JP6111398B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する表示装置、およびこれを備えた電子機器に関する。

アクティブ駆動方式の液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置では、薄膜トランジスタを駆動素子として用いると共に、映像を書き込むための信号電圧に対応する電荷を保持容量に保持させている。しかし、薄膜トランジスタのゲート電極とソース電極またはドレイン電極との交差領域に生じる寄生容量が大きくなると、信号電圧が変動してしまい、画質の劣化を引き起こす場合がある。

特に有機ＥＬ表示装置では、寄生容量が大きい場合には保持容量も大きくする必要があり、画素のレイアウトにおいて配線等の占める割合が大きくなる。その結果、配線間のショート等の確率が増加し、製造歩留まりが低下してしまう。

そこで、従来では、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）等の酸化物半導体をチャネルに用いた薄膜トランジスタについて、ゲート電極とソース電極またはドレイン電極との交差領域に形成される寄生容量を低減する試みがなされている。

例えば特許文献１および非特許文献１では、酸化物半導体薄膜層のチャネル領域上に、ゲート電極およびゲート絶縁膜を同一形状に形成したのち、酸化物半導体薄膜層のゲート電極およびゲート絶縁膜に覆われていない領域を低抵抗化してソース・ドレイン領域を形成するセルフアライン（自己整合）トップゲート薄膜トランジスタが記載されている。また、非特許文献２には、ゲート電極をマスクとした裏面露光により酸化物半導体膜にソース領域およびドレイン領域を形成するセルフアライン構造のボトムゲート薄膜トランジスタが記載されている。

特開２００７−２２０８１７号公報

J.Park、外１１名，"Self-aligned top-gate amorphous gallium indium zinc oxide thin film transistors "，Applied Physics Letters ，American Institute of Physics ，２００８年，第９３巻，０５３５０１ R. Hayashi、外６名，"Improved Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs"，ＳＩＤ ０８ ＤＩＧＥＳＴ，２００８年，４２．１，ｐ．６２１−６２４

上記のような酸化物半導体を利用したトランジスタと共に基板上に設けられる保持容量素子において、所望の容量を保持して画質劣化を抑制することが望まれている。

本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。

本開示による表示装置は、基板に、酸化物半導体膜を共有するトランジスタおよび保持容量素子と、トランジスタにより駆動される表示素子と、高抵抗膜と、層間絶縁膜とを備え、酸化物半導体膜は、トランジスタのチャネル領域を有すると共に、チャネル領域以外の領域の表面から厚み方向の少なくとも一部に、チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域を有し、高抵抗膜は、酸化物半導体膜の低抵抗領域側の表面に設けられると共に、金属酸化膜により構成され、層間絶縁膜は、低抵抗領域の側から、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜のうちの１種よりなる無機絶縁膜と、有機絶縁膜とを順に含む多層構造を有し、保持容量素子は、高抵抗膜およびその上方に形成された無機絶縁膜の積層構造を間にして、低抵抗領域を一方の電極、無機絶縁膜と有機絶縁膜との間に設けられた導電膜を他方の電極として有し、導電膜は、トランジスタから分離された選択的な領域に配置され、有機絶縁膜によって覆われているものである。

本開示の表示装置では、酸化物半導体膜のチャネル領域以外の領域の表面から厚み方向の少なくとも一部に、チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域が設けられている。酸化物半導体膜の低抵抗領域側の表面に、金属酸化膜よりなる高抵抗膜が設けられている。層間絶縁膜は、低抵抗領域の側から、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜のうちの１種よりなる無機絶縁膜と、有機絶縁膜とを順に含む多層構造を有している。保持容量素子は、高抵抗膜および無機絶縁膜を間にして、低抵抗領域を一方の電極、無機絶縁膜と有機絶縁膜との間に設けられた導電膜を他方の電極として有している。これにより、保持容量素子において印加電圧に依存する容量変動が抑制され、所望の容量が保持される。

本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。

本開示の電子機器では、上記本開示の表示装置により表示動作がなされる。

本開示の表示装置、または本開示の電子機器によれば、酸化物半導体膜のチャネル領域以外の表面から厚み方向の少なくとも一部に、チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域を設けている。酸化物半導体膜の低抵抗領域側の表面に、金属酸化膜よりなる高抵抗膜を設け、層間絶縁膜を、低抵抗領域の側から、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜のうちの１種よりなる無機絶縁膜と、有機絶縁膜とを順に含む多層構造とし、保持容量素子を、高抵抗膜および無機絶縁膜を間にして、低抵抗領域を一方の電極、無機絶縁膜と有機絶縁膜との間に設けられた導電膜を他方の電極として構成している。これにより、保持容量素子において、印加電圧に依存する容量変動を抑制し、所望の容量を保持することが可能となり、画質劣化を抑制することが可能となる。

本開示の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した保持容量素子を拡大して表す断面図である。 図１に示した有機ＥＬ表示装置の周辺回路を含む全体構成を表す図である。 図３に示した画素の回路構成を表す図である。 図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図５に続く工程を表す断面図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 図７に続く工程を表す断面図である。 従来の保持容量素子の構成を表す断面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例１に係る液晶表示装置の構成を表す断面図である。 変形例２に係る電子ペーパーの構成を表す断面図である。 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例４の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例５の外観を表す斜視図である。 適用例６の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例６の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。

１．第１の実施の形態（無機絶縁膜を間にして、酸化物半導体膜の低抵抗領域を一方の電極、無機絶縁膜と有機絶縁膜との間に設けられた導電膜を他方の電極として有する保持容量素子を備えた有機ＥＬ表示装置の例）
２．第２の実施の形態（保持容量素子の導電膜を透明導電材料により構成した例）
３．変形例１（液晶表示装置の例）
４．変形例２（電子ペーパー表示装置の例）
５．適用例（モジュール，電子機器の例）

（第１の実施の形態）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ａ）の断面構造を表したものである。有機ＥＬ表示装置１Ａは、例えばアクティブマトリクス駆動方式によって駆動される複数の画素（有機ＥＬ素子１０Ａ）を有している。ただし、図１には、一画素（サブピクセル）に対応する領域のみを示している。この有機ＥＬ表示装置１Ａでは、駆動側基板１０上に、例えば酸化物半導体膜１１を共有するトランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃが配設されており、これらの上層に有機ＥＬ素子１０Ａが設けられている。この有機ＥＬ表示装置１Ａの発光方式は、いわゆるトップエミッション方式（上面発光方式）であってもよいし、ボトムエミッション方式（下面発光方式）であってもよい。以下、有機ＥＬ素子１０Ａ，トランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃの具体的な構成について説明する。

