JP6000865B2 - Active matrix substrate, inspection method, and electrical apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、複数のデータ配線及び複数の走査配線をマトリクス状に設けたアクティブマトリクス基板、その検査方法、及びそのアクティブマトリクス基板を用いた電気機器に関する。 The present invention relates to an active matrix substrate in which a plurality of data lines and a plurality of scanning lines are provided in a matrix, an inspection method thereof, and an electric apparatus using the active matrix substrate.
近年、例えば液晶表示装置は、在来のブラウン管に比べて薄型、軽量などの特長を有するフラットパネルディスプレイとして、液晶テレビ、モニター、携帯電話、デジタルカメラ、情報端末などの電気機器に幅広く利用されている。このような液晶表示装置では、複数のデータ配線（ソース配線）及び複数のゲート配線（走査配線）をマトリクス状に配線するとともに、データ配線とゲート配線との交差部の近傍に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等のスイッチング素子と、このスイッチング素子に接続された画素電極を有する画素をマトリクス状に配置したアクティブマトリクス基板を、表示パネルとしての液晶パネルに用いたものが知られている。 In recent years, for example, liquid crystal display devices have been widely used in electrical devices such as liquid crystal televisions, monitors, mobile phones, digital cameras, and information terminals as flat panel displays that are thinner and lighter than conventional cathode ray tubes. Yes. In such a liquid crystal display device, a plurality of data lines (source lines) and a plurality of gate lines (scanning lines) are arranged in a matrix, and a thin film transistor (TFT: Thin) is provided in the vicinity of the intersection of the data lines and the gate lines. 2. Description of the Related Art An active matrix substrate in which a switching element such as a film transistor) and pixels having pixel electrodes connected to the switching element are arranged in a matrix is used for a liquid crystal panel as a display panel.
また、上記のような従来のアクティブマトリクス基板では、液晶表示装置の狭額縁化及び／またはこれを用いた上述の電気機器の狭額縁化のために、当該アクティブマトリクス基板に切り欠き部を形成することが知られている。そこで、このような従来のアクティブマトリクス基板の検査方法には、例えば下記特許文献１に記載されているように、カメラ、露光装置、及び画像処理装置等を用いて、切り欠き部の形成状態を検査することが提案されている。
Further, in the conventional active matrix substrate as described above, a notch is formed in the active matrix substrate in order to narrow the frame of the liquid crystal display device and / or narrow the frame of the electric device using the same. It is known. Therefore, in such a conventional active matrix substrate inspection method, as described in, for example,
しかしながら、上記のような従来のアクティブマトリクス基板の検査方法では、カメラ、露光装置、及び画像処理装置等を用いて、切り欠き部の形成状態を検査していたので、当該アクティブマトリクス基板の検査工程が増加するという問題点を生じた。また、この従来のアクティブマトリクス基板の検査方法では、上記カメラ等の専用の検査装置を用いていたので、検査精度が上記検査装置に依存して、高精度な検査を容易に行うことができないことがあった。さらに、この従来のアクティブマトリクス基板の検査方法では、切り欠き部の大きさや形状などが変更された場合に、このような切り欠き部の変更に迅速に対応することができずに、検査工程を容易に行うことができないという問題点も生じた。 However, in the conventional active matrix substrate inspection method as described above, the formation state of the notch portion is inspected using a camera, an exposure apparatus, an image processing apparatus, and the like. Caused the problem of increase. In addition, since this conventional active matrix substrate inspection method uses a dedicated inspection device such as the camera, the inspection accuracy depends on the inspection device, and high-precision inspection cannot be easily performed. was there. Furthermore, in this conventional method for inspecting an active matrix substrate, when the size or shape of the notch is changed, the change in the notch cannot be promptly handled, and the inspection process is performed. There was also a problem that it could not be done easily.
上記の課題を鑑み、本発明は、切り欠き部を形成した場合でも、検査工程を増加させることなく、高精度な検査を容易に行うことができるアクティブマトリクス基板、その製造方法、及びそのアクティブマトリクス基板を用いた電気機器を提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention provides an active matrix substrate, a manufacturing method thereof, and an active matrix thereof that can easily perform high-precision inspection without increasing the inspection process even when a notch is formed. An object is to provide an electrical device using a substrate.
上記の目的を達成するために、本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、マトリクス状に配列された複数のデータ配線及び複数の走査配線と、前記複数のデータ配線と前記複数の走査配線との各交差部に対応して設けられたスイッチング素子及び前記スイッチング素子に接続された画素電極を有する画素を備えたアクティブマトリクス基板であって、
前記複数のデータ配線及び前記複数の走査配線のマトリクス状に配列された領域の外側に形成された切り欠き部を備え、
第１の検査信号が入力されるとともに、断線を検出する第１の検査端子部と、
前記第１の検査端子部に接続されるとともに、前記切り欠き部によって切断されている第１の検査配線とが設けられていることを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, an active matrix substrate according to the present invention includes a plurality of data lines and a plurality of scan lines arranged in a matrix, and each intersection of the plurality of data lines and the plurality of scan lines. An active matrix substrate comprising a pixel having a switching element provided corresponding to a portion and a pixel electrode connected to the switching element,
Notch portions formed outside the regions arranged in a matrix of the plurality of data wirings and the plurality of scanning wirings,
A first inspection signal is input, and a first inspection terminal portion that detects disconnection;
A first inspection wiring that is connected to the first inspection terminal portion and is cut by the notch portion is provided.
上記のように構成されたアクティブマトリクス基板では、第１の検査端子部と、この第１の検査端子部に接続されるとともに、切り欠き部によって切断されている第１の検査配線が設けられている。また、第１の検査端子部に対して、第１の検査信号が入力されて、断線を検出するように構成されている。これにより、上記従来例と異なり、切り欠き部を形成した場合でも、検査工程を増加させることなく、高精度な検査を容易に行うことができるアクティブマトリクス基板を構成することができる。 The active matrix substrate configured as described above is provided with a first inspection terminal portion and a first inspection wiring connected to the first inspection terminal portion and cut by the notch portion. Yes. In addition, the first inspection signal is input to the first inspection terminal unit, and the disconnection is detected. Thus, unlike the conventional example, an active matrix substrate that can easily perform high-precision inspection can be configured without increasing the number of inspection steps even when notches are formed.
また、上記アクティブマトリクス基板において、前記第１の検査配線には、複数の第１の分岐配線が含まれるとともに、
前記複数の第１の各分岐配線では、一端側が前記第１の検査端子部に接続され、他端側が前記切り欠き部によって切断されていることが好ましい。
In the active matrix substrate, the first inspection wiring includes a plurality of first branch wirings,
In each of the plurality of first branch wirings, it is preferable that one end side is connected to the first inspection terminal portion and the other end side is cut by the notch portion.
この場合、複数の分岐配線により、切り欠き部の高精度な検査を確実に行うことができる。 In this case, a highly accurate inspection of the notch can be reliably performed by a plurality of branch wirings.
また、上記アクティブマトリクス基板において、前記第１の検査配線には、３本以上の前記第１の分岐配線が含まれていることが好ましい。 In the active matrix substrate, it is preferable that the first inspection wiring includes three or more first branch wirings.
この場合、切り欠き部の検査精度を容易に向上させることができる。 In this case, the inspection accuracy of the notch can be easily improved.
また、上記アクティブマトリクス基板において、１つの前記切り欠き部に対して、前記第１の検査端子部と前記第１の検査配線との組を複数個設けることが好ましい。 In the active matrix substrate, a plurality of sets of the first inspection terminal portion and the first inspection wiring are preferably provided for one notch portion.
この場合、切り欠き部の検査精度をより容易に向上させることができる。 In this case, the inspection accuracy of the notch can be improved more easily.
また、上記アクティブマトリクス基板において、第２の検査信号が入力されるとともに、導通を検出する第２の検査端子部と、
前記切り欠き部の近傍に設けられるとともに、前記第２の検査端子部と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部に接続された第２の検査配線を備えていることが好ましい。
Further, in the active matrix substrate, a second inspection signal is input, and a second inspection terminal portion for detecting continuity;
It is preferable that a second inspection wiring is provided near the notch and connected to the second inspection terminal so as to form a closed circuit with the second inspection terminal.
この場合、切り欠き部に対して、より高精度な検査を行うことができる。 In this case, a more accurate inspection can be performed on the notch.
また、上記アクティブマトリクス基板において、前記第２の検査配線は、前記第２の検査端子部に対し、複数の閉回路が構成されるように、設けられていることが好ましい。 In the active matrix substrate, the second inspection wiring is preferably provided so that a plurality of closed circuits are formed with respect to the second inspection terminal portion.
この場合、切り欠き部の検査精度を容易に向上させることができる。 In this case, the inspection accuracy of the notch can be easily improved.
また、上記アクティブマトリクス基板において、１つの前記切り欠き部に対して、前記第２の検査端子部と前記第２の検査配線との組を複数個設けることが好ましい。 In the active matrix substrate, a plurality of sets of the second inspection terminal portion and the second inspection wiring are preferably provided for one notch portion.
この場合、切り欠き部の検査精度をより容易に向上させることができる。 In this case, the inspection accuracy of the notch can be improved more easily.
また、上記アクティブマトリクス基板において、前記第１の検査端子部、前記第１の検査配線、前記第２の検査端子部、及び前記第２の検査配線の各々は、前記複数のデータ配線、前記複数の走査配線、及び前記画素電極の少なくとも１つと同じ導電層により構成されていることが好ましい。 In the active matrix substrate, each of the first inspection terminal portion, the first inspection wiring, the second inspection terminal portion, and the second inspection wiring includes the plurality of data wirings and the plurality of data wirings. Preferably, the scanning wiring and the conductive layer are the same as at least one of the pixel electrodes.
この場合、アクティブマトリクス基板の製造工程が増加するのを防ぐことができる。 In this case, an increase in the manufacturing process of the active matrix substrate can be prevented.
また、上記アクティブマトリクス基板において、前記第１の検査配線と前記第２の検査配線とが、互いに異なる導電層によって構成され、
前記第２の検査配線が、切り欠き部に沿うように、かつ、前記第１の検査配線と交差するように、設けられていることが好ましい。
In the active matrix substrate, the first inspection wiring and the second inspection wiring are constituted by different conductive layers,
It is preferable that the second inspection wiring is provided along the notch and so as to intersect with the first inspection wiring.
この場合、切り欠き部に対して、より高精度な検査を容易に行うことができる。 In this case, a more accurate inspection can be easily performed on the notch.
