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JP6017994B2 - Electronic device mounting substrate and electronic device - Google Patents

Electronic device mounting substrate and electronic device Download PDF

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JP6017994B2 JP2013043038A JP2013043038A JP6017994B2 JP 6017994 B2 JP6017994 B2 JP 6017994B2 JP 2013043038 A JP2013043038 A JP 2013043038A JP 2013043038 A JP2013043038 A JP 2013043038A JP 6017994 B2 JP6017994 B2 JP 6017994B2
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Description

本発明は、電子素子搭載用基板および電子装置に関するものである。   The present invention relates to an electronic element mounting substrate and an electronic device.

例えば撮像装置等の電子装置は、電子素子搭載用基板と、その電子素子搭載用基板に実装された電子素子(例えばCMOS等の撮像素子)とを含んでいる。電子素子搭載用基板は、枠部を含んでいる絶縁基体と、枠部の上面に設けられた複数の接続端子と、枠部内において上下方向に設けられているとともに複数の接続端子に電気的に接続された複数のビア導体とを含んでいる(下記特許文献1を参照)。電子装置の小型化に伴って、複数のビア導体が枠部の壁面において絶縁基体から露出された構造が提案されている。   For example, an electronic apparatus such as an imaging device includes an electronic element mounting substrate and an electronic element (for example, an imaging element such as a CMOS) mounted on the electronic element mounting substrate. The substrate for mounting an electronic element includes an insulating base including a frame portion, a plurality of connection terminals provided on the upper surface of the frame portion, and provided vertically in the frame portion and electrically connected to the plurality of connection terminals. And a plurality of via conductors connected to each other (see Patent Document 1 below). With downsizing of electronic devices, a structure in which a plurality of via conductors are exposed from an insulating base on the wall surface of a frame portion has been proposed.

特開2006−201427号公報JP 2006-201427

今後、例えば撮像装置等の電子装置においては、枠部の壁面において絶縁基体から部分的に露出された複数のビア導体の保持力を確保しつつも全体の小型化を図ることが求められている。   In the future, for example, in an electronic device such as an imaging device, it is required to reduce the overall size while securing the holding force of a plurality of via conductors partially exposed from the insulating base on the wall surface of the frame portion. .

本発明の一つの態様によれば、電子素子搭載用基板は、枠部を含んでいる絶縁基体と、枠部の上面に設けられた複数の接続端子と、枠部内において上下方向に設けられた複数のビア導体とを含んでいる。複数のビア導体は、複数の接続端子に電気的に接続されており、枠部の壁面において絶縁基体から露出されている。さらに、複数のビア導体のうち隣り合うビア導体の壁面における間隔は、隣り合うビア導体の露出幅に応じて設けられており、隣り合う前記ビア導体の前記壁面における間隔は、隣り合う前記ビア導体の露出幅の合計以上の寸法であるAccording to one aspect of the present invention, the electronic element mounting substrate is provided in the vertical direction in the frame portion, the insulating base including the frame portion, the plurality of connection terminals provided on the upper surface of the frame portion, and the frame portion. A plurality of via conductors. The plurality of via conductors are electrically connected to the plurality of connection terminals, and are exposed from the insulating base on the wall surface of the frame portion. Furthermore, the interval between the wall surfaces of adjacent via conductors among the plurality of via conductors is provided according to the exposed width of the adjacent via conductor, and the interval between the adjacent wall surfaces of the via conductors is the adjacent via conductor. It is a dimension more than the sum total of the exposure width of .

本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記構成の電子素子搭載用基板と、その電子素子搭載用基板に実装されており複数の接続端子に電気的に接続された電子素子とを含んでいる。   According to another aspect of the present invention, an electronic device includes an electronic element mounting substrate having the above-described configuration, and an electronic element mounted on the electronic element mounting substrate and electrically connected to a plurality of connection terminals. Contains.

本発明の一つの態様による電子素子搭載用基板において、複数のビア導体のうち隣り合うビア導体の壁面における間隔は、隣り合うビア導体の露出幅に応じて設けられていることによって、絶縁基体による複数のビア導体の保持力を十分に確保しつつ小型化された電子装置を実現することができる。   In the electronic element mounting substrate according to one aspect of the present invention, the interval between the wall surfaces of adjacent via conductors among the plurality of via conductors is provided according to the exposed width of the adjacent via conductors, thereby depending on the insulating base. A downsized electronic device can be realized while sufficiently securing the holding force of the plurality of via conductors.

(a)は本発明の第1の実施形態における電子装置の平面図を示しており、(b)は(a)に示された電子装置のA−Aにおける縦断面図を示している。(A) has shown the top view of the electronic device in the 1st Embodiment of this invention, (b) has shown the longitudinal cross-sectional view in AA of the electronic device shown by (a). (a)は図1(a)に示された電子装置における電子素子搭載用基板の平面図を示しており、(b)は(a)に示された電子素子搭載用基板のA−Aにおける縦断面図を示している。1A is a plan view of an electronic element mounting substrate in the electronic apparatus shown in FIG. 1A, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of the electronic element mounting substrate shown in FIG. A longitudinal sectional view is shown. (a)は図1(a)に示された電子装置の変形例を示しており、(b)は(a)に示された電子装置のA−Aにおける縦断面図を示している。(A) has shown the modification of the electronic device shown by Fig.1 (a), (b) has shown the longitudinal cross-sectional view in AA of the electronic device shown by (a). (a)は本発明の第2の実施形態の電子装置における複数のビア導体の一つの配置例を示す平面図であり、(b)は複数のビア導体の他の配置例を示す平面図である。(A) is a top view which shows one example of arrangement | positioning of the several via conductor in the electronic device of the 2nd Embodiment of this invention, (b) is a top view which shows the other example of arrangement | positioning of a several via conductor. is there. 複数のビア導体の他の構造例を示す平面図である。It is a top view which shows the other structural example of a some via conductor. (a)は本発明の第3の実施形態の電子装置における電子素子搭載用基板の平面図を示しており、(b)は(a)に示された電子素子搭載用基板のA−Aにおける縦断面図を示している。(A) has shown the top view of the board | substrate for electronic element mounting in the electronic device of the 3rd Embodiment of this invention, (b) is in AA of the board | substrate for electronic element mounting shown to (a). A longitudinal sectional view is shown.

