JP5611594B2 - 不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリ - Google Patents

Description

本発明は、不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリに関するものである。

従来、強磁性体の磁化方向は磁気記録媒体のビットとして利用されている。例えば、不揮発性磁気メモリ（ＭＲＡＭ：Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ) では、トンネルバリアを二層の磁性薄膜（フリー層とピン層) でサンドイッチしたトンネル磁気抵抗素子の上下層の磁化が平行か反平行かによって０と１の情報を区別している。一つの磁性ビット（以下セルと呼ぶ) の上下にはワード線とビット線が配線されており、両線に電流を流すことにより発生する合成磁場を利用してフリー層の磁化を反転することができる。

強磁性体は微細化すればするほど反転磁場が高くなるため、セルサイズが小さくなると配線に流す電流を大きくしなければ磁化を反転することができなくなる。従って、この技術は高密度集積化に際して限界がある。
これを打開するための手法として、スピン注入磁化反転がある。これはピン層からのスピン偏極した電流によって直接フリー層の磁化を反転させる技術である。反転に必要な電流密度は素子面積にあまり影響されないので、面積が小さければ小さいほど必要な電流が下がる。すなわち、一つのビットに書き込むために必要な消費電力は小さくなる。現段階で、必要な電流密度は１平方センチメートル当たり１０⁷ Ａ程度であり、さらなる低減化が低消費電力化に向けての技術課題となっている。

しかし、情報の読み出しのために必要な電流は書き込み電流を常に下回らなければならないため、書き込み電流が低くなりすぎると今度は読み出しに必要な出力電圧を得ることが困難になるという課題も将来的には考慮していかなければならない。
電流磁場による磁化反転を用いた不揮発性磁気メモリはすでに製品化されている（下記非特許文献１参照) 。一方、スピン注入磁化反転を用いたメモリは試作段階である（下記非特許文献２参照）。
ｈｔｔｐ: ／／ｗｗｗ．ｆｒｅｅｓｃａｌｅ．ｃｏｍ／ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｅｃｈｎｉｃａｌ ｐａｐｅｒｓ ｏｆ ２００７ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ (ＩＳＳＣＣ ２００７) ，ｐｐ．４８０−４８１，Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２００７

本発明の特徴は、キャリア濃度の増減で磁気異方性が変化する磁性体を利用し、磁性体の磁化容易軸方向（磁化が向きやすい方向）を、キャリア濃度を増減させることで制御することにある。従って、無磁場での磁化の回転や反転が可能となる。また、キャリア濃度を増減するための手段として、電界を印加する手法を用いることにより、従来の磁化反転手法に比べると桁違いに小さな消費電力での書き込みが可能となり、超低消費電力の不揮発性固体磁気メモリを提供することができる。

すなわち、本発明は、上記状況に鑑みて、キャリア濃度の増減で磁気異方性が変化する磁性体を利用し、磁性体の磁化容易軸方向（磁化が向きやすい方向）を、キャリア濃度を増減させることで制御することにより、超低消費電力の不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリを提供することを目的とする。