また、本発明の電気機器は、上記いずれかのアクティブマトリクス基板を用いたことを特徴とするものである。 In addition, an electrical device of the present invention is characterized by using any of the active matrix substrates described above.
上記のように構成された電気機器では、切り欠き部を形成した場合でも、検査工程を増加させることなく、高精度な検査を容易に行うことができるアクティブマトリクス基板が用いられているので、高性能でコンパクトな電気機器を容易に構成することができる。 In the electrical equipment configured as described above, an active matrix substrate that can easily perform high-precision inspection without increasing the inspection process even when the cutout portion is formed is used. It is possible to easily configure a compact electric device with performance.
また、本発明のアクティブマトリクス基板の検査方法は、マトリクス状に配列された複数のデータ配線及び複数の走査配線を備えたアクティブマトリクス基板の検査方法であって、
第１の検査信号が入力されるとともに、断線を検出する第１の検査端子部を設ける工程と、
前記第１の検査端子部に接続されるとともに、一部分が前記切り欠き部の形成位置に設けられるように、第１の検査配線を配線する工程と、
前記複数のデータ配線及び前記複数の走査配線のマトリクス状に配列された領域の外側に切り欠き部を形成する工程と、
前記第１の検査端子部に前記第１の検査信号を入力して、前記第１の検査配線が断線もしくは導通しているかについて判別することにより、前記切り欠き部の形成状態を検査する工程とを具備していることを特徴とするものである。
An inspection method for an active matrix substrate according to the present invention is an inspection method for an active matrix substrate having a plurality of data lines and a plurality of scanning lines arranged in a matrix.
A step of providing a first inspection terminal for detecting a disconnection while receiving a first inspection signal;
Wiring the first inspection wiring such that the first inspection wiring is connected to the first inspection terminal portion and a part thereof is provided at the formation position of the notch portion;
Forming notches on the outside of the plurality of data wirings and the plurality of scanning wirings arranged in a matrix; and
A step of inspecting a formation state of the notch portion by inputting the first inspection signal to the first inspection terminal portion and determining whether the first inspection wiring is disconnected or conductive; It is characterized by comprising.
上記のように構成されたアクティブマトリクス基板の検査方法では、断線を検出する第１の検査端子部を設ける工程と、第１の検査端子部に接続されるとともに、一部分が切り欠き部の形成位置に設けられるように、第１の検査配線を配線する工程とが行われる。また、切り欠き部を形成する工程の後に、第１の検査端子部に第１の検査信号を入力して、第１の検査配線が断線もしくは導通しているかについて判別することにより、切り欠き部の形成状態を検査する工程が行われる。これにより、上記従来例と異なり、切り欠き部を形成した場合でも、検査工程を増加させることなく、高精度な検査を容易に行うことができる。 In the inspection method of the active matrix substrate configured as described above, a step of providing a first inspection terminal portion for detecting disconnection, a connection position to the first inspection terminal portion, and a part of the cutout portion forming position. And a step of wiring the first inspection wiring. In addition, after the step of forming the notch portion, the first inspection signal is input to the first inspection terminal portion, and it is determined whether the first inspection wiring is disconnected or conductive, whereby the notch portion A step of inspecting the formation state of is performed. As a result, unlike the above-described conventional example, even when a notch is formed, high-precision inspection can be easily performed without increasing the inspection process.
また、上記アクティブマトリクス基板の検査方法において、前記切り欠き部を形成する工程の前に、第２の検査信号が入力されるとともに、導通を検出する第２の検査端子部を設ける工程、及び
前記切り欠き部の形成位置の近傍に設けられるとともに、前記第２の検査端子部と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部に接続された第２の検査配線を配線する工程を行い、かつ、
前記切り欠き部を形成する工程の後に、前記第２の検査端子部に前記第２の検査信号を入力して、前記第２の検査配線が導通もしくは断線しているかについて判別することにより、前記切り欠き部の形成状態を検査する工程を行うことが好ましい。
In the inspection method of the active matrix substrate, a step of providing a second inspection terminal portion for detecting conduction while a second inspection signal is input before the step of forming the notch portion; and A step of wiring a second inspection wiring connected to the second inspection terminal portion so as to form a closed circuit with the second inspection terminal portion is provided near the formation position of the notch portion. ,And,
After the step of forming the cutout portion, the second inspection signal is input to the second inspection terminal portion to determine whether the second inspection wiring is conductive or disconnected. It is preferable to perform a step of inspecting the formation state of the notch.
この場合、切り欠き部に対して、より高精度な検査を行うことができる。 In this case, a more accurate inspection can be performed on the notch.
本発明によれば、切り欠き部を形成した場合でも、検査工程を増加させることなく、高精度な検査を容易に行うことができるアクティブマトリクス基板、その製造方法、及びそのアクティブマトリクス基板を用いた電気機器を提供することが可能となる。 According to the present invention, even when a notch is formed, an active matrix substrate that can easily perform high-precision inspection without increasing the inspection process, a manufacturing method thereof, and the active matrix substrate are used. It becomes possible to provide electrical equipment.
以下、本発明のアクティブマトリクス基板、検査方法、及び電気機器の好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、本発明を透過型の液晶表示装置及び情報端末に適用した場合を例示して説明する。また、各図中の構成部材の寸法は、実際の構成部材の寸法及び各構成部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。 Hereinafter, preferred embodiments of an active matrix substrate, an inspection method, and an electrical apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, a case where the present invention is applied to a transmissive liquid crystal display device and an information terminal will be described as an example. Moreover, the dimension of the structural member in each figure does not faithfully represent the actual dimension of the structural member, the dimensional ratio of each structural member, or the like.
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置及び情報端末を説明する図である。図１において、本実施形態の情報端末１００には、本発明のアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置１が含まれている。すなわち、情報端末１００では、その筐体１０１の内部に対して、液晶表示装置１が収納されている。また、この情報端末１００では、その表示部が液晶表示装置１の有効表示領域Ａによって構成されている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram for explaining a liquid crystal display device and an information terminal using an active matrix substrate according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, an
具体的には、情報端末１００は、筐体１０１に組み付けられる蓋体（図示せず）を備えている。この蓋体には、開口部が設けられており、当該開口部を介して上記有効表示領域Ａが視認できるように構成されている（図示せず）。
Specifically, the
また、情報端末１００には、マイク、スピーカー、センサー、カメラ、またはボタン等の電子部品１０２が設けられている。この電子部品１０２では、図１に示すように、その一部分が本発明のアクティブマトリクス基板に設けられた切り欠き部Ｋの内部に配置されるようになっている。これにより、本実施形態の情報端末１００では、切り欠き部Ｋの内部に電子部品１０２の一部分を配置しない場合に比べて、当該情報端末１００の外形寸法を小さくして、狭額縁化を図ることができるように構成されている。
The
また、上記アクティブマトリクス基板では、後に詳述するように、有効表示領域Ａにおいて、複数のデータ配線（ソース配線）及び複数の走査配線（ゲート配線）がマトリクス状に配列されている。また、これらの各データ配線及び各走査配線は、それぞれ接続配線Ｄ−１及びＧ−１により、有効表示領域Ａの外部に引き出されている。さらに、これらの接続配線Ｄ−１及びＧ−１は、図１に示すように、例えば後述のデータドライバとゲートドライバを一体的に構成したドライバＩＣ（ドライバチップ）１０３に接続されており、外部からの映像信号に応じた情報表示が、液晶表示装置１の有効表示領域Ａで行われるようになっている。
In the active matrix substrate, as will be described in detail later, in the effective display area A, a plurality of data lines (source lines) and a plurality of scanning lines (gate lines) are arranged in a matrix. Further, each of these data lines and each scanning line is drawn out of the effective display area A by connection wirings D-1 and G-1. Further, as shown in FIG. 1, these connection wirings D-1 and G-1 are connected to a driver IC (driver chip) 103 in which a data driver and a gate driver described later are integrated, for example. Is displayed in the effective display area A of the liquid
次に、図２を参照して、本実施形態の液晶表示装置１について、具体的に説明する。
Next, the liquid
図２は、上記液晶表示装置を説明する図である。 FIG. 2 is a diagram illustrating the liquid crystal display device.
図２において、本実施形態の液晶表示装置１は、図２の上側が視認側（表示面側）として設置される液晶パネル２と、液晶パネル２の非表示面側（図１の下側）に配置されて、当該液晶パネル２を照明する照明光を発生するバックライト装置３とが設けられている。
2, the liquid
液晶パネル２は、一対の基板を構成する対向基板４及び本発明のアクティブマトリクス基板５と、対向基板４及びアクティブマトリクス基板５の各外側表面にそれぞれ設けられた偏光板６、７とを備えている。対向基板４とアクティブマトリクス基板５との間には、後述の液晶層が挟持されている。また、対向基板４及びアクティブマトリクス基板５には、平板状の透明なガラス材またはアクリル樹脂などの透明な合成樹脂が使用されている。偏光板６、７には、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）またはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などの樹脂フィルムが使用されており、液晶パネル２に設けられた表示面の有効表示領域を少なくとも覆うように対応する対向基板４またはアクティブマトリクス基板５に貼り合わせられている。なお、偏光板６、７と液晶層との間にλ／４位相差板（４分の１波長板）を配置する場合もある。
The
また、アクティブマトリクス基板５は、上記一対の基板の一方の基板を構成するものであり、アクティブマトリクス基板５では、液晶パネル２の表示面に含まれる複数の画素に応じて、画素電極や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などが上記液晶層との間に形成されている（詳細は後述。）。一方、対向基板４は、一対の基板の他方の基板（対向基板）を構成するものであり、対向基板４には、カラーフィルタや対向電極などが上記液晶層との間に形成されている（図示せず）。
The
また、液晶パネル２では、当該液晶パネル２の駆動制御を行う制御装置（図示せず）に接続されたＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）８が設けられており、上記液晶層を画素単位に動作することで表示面を画素単位に駆動して、当該表示面上に所望画像を表示するようになっている。
Further, the
尚、液晶パネル２の液晶モードや画素構造は任意である。また、液晶パネル２の駆動モードも任意である。すなわち、液晶パネル２としては、情報を表示できる任意の液晶パネルを用いることができる。それ故、図２においては液晶パネル２の詳細な構造を図示せず、その説明も省略する。
Note that the liquid crystal mode and the pixel structure of the
バックライト装置３は、光源としての発光ダイオード９と、発光ダイオード９に対向して配置された導光板１０とを備えている。また、バックライト装置３では、断面Ｌ字状のベゼル１４により、導光板１０の上方に液晶パネル２が設置された状態で、発光ダイオード９及び導光板１０が挟持されている。また、対向基板４には、ケース１１が載置されている。これにより、バックライト装置３は、液晶パネル２に組み付けられて、当該バックライト装置３からの照明光が液晶パネル２に入射される透過型の液晶表示装置１として一体化されている。
The backlight device 3 includes a
また、ベゼル１４には、上記電子部品１０２が挿通される開口部（図示せず）が設けられており、液晶表示装置１が情報端末１００の筐体１０１に組み込まれるのを阻害しないようになっている。
Further, the
導光板１０には、例えば透明なアクリル樹脂などの合成樹脂が用いられており、発光ダイオード９からの光が入光される。導光板１０の液晶パネル２と反対側（対向面側）には、反射シート１２が設置されている。また、導光板１０の液晶パネル２側（発光面側）には、レンズシートや拡散シートなどの光学シート１３が設けられており、導光板１０の内部を所定の導光方向（図２の右側から左側への方向）に導かれた発光ダイオード９からの光が均一な輝度をもつ平面状の上記照明光に変えられて液晶パネル２に与えられる。
For the
尚、上記の説明では、導光板１０を有するエッジライト型のバックライト装置３を用いた構成について説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、直下型のバックライト装置を用いてもよい。また、発光ダイオード以外の冷陰極蛍光管や熱陰極蛍光管などの他の光源を有するバックライト装置も用いることができる。
In the above description, the configuration using the edge light type backlight device 3 having the
次に、図３も参照して、本実施形態の液晶パネル２について具体的に説明する。
Next, the
図３は、図２に示した液晶パネルの構成を説明する図である。 FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration of the liquid crystal panel shown in FIG.
