JP5753749B2 - インプリント用硬化性組成物の製造方法 - Google Patents
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Description
より詳しくは、半導体集積回路、フラットスクリーン、マイクロ電気機械システム(MEMS)、センサ素子、光ディスク、高密度メモリーディスク等の磁気記録媒体、回折格子やレリーフホログラム等の光学部品、ナノデバイス、光学デバイス、フラットパネルディスプレイ製作のための光学フィルムや偏光素子、液晶ディスプレイの薄膜トランジタ、有機トランジスタ、カラーフィルタ、オーバーコート層、柱材、液晶配向用のリブ材、マイクロレンズアレイ、免疫分析チップ、DNA分離チップ、マイクロリアクター、ナノバイオデバイス、光導波路、光学フィルター、フォトニック液晶、等の作製に用いられる光照射を利用した微細パターン形成のためのインプリント用硬化性組成物の製造方法に関する。
第一の技術としては、成型した形状(パターン)そのものが機能を持ち、様々なナノテクノロジーの要素部品、または、構造部材として応用できる場合である。例としては、各種のマイクロ・ナノ光学要素や高密度の記録媒体、光学フィルム、フラットパネルディスプレイにおける構造部材などが挙げられる。
第二の技術としては、マイクロ構造とナノ構造との同時一体成型や、簡単な層間位置合わせにより積層構造を構築し、これをμ−TAS(Micro - Total Analysis System)やバイオチップの作製に応用しようとするものである。
第三の技術としては、形成されたパターンをマスクとし、エッチング等の方法により基板を加工する用途に利用されるものである。かかる技術では高精度な位置合わせと高集積化とにより、従来のリソグラフィ技術に代わって高密度半導体集積回路の作製や、液晶ディスプレイのトランジスタへの作製、パターンドメディアと呼ばれる次世代ハードディスクの磁性体加工等に応用できる。前記の技術を始め、これらの応用に関するナノインプリント法の実用化への取り組みが近年活発化している。
近年、半導体集積回路は微細化、集積化が進んでおり、その微細加工を実現するためのパターン転写技術としてフォトリソグラフィ装置の高精度化が進められてきた。しかし、さらなる微細化要求に対して、微細パターン解像性、装置コスト、スループットの3つを満たすのが困難となってきている。これに対し、微細なパターン形成を低コストで行うための技術としてナノインプリントリソグラフィ(光ナノインプリント法)が提案された。例えば、下記特許文献1および3にはシリコンウエハをスタンパとして用い、25nm以下の微細構造を転写により形成するナノインプリント技術が開示されている。本用途においては数十nmレベルのパターン形成性と基板加工時にマスクとして機能するための高いエッチング耐性とが要求される。
HDDは、ヘッドの高性能化とメディアの高性能化とを両輪とし、大容量化と小型化との歴史を歩んできた。HDDは、メディア高性能化という観点においては、面記録密度を高めることで大容量化を達成してきている。しかしながら記録密度を高める際には、磁気ヘッド側面からの、いわゆる磁界広がりが問題となる。磁界広がりはヘッドを小さくしてもある値以下には小さくならないため、結果としてサイドライトと呼ばれる現象が発生してしまう。サイドライトが発生すると、記録時に隣接トラックへの書き込み生じ、既に記録したデータを消してしまう。また、磁界広がりによって、再生時には隣接トラックからの余分な信号を読みこんでしまうなどの現象が発生する。このような問題に対し、トラック間を非磁性材料で充填し、物理的、磁気的に分離することで解決するディスクリートトラックメディアやビットパターンドメディアといった技術が提案されている。これらメディア作製において磁性体あるいは非磁性体パターンを形成する方法としてナノインプリントの応用が提案されている。本用途においても数十nmレベルのパターン形成性と基板加工時にマスクとして機能するための高いエッチング耐性とが要求される。
LCD基板やPDP基板の大型化や高精細化の動向に伴い、薄膜トランジスタ(TFT)や電極板の製造時に使用する従来のフォトリソグラフィ法に代わる安価なリソグラフィとして光ナノインプリント法が、近年注目されている。そのため、従来のフォトリソグラフィ法で用いられるエッチングフォトレジストに代わる光硬化性レジストの開発が必要になってきている。さらにLCDなどの構造部材としては、下記特許文献4および特許文献5に記載される透明保護膜材料や、あるいは下記特許文献5に記載されるスペーサなどに対する光ナノインプリント法の応用も検討され始めている。このような構造部材用のレジストは、前記エッチングレジストとは異なり、最終的にディスプレイ内に残るため、“永久レジスト”、あるいは“永久膜”と称されることがある。
また、50〜300nmピッチの微小パターンからなる反射防止構造体も注目されており、このパターン形成にもナノインプリント法は有用である。このような反射防止構造体は、モスアイと呼ばれる微小ドットパターンに代表され、ディスプレイ表面の反射防止、太陽電池の光高効率利用、LED、有機EL発光素子の光取り出し効率向上に有効である。これら用途においては形成されたパターンが最終的に製品に残り、且つ物品の最外部に配置されることが多いため、耐熱性、耐光性、耐溶剤性、耐擦傷性、外部圧力に対する高い機械的特性、硬度など主に膜の耐久性や強度に関する性能が要求される。
これら永久膜用途においては、形成されたパターンが最終的に製品に残るため、耐熱性、耐光性、耐溶剤性、耐擦傷性、外部圧力に対する高い機械的特性、硬度など主に膜の耐久性や強度に関する性能が要求される。
このように従来フォトリソグラフィ法で形成されていたパターンのほとんどがナノインプリントで形成可能であり、安価に微細パターンが形成できる技術として注目されている。
すなわち、インプリント用硬化性組成物中に重合性を有しないポリマー不純物が異物として含まれる場合、インプリント用硬化性組成物の膜中あるいは液滴中において該不純物が占める領域が硬化反応を生じず、パターン強度の低下および基板に対する密着性の低下を引き起こす原因となりうる。
ここで、インプリント用硬化性組成物を小さい印加圧力で有効濾過面積が小さいフィルターを通過させた場合は容器に対する印加圧力の変動や容器内組成物量の変動に伴いフィルターにかかる圧力が変動することによって流速が変化した際に異物の一部がフィルターを透過してしまう一方、有効濾過面積を増大することで流速を増大させた際にも異物の透過が抑制され、上記パターン剥がれを抑制していると考えられる。
また、フィルターを透過した異物がインプリント用硬化性組成物の液中に存在することでインクジェット法によるインプリント用硬化性組成物の基板への適用の際の目詰まりによる吐出不良抑制や経時によるパーティクル発生の核になると考えられるが、本発明の製造方法を用いることで同時にこれらの不良をも抑制することができることがわかった。
具体的には、下記手段により、上記課題を解決しうることを見出すに至った。
