JP5741221B2 - 発光装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、各種の発光素子を利用した発光装置およびこの発光装置を備えた電子機器に関する。

近年、基板上に有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光層として形成し、発光素子の発光光を基板と反対側に取り出すトップエミッション方式の発光装置が電子機器の表示装置などとして多用されている。トップエミッション方式は、発光素子を挟み、基板側に形成された一方の第１電極（例えば陽極）と基板との間に反射層を形成し、発光層を挟む他方の第２電極（例えば陰極）側から光を取り出す方式であって、光の利用効率が高い方式である。

トップエミッション方式の発光装置において、白色の有機ＥＬ素子を用い、前記第２電極と反射層との間で所定の波長の光を共振させて、光の取り出し効率を高める技術が開示されている（例えば非特許文献１）。この技術では、共振構造におけるピーク波長をλ、反射層から前記第２電極の光学的距離をＤ、前記反射層での反射における位相シフトをφ_Ｌ、前記第２電極での反射における位相シフトをφ_Ｕ、整数をｍとしたとき、下記の式を満たす光学構造が提案されている。
Ｄ＝{(２πｍ＋φ_Ｌ＋φ_Ｕ)／４π}λ・・・（１）

特に、前記（１）式において、ｍ＝０とした場合には、有機ＥＬ素子におけるアレイ構造を単純にしつつ、広い波長の光をある程度の効率で取り出すことができるため、発光装置の低コスト化を実現でき、かつ、高精細画素を作り込みやすいなどの利点がある。

しかしながら、前記（１）式においてｍ＝０とした光学構造の発光装置では、赤色領域、緑色領域、および、青色領域の全ての領域の光を取り出すため、赤色画素、緑色画素、および、青色画素の色分離はカラーフィルターなどで行う必要がある。したがって、観測側での発光スペクトルの帯域幅が広くなり、色純度が悪いという問題があった。また、赤色、緑色、および、青色の各波長領域で比較した場合、光取り出し効率が低いという問題があった。その結果、発光装置の消費電力が高くなり、パネル特性として不利になるという問題があった。

また、光取り出し効率を高めるために、上記（１）式を満たす反射層から第２電極の光学的距離Ｄを、赤色画素、緑色画素および青色画素ごとに異なるように透明層や電極層の層厚を設定した発光装置も提案されている。

しかしながら、このような発光装置では、有機ＥＬ素子からなる発光層を成膜する際、その下層となる層の凹凸形状が発光特性に大きく影響するという問題があった。特に、このような発光装置では、画素表面や画素電極のエッジ部などを平坦化することが困難であるため、発光層の層厚が変化し、上記光学的距離Ｄが変化することにより、目的とする出力光波長だけでなく、他の波長の光が出力される場合がある。その結果、色純度が低下するなど、表示品質が低下するという問題があった。

そこで、特許文献１のように、第２電極（画素電極）の各々を、反射層の全体に重なるように反射層よりも大きな面積とした発光装置が提案されている。

特開２００７−２８０６７７号公報

SID2010 P-146/S.Lee, Samsung Mobile Display Co.,Ltd

しかしながら、特許文献１のような発光装置では、下辺基板に形成される回路素子またはこの回路素子に接続される配線部と、第２電極（画素電極）との導通を図るために、上下導通部が設けられる。しかし、この上下導通部を平坦化することは困難であり、上述したように光学的距離Ｄが変化するという問題があった。
しかも、この上下導通部にはアルミニウム等の金属材料が用いられるため、発光層からの光が上下導通部で反射して混色が生じ、その結果、色域が狭くなってしまうという問題があった。

このような事情を背景として、本発明は、白色の有機ＥＬ素子と共振構造を組み合わせたトップエミッション方式の発光装置において、高い光取り出し効率を維持しつつ、画素部の凹凸を極力小さくし、かつ、上下導通部からの反射による混色を抑えるという課題の解決を目的としている。

