JP6038165B2 - 受信器および受信方法 - Google Patents

Description

本発明は、受信器および受信方法に関する。

光ファイバを用いた公衆回線網を実現する方式として、アクセス系光通信システムの一つの方式であるＰＯＮ（Passive Optical Network）システムが広く用いられている。

ＰＯＮシステムは、局側装置であるＯＬＴ（Optical Line Terminal）１台と、光スターカプラを介してＯＬＴに接続される加入者端末装置であるＯＮＵ（Optical Network Unit）複数台と、から構成されている。

光スターカプラとＯＮＵとの距離は、ＯＮＵ毎に異なる。よって、光スターカプラを介してＯＬＴが受光する光信号の受光強度も、ＯＮＵ毎に異なる。このため、受光強度が異なる場合でも光信号を受信できるよう、ＯＬＴには、大きなダイナミックレンジを持つ受信器が必要である。

大きなダイナミックレンジを持つ受信器は、一般的に、光信号の受光強度が弱い場合には利得（入力された電流を電圧に変換する利得）を高くし、光信号の受光強度が強い場合には利得を低くすることで、変換した電圧信号を均一の振幅にするＡＧＣ（Automatic Gain Control）を備える。

ＡＧＣには様々な方式が存在する。例えば、特許文献１には、トランスインピーダンスアンプから出力される電圧の平均値から、トランスインピーダンスアンプの帰還抵抗（トランスインピーダンスアンプの利得を決定する抵抗）の値を連続的に変化させ、トランスインピーダンスアンプの利得を制御する方法（フィードバック制御方法）が開示されている。また、特許文献２には、フォトダイオードで受光された光信号の受光強度に対応した電流そのもので、トランスインピーダンスアンプの帰還抵抗の値を連続的に変化させ、利得を制御する方法（フィードフォワード制御方法）が開示されている。

特許第４３６１０８７号公報 特許第３３２９３０２号公報

特許文献１に開示された技術は、前述の通り、トランスインピーダンスアンプから出力された電圧の平均値から、トランスインピーダンスアンプの帰還抵抗の値を変化させる制御、即ち、フィードバック制御を利用している。ここで、フィードバック制御は、検出結果（出力された電圧の平均値）に基づいて制御を行うので、制御を乱す外的要因が発生した場合、その外部要因からの影響が検出結果に現れてからでなければ制御を行えない。よって、トランスインピーダンスアンプの利得を、フィードバック制御で一定にする場合、所望の利得に収束するまでに比較的長時間を必要とするという問題がある。

また、特許文献２に開示された技術は、前述の通り、フォトダイオードで受光された光信号の受光強度に対応した電流で、トランスインピーダンスアンプの帰還抵抗の値を変化させる制御、即ち、フィードフォワード制御を利用している。ここで、フィードフォワード制御は、制御を乱す外的要因が発生した場合、その外部要因からの影響が現れる前に、前もってその影響をなくすような制御を行う。このため、フィードフォワード制御は、フィードバック制御と比較して、短時間に所望の利得に収束させることが可能である。

しかし、特許文献２に開示された技術では、前述の通り、フォトダイオードで受光された光信号の受光強度に対応した電流そのもので、トランスインピーダンスアンプの帰還抵抗の値を変化させて、トランスインピーダンスアンプの利得を変化させている。よって、フォトダイオードから出力される電流が、ノイズに埋もれることがないような、例えば、予め定められた閾値を超える大きさでなければならない。ここで、フォトダイオードから出力される電流を大きくするには、受光強度が変わらない場合、フォトダイオードに、高い逆バイアス電圧を印加しなければならない。このため、フォトダイオード等の光信号を受光する受光部および受光部に直列に接続される機能部（例えば、特許文献２に開示された技術では、カレントミラー回路）には、高い耐圧が必要になる。一方で、高い逆バイアス電圧が印加される受光部に接続されない他の機能部（例えば、特許文献２に開示された技術では、帰還抵抗の値を変化させるためのトランスアンプインピーダンス５）には、逆バイアス電圧が印加されないので、高い耐圧が必要ない。従って、耐圧の違いから、機能部を、同一のＩＣ（Integrated Circuit）上に集積化することができないという問題点がある。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、フィードバック制御と比較して、短時間に所望の利得に収束させることが可能であり、且つ、一様な耐圧を持つ機能部で構成が可能な受信器および受信方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、この発明に係る受信器の受光部は、受光した光信号の強度に対応した値を示す電流信号を出力する。増幅変換部は、受光部から出力された電流信号を増幅して電圧信号に変換し、変換した電圧信号を出力する。電流生成部は、受光部から出力された電流信号が増幅変換部で増幅された電流と同じ値を示す電流を生成する。変化部は、電流生成部で生成された電流の大きさに基づいて、増幅変換部の利得を変化させる。増幅変換部は、エミッタ接地回路とエミッタフォロア回路とを備える。エミッタ接地回路は、第１のトランジスタを有し、受光部から出力された電流信号を第１のトランジスタのベース端子から入力して増幅し、増幅した電流信号を、第１のトランジスタのコレクタ端子から出力する。エミッタフォロア回路は、エミッタ接地回路に設けられた第１のトランジスタのコレクタ端子に、ベース端子が接続された第２のトランジスタを有し、第２のトランジスタのエミッタ端子に、増幅された電流信号を電圧に変換した電圧信号を出力する出力端子が接続され、第２のトランジスタのコレクタ端子に、そのコレクタ端子に流れ込む電流を検出するための電流生成部の検出端子が接続される。電流生成部は、検出端子を介して検出した第２のトランジスタのコレクタ端子に流れ込む電流と同じ値を示す電流を生成する。変化部は、電流生成部で生成された、第２のトランジスタのコレクタ端子に流れ込む電流と同じ値を示す電流の大きさに基づいて、増幅変換部の利得を変化させる。

本発明によれば、フィードバック制御と比較して、短時間に所望の利得に収束させることが可能であり、且つ、一様な耐圧を持つ機能部で構成が可能である。

本発明の実施の形態１に係る受信器の回路図である。 （ａ）は、光信号を受信した場合の受光強度の時間変化を示した図であり、（ｂ）は、電流源から出力される電流、帰還抵抗を介して電流源に流れ込む電流およびエミッタフォロア回路のトランジスタのコレクタ端子に流れ込む電流の関係を示す図である。 本発明の実施の形態２に係る受信器の回路図である。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１に係る受信器１０を、図１および図２を参照して説明する。受信器１０は、パケット信号（光信号）を受光し、受光したパケット信号を電圧信号に変換して出力する。なお、パケット信号は、間欠的且つ不連続な波形を示すバースト信号である。

