JP6017994B2 - Electronic device mounting substrate and electronic device - Google Patents
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Description
本発明は、電子素子搭載用基板および電子装置に関するものである。 The present invention relates to an electronic element mounting substrate and an electronic device.
例えば撮像装置等の電子装置は、電子素子搭載用基板と、その電子素子搭載用基板に実装された電子素子(例えばCMOS等の撮像素子)とを含んでいる。電子素子搭載用基板は、枠部を含んでいる絶縁基体と、枠部の上面に設けられた複数の接続端子と、枠部内において上下方向に設けられているとともに複数の接続端子に電気的に接続された複数のビア導体とを含んでいる(下記特許文献1を参照)。電子装置の小型化に伴って、複数のビア導体が枠部の壁面において絶縁基体から露出された構造が提案されている。
For example, an electronic apparatus such as an imaging device includes an electronic element mounting substrate and an electronic element (for example, an imaging element such as a CMOS) mounted on the electronic element mounting substrate. The substrate for mounting an electronic element includes an insulating base including a frame portion, a plurality of connection terminals provided on the upper surface of the frame portion, and provided vertically in the frame portion and electrically connected to the plurality of connection terminals. And a plurality of via conductors connected to each other (see
今後、例えば撮像装置等の電子装置においては、枠部の壁面において絶縁基体から部分的に露出された複数のビア導体の保持力を確保しつつも全体の小型化を図ることが求められている。 In the future, for example, in an electronic device such as an imaging device, it is required to reduce the overall size while securing the holding force of a plurality of via conductors partially exposed from the insulating base on the wall surface of the frame portion. .
本発明の一つの態様によれば、電子素子搭載用基板は、枠部を含んでいる絶縁基体と、枠部の上面に設けられた複数の接続端子と、枠部内において上下方向に設けられた複数のビア導体とを含んでいる。複数のビア導体は、複数の接続端子に電気的に接続されており、枠部の壁面において絶縁基体から露出されている。さらに、複数のビア導体のうち隣り合うビア導体の壁面における間隔は、隣り合うビア導体の露出幅に応じて設けられており、隣り合う前記ビア導体の前記壁面における間隔は、隣り合う前記ビア導体の露出幅の合計以上の寸法である。 According to one aspect of the present invention, the electronic element mounting substrate is provided in the vertical direction in the frame portion, the insulating base including the frame portion, the plurality of connection terminals provided on the upper surface of the frame portion, and the frame portion. A plurality of via conductors. The plurality of via conductors are electrically connected to the plurality of connection terminals, and are exposed from the insulating base on the wall surface of the frame portion. Furthermore, the interval between the wall surfaces of adjacent via conductors among the plurality of via conductors is provided according to the exposed width of the adjacent via conductor, and the interval between the adjacent wall surfaces of the via conductors is the adjacent via conductor. It is a dimension more than the sum total of the exposure width of .
本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記構成の電子素子搭載用基板と、その電子素子搭載用基板に実装されており複数の接続端子に電気的に接続された電子素子とを含んでいる。 According to another aspect of the present invention, an electronic device includes an electronic element mounting substrate having the above-described configuration, and an electronic element mounted on the electronic element mounting substrate and electrically connected to a plurality of connection terminals. Contains.
本発明の一つの態様による電子素子搭載用基板において、複数のビア導体のうち隣り合うビア導体の壁面における間隔は、隣り合うビア導体の露出幅に応じて設けられていることによって、絶縁基体による複数のビア導体の保持力を十分に確保しつつ小型化された電子装置を実現することができる。 In the electronic element mounting substrate according to one aspect of the present invention, the interval between the wall surfaces of adjacent via conductors among the plurality of via conductors is provided according to the exposed width of the adjacent via conductors, thereby depending on the insulating base. A downsized electronic device can be realized while sufficiently securing the holding force of the plurality of via conductors.