（有機ＥＬ素子１０Ａ）
有機ＥＬ素子１０Ａでは、第１電極２１上に、画素毎に開口を有する画素分離膜２２が設けられており、この画素分離膜２２の開口部分に、有機層２３が形成されている。この有機層２３上に、第２電極２４が設けられている。有機ＥＬ素子１０Ａは、例えば保護層２５によって封止されている。保護層２５上には、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂などの接着層２６を間にして、封止用基板２７が貼り合わせられている。

第１電極２１は、例えばアノードとして機能するものであり、画素毎に設けられている。第１電極２１は、ボトムエミッション方式の場合には、透明導電膜、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），インジウム亜鉛オキシド（ＩｎＺｎＯ）等のうちのいずれかよりなる単層膜またはそれらのうちの２種以上からなる積層膜により構成されている。この第１電極２１は、トップエミッション方式の場合には、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）のうちの少なくとも１種からなる単体金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金よりなる単層膜、あるいはそれらのうちの２種以上を積層した多層膜からなる。

画素分離膜２２は、各画素の発光領域を区画分離するためのものであり、例えばポリイミド，アクリル樹脂またはノボラック系樹脂などの感光性樹脂により構成されている。

有機層２３は、有機電界発光層（有機ＥＬ層）を含むものであり、駆動電流の印加によって発光を生じるものである。有機層２３は、駆動側基板１０の側から順に、例えば正孔注入層，正孔輸送層，有機ＥＬ層および電子輸送層（いずれも図示せず）等を積層したものである。有機ＥＬ層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。この有機ＥＬ層の構成材料は、一般的な低分子または高分子有機材料であればよく、特に限定されない。また、例えば赤、緑、青の各色の発光層が画素毎に塗り分けられていてもよいし、白色発光層（例えば赤、緑、青の各色発光層を積層したもの）が基板全面にわたって設けられていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するために設けられる。正孔輸送層は、有機ＥＬ層への正孔輸送効率を高めるためのものである。これらの有機ＥＬ層以外の層は必要に応じて設けられていればよい。

第２電極２４は、例えばカソードとして機能するものであり、金属導電膜により構成されている。この第２電極２４は、ボトムエミッション方式の場合には、反射性を有する金属膜、例えば、アルミニウム，マグネシウム，カルシウムおよびナトリウムのうちの少なくとも１種からなる単体金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金よりなる単層膜、あるいはそれらのうちの２種以上を積層した多層膜からなる。あるいは、トップエミッション方式の場合には、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜が用いられる。この第２電極２４は、第１電極２１と絶縁された状態で有機層２３上に形成され、各画素に共通して設けられている。

保護層２５は、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ１−ｘ Ｎｘ ）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が挙げられる。

駆動側基板１０および封止用基板２７は、例えば、石英、ガラス、シリコンまたはプラスチックなどの板材である。後述のスパッタ法において、駆動側基板１０を加熱することなく酸化物半導体膜１１を成膜するため、安価なプラスチックフィルムを用いることができる。プラスチック材料としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などが挙げられる。この他にも、目的に応じて、ステンレス鋼（ＳＵＳ）などの金属基板が用いられてもよい。但し、トップエミッション方式の場合、封止用基板２７は、ガラスやプラスチックなどの透明基板により構成され、また図示しないカラーフィルタや遮光膜などを有していてもよい。ボトムエミッション方式の場合には、駆動側基板１０が透明基板により構成される。

（トランジスタ１０Ｂ）
トランジスタ１０Ｂは、例えば後述の画素駆動回路５０Ａにおけるサンプリング用トランジスタＴｒ１または駆動トランジスタＴｒ２に相当するものであり、スタガ構造を有する（いわゆるトップゲート型の）薄膜トランジスタである。このトランジスタ１０Ｂでは、駆動側基板１０上に、酸化物半導体膜１１が設けられている。この酸化物半導体膜１１上の選択的な領域に、ゲート絶縁膜１２を間にして、ゲート電極１３が配設されている。これらの酸化物半導体膜１１、ゲート絶縁膜１２およびゲート電極１３を覆って、高抵抗膜１４および層間絶縁膜１５が設けられている。層間絶縁膜１５上には、ソース・ドレイン電極層１６が設けられている。ソース・ドレイン電極層１６は、高抵抗膜１４および層間絶縁膜１５に設けられたコンタクトホールＨ１を介して、酸化物半導体膜１１の後述する低抵抗領域１１Ｂに電気的に接続されている。

酸化物半導体膜１１は、ゲート電圧の印加によりチャネルを形成するものであり、例えば、厚みが５０ｎｍ程度であり、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），シリコン（Ｓｉ）およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１種を含む酸化物半導体よりなる。このような酸化物半導体としては、例えば、非晶質のものには、酸化インジウムスズ亜鉛（ＩＴＺＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ，ＩｎＧａＺｎＯ）が挙げられる。結晶質の酸化物半導体としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），ＩＴＯ，酸化インジウム（ＩｎＯ）等が挙げられる。

この酸化物半導体膜１１では、ゲート電極１３に対向する領域（ゲート電極１３直下の領域）が、チャネル領域１１Ａとなっている。一方、酸化物半導体膜１１のチャネル領域１１Ａ以外の領域の表面（上面）から厚み方向の一部は、チャネル領域１１Ａよりも低い電気抵抗率を有する低抵抗領域１１Ｂとなっている。低抵抗領域１１Ｂは、例えば、後述の製造工程において、アルミニウム等の金属を反応させることにより、酸化物半導体中に拡散させて低抵抗化されている。これにより、トランジスタ１０Ｂは、いわゆるセルフアライン（自己整合）構造を有すると共に特性を安定させることが可能となっている。

酸化物半導体膜１１および低抵抗領域１１Ｂは、トランジスタ１０Ｂと保持容量素子１０Ｃとの両方に共通に設けられている。低抵抗領域１１Ｂのうちチャネル領域１１Ａに隣接する領域は、トランジスタ１０Ｂのソース・ドレイン領域となっている。また、後述するように、低抵抗領域１１Ｂは、保持容量素子１０Ｃの一方の電極となる領域を含んでいる。