受信器１０は、図１に示すように、フォトダイオード１１と、トランスインピーダンスアンプ１２と、リミッティングアンプ１３と、を備える。

フォトダイオード１１のカソード端子には、直流電圧Ｖｃｃ（例えば、５０ボルト）が印加されている。また、フォトダイオード１１のアノード端子は、トランスインピーダンスアンプ１２のトランジスタＴＲ１のベース端子およびトランスインピーダンスアンプ１２の帰還抵抗１６の一端に接続されている。これにより、フォトダイオード１１には、逆バイアス電圧が印加される。

フォトダイオード１１は、受光したパケット信号（光信号）を電流に変換し、変換した電流を、トランスインピーダンスアンプ１２に出力する。言い換えれば、フォトダイオード１１は、受光したパケット信号の受光強度に対応した値を示す電流信号Ｉｏｕｔを、トランスインピーダンスアンプ１２に出力する。

トランスインピーダンスアンプ１２は、フォトダイオード１１から出力された電流信号Ｉｏｕｔを増幅して電圧信号に変換し、変換した電圧信号を、リミッティングアンプ１３に出力する。

トランスインピーダンスアンプ１２は、エミッタ接地回路１４と、エミッタフォロア回路１５と、帰還抵抗１６と、電流検出回路１７と、電流電圧変換回路１８と、レベル変換回路１９と、を備える。

エミッタ接地回路１４は、フォトダイオード１１から出力された電流信号を増幅し、増幅した電流信号を、エミッタフォロア回路１５に出力する。

エミッタ接地回路１４は、抵抗Ｒ１，Ｒ２と、ｎｐｎ型のトランジスタＴＲ１と、を備える。トランジスタＴＲ１のベース端子は、フォトダイオード１１のアノード端子および帰還抵抗１６の一端に接続されている。トランジスタＴＲ１のエミッタ端子は、抵抗Ｒ２の一端に接続されている。抵抗Ｒ２の他端は、グランドされている。また、トランジスタＴＲ１のコレクタ端子は、エミッタフォロア回路１５のトランジスタＴＲ２のベース端子および抵抗Ｒ１の一端に接続されている。そして、抵抗Ｒ１の他端には、直流電圧Ｖｄｄ（例えば、３．３ボルト）が印加されている。

上述の接続から、エミッタ接地回路１４は、フォトダイオード１１から出力された電流信号Ｉｏｕｔの一部をトランジスタＴＲ１のベース端子から入力して増幅し、増幅した電流信号を、トランジスタＴＲ１のコレクタ端子から出力する。

エミッタフォロア回路１５は、エミッタ接地回路１４から出力された増幅後の電流信号を電圧に変換し、変換した電圧（電圧信号）を、リミッティングアンプ１３に出力する緩衝増幅回路である。

エミッタフォロア回路１５は、ｎｐｎ型のトランジスタＴＲ２と、直流電流Ｉｅａを供給する電流源Ｓと、を備える。

トランジスタＴＲ２のベース端子は、エミッタ接地回路１４のトランジスタＴＲ１のコレクタ端子に接続されている。トランジスタＴＲ２のコレクタ端子は、電流検出回路（トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃと同じ値を示す電流Ｉｃａを、電流電圧変換回路１８に出力する回路）１７に設けられた検出端子（トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃを検出するための端子）に接続されている。また、トランジスタＴＲ２のエミッタ端子は、帰還抵抗１６の他端および電流源Ｓの入力端子に接続されている。また、トランジスタＴＲ２のエミッタ端子は、出力端子Ｖｏｕｔを介して、リミッティングアンプ１３の入力端子に接続されている。そして、電流源Ｓの出力端子は、グランドされている。

上述の接続から、エミッタフォロア回路１５は、エミッタ接地回路１４から出力された増幅後の電流信号を、トランジスタＴＲ２のベース端子から入力し、入力した増幅後の電流信号を電圧に変換し、変換した電圧信号を、出力端子Ｖｏｕｔを介して、リミッティングアンプ１３に出力する。

帰還抵抗１６は、エミッタ接地回路１４のトランジスタＴＲ１のベース端子に流れ込む電流Ｉｒを調整するための抵抗である。帰還抵抗１６は、トランジスタＴＲ１のベース端子と電流源Ｓの入力端子との間に直列に接続されている。

帰還抵抗１６は、可変抵抗であり、レベル変換回路１９から出力される電圧の値に基づいて、自己の抵抗値を変化させる。具体的には、帰還抵抗１６は、レベル変換回路１９から出力される電圧が大きくなれば、それに伴い、自己の抵抗値を大きくし、レベル変換回路１９から出力される電圧が小さくなれば、それに伴い、自己の抵抗値を小さくする。帰還抵抗１６の抵抗値に応じて、トランスインピーダンスアンプ１２の利得（入力された電流信号を電圧信号に変換する利得）が決定される。具体的には、帰還抵抗１６の抵抗値が大きくなれば、トランスインピーダンスアンプ１２の利得が大きくなり、帰還抵抗１６の抵抗値が小さくなれば、トランスインピーダンスアンプ１２の利得が小さくなる。

電流検出回路１７は、前述の通り、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃと同じ値を示す電流Ｉｃａを、電流電圧変換回路１８に出力する。電流検出回路１７は、例えば、倍率が１のカレントミラー回路から構成されている。電流検出回路１７が、例えば、倍率が１のカレントミラー回路で構成されている場合、このカレントミラー回路の入力端子（トランジスタでダイオードが形成された側の電流入力端子）が、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流を検出するための検出端子として、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に接続されている。そして、カレントミラー回路の出力端子（ダイオードを形成するトランジスタと対向するトランジスタ側の電流出力端子）が、電流電圧変換回路１８の入力端子に接続されている。

また、トランジスタＴＲ２のエミッタ端子に、直流電流Ｉｅａを供給する電流源Ｓの入力端子が接続されている。そして、トランジスタＴＲ２のエミッタ端子と電流源Ｓの入力端子との間に、電流Ｉｒを電流源Ｓに流れ込ませる帰還抵抗１６の他端が接続されている。よって、電流検出回路１７から電流電圧変換回路１８に出力される電流Ｉｃａは、電流源Ｓに流れ込む定電流Ｉｅａから、帰還抵抗１６を介して電流源Ｓに流れ込んだ電流Ｉｒを引いた電流になる（リミッティングアンプ１３の入力端子に流れ込む電流は、ほぼゼロのため）。ここで、電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｅａは、電流Ｉｏｕｔと比較して十分大きい。よって、電流検出回路１７は、電流Ｉｒの変化を精度良く反映させた電流Ｉｃａ（フォトダイオード１１から出力された電流信号Ｉｏｕｔの値に対応する（依存する）、電流信号Ｉｏｕｔの値よりも大きい値を示す電流）を生成することができる。

