JP5609008B2 - 透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法及び電子デバイス用透明電極 - Google Patents
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Description
一般に、金属ナノワイヤとは、金属元素を主要な構成要素とする線状構造体のことをいう。特に、本発明における金属ナノワイヤとはnmサイズの直径を有する線状構造体を意味する。
金属ナノワイヤを含有する塗布液は、金属ナノワイヤの分散性を確保するために、また、塗布乾燥後の膜において金属ナノワイヤを保持するために何らかの透明樹脂と併用することが好ましく、こうした樹脂としては、例えば、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリルウレタン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、セルロース系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂等を単独あるいは複数併用して用いることができる。また、後述する基材上に形成する架橋剤含有層の架橋剤と反応しうる基を有するポリマーであれば、拡散してきた架橋剤との反応によって、より強固な膜を形成できるので、より好ましい。架橋剤と反応する基としては架橋剤によって異なるが、例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基などをあげることができる。架橋剤と反応しうる基を有するポリマーの具体的な化合物としては、ポリビニルアルコールPVA−203、PVA−224、PVA−420(クレハ社製)、ポリビニルアセタールエスレックBM−1、BM−S、BL−1、BL−10、BL−S、KS−5(積水化学社製)、ヒドロキシプロピルメチルセルロース60SH−06、60SH−50、60SH−4000、90SH−100(信越化学工業社製)、メチルセルロースSM−100(信越化学工業社製)、酢酸セルロースL−20、L−40、L−70(ダイセル化学工業社製)、カルボキシメチルセルロースCMC−1160(ダイセル化学工業社製)、ヒドロキシエチルセルロースSP−200、SP−600(ダイセル化学工業社製)、アクリル酸アルキル共重合体ジュリマーAT−210、AT−510(東亞合成社製)、ポリヒドロキシエチルアクリレート、ポリヒドロキシエチルメタクリレートなどをあげることができる。
金属ナノワイヤを含有する塗布液に用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒(例えば、メタノールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、ホルムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、酢酸エチルなどのエステル類、エーテル類等)、及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。
塗布法としては、公知の塗布法を用いることができ、例えば、ロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法等を用いることができる。印刷法としては、凸版(活版)印刷法、孔版(スクリーン)印刷法、平版(オフセット)印刷法、凹版(グラビア)印刷法、スプレー印刷法、インクジェット印刷法等公知の方法を用いることができる。
架橋剤は金属ナノワイヤを含有する透明導電層と基材の間に設けられた補助層に含有される。架橋剤としては、特に制限はなく、公知の架橋剤を使用できるが、金属ナノワイヤ層へ拡散可能な架橋剤であることが好ましい。架橋剤は、金属ナノワイヤ層へ拡散しながら架橋できることから、熱架橋性の架橋剤をより好ましく利用できる。加熱処理としては支持体の耐熱性にもよるが100℃から150℃で1から60分程度の処理で反応する材を好ましく用いることができる。こうした架橋剤としては、エポキシ系、カルボジイミド系、メラミン系、イソシアネート系、シクロカーボネート系、ヒドラジン系、ホルマリン系等の公知の架橋剤をあげることができる。また、反応促進するために触媒を併用することも好ましい。