以下、本発明のいくつかの実施形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1に示されているように、本発明の第1の実施形態における電子装置は、電子素子搭載用基板1(以下、基板1ともいう)と、基板1に実装された電子素子2とを含んでいる。
(First embodiment)
As shown in FIG. 1, an electronic device according to a first embodiment of the present invention includes an electronic element mounting substrate 1 (hereinafter also referred to as a substrate 1) and an electronic element 2 mounted on the substrate 1. Contains.

図2に示されているように、基板1は、絶縁基体11と、絶縁基体11の上面に設けられた複数の接続端子12と、絶縁基体11内に設けられており絶縁基体11から部分的に露出された複数のビア導体13とを含んでいる。また、基板1は、絶縁基体11の内部および表面に設けられた配線導体(図示せず)をさらに含んでいる場合がある。   As shown in FIG. 2, the substrate 1 includes an insulating base 11, a plurality of connection terminals 12 provided on the upper surface of the insulating base 11, and a part of the insulating base 11 provided in the insulating base 11. And a plurality of via conductors 13 exposed to the surface. The substrate 1 may further include a wiring conductor (not shown) provided on the inside and the surface of the insulating base 11.

絶縁基体11は、平板状の基部11aと、基部11aの上に設けられた枠部11bとを含んでいる。基部11aと枠部11bとは、例えば一体的に形成されているものであってよい。   The insulating base 11 includes a flat base portion 11a and a frame portion 11b provided on the base portion 11a. The base portion 11a and the frame portion 11b may be integrally formed, for example.

絶縁基体11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,窒化珪素質焼結体,ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁性セラミックス、もしくは、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,アクリル樹脂,フェノール樹脂,ポリエステル樹脂または四フッ化エチレン樹脂等のフッ素系樹脂等の樹脂(プラスティックス)から成る。絶縁基体11は、例えば、上述した材料から成る略四角形の複数の絶縁層が上下に積層された構造を有している。   The insulating substrate 11 is an electrical insulator such as an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a silicon nitride sintered body, or a glass ceramic sintered body. Or a resin (plastics) such as an epoxy resin, a polyimide resin, an acrylic resin, a phenol resin, a polyester resin, or a fluororesin such as a tetrafluoroethylene resin. The insulating base 11 has, for example, a structure in which a plurality of substantially rectangular insulating layers made of the above-described materials are stacked one above the other.

複数の接続端子12は、枠部11bの上面に設けられており、例えば枠部11bの上面の内縁に沿うように配置されている。複数の接続端子12は、ボンディングワイヤ等によって電子素子2の複数の電極に電気的に接続されている。   The plurality of connection terminals 12 are provided on the upper surface of the frame portion 11b, and are arranged, for example, along the inner edge of the upper surface of the frame portion 11b. The plurality of connection terminals 12 are electrically connected to the plurality of electrodes of the electronic element 2 by bonding wires or the like.

複数の接続端子12は、絶縁基体11が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn),銀(Ag)または銅(Cu)等の金属材料から成り、例えば焼成によって絶縁基体11と一体的に形成されたメタライズ層から成る。   The plurality of connection terminals 12 are made of a metal material such as tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), silver (Ag), or copper (Cu) when the insulating base 11 is made of electrically insulating ceramics. For example, it comprises a metallized layer formed integrally with the insulating substrate 11 by firing.

また、複数の接続端子12は、絶縁基体11が樹脂から成る場合には、銅(Cu),金(Au),アルミニウム(Al),ニッケル(Ni),クロム(Cr),モリブデン(Mo),チタン(T)またはそれらの合金等の金属材料から成る。   Further, when the insulating base 11 is made of resin, the plurality of connection terminals 12 are made of copper (Cu), gold (Au), aluminum (Al), nickel (Ni), chromium (Cr), molybdenum (Mo), It consists of metal materials, such as titanium (T) or those alloys.

複数のビア導体13は、枠部11b内において上下方向に設けられているとともに、複数の接続端子12に電気的に接続されている。複数のビア導体13は、平面透視において、例えば円形の仮想基準形状の一部の領域を有する形状を有しており、例えば半円形状等である。複数のビア導体13は、枠部11bの壁面において絶縁基体11から部分的に露出している。図面においては、複数のビア導体13が枠部11bの内壁面において露出された構造が示されているが、複数のビア導体13が枠部11bの外壁面において露出された構造であってもよい。   The plurality of via conductors 13 are provided in the vertical direction in the frame portion 11 b and are electrically connected to the plurality of connection terminals 12. The plurality of via conductors 13 have, for example, a shape having a partial region of a circular virtual reference shape in a plan view, for example, a semicircular shape. The plurality of via conductors 13 are partially exposed from the insulating base 11 on the wall surface of the frame portion 11b. In the drawing, a structure in which a plurality of via conductors 13 are exposed on the inner wall surface of the frame portion 11b is shown, but a structure in which a plurality of via conductors 13 are exposed on the outer wall surface of the frame portion 11b may be used. .

