接続されており、これは、突出部５６を基板Ｗから離れるように移動させて突出部と基板との間の衝突を回避するように構成される。これは、例えば、基板Ｗが突出部５６に近づきすぎた場合（例えば、基板および／または基板テーブルＷＴの非平坦性により）に行われる。突出部５６は、例えば、少なくとも部分的に円錐壁４０内へとアクチュエータによって引っ込められる。あるいは、アクチュエータは、円錐壁４０を突出部５６と一緒に移動させてもよい（円錐壁および突出部は、例えば、互いに固く接続されている）。この場合、円錐壁４０を、投影システム壁３６および第１ミラー２８に対して移動することができる。別の実施形態では、第１ミラー２８も、基板Ｗから離れるように移動されてよい（例えば、円錐壁４０および／またはリソグラフィ装置の他の部分の動きと連動して）。基板Ｗから離れる突出部５６の動き（任意的に、リソグラフィ装置の他の部分と組み合わせて）は、突出部と基板との間の衝突を回避することに役立つことができ、それによって突出部またはウェーハに与えるダメージ、あるいはリソグラフィ装置の他の部分に与えるダメージを回避する。

[000104] ガス出口５４から供給されるガスは、基板Ｗの上のガス流路から生じる熱効果（または他のメカニズムから生じる熱効果）を補償または低下させるために加熱または冷却されてよい。円錐壁４０は、ガスから生じる熱効果（または他のメカニズムから生じる熱効果）を回避または減少させるために加熱または冷却されてよい。

[000105] 被覆層５２の下のガス流は被覆層上の汚染の蓄積を抑制することができるが、それにもかかわらず一部の汚染はそこに蓄積することがある。この場合、被覆層５２の定期的な洗浄は、例えば、水素ラジカル洗浄または他の洗浄方法を用いて行われてよい。被覆層の洗浄は、例えば、リソグラフィ装置が動作していないときに行われてよい。

[000106] 一実施形態では、第１ミラー開口部３４に被覆層を提供する代わりに第２ミラー開口部３２に被覆層を設けてもよい（図４を参照）。これは、例えば、（図４に示すように）投影システムチャンバ３７内へのガスの供給と組み合わされてよい。この場合、投影システムチャンバ３７内に入る汚染の抑制は、第１ミラー開口部３４から出るガスの流れによって提供され、汚染は、第２ミラー開口部３２を塞ぐ被覆層によってその開口部から出ることが防止される。第２ミラー開口部３２を塞ぐ被覆層上の汚染の蓄積は、図１３に関連して上述したものと類似している方法で被覆層の下にガスを供給することによって防止または減少することができる。第２ミラー開口部３２は第１ミラー開口部３４より小さいため、被覆層上の汚染蓄積の抑制は、（第１ミラー開口部３４で同等の量のガスを用いて得られた汚染抑制と比べて）第２ミラー開口部３２の方が大きい場合がある。

[000107] 図１４および図１５は、本発明のさらなる別の実施形態を概略的に示し、図１４は断面から見た実施形態を示し、図１５は部分断面で上から見た実施形態を示す。まず図１４を参照すると、第１ミラー開口部３４は被覆層６０によって塞がれている。被覆層６０は、他の実施形態に関連して上述された同じ方法で、汚染が投影システムチャンバ３７に入ることを防止する。ガス出口６２は被覆層６０の下に配置されており、ガス出口は、被覆層６０上の汚染の蓄積を抑制するガスを供給するように構成されている。図１３示す実施形態とは異なり、図１４の実施形態は、被覆層６０の両側からガスを供給せず、ガスを被覆層の片側からのみ供給する。ガス出口６２は、矢印によって概略的に示すように、ガスを被覆層６０に渡って誘導するように構成される。