電流電圧変換回路１８は、電流検出回路１７から出力された電流Ｉｃａ（電流Ｉｃと同じ値を示す電流）を電圧に変換し、変換した電圧を、レベル変換回路１９に出力する。電流電圧変換回路１８は、帰還抵抗１６を介して電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｒが減少して、電流Ｉｃａが増加すると、それに伴い、出力する電圧を増加させ、帰還抵抗１６を介して電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｒが増加して、電流Ｉｃａが減少すれば、それに伴い、出力する電圧を減少させる。電流電圧変換回路１８は、例えば、抵抗回路（分圧回路）で構成される。電流電圧変換回路１８の入力端子は、電流検出回路１７の出力端子に接続されている。また、電流電圧変換回路１８の出力端子は、レベル変換回路１９の入力端子に接続されている。

レベル変換回路１９は、電流電圧変換回路１８から出力された電圧を、予め定められた範囲に収まる値を示す電圧に降圧し、降圧した電圧を、帰還抵抗１６の入力端子に印加する。電流電圧変換回路１８から出力される電圧が、例えば、０〜５ボルトであり、予め定められた範囲が、例えば、０〜３ボルトである場合、レベル変換回路１９は、５ボルトの電圧を３ボルトの電圧に降圧し、２．５ボルトの電圧を１．５ボルトに降圧し、ゼロボルトの電圧をゼロボルトの電圧に降圧して、降圧後の電圧を、出力端子を介して、帰還抵抗１６の入力端子に印加する。レベル変換回路１９は、例えば、分圧回路で構成される。レベル変換回路１９の入力端子は、電流電圧変換回路１８の出力端子に接続されている。また、レベル変換回路１９の出力端子は、帰還抵抗１６の入力端子に接続されている。

リミッティングアンプ１３は、エミッタフォロア回路１５から出力された電圧信号を予め定められた増幅率で増幅して、増幅した電圧信号を、ＯＵＴ端子に出力する。リミッティングアンプ１３は、例えば、オペアンプから構成される。リミッティングアンプ１３の入力端子は、エミッタフォロア回路１５の出力端子Ｖｏｕｔに接続されている。また、リミッティングアンプ１３の出力端子は、ＯＵＴ端子に接続されている。

上述した構成の受信器１０の動作を説明する。図２（ａ）に記載のゼロ〜Ｔ１時に示すように、フォトダイオード１１でパケット信号（光信号）が受信されていない場合、即ち、無入力の場合、図２（ｂ）に記載のゼロ〜Ｔ１時に示すように、フォトダイオード１１から電流信号Ｉｏｕｔは出力されない。よって、帰還抵抗１６を流れ、電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｒは、ゼロである（図２（ｂ）参照）。また、トランジスタＴＲ１（図１参照）は、遮断状態である。このとき、電流源Ｓには、電流Ｉｅａが流れ込む。この電流Ｉｅａは、電流Ｉｒがゼロであることから、トランジスタＴＲ２のエミッタ端子から出力される電流Ｉｅと同じ値になる。つまり、トランジスタＴＲ２は導通状態である。ここで、トランジスタＴＲ２のベース端子に流れ込む電流Ｉｂは、トランジスタＴＲ２のエミッタ端子から出力される電流ＩｅおよびトランジスタＴＲ２のコレクタ端子へ流れ込む電流Ｉｃに比べて十分に小さい。よって、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃは、トランジスタＴＲ２のエミッタ端子から出力される電流Ｉｅ、即ち、電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｅａと同じ値である。

一方、フォトダイオード１１で、パケット信号（光信号）が受信されている場合（図２（ａ）に記載のＴ１時〜Ｔ３時参照）、フォトダイオード１１から、電流信号Ｉｏｕｔが出力される。よって、電流Ｉｒが、帰還抵抗１６を流れて電流源Ｓに流れ込む。また、トランジスタＴＲ１は、導通状態になる。このとき、電流源Ｓに流れ込む電流は、図２（ｂ）に示すように、電流Ｉｅａで一定である。よって、トランジスタＴＲ２のエミッタ端子から出力される電流Ｉｅ、言い換えれば、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃは、図２（ｂ）に示すように、電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｅａから電流Ｉｒを引いた値であり、電流Ｉｒよりも大きい電流になる。

ここで、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が大きくなるにつれて（図２（ａ）に記載のＴ１時〜Ｔ２時参照）、フォトダイオード１１から出力される電流信号Ｉｏｕｔの値が大きくなるので、電流Ｉｒの値も大きくなる（図２（ｂ）に記載のＴ１時〜Ｔ２時参照）。よって、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が大きくなるにつれて、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃが小さくなる（図２（ｂ）に記載のＴ１時〜Ｔ２時参照）。すると、電流検出回路１７から電流電圧変換回路１８に出力される電流Ｉｃａも小さくなる。これにより、電流電圧変換回路１８からレベル変換回路１９に出力される電圧も小さくなる。よって、レベル変換回路１９から帰還抵抗１６の入力端子に印加される電圧も小さくなり、帰還抵抗１６は、抵抗値を小さくする。従って、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が大きくなるにつれて、トランスインピーダンスアンプ１２は、利得（入力された電流信号を電圧信号に変換する利得）を小さくする。

一方、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が小さくなるにつれて（図２（ａ）に記載のＴ２時〜Ｔ３時参照）、フォトダイオード１１から出力される電流信号Ｉｏｕｔの値が小さくなるので、電流Ｉｒの値も小さくなる（図２（ｂ）に記載のＴ２時〜Ｔ３時参照）。よって、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が小さくなるにつれて、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃが大きくなる（図２（ｂ）に記載のＴ２時〜Ｔ３時参照）。すると、電流検出回路１７から電流電圧変換回路１８に出力される電流Ｉｃａも大きくなる。これにより、電流電圧変換回路１８からレベル変換回路１９に出力される電圧も大きくなる。よって、レベル変換回路１９から帰還抵抗１６の入力端子に印加される電圧も大きくなり、帰還抵抗１６は、抵抗値を大きくする。従って、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が小さくなるにつれて、トランスインピーダンスアンプ１２は、利得（入力された電流信号を電圧信号に変換する利得）を大きくする。

