JP5581607B2 - 高分子化合物及びそれを用いた有機トランジスタ - Google Patents

Description

本発明は、高分子化合物及びそれを用いた有機トランジスタに関する。

有機トランジスタに用いる材料として様々な高分子化合物が検討されており、例えば、繰り返し単位として下記フルオレンジイル基及び下記トリフェニルアミン残基とを含む高分子化合物が提案されている（特許文献１参照）。

国際公開第０２／４５１８４号パンフレット

しかしながら、上記の高分子化合物を電界効果型の有機トランジスタに用いたとき、その電界効果移動度は未だ十分なものではなかった。

そこで、本発明の目的は、電界効果移動度が優れた電界効果型の有機トランジスタを与えうる高分子化合物を提供することにある。

即ち、本発明は第一に、式（Ｉ）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を提供する。

〔式中、Ｘ¹は酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^N）−を表し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ^Nは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。複数個存在するＲ²は、同一でも相異なっていてもよい。〕

本発明は第二に、式（Ｖ）で示される化合物を提供する。

[式中、Ｘ¹は酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^N）−を表し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ^Nは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。複数個存在するＲ¹は、同一でも相異なっていてもよく、複数個存在するＲ²は、同一でも相異なっていてもよい。]

本発明は第三に、式（Ｍ−１−１ａ）で示される化合物と式（Ｍ−１−１ｂ）で示される化合物とを反応させて、式（Ｍ−１−２ａ）で示される化合物を製造する第１の工程と、式（Ｍ−１−２ａ）で示される化合物を脱水反応させて式（Ｍ−１−３ａ）で示される化合物を製造する第２の工程とを有する、式（Ｍ−１−３ａ）で示される化合物の製造方法を提供する。

[式中、Ｘ^aはハロゲン原子を表し、Ｘ⁰¹は酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^NN）−を表し、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²及びＲ^NNは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、イミン残基、酸イミド基、シアノ基又はニトロ基を表す。複数個存在するＲ⁰¹は、同一でも相異なっていてもよく、複数個存在するＲ⁰²は、同一でも相異なっていてもよい。]
Ｒ¹¹−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ¹² （Ｍ−１−１ｂ）
[式中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アリール基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、シアノ基又はニトロ基を表す。]

[式中、Ｘ⁰¹、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ¹¹及びＲ¹²は前記と同じ意味を表す。]

[式中、Ｘ⁰¹、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ¹¹及びＲ¹²は前記と同じ意味を表す。]

本発明は第四に、前記高分子化合物を含有する組成物を提供する。

本発明は第五に、前記高分子化合物を含有する薄膜を提供する。

本発明は第六に、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極の間に設けられた前記高分子化合物を含む有機層とを有する高分子発光素子を提供する。

本発明は第七に、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、前記高分子化合物を含む有機層とを有する有機トランジスタを提供する。

本発明は第八に、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極の間に設けられた前記高分子化合物を含む有機層とを有する光電変換素子を提供する。

本発明は第九に、前記化合物を含有する薄膜を提供する。

本発明は第十に、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極の間に設けられた前記化合物を含む有機層とを有する発光素子を提供する。

本発明の高分子化合物は、電界効果型の有機トランジスタに用いた場合、その電界効果移動度が高くなるため、工業的に極めて有用である。

本発明の高分子化合物は、式（Ｉ）で示される繰り返し単位を含む。
式（Ｉ）中、Ｘ¹は酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^N）−を表し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ^Nは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。複数個存在するＲ²は同一でも相異なっていてもよい。

Ｒ¹、Ｒ²及びＲ^Nは、通常、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基である。また、Ｒ³及びＲ⁴は、通常、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基である。

ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基でもよい。アルキル基の炭素数は通常１〜２０である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、３−メチルブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ｎ−ラウリル基が挙げられる。前記アルキル基中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子（特には、フッ素原子）で置換されていてもよい。置換されたアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。

アルケニル基は、直鎖状でも分岐状もよく、シクロアルケニル基でもよい。アルケニル基の炭素数は通常２〜２０である。アルケニル基の具体例としては、エテニル基、プロペニル基、２−プロペニル基、１−メチルプロペニル基、２−メチルプロペニル基、１，２−ジメチルプロペニル基、ブテニル基、２−メチルブテニル基、１，３−ブタジエニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、２−エチルヘキセニル基が挙げられる。前記アルケニル基中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。置換されたアルケニル基としては、トリフルオロエテニル基、パーフルオロブテニル基、パーフルオロヘキセニル基、パーフルオロオクテニル基等が挙げられる。

アルキニル基は直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキニル基でもよい。アルキニル基の炭素数は通常２〜２０である。アルキニル基の具体例としては、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基、２−メチルプロピニル基、ブチニル基、２−メチルブチニル基、１，３−ブタンジイル基、ペンチニル基、ヘキチニル基、シクロヘキチニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−エチルヘキチニル基が挙げられる。前記アルキニル基中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。置換されたアルキニル基としては、フルオロエチニル基、パーフルオロブチニル基、パーフルオロヘキチニル基、パーフルオロオクチニル基等が挙げられる。

アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよい。アルコキシ基の炭素数は通常１〜２０である。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ｎ−ラウリルオキシ基が挙げられる。前記アルコキシ基中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子（特には、フッ素原子）で置換されていてもよい。置換されたアルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。

アルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であってもよい。アルキルチオ基の炭素数は通常１〜２０である。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ｎ−ラウリルチオ基が挙げられる。前記アルキルチオ基中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子（特には、フッ素原子）で置換されていてもよい。置換されたアルキルチオ基としては、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられる。

アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、該アリール基には、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。前記アリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状のアルキル基、炭素数１〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状のアルキル基又は炭素数１〜２０のシクロアルキル基をその構造中に含むアルコキシ基、下記式（５）で示される基等が挙げられる。アリール基の例としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられ、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基として具体的には、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｎ−プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ｎ−ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｓ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ｎ−ペンチルオキシフェニル基、ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、ｎ−オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ｎ−ノニルオキシフェニル基、ｎ−デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ｎ−ラウリルオキシフェニル基等が挙げられる。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ｎ−ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ｎ−ヘプチルフェニル基、ｎ−オクチルフェニル基、ｎ−ノニルフェニル基、ｎ−デシルフェニル基、ｎ−ドデシルフェニル基等が挙げられる。
前記アリール基中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子（特には、フッ素原子）で置換されていてもよい。

（式中、ｇ１は１〜６の整数を表し、ｈ１は０〜５の整数を表す。）

アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられ、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基として具体的には、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、ｎ−プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ｎ−ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、ｓ−ブトキシフェノキシ基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ｎ−ペンチルオキシフェノキシ基、ｎ−ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ｎ−ヘプチルオキシフェノキシ基、ｎ−オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ｎ−ノニルオキシフェノキシ基、ｎ−デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ｎ−ラウリルオキシフェノキシ基等が挙げられる。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、ｎ−プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ｎ−ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｓ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ｎ−ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ｎ−ヘキシルフェノキシ基、ｎ−ヘプチルフェノキシ基、ｎ−オクチルフェノキシ基、ｎ−ノニルフェノキシ基、ｎ−デシルフェノキシ基、ｎ−ドデシルフェノキシ基等が挙げられる。

アリールチオ基は、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常６〜６０である。アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジルチオ基、トリアジルチオ基が挙げられる。

アリールアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０である。アリールアルキル基の例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が挙げられる。

アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０である。アリールアルコキシ基の例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が挙げられる。

アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０である。アリールアルキルチオ基の例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基が挙げられる。

アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０である。アリールアルケニル基の例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基が挙げられ、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０である。アリールアルキニル基の例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が挙げられ、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。１価の複素環基の炭素数は通常４〜６０であり、好ましくは４〜２０である。なお、１価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。前記複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素、珪素等のヘテロ原子を環内に含む有機化合物をいう。１価の複素環基の例としては、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基が挙げられ、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。１価の複素環基の中では、１価の芳香族複素環基が好ましい。

複素環チオ基は、メルカプト基の水素原子が１価の複素環基で置換された基を意味する。複素環チオ基としては、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジニルチオ基、トリアジニルチオ基等のヘテロアリールチオ基が挙げられる。

置換アミノ基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１個又は２個の基で置換されたアミノ基が挙げられ、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１個又は２個の基で置換されたアミノ基が好ましい。該アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０であり、好ましくは２〜４８である。置換アミノ基の例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ジｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｓ−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ｎ−ノニルアミノ基、ｎ−デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ｎ−ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基が挙げられる。

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１個、２個又は３個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基の例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリｎ−プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピリシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ｎ−ペンチルジメチルシリル基、ｎ−ヘキシルジメチルシリル基、ｎ−ヘプチルジメチルシリル基、ｎ−オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシルジメチルシリル基、ｎ−ノニルジメチルシリル基、ｎ−デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基、ｎ−ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基が挙げられる。

アシル基は、炭素数が通常２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。

アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。

イミン残基は、イミン化合物（即ち、分子内に、−Ｎ＝Ｃ−を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらの化合物中の窒素原子に結合した水素原子が、アルキル基等で置換された化合物が挙げられる。）から水素原子１個を除いた残基が挙げられる。イミン残基の炭素数は、通常、２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。イミン残基の具体例としては、以下の構造式で示される基が挙げられる。

（式中、Ｍｅはメチル基を表し、以下同様である。また、波線は、結合手を表し、イミン残基の種類によっては、シス体、トランス体等の幾何異性体を持つ場合があることを意味する。）

アミド基は、炭素数が通常２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子１個を除いて得られる残基が挙げられる。酸イミド基の炭素数は４〜２０である。酸イミド基の具体例としては、以下に示す基が挙げられる。

