JP5713019B2 - ２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法に関する。

２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨ_２、ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）は、塩素を含まないため、冷媒等に使用されるクロロフルオロカーボン類等のフロン類の代替化合物として有用である。
ＨＦＯ−１２３４ｙｆの製造方法としては、例えば、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨＣｌ_２、ＨＣＦＣ−２２５ｃａ）を脱フッ化水素反応して１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＣｌ_２、ＣＦＯ−１２１４ｙａ）を得た後、ＣＦＯ−１２１４ｙａを水素と反応させて還元することでＨＦＯ−１２３４ｙｆを得る方法が挙げられる。

ＣＦＯ−１２１４ｙａを還元してＨＦＯ−１２３４ｙｆを得る方法としては、例えば、以下に示す方法（ｉ）が挙げられる。
（ｉ）パラジウムをアルミナに担持した触媒の存在下、ＣＦＯ−１２１４ｙａを水素と反応させてＨＦＯ−１２３４ｙｆを得る方法（特許文献１）。
しかし、方法（ｉ）で使用される触媒は、耐久性が高いものの、副反応が多く蒸留分離できない副生物が生成し、ＨＦＯ−１２３４ｙｆへの変換率が低い。

一方、同様の還元反応を行う方法として、以下に示す方法（ii）が示されている。
（ii）パラジウムを活性炭に担持した触媒の存在下、ＲｆＣＦ＝ＣＸ_２（ただし、Ｒｆは炭素数１〜１０のフルオロアルキル基、Ｘは塩素、臭素またはヨウ素を示す。）に水素を反応させてＲｆＣＦ＝ＣＨ_２を得る方法（特許文献２）。
しかし、方法（ii）で使用される触媒は、耐久性が低いものが多く、触媒を頻繁に交換する必要がある。

国際公開第２００８／０６０６１４号 特開平２−２８６６３５号公報

本発明は、長時間安定して高い変換率で２，３，３，３−テトラフルオロプロペンを製造できる方法の提供を目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
［１］触媒の存在下、１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンおよび１−クロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの少なくとも一方の原料化合物と、水素とを反応させる２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法において、
前記触媒が、Ｈａｍｍｅｔｔの酸度関数の値（Ｈ_０）が−５．６以上の金属酸化物に担持された貴金属触媒であり、前記貴金属がパラジウムであり、前記金属酸化物がシリカゲルであることを特徴とする２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。
［２］前記貴金属触媒担持金属酸化物の比表面積が１０〜１０００ｍ^２／ｇである、前記［１］に記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。

［３］前記触媒担持金属酸化物が充填された触媒層に原料化合物と水素とを導入して気相で反応させる、前記［１］または［２］に記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。
［４］原料化合物と水素を触媒層のガス導入部に導入するとともに、該触媒層のガス導入部とガス排出部との間の少なくとも１か所から水素を導入する、前記［３］に記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。
［５］前記触媒層に導入する原料化合物と前記水素との割合が、前記原料化合物中の塩素原子のモル数と前記水素のモル数の比（Ｈ_２／Ｃｌ）で表わして、０．７以下である、前記［３］または［４］に記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。

［６］前記触媒層における下式（Ｉ）で表される前記原料化合物ガスの線速度ｕが１〜３０ｃｍ／秒である、前記［３］〜［５］のいずれかに記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。
ｕ＝（Ｗ／１００）×Ｖ／Ｓ （Ｉ）
（ただし、式（Ｉ）中、Ｗは前記触媒層を流通する全ガス中の原料化合物ガスの濃度（モル％）を示し、Ｖは前記触媒層を流通する全ガスの流量（ｃｍ^３／秒）を示し、Ｓは前記触媒層のガスの流通方向に対する断面積（ｃｍ^２）を示す。）
［７］原料化合物が、１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペン、または、１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンと１−クロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンとの混合物であって両者の合計モル数に対する１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの割合が５０モル％以上の混合物、である、前記［１］〜［６］のいずれかに記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。

発明の製造方法によれば、長時間安定して高い変換率で２，３，３，３−テトラフルオロプロペンを製造できる。

本実施例に使用した製造装置を示した模式図である。

本発明の２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨ_２、ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）の製造方法は、触媒の存在下、１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＣｌ_２、ＣＦＯ−１２１４ｙａ）および１−クロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨＣｌ、ＨＣＦＯ−１２２４ｙｄ）の少なくとも一方の原料化合物と、水素とを反応させる方法である。
ＣＦＯ−１２１４ｙａおよびＨＣＦＯ−１２２４ｙｄは、それぞれ下式（１）および（２）に示す反応によりＨＦＯ−１２３４ｙｆを生成する。
ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＣｌ_２ ＋ ２Ｈ_２ → ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨ_２ ＋ ２ＨＣｌ （１）
ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨＣｌ ＋ Ｈ_２ → ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨ_２ ＋ ＨＣｌ （２）