本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕磁性体からなる記録層を備える不揮発性固体磁気メモリの記録方法であって、
前記記録層は強磁性体層からなり、自身のキャリア濃度の変化にかかわらず強磁性を示し、二軸の磁気異方性と２つの一軸磁気異方性を持ち、印加電圧により、キャリア（電子・正孔)濃度が制御されることによって、前記２つの一軸磁気異方性が制御され、
前記不揮発性固体磁気メモリは、前記記録層と、前記記録層を支持する所定の基板と、前記記録層の上方において電気的絶縁層を介して設けられた金属電極層と、を備え、
前記２つの一軸磁気異方性による磁気異方性の容易軸と困難軸とが入れ替わって、さらに、元に戻る書き込み電圧を前記記録層と前記金属電極層との間に印加することにより、前記記録層の磁化の向きを回転または反転させて記録動作を実行し、前記記録層は印加電圧除去後も磁化の向きを保持する、
ことを特徴とする。
〔２〕また、磁性体からなる記録層を備える不揮発性固体磁気メモリの記録方法であって、
前記記録層は強磁性体層からなり、自身のキャリア濃度の変化にかかわらず強磁性を示し、二軸の磁気異方性Ｂと２つの一軸磁気異方性Ｕ１とＵ２を持ち、印加電圧により、キャリア（電子・正孔)濃度の増加、減少若しくはそれらの組み合わせが制御されることによって、二軸の磁気異方性Ｂによる磁気異方性磁場をＨＢ、２つの一軸磁気異方性Ｕ１、Ｕ２による磁気異方性磁場をそれぞれＨＵ１、ＨＵ２としたときに、ＨＵ１／ＨＢ≡ｈＵ１とＨＵ２／ＨＢ≡ｈＵ２とが制御され、
前記不揮発性固体磁気メモリは、前記記録層と、前記記録層を支持する所定の基板と、前記記録層の上方において電気的絶縁層を介して設けられた金属電極層と、を備え、
前記ｈＵ１とｈＵ２との符号が反転して、元に戻る書き込み電圧を前記記録層と前記金属電極層との間に印加することにより、前記記録層の磁化の向きを回転または反転させて記録動作を実行し、前記記録層は印加電圧除去後も磁化の向きを保持する。
〔３〕前記書き込み電圧は、例えば、三角波、サイン波、鈍った矩形波状の電圧パルスの何れか、から構成される。
〔４〕前記基板と前記記録層との間にバッファ層を備えてもよい。
〔５〕前記記録層は、例えば、キャリア誘起強磁性体半導体層からなる。
〔６〕前記記録層は、例えば、ＩＶ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩ−ＶＩ−Ｖ₂ 族、酸化物半導体に遷移金属元素または希土類金属元素をドーピングした半導体層からなる。
〔７〕前記電気的絶縁層は、絶縁膜、又は、前記金属電極層と前記記録層との接合によって生じるショットキー障壁、から構成されてもよい。

〔８〕不揮発性固体磁気メモリであって、基板と、該基板上に形成され、強磁性体層からなり、自身のキャリア濃度の変化にかかわらず強磁性を示し、二軸の磁気異方性と２つの一軸磁気異方性を持ち、印加電圧により、前記二軸の磁気異方性と２つの一軸磁気異方性が制御される記録層と、該記録層上に形成される電気的絶縁層と、該電気的絶縁層上に形成される金属電極層と、を備え、
前記２つの一軸磁気異方性による磁気異方性の容易軸と困難軸とが入れ替わって、さらに、元に戻る書き込み電圧が前記記録層と前記金属電極層との間に印加されることにより、前記記録層の磁化の向きを回転または反転する。
〔９〕また、不揮発性固体磁気メモリであって、基板と、該基板上に形成され、強磁性体層からなり、自身のキャリア濃度の変化にかかわらず強磁性を示し、二軸の磁気異方性Ｂと２つの一軸磁気異方性Ｕ１とＵ２を持ち、印加電圧により、キャリア（電子・正孔)濃度の増加、減少若しくはそれらの組み合わせが制御されることによって、二軸の磁気異方性Ｂによる磁気異方性磁場をＨＢ、２つの一軸磁気異方性Ｕ１，Ｕ２による磁気異方性磁場をそれぞれＨＵ１，ＨＵ２としたときに、ＨＵ１／ＨＢ≡ｈＵ１とＨＵ２／ＨＢ≡ｈＵ２とが制御される記録層と、該記録層上に形成される電気的絶縁層と、該電気的絶縁層上に形成される金属電極層と、を備え、
前記ｈＵ１とｈＵ２との符号が反転して、元に戻る書き込み電圧を前記記録層と前記金属電極層との間に印加されることにより、前記記録層の磁化の向きを回転または反転する。
〔１０〕前記書き込み電圧は、例えば、三角波、サイン波、鈍った矩形波状の電圧パルスの何れか、から構成される。
〔１１〕前記電気的絶縁層は、例えば、絶縁膜、又は、前記金属電極層と前記記録層との接合によって生じるショットキー障壁、から構成される。

本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
本発明による電界誘起磁化反転法では、磁場による磁化反転法またはスピン電流による磁化反転法と比較して、磁化を反転させるのに必要な消費電力は、百万分の１以下であることが見積もられるので、極めて低消費電力の不揮発性固体磁気メモリの記録方法が実現できる。