ゲート絶縁膜１２は、例えば、厚みが３００ｎｍ程度であり、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン窒化酸化膜（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム膜（ＡｌＯｘ ）のうちの１種よりなる単層膜、またはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。これらのうり、シリコン酸化膜または酸化アルミニウム膜は、酸化物半導体を還元させにくいので好ましい。

ゲート電極１３は、トランジスタ１０Ｂに印加されるゲート電圧（Ｖｇ）によって酸化物半導体膜１１中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有するものである。このゲート電極１３は、例えばモリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム，銀，ネオジウム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のうちの１種からなる単体もしくは合金、もしくはこれらのうちの２種以上からなる積層膜である。具体的には、アルミニウムや銀などの低抵抗金属をモリブデンまたはチタンにより挟み込んだ積層構造や、アルミニウムとネオジウムとの合金（Ａｌ−Ｎｄ合金）が挙げられる。このゲート電極１３は、あるいはＩＴＯ等の透明導電膜から構成されていてもよい。ゲート電極１３の厚みは、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍである。

高抵抗膜１４は、後述する製造工程において酸化物半導体膜１１の低抵抗領域１１Ｂに拡散される金属の供給源となる金属膜が、酸化膜となって残存したものである。高抵抗膜１４は、例えば、厚みが２０ｎｍ以下であり、酸化チタン，酸化アルミニウム，酸化インジウムまたは酸化スズ等により構成されている。このような高抵抗膜１４は、外気に対して良好なバリア性を有しているため、上記のようなプロセス上の役割の他、トランジスタ１０Ｂにおける酸化物半導体膜１１の電気的特性を変化させる酸素や水分の影響を低減する機能をも有している。高抵抗膜１４を設けることにより、トランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃの電気特性を安定化させることが可能となり、層間絶縁膜１５の効果をより高めることが可能となる。

層間絶縁膜１５は、例えば、低抵抗領域１１Ｂの側から、無機絶縁膜１５Ａと、有機絶縁膜１５Ｂとをこの順に含む多層構造を有している。無機絶縁膜１５Ａは、例えば、厚みが２００ｎｍ程度であり、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン酸窒化膜および酸化アルミニウム膜のうちの１種よりなる単層膜、またはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。特に、シリコン窒化膜，シリコン酸窒化膜または酸化アルミニウム膜などのバリア性の高い膜やこれらの多層膜を用いることにより、酸化物半導体膜１１への水分の混入や拡散を抑え、トランジスタ１０Ｂの電気的特性や信頼性を高めることが可能となる。

無機絶縁膜１５Ａに含まれる水素濃度は、例えば、１×１０²⁰ｃｍ^-3以下であることが好ましい。水素濃度がこれよりも高い場合には、酸化物半導体膜１１への悪影響が生じるおそれがあるからである。

また、無機絶縁膜１５Ａは、スパッタ法により形成されたものであることが好ましい。スパッタ法により形成された無機絶縁膜１５Ａは、ＣＶＤ法により形成されたものよりも水素濃度を低くすることが可能となり、酸化物半導体膜１１への悪影響を抑えることが可能となるからである。

有機絶縁膜１５Ｂは、例えば、厚みが２μｍ程度であり、アクリル樹脂，ポリイミドまたはシロキサン等の有機材料により構成されている。このような有機材料を用いることにより、有機絶縁膜１５Ｂの厚みを容易に厚くすることが可能となり、後述する製造工程においてゲート電極１３の加工後に形成される段差についても十分に絶縁することが可能となる。

ソース・ドレイン電極層１６は、トランジスタ１０Ｂのソース電極またはドレイン電極として機能するものである。このソース・ドレイン電極層１６は、例えば、厚みが２００ｎｍ程度であり、上記ゲート電極１３において列挙したものと同様の金属または透明導電膜により構成されている。ソース・ドレイン電極層１６は、例えば、アルミニウムまたは銅などの低抵抗金属により構成されていることが好ましく、このような低抵抗金属を、チタンまたはモリブデンよりなるバリア層により挟み込んでなる積層膜であることがより好ましい。このような積層膜を用いることにより、配線遅延の少ない駆動が可能となる。また、ソース・ドレイン電極層１６は、ゲート電極１２の直上の領域を回避して設けられていることが望ましい。ゲート電極１２とソース・ドレイン電極層１６との交差領域に寄生容量が形成されることを防ぐためである。

これらの層間絶縁膜１５およびソース・ドレイン電極層１６を覆って、平坦化膜１７が設けられている。平坦化膜１７は、例えばポリイミドまたはアクリル系樹脂よりなり、表示領域の全面にわたって設けられている。平坦化膜１７には、トランジスタ１０Ｂのソース・ドレイン電極層１６と、有機ＥＬ素子１０Ａの第１電極２１との電気的接続を確保するためのコンタクトホールＨ２が設けられている。第１電極２１は、このコンタクトホールＨ２を埋め込むように、平坦化膜１７上に配設されている。

（保持容量素子１０Ｃ）
保持容量素子１０Ｃは、例えば後述の画素駆動回路５０Ａにおいて、映像信号に対応する電荷を保持する容量素子である。図２は、この保持容量素子１０Ｃの断面構造を拡大して表したものである。具体的には、保持容量素子１０Ｃは、駆動側基板１０側から順に、酸化物半導体膜１１の低抵抗領域１１Ｂ、高抵抗膜１４、無機絶縁膜１５Ａおよび導電膜１８を積層した構造を有し、高抵抗膜１４および無機絶縁膜１５Ａを間にして、低抵抗領域１１Ｂを一方の電極（下部電極）、導電膜１８を他方の電極（上部電極）として構成されている。これにより、この有機ＥＬ表示装置１Ａでは、画質劣化を抑制することが可能となっている。

酸化物半導体膜１１の低抵抗領域１１Ｂは、トランジスタ１０Ｂにおいては上述したようにソース・ドレイン領域としての機能を有する一方、保持容量素子１０Ｃにおいては一方の電極（下部電極）としての機能を有している。低抵抗領域１１Ｂはほぼ金属と同等の低抵抗率となっているので、印加電圧によって容量が変動してしまうことが抑えられる。酸化物半導体膜１１の低抵抗領域１１Ｂは、トランジスタ１０Ｂから延在して（一体的に）設けられている。

