JP6052033B2 - 負の誘電率異方性を示す液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は、新規な液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、負の誘電率異方性の値（Δε）を有する液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含む液晶表示素子に関する。

液晶性化合物を用いた表示素子は、時計、電卓、ワードプロセッサ等のディスプレイに広く利用されている。これらの表示素子は、液晶性化合物の光学異方性および誘電率異方性等の特性を利用する。

液晶相には、ネマチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック液晶相があり、ネマチック液晶相が最も広く利用されている。表示方式としては、例えば、動的散乱（ＤＳ）モード、配向相変形（ＤＡＰ）モード、ゲスト／ホスト（ＧＨ）モード、ねじれネマチック（ＴＮ）モード、超ねじれネマチック（ＳＴＮ）モード、双安定ねじれネマチック（ＢＴＮ）モード、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）モード、垂直配向（ＶＡ）モード、複数配向分割型垂直配向（ＭＶＡ）モード、光学補償ベンド（ＯＣＢ）モード、インプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モード、高分子支持配向（ＰＳＡ）モードがある。

これらの表示方式で用いられる液晶性化合物には、室温を中心とする広い温度範囲で液晶相を有すること、表示素子が使用される条件下で充分に安定であること、表示素子を駆動させるのに充分な特性を有すること、が要求される。しかしながら、現在のところ単一の化合物でこれらの条件を満たす液晶性化合物は見いだされていない。

このため、数種類から数十種類の液晶性化合物を混合することにより、上記条件を充たす液晶組成物を調製している。この液晶組成物を構成する液晶性化合物に望まれる条件は、次のとおりである。

（１）熱、光などに対する高い安定性。
（２）高い透明点（液晶相−等方相の相転移温度）。
（３）ネマチック相、スメクチック相などの液晶相の低い下限温度、
特にネマチック相の低い下限温度。
（４）適切な光学異方性。
（５）大きな誘電率異方性。
（６）適切な弾性定数。
（７）他の液晶性化合物との優れた相溶性。

近年、液晶表示素子の最大の問題点である視野角の狭さを克服する表示方式として、表示方式の中でも、ＩＰＳ、ＶＡ、ＯＣＢ、ＰＳＡ等のモードが注目されている。これらモードの液晶表示素子の中でも、特にＩＰＳモードやＶＡモードの液晶表示素子は、視野角の広さに加えて、応答性にも優れ、さらに高コントラストな表示が得られるため、開発が盛んに行われている。これら表示方式の液晶表示素子に使用される液晶組成物の特徴は、誘電率異方性の値が負である点にある。そして、誘電率異方性の値が負に大きい液晶組成物は、その液晶組成物を含む液晶表示素子の駆動電圧を低くできることが知られている（非特許文献１）。そのため、液晶組成物の構成成分である液晶性化合物についても、より大きな負の誘電率異方性の値を有することが求められている。

これまでに、２，３−ジフルオロフェニレン骨格を有する化合物において、負の誘電率異方性の絶対値を大きくするための試みがなされてきた。例えば、２，３−ジフルオロフェニレン骨格を有する化合物に、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル骨格を導入した化合物が報告されている（特許文献１）。化合物（ｂ）は、化合物（ａ）と比較して負に大きな誘電率異方性を示す。

さらに、負の誘電率異方性を示す化合物としては、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン骨格を有する化合物（１５）が一般的に知られている（非特許文献３）。負の誘電率異方性の絶対値をさらに大きくするため、分子の側方位にトリフルオロメチルを結合させた化合物（１６）；分子の側方位にジフルオロメチルを結合させた、化合物（１７）、化合物（１８）および化合物（１９）が報告されている（特許文献２、非特許文献２、非特許文献３、特許文献３および特許文献４）。

ＩＰＳモードやＶＡモード等の液晶表示素子の駆動電圧を低下させるために、誘電率異方性の値がさらに負に大きい液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含む液晶表示素子が望まれている。

特開２０００−００８０４０号公報 特開平８−０４０９５３号公報 国際公開第２０００／０３９０６３号パンフレット 特開２００５−３１４３８５号公報

Mol. Cryst. Liq. Cryst., 12, 57 (1970) Synlett. 1999, No.4, 389-396 Angew. Chem. Int. Ed. 2000, 39, 4216-4235

本発明の課題は、誘電率異方性の値（Δε）が負に大きい液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含む液晶表示素子を提供することである。

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、下記構造を有する液晶性化合物が負に大きな誘電率異方性の値（Δε）を有することを見いだし、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、式（１）で表される化合物に関する。

［式（１）において、Ｙ¹およびＹ²の一方はフッ素であり、他の一方はＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり；Ｇは、式（ｐｒ−１）または式（ｐｒ−２）で表される環であり；

Ａ¹〜Ａ³は、独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｒ^aおよびＲ^bは、独立して水素または炭素数１〜２０のアルキルであり、前記アルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−または−ＣＯ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく；Ｚ⁰およびＺ¹〜Ｚ³は、独立して単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり；ｊ、ｍおよびｎは０〜２の整数であり、ｊ、ｍおよびｎの合計は０、１または２であり、ｊが２のとき、複数ある−Ａ¹−Ｚ¹−は相互に同一でも異なってもよく、ｍが２のとき、複数ある−Ａ²−Ｚ²−は相互に同一でも異なってもよく、ｎが２のとき、複数ある−Ｚ³−Ａ³−は相互に同一でも異なってもよく、ただし、ｍが０であり、Ｙ¹がＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり、Ｙ²がフッ素であり、かつＺ⁰が単結合であるとき、Ｇは式（ｐｒ−１）で表される環である。］
式（１）中、Ｚ⁰およびＺ¹〜Ｚ³は単結合であることが好ましい。
式（１）中、ｍは０であることが好ましい。
本発明の化合物は、式（１−１−１）または式（１−２−１）で表されることが好ましい。

［式（１−１−１）または式（１−２−１）中、Ｒ^aおよびＲ^bは、それぞれ式（１）中の同一記号と同義であり、Ｙ²は、ＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり、ｊは、１または２である。］

また、本発明は、式（１）で表される化合物を含有する液晶組成物に関する。
本発明の液晶組成物は、後述する式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物をさらに含有することが好ましい。本発明の液晶組成物は、後述する式（５）で表される化合物をさらに含有することも好ましい。本発明の液晶組成物は、後述する式（６）〜（１１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物をさらに含有することも好ましい。本発明の液晶組成物は、後述する式（１２）〜（１４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物をさらに含有することも好ましい。
本発明の液晶組成物は、光学活性化合物および重合可能な化合物の群から選択される少なくとも１種をさらに含有することも好ましく、酸化防止剤および紫外線吸収剤の群から選択される少なくとも１種をさらに含有することも好ましい。

また、本発明は、この液晶組成物を含む液晶表示素子に関する。

本発明によれば、誘電率異方性の値（Δε）が負に大きい液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含む液晶表示素子が提供される。

以下、本発明の誘電率異方性の値（Δε）が負に大きい液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含む液晶表示素子について、具体例を示しながら詳細に説明する。

本明細書における用語の使い方は、次のとおりである。
「液晶性化合物」は、ネマチック相またはスメクチック相等の液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。
「液晶表示素子」は、液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。
「液晶表示素子」を、「表示素子」または「素子」と略すことがある。

「透明点」は、液晶性化合物そのものを試料として測定される物性値であって、液晶性化合物における液晶相（例：ネマチック相、スメクチック相）−等方相の相転移温度である。

「液晶相の下限温度」は、液晶性化合物そのものを試料として測定される物性値であって、液晶性化合物における結晶相−液晶相（例：ネマチック相、スメクチック相）の相転移温度である。

「ネマチック相の上限温度」は、液晶組成物におけるネマチック相−等方相の相転移温度、または液晶性化合物と母液晶との混合物の測定値から外挿法により算出される（液晶性化合物における）ネマチック相−等方相の相転移温度であり、「上限温度」と略すことがある。

「ネマチック相の下限温度」は、液晶組成物におけるネマチック相−結晶相もしくはネマチック相−スメクチック相の相転移温度、または液晶性化合物と母液晶との混合物の測定値から外挿法により算出される（液晶性化合物における）ネマチック相−結晶相もしくはネマチック相−スメクチック相の相転移温度であり、「下限温度」と略すことがある。

式（ｉ）で表される化合物（ｉは式番号を示す。）を、「化合物（ｉ）」と略すことがある。式（１）の説明において、Ａ¹〜Ａ³を総称して単に「環Ａ」ということがある。各式の説明において、六角形で囲まれたＢ¹、Ｃ¹、Ｄ¹およびＥ¹等の記号は、それぞれ環Ｂ¹、環Ｃ¹、環Ｄ¹および環Ｅ¹等に対応する。環Ｄ¹等において複数の同一記号を同一の式または異なった式に記載しているが、これらはそれぞれが同一でもよく、異なってもよい。

各式の説明において、「少なくとも１つの…は…で置き換えられてもよく（い）」の「少なくとも１つの」は、位置だけでなく個数についても任意であることを示す。例えば、「少なくとも１つのＡはＢ、ＣまたはＤで置き換えられてもよい」という表現は、任意のＡがＢで置き換えられる場合、任意のＡがＣで置き換えられる場合、および任意のＡがＤで置き換えられる場合に加えて、複数のＡがＢ〜Ｄの少なくとも２つで置き換えられる場合をも含む。

具体的には、「アルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよい」という場合には、無置換のアルキルのほか、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニル、アルケニルオキシアルキルおよびアルコキシアルケニルが含まれる。

ＣＨ₃（ＣＨ₂）₃−において、少なくとも１つの−ＣＨ₂−を−Ｏ−、−Ｓ−または−ＣＯ−で置き換えた基の例は、ＣＨ₃（ＣＨ₂）₂Ｏ−、ＣＨ₃−Ｏ−（ＣＨ₂）₂−、ＣＨ₃−Ｏ−ＣＨ₂−Ｏ−、ＣＨ₃（ＣＨ₂）₂Ｓ−、ＣＨ₃−Ｓ−（ＣＨ₂）₂−、ＣＨ₃−Ｓ−ＣＨ₂−Ｓ−、ＣＨ₃（ＣＨ₂）₂ＣＯ−、ＣＨ₃−ＣＯ−（ＣＨ₂）₂−およびＣＨ₃−ＣＯ−ＣＨ₂−ＣＯ−である。

ＣＨ₃（ＣＨ₂）₃−において、少なくとも１つの−（ＣＨ₂）₂−を−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換え、さらに少なくとも１つの−ＣＨ₂−を−Ｏ−、−Ｓ−または−ＣＯ−で置き換えてもよい基の例は、ＣＨ₃−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂−、ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＨ₂−Ｏ−およびＣＨ₃−Ｓ−ＣＨ＝ＣＨ−である。

なお、本発明においては、化合物の安定性を考慮して、連続する２つの−ＣＨ₂−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−等の基になることは好ましくない（例えば、酸素と酸素とが隣接したＣＨ₃−Ｏ−Ｏ−ＣＨ₂−よりも、酸素と酸素とが隣接しないＣＨ₃−Ｏ−ＣＨ₂−Ｏ−の方が好ましい。）。また、アルキルにおける末端の−ＣＨ₂−が−Ｏ−で置き換えられることも好ましくない（例えば、ＨＯ−ＣＨ₂−ＣＨ₂−よりも、ＣＨ₃−Ｏ−ＣＨ₂−の方が好ましい。）。

１．負の誘電率異方性を示す液晶性化合物
１−１．本発明の液晶性化合物の構造
本発明の液晶性化合物は、式（１）で表される。

式（１）において、各記号の意味は以下のとおりである。

〈ベンゼン環上の置換基Ｙ ¹ およびＹ ² 〉
Ｙ¹およびＹ²の一方はフッ素であり、他の一方はＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃である。すなわち、Ｙ¹がフッ素であり、Ｙ²がＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であるか、あるいは、Ｙ¹がＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり、Ｙ²がフッ素である。