なお、複数のビア導体13は、絶縁基体11が電気絶縁性セラミックスから成る場合は、接続端子12と同様の金属材料(メタライズ層)から成る。また、複数のビア導体13は、絶縁基体11が樹脂から成る場合も、接続端子12と同様の金属材料から成る。   The plurality of via conductors 13 are made of the same metal material (metallized layer) as that of the connection terminals 12 when the insulating base 11 is made of electrically insulating ceramics. Further, the plurality of via conductors 13 are made of the same metal material as that of the connection terminal 12 even when the insulating base 11 is made of resin.

複数のビア導体13は、互いに異なる露出幅を有している。ここでいう露出幅とは、上下方向に設けられたビア導体13の絶縁基体11から露出されている領域の横方向の幅のことをいい、図2(b)において符号W1およびW2によって示されている。   The plurality of via conductors 13 have different exposure widths. The exposed width here refers to the width in the lateral direction of the region exposed from the insulating base 11 of the via conductor 13 provided in the vertical direction, and is indicated by the symbols W1 and W2 in FIG. ing.

複数のビア導体13は、第1の露出幅W1を有する複数の第1のビア導体13aと、第1の露出幅W1よりも小さい第2の露出幅W2を有する複数の第2のビア導体13bとを含んでいる。本実施形態においては、例えば、複数の第2のビア導体13bを挟むように複数の第1のビア導体13aが配置されている。   The plurality of via conductors 13 include a plurality of first via conductors 13a having a first exposed width W1 and a plurality of second via conductors 13b having a second exposed width W2 smaller than the first exposed width W1. Including. In the present embodiment, for example, the plurality of first via conductors 13a are arranged so as to sandwich the plurality of second via conductors 13b.

なお、複数の接続端子12のうち第1のビア導体13aに接続されている接続端子12を第1の接続端子12aといい、第2のビア導体13bに接続されている接続端子12を第2の接続端子12bともいう。   Of the plurality of connection terminals 12, the connection terminal 12 connected to the first via conductor 13a is referred to as a first connection terminal 12a, and the connection terminal 12 connected to the second via conductor 13b is a second connection terminal 12. Also referred to as a connection terminal 12b.

複数のビア導体13のうち隣り合うビア導体13の壁面における間隔は、隣り合うビア導体13の露出幅に応じて設けられている。ここでいう壁面における間隔とは、隣り合うビア導体13の絶縁基体11から露出されている領域同士の横方向の距離のことをいい、図2(b)において符号D1およびD2によって示されている。   The interval between the wall surfaces of adjacent via conductors 13 among the plurality of via conductors 13 is provided according to the exposed width of adjacent via conductors 13. The interval between the wall surfaces here refers to the distance in the lateral direction between the regions exposed from the insulating base 11 of the adjacent via conductors 13, and is indicated by reference numerals D1 and D2 in FIG. .

大きい方の露出幅W1を有する第1のビア導体13aに関して、絶縁基体11は、その露出幅W1を有する第1のビア導体13aを保持するために必要な絶縁体部の厚さT1を確保するように設けられている必要がある。図2(b)において、厚さT1の絶縁体部が二点鎖線によって仮想的に示されている。また、小さい方の露出幅W2を有する第2のビア導体13bに関して、絶縁基体11は、なるべく小型化を図れるように、厚さT1よりも薄い厚さT2の絶縁体部を有するように設けられている。図2(b)において、厚さT2の絶縁体部が二点鎖線によって仮想的に示されている。   With respect to the first via conductor 13a having the larger exposed width W1, the insulating base 11 secures the thickness T1 of the insulator necessary for holding the first via conductor 13a having the exposed width W1. Need to be provided. In FIG.2 (b), the insulator part of thickness T1 is virtually shown with the dashed-two dotted line. Further, with respect to the second via conductor 13b having the smaller exposed width W2, the insulating base 11 is provided so as to have an insulator portion having a thickness T2 smaller than the thickness T1 so that the size can be reduced as much as possible. ing. In FIG. 2B, the insulator portion having the thickness T2 is virtually indicated by a two-dot chain line.

このように絶縁体部の厚さT1およびT2が設定されることによって、複数のビア導体13のうちビア導体13aとビア導体13bとの壁面における間隔D1は、その隣り合うビア導体13aとビア導体13bとの露出幅W1およびW2に応じたものに設定される。また、複数のビア導体13のうちビア導体13bと他のビア導体13bとの壁面における間隔D2は、その隣り合うビア導体13bの露出幅W2に応じたものに設定される。例えば、複数のビア導体13のうちビア導体13aとビア導体13bとの壁面における間隔D1は少なくとも、絶縁基体の厚さT1とT2を合計した値以上とし、複数のビア導体13のうちビア導体13bと他のビア導体13bとの壁面における間隔D2は少なくとも、絶縁基体の厚さT2とT2を合計した値以上とする。   Thus, by setting the thicknesses T1 and T2 of the insulator portion, the distance D1 in the wall surface between the via conductor 13a and the via conductor 13b among the plurality of via conductors 13 is set to the adjacent via conductor 13a and the via conductor. It is set according to the exposure widths W1 and W2 with 13b. Further, the distance D2 between the via conductors 13b and the other via conductors 13b among the plurality of via conductors 13 is set according to the exposed width W2 of the adjacent via conductors 13b. For example, the distance D1 between the via conductors 13a and 13b among the plurality of via conductors 13 is at least equal to or greater than the sum of the thicknesses T1 and T2 of the insulating base. And the distance D2 between the wall surfaces of the other via conductors 13b is at least equal to or greater than the sum of the thicknesses T2 and T2 of the insulating base.

