JP5647117B2 - ガラス帯の表面のうちの1つに構造を生成するためのプロセスおよび装置 - Google Patents
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Description
限られるわけではないが、光起電セルを備えるモジュールのための板ガラスの製造のための上述のような方法に関する。
T2に近い温度へと加熱されるべき厚さ、
帯の速度、
ガラスの熱拡散率、および
ガラスのエンタルピー、
を考慮に入れる必要がある。
刻み付け装置が、刻印すべきパターンの性状、刻み付け装置と帯との間の圧力、および帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間によれば刻み付け装置のパターンを帯へと刻み付けるためには帯の平均温度T1が不充分である領域に配置され、
刻印されるべき表面が、刻み付け装置の上流において加熱され、帯の限られた充分な厚さが、刻み付けの開始において、刻印すべきパターンの性状、刻み付け装置と帯との間の圧力、および帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間によれば帯へと刻み付け装置からパターンを刻み付けるために必要である温度T2>T1へと高められ、
加熱装置によって帯へと伝えられる熱流束が、「圧痕数」(impression number)が、0.05mm−1〜2.00mm−1の間の範囲であり、好ましくは0.3mm−1であるような熱流束であり、「圧痕数」Nimpは、式
刻み付け装置が、刻印すべきパターンの性状、刻み付け装置と帯との間の圧力、および帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間によれば刻み付け装置のパターンを帯へと刻み付けるためには帯の平均温度T1が不充分である領域に配置され、
刻印されるべき表面を加熱する手段が、刻み付け装置の上流に設置され、帯の限られた充分な厚さが、刻印すべきパターンの性状、刻み付け装置と帯との間の圧力、および帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間によれば刻み付け装置のパターンを帯へと刻み付けるために必要である温度T2>T1へと、帯の残りの部分をT1に近い温度に保ちつつ高められ、
加熱手段によって帯へと伝えられるパワーが、「圧痕数」Nimpが、0.05mm−1〜2.00mm−1の間の範囲であり、好ましくは0.3mm−1に等しいようなパワーである
ことを特徴とする装置に関する。
刻印されるべき表面が、刻み付け装置の上流において加熱され、帯の限られた充分な厚さが、刻み付けの開始において、刻印すべきパターンの性状、刻み付け装置と帯との間の圧力、および帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間によれば帯へと刻み付け装置のパターンを刻み付けるために必要である温度T2>T1へと高められ、
熱流束が、誘導またはマイクロ波によって、吸収が刻み付けを受けるべき層の厚さに限られるように適切に選択された周波数にて、帯へと伝えられる
ことを特徴とする方法にある。
・ガラスが、良好な刻み付けに適した可塑性の状態にあるか否か。
・帯と刻印ロールとの間の接触の圧力。
・刻印された構造が、大きな応力を回避しつつ固まること。
・刻印されない面の表面の仕上げが保たれること。
・帯の平坦さが保たれること。
刻印すべきパターンの性状(特には、パターンの形状、サイズ、および深さ)、
刻印ロール8と帯Bとの間の圧力、および
帯と刻印ロールとの間の接触の継続時間
によれば刻印ロールのパターンをガラスの帯へと刻み付けるためには不充分である平均温度T1にある地点Aに配置される。
透明なガラスの帯が、3.5mの幅および3mmの厚さであって、15m/分の速度で移動し、
帯へと刻み付けられる構造が、0.2mmという深さを830℃という温度T2へと加熱することを必要とし、
刻み付けは、帯の上面について実行され、
刻み付けは、LORの後かつ帯の焼きなましの開始前に実行され、ガラスは600℃という温度T1にあり、
空中浮遊テーブルが、刻み付けロールの下方に配置され、5〜10MPa程度の圧力を加え、
刻み付けロールが、セラミック製であり、400mmの直径を有しており、全体として断熱であり、
加熱領域と刻み付けの地点との間の距離が、10cmである。
冷却が、圧痕面について、約200kW/m2の流束で約100cmの長さにわたって対流によって実行され、次いで約30kW/m2の除去流束で50cmの長さにわたって放射(要素13)によって実行される。
要素13aを使用した放射と、空気ジェット12aを使用した少量の対流とによる冷却が、約50kW/m2の除去流束で3mの長さにわたってロールの下方で下面について実行される。この装置は、冷却が図6の図の1.3mの位置で始まるような方法で配置される。
赤外線(不透明部分において放射をガラスが吸収することによる加熱)
高温空気(ガラスの表面における対流および伝導)
高温ガス(燃焼の放射、対流、および伝導)
プラズマ(イオン化ガスのガラス板との接触)
マイクロ波(誘電加熱)
誘導(電流を消散させるための加熱)
1.特には低い温度のガラスにおける乏しい吸収および低い効率。
2.(限られた深さではなく)体積へと深く進入してしまうこと。
P=2π・f・ε0ε’’・E2
によって与えられる。
ガラスの帯の誘電率の測定が、30GHzの周波数および600℃の温度において以下の値を示す。すなわち、ε’=8およびε’’=12である。
2 槽
3 フロート室
4 金属ロール
5 開放空間
6 焼きなまし炉
7 ロール
8 刻印ロール
9 加熱手段
10 アレイ
11 吹き付け箱
12 冷却手段
13 放射要素