高抵抗膜１４および無機絶縁膜１５Ａは、低抵抗領域１１Ｂと導電膜１８とに挟まれて容量を構成する部分であり、トランジスタ１０Ｂから延在して（一体的に）設けられている。ここでは、保持容量素子１０Ｃを、高抵抗膜１４および無機絶縁膜１５Ａの一部を用いた積層構造として構成することにより、大きな容量を確保することが可能となっている。

導電膜１８は、保持容量素子１０Ｃの他方の電極（上部電極）となるものである。導電膜１８は、無機絶縁膜１５Ａの低抵抗領域１１Ｂとは反対側（無機絶縁膜１５Ａと有機絶縁膜１５Ｂとの間）に設けられると共に、トランジスタ１０Ｂから分離された選択的な領域に配置されている。導電膜１８は、例えば、厚みが２００ｎｍ程度であり、モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）のうちの１種よりなる単層膜またはそれらのうちの２種以上を積層した積層膜により構成されている。

（周辺回路および画素回路の構成）
次に、上記のような有機ＥＬ表示装置１Ａの周辺回路および画素回路の構成について説明する。図３は、有機ＥＬ表示装置１Ａの周辺回路を含む全体構成を表したものである。駆動側基板１０上の表示領域５０には、有機ＥＬ素子１０Ａを含む複数の画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されている。表示領域５０の周辺には、信号線駆動回路としての水平セレクタ（ＨＳＥＬ）５１と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ（ＷＳＣＮ）５２と、電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）５３とが設けられている。

表示領域５０において、列方向には複数（整数ｎ個）の信号線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎが配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線ＤＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する画素のいずれか１つ）が設けられている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ５１に接続され、この水平セレクタ５１から各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトスキャナ５２に接続され、このライトスキャナ５２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ５３に接続され、この電源スキャナ５３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給されるようになっている。

図４は、画素ＰＸＬＣにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素ＰＸＬＣは、有機ＥＬ素子１０Ａを含む画素回路５０Ａを有している。この画素回路５０Ａは、サンプリング用トランジスタＴｒ１および駆動用トランジスタＴｒ２と、保持容量素子１０Ｃと、有機ＥＬ素子１０Ａとを有するアクティブ型の駆動回路である。なお、サンプリング用トランジスタＴｒ１（または駆動用トランジスタＴｒ２）が、上記実施の形態等のトランジスタ１０Ｂに相当する。

サンプリング用トランジスタＴｒ１は、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が駆動用トランジスタＴｒ２のゲートに接続されている。駆動用トランジスタＴｒ２は、そのドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０Ａのアノードに接続されている。また、この有機ＥＬ素子１０Ａのカソードは、接地配線５Ｈに接続されている。なお、この接地配線５Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量素子１０Ｃは、駆動用トランジスタＴｒ２のソースとゲートとの間に配置されている。

サンプリング用トランジスタＴｒ１は、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位をサンプリングし、保持容量素子１０Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタＴｒ２は、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保持容量素子１０Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機ＥＬ素子１０Ａへ供給するものである。有機ＥＬ素子１０Ａは、この駆動用トランジスタＴｒ２から供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。

このような回路構成では、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じてサンプリング用トランジスタＴｒ１が導通することにより、信号線ＤＴＬから供給された映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子１０Ｃに保持される。また、上記第１電位に設定された電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタＴｒ２へ電流が供給され、保持容量素子１０Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機ＥＬ素子１０Ａ（赤色、緑色および青色の各有機ＥＬ素子）へ供給される。そして、各有機ＥＬ素子１０Ａは、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置において、映像信号に基づく映像表示がなされる。

この有機ＥＬ表示装置１Ａは、例えば次のようにして製造することができる。

（トランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃを形成する工程）
まず、図５（Ａ）に示したように、駆動側基板１０に、上述した材料よりなる酸化物半導体膜１１を成膜する。具体的には、駆動側基板１０の全面にわたって、例えばスパッタリング法により、酸化物半導体材料膜（図示せず）を成膜する。この際、ターゲットとしては、成膜対象の酸化物半導体と同一組成のセラミックを用いる。また、酸化物半導体中のキャリア濃度は、スパッタリングの際の酸素分圧に大きく依存するので、所望のトランジスタ特性が得られるように酸素分圧を制御する。次いで、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、成膜した酸化物半導体材料膜を所定の形状にパターニングする。その際、リン酸と硝酸と酢酸との混合液を用いたウェットエッチングにより加工することが好ましい。リン酸、硝酸および酢酸の混合液は、下地との選択比を十分に大きくすることが可能であり、比較的容易に加工が可能となる。

続いて、図５（Ｂ）に示したように、駆動側基板１０の全面にわたって、例えばシリコン酸化膜よりなる絶縁膜１２Ａを、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法により成膜する。シリコン酸化膜はプラズマＣＶＤ法のほか、反応性スパッタリング法により形成することも可能である。また、酸化アルミニウム膜を成膜する場合には、これらの反応性スパッタリング法，ＣＶＤ法に加え、原子層成膜法を用いることも可能である。

そののち、同じく図５（Ｂ）に示したように、絶縁膜１２Ａの全面に、例えばスパッタリング法により、例えばモリブデンまたはチタンとアルミニウムの積層膜よりなる導電膜１３Ａを成膜する。

導電膜１３Ａを形成したのち、図５（Ｃ）に示したように、この導電膜１３Ａを、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングによりパターニングし、酸化物半導体膜１１上の選択的な領域にゲート電極１３を形成する。

続いて、同じく図５（Ｃ）に示したように、形成したゲート電極１３をマスクとして絶縁膜１２Ａをエッチングする。この際、酸化物半導体膜１１をＺｎＯ，ＩＺＯ，ＩＧＯ等の結晶性材料により構成した場合には、フッ酸等を用いて非常に大きなエッチング選択比を維持するようにすると、容易に加工することが可能となる。これにより、ゲート絶縁膜１２がゲート電極１３と略同一形状にパターニングされる。

続いて、図６（Ａ）に示したように、駆動側基板１０上の全面に渡って、例えばスパッタリング法により、例えばチタン，アルミニウムまたはインジウム等の酸素と比較的低温で反応する金属よりなる金属膜１４Ａを、例えば５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚みで成膜する。

この後、図６（Ｂ）に示したように、例えば３００℃程度の温度で熱処理を行うことにより、金属膜１４Ａが酸化され、これによって金属酸化膜からなる高抵抗膜１４が形成される。この際、酸化物半導体膜１１のチャネル領域１１Ａ以外の領域には、低抵抗領域１１Ｂ（ソース・ドレイン領域を含む）が形成される。この金属膜１４Ａの酸化反応には、酸化物半導体に含まれる酸素の一部が利用されるため、金属膜１４Ａの酸化の進行に伴って、酸化物半導体膜１１では、その金属膜１４Ａと接する表面（上面）側から酸素濃度が低下していく。一方、金属膜１４Ａから、アルミニウム等の金属が酸化物半導体膜１１中に拡散する。この金属元素がドーパントとして機能し、金属膜１４Ａと接する酸化物半導体膜１１の上面側の領域が低抵抗化される。これにより、チャネル領域１１Ａよりも電気抵抗の低い低抵抗領域１１Ｂが形成される。

なお、金属膜１４Ａの熱処理としては、例えば３００℃程度の温度でアニールすることが好ましい。その際、酸素等を含む酸化性のガス雰囲気でアニールを行うことで、低抵抗領域１１Ｂの酸素濃度が低くなりすぎるのを抑え、酸化物半導体膜１１に十分な酸素を供給することが可能となる。よって、後工程で行うアニール工程を削減することが可能となり、工程の簡略化が可能となる。

あるいは、次のようにして高抵抗膜１４を形成してもよい。例えば、図６（Ａ）に示した工程において、駆動側基板１０の温度を２００℃程度の比較的高い温度に保持して、金属膜１４Ａを成膜するようにしてもよい。これにより、図６（Ｂ）に示した熱処理を行わずに、酸化物半導体膜１１の所定の領域を低抵抗化することが可能である。この場合には、酸化物半導体膜１１のキャリア濃度をトランジスタとして必要なレベルに低減することが可能である。

また、この金属膜１４Ａは、例えば１０ｎｍ以下の厚みで成膜することが好ましい。金属膜１４Ａの厚みを１０ｎｍ以下とすれば、熱処理によって金属膜１４Ａを完全に酸化させる（高抵抗膜１４を形成する）ことができるからである。なお、金属膜１４Ａが完全に酸化されていない場合には、この未酸化の金属膜１４Ａをエッチングにより除去する工程が必要となる。金属膜１４Ａは、ゲート電極１３Ａ上などにも成膜されるため、十分に酸化されていないとリーク電流を生じさせる場合があるためである。金属膜１４Ａが完全に酸化され、高抵抗膜１４が形成された場合には、そのような除去工程が不要であり、製造工程の簡略化が可能となる。つまり、エッチングによる除去工程を行わなくとも、リーク電流の発生を防止できる。なお、金属膜１４Ａを１０ｎｍ以下の厚みで成膜した場合、熱処理後の高抵抗膜１４の厚みは、２０ｎｍ以下程度となる。

更に、金属膜１４Ａを酸化させる方法としては、上記のような熱処理のほか、水蒸気雰囲気での酸化、またはプラズマ酸化などの方法により酸化を促進させることも可能である。特にプラズマ酸化の場合、次のような利点がある。即ち、高抵抗膜１４の形成後、層間絶縁膜１５をプラズマＣＶＤ法により形成するが、金属膜１４Ａに対してプラズマ酸化処理を施した後、続けて（連続的に）、層間絶縁膜１５を成膜可能である。このため、特に工程を増やす必要がないという利点がある。プラズマ酸化では、例えば、駆動側基板１０の温度を２００℃〜４００℃程度にして、酸素および二窒化酸素の混合ガス等の酸素を含むガス雰囲気中でプラズマを発生させて処理することが望ましい。これにより、上述したような外気に対して良好なバリア性を有する高抵抗膜１４を形成することができるからである。

加えて、酸化物半導体膜１１の所定の領域を低抵抗化させる手法としては、上記のような金属膜１４Ａと酸化物半導体膜１１との反応による手法の他にも、プラズマ処理によって低抵抗化する手法、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を成膜し、このシリコン窒化膜からの水素拡散等により低抵抗化させる手法などを用いてもよい。

次に、図７（Ａ）に示したように、高抵抗膜１４上の全面にわたって、例えばプラズマＣＶＤ法，スパッタリング法あるいは原子層成膜法により、上述した材料よりなる無機絶縁膜１５Ａを形成する。

特にスパッタリング法を用いることが好ましい。スパッタリング法により形成したシリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン酸窒化膜または酸化アルミニウム膜等には、プラズマＣＶＤ法を用いて形成した膜と異なり、膜中に含まれる水素を大きく低減することが可能である。このため無機絶縁膜１５Ａの形成後にアニール処理を行っても、酸化物半導体膜１１中に水素が拡散することにより酸化物半導体膜１１中のキャリア濃度が多くなることを防ぐことが可能となる。また、シリコン窒化膜や酸化アルミニウム膜はバリア性が高いために、外部からの水分等の不純物が酸化物半導体中に拡散することを防ぐことが可能となるので、デバイスの信頼性を高めることが可能となる。

スパッタリング法を用いて無機絶縁膜１５Ａを形成する場合には、シリコンやアルミニウム等の導電性のターゲットを用いたＤＣまたはＡＣ電源による反応性スパッタリング法により形成することが望ましい。これらの方法を用いることで比較的高速に無機絶縁膜１５Ａを成膜することが可能となる。

この後、図７（Ｂ）に示したように、無機絶縁膜１５Ａの上に、保持容量素子１０Ｃの他方の電極となる導電膜１８を形成する。導電膜１８は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜をスパッタリング法により例えば２００ｎｍ程度の厚みで成膜したのち、フォトリソグラフィーとエッチングにより所望の形状に成形することにより形成する。

続いて、図８に示したように、無機絶縁膜１５Ａおよび導電膜１８の上に、上述した材料よりなる有機絶縁膜１５Ｂを形成する。有機絶縁膜１５Ｂは、例えばスピンコート法やスリットコート法を用いて塗布することで、容易に２μｍ程度の厚みで形成することが可能である。そののち、露光、現像工程を行うことで、有機絶縁膜１５Ｂの所定の箇所にコンタクトホールＨ１を開けることが可能である。