図３において、液晶表示装置１（図２）には、文字や画像等の情報を表示する上記表示部としての液晶パネル２（図２）の駆動制御を行うパネル制御部１５と、このパネル制御部１５からの指示信号を基に動作するデータドライバ（ソースドライバ）１６及びゲートドライバ１７が設けられている。
3, the liquid crystal display device 1 (FIG. 2) includes a
パネル制御部１５は、上記制御装置内に設けられたものであり、液晶表示装置１の外部からの映像信号が入力されるようになっている。また、パネル制御部１５は、入力された映像信号に対して所定の画像処理を行ってデータドライバ１６及びゲートドライバ１７への各指示信号を生成する画像処理部１５ａと、入力された映像信号に含まれた１フレーム分の表示データを記憶可能なフレームバッファ１５ｂとを備えている。そして、パネル制御部１５が、入力された映像信号に応じて、データドライバ１６及びゲートドライバ１７の駆動制御を行うことにより、その映像信号に応じた情報が液晶パネル２に表示される。
The
また、データドライバ１６及びゲートドライバ１７には、上述したように、例えば互いに一体的に構成されたドライバＩＣ１０３が用いられており、このドライバＩＣ１０３は、図１に示したように、アクティブマトリクス基板５上に設置されている。
Further, as described above, for example, the
また、データドライバ１６及びゲートドライバ１７は、液晶パネル２側に設けられた複数の画素Ｐを画素単位に駆動する駆動回路であり、データドライバ１６及びゲートドライバ１７には、複数のデータ配線（ソース配線）Ｄ１〜ＤＭ（Ｍは、２以上の整数、以下、“Ｄ”にて総称する。）及び複数のゲート配線（走査配線）Ｇ１〜ＧＮ（Ｎは、２以上の整数、以下、“Ｇ”にて総称する。）がそれぞれ接続されている。これらのデータ配線Ｄ及びゲート配線Ｇは、アクティブマトリクス基板５に含まれた透明なガラス材または透明な合成樹脂製の後述の基材上で互いに交差するように、マトリクス状に配列されている。すなわち、データ配線Ｄは、マトリクス状の列方向（液晶パネル２の縦方向）に平行となるように上記基材上に設けられ、ゲート配線Ｇは、マトリクス状の行方向（液晶パネル２の横方向）に平行となるように上記基材上に設けられている。
The
また、これらのデータ配線Ｄと、ゲート配線Ｇとの交差部の近傍には、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ１８と、薄膜トランジスタ１８に接続された画素電極１９を有する上記画素Ｐが設けられている。また、各画素Ｐでは、対向電極２０が液晶パネル２に設けられた上記液晶層を間に挟んだ状態で画素電極１９に対向するよう構成されている。すなわち、アクティブマトリクス基板５では、薄膜トランジスタ１８及び画素電極１９が画素単位に設けられている。
Further, in the vicinity of the intersection between the data line D and the gate line G, the pixel P having the
尚、上記の説明以外に、薄膜トランジスタの代わりに、スイッチング素子として、例えば電界効果トランジスタを用いることもできる。 In addition to the above description, for example, a field effect transistor can be used as the switching element instead of the thin film transistor.
また、アクティブマトリクス基板５では、データ配線Ｄと、ゲート配線Ｇとによってマトリクス状に区画された各領域に、複数の各画素Ｐの領域が形成されている。これら複数の画素Ｐには、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の画素が含まれている。また、これらのＲＧＢの画素は、例えばこの順番で、各ゲート配線Ｇ１〜ＧＮに平行に順次配設されている。さらに、これらのＲＧＢの画素は、対向基板４側に設けられた上記カラーフィルタ層により、対応する色の表示を行えるようになっている。
In the
また、アクティブマトリクス基板５では、ゲートドライバ１７は、画像処理部１５ａからの指示信号に基づいて、ゲート配線Ｇ１〜ＧＮに対して、対応する薄膜トランジスタ１８のゲート電極をオン状態にする走査信号（ゲート信号）を順次出力する。また、データドライバ１６は、画像処理部１５ａからの指示信号に基づいて、表示画像の輝度（階調）に応じたデータ信号（電圧信号（階調電圧））を対応するデータ配線Ｄ１〜ＤＭに出力する。
In the
次に、図４及び図５も参照して、本実施形態のアクティブマトリクス基板５の主要部について具体的に説明する。
Next, the main part of the
図４は、図３に示したアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。図５は、上記アクティブマトリクス基板の要部を示す拡大断面図である。 FIG. 4 is an enlarged plan view showing a main part of the active matrix substrate shown in FIG. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of the active matrix substrate.
図４に示すように、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、例えば半円状の切り欠き部Ｋが上記有効表示領域Ａの外側、つまり複数のデータ配線Ｄ及び複数のゲート配線Ｇのマトリクス状に配列された領域の外側に形成されている。
As shown in FIG. 4, in the
また、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、第１の検査端子部２１と第１の検査配線２２が切り欠き部Ｋの近傍に設けられている。第１の検査端子部２１は、２つの端子部（電極パット）２１ａ及び２１ｂを備えている。また、第１の検査端子部２１では、その端子部２１ａまたは２１ｂに対して、第１の検査信号が入力されるようになっており、断線を検出するように構成されている。
In the
また、第１の検査配線２２には、２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂが含まれている。第１の分岐配線２２ａでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断されている。同様に、第１の分岐配線２２ｂでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断されている。
The
具体的にいえば、第１の分岐配線２２ａは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断された配線部２２ａ１と、切り欠き部Ｋによって切断されている切断部２２ａ２を有している。また、第１の分岐配線２２ｂは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断された配線部２２ｂ１と、切り欠き部Ｋによって切断されている切断部２２ｂ２を有している。
Specifically, the
また、第１の検査配線２２では、第１の検査端子部２１と閉回路を構成するように、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂが設けられたものであり、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂでは、切断部２２ａ２及び２２ｂ２は切り欠き部Ｋによって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋが形成される前においては、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂは１本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第１の検査端子部２１の端子部２１ａ及び２１ｂに接続されている。そして、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋが適正に形成されることにより、２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分けられる。
The
具体的にいえば、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋが当該切り欠き部Ｋのスペックのうち、最小許容範囲（図４に一点鎖線“Ｍ２”にて図示）よりも大きく形成された場合に、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分断されるようになっている。言い換えれば、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Ｋによって２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
Specifically, the
また、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲（図４に一点鎖線“Ｍ１”にて図示）よりも大きく形成された場合においても、２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分けられる。但し、この場合、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、上記最大許容範囲Ｍ１の近傍に設けられた接続配線Ｇ−１（図１）が切り欠き部Ｋによって分断されることにより、当該切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されたことが判別できるようになっている。
In addition, the
また、第１の検査端子部２１及び第１の検査配線２２は、上記画素電極１９と同じ導電層によって構成されている。具体的にいえば、図５に例示するように、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、例えばガラス材によって構成された上記基材５ａと、この基材５ａ上に順次形成されたゲート絶縁膜２３及び層間絶縁膜２４を有している。そして、第１の検査端子部２１の端子部２１ａ及び第１の分岐配線２２ａは、例えば画素電極１９と同時に、かつ、同じ導電層により、層間絶縁膜２４上に形成されている。
Further, the first
続いて、図６を参照して、本実施形態のアクティブマトリクス基板５での具体的な検査工程について説明する。尚、以下の説明では、切り欠き部Ｋに対する検査工程について主に説明する。
Subsequently, a specific inspection process in the
図６は、上記アクティブマトリクス基板の具体的な検査工程を示すフローチャートである。 FIG. 6 is a flowchart showing a specific inspection process of the active matrix substrate.