(2)(A)重合性単量体および(B)重合開始剤を含有する硬化性組成物を、200cm2以上の有効濾過面積を有するフィルターを少なくとも2回通過させる工程を有することを特徴とするインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(3)後に通過させるフィルターの方が、孔径が小さいことを特徴とする、(2)に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(4)前記フィルターを通過させる工程における印加圧力が0.5MPa以下である、(1)〜(3)のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(5)前記フィルターのうち、少なくとも1種類の孔径が0.1μm以下である、(1)〜(4)のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(6)前記フィルターの孔径が、いずれも、0.1μm以下である、(1)〜(4)のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(7)前記フィルターのうち、少なくとも1種類がフッ素樹脂系フィルターまたはポリエチレン系フィルターであることを特徴とする、(1)〜(6)のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(8)前記フィルターのうち、少なくとも1種類が、メンブレンフィルターをプリーツ状に加工したフィルターカートリッジであることを特徴とする、(1)〜(7)のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(9)前記重合性単量体(A)が芳香族構造および/または脂環炭化水素構造を有する重合性単量体であることを特徴とする、(1)〜(8)のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(10)前記インプリント用硬化性組成物が、フッ素原子とシリコン原子のうち少なくとも一方を有する重合性単量体を含有することを特徴とする、(1)〜(9)のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(11)前記硬化性組成物が溶剤を実質的に含まないことを特徴とする、(1)〜(10)のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(12)前記硬化性組成物の25℃における粘度が5〜50mPa・sであることを特徴とする、(1)〜(11)のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
(13)(1)〜(12)のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法によって、インプリント用硬化性組成物を調製する工程と、該インプリント用硬化性組成物を、基材上に適用する工程と、該インプリント用硬化性組成物にモールドを圧接する工程と、光を照射する工程と、を含むパターン形成方法。
(14)前記インプリント用硬化性組成物を基材上に適用する工程がインクジェット法またはスピンコート法による、(13)に記載のパターン形成方法。
(15)(1)〜(14)のいずれか1項に記載の方法を用いて製造される、インプリント用硬化性組成物。
(16)200cm2以上の有効濾過面積を有するフィルターを有する、インプリント用硬化性組成物の製造装置。
(17)(A)重合性単量体および(B)重合開始剤を含有するインプリント用硬化性組成物を、200cm2以上の有効濾過面積を有するフィルターを少なくとも1回通過させる手段を有することを特徴とする、(16)に記載のインプリント用硬化性組成物の製造装置。
また、本発明でいう“インプリント”は、好ましくは、1nm〜10mmのサイズのパターン転写をいい、より好ましくは、およそ10nm〜100μmのサイズ(ナノインプリント)のパターン転写をいう。
尚、本明細書における基(原子団)の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本発明における有効濾過面積とは、濾過工程において、フィルター接液部分のうちフィルターを透過しない粒子が堆積する部分の面積を示し、通常は、濾過フィルターの表面積である。
本発明の製造方法では、フィルターを2回以上通過させることが好ましく、
2回〜10回がより好ましい。フィルターを2回以上通過させる場合、それぞれのフィルターは同じであってもよいし、異なっていても良い。フィルターを2回以上通過させることにより、異物を効率的に除去できる。
印加圧力は、より好ましくは、0.05MPa〜0.3MPaであり、さらに好ましくは、0.05MPa〜0.1MPaである。
本発明では、インプリント用硬化性組成物の平均流量が、毎分0.1L以上であることが好ましく、毎分0.1L〜3.0Lであることがより好ましい。
孔径は、0.05μm以下であることがより好ましく、0.005〜0.05μmであることがさらに好ましい。前記孔径のフィルターを通過させることでサブミクロンサイズの微細粒子や異物を除去することができ、インクジェット法による硬化性組成物の基板への適用の際に目詰まりによる吐出不良を抑制することができる。
本発明で好ましく用いることのできるエチレン性不飽和結合含有基を2つ有する2官能重合性不飽和単量体の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ(メタ)アクリレート、ジ(メタ)アクリル化イソシアヌレート、1,3−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、EO変性1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ECH変性1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、アリロキシポリエチレングリコールアクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、PO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、ECH変性ヘキサヒドロフタル酸ジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、EO変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレンオキシド(以後「PO」という。)変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ECH変性フタル酸ジ(メタ)アクリレート、ポリ(エチレングリコール−テトラメチレングリコール)ジ(メタ)アクリレート、ポリ(プロピレングリコール−テトラメチレングリコール)ジ(メタ)アクリレート、ポリエステル(ジ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ECH変性プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、シリコーンジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、EO変性トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリグリセロールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジビニルエチレン尿素、ジビニルプロピレン尿素、o−,m−,p−キシリレンジ(メタ)アクリレート、1,3−アダマンタンジアクリレートノルボルナンジメタノールジアクリレートが例示される。
フッ素原子を有する重合性単量体が有するフッ素原子を有する基としては、フロロアルキル基およびフロロアルキルエーテル基から選ばれる含フッ素基が好ましい。