以下、本発明のいくつかの実施形態について図面を参照して説明する。 Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1の実施形態)
図1に示されているように、本発明の第1の実施形態における電子装置は、電子素子搭載用基板1(以下、基板1ともいう)と、基板1に実装された電子素子2とを含んでいる。
(First embodiment)
As shown in FIG. 1, an electronic device according to a first embodiment of the present invention includes an electronic element mounting substrate 1 (hereinafter also referred to as a substrate 1) and an
図2に示されているように、基板1は、絶縁基体11と、絶縁基体11の上面に設けられた複数の接続端子12と、絶縁基体11内に設けられており絶縁基体11から部分的に露出された複数のビア導体13とを含んでいる。また、基板1は、絶縁基体11の内部および表面に設けられた配線導体(図示せず)をさらに含んでいる場合がある。
As shown in FIG. 2, the
絶縁基体11は、平板状の基部11aと、基部11aの上に設けられた枠部11bとを含んでいる。基部11aと枠部11bとは、例えば一体的に形成されているものであってよい。
The
絶縁基体11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,窒化珪素質焼結体,ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁性セラミックス、もしくは、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,アクリル樹脂,フェノール樹脂,ポリエステル樹脂または四フッ化エチレン樹脂等のフッ素系樹脂等の樹脂(プラスティックス)から成る。絶縁基体11は、例えば、上述した材料から成る略四角形の複数の絶縁層が上下に積層された構造を有している。
The
複数の接続端子12は、枠部11bの上面に設けられており、例えば枠部11bの上面の内縁に沿うように配置されている。複数の接続端子12は、ボンディングワイヤ等によって電子素子2の複数の電極に電気的に接続されている。
The plurality of
複数の接続端子12は、絶縁基体11が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn),銀(Ag)または銅(Cu)等の金属材料から成り、例えば焼成によって絶縁基体11と一体的に形成されたメタライズ層から成る。
The plurality of
また、複数の接続端子12は、絶縁基体11が樹脂から成る場合には、銅(Cu),金(Au),アルミニウム(Al),ニッケル(Ni),クロム(Cr),モリブデン(Mo),チタン(T)またはそれらの合金等の金属材料から成る。
Further, when the
複数のビア導体13は、枠部11b内において上下方向に設けられているとともに、複数の接続端子12に電気的に接続されている。複数のビア導体13は、平面透視において、例えば円形の仮想基準形状の一部の領域を有する形状を有しており、例えば半円形状等である。複数のビア導体13は、枠部11bの壁面において絶縁基体11から部分的に露出している。図面においては、複数のビア導体13が枠部11bの内壁面において露出された構造が示されているが、複数のビア導体13が枠部11bの外壁面において露出された構造であってもよい。
The plurality of
なお、複数のビア導体13は、絶縁基体11が電気絶縁性セラミックスから成る場合は、接続端子12と同様の金属材料(メタライズ層)から成る。また、複数のビア導体13は、絶縁基体11が樹脂から成る場合も、接続端子12と同様の金属材料から成る。
The plurality of
複数のビア導体13は、互いに異なる露出幅を有している。ここでいう露出幅とは、上下方向に設けられたビア導体13の絶縁基体11から露出されている領域の横方向の幅のことをいい、図2(b)において符号W1およびW2によって示されている。
The plurality of via
複数のビア導体13は、第1の露出幅W1を有する複数の第1のビア導体13aと、第1の露出幅W1よりも小さい第2の露出幅W2を有する複数の第2のビア導体13bとを含んでいる。本実施形態においては、例えば、複数の第2のビア導体13bを挟むように複数の第1のビア導体13aが配置されている。
The plurality of
なお、複数の接続端子12のうち第1のビア導体13aに接続されている接続端子12を第1の接続端子12aといい、第2のビア導体13bに接続されている接続端子12を第2の接続端子12bともいう。
Of the plurality of
複数のビア導体13のうち隣り合うビア導体13の壁面における間隔は、隣り合うビア導体13の露出幅に応じて設けられている。ここでいう壁面における間隔とは、隣り合うビア導体13の絶縁基体11から露出されている領域同士の横方向の距離のことをいい、図2(b)において符号D1およびD2によって示されている。
The interval between the wall surfaces of adjacent via
大きい方の露出幅W1を有する第1のビア導体13aに関して、絶縁基体11は、その露出幅W1を有する第1のビア導体13aを保持するために必要な絶縁体部の厚さT1を確保するように設けられている必要がある。図2(b)において、厚さT1の絶縁体部が二点鎖線によって仮想的に示されている。また、小さい方の露出幅W2を有する第2のビア導体13bに関して、絶縁基体11は、なるべく小型化を図れるように、厚さT1よりも薄い厚さT2の絶縁体部を有するように設けられている。図2(b)において、厚さT2の絶縁体部が二点鎖線によって仮想的に示されている。
With respect to the