本発明の製造方法は、反応形態の違いにより、下記方法（α）または方法（β）が挙げられる。
（α）触媒の存在下、原料化合物と水素を気相で反応させる方法。
（β）触媒の存在下、原料化合物と水素を液相で反応させる方法。

（方法（α））
方法（α）としては、例えば、触媒担持担体を充填した触媒層を形成し、該触媒層に原料化合物ガスと水素ガスを含むガス（以下、原料混合ガスともいう）を導入して反応させる方法が挙げられる。
触媒としては、Ｈａｍｍｅｔｔの酸度関数の値（Ｈ_０）が−５．６以上の金属酸化物に担持された貴金属触媒を使用する。担体として前記金属酸化物を使用すれば、耐久性が高い触媒が得られ、かつ原料化合物からＨＦＯ−１２３４ｙｆへの変換率も高くできる。金属酸化物の酸度関数の値（Ｈ_０）は、変換率と耐久性の両立が容易な点から、−３．０以上が好ましい。また、酸度関数の値（Ｈ_０）は、脱塩化水素、脱フッ化水素等の副反応を抑制しやすい点から、＋３．３以下が好ましい。

Ｈａｍｍｅｔｔの酸度関数の値（Ｈ_０）は、以下に示すＨａｍｍｅｔｔの指示薬吸着法により測定できる。金属酸化物を飽和水蒸気中に２５℃で２日間保持した後にベンゼンを加え、その金属酸化物を含むベンゼン溶液にＨａｍｍｅｔｔの指示薬を滴下して、金属酸化物上の酸性色の着色を確認する。金属酸化物の酸度関数の値（Ｈ_０）がＨａｍｍｅｔｔの指示薬のｐＫａよりも小さければ酸性色の着色が見られる。酸性色の着色の確認は、目視により行ってもよく、分光学的な手法により行ってもよい。
本発明において、酸度関数の値（Ｈ_０）が−５．６以上の金属酸化物とは、前記指示薬吸着法においてｐＫａが−５．６のＨａｍｍｅｔｔ指示薬を滴下した場合に、酸性色の着色が見られない金属酸化物である。

Ｈａｍｍｅｔｔの指示薬としては、ベンザルアセトフェノン（ｐＫａ−５．６）、ジシンナマルアセトン（ｐＫａ−３．０）、４−ベンゼンアゾジフェニルアミン（ｐＫａ＋１．５）、ｐ−ジメチルアミノアゾベンゼン（ｐＫａ＋３．３）、フェニルアゾナフチルアミン（ｐＫａ＋４．０）、メチルレッド（ｐＫａ＋４．８）等が挙げられる。

酸度関数の値（Ｈ_０）が−５．６以上の金属酸化物としては、例えば、二酸化ケイ素（＋１．５≧Ｈ_０＞−５．６）、二酸化チタン（＋１．５≧Ｈ_０＞−５．６）、二酸化ジルコニウム（Ｈ_０＞＋１．５）等が挙げられる。金属酸化物は、１種であってもよく、２種以上であってもよい。
金属酸化物としては、変換率と耐久性の両立が容易な点から、二酸化ケイ素、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムであることが好ましく、二酸化ケイ素が特に好ましい。また、二酸化ケイ素を担体として使用する場合、シリカゲル、無定形シリカ等を使用することが好ましい。

触媒の貴金属としては、例えば、パラジウム、ロジウム、白金、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、金等が挙げられる。金属酸化物に担持する貴金属は、１種でもよく、２種以上でもよい。２種以上の貴金属触媒を使用する場合、触媒はそれらの貴金属の混合物であってもよく、合金であってもよい。合金触媒としては、例えばパラジウム／白金合金触媒やパラジウム／ロジウム合金触媒などが挙げられる。
金属酸化物に担持する貴金属としては、活性の点から、パラジウム、ロジウム、白金が好ましく、パラジウムやパラジウム合金が特に好ましい。

貴金属の担持量は、前記金属酸化物に対して、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．１〜１０質量％がより好ましく、０．５〜１質量％が特に好ましい。貴金属の担持量が下限値以上であれば、原料化合物と水素の反応率が向上する。貴金属の担持量が上限値以下であれば、触媒コストを下げることができ、容易に入手できる。
本発明の製造方法に使用する触媒としては、パラジウムが特に好ましい。