以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、赤色発光素子、青色発光素子、および緑色発光素子と、回路素子が形成された基板と、を備えるものであって、前記赤色発光素子、前記青色発光素子、および前記緑色発光素子の各々は、前記基板上に形成された光反射層と、前記光反射層上に形成された透明層と、前記透明層上に形成された画素電極と、前記透明層および画素電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された対向電極と、前記回路素子と前記画素電極との導通を図る上下導通部とを備え、前記光反射層から対向電極間の距離をＤ、前記光反射層での反射における位相シフトをφ_Ｌ、前記対向電極での反射における位相シフトをφ_Ｕ、前記光反射層と対向電極の間に発生する定在波のピーク波長をλ、２以下の整数をｍとしたとき、次の式 Ｄ＝{(２πｍ＋φ_Ｌ＋φ_Ｕ)／４π}λ・・・（２）を満たす光学構造を有し、前記上下導通部と前記画素電極との界面から前記対向電極までの長さの値が、前記式においてｍ＝０の場合の赤色のピーク波長が得られる距離Ｄと、前記式においてｍ＝１の場合の青色のピーク波長が得られる距離Ｄとの間になるように設定されている。

本発明においては、前記上下導通部の前記画素電極との界面から前記対向電極までの膜厚は、前記式（２）においてｍ＝０の場合の赤色のピーク波長が得られる距離Ｄから、前記式においてｍ＝１の場合の青色のピーク波長が得られる距離Ｄまでの値に設定されているので、前記上下導通部と前記対向電極とに挟まれる領域においては可視光領域の光が取り出し難くなる。その結果、前記上下導通部からの反射光の発生が抑制され、その反射光による混色がなくなり、色域が狭くなることが抑制される。

本発明に係る発光装置として、前記発光層は、前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子において、同一の膜厚で一体に形成されることが好ましい。この場合は、発光層を赤色発光素子、緑色発光素子、および青色発光素子で区別することなく一体として形成できるので、発光装置は容易に製造することが可能となる。

本発明に係る発光装置として、前記上下導通部は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ｃｕ、もしくはこれらを主成分とした合金で形成することもできる。本発明によれば、前記上下導通部を反射率の高いＡｌまたはＡｌを主成分とした合金で形成した場合でも、前記上下導通部と前記対向電極とに挟まれる領域においては可視光領域の光が取り出し難くなる。その結果、前記上下導通部からの反射光の発生が抑制され、その反射光による混色がなくなり、色域が狭くなることが抑制される。また、前記上下導通部をＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ｃｕ、もしくはこれらを主成分とした合金で形成すれば、反射率をＡｌが低いので、前記上下導通部からの反射光の発生がより一層抑制される。

本発明に係る発光装置においては、前記画素電極は透明導電膜で形成し、赤色画素、緑色画素、青色画素において前記画素電極の膜厚を同一としてもよい。本発明によれば、画素部の凹凸が極力抑えられ、上記（２）式における距離Ｄのばらつきが抑制される。その結果、混色がなくなり、色域が狭くなることが抑制される。

本発明に係る発光装置は、前記上下導通部と前記対向電極との間に絶縁層を形成してもよい。本発明によれば、前記上下導通部上に絶縁層があるので、前記上下導通部からの反射光がより一層確実に抑制される。

本発明に係る電子機器は、前記発光装置を備えていることを特徴とする。本発明に係る電子機器においては、前記発光装置を備えているので、消費電力を低減することができる。

本発明の一実施形態に係る実施例１の発光装置の概要を示す模式的な断面図である。 図１における正孔輸送層、発光層、および、電子輸送層に用いられた材料を示す図である。 共振構造におけるピーク波長をλ、反射層から第２電極の光学的距離をＤ、第１電極での反射における位相シフトをφ_Ｌ、第２電極での反射における位相シフトをφ_Ｕ、整数をｍとしたとき、Ｄ＝{(２πｍ＋φ_Ｌ＋φ_Ｕ)／４π}λというの式を満たす光学構造において、整数ｍと、反射膜間の膜厚と、ピーク波長の関係を示す図である。 本発明の一実施形態に係る実施例４の発光装置の概要を示す模式的な断面図である。 図１の実施形態に係る発光装置を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 図１の実施形態に係る発光装置を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。 図１の実施形態に係る発光装置を表示装置として採用した携帯情報端末の構成を示す斜視図である。