このように、帰還抵抗１６は、レベル変換回路１９から出力される電圧の大きさに基づいて、言い換えれば、電流検出回路１７から出力される電流Ｉｃａの大きさに基づいて、トランスインピーダンスアンプ１２の利得を変化させる。よって、トランスインピーダンスアンプ１２は、出力端子Ｖｏｕｔから出力される電圧信号を均一の振幅にすることができる。

上述した通り、本実施の形態の受信器１０に設けられたトランスインピーダンスアンプ１２は、電流検出回路１７から出力される電流Ｉｃａの大きさに基づいて、言い換えれば、フォトダイオード１１から出力される電流Ｉｏｕｔに基づいて、利得を変化させる。よって、本実施の形態の受信器１０によれば、利得の変化に基づいて制御を行うフィードバック制御と比較して、短時間に所望の利得に収束させることが可能である。

また、本実施の形態の受信器１０によれば、フォトダイオード１１から出力された電流Ｉｏｕｔの値に対応する（依存する）、電流信号Ｉｏｕｔの値よりも大きい値を示す電流Ｉｃａの大きさに基づいて、トランスインピーダンスアンプ１２の利得を変化させる。具体的には、受信器１０は、フォトダイオード１１から出力された電流Ｉｏｕｔそのもので、トランスインピーダンスアンプ１２の利得を変化させるのではなく、電流Ｉｏｕｔの値に対応する、電流信号Ｉｏｕｔの値よりも大きい値を示す電流Ｉｃａを生成し、生成した電流Ｉｃａの大きさに基づいて、トランスインピーダンスアンプ１２の利得を変化させる。このように、トランスインピーダンスアンプ１２は、電流Ｉｃａを生成するために（利得を変化させるために）、フォトダイオード１１から出力された電流Ｉｏｕｔを、検出するに留まる。よって、トランスインピーダンスアンプ１２に印加される電圧（電圧Ｖｄｄ）を、フォトダイオード１１に印加される逆バイアス電圧（電圧Ｖｃｃ）よりも、低くすることができる。つまり、トランスインピーダンスアンプ１２の耐圧を、フォトダイオード１１の耐圧と同程度の高い耐圧にする必要がない。同様に、リミッティングアンプ１３の耐圧を、フォトダイオード１１の耐圧と同程度の高い耐圧にする必要がない。よって、受信器１０は、フォトダイオード１１を除いて、高い耐圧を持つ素子を必要としない。従って、受信器１０を一様な耐圧を持つ機能部、即ち、トランスインピーダンスアンプ１２およびリミッティングアンプ１３で構成することができる。従って、本実施の形態の受信器１０によれば、トランスインピーダンスアンプ１２およびリミッティングアンプ１３を、同一のＩＣ上に集積化することができる。

（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２に係る受信器２０を、図３を参照して説明する。受信器２０は、実施の形態１の受信器１０とは回路構成の一部が違うものの、受信器１０をより具体的にしたものである。即ち、受信器２０は、受信器１０で使用されていたトランスインピーダンスアンプ１２をトランスアンプインピーダンス２２に変更したものである。

トランスアンプインピーダンス２２は、帰還抵抗１６を帰還抵抗部２６に変更し、電流検出回路１７を電流検出回路２７に変更し、電流電圧変換回路１８およびレベル変換回路１９を変換回路２８に変更したものである。受信器２０のその他の回路構成は、受信器１０と同一である。なお、受信器２０の回路構成を示す図３では、受信器１０と同一の構成については、受信器１０と同一の番号を付している。

トランスインピーダンスアンプ２２は、エミッタ接地回路１４と、エミッタフォロア回路１５と、帰還抵抗部２６と、電流検出回路２７と、変換回路２８と、を備える。

帰還抵抗部２６は、エミッタ接地回路１４のトランジスタＴＲ１のベース端子に流れ込む電流Ｉｒを調整する。帰還抵抗部２６は、トランジスタＴＲ１のベース端子と電流源Ｓの入力端子との間に直列に接続されている。

具体的には、帰還抵抗部２６は、抵抗ＲＬとｐＭＯＳ（positive channel Metal Oxide Semiconductor）型電界効果トランジスタＭとを、備えている。抵抗ＲＬの一端は、電界効果トランジスタＭのソース端子およびトランジスタＴＲ１のベース端子に接続されている。抵抗ＲＬの他端は、電界効果トランジスタＭのドレイン端子およびトランジスタＴＲ２のエミッタ端子に接続されている。また、電界効果トランジスタＭのゲート端子は、実施の形態１のレベル変換回路１９の役割を果たすダミートランスインピーダンスアンプＡＰの出力端子に接続されている。

帰還抵抗部２６は、電界効果トランジスタＭのゲート端子に印加された電圧の値に基づいて、抵抗成分を変化させる。具体的には、帰還抵抗部２６は、電界効果トランジスタＭのゲート端子に印加された電圧が大きくなれば、それに伴い、電界効果トランジスタＭのドレイン−ソース間の抵抗成分を大きくして、帰還抵抗部２６の抵抗成分を大きくし、電界効果トランジスタＭのゲート端子に印加された電圧が小さくなれば、それに伴い、電界効果トランジスタＭのドレイン−ソース間の抵抗成分を小さくして、帰還抵抗部２６の抵抗成分を小さくする。帰還抵抗部２６の抵抗成分に応じて、トランスインピーダンスアンプ１２の利得（入力された電流信号を電圧信号に変換する利得）が決定される。具体的には、帰還抵抗部２６の抵抗成分が大きくなれば、トランスインピーダンスアンプ１２の利得が大きくなり、帰還抵抗部２６の抵抗成分が小さくなれば、トランスインピーダンスアンプ１２の利得が小さくなる。

電流検出回路２７は、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃと同じ値を示すミラー電流Ｉｃを、トランジスタＴＲ４のコレクタ端子から出力する。電流検出回路２７は、ｐｎｐ型のトランジスタＴＲ３，ＴＲ４および電流源Ｔから構成されている。