また、本発明の製造方法に使用する触媒担持金属酸化物には、貴金属に加えて、副生物抑制および触媒耐久性向上の観点から貴金属以外の金属が担持されていてもよい。貴金属以外の金属としては、例えば、鉄、コバルト、ニッケル等が挙げられる。これら貴金属以外の金属は、１種であっても、２種以上であってもよい。
前記貴金属以外の金属を担持させる際の該金属の割合は、貴金属の１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部が好ましい。

触媒の比表面積は、１０〜１０００ｍ^２／ｇが好ましく、１００〜５００ｍ^２／ｇがより好ましい。触媒の比表面積が下限値以上であれば、原料化合物と水素の反応率が向上する。触媒の比表面積が上限値以下であれば、副生物の生成を抑制しやすい。
触媒の比表面積は、ガス吸着法、例えば、ＢＥＴ法で測定される。

本発明における触媒層は、前記貴金属触媒担持金属酸化物を反応器に充填することによって形成される。触媒層における触媒担持金属酸化物の充填密度は、０．１〜３ｇ／ｃｍ^３が好ましく、０．２５〜１ｇ／ｃｍ^３がより好ましい。触媒担持金属酸化物の充填密度が下限値以上であれば、単位容積あたりの触媒担持金属酸化物の充填量が多く、反応させるガス量を多くすることができるため生産性が向上する。触媒担持金属酸化物の充填密度が上限値以下であれば、触媒層の温度上昇を抑制しやすく、反応温度を１３０℃以下に維持することが容易になる。
触媒担持金属酸化物の充填部分は、反応器内に１つあってもよく、２つ以上あってもよい。

触媒層の温度は、気相反応であることより、原料化合物ガスと水素ガスを含むガスの露点よりも高い温度とする。ＣＦＯ−１２１４ｙａの沸点が４６℃であり、ＨＣＦＯ−１２２４ｙｄの沸点が推定で４〜１０℃である点、および反応性の点から、５０℃以上が好ましく、６０℃以上がより好ましい。

触媒層の温度は、触媒の劣化の進行に伴い次第に低下することで、反応率が低下するという問題がある。そのため、高い反応率を維持できるよう、触媒層の温度を十分な温度に保つ操作を行うことが好ましい。例えば、触媒層を熱媒などで外部から加熱してその温度を維持している場合は、熱媒の温度を徐々に上げて、触媒層の温度を高めることができる。
なお、触媒層の温度とは、外部からの加熱により維持される触媒層の温度をいう。通常原料混合ガスは触媒層の一部の領域で反応し、反応熱の発生により反応域（原料混合ガスが反応している領域）は他の触媒層領域よりも高温となる。この反応域の触媒活性は経時的に低下することより、通常、反応域は原料混合ガスの導入部からガスの流れ方向の下流側に徐々に移動していく。また、反応域の下流側では反応域で生成した温度の高い生成ガスが流れ、通常、触媒層の温度よりも高温となり、反応域から離れるほど徐々に温度が低下していく。本発明の触媒層の温度とは反応域の上流側の温度、すなわち、熱媒などで外部から加熱してその温度を維持している触媒層の温度をいう。

また、本発明の製造方法では、副生物の生成を抑制する点から、反応中の触媒層の最高温度を１３０℃以下に維持することが好ましく、１００℃以下に維持することがより好ましい。つまり、本発明の製造方法では、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制し、触媒層の最高温度を前記上限値以下にすることが好ましい。前記のように、原料混合ガスが反応している領域およびその下流側近傍の領域における温度は、反応熱により他の領域の触媒層の温度よりも高くなる。反応中の触媒層の最高温度とはこの反応熱の発生により他の領域よりも高温となった触媒層領域の最高温度をいう。

反応中の触媒層の最高温度の測定法としては、例えば、挿し込み型の温度計を使用した下記測定法が挙げられる。
触媒層における原料化合物と水素の反応は、まずガス導入部の触媒が反応に寄与し、該ガス導入部の触媒が劣化するとその下流側の触媒が反応に寄与するというように、触媒層における反応域がガス排出側に向かって徐々に移動していく。つまり、触媒層の最高温度を示す部分は、原料化合物ガスと水素ガスの反応域の移動と共に移動していくため、予め挿し込み型の温度計の計測部を触媒層のガス導入部に位置させておき、反応の進行と共に該計測部を移動させることで触媒層の最高温度を測定できる。