前記フロロアルキル基としては、炭素数が2〜20のフロロアルキル基が好ましく、4〜8のフロロアルキル基より好ましい。好ましいフロロアルキル基としては、トリフロロメチル基、ペンタフロロエチル基、ヘプタフロロプロピル基、ヘキサフロロイソプロピル基、ノナフロロブチル基、トリデカフロロヘキシル基、ヘプタデカフロロオクチル基が挙げられる。
前記L1およびL2は、それぞれ、炭素数1〜4のアルキレン基であることが好ましい。また、前記アルキレン基は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において置換基を有していてもよい。前記m3は、好ましくは1または2である。前記pは4〜6の整数が好ましい。
フロロアルキル基としては、炭素数が2以上のフロロアルキル基であることが好ましく、4以上のフロロアルキル基であることがより好ましく、上限値としては特に定めるものではないが、20以下が好ましく、8以下がより好ましく、6以下がさらに好ましい。最も好ましくは炭素数4〜6のフロロアルキル基である。また、フロロアルキル基の少なくとも2つは、トリフロロメチル基構造を含有することが好ましい。トリフロロメチル基構造を複数有することで、少ない添加量(例えば、10質量%以下)でも本願発明の効果が発現するため、他の成分との相溶性が向上し、ドライエッチング後のラインエッジラフネスが向上する。
同様の観点から、フッ素原子を有する重合性単量体中にトリフロロメチル基構造を3つ以上含有する化合物も好ましい。より好ましくはトリフロロメチル基構造を3〜9個、さらに好ましくは4〜6個含有する化合物である。トリフロロメチル基構造を3つ以上含有する化合物としては1つの含フッ素基に2つ以上のトリフロロメチル基を有する分岐のフロロアルキル基、例えば−CH(CF3)2基、−C(CF3)3、−CCH3(CF3)2CH3基などのフロロアルキル基を有する化合物が好ましい。
炭素数2以上の連結基中に含まれる官能基としては、アルキレン基、エステル基、スルフィド基、アリーレン基、アミド基およびウレタン基の少なくとも1つを含有する基が例示され、少なくとも、エステル基および/またはスルフィド基を有することがより好ましい。炭素数2以上の連結基は、アルキレン基、エステル基、スルフィド基、アリーレン基、アミド基、ウレタン基およびこれらの組み合わせから選ばれる基が好ましい。
これらの基は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、置換基を有していても良い。
A1は好ましくはアルキレン基および/またはアリーレン基を有する連結基であり、さらにヘテロ原子を含む連結基を含有していても良い。ヘテロ原子を有する連結基としては−O−、−C(=O)O−、−S−、−C(=O)−、−NH−が挙げられる。これらの基は本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において置換基を有していても良いが、有していない方が好ましい。A1は、炭素数2〜50であることが好ましく、炭素数4〜15であることがより好ましい。
Aは(a1+a2)価の連結基であり、好ましくはアルキレン基および/またはアリーレン基を有する連結基であり、さらにヘテロ原子を含む連結基を含有していても良い。ヘテロ原子を有する連結基としては−O−、−C(=O)O−、−S−、−C(=O)−、−NH−が挙げられる。これらの基は本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において置換基を有していても良いが、有していない方が好ましい。Aは、炭素数2〜50であることが好ましく、炭素数4〜15であることがより好ましい。
R2、R3、m1、m2、m3およびnは、一般式(II)と同義であり、好ましい範囲も同義である。
a1は1〜6の整数であり、好ましくは1〜3、さらに好ましくは1または2である。
a2は2〜6の整数であり、好ましくは2または3、さらに好ましくは2である。
a1が2以上のとき、それぞれのAは同一であってもよいし、異なっていても良い。
a2が2以上のとき、それぞれのR2、R3、m1、m2、m3、m4、m5およびnは同一であっても良いし、異なっていても良い。
前記シリコン原子を有する重合性単量体が有する含シリコン官能基としては、トリアルキルシリル基、鎖状シロキサン構造、環状シロキサン構造、籠状シロキサン構造などが挙げられ、他の成分との相溶性、モールド剥離性の観点から、トリメチルシリル基またはジメチルシロキサン構造を有する官能基が好ましい。
R1は、好ましくは、水素原子またはアルキル基であり、水素原子またはメチル基が好ましく、硬化性の観点から、水素原子がさらに好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示され、フッ素原子が好ましい。
Zは、好ましくは置換基を有していても良いアラルキル基、置換基を有していても良いアリール基、または、これらの基が連結基を介して結合した基である。ここでいう連結基は、ヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよく、好ましくは、−CH2−、−O−、−C(=O)−、−S−およびこれらの組み合わせからなる基である。Zに含まれる芳香族基としてはフェニル基が好ましく、フェニル基のみが含まれていることが好ましい。多環芳香族基、ヘテロ芳香族基に比べフェニル基のみの方が粘度が低くパターン形成性が良好で、且つパーティクル欠陥を抑制できる。Zの分子量としては100〜300であることが好ましく、より好ましくは120〜250である。
重合性単量体に含まれる重合性基の数と芳香族基の数は
重合性基の数≦芳香族基 の数であることが粘度、ドライエッチング耐性の点から好ましい。この際、ナフタレンなどの縮合芳香環は1つの芳香族基として数え、ビフェニルのような2つの芳香環が結合を解して連結している場合、2つの芳香族基として数える。
重合性単量体が25℃において液体であるときの25℃における粘度としては2〜500mPa・sが好ましく、3〜200mPa・sがより好ましく、3〜100mPa・sが最も好ましい。重合性単量体は25℃において液体であるか、固体であっても融点が60℃以下であることが好ましく、25℃において液体であることがより好ましい。
Zは−Z1−Z2で表される基であることが好ましい。ここで、Z1は、単結合または炭化水素基であり、該炭化水素基は、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよい。Z2は、置換基を有していてもよい芳香族基であり、分子量90以上である。
Z1は、好ましくは、単結合またはアルキレン基であり、該アルキレン基は、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよい。Z1は、より好ましくは、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含まないアルキレン基であり、さらに好ましくはメチレン基、エチレン基である。ヘテロ原子を含む連結基としては−O−、−C(=O)−、−S−およびこれらとアルキレン基の組み合わせからなる基などが挙げられる。また、炭化水素基の炭素数は1〜3であることが好ましい。
Z2は、分子量が15以上の置換基を有する芳香族基であることが好ましい。Z2に含まれる芳香族基の一例として、フェニル基及びナフチル基が挙げられ、分子量が15以上の置換基を有するフェニル基がより好ましい例として挙げられる。Z2は、単環の芳香族基から形成される方が好ましい。
Z2は、2つ以上の芳香族基が、直接にまたは連結基を介して連結した基であることも好ましい。この場合の連結基も、好ましくは、−CH2−、−O−、−C(=O)−、−S−およびこれらの組み合わせからなる基である。