このように絶縁体部の厚さT1およびT2が設定されることによって、複数のビア導体13のうちビア導体13aとビア導体13bとの壁面における間隔D1は、その隣り合うビア導体13aとビア導体13bとの露出幅W1およびW2に応じたものに設定される。また、複数のビア導体13のうちビア導体13bと他のビア導体13bとの壁面における間隔D2は、その隣り合うビア導体13bの露出幅W2に応じたものに設定される。例えば、複数のビア導体13のうちビア導体13aとビア導体13bとの壁面における間隔D1は少なくとも、絶縁基体の厚さT1とT2を合計した値以上とし、複数のビア導体13のうちビア導体13bと他のビア導体13bとの壁面における間隔D2は少なくとも、絶縁基体の厚さT2とT2を合計した値以上とする。
Thus, by setting the thicknesses T1 and T2 of the insulator portion, the distance D1 in the wall surface between the via
なお、複数の接続端子12は、複数のビア導体13よりも大きい幅寸法を有していると、絶縁基体11に接する領域が増えて絶縁基体11との接合強度に関して向上される。また、複数の接続端子12は、複数のビア導体13よりも大きい幅寸法を有していると、ボンディングワイヤに接続可能な領域が増えてボンディングワイヤとの電気的接続の信頼性に関して向上される。
If the plurality of
また、図2(a)および図2(b)等に示された例においては、接続端子12は、ビア導体13の露出幅に応じた幅寸法を有しているが、複数の接続端子12がビア導体13の露出幅に関係なく同じ幅を有している構造も考え得る。ただし、図2(a)および図2(b)等に
示されているように、接続端子12がビア導体13の露出幅に応じた幅寸法を有している構造の方が、基板1の小型化を図りやすい。
Further, in the example shown in FIGS. 2A and 2B, the
電子素子2は、例えば、CMOS型またはCCD型等の撮像素子、半導体集積回路素子、LED等の発光素子等である。電子素子2の複数の電極は、ボンディングワイヤ、金バンプまたははんだ等の接合部材等によって基板1の複数の接続端子12に電気的に接続されている。なお、図1(a)および図1(b)に示された構成において、電子素子2の複数の電極は、ボンディングワイヤによって基板1の複数の接続端子12に電気的に接続されている。
The
次に、本実施形態の電子素子搭載用基板1の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the electronic
絶縁基体11は、主成分が酸化アルミニウム(Al2O3)である酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、Al2O3の粉末に焼結助材としてシリカ(SiO2),マグネシア(MgO)またはカルシア(CaO)等の粉末を添加し、さらに適当なバインダ、溶剤および可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。
When the insulating
このようなセラミックグリーンシートを用いて、以下の(1)〜(6)の工程により電子素子搭載用基板1が作製される。
Using such a ceramic green sheet, the electronic
(1)セラミックグリーンシートにビア導体13用の貫通孔を形成した後、枠部11bの壁面となる部位に形成されるビア導体13(ビアホール導体である)を形成するための金属ペーストの印刷塗布工程。
(2)ビア導体13となる金属ペーストを枠部11bとなるセラミックグリーンシートから露出するように形成するようにセラミックグリーンシートに貫通孔を形成する打ち抜き工程またはレーザー加工工程。
(3)接続端子12となる金属ペーストを、ビア導体13となる金属ペーストの上面を覆うように枠部11bとなるセラミックグリーンシートの上面に印刷する塗布工程。
(4)複数のセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を作製する工程。
(5)セラミックグリーンシート積層体を約1500〜1800℃の温度で焼成して、枠部11bの壁面、接続端子12およびビア導体13を有する基板1となる複数の配線基板領域が配列された多数個取り配線基板を得る工程。
(6)焼成して得られた多数個取り配線基板に基板1の外縁となる箇所に沿って分割溝を形成しておき、分割溝に沿って分割する方法、またはスライシング法等によって基板1の外縁となる箇所に沿って切断する工程。
(1) After forming a through hole for the via
(2) A punching process or a laser processing process in which a through hole is formed in the ceramic green sheet so that the metal paste to be the via
(3) An application step of printing the metal paste that becomes the
(4) A step of laminating a plurality of ceramic green sheets to produce a ceramic green sheet laminate.
(5) A ceramic green sheet laminate is fired at a temperature of about 1500 to 1800 ° C., and a plurality of wiring board regions that are the
(6) Dividing grooves are formed in the multi-cavity wiring board obtained by firing along the portion that becomes the outer edge of the
なお、工程(2)と工程(3)とはどちらが先であっても構わない。 Note that either the step (2) or the step (3) may be first.