本発明に係る膜面内に磁化容易軸をもつ (Ｇａ，Ｍｎ) Ａｓの磁気異方性の特性を示す図である。 本発明に係る各条件における磁化の角度、規格化磁気エネルギー、規格化磁気エネルギーの極小値のそれぞれの時間依存性を示す図である。 本発明に係る各ゲート電圧Ｖの印加によるｈ_U1とｈ_U2の変調の度合いを表す係数ａ値のときの磁化の回転角度のマップを示す図である。 本発明に係るｒのゲート電圧Ｖの印加によるｈ_U1とｈ_U2の変調の度合いを表す係数ａに対するｒの依存性を示す図である。 本発明に係る素子構造の一例を示す図である。

本発明の実施の形態に係る磁性体を記録層として備える不揮発性固体磁気メモリの記録方法は、前記記録層はＩＶ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩ−ＶＩ−Ｖ₂ 族、酸化物半導体に遷移金属元素または希土類金属元素をドーピングしたキャリア誘起強磁性半導体層からなり、前記記録層を支持する所定の基板と、前記記録層の上方において電気的絶縁層を介して設けられた金属電極層を備えることにより、キャパシタンス構造の絶縁層部分を、前記電気的絶縁層として前記金属電極層と前記キャリア誘起強磁性半導体からなる記録層の接合によって生じるショットキー障壁として用い、前記記録層のキャリア（電子・正孔) 濃度を増加または減少させる操作若しくはそれらを組み合わせた操作を行なうことによって、磁化を回転または反転させて記録動作を実行し、前記記録層及び前記金属電極層は互いに符号の異なる電荷の蓄積層として機能するとともに、電圧を前記記録層と前記金属電極層間に印加することにより前記操作を行ない、かつ、前記基板と前記記録層との間にバッファ層を有するようにした。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
まず、本発明の原理について説明する。
強磁性体の磁化方向は磁気記録媒体のビットとして利用されている。不揮発性磁気メモリ (ＭＲＡＭ) ではトンネル磁気抵抗素子の上下の磁化が平行か反平行かによって０と１の情報を区別している。片方の磁化を電流によって発生する磁場によって反転させることで書き込みを行なうことができる。強磁性ビットのサイズがサブミクロンオーダになると、スピンカレント, すなわち、スピントランスファートルクを用いた磁化反転の方が消費電力の点で有利となる。それでも１０^6-8 Ａ／ｃｍ² 程度の密度の電流を要する。

本願発明者らはキャリア誘起強磁性体の磁気異方性がキャリア濃度の関数であることを利用して、ゲート電界Ｅによってキャリア濃度を変調することで磁化方向を操作できる条件を調査した。正孔誘起強磁性体 (Ｇａ，Ｍｎ) Ａｓの磁気特性は詳しく調べられており、複雑な磁気異方性を持つことが分かっている。また、正孔濃度ｐ及びキュリー温度Ｔ_C はゲート電界Ｅにより制御できる。光照射による磁化方向の変化も観測されている。

本願発明者らは基板上の膜面内に磁化容易軸をもつ (Ｇａ，Ｍｎ) Ａｓ層の磁気異方性を例にとって、外部磁場やスピンカレントを必要としない超低消費電力の磁化方向操作（回転及び反転) を一斉磁化回転モデルを用いてシミュレートした。
図１は本発明に係る膜面内に磁化容易軸をもつ (Ｇａ，Ｍｎ) Ａｓの磁気異方性の特性を示す図であり、図１（ａ）はその磁化の角度と結晶軸の関係を示す図、図１（ｂ）はその素子構造の模式図、図１（ｃ）はその入力電圧印加シーケンスを示す図、図１（ｄ）はそれに伴う磁気異方性の変化の時間依存性を示す図である。

図１（ｂ）において、１は基板、２は基板１上の記録層としての (Ｇａ，Ｍｎ) Ａｓ層、３はその (Ｇａ，Ｍｎ) Ａｓ層２上の絶縁体層、４はその絶縁体層３上のゲート電極層である。また、図１（ｄ）において、実線はａ＝２．０、点線はａ＝１．５、一点鎖線はａ＝１．０を示している。一般的に、基板１上に直接記録層２を直接堆積するのが困難であるために、記録層２の磁気的特性を予め最適化しておく。たとえば、基板１及び記録層２の双方と整合性が良いＧａＡｓや（Ｉｎ，Ｇａ）Ａｓをバッファ層として基板１上に形成し、その上に記録層２を形成する。記録層２がその他のＩＶ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩ−ＶＩ−Ｖ₂ 族、酸化物半導体に遷移金属元素または希土類金属元素をドーピングした強磁性半導体であった場合にも同様に基板１と記録層２の双方と整合性の良いバッファ層を用いることができる。

