JP5796994B2 - 処理システム、基板処理装置、処理システムのデータ処理方法、収集ユニット及び記録媒体並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は基板処理装置の制御システムに係り、特に基板処理装置に関する高頻度なデータ収集を実現するのに好適な基板処理装置の制御システムに関する。

基板処理装置、例えば半導体製造装置は、多数の部品（デバイス）で構成されており、部品ごとに寿命や故障率が異なるため、半導体製造装置の各部品の安定稼働が、半導体製造のために重要な要素となっている。

基板処理システムの一実施例である半導体製造システムは、基板の一種である半導体基板（ウェハ）への成膜を行うため、半導体製造装置を構成する部品を規定する手順を定めたもの、例えばレシピにより制御を行う。レシピには、半導体基板への成膜を行う炉に関して、温度・圧力・ガスなどの制御を行う手順が規定されている。これにより温度コントローラ、圧力コントローラ等のサブコントローラ（部品に含む）や、ガスの流量を調整するＭＦＣやガスの流れを調整する開閉するバルブ等の各部品に対して必要な制御が、順次行なわれる。また半導体製造システムによっては、成膜を行う半導体基板を炉へ投入、払い出すための駆動制御が、このレシピで規定される場合もある。

半導体製造装置を制御するシステムにおいては、多くの部品を高頻度で適時制御する必要がある。但し、従来の仕組みをそのまま使うことにより、各部品から収集したデータを半導体製造工場が求めるような高頻度で出力することは困難な状況になっている。

なお、従来は、外部記憶媒体に直接データを収集し、収集したデータをオフラインで利用することが行われている。具体的には、レシピ実行中に収集したデータを外部記憶媒体に格納し、この外部記憶媒体を持ち運ぶことにより、クリーンルーム外部でデータ解析処理することが行われている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、最近のオンライン化ではオフラインは好ましくない。近年、ホスト制御ラインを通して、収集したデータの報告（送信）が行われているが、このホスト制御ラインを利用する方法でも半導体製造工場が求める粒度（頻度）にはなっていない。例えば、この方法により送信できる頻度は、一般的に、０．５Ｈｚ〜２Ｈｚ程度であり、顧客（半導体製造工場）側が要求する頻度である１０Ｈｚ以上に達していない。

そこで、近年、半導体製造工場では、半導体製造装置に関する生産管理や、性能や稼働率及び故障検知管理等を目的として、基板処理装置の制御システムに対して、高頻度なデータ収集が求められている。

しかしながら、従来の基板処理装置の制御システムでは、処理制御（温度、圧力、ガス流量等）データ、搬送制御データなどの制御データやイベントデータや例外（異常）等のデータを高速収集できなかった。ここで、イベントとは、基板が処理される際に制御される各部品の動作の開始及び終了を示し、主に、基板処理時に実施される工程の開始及び終了を通知するデータである。また、イベントの例として、ウェハ搬送開始、ウェハ搬送終了、プロセス（レシピ）開始、プロセス（レシピ）終了、キャリア搬入、キャリア搬出などが挙げられる。

特許第３６３０２４５号公報

本発明の目的は、上述した課題を解消して、高精細且つ高頻度なデータを出力することが可能な基板処理装置の制御システムを提供することにある。

本発明の一態様によれば、基板処理装置を構成する各部品からデータを収集する収集ユニットを備え、前記収集ユニットは、前記収集されたデータを一時的に格納するバッファと、前記バッファ内に格納されるデータに添付される時刻データに基づいて、時系列に並べ換える手段と、を備えた基板処理装置の制御システムが提供される。

本発明によれば、基板処理システム内部で生成される各種データの発生時刻を管理することができるので、基板処理装置の一種である半導体製造装置側からデータ処理上で発生する時刻差が管理されたデータを半導体製造工場側システムに提供することができる。従い、半導体製造工場側のシステムで基板処理時に収集されるデータの解析を行う際に、時刻差が管理されたデータを利用することができるので、データ解析の精度が向上する。

本発明の実施形態に係る基板処理システムの構成図である。 本発明の実施形態に係るモジュールコントローラ（ＭＣ）の構成図である。 本発明の実施形態に係るモジュールコントローラ（ＭＣ）の構成図である。 本発明の実施形態に係るコレクション（収集）ユニット（ＣＵ）の構成図である。 本発明の実施形態に係るデータ収集タイミングと遅延を示す説明図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す側面透視図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の処理炉の縦断面図である。 本発明の実施形態に係る収集ユニット（ＣＵ）におけるソフトウェハ構成図である。 本発明の実施形態に係るバッファへのデータ挿入説明図である。 本発明の実施形態に係るバッファへのデータ挿入説明図である。 本発明の実施形態に係るデータ受信フローチャートである。 本発明の実施形態に係るデータ受信フローチャートである。 本発明の実施形態に係るバッファ管理時間の重なりを示す説明図である。 本発明の実施形態に係るバッファ管理時間の重なりを示す説明図である。 本発明の実施形態に係るデータ受信フローチャートである。 本発明の実施形態に係るバッファ管理の時間的範囲を示す説明図である。 本発明の実施形態に係るバッファ管理の時間的範囲を示す説明図である。 本発明の実施形態に係る同期部の説明図である。 本発明の実施形態に係る同期部から装置データ保存領域へのデータ書込み説明図である。 本発明の実施形態に係るデータ報告部の説明図である。 本発明の実施形態に係るパッキングデータ例の説明図である。 本発明の実施形態に係るパッキングデータ例のデータ受信フローチャートである。 本発明の他の実施形態に係るバッファ部の説明図である。

以下に、本発明の一実施の形態について説明する。

［第１の実施の形態］
（第１の実施の形態の概要）
本実施の代表的な形態は、複数の部品で構成される基板処理装置と、該基板処理装置を構成する部品を規定する手順を定めたもの（レシピ）により制御する制御手段と、各部品からデータを収集する収集ユニットとを備え、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に、前記データが発生した時刻順に並べ換えることでデータを管理する形態である。このような、本実施の形態によれば、基板処理システム内部で生成される各種データの発生順序を管理することができる。また、本実施の形態によれば、半導体製造装置側のシステムからデータ発生時刻が管理された高精細且つ高頻度なデータを半導体製造工場側のシステムへ供給する事ができるので、このようなデータを用いて、半導体製造工場側でデータ解析ができる。
以下、第１の実施の形態を具体的に説明する。

（１−１）基板処理システムの構成
まず、図１を用いて、本発明の一実施の形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。

図１に示すように、基板処理システムは、基板処理装置１００、制御部を構成する制御手段としてのモジュールコントローラ（ＭＣ：Ｍｏｄｕｌｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３００、操作部を構成する端末装置としてのオペレーションユニット（ＯＵ：Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ）４００、収集ユニットとしてのコレクションユニット（ＣＵ：Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ）７００を少なくとも有する。また、ホストインタフェースユニット（ＨＵ：Ｈｏｓｔ Ｉ／Ｆ Ｕｎｉｔ）５００、ホストコンピュータ（ＨＯＳＴ：ＨＯＳＴ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）６００及びデータベース（ＤＢ：Ｄａｔａ Ｂａｓｅ）８００を含めて基板処理システムを構成しても構わない。また、本実施の形態における基板処理システムは、基板処理装置１００で取得したデータを、基板処理システムの設置場所から離れた半導体製造工場側のＨＯＳＴ６００やＤＢ８００に送るための分散処理システムである。尚、図１では、ＭＣ３００及びＯＵ４００は基板処理装置１００とは、別体で掲載されているが、実際には、基板処理装置１００に含む構成となっている。一方、ＣＵ７００は、図１で示されるように基板処理装置１００とは別体で構成されているが、ＭＣ３００と同様に基板処理装置１００に含まれるよう構成しても構わない。