14 空中浮遊テーブル
15 壁
Claims (13)
- 刻み付け装置を使用してガラスの帯の表面に構造を連続的に生成するための方法であって、
刻み付け装置が、その上で帯が形成されるスズの槽の後ろに位置する領域に配置され、スズの槽と刻み付け装置との間において、帯の平均温度T1が、刻印すべきパターンの性状、刻み付け装置と帯との間の圧力、および帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間に従って、刻み付け装置のパターンを帯へと刻み付けるためには不十分であり、
刻印されるべき帯の表面が、刻み付け装置の上流の加熱装置によって加熱されることで、刻み付けの開始において、帯の部分的な厚さが、刻印すべきパターンの性状、刻み付け装置と帯との間の圧力、および帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間に従って、刻み付け装置から帯へとパターンを刻み付けるために十分な温度T2>T1へと高められ、刻み付け装置のパターンによって構造が帯の表面に刻み付けられ、
また、加熱中、熱流束qhtが、加熱装置によって、進行方向に長さlengthheatedにわたって帯へと伝えられ、熱流束と加熱された長さの値が、
0.05mm-1から2.00mm-1の範囲である「圧痕数」Nimpを選択する
という手順によって定められ、
「圧痕数」Nimpは、式:
によって定められ、
このとき、深さdepthT2は、構造を刻み付けるために温度T2に高められるべきガラスの厚さを示し、速度speedはガラス帯の進行速度を示し、diffusivitythermalは、ガラスの熱拡散率を示し、
選択されたNimp値および既知のdepthT2値、diffusivitythermalおよびspeedに基づいてlengthheatedを計算し、
帯の幅Qimp1m当たりに放出されるべき熱出力を、式:
から計算し、
このとき、Hg(T2)とHg(T1)は、それぞれ温度T2と温度T1におけるガラスのエンタルピーであり、ERは、式:
によって計算されたlengthheated値によって定められるエネルギー比であり、
また、
式:
によって計算されたQimpとlengthheatedの値から熱流束qhtを定める方法。 - 構造が刻印される表面が、帯の上面または下面のいずれかであり、また、構造が刻印される表面が、速やかに、刻印された構造を安定させて帯をT1に近い温度へと戻すために、刻印装置の後ろで速やかに冷却される、請求項1に記載の方法。
- 帯がソーダ石灰ガラスを含み、温度T2が650℃〜1100℃の範囲にある、請求項1に記載の方法。
- 帯がソーダ石灰ガラスを含み、温度T1が620℃以下かつ570℃超である、請求項1に記載の方法。
- 「圧痕数」Nimpが、0.3mm-1である、請求項1に記載の方法。
- 刻み付け装置のパターンによって構造が帯の表面に刻印されるように、帯の反対面に向けられた加圧ガスによって、帯の表面が、刻み付け装置へと押し付けられる、請求項1に記載の方法。
- 刻み付け装置がロールを備え、また、加圧ガスが、円弧の接点を介して帯の表面を刻み付け装置に接触させることによって、帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間を延長する、請求項6に記載の方法。
- アーク接点の弧の角度が、約11度である、請求項7に記載の方法。
- 帯が形成されるスズの槽の後ろに位置する領域において、刻み付け装置を使用してフロートガラスの帯の表面に構造を連続的に生成するための方法であって、ガラスの帯が、水平面の領域を通って運ばれ、刻み付け装置が、水平面の上または下のいずれかに配置され、吹き付け手段が、刻み付け装置の領域に設けられ、かつ刻み付け装置とは反対側の帯の表面に加圧ガスを吹き付けるように構成されており、スズの槽と刻み付け装置との間において、帯の平均温度T1が、刻印すべきパターンの性状、刻み付け装置と帯との間の圧力、および帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間に従って、刻み付け装置のパターンを帯へと刻み付けるためには不十分であり、
刻印されるべき帯の表面が、刻み付け装置の上流の加熱装置によって加熱されることで、刻み付けの開始において、帯の部分的な厚さが、刻印すべきパターンの性状、刻み付け装置と帯との間の圧力、および帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間に従って、刻み付け装置のパターンを帯へと刻み付けるために十分な温度T2>T1へと高められ、
熱流束が、誘導またはマイクロ波によって、熱流束の吸収が帯の部分的な厚さに限られるように適切に選択された周波数にて帯へと伝えられ、また、
刻み付け装置のパターンによって構造が帯の表面に刻印されるように、吹き付け手段により帯の反対面に向けられた加圧ガスによって、帯の表面が、刻み付け装置へと押し付けられる方法。 - 刻み付け装置がロールを備え、また、加圧ガスが、円弧の接点を介して帯の表面を刻み付け装置に接触させることによって、帯と刻み付け装置との間の接触の継続時間を延長する、請求項9に記載の方法。
- 構造が刻印される表面が、帯の上面または下面のいずれかであり、また、構造が刻印される表面が、速やかに、刻印された構造を安定させて帯をT1に近い温度へと戻すために、刻印装置の後ろで速やかに冷却される、請求項9に記載の方法。
- 帯がソーダ石灰ガラスを含み、温度T2が650℃〜1100℃の範囲にある、請求項9に記載の方法。
- 帯がソーダ石灰ガラスを含み、温度T1が620℃以下かつ570℃超である、請求項9に記載の方法。
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