この後、図１に示したように、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、酸化物半導体膜１１の低抵抗領域１１Ａに対向する領域の一部において層間絶縁膜１５および高抵抗膜１４を貫通するコンタクトホールＨ１を形成する。

続いて、同じく図１に示したように、層間絶縁膜１５の上に、例えばスパッタリング法により、上述した材料等よりなるソース・ドレイン電極層１６となる導電膜（図示せず）を形成し、この導電膜によりコンタクトホールＨ１を埋め込む。そののち、この導電膜を例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状にパターニングする。これにより、層間絶縁膜１５上にソース・ドレイン電極層１６が形成されると共に、ソース・ドレイン電極層１６がコンタクトホールＨ１を介して酸化物半導体膜１１の低抵抗領域１１Ｂに電気的に接続される。以上により、駆動側基板１０上に、トランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃを形成する。

この後、層間絶縁膜１５およびソース・ドレイン電極層１６を覆うように、上述した材料よりなる平坦化膜１７を、例えばスピンコート法やスリットコート法により成膜し、ソース・ドレイン電極層１６に対向する領域の一部にコンタクトホールＨ２を形成する。

（有機ＥＬ素子１０Ａを形成する工程）
続いて、この平坦化膜１７上に、有機ＥＬ素子１０Ａを形成する。具体的には、平坦化膜１７上に、そのコンタクトホールＨ２を埋め込むように、上述した材料よりなる第１電極２１を例えばスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングによりパターニングする。この後、第１電極２１上に開口を有する画素分離膜２２を形成した後、有機層２３を例えば真空蒸着法により成膜する。続いて、有機層２３上に、上述した材料よりなる第２電極２４を例えばスパッタリング法により形成する。次いで、この第２電極２４上に保護層２５を例えばＣＶＤ法により成膜した後、この保護層２５上に、接着層２６を用いて封止用基板２７を貼り合わせる。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１Ａを完成する。

この有機ＥＬ表示装置１Ａでは、例えばＲ，Ｇ，Ｂのいずれかに対応する各画素に、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、第１電極２１および第２電極２４を通じて、有機層２３に電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、有機層２３に含まれる有機ＥＬ層においてそれぞれ再結合され、発光を生じる。このようにして、有機ＥＬ表示装置１Ａでは、例えばＲ，Ｇ，Ｂのフルカラーの映像表示がなされる。

この有機ＥＬ表示装置１Ａでは、上記のような映像表示動作の際に、保持容量素子１０Ｃの一端に、映像信号に対応する電位が印加されることにより、保持容量素子１０Ｃには、映像信号に対応する電荷が蓄積される。ここでは、保持容量素子１０Ｃが、酸化物半導体膜１１の低抵抗領域１１Ｂと導電膜１８との間に高抵抗膜１４および無機絶縁膜１５Ａを挟み込んだ積層構造を有している。よって、保持容量素子１０Ｃへ供給される電圧は、低抵抗領域１１Ｂと導電膜１８との間において保持され、印加電圧による容量の変動が緩和される。

これに対して従来では、図９に示したように、酸化物半導体膜１１１上に、ゲート絶縁膜を利用した絶縁膜１１２を介して、ゲート電極を利用した導電膜１１３が設けられており、この積層構造によって容量が形成されている。このような従来の保持容量素子１１０Ｃでは、本実施の形態と同様に比較的大きな容量を確保することができるが、酸化物半導体膜１１１と導電膜１１３間に印加される電圧によって、容量が変動しやすくなっていた。容量変動が生じると、画素回路の駆動条件によっては十分な容量を用いることができないことから、画質劣化を引き起こすことがあった。

このように本実施の形態では、保持容量素子１０Ｃを、高抵抗膜１４および無機絶縁膜１５Ａを間にして、低抵抗領域１１Ｂを一方の電極、無機絶縁膜１５Ａと有機絶縁膜１５Ｂとの間に設けられた導電膜１８を他方の電極として構成している。これにより、保持容量素子１０Ｃにおいて、印加電圧に依存する容量変動を抑制し、所望の容量を保持することができるようになる。よって、画質劣化を抑制することが可能となる。

また、これにより、アクティブ駆動方式のディスプレイにおいて高品質な画像を表示することが可能となり、大画面化、高精細化、ハイフレームレート化に対応することが可能になる。更に、容量を比較的大きく確保可能であるため、画素レイアウトにおいても、配線の占有割合を低減でき、欠陥の少ない高歩留まりのパネルを製造することが可能となる。

（第２の実施の形態）
図１０は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ｂ）の断面構成を表したものである。この有機ＥＬ表示装置１Ｂは、保持容量素子１０Ｃの上部電極を構成する導電膜１８を透明導電材料により構成することにより、保持容量素子１０Ｃを透明化するようにしたものである。これにより、本実施の形態では、可視光に対して透過率が高く、上面および下面の両方に発光する透明ディスプレイを構成することが可能となる。このような透明ディスプレイは、表示装置の背後が透けて見え、画像が宙に浮いたように表示され、意匠性が極めて高いという利点を有しており、自動販売機や冷蔵庫など、広告用・業務用ディスプレイへの応用が可能となる。

導電膜１８を構成する透明導電材料としては、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＴＩＯ等の、可視光に対して透過率の高い金属が挙げられる。

このことを除いては、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ｂは、上記第１の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。

（変形例１）
図１１は、本開示の変形例１に係る表示装置（液晶表示装置２）の断面構成を表したものである。液晶表示装置２は、表示素子として、有機ＥＬ素子ではなく液晶表示素子３０Ａを有している。すなわち、液晶表示装置２では、駆動側基板１０上に、トランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃが配設されており、これらの上層に液晶表示素子３０Ａを有している。このことを除いては、本変形例の液晶表示装置２は、上記第１または第２の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有している。よって、上記第１または第２実施の形態に対応する構成要素については、同一の符号を付して説明する。

駆動側基板１０およびトランジスタ１０Ｂは、第１の実施の形態と同様に構成されている。保持容量素子１０Ｃは、第１または第２の実施の形態と同様に構成されている。

液晶表示素子３０Ａは、例えば、画素電極３１と対向電極３２との間に液晶層３３を封止したものであり、画素電極３１および対向電極３２の液晶層３３側の各面には、配向膜３４Ａ，３４Ｂが形成されている。画素電極３１は、画素毎に配設されており、例えばトランジスタ１０Ｂのソース・ドレイン電極層１６に電気的に接続されている。対向電極３２は、対向基板３５上に複数の画素に共通の電極として設けられ、例えばコモン電位に保持されている。液晶層３３は、例えばＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モード，ＴＮ（Twisted Nematic）モードあるいはＩＰＳ（In Plane Switching）モード等により駆動される液晶により構成されている。