以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る様々な実施の形態を説明する。図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
＜Ａ：実施例１＞
＜Ａ−１：発光装置の構造＞
図１は、本発明の一実施形態に係る発光装置Ｅ１の概要を示す模式的な断面図である。発光装置Ｅ１は、複数の発光素子Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３が第１基板１０の面上に配列された構成であるが、図１においては、説明の便宜上、赤色、緑色および青色の各色の発光素子Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３が一つずつ例示されている。
本実施形態の発光装置Ｅ１は、トップエミッション型であり、発光素子Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３にて発生した光は第１基板１０とは反対側に向かって進行する。従って、ガラスなどの光透過性を有する板材のほか、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を第１基板１０として採用することができる。本実施形態では、第１基板１０の厚さを０．５ｍｍとした。
第１基板１０には、発光素子Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３に給電して発光させるための配線が配置されているが、配線の図示は省略する。また、第１基板１０には、発光素子Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３に給電するための回路素子薄膜１１が配置されている。

回路素子薄膜１１が配置された第１基板１０上には、コンタクトホール３６０を形成するたに、層間絶縁膜３０１が形成される。層間絶縁膜３０１は、ＳｉＯ_２またはＳｉＮで形成される。

層間絶縁膜３０１上には、反射層１２が形成される。反射層１２は、光反射性を有する材料によって形成される。この種の材料としては、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）などの単体金属、またはＡｕ、ＣｕまたはＡｇを主成分とする合金などが好適に採用される。本実施例では、反射層１２はＡｌで形成され、膜厚を１００ｎｍとした。

反射層１２上には、透明層３０２が形成される。透明層３０２はＳｉＯ_２またはＳｉＮで形成され、本実施形態では、赤色発光素子Ｕ１、緑色発光素子Ｕ２および青色発光素子Ｕ３ごとに透明層３０２の膜厚を変え、各発光素子ごとに反射層１２と対向電極２２との間の距離を調節している。本実施形態では、赤色発光素子Ｕ１においては透明層３０２を３層にして層厚を１５０ｎｍとした。また、緑色発光素子Ｕ２においては透明層３０２を２層にして層厚を１００ｎｍとした。さらに、青色発光素子Ｕ３においては透明層３０２を１層にして層厚を７０ｎｍとした。

透明層３０２上には、画素電極（陽極）１５が形成される。本実施形態では、画素電極１５はＩＴＯの透明導電膜から形成される。また、本実施形態では、反射層１２と対向電極２２との距離は前記透明層３０２で調節するため、画素電極１５の膜厚は、赤色発光素子Ｕ１、緑色発光素子Ｕ２および青色発光素子Ｕ３において同一の膜厚に設定されている。一例として、本実施形態では、画素電極１５の膜厚を２０ｎｍに設定した。このように、本実施形態では、各色の発光素子において画素電極１５の膜厚を同一にしたので、画素部の凹凸を極力減らすことができる。

上述したコンタクトホール３６０を埋めるように上下導通部３３０が形成され、回路素子膜１１と画素電極１５との導通が図られる。本実施形態では、上下導通部３３０にはＡｌ（アルミニウム）を用いた。

画素電極１５上には、ＯＬＥＤ層１６が形成される。ＯＬＥＤ層１６は、正孔注入層上に形成された正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole transport layer）と、正孔輸送層上に形成された発光層（ＥＭＬ：Emitting Layer）と、発光層上に形成された電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）とからなる。この例において、ＯＬＥＤ層１６は、発光素子Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３において一体として形成され、膜厚も同一である。

本実施形態では、正孔輸送層（ＨＴＬ）は図２に示すようにα−ＮＰＤで形成される。本実施形態では、正孔輸送層の膜厚を４０ｎｍとした。
発光層（ＥＭＬ）は、正孔と電子が結合して発光する有機ＥＬ物質から形成されている。本実施形態では、有機ＥＬ物質は低分子材料であって、白色光を発する。赤色のホスト材料および赤色のドーパント材料、ならびに緑色および青色のホスト材料としては図２に示すものが使用される。さらに、青色のドーパント材料としてはＤＰＡＶＢｉ（４，４´−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル）が使用される。緑色のドーパント材料としてはキナクリドンが使用される。本実施形態では、発光層（ＥＭＬ）の膜厚を５０ｎｍとした。
電子輸送層（ＥＴＬ）は図２に示すように、Ａｌｑ３（トリス８−キノリノラトアルミニウム錯体）で形成される。本実施形態では、電子輸送層の膜厚を４０ｎｍとした。