一般式で表される化合物の光硬化性組成物中における添加量は、10〜100質量%であることが好ましく、20〜100質量%であることがより好ましく、30〜80質量%であることが特に好ましい。
X1は、上記Z1と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Y1は、分子量15以上の置換基であり、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子などが挙げられる。これら置換基は更なる置換基を有していても良い。
n1が0のときは、X1は炭素数2または3のアルキレン基であることが好ましく、n1が2のときは、X1は単結合または炭素数1の炭化水素基であることが好ましい。
特に、好ましい様態としてはn1が1で、X1は炭素数1〜3のアルキレン基である。
R1は、上記一般式のR1と同義であり、好ましい範囲も同義である。
X1は、上記Z1と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Y1は、上記一般式(II)におけるY1と同義であり、好ましい範囲も同義である。
n1は、上記一般式(II)におけるn1と同義であり、好ましい範囲も同義である。
R1は、上記一般式のR1と同義であり、好ましい範囲も同義である。
X2は、炭化水素基である場合、炭素数1〜3の炭化水素基であることが好ましく、置換又は無置換の炭素数1〜3のアルキレン基であることが好ましく、無置換の炭素数1〜3のアルキレン基であることがより好ましく、エチレン基であることがさらに好ましい。このような炭化水素基を採用することにより、より低粘度で低揮発性を有する光硬化性組成物とすることが可能になる。
Y2は分子量15以上の芳香族基を有さない置換基を表し、Y1の分子量の上限は80以下であることが好ましい。Y2としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基などの炭素数1〜6のアルキル基、クロロ基、ブロモ基などのハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、シクロヘキシルオキシ基などの炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましい例として挙げられる。
n2は、0〜2の整数であることが好ましい。n2が1の場合、置換基Yはパラ位にあるのが好ましい。また、粘度の観点から、n2が2のときは、X2は単結合もしくは炭素数1の炭化水素基が好ましい。
一般式(IV)で表される化合物は(メタ)アクリレート基を1つ有する単官能(メタ)アクリレートであることが好ましい。
また、一般式(IV)で表される(メタ)アクリレート化合物の25℃における粘度が10mPa・s以下であることが好ましく、6mPa・s以下であることがより好ましい。
一般式(IV)で表される化合物は、反応希釈剤としても好ましく用いることができる。
R1は、上記一般式のR1と同義であり、好ましい範囲も同義である。
X1は、上記Z1と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Y3は、分子量15以上の芳香族基を有する置換基を表し、芳香族基を有する置換基としては芳香族基が単結合、あるいは連結基を介して一般式(V)の芳香環に結合している様態が好ましい。連結基としては、アルキレン基、ヘテロ原子を有する連結基(好ましくは−O−、−S−、−C(=O)O−、)あるいはこれらの組み合わせが好ましい例として挙げられ、アルキレン基または−O−ならびにこれらの組み合わせからなる基がより好ましい。分子量15以上の芳香族基を有する置換基としてはフェニル基を有する置換基であることが好ましい。フェニル基が単結合または上記連結基を介して結合している様態が好ましく、フェニル基、ベンジル基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、フェニルチオ基が特に好ましい。Y3の分子量は好ましくは、230〜350である。
n3は、好ましくは、1または2であり、より好ましくは1である。
n6は、好ましくは1である。n6が2のとき、複数存在する、R1、X5、R2は、それぞれ、同一であってもよいし、異なっていても良い。
X4およびX5は、は、それぞれ、連結基を含まないアルキレン基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜5のアルキレン基であり、より好ましくは炭素数1〜3のアルキレン基であり、最も好ましくはメチレン基である。
R1は、上記一般式のR1と同義であり、好ましい範囲も同義である。
R2およびR3は、それぞれ、置換基を表し、好ましくは、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基である。アルキル基としては、炭素数1〜8のアルキル基が好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示され、フッ素原子が好ましい。アルコキシ基としては、炭素数1〜8のアルコキシ基が好ましい。アシル基としては、炭素数1〜8のアシル基が好ましい。アシルオキシ基としては、炭素数1〜8のアシルオキシ基が好ましい。アルコキシカルボニル基としては、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基が好ましい。
n4およびn5は、それぞれ、0〜4の整数であり、n4またはn5が2以上のとき、複数存在するR2およびR3は、それぞれ、同一でも異なっていても良い。
R1は、上記一般式のR1と同義であり、好ましい範囲も同義である。
X6がアルキレン基である場合、炭素数1〜8のアルキレン基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜3のアルキレン基である。また、無置換のアルキレン基が好ましい。
X6としては、−CH2−、−CH2CH2−、−O−、−S−が好ましい。
一般式で表される化合物は25℃において液体状であることが好ましいが、液体状でなくてもよい。
l1、l2、l3は、それぞれ、0〜10の整数を表し、k1、k2、k3は、それぞれ、3〜6の整数を表し、l1、l2およびl3の和は、1よりも大きい化合物であるか、該和の平均が1より大きい化合物の混合物である。
[式中、Arは置換基を有していてもよいアリーレン基を表し、Xは単結合または有機連結基を表し、R1は水素原子またはメチル基を表し、nは2または3を表す。]
前記X2の好ましい範囲は、前記X1の好ましい範囲と同様である。
前記R1は一般式におけるとR1と同義であり、好ましい範囲も同様である。
本発明では特に、単官能(メタ)アクリレート化合物と多官能(メタ)アクリレート化合物の配合比が、重量比で80/20〜0/100が好ましく、70/30〜0/100がより好ましく、40/60〜0/100であることが好ましい。適切な比率を選択することで、十分な硬化性を有し、且つ組成物を低粘度とすることができる。
また、(A)重合性単量体として、(メタ)アクリレートを用いる場合、メタクリレートよりも、アクリレートの方が好ましい。
本発明における用硬化性組成物は、溶剤を除く全成分の混合液の25℃における粘度が5〜50mPa・sであることが好ましく、より好ましくは6〜40mPa・s、さらに好ましくは7〜30mPa・s、最も好ましくは8〜25mPa・sである。組成物の粘度を5〜50mPa・sにすることでモールド充填性がより向上し、インプリント時のモールドの圧着圧力が低くても矩形なパターンプロファイルが得られやすくなる。本発明の方法は低粘度な重合性単量体を用いた際に特に効果が顕著である。