トランジスタＴＲ３のエミッタ端子には、直流電圧Ｖｄｄが印加されている。また、トランジスタＴＲ３のコレクタ端子およびトランジスタＴＲ３のベース端子は、トランジスタＴＲ４のベース端子およびトランジスタＴＲ２のコレクタ端子に接続されている。また、トランジスタＴＲ４のエミッタ端子には、直流電圧Ｖｄｄが印加されている。そして、トランジスタＴＲ４のコレクタ端子は、変換回路２８のトランジスタＴＲ５のコレクタ端子および電流源Ｔ（電流源Ｓと同じ値の電流Ｉｅａを供給する電流源）の入力端子と接続されている。上述の接続により、電流検出回路２７は、トランジスタＴＲ３およびトランジスタＴＲ４で、倍率が１のカレントミラー回路を構成している。よって、トランジスタＴＲ３のエミッタ端子（言い換えれば、カレントミラー回路の入力端子）からトランジスタＴＲ２のコレクタ端子に、電流Ｉｃが流れ込むと、電流検出回路２７は、同じ値を示すミラー電流Ｉｃを、トランジスタＴＲ４のコレクタ端子（言い換えれば、カレントミラー回路の出力端子）から出力する。

ここで、電流検出回路２７は、トランジスタＴＲ４のコレクタ端子と電流源Ｔの入力端子との間に、外部端子Ｇを有している。電流検出回路２７は、この外部端子から、電流Ｉｉｎを、引き込んで、電流源Ｔに流し込む。この電流Ｉｉｎは、ミラー電流Ｉｃが、電流源Ｔに流れ込む電流Ｉｅａに対して不足する分の電流である。ここで、ミラー電流Ｉｃは、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃと同じ値を示し、電流源Ｔに流れ込む電流Ｉｅａは、電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｅａと同じ値を示す。よって、外部端子Ｇから引き込まれて電流源Ｔに流れ込む電流Ｉｉｎは、帰還抵抗部２６を介して電流源Ｓに流れ込んだ電流Ｉｒと同じ値を示す。ここで、電流源Ｓ，Ｔのそれぞれに流れ込む電流Ｉｅａは、電流Ｉｏｕｔと比較して十分大きい。よって、電流検出回路２７は、フォトダイオード１１から出力された電流信号Ｉｏｕｔの値に対応する（依存する）、電流信号Ｉｏｕｔの値よりも大きい値を示す電流Ｉｃを生成し、生成した電流Ｉｃから、電流Ｉｒの変化を精度良く反映させた電流Ｉｉｎを生成することができる。

変換回路２８は、外部端子Ｇから引き込む電流Ｉｉｎを電圧に変換し、変換した電圧を、電界効果トランジスタＭのゲート端子に印加する。

変換回路２８は、ｐｎｐ型のトランジスタＴＲ５，ＴＲ６、例えばオペアンプで構成されるダミートランスインピーダンスアンプＡＰおよび抵抗Ｒ３から構成されている。トランジスタＴＲ５のエミッタ端子には、直流電圧Ｖｄｄが印加されている。また、トランジスタＴＲ５のコレクタ端子およびトランジスタＴＲ５のベース端子は、トランジスタＴＲ４のコレクタ端子および電流源Ｔの入力端子に接続されている。また、トランジスタＴＲ６のエミッタ端子には、直流電圧Ｖｄｄが印加されている。そして、トランジスタＴＲ６のコレクタ端子は、ダミートランスインピーダンスアンプＡＰの入力端子および抵抗Ｒ３の一端に接続されている。上述の接続により、変換回路２８は、トランジスタＴＲ５およびトランジスタＴＲ６で、カレントミラー回路を構成している。よって、外部端子Ｇから電流Ｉｉｎが引き込まれると、変換回路２８は、同じ値を示す電流Ｉｉｎを、トランジスタＴＲ６のコレクタ端子から出力する。

また、トランジスタＴＲ５のコレクタ端子は、ダミートランスインピーダンスアンプＡＰのマイナス入力端子および抵抗Ｒ３の一端に接続されている。そして、ダミートランスインピーダンスアンプＡＰの出力端子および抵抗Ｒ３の他端は、電界効果トランジスタＭのゲート端子に接続されている。なお、ダミートランスインピーダンスアンプＡＰの出力端子には、バイアス電圧が印加されている（不図示）。また、ダミートランスインピーダンスアンプＡＰのプラス入力端子は、グランドされている。

この接続により、ダミートランスインピーダンスアンプＡＰおよび抵抗Ｒ３で、反転増幅回路を構成している。よって、変換回路２８は、トランジスタＴＲ６のコレクタ端子から出力される電流Ｉｉｎが小さくなれば（即ち、フォトダイオード１１で受光されたパケット信号の受光強度が弱くなれば）、電界効果トランジスタＭのゲート端子に印加する電圧を大きくし、トランジスタＴＲ６のコレクタ端子から出力される電流Ｉｉｎが大きくなれば（即ち、フォトダイオード１１で受光されたパケット信号の受光強度が強くなれば）、電界効果トランジスタＭのゲート端子に印加する電圧を小さくする。

上述した受信器２０では、フォトダイオード１１でパケット信号（光信号）が受信されている場合、フォトダイオード１１は、電流Ｉｏｕｔを出力する。よって、電流Ｉｒが、帰還抵抗部２６を流れて電流源Ｓに流れ込む。また、トランジスタＴＲ１は、導通状態になる。このとき、電流源Ｓに流れ込む電流は、電流Ｉｅａで一定である。よって、トランジスタＴＲ２のエミッタ端子から出力される電流Ｉｅ、言い換えれば、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃは、電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｅａから電流Ｉｒを引いた値になる。

ここで、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が大きくなるにつれて、フォトダイオード１１から出力される電流信号Ｉｏｕｔの値が大きくなるので、電流Ｉｒの値も大きくなる。よって、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が大きくなるにつれて、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃが小さくなる。すると、トランジスタＴＲ４のコレクタ端子から出力される電流Ｉｃが小さくなるので、外部端子Ｇから電流源Ｔに流れ込む電流Ｉｉｎは大きくなる。これにより、トランジスタＴＲ６のコレクタ端子から出力される電流Ｉｉｎが大きくなり、結果、電界効果トランジスタＭのゲート端子に印加される電圧が小さくなる。すると、電界効果トランジスタＭのドレイン−ソース間の抵抗成分が小さくなることから、帰還抵抗部２６の抵抗成分が小さくなる。従って、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が大きくなるにつれて、トランスインピーダンスアンプ１２は、利得（入力された電流信号を電圧信号に変換する利得）を小さくする。