〈テトラヒドロピラン環Ｇ〉
Ｇは、式（ｐｒ−１）または式（ｐｒ−２）で表される環である。

〈Ａ ¹ 、Ａ ² およびＡ ³ （Ａ ¹ 〜Ａ ³ ）〉
Ａ¹〜Ａ³は、独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンである。
環Ａの少なくとも２つが１，４−シクロヘキシレンであるときは、化合物（１）は、上限温度が高く、光学異方性が小さく、そして粘度が小さい。環Ａの少なくとも１つが１，４−フェニレンであるときは、化合物（１）は、光学異方性が比較的大きく、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が大きい。環Ａの少なくとも２つが１，４−フェニレンであるときは、化合物（１）は、光学異方性が大きく、液晶相の温度範囲が広く、そして上限温度が高い。

〈末端基Ｒ ^a およびＲ ^b 〉
Ｒ^aおよびＲ^bは、独立して水素または炭素数１〜２０のアルキルであり、前記アルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−または−ＣＯ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよい。以下、前記アルキルにおいてこれらの置き換えがなされた基を「置換アルキル」ともいう。

Ｒ^aおよびＲ^bは、同一ではないことが好ましい。Ｒ^aおよびＲ^bが同一でなければ、化合物（１）が液晶相を発現しやすく、液晶組成物に対する化合物（１）の溶解性が高くなる傾向にある。

上記置換アルキルとしては、例えば、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルコキシ、アルキルチオ、アルキルチオアルコキシ、アシル、アシルアルキル、アシルオキシ、アシルオキシアルキル、アルコキシカルボニル、アルコキシカルボニルアルキル、アルケニル、アルケニルオキシ、アルケニルオキシアルキルおよびアルコキシアルケニルが挙げられる。

アルキルおよび上記置換アルキルは、分岐鎖よりも、直鎖の方が好ましい。アルキルおよび上記置換アルキルが、分岐鎖であっても、光学活性を有するときは好ましい。

Ｒ^aおよびＲ^bのいずれか一方または双方が直鎖であるときは、化合物（１）は、液晶相の温度範囲が広く、そして粘度が小さい。Ｒ^aおよびＲ^bのいずれか一方または双方が分岐鎖であるときは、化合物（１）は、他の液晶性化合物との相溶性がよい。

Ｒ^aおよびＲ^bのいずれか一方または双方が光学活性基であるときは、化合物（１）は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を液晶組成物に添加することによって、素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（Reverse twisted domain）を防止することができる。Ｒ^aおよびＲ^bがいずれも光学活性基でないときは、化合物（１）は、液晶組成物の成分として有用である。

Ｒ^aおよびＲ^bは、独立してアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニルまたはアルケニルオキシであることが好ましく；独立してアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキルまたはアルケニルであることがより好ましく；独立してアルキルまたはアルコキシであることがさらに好ましい。

アルキルの炭素数は、通常１〜２０、好ましくは１〜８、より好ましくは１〜５である。アルキルの具体的な例は、−ＣＨ₃、−Ｃ₂Ｈ₅、−Ｃ₃Ｈ₇、−Ｃ₄Ｈ₉、−Ｃ₅Ｈ₁₀、−Ｃ₆Ｈ₁₃、−Ｃ₇Ｈ₁₅および−Ｃ₈Ｈ₁₇である。

アルコキシの炭素数は、通常１〜１９、好ましくは１〜７、より好ましくは１〜４である。アルコキシの具体的な例は、−ＯＣＨ₃、−ＯＣ₂Ｈ₅、−ＯＣ₃Ｈ₇、−ＯＣ₄Ｈ₉、−ＯＣ₅Ｈ₁₁、−ＯＣ₆Ｈ₁₃および−ＯＣ₇Ｈ₁₅である。

アルコキシアルキルの炭素数は、通常２〜１９、好ましくは２〜７、より好ましくは２〜４である。アルコキシアルキルの具体的な例は、−ＣＨ₂ＯＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ₂ＯＣ₃Ｈ₇、−（ＣＨ₂）₂ＯＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＯＣ₂Ｈ₅、−（ＣＨ₂）₂ＯＣ₃Ｈ₇、−（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₄ＯＣＨ₃および−（ＣＨ₂）₅ＯＣＨ₃である。

アルケニルの炭素数は、通常２〜２０、好ましくは２〜８、より好ましくは２〜５である。アルケニルの具体的な例は、−ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₃ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₄Ｈ₉、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇および−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅である。

アルケニル中の−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇、−ＣＨ＝ＣＨＣ₄Ｈ₉、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃および−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅等の奇数位に二重結合を有するアルケニルでは、トランス配置が好ましい。−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−（ＣＨ₂）₃ＣＨ＝ＣＨ₂および−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇等の偶数位に二重結合を有するアルケニルでは、シス配置が好ましい。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327に詳細な説明がある。

アルケニルオキシの炭素数は、通常２〜１９、好ましくは２〜７である。アルケニルオキシの具体的な例は、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃および−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅である。

Ｒ^aおよびＲ^bの好ましい具体的な例は、−ＣＨ₃、−Ｃ₂Ｈ₅、−Ｃ₃Ｈ₇、−Ｃ₄Ｈ₉、−Ｃ₅Ｈ₁₀；−ＯＣＨ₃、−ＯＣ₂Ｈ₅、−ＯＣ₃Ｈ₇、−ＯＣ₄Ｈ₉、−ＯＣ₅Ｈ₁₁；−ＣＨ₂ＯＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＯＣＨ₃および−（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃；−ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃および−（ＣＨ₂）₃ＣＨ＝ＣＨ₂；−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃および−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅である。

Ｒ^aおよびＲ^bのより好ましい具体的な例は、−ＣＨ₃、−Ｃ₂Ｈ₅、−Ｃ₃Ｈ₇、−Ｃ₄Ｈ₉および−Ｃ₅Ｈ₁₀；−ＯＣＨ₃、−ＯＣ₂Ｈ₅、−ＯＣ₃Ｈ₇、−ＯＣ₄Ｈ₉および−ＯＣ₅Ｈ₁₁；−ＣＨ₂ＯＣＨ₃；−ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ₂、−ＣＨ＝ＣＨＣ₃Ｈ₇、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣ₂Ｈ₅、−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₃および−（ＣＨ₂）₃ＣＨ＝ＣＨ₂である。

〈結合基Ｚ ⁰ 、Ｚ ¹ 、Ｚ ² およびＺ ³ （Ｚ ⁰ 〜Ｚ ³ ）
Ｚ⁰〜Ｚ³は、独立して単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり；独立して単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−または−ＯＣＨ₂−であることが好ましく；単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ₂Ｏ−または−ＯＣＦ₂−であることがより好ましく；単結合であることが特に好ましい。なお、−ＣＨ＝ＣＨ−等の二重結合に関する立体配置は、シスよりもトランスが好ましい。

Ｚ⁰〜Ｚ³が単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ₂Ｏ−または−ＯＣＦ₂−であるときは、化合物（１）の粘度が小さい。Ｚ⁰〜Ｚ³が単結合、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは、化合物（１）の粘度がより小さい。Ｚ⁰〜Ｚ³が−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは、化合物（１）の液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）が大きい。Ｚ⁰〜Ｚ³が単結合であるときは、化合物（１）の合成が容易である。

〈−Ａ ⁱ −Ｚ ⁱ −（ｉ：１、２または３）の繰返し数〉
ｊは０〜２の整数であり、ｍは０〜２の整数であり、ｎは０〜２の整数である。ｊ、ｍおよびｎの合計は０、１または２である。すなわち、本発明の化合物（１）は、２〜４の環を有する化合物であるため、合成が容易であり、液晶組成物への溶解性が高い。ｊ、ｍおよびｎの合計は、好ましくは１または２である。ｍは好ましくは０である。

ｊが２のとき、複数ある−Ａ¹−Ｚ¹−は相互に同一でも異なってもよい。
ｍが２のとき、複数ある−Ａ²−Ｚ²−は相互に同一でも異なってもよい。
ｎが２のとき、複数ある−Ｚ³−Ａ³−は相互に同一でも異なってもよい。

ただし、ｍが０であり、Ｙ¹がＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり、Ｙ²がフッ素であり、かつＺ⁰が単結合であるとき（要件Ａ）、Ｇは式（ｐｒ−１）で表される環である。要件Ａが満たされる場合、Ｇが式（ｐｒ−１）で表される環であるときは、Ｇが式（ｐｒ−２）で表される環であるときに比べ、本発明の化合物（１）は、上限温度および誘電率異方性の絶対値が共に大きくなる。

１−２．本発明の化合物（１）の具体例
本発明の化合物（１）を具体的に示すと、式（１−１）〜（１−４）のとおりである。式（１−１）および（１−３）は、式（１）においてＧが式（ｐｒ−１）で表される環である場合であり、式（１−２）および（１−４）は、式（１）においてＧが式（ｐｒ−２）で表される環である場合である。

式（１−１）〜（１−４）中、Ｙ¹およびＹ²は、ＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり；Ａ¹〜Ａ³、Ｒ^aおよびＲ^b、Ｚ⁰およびＺ¹〜Ｚ³、ならびにｊ、ｍおよびｎは、式（１）中の同一記号と同義である。ただし、式（１−４）において、ｍが０であり、かつＺ⁰が単結合である構造は含まれない。

本発明の化合物（１）としては、特に式（１−１−１）または式（１−２−１）で表される化合物が好ましい。

式（１−１−１）または式（１−２−１）中、Ｒ^aおよびＲ^bは、それぞれ式（１）中の同一記号と同義であり、Ｙ²は、ＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり、ｊは、１または２である。

本発明の化合物（１）としては、また、式（１−２−２）、式（１−３−１）、式（１−３−２）または式（１−４−１）で表される化合物も好ましい。

式（１−２−２）、式（１−３−１）、式（１−３−２）および式（１−４−１）中、Ｒ^a、Ｒ^b、Ａ²、Ａ³およびＺ⁰は、それぞれ式（１）中の同一記号と同義であり、ただしＺ⁰は単結合ではなく、Ｙ¹およびＹ²は、ＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり、ｊは、１または２である。

１−３．本発明の化合物（１）の性質
本発明の化合物（１）は、テトラヒドロピラン環、および側方位にフッ素とジフルオロメチルまたはトリフルオロメチルとを有するベンゼン環を併せ持つことで、大きな負の誘電率異方性を示す。大きな負の誘電率異方性を示す液晶性化合物は、ＩＰＳモードまたはＶＡモード用途の液晶組成物のしきい値電圧を下げるために有用な成分である。

また、本発明の化合物（１）は、液晶性化合物として必要な一般的物性、具体的には、熱および光に対する安定性、比較的高い透明点、適切な光学異方性、他の液晶性化合物との優れた相溶性、ならびに比較的小さな粘度を有し、優れた物性バランスを有する液晶性化合物である。

例えば、本発明の化合物（１）は、素子が通常使用される条件下において、物理的および化学的に極めて安定である。したがって、本発明の化合物（１）を含有する液晶組成物は、素子が通常使用される条件下で安定である。また、本発明の液晶組成物を低い温度で保管しても、本発明の化合物（１）が当該温度でスメクチック相であること、または当該温度で結晶が析出することはない。

本発明では、上述したように、式（１）の末端基Ｒ^aおよびＲ^b、Ａ¹〜Ａ³、結合基Ｚ⁰〜Ｚ³、ベンゼン環上の置換基Ｙ¹およびＹ²、ならびに化合物（１）が有する環の数を適切に選択することによって、化合物（１）の誘電率異方性および光学異方性の値等の物性を調整することが可能である。

１−４．本発明の化合物（１）の合成
本発明の化合物（１）は、有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより、合成することができる。出発物質に目的の末端基、環および結合基を導入するには、公知の一般的な有機合成法を採用することができる。代表的な合成方法は、『新実験化学講座 １４ 有機化合物の合成と反応（１９７８年）丸善』または『第四版 実験化学講座 １９〜２６ 有機合成Ｉ〜VIII（１９９１）丸善』に記載の方法が挙げられる。