本発明の透明導電フィルムに用いられる透明基材としては、高い光透過性を有していればそれ以外に特に制限はない。例えば、基材としての硬度に優れ、またその表面への導電層の形成のし易さ等の点で、ガラス基板、樹脂基板、樹脂フィルムなどが好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが好ましい。
本発明の透明導電フィルムを電子デバイスの電極に用いるには、何らかのパターン形成が必要となる。パターン形成は印刷法やインクジェット法によって直接パターン形成してもよいが、均一な透明導電フィルムを作成した後、必要に合わせたパターン形成処理を施す方がより効率的に生産できることから、より好ましい。
本発明のパターン電極におけるパターン部の全光線透過率は、60%以上、好ましくは70%以上、特に好ましくは80%以上であることが望ましい。全光透過率は、分光光度計等を用いた公知の方法に従って測定することができる。
電子デバイス用透明電極においては、ゴミや異物がトラブルの原因となることから、洗浄処理を行うことが好ましい。特に、有機ELや有機太陽電池などにおいては数十nm程度の異物もリークの原因となるために洗浄処理が必須である。
(透明導電フィルムTC−10の作製)(本発明)
易接着加工を施された二軸延伸PETフィルムA4100(東洋紡社製)の易接着加工を施された面に下記補助層塗布液H−01を架橋剤の目付け量が40mg/m2となるように押出しコート塗布し、90℃20秒の乾燥処理をした。引き続いて、金属ナノワイヤを含有する塗布液として、下記銀ナノワイヤ含有液AGW−1を銀の目付け量が80mg/m2となるように押出しコートし、引き続いて、115℃10分の熱処理を施し、本発明の透明導電フィルムTC−10を得た。
ベッカミンM−3(メラミン系架橋剤;大日本インキ化学工業製) 2.5g
ベッカミンACX(触媒;大日本インキ化学工業製) 0.25g
純水 497.25g
イソプロピルアルコール 500g。
金属微粒子として、Adv.Mater.,2002,14,833〜837に記載の方法を参考に、還元剤としてEG(エチレングリコール;関東化学社製)を、形態制御剤兼保護コロイド剤としてPVP(ポリビニルピロリドン K30、分子量5万;ISP社製)を使用し、かつ核形成工程と粒子成長工程とを分離して粒子形成を行い、銀ナノワイヤ分散液を調製した。以下に各工程について記載する。
反応容器内で160℃に保持した100mlのEGを攪拌しながら、硝酸銀のEG溶液(硝酸銀濃度:0.1モル/L)2.0mlを一定の流量で1分間かけて添加した後、160℃で10分間保持し銀イオンを還元して銀の核粒子を形成した。反応液は、ナノサイズの銀微粒子の表面プラズモン吸収に由来する薄黄色を呈しており、銀イオンが還元されて銀の微粒子(核粒子)が形成されたことが確認できた。続いて、PVPのEG溶液(PVP濃度:3.24g/L)10.0mlを一定の流量で10分間かけて添加した。
上記核形成工程終了後の核粒子を含む反応液を攪拌しながら160℃に保持し、硝酸銀のEG溶液(硝酸銀濃度:1.0×10−1モル/L)100mlと、PVPのEG溶液(PVP濃度:3.24g/L)100mlを、ダブルジェット法を用いて一定の流量で120分間かけて添加した。粒子成長工程において、30分毎に反応液を採取して電子顕微鏡で確認したところ、核形成工程で形成された核粒子が時間経過に伴ってワイヤ状の形態に成長しており、粒子成長工程における新たな微粒子の生成は認められなかった。最終的に得られた銀ナノワイヤについて、電子顕微鏡写真を撮影し、300個の銀ナノワイヤ粒子像の長軸方向及び短軸方向の粒径を測定して算術平均を求めた。短軸方向の平均粒径は75nm、長軸方向の平均粒径は35μmであった。
上記粒子形成工程を終了した反応液を室温まで冷却した後、0.2μmの限外濾過膜を用いて脱塩水洗処理を施した。これを更に水洗処理し、乾燥して銀ナノワイヤを得た。
その後、エタノール中に再分散して銀ナノワイヤ分散液AGW−1(銀ナノワイヤ含有量0.8質量%)を調製した。