反応中の触媒層の最高温度を前記上限値以下に維持する方法としては、触媒層の最高温度を低く制御しつつ、生産性を高く維持しやすい点から、触媒層に水素を分割して導入する方法（方法（α１））が好ましい。水素を触媒層の複数個所に分割して導入すれば、原料化合物の導入量を変化させずに触媒層における反応域を分散させられるため、反応熱の発生が一箇所に集中しない。そのため、生産性を低下させずに、触媒層の局所的な過剰発熱を容易に抑制できる。
水素の分割導入とは、原料化合物と水素を触媒層のガス導入部に導入するとともに、触媒層のガス導入部とガス排出部との間の少なくとも１か所から水素を導入することをいう。すなわち、原料混合ガスを導入する導入部以外に触媒層の少なくとも１箇所、すなわち、合計２箇所以上、から水素を導入することをいう。
具体的には、触媒層のガス導入部（ガスの流れ方向の最上流側のガス導入部）に導入する原料混合ガスは、触媒層に導入する水素の一部と原料化合物の全量との混合ガスとする。残余の水素はガスの流れ方向下流の触媒層に導入し、その導入位置の触媒層を流れるガス（通常は、原料化合物の一部が水素と反応した後の、生成ガス）に水素を混入し、該水素の導入位置から下流側の触媒層で未反応の原料化合物を水素と反応させ、触媒層出口（ガスの流れ方向の最下流側のガス排出部）から生成ガスを排出する。原料混合ガスの導入部と次の水素導入部との間で、原料混合ガス中の水素の少なくとも一部は原料化合物と反応していることが好ましい。また、ガスの流れ方向の最下流側の水素導入部は、その水素導入部とガス排出部との間の触媒層で導入された水素と原料化合物とが充分反応しうる位置に設けることが好ましい。

方法（α１）における水素の導入は、２箇所に分割導入しても、３箇所以上に分割導入してもよく、プロセスを簡略化できる点から、２箇所に分割導入することが好ましい。
触媒層の２箇所以上に分割導入する水素の分割割合は、触媒層の最高温度を低く維持しやすい点から、分割される各々のガス量を等量とすることが好ましい。

反応器内に触媒担持金属酸化物が充填された部分が２つ以上ある場合、水素の分割導入は、例えば、水素の一部を原料化合物と共に１段目の充填部に導入し、残部を２段目以降の充填部に導入する方法が挙げられる。

また、方法（α１）以外の触媒層の最高温度の制御方法としては、原料化合物および水素と共に触媒層に不活性ガスを流通させる方法（方法（α２））が挙げられる。不活性ガスを流通させ、触媒層中を流通する原料化合物および水素の濃度を調節することで、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制できる。また、不活性ガス以外の希釈ガスを不活性ガスの代わりにまたは不活性ガスとともに使用することもできる。
不活性ガスとしては、窒素ガス、希ガス、水素化反応に不活性なフロン類等が挙げられる。不活性ガス以外の希釈ガスとしては塩化水素などが挙げられる。

触媒層への不活性ガスの導入量は、触媒層の最高温度を低く維持しやすく、副生物の生成を低減しやすい点、および触媒の劣化を抑制しやすい点から、原料化合物１モルに対して、０．１モル以上が好ましく、０．５モル以上がより好ましい。また、不活性ガスの導入量は、該不活性ガスの回収率の点から、原料化合物１モルに対して、１０モル以下が好ましく、４モル以下がより好ましい。

また、方法（α１）、方法（α２）以外の触媒層の最高温度の制御方法としては、反応器を加熱する熱媒温度を、原料混合ガスの露点を下限として、より低い温度とする方法（方法（α３））が挙げられる。熱媒の温度を低く保つことで、反応熱のより迅速な除熱が可能となり、触媒層の過剰な温度上昇を抑制できる。
方法（α３）においては、前記触媒層の温度は、低い温度であるほどＨＦＯ−１２３４ｙｆと分離困難な副生物の生成を抑制するのに有利であることより、露点よりも高くかつ５０℃未満とすることが好ましい。より好ましくは、露点よりも高くかつ３０℃以下である。
触媒層の最高温度の制御は、方法（α１）、方法（α２）、方法（α３）単独、またはそれぞれを２つ、または３つを併用することが好ましい。

反応圧力は、取り扱い性の点から、常圧が好ましいが、特に限定されず、減圧、加圧であってもよい。
原料化合物ガスの触媒に対する接触時間は、４〜６０秒が好ましく、８〜４０秒がより好ましい。この接触時間は、反応器に導入されるガス量と触媒層体積から計算される原料化合物ガスの接触時間である。