なお、複数の接続端子12は、複数のビア導体13よりも大きい幅寸法を有していると、絶縁基体11に接する領域が増えて絶縁基体11との接合強度に関して向上される。また、複数の接続端子12は、複数のビア導体13よりも大きい幅寸法を有していると、ボンディングワイヤに接続可能な領域が増えてボンディングワイヤとの電気的接続の信頼性に関して向上される。   If the plurality of connection terminals 12 have a larger width dimension than the plurality of via conductors 13, the area in contact with the insulating base 11 increases and the bonding strength with the insulating base 11 is improved. Further, if the plurality of connection terminals 12 have a width dimension larger than that of the plurality of via conductors 13, the area that can be connected to the bonding wire is increased, and the reliability of electrical connection with the bonding wire is improved. .

また、図2(a)および図2(b)等に示された例においては、接続端子12は、ビア導体13の露出幅に応じた幅寸法を有しているが、複数の接続端子12がビア導体13の露出幅に関係なく同じ幅を有している構造も考え得る。ただし、図2(a)および図2(b)等に
示されているように、接続端子12がビア導体13の露出幅に応じた幅寸法を有している構造の方が、基板1の小型化を図りやすい。
Further, in the example shown in FIGS. 2A and 2B, the connection terminal 12 has a width dimension corresponding to the exposed width of the via conductor 13, but a plurality of connection terminals 12 are provided. However, a structure having the same width irrespective of the exposed width of the via conductor 13 is also conceivable. However, as shown in FIG. 2A, FIG. 2B, etc., the structure in which the connection terminal 12 has a width dimension corresponding to the exposed width of the via conductor 13 is more suitable for the substrate 1. Easy to miniaturize.

電子素子2は、例えば、CMOS型またはCCD型等の撮像素子、半導体集積回路素子、LED等の発光素子等である。電子素子2の複数の電極は、ボンディングワイヤ、金バンプまたははんだ等の接合部材等によって基板1の複数の接続端子12に電気的に接続されている。なお、図1(a)および図1(b)に示された構成において、電子素子2の複数の電極は、ボンディングワイヤによって基板1の複数の接続端子12に電気的に接続されている。   The electronic element 2 is, for example, an imaging element such as a CMOS type or a CCD type, a semiconductor integrated circuit element, a light emitting element such as an LED. The plurality of electrodes of the electronic element 2 are electrically connected to the plurality of connection terminals 12 of the substrate 1 by bonding members such as bonding wires, gold bumps or solder. In the configuration shown in FIGS. 1A and 1B, the plurality of electrodes of the electronic element 2 are electrically connected to the plurality of connection terminals 12 of the substrate 1 by bonding wires.

次に、本実施形態の電子素子搭載用基板1の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the electronic element mounting substrate 1 of the present embodiment will be described.

絶縁基体11は、主成分が酸化アルミニウム(Al)である酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、Alの粉末に焼結助材としてシリカ(SiO),マグネシア(MgO)またはカルシア(CaO)等の粉末を添加し、さらに適当なバインダ、溶剤および可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。 When the insulating base 11 is made of an aluminum oxide sintered body whose main component is aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silica (SiO 2 ), magnesia (MgO) as a sintering aid is added to the Al 2 O 3 powder. Alternatively, powder such as calcia (CaO) is added, and an appropriate binder, solvent, and plasticizer are added, and then the mixture is kneaded to form a slurry. Thereafter, a ceramic green sheet for multi-piece production is obtained by a conventionally known forming method such as a doctor blade method or a calender roll method.

このようなセラミックグリーンシートを用いて、以下の(1)〜(6)の工程により電子素子搭載用基板1が作製される。   Using such a ceramic green sheet, the electronic element mounting substrate 1 is manufactured by the following steps (1) to (6).

(1)セラミックグリーンシートにビア導体13用の貫通孔を形成した後、枠部11bの壁面となる部位に形成されるビア導体13(ビアホール導体である)を形成するための金属ペーストの印刷塗布工程。
(2)ビア導体13となる金属ペーストを枠部11bとなるセラミックグリーンシートから露出するように形成するようにセラミックグリーンシートに貫通孔を形成する打ち抜き工程またはレーザー加工工程。
(3)接続端子12となる金属ペーストを、ビア導体13となる金属ペーストの上面を覆うように枠部11bとなるセラミックグリーンシートの上面に印刷する塗布工程。
(4)複数のセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を作製する工程。
(5)セラミックグリーンシート積層体を約1500〜1800℃の温度で焼成して、枠部11bの壁面、接続端子12およびビア導体13を有する基板1となる複数の配線基板領域が配列された多数個取り配線基板を得る工程。
(6)焼成して得られた多数個取り配線基板に基板1の外縁となる箇所に沿って分割溝を形成しておき、分割溝に沿って分割する方法、またはスライシング法等によって基板1の外縁となる箇所に沿って切断する工程。
(1) After forming a through hole for the via conductor 13 in the ceramic green sheet, printing application of a metal paste for forming a via conductor 13 (which is a via hole conductor) formed on a portion to be a wall surface of the frame portion 11b Process.
(2) A punching process or a laser processing process in which a through hole is formed in the ceramic green sheet so that the metal paste to be the via conductor 13 is formed so as to be exposed from the ceramic green sheet to be the frame portion 11b.
(3) An application step of printing the metal paste that becomes the connection terminal 12 on the upper surface of the ceramic green sheet that becomes the frame portion 11b so as to cover the upper surface of the metal paste that becomes the via conductor 13.
(4) A step of laminating a plurality of ceramic green sheets to produce a ceramic green sheet laminate.
(5) A ceramic green sheet laminate is fired at a temperature of about 1500 to 1800 ° C., and a plurality of wiring board regions that are the substrate 1 having the wall surface of the frame portion 11b, the connection terminals 12, and the via conductors 13 are arranged. A process of obtaining a single-piece wiring board.
(6) Dividing grooves are formed in the multi-cavity wiring board obtained by firing along the portion that becomes the outer edge of the substrate 1, and the substrate 1 is divided by a method of dividing along the dividing grooves, a slicing method, or the like. The process of cutting along the location used as an outer edge.