圧縮歪みを持つ (Ｇａ，Ｍｎ) Ａｓ層２は基板１上の膜面内に [１００] と [０１０] 方向に沿った二軸の立方磁気異方性 (Ｂ) と [１００] もしくは [０１０] 方向に沿った一軸磁気異方性 (Ｕ１) と [１１０] 若しくは [−１１０] 方向に沿った一軸磁気異方性 (Ｕ２) をもつことが知られている。二軸の立方磁気異方性 (Ｂ) は（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓ層２の価電子帯構造に起因した磁気異方性であると考えられている。一軸磁気異方性（Ｕ１）による異方性磁場は非常に小さく、感度の高い測定を行なわないと検出できないばかりでなく、その起源も明らかではない。一軸磁気異方性（Ｕ２）は正孔濃度ｐとＭｎ組成に依存してその符号（［１１０] か [−１１０] のどちらが容易軸になるかを示す) が変化することが報告されている。

外部磁場がゼロのときの系の磁気エネルギーＦは以下の式で与えられる、

ここでは、Ｍは自発磁化、ψは磁化の〔１００〕方向からの角度、Ｈ_B ，Ｈ_U1及びＨ_U2はそれぞれ二軸の立方磁気異方性（Ｂ），一軸磁気異方性（Ｕ１，Ｕ２）による磁気異方性磁場である。自発磁化Ｍは、∂Ｆ／∂ψ＝０, ∂² Ｆ／∂ψ² ＞０となる角度ψを向く〔図１ (ａ) 参照〕。一般的な（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓ層２では、キュリー温度Ｔ_C より十分に低い温度ではＨ_B ＞Ｈ_U2≫Ｈ_U1となり、温度が上昇して、キュリー温度Ｔ_C に近づくと、Ｈ_B は大きく減少して、場合によってはＨ_B ＜Ｈ_U2となる。ＧａＭｎＡｓ電界効果素子〔図１（ｂ）参照〕においては、ゲート電界Ｅの印加により、正孔濃度ｐを制御できるため、Ｈ_B ，Ｈ_U2，Ｈ_U1の各大きさや符号までもが制御可能であることが期待される。

ゲート電圧Ｖ (＝Ｅｄ, ここでｄはゲート絶縁体膜の厚み) を素子に入力すると、Ｈ_B ，Ｈ_U1，Ｈ_U2はそれぞれＶの関数となる。
ここで、簡単にするため、Ｈ_U1／Ｈ_B ( ＝ｈ_U1) およびＨ_U2／Ｈ_B ( ＝ｈ_U2) がＶに比例して変化すると仮定し、入力電圧Ｖ (ｔ) (０≦ｔ≦１) ，（ｔは無次元の数) は三角波形状を持つとする〔図１ (ｃ）参照〕;

ここで、ａはゲート電圧Ｖの印加によるｈ_U1とｈ_U2の変調の度合いを表す係数であり、ａ＞１の場合、入力電圧によって一時的に異方性磁場の符号が変化する〔図１（ｄ）参照〕。Ｖ_max は印加するゲート電圧Ｖの最大値である。Ｖ (ｔ) の入力により磁気エネルギーＦのψ依存性の極小値が時間的に変化するので自発磁化Ｍは回転若しくは反転する。
図２は本発明に係る各条件における磁化の角度、規格化磁気エネルギー、規格化磁気エネルギーの極小値のそれぞれの時間依存性を示す図であり、図２ (ａ) ，（ｂ) はａ＝２の場合の磁化の [１００] 方向からの角度ψの時間依存性と規格化磁気エネルギーｆ＝２Ｆ／ＭＨ_B の磁化の [１００] 方向からの角度ψ依存性の時間発展であり、図 2（ｃ) ，（ｄ）は規格化磁気エネルギーｆの極小値 (＝ｆ_min ) の時間依存性である。ｈ_U1（０) ＝０．１，ｈ_U2（０) ＝０．５の場合、Ｖ (ｔ) により自発磁化Ｍは回転するが、ｔ＝１で元の角度に戻る。ｈ_U1 (０) ＝０．１，ｈ_U2（０）＝１の場合は自発磁化Ｍが時計回りに回転し、ｔ＝１で自発磁化Ｍは初期角度と１８０°反対を向く（反転) 。この場合、規格化磁気エネルギーの最小値ｆ_min （ｔ) がｔ＝０．５に対して対称ではなく、また、不連続な自発磁化Ｍの回転が２度生じる。反転条件を調べるために、Ｖ（ｔ) の入力前後の磁化の〔１００〕方向からの角度ψの差Δψをそれぞれのｈ_U1（０) ，ｈ_U2（０) について計算した。