副生物の生成を抑制しやすい点から、触媒層に導入する原料化合物と水素の割合は、原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数との比（Ｈ_２／Ｃｌ）で表わして、その値を０．７以下とすることが好ましく、０．６以下とすることがより好ましく、０．５以下とすることがさらに好ましい。また、比（Ｈ_２／Ｃｌ）は、ＨＦＯ−１２３４ｙｆの収率の点から、０．１以上が好ましく、０．２以上がより好ましい。
水素を分割導入する場合も、同様に、触媒層に導入する原料化合物と触媒層に導入する水素の総量との割合は、上記モル数の比（Ｈ_２／Ｃｌ）を０．７以下とすることが好ましく、０．６以下とすることがより好ましく、０．５以下とすることがさらに好ましい。また、比（Ｈ_２／Ｃｌ）は、０．１以上が好ましく、０．２以上がより好ましい。

方法（α）では、触媒層における下式（Ｉ）で表される原料化合物ガスの線速度ｕが０．１〜１００ｃｍ／秒であることが好ましく、１〜３０ｃｍ／秒であることがより好ましい。この線速度ｕは、反応器に導入されるガス量と触媒層体積から計算される原料化合物ガスの線速度である。前記原料化合物ガスの線速度ｕが下限値以上であれば、生産性が向上する。特にガス線速が１ｃｍ／秒以上であれば、ガスが触媒層を均一に流れやすい。前記原料化合物ガスの線速度ｕが上限値以下であれば、原料化合物と水素の反応率が向上する。特にガス線速が３０ｃｍ／秒以下であれば、発熱による反応点付近の温度制御が容易になる。
ｕ＝（Ｗ／１００）×Ｖ／Ｓ （Ｉ）
ただし、式（Ｉ）中、Ｗは前記触媒層を流通する全ガス中の原料化合物ガスの濃度（モル％）を示し、Ｖは前記触媒層を流通する全ガスの流量（ｃｍ^３／秒）を示し、Ｓは前記触媒層のガスの流通方向に対する断面積（ｃｍ^２）を示す。

方法（α）に使用する反応器としては、触媒担持担体を充填して触媒層を形成できる公知の反応器が挙げられる。
反応器の材質としては、例えば、ガラス、鉄、ニッケル、またはこれらを主成分とする合金等が挙げられる。

反応後の生成ガスには、目的物であるＨＦＯ−１２３４ｙｆの他に、未反応の原料、反応中間体として生成したＨＣＦＯ−１２２４ｙｄ、および塩化水素が含まれる。
生成ガスに含まれる塩化水素は、該生成ガスをアルカリ水溶液に吹き込んで中和することにより除去できる。前記アルカリ水溶液に使用するアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。

生成ガスからのＨＦＯ−１２３４ｙｆおよび未反応の原料、反応中間体の回収方法としては、例えば、蒸留等の公知の方法を採用できる。
反応後の生成ガスから回収した未反応の原料、反応中間体は再利用できる。回収したＨＣＦＯ−１２２４ｙｄは、ＣＦＯ−１２１４ｙａと共に原料化合物として水素と反応させてもよく、ＣＦＯ−１２１４ｙａとは別にＨＣＦＯ−１２２４ｙｄのみで水素と反応させてもよい。
原料化合物ガスとしてＣＦＯ−１２１４ｙａとＨＣＦＯ−１２２４ｙｄの混合物を使用する場合、ＨＣＦＯ−１２２４ｙｄは上記ＣＦＯ−１２１４ｙａからＨＦＯ−１２３４ｙｆを得る際の中間体であることから、通常、ＨＣＦＯ−１２２４ｙｄの割合の少ない混合物が使用される。よって、ＣＦＯ−１２１４ｙａとＨＣＦＯ−１２２４ｙｄの合計量に対するＨＣＦＯ−１２２４ｙｄの割合は５０モル％以下が好ましく、２５モル％以下がより好ましい。

（方法（β））
方法（β）では、触媒の存在下、原料化合物と水素を液相で反応させる。
触媒や触媒担持担体は、方法（α）で説明したものと同じである。
方法（β）では、媒体を使用しても使用しなくてもよいが、媒体を使用することが好ましい。前記媒体としては、水、アルコール等の有機溶媒等が挙げられる。
媒体を使用する場合、媒体の使用量は、原料化合物１００質量部に対して、１０〜１０００質量部が好ましい。

水素の供給方法としては、触媒担持担体、原料化合物、および必要に応じて使用する媒体を含む液に水素ガスを吹き込む方法、予め加圧によって水素を溶解させた媒体を触媒担持担体と原料化合物を含む液に添加する方法等が挙げられる。
方法（β）における原料化合物と水素の反応は、回分式でもよく、連続式でもよい。