なお、工程(2)と工程(3)とはどちらが先であっても構わない。   Note that either the step (2) or the step (3) may be first.

また、ビア導体13は、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する導体がビアホール導体の場合は、ビア導体13用の金属ペーストをスクリーン印刷法等によって印刷することによってセラミックグリーンシートに形成した貫通孔を充填し、上述の打ち抜きまたはレーザー加工時に、ビアホール導体が露出するように枠部11b用の貫通孔を形成して、セラミックグリーンシートと同時に焼成することによって形成される。ビア導体13用の金属ペーストは、接続端子12に用いた金属ペーストと同様の材料および方法によって作製される。また、ビア導体13は、金属ペーストをセラミックグリーンシートに印刷することによって形成されるスルーホール導体または金属層であっても構わない。   Further, when the conductor that penetrates the ceramic green sheet in the thickness direction is a via hole conductor, the via conductor 13 has a through hole formed in the ceramic green sheet by printing a metal paste for the via conductor 13 by a screen printing method or the like. Filling and forming the through hole for the frame portion 11b so that the via-hole conductor is exposed at the time of the above-described punching or laser processing, and firing it simultaneously with the ceramic green sheet. The metal paste for the via conductor 13 is produced by the same material and method as the metal paste used for the connection terminal 12. The via conductor 13 may be a through-hole conductor or a metal layer formed by printing a metal paste on a ceramic green sheet.

上述の(2)の工程において、枠部11bを含んでいる絶縁基体11を形成するには、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートのいくつかに、枠部11b用の貫通孔を金型、パンチングによる打ち抜きまたはレーザー加工等により形成しておけばよい。   In the step (2) described above, in order to form the insulating substrate 11 including the frame portion 11b, a through hole for the frame portion 11b is formed in some of the ceramic green sheets for the insulating substrate 11 by a die and punching. It may be formed by punching or laser processing.

上述の(3)の工程において、接続端子12は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに金属ペーストを、マスクを用いたスクリーン印刷法等によって所定形状で印刷して、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、複数の絶縁基体11のそれぞれの所定位置に形成される。このような金属ペーストは、タングステン,モリブデン,マンガン,銀または銅等の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、金属ペーストは、絶縁基体11との接合強度を高めるために、ガラス、セラミックスを含んでいても構わない。   In the step (3) described above, the connection terminal 12 is formed by printing a metal paste on a ceramic green sheet for the insulating substrate 11 in a predetermined shape by a screen printing method using a mask, etc. By firing at the same time as the sheet, each of the plurality of insulating bases 11 is formed at a predetermined position. Such a metal paste is prepared by adjusting an appropriate viscosity by adding an appropriate solvent and binder to a metal powder such as tungsten, molybdenum, manganese, silver or copper and kneading them. The metal paste may contain glass or ceramics in order to increase the bonding strength with the insulating substrate 11.

上述の(6)の工程において、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り配線基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り配線基板用の積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置により積層体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。   In the step (6) described above, the dividing groove can be formed by cutting the multi-cavity wiring board smaller than the thickness of the multi-cavity wiring board with a slicing device after firing. You may form by pressing or notching smaller than the thickness of a laminated body with a slicing apparatus.

なお、絶縁基体11が、例えば樹脂から成る場合は、所定の形状に成形できるような金型を用いて、トランスファーモールド法またはインジェクションモールド法等によって成形することによって形成することができる。また、例えばガラスエポキシ樹脂のように、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させたものであってもよい。このような場合は、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって形成できる。   When the insulating base 11 is made of, for example, a resin, it can be formed by molding by a transfer molding method or an injection molding method using a mold that can be molded into a predetermined shape. Moreover, what impregnated resin to the base material which consists of glass fiber like glass epoxy resin, for example may be used. In such a case, it can be formed by impregnating a substrate made of glass fiber with an epoxy resin precursor and thermally curing the epoxy resin precursor at a predetermined temperature.

また、接続端子12、ビア導体13は、絶縁基体11が樹脂から成る場合には、銅,金,アルミニウム,ニッケル,クロム,モリブデンまたはチタンおよびそれらの合金等の金属材料から成る。例えば、ガラスエポキシ樹脂から成る樹脂シート上に配線導体の形状に加工した銅箔を転写し、銅箔が転写された樹脂シートを積層して接着剤で接着することによって形成する。また、金属箔または金属柱を樹脂から成る絶縁基体に一体化させたり、絶縁基体11にスパッタリング法,蒸着法またはめっき法等を用いて被着させたりして形成される。また、ビア導体13は、金属ペーストの印刷またはめっき法によって樹脂シートに形成した貫通孔の内面に形成するか、貫通孔を充填して形成すればよい。   Further, the connection terminal 12 and the via conductor 13 are made of a metal material such as copper, gold, aluminum, nickel, chromium, molybdenum, titanium, or an alloy thereof when the insulating base 11 is made of resin. For example, the copper foil processed into the shape of the wiring conductor is transferred onto a resin sheet made of glass epoxy resin, and the resin sheet on which the copper foil is transferred is laminated and bonded with an adhesive. Further, it is formed by integrating a metal foil or a metal column with an insulating base made of resin, or by depositing the insulating base 11 using a sputtering method, a vapor deposition method, a plating method or the like. Further, the via conductor 13 may be formed on the inner surface of the through hole formed in the resin sheet by printing or plating a metal paste, or may be formed by filling the through hole.

接続端子12、ビア導体13を保護して酸化防止するために、接続端子12、ビア導体13の露出した表面には、厚さ0.5〜10μmのNiめっき層および厚さ0.5〜3μmの金(Au)めっき層からなるめっき層が順次被着されていてもよい。   In order to protect the connection terminals 12 and via conductors 13 and prevent oxidation, the exposed surfaces of the connection terminals 12 and via conductors 13 have a Ni plating layer having a thickness of 0.5 to 10 μm and gold (Au having a thickness of 0.5 to 3 μm). ) A plating layer composed of a plating layer may be sequentially deposited.