また、ビア導体13は、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する導体がビアホール導体の場合は、ビア導体13用の金属ペーストをスクリーン印刷法等によって印刷することによってセラミックグリーンシートに形成した貫通孔を充填し、上述の打ち抜きまたはレーザー加工時に、ビアホール導体が露出するように枠部11b用の貫通孔を形成して、セラミックグリーンシートと同時に焼成することによって形成される。ビア導体13用の金属ペーストは、接続端子12に用いた金属ペーストと同様の材料および方法によって作製される。また、ビア導体13は、金属ペーストをセラミックグリーンシートに印刷することによって形成されるスルーホール導体または金属層であっても構わない。
Further, when the conductor that penetrates the ceramic green sheet in the thickness direction is a via hole conductor, the via
上述の(2)の工程において、枠部11bを含んでいる絶縁基体11を形成するには、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートのいくつかに、枠部11b用の貫通孔を金型、パンチングによる打ち抜きまたはレーザー加工等により形成しておけばよい。
In the step (2) described above, in order to form the insulating
上述の(3)の工程において、接続端子12は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに金属ペーストを、マスクを用いたスクリーン印刷法等によって所定形状で印刷して、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、複数の絶縁基体11のそれぞれの所定位置に形成される。このような金属ペーストは、タングステン,モリブデン,マンガン,銀または銅等の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、金属ペーストは、絶縁基体11との接合強度を高めるために、ガラス、セラミックスを含んでいても構わない。
In the step (3) described above, the
上述の(6)の工程において、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り配線基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り配線基板用の積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置により積層体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。 In the step (6) described above, the dividing groove can be formed by cutting the multi-cavity wiring board smaller than the thickness of the multi-cavity wiring board with a slicing device after firing. You may form by pressing or notching smaller than the thickness of a laminated body with a slicing apparatus.
なお、絶縁基体11が、例えば樹脂から成る場合は、所定の形状に成形できるような金型を用いて、トランスファーモールド法またはインジェクションモールド法等によって成形することによって形成することができる。また、例えばガラスエポキシ樹脂のように、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させたものであってもよい。このような場合は、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって形成できる。
When the insulating
また、接続端子12、ビア導体13は、絶縁基体11が樹脂から成る場合には、銅,金,アルミニウム,ニッケル,クロム,モリブデンまたはチタンおよびそれらの合金等の金属材料から成る。例えば、ガラスエポキシ樹脂から成る樹脂シート上に配線導体の形状に加工した銅箔を転写し、銅箔が転写された樹脂シートを積層して接着剤で接着することによって形成する。また、金属箔または金属柱を樹脂から成る絶縁基体に一体化させたり、絶縁基体11にスパッタリング法,蒸着法またはめっき法等を用いて被着させたりして形成される。また、ビア導体13は、金属ペーストの印刷またはめっき法によって樹脂シートに形成した貫通孔の内面に形成するか、貫通孔を充填して形成すればよい。
Further, the
接続端子12、ビア導体13を保護して酸化防止するために、接続端子12、ビア導体13の露出した表面には、厚さ0.5〜10μmのNiめっき層および厚さ0.5〜3μmの金(Au)めっき層からなるめっき層が順次被着されていてもよい。
In order to protect the
このようにして形成された電子素子搭載用基板1と、電子素子搭載用基板1の枠部11bの内側に位置した基部11a上に実装された電子素子2とを有する電子装置を外部回路基板に搭載することで、電子素子2が接続端子12、ビア導体13を介して外部回路基板に電気的に接続される。電子素子2は例えば、CCD型撮像素子またはCMOS型撮像素子、半導体素子、LED等の発光素子等である。なお、電子素子2の各電極は、ボンディングワイヤ等の接続部材3等により電子素子搭載用基板1の接続端子12に電気的に接続されている。
An electronic device having the electronic
上述したように、本実施形態における基板1において、複数のビア導体13aおよび13bが、異なる露出幅W1およびW2を有しており、露出幅W1およびW2に応じて隣り合うビア導体との間隔D1およびD2が異なっていることによって、絶縁基体11による複数のビア導体13の保持力を十分に確保しつつ小型化を図ることができる。
As described above, in the
なお、絶縁基体11による複数のビア導体13aおよび13bの保持力を十分に確保するためには、隣り合うビア導体13aおよび13bの間隔は、隣り合うビア導体13aおよび13bのそれぞれの露出幅の合計以上の寸法であることが好ましい。
In order to sufficiently secure the holding force of the plurality of via