基板処理装置１００は、一例として、半導体装置を製造する半導体製造装置として構成されている。基板処理装置１００は、複数の部品で構成される。各部品はデータを生成する。ここで、部品とは、例えば、駆動制御部（搬送制御部、温度制御部等）や各センサや各アクチュエータなどの基板処理装置を構成する全てのものを示す。また、図１では別体で掲載されているＭＣ３００やＯＵ４００は、実質的に基板処理装置を構成するため、部品とみなされる。但し、本実施の形態について、以後、図１に掲載された基板処理システムの構成に沿って説明される。基板処理装置１００は、ＨＯＳＴ６００から送信されたレシピ及びＯＵ４００で実行指示されたレシピを受信し、受信したレシピに基づいて基板の処理を実行する。具体的には、このようなレシピには、基板を処理するための手順が時系列に記載されており、ＭＣ３００が、複数のステップで構成される上記レシピに基づいて基板処理装置１００内の各部品を制御する。なお、基板処理装置１００の詳細については後述する。

ＭＣ３００は、基板処理装置１００とＯＵ４００との間に設けられ、フィールドネットワーク１０００を介して接続されている。基板処理装置１００内の各部品はＭＣ３００により制御される。ＭＣ３００は、基板処理を行うために、基板処理装置１００を構成する
部品を規定する制御手順を規定したもの（例えばレシピ）に従い、基板処理装置１００に対して必要な制御を行うコントローラである。ＭＣ３００には、基板処理、例えば成膜に必要な制御を行うものと、半導体基板を含む基板やそれを複数枚格納するキャリア等を運ぶための搬送機構を制御するものとがあり、システムに応じて必要な数が用意されている。図示例では、成膜に必要な制御を行う温度・圧力・ガス用の第一の制御部としてのＭＣ３００Ａと、キャリア等を運ぶための搬送機構を制御する駆動制御用の第二の制御部としてのＭＣ３００Ｂとの２台が用意される。ここで、図１では、ＭＣ３００と基板処理装置１００は別体として掲載されているが、ＭＣ３００は基板処理装置１００を構成する。なお、ＭＣ３００の詳細については後述する。

ＯＵ４００は、目的とするレシピを編集するための端末装置である。また、ＯＵ４００はＭＣ３００から各部品で生成されるデータを収集する端末装置である。ＯＵ４００は、ＭＣ３００と通常のネットワーク９００を介して接続して設けられており、キーボード４０１やマウス４０２などの入出力装置と操作画面４０３とを有する。操作画面４０３には、オペレータにより所定のデータが入力される入力画面及び装置の状況等を示す表示画面等が表示される。ここで、図１では、ＯＵ４００と基板処理装置１００は別体として掲載されているが、ＯＵ４００は基板処理装置１００を構成する。

ＨＵ５００は、基板処理システムと半導体製造工場とのインタフェース（Ｉ／Ｆ）を担う。ＨＵ５００は基板処理装置から収集したデータをＨＯＳＴ６００へ送る機能を有する。ＨＵ５００は直接制御に影響を及ぼさない受動ユニットである。ここで、図１では、ＨＵ５００と基板処理装置１００は別体として掲載されているが、ＨＵ５００は基板処理装置１００を構成してもよい。

ＨＯＳＴ６００は、半導体製造工場側に設置される。ＨＯＳＴ６００は、通常のネットワーク９００を介してＨＵ５００からＯＵ４００に接続されている。ＨＯＳＴ６００は、複数のレシピを記憶し、ロット情報とレシピとの対応関係を記憶し、受け付けられたロット情報と記憶されている対応関係とに基づいて、記憶されている複数のレシピから１つのレシピを選択し、選択されたレシピを基板処理装置１００に対して送信する。

ＣＵ７００は、データの高速収集を目的として、基板処理装置に対しＨＵ５００とは異なるポートに設置された専用のコレクション（収集）ユニットである。ＣＵ７００は、通常のネットワーク９００でＯＵ４００に接続され、フィールドネットワーク１０００で基板処理装置１００に直接接続されている。ＣＵ７００は、ＯＵ４００によりＭＣ３００Ａ、ＭＣ３００Ｂを介して基板処理装置１００の複数の部品から収集したデータを一時的に保管（蓄積）する。なお、ＣＵ７００は、ＨＵ５００と同様に直接制御に影響を及ぼさないユニットである。ここで、図１では、ＣＵ７００と基板処理装置１００は別体として掲載されているが、ＣＵ７００は基板処理装置１００を構成してもよい。ＣＵ７００の詳細については後述する。

ＤＢ８００は、半導体製造工場側に設置されている。ＣＵ７００から取得されたデータは、ネットワーク９００を介してＤＢ８００に格納され、半導体製造工場側で適時抽出・解析などが行われる。

基板処理装置１００のデータのうち、ＭＣ３００やＯＵ４００を経由するデータは、ネットワーク９００を介してＣＵ７００に収集された後、ＤＢ８００にレポート報告されている。なお、ＨＯＳＴ６００へも同様にレポート報告してもよい。

なお、これらＯＵ４００／ＭＣ３００／ＨＵ５００などはソフトウェアプログラムで構成することができるので、実際に動作するための物理的なコンピュータユニットと１対１
の関係とは限らない。例えばＯＵ４００とＨＵ５００の組合せやＯＵ４００とＭＣ３００の組合せ等の種々の構成が可能である。例えば、同一のコンピュータ上で動作する構成もありえる。

また、上述した実施の形態の分散処理システムでは、ＨＯＳＴに１台の基板処理装置１００が接続されている場合を例示している。複数台の基板処理装置１００が接続されて管理されるように構成してもよい。

（１−２）基板処理装置の構成
続いて、本実施の形態にかかる基板処理装置１００の構成について、図６，図７を参照しながら説明する。図６は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の斜透視図である。図７は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の側面透視図である。なお、本実施形態にかかる基板処理装置１００は、例えばウェハ等の基板に酸化、拡散処理、ＣＶＤ処理などを行なう縦型の半導体製造装置として構成されている。

図６、図７に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設されている。正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する一対の正面メンテナンス扉１０４が設けられている。シリコン等のウェハ（基板）２００を収納したポッド（基板収容器）１１０が、筐体１１１内外へウェハ２００を搬送するキャリアとして使用される。

筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が、筐体１１１内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、ロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。ロードポート１１４上には、ポッド１１０を載置されると共に位置合わせされるように構成されている。ポッド１１０は、工程内搬送装置（図示せず）によってロードポート１１４上に搬送されるように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されている。回転式ポッド棚１０５上には複数個のポッド１１０が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７と、を備えている。複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。

筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を相互に搬送するように構成されている。

筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が、筐体１１１内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウェハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のウェハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が、垂
直方向に上下二段に並べられて設けられている。上下段のウェハ搬入搬出口１２０には、ポッドオープナ１２１がそれぞれ設置されている。

各ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する一対の載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウェハ出し入れ口を開閉するように構成されている。

サブ筐体１１９内には、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域にはウェハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウェハ移載機構１２５は、ウェハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウェハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウェハ移載装置１２５ａを昇降させるウェハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図６に示すように、ウェハ移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部と筐体１１１右側端部との間に設置されている。ウェハ移載装置１２５ａは、ウェハ２００の載置部としてのツイーザ（基板保持体）１２５ｃを備えている。これらウェハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウェハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウェハ２００をボート（基板保持具）２１７に対して装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）することが可能なように構成されている。

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、基板処理系としての処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。

図６に示すように、サブ筐体１１９の待機部１２６右端部と筐体１１１右側端部との間には、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が連結されている。アーム１２８には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。

ボート２１７は複数本の保持部材を備えている。ボート２１７は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェハ２００を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。

図６に示すように、移載室１２４のウェハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されている。ウェハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウェハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置されている。

クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、図示しないノッチ合わせ装置、ウェハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環されてクリーンユニット１３４によって移載室１２４内に再び吹き出されるように構成されている。

