JP5657535B2 - 汚染物捕獲体を含む極紫外線放射生成装置 - Google Patents
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Description
−少なくとも部分的に当該汚染物捕獲体の外部表面において、好ましくはスズと鉄との系の液相へ及び/又は液体スズと腐食反応生成物FeSn 2 との組合せへ90°以下の接触角度を有する材料を本質的に備え、
−0.1mm/s以上及び50mm/s以下の速度で動かされることが可能である、
極紫外線放射生成装置。
−汚染物捕獲体により、スズの汚染が大いに低減され得、これにより、極紫外線装置の寿命及び品質の両方を増加させる。
−汚染物捕獲体により、スズの汚染が大いに低減され得、これにより、極紫外線放射自体の純度(「放射」の「清浄度」)を増加させる。
−汚染物捕獲体により、スズの汚染が大いに低減され得、これにより、より長い時間にわたり液体スズ自体の高品質及び純度を維持させ、そして、スズ自体の定期的な交換を避けることが可能で有り得る。
−汚染物捕獲体により、ベースとなる材料が極紫外線装置において使用される前に適用され及び被膜されて、形成が準備され得るので、汚染物捕獲体の加工自体がより安価になり、且つ、取り扱いも容易になる(例えば、機械工に対して)。
−汚染物捕獲体により、汚染された液体から汚染物を除去するために使用されるのに必要とされる専用接着促進剤が存在しない。
−汚染物捕獲体により、全ての種類のゲッタの幾何構成を適用することが可能である、すなわち、複雑な構成でさえも非常に簡単な構成も実現され得る。
ことを示している。
−半導体リソグラフィ、
−計測、
−顕微鏡
−核分裂、
−融合、
−半田付け、
のうちの1つ又は複数において使用され得る。
本発明の材料(「良好」と記される):これらの材料は、おそらく湿潤による表面の反応生成物の接触により、汚染物及び腐食生成物を除去することが可能である。これにより、腐食生成物は、スズ溶解槽から除去され得る。
比較用材料(「無し」と記される):スズ溶解槽において何の変化も確認され得なかった、すなわち汚染物は除去されなかった。
ことが確認され得た。
接触角度は、本文書に参照として組み込まれる「S.-Y. Lin et al.,Measurement of dynamic/advancing/receding contact angle by video-enhanced sessile drop tensiometry,Rev. Sci. Instrum.,67(8),pp.2852,1996」に従い測定され得る。
Claims (8)
- プラズマ生成装置、及び、前記プラズマ生成装置に液体スズを供給するように適合される前記プラズマ生成装置と液体連通をしている供給貯蔵部を有する少なくとも1つのスズ供給システム、を有する極紫外線放射生成装置であって、前記スズ供給システムは、スズの供給のための少なくとも1つの供給手段を有し、当該装置は、更に、前記供給手段において供給される前記スズと少なくとも部分的に接触する少なくとも1つの汚染物捕獲体を有し、前記汚染物捕獲体は、
−少なくとも部分的に当該汚染物捕獲体の外部表面において、スズと鉄との系の液相へ及び/又は液体スズと腐食反応生成物FeSn2との組合せへ90°以下の接触角度を有する材料を本質的に備え、
−0.1mm/s以上及び50mm/s以下の速度で動かされることが可能である、
極紫外線放射生成装置。 - 請求項1に記載の極紫外線放射生成装置であって、前記汚染物捕獲体は、80°以下の接触角度を有する材料を備える、極紫外線放射生成装置。
- 請求項1又は2に記載の極紫外線放射生成装置であって、前記汚染物捕獲体は、10mm/s以上及び30mm/s以下の速度で動かされることが可能である、極紫外線放射生成装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の極紫外線放射生成装置であって、前記少なくとも1つの汚染物捕獲体は、前記スズ供給システムの壁から10mm以上及び2cm以下の距離で設けられる、極紫外線放射生成装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の極紫外線放射生成装置であって、低接触角度を有する前記汚染物捕獲体材料は、少なくとも1つの共有結合無機固体材料を含む、又は少なくとも1つの共有結合無機固体材料から本質的に作製される、極紫外線放射生成装置。
- プラズマ生成装置、及び、前記プラズマ生成装置に液体スズを供給するように適合される前記プラズマ生成装置と液体連通をしている供給貯蔵部を有する少なくとも1つのスズ供給システム、を有する極紫外線放射生成装置においてスズを清浄及び/又は精製する方法であって、前記スズ供給システムは、スズの供給のための少なくとも1つの供給手段と、少なくとも部分的に当該汚染物捕獲体の外部表面において、スズと鉄との系の液相へ及び/又は液体スズと腐食反応生成物FeSn2との組合せへ90°以下の接触角度を有する材料を本質的に備え、
前記少なくとも1つの汚染物捕獲体を少なくとも部分的に前記液体スズ内において0.1mm/s以上及び50mm/s以下の速度で動かすステップを有する、
方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の極紫外線放射生成装置を有するシステムであって、
−半導体リソグラフィ、
−計測、
−顕微鏡
のうちの1つ又は複数において使用される、システム。 - 請求項6に記載の方法であって、
−半導体リソグラフィ、
−計測、
−顕微鏡
のうちの1つ又は複数において使用される、方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP08104787.0 | 2008-07-18 | ||
| EP08104787 | 2008-07-18 | ||
| PCT/IB2009/053009 WO2010007569A1 (en) | 2008-07-18 | 2009-07-10 | Extreme uv radiation generating device comprising a contamination captor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011528498A JP2011528498A (ja) | 2011-11-17 |
| JP5657535B2 true JP5657535B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=41211922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011518047A Active JP5657535B2 (ja) | 2008-07-18 | 2009-07-10 | 汚染物捕獲体を含む極紫外線放射生成装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8891058B2 (ja) |
| EP (1) | EP2300879B1 (ja) |
| JP (1) | JP5657535B2 (ja) |
| KR (1) | KR101642269B1 (ja) |
| CN (1) | CN102099746B (ja) |
| AT (1) | ATE528694T1 (ja) |
| WO (1) | WO2010007569A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6395832B2 (ja) | 2013-08-02 | 2018-09-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置 |
| WO2021236413A1 (en) | 2020-05-18 | 2021-11-25 | Wangs Alliance Corporation | Germicidal lighting |
| US11027038B1 (en) | 2020-05-22 | 2021-06-08 | Delta T, Llc | Fan for improving air quality |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3586244T2 (de) * | 1984-12-26 | 2000-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vorrichtung zur Erzeugung von Weich-Röntgenstrahlen durch ein Hochenergiebündel. |
| GB2204063A (en) * | 1987-04-29 | 1988-11-02 | Capper Pass Limited | Refining of tin |