このようにして形成された電子素子搭載用基板1と、電子素子搭載用基板1の枠部11bの内側に位置した基部11a上に実装された電子素子2とを有する電子装置を外部回路基板に搭載することで、電子素子2が接続端子12、ビア導体13を介して外部回路基板に電気的に接続される。電子素子2は例えば、CCD型撮像素子またはCMOS型撮像素子、半導体素子、LED等の発光素子等である。なお、電子素子2の各電極は、ボンディングワイヤ等の接続部材3等により電子素子搭載用基板1の接続端子12に電気的に接続されている。   An electronic device having the electronic device mounting board 1 formed in this way and the electronic device 2 mounted on the base portion 11a located inside the frame portion 11b of the electronic device mounting board 1 is used as an external circuit board. By mounting, the electronic element 2 is electrically connected to the external circuit board via the connection terminal 12 and the via conductor 13. The electronic element 2 is, for example, a CCD type imaging element or a CMOS type imaging element, a semiconductor element, a light emitting element such as an LED, or the like. Each electrode of the electronic element 2 is electrically connected to the connection terminal 12 of the electronic element mounting substrate 1 by a connection member 3 such as a bonding wire.

上述したように、本実施形態における基板1において、複数のビア導体13aおよび13bが、異なる露出幅W1およびW2を有しており、露出幅W1およびW2に応じて隣り合うビア導体との間隔D1およびD2が異なっていることによって、絶縁基体11による複数のビア導体13の保持力を十分に確保しつつ小型化を図ることができる。   As described above, in the substrate 1 in this embodiment, the plurality of via conductors 13a and 13b have different exposed widths W1 and W2, and the distance D1 between adjacent via conductors according to the exposed widths W1 and W2. Since D2 and D2 are different, it is possible to reduce the size while sufficiently securing the holding force of the plurality of via conductors 13 by the insulating base 11.

なお、絶縁基体11による複数のビア導体13aおよび13bの保持力を十分に確保するためには、隣り合うビア導体13aおよび13bの間隔は、隣り合うビア導体13aおよび13bのそれぞれの露出幅の合計以上の寸法であることが好ましい。   In order to sufficiently secure the holding force of the plurality of via conductors 13a and 13b by the insulating base 11, the interval between the adjacent via conductors 13a and 13b is the sum of the exposed widths of the adjacent via conductors 13a and 13b. The above dimensions are preferable.

例えば、ビア導体13aおよび13bが隣り合っている部分においては、そのビア導体13aとビア導体13bとの間隔D1は、ビア導体13aおよび13bのそれぞれの露出幅W1,W2の合計W1+W2以上の寸法であることが好ましい。また、複数のビア導体13bが隣り合っている部分においては、その複数のビア導体13bの間隔D2は、ビア導体13bの露出幅W2の合計W2+W2以上の寸法であることが好ましい。   For example, in a portion where the via conductors 13a and 13b are adjacent to each other, the distance D1 between the via conductor 13a and the via conductor 13b is a dimension that is equal to or larger than the total W1 + W2 of the exposed widths W1 and W2 of the via conductors 13a and 13b. Preferably there is. Further, in a portion where the plurality of via conductors 13b are adjacent to each other, the interval D2 between the plurality of via conductors 13b is preferably a dimension equal to or larger than the total W2 + W2 of the exposed width W2 of the via conductor 13b.

なお、絶縁基体11がセラミック材料から成る場合には、ビア導体13および絶縁基体11の熱膨張差またはビア導体13と絶縁基体11との接合強度の観点から、ビア導体13に金属材料の他にセラミック材料が含有されていてもよい。   When the insulating base 11 is made of a ceramic material, the via conductor 13 is not limited to the metal material from the viewpoint of the thermal expansion difference between the via conductor 13 and the insulating base 11 or the bonding strength between the via conductor 13 and the insulating base 11. A ceramic material may be contained.

なお、露出幅の大きい方のビア導体13aが、露出幅の小さい方のビア導体13bよりもセラミック材料の含有率が高いと、露出幅の小さい方のビア導体13bが径の小さなビア導体によって構成されている場合においてビア導体13aの抵抗を大きくし、ビア導体13bの抵抗に近づけることが可能となる。これにより、信号の抵抗による減衰を同等とすることができるため、誤動作を起こしづらくなるため望ましい。ここで、ビア導体13aとビア導体13bとは、0.5質量%〜5質量%の差で異ならせておくことが好ましい。   If the via conductor 13a having the larger exposed width has a higher content of ceramic material than the via conductor 13b having the smaller exposed width, the via conductor 13b having the smaller exposed width is constituted by a via conductor having a smaller diameter. In this case, it is possible to increase the resistance of the via conductor 13a and bring it close to the resistance of the via conductor 13b. As a result, the attenuation due to the resistance of the signal can be made equal, which makes it difficult to cause a malfunction, which is desirable. Here, the via conductor 13a and the via conductor 13b are preferably different from each other by a difference of 0.5 mass% to 5 mass%.