図６のステップＳ１に示すように、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、まず第１の検査信号が入力されるとともに、断線を検出する第１の検査端子部２１を設ける工程が行われる。すなわち、第１の検査端子部２１の端子部２１ａ及び２１ｂが、層間絶縁膜２４上に設置される。
As shown in step S1 of FIG. 6, in the
続いて、ステップＳ２に示すように、第１の検査端子部２１に接続されるとともに、一部分が切り欠き部Ｋの形成位置に設けられるように、第１の検査配線２２を配線する工程が行われる。すなわち、第１の検査配線２２が、層間絶縁膜２４上に配線される。
Subsequently, as shown in step S2, a step of wiring the
尚、この説明以外に、ステップＳ１及びＳ２を同時に行う構成でもよい。つまり、上述したように、画素電極１９と同時に、かつ、同じ導電層により、第１の検査端子部２１の端子部２１ａ及び２１ｂと第１の検査配線２２を層間絶縁膜２４上に設けてもよい。
In addition to this description, a configuration in which steps S1 and S2 are performed simultaneously may be employed. That is, as described above, the
続いて、ステップＳ３に示すように、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、複数のデータ配線Ｄ及び複数のゲート配線Ｇのマトリクス状に配列された領域の外側に切り欠き部Ｋを形成する工程が行われて、切り欠き部Ｋが形成される。
Subsequently, as shown in step S <b> 3, in the
次に、ステップＳ４に示すように、第１の検査端子部２１に第１の検査信号を入力して、第１の検査配線２２が断線もしくは導通しているかについて判別することにより、切り欠き部Ｋの形成状態を検査する工程が行われる。すなわち、第１の検査信号を用いて、切り欠き部Ｋの検査が行われる。具体的にいえば、第１の検査信号が、例えば第１の検査端子部２１の端子部２１ａに入力され、端子部２１ｂから出力されるかどうかについて判別することにより、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも小さく形成されたどうかについて検査する。すなわち、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲よりも小さく形成されている場合、第１の検査配線２２は、２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分断されておらず、導通しているので、第１の検査信号は、端子部２１ａに入力されて、第１の検査配線２２を経て端子部２１ｂから出力される。この結果、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも小さく形成されていることが判別される。
Next, as shown in step S <b> 4, the first inspection signal is input to the first
一方、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも大きく形成されている場合、図４に例示したように、第１の検査配線２２は、当該切り欠き部Ｋによって２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分断されている。これにより、第１の検査信号は、端子部２１ａに入力されても、端子部２１ｂから出力されない。この結果、第１の検査配線２２の断線が検出されて、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも大きく形成されていることが判別される。
On the other hand, when the cutout portion K is formed larger than the minimum allowable range M2, the
また、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成された場合、上述したように、当該最大許容範囲Ｍ１の近傍に設けられた接続配線Ｇ−１が切り欠き部Ｋによって分断されることにより、その接続配線Ｇ−１に接続されているゲート配線Ｇが不導通の状態（つまり、信号が流れない状態）となる。この結果、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されていることが判別される。 Further, when the cutout portion K is formed larger than the maximum allowable range M1, the connection wiring G-1 provided in the vicinity of the maximum allowable range M1 is divided by the cutout portion K as described above. As a result, the gate line G connected to the connection line G-1 becomes non-conductive (that is, a state in which no signal flows). As a result, it is determined that the notch K is formed larger than the maximum allowable range M1.
また、この切り欠き部Ｋの検査は、例えばデータ配線Ｄ及び／またはゲート配線Ｇの検査と同時に行われるようになっており、アクティブマトリクス基板５の検査工程の工程数を増加しないようになっている。
Further, the inspection of the notch K is performed at the same time as the inspection of the data wiring D and / or the gate wiring G, for example, so that the number of inspection processes of the
以上のように構成された本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、第１の検査端子部２１と、この第１の検査端子部２１に接続されるとともに、切り欠き部Ｋによって切断されている第１の検査配線２２が設けられている。また、第１の検査端子部２１に対して、第１の検査信号が入力されて、断線を検出するように構成されている。これにより、本実施形態では、上記従来例と異なり、切り欠き部を形成した場合でも、検査工程を増加させることなく、高精度な検査を容易に行うことができるアクティブマトリクス基板５を構成することができる。
In the
すなわち、上記従来例では、カメラ、露光装置、及び画像処理装置等の装置を用いた光学的な検査が行われていたので、これら装置の設置場所を確保したり、検査工程の増加を招いたりします。一方、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、第１の検査信号を用いた電気的な検査であり、しかも、上述したように、データ配線Ｄ及び／またはゲート配線Ｇの検査と同時に行うことができるので、検査工程の工程数の増加を招きません。また、上記の光学的な検査と異なり、アクティブマトリクス基板５に生じた微細なクラックの検出も容易に行うことができます。さらに、本実施形態のアクティブマトリクス基板の検査方法では、上記従来例と異なり、切り欠き部Ｋの大きさや形状などが変更された場合でも、このような切り欠き部Ｋの変更に迅速に対応することができ、検査工程を容易に行うことができます。
That is, in the above conventional example, since optical inspection is performed using devices such as a camera, an exposure device, and an image processing device, the installation location of these devices is ensured or the inspection process is increased. To do. On the other hand, in the
また、本実施形態では、第１の検査配線２２には、複数の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂが含まれるとともに、複数の第１の各分岐配線２２ａ及び２２ｂでは、一端側が第１の検査端子部２１に接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断されている。これにより、本実施形態では、複数の分岐配線２２ａ及び２２ｂにより、切り欠き部Ｋの高精度な検査を確実に行うことができる。
In the present embodiment, the
また、本実施形態では、切り欠き部Ｋを形成した場合でも、検査工程を増加させることなく、高精度な検査を容易に行うことができるアクティブマトリクス基板５が用いられているので、高性能でコンパクトな情報端末（電気機器）１００を容易に構成することができる。
Further, in the present embodiment, even when the cutout portion K is formed, the
［第２の実施形態］
図７は、本発明の第２の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
[Second Embodiment]
FIG. 7 is an enlarged plan view showing a main part of the active matrix substrate according to the second embodiment of the present invention.
図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、第２の検査信号が入力されるとともに、導通を検出する第２の検査端子部と、切り欠き部の近傍に設けられるとともに、第２の検査端子部と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部に接続された第２の検査配線を設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。 In the figure, the main difference between the present embodiment and the first embodiment is that the second inspection signal is input, the second inspection terminal portion for detecting continuity, and the vicinity of the notch portion. In addition to being provided, a second inspection wiring connected to the second inspection terminal portion is provided so as to form a closed circuit with the second inspection terminal portion. In addition, about the element which is common in the said 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the duplicate description is abbreviate | omitted.
すなわち、図７において、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、第２の検査端子部２５と第２の検査配線２６が切り欠き部Ｋの近傍に設けられている。第２の検査端子部２５は、２つの端子部（電極パット）２５ａ及び２５ｂを備えている。また、第２の検査端子部２５では、その端子部２５ａまたは２５ｂに対して、第２の検査信号が入力されるようになっており、導通を検出するように構成されている。
That is, in FIG. 7, in the
また、第２の検査配線２６は、第２の検査端子部２５と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部２５に接続されている。さらに、第２の検査配線２６では、図７に示すように、その一部分が切り欠き部Ｋの最大許容範囲Ｍ１に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
Further, the
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも小さく形成された場合、第２の検査配線２６は当該切り欠き部Ｋによって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
Specifically, in the
一方、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成された場合、第２の検査配線２６は当該切り欠き部Ｋによって断線された状態となり、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されたことを判別することができる。
On the other hand, when the cutout portion K is formed larger than the maximum allowable range M1, the
また、第２の検査端子部２５及び第２の検査配線２６は、第１の検査端子部２１及び第１の検査配線２２と同様に、上記画素電極１９と同じ導電層によって構成されている。
Similarly to the first
続いて、図８を参照して、本実施形態のアクティブマトリクス基板５での具体的な検査工程について説明する。尚、以下の説明では、切り欠き部Ｋに対する検査工程について主に説明する。
Next, a specific inspection process in the
図８は、図７に示したアクティブマトリクス基板の具体的な検査工程を示すフローチャートである。 FIG. 8 is a flowchart showing a specific inspection process of the active matrix substrate shown in FIG.
図８のステップＳ５に例示するように、上記ステップＳ１が行われた後、第２の検査信号が入力されるとともに、導通を検出する第２の検査端子部２５を設ける工程が行われる。すなわち、第２の検査端子部２５の端子部２５ａ及び２５ｂが、層間絶縁膜２４上に設置される。
As illustrated in step S5 of FIG. 8, after step S1 is performed, a second inspection signal is input and a step of providing a second
続いて、ステップＳ６に示すように、上記ステップＳ２が行われた後、切り欠き部Ｋの形成位置の近傍に設けられるとともに、第２の検査端子部２５と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部２５に接続された第２の検査配線２６を配線する工程が行われる。すなわち、第２の検査配線２６が、層間絶縁膜２４上に配線される。
Subsequently, as shown in step S6, after step S2 is performed, the second
尚、この説明以外に、ステップＳ１、Ｓ２、Ｓ５、及びＳ６を同時に行う構成でもよい。つまり、上述したように、画素電極１９と同時に、かつ、同じ導電層により、第１の検査端子部２１の端子部２１ａ及び２１ｂ、第１の検査配線２２、第２の検査端子部２５の端子部２５ａ及び２５ｂ、及び第２の検査配線２６を層間絶縁膜２４上に設けてもよい。
In addition to the above description, steps S1, S2, S5, and S6 may be performed simultaneously. That is, as described above, simultaneously with the
続いて、ステップＳ３に示すように、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋを形成する工程が行われて、切り欠き部Ｋが形成される。
Subsequently, as shown in step S <b> 3, in the
次に、ステップＳ７に示すように、上記ステップＳ４が行われた後、第２の検査端子部２５に第２の検査信号を入力して、第２の検査配線２６が導通もしくは断線しているかについて判別することにより、切り欠き部Ｋの形成状態を検査する工程が行われる。具体的にいえば、第２の検査信号が、例えば第２の検査端子部２５の端子部２５ａに入力され、端子部２５ｂから出力されるかどうかについて判別することにより、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されたどうかについて検査する。すなわち、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも小さく形成されている場合、第２の検査配線２６は、図７に例示したように、分断されておらず、導通しているので、第２の検査信号は、端子部２５ａに入力されて、第２の検査配線２６を経て端子部２５ｂから出力される。この結果、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも小さく形成されていることが判別される。
Next, as shown in step S7, after step S4 is performed, a second inspection signal is input to the second
一方、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されている場合、第２の検査配線２６は、当該切り欠き部Ｋによって分断されている。これにより、第２の検査信号は、端子部２５ａに入力されても、端子部２５ｂから出力されない。この結果、第２の検査配線２６の断線が検出されて、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されていることが判別される。
On the other hand, when the notch K is formed larger than the maximum allowable range M1, the
尚、この説明以外に、ステップＳ４及びＳ７を同時に行う構成でもよい。つまり、第１及び第２の検査端子部２１及び２５への第１及び第２の検査信号の入力動作を、例えばデータ配線Ｄ及び／またはゲート配線Ｇの検査と同時に行う構成でもよい。
In addition to this description, a configuration in which steps S4 and S7 are performed simultaneously may be employed. That is, the first and second inspection signal input operations to the first and second
以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、第２の検査信号が入力されるとともに、導通を検出する第２の検査端子部２５と、切り欠き部Ｋの近傍に設けられるとともに、第２の検査端子部２５と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部２５に接続された第２の検査配線２６を備えている。これにより、本実施形態では、切り欠き部Ｋに対して、より高精度な検査を行うことができる。
With the above configuration, the present embodiment can achieve the same operations and effects as the first embodiment. In the present embodiment, the second inspection signal is input, the second
［第３の実施形態］
図９は、本発明の第３の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
[Third Embodiment]
FIG. 9 is an enlarged plan view showing a main part of an active matrix substrate according to the third embodiment of the present invention.