本発明における用硬化性組成物に含まれる(A)重合性単量体は、25℃において液体である重合性単量体が全重合性単量体中50質量%以上であることが経時安定性の観点で好ましい。
ここで、ポリマー不純物とは、(A)重合性単量体の製造時や保存時、さらには、インプリント用硬化組成物の製造時や保存時などに、(A)重合性単量体同士が重合してしまうことによって生成してしまうポリマーを表す。従って、界面活性剤などのポリマー添加剤とは完全に異なるものである。
本発明において、(A)重合性単量体を2種類以上含む場合、ポリマー不純物には、それぞれの重合性単量体を由来とするポリマーのほか、2種以上の重合性単量体を由来とするコポリマーも含まれる。
本願発明者が検討したところ、重合性単量体の市販品として販売されているもののような、(A)重合性単量体と該ポリマー不純物を含む組成物から、極微量のポリマー不純物をGPCで検出するのは困難であることが分かった。そして、GPCで検出できない程度の微量のポリマーでもインプリントのパターンに影響を与えることが分かった。かかる観点から、本発明における用硬化性組成物が含む該重合性組成物は、(A)重合性単量体が可溶であり、ポリマー不純物が不溶または難溶である溶剤に、該重合性単量体組成物を、10質量%の濃度で混合した際の溶液の濁度が1000ppm以下であることが好ましい。より好ましい濁度としては、700ppm以下であり、さらに好ましくは500ppm以下であり、よりさらに好ましくは100ppm以下であり、特に好ましくは10ppm以下であり、最も好ましくは1ppm以下である。
ここで前記ポリマー不純物が不溶または難溶である溶剤としては、ポリマー成分の溶解度が5質量%以下、好ましくは1質量%以下である溶媒のことを表し、炭化水素溶剤(例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、キシレン、ベンゼン)、あるいはアルコール溶剤(例えば、メタノール、エタノール、1−または2−プロパノール、1−または2−ブタノール)を含有する溶剤が好ましい。
本発明におけるポリマー不純物とは、(A)重合性単量体よりも分子量の大きい成分を表し、いわゆる、オリゴマーも含む趣旨である。好ましくはGPCにおける重量平均分子量が1万以上、より好ましくは重量平均分子量が3万以上、さらに好ましくは重量平均分子量が5万以上、最も好ましくは10万以上の成分である。特に分子量の大きいポリマー不純物を含有しているとインプリント時のパターン転写性が悪化する。
(A)重合性単量体と(A)重合性単量体が重合してなるポリマー不純物を含む組成物から該ポリマー不純物を除去する工程としては、公知の方法を広く採用できるが、(A)重合性単量体が可溶であり、該ポリマー不純物が不溶または難溶である溶剤と、前記組成物を混合してポリマー不純物を析出させる工程を含有していることが好ましい。
混合する濃度としては、前記組成物の濃度として1〜99質量%が好ましく、3〜50質量%がより好ましく、5〜30質量%がさらに好ましく、5〜20質量%が最も好ましい。
本発明の技術は、(A)重合性単量体が2つ以上の重合性官能基を有する重合性単量体に適用すると特に効果が顕著である。2つ以上の重合性官能基を有する重合性単量体由来のポリマーは架橋構造を有し、高分子量化しやすいため、インプリント時のパターン形成性の劣化が大きく、それの含有量を少なくすることでインプリント時のパターン形成性の劣化を抑制できる。
本発明における用硬化性組成物は、光重合開始剤を含む。本発明に用いられる光重合開始剤は、光照射により上述の(A)重合性単量体を重合する活性種を発生する化合物であればいずれのものでも用いることができる。光重合開始剤としては、カチオン重合開始剤、ラジカル重合開始剤が挙げられ、ラジカル重合開始剤が好ましい。また、本発明において、光重合開始剤は複数種を併用してもよい。
光重合開始剤の含有量が0.01質量%以上であると、感度(速硬化性)、解像性、ラインエッジラフネス性、塗膜強度が向上する傾向にあり好ましい。一方、光重合開始剤の含有量を15質量%以下とすると、光透過性、着色性、取り扱い性などが向上する傾向にあり、好ましい。染料および/または顔料を含む系では、これらがラジカルトラップ剤として働くことがあり、光重合性、感度に影響を及ぼす。その点を考慮して、これらの用途では、光重合開始剤の添加量が最適化される。一方で、本発明に用いられる組成物では、染料および/または顔料は必須成分でなく、光重合開始剤の最適範囲がインクジェット用硬化性組成物や液晶ディスプレイカラーフィルタ用硬化性組成物等の分野のものとは異なる場合がある。
アセトフェノン系化合物として好ましくはヒドロキシアセトフェノン系化合物、ジアルコキシアセトフェノン系化合物、アミノアセトフェノン系化合物が挙げられる。ヒドロキシアセトフェノン系化合物として好ましくはCiba社から入手可能なIrgacure(登録商標)2959(1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、Irgacure(登録商標)184(1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン)、Irgacure(登録商標)500(1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾフェノン)、Darocur(登録商標)1173(2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−1−プロパン−1−オン)が挙げられる。
ジアルコキシアセトフェノン系化合物として好ましくはCiba社から入手可能なIrgacure(登録商標)651(2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン)が挙げられる。
アミノアセトフェノン系化合物として好ましくはCiba社から入手可能なIrgacure(登録商標)369(2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1)、Irgacure(登録商標)379(EG)(2−ジメチルアミノー2ー(4メチルベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イルフェニル)ブタン−1−オン、Irgacure(登録商標)907(2−メチル−1[4−メチルチオフェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オンが挙げられる。
アシルホスフィンオキサイド系化合物として好ましくはCiba社から入手可能なIrgacure(登録商標)819(ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、Irgacure(登録商標)1800(ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、BASF社から入手可能なLucirin TPO(2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド)、Lucirin TPO−L(2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド)が挙げられる。