反応温度は、０〜１５０℃が好ましく、２０〜１００℃がより好ましい。反応温度が下限値以上であれば、原料化合物と水素の反応率が向上する。反応温度が上限値以下であれば、副生物の生成を抑制しやすい。
反応圧力は、０．０１〜５ＭＰａ−Ｇが好ましく、０．１〜１ＭＰａ−Ｇがより好ましい。反応時間は、回分式であれば１〜５０時間が好ましく、連続式であれば１〜６０秒が好ましい。

方法（β）における水素の供給量は、副生物の生成を抑制しやすい点から、原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数との比（Ｈ_２／Ｃｌ）を０．７以下とする量が好ましく、０．５以下とする量がより好ましい。また、前記比（Ｈ_２／Ｃｌ）は、ＨＦＯ−１２３４ｙｆの収率の点から、０．１以上が好ましく、０．２以上がより好ましい。なお、前記水素の供給量とは、反応液中に溶解した水素量を意味する。

反応後の反応液には、目的物であるＨＦＯ−１２３４ｙｆの他に、未反応の原料、反応中間体として生成したＨＣＦＯ−１２２４ｙｄ、および塩化水素が含まれる。反応液に含まれる塩化水素は、反応液にアルカリを添加して中和することにより除去できる。前記アルカリアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。
前記アルカリは、反応に使用する反応液に予め添加してもよい。

反応液からのＨＦＯ−１２３４ｙｆ、および未反応の原料、反応中間体の回収方法としては、例えば、蒸留等の公知の方法を採用できる。
反応液から回収した未反応の原料、反応中間体は再利用できる。回収したＨＣＦＯ−１２２４ｙｄは、ＣＦＯ−１２１４ｙａと共に原料化合物として水素と反応させてもよく、ＣＦＯ−１２１４ｙａとは別にＨＣＦＯ−１２２４ｙｄのみで水素と反応させてもよい。

方法（β）に使用する反応器としては、触媒担持担体存在下に反応原料を接触させて液相反応させることができる公知の反応器が挙げられる。
反応器の材質としては、例えば、ガラス、鉄、ニッケル、またはこれらを主成分とする合金等が挙げられる。

（原料化合物）
原料化合物は、ＣＦＯ−１２１４ｙａおよびＨＣＦＯ−１２２４ｙｄの少なくとも一方からなる。
ＣＦＯ−１２１４ｙａは、公知の方法により製造できる。例えば、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＣＨＣｌ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、ＨＣＦＣ−２２５ｃａ）を、相間移動触媒の存在下にアルカリ水溶液と接触させて脱フッ化水素反応させる方法が挙げられる。該反応にはＨＣＦＣ−２２５ｃａを含むジクロロペンタフルオロプロパン（ＨＣＦＣ−２２５）を使用でき、前記相間移動触媒によりＨＣＦＣ−２２５中のＨＣＦＣ−２２５ｃａのみが選択的に脱フッ化水素される。反応後、ＣＦＯ−１２１４ｙａは蒸留等の公知の方法により分離回収できる。

前記ＨＣＦＣ−２２５ｃａを含むＨＣＦＣ−２２５は、塩化アルミニウム等の触媒の存在下、テトラフルオロエチレンとジクロロフルオロメタンを反応させることにより製造できる。該反応により得られるＨＣＦＣ−２２５には、ＨＣＦＣ−２２５ｃａと、１，３−ジクロロ−１，２，２，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＣＨＣｌＦＣＦ_２ＣＣｌＦ_２、ＨＣＦＣ−２２５ｃｂ）が主成分として含まれ、他に２，２−ジクロロ−１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＣＨＦ_２ＣＣｌ_２ＣＦ_３、ＨＣＦＣ−２２５ａａ）、２，３−ジクロロ−１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＣＨＦ_２ＣＣｌＦＣＣｌＦ_２、ＨＣＦＣ−２２５ｂｂ）等が少量含まれる。
前記ＨＣＦＣ−２２５ｃａを含むＨＣＦＣ−２２５は、市販品を使用してもよい。市販品としては、アサヒクリンＡＫ２２５（旭硝子社製、商品名、ＨＣＦＣ−２２５ｃａの４８モル％と、ＨＣＦＣ−２２５ｃｂの５２モル％の混合物）等が挙げられる。
前記相間移動触媒としては、テトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ）が好ましい。