図において、本実施形態と上記第２の実施形態との主な相違点は、１つの切り欠き部に対して、第１の検査端子部と第１の検査配線との組を２個設けるとともに、第２の検査端子部と第２の検査配線との組を２個設けた点である。なお、上記第２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。 In the figure, the main difference between this embodiment and the second embodiment is that two sets of the first inspection terminal portion and the first inspection wiring are provided for one notch portion. The second test terminal portion and the second test wiring are provided in two sets. In addition, about the element which is common in the said 2nd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the duplicate description is abbreviate | omitted.
すなわち、図９において、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、第１の検査端子部２１’と第１の検査配線２２’、及び第２の検査端子部２５’と第２の検査配線２６’が切り欠き部Ｋの近傍に設けられている。すなわち、１つの切り欠き部Ｋに対して、第１の検査端子部２１及び２１’と第１の検査配線２２及び２２’との組が２個設けられるとともに、第２の検査端子部２５及び２５’と第２の検査配線２６及び２６’との組が２個設けられている。
That is, in FIG. 9, in the
第１の検査端子部２１’は、２つの端子部（電極パット）２１ａ’及び２１ｂ’を備えている。また、第１の検査端子部２１’では、その端子部２１ａ’または２１ｂ’に対して、第１の検査信号が入力されるようになっており、断線を検出するように構成されている。
The first inspection terminal portion 21 'includes two terminal portions (electrode pads) 21a' and 21b '. Further, the first
また、第１の検査配線２２’には、２本の第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’が含まれている。第１の分岐配線２２ａ’では、その一端側が第１の検査端子部２１’の端子部２１ａ’に接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断されている。同様に、第１の分岐配線２２ｂ’では、その一端側が第１の検査端子部２１’の端子部２１ｂ’に接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断されている。
The first inspection wiring 22 'includes two
具体的にいえば、第１の分岐配線２２ａ’は、一端側が第１の検査端子部２１’の端子部２１ａ’に接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断された配線部２２ａ１’と、切り欠き部Ｋによって切断されている切断部２２ａ２’を有している。また、第１の分岐配線２２ｂ’は、一端側が第１の検査端子部２１’の端子部２１ｂ’に接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断された配線部２２ｂ１’と、切り欠き部Ｋによって切断されている切断部２２ｂ２’を有している。
Specifically, the
また、第１の検査配線２２’では、第１の検査端子部２１’と閉回路を構成するように、第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’が設けられたものであり、第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’では、切断部２２ａ２’及び２２ｂ２’は切り欠き部Ｋによって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第１の検査配線２２’は、切り欠き部Ｋが形成される前においては、第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’は１本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第１の検査端子部２１’の端子部２１ａ’及び２１ｂ’に接続されている。そして、第１の検査配線２２’は、切り欠き部Ｋが適正に形成されることにより、２本の第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’に分けられる。
In addition, the
具体的にいえば、第１の検査配線２２’は、切り欠き部Ｋが当該切り欠き部Ｋのスペックのうち、最小許容範囲Ｍ２よりも大きく形成された場合に、第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’に分断されるようになっている。言い換えれば、第１の検査配線２２’は、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Ｋによって２本の第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’に分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
More specifically, the
また、第１の検査端子部２１’及び第１の検査配線２２’は、上記画素電極１９と同じ導電層によって構成されている。
Further, the first
第２の検査端子部２５’は、２つの端子部（電極パット）２５ａ’及び２５ｂ’を備えている。また、第２の検査端子部２５’では、その端子部２５ａ’または２５ｂ’に対して、第２の検査信号が入力されるようになっており、導通を検出するように構成されている。
The second
また、第２の検査配線２６’は、第２の検査端子部２５’と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部２５’に接続されている。さらに、第２の検査配線２６’では、図９に示すように、その一部分が切り欠き部Ｋの最大許容範囲Ｍ１に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
Further, the second inspection wiring 26 ′ is connected to the second
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも小さく形成された場合、第２の検査配線２６’は当該切り欠き部Ｋによって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
Specifically, in the
一方、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成された場合、第２の検査配線２６’は当該切り欠き部Ｋによって断線された状態となり、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されたことを判別することができる。 On the other hand, when the cutout portion K is formed larger than the maximum allowable range M1, the second inspection wiring 26 ′ is disconnected by the cutout portion K, and the cutout portion K is in the maximum allowable range M1. It can be discriminated that it is formed larger than.
また、第２の検査端子部２５’及び第２の検査配線２６’は、第１の検査端子部２１’及び第１の検査配線２２’と同様に、上記画素電極１９と同じ導電層によって構成されている。
In addition, the second
以上の構成により、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、１つの切り欠き部Ｋに対して、第１の検査端子部２１及び２１’と第１の検査配線２２及び２２’との組が２個設けられるとともに、第２の検査端子部２５及び２５’と第２の検査配線２６及び２６’との組が２個設けられている。これにより、本実施形態では、切り欠き部Ｋの検査精度をより容易に向上させることができる。すなわち、本実施形態では、局所的な割れやヒビなどの発生を容易に検出することができる。
With the above configuration, the present embodiment can provide the same operations and effects as those of the second embodiment. Further, in the present embodiment, two sets of the first
［第４の実施形態］
図１０は、本発明の第４の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
[Fourth Embodiment]
FIG. 10 is an enlarged plan view showing a main part of an active matrix substrate according to the fourth embodiment of the present invention.
図において、本実施形態と上記第２の実施形態との主な相違点は、複数の第１の分岐配線を第１の検査配線に含めるとともに、第２の検査端子部に対し、複数の閉回路が構成されるように第２の検査配線を設けた点である。なお、上記第２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。 In the figure, the main difference between the present embodiment and the second embodiment is that a plurality of first branch wirings are included in the first inspection wiring and a plurality of closed terminals are connected to the second inspection terminal portion. The second inspection wiring is provided so as to constitute the circuit. In addition, about the element which is common in the said 2nd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the duplicate description is abbreviate | omitted.
すなわち、図１０において、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、第１の検査端子部２１と第１の検査配線２２、及び第２の検査端子部２５と第２の検査配線２６が切り欠き部Ｋの近傍に設けられている。
That is, in FIG. 10, in the
第１の検査端子部２１は、３つの端子部（電極パット）２１ａ、２１ｂ、及び２１ｃを備えている。また、第１の検査端子部２１では、その端子部２１ａ、２１ｂ、または２１ｃに対して、第１の検査信号が入力されるようになっており、断線を検出するように構成されている。
The first
また、第１の検査配線２２には、複数、例えば３本の第１の分岐配線２２ａ、２２ｂ、及び２２ｃが含まれている。第１の分岐配線２２ａでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断されている。同様に、第１の分岐配線２２ｂでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断されている。同様に、第１の分岐配線２２ｃでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｃに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断されている。
The
具体的にいえば、第１の分岐配線２２ａは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断された配線部２２ａ１と、切り欠き部Ｋによって切断されている切断部２２ａ２を有している。また、第１の分岐配線２２ｂは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断された配線部２２ｂ１と、切り欠き部Ｋによって切断されている切断部２２ｂ２を有している。また、第１の分岐配線２２ｃは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｃに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断された配線部２２ｃ１と、切り欠き部Ｋによって切断されている切断部２２ｃ２を有している。
Specifically, the
また、第１の検査配線２２では、第１の検査端子部２１と閉回路を構成するように、第１の分岐配線２２ａ、２２ｂ、及び２２ｃが設けられたものであり、第１の分岐配線２２ａ、２２ｂ、及び２２ｃでは、切断部２２ａ２、２２ｂ２、及び２２ｃ２は切り欠き部Ｋによって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋが形成される前においては、第１の分岐配線２２ａ、２２ｂ、及び２２ｃは１本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第１の検査端子部２１の端子部２１ａ、２１ｂ、及び２１ｃに接続されている。そして、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋが適正に形成されることにより、３本の第１の分岐配線２２ａ、２２ｂ、及び２２ｃに分けられる。
The
具体的にいえば、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋが当該切り欠き部Ｋのスペックのうち、最小許容範囲Ｍ２よりも大きく形成された場合に、第１の分岐配線２２ａ、２２ｂ、及び２２ｃに分断されるようになっている。言い換えれば、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Ｋによって３本の第１の分岐配線２２ａ、２２ｂ、及び２２ｃに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
Specifically, the
第２の検査端子部２５は、３つの端子部（電極パット）２５ａ、２５ｂ、及び２５ｃを備えている。また、第２の検査端子部２５では、その端子部２５ａ、２５ｂ、または２５ｃに対して、第２の検査信号が入力されるようになっており、導通を検出するように構成されている。
The second
また、第２の検査配線２６は、第２の検査端子部２５と複数、例えば３つの閉回路を構成するように当該第２の検査端子部２５に接続されている。すなわち、第２の検査配線２６は、第２の検査端子部２５の端子部２５ａ、２５ｂ、及び２５ｃに対して、３つの閉回路（つまり、２つの端子部を各々含んだ３つの閉回路）が構成されるように、これら端子部２５ａ、２５ｂ、及び２５ｃに接続されている。さらに、第２の検査配線２６では、図１０に示すように、その一部分が切り欠き部Ｋの最大許容範囲Ｍ１に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
Further, the
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも小さく形成された場合、第２の検査配線２６は当該切り欠き部Ｋによって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
Specifically, in the
一方、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成された場合、第２の検査配線２６は当該切り欠き部Ｋによって断線された状態となり、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されたことを判別することができる。
On the other hand, when the cutout portion K is formed larger than the maximum allowable range M1, the
以上の構成により、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、第１の検査配線２２には、３本の第１の分岐配線２２ａ、２２ｂ、及び２２ｃが含まれている。また、第２の検査配線２６は、第２の検査端子部２５に対し、３つの閉回路が構成されるように、設けられている。これにより、本実施形態では、第３の実施形態のものと同様に、切り欠き部Ｋの検査精度を容易に向上させることができる。また、本実施形態では、第３の実施形態のものに比べて、第１及び第２の各検査端子部２１及び２５での端子部の設置数の増加を抑えることができる。
With the above configuration, the present embodiment can provide the same operations and effects as those of the second embodiment. In the present embodiment, the
［第５の実施形態］
図１１は、本発明の第５の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
[Fifth Embodiment]
FIG. 11 is an enlarged plan view showing a main part of an active matrix substrate according to the fifth embodiment of the present invention.