オキシムエステル系化合物として好ましくはCiba社から入手可能なIrgacure(登録商標)OXE01(1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)フェニル]−2−(O−ベンゾイルオキシム)、Irgacure(登録商標)OXE02(エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)が挙げられる。
本発明で使用されるカチオン光重合開始剤としては、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、オキシムスルホネート化合物などが好ましく、4−メチルフェニル[4 −(1−メチルエチル)フェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(ローデア製 PI2074)、4−メチルフェニル[4 −(2−メチルプロピル)フェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート(Ciba社製IRGACURE250)、IRGACURE PAG103、108、121、203(Ciba社製)などが挙げられる。
本発明における用硬化性組成物は、上述の成分の他に種々の目的に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、界面活性剤、酸化防止剤、溶剤等その他の成分を含んでいてもよい。
本発明における用硬化性組成物には、界面活性剤を含有することが好ましい。本発明に用いられる界面活性剤の含有量は、全組成物中、例えば、0.001〜5質量%であり、好ましくは0.002〜4質量%であり、さらに好ましくは、0.005〜3質量%である。2種類以上の界面活性剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。界面活性剤が組成物中0.001〜5質量%の範囲にあると、塗布の均一性の効果が良好であり、界面活性剤の過多によるモールド転写特性の悪化を招きにくい。
ここで、“フッ素・シリコーン系界面活性剤”とは、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の両方の要件を併せ持つものをいう。
このような界面活性剤を用いることによって、半導体素子製造用のシリコンウエハや、液晶素子製造用のガラス角基板、クロム膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜、タンタル膜、タンタル合金膜、窒化珪素膜、アモルファスシリコン膜、酸化錫をドープした酸化インジウム(ITO)膜や酸化錫膜などの、各種の膜が形成される基板上に本発明における用硬化性組成物を塗布したときに起こるストリエーションや、鱗状の模様(レジスト膜の乾燥むら)などの塗布不良の問題を解決するが可能となる。また、モールド凹部のキャビティ内への本発明における用硬化性組成物の流動性の向上、モールドとレジストとの間の剥離性の向上、レジストと基板間との密着性の向上、組成物の粘度を下げる等が可能になる。特に、本発明における用硬化性組成物は、前記界面活性剤を添加することにより、塗布均一性を大幅に改良でき、スピンコーターやスリットスキャンコーターを用いた塗布において、基板サイズに依らず良好な塗布適性が得られる。
さらに、本発明における用硬化性組成物には、公知の酸化防止剤を含有することが好ましい。本発明に用いられる酸化防止剤の含有量は、全重合性単量体に対し、例えば、0.01〜10質量%であり、好ましくは0.2〜5質量%である。2種類以上の酸化防止剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。
前記酸化防止剤は、熱や光照射による退色およびオゾン、活性酸素、NOx、SOx(Xは整数)などの各種の酸化性ガスによる退色を抑制するものである。特に本発明では、酸化防止剤を添加することにより、硬化膜の着色防止や、分解による膜厚減少を低減できるという利点がある。このような酸化防止剤としては、ヒドラジド類、ヒンダードアミン系酸化防止剤、含窒素複素環メルカプト系化合物、チオエーテル系酸化防止剤、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、アスコルビン酸類、硫酸亜鉛、チオシアン酸塩類、チオ尿素誘導体、糖類、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシルアミン誘導体などを挙げることができる。この中でも、特にヒンダードフェノール系酸化防止剤、チオエーテル系酸化防止剤が硬化膜の着色防止、膜厚減少の観点で好ましい。
さらに、本発明における用硬化性組成物には、重合禁止剤を含有することが好ましい。重合禁止剤の含有量としては、全重合性単量体に対し、0.001〜1質量%であり、より好ましくは0.005〜0.5質量%、さらに好ましくは0.008〜0.05質量%である、重合禁止剤を適切な量配合することで高い硬化感度を維持しつつ経時による粘度変化が抑制できる。重合禁止剤は重合性単量体の製造時に添加してもよいし、硬化組成物に後から添加してもよい。好ましい重合禁止剤としては、ハイドロキノン、p−メトキシフェノール、ジ−tert−ブチル−p−クレゾール、ピロガロール、tert−ブチルカテコール、ベンゾキノン、4,4’−チオビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、N−ニトロソフェニルヒドロキシアミン第一セリウム塩、フェノチアジン、フェノキサジン、4−メトキシナフトール、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシルフリーラジカル、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシルフリーラジカル、ニトロベンゼン、ジメチルアニリン等が挙げられ、好ましくはp−ベンゾキノン、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシルフリーラジカル、4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシルフリーラジカル、フェノチアジンである。これら重合禁止剤は重合性単量体の製造時だけでなく、硬化組成物の保存時においてもポリマー不純物の生成を抑制し、インプリント時のパターン形成性の劣化を抑制する。
本発明における用硬化性組成物には、種々の必要に応じて、溶剤を用いることができる。ここで、本明細書中において、「溶剤」には、前記重合性単量体は含まれない。すなわち、本明細書中において、「溶剤」は、前記重合性官能基を有しない。特に膜厚500nm以下のパターンを形成する際には溶剤を含有していることが好ましい。好ましい溶剤としては1気圧における沸点が80〜200℃の溶剤である。溶剤の種類としては組成物を溶解可能な溶剤であればいずれも用いることができるが、好ましくはエステル構造、ケトン構造、水酸基、エーテル構造のいずれか1つ以上を有する溶剤である。具体的に、好ましい溶剤としてはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、ガンマブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルから選ばれる単独あるいは混合溶剤であり、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する溶剤が塗布均一性の観点で最も好ましい。