（１−３）基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１００の動作について、図６，図７を参照しながら説明する。

図６、図７に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。そして、ロードポート１１４の上のポッド１１０が、ポッド搬送装置１１８によってポッド搬入搬出口１１２から筐体１１１内部へと搬入される。

筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって回転式ポッド棚１０５の棚板１１７上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板１１７上から一方のポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載される。なお、筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって直接ポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載されてもよい。この際、ポッドオープナ１２１のウェハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４内にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４内にクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、移載室１２４内の酸素濃度が例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気である筐体１１１内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。

載置台１２２上に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウェハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウェハ出し入れ口が開放される。その後、ウェハ２００は、ウェハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウェハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（チャージング）される。ボート２１７内にウェハ２００を装填したウェハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウェハ２００をボート２１７内に装填する。

この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウェハ移載機構１２５によるウェハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１の載置台１２２上には、別のポッド１１０が回転式ポッド棚１０５上からポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウェハ２００がボート２１７内に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、ウェハ２００群を保持したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。

ローディング後は、処理炉２０２内にてウェハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウェハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウェハ２００を格納したボート２１７が処理室２０１内より搬出され、処理後のウェハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１外へと搬出される。

（１−４）処理炉の構成
続いて、本実施形態にかかる処理炉２０２の構成について、図８を用いて説明する。図８は、本発明の一実施の形態にかかる基板処理装置の処理炉の縦断面図である。

図８示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウェハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１内は後述するボート２１７を収容可能なように構成されている。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。

プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。

後述するシールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されている。ノズル２３０には、ガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２の上流側（ノズル２３０との接続側と反対側）には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源等が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１を制御するように構成されている。

マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側（マニホールド２０９との接続側と反対側）には、圧力検出器としての圧力センサ２４５、例えばＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）として構成された圧力調整装置２４２、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が上流側から順に接続されている。圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力調整装置２４２を制御するように構成されている。

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ
２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウェハ２００を回転させることが可能なように構成されている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外へ搬送することが可能なように構成されている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されている。駆動制御部２３７は、回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するように構成されている。

上述したように、基板保持具としてのボート２１７は、複数枚のウェハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるように構成されている。

プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３とには、電気的に温度制御部２３８が接続されている。温度制御部２３８は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいて、処理室２０１内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ２０６への通電具合を調整するように構成されている。

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、及び主制御部２３９は、前述したＭＣ３００として構成されている。

（１−５）処理炉の動作
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉２０２を用いてウェハ２００上に膜を形成する方法について、図８を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はＭＣ３００により制御される。

複数枚のウェハ２００がボート２１７に装填（ウェハチャージ）されると、図８に示すように、複数枚のウェハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。

処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置２４２（の弁の開度）がフィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０６によって加熱される。この際、温度センサ２６３が検出した温度値に基づき、ヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウェハ２００が回転させられる。

次いで、処理ガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２内を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０内に流出して排気管２３１から排気される。ガスは、処理室２０１内を通過する際にウェハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。

その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されてマニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウェハ２００を保持するボート２１７がマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウェハ２００はボート２１７より取り出され、ポッド１１０内へ格納される（ウェハディスチャージ）。

（１−６）ＭＣ３００の構成
次に図１に示すＭＣ３００の詳細を説明する。ＭＣ３００はＭＣ３００ＡとＭＣ３００Ｂとから構成される。

（ＭＣ３００Ａの構成）
図２は、温度、ガス、圧力を制御するＭＣ３００Ａを中心としたハードウェア構成を示す。ＭＣ３００Ａは、ＣＰＵ１４０、ＲＯＭ（ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）１４２、ＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ−ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）１４４、入出力装置との間でのデータの送受信を行う入出力インタフェース（ＩＦ）１４６、温度制御部２３８、ガス制御部２３５、圧力制御部２３６、及び温度制御部２３８等とのＩ／Ｏ制御を行うＩ／Ｏ制御部１４８、通常のネットワーク９００を介して外部のコンピュータであるＯＵ（Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ）４００との間でのデータの通信を制御する通信制御部１５６、及びデータを記憶するハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１５８を有する。これらの構成要素はバス１６０を介して相互に接続されており、データは構成要素の間でバス１６０を介して送受信される。

ＭＣ３００Ａにおいて、ＣＰＵ１４０は、ＨＵ５００、ＯＵ４００若しくはＯＵ４００を介してＨＯＳＴ６００により送信されたレシピに基づいて、装置を制御してウェハを処理させる。具体的には、ＣＰＵ１４０は、制御データ（制御指示）を、温度制御部２３８、ガス制御部２３５及び圧力制御部２３６に対して出力する。ＲＯＭ１４２、ＲＡＭ１４４、及びＨＤＤ１５８には、シーケンスプログラム、通信制御部１５６を介して入力されるデータ等が格納される。

温度制御部２３８は、上述した処理炉２０２の外周部に設けられたヒータ２０６により該処理室２０１内の温度を制御する。ガス制御部２３５は、処理炉２０２のガス供給管２３２に設けられたＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１からの出力値に基づいて処理室２０１内に供給する反応ガスの供給量等を制御する。圧力制御部２３６は、処理炉２０２の排気管２３１に設けられた圧力センサ２４５の出力値に基づいて圧力調整用のバルブ２４２を開閉することにより処理室２０１内の圧力を制御する。このように、温度制御部２３８等は、ＣＰＵ１４０からの制御指示に基づいて基板処理装置１００の各部品（ヒータ２０６、ＭＦＣ２４１及びバルブ２４２等）の制御を行う。

（ＭＣ３００Ｂの構成）
図３は、駆動部を制御するＭＣ３００Ｂを中心としたハードウェア構成を示す。図３のハードウェハ構成は、制御部と制御部品が異なる点を除いて図２と同じであり、同一部分には同一符号を付して説明を省略する。駆動制御部２３７は、上述した処理炉２０２の回転機構２５４及びボートエレベータ１１５に設けられたセンサａ２６１、センサｂ２６２によりボート２１７の回転及びボート２１７の昇降を制御する。

レシピのデータがＨＯＳＴ６００から送信されると、通信制御部１５６を介してＭＣ３００Ａ、ＭＣ３００Ｂに入力される。ＣＰＵ１４０は、シーケンスプログラムを起動し、該シーケンスプログラムに従って、送信されたレシピのコマンドを呼び込み実行することで、制御パラメータの目標値等が設定されているステップが逐次実行され、Ｉ／Ｏ制御部１４８を介して温度制御部２３８、ガス制御部２３５、圧力制御部２３６、及び駆動制御部２３７に対して基板を処理するための制御指示が送信される。温度制御部２３８等は、制御指示に従って基板処理装置１００内の各部品（ヒータ２０６、ＭＦＣ２４１、バルブ２４２及び回転機構２５４等）の制御を行う。これにより、上述したウェハ２００の処理が行われる。

（１−７）ＣＵ７００の構成
図４は、データを収集して一時的に保管（蓄積）するＣＵ７００を中心としたハードウェア構成を示す。ＣＵ７００は、基板処理装置１００からの種々の部品のデータ（温度、ガス流量、圧力、駆動制御データ等）を自動的に取得して保管するものである。ＣＵ７００は、制御部７１０と記憶部７２０とを含む構成である。制御部７１０はネットワーク９００、１０００と記憶部７２０との間に介在し、ネットワーク９００から送られてくるデータを記憶部７２０に書き込んだり、記憶部７２０に保管したデータを読み出して、ネットワーク９００に送出したりする。ネットワーク９００を介して送られてくる装置からのデータが、記憶部７２０に自動的に収集される。なお、制御部７１０は、ＤＢ８００からの要求を処理し、ＤＢ８００へ送るための制御をするものであり、装置側へ要求を出すことはない。尚、本実施の形態において、ＣＵ７００は、ＨＵ５００と別体に記載されているが、ＨＵ５００と一体構成でも構わない。