図において、本実施形態と上記第２の実施形態との主な相違点は、半楕円状の切り欠き部を設けた点である。なお、上記第２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。 In the figure, the main difference between the present embodiment and the second embodiment is that a semi-elliptical cutout is provided. In addition, about the element which is common in the said 2nd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the duplicate description is abbreviate | omitted.
すなわち、図１１において、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、半楕円状の切り欠き部Ｋ１が設けられており、この切り欠き部Ｋ１の近傍には、第１の検査端子部２１と第１の検査配線２２、及び第２の検査端子部２５と第２の検査配線２６が設けられている。
That is, in FIG. 11, the
また、第１の検査配線２２には、２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂが含まれている。第１の分岐配線２２ａでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ１によって切断されている。同様に、第１の分岐配線２２ｂでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ１によって切断されている。
The
具体的にいえば、第１の分岐配線２２ａは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ１によって切断された配線部２２ａ１と、切り欠き部Ｋ１によって切断されている切断部２２ａ２を有している。また、第１の分岐配線２２ｂは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ１によって切断された配線部２２ｂ１と、切り欠き部Ｋ１によって切断されている切断部２２ｂ２を有している。
Specifically, the
また、第１の検査配線２２では、第１の検査端子部２１と閉回路を構成するように、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂが設けられたものであり、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂでは、切断部２２ａ２及び２２ｂ２は切り欠き部Ｋ１によって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ１が形成される前においては、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂは１本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第１の検査端子部２１の端子部２１ａ及び２１ｂに接続されている。そして、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ１が適正に形成されることにより、２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分けられる。
The
具体的にいえば、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ１が当該切り欠き部Ｋ１のスペックのうち、最小許容範囲（図１１に一点鎖線“Ｍ４”にて図示）よりも大きく形成された場合に、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分断されるようになっている。言い換えれば、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ１がその最小許容範囲Ｍ４よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Ｋ１によって２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ１がその最小許容範囲Ｍ４よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
Specifically, the
また、第２の検査配線２６は、第２の検査端子部２５と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部２５に接続されている。さらに、第２の検査配線２６では、図１１に示すように、その一部分が切り欠き部Ｋ１の最大許容範囲（図１１に一点鎖線“Ｍ３”にて図示）に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ１がその最大許容範囲Ｍ３よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
Further, the
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ１がその最大許容範囲Ｍ３よりも小さく形成された場合、第２の検査配線２６は当該切り欠き部Ｋ１によって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Ｋ１がその最大許容範囲Ｍ３よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
Specifically, in the
一方、切り欠き部Ｋ１がその最大許容範囲Ｍ３よりも大きく形成された場合、第２の検査配線２６は当該切り欠き部Ｋ１によって断線された状態となり、切り欠き部Ｋ１がその最大許容範囲Ｍ３よりも大きく形成されたことを判別することができる。
On the other hand, when the cutout portion K1 is formed larger than the maximum allowable range M3, the
以上の構成により、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。 With the above configuration, the present embodiment can provide the same operations and effects as those of the second embodiment.
［第６の実施形態］
図１２は、本発明の第６の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
[Sixth Embodiment]
FIG. 12 is an enlarged plan view showing a main part of an active matrix substrate according to the sixth embodiment of the present invention.
図において、本実施形態と上記第３の実施形態との主な相違点は、多角形状の切り欠き部を設けた点である。なお、上記第３の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。 In the figure, the main difference between the present embodiment and the third embodiment is that a polygonal cutout is provided. In addition, about the element which is common in the said 3rd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the duplicate description is abbreviate | omitted.
すなわち、図１２において、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、多角形状、例えば三角形状の切り欠き部Ｋ２が設けられており、この切り欠き部Ｋ２の近傍には、第１の検査端子部２１及び２１’と第１の検査配線２２及び２２’、及び第２の検査端子部２５及び２５’と第２の検査配線２６及び２６’が設けられている。
That is, in FIG. 12, the
また、第１の検査配線２２には、２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂが含まれている。第１の分岐配線２２ａでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ２によって切断されている。同様に、第１の分岐配線２２ｂでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ２によって切断されている。
The
具体的にいえば、第１の分岐配線２２ａは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ２によって切断された配線部２２ａ１と、切り欠き部Ｋ２によって切断されている切断部２２ａ２を有している。また、第１の分岐配線２２ｂは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ２によって切断された配線部２２ｂ１と、切り欠き部Ｋ２によって切断されている切断部２２ｂ２を有している。
Specifically, the
また、第１の検査配線２２では、第１の検査端子部２１と閉回路を構成するように、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂが設けられたものであり、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂでは、切断部２２ａ２及び２２ｂ２は切り欠き部Ｋ２によって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ２が形成される前においては、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂは１本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第１の検査端子部２１の端子部２１ａ及び２１ｂに接続されている。そして、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ２が適正に形成されることにより、２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分けられる。
The
具体的にいえば、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ２が当該切り欠き部Ｋ１のスペックのうち、最小許容範囲（図１２に一点鎖線“Ｍ６”にて図示）よりも大きく形成された場合に、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分断されるようになっている。言い換えれば、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ２がその最小許容範囲Ｍ６よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Ｋ２によって２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ２がその最小許容範囲Ｍ６よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
More specifically, the
同様に、第１の検査配線２２’には、２本の第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’が含まれている。第１の分岐配線２２ａ’では、その一端側が第１の検査端子部２１’の端子部２１ａ’に接続され、他端側が切り欠き部Ｋ２によって切断されている。同様に、第１の分岐配線２２ｂ’では、その一端側が第１の検査端子部２１’の端子部２１ｂ’に接続され、他端側が切り欠き部Ｋ２によって切断されている。
Similarly, the
具体的にいえば、第１の分岐配線２２ａ’は、一端側が第１の検査端子部２１’の端子部２１ａ’に接続され、他端側が切り欠き部Ｋ２によって切断された配線部２２ａ１’と、切り欠き部Ｋ２によって切断されている切断部２２ａ２’を有している。また、第１の分岐配線２２ｂ’は、一端側が第１の検査端子部２１’の端子部２１ｂ’に接続され、他端側が切り欠き部Ｋ２によって切断された配線部２２ｂ１’と、切り欠き部Ｋ２によって切断されている切断部２２ｂ２’を有している。
Specifically, the
また、第１の検査配線２２’では、第１の検査端子部２１’と閉回路を構成するように、第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’が設けられたものであり、第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’では、切断部２２ａ２’及び２２ｂ２’は切り欠き部Ｋ２によって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第１の検査配線２２’は、切り欠き部Ｋ２が形成される前においては、第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’は１本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第１の検査端子部２１’の端子部２１ａ’及び２１ｂ’に接続されている。そして、第１の検査配線２２’は、切り欠き部Ｋ２が適正に形成されることにより、２本の第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’に分けられる。
In addition, the
具体的にいえば、第１の検査配線２２’は、切り欠き部Ｋ２が当該切り欠き部Ｋ１のスペックのうち、最小許容範囲Ｍ６よりも大きく形成された場合に、第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’に分断されるようになっている。言い換えれば、第１の検査配線２２’は、切り欠き部Ｋ２がその最小許容範囲Ｍ６よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Ｋ２によって２本の第１の分岐配線２２ａ’及び２２ｂ’に分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ２がその最小許容範囲Ｍ６よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
More specifically, the
また、第２の検査配線２６は、第２の検査端子部２５と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部２５に接続されている。さらに、第２の検査配線２６では、図１２に示すように、その一部分が切り欠き部Ｋ２の最大許容範囲（図１２に一点鎖線“Ｍ５”にて図示）に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ２がその最大許容範囲Ｍ５よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
Further, the
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ２がその最大許容範囲Ｍ５よりも小さく形成された場合、第２の検査配線２６は当該切り欠き部Ｋ２によって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Ｋ２がその最大許容範囲Ｍ５よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
Specifically, in the
一方、切り欠き部Ｋ２がその最大許容範囲Ｍ５よりも大きく形成された場合、第２の検査配線２６は当該切り欠き部Ｋ２によって断線された状態となり、切り欠き部Ｋ２がその最大許容範囲Ｍ５よりも大きく形成されたことを判別することができる。
On the other hand, when the notch K2 is formed larger than the maximum allowable range M5, the
同様に、第２の検査配線２６’は、第２の検査端子部２５’と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部２５’に接続されている。さらに、第２の検査配線２６’では、図１２に示すように、その一部分が切り欠き部Ｋ２の最大許容範囲Ｍ５に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ２がその最大許容範囲Ｍ５よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
Similarly, the second inspection wiring 26 'is connected to the second inspection terminal portion 25' so as to form a closed circuit with the second inspection terminal portion 25 '. Further, as shown in FIG. 12, the second inspection wiring 26 'is provided so that a part thereof is along the maximum allowable range M5 of the notch K2. Thus, the
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ２がその最大許容範囲Ｍ５よりも小さく形成された場合、第２の検査配線２６’は当該切り欠き部Ｋ２によって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Ｋ２がその最大許容範囲Ｍ５よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
Specifically, in the
一方、切り欠き部Ｋ２がその最大許容範囲Ｍ５よりも大きく形成された場合、第２の検査配線２６’は当該切り欠き部Ｋ２によって断線された状態となり、切り欠き部Ｋ２がその最大許容範囲Ｍ５よりも大きく形成されたことを判別することができる。 On the other hand, when the cutout portion K2 is formed larger than the maximum allowable range M5, the second inspection wiring 26 ′ is disconnected by the cutout portion K2, and the cutout portion K2 is in the maximum allowable range M5. It can be discriminated that it is formed larger than.
以上の構成により、本実施形態では、上記第３の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。 With the above configuration, the present embodiment can provide the same operations and effects as those of the third embodiment.
［第７の実施形態］
図１３は、本発明の第７の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
[Seventh Embodiment]
FIG. 13 is an enlarged plan view showing a main part of an active matrix substrate according to the seventh embodiment of the present invention.
図において、本実施形態と上記第２の実施形態との主な相違点は、直線状の切り欠き部を設けた点である。なお、上記第２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。 In the figure, the main difference between the present embodiment and the second embodiment is that a linear notch is provided. In addition, about the element which is common in the said 2nd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the duplicate description is abbreviate | omitted.