以下では、本発明の化合物（１）に含まれうる結合基、式（ｐｒ−１）または式（ｐｒ−２）で表される環、置換基Ｙ¹およびＹ²を有するベンゼン環等を形成する方法の例を、スキームを適宜用いて説明する。ただし、本発明の化合物（１）の合成方法は、以下のスキームに限定されるわけではない。

１−４−１．結合基の形成
式（１）における結合基Ｚ⁰、Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³を形成する方法の例を、スキームを用いて以下に示す。このスキームにおいて、ＭＳＧ¹またはＭＳＧ²は、１価の有機基である。複数のＭＳＧ¹またはＭＳＧ²は、同一であってもよいし、異なってもよい。化合物（１Ａ）〜（１Ｆ）は、本発明の化合物（１）に相当する。

（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と公知の方法で合成される化合物（２２）とを、炭酸塩水溶液およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等の触媒の存在下で反応させて、化合物（１Ａ）を合成する。

また、公知の方法で合成される化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等の触媒の存在下で化合物（２２）を反応させることによっても、化合物（１Ａ）を合成することができる。

（II）−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成
化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで二酸化炭素を反応させて、カルボン酸（２４）を合成する。カルボン酸（２４）と公知の方法で合成されるフェノール化合物（２５）とを、ＤＣＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）およびＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて、−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｂ）を合成する。この方法によって、−ＯＣＯ−を有する化合物も合成することもできる。

（III）−ＣＦ ₂ Ｏ−と−ＯＣＦ ₂ −の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬等の硫黄化剤で処理して、化合物（２６）を合成する。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体およびＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化し、−ＣＦ₂Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する。M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照。化合物（１Ｃ）は、化合物（２６）をジエチルアミノサルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化しても合成することができる。W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。この方法によって、−ＯＣＦ₂−を有する化合物も合成することもできる。Peer. Kirsch et al., Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によって、これらの結合基を生成させることも可能である。

（IV）−ＣＨ＝ＣＨ−の生成
化合物（２２）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のホルムアミドと反応させて、アルデヒド（２７）を合成する。公知の方法で合成されるホスホニウム塩（２８）をカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等の塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド（２７）に反応させて、化合物（１Ｄ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（Ｖ）−（ＣＨ ₂ ） ₂ −の生成
化合物（１Ｄ）をパラジウム／炭素等の触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｅ）を合成する。

（VI）−ＣＨ ₂ Ｏ−または−ＯＣＨ ₂ −の生成
化合物（２７）を水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤で還元して、化合物（２９）を合成する。化合物（２９）を臭化水素酸等でハロゲン化して、化合物（３０）を合成する。炭酸カリウム等の存在下で、化合物（３０）を化合物（２５）と反応させて、化合物（１Ｆ）を合成する。

１−４−２．式（ｐｒ−１）または式（ｐｒ−２）で表される環の形成
式（ｐｒ−１）または式（ｐｒ−２）で表される環を有する化合物（テトラヒドロピラン化合物）は、例えば、以下の〈１〉および〈２〉の方法によって、合成することができる。
〈１〉（１−１）−ＣＯＣｌを有する化合物（３１）を反応原料として、オキセタン化合物（３４）を合成し、（１−２）このオキセタン化合物（３４）と−ＣＨ₂−ＣＯＯＨを有する化合物（３５）または−ＣＨ₂−ＣＯＯ^tＢｕを有する化合物（３７）とを反応原料として、ラクトン化合物（３６）を合成し、（１−３）このラクトン化合物（３６）を反応原料として、テトラヒドロピラン化合物（４１）を得る方法。
〈２〉（２−１）−ＣＨ₂−ＣＨＯを有する化合物（４２）を反応原料として、ラクトン化合物（４５）を合成し、（２−２）このラクトン化合物（４５）を反応原料として、テトラヒドロピラン化合物（４１）を得る方法。

１−４−２−１．上記方法〈１〉について
以下のスキームにおいて、ＭＳＧ³またはＭＳＧ⁴は１価の有機基である。
（１−１）オキセタン化合物の合成法
合成中間体となるオキセタン化合物（３４）の合成法の一例を、以下に示す。

化合物（３２）は、化合物（３１）とＬＤＡ（リチウムジイソプロピルアミド）とを反応させた後、さらに酢酸エチルを反応させることによって合成する。これらの反応は、テトラヒドロフラン溶媒中、−６５℃以下の温度で行った後、室温までゆっくり昇温させることが好ましい。出発物である化合物（３１）は、有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

化合物（３３）は、化合物（３２）と水素化ホウ素ナトリウムとを反応させることによって合成する。この反応は、エタノール溶媒中、室温から５０℃までの間の温度で行うことが好ましい。

化合物（３３）を、テトラヒドロフラン溶媒中、−５℃から５℃の間の温度で、ｎ−ブチルリチウムと反応させた後、さらにｐ−塩化トルエンスルホニルを反応させる。次いで、ｎ−ブチルリチウムを加えた後、反応液の温度を沸点までゆっくり昇温することによって、化合物（３４）を合成する。これらの反応は、各反応の間を充分にあけ、各試薬の当量を丁度１当量用いることが好ましい。

（１−２）ラクトン化合物の合成法
合成中間体となるラクトン化合物（３６）の合成法の一例を、以下に示す。

方法Ａ：化合物（３５）とｎ−ブチルリチウムとを反応させた後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体の共存下、さらに化合物（３４）を反応させる。テトラヒドロフラン溶媒中、ｎ−ブチルリチウムとの反応では−６５℃以下の温度で、化合物（３４）との反応では−６５℃以下の温度で行うことが好ましい。この反応にて得られる生成物を、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物存在下、加熱還流することで、化合物（３６）が得られる。この反応は、トルエン溶媒中で行うことが好ましい。化合物（３５）は、有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

さらに、合成中間体となるラクトン化合物（３６）の合成法の一例を、以下に示す。

方法Ｂ：化合物（３８）は、化合物（３７）とＬＤＡ（リチウムジイソプロピルアミド）とを反応させた後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体の共存下、さらに化合物（３４）を反応させることによって合成する。この反応は、テトラヒドロフラン溶媒中、−６５℃以下の温度で行うことが好ましい。次いで、化合物（３８）をジクロロメタン溶媒中、トリフルオロ酢酸と室温で反応させることによって、化合物（３６）を合成する。化合物（３７）は、有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

（１−３）テトラヒドロピラン化合物の合成法
テトラヒドロピラン化合物（４１）の合成法の一例を、以下に示す。

化合物（４０）は、化合物（３６）とＤＩＢＡＬ（水素化ジイソプロピルアルミニウム）との反応によって合成する。この反応は、トルエン等の溶媒中、−５０℃以下の温度で行うことが好ましい。

化合物（４１）は、化合物（４０）をジクロロメタン溶媒中、トリエチルシランおよび三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体の共存下、−５０℃以下の温度で反応させることによって合成する。

１−４−２−２．上記方法〈２〉について
（２−１）ラクトン化合物の合成法
合成中間体となるラクトン化合物（４５）の合成法の一例を、以下に示す。

化合物（４３）は、化合物（４２）とシクロヘキシルアミンとの反応によって合成する。この反応は、ジエチルエーテル溶媒中、炭酸カリウム等の塩基の存在下、室温から溶媒の沸点までの間の温度で行うことが好ましい。出発物である化合物（４２）は、有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

化合物（４４）は、化合物（４３）にアクリル酸エチルを付加させた後、酸性条件下、脱保護することによって合成する。この反応は、アクリル酸エチル自身を溶媒として用いることが好ましいが、化合物（４３）やアクリル酸エチルと反応しないトルエン等を溶媒として使用してもよい。アクリル酸エチルの重合を防ぐため、ヒドロキノン等の重合禁止剤を共存させることが好ましい。この反応は、通常のガラス反応器を用いる場合は室温から溶媒の沸点までの間の温度で行うが、ステンレス製オートクレーブ等の耐圧反応器を用いる場合は溶媒の沸点以上の温度で行うこともできる。付加反応が充分に進行した後、シュウ酸等の酸を添加することにより、シクロヘキシルアミンを脱離させ、化合物（４４）を合成する。

化合物（４５）は、化合物（４４）の環化反応によって合成する。この反応は、イソプロパノール溶媒中、シアノ水素化ホウ素ナトリウムの存在下、室温程度の温度で行うことが好ましい。反応を促進させるために塩酸等の酸を添加してもよい。

（２−２）テトラヒドロピラン化合物の合成法
テトラヒドロピラン化合物（４１）の合成法の一例を、以下に示す。

化合物（４７）は、化合物（４５）と有機リチウム試薬（４６）との反応によって合成する。この反応は、テトラヒドロフラン溶媒中、−３０℃以下の温度で行うことが好ましい。
化合物（４１）は、化合物（４７）をジクロロメタン溶媒中、トリエチルシランおよび三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体の共存下、−５０℃以下の温度で反応させることによって合成する。

１−４−３．置換基Ｙ ¹ およびＹ ² を有するベンゼン環の形成
１−４−３−１．置換基Ｙ ¹ およびＹ ² がフッ素およびＣＦ ₂ Ｈの組の場合
式（１）において、置換基Ｙ¹およびＹ²がフッ素およびＣＦ₂Ｈである組の場合の化合物（１）を合成する方法の例を、下記のスキームに示す。以下のスキームにおいて、ＭＳＧ⁵またはＭＳＧ⁶は１価の有機基である。

３−フルオロベンゼン誘導体（５１）は、例えば、特開昭５８−１２６８２３号公報、特開昭５８−１２１２２５号公報、特開昭５９−０１６８４０号公報、または特開昭５９−０４２３２９号公報に開示の方法で合成される。

化合物（５２）は、例えば、３−フルオロベンゼン誘導体（５１）にｓｅｃ−ブチルリチウム等の有機リチウム試薬、次いでジメチルホルムアミドまたはホルミルピペリジンを反応させて合成する。これらの反応は、エーテル系炭化水素溶媒（例：ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン）等の溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行うことが好ましい。

化合物（５３）は、化合物（５２）にＤＡＳＴ等のフッ素化剤を反応させることによって合成する。この反応は、ハロゲン系炭化水素溶媒（例：ジクロロメタン）等の溶媒中、−１００℃から溶媒の沸点までの間の温度で行うことが好ましい。

次に、式（１）中の置換基Ｙ¹およびＹ²がフッ素およびＣＦ₂Ｈである組の場合において、置換基Ｙ¹およびＹ²を有するベンゼン環に直結する結合が−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ₂−または−ＯＣＨ₂−である化合物（６０）〜（６２）に関する合成法の例を示す。当該結合が−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＣＨ₂Ｏ−である化合物についても、有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

まず始めに、中間体となるフェノール化合物（５８）の合成例を示す。

化合物（５５）は、化合物（５４）に順次水素化ナトリウムおよびクロロメチルメチルエーテル（ＭＯＭＣｌ）を反応させて合成する。これらの反応は、テトラヒドロフラン溶媒中、−２０℃から溶媒の沸点までの間の温度で行うことが好ましい。

化合物（５６）は、化合物（５５）にｓｅｃ−ブチルリチウム等の有機リチウム試薬、次いでジメチルホルムアミドまたはホルミルピペリジンを反応させて合成する。これらの反応は、エーテル系炭化水素溶媒（例：ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン）等の溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行うことが好ましい。

化合物（５７）は、化合物（５６）にＤＡＳＴ等のフッ素化剤を反応させることによって合成する。この反応は、ハロゲン系炭化水素溶媒（例：ジクロロメタン）等の溶媒中、−１００℃から溶媒の沸点までの間の温度で行うことが好ましい。

フェノール化合物（５８）は、化合物（５７）の脱保護にて合成する。この反応は、アルコール溶媒（例：エタノール）等の溶媒中、２Ｍ塩酸等希塩酸を室温から溶媒の沸点までの間の温度で反応させることで行うことが好ましい。

化合物（６０）〜（６２）は、上述の結合基を生成する方法において化合物（２５）の代わりにフェノール化合物（５８）を使用することにより、それぞれ合成することができる。