本発明の組成物中における前記溶剤の含有量は、溶剤を除く成分の粘度、塗布性、目的とする膜厚によって最適に調製されるが、塗布性改善の観点から、全組成物中99質量%以下の範囲で添加することができるが、通常は、実質的に含まない(例えば、3質量%以下)ことが好ましい。但し、膜厚500nm以下のパターンをスピン塗布などの方法で形成する際には、20〜99質量%の範囲で含めてもよく、40〜99質量%が好ましく、70〜98質量%が特に好ましい。
本発明のパターン形成方法では、本発明における用硬化性組成物を基板または支持体(基材)上に適用してパターン形成層を形成する工程と、前記パターン形成層表面にモールドを圧接する工程と、前記パターン形成層に光を照射する工程と、を経て本発明の組成物を硬化することで、微細な凹凸パターンを形成することができる。
ここで、本発明における用硬化性組成物は、光照射後にさらに加熱して硬化させることが好ましい。具体的には、基材(基板または支持体)上に少なくとも本発明の組成物からなるパターン形成層を適用し、必要に応じて乾燥させて本発明の組成物からなる層(パターン形成層)を形成してパターン受容体(基材上にパターン形成層が設けられたもの)を作製し、当該パターン受容体のパターン形成層表面にモールドを圧接し、モールドパターンを転写する加工を行い、微細凹凸パターン形成層を光照射により硬化させる。本発明のパターン形成方法による光インプリントリソグラフィは、積層化や多重パターニングもでき、通常の熱インプリントと組み合わせて用いることもできる。
本発明のパターン形成方法においては、まず、本発明の組成物を基材上に適用してパターン形成層を形成する。
本発明における用硬化性組成物を基材上に適用する方法としては、一般によく知られた適用方法、例えば、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法、あるいはインクジェット法などを用いることで基材上に塗膜あるいは液滴を適用することができる。中でも塗膜や液滴の形成における硬化性組成物の必要量低減および工程の安定性の観点から、インクジェット法が好ましい。
また、本発明の組成物からなるパターン形成層の膜厚は、使用する用途によって異なるが、0.03μm〜30μm程度である。また、本発明の組成物を、多重塗布により塗布してもよい。インクジェット法などにより基材上に液滴を適用する方法において、液滴の量は1pl〜20pl程度が好ましい。さらに、基材と本発明の組成物からなるパターン形成層との間には、例えば平坦化層等の他の有機層などを形成してもよい。これにより、パターン形成層と基板とが直接接しないことから、基板に対するごみの付着や基板の損傷等を防止することができる。尚、本発明の組成物によって形成されるパターンは、基材上に有機層を設けた場合であっても、有機層との密着性に優れる。
また、パターンを有するモールドに本発明の組成物を適用し、基板を押接してもよい。
本発明で用いることのできるモールド材について説明する。本発明の組成物を用いた光ナノインプリントリソグラフィは、モールド材および/または基材の少なくとも一方に、光透過性の材料を選択する。本発明に適用される光インプリントリソグラフィでは、基材の上に本発明における用硬化性組成物を適用してパターン形成層を形成し、この表面に光透過性のモールドを押接し、モールドの裏面から光を照射し、前記パターン形成層を硬化させる。また、光透過性基材上に硬化性組成物を適用し、モールドを押し当て、基材の裏面から光を照射し、硬化性組成物を硬化させることもできる。
前記光照射は、モールドを付着させた状態で行ってもよいし、モールド剥離後に行ってもよいが、本発明では、モールドを密着させた状態で行うのが好ましい。
本発明において用いられる光透過性モールド材は、特に限定されないが、所定の強度、耐久性を有するものであればよい。具体的には、ガラス、石英、PMMA、ポリカーボネート樹脂などの光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサンなどの柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が例示される。
また、本発明に適用される光インプリントリソグラフィにおいては、光照射の際の基板温度は、通常、室温で行われるが、反応性を高めるために加熱をしながら光照射してもよい。光照射の前段階として、真空状態にしておくと、気泡混入防止、酸素混入による反応性低下の抑制、モールドと硬化性組成物との密着性向上に効果があるため、真空状態で光照射してもよい。また、本発明のパターン形成方法中、光照射時における好ましい真空度は、10-1Paから1気圧の範囲である。
さらに、露光に際しては、酸素によるラジカル重合の阻害を防ぐため、窒素やアルゴンなどの不活性ガスを流して、酸素濃度を100mg/L未満に制御してもよい。
上述のように本発明のパターン形成方法によって形成されたパターンは、液晶ディスプレイ(LCD)などに用いられる永久膜(構造部材用のレジスト)やエッチングレジストとして使用することができる。また、前記永久膜は、製造後にガロン瓶やコート瓶などの容器にボトリングし、輸送、保管されるが、この場合に、劣化を防ぐ目的で、容器内を不活性な窒素、またはアルゴンなどで置換しておいてもよい。また、輸送、保管に際しては、常温でもよいが、より永久膜の変質を防ぐため、−20℃から0℃の範囲に温度制御してもよい。勿論、反応が進行しないレベルで遮光することが好ましい。
蒸留水1000mlに水酸化ナトリウム411gを加え、これに氷冷下アクリル酸781gを滴下して加えた。これにベンジルトリブチルアンモニウムクロリド107g、α,α’−ジクロロメタキシレン600g加え、85℃で7時間反応させた。反応液に酢酸エチル1600ml加え有機層を1%塩酸水溶液、1%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、蒸留水で洗浄し、有機層に重合禁止剤としてp−ベンゾキノン0.01g添加し、有機層を溶剤含量が1質量%以下になるまで真空濃縮し、重合性単量体(R1)を得た。(R1)の粘度は25℃において9.5mPa・sであった。
窒素気流下2−メチルナフタレン600gを酢酸エチル6000mlに溶解させ、これに1,3−ジブロモ−5,5−ジメチルヒダントイン422gを加え40℃に加熱した。これに和光純薬工業製V−65を7.4g、添加し40℃で7時間反応した。その後反応液を65℃で3時間反応し、放冷した。反応液を炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留水で洗浄した後、濃縮した。これにイソプロパノール3600ml加え、30分攪拌した後、蒸留水900mlを加えさらに30分攪拌した。析出した固体を濾取し、これにイソプロパノール1800ml加え、30分攪拌した後、蒸留水450mlを加えさらに30分攪拌した。固体を濾取、乾燥すると2−ブロモメチルナフタレンが300g得られた。
蒸留水200mlに水酸化ナトリウム81.4gを加え、これに氷冷下アクリル酸147gを滴下して加えた。これにベンジルトリブチルアンモニウムクロリド42.4g、2−ブロモメチルナフタレン300gを加え、75℃で2時間反応させた。反応液に酢酸エチル/ヘキサン=2/8(体積比)800ml加え有機層を1%塩酸水溶液、1%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、蒸留水で洗浄し、有機層に重合禁止剤としてp−ベンゾキノン0.01g添加し、有機層を溶剤含量が1質量%以下になるまで真空濃縮し、重合性単量体(R2)を得た。(R2)の粘度は25℃において10.3mPa・sであった。