一方、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が小さくなるにつれて、フォトダイオード１１から出力される電流信号Ｉｏｕｔの値が小さくなるので、電流Ｉｒの値も小さくなる。よって、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が小さくなるにつれて、トランジスタＴＲ２のコレクタ端子に流れ込む電流Ｉｃが大きくなる。すると、トランジスタＴＲ４のコレクタ端子から出力される電流Ｉｃが大きくなるので、外部端子Ｇから電流源Ｔに流れ込む電流Ｉｉｎは小さくなる。これにより、トランジスタＴＲ６のコレクタ端子から出力される電流Ｉｉｎが小さくなり、結果、電界効果トランジスタＭのゲート端子に印加される電圧が大きくなる。すると、電界効果トランジスタＭのドレイン−ソース間の抵抗成分が大きくなることから、帰還抵抗部２６の抵抗成分が大きくなる。従って、フォトダイオード１１で受信されたパケット信号の強度が小さくなるにつれて、トランスインピーダンスアンプ１２は、利得（入力された電流信号を電圧信号に変換する利得）を大きくする。

このように、帰還抵抗部２６は、電界効果トランジスタＭのゲート端子に印加される電圧の大きさに基づいて、言い換えれば、電流検出回路２７から出力されるミラー電流Ｉｃの大きさに基づいて、トランスインピーダンスアンプ１２の利得を変化させる。よって、トランスインピーダンスアンプ１２は、出力端子Ｖｏｕｔから出力される電圧信号を均一の振幅にすることができる。

上述した通り、本実施の形態の受信器２０に設けられたトランスインピーダンスアンプ２２は、電流検出回路２７から出力されるミラー電流Ｉｃの大きさに基づいて、言い換えれば、フォトダイオード１１から出力される電流Ｉｏｕｔに基づいて、利得を変化させる。よって、本実施の形態の受信器２０によれば、利得の変化に基づいて制御を行うフィードバック制御と比較して、短時間に所望の利得に収束させることが可能である。

また、本実施の形態の受信器２０によれば、フォトダイオード１１から出力された電流Ｉｏｕｔの値に対応する（依存する）、電流信号Ｉｏｕｔの値よりも大きい値を示す電流Ｉｃを生成し、生成した電流Ｉｃから、電流Ｉｒの変化を精度良く反映させた電流Ｉｉｎを生成する。そして、受信器２０は、生成した電流Ｉｉｎの大きさに基づいて（電流Ｉｃの大きさに基づいて）、トランスインピーダンスアンプ２２の利得を変化させる。具体的には、受信器２０は、フォトダイオード１１から出力された電流Ｉｏｕｔそのもので、トランスインピーダンスアンプ２２の利得を変化させるのではなく、電流Ｉｃから電流Ｉｉｎを生成し、生成した電流Ｉｉｎの大きさに基づいて、トランスインピーダンスアンプ２２の利得を変化させる。このように、トランスインピーダンスアンプ２２は、電流Ｉｉｎを生成するために（利得を変化させるために）、フォトダイオード１１から出力された電流Ｉｏｕｔを、検出するに留まる。よって、トランスインピーダンスアンプ２２に印加される電圧（電圧Ｖｄｄ）を、フォトダイオード１１に印加される逆バイアス電圧（電圧Ｖｃｃ）よりも、低くすることができる。つまり、トランスインピーダンスアンプ２２の耐圧を、フォトダイオード１１の耐圧と同程度の高い耐圧にする必要がない。同様に、帰還抵抗部２６、電流検出回路２７、変換回路２８およびリミッティングアンプ１３の耐圧を、フォトダイオード１１の耐圧と同程度の高い耐圧にする必要がない。よって、受信器２０は、フォトダイオード１１を除いて、高い耐圧を持つ素子を必要としない。従って、受信器２０を一様な耐圧を持つ機能部、即ち、トランスインピーダンスアンプ２２、帰還抵抗部２６、電流検出回路２７、変換回路２８およびリミッティングアンプ１３で構成することができる。よって、本実施の形態の受信器２０によれば、トランスインピーダンスアンプ２２、帰還抵抗部２６、電流検出回路２７、変換回路２８およびリミッティングアンプ１３を、同一のＩＣ上に集積化することができる。

また、本実施の形態の受信器２０に設けられたダミートランスインピーダンスアンプＡＰを、トランスインピーダンスアンプ２２と同様、エミッタ接地回路１４およびエミッタフォア回路１５で構成する場合には、ダミートランスインピーダンスアンプＡＰとトランスインピーダンスアンプ２２との回路構成が同じになる。よって、雰囲気温度が変化した場合、または、直流電圧Ｖｄｄが変化した場合、或いはその両方が変化した場合等の、環境の変化が発生した場合でも、トランスインピーダンスアンプ２２のトランジスタＴＲ１のベース端子に印加される電圧と、ダミートランスインピーダンス１０の入力端子に印加される電圧とが、同様な変化を示す。また、帰還抵抗部２６の電界効果トランジスタＭのソース端子が、トランスインピーダンスアンプ２２のトランジスタＴＲ１のベース端子に接続されているので、電界効果トランジスタＭのソース−ゲート端子間に印加される電圧も、トランジスタＴＲ１のベース端子に印加される電圧と同様な変化を示す。よって、本実施の形態の受信器２０によれば、環境の変化の影響を受け難い。

以上、本発明の実施形態を説明したが、この発明は上記の実施の形態に限定されず、種々の変形および応用が可能である。

例えば、各実施の形態の受信器１０，２０は、パケット信号（光信号）の受光に、フォトダイオードを用いたが、これに限られるものではない。即ち、各実施の形態の受信器１０，２０は、フォトダイオードの代わりに、フォトトランジスタを用いて、パケット信号を受光してもよい。

また、実施の形態１の受信器１０の電圧電流変換回路１８は、帰還抵抗１６を介して電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｒが増加して、電流Ｉｃａが減少すれば、それに伴い、出力する電圧を減少させ、帰還抵抗１６を介して電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｒが減少して、電流Ｉｃａが増加すれば、それに伴い、出力する電圧を増加させたが、これに限られるものではない。即ち、電圧電流変換回路１８は、帰還抵抗１６を介して電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｒが増加して、電流Ｉｃａが減少すれば、出力する電圧を増加させ、帰還抵抗１６を介して電流源Ｓに流れ込む電流Ｉｒが減少して、電流Ｉｃａが増加すれば、出力する電圧を減少させてもよい。この場合、帰還抵抗１６を、次のように構成すればよい。即ち、帰還抵抗１６を、レベル変換回路１９から出力される電圧が大きくなれば、自己の抵抗値を小さくし、レベル変換回路１９から出力される電圧が小さくなれば、自己の抵抗値を大きくするよう、構成すればよい。