Ｚ²が単結合でＡ²が１，４−フェニレンである化合物、またはＺ³が単結合でＡ³が１，４−フェニレンである化合物（７２）および（７５）は、以下の方法で合成することができる。１，４−フェニレンに代えて１，４−シクロヘキシレンである化合物についても、有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

化合物（６４）は、ｎ−ブチルリチウムを用いて化合物（６３）をリチオ化した後、ホウ酸トリメチル等のホウ酸エステルを反応させ、さらに塩酸、硫酸等で加水分解して合成する。これらの反応は、エーテル系炭化水素溶媒（例：ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン）等の溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行うことが好ましい。

化合物（６５）は、化合物（６４）を過酸化水素水または過酢酸等の過酸化物を作用、酸化することで合成する。これらの反応は、エーテル系炭化水素溶媒（例：ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン）、あるいはカルボン酸（例：蟻酸、酢酸）中において、−２０℃から溶媒の沸点までの間の温度で行うことが好ましい。

化合物（６９）は、上記で説明した化合物（５４）から化合物（５８）を合成する反応ルートにおいて、化合物（５４）の代わりに化合物（６５）を使用し、同一の反応操作を適用することで合成する。

化合物（７０）は、化合物（６９）にピリジン、トリエチルアミン等の塩基の存在下、無水トリフルオロメタンスルホン酸を反応することにより合成する。これらの反応は、ハロゲン系炭化水素溶媒（例：ジクロロメタン）等の溶媒中、−２０℃から室温までの間の温度で行うことが好ましい。

化合物（７２）は、化合物（７０）とホウ酸化合物（７１）とを反応させることによって合成する。これらの反応は、芳香族系炭化水素溶媒（例：トルエン）、エーテル系炭化水素溶媒（例：ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル）等の溶媒中、燐酸カリウム、炭酸カリウム等の塩基の存在下、金属触媒を用いて室温から溶媒の沸点までの間の温度で行うことが好ましい。金属触媒としては、例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムカーボンが用いられる。

化合物（７５）は、上記で説明した化合物（６９）から化合物（７２）を合成する反応ルートにおいて、化合物（６９）および化合物（７１）の代わりに化合物（５８）および化合物（７４）を使用し、同一の反応操作を適用することにより合成する。

１−４−３−２．置換基Ｙ ¹ およびＹ ² がフッ素およびＣＦ ₃ の組の場合
式（１）において、置換基Ｙ¹およびＹ²がフッ素およびＣＦ₃である組の場合の化合物（１）を合成する方法の例を、下記のスキームに示す。

３−フルオロベンゼン誘導体（５１）は、例えば、特開昭５８−１２６８２３号公報、特開昭５８−１２１２２５号公報、特開昭５９−０１６８４０号公報、または特開昭５９−０４２３２９号公報に開示の方法で合成される。

化合物（７６）は、３−フルオロベンゼン誘導体（５１）にｓｅｃ−ブチルリチウム等の有機リチウム試薬、次いでヨウ素を反応させて合成する。これらの反応は、エーテル系炭化水素溶媒（例：ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン）等の溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行うことが好ましい。

化合物（７７）は、Ｑｉｎｇ−Ｙｕｎ Ｃｈｅｎ等のＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．， Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８９，７０５記載の方法に従い、化合物（７６）にヨウ化第１銅存在下でフルオロスルホニルジフルオロ酢酸メチルを反応させることによって合成する。この反応は、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒中、６０℃から溶媒の沸点までの間の温度で行うことが好ましい。

次に、式（１）中の置換基Ｙ¹およびＹ²がフッ素およびＣＦ₃である組の場合において、ｍおよびｎが０であり、フッ素側の基（Ｒ^b）がアルコキシであり、トリフルオロメチル側の基（Ｚ⁰）が−ＣＨ＝ＣＨ−である化合物に関する合成法の例を示す。

化合物（７９）は、例えば、Ｓｙｎｌｅｔｔ １９９９，Ｎｏ．４，３８９−３９６に記載の化合物（７８）にｎ−ブチルリチウム、次いでＮ−ホルミルピペリジンを反応させて合成する。これらの反応は、エーテル系炭化水素溶媒（例：ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン）等の溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行うことが好ましい。

化合物（８１）は、化合物（７９）へＧｒｉｇｎａｒｄ試薬（８０）を作用させた後、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下に、得られるアルコール体の脱水反応を行うことで合成する。

化合物（８２）は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中、フッ化セシウムまたはテトラブチルアンモニウムフルオリドのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液を化合物（８１）に作用することで合成する。

２．液晶組成物
本発明の液晶組成物は、本発明の化合物（１）を成分Ａとして含有する。本発明の液晶組成物は、化合物（１）を１種のみ含有してもよく、化合物（１）を２種以上含有してもよい。

本発明の液晶組成物は、液晶組成物の全質量に対して、成分Ａを０．１〜９９質量％の割合で含有することが好ましく、より好ましくは１〜９９質量％、さらに好ましくは２〜９８質量％である。成分Ａの含有量が前記範囲にあると、液晶組成物の優良な特性（例：しきい値電圧、液晶相の温度範囲、誘電率異方性の値、光学異方性の値、粘度）を発現させる点で好ましい。

本発明の液晶組成物は、成分Ａのみの組成物、または成分Ａと本明細書中で特に成分名を示していないその他の成分との組成物でもよい。また、本発明の液晶組成物は、種々の特性を発現させるため、以下に説明する成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄおよび成分Ｅの群から選択される少なくとも１種の成分をさらに含有してもよい。

成分Ｂは、後述する式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物である。成分Ｃは、後述する式（５）で表される化合物である。成分Ｄは、後述する式（６）〜（１１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物である。成分Ｅは、後述する式（１２）〜（１４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物である。

なお、式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物とは、式（２）で表される化合物、式（３）で表される化合物、および式（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物を意味する。他の例においても同様である。

本発明の液晶組成物は、用途に応じて、光学活性化合物および重合可能な化合物の群から選択される少なくとも１種をさらに含有してもよく、酸化防止剤および紫外線吸収剤の群から選択される少なくとも１種をさらに含有してもよい。

本発明の液晶組成物を構成する各成分は、各元素の同位体元素からなる類縁体であっても、その化学的および物理的特性に大きな差異はない。

〈成分Ｂ〉（化合物（２）〜（４））
本発明の液晶組成物は、式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物（成分Ｂ）を含有してもよい。成分Ｂは、誘電率異方性の値が正であり、熱安定性および化学的安定性が非常に優れているので、ＴＦＴにて駆動するＴＮモード用途またはＩＰＳモード用途の液晶組成物を調製する場合に好適に用いられる。

式（２）〜（４）において、各記号の意味は以下のとおりである。
Ｒ¹は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、前記アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよい。

Ｘ¹は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＦ₂Ｈ、−ＣＦ₃、−ＣＦ₂Ｈ、−ＣＦＨ₂、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂Ｈ、または−ＯＣＦ₂ＣＦＨＣＦ₃である。

環Ｂ¹、環Ｂ²および環Ｂ³は、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−３，６−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンである。

Ｚ¹¹およびＺ¹²は、独立して−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−または単結合である。
Ｌ¹およびＬ²は、独立して水素またはフッ素である。

成分Ｂを用いる場合における成分Ｂの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、通常１〜９９質量％、好ましくは１０〜９７質量％、より好ましくは４０〜９５質量％である。また、成分Ｂとともに成分Ｅをさらに含有させることにより、液晶組成物の粘度を調整することができる。この場合の成分Ｅの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、通常１〜９９質量％、好ましくは１０〜９７質量％、より好ましくは３０〜９５質量％である。

〈成分Ｃ〉（化合物（５））
本発明の液晶組成物は、式（５）で表される化合物（成分Ｃ）を含有してもよい。成分Ｃは、誘電率異方性の値が正で非常に大きいので、ＴＮモード、ＳＴＮモードまたはＩＰＳモード用途の液晶組成物を調製する場合に好適に用いられる。成分Ｃを含有させることにより、液晶組成物のしきい値電圧を小さくすること、粘度の調整および光学異方性の値の調整をすること、ならびに液晶相の温度範囲を広げることができる。さらに、急峻性の改良にも利用できる。

式（５）において、各記号の意味は以下のとおりである。
Ｒ²は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、前記アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよい。

Ｘ²は、−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである。
環Ｃ¹、環Ｃ²および環Ｃ³は、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−３，６−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり、前記１，４−フェニレンにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

Ｚ¹³は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−または単結合である。
Ｌ³およびＬ⁴は、独立して水素またはフッ素である。

ｏは、０、１または２であり、ｐは、０または１である。ｏが２のとき、２つの環Ｃ²は、同一であっても、異なっていてもよい。ｏおよびｐの和は、０、１または２である。

成分Ｃを用いる場合における成分Ｃの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、通常０．１〜９９．９質量％、好ましくは１０〜９７質量％、より好ましくは４０〜９５質量％である。成分Ｃの含有量が前記範囲にある液晶組成物は、ＴＮモード、ＳＴＮモードまたはＩＰＳモード用途の液晶組成物として好ましい。

〈成分Ｄ〉（化合物（６）〜（１１））
本発明の液晶組成物は、式（６）〜（１１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物（成分Ｄ）を含有してもよい。成分Ｄは、ＶＡモードおよびＰＳＡモード用途等の、誘電率異方性の値が負の液晶組成物を調製する場合に好適に用いられる。また、成分Ｄを混合することにより、弾性定数をコントロ−ルし、液晶組成物の電圧透過率曲線を制御することが可能となる。

式（６）〜（１１）において、各記号の意味は以下のとおりである。
Ｒ³およびＲ⁴は、独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、前記アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよい。

環Ｄ¹、環Ｄ²、環Ｄ³および環Ｄ⁴は、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−３，６−ジイル、またはデカヒドロ−２，６−ナフタレンであり、前記１，４−フェニレンにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

Ｚ¹⁴、Ｚ¹⁵、Ｚ¹⁶およびＺ¹⁷は、独立して−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＯＣＦ₂（ＣＨ₂）₂−または単結合である。
Ｌ⁵およびＬ⁶は、独立してフッ素または塩素である。

ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕおよびｖは、独立して０または１である。
ｒ、ｓ、ｔおよびｕの和は、１または２である。

化合物（６）は、二環化合物であるので、主としてしきい値電圧の調整、粘度の調整または光学異方性の値の調整の効果がある。化合物（７）および化合物（８）は、三環化合物であるので、上限温度を高くする、ネマチック相の温度範囲を広くする、しきい値電圧を低くする、光学異方性の値を大きくする等の効果がある。化合物（９）〜（１１）は、しきい値電圧を低くする等の効果がある。

成分Ｄの含有量を増加させると、液晶組成物のしきい値電圧が低くなるが、粘度が大きくなるので、液晶組成物のしきい値電圧の要求を充たす限り、その含有量を少なくすることが好ましい。しかしながら、成分Ｄの誘電率異方性の絶対値は５程度である。したがって、充分な電圧駆動をさせるには、成分Ｄの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは５０〜９５質量％である。この場合、成分Ａの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、２〜４０質量％であることが好ましい。成分Ｄの含有量が前記範囲にある液晶組成物は、ＶＡモードまたはＰＳＡモード用途の液晶組成物として好ましい。

一方、成分Ｄを誘電率異方性の値が正の液晶組成物に混合する場合は、その含有量は、液晶組成物の全質量に対して、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下である。

〈成分Ｅ〉（化合物（１２）〜（１４））
本発明の液晶組成物は、式（１２）〜（１４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物（成分Ｅ）を含有してもよい。成分Ｅは、誘電率異方性の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。成分Ｅを用いることにより、しきい値電圧、液晶相の温度範囲、誘電率異方性の値、光学異方性の値、および粘度等を調整することができる。

式（１２）〜（１４）において、各記号の意味は以下のとおりである。
Ｒ⁵およびＲ⁶は、独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、前記アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよい。。

環Ｅ¹、環Ｅ²および環Ｅ³は、独立して１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。

Ｚ¹⁸およびＺ¹⁹は、独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合である。

化合物（１２）は、主として粘度または光学異方性の値を調整する効果がある。化合物（１３）および化合物（１４）は、上限温度を高くする等のネマチック相の温度範囲を広げる効果、または光学異方性の値を調整する効果がある。

成分Ｅの含有量を増加させると、液晶組成物の粘度が小さくなるが、液晶組成物のしきい値電圧が高くなるので、液晶組成物のしきい値電圧の要求を充たす限り、その含有量を多くすることが好ましい。

ＭＶＡモードまたはＰＳＡモード用途の液晶組成物を調製する場合、成分Ｅの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは５０質量％以上である。ＴＮモード、ＳＴＮモードまたはＩＰＳモード用途の液晶組成物を調製する場合、成分Ｅの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上である。これらの場合、成分Ａの含有量は、液晶組成物の全質量に対して、１〜４０質量％であることが好ましい。

〈成分Ｂ〜成分Ｅの具体例の例示〉
成分Ｂのうち、式（２）で表される化合物の好適例として式（２−１）〜（２−１６）で表される化合物が挙げられ、式（３）で表される化合物の好適例として式（３−１）〜（３−１１２）で表される化合物が挙げられ、式（４）で表される化合物の好適例として式（４−１）〜（４−５４）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ¹およびＸ¹は、式（２）〜（４）中のＲ¹およびＸ¹と同義である。

成分Ｃのうち、式（５）で表される化合物の好適例として、式（５−１）〜（５−６４）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ²およびＸ²は、式（５）中のＲ²およびＸ²と同義である。

成分Ｄのうち、式（６）〜（１１）で表される化合物の好適例として、それぞれ式（６−１）〜（６−６）、式（７−１）〜（７−１５）、式（８−１）、式（９−１）〜（９−３）、式（１０−１）〜（１０−１１）、および式（１１−１）〜（１１−１０）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ³およびＲ⁴は、式（６）〜（１１）中のＲ³およびＲ⁴と同義である。

成分Ｅのうち、式（１２）〜（１４）で表される化合物の好適例として、それぞれ式（１２−１）〜（１２−１１）、式（１３−１）〜（１３−１９）、および式（１４−１）〜（１４−６）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ⁵およびＲ⁶は、式（１２）〜（１４）中のＲ⁵およびＲ⁶と同義である。

〈光学活性化合物〉
本発明の液晶組成物は、光学活性化合物を１種または２種以上含有してもよい。光学活性化合物として、公知のキラルド−プ剤が挙げられる。このキラルド−プ剤は、液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれを防ぐ等の効果を有する。キラルド−プ剤としては、例えば、式（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１３）で表される光学活性化合物が挙げられる。

本発明の液晶組成物に光学活性化合物を添加することにより、ねじれのピッチを調整することができる。ねじれのピッチは、ＴＦＴモードおよびＴＮモード用途の液晶組成物であれば４０〜２００μｍの範囲に調整することが好ましく；ＳＴＮモード用途の液晶組成物であれば６〜２０μｍの範囲に調整することが好ましく；ＢＴＮモード用途の液晶組成物であれば１．５〜４μｍの範囲に調整することが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で、２種以上の光学活性化合物を添加してもよい。

〈重合可能な化合物〉
本発明の液晶組成物は、重合可能な化合物（ただし、上述した成分Ａ〜成分Ｅに該当する化合物を除く。）を１種または２種以上添加して、ＰＳＡモード用途の液晶組成物として使用することもできる。また、重合可能な化合物を添加する場合、重合開始剤を用いることが好ましい。これらの場合、重合可能な化合物の含有量は、液晶組成物の全質量に対して、０．１〜２質量％であることが好ましい。

重合可能な化合物としては、例えば、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、ビニルオキシ、プロペニルエーテル、ビニルケトン、オキシラニルおよびオキセタニル等の重合可能な基を有する化合物が挙げられる。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤等の適切な重合開始剤の存在下で、ＵＶ照射等により重合する。

重合のための適切な条件、重合開始剤の適切な種類および適切な量は、当業者には既知であり、各文献に記載されている。例えば光重合開始剤であるIrgacure 651（登録商標；ＢＡＳＦ）、Irgacure 184（登録商標；ＢＡＳＦ）、またはDarocure 1173（登録商標；ＢＡＳＦ）が、ラジカル重合に対して適切である。

〈酸化防止剤および紫外線吸収剤〉
本発明の液晶組成物は、酸化防止剤および紫外線吸収剤の群から選択される少なくとも１種をさらに含有してもよい。酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤が挙げられる。紫外線吸収剤としては、例えば、ヒンダートアミン系光安定化剤が挙げられる。

〈その他の成分〉
本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系等の二色性色素などの染料を添加して、ゲスト・ホスト（ＧＨ）モード用途の液晶組成物として使用することもできる。

〈液晶組成物の調製方法およびその特性〉
本発明の液晶組成物を調製する場合、例えば、成分Ａの誘電率異方性の値を考慮して各種成分を選択することができる。本発明の液晶組成物は、大きな誘電率異方性の値を有し、しきい値電圧が低い。前記組成物は、適切な光学異方性の値を有し、適切な弾性定数Ｋ₃₃を有する。ここで「適切な」とは、本発明の液晶組成物を含む液晶表示素子の動作モードに応じて、例えば、光学異方性および弾性定数の好適範囲が適宜決定されることを意味する。前記組成物は、粘度が低い。前記組成物は、ネマチック相の温度範囲が広く、すなわち、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い。

液晶組成物の調製は、公知の方法、例えば必要な成分を高温度下で溶解させる方法等により、一般に調製される。また、用途に応じて当業者によく知られている添加物（例：光学活性化合物、重合可能な化合物、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、染料）を添加して、各種モード用途の液晶組成物を調製することができる。添加物は当業者によく知られており、上述した化合物の他、各種文献に詳細に記載されている。

３．液晶表示素子
本発明の液晶表示素子は、上述した液晶組成物を含む。本発明の液晶表示素子は、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、高い電圧保持率を有し、広い温度範囲で使用可能であり、よって液晶プロジェクター、液晶テレビ等に用いることができる。

本発明の液晶組成物は、複屈折制御のＥＣＢ（electrically controlled birefringence）モード素子、導電剤を添加させた液晶組成物を用いたＤＳ（dynamic scattering）モード素子、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子、液晶組成物中に三次元の網目状高分子を形成して作製したポリマ−分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）、例えばポリマ−ネットワ−ク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）にも、使用することができる。

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例によっては制限されない。特に断りのない限り、「％」は「質量％」であることを意味する。
実施例等で得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトル、およびガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析で得られるガスクロマトグラム等により同定した。まず、分析方法について説明をする。

〔 ¹ Ｈ−ＮＭＲ分析〕
測定装置として、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）製）を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ₃等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解させ、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数２４回の条件で行った。なお、化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としては、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。また、核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｄｑはカルテットのダブレット、ｂｒはブロードであることを意味する。

〔ＧＣ分析〕
測定装置として、ＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフ（（株）島津製作所製）を用いた。カラムは、キャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ２５−０２５（（株）島津製作所製；長さ２５ｍ、内径０．２２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は１ｍｌ／分に調整した。試料気化室の温度を２８０℃、検出器（ＦＩＤ）部分の温度を２８０℃に設定した。試料はトルエンに溶解して、１％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。

記録計として、Ｃ−Ｒ６Ａ型Ｃｈｒｏｍａｔｏｐａｃ（（株）島津製作所製）またはその同等品を用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。

なお、試料の希釈溶媒としては、例えば、クロロホルム、ヘキサンを用いてもよい。また、カラムとしては、キャピラリーカラムＤＢ−１（Agilent Technologies Inc.製；長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、ＨＰ−１（Agilent Technologies Inc.製；長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Ｒｔｘ−１（Restek Corporation製；長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、ＢＰ−１（SGE International Pty. Ltd製；長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）等を用いてもよい。

ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は、成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の質量％は、分析サンプルの各ピークの面積％と完全に同一ではない。しかしながら、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は１であるので、分析サンプル中の成分化合物の質量％は、分析サンプル中の各ピークの面積％に対応をしている。

〔液晶性化合物等の物性値の測定試料〕
実施例等で得られた液晶性化合物の物性値を測定する試料としては、液晶性化合物そのものを試料とする場合、液晶性化合物を母液晶と混合して試料とする場合、の２つの方法を用いた。

液晶性化合物を母液晶と混合した試料を用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行った。まず、得られた液晶性化合物１５％と母液晶８５％とを混合して試料を調製した。得られた試料の測定値から、下記式に示す外挿法に従って、外挿値を計算した。この外挿値を、得られた液晶性化合物の物性値とした。ただし、液晶性化合物と母液晶との混合割合が前記場合であっても、２５℃でスメクチック相であるとき、または２５℃で結晶が析出するときは、液晶性化合物と母液晶との混合割合（液晶性化合物：母液晶）を１０％：９０％、５％：９５％、１％：９９％の順に変更していき、２５℃でスメクチック相でなくなったときの組成、または２５℃で結晶が析出しなくなったときの組成で、試料の物性値を測定し、下記式に従って外挿値を求めて、これを液晶性化合物の物性値とした。

母液晶として、以下の母液晶Ａを測定に用いた。

上記５つの化合物を混合し、ネマチック相を有する母液晶Ａを調製した。ネマチック相を有する母液晶Ａの物性（測定方法は以下に記載した。）は、以下のとおりであった：上限温度（Ｔ_NI）＝７４．６℃、誘電率異方性の値（Δε）＝−１．３、光学異方性の値（Δｎ）＝０．０８７．なお、これらの物性値を測定する試料としては、母液晶Ａそのものを用いた。

〔液晶性化合物等の物性値の測定方法〕
実施例等で得られた液晶性化合物および液晶組成物の物性値の測定は、後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたＴＮ素子またはＶＡ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

測定値のうち、液晶性化合物そのものを試料として得られた値と、液晶組成物そのものを試料として得られた値の場合は、そのままの値を実験データとして記載した。測定値のうち、液晶性化合物を母液晶と混合した試料として得られた値の場合は、外挿法で得られた外挿値を記載した。

〈相構造および転移温度（℃）〉
相構造および転移温度は、下記（１）および（２）の方法で測定した。
（１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料（液晶性化合物）を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態およびその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。
（２）パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システムまたはＤｉａｍｏｎｄ ＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料（液晶性化合物）の相変化に伴う、吸熱ピークまたは発熱ピークの開始点を外挿法により求め（on set）、転移温度を決定した。

以下、結晶はＣと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれＣ₁またはＣ₂と表した。また、スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。等方性液体（アイソトロピック）はＩｓｏと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＢ相またはスメクチックＡ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_BまたはＳ_Aと表した。転移温度の表記として、例えば、「Ｃ ５０．０ Ｎ １００．０ Ｉｓｏ」とは、結晶からネマチック相への転移温度（ＣＮ）が５０．０℃であり、ネマチック相から等方性液体への転移温度（ＮＩ）が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。相転移温度の単位は、全て℃である。

〈ネマチック相の上限温度（Ｔ _NI ；℃）〉
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を置き、１℃／分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡で観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を、ネマチック相の上限温度とした。上述したように、ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。

〈誘電率異方性の値（Δε；２５℃で測定）〉
誘電率異方性の値（Δε）は、以下の方法によって測定した。
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させた後、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。

同様の方法で、ガラス基板上にポリイミドの配向膜を形成した。得られたガラス基板の配向膜にラビング処理をした後、２枚のガラス基板の間隔が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子を組み立てた。

得られたＶＡ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。また、得られたＴＮ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値（Δε）は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。

〈光学異方性の値（Δｎ；２５℃で測定）〉
光学異方性の値（Δｎ）の測定は、２５℃の温度下で、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行った。主プリズムの表面を一方向にラビングした後、試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は、偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は、偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値（Δｎ）は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥の式から計算した。

〔液晶性化合物の実施例〕
［実施例１］５−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ジフルオロメチルフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（１−５−１１）の合成