| DE19743311A1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-04-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Target für die Erzeugung gepulster Röntgen- und Extrem-UV-Strahlung (EUV), Verfahren zur Erzeugung eines solchen Targets sowie seine Verwendung |
| NL1008352C2 (nl) * | 1998-02-19 | 1999-08-20 | Stichting Tech Wetenschapp | Inrichting, geschikt voor extreem ultraviolet lithografie, omvattende een stralingsbron en een verwerkingsorgaan voor het verwerken van de van de stralingsbron afkomstige straling, alsmede een filter voor het onderdrukken van ongewenste atomaire en microscopische deeltjes welke door een stralingsbron zijn uitgezonden. |
| FR2799667B1 (fr) * | 1999-10-18 | 2002-03-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie |
| US7405416B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
| SG129259A1 (en) * | 2002-10-03 | 2007-02-26 | Asml Netherlands Bv | Radiation source lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| WO2004062050A2 (en) * | 2003-01-02 | 2004-07-22 | Jmar Research Inc. | Method and apparatus for generating a membrane target for laser produced plasma |
| DE10342239B4 (de) | 2003-09-11 | 2018-06-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Extrem-Ultraviolettstrahlung oder weicher Röntgenstrahlung |
| EP1624467A3 (en) * | 2003-10-20 | 2007-05-30 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG112047A1 (en) * | 2003-11-11 | 2005-06-29 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus with contamination suppression, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US7567379B2 (en) * | 2004-04-29 | 2009-07-28 | Intel Corporation | Technique to prevent tin contamination of mirrors and electrodes in an EUV lithography system |
| JP4337648B2 (ja) * | 2004-06-24 | 2009-09-30 | 株式会社ニコン | Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
| DE102005023060B4 (de) * | 2005-05-19 | 2011-01-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Gasentladungs-Strahlungsquelle, insbesondere für EUV-Strahlung |
| WO2007002170A2 (en) | 2005-06-21 | 2007-01-04 | Starfire Industries Llc | Microdischarge light source configuration and illumination system |
| US7365349B2 (en) * | 2005-06-27 | 2008-04-29 | Cymer, Inc. | EUV light source collector lifetime improvements |
| JP4710463B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2011-06-29 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光発生装置 |
| US7501642B2 (en) | 2005-12-29 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
| DE102006027856B3 (de) * | 2006-06-13 | 2007-11-22 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung mittels elektrischer Entladung an regenerierbaren Elektroden |
| NL1036595A1 (nl) * | 2008-02-28 | 2009-08-31 | Asml Netherlands Bv | Device constructed and arranged to generate radiation, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
-
2009
- 2009-07-10 EP EP09786568A patent/EP2300879B1/en active Active
- 2009-07-10 WO PCT/IB2009/053009 patent/WO2010007569A1/en not_active Ceased
- 2009-07-10 AT AT09786568T patent/ATE528694T1/de not_active IP Right Cessation
- 2009-07-10 JP JP2011518047A patent/JP5657535B2/ja active Active
- 2009-07-10 CN CN200980128098.6A patent/CN102099746B/zh active Active
- 2009-07-10 US US13/003,950 patent/US8891058B2/en active Active
- 2009-07-10 KR KR1020117003693A patent/KR101642269B1/ko active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102099746B (zh) | 2013-05-08 |
| CN102099746A (zh) | 2011-06-15 |
| EP2300879A1 (en) | 2011-03-30 |
| US20110181848A1 (en) | 2011-07-28 |
| EP2300879B1 (en) | 2011-10-12 |
| WO2010007569A1 (en) | 2010-01-21 |
| ATE528694T1 (de) | 2011-10-15 |
| KR20110047197A (ko) | 2011-05-06 |
| JP2011528498A (ja) | 2011-11-17 |
| KR101642269B1 (ko) | 2016-07-26 |
| US8891058B2 (en) | 2014-11-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| A711 | Notification of change in applicant |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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