（１−８）収集データの報告
図１に示すような本実施の形態の基板処理システムにおいて、直接制御に影響を及ぼさないＣＵ７００を使って、ＨＯＳＴ６００やＤＢ８００に収集データの報告をする場合、次のような課題がある。

基板処理システム内部では、イベントや例外（異常）が発生した時には、必要な反応動作、例えばあるイベントにより次の動作を行うとか、例外（異常）の場合はシステムを停止する等の動作を行う必要がある。また、トレースデータ・イベントデータ・例外（異常）データの発生順を正しく管理する必要があるため、これらデータはシステムの一箇所（本実施形態においてはＣＵ７００）に集める必要がある。

しかしながら、制御データ・イベントデータ・例外（異常）等のデータの発生順を管理しながら、高精細且つ高頻度なデータ送信は難しい。例えば、制御に必要且つ十分な収集頻度は、部品やデータの種別によって異なり、１回／秒から１回／５００ｍｓｅｃ程度のものが多い。また、収集頻度には、１回／１００ｍｓやそれ以下の周期で収集するものもある。しかし、これらの収集頻度はあくまで制御に必要な収集頻度であり、通常は、モジュールコントローラＭＣ３００内部にとどまる。このような高精細且つ高頻度（収集頻度が密な）データを半導体製造工場側へ送信しようとすると、データ収集してから送信するまでの処理時間が膨大になり、システム負荷に直結することがある。

ここで、本実施の形態で問題となるのが、時刻差が生じる挙動である。即ち、ＭＣ３００やＯＵ４００を経由するデータはネットワーク９００を介し、プログラムで転送されてくるため即時性はなく、時間的に数１００ｍｓｅｃ程度の遅延が発生し得る。因みにここでは、基板処理システムの内部において各コントローラ等（ＭＣ３００、ＯＵ４００、ＣＵ７００）の時刻は必要十分な精度で同期していることを前提としている。

（１−９）時刻差が生じる挙動
時刻差の詳細について、図５を用いて説明する。図５はデータ収集タイミングと遅延を示すタイミング図である。
図５において、横軸は時間軸でｔ１からスタートさせ、１００ｍｓｅｃ刻みでマーキングを付してある。一番上のラインのＣＵデータを、制御手段であるＭＣ３００を経由して収集したデータとする。
ＭＣ３００は、フィールドネットワーク収集制御周期（例えば１００ｍｓｅｃ）でフィールドネットワーク１０００に流れる部品データを取得する（ＭＣ◆）。
ＭＣ→ＯＵへのデータ報告は、制御周期維持のため、例えば１回／５００ｍｓｅｃとする。ＭＣ３００では、データを受け取って転送するまでの遅延（（ｉ）データ報告遅延）が発生する。（ｉ）のデータ報告遅延発生は以下の事由による。ＭＣ３００では、データを取得したら関連する内部制御を優先した後、ＯＵ４００への報告周期に合致したタイミングであればネットワーク送信することになるが、この時、内部制御による遅延と送信のためバッファに入れてから実際に送信されるまでの遅延が累積して、この遅延が発生する。
ＯＵ４００では、データを受け取って処理するまでの遅延（（ii）データ取得遅延ＯＵ●）と、受け取ったデータをＣＵ７００に転送するまでの遅延（（iii）データ報告遅延
）とが発生する。（ii）のデータ取得遅延発生は以下の事由による。ＯＵ４００では、ネットワーク９００からの受信データを必要なプログラムに渡すが、プログラムは空き時間になって初めてその受信通知により受信データを処理することができる。遅延はこの受信データを処理できるようになるまでの時間である。（iii）データ報告遅延発生は以下の
事由による。ＯＵ４００では、ＣＵ７００へネットワーク送信することになるが、この時データの内部処理と送信のためバッファに入れてから実際に送信されるまでの遅延が累積してこの遅延が発生する。ＣＵ７００では、データを受け取って処理するまでの遅延（（iv）データ取得遅延ＣＵ●）がある。（iv）のデータ取得遅延発生事由は、（ii）データ取得遅延発生と同様の事由による。そして、この遅延がデータ発生時刻の時刻差になる。また、ＭＣ３００Ａの内部制御は、ウェハ２００を処理する制御に関わるため、データ量が多く、極めて遅延しやすい。一方、ＭＣ３００Ｂは、ウェハ２００の搬送、ウェハ２００を格納するキャリアの搬送などの搬送機構の制御に関わり、ＭＣ３００Ａと比較すると、データ量は比較的少ない。従って、データが同時に発生してもＭＣ３００ＡとＭＣ３００Ｂとを介したデータでは、ＣＵ７００に到達するまでに時刻差が生じる。

特にイベントデータ（キャリア搬入、キャリア搬出、ＲＵＮ開始、ＲＵＮ終了など）や例外データ（温度異常、圧力異常など）は、ＭＣ３００により管理されている。従って、ＨＯＳＴ６００やＤＢ８００に蓄積されるデータを解析しても、各ユニット間で時刻差による遅延が発生しているため適切なデータ解析を行うことが困難であった。

（２−１）データ報告方式
本実施の形態におけるデータ報告（送信）方式は、データをＣＵ７００にて受信した後、一旦バッファ（一時格納手段）内部に溜めるものである。データにはかならず収集時刻（時刻データ）が付随しているので、データを溜める際、この収集時刻を利用する。要するに、このバッファに、付随する時刻データに基づいて時系列順に格納する。尚、時刻データは、各ユニット（ＭＣ３００、ＯＵ４００等）がデータを受信する際に、付加されるよう構成されている。

（２−２）ＣＵにおけるソフトウエア構成
図９は、本発明の実施形態に係る基板処理システムの制御装置、例えばＣＵ７００の制御部７１０により実行される制御プログラム（ソフトウエア）の機能構成を示す図である。図９に示すように、制御プログラムは、データ受信部７３０、バッファ部７４０、同期部７５０、データ報告部７６０を有する。バッファ部７４０は、バッファ［０］、バッファ［１］…バッファ［ｎ］というように複数のバッファを持ちうる。同期部７５０は複数のタイマＡ、タイマＢ、…タイマｎを備える。装置データ保存部７７０はＣＵ７００内のメモリにより実現される。以下、各機能構成の処理プロセスを説明する。

（２−３）データ受信部
データ受信部７３０は、時刻データを必要に応じて整形し、バッファ部７４０へ渡す。例えば、ＭＣ３００やＯＵ４００を介したデータは、時刻データを伴う可変長フォーマットで形成される。

（２−４）バッファ部
バッファ部７４０は整形されたデータを一時的に格納する。バッファ部７４０へ送られてくるデータの種類には、例えば、種々の制御データを含む装置モニタデータ、イベントデータ、例外データ、後述する内部タイマによる空データ等がある。尚、本実施の形態では、図１０に示すように、収集時刻順に従ったバッファ内の適切な位置に挿入する。
また、データが受信されない場合でも、バッファ内に滞留するデータが正しく処理されるよう、収集ユニットＣＵ７００内部で時刻だけを扱う空データを定期的（例えば０．５秒毎）にバッファ内部へ追加していく。この空データ追加処理はバッファに設けた内部タイマにより行う。定期的な時間は、短すぎるとシステム負荷やバッファ容量増加につながり、また長すぎると後に説明するデータ報告頻度が少なくなる場合があるので、それらを考慮した適切な値を把握して設定する必要がある。