すなわち、図１３において、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、直線状の切り欠き部Ｋ３が設けられており、この切り欠き部Ｋ３の近傍には、第１の検査端子部２１と第１の検査配線２２、及び第２の検査端子部２５と第２の検査配線２６が設けられている。
That is, in FIG. 13, in the
また、第１の検査配線２２には、２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂが含まれている。第１の分岐配線２２ａでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ３によって切断されている。同様に、第１の分岐配線２２ｂでは、その一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ３によって切断されている。
The
具体的にいえば、第１の分岐配線２２ａは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ３によって切断された配線部２２ａ１と、切り欠き部Ｋ３によって切断されている切断部２２ａ２を有している。また、第１の分岐配線２２ｂは、一端側が第１の検査端子部２１の端子部２１ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋ３によって切断された配線部２２ｂ１と、切り欠き部Ｋ３によって切断されている切断部２２ｂ２を有している。
Specifically, the
また、第１の検査配線２２では、第１の検査端子部２１と閉回路を構成するように、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂが設けられたものであり、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂでは、切断部２２ａ２及び２２ｂ２は切り欠き部Ｋ３によって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ３が形成される前においては、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂは１本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第１の検査端子部２１の端子部２１ａ及び２１ｂに接続されている。そして、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ３が適正に形成されることにより、２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分けられる。
The
具体的にいえば、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ３が当該切り欠き部Ｋ１のスペックのうち、最小許容範囲（図１３に一点鎖線“Ｍ８”にて図示）よりも大きく形成された場合に、第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分断されるようになっている。言い換えれば、第１の検査配線２２は、切り欠き部Ｋ３がその最小許容範囲Ｍ８よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Ｋ３によって２本の第１の分岐配線２２ａ及び２２ｂに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ３がその最小許容範囲Ｍ８よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
More specifically, the
また、第２の検査配線２６は、第２の検査端子部２５と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部２５に接続されている。さらに、第２の検査配線２６では、図１３に示すように、その一部分が切り欠き部Ｋ３の最大許容範囲（図１３に一点鎖線“Ｍ７”にて図示）に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ３がその最大許容範囲Ｍ７よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
Further, the
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋ３がその最大許容範囲Ｍ７よりも小さく形成された場合、第２の検査配線２６は当該切り欠き部Ｋ３によって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Ｋ３がその最大許容範囲Ｍ７よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
Specifically, in the
一方、切り欠き部Ｋ３がその最大許容範囲Ｍ７よりも大きく形成された場合、第２の検査配線２６は当該切り欠き部Ｋ３によって断線された状態となり、切り欠き部Ｋ３がその最大許容範囲Ｍ７よりも大きく形成されたことを判別することができる。
On the other hand, when the notch K3 is formed larger than the maximum allowable range M7, the
以上の構成により、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。 With the above configuration, the present embodiment can provide the same operations and effects as those of the second embodiment.
［第８の実施形態］
図１４は、本発明の第８の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。図１５は、図１４のＸＶで囲んだ部分を示す拡大断面図である。
[Eighth Embodiment]
FIG. 14 is an enlarged plan view showing a main part of an active matrix substrate according to the eighth embodiment of the present invention. FIG. 15 is an enlarged sectional view showing a portion surrounded by XV in FIG.
図において、本実施形態と上記第２の実施形態との主な相違点は、互いに異なる導電層によって第１及び第２の検査配線を構成するとともに、切り欠き部に沿うように、かつ、第１の検査配線と交差するように、第２の検査配線を設けた点である。なお、上記第２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。 In the figure, the main difference between the present embodiment and the second embodiment is that the first and second inspection wirings are constituted by different conductive layers, along the notch portion, and in the first embodiment. The second inspection wiring is provided so as to intersect with the first inspection wiring. In addition, about the element which is common in the said 2nd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the duplicate description is abbreviate | omitted.
すなわち、図１４において、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、第１の検査端子部２７と第１の検査配線２８、及び第２の検査端子部２９と第２の検査配線３０が切り欠き部Ｋの近傍に設けられている。
That is, in FIG. 14, in the
第１の検査端子部２７は、２つの端子部（電極パット）２７ａ及び２７ｂを備えている。また、第１の検査端子部２７では、その端子部２７ａまたは２７ｂに対して、第１の検査信号が入力されるようになっており、断線を検出するように構成されている。
The first
また、第１の検査配線２８には、２本の第１の分岐配線２８ａ及び２８ｂが含まれている。第１の分岐配線２８ａでは、その一端側が第１の検査端子部２７の端子部２７ａに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断されている。同様に、第１の分岐配線２８ｂでは、その一端側が第１の検査端子部２７の端子部２７ｂに接続され、他端側が切り欠き部Ｋによって切断されている。
The
具体的にいえば、第１の分岐配線２８ａは、一端側が第１の検査端子部２７の端子部２７ａに接続された配線部２８ａ１と、この配線部２８ａ１から分岐するとともに、切り欠き部Ｋによって切断された配線部２８ａ２及び２８ａ３と、切り欠き部Ｋによって切断されている切断部２８ａ４及び２８ａ５を有している。また、第１の分岐配線２８ｂは、一端側が第１の検査端子部２７の端子部２７ｂに接続された配線部２８ｂ１と、この配線部２８ｂ１から分岐するとともに、切り欠き部Ｋによって切断された配線部２８ｂ２及び２８ｂ３と、切り欠き部Ｋによって切断されている切断部２８ｂ４及び２８ｂ５を有している。
Specifically, the
また、第１の検査配線２８では、第１の検査端子部２７と閉回路を構成するように、第１の分岐配線２８ａ及び２８ｂが設けられたものであり、第１の分岐配線２８ａ及び２８ｂでは、切断部２２ａ４、２８ａ５、２８ｂ４、及び２８ｂ５は切り欠き部Ｋによって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第１の検査配線２８は、切り欠き部Ｋが形成される前においては、第１の分岐配線２８ａ及び２８ｂは１本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第１の検査端子部２７の端子部２７ａ及び２７ｂに接続されている。そして、第１の検査配線２８は、切り欠き部Ｋが適正に形成されることにより、２本の第１の分岐配線２８ａ及び２８ｂに分けられる。
The
具体的にいえば、第１の検査配線２８は、切り欠き部Ｋが当該切り欠き部Ｋのスペックのうち、最小許容範囲（図１４に一点鎖線“Ｍ２”にて図示）よりも大きく形成された場合に、第１の分岐配線２８ａ及び２８ｂに分断されるようになっている。言い換えれば、第１の検査配線２８は、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Ｋによって２本の第１の分岐配線２８ａ及び２８ｂに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最小許容範囲Ｍ２よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
More specifically, the
第２の検査端子部２９は、２つの端子部（電極パット）２９ａ及び２９ｂを備えている。また、第２の検査端子部２９では、その端子部２９ａまたは２９ｂに対して、第２の検査信号が入力されるようになっており、導通を検出するように構成されている。
The second
また、第２の検査配線３０は、第２の検査端子部２９と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部２９に接続されている。すなわち、第２の検査配線３０は、一端側が第２の検査端子部２９の端子部２９ａに接続された配線部３０ａと、この配線部３０ａに順次接続された配線部３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、３０ｅ、３０ｆ、及び３０ｇを備えている。また、配線部３０ｇの一端側は、第２の検査端子部２９の端子部２９ｂに接続されている。また、配線部３０ｈが、配線部３０ｄと配線部３０ｇの間に設けられている。
Further, the second inspection wiring 30 is connected to the second
さらに、第２の検査配線３０では、図１４に示すように、配線部３０ｄが切り欠き部Ｋの最大許容範囲（図１４に一点鎖線“Ｍ１”にて図示）に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
Further, in the second inspection wiring 30, as shown in FIG. 14, the
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも小さく形成された場合、第２の検査配線３０は当該切り欠き部Ｋによって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
Specifically, in the
一方、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成された場合、第２の検査配線３０は当該切り欠き部Ｋによって断線された状態となり、切り欠き部Ｋがその最大許容範囲Ｍ１よりも大きく形成されたことを判別することができる。 On the other hand, when the cutout portion K is formed larger than the maximum allowable range M1, the second inspection wiring 30 is disconnected by the cutout portion K, and the cutout portion K exceeds the maximum allowable range M1. Can also be determined.
また、第１の検査端子部２７、第１の検査配線２８、及び第２の検査端子部２７は、上記画素電極１９と同じ導電層によって構成されている。一方、第２の検査配線３０は、上記データ配線Ｄと同じ導電層によって構成されており、第１及び第２の検査配線２８及び３０は、立体的に交差するようになっている。
Further, the first
具体的にいえば、図１５に例示するように、配線部３０ｇは、例えばデータ配線Ｄと同時に、かつ、同じ導電層により、層間絶縁膜２４に覆われるようにゲート絶縁膜２３上に設けられている。また、配線部２８ａ３は、例えば画素電極１９と同時に、かつ、同じ導電層により、層間絶縁膜２４上に形成されている。
Specifically, as illustrated in FIG. 15, the
以上の構成により、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、第１の検査配線２８と第２の検査配線３０とが、互いに異なる導電層によって構成され、第２の検査配線３０が、切り欠き部Ｋに沿うように、かつ、第１の検査配線２８と交差するように、設けられている。これにより、本実施形態では、切り欠き部Ｋに対して、より高精度な検査を容易に行うことができる。
With the above configuration, the present embodiment can provide the same operations and effects as those of the second embodiment. Further, in the present embodiment, the
尚、上記の実施形態はすべて例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって規定され、そこに記載された構成と均等の範囲内のすべての変更も本発明の技術的範囲に含まれる。 The above embodiments are all illustrative and not restrictive. The technical scope of the present invention is defined by the claims, and all modifications within the scope equivalent to the configurations described therein are also included in the technical scope of the present invention.
例えば、上記の説明では、本発明を透過型の液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明のアクティブマトリクス基板はこれに限定されるものではなく、複数の画素を有する表示領域と、画素を駆動するための信号を伝達する配線を有するあらゆる表示装置に対して本発明のアクティブマトリクス基板を適用することができる。例えば、有機ＥＬディスプレイ、又は、マイクロカプセル型電気泳動方式の表示装置その他表示装置に本発明を適応することができる。マイクロカプセル型電気泳動方式の表示装置は、例えば、表示領域に形成されたマイクロカプセル層に画素ごとに電圧を印加することで、画像を表示する構成とすることができる。表示装置は、例えば、画素ごとに設けられた画素電極にスイッチング素子を介して接続された表示領域の配線と、表示領域の配線に接続された引き出し線を備える基板を備える構成とすることができ、この基板を例えば、上記実施形態におけるアクティブマトリクス基板のように構成することができる。また、このような表示装置以外に、本発明のアクティブマトリクス基板は、例えばＸ線検出装置用のセンサー基板等の各種センサー基板に適用することができる。 For example, in the above description, the case where the present invention is applied to a transmissive liquid crystal display device has been described. However, the active matrix substrate of the present invention is not limited to this, and a display region having a plurality of pixels, The active matrix substrate of the present invention can be applied to any display device having a wiring for transmitting a signal for driving a pixel. For example, the present invention can be applied to an organic EL display, a microcapsule-type electrophoresis display device, and other display devices. A microcapsule-type electrophoretic display device can be configured to display an image by applying a voltage to each microcapsule layer formed in a display region for each pixel, for example. The display device can include, for example, a substrate including a display region wiring connected to a pixel electrode provided for each pixel via a switching element and a lead line connected to the display region wiring. For example, this substrate can be configured like the active matrix substrate in the above embodiment. In addition to such a display device, the active matrix substrate of the present invention can be applied to various sensor substrates such as a sensor substrate for an X-ray detection device.