〈第１工程〉
窒素雰囲気下の反応器中、１−エトキシ−３−フルオロベンゼン（Ｎｏ．１）１４．５ｇ（１０３ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１５０ｍｌに溶解した。−７０℃以下の温度で、この溶液にｓ−ブチルリチウム（１．０２Ｍ シクロヘキサン溶液）１００ｍｌ（１０２ｍｍｏｌ）を滴下し、１時間攪拌した後、トリメチルシリルクロリド１４．０ｍｌ（１１０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下した。１時間攪拌した後、反応液を氷冷した塩化アンモニウム水溶液３００ｍｌへ注ぎ分液した。水層をヘキサン１００ｍｌで２回抽出し、有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：４００ｇ、溶離液：ヘプタン）にて処理した後、減圧蒸留（１３６℃、５０ｍｍＨｇ）することにより、１−エトキシ−３−フルオロ−２−トリメチルシリルベンゼン（Ｎｏ．２）１４．１ｇ（６６．２ｍｍｏｌ，収率６４モル％）を得た。

〈第２工程〉
窒素雰囲気下の反応器中、第１工程にて得られた１−エトキシ−３−フルオロ−２−トリメチルシリルベンゼン（Ｎｏ．２）６．０ｇ（２８．２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ６０ｍｌに溶解し、−７０℃以下に冷却した。この溶液にｓ−ブチルリチウム（１．０８Ｍ シクロヘキサン溶液）２８．７ｍｌ（３１．０ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃以下にて１時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２．６ｍｌ（３３．４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ１０ｍｌ溶液を滴下した。−７０℃以下にて１時間攪拌した後、反応液を氷冷した塩化アンモニウム水溶液５０ｍｌへ注ぎ分液した。水層を酢酸エチル５０ｍｌで２回抽出し、有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。この結果、４−エトキシ−２−フルオロ−３−トリメチルシリルベンズアルデヒド（Ｎｏ．３）６．７ｇ（２７．９ｍｍｏｌ，収率９９モル％）を得た。

〈第３工程〉
窒素雰囲気下の反応器中、メトキシメチルトリフェニルホスフィンクロライド１４．４ｇ（４２．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ３５ｍｌ懸濁液に、カリウム−ｔ−ブトキシド４．７ｇ（４２．０ｍｍｏｌ）を−４０℃以下で少しずつ加えた。−４０℃以下で１時間攪拌した後、第２工程にて得られた４−エトキシ−２−フルオロ−３−トリメチルシリルベンズアルデヒド（Ｎｏ．３）６．２ｇ（２５．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ１００ｍｌ溶液を滴下した。室温まで昇温し、５時間攪拌した後、反応液を水２００ｍｌへ注ぎ、酢酸エチル５０ｍｌを加え分液した。水層を酢酸エチル５０ｍｌで２回抽出し、有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：１００ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９５／５（体積比））にて精製後、減圧下にて溶媒を留去し中間体を得た。この中間体をトルエン３０ｍｌに溶解し、蟻酸９ｍｌを加えて１時間加熱還流した。室温まで放冷した反応液を飽和重曹水１００ｍｌへ注ぎ分液し、水層をトルエン５０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧下にて溶媒を留去し、２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−トリメチルシリルフェニル）アセトアルデヒド（Ｎｏ．４）３．６ｇ（１４．１ｍｍｏｌ，収率５５モル％）を得た。

〈第４工程〉
窒素雰囲気下の反応器中、第３工程で得られた２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−トリメチルシリルフェニル）アセトアルデヒド（Ｎｏ．４）３．６ｇ（１４．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ５０ｍｌに溶解した。氷冷下にて反応液にＯｘｏｎｅ１０．４g（１６．９ｍｍｏｌ）を添加した後、室温にて３時間攪拌した。次いで反応液を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍｌへ注ぎ、酢酸エチル５０ｍｌを加えて分液した。水層を酢酸エチル５０ｍｌで２回抽出し、有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：１００ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝５０／５０（体積比））、再結晶（ヘプタン／トルエン＝７５／２５（体積比））により精製し、２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−トリメチルシリルフェニル）酢酸（Ｎｏ．５）１．７ｇ（６．３ｍｍｏｌ，収率４５モル％）を得た。

〈第５工程〉
窒素雰囲気下の反応器中、第４工程で得られた２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−トリメチルシリルフェニル）酢酸（Ｎｏ．５）１．７ｇ（６．３ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２０ｍｌに溶解した。この溶液を０℃に冷やし、ｎ−ブチルリチウム（１．６７Ｍ ｎ−ヘキサン溶液）７．７ｍｌ（１２．８ｍｍｏｌ）を滴下し、次いで反応液を室温まで昇温し３０分攪拌した。次いで反応液を−７０℃に冷却し、特開２０００−８０４０号公報に記載の方法によって得た２−（トランス−４−プロピル−シクロヘキシル）−オキセタン（Ｎｏ．６）１．１５ｇ（６．３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ３ｍｌ溶液、続いて三フッ素化ホウ素ジエチルエーテル錯体０．９４ｍｌ（７．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ３ｍｌ溶液を滴下した。反応液を室温まで昇温した後、１０％蟻酸水溶液１００ｍｌへ注いだ後に分液し、水層を酢酸エチル１００ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：１００ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９０／１０（体積比））にて精製し、２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−（トリメチルシリル）フェニル）−５−ヒドロキシ−５−（４−プロピルシクロヘキシル）−ペンタン酸（Ｎｏ．７）２．４６ｇ（５．７ｍｍｏｌ，収率９１モル％）を得た。

〈第６工程〉
第５工程にて得られた２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−（トリメチルシリル）フェニル）−５−ヒドロキシ−５−（４−プロピルシクロヘキシル）−ペンタン酸（Ｎｏ．７）２．４６ｇ（５．７ｍｍｏｌ）をトルエン２５ｍｌに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１．０８g（５．７ｍｍｏｌ）を添加し、１時間加熱還流した。室温まで放冷した反応液を飽和重曹水へ注いだ後に分液し、水層をトルエン２０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：５０ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９０／１０（体積比））にて精製し、３−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−６−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン−２−オン（Ｎｏ．８）１．７ｇ（４．７ｍｍｏｌ，収率８２モル％）を得た。

〈第７工程〉
第６工程で得られた３−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−６−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン−２−オン（Ｎｏ．８）１．７ｇ（４．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ４０ｍｌに溶解し、−７０℃以下に冷却した。水素化ジイソブチルアルミニウム（１．０１Ｍ トルエン溶液）１０．２ｍｌ（１０．３ｍｍｏｌ）を加え、−７０℃にて２時間撹拌した。反応液を氷冷した１０％蟻酸水溶液８０ｍｌへ注ぎ、分液した。水層をトルエン５０ｍｌで２回抽出し、有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧下にて溶媒を留去し、３−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−６−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン−２−オール（Ｎｏ．９）１．７ｇ（４．７ｍｍｏｌ，収率９９モル％）を得た。

〈第８工程〉
第７工程で得られた３−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−６−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン−２−オール（Ｎｏ．９）１．７４ｇ（４．７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン３０ｍｌに溶解した。−７０℃でトリエチルシラン２．４ｍｌ（１５．１ｍｍｏｌ）のジクロロメタン５ｍｌ溶液、続いて三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体１．９ｍｌ（１５．１ｍｍｏｌ）のジクロロメタン５ｍｌ溶液を滴下した。室温まで昇温した後に２時間攪拌し、反応液を氷水５０ｍｌへ注いだ後に分液し、水層をジクロロメタン１０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：５０ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９５／５（体積比））、再結晶（ヘプタン／エタノール＝５０／５０（体積比））により精製し、５−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．１０）１．１５ｇ（３．３ｍｍｏｌ，収率７３モル％）を得た。

〈第９工程〉
第８工程で得られた５−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．１０）１．０５ｇ（３．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに溶解し、−７０℃に冷却した。ｓ−ブチルリチウム（１．０８Ｍ シクロヘキサン溶液）３．８ｍｌ（４．１ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間攪拌した。次いでＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）０．３２ｍｌ（４．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ３ｍｌ溶液を滴下し、−７０℃にて２時間攪拌した。反応液を氷水１００ｍｌに注いだ後に分液し、水層を酢酸エチル５０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：３０ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９０／１０（体積比））にて精製し、５−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ホルミルフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．１１）０．９６ｇ（２．５ｍｍｏｌ，収率８５モル％）を得た。

〈第１０工程〉
第９工程で得られた５−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ホルミルフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．１１）０．９６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１０ｍｌに溶解し氷冷した。ジエチルアミノサルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）０．７３ｍｌ（５．５ｍｍｏｌ）を添加した後、室温にて４時間攪拌した。反応液を飽和重曹水５０ｍｌに注いだ後に分液し、水層をジクロロメタン２０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：３０ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９５／５（体積比））、再結晶（エタノール）にて精製し、５−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ジフルオロメチルフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（１−５−１１）０．５ｇ（１．２５ｍｍｏｌ，収率６２モル％）を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下のとおりであり、得られた化合物（１−５−１１）が、５−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ジフルオロメチルフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピランであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１９（ｔ，１Ｈ）、７．０３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝５３．６，ＣＦ₂Ｈ）、６．６５（ｄ，１Ｈ）、４．０５（ｑ，２Ｈ）、３．９９（ｄｑ，１Ｈ）、３．３７（ｔ，１Ｈ）、３．０９−３．０４（ｍ，２Ｈ）、１．９９（ｔ，２Ｈ）、１．７８−０．９０（ｍ，１９Ｈ）、０．８８（ｔ，３Ｈ）
得られた化合物（１−５−１１）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｓ_B ６２．６ Ｎ ６６．２ Ｉｓｏ．

［実施例２］２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ジフルオロメチルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（１−４−１１）の合成

〈第１工程〉
実施例１の第１工程と同様にして、１−エトキシ−３−フルオロ−２−トリメチルシリルベンゼン（Ｎｏ．２２）１４．１ｇ（６６．２ｍｍｏｌ，収率６４モル％）を得た。

〈第２工程〉
窒素雰囲気下の反応器中、第１工程にて得られた１−エトキシ−３−フルオロ−２−トリメチルシリルベンゼン（Ｎｏ．２２）４．０ｇ（１８．８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに溶解し、−７０℃以下に冷却した。この溶液にｓ−ブチルリチウム（１．０８Ｍ シクロヘキサン溶液）１９．０ｍｌ（２０．５ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃以下にて１時間攪拌した後、５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン−２−オン３．８４ｇのＴＨＦ１０ｍｌを滴下した。−７０℃以下にて１時間攪拌した後、反応液を氷冷した塩化アンモニウム水溶液５０ｍｌへ注いだ後に分液し、水層をトルエン５０ｍｌで３回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去し、２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−トリメチルシリルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン−２−オール（Ｎｏ．２３）４．５ｇ（１０．３ｍｍｏｌ，収率６０モル％）を得た。

〈第３工程〉
第２工程で得られた２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−トリメチルシリルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン−２−オール（Ｎｏ．２３）４．０ｇ（９．２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン８０ｍｌに溶解した。−６０℃でトリエチルシラン３．０ｍｌ（１８．４ｍｍｏｌ）のジクロロメタン５ｍｌ溶液、続いて三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体２．３ｍｌ（１８．４ｍｍｏｌ）のジクロロメタン５ｍｌ溶液を滴下した。室温まで昇温した後に２時間攪拌し、反応液を氷水１５０ｍｌへ注いだ後に分液し、水層をジクロロメタン２０ｍｌで３回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をＴＨＦ１０ｍｌに溶解し、０℃でフッ化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム９．２ｍｌ（９．２ｍｍｏｌ）を滴下した。１０分間撹拌した後、ゆっくりと室温まで昇温した。反応液を氷水１５０ｍｌへ注いだ後に分液し、水層をトルエン５０ｍｌで３回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：８０ｇ、溶離液：ヘプタン）により精製し、２−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．２４）１．９ｇ（５．５ｍｍｏｌ，収率６０モル％）を得た。

〈第４工程〉
第３工程で得られた２−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．２４）１．４ｇ（３．２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ７０ｍｌに溶解し、−７０℃に冷却した。ｓ−ブチルリチウム（１．０８Ｍ シクロヘキサン溶液）３．６ｍｌ（３．８ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間攪拌した。次いでＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）０．３６ｍｌ（３．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ１．０ｍｌ溶液を滴下し、−７０℃にて２時間攪拌した。反応液を氷冷した塩化アンモニウム水溶液１００ｍｌへ注いだ後に分液し、水層をトルエン５０ｍｌで３回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：２０ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９／１（体積比））にて精製し、２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ホルミルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．２５）０．５７ｇ（１．５ｍｍｏｌ，収率４８モル％）を得た。

〈第５工程〉
第４工程で得られた２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ホルミルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．２５）０．５７ｇ（１．５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１０ｍｌに溶解し氷冷した。ジエチルアミノサルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）０．４ｍｌ（３．０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１．４ｍｌ溶液を添加した後、室温にて４時間攪拌した。反応液を氷冷した飽和重曹水５０ｍｌに注いだ後に分液し、水層をジクロロメタン２０ｍｌで３回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：１５ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝２０／１（体積比））、再結晶（ヘプタン／ソルミックス（登録商標）Ａ−１１）にて精製し、２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ジフルオロメチルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（１−４−１１）０．２９ｇ（０．７２ｍｍｏｌ，収率４８モル％）を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下のとおりであり、得られた化合物（１−４−１１）が、２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ジフルオロメチルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピランであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．４９（ｔ，１Ｈ）、７．０４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝５３．８，ＣＦ₂Ｈ）、６．７０（ｄ，１Ｈ）、４．５１（ｑ，１Ｈ）、４．１５（ｄｑ，１Ｈ）、４．０７（ｑ，２Ｈ）３．３４（ｔ，１Ｈ）、１．９５−１．９９（ｍ，１Ｈ）、１．８８−１．９１（ｍ，１Ｈ）、１．７８−０．８０（ｍ，２３Ｈ）
得られた化合物（１−４−１１）の相転移温度は以下のとおりであった。
相転移温度：Ｓ_B ９２．３ Ｎ ９６．１ Ｉｓｏ．

［実施例３］５−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ジフルオロメチルフェニル）−２−（４−プロピル−シクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピラン（１−１５−１５）の合成

〈第１工程〉
窒素雰囲気下の反応器中、実施例１の第４工程で得られた２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−トリメチルシリルフェニル）酢酸（Ｎｏ．５）１．９４ｇ（７．２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２５ｍｌに溶解した。溶液を０℃に冷やし、ｎ−ブチルリチウム（１．６７Ｍ ｎ−ヘキサン溶液）８．６ｍｌ（１４．４ｍｍｏｌ）を滴下し、次いで反応液を室温まで昇温し３０分攪拌した。次いで反応液を−７０℃に冷却し、特開２０００−８０４０号公報に記載の方法によって得た２−（トランス−４−プロピル−シクロヘキシル）シクロヘキシル−オキセタン（Ｎｏ．２６）１．９ｇ（７．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ１５ｍｌ溶液、続いて三フッ素化ホウ素ジエチルエーテル錯体１．０８ｍｌ（８．６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ３ｍｌ溶液を滴下した。反応液を室温まで昇温した後、１０％蟻酸水溶液１００ｍｌへ注いだ後に分液し、水層を酢酸エチル１５０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：１００ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９０／１０（体積比））にて精製し、２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−（トリメチルシリル）フェニル）−５−ヒドロキシ−５−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−ペンタン酸（Ｎｏ．２７）２．８９ｇ（５．４ｍｍｏｌ，収率７５モル％）を得た。

〈第２工程〉
第１工程にて得られた２−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−（トリメチルシリル）フェニル）−５−ヒドロキシ−５−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−ペンタン酸（Ｎｏ．２７）２．８９ｇ（５．４ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１．０３g（５．４ｍｍｏｌ）を添加し、１時間加熱還流した。室温まで放冷した反応液を飽和重曹水へ注いだ後に分液し、水層をトルエン５０ｍｌにて２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：５０ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９０／１０（体積比））にて精製し、３−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−６−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピラン−２−オン（Ｎｏ．２８）１．９ｇ（４．３ｍｍｏｌ，収率７９モル％）を得た。

〈第３工程〉
第２工程で得られた３−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−６−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピラン−２−オン（Ｎｏ．２８）１．９ｇ（４．３ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１５０ｍｌに溶解し、−７０℃以下に冷却した。水素化ジイソブチルアルミニウム（１．０１Ｍ トルエン溶液）９．４ｍｌ（９．５ｍｍｏｌ）を加え、−７０℃にて２時間撹拌した。反応液を氷冷した１０％蟻酸水溶液１００ｍｌへ注ぎ、分液した。水層を酢酸エチル１００ｍｌで２回抽出し、有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧下にて溶媒を留去し、３−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−６−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピラン−２−オール（Ｎｏ．２９）１．８６ｇ（４．２ｍｍｏｌ，収率９８モル％）を得た。

〈第４工程〉
第３工程で得られた３−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−６−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピラン−２−オール（Ｎｏ．２９）１．８６ｇ（４．２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン５０ｍｌに溶解した。−７０℃でトリエチルシラン１．３４ｍｌ（８．４ｍｍｏｌ）のジクロロメタン５ｍｌ溶液、続いて三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体１．０６ｍｌ（８．４ｍｍｏｌ）のジクロロメタン５ｍｌ溶液を滴下した。室温まで昇温した後に２時間攪拌し、反応液を氷水５０ｍｌへ注いだ後に分液し、水層をジクロロメタン２０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：５０ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９５／５（体積比））、再結晶（ヘプタン／エタノール＝５０／５０（体積比））により精製し、５−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピラン（Ｎｏ．３０）１．３ｇ（３．０ｍｍｏｌ，収率７１モル％）を得た。

〈第５工程〉
第４工程で得られた５−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピラン（Ｎｏ．３０）１．３ｇ（３．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１３０ｍｌに溶解し、−７０℃に冷却した。ｓ−ブチルリチウム（１．０６Ｍ シクロヘキサン溶液）３．４ｍｌ（３．６ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間攪拌した。次いでＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）０．２８ｍｌ（３．６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ２ｍｌ溶液を滴下し、−７０℃にて２時間攪拌した。反応液を氷水８０ｍｌに注いだ後に分液し、水層を酢酸エチル５０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：５０ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９０／１０（体積比））にて精製し、５−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ホルミルフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピラン（Ｎｏ．３１）１．１ｇ（２．４ｍｍｏｌ，収率７３モル％）を得た。

〈第６工程〉
第５工程で得られた５−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ホルミルフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピラン（Ｎｏ．３１）１．１ｇ（２．４ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１０ｍｌに溶解し氷冷した。ジエチルアミノサルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）０．６３ｍｌ（４．８ｍｍｏｌ）を添加した後、室温にて終夜攪拌した。反応液を飽和重曹水５０ｍｌに注いだ後に分液し、水層をジクロロメタン２０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：５０ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９５／５（体積比））、再結晶（ヘプタン）にて精製し、５−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ジフルオロメチルフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピラン（１−１５−１５）０．６ｇ（１．２５ｍｍｏｌ，収率５２モル％）を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下のとおりであり、得られた化合物（１−１５−１５）が、５−（４−エトキシ−２−フルオロ−３−ジフルオロメチルフェニル）−２−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−テトラヒドロピランであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１８（ｔ，１Ｈ）、７．０２（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝５３．７，ＣＦ₂Ｈ）、６．６５（ｄ，１Ｈ）、４．０６（ｑ，２Ｈ）、３．９８（ｄｑ，１Ｈ）、３．３７（ｔ，１Ｈ）、３．０９−３．０２（ｍ，２Ｈ）、１．９９（ｔ，２Ｈ）、１．７７−０．８９（ｍ，２９Ｈ）、０．８７（ｔ，３Ｈ）
得られた化合物（１−１５−１５）の相転移温度は、以下のとおりであった。
相転移温度：Ｃ ７２．５ Ｓ_B ２４１．５ Ｎ ２４８．２ Ｉｓｏ．

［比較例１］２−（４−エトキシ−３−フルオロ−２−ジフルオロメチルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．３６）の合成

〈第１工程〉
窒素雰囲気下の反応器中、４−エトキシ−３−フルオロブロモベンゼン（Ｎｏ．３２）２．７７ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）をＴＨＦ４０ｍｌに溶解し、−７０℃以下に冷却した。この溶液にｎ−ブチルリチウム（１．６５Ｍ ｎ−ヘキサン溶液）７．６ｍｌ（１２．６ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃以下にて１時間攪拌した後、５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン−２−オン２．３６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液１０ｍｌを滴下した。−７０℃以下にて１時間攪拌した後、反応液を氷冷した塩化アンモニウム水溶液５０ｍｌへ注いだ後に分液し、水層を酢酸エチル５０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：１００ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝７５／２５（体積比））にて精製し、２−（４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン−２−オール（Ｎｏ．３３）３．０ｇ（８．２ｍｍｏｌ，収率７８モル％）を得た。

〈第２工程〉
第１工程で得られた２−（４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン−２−オール（Ｎｏ．３３）３．０ｇ（８．２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン３０ｍｌに溶解した。−７０℃でトリエチルシラン２．６ｍｌ（１６．５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン５ｍｌ溶液、続いて三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体２．１ｍｌ（１６．５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン５ｍｌ溶液を滴下した。室温まで昇温した後に３時間攪拌し、反応液を氷水５０ｍｌへ注いだ後に分液し、水層をジクロロメタン２０ｍｌで３回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：１００ｇ、溶離液：ヘプタン）、再結晶（ヘプタン／エタノール＝５０／５０（体積比）により精製し、２−（４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．３４）１．３ｇ（３．７ｍｍｏｌ，収率４５モル％）を得た。

〈第３工程〉
第２工程で得られた２−（４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．３４）１．３ｇ（３．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２５ｍｌに溶解し、−７０℃に冷却した。ｓ−ブチルリチウム（１．０８Ｍ シクロヘキサン溶液）３．８ｍｌ（４．１ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間攪拌した。次いでＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）０．３４ｍｌ（４．４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ１ｍｌ溶液を滴下し、−７０℃にて３時間攪拌した。反応液を氷冷した塩化アンモニウム水溶液５０ｍｌへ注いだ後に分液し、水層を酢酸エチル３０ｍｌで３回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：２０ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９／１（体積比））にて精製し、２−（４−エトキシ−３−フルオロ−２−ホルミルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．３５）０．７ｇ（１．７ｍｍｏｌ，収率４６モル％）を得た。

〈第４工程〉
第３工程で得られた２−（４−エトキシ−３−フルオロ−２−ホルミルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．３５）０．７ｇ（１．７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１０ｍｌに溶解し氷冷した。ジエチルアミノサルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）０．４５ｍｌ（３．４ｍｍｏｌ）のジクロロメタン２ｍｌ溶液を添加した後、室温にて終夜攪拌した。反応液を飽和重曹水３０ｍｌに注いだ後に分液し、水層をジクロロメタン１０ｍｌで３回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をＴＨＦ３ｍｌ／メタノール３ｍｌ混合溶媒に溶解し、氷冷した。水素化ホウ素ナトリウム６４ｍｇ（１．７ｍｍｏｌ）を添加した後、室温にて１時間攪拌した。反応液を水１０ｍｌへ注いだ後に分液し、水層を酢酸エチル１０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：１５ｇ、溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝９０／１０（体積比））、再結晶（ヘプタン／エタノール＝５０／５０（体積比））にて精製し、２−（４−エトキシ−３−フルオロ−２−ジフルオロメチルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピラン（Ｎｏ．３６）０．３５ｇ（０．８８ｍｍｏｌ，収率５２モル％）を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下のとおりであり、得られた化合物（Ｎｏ．３６）が、２−（４−エトキシ−３−フルオロ−２−ジフルオロメチルフェニル）−５−（４−プロピルシクロヘキシル）テトラヒドロピランであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．２７（ｄ，１Ｈ）、７．１０（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝５３．８，ＣＦ₂Ｈ）、７．０３（ｔ，１Ｈ）、４．６０（ｄ，１Ｈ）、４．１４（ｄｑ，１Ｈ）、４．０９（ｑ，２Ｈ）、３．３４（ｔ，１Ｈ）、１．９８−０．９９（ｍ，２２Ｈ）、０．８７（ｔ，３Ｈ）
得られた化合物（Ｎｏ．３６）の相転移温度は以下のとおりであり、ネマチック相は観測されなかった。
相転移温度：Ｃ １００．６ Ｉｓｏ．