図３は本発明に係る各ゲート電圧Ｖの印加によるｈ_U1とｈ_U2の変調の度合いを表す係数ａ値のときの磁化の回転角度のマップを示す図である。
図３ (ａ) はａ＝２のときのシミュレーション結果である。反転条件はアステロイド曲線で与えられることが分かる。
ｈ_U1 ^2/3 （０）＋ｈ_U2 ^2/3 （０）≧ｒ ・・・（３)
ここで、ｒはアステロイド曲線の大きさに関係する定数であり、図３でアステロイド曲線が縦軸および横軸と交わる点はｒ^3/2 になる。ａ＝２の場合にはｒ＝１である。また、反転が生じるときに、ｈ_U1 (０) とｈ_U2 (０) の積が正（負) の場合、自発磁化Ｍは時計回り（反時計回り) に回転して反転する。ａ＝１．５の場合〔図３（ｂ）参照〕はｒが大きくなる。

図４は本発明に係るｒのゲート電圧Ｖの印加によるｈ_U1とｈ_U2の変調の度合いを表す係数ａに対するｒの依存性を示す図である。
ｒはａ→１で発散し、ａ≦１では反転が生じない（回転のみ) ことを示している。書き込み後、不揮発に情報を保持するため（入力電圧をオフしても磁化の向きが反転した状態のまま保持される）には反転を引き起こすことが応用上必要不可欠である。

まとめると、ゲート電界Ｅの印加により二つの一軸磁気異方性の符号を変化させることができること（ａ＞１）、ｈ_U1（０) 及びｈ_U2（０) がアステロイド曲線の外側にあること〔上記式（３）参照〕が反転のための条件である。ＧａＭｎＡｓにおいては、比較的キュリー温度Ｔ_C に近い温度では ｈ_U2 (０) が約１となる。また、Ｔ_C より十分に低温ではあるものの、ｈ_U1 (０) が約０．０１であることが報告されている。従って、ａを２に近づけられれば、磁化反転が十分に期待できる。また、例えば、（Ｉｎ，Ｍｎ）Ａｓなど、同様な磁気異方性をもつキャリア誘起強磁性体を記録層として用いれば、同様な効果を期待することができる。

スピントランスファートルクを用いたＭＲＡＭ（ＳＰＲＡＭ) では、スピンカレントを発生するのに電流を必要とするため電力消費が生じる。本発明の電界誘起磁化反転ＲＡＭでは電流を必要としないため、消費電力は極めて小さいが、磁化反転のために消費されるわけではない外因的な電力消費、即ち電荷の充放電に伴う変位電流と絶縁膜への定常漏れ電流が発生する。一つのビットの面積及び印加電圧と時間が両手法を用いたビットで同じであるとして、磁化を反転させるのに必要な消費電力を比較すると、本発明のそれは非特許文献２で示されているＳＰＲＡＭの百万分の１以下であることが見積もられる。本発明の素子の場合は変位電流によって素子のシート抵抗程度の大きさの直列抵抗で消費される電力と静電エネルギーによる電力が主な寄与である。
＜実施の形態＞
図５は本発明に係る素子構造の一例を示す図であり、図５（ａ）〜（ｃ）は素子の構造、図５（ｄ）〜（ｆ）は磁性体層を上から見た図である。なお、磁性体層の矢印は磁化の向きを表している。