また、上記の説明では、液晶表示装置を有する情報端末を構成した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、携帯電話やデジタルカメラなどの他の電気機器に適用することもできる。 In the above description, the case where an information terminal having a liquid crystal display device is configured has been described. However, the present invention is not limited to this, and may be applied to other electric devices such as a mobile phone and a digital camera. You can also.
また、上記の説明では、情報端末に設けられたマイク、スピーカー、センサー、カメラ、またはボタン等の電子部品を配置するための切り欠き部を設けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば電気機器の筐体を組み立てるためのボルトなどの固定具を設置するための切り欠き部でもよい。 Further, in the above description, a case has been described in which a notch for arranging electronic parts such as a microphone, a speaker, a sensor, a camera, or a button provided in the information terminal is provided, but the present invention is not limited thereto. For example, it may be a notch for installing a fixing tool such as a bolt for assembling the casing of the electric device.
また、上記の説明では、１つの切り欠き部を設けた構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数の切り欠き部を設けたアクティブマトリクス基板に適用することができる。 In the above description, the configuration in which one cutout is provided has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to an active matrix substrate provided with a plurality of cutouts. .
また、上記の説明では、半円状、楕円状、多角形状、または直線状の切り欠き部を設けた構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば円形の切り欠き部をアクティブマトリクス基板に設けてもよい。 Further, in the above description, a configuration in which a semicircular, elliptical, polygonal, or linear cutout is provided, but the present invention is not limited to this, for example, a circular cutout. May be provided on the active matrix substrate.
また、上記の説明では、データドライバとゲートドライバを一体的に構成したドライバＩＣ（ドライバチップ）を用いた構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばデータドライバとゲートドライバとの各々を互いに異なるドライバＩＣによって構成したり、データドライバ及びゲートドライバの少なくとも一方をアクティブマトリクス基板の基材上にモノリシックに形成したりする構成でもよい。 In the above description, the configuration using the driver IC (driver chip) in which the data driver and the gate driver are integrated is described. However, the present invention is not limited to this, and for example, the data driver and the gate Each of the drivers may be constituted by different driver ICs, or at least one of the data driver and the gate driver may be monolithically formed on the base material of the active matrix substrate.
また、上記の第１の実施形態の説明では、画素電極と同じ導電層によって第１の検査端子部と第１の検査配線を構成した場合について説明し、第２〜第７の各実施形態の説明では、画素電極と同じ導電層によって第１及び第２の検査端子部と第１及び第２の検査配線を構成した場合について説明した。また、第８の実施形態の説明では、画素電極と同じ導電層によって第１及び第２の検査端子部と第１の検査配線を構成するとともに、第２の検査配線をデータ配線と同じ導電層によって構成した場合について説明した。 In the description of the first embodiment, the case where the first inspection terminal portion and the first inspection wiring are configured by the same conductive layer as the pixel electrode will be described, and the second to seventh embodiments will be described. In the description, the case where the first and second inspection terminal portions and the first and second inspection wirings are configured by the same conductive layer as the pixel electrode has been described. In the description of the eighth embodiment, the first and second inspection terminal portions and the first inspection wiring are configured by the same conductive layer as the pixel electrode, and the second inspection wiring is the same conductive layer as the data wiring. The case where it comprises by was demonstrated.
しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、第１の検査端子部、第１の検査配線、第２の検査端子部、及び第２の検査配線の各々が、画素電極またはデータ配線と異なる導電層によって構成されてもよい。 However, the present invention is not limited to this, and each of the first inspection terminal portion, the first inspection wiring, the second inspection terminal portion, and the second inspection wiring is a pixel electrode or a data wiring. You may be comprised by a different conductive layer.
但し、上記の各実施形態のように、第１の検査端子部、第１の検査配線、第２の検査端子部、及び第２の検査配線の各々が、複数のデータ配線、複数の走査配線、及び画素電極の少なくとも１つと同じ導電層により構成されている場合の方が、アクティブマトリクス基板の製造工程が増加するのを防ぐことができる点で好ましい。 However, as in the above embodiments, each of the first inspection terminal portion, the first inspection wiring, the second inspection terminal portion, and the second inspection wiring includes a plurality of data wirings and a plurality of scanning wirings. And the case where it is formed of the same conductive layer as at least one of the pixel electrodes is preferable in that it can prevent an increase in the manufacturing process of the active matrix substrate.
本発明は、切り欠き部を形成した場合でも、検査工程を増加させることなく、高精度な検査を容易に行うことができるアクティブマトリクス基板、その製造方法、及びそのアクティブマトリクス基板を用いた電気機器に対して有用である。 The present invention relates to an active matrix substrate that can easily perform high-precision inspection without increasing the number of inspection steps even when a notch is formed, a method for manufacturing the same, and an electric device using the active matrix substrate Useful for.
１ 液晶表示装置（表示装置）
５ アクティブマトリクス基板
１８ 薄膜トランジスタ（スイッチング素子）
１９ 画素電極
２１、２１’、２７ 第１の検査端子部
２２、２２’、２８ 第１の検査配線
２２ａ、２２ａ’、２２ｂ、２２ｂ’、２２ｃ、２８ａ、２８ｂ 第１の分岐配線
２５、２５’、２９ 第２の検査端子部
２６、２６’、３０ 第２の検査配線
１００ 情報端末（電気機器）
Ｄ、Ｄ１〜ＤＭ データ配線（ソース配線）
Ｇ、Ｇ１〜ＧＮ ゲート配線（走査配線）
Ｐ 画素
Ｋ、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３ 切り欠き部
1 Liquid crystal display device (display device)
5
19
D, D1-DM Data wiring (source wiring)
G, G1 to GN Gate wiring (scanning wiring)
P pixel K, K1, K2, K3 Notch
Claims (8)
前記複数のデータ配線及び前記複数の走査配線のマトリクス状に配列された領域の外側に形成された切り欠き部を備え、
第１の検査信号が入力されるとともに、断線を検出する第１の検査端子部と、
前記第１の検査端子部に接続されるとともに、前記切り欠き部によって切断されている第１の検査配線と、
第２の検査信号が入力されるとともに、導通を検出する第２の検査端子部と、
前記切り欠き部の近傍に設けられるとともに、前記第２の検査端子部と閉回路を構成するように当該第２の検査端子部に接続された第２の検査配線を備え、
前記第１の検査配線と前記第２の検査配線とが、互いに異なる導電層によって構成され、
前記第２の検査配線が、前記切り欠き部に沿うように、かつ、前記第１の検査配線と交差するように、設けられている、
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。 A plurality of data lines and a plurality of scanning lines arranged in a matrix, a switching element provided corresponding to each intersection of the plurality of data lines and the plurality of scanning lines, and connected to the switching element An active matrix substrate having pixels having pixel electrodes,
Notch portions formed outside the regions arranged in a matrix of the plurality of data wirings and the plurality of scanning wirings,
A first inspection signal is input, and a first inspection terminal portion that detects disconnection;
A first inspection wiring connected to the first inspection terminal portion and cut by the cutout portion ;
A second inspection signal is input, and a second inspection terminal portion that detects conduction;
A second inspection wiring provided in the vicinity of the notch and connected to the second inspection terminal so as to form a closed circuit with the second inspection terminal;
The first inspection wiring and the second inspection wiring are constituted by different conductive layers,
The second inspection wiring is provided so as to extend along the notch and to intersect the first inspection wiring.
An active matrix substrate characterized by that.
前記複数の第１の各分岐配線では、一端側が前記第１の検査端子部に接続され、他端側が前記切り欠き部によって切断されている請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。 The first inspection wiring includes a plurality of first branch wirings,
2. The active matrix substrate according to claim 1, wherein one end side of each of the plurality of first branch wirings is connected to the first inspection terminal portion, and the other end side is cut by the notch portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013013398A JP6000865B2 (en) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | Active matrix substrate, inspection method, and electrical apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013013398A JP6000865B2 (en) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | Active matrix substrate, inspection method, and electrical apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014145849A JP2014145849A (en) | 2014-08-14 |
| JP6000865B2 true JP6000865B2 (en) | 2016-10-05 |
Family
ID=51426165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013013398A Expired - Fee Related JP6000865B2 (en) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | Active matrix substrate, inspection method, and electrical apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6000865B2 (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11751422B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-09-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for manufacturing display device |
| KR102531042B1 (en) * | 2018-04-05 | 2023-05-15 | 삼성전자 주식회사 | Display device including electrical wireing for detecting crack generated in adjacent area of opening formed on display and electronic device including the display device |
| CN109254444A (en) * | 2018-10-15 | 2019-01-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | Display panel |
| CN109343258B (en) * | 2018-11-26 | 2022-07-01 | 厦门天马微电子有限公司 | Display panel and display device |
| KR102791760B1 (en) * | 2019-02-19 | 2025-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
| CN109782503B (en) * | 2019-03-14 | 2021-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display module and terminal |
| CN115132600A (en) * | 2021-03-26 | 2022-09-30 | 群创光电股份有限公司 | Method for manufacturing electronic device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62111240A (en) * | 1985-11-09 | 1987-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of liquid crystal display panel |
| JPH0588134A (en) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Nec Corp | Liquid crystal display device |
| JP3493952B2 (en) * | 1997-05-29 | 2004-02-03 | セイコーエプソン株式会社 | Manufacturing method of liquid crystal display device |
| JP2007256471A (en) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Citizen Holdings Co Ltd | Method for manufacturing variant-shape liquid crystal panel |
| WO2013011911A1 (en) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | シャープ株式会社 | Method for manufacturing element substrate |
-
2013
- 2013-01-28 JP JP2013013398A patent/JP6000865B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014145849A (en) | 2014-08-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160630 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160630 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |