JP6049396B2 - 電磁波減衰構造および電磁シールド扉 - Google Patents

Description

この発明は、電磁シールド扉における扉と扉枠や導波管等、対向する金属壁により導波路が形成される構造において、その間隙を伝播する電磁波に対して、特定の周波数帯域において減衰特性を得る電磁波減衰構造および電磁シールド扉に関するものである。

電磁波減衰構造は、対向した一対の金属壁（導体壁）の間隙を伝搬する電磁波に対して、特定の周波数帯域において減衰特性を得るものである。電磁波減衰構造の従来例について、図１６を参照しながら説明する。
電磁波減衰構造は、図１６（ａ）に示すように、間隙を有して対向した一対の金属壁１０１と、当該間隙に配置された誘電体基板１０２とから構成される。なお、図中の符号２０１は、電磁波の伝搬方向を示している。図１６（ｂ）は、図１６（ａ）に示す金属壁１０１の間隙において、Ｚ軸方向から見た誘電体基板１０２の斜視図である。

図１６（ｂ）に示すように、誘電体基板１０２の表面には、複数のストライプ状導体パターン１０３が一定のギャップ間隔で配列されている。このストライプ状導体パターン１０３上には、複数の貫通スルーホール１０４が等ピッチで配置されている。また、誘電体基板１０２の裏面には、ベタ導体パターン１０５が配置されている。このベタ導体パターン１０５は、図１６（ａ）に示すように、一対の金属壁１０１のうちの一方に接している。そして、貫通スルーホール１０４は、各配置箇所において、ストライプ状導体パターン１０３およびベタ導体パターン１０５を電気的に接続している。

図１６（ｂ）に示す構造は、誘電体基板１０２上にストライプ状導体パターン１０３および貫通スルーホール１０４を周期的に配置して構成するＥＢＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｂａｎｄ Ｇａｐ）構造の一種であり、矢印２０１の方向に伝播する電磁波に対して、バンドギャップ帯域と呼ばれる特定の周波数帯域において減衰特性が得られる構造である。

次に、図１６に示す従来の電磁波減衰構造の動作について説明する。
まず、図１７を用いて、矢印２０１の方向に伝播する電磁波に対する、誘電体基板１０２の表面インピーダンスＺｓの計算方法について説明する。図１７は、図１６（ｂ）の輪郭図である。図１７において、符号３０１は周期構造の単位セルを示している。また、ｗはストライプ状導体パターン１０３における貫通スルーホール１０４のピッチ間隔、ｄはストライプ状導体パターン１０３の幅寸法、ｇはストライプ状導体パターン１０３間のギャップ間隔、ｔは誘電体基板１０２の基板厚、ε_ｒは誘電体基板１０２の比誘電率を示している。

表面インピーダンスＺｓは、上記の数値を用いることで下式（１）のように表される。式（１）において、ω_０はバンドギャップ帯域の中心角周波数を示している。この中心角周波数ω_０は、バンドギャップ帯域の中心周波数ｆ_０を用いると２πｆ_０で表され、また、図１６の矢印２０１の方向に対し周期構造の単位セル３０１が有するストライプ状導体パターン１０３のギャップ間の直列キャパシタンス値Ｃと、貫通スルーホール１０４が有する単位面積当たりの並列インダクタンス値Ｌを用いると式（２）で表される。直列キャパシタンス値Ｃと並列インダクタンス値Ｌは、それぞれ式（３）と式（４）で表される。また、式（３）と式（４）において、ε_０とμ_０はそれぞれ真空の誘電率と透磁率を示している。

式（１）より、周波数ｆ_０において、Ｚｓの絶対値は無限大に発散する。このとき、誘電体基板１０２の表面を伝搬する電磁波は、矢印２０１の方向には伝搬できず、その通過特性は、図１８に示すように周波数ｆ_０を中心周波数とするバンドギャップ帯域にて減衰特性を有する。つまり、図１６に示す従来例の構造は、矢印２０１の方向に伝搬する電磁波に対し、周波数ｆ_０の近辺において減衰特性を有する。

非特許文献１では、図１６に示す構造を、矢印２０１が管軸方向と一致する方向として導波管内に配置したものについて示されている。これにより、導波管内を管軸方向に伝搬する電磁波に対して、特定のバンドギャップ帯域内における減衰特性を実現することができる。

"Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｒｙｓｔａｌ（ＥＭＸＴ）Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ Ｂａｎｄ−Ｓｔｏｐ Ｆｉｌｔｅｒ"，ＩＥＥＥ ＭＩＣＲＯＷＡＶＥＡＮＤＩＷＩＲＥＬＥＳＳ ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，ＶＯＬ．１３，Ｎ０．３，ＭＡＲＣＨ ２００３

図１９を用いて、発明が解決しようとする課題について説明する。図１９は、図１６（ａ）に示す金属壁１０１の間隙において、Ｚ軸方向から見た誘電体基板１０２の上面図である。なお、図中の符号２０２，２０３は、電磁波の伝搬方向を示している。
図１９において、まず、矢印２０２の方向に伝搬する電磁波を考える。この場合、矢印２０２の方向にはストライプ状導体パターン１０３のギャップが存在せず、電磁波の伝搬を妨げる要素が存在しないため減衰特性は得られない。

次に、矢印２０３の方向に伝搬する電磁波を考える。この場合、矢印２０３の方向に伝搬する電磁波は、互いに直交で独立である矢印２０１と矢印２０２の方向に伝搬する２つの電磁波の重ね合わせと考えることができる。このうち、矢印２０１の方向に伝搬する成分はバンドギャップ帯域において減衰するが、矢印２０２の方向に伝搬する成分は減衰しない。そのため、矢印２０３の方向に伝搬する電磁波に対する減衰特性は、矢印２０１の方向に伝搬する電磁波よりも劣化する。

つまり、従来の電磁波減衰構造では、減衰特性が得られる電磁波の伝搬方向が矢印２０１の１方向に限られている。そのため、電磁波の伝搬方向が矢印２０１と異なる場合、減衰特性が得られない、あるいは劣化するという課題がある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、対向する導体壁の間隙を伝搬する電磁波に対して特定の周波数帯域で減衰特性を得る電磁波減衰構造において、減衰特性が得られる電磁波の伝搬方向を１方向に限定せず、より多方向に伝搬する電磁波に対して減衰特性を得ることができる電磁波減衰構造および電磁シールド扉を提供することを目的としている。

この発明に係る電磁波減衰構造は、間隙を有して対向した一対の導体壁と、間隙の一方または両方の導体壁側に配置された誘電体基板と、所定ピッチで山と谷を有する折れ線状に構成され、誘電体基板の開放面内で、互いの山同士と谷同士が対向するように１次元方向に配列された複数の折れ線状導体パターンと、誘電体基板の導体壁側の面に設けられ、当該導体壁と接したベタ導体パターンと、折れ線状導体パターン上に等ピッチで配置され、当該折れ線状導体パターンおよびベタ導体パターンを電気的に接続した複数の貫通スルーホールとを備えたものである。

この発明によれば、上記のように構成したので、対向する導体壁の間隙を伝搬する電磁波に対して特定の周波数帯域で減衰特性を得る構造において、減衰特性が得られる電磁波の伝搬方向を１方向に限定せず、より多方向に伝搬する電磁波に対して減衰特性を得ることができる。