また、駆動側基板１０の下方には、バックライト３６が備えられており、駆動側基板１０のバックライト３６側および対向基板３５上には、偏光板３７Ａ，３７Ｂが貼り合わせられている。

バックライト３６は、液晶層３３へ向けて光を照射する光源であり、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）やＣＣＦＬ（Cold Cathode Fluorescent Lamp ）等を複数含むもの
である。このバックライト３６は、図示しないバックライト駆動部によって、点灯状態および消灯状態が制御されるようになっている。

偏光板３７Ａ，３７Ｂ（偏光子，検光子）は、例えば互いにクロスニコルの状態で配置されており、これにより、例えばバックライト３６からの照明光を電圧無印加状態（オフ状態）では遮断、電圧印加状態（オン状態）では透過させるようになっている。

この液晶表示装置２では、上記第１および第２の実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ａ，１Ｂと同様に、保持容量素子１０Ｃが、高抵抗膜１４および無機絶縁膜１５Ａを間にして、低抵抗領域１１Ｂを一方の電極、無機絶縁膜１５Ａと有機絶縁膜１５Ｂとの間に設けられた導電膜１８を他方の電極として構成されている。これにより、本変形例においても、保持容量素子１０Ｃにおいて、比較的大きな容量が確保されると共に、その電圧依存性が緩和される。すなわち、本開示の表示装置は、上述のような有機ＥＬ表示装置１Ａ，１Ｂに限らず、液晶表示装置２にも適用可能である。

（変形例２）
図１２は、本開示の変形例２に係る表示装置（電子ペーパー表示装置３）の断面構成を表したものである。電子ペーパー表示装置３は、表示素子として、有機ＥＬ素子ではなく電気泳動型表示素子４０Ａを有している。すなわち、電子ペーパー表示装置３では、駆動側基板１０上に、トランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃが配設されており、これらの上層に電気泳動型表示素子４０Ａを有している。このことを除いては、本変形例２の電子ペーパー表示装置３は、上記第１または第２の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有している。よって、上記第１または第２実施の形態に対応する構成要素については、同一の符号を付して説明する。

駆動側基板１０およびトランジスタ１０Ｂは、第１の実施の形態と同様に構成されている。保持容量素子１０Ｃは、第１または第２の実施の形態と同様に構成されている。

電気泳動型表示素子４０Ａは、例えば、画素電極４１と共通電極４２との間に電気泳動型表示体よりなる表示層４３を封止したものである。画素電極４１は、画素毎に配設されており、例えばトランジスタ１０Ｂのソース・ドレイン電極層１６に電気的に接続されている。共通電極４２は、対向基板４４上に複数の画素に共通の電極として設けられている。

この電子ペーパー表示装置３では、上記第１および第２の実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ａ，１Ｂと同様に、保持容量素子１０Ｃが、高抵抗膜１４および無機絶縁膜１５Ａを間にして、低抵抗領域１１Ｂを一方の電極、無機絶縁膜１５Ａと有機絶縁膜１５Ｂとの間に設けられた導電膜１８を他方の電極として構成されている。これにより、本変形例においても、保持容量素子１０Ｃにおいて、比較的大きな容量が確保されると共に、その電圧依存性が緩和される。即ち、本開示の表示装置は、上述のような有機ＥＬ表示装置１Ａ，１Ｂに限らず、電子ペーパー表示装置３にも適用可能である。

（適用例）
以下、上記のような表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ａ，１Ｂ、液晶表示装置２、電子ペーパー表示装置３）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。言い換えると、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

（モジュール）
上記表示装置は、例えば図１３に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜７などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動側基板１０の一辺に、封止用基板２７または対向基板３５，４４から露出した領域６１を設け、この露出した領域６１に、水平セレクタ５１、ライトスキャナ５２および電源スキャナ５３の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）６２が設けられていてもよい。

（適用例１）
図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）はそれぞれ、上記実施の形態の表示装置が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有しており、この表示部２１０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例２）
図１５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例３）
図１６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例４）
図１７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例５）
図１８は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例６）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

（適用例７）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記実施の形態の表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、高抵抗膜１４を設けた構造を例に挙げて説明したが、この高抵抗膜１４は、低抵抗領域１１Ｂを形成したのちに除去することも可能である。ただし、上述のように、高抵抗膜１４を設けた場合の方が、トランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃの電気特性を安定的に保持することができるため望ましい。

また、上記実施の形態では、酸化物半導体膜１１における所定の領域を低抵抗化させるための手法として、金属膜１４Ａと酸化物半導体膜１１との反応による手法を用いたが、この他にも、プラズマ処理によって低抵抗化する手法、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を成膜し、このシリコン窒化膜からの水素拡散等により低抵抗化させる手法などを用いてもよい。

更に、上記実施の形態では、低抵抗領域１１Ｂが、酸化物半導体膜１１のチャネル領域１１Ａ以外の領域の表面（上面）から厚み方向の一部に設けられている場合について説明したが、低抵抗領域１１Ｂは、酸化物半導体膜１１の表面（上面）から厚み方向の全部に設けられていることも可能である。

加えて、例えば、上記実施の形態では、層間絶縁膜１５が、低抵抗領域１１Ｂ側から無機絶縁膜１５Ａと有機絶縁膜１５Ｂとを有している場合について説明したが、層間絶縁膜１５は、低抵抗領域１１Ｂに最も近い層として無機絶縁膜１５Ａを含む多層構造であればよく、その積層構成は特に限定されない。

更にまた、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

加えてまた、上記実施の形態では、有機ＥＬ素子１０Ａ，液晶表示素子３０Ａ，電気泳動型表示素子４０Ａ，トランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。

更にまた、本開示は、有機ＥＬ表示装置，液晶表示装置および電子ペーパーのほか、無機エレクトロルミネッセンス素子などの他の表示素子を用いた表示装置にも適用可能である。