ここで、バッファは一定時間分、データを保持する能力を持つ。この一定時間Ｔ_Ｂは、ＭＣ３００等でデータが収集されてからＣＵ７００に送られるまでの最大遅延時間を想定したものとしている。一定時間Ｔ_Ｂは、例えば最大遅延時間を３秒とした場合＋αとして１秒、計４秒を想定する。最大遅延時間はシステムの持つ能力により異なるため、適切な値を把握して設定する必要がある。システム内部の遅延時間はこのバッファにより吸収する。つまり、本実施の形態におけるシステム内のデータ遅延時間の最大値が、このバッファ長により決定される。本実施の形態においては、一定時間Ｔ_Ｂ（４秒）遅れになるが、データは時刻データ順に整然と並び換えることができる。従い、上位コンピュータにおけるデータ解析の信頼性が向上する。尚、この時刻による並び換える機能は上位コンピュータに備えても良い。

図１１に示すように、時間によるバッファ長（４秒）を点線で示す。バッファ内のデータの保持能力が一杯のとき、黒四角で示す新データが受信されてバッファ内へ挿入されると、バッファの保持能力の一定時間Ｔ_Ｂを超えるため、白抜きの丸印で示すデータのうち新しく追加されたデータ（黒四角）からＴ_Ｂ時間を越える分の古いデータが、バッファから出力されて（黒丸）同期部７５０に送られる。

（２−５）データ受信フロー
図１２に、バッファ部７４０によるデータ受信の概念フローを示す。
制御プログラムのバッファ部７４０は、データを受信するとその受信データをバッファヘ挿入し（ステップ２８０）、バッファ範囲外データをフラッシュする（ステップ２９０）。ステップ２８０では、複数のバッファ検索、新規のバッファ作成、及びバッファへのデータ挿入処理が実行される。ここで、バッファ範囲外データとは、バッファ内で管理す
る一定時間Ｔ_Ｂを超えたデータのことをいう。また、本実施の形態におけるフラッシュとは、同期部へデータを渡し、所定の送信先へデータを送信（送出）することをいう。
以下、上述した「受信データをバッファへ挿入」と、「バッファ範囲外データをフラッシュ」について具体的に説明する。

（２−６）受信データをバッファへ挿入
図１３を用いて、バッファ部７４０が実行するテップ２８０（図１２）の挿入内容を具体的に説明する。
カウンタｉにバッファ数ｎをセットする（ステップ２８１）。ｎの初期値は“０”である。ｎをセット後、ｉ＝０か否か判断し（ステップ２８２）、ｉ＝０であれば、新しいバッファを作成し、カウンタｉに“ｎ”をセットし、ｎに“ｎ＋１”をセットし（ステップ２８６）、後述する挿入ステップ２８５へ進む。ｉが“０”でなければ、“ｉ−１”をカウンタｉにセットする（ステップ２８３）。この場合、ｉの値の大きなものは、最後に作成したバッファから検索する。“ｉ−１”をセット後、受信データ時刻に基づいてバッファ［ｉ］に挿入可能か否か判断し（ステップ２８４）、不可能であればステップ２８２に戻る。可能であれば、受信データをバッファ［ｉ］へ挿入して（ステップ２８５）、挿入フローを終了する。

上記ステップ２８４について、一点鎖線で囲った挿入可能確認処理内容を示す説明図を用いて具体的に説明する。
新規の受信データ（黒四角）の収集時刻Ｔ_Ｒがｘｘ：ｘｘ：ｘｘ．ｘｘであるとする。バッファの持つデータ保持能力を示す一定時間がＴ_Ｂ＝４秒であることから、この受信データ収集時刻Ｔ_Ｒｘｘ：ｘｘ：ｘｘ．ｘｘが、バッファ内の最新データ収集時刻Ｔ_Ｌに対して、その収集時刻Ｔ_Ｌの４秒前に収まっているか、又はその収集時刻Ｔ_Ｌより４秒以上経過していなければ、バッファに挿入可能と判断する。すなわち、受信データ収集時刻Ｔ_Ｒが、
Ｔ_Ｒ≧Ｔ_Ｌ−４
Ｔ_Ｌ＋４＞Ｔ_Ｒ
の範囲にあるかをバッファ部７４０は判断し、その範囲内にある場合、バッファに挿入可能と判断する。

例えば、最新バッファ［ｎ−１］内の最新データ（黒丸）が、
Ｔ_Ｌ＝１０：００：００．００だった場合、
Ｔ_Ｌ−４＝１０：００：００．００−００：００：０４．００＝０９：５９：５６．００Ｔ_Ｌ＋４＝１０：００：００．００＋００：００：０４．００＝１０：００：０４：００となるから、新規の受信データはその収集時刻Ｔ_Ｒが０９：５９：５６．００〜１０：００：０３．５９の範囲内の場合、バッファ部７４０は、バッファ［ｎ−１］に挿入可能と判断する。受信データ収集時刻Ｔ_Ｒｘｘ：ｘｘ：ｘｘ．ｘｘが、バッファ内最新データの収集時刻１０：００：００．００より遅ければ、受信データ（黒四角）はバッファ内最新データ（黒丸）より後のバッファ（長さ４秒）に挿入される。バッファ内最新データ（黒丸）の収集時刻１０：００：００．００より早ければ、受信データ（黒四角）はバッファ内最新データ（黒丸）より前のバッファ（長さ４秒）に挿入される。このように、バッファヘのデータ挿入可能確認処理では、最新データに対して４秒前から４秒後までの範囲が含まれるため、各バッファの最新データに対してバッファヘのデータ挿入可能範囲は２×Ｔ_Ｂ（４秒）の幅を持つ。すなわち、バッファへの格納処理では、各バッファ分の２×Ｔ_Ｂ時間で格納可否を判定している。

なお、受信データ収集時刻Ｔ_Ｒが１０：００：０４：００だった場合、各バッファ分の時間２×Ｔ_Ｂ＝８秒を超えるため、新たなバッファ［ｎ］を作成する。

ところで、バッファヘのデータ挿入可能確認処理では、各バッファの最新データに対してバッファは２×Ｔ_Ｂの幅持っているため、バッファ間で管理する時間にダブりが生じる可能性がある。そこで、本実施の形態では、バッファ間で管理する時間にダブりが生じないように、つぎの（Ａ）、（Ｂ）で説明するようにしてデータ間の時間的な重なりを排除している。

（Ａ）新しいバッファが時間的に新しい場合の処理例
図１４を用いて説明する。なお、図１４における丸数字は、便宜上（）付の数字で示す。後述する図１５、図１８においても同様とする。
バッファ［ｉ］のデータ（１）が最新の状態で、データ（２）を受信したとする。この収集時刻が、データ（１）の収集時刻＋Ｔ_Ｂより新しい時、バッファ［ｊ］を作成し、そのバッファ［ｊ］にデータ（２）を格納する。その後データ（３）〜（８）はバッファ［ｊ］内のデータ（２）より前（収集時刻が古い）に格納されたとする。この場合、データ（７）と（８）はバッファ［ｉ］の格納可能範囲にあったとしても、バッファ［ｊ］への格納処理を優先させる。その後データ（９）を受信したとする。このデータ（９）の収集時刻がバッファ［ｊ］内のデータ（２）の収集時刻−Ｔ_Ｂより古く、バッファ［ｉ］の（１）の収集時刻より新しい収集時刻だった場合、バッファ［ｉ］に格納される。このケースでは、重なり部分のデータは全て新しいバッファ［ｊ］へ格納するので、データ管理上の矛盾は生じない。