この発明の実施の形態１に係る電磁波減衰構造の構造を示す図であり、（ａ）側断面図であり、（ｂ）誘電体基板の構成を示す上面図である。 この発明の実施の形態１に係る電磁波減衰構造の動作を説明する図であり、（ａ）誘電体基板上の伝搬方向を示す図であり、（ｂ）（ａ）に示す破線３０ａの拡大図である。 この発明の実施の形態１に係る電磁波減衰構造による電磁波の通過特性を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る電磁波減衰構造の誘電体基板の別の構成を示す上面図である。 この発明の実施の形態２に係る電磁波減衰構造の誘電体基板の構成を示す上面図である。 この発明の実施の形態２に係る電磁波減衰構造による電磁波の通過特性を示す図である。 この発明の実施の形態２に係る電磁波減衰構造による電磁波の別の通過特性を示す図である。 この発明の実施の形態２に係る電磁波減衰構造の誘電体基板の別の構成を示す上面図である。 この発明の実施の形態２に係る電磁波減衰構造の誘電体基板の別の構成を示す上面図である。 この発明の実施の形態３に係る電磁シールド扉の構成を示す図であり、（ａ）正面図であり、（ｂ）側断面図である。 この発明の実施の形態３に係る電磁シールド扉の別の構成を示す側断面図である。 この発明の実施の形態３に係る電磁シールド扉の別の構成を示す側断面図である。 この発明の実施の形態３に係る電磁シールド扉の別の構成を示す側断面図である。 この発明の実施の形態３に係る電磁波減衰構造の誘電体基板の構成を示す上面図である。 この発明の実施の形態３に係る電磁波減衰構造の誘電体基板の別の構成を示す上面図である。 従来の電磁波減衰構造の構成を示す図であり、（ａ）側断面図であり、（ｂ）誘電体基板の構成を示す斜視図である。 従来の電磁波減衰構造の動作を示すための誘電体基板の輪郭図である。 従来の電磁波減衰構造による電磁波の通過特性を示す図である。 従来の電磁波減衰構造の課題を説明する図である。

以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１に係る電磁波減衰構造の構成を示す図である。
電磁波減衰構造は、図１（ａ）に示すように、間隙を有して対向した一対の金属壁（導体壁）１と、当該間隙の一方の金属壁１（図１（ａ）では下方の金属壁１）側に配置された誘電体基板２とから構成されている。

誘電体基板２の表面（開放面）内には、図１（ｂ）に示すように、複数の折れ線状導体パターン３が一定のギャップ間隔で配列されている。また、折れ線状導体パターン３上には、複数の貫通スルーホール４が等ピッチで配置されている。折れ線状導体パターン３は、ＸＹ平面内において、貫通スルーホール４の２ピッチごとに直角に折れ曲がることで、山と谷を有する折れ線状に構成されている。
また、誘電体基板２の裏面（金属壁１側の面）には、図１（ａ）に示すように、従来例と同様にベタ導体パターン５が配置されている。このベタ導体パターン５は金属壁１（図１（ａ）では下方の金属壁１）と接している。
そして、貫通スルーホール４は、各配置箇所において、折れ線状導体パターン３およびベタ導体パターン５を電気的に接続している。

次に、図２を用いて実施の形態１による電磁波減衰構造の動作について説明する。図２（ａ）は図１（ｂ）において電磁波の伝搬方向を追記した図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の破線３０ａの拡大図である。なお、図２において、符号２１はＸＹ平面においてＹ軸方向からＸ軸負の方向に４５度の伝搬方向、符号２２はＸＹ平面においてＹ軸方向からＸ軸正の方向に４５度の伝搬方向、符号２３はＸＹ平面においてＹ軸方向からＸ軸正負の方向に４５度以内の伝搬方向を示している。図２において、その他の部位の説明は図１（ｂ）と同じなので省略する。

まず、図２を用いて、矢印２１の方向に伝搬する電磁波を考える。この場合、図２（ｂ）における矢印２１の方向と折れ線状導体パターン３の位置関係は、従来例において示した図１９の矢印２０１とストライプ状導体パターン１０３の位置関係と同じである。したがって、図２（ａ）の破線３０ａの箇所では、従来例と同様に、折れ線状導体パターン３における貫通スルーホール４のピッチ間隔、折れ線状導体パターン３の幅寸法とギャップ間隔、誘電体基板２の基板厚と比誘電率を用いて式（１）〜（４）から求まる周波数ｆ_ａを中心周波数とするバンドギャップ帯域ａにおいて、矢印２１の方向に伝搬する電磁波に対し、従来例と同様に減衰特性を得ることができる（図３参照）。