[000108] 図１５には、ガス出口６２を上からみた部分断面図を示している。図１５から分かるように、ガス出口６２は、チャンバ６６に接続された導管６４（例えば、パイプ）を含み、ガスは導管を通ってチャンバへと供給される。図１４および図１５をともに参照すると、チャンバ６６にはガスが流れる出口６８が設けられており、ガスは出口６８から被覆層６０の下の領域に流れる。出口６８は、例えば、被覆層６０の端に隣接して伸びるか、被覆層の端に沿って延びるか、または被覆層の端と重なっていてもよい。出口６８は、被覆層６０の最下面にわたるガス流を確立するように構成され、それによって、汚染が被覆層と接触することを防ぐか、または汚染が被覆層と接触する可能性を低下させる。

[000109] 出口６８は、例えば、スロット、複数の孔（例えば、点線によって概略的に示される１つ以上の列で配置される）、メッシュまたは他の構成を含んでよい。

[000110] ガスが被覆層６０の下に流れる（例えば、ガスが被覆層から離れるように流れる代わりに）ように促進させるために、ガスが流れ得る空間が被覆層の反対側に設けられる。図１４から分かるように、空間は、例えば、出口６８から移動するガスが遮断されずに円錐壁４０の反対側の下を通ることを可能にする。被覆層６０の下のガス流をさらに促進させるために、誘導壁は、図１５に概略的に示すように、投影システム壁３６から下方に投影してよい。図１５では、誘導壁７０は、ガスが中に流れ得る、外側に先細りの体積を画定する。それと同時に、誘導壁７０は、ガスが他の方向に流れることを阻止する制限を提供する。

[000111] 誘導壁７０は、投影システム壁３６の比較的厚い部分の端を含んでよい。この投影システム壁３６の比較的厚い部分は、ガスをチャンバ６６に供給する導管６４を収容するのに十分に厚くてよい。

[000112] 図１５では、誘導壁７０は、約４５度の角度で外側に先細りするが、誘導壁７０は、任意の適切な角度で外側に先細りしてもよい。被覆層６０の下のガス流によって提供される圧力は、誘導壁７０の角度が小さいときに最も大きい。なぜなら、誘導壁によって確立される体積の流れ抵抗はより大きいからである。より大きい圧力は、被覆層６０への汚染の移動を防止または制限するのにより効果的であるため、望ましいことがある。しかしながら、圧力が基板Ｗに加える力（そのような力は基板のひずみへと繋がり得る）の程度の減少させるために圧力を低下させる（誘導壁により大きな角度を提供することによって）ことが望ましいことがある。誘導壁７０の先細り角度の選択は、このトレードオフを考慮に入れることによって行われてよい。

[000113] 本発明の上記の任意の実施形態では、リソグラフィ装置の一部が実施形態によって使用されるガスが流れることによって加熱されやすい場合、冷却装置を用いてその一部を冷却することができる。リソグラフィ装置の一部が、例えば、アクチュエータまたは被覆層を固定させるために用いられる固定メカニズムによって加熱されてやすい場合、冷却装置を用いてリソグラフィ装置の一部を冷却することができる。

[000114] 図示したいくつかの実施形態では、円錐壁は、第１ミラーに機械的に接続されていない状態で示されているが、円錐壁は第１ミラーに機械的に接続されていてよい。

[000115] 図示したいくつかの実施形態では、円錐壁は、第１ミラーに機械的に接続された状態で示されているが、円錐壁は第１ミラーに機械的に接続されていなくてもよい。

[000116] リソグラフィ装置の一部が実施形態によって使用されるガスが流れることによって加熱（または冷却）されやすい場合、冷却（または加熱）装置を用いてリソグラフィ装置の一部を加熱してよい。加熱または冷却装置は、能動的または受動的であってよい。