（Ｂ）新しいバッファが時間的に古い場合の処理例
図１５を用いて説明する。
バッファ［ｉ］のデータ（１０）が最新の状態で、データ（１１）を受信したとする。この収集時刻が、データ（１０）の収集時刻−Ｔ_Ｂより古い時、バッファ［ｊ］を作成し、このバッファ［ｊ］にデータ（１１）を格納する。その後、データ（１２）〜１６）はバッファ［ｊ］内のデータ（１１）より後（収集時刻が新しい）に格納されたとする。この場合、データ（１６）はバッファ［ｉ］の格納可能範囲にあったとしても、バッファ［ｊ］への格納処理を優先させる。このケースでは、バッファ［ｉ］のデータ（３）、（４）がバッファ［ｊ］のデータ（１６）と時間的に重なる位置に格納されており、データ管理上の不整合のように見える。しかし、実際にデータ（１６）は時間的に新たに受信したデータであり、古くに受信したデータ（３）や（４）がフラッシュされた後、Ｔ_Ｂ程度の時間が経過した後にデータ（１６）をフラッシュすることになる。また次項で説明するが、フラッシュ処理では、全バッファトータルでＴ_Ｂ時間分のデータを残し、それ以上のデータはフラッシュする。よって上記のようなデータ間の時間的な重なりは、常に排除しながら管理される。したがって、データ管理上の不整合は起こらない。

（２−７）バッファ範囲外データをフラッシュ
図１６を用いて、バッファ部７４０が実行するステップ２９０（図１２）のフラッシュ内容を具体的に説明する。
カウンタｉにバッファ数ｎ−１を設定する（ステップ３２１）。設定後、バッファ［ｉ］…［０］それぞれのデータ時刻幅のトータルが、Ｔ_Ｂ秒以上となるデータが有るか否か判断し（ステップ３２２）、否の場合、フラッシュすることなく終了する。そのようなデータが有りの場合はバッファ［０］から［ｎ−２］の順にＴ_Ｂ秒以上のデータをフラッシュして（ステップ３２３）、終了する。ステップ３２３では、ｉの値の小さなもの、すなわち古いバッファから処理する。［０］が最も古いバッファとなる。

次に、上記フラッシュにおけるバッファ管理の時間的範囲について説明する。
まず、図１７を用いて第１の具体例を説明する。
図１７に示すように、バッファが３つ（［０］〜［２］）存在する状態を想定し、バッファ［０］内の最新データと最古データ間の時間幅が１秒、バッファ［１］が同様に２秒
、バッファ［２］が同様に１．５秒だったとする（バッファ内最新データの収集時刻１０：００：００．００、バッファ内の最古データの収集時刻０９：５９：５８．５０）。この場合、バッファトータルのデータ時間は４．５秒となり、最も古いバッファ［０］に、Ｔ_Ｂ＝４秒にくらべて０．５秒間分はみだすデータがあることになる。このはみだしたデータを黒四角で示すが、これがフラッシュ対象となる。

前述したバッファへの格納処理では、各バッファ２×Ｔ_Ｂ時間で格納可否を判定していたが、ここではバッファトータルでＴ_Ｂ時間を管理する。こうする事で、バッファトータルの管理時間Ｔ_Ｂを維持し、同期部７５０へのデータ送出を途切れなく継続することが可能となる。

また、図１８を用いて第２の具体例を説明する。図１８に示す具体例では、図１５と同様にバッファは２つしか存在しないとする。バッファ［ｉ］＝バッファ［０］の管理時間範囲をＴ_０、バッファ［ｊ］＝バッファ［１］の管理時間範囲をＴ_１とすると、この「バッファ範囲外データをフラッシュ」する処理を行う直前では、
Ｔ_０≦２×Ｔ_Ｂ
Ｔ_１≦２×Ｔ_Ｂ
となっている。
ここで、図１６、図１７を用いて説明したフラッシュ処理を施すと、
バッファ［０］で残せるデータ時間は、
Ｔ_０’＝Ｔ_Ｂ−Ｔ_１
となり、（Ｔ_０−Ｔ_０’）時間分のデータ（ここではデータ（３）と（４））が押し出される事になる。バッファ［１］を作成することになったデータ（１１）の時刻データを考慮すると、データ（１０）と（１１）の時間範囲がＴ_Ｂ以上であるため、データ（１６）のような前のバッファと時間的に重なるデータが入ってきた場合、それらの古いデータ（３）や（４）がフラッシュ対象となる。

先に、受信データが来なくなった場合でも、バッファ内のデータが正しく処理されるよう、一定時間毎（例０．５秒毎）に空データを追加するとしたが、この空データの追加も上記処理フローに従う。

これら処理フローにおいて、新しい受信データの収集時刻Ｔ_Ｒが、各バッファ分の２×Ｔ_Ｂを超えていずれのバッファにも格納できない場合、新たなバッファを作成すると説明した。通常、新たなバッファを作成するのは、時刻に変化があった場合であり、すべてのユニットが一定時間Ｔ_Ｂ（４秒）以内に時刻同期すれば、バッファ数はたかだか２個にしかならない。もしバッファ数が３個以上となる場合、Ｔ_Ｂ時間の見直しをしても良いが、基本的にはユニット間の時刻同期およびデータ伝送処理遅延に関して、改善を行うことが好ましい。

また、図２４を用いて第３の具体例を説明する。図２４の方式では、データを直接バッファ内に蓄えるのではなく、同一時刻（同一の時刻データ）を持つデータをリストで管理し、バッファはその時刻データのリストを管理する。これは、ＭＣ３００が同一時刻に複数のデータを収集するため、データの持つ時刻も同一のものが複数存在するためである。このように、図２４に示すように、バッファ部７４０におけるデータの格納を工夫することにより、上述の到着したデータに付随する時刻とバッファ内のデータに付随する時刻を逐次的に比較検索して、挿入場所を特定する挿入処理よりも、更に効率的な挿入処理が行えるという利点がある。

例えば、同一時刻のデータが複数並んでいる場合、上述したバッファ部７４０の格納では、わざわざ各データの時刻を逐次比較するため、非効率である。ここで、第３の具体例
では、図２４に示すように、バッファ部７４０の格納を時刻リストにした場合、データ付随データ（時刻データ）とバッファ内のリスト管理時刻と比較する事になり、同一時刻データの冗長性を排除することができる。更に、データの検索時に、二分検索を行う事で逐次検索より効率よく検索が実施できる。

（２−８）同期部
同期部７５０は、モニタデータ保存領域更新のタイミングとトレースデータ収集のタイミングを、ＣＵ７００のシステム時刻とは関係なく、代わりに同期部７５０の内部に搭載したシステム時刻（同期化時刻）で同期させるモジュールである。以下、この同期部７５０のプロセスを図１９を用いて説明する。

図１９に示すように、同期部７５０はタイマにより起動し、バッファ部７４０より送られたデータｎがあった場合、同期部７５０はそのデータの時刻（１０：００：００．７００）をチェックする。このチェックでは、その時刻（１０：００：００．７００）と、同期部７５０内部のシステム時刻（同期化時刻（１０：００：００．０００））との間に、同期部７５０内部にあるどのタイマＡ（０．２５秒）、Ｂ（０．５秒）、Ｃ（１．０秒）、Ｄ（２．０秒）…がタイミングを発生できるかどうか調べる。なお、データｎの“ｎ”はデータの名前であって、例えば、温度とか圧力を意味する。また、タイマＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…は報告データの時間間隔となる。

図示例の場合、同期化時刻（１０：００：００．０００）とデータｎの時刻（１０：００：００．７００）との間にあるタイマＡとＢが処理可能なので、タイマＡ、Ｂの順でタイマ処理を発生させる。タイマはＤＣＰ（Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ Ｐｌａｎ）のトレース等に結びついており、その発生タイミングでデータ収集やデータ送信を行う。ＤＣＰとは、クライアントが所望のデータの収集や設定を行うために定義するプランであって、ＤＣＰにはトレースデータやイベント、例外処理などのあらゆる番号や組合せ情報、頻度などが記載されている。

図２０に示すように、同期部７５０で処理可能なすべてのタイマを発生させた後、同期化時刻をデータｎの時刻（１０：００：００．７００）に更新し、新しいデータｎ（１０：００：００．７００）を装置データ保存部７６０の、１つ前のデータｎ（０９：５９：５９．２００）の上に書き込む。