次に、図２（ａ）を用いて、矢印２２の方向に伝搬する電磁波を考える。この場合についても同様の理由により、図２（ａ）における破線３０ｂに示す箇所において、折れ線状導体パターン３における貫通スルーホール４のピッチ間隔、折れ線状導体パターン３の幅寸法とギャップ間隔、誘電体基板２の基板厚と比誘電率を用いて式（１）〜（４）から求まる周波数ｆ_ａを中心周波数とするバンドギャップ帯域ａにおいて、矢印２２の方向に伝搬する電磁波に対して減衰特性を得ることができる。つまり、図２（ａ）の構造は、矢印２１の方向と矢印２２の方向に伝搬する電磁波に対して、図３に示すように、バンドギャップ帯域ａにてそれぞれ減衰特性を有する。

ここで、矢印２１の方向と矢印２２の方向に伝搬する２つの電磁波は互いに直交で独立である。そのため、図２（ａ）において矢印２３で示す範囲の方向に伝搬する電磁波は、矢印２１の方向と矢印２２の方向に伝搬する２つの電磁波の重ね合わせと考えることができる。また、図２（ａ）の構造は、矢印２１の方向と矢印２２の方向に伝搬する電磁波に対して、バンドギャップ帯域にて減衰特性を有する。したがって、図２（ａ）の構造は、矢印２１の方向と矢印２２の方向に伝搬する２つの電磁波の重ね合わせである、矢印２３で示す範囲の方向に伝搬する電磁波に対しても、図３に示すように、バンドギャップ帯域ａにて減衰特性を有する。

以上のように、この実施の形態１によれば、貫通スルーホール４が等ピッチで配置された複数の導体パターン３を備える誘電体基板２を、対向する金属壁１の少なくとも一方の壁面に配置する構造において、当該導体パターン３の形状を折れ線状とするように構成したので、バンドギャップ帯域において減衰特性が得られる電磁波の伝播方向の角度を１方向に限定せず、より多方向に伝搬する電磁波に対して減衰特性を得ることができる。

なお、実施の形態１では、対向する一対の金属壁１の片側に誘電体基板２を配置した場合について示した。しかしながら、これに限るものではなく、対向する一対の金属壁１の両側に誘電体基板２をそれぞれ配置してもよい。

また、実施の形態１では、折れ線状導体パターン３は貫通スルーホール４の２ピッチごとに直角に折れ曲がる構造としている。しかしながら、折れ線状導体パターン３の折れ曲がり間隔を貫通スルーホール４の２ピッチに限定する必要はない。

また、実施の形態１では、折れ線状導体パターン３が有する折れ曲がり角度を直角としている。しかしながら、折れ線状導体パターン３の折れ曲がり角度を直角に限定する必要はない。

また、実施の形態１では、折れ線状導体パターン３の折れ曲がり構造部は直角の形状である。しかしながら、これに限るものではなく、例えば図４に示すように、折れ曲がり構造部の角部分を丸め、折れ線状導体パターン３の一部を曲線の形状としてもよい。また、波線状としてもよい。

また、実施の形態１では、折れ線状導体パターン３を６個配置しているが、折れ線状導体パターン３の個数は６個に限定する必要はない。

実施の形態２．
実施の形態１では、複数配列された折れ線状導体パターン３が全て同一寸法であり、ギャップ間隔が等間隔である場合について示した。これに対して、実施の形態２では、寸法・間隔が異なる折れ線状導体パターン３を用いた場合について示す。
図５はこの発明の実施の形態２に係る電磁波減衰構造の誘電体基板２の構成を示す上面図である。図５に示す実施の形態２に係る電磁波減衰構造は、図１（ｂ）に示す実施の形態１に係る電磁波減衰構造の折れ線状導体パターン３を幅寸法が異なる２種類の折れ線状導体パターン３ａ，３ｂに変更したものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。

ここで、折れ線状導体パターン３ｂは、折れ線状導体パターン３ａよりも広い幅寸法を有している。そして、図５に示す誘電体基板２では、折れ線状導体パターン３ａが一定のギャップ間隔で配列された領域３１ａと、折れ線状導体パターン３ｂが一定のギャップ間隔で配列された領域３１ｂとを有している。そして、この領域３１ａと領域３１ｂはＹ軸方向に配列されている。なお、図５において、式（１）〜（４）で用いる各値は、折れ線状導体パターン３ａ，３ｂの幅寸法以外は実施の形態１と同じ値である。