加えてまた、例えば、上記実施の形態において表示装置の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。

なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
基板に、酸化物半導体膜を共有するトランジスタおよび保持容量素子と、前記トランジスタにより駆動される表示素子と、前記トランジスタおよび保持容量素子と前記表示素子との間に設けられた層間絶縁膜とを備え、
前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル領域を有すると共に、前記チャネル領域以外の領域の表面から厚み方向の少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域を有し、
前記層間絶縁膜は、前記低抵抗領域に最も近い層として無機絶縁膜を含む多層構造を有し、
前記保持容量素子は、前記無機絶縁膜を間にして、前記低抵抗領域を一方の電極、前記無機絶縁膜の反対側に設けられた導電膜を他方の電極として有する
表示装置。
（２）
前記トランジスタは、前記基板上に前記酸化物半導体膜を有し、前記酸化物半導体膜の前記チャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極が設けられ、前記酸化物半導体膜の前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極が接続されている
前記（１）記載の表示装置。
（３）
前記無機絶縁膜は、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜の少なくとも１種により構成されている
前記（２）記載の表示装置。
（４）
前記無機絶縁膜に含まれる水素濃度は、１×１０²⁰ｃｍ^-3以下である
前記（３）記載の表示装置。
（５）
前記保持容量素子の導電膜は、透明導電材料により構成されている
前記（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）
前記表示素子として有機電界発光素子を有する
前記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（７）
前記表示素子として液晶表示素子を有する
前記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（８）
前記表示素子として電気泳動型表示素子を有する
前記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（９）
表示装置を備え、
前記表示装置は、
基板に、酸化物半導体膜を共有するトランジスタおよび保持容量素子と、前記トランジスタにより駆動される表示素子と、前記トランジスタおよび保持容量素子と前記表示素子との間に設けられた層間絶縁膜とを備え、
前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル領域を有すると共に、前記チャネル領域以外の領域の表面から厚み方向の少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域を有し、
前記層間絶縁膜は、前記低抵抗領域に最も近い層として無機絶縁膜を含む多層構造を有し、
前記保持容量素子は、前記無機絶縁膜を間にして、前記低抵抗領域を一方の電極、前記無機絶縁膜の反対側に設けられた導電膜を他方の電極として有する
電子機器。

１Ａ，１Ｂ…有機ＥＬ表示装置、２…液晶表示装置、３…電子ペーパー表示装置、１０Ａ…有機ＥＬ素子、１０Ｂ…トランジスタ、１０Ｃ…保持容量素子、１０…駆動側基板、１１…酸化物半導体膜、１１Ａ…チャネル領域、１１Ｂ…低抵抗領域、１２…ゲート絶縁膜、１３…ゲート電極、１４…高抵抗膜、１５…層間絶縁膜、１６…ソース・ドレイン電極層、１７…平坦化膜、１８…導電膜、２１…第１電極、２２…画素分離膜、２３…有機層、２４…第２電極、２５…保護層、２６…接着層、２７…封止用基板、３０Ａ…液晶表示素子、３１…画素電極、３２…対向電極、３３…液晶層、３４Ａ，３４Ｂ…配向膜、３６……バックライト、３７Ａ，３７Ｂ…偏光板、４０Ａ…電気泳動型表示素子、４１…画素電極、４２…共通電極、４３…表示層、４４…対向基板。

Claims (10)

1. 基板に、酸化物半導体膜を共有するトランジスタおよび保持容量素子と、前記トランジスタにより駆動される表示素子と、高抵抗膜と、層間絶縁膜とを備え、
   前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル領域を有すると共に、前記チャネル領域以外の領域の表面から厚み方向の少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域を有し、
   前記高抵抗膜は、前記酸化物半導体膜の前記低抵抗領域側の表面に設けられると共に、金属酸化膜により構成され、
   前記層間絶縁膜は、前記低抵抗領域の側から、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜のうちの１種よりなる無機絶縁膜と、有機絶縁膜とを順に含む多層構造を有し、
   前記保持容量素子は、前記高抵抗膜およびその上方に形成された前記無機絶縁膜の積層構造を間にして、前記低抵抗領域を一方の電極、前記無機絶縁膜と前記有機絶縁膜との間に設けられた導電膜を他方の電極として有し、
   前記導電膜は、前記トランジスタから分離された選択的な領域に配置され、前記有機絶縁膜によって覆われている
   表示装置。
2. 前記トランジスタは、前記基板上に前記酸化物半導体膜を有し、前記酸化物半導体膜の前記チャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極が設けられ、前記酸化物半導体膜の前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極が接続されている
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記低抵抗領域は、酸化物半導体中への金属の拡散により前記チャネル領域よりも抵抗率が低く、
   前記高抵抗膜は、前記低抵抗領域に拡散された金属の酸化膜により構成されている
   請求項１記載の表示装置。
4. 前記高抵抗膜は、酸化チタン，酸化アルミニウム，酸化インジウムおよび酸化スズのうちの１種により構成されている
   請求項１記載の表示装置。
5. 前記無機絶縁膜に含まれる水素濃度は、１×１０²⁰ｃｍ^-3以下である
   請求項１記載の表示装置。
6. 前記保持容量素子の導電膜は、透明導電材料により構成されている
   請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記表示素子として有機電界発光素子を有する
   請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記表示素子として液晶表示素子を有する
   請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記表示素子として電気泳動型表示素子を有する
   請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    基板に、酸化物半導体膜を共有するトランジスタおよび保持容量素子と、前記トランジスタにより駆動される表示素子と、高抵抗膜と、層間絶縁膜とを備え、
    前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル領域を有すると共に、前記チャネル領域以外の領域の表面から厚み方向の少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域を有し、
    前記高抵抗膜は、前記酸化物半導体膜の前記低抵抗領域側の表面に設けられると共に、金属酸化膜により構成され、
    前記層間絶縁膜は、前記低抵抗領域の側から、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜のうちの１種よりなる無機絶縁膜と、有機絶縁膜とを順に含む多層構造を有し、
    前記保持容量素子は、前記高抵抗膜およびその上方に形成された前記無機絶縁膜の積層構造を間にして、前記低抵抗領域を一方の電極、前記無機絶縁膜と前記有機絶縁膜との間に設けられた導電膜を他方の電極として有し、
    前記導電膜は、前記トランジスタから分離された選択的な領域に配置され、前記有機絶縁膜によって覆われている
    電子機器。

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