補助層塗布液H−01の塗布厚みを変え、架橋剤の目付け量を15mg/m2とし、金属ナノワイヤを含有する塗布液として、前記AGW−1の作製で脱塩水洗工程まで終了した銀ナノワイヤをヒドロキシプロピルメチルセルロース60SH−50(信越化学工業社製)0.6質量%の水溶液に再分散して銀ナノワイヤ分散液AGW−2(銀ナノワイヤ含有量0.8質量%)を調製し、AGW−1に代えて使用した以外はTC−10と同様にして本発明の透明導電フィルムTC−11を得た。
補助層塗布液を下記H−02とし、架橋剤の目付け量を15mg/m2とした以外はTC−11と同様にして本発明の透明導電フィルムTC−12を得た。
デナコールEX521(架橋剤;ナガセケムテックス製) 1.5g
硫酸アンモニウム 0.05g
純水 798.45g
イソプロピルアルコール 200g。
補助層塗布液を下記H−03とし、架橋剤の目付け量を15mg/m2とした以外はTC−11と同様にして本発明の透明導電フィルムTC−13を得た。
デナコールEX1410(架橋剤;ナガセケムテックス製) 1.5g
硫酸アンモニウム 0.05g
純水 798.45g
イソプロピルアルコール 200g。
補助層塗布液を下記H−04とし、架橋剤の目付け量を15mg/m2とした以外はTC−11と同様にして本発明の透明導電フィルムTC−14を得た。
スミジュールNN3300(架橋剤;住化バイエルウレタン製) 1.5g
メチルエチルケトン 98.5g。
補助層塗布液を下記H−05とし、架橋剤の目付け量を15mg/m2とした以外はTC−11と同様にして本発明の透明導電フィルムTC−15を得た。なお、デナコールEX212(ナガセケムテックス製)は、銀ナノワイヤ層の溶媒(水)には不溶である。
デナコールEX212(架橋剤;ナガセケムテックス製) 1.5g
メチルエチルケトン 998.5g。
補助層塗布液を下記H−06とし、架橋剤の目付け量を15mg/m2とした以外はTC−11と同様にして本発明の透明導電フィルムTC−16を得た。
グリオキサール(架橋剤)40質量%水溶液 3.75g
硫酸アンモニウム 0.05g
純水 796.2g
イソプロピルアルコール 200g。
補助層塗布液を下記H−07とし、架橋剤の目付け量を30mg/m2とした以外はTC−11と同様にして本発明の透明導電フィルムTC−17を得た。
デナコールEX521(架橋剤;ナガセケムテックス製) 1.5g
硫酸アンモニウム 0.05g
PVA−224(架橋剤と反応する基を有するポリマー;クレハ社製) 1.5g
純水 996.95g。
補助層塗布液を下記のA−10とし、ポリマーの目付け量を15mg/m2とした以外はTC−11と同様にして比較例の透明導電フィルムTC−20を得た。
PVA−224(クレハ社製) 1.5g
純水 998.5g。
TC−11において、補助層塗布液H−01を塗布せずに、易接着加工を施された二軸延伸PETフィルムA4100(東洋紡社製)の易接着加工を施された面に、直接、銀ナノワイヤ層を塗布して90℃20秒の乾燥処理をした後に、銀ナノワイヤ層上に補助層塗布液H−01を架橋剤の目付け量が15mg/m2となるように塗布し、引き続いて、115℃10分の熱処理を施した以外はTC−11と同様にして比較例の透明導電フィルムTC−21を得た。
各透明導電性フィルムの表面抵抗率をダイアインスツルメンツ製抵抗率計ロレスタGPにより測定した。引き続き、洗浄処理として、セミコクリーン56(フルイチ化学社製)にフィルムを浸漬し、超音波洗浄器ブランソニック3510J−MT(日本エマソン社製)により10分間の超音波洗浄処理を施した。乾燥後に再び表面低効率を測定し、洗浄前の表面抵抗値/洗浄後の表面抵抗値の値からで洗浄耐性を評価した。0.5以上であることが必要で、好ましくは0.7以上、0.8以上であることが最も好ましい。
各透明導電性フィルムを電流測定可能なAFMとして、エスアイアイナノテクノロジー社製S−Imageを用いて、銀ペーストにより試料と試料台との導通を確保し、感知レバー側にマイナス5Vの電圧を印加し、80μm四方の範囲をスキャンして、その領域の電流像と形状像とを同時に測定した。
×;ほとんど電流が流れず、金属ナノワイヤに対応した電流像が見られない。
(有機EL素子の作製)
以下、クリーン環境下で作業した。
エチレンジアミン4酢酸第2鉄アンモニウム 60g
エチレンジアミン4酢酸 2g