次に、実施の形態２による電磁波減衰構造の動作について説明する。まず、図５において折れ線状導体パターン３ａが配列された領域３１ａは、実施の形態１と同じ構造なので、実施の形態１と同様に、図５のＸＹ平面においてＹ軸方向からＸ軸正負の方向に４５度以内の方向に伝播する電磁波に対し、バンドギャップ帯域ａにて減衰特性を有する。

一方、折れ線状導体パターン３ｂが配列された領域３１ｂでは、折れ線状導体パターン３ｂの幅寸法が折れ線状導体パターン３ａよりも広くなっている。そのため、折れ線状導体パターン３ｂが配列されている領域３１ｂの各値と式（１）〜（４）から求められる周波数ｆ_ｂは、周波数ｆ_ａよりも低域側ヘシフトする。その結果、周波数ｆ_ｂを中心周波数とするバンドギャップ帯域ｂは、バンドギャップ帯域ａよりも低域側となる。また、実施の形態１と同様の理由により、図５のＸＹ平面においてＹ軸方向からＸ軸正負の方向に４５度以内の方向に伝播する電磁波に対して減衰特性が得られる。

また、図５の構造は、領域３１ａと領域３１ｂをＹ軸方向に直列に配置しているので、両領域を伝播する電磁波に対し、各領域が有するバンドギャップ帯域において減衰特性を有する。よって、図５の構造は、図５のＸＹ平面においてＹ軸方向からＸ軸正負の方向に４５度以内の方向に伝播する電磁波に対して、図６に示すように、バンドギャップ帯域ａとバンドギャップ帯域ｂにおいて減衰特性を有する。また、バンドギャップ帯域ｂの中心周波数ｆ_ｂは式（１）〜（４）から決められるので、バンドギャップ帯域ａとバンドギャップ帯域ｂが周波数軸上で連続となるように周波数ｆ_ｂを選択することで、図７に示すように減衰特性が得られる周波数帯域を広帯域化することが可能となる。

以上のように、この実施の形態２によれば、幅寸法が異なる折れ線状導体パターン３ａ，３ｂを用いるように構成したので、実施の形態１における効果に加えて、実施の形態１よりも多くのあるいは広帯域な周波数帯域において減衰特性が得られる電磁波減衰構造を実現できる。

なお、実施の形態２では、幅寸法が異なる２種類の折れ線状導体パターン３ａ，３ｂを用いた場合について示したが、２種類に限定する必要はない。

また、実施の形態２では、領域３１ａ，３１ｂにおいて、折れ線状導体パターン３ａ，３ｂの幅寸法を異なる値とすることで、２つの帯域の異なるバンドギャップ帯域ａ，ｂを形成した。しかしながらこれに限るものではなく、領域３１ａ，３１ｂにおいて、式（３），（４）の式中の他の値を変えることでも、実施の形態２と同様の効果が得られる。

例として、領域３１ａ，３１ｂにおいて、折れ線状導体パターン３における貫通スルーホール４のピッチ間隔を異なる値とした構成例を図８に示す。図８において、符号３２ａ，３２ｂは貫通スルーホール４のピッチ間隔を示し、ピッチ間隔３２ｂはピッチ間隔３２ａよりも大きい寸法となっている。この場合、式（２），（３）より、領域３１ｂにより形成されるバンドギャップ帯域は、領域３１ａにより形成されるバンドギャップ帯域よりも低域側となる。

また、別の例として、領域３１ａ，３１ｂにおいて、折れ線状導体パターン３のギャップ間隔を異なる値とした構成例を図９に示す。図９において、符号３３ａ，３３ｂは折れ線状導体パターンのギャップ間隔を示し、ギャップ間隔３３ｂはギャップ間隔３３ａよりも大きい寸法となっている。この場合、式（２），（３）より、領域３１ｂにより形成されるバンドギャップ帯域は、領域３１ａにより形成されるバンドギャップ帯域よりも高域側となる。