例えば、ビア導体13aおよび13bが隣り合っている部分においては、そのビア導体13aとビア導体13bとの間隔D1は、ビア導体13aおよび13bのそれぞれの露出幅W1,W2の合計W1+W2以上の寸法であることが好ましい。また、複数のビア導体13bが隣り合っている部分においては、その複数のビア導体13bの間隔D2は、ビア導体13bの露出幅W2の合計W2+W2以上の寸法であることが好ましい。
For example, in a portion where the via
なお、絶縁基体11がセラミック材料から成る場合には、ビア導体13および絶縁基体11の熱膨張差またはビア導体13と絶縁基体11との接合強度の観点から、ビア導体13に金属材料の他にセラミック材料が含有されていてもよい。
When the insulating
なお、露出幅の大きい方のビア導体13aが、露出幅の小さい方のビア導体13bよりもセラミック材料の含有率が高いと、露出幅の小さい方のビア導体13bが径の小さなビア導体によって構成されている場合においてビア導体13aの抵抗を大きくし、ビア導体13bの抵抗に近づけることが可能となる。これにより、信号の抵抗による減衰を同等とすることができるため、誤動作を起こしづらくなるため望ましい。ここで、ビア導体13aとビア導体13bとは、0.5質量%〜5質量%の差で異ならせておくことが好ましい。
If the via
また、絶縁基体11がセラミック材料から成り、露出幅の小さい方のビア導体13bが、露出幅の大きい方のビア導体13aよりもセラミック材料の含有率(質量%)が高い場合、露出幅の小さい方のビア導体13bの絶縁基体11に対する結合強度の不足を補えるため、露出幅の小さい方のビア導体13bの保持力を十分に確保しつつ小型化された電子装置を実現しやすくなる。ここで、ビア導体13aとビア導体13bとは、上述の範囲内で1.0質量%〜10
質量%の差で異ならせておくことが好ましい。
Further, when the insulating
It is preferable to vary the difference by mass%.
また、複数のビア導体13が異なる露出幅を有している場合、露出幅の大きい方のビア導体13を信号伝送に用いるとよい。なお、伝送される信号が高周波信号である場合、表皮効果によって露出幅が大きい方のビア導体13aの方が波形の劣化が小さい状態で信号を通すことができる。
When the plurality of via
なお、本実施形態の電子装置について、図1(a)および図1(b)においては、電子素子2が電子素子搭載用基板1の凹部内に設けられた構造について説明したが、図3(a)および図3(b)に示されているように電子素子2が電子素子搭載用基板1の上面に実装されている構造であってもよい。なお、図3(a)および図3(b)に示された構造において、キャビティ部(凹部)には、例えばコンデンサ等の受動部品が収容されていてもよい。図面においては、基部11aおよび枠部11bの両方を有する構造が示されているが、枠部11bのみを有する構造であってもよい。
The electronic device of this embodiment has been described with reference to FIGS. 1A and 1B in which the
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態における電子装置について図4(a)および図4(b)を参照して説明する。第2の実施形態の電子装置において図1(a)等に示された電子装置と異なる構成は、平面視における複数のビア導体13の配置である。第2の実施形態の電子装置におけるその他の構成については、第1の実施形態の電子装置と同様である。
(Second Embodiment)
An electronic device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b). The electronic device of the second embodiment is different from the electronic device shown in FIG. 1A or the like in the arrangement of a plurality of via
図4(a)に示されているように、第2の実施形態において、複数のビア導体13は、平面視において、円形の仮想基準形状の一部分の領域を有する形状であり、複数のビア導体13のうち露出幅が小さい方のビア導体13bの仮想基準形状の中心が枠部11bの壁面よりも
外側または内側に設けられている。図4(a)において、ビア導体13bの仮想基準形状の中心は、枠部11bの壁面よりも外側に設けられている。
As shown in FIG. 4A, in the second embodiment, the plurality of via
露出幅が小さい方のビア導体13bの仮想基準形状の中心が枠部11bの壁面よりも外側または内側に設けられていることによって、ビア導体13bの露出幅を小さくすることができ、小型化を図ることができる。
By providing the center of the virtual reference shape of the via
また、図4(b)に示されているように、露出幅の大きい方のビア導体13aの仮想基準形状の中心も、枠部11bの壁面よりも外側または内側に設けられていてもよい。図4(b)に示された構成において、ビア導体13aの仮想基準形状の中心は、枠部11bの壁面よりも内側に設けられている。
Further, as shown in FIG. 4B, the center of the virtual reference shape of the via
露出幅が大きい方のビア導体13aの仮想基準形状の中心が枠部11bの壁面よりも外側または内側に設けられていることによって、ビア導体13aの露出幅も小さくすることができ、さらなる小型化を図ることができる。
By providing the center of the virtual reference shape of the via
また、上記実施形態においては、仮想基準形状の大きさが違うものをずらして露出幅の異なるビア導体を形成しているが、図5に示されているように、仮想基準形状が同一のものをずらして異なる露出幅を有するビア導体を形成しても構わない。 In the above embodiment, via conductors having different exposure widths are formed by shifting the virtual reference shapes having different sizes, but the virtual reference shapes are the same as shown in FIG. The via conductors having different exposure widths may be formed by shifting.