図５に示すように、金属電極層１３と絶縁体層１２を持ち、基板１０を有する磁性体層１１（記録層）を準備する。これは金属電極層１３−磁性体層１１間に電源１４から電圧を印加することにより、磁性体層１１中のキャリア（電子若しくは正孔) 濃度を増減することを目的としている。従って、このような目的に沿う構造であれば構わない。例えば磁性体層１１に磁性半導体を用いれば、絶縁体層１２部分はショットキーバリアとしてもよい。また、磁性半導体を用いた場合、光を照射することによってもキャリアを励起する（増やすあるいは場合によっては減らす) ことができる。この場合、金属電極層１３と絶縁体層１２に相当する部分は不要である。

磁性体層１１としては、キャリア濃度を増減することで、その磁化容易軸方向（磁気異方性) が変化するものを用いる。また、磁性体層１１部分は、磁性体と非磁性体や異種の磁性体の複合構造としてもよい。例えば、磁性体層１１の部分を磁性体１１／絶縁体／磁性体１１という複合構造に置き換えても、一方もしくは両方の磁性体のキャリア濃度が増減できればよい。

電界でキャリア濃度を増減できる、図５に示したような素子を例にとって説明を進める。金属電極層１３／絶縁体層１２／磁性体層１１がそれぞれ層状になっているとし、磁性体層１１の磁化容易軸が磁性体層は面内のある方向にあるとする〔図５ (ａ）参照〕。次に、電圧を金属電極層１３−磁性体層１１間に印加すると、キャリア濃度が増加（若しくは減少) するため磁化容易軸が変化し、磁化が回転する〔図５ (ｂ）参照〕。磁性体層１１が複雑な磁気異方性を持っている場合、キャリア濃度を増減させるだけで磁化を回転だけではなく反転させることができる。具体的には、二方向の異なる一軸の容易軸（Ｕ１，Ｕ２) と二軸の容易軸 (Ｂ) を同時に持つ場合である。一軸磁気異方性とは、１８０°周期で磁化の向きやすい方向（容易軸) と向きにくい方向（困難軸) が現れる異方性のことである。二軸の場合は９０°周期となる。

容易軸と困難軸が入れ替わるとき、便宜的に異方性磁場の符号を負ととる。それらの大きさを示す異方性磁場をそれぞれＨ_U1，Ｈ_U2，Ｈ_B としたときに、Ｈ_U1／Ｈ_B ≡ｈ_U1とＨ_U2／Ｈ_B ≡ｈ_U2のそれぞれの比が電圧印加により制御でき、ｈ_U1とｈ_U2の符号が反転して元に戻るような電圧印加シーケンスを与えると、磁化が反転する。具体例としては三角波やサイン波、鈍った矩形波状の電圧パルスが挙げられる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。

本発明の不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリは、無磁場での磁化の回転や反転が可能となる不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリに利用可能である。

Claims (11)