また上記では、図５，８，９のように、幅寸法が異なる折れ線状導体パターン３ａ，３ｂを用いた場合、貫通スルーホール４のピッチ間隔が異なる折れ線状導体パターン３を用いた場合、ギャップ間隔が異なる折れ線状導体パターン３を用いた場合の３つの例を示したが、これらを組み合わせて構成するようにしてもよい。

実施の形態３．
実施の形態１，２では電磁波減衰構造について説明した。それに対して、実施の形態３では、実施の形態１の電磁波減衰構造を用いた電磁シールド扉について説明する。
図１０はこの発明の実施の形態３に係る電磁シールド扉の構成を示す図であり、（ａ）は正面図であり、（ｂ）は（ａ）の破線Ａ−Ａ’を通るＹＺ断面の拡大図である。

電磁シールド扉は、図１０に示すように、扉６、扉枠７、ヒンジ機構８、開閉レバー９および電磁波減衰構造から構成されている。

扉６は、導電性素材で構成され、扉枠７に配置された板部材である。
扉枠７は、導電性素材で構成され、扉６が閉じられた際に扉６を収める枠である。この扉枠７の内寸は扉６の外寸に対して大きく、扉６が閉じられた際に扉枠７の内周面が扉６の外周面と間隙を有して対向するように構成されている。

ヒンジ機構８は、扉枠７が扉６を保持するための機構である。
開閉レバー９は、扉６を開閉するために操作される機構である。

電磁波減衰構造は、図１に示す実施の形態１の電磁波減衰構造と同一の構造を有するものである。ただし、図１０に示す電磁波減衰構造では、一対の金属壁１が扉６と扉枠７とにより構成され、誘電体基板２が、扉６と扉枠７の間隙において、扉６の外周面に沿って配置されている。

次に、実施の形態３による電磁シールド扉の動作について説明する。
図１０に示すように、実施の形態３による電磁シールド扉は、図１に示した実施の形態１における電磁波減衰構造の対向する一対の金属壁１を、扉６と扉枠７に置き換えて構成したものである。つまり、図１０（ｂ）において、扉６と扉枠７の間隙を扉６の表面から裏面方向へと伝搬する幅広い伝搬方向の電磁波に対して、実施の形態１と同様に、図３に示した減衰特性を有する。
この電磁波減衰構造による動作は、実施の形態１と同様でありその説明を省略する。

以上のように、この実施の形態３によれば、電磁シールド扉に対して本発明の電磁波減衰構造を適用することで、バンドギャップ帯域ａにおいて、扉６と扉枠７の間隙における幅広い伝搬方向の電磁波の漏洩と進入を防ぎ、その結果、バンドギャップ帯域ａにおける電磁シールド特性を得ることができる。

なお、実施の形態３では、扉６と扉枠７が非接触であるため、扉の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド性能は劣化しない。よって、定期メンテナンスが不要であるという利点を有している。

また、実施の形態３では、誘電体基板２を、扉６と扉枠７の間隙における扉６の壁面（外周面）に配置している。しかしながら、これに限るものではなく、誘電体基板２を配置する壁面は、扉６と扉枠７との間隙における扉枠７の壁面（内周面）、あるいは扉６と扉枠７の両壁面でも構わない。

また、実施の形態３では、実施の形態１に係る電磁波減衰構造を電磁シールド扉に適用した場合について示したが、実施の形態２に係る電磁波減衰構造を適用するようにしてもよい。

また、図１０に示す電磁シールド扉に対して、導電性ガスケット１０を併用するようにしてもよい。図１１は、実施の形態３に係る電磁シールド扉に導電性ガスケット１０を併用した構成例を示す、図１０（ａ）における破線Ａ−Ａ’を通るＹＺ断面の拡大図である。図１１に示す電磁シールド扉は、導電性ガスケット１０を追加した点以外は図１０に示す電磁シールド扉と同様であり、その他の部位の説明は省略する。