（２−９）データ報告部
図２１に示すように、データ報告部７７０は、先の同期部７５０で処理可能となったタイマＡ、Ｂ、…ｎにより起動される。タイマはＩＤ等により関連するＤＣＰを識別できる。ＤＣＰ（ＤＣＰ１、ＤＣＰ２、…ＤＣＰｎ）はＩＤ（ＤＣＰ１、ＤＣＰ２、…ＤＣＰｎ）を持つので、このＩＤをタイマ側に持たせると、同じＩＤを持つＤＣＰを区別できるからである。データ報告部７７０はＤＣＰに記述してある必要なデータを装置データ保存部７６０より収集し、報告データを作成・送信する。
以上で報告に必要なデータは集まったので、ＣＵ７００の制御部７１０内の送信キューに入れることでＣＵ７００から通常のネットワーク９００を介してＤＢ８００への送信が可能となる。

以上、バッファを使ったプロセスを説明した。この処理方式では一見ＤＢ８００等への報告するタイミングが不正確に行われるように見えるが、報告データに記載される作成の時刻はＤＣＰで要求された時間間隔に正確に従ったものとなる。したがって、最終的にＤＢ８００内のデータを分析する際には、まさに装置システム内部の個々の収集時刻に従った正確な時刻のデータを矛盾なく取得する事ができる。

（２−１０）パッキングデータ
前述した通り、装置システムには高精度でのデータ収集が求められているが、その解決手法の一つとして、あるデータに関する一定時間分のデータを一まとめにしたパッキングデータを扱う事は容易に想定できる所である。本実施の形態によれば、パッキングデータもバッファ内部にそれぞれの収集時刻に従った位置に挿入する事で、ＤＢへの報告用のデータを矛盾無く作成し、このデータを報告する事が可能となる。

以下に、これを具体的に説明する。
図２２に、プロセスモジュール圧力に関する０．１秒間隔で１０個一まとめにした１秒間のデータをパッキングしたデータ例を示す。図２３に、バッファ部７４０によって実行される、このようなパッキングデータと、非パッキングデータとが混在する場合のデータ受信フローを示す。バッファ部７４０は、受信したデータからパッキングするデータ数ｎを取得し、図１２の処理２８０を行いバッファ内にデータを挿入する。データ挿入後、カウンタｉを１つ増やす。そして、カウンタｉが、受信データから取得したパッキングデータ数ｎと等しいかそれ以上に達したら図１２の処理２９０を行い、バッファ範囲外データをフラッシュする。

（２−１１）本実施の形態の効果
本実施の形態によれば、各種データの発生時刻を管理することが可能となるため、収集した各データ間で発生した時刻差を合致させることできる。従い、半導体製造装置側で生成される高精細・高頻度なデータを適切に半導体製造装置工場側へ送信することが可能となる。また、レシピの終了時やキャリアとしてのＦＯＵＰの搬入出時などイベントデータが同時に発生する場合、この同時に発生した複数のイベントデータを同時に送信することができずに、最初のイベントデータに比べ最後のイベントデータは送信待ちが発生するため、時刻差が生じる。更に、これら各イベントデータを送信中に制御データの送信が発生した場合などは時刻差が大きくなってしまう。このような場合でも、本実施の形態におけるデータ管理により適切なデータを提供することができる。また、半導体製造工場側のシステムで基板処理時に収集されるデータの解析（例えば、やＤＢ８００に蓄積されるデータ）を行う際に、時刻差が管理されたデータを利用することができるので、データ解析（例えば、異常発生の原因追究やデータ異常の要因調査）の精度が向上する。

なお、上述した第１及び第２の実施の形態では、いずれも基板処理を成膜処理としたが、成膜処理には、例えばＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理が含まれる。さらに、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理などの処理でも構わない。また、基板処理装置が縦型装置である場合について説明したが、枚葉装置にも適用できる。更に、基板処理装置には、半導体製造装置の他に、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置なども含まれる。
また、本実施の形態では、報告先であるＤＢ等のクライアントシステムは、基板処理装置と同様のフロア（クリーンルーム）に配置する必要はなく、例えば、ＬＡＮ接続された事務所に配置されてもよい。

以下に、本発明の好ましい態様を付記する。

複数の部品で構成される基板処理装置と、該基板処理装置を時間と各部品を規定する制御手順を定めたものにより制御する制御手段と、前記各部品からデータを収集する収集ユニットとを備え、前記収集ユニットは、前記収集されたデータを一時的に格納するバッファを少なくとも含み、添付される時刻データに基づいて、時系列に前記バッファ内に格納されるデータを並べ換える手段を有する基板処理システム。

前記データを収集する際に所定の期間、前記データが前記複数の部品から生成されない
場合、前記収集ユニットは、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納することが好ましい。

複数の部品で構成される基板処理装置と、基板処理を行うために各部品を規定する手順を定めたものを制御する制御手段と、該制御手段から各部品で生成されるデータを収集する収集ユニットを備えた基板処理システムにおけるデータ管理方法であって、前記収集ユニットは、収集したデータを添付される時刻データに基づいて、時系列に格納するデータ管理方法。

各部品を規定する手順を定めたものを実行する際に生成されるデータを収集する収集ユニットを備え、前記収集ユニットは、収集したデータを添付される時刻データに基づいて、時系列に格納するデータ管理装置。

各部品を規定する手順を定めたものを実行する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記実行中に生成されるデータを収集する収集ユニットを備え、前記収集ユニットは、収集したデータを添付される時刻データに基づいて、時系列に格納する基板処理装置。

尚、本実施の形態において、更に、以下の付記に記した内容を含む。

（付記１）
基板処理装置を構成する各部品からデータを収集する収集ユニットを設け、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換える基板処理装置の制御システム。

（付記２）
前記収集ユニットは、所定の期間、前記データが前記バッファに格納されない場合、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納する付記１の基板処理装置の制御システム。

（付記３）
複数の部品で生成されるデータが収集される操作部を設け、前記収集ユニットは、前記操作部から送信されるデータに添付される時刻データ順に、前記データを前記バッファ内に格納する付記１の基板処理装置の制御システム。

（付記４）
複数の部品で生成されるデータが収集される操作部と、前記基板処理装置を基板に所定の処理を付与するためのファイルを実行することにより前記各部品を動作させて制御する制御部を設け、前記各部品で生成されたデータを受信したときに前記操作部や前記制御部のそれぞれにおいて添付される時刻データに基づいて、前記収集ユニットは、前記操作部から送信される前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納する付記１の基板処理装置の制御システム。

（付記５）
前記制御部は、前記基板に所定の基板処理を制御する第一の制御部と、前記基板に所定の基板搬送を制御する第二の制御部を設け、前記第一の制御部や前記第二の制御部のそれぞれにおいて添付される時刻データに基づいて、前記収集ユニットは、前記操作部から送信される前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納する付記４の基板処理装置の制御システム。

（付記６）
前記バッファ内に格納するデータを保持する能力は、前記制御部でデータが収集されてから前記収集ユニットに送られるまでの最大遅延時間により決定される付記４の基板処理装置の制御システム。

（付記７）
前記バッファ内に格納するデータは、種々の制御データを含む装置モニタデータ、イベントデータ、例外データである付記１乃至付記６のいずれか一つの基板処理装置の制御システム。

（付記８）
各部品からデータを収集する収集ユニットであって、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換える収集ユニット。

（付記９）
各部品からデータを収集する収集ユニットを有する基板処理装置であって、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換える基板処理装置。

（付記１０）
各部品からデータを収集する収集ユニットを有する基板処理装置の制御方法であって、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換える基板処理装置の制御方法。

（付記１１）
基板処理装置を構成する各部品からデータを収集する収集ユニットと、各部品で生成されるデータが収集される操作部とを設け、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記操作部から送信される前記データに添付された時刻データに基づいて、前記バッファ内で時系列に前記データを並べ換える基板処理装置の制御システム。