また、絶縁基体11がセラミック材料から成り、露出幅の小さい方のビア導体13bが、露出幅の大きい方のビア導体13aよりもセラミック材料の含有率(質量%)が高い場合、露出幅の小さい方のビア導体13bの絶縁基体11に対する結合強度の不足を補えるため、露出幅の小さい方のビア導体13bの保持力を十分に確保しつつ小型化された電子装置を実現しやすくなる。ここで、ビア導体13aとビア導体13bとは、上述の範囲内で1.0質量%〜10
質量%の差で異ならせておくことが好ましい。
Further, when the insulating base 11 is made of a ceramic material, and the via conductor 13b having the smaller exposed width has a higher ceramic material content (mass%) than the via conductor 13a having the larger exposed width, the exposed width is small. In order to compensate for the lack of bonding strength of the via conductor 13b with respect to the insulating base 11, it becomes easy to realize a downsized electronic device while sufficiently securing the holding force of the via conductor 13b with the smaller exposed width. Here, the via conductor 13a and the via conductor 13b are within a range of 1.0% by mass to 10% within the above range.
It is preferable to vary the difference by mass%.

また、複数のビア導体13が異なる露出幅を有している場合、露出幅の大きい方のビア導体13を信号伝送に用いるとよい。なお、伝送される信号が高周波信号である場合、表皮効果によって露出幅が大きい方のビア導体13aの方が波形の劣化が小さい状態で信号を通すことができる。   When the plurality of via conductors 13 have different exposure widths, the via conductor 13 having the larger exposure width may be used for signal transmission. When the signal to be transmitted is a high-frequency signal, the via conductor 13a having the larger exposure width due to the skin effect can pass the signal with less waveform deterioration.

なお、本実施形態の電子装置について、図1(a)および図1(b)においては、電子素子2が電子素子搭載用基板1の凹部内に設けられた構造について説明したが、図3(a)および図3(b)に示されているように電子素子2が電子素子搭載用基板1の上面に実装されている構造であってもよい。なお、図3(a)および図3(b)に示された構造において、キャビティ部(凹部)には、例えばコンデンサ等の受動部品が収容されていてもよい。図面においては、基部11aおよび枠部11bの両方を有する構造が示されているが、枠部11bのみを有する構造であってもよい。   The electronic device of this embodiment has been described with reference to FIGS. 1A and 1B in which the electronic element 2 is provided in the recess of the electronic element mounting substrate 1. A structure in which the electronic element 2 is mounted on the upper surface of the electronic element mounting substrate 1 as shown in a) and FIG. In the structure shown in FIGS. 3A and 3B, the cavity (recess) may contain a passive component such as a capacitor. In the drawing, a structure having both the base portion 11a and the frame portion 11b is shown, but a structure having only the frame portion 11b may be used.

(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態における電子装置について図4(a)および図4(b)を参照して説明する。第2の実施形態の電子装置において図1(a)等に示された電子装置と異なる構成は、平面視における複数のビア導体13の配置である。第2の実施形態の電子装置におけるその他の構成については、第1の実施形態の電子装置と同様である。
(Second Embodiment)
An electronic device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b). The electronic device of the second embodiment is different from the electronic device shown in FIG. 1A or the like in the arrangement of a plurality of via conductors 13 in plan view. Other configurations of the electronic device of the second embodiment are the same as those of the electronic device of the first embodiment.

図4(a)に示されているように、第2の実施形態において、複数のビア導体13は、平面視において、円形の仮想基準形状の一部分の領域を有する形状であり、複数のビア導体13のうち露出幅が小さい方のビア導体13bの仮想基準形状の中心が枠部11bの壁面よりも
外側または内側に設けられている。図4(a)において、ビア導体13bの仮想基準形状の中心は、枠部11bの壁面よりも外側に設けられている。
As shown in FIG. 4A, in the second embodiment, the plurality of via conductors 13 have a shape having a partial region of a circular virtual reference shape in plan view, and the plurality of via conductors. The center of the virtual reference shape of the via conductor 13b having the smaller exposed width of 13 is provided outside or inside the wall surface of the frame portion 11b. In FIG. 4A, the center of the virtual reference shape of the via conductor 13b is provided outside the wall surface of the frame portion 11b.

露出幅が小さい方のビア導体13bの仮想基準形状の中心が枠部11bの壁面よりも外側または内側に設けられていることによって、ビア導体13bの露出幅を小さくすることができ、小型化を図ることができる。   By providing the center of the virtual reference shape of the via conductor 13b having the smaller exposed width outside or inside the wall surface of the frame portion 11b, the exposed width of the via conductor 13b can be reduced, thereby reducing the size. Can be planned.

また、図4(b)に示されているように、露出幅の大きい方のビア導体13aの仮想基準形状の中心も、枠部11bの壁面よりも外側または内側に設けられていてもよい。図4(b)に示された構成において、ビア導体13aの仮想基準形状の中心は、枠部11bの壁面よりも内側に設けられている。   Further, as shown in FIG. 4B, the center of the virtual reference shape of the via conductor 13a having the larger exposed width may be provided outside or inside the wall surface of the frame portion 11b. In the configuration shown in FIG. 4B, the center of the virtual reference shape of the via conductor 13a is provided inside the wall surface of the frame portion 11b.

露出幅が大きい方のビア導体13aの仮想基準形状の中心が枠部11bの壁面よりも外側または内側に設けられていることによって、ビア導体13aの露出幅も小さくすることができ、さらなる小型化を図ることができる。   By providing the center of the virtual reference shape of the via conductor 13a having the larger exposed width outside or inside the wall surface of the frame portion 11b, the exposed width of the via conductor 13a can be reduced, and further miniaturization can be achieved. Can be achieved.

また、上記実施形態においては、仮想基準形状の大きさが違うものをずらして露出幅の異なるビア導体を形成しているが、図5に示されているように、仮想基準形状が同一のものをずらして異なる露出幅を有するビア導体を形成しても構わない。   In the above embodiment, via conductors having different exposure widths are formed by shifting the virtual reference shapes having different sizes, but the virtual reference shapes are the same as shown in FIG. The via conductors having different exposure widths may be formed by shifting.