ＨＣＦＯ−１２２４ｙｄは、ＣＦＯ−１２１４ｙａに水素を反応させてＨＦＯ−１２３４ｙｆを得る際に中間体として生成する。

以上説明したように、本発明の製造方法では、触媒担体として、活性炭に比べて耐久性が高い金属酸化物を使用する。また、使用する金属酸化物のＨａｍｍｅｔｔの酸度関数の値（Ｈ_０）が−５．６以上であることで、この担体に担持された貴金属触媒の使用によって原料化合物からＨＦＯ−１２３４ｙｆへの変換率も高い。そのため、本発明の製造方法によれば、長時間安定して高い変換率でＨＦＯ−１２３４ｙｆを製造できる。

以下、実施例および比較例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。例２は実施例であり、例３は比較例である。
［変換率の測定］
各例で得られた生成ガスをガスクロマトグラフィー（ＧＣ）にて分析し、下式（II）によりＣＦＯ−１２１４ｙａからＨＦＯ−１２３４ｙｆへの変換率Ｘ（単位：％）を算出した。変換率Ｘの測定は、反応初期と、表１に示す時間の経過後に随時行った。
Ｘ＝［Ｙ／（Ｚ／２）］×１００ （II）
（ただし、式中、Ｙは生成したＨＦＯ−１２３４ｙｆのモル数、Ｚは触媒層に導入したＣＦＯ−１２１４ｙａのモル数を示す。）

［例１］ＣＦＯ−１２１４ｙａの製造
アサヒクリンＡＫ２２５（旭硝子社製、商品名、ＨＣＦＣ−２２５ｃａ（４８モル％）とＨＣＦＣ−２２５ｃｂ（５２モル％）からなるＨＣＦＣ−２２５）を反応原料として使用して、以下の方法によりＣＦＯ−１２１４ｙａを製造した。

０℃に冷却したジムロートを設置した内容積１Ｌのガラス反応器に、相間移動触媒としてテトラブチルアンモニウムブロマイド（ＴＢＡＢ）の３ｇと、水酸化カリウムの８３ｇ（１．４８５モル）と、水の１８０ｇと、アサヒクリンＡＫ２２５の６０９ｇ（３．０モル）とを仕込んだ後、撹拌しながら徐々に昇温し、４５℃で１時間反応を行った。その後、有機相と水相の２相に分離している反応粗液を分液し、有機相を、釜容積１Ｌ、理論段数１０段の能力を持つ蒸留塔に仕込み、蒸留を実施した。蒸留の結果、純度９９．５％のＣＦＯ−１２１４ｙａ（沸点４５℃）の２６２ｇ（１．４３モル）を得た。

［例２］
ＨＦＯ−１２３４ｙｆの製造には、図１に例示した反応装置１０１を使用した。
反応装置１０１は、図１に示すように、２本の反応管１１０Ａ、１１０Ｂと、それら反応管１１０Ａ、１１０Ｂを浸漬する油浴１３０とを備えている。反応管１１０Ａは、その入口１１１ａ側と出口１１２ａ側に２箇所の触媒充填部１１３ａ、１１４ａを有する。同様に、反応管１１０Ｂは、その入口１１１ｂ側と出口１１２ｂ側に２箇所の触媒充填部１１３ｂ、１１４ｂを有する。反応管１１０Ａの出口１１２ａと反応管１１０Ｂの入口１１１ｂは配管で連結されている。
反応管１１０Ａ、１１０Ｂとしては、内径２．５４ｃｍ、長さ１００ｃｍのインコネル（登録商標）６００製の反応管を使用した。また、シリカゲル（＋１．５＞Ｈ_０＞−５．６）に対して０．５質量％のパラジウムを担持したパラジウム担持シリカゲル（比表面積１００ｍ^２／ｇ）。を使用した。反応管１１０Ａの触媒充填部１１４ａに前記パラジウム担持シリカゲルを充填し、高さ４０ｃｍの触媒層１２０Ａを形成した。同様に、反応管１１０Ｂの触媒充填部１１３ｂおよび１１４ｂに前記パラジウム担持シリカゲルを充填し、それぞれ高さ４０ｃｍの触媒層１２０Ｂおよび触媒層１２０Ｃを形成した。触媒層１２０Ａ〜１２０Ｃのパラジウム担持シリカゲルの充填密度は０．４７ｇ／ｃｍ^３とした。
次いで、触媒層１２０Ａ〜１２０Ｃが全て浸漬されるように、反応管１１０Ａおよび反応管１１０Ｂを油浴１３０中に浸漬し、触媒層１２０Ａ〜１２０Ｃを８０℃に加熱した。