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態における電子装置について図6(a)および図6(b)を参照して説明する。第3の実施形態の電子装置において図2(b)等に示された電子装置と異なる構成は、複数のビア導体13の配置である。第3の実施形態の電子装置におけるその他の構成については、第1の実施形態の電子装置と同様である。
(Third embodiment)
An electronic device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 (a) and 6 (b). The electronic device according to the third embodiment is different from the electronic device shown in FIG. 2B or the like in the arrangement of a plurality of via
第3の実施形態の電子装置において、複数のビア導体は、互いに露出幅が異なる複数の第1のビア導体13aと複数の第2のビア導体13bとを含んでおり、複数の第1のビア導体13aおよび複数の第2のビア導体13bは交互に配置されている。
In the electronic device of the third embodiment, the plurality of via conductors include a plurality of first via
複数の第1のビア導体13aおよび複数の第2のビア導体13bは交互に配置されていることによって、枠部11bの壁面における複数のビア導体13のバランスをとることができ、例えば電子素子搭載用基板1または電子装置の製造プロセス中および電子装置の動作時におけるビア導体13の剥がれを低減することができる。また、複数のビア導体13のバランスをとることによって、電子素子搭載用基板1の製造プロセス中また電子装置の動作時における変形が抑えられる。
By arranging the plurality of first via
1 電子素子搭載用基板
11 絶縁基体
11a 基部
11b 枠部
12 接続端子
13 ビア導体
2 電子素子
1 Electronic device mounting board
11 Insulating substrate
11a base
11b Frame
12 Connection terminal
13
Claims (7)
前記枠部の上面に設けられた複数の接続端子と、
前記枠部内において上下方向に設けられているとともに、前記複数の接続端子に電気的に接続されており、前記枠部の壁面において前記絶縁基体から露出された複数のビア導体とを備えており、
前記複数のビア導体のうち隣り合うビア導体の前記壁面における間隔は、隣り合う前記ビア導体の露出幅に応じて設けられており、隣り合う前記ビア導体の前記壁面における間隔は、隣り合う前記ビア導体の露出幅の合計以上の寸法であることを特徴とする電子素子搭載用基板。 An insulating substrate including a frame;
A plurality of connection terminals provided on an upper surface of the frame portion;
In the frame portion is provided in the vertical direction, is electrically connected to the plurality of connection terminals, and includes a plurality of via conductors exposed from the insulating base on the wall surface of the frame portion,
An interval between the wall surfaces of adjacent via conductors among the plurality of via conductors is provided according to an exposed width of the adjacent via conductor, and an interval between the wall surfaces of the adjacent via conductors is adjacent to the via. A board for mounting an electronic element, characterized in that the dimension is equal to or greater than the total exposed width of the conductor .
露出幅の小さい方のビア導体が、露出幅の大きい方のビア導体よりもセラミック材料の含有率が低いことを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。 The insulating substrate is made of a ceramic material;
2. The electronic element mounting substrate according to claim 1, wherein the via conductor having the smaller exposed width has a lower content of the ceramic material than the via conductor having the larger exposed width.
露出幅の小さい方のビア導体が、露出幅の大きい方のビア導体よりもセラミック材料の含有率が高いことを特徴とする請求項1に記載の電子素子搭載用基板。 The insulating substrate is made of a ceramic material;
2. The electronic element mounting substrate according to claim 1, wherein the via conductor having the smaller exposed width has a higher content of the ceramic material than the via conductor having the larger exposed width.
該電子素子搭載用基板に実装されており、前記複数の接続端子に電気的に接続された電子素子とを備えていることを特徴とする電子装置。 The electronic element mounting substrate according to claim 1;
An electronic device comprising: an electronic device mounted on the electronic device mounting board and electrically connected to the plurality of connection terminals.
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