(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態における電子装置について図6(a)および図6(b)を参照して説明する。第3の実施形態の電子装置において図2(b)等に示された電子装置と異なる構成は、複数のビア導体13の配置である。第3の実施形態の電子装置におけるその他の構成については、第1の実施形態の電子装置と同様である。
(Third embodiment)
An electronic device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 (a) and 6 (b). The electronic device according to the third embodiment is different from the electronic device shown in FIG. 2B or the like in the arrangement of a plurality of via conductors 13. Other configurations of the electronic device of the third embodiment are the same as those of the electronic device of the first embodiment.

第3の実施形態の電子装置において、複数のビア導体は、互いに露出幅が異なる複数の第1のビア導体13aと複数の第2のビア導体13bとを含んでおり、複数の第1のビア導体13aおよび複数の第2のビア導体13bは交互に配置されている。   In the electronic device of the third embodiment, the plurality of via conductors include a plurality of first via conductors 13a and a plurality of second via conductors 13b having different exposure widths, and the plurality of first via conductors. The conductors 13a and the plurality of second via conductors 13b are alternately arranged.

複数の第1のビア導体13aおよび複数の第2のビア導体13bは交互に配置されていることによって、枠部11bの壁面における複数のビア導体13のバランスをとることができ、例えば電子素子搭載用基板1または電子装置の製造プロセス中および電子装置の動作時におけるビア導体13の剥がれを低減することができる。また、複数のビア導体13のバランスをとることによって、電子素子搭載用基板1の製造プロセス中また電子装置の動作時における変形が抑えられる。   By arranging the plurality of first via conductors 13a and the plurality of second via conductors 13b alternately, it is possible to balance the plurality of via conductors 13 on the wall surface of the frame portion 11b. It is possible to reduce the peeling of the via conductor 13 during the manufacturing process of the substrate 1 or the electronic device and during the operation of the electronic device. Further, by balancing the plurality of via conductors 13, deformation during the manufacturing process of the electronic element mounting substrate 1 or during operation of the electronic device can be suppressed.

1 電子素子搭載用基板
11 絶縁基体
11a 基部
11b 枠部
12 接続端子
13 ビア導体
2 電子素子
1 Electronic device mounting board
11 Insulating substrate
11a base
11b Frame
12 Connection terminal
13 Via conductor 2 Electronic element

Claims (7)

枠部を含んでいる絶縁基体と、
前記枠部の上面に設けられた複数の接続端子と、
前記枠部内において上下方向に設けられているとともに、前記複数の接続端子に電気的に接続されており、前記枠部の壁面において前記絶縁基体から露出された複数のビア導体とを備えており、
前記複数のビア導体のうち隣り合うビア導体の前記壁面における間隔は、隣り合う前記ビア導体の露出幅に応じて設けられており、隣り合う前記ビア導体の前記壁面における間隔は、隣り合う前記ビア導体の露出幅の合計以上の寸法であることを特徴とする電子素子搭載用基板。
An insulating substrate including a frame;
A plurality of connection terminals provided on an upper surface of the frame portion;
In the frame portion is provided in the vertical direction, is electrically connected to the plurality of connection terminals, and includes a plurality of via conductors exposed from the insulating base on the wall surface of the frame portion,
An interval between the wall surfaces of adjacent via conductors among the plurality of via conductors is provided according to an exposed width of the adjacent via conductor, and an interval between the wall surfaces of the adjacent via conductors is adjacent to the via. A board for mounting an electronic element, characterized in that the dimension is equal to or greater than the total exposed width of the conductor .
平面視において、前記複数のビア導体は、円形の仮想基準形状の一部分の領域を有する形状であり、前記複数のビア導体の少なくとも一部のビア導体の仮想基準形状の中心が枠部の壁面よりも外側または内側に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。 In a plan view, the plurality of via conductors has a shape having a partial region of a circular virtual reference shape, and the center of the virtual reference shape of at least a part of the via conductors of the plurality of via conductors is from the wall surface of the frame portion. 2. The electronic element mounting board according to claim 1, wherein the electronic element mounting board is provided on an outer side or an inner side. 前記複数のビア導体は、互いに露出幅が異なる複数の第1のビア導体と複数の第2のビア導体とを含んでおり、該複数の第1のビア導体および該複数の第2のビア導体は、交互に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。   The plurality of via conductors include a plurality of first via conductors and a plurality of second via conductors having different exposure widths, and the plurality of first via conductors and the plurality of second via conductors. The substrate for mounting an electronic device according to claim 1, wherein the substrates are alternately arranged. 前記複数のビア導体は、露出幅に応じて異なる抵抗率を有していることを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。   The electronic element mounting substrate according to claim 1, wherein the plurality of via conductors have different resistivities depending on an exposed width. 前記絶縁基体はセラミック材料から成り、
露出幅の小さい方のビア導体が、露出幅の大きい方のビア導体よりもセラミック材料の含有率が低いことを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。
The insulating substrate is made of a ceramic material;
2. The electronic element mounting substrate according to claim 1, wherein the via conductor having the smaller exposed width has a lower content of the ceramic material than the via conductor having the larger exposed width.
前記絶縁基体はセラミック材料から成り、
露出幅の小さい方のビア導体が、露出幅の大きい方のビア導体よりもセラミック材料の含有率が高いことを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。
The insulating substrate is made of a ceramic material;
2. The electronic element mounting substrate according to claim 1, wherein the via conductor having the smaller exposed width has a higher content of the ceramic material than the via conductor having the larger exposed width.
請求項1に記載の電子素子搭載用基板と、
該電子素子搭載用基板に実装されており、前記複数の接続端子に電気的に接続された電子素子とを備えていることを特徴とする電子装置。
The electronic element mounting substrate according to claim 1;
An electronic device comprising: an electronic device mounted on the electronic device mounting board and electrically connected to the plurality of connection terminals.
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