ＯＬＥＤ層１６上には、対向電極２２（陰極）が形成される。対向電極２２は、ＯＬＥＤ層１６を覆うように形成され、複数の発光素子Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３に渡って連続している。対向電極２２は、その表面に到達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質（すなわち半透過反射性）を持った半透過反射層として機能し、例えばマグネシウムや銀などの単体金属、またはマグネシウムや銀を主成分とする合金から形成される。本実施形態では、対向電極３０は、ＭｇＡｇ（マグネシウム銀合金）で形成される。対向電極２２の膜厚は、１０ｎｍとした。

対向電極２２上には、封止層３０が形成される。封止層３０は、透明の樹脂材料、例えばエポキシ樹脂などの硬化性樹脂から形成される。本実施形態では、封止層３０をエポキシ樹脂などの硬化性樹脂で形成し、層厚を４００ｎｍとした。また、この封止層３０上には、赤色、緑色、青色のカラーフィルター４０、４１、４２および遮光膜３２が形成される。さらに、赤色、緑色、青色のカラーフィルター４０、４１、４２および遮光膜３２上には、第２基板５０が設けられ、第２基板５０は封止層３０を介して第１基板１０とを貼り合わせられる。第２基板５０はガラスなどの光透過性を有する材料で形成される。第２基板５０の厚さは０．５ｍｍとした。

本実施形態の発光素子Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３においては、反射層１２と光取り出し側半透明反射層としての対向電極２２との間でＯＬＥＤ層１６が発する光を共振させる共振器構造が形成される。これにより、特定の波長の光を効率良く取り出すことができる。

＜Ａ−２：光学構造＞
次に、本実施形態の発光装置Ｅ１における光学構造について説明する。本実施形態における発光装置Ｅ１は、反射層１２から光取り出し側半透明反射層としての対向電極２２までの光学的距離を所定値に設定することにより、反射層１２から対向電極２２に定在波を発生させる共振構造を採用している。

具体的には、反射層１２から対向電極２２間の光学的距離をＤ、反射層１２での反射における位相シフトをφ_Ｌ、対向電極２２での反射における位相シフトをφ_Ｕ、定在波のピーク波長をλ、整数をｍとすると、下記の式を満たす構造となっている。
Ｄ＝{(２πｍ＋φ_Ｌ＋φ_Ｕ)／４π}λ・・・（３）

上記（３）式で、Ａｌの反射層１２とＭｇＡｇの対向電極２２の間のＯＬＥＤ層１６および透明層３０２の屈折率ｎを１．８として、反射層１２から対向電極２２間の光学的距離Ｄと、整数ｍ、および、赤色、緑色、青色の各色を想定してピーク波長をプロットした図が図３である。

図３に示すように、斜線部の１５０〜２００ｎｍの領域では、可視光領域の光が取り出し難い領域であることがわる。つまり、ＡｌからＭｇＡｇまでの膜厚を、上記（３）式でｍ＝０の場合の光学構造における赤色のピーク波長が得られる膜厚と、上記（３）式でｍ＝１の場合の光学構造における青色のピーク波長が得られる膜厚との間に設定すれば、可視光領域の光が取り出し難いことがわかる。

本実施形態では、図１に示すように、透明導電膜の画素電極１５にＡｌの上下導通部３３０が接触している。従って、この上下導通部３３０の上面からＭｇＡｇの対向電極２２までの膜厚（図１に矢印Ｄ４で示す膜厚）を、１５０〜２００ｎｍになるように設定することにより、上下導通部３３０と対向電極２２で挟まれた領域からは、可視光領域の光が取り出し難くなる。その結果、上下導通部３３０からの反射光が生じ難くなり、混色の発生を抑えることができ、色域が狭くなることを防止することができる。

本実施形態では、ＯＬＥＤ層１６の膜厚が１３０ｎｍに設定され、画素電極１５の膜厚が２０ｎｍに設定されている。従って、Ａｌの上下導通部３３０の上面からＭｇＡｇの対向電極２２までの膜厚（図１に矢印Ｄ４で示す膜厚）は、１５０ｎｍに設定されている。