1. 磁性体からなる記録層を備える不揮発性固体磁気メモリの記録方法であって、
   前記記録層は強磁性体層からなり、自身のキャリア濃度の変化にかかわらず強磁性を示し、二軸の磁気異方性と２つの一軸磁気異方性を持ち、印加電圧により、キャリア（電子・正孔)濃度が制御されることによって、前記２つの一軸磁気異方性が制御され、
   前記不揮発性固体磁気メモリは、前記記録層と、前記記録層を支持する所定の基板と、前記記録層の上方において電気的絶縁層を介して設けられた金属電極層と、を備え、
   前記２つの一軸磁気異方性による磁気異方性の容易軸と困難軸とが入れ替わって、さらに、元に戻る書き込み電圧を前記記録層と前記金属電極層との間に印加することにより、前記記録層の磁化の向きを回転または反転させて記録動作を実行し、前記記録層は印加電圧除去後も磁化の向きを保持する、
   ことを特徴とする不揮発性固体磁気メモリの記録方法。
2. 磁性体からなる記録層を備える不揮発性固体磁気メモリの記録方法であって、
   前記記録層は強磁性体層からなり、自身のキャリア濃度の変化にかかわらず強磁性を示し、二軸の磁気異方性Ｂと２つの一軸磁気異方性Ｕ１とＵ２を持ち、印加電圧により、キャリア（電子・正孔)濃度の増加、減少若しくはそれらの組み合わせが制御されることによって、二軸の磁気異方性Ｂによる磁気異方性磁場をＨＢ、２つの一軸磁気異方性Ｕ１，Ｕ２による磁気異方性磁場をそれぞれＨＵ１，ＨＵ２としたときに、ＨＵ１／ＨＢ≡ｈＵ１とＨＵ２／ＨＢ≡ｈＵ２とが制御され、
   前記不揮発性固体磁気メモリは、前記記録層と、前記記録層を支持する所定の基板と、前記記録層の上方において電気的絶縁層を介して設けられた金属電極層と、を備え、
   前記ｈＵ１とｈＵ２との符号が反転して、元に戻る書き込み電圧を前記記録層と前記金属電極層との間に印加することにより、前記記録層の磁化の向きを回転または反転させて記録動作を実行し、前記記録層は印加電圧除去後も磁化の向きを保持する、
   ことを特徴とする不揮発性固体磁気メモリの記録方法。
3. 前記書き込み電圧は、三角波、サイン波、鈍った矩形波状の電圧パルスの何れか、から構成される、ことを特徴とする請求項１または２に記載の不揮発性固体磁気メモリの記録方法。
4. 前記基板と前記記録層との間にバッファ層を有する、ことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の不揮発性固体磁気メモリの記録方法。
5. 前記記録層は、キャリア誘起強磁性体半導体層からなる、ことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の不揮発性固体磁気メモリの記録方法。
6. 前記記録層は、ＩＶ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩ−ＶＩ−Ｖ₂ 族、酸化物半導体に遷移金属元素または希土類金属元素をドーピングした半導体層からなる、ことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の不揮発性固体磁気メモリの記録方法。
7. 前記電気的絶縁層は、絶縁膜、又は、前記金属電極層と前記記録層との接合によって生じるショットキー障壁、から構成される、ことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の不揮発性固体磁気メモリの記録方法。
8. 基板と、
   該基板上に形成され、強磁性体層からなり、自身のキャリア濃度の変化にかかわらず強磁性を示し、二軸の磁気異方性と２つの一軸磁気異方性を持ち、印加電圧により、前記二軸の磁気異方性と２つの一軸磁気異方性が制御される記録層と、
   該記録層上に形成される電気的絶縁層と、
   該電気的絶縁層上に形成される金属電極層と、を備え、
   前記２つの一軸磁気異方性による磁気異方性の容易軸と困難軸とが入れ替わって、さらに、元に戻る書き込み電圧が前記記録層と前記金属電極層との間に印加されることにより、前記記録層の磁化の向きを回転または反転する、
   ことを特徴とする不揮発性固体磁気メモリ。
9. 基板と、
   該基板上に形成され、強磁性体層からなり、自身のキャリア濃度の変化にかかわらず強磁性を示し、二軸の磁気異方性Ｂと２つの一軸磁気異方性Ｕ１とＵ２を持ち、印加電圧により、キャリア（電子・正孔)濃度の増加、減少若しくはそれらの組み合わせが制御されることによって、二軸の磁気異方性Ｂによる磁気異方性磁場をＨＢ、２つの一軸磁気異方性Ｕ１，Ｕ２による磁気異方性磁場をそれぞれＨＵ１，ＨＵ２としたときに、ＨＵ１／ＨＢ≡ｈＵ１とＨＵ２／ＨＢ≡ｈＵ２とが制御される記録層と、
   該記録層上に形成される電気的絶縁層と、
   該電気的絶縁層上に形成される金属電極層と、を備え、
   前記ｈＵ１とｈＵ２との符号が反転して、元に戻る書き込み電圧を前記記録層と前記金属電極層との間に印加されることにより、前記記録層の磁化の向きを回転または反転する、
   ことを特徴とする不揮発性固体磁気メモリ。
10. 前記書き込み電圧は、三角波、サイン波、鈍った矩形波状の電圧パルスの何れか、から構成される、ことを特徴とする請求項８または９に記載の不揮発性固体磁気メモリ。
11. 前記電気的絶縁層は、絶縁膜、又は、前記金属電極層と前記記録層との接合によって生じるショットキー障壁、から構成される、ことを特徴とする請求項８から１０の何れか１項に記載の不揮発性固体磁気メモリ。