[000117] 被覆層は、水素ラジカルまたは他の適切なガスを用いて原位置で洗浄されてよい。

[000118] 一実施形態では、被覆層は、投影システムの光軸に対するある角度に配置されてよい。これが行われるところでは、例えば、被覆層上の汚染粒子から放射される熱は、基板上のパターンの露光が行われる場所から離れるように誘導されてよく、それによって熱が基板上の露光箇所の歪みをもたらす程度を減少させる。

[000119] 第１ミラー開口部３４および第２ミラー開口部３２は特定の形状を有するように記載されているが、第１ミラー開口部および第２ミラー開口部は、任意の適切な形状を有してもよい。

[000120] 上記の説明で使用される「ミラー」という用語は、反射光学系の例であるとみなされてよい。反射光学系の他の例は、互いに隣接して配置された複数のミラーを含んでもよい。

[000121] 被覆層５０、５２および６０は、シリコン、ラフィーヌ(rapheme)、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒまたその酸化物あるいは他の適切な材料から形成されてもよい。材料は、ＥＵＶ放射に対して比較的高い透過率を有してよく、また、比較的高い強さおよび熱伝導性を有してもよい。被覆層は、材料の組み合わせから形成されてよい。

[000122] カルテシアン座標を用いて本発明の実施形態の説明を容易にすることができる。カルテシアン座標は、単に本発明の実施形態の理解を高めることを意図し、リソグラフィ装置またはリソグラフィ装置の構成要素が特定の向きを有する必要があることを意図していない。

[000123] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[000124] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。

[000125] 「ＥＵＶ放射」という用語は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内、あるいは、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといったように５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含しているとみなしてよい。

[000126] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims

リソグラフィ装置であって、
パターン付き放射ビームを基板上に投影する投影システムを含み、前記投影システムは、
複数の反射光学系であって、開口部が前記反射光学系のうちの１つおよび前記投影システムの壁を通り抜ける、複数の反射光学系と、
前記開口部を塞ぐ被覆層であって、前記被覆層はＥＵＶ放射を実質的に透過させる、被覆層とを含む、リソグラフィ装置。
前記被覆層は、前記開口部の外端にまたは前記開口部の内部に配置される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
前記投影システムは、前記被覆層への汚染の移動を抑制するガス流を生成するガス出口をさらに含む、請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
前記ガス出口は、前記ガスが前記被覆層にわたって移動するように前記ガス流を生成するように構成されている、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
前記投影システムの壁は、誘導壁を含んでおり、前記誘導壁は、前記ガスが前記被覆層をわたって移動した後に前記ガスを受ける外側に先細りの体積を画定する、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
前記被覆層は、前記開口部の内部に配置されており、前記投影システムは、ガスを前記被覆層の外側の前記開口部内に導入するガス出口をさらに含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
前記開口部は、前記投影システムの壁から延在する突出部を含む、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
前記投影システムは、前記突出部を前記リソグラフィ装置の基板テーブルから離れるように移動させるアクチュエータをさらに含む、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
前記被覆層が前記開口部から除去された場合に前記被覆層を受け入れる被覆層受入装置をさらに含む、請求項１〜８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
前記被覆層受入装置は、前記リソグラフィ装置の基板テーブル上に配置されている、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
前記被覆層を前記被覆層受入装置に向かって移動させるアクチュエータをさらに含む、請求項９または１０に記載のリソグラフィ装置。
リソグラフィ方法であって、
パターニングデバイスを用いて放射ビームをパターン形成することと、
投影システムを用いてパターン付き放射ビームを基板上に投影することとを含み、開口部が前記投影システムの反射光学系および前記投影システムの壁を通り抜け、前記パターン付き放射ビームは、前記基板に入射する前に前記開口部を通り抜け、前記開口部は、ＥＵＶ放射を実質的に透過させる被覆層によって塞がれる、リソグラフィ方法。
被覆層受入装置を用いて前記開口部から前記被覆層を除去することと、前記被覆層受入装置を用いて前記被覆層を代替被覆層と取り替えることとをさらに含む、請求項１２に記載のリソグラフィ方法。