また、赤色発光素子Ｕ１における反射層１２と対向電極２２の間の膜厚（図１に矢印Ｄ１で示す膜厚）、緑色発光素子Ｕ２における反射層１２と対向電極２２の間の膜厚（図１に矢印Ｄ２で示す膜厚）、および、青色発光素子Ｕ３における反射層１２と対向電極２２の間の膜厚（図１に矢印Ｄ３で示す膜厚）のそれぞれは、ｍ＝１の場合に上記（３）式を満たすように設定されている。従って、赤色発光素子Ｕ１、緑色発光素子Ｕ２、および、青色発光素子Ｕ３の各画素領域においては、高い光取り出し効率で各色の光を良好に取り出すことができる。しかも、上述のように、上下導通部３３０からの反射光が生じ難くなり、混色の発生を抑えることができ、色域が狭くなることを防止することができる。

＜Ｂ：実施例２＞
次に、本実施形態の実施例２の発光装置について説明する。実施例１で説明した図１の例は、反射層をＡｌ、対向電極をＭｇＡｇとした場合の計算結果であるが、反射層としてＡｌ以外の材料を用いた場合でも、同様に可視光領域の光が殆ど得られない膜厚がある。従って、上下導通部３３０にＡｌ以外の材料を用いた場合でも、上下導通部３３０から対向電極２２までの膜厚を、上記（３）式でｍ＝０の場合の光学構造における赤色のピーク波長が得られる膜厚と、上記（３）式でｍ＝１の場合の光学構造における青色のピーク波長が得られる膜厚との間に設定すれば、可視光領域の光が取り出し難くなり、上下導通部３３０からの反射光の発生を抑えることができる。

実施例２は、上下導通部３３０にＡｌ以外の材料を用いた例である。上下導通部３３０に、Ａｌよりも反射率の低い金属材料を用いれば、より一層確実に上下導通部３３０からの反射光の発生を抑えることができる。

そこで、実施例２では、上下導通部３３０に、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）などを用いる。特に、タングステン（Ｗ）は、上下導通部３３０の材料としてよく使われる材料であり、製造プロセス上も容易に上下導通部３３０を形成することができる。また、これらのＣｒ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗは、透明導電膜のＩＴＯと接触しても電蝕が生じないという利点もある。

実施例２では、上下導通部３３０を、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）などで形成し、上下導通部３３０から対向電極２２までの膜厚を、上記（３）式でｍ＝０の場合の光学構造における赤色のピーク波長が得られる膜厚と、上記（３）式でｍ＝１の場合の光学構造における青色のピーク波長が得られる膜厚との間に設定した。
その結果、可視光領域の光が取り出し難くなり、かつ、上下導通部３３０の反射率がＡｌよりも低いので、上下導通部３３０からの反射光の発生をより一層確実に抑えることができる。

＜Ｃ：実施例３＞
次に、本実施形態の実施例３の発光装置について説明する。実施例３では、上下導通部３３０をＣｕ（銅）、または、Ｃｕを主成分とした合金で形成した。
上下導通部３３０に、ＣｕまたはＣｕを主成分とした材料を用いることにより、赤色領域では反射率が高いものの、青色領域の反射率は低く、可視光領域の光が出てこないように設計しやすいという利点がある。
また、上下導通部３３０に、ＣｕまたはＣｕを主成分とした材料を用いた場合には、上下導通部３３０をダマシン法で形成しやすく、Ｓｉ等を用いる半導体製造ラインで製造することができるという利点がある。
実施例３によれば、可視光領域の光が取り出し難くなり、かつ、上下導通部３３０の反射率がＡｌよりも低いので、上下導通部３３０からの反射光の発生をより一層確実に抑えることができる。しかも、上下導通部３３０の製造も容易になる。

＜Ｄ：実施例４＞
次に、本実施形態の実施例４の発光装置を図４に基づいて説明する。実施例３では、図４に示すように、上下導通部３３０と対向電極２２の間に絶縁層３７０を設ける。絶縁層３７０は、ＳｉＯ_２やＳｉＮで形成する。
上下導通部３３０と対向電極２２の間に絶縁層３７０を設けることより、上下導通部３３０からの反射光をより一層確実に防止することができる。