導電性ガスケット１０は、扉６が閉じられた際に対向する当該扉６と扉枠７の間隙に配置され、扉６が閉じられた際に弾性変形して当該扉６および扉枠７を電気的に接続するものである。図１１に示す例では、導電性ガスケット１０は、扉６と扉枠７の間隙において、扉６の外周面に沿って一列配置されている。
これにより、バンドギャップ帯域ａにおける電磁シールド特性を有し、かつ、導電性ガスケット１０による電磁シールド特性をも有する電磁シールド扉を実現することができる。

なお、図１１の例では、導電性ガスケット１０を、扉６と扉枠７の間隙において、扉６の外周面に沿って一列配置した場合について示した。しかしながら、導電性ガスケット１０の配置列数と箇所は図１１の構成に限定する必要はなく、例えば、扉枠７の内周面に沿って配置してもよいし、扉６と扉枠７の両方に配置してもよい。また、導電性ガスケット１０の種類についても限定するものではなく、例えば、フィンガーガスケット（フィンガー状の金属を金属板表面に押し当てる構造）、メッシュガスケット（凸状の金属板を金属メッシュに押し当てる構造）やクッションガスケット（凸状の金属板を、ウレタン等の緩衝材表面を導電化したクッションガスケットに押し当てる構造）等が挙げられる。

また、図１０に示す電磁シールド扉に対して、電磁波吸収体１１を併用するようにしてもよい。図１２は、実施の形態３に係る電磁シールド扉に電磁波吸収体１１を併用した構成例を示す、図１０（ａ）における破線Ａ−Ａ’を通るＹＺ断面の拡大図である。図１２に示す電磁シールド扉は、電磁波吸収体１１を追加した点以外は図１０に示す電磁シールド扉と同様であり、その他の部位の説明は省略する。

電磁波吸収体１１は、磁性体等の電磁波を吸収する材料で構成され、扉６が閉じられた際に対向する当該扉６と扉枠７の間隙に配置されたものである。図１２に示す例では、電磁波吸収体１１は、扉６と扉枠７の間隙において、扉枠７の内周面に沿って一列配置されている。
これにより、バンドギャップ帯域ａにおける電磁シールド特性を有し、かつ、電磁波吸収体１１による電磁シールド特性をも有する電磁シールド扉を実現することができる。

なお、図１２の例では、電磁波吸収体１１を、扉６と扉枠７の間隙において、扉枠７の内周面に沿って一列配置した場合について示した。しかしながら、電磁波吸収体１１の配置列数と箇所は図１２の構成に限定する必要はない。図１３は、図１２において電波波吸収体１１の配置箇所を変更した構成例を示す、図１０（ａ）における破線Ａ−Ａ’を通るＹＺ断面の拡大図である。図１３において、各部位の説明は図１２と同じなので省略する。
図１３では、誘電体基板２と電磁波吸収体１１の両方を、扉６と扉枠７の間隙において、扉６の外周面にそれぞれ配置しており、この場合にも同様の効果を得ることができる。

さらに、図１０に示す電磁シールド扉に対して、導電性ガスケット１０と電磁波吸収体１１の両方を併用するようにしてもよい。

また、例えば図１４に示すように、誘電体基板２上の、複数の貫通スルーホール４のうち少なくとも一つの配置位置に、導電性ネジ１２を取り付けるようにしてもよい。図１４では導電性ネジ１２を６箇所設けた場合を示している。この導電性ネジ１２により、導体パターン３と基板ＧＮＤとを電気的に接続し、かつ、導電性接着剤等を用いることなく誘電体基板２を扉６あるいは扉枠７に固定することができる。ただし、この場合のネジ穴は貫通スルーホール４のビア径と同等の大きさとなる必要があるため、ビア径が小さい構造によっては適用が困難になる。