ポリエチレングリコールジアクリレート#200:NKエステルA−200(新中村化学社製)
表2に示す使用量の合計分についてさらに上記重合性化合物の追加合成を行ない、表2に示す化合物を加え、表1に示すフィルターを用いて表2に示す条件でろ過を行なうことにより、硬化性組成物(C−1)〜(C−25)を得た。ここで、UPEは、ポリエステル樹脂を、PTFEは、フッ素樹脂をそれぞれ示している。インプリント用硬化性組成物の総流量は、それぞれ1Lとした。
P−1:IRGACURE−379EG(BASF社製)
P−2:2,4,6−トリメチルベンゾイル−エトキシフェニル−ホスフィンオキシド(BASF社製:Lucirin TPO−L)
P−3:IRGACURE−OXE01(BASF社製)
W−1:フッ素系界面活性剤(トーケムプロダクツ(株)製:フッ素系界面活性剤)
W−2:シリコーン系界面活性剤(大日本インキ化学工業(株)製:メガファック31)
(パターン剥がれ−1)
上記で調製した硬化性組成物を8インチシリコン基板上に1500rpmでスピンコートして塗布膜を作成し、これに40nmのライン/スペース1/1を有し、溝深さが80nmのパターンを有し、表面がパーフロロポリエーテル構造を有するシランカップリング剤(ダイキン社製、オプツールHD1100)で離型処理されたモールドを乗せ、窒素気流下1MPaの圧力でモールドを組成物に押し付けながら365nmの光を含有する水銀ランプ光にて、露光照度10mW/cm2、露光量200mJ/cm2で硬化させ、硬化後、ゆっくりモールドを剥がした。得られたパターンを走査型顕微鏡にて観察し、パターンの剥がれを以下のように評価した。結果を表3に示す。
B:パターンの欠損がみられる領域が、パターン形成面積中1%未満であった。
C:パターンの欠損がみられる領域が、パターン形成面積中1%以上3%未満であった。
D:パターンの欠損がみられる領域が、パターン形成面積中3%以上10%未満であった。
E:パターンの欠損がみられる領域が、パターン形成面積中10%未満であった。
膜の作成をインクジェット法によって行なう以外は上記評価と同様にしてパターン形成を行なった。得られたパターンを上記パターン剥がれ−1と同様に評価した。
パターン剥がれ−2の評価を20回連続で行ない、目詰まりによる吐出不良の有無を確認した。吐出不良とは、吐出初期と比較した際に単位時間あたりのノズル先端からの組成物吐出量が低下する現象を意味する。吐出不良が生じなかった水準を○、生じた水準を×とした。結果を表4に示す。
硬化性組成物(C−1)〜(C−25)について、遮光した状態で4℃、23℃、30℃、45℃の各温度で180日間静置した後、液中のパーティクル数をリオン社製パーティクルカウンターKS−41にてカウントし、下記式で計算されるパーティクル増加数を評価した。
パーティクル増加数=(経時後のパーティクル数)−(パーティクル初期値)
パーティクル数としては、硬化性組成物1ml中の0.25μm以上のパーティクル密度を測定した。結果を表5に示す。
Claims (16)
- (A)重合性単量体および(B)重合開始剤を含有する硬化性組成物を、200cm2以上の有効濾過面積を有するフィルターを少なくとも1回通過させる工程を有することを特徴とし、
前記(A)重合性単量体の重量平均分子量が1000以下であり、
前記硬化性組成物における重量平均分子量2000以上のポリマー成分の含有量が溶剤を除く成分に対し、2質量%以下であり、
前記硬化性組成物における溶剤の含有量が3質量%以下である、インプリント用硬化性組成物の製造方法。 - (A)重合性単量体および(B)重合開始剤を含有する硬化性組成物を、200cm2以上の有効濾過面積を有するフィルターを少なくとも2回通過させる工程を有することを特徴とし、
前記(A)重合性単量体の重量平均分子量が1000以下であり、
前記硬化性組成物における重量平均分子量2000以上のポリマー成分の含有量が溶剤を除く成分に対し、2質量%以下であり、
前記硬化性組成物における溶剤の含有量が3質量%以下である、インプリント用硬化性組成物の製造方法。 - 後に通過させるフィルターの方が、孔径が小さいことを特徴とする、請求項2に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- 前記フィルターの孔径が、いずれも、0.1μm以下である、請求項2または3に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- 前記フィルターを通過させる工程における印加圧力が0.5MPa以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- 前記フィルターのうち、少なくとも1種類の孔径が0.1μm以下である、請求項1〜3および5のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- 前記フィルターのうち、少なくとも1種類がフッ素樹脂系フィルターまたはポリエチレン系フィルターであることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- 前記フィルターのうち、少なくとも1種類が、メンブレンフィルターをプリーツ状に加工したフィルターカートリッジであることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- 前記重合性単量体(A)が芳香族構造および/または脂環炭化水素構造を有する重合性単量体であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- 前記インプリント用硬化性組成物が、フッ素原子とシリコン原子のうち少なくとも一方を有する重合性単量体を含有することを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- 前記硬化性組成物の25℃における粘度が5〜50mPa・sであることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- インプリント用硬化性組成物の濾過の際の平均流量は毎分0.1〜3.0Lである、請求項1〜11のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- フィルターの有効濾過面積が200〜3600cm2である、請求項1〜12のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法によって、インプリント用硬化性組成物を調製する工程と、該インプリント用硬化性組成物を、基材上に適用する工程と、該インプリント用硬化性組成物にモールドを圧接する工程と、光を照射する工程と、を含むパターン形成方法。
- 前記インプリント用硬化性組成物を基材上に適用する工程がインクジェット法またはスピンコート法による、請求項14に記載のパターン形成方法。
- 200cm2以上の有効濾過面積を有するフィルターを有する、インプリント用硬化性組成物の製造装置であって、(A)重合性単量体および(B)重合開始剤を含有する硬化性組成物を、200cm2以上の有効濾過面積を有するフィルターを少なくとも1回通過させる手段を有し、
前記(A)重合性単量体の重量平均分子量が1000以下であり、
前記硬化性組成物における重量平均分子量2000以上のポリマー成分の含有量が溶剤を除く成分に対し、2質量%以下であり、
前記硬化性組成物における溶剤の含有量が3質量%以下である、インプリント用硬化性組成物の製造装置。
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