メタ重亜硫酸ナトリウム 15g
チオ硫酸アンモニウム 70g
マレイン酸 5g
純水で1Lに仕上げ、硫酸またはアンモニア水でpHを5.5に調整し金属ナノワイヤ除去剤BF−1を作製した。
正孔注入材料としてCLEVIOS P AI4083(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸;H.C.Starck社製)をスピンコート装置で塗布した後、80℃、60分間乾燥して、厚さ300nmの正孔注入層を形成した。なお、この正孔注入層は銀ナノワイヤの窓部にも電気を運ぶ面電極化層としても働く。
正孔注入層上に、1,2−ジクロロエタン中に1質量%となるように正孔輸送材料の4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)を溶解させた正孔輸送層形成用塗布液をスピンコート装置で塗布した後、80℃、60分間乾燥して、厚さ40nmの正孔輸送層を形成した。
正孔輸送層が形成された各フィルム上に、ホスト材のポリビニルカルバゾール(PVK)に対して、以下に示す赤ドーパント材Btp2Ir(acac)が1質量%、緑ドーパント材Ir(ppy)3が2質量%、青ドーパント材FIr(pic)3が3質量%にそれぞれなるように混合し、PVKと3種ドーパントの全固形分濃度が1質量%となるように1,2−ジクロロエタン中に溶解させた発光層形成用塗布液をスピンコート装置で塗布した後、100℃、10分間乾燥して、厚さ60nmの発光層を形成した。
形成した発光層上に、電子輸送層形成用材料としてLiFを5×10−4Paの真空下にて蒸着し、厚さ0.5nmの電子輸送層を形成した。
形成した電子輸送層の上に、Alを5×10−4Paの真空下にて蒸着し、厚さ100nmのカソード電極を形成した。
ポリエチレンテレフタレートを基材とし、Al2O3を厚さ300nmで蒸着した可撓性封止部材を作製した。
Claims (10)
- 透明基材上に金属ナノワイヤを含有する透明導電層を有する透明導電性フィルムの製造方法において、基材上に少なくとも架橋剤を含有する層を形成し、該架橋剤を含有する層上に少なくとも金属ナノワイヤを含有する塗布液を塗布して乾燥させた後、該架橋剤を反応させる処理を施したことを特徴とする透明導電フィルムの製造方法。
- 前記架橋剤を反応させる処理が加熱処理であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電フィルムの製造方法。
- 前記金属ナノワイヤを含有する塗布液が該架橋剤と反応可能な基を有するポリマーを含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の透明導電フィルムの製造方法。
- 前記架橋剤を含有する層が該架橋剤と反応可能な基を有するポリマーを含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の透明導電フィルムの製造方法。
- 架橋剤が金属ナノワイヤを含有する塗布液の溶媒に可溶であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の透明導電フィルムの製造方法。
- 前記金属ナノワイヤを含有する透明導電層がパターン形成処理によりパターン形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の透明導電フィルムの製造方法。
- 前記金属ナノワイヤを含有する透明導電層が洗浄処理を施されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の透明導電フィルムの製造方法。
- 透明基材上に架橋剤を含有する層及び金属ナノワイヤを含有する層が順に積層されたことを特徴とする透明導電フィルム。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の透明導電フィルムの製造方法により製造されたことを特徴とする透明導電フィルム。
- 請求項8又は9に記載の透明導電フィルムを電子デバイス用にパターン形成することにより製造されたことを特徴とする透明電極。
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