一方、例えば図１５に示すように、誘電体基板２上の、複数の導体パターン（折れ線状導体パターンまたは波線状導体パターン）３のうち最も基板端に近い（すなわち両端の）導体パターン３と当該基板端との間に、少なくとも一つのネジ穴１３を設けるようにしてもよい。図１５ではネジ穴１３を４箇所設けた場合を示している。この場合、ネジ穴１３箇所に導体パターン３が無いため、ネジは導電性である必要がない。また、ネジ穴１３の大きさを大きくすることができ、図１４に示す構造よりも誘電体基板２を強固に固定できる。

なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

１ 金属壁（導体壁）、２ 誘電体基板、３，３ａ，３ｂ 折れ線状導体パターン、４ 貫通スルーホール、５ ベタ導体パターン、６ 扉、７ 扉枠、８ ヒンジ機構、９ 開閉レバー、１０ 導電性ガスケット、１１ 電磁波吸収体、１２ 導電性ネジ、１３ ネジ穴、２１〜２３ 伝搬方向、３０ａ，３０ｂ 破線、３１ａ，３１ｂ 領域、３２ａ，３２ｂ ピッチ間隔、３３ａ，３３ｂ ギャップ間隔。

Claims (12)

1. 間隙を有して対向した一対の導体壁と、
   前記間隙の一方または両方の導体壁側に配置された誘電体基板と、
   所定ピッチで山と谷を有する折れ線状に構成され、前記誘電体基板の開放面内で、互いの前記山同士と前記谷同士が対向するように１次元方向に配列された複数の折れ線状導体パターンと、
   前記誘電体基板の前記導体壁側の面に設けられ、当該導体壁と接したベタ導体パターンと、
   前記折れ線状導体パターン上に等ピッチで配置され、当該折れ線状導体パターンおよび前記ベタ導体パターンを電気的に接続した複数の貫通スルーホールと
   を備えた電磁波減衰構造。
2. 前記複数の折れ線状導体パターンは、同一の寸法であり、等間隔で配列された
   ことを特徴とする請求項１記載の電磁波減衰構造。
3. 同一の寸法の前記折れ線状導体パターンが等間隔で配列された領域を備え、
   前記誘電体基板の開放面には、前記寸法・間隔が異なる複数の領域が配列された
   ことを特徴とする請求項１記載の電磁波減衰構造。
4. 前記複数の領域はそれぞれ幅寸法が異なる前記折れ線状導体パターンを有した
   ことを特徴とする請求項３記載の電磁波減衰構造。
5. 前記複数の領域はそれぞれ前記貫通スルーホールのピッチ間隔が異なる前記折れ線状導体パターンを有した
   ことを特徴とする請求項３または請求項４記載の電磁波減衰構造。
6. 前記複数の領域はそれぞれ配列間隔が異なる前記折れ線状導体パターンを有した
   ことを特徴とする請求項３から請求項５のうちのいずれか１項記載の電磁波減衰構造。
7. 前記折れ線状導体パターンに代えて、所定ピッチで山と谷を有する波線状に構成された波線状導体パターンを用いた
   ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１項記載の電磁波減衰構造。
8. 前記誘電体基板には、前記複数の貫通スルーホールのうち少なくとも一つの配置位置に、導電性ネジが取り付けられた
   ことを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか１項記載の電磁波減衰構造。
9. 前記誘電体基板には、両端の前記折れ線状導体パターンまたは前記波線状導体パターンと当該誘電体基板の端との間に、少なくとも一つのネジ穴を有する
   ことを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか１項記載の電磁波減衰構造。
10. 請求項１から請求項９のうちのいずれか１項記載の電磁波減衰構造を備えた電磁シールド扉であって、
    前記一対の導体壁が、導電性の扉枠と、当該扉枠に配置された導電性の扉とで構成された
    ことを特徴とする電磁シールド扉。
11. 前記扉が閉じられた際に対向する当該扉と前記扉枠の間隙に配置され、前記扉が閉じられた際に弾性変形して当該扉および前記扉枠を電気的に接続する導電性ガスケットを備えた
    ことを特徴とする請求項１０記載の電磁シールド扉。
12. 前記扉が閉じられた際に対向する当該扉と前記扉枠の間隙に配置された電磁波吸収体を備えた
    ことを特徴とする請求項１０または請求項１１記載の電磁シールド扉。

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