また、実施の形態２の受信器２０は、変換回路２８に、トランジスタＴＲ５，ＴＲ６から構成されるカレントミラー回路を設けたが、これに限られるものではない。即ち、トランジスタＴＲ５，ＴＲ６から構成されるカレントミラー回路を、変換回路２８から取り除いてもよい。この構成の場合、電流生成部２７に設けられた電流源Ｔを取り除き、電流生成部２７に設けられたトランジスタＴＲ４のコレクタ端子に、ダミートランスインピーダンスアンプＡＰの入力端子および抵抗Ｒ３の一端を接続すればよい。

この構成により、受信器２０に設けられたトランスインピーダンスアンプ２２は、フォトダイオード１１から出力される電流Ｉｏｕｔを検出することができる。よって、上述の受信器２０によれば、フォトダイオード１１から出力された電流Ｉｏｕｔの値に対応する（依存する）、電流信号Ｉｏｕｔの値よりも大きい値を示す電流Ｉｃの大きさに基づいて、トランスインピーダンスアンプ２２の利得を変化させる。具体的には、受信器２０は、フォトダイオード１１から出力された電流Ｉｏｕｔそのもので、トランスインピーダンスアンプ２２の利得を変化させるのではなく、電流Ｉｏｕｔの値に対応する、電流信号Ｉｏｕｔの値よりも大きい値を示す電流Ｉｃを生成し、生成した電流Ｉｃの大きさに基づいて、トランスインピーダンスアンプ２２の利得を変化させる。このように、トランスインピーダンスアンプ２２は、電流Ｉｃを生成するために（利得を変化させるために）、フォトダイオード１１から出力された電流Ｉｏｕｔを、検出するに留まる。よって、トランスインピーダンスアンプ２２に印加される電圧（電圧Ｖｄｄ）を、フォトダイオード１１に印加される逆バイアス電圧（電圧Ｖｃｃ）よりも、低くすることができる。これにより、トランスインピーダンスアンプ２２の耐圧を、フォトダイオード１１の耐圧と同程度の高い耐圧にする必要がない。同様に、帰還抵抗部２６、電流検出回路２７、変換回路２８およびリミッティングアンプ１３の耐圧を、フォトダイオード１１の耐圧と同程度の高い耐圧にする必要がない。よって、受信器２０は、フォトダイオード１１を除いて、高い耐圧を持つ素子を必要としない。

従って、受信器２０を一様な耐圧を持つ機能部、即ち、トランスインピーダンスアンプ２２（トランジスタＴＲ５，ＴＲ６から構成されるカレントミラー回路および電流源Ｔを取り除いた構成）、帰還抵抗部２６、電流検出回路２７、変換回路２８およびリミッティングアンプ１３で構成することができる。よって、トランジスタＴＲ５，ＴＲ６から構成されるカレントミラー回路および電流源Ｔを取り除いた構成の受信器２０によれば、トランスインピーダンスアンプ２２、帰還抵抗部２６、電流検出回路２７、変換回路２８およびリミッティングアンプ１３を、同一のＩＣ上に集積化することができる。

また、実施の形態２の受信器２０は、ｐｎｐ型のトランジスタＴＲ３〜ＴＲ５を用いて、カレントミラー回路を構成したが、これに限られるものではない。即ち、受信器２０は、ｎｐｎ型のトランジスタＴＲ３〜ＴＲ５を用いて、カレントミラー回路を構成してもよい。

また、実施の形態２の受信器２０は、帰還抵抗部２６に、ｐＭＯＳ（型電界効果トランジスタＭを用いたが、これに限られるものではない。即ち、帰還抵抗部２６に、ｐＭＯＳ型トランジスタＭに代えて、ｎＭＯＳ（negative channel Metal Oxide Semiconductor）型トランジスタを用いてもよい。この場合、ダミートランスインピーダンスアンプＡＰおよび抵抗Ｒ３を、受信器２０から取り外し、代わりに、非反転回路を用いる。そして、非反転回路の入力端子に、変換回路２８のトランジスタＴＲ６のコレクタ端子を接続し、非反転回路の出力端子に、ｎＭＯＳ型トランジスタのゲート端子を接続する。そして、ｎＭＯＳ型トランジスタのソース端子を、エミッタ接地回路１４のトランジスタＴＲ１のベース端子に接続し、ｎＭＯＳ型トランジスタのドレイン端子を、電流源Ｓの入力端子に接続すればよい。

本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。すなわち、本発明の範囲は、上述した実施形態ではなく、請求の範囲によって示される。そして、請求の範囲内およびそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、本発明の範囲内とみなされる。

１０，２０ 受信器、１１ フォトダイオード、１２，２２ トランスインピーダンスアンプ、１３ リミッティングアンプ、１４ エミッタ接地回路、１５ エミッタフォロア回路、１６ 帰還抵抗、１７，２７ 電流検出回路、１８ 電流電圧変換回路、１９ レベル変換回路、２６ 帰還抵抗部、２８ 変換回路

Claims (7)