次いで、ＣＦＯ−１２１４ｙａからなる原料化合物ガス（Ａ）と、水素ガス（Ｂ）と、窒素ガス（Ｃ）とを、総導入量のモル比で水素／ＣＦＯ−１２１４ｙａ／窒素＝１／１／２として反応管１１０Ａおよび１１０Ｂに流通させ、生成ガス（Ｄ）を得た。つまり、原料化合物ガス（Ａ）中の塩素原子のモル数と、触媒層に導入する水素ガス（Ｂ）の総導入量のモル数との比（Ｈ_２／Ｃｌ）を０．５とした。また、触媒層１２０Ａ〜１２０Ｃに対する原料化合物ガス（Ａ）の接触時間は４０秒、原料化合物ガス（Ａ）の線速度ｕは２．７ｃｍ／秒とした。
また、水素ガス（Ｂ）は、総導入量の５０％を原料化合物ガス（Ａ）と共に反応管１１０Ａの入口１１１ａから導入し、残りの５０％を反応管１１０Ａと反応管１１０Ｂを連結する配管部分に導入した。すなわち、水素ガス（Ｂ）は、触媒層１２０Ａ〜１２０Ｃからなる長さ１２０ｃｍの触媒層において、触媒層１２０Ａ（０ｃｍ地点）と、触媒層１２０Ｂ（４０ｃｍ地点）の２箇所に分割して導入した。
また、反応中の触媒層１２０Ａ〜１２０Ｃの最高温度を、それら触媒層にそれぞれ挿入した挿し込み型の温度計１４０Ａ〜１４０Ｃにより測定したところ、１３０℃以下であった。
得られた生成ガス（Ｄ）をＧＣ分析したところ、変換率Ｘは６５％であった。

［例３］
触媒に使用する担体をシリカゲルからアルミナ（−５．６＞Ｈ_０＞−１２）に変更した以外は、例２と同様にして反応を行った。
得られた生成ガス（Ｄ）をＧＣ分析したところ、変換率Ｘは５０％であった。

以上のように、酸度関数の値（Ｈ_０）が−５．６以上の金属酸化物を担体として使用した例２は、酸度関数の値（Ｈ_０）が−５．６未満の金属酸化物を担体として使用した例３に比べて変換率Ｘが高かった。

本発明の製造方法は、触媒の耐久性が高く、目的物への変換率も高いため、冷媒等に使用できるＨＦＯ−１２３４ｙｆの製造方法として非常に有用である。
なお、２０１０年６月２３日に出願された日本特許出願２０１０−１４２６６８号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (7)

1. 触媒の存在下、１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンおよび１−クロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの少なくとも一方の原料化合物と、水素とを反応させる２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法において、
   前記触媒が、Ｈａｍｍｅｔｔの酸度関数の値（Ｈ_０）が−５．６以上の金属酸化物に担持された貴金属触媒であり、
   前記貴金属がパラジウムであり、
   前記金属酸化物がシリカゲルであることを特徴とする２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。
2. 前記貴金属触媒担持金属酸化物の比表面積が１０〜１０００ｍ^２／ｇである請求項１に記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。
3. 前記触媒担持金属酸化物が充填された触媒層に原料化合物と水素とを導入して気相で反応させる、請求項１または２に記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。
4. 原料化合物と水素を触媒層のガス導入部に導入するとともに、該触媒層のガス導入部とガス排出部との間の少なくとも１か所から水素を導入する、請求項３に記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。
5. 前記触媒層に導入する原料化合物と前記水素との割合が、前記原料化合物中の塩素原子のモル数と前記水素のモル数の比（Ｈ_２／Ｃｌ）で表わして、０．７以下である、請求項３または４に記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。
6. 前記触媒層における下式（Ｉ）で表される前記原料化合物ガスの線速度ｕが１〜３０ｃｍ／秒である、請求項３〜５のいずれか一項に記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。
   ｕ＝（Ｗ／１００）×Ｖ／Ｓ （Ｉ）
   （ただし、式（Ｉ）中、Ｗは前記触媒層を流通する全ガス中の原料化合物ガスの濃度（モル％）を示し、Ｖは前記触媒層を流通する全ガスの流量（ｃｍ^３／秒）を示し、Ｓは前記触媒層のガスの流通方向に対する断面積（ｃｍ^２）を示す。）
7. 原料化合物が、１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペン、または、１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンと１−クロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンとの混合物であって両者の合計モル数に対する１，１−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの割合が５０モル％以上の混合物、である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の２，３，３，３−テトラフルオロプロペンの製造方法。

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