実施例４においても、上下導通部３３０から対向電極２２までの膜厚を、上記（３）式でｍ＝０の場合の光学構造における赤色のピーク波長が得られる膜厚と、上記（３）式でｍ＝１の場合の光学構造における青色のピーク波長が得られる膜厚との間に設定する。

また、上下導通部３３０と対向電極２２の間に絶縁層３７０は、実施例１から実施例３までのどの発光装置に設けてもよい。また、図４の例では、隣の発光素子の画素電極１５に重ならないように絶縁層３７０を形成したが、本発明はこの例に限定されるものではない。例えば、緑色発光素子Ｕ２の画素電極１５と絶縁層３７０を覆うと共に、隣の赤色発光素子Ｕ１の画素電極１５の端部にも絶縁層３７０が重なるように形成してもよい。つまり、図４における絶縁層３７０を隣の発光素子の画素電極１５の端部に重なるように形成してもよい。
実施例４によれば、可視光領域の光が取り出し難くなり、かつ、上下導通部３３０を絶縁層３７０で覆うので、上下導通部３３０からの反射光の発生をより一層確実に抑えることができる。

＜Ｅ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図５は、上述の実施形態に係る発光装置Ｅ１を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置Ｅ１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この発光装置Ｅ１は有機ＥＬ素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。

図６に、上述の実施形態に係る発光装置Ｅ１を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｅ１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置Ｅ１に表示される画面がスクロールされる。

図７に、上述の実施形態に係る発光装置Ｅ１を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｅ１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置Ｅ１に表示される。

なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図５から図７に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。

なお、上述した実施形態においては、各発光素子の光学構造を、上記（３）式において整数ｍが１となる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、整数ｍが２以上となる場合にも適用可能である。

１０……第１基板、１１……回路素子薄膜、１２……反射層、１５……画素電極、１６……ＯＬＥＤ層、２２……対向電極、３０……封止層、３２……遮光膜、４０……赤色用カラーフィルター、４１……緑色用カラーフィルター、４２……青色用カラーフィルター、５０……第２基板、３０１……層間絶縁膜、３０２……透明層、３３０……上下導通部、３６０……コンタクトホール、３７０……絶縁膜、Ｅ１……発光装置、Ｕ１…赤色発光素子、Ｕ２…緑色発光素子、Ｕ３…青色発光素子

Claims (6)

1. 赤色発光素子、青色発光素子、および緑色発光素子と、回路素子が形成された基板と、を備えた発光装置であって、
   前記赤色発光素子、前記青色発光素子、および前記緑色発光素子の各々は、
   前記基板上に形成された光反射層と、
   前記光反射層上に形成された透明層と、
   前記透明層上に形成された画素電極と、
   前記透明層および画素電極上に形成された発光層と、
   前記発光層上に形成された対向電極と、
   前記回路素子と前記画素電極との導通を図る上下導通部とを備え、
   前記光反射層から対向電極間の距離をＤ、前記光反射層での反射における位相シフトをφ_Ｌ、前記対向電極での反射における位相シフトをφ_Ｕ、前記光反射層と対向電極の間に発生する定在波のピーク波長をλ、２以下の整数をｍとしたとき、次の式
   Ｄ＝{(２πｍ＋φ_Ｌ＋φ_Ｕ)／４π}λ
   を満たす光学構造を有し、
   前記上下導通部と前記画素電極との界面から前記対向電極までの長さの値が、前記式においてｍ＝０の場合の赤色のピーク波長が得られる距離Ｄと、前記式においてｍ＝１の場合の青色のピーク波長が得られる距離Ｄとの間になるように設定されている、
   ことを特徴とする発光装置。
2. 前記発光層は、前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子において、同一の膜厚で一体に形成されることを特徴する請求項１に記載の発光装置。
3. 前記上下導通部は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ｃｕ、もしくはこれらを主成分とした合金で形成することを特徴する請求項１または２に記載の発光装置
4. 前記画素電極は透明導電膜で形成されており、前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子において前記画素電極の膜厚が同一であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一記載の発光装置。
5. 前記上下導通部と前記対向電極との間に絶縁層を形成したことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一記載の発光装置。
6. 請求項１ないし請求項５のいずれか一記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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