〔液晶性化合物の物性〕
（１）８５％の母液晶Ａと、１５％の液晶性化合物（１−５−１１）とからなる試料（液晶組成物）を調製した。この試料の物性は、以下のとおりであった。上限温度（Ｔ_NI）＝７３．５℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−２．５３；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０８５８。母液晶Ａおよび上記試料の物性値と液晶性化合物の混合比とから、外挿法により算出した液晶性化合物（１−５−１１）の物性値は、以下のとおりであった。上限温度（Ｔ_NI）＝６７．３℃；誘電率異方性の値（Δε）＝−９．１６；光学異方性の値（Δｎ）＝０．０７９。

（２）上記（１）において、液晶性化合物の種類および混合割合を表１に記載したとおりに変更したこと以外は上記（１）と同様にして、試料（液晶組成物）を調製し、物性評価を行った。
物性の評価結果を表１に示す。

液晶性化合物（１−５−１１）および液晶性化合物（１−４−１１）は、三環化合物である化合物（Ｎｏ．３６）と比較して、上限温度（Ｔ_NI）および誘電率異方性の値（Δε）の絶対値が大きくなることがわかった。

［合成例］
前記の合成法、実施例１〜３を応用することによって、下記の化合物（１−１−１〜１−２０−１２）を合成することができる。実施例１〜３による化合物（１−４−１１、１−５−１１および１−１５−１５）も列挙した。

〔液晶組成物の実施例〕
実施例により本発明の液晶組成物を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。実施例における化合物は、下記の表２の定義に基づいて記号により表した。表２において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の全質量に基づいた質量百分率（質量％）である。最後に、組成物の物性値をまとめた。物性は、先に記載した方法にしたがって測定し、測定値を外挿することなくそのまま記載した。

［実施例４］
実施例４の液晶組成物の組成は、以下のとおりであった。
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−５−１１） ４％
３−ＨＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−１５−１５） ４％
３−ＨＨ−Ｏ１ （１２−１） ８％
５−ＨＨ−Ｏ１ （１２−１） ４％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １６％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） ２１％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） ７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １４％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １７％
液晶組成物の物性値は、以下のとおりであった。
ＮＩ＝７６．４℃；Δｎ＝０．０８３；Δε＝−４．４；η＝３５．４ｍＰａ・ｓ．

［実施例５］
実施例５の液晶組成物の組成は、以下のとおりであった。
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−５−１１） ３％
３−ＨｄｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−４−１１） ３％
３−ＨＢ−Ｏ１ （１２−５） １５％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） ７％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １３％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ６％
液晶組成物の物性値は、以下のとおりであった。
ＮＩ＝７９．３℃；Δｎ＝０．０８８；Δε＝−３．１；η＝２８．９ｍＰａ・ｓ．

［実施例６］
実施例６の液晶組成物の組成は、以下のとおりであった。
３−ＨｄｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−４−１１） ４％
３−ＨＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−１５−１５） ４％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ６％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） ２２％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） ２２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ３％
４−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ２％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （１３−１） ６％
３−ＨＨＢ−３ （１３−１） ６％
３−ＨＨＥＢＨ−５ （１４−６） ３％
液晶組成物の物性値は、以下のとおりであった。
ＮＩ＝８３．６℃；Δｎ＝０．０９９；Δε＝−３．９；η＝３４．４ｍＰａ・ｓ．
また、上記組成物１００質量部に光学活性化合物（Ｏｐ−５）（本化合物は、発明を実施するための形態に例示したものである。）を０．２５質量部添加したときのピッチは、６０．５μｍであった。

［実施例７］
実施例７の液晶組成物の組成は、以下のとおりであった。
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−５−１１） ４％
３−ＨｄｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−４−１１） ３％
２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ （５−１４） ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ （５−１４） ４％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ （５−１４） １２％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ （５−１５） １６％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１２−５） １０％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ３％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１３−１） ４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ （３−３７） ４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ３％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （１３−１７） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （１３−１７） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （１３−１７） ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （１３−１８） ５％
液晶組成物の物性値は、以下のとおりであった。
ＮＩ＝８０．６℃；Δｎ＝０．１３８；Δε＝２３．０；η＝３７．３ｍＰａ・ｓ．

［実施例８］
実施例８の液晶組成物の組成は、以下のとおりであった。
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−５−１１） ３％
３−ＨＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−１５−１５） ３％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ （５−１５） ６％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １８％
２−ＢＴＢ−１ （１２−１０） １０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ （１２−１） ３０％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ （１３−１） ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ （１３−１） １１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （１３−１７） ３％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （１３−１７） ４％
液晶組成物の物性値は、以下のとおりであった。
ＮＩ＝７６．２℃；Δｎ＝０．１１９；Δε＝８．９；η＝１０．６ｍＰａ・ｓ．

［実施例９］
実施例９の液晶組成物の組成は、以下のとおりであった。
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−５−１１） ２％
３−ＨｄｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−４−１１） ２％
３−ＨＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−１５−１５） ２％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ （２−３） ７％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ （１２−２） ２３％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０３） ３％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０３） ６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０６） ４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０６） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０９） ３％
液晶組成物の物性値は、以下のとおりであった。
ＮＩ＝７３．１℃；Δｎ＝０．０６７；Δε＝９．１；η＝２５．７ｍＰａ・ｓ．

〔液晶組成物の使用例〕
液晶組成物の組成として、以下の使用例を挙げることができる。
［使用例１］
３−ＨｄｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−４−１１） ４％
３−ＨｄｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ３）−Ｏ２ （１−４−１８） ３％
３−ＨＢ−Ｏ１ （１２−５） １５％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ４％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １０％
６−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−６） ６％

［使用例２］
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−５−１１） ４％
５−ＢＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−５−１７） ３％
２−ＨＨ−５ （１２−１） ３％
３−ＨＨ−４ （１２−１） １５％
３−ＨＨ−５ （１２−１） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１２−５） １２％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ５％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１３−１） ３％

［使用例３］
３−ＨｄｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−４−１１） ４％
５−Ｈ２ｄｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−８−３１） ３％
３−ＨＢ−Ｏ１ （１２−５） １２％
３−ＨＨ−４ （１２−１） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） ９％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １３％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ６％

［使用例４］
３−ＨｄｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ３）−Ｏ２ （１−４−１８） ４％
５−Ｈ２ｄｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−８−３１） ３％
２−ＨＢ−Ｃ （５−１） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１２−５） １２％
２−ＢＴＢ−１ （１２−１０） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−１ （１３−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１３−１） ５％
３−ＨＨＢ−３ （１３−１） １２％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ２％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ５％

［使用例５］
３−ＨＨＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−１５−１５） ３％
５−ＢＤｈＢ（２Ｆ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−５−１７） ２％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １６％
３−ＨＨ−４ （１２−１） １２％
３−ＨＨ−５ （１２−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） １０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ （１４−１） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％

本発明の化合物は、誘電率異方性の値（Δε）が負に大きい液晶性化合物であり、前記化合物を含有することにより、種々の表示方式において低電圧駆動を可能とする液晶組成物、およびこの液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することができる。

Claims (12)

1. 式（１）で表される化合物。
   

   

   ［式（１）において、
   Ｙ¹およびＹ²の一方はフッ素であり、他の一方はＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり；
   Ｇは、式（ｐｒ−１）または式（ｐｒ−２）で表される環であり；
   

   

   Ａ¹〜Ａ³は、独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；
   Ｒ^aおよびＲ^bは、独立して水素または炭素数１〜２０のアルキルであり、前記アルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−または−ＣＯ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく；
   Ｚ⁰およびＺ¹〜Ｚ³は、独立して単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり；
   ｊ、ｍおよびｎは０〜２の整数であり、ｊ、ｍおよびｎの合計は０、１または２であり、ｊが２のとき、複数ある−Ａ¹−Ｚ¹−は相互に同一でも異なってもよく、ｍが２のとき、複数ある−Ａ²−Ｚ²−は相互に同一でも異なってもよく、ｎが２のとき、複数ある−Ｚ³−Ａ³−は相互に同一でも異なってもよく、
   ただし、ｍが０であり、Ｙ¹がＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり、Ｙ²がフッ素であり、かつＺ⁰が単結合であるとき、Ｇは式（ｐｒ−１）で表される環である。］
2. 式（１）中、Ｚ⁰およびＺ¹〜Ｚ³が単結合である、請求項１に記載の化合物。
3. 式（１）中、ｍが０である、請求項１または２に記載の化合物。
4. 式（１−１−１）または式（１−２−１）で表される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物。
   

   

   ［式（１−１−１）または式（１−２−１）中、Ｒ^aおよびＲ^bは、それぞれ式（１）中の同一記号と同義であり、Ｙ²は、ＣＦ₂ＨまたはＣＦ₃であり、ｊは、１または２である。］
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物を含有する液晶組成物。
6. 式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物をさらに含有する請求項５に記載の液晶組成物。
   

   

   ［式（２）〜（４）において、
   Ｒ¹は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、前記アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   Ｘ¹は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＦ₂Ｈ、−ＣＦ₃、−ＣＦ₂Ｈ、−ＣＦＨ₂、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂Ｈ、または−ＯＣＦ₂ＣＦＨＣＦ₃であり；
   環Ｂ¹、環Ｂ²および環Ｂ³は、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−３，６−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；
   Ｚ¹¹およびＺ¹²は、独立して−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−または単結合であり；
   Ｌ¹およびＬ²は、独立して水素またはフッ素である。］
7. 式（５）で表される化合物をさらに含有する請求項５または６に記載の液晶組成物。
   

   

   ［式（５）において、
   Ｒ²は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、前記アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   Ｘ²は、−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
   環Ｃ¹、環Ｃ²および環Ｃ³は、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−３，６−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり、前記１，４−フェニレンにおいて、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよく；
   Ｚ¹³は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ₂Ｏ−または単結合であり；
   Ｌ³およびＬ⁴は、独立して水素またはフッ素であり；
   ｏは、０、１または２であり、ｐは、０または１であり、ｏが２のとき、２つの環Ｃ²は、同一であっても、異なっていてもよく、ｏおよびｐの和は、０、１または２である。］
8. 式（６）〜（１１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物をさらに含有する請求項５に記載の液晶組成物。
   

   

   ［式（６）〜（１１）において、
   Ｒ³およびＲ⁴は、独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、前記アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   環Ｄ¹、環Ｄ²、環Ｄ³および環Ｄ⁴は、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−３，６−ジイル、またはデカヒドロ−２，６−ナフタレンであり、前記１，４−フェニレンにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
   Ｚ¹⁴、Ｚ¹⁵、Ｚ¹⁶およびＺ¹⁷は、独立して−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＯＣＦ₂（ＣＨ₂）₂−または単結合であり；
   Ｌ⁵およびＬ⁶は、独立してフッ素または塩素であり；
   ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕおよびｖは、独立して０または１であり、
   ｒ、ｓ、ｔおよびｕの和は、１または２である。］
9. 式（１２）〜（１４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種の化合物をさらに含有する請求項５〜８のいずれか１項に記載の液晶組成物。
   

   

   ［式（１２）〜（１４）において、
   Ｒ⁵およびＲ⁶は、独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、前記アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   環Ｅ¹、環Ｅ²および環Ｅ³は、独立して１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
   Ｚ¹⁸およびＺ¹⁹は、独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合である。］
10. 光学活性化合物および重合可能な化合物の群から選択される少なくとも１種をさらに含有する請求項５〜９のいずれか１項に記載の液晶組成物。
11. 酸化防止剤および紫外線吸収剤の群から選択される少なくとも１種をさらに含有する請求項５〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。
12. 請求項５〜１１のいずれか１項に記載の液晶組成物を含む液晶表示素子。