（付記１２）
基板処理装置を構成する各部品からデータを収集する収集ユニットと、前記基板処理装置を基板に所定の基板処理を付与するためのファイルを実行することにより前記各部品を動作させて制御する制御部とを設け、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記制御部から送信される前記データに添付された時刻データに基づいて、前記バッファ内で時系列に前記データを並べ換える基板処理装置の制御システム。

（付記１３）
前記制御部は、前記基板に所定の基板処理を制御する第一の制御部と、前記基板に所定の基板搬送を制御する第二の制御部を設け、前記収集ユニットは、前記第一の制御部や前記第二の制御部が前記データに添付した時刻データに基づいて、前記バッファ内で時系列に前記データを並べ換える付記１１の基板処理装置の制御システム。

（付記１４）
前記制御部は、前記ファイルを実行することにより前記各部品を動作させて前記基板に所定の基板処理中に前記収集ユニットへ前記データを送信し、前記収集ユニットは、前記
制御部が添付した時刻データに基づいて、前記バッファ内で時系列に前記データを並べ換える付記１１の基板処理装置の制御システム。

（付記１５）
各部品からデータを収集する収集ユニットであって、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファ部と、複数のタイマが設定されている同期部と、複数のプランを有するデータ報告部で構成され、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換え、前記時刻データと前記タイマより時間を同期させ、前記データを前記プランに沿った形式で報告する。

（付記１６）
複数の部品で構成される基板処理装置を制御して基板を処理する処理工程と、前記基板を処理する際に各部品からデータを生成する生成工程と、生成された前記データを収集する収集工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記収集工程では、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換える半導体装置の製造方法。

１００ 基板処理装置
２００ ウェハ（基板）
２０６ ヒータ（部品）
２４１ ＭＦＣ（部品）
２４２ バルブ（部品）
３００（３００Ａ、３００Ｂ） モジュールコントローラ（制御手段）
４００ オペレーションユニット（端末装置）
７００ コレクションユニット（収集ユニット）

Claims (15)

1. 処理装置を構成する各部品で生成されるデータが収集される操作部と、所定の処理を付与するために前記各部品を動作させて制御する制御部と、を設けたコントローラと、
   前記各部品から前記コントローラを介して前記データを収集する収集ユニットと、を備え、
   前記収集ユニットは、
   前記収集されたデータを一時的に格納するバッファと、
   前記データに添付される時刻データに基づいて、時系列に並べ換える手段と、を含み、
   前記各部品で生成されたデータを前記コントローラを介して受信したときに、前記操作部や前記制御部のそれぞれにおいて添付される時刻データに基づいて、前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納し、
   前記データが前記バッファに所定の期間格納されない場合、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納する処理システム。
2. 前記制御部は、基板に所定の基板処理を制御する第一の制御部と、前記基板に所定の基板搬送を制御する第二の制御部を更に設け、
   前記収集ユニットは、前記第一の制御部や前記第二の制御部のそれぞれにおいて添付される時刻データに基づいて、前記操作部から送信される前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納する請求項１の処理システム。
3. 前記バッファ内に格納するデータを保持可能な時間範囲は、前記制御部でデータが収集されてから前記収集ユニットに送られるまでの最大遅延時間により決定される請求項１の処理システム。
4. 前記バッファ内に格納するデータは、種々の制御データを含む装置モニタデータ、イベントデータ、例外データである請求項１または請求項３の処理システム。
5. 更に、前記バッファは、同一の時刻データを持つデータを管理する時刻リストを設け、
   前記収集ユニットは、前記時刻データと前記バッファ内のリスト管理時刻と比較し、一致するリスト内に前記データを格納する請求項１の処理システム。
6. 前記バッファ内で保持されるデータの所定時間範囲は、前記時刻リストの一番古いリストと一番新しいリストの時刻差で決定される請求項５の処理システム。
7. 前記時刻リストは、複数のデータが格納可能に構成される請求項５の処理システム。
8. 更に、前記バッファは、前記コントローラを介して収集される際に生じる遅延時間を吸収するために、収集されたデータを一定時間格納するように構成され、
   前記収集ユニットは、前記収集されたデータの収集時刻が、前記バッファ内の最新データ収集時刻から前記一定時間内の範囲に収まっていれば、前記バッファに格納し、前記範囲に収まっていなければ、新しいバッファを作成し、そのバッファに格納する請求項１の処理システム。
9. 前記収集ユニットは、前記一定時間を超えた場合、最も古いバッファ内に格納されたデータを同期部に送信すると共に、前記バッファ内から前記データを削除する請求項８の処理システム。
10. 更に、前記収集ユニットは、前記バッファ内に格納されたデータを報告する手段を有し、
    前記収集ユニットは、前記空データを含むデータを報告対象とする請求項１の処理システム。
11. 基板処理装置を構成する各部品で生成されるデータが収集される操作部と、
    基板に所定の基板処理を付与するために前記各部品を動作させて制御する制御部と、
    前記各部品から前記操作部を介して前記データを収集する収集ユニットと、を有する基板処理装置であって、
    前記収集ユニットは、
    前記収集されたデータを一時的に格納するバッファと、
    前記データに添付される時刻データに基づいて、時系列に並べ換える手段と、を含み、
    前記各部品で生成されたデータを受信したときに、前記操作部や前記制御部のそれぞれにおいて添付される時刻データに基づいて、前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納し、
    前記データが前記バッファに所定の期間格納されない場合、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納する基板処理装置。
12. 処理装置を構成する各部品で生成されるデータが収集される操作部と、所定の処理を付与するために前記各部品を動作させて制御する制御部と、を設けたコントローラと、
    前記各部品から前記コントローラを介して前記データを収集する収集ユニットと、を備えた処理システムのデータ処理方法であって、
    前記収集ユニットは、
    前記収集されたデータを一時的に格納するバッファと、
    前記データに添付される時刻データに基づいて、時系列に並べ換える手段と、を含み、
    前記各部品で生成されたデータを前記コントローラを介して受信したときに、前記操作部や前記制御部のそれぞれにおいて添付される時刻データに基づいて、前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納し、
    前記データが前記バッファに所定の期間格納されない場合、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納する処理システムのデータ処理方法。
13. 各部品で生成されるデータが収集される操作部を設けたコントローラを介して収集されたデータを一時的に格納するバッファと、前記データに添付される時刻データに基づいて時系列に並べ換える手段と、を含み、各部品からデータを収集する収集ユニットであって、
    前記各部品で生成されたデータを、前記コントローラを介して受信したときに、前記操作部において添付される時刻データに基づいて、前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納し、
    前記データが前記バッファに所定の期間格納されない場合、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納する収集ユニット。
14. 各部品で生成されるデータが収集される操作部を設けたコントローラを介して収集されたデータを一時的に格納するバッファと、前記データに添付される時刻データに基づいて時系列に並べ換える手段と、を含み、各部品からデータを収集する収集ユニットで実行されるプログラムを読み取り可能に記録する記録媒体あって、
    前記各部品で生成されたデータを、前記コントローラを介して受信したときに、前記操作部において添付される時刻データに基づいて、前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納する手順と、
    前記データが前記バッファに所定の期間格納されない場合、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納する手順と、
    を少なくとも有するプログラムを読み取り可能に記録する記録媒体。
15. 基板処理装置を構成する各部品で生成されるデータを収集するデータ収集工程と、
    前記各部品を動作させて基板に所定の処理する基板処理工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
    前記データ収集工程は、
    前記各部品で生成されたデータを受信したときに、前記制御部において添付される時刻データに基づいて、送信される前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納する手順と、
    前記データが前記バッファに所定の期間格納されない場合、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納する手順と、を含み、
    前記データ収集工程は前記基板処理工程と並行して実行される半導体装置の製造方法。

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