1. 受光した光信号の強度に対応した値を示す電流信号を出力する受光部と、
   前記受光部から出力された電流信号を増幅して電圧信号に変換し、変換した電圧信号を出力する増幅変換部と、
   前記受光部から出力された電流信号が前記増幅変換部で増幅された電流と同じ値を示す電流を生成する電流生成部と、
   前記電流生成部で生成された電流の大きさに基づいて、前記増幅変換部の利得を変化させる変化部と、を備え、
   前記増幅変換部は、
   第１のトランジスタを有し、前記受光部から出力された電流信号を前記第１のトランジスタのベース端子から入力して増幅し、増幅した電流信号を、前記第１のトランジスタのコレクタ端子から出力するエミッタ接地回路と、
   前記エミッタ接地回路に設けられた第１のトランジスタのコレクタ端子に、ベース端子が接続された第２のトランジスタを有し、前記第２のトランジスタのエミッタ端子に、増幅された電流信号を電圧に変換した電圧信号を出力する出力端子が接続され、前記第２のトランジスタのコレクタ端子に、そのコレクタ端子に流れ込む電流を検出するための前記電流生成部の検出端子が接続されたエミッタフォロア回路と、を備え、
   前記電流生成部は、前記検出端子を介して検出した前記第２のトランジスタのコレクタ端子に流れ込む電流と同じ値を示す電流を生成し、
   前記変化部は、前記電流生成部で生成された、前記第２のトランジスタのコレクタ端子に流れ込む電流と同じ値を示す電流の大きさに基づいて、前記増幅変換部の利得を変化させる、
   受信器。
2. 前記エミッタフォロア回路の第２のトランジスタのエミッタ端子に、入力端子が接続された、定電流を出力する第１の電流源を備え、
   前記変化部は、前記第１のトランジスタのベース端子と前記第１の電流源の入力端子との間に直列に接続され、前記電流生成部で生成された電流の大きさに基づいて、自己の抵抗成分を変化させることで、前記増幅変換部の利得を変化させ、
   前記電流生成部は、前記第１の電流源に流れ込む定電流から、前記変化部を介して前記第１の電流源に流れ込んだ電流を引いた電流と同じ値を示す電流を生成する、
   請求項１に記載の受信器。
3. 前記電流生成部で生成された電流を電圧に変換し、変換した電圧を前記変化部の入力端子に印加する電流電圧変換部を備え、
   前記電流電圧変換部は、前記変化部を介して前記第１の電流源に流れ込んだ電流が減少して、前記電流生成部で生成される電流が増加すると、前記変化部の入力端子に印加する電圧を増加させ、前記変化部を介して前記第１の電流源に流れ込んだ電流が増加して、前記電流生成部で生成される電流が減少すると、前記変化部の入力端子に印加する電圧を減少させ、
   前記変化部は、前記入力端子に印加される電圧が増加すると、自己の抵抗成分を増加させて、前記増幅変換部の利得を増加させ、前記入力端子に印加される電圧が減少すると、自己の抵抗成分を減少させて、前記増幅変換部の利得を減少させる、
   請求項２に記載の受信器。
4. 前記エミッタフォロア回路に設けられた第２のトランジスタのエミッタ端子に、入力端子が接続された、定電流を出力する第１の電流源を備え、
   前記電流生成部は、
   前記エミッタフォロア回路に設けられた第２のトランジスタのコレクタ端子に、入力端子が接続され、その入力端子に入力された電流と同じ値を示すミラー電流を、出力端子から出力する第１のカレントミラー回路と、
   前記第１のカレントミラー回路の出力端子に、入力端子が接続された、前記第１の電流源と同じ値の定電流を出力する第２の電流源と、
   前記第１のカレントミラー回路の出力端子と前記第２の電流源の入力端子との間に接続された外部端子と、を備え、
   前記第１のカレントミラー回路の出力端子から出力されるミラー電流が、前記第２の電流源に流れ込む定電流に対して不足する分の電流を、前記外部端子から引き込むことで、前記変化部を介して前記第１の電流源に流れ込んだ電流と同じ値を示す電流を更に生成し、
   前記変化部は、
   前記第１のトランジスタのベース端子と前記第１の電流源の入力端子との間に直列に接続され、
   前記電流生成部で、前記第２のトランジスタのコレクタ端子に流れ込む電流と同じ値を示す電流に基づいて生成された、前記変化部を介して前記第１の電流源に流れ込んだ電流と同じ値を示す電流の大きさに基づいて、自己の抵抗成分を変化させることで、前記増幅変換部の利得を変化させる、
   請求項１に記載の受信器。
5. 前記電流生成部の外部端子に、入力端子が接続され、その入力端子から前記外部端子に引き込まれた電流と同じ値を示すミラー電流を、出力端子から出力する第２のカレントミラー回路と、
   前記第２のカレントミラー回路の出力端子に、入力端子が接続され、前記変化部の入力端子に、出力端子が接続された反転増幅回路と、を備え、
   前記反転増幅回路は、前記変化部を介して前記第１の電流源に流れ込んだ電流が減少して、前記第２のカレントミラー回路から出力されるミラー電流が減少すると、前記変化部の入力端子に印加する電圧を増加させ、前記変化部を介して前記第１の電流源に流れ込んだ電流が増加して、前記第２のカレントミラー回路から出力されるミラー電流が増加すると、前記変化部の入力端子に印加する電圧を減少させ、
   前記変化部は、前記入力端子に印加される電圧が増加すると、自己の抵抗成分を増加させて、前記増幅変換部の利得を増加させ、前記入力端子に印加される電圧が減少すると、自己の抵抗成分を減少させて、前記増幅変換部の利得を減少させる、
   請求項４に記載の受信器。
6. 前記変化部は、
   電界効果トランジスタと、
   前記電界効果トランジスタのソース端子に一方の端子が接続され、前記電界効果トランジスタのドレイン端子に他方の端子が接続された抵抗と、
   を備え、
   前記変化部の入力端子は、前記電界効果トランジスタのゲート端子である、
   請求項５に記載の受信器。
7. 受信器の受信方法であって、
   前記受信器が、受光した光信号の強度に対応した値を示す電流信号を受光部から出力させる受光ステップと、
   前記受信器が、前記受光部から出力された電流信号を増幅して電圧信号に変換し、変換した電圧信号を出力する増幅変換ステップと、
   前記受信器が、前記受光部から出力された電流信号が前記増幅変換ステップで増幅された電流と同じ値を示す電流を生成する電流生成ステップと、
   前記受信器が、前記電流生成ステップで生成された電流の大きさに基づいて、前記増幅変換ステップでの利得を変化させる変化ステップと、を備え、
   前記増幅変換ステップは、
   第１のトランジスタを有し、前記受光部から出力された電流信号を前記第１のトランジスタのベース端子から入力して増幅し、増幅した電流信号を、前記第１のトランジスタのコレクタ端子から出力するエミッタ接地回路と、
   前記エミッタ接地回路に設けられた第１のトランジスタのコレクタ端子に、ベース端子が接続された第２のトランジスタを有し、前記第２のトランジスタのエミッタ端子に、増幅された電流信号を電圧に変換した電圧信号を出力する出力端子が接続され、前記第２のトランジスタのコレクタ端子に、そのコレクタ端子に流れ込む電流を検出するための検出端子が接続されたエミッタフォロア回路と、を備える増幅変換部により実行され、
   前記電流生成ステップでは、前記検出端子を介して検出した前記第２のトランジスタのコレクタ端子に流れ込む電流と同じ値を示す電流を生成し、
   前記変化ステップでは、前記電流生成ステップで生成された、前記第２のトランジスタのコレクタ端子に流れ込む電流と同じ値を示す電流の大きさに基づいて、前記増幅変換ステップでの利得を変化させる、
   受信方法。

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