置換カルボキシル基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられ、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基が好ましい。なお、前記のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数は、通常、２〜６０であり、好ましくは２〜４８である。なお、置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。置換カルボキシル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、ｎ−デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ｎ−ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。

式（Ｉ）中、Ｘ¹は、酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^N）−を表す。

本発明の高分子化合物を有機トランジスタに用いた場合の電界効果移動度をより向上させる観点からは、式（Ｉ）中、Ｘ¹は、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^N）−であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。

式（Ｉ）中、Ｒ¹及びＲ²は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はアリール基であることがより好ましく、水素原子であることがさらに好ましい。

さらにモノマーの合成の容易さの観点からは、式（Ｉ）で示される繰り返し単位の中では、式（ＩＩ）で示される繰り返し単位が好ましい。

〔式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴及びＸ¹は前記と同じ意味を表す。〕

モノマーの合成の容易さの観点からは、式（ＩＩ）中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。

モノマーの合成の容易さの観点からは、式（ＩＩ）中、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基又はアリール基であることがより好ましい。

本発明の高分子化合物を有機トランジスタに用いた場合の電界効果移動度をより向上させる観点からは、式（ＩＩ）中、Ｘ¹は硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^N）−であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。

式（ＩＩ）で示される繰り返し単位の具体例としては、式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−８）で示される繰り返し単位が挙げられる。

本発明の高分子化合物を有機トランジスタに用いた場合の電界効果移動度をより向上させる観点から、本発明の高分子化合物の全繰り返し単位中、上記式（Ｉ）で表される繰り返し単位の含有割合が３０モル％以上１００モル％以下であることが好ましく、３５モル％以上９５モル％以下であることがより好ましく４０モル％以上９０モル％以下であることがさらに好ましい。

本発明の高分子化合物は、溶媒への溶解性の観点からは、さらに、式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位を含んでいることが好ましい。
−（Ａｒ¹）− （ＩＩＩ）
〔式中、Ａｒ¹はアリーレン基、２価の複素環基又は２価の芳香族アミン残基を表す。〕

Ａｒ¹で表されるアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。置換基の種類は、合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基がより好ましい。

アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００である。

アリーレン基としては、フェニレン基（下式１〜３）、ナフタレンジイル基（下式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下式２０〜２５）、ターフェニル−ジイル基（下式２６〜２８）、フルオレン−ジイル基（下式２９〜３１）、ベンゾフルオレン−ジイル基（下式３２〜３９）、縮合環化合物基（下式４０〜５３）が例示される。

また、２価の複素環基は、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、置換基を有していてもよい。

ここに複素環化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素等のヘテロ原子を環内に含む有機化合物をいう。２価の複素環基の中では、２価の芳香族複素環基が好ましい。２価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換基の種類は、合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基が好ましく、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基がより好ましい。

２価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常３〜６０である。また、２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００である。

２価の複素環基としては、以下の基が挙げられる。
ヘテロ原子として窒素原子を含む２価の複素環基：ピリジン−ジイル基（下式１０１〜１０６）、ジアザフェニレン基（下式１０７〜１１０）、キノリンジイル基（下式１１１〜１２５）、キノキサリンジイル基（下式１２６〜１３０）、アクリジンジイル基（下式１３１〜１３４）、ビピリジルジイル基（下式１３５〜１３７）、フェナントロリンジイル基（下式１３８〜１４０）。
ヘテロ原子として酸素原子、ケイ素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、ホウ素原子、リン原子等を含む５員環複素環基（下式１４１〜１４５）。
ヘテロ原子として酸素原子、ケイ素原子、窒素原子、セレン原子等を含む５員環縮合複素基（下式１４６〜１５７）。
ヘテロ原子として酸素原子、ケイ素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基（下式１５８〜１５９）。
ヘテロ原子として酸素原子、ケイ素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下式１６０〜１６６）。
ヘテロ原子として酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子等を含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基（下式１６７〜１７２）。
ヘテロ原子として酸素原子、ケイ素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子等を含みフルオレン類似構造を有する基（下式１７３〜２０２）。
ヘテロ原子として酸素原子、ケイ素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、ホウ素原子、リン原子等を含む６員環縮合複素基（下式２０３〜２０５）。

式１〜５３、１０１〜２０５中、Ｒは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表すが、通常、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基である。複数個存在するＲは、同一でも相異なっていてもよい。

アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基及び置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ¹、Ｒ²及びＲ^Nにおけるそれらの定義、具体例等と同じである。

２価の芳香族アミン残基としては、式（ＩＩＩ−１）で示される基が挙げられる。

[式中、Ａｒ⁰、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴はそれぞれ独立にアリーレン基又は２価の複素環基を表し、Ａｒ⁵、Ａｒ⁶及びＡｒ⁷それぞれ独立にアリール基又は１価の複素環基を表し、ｘ及びｙは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。Ａｒ²中の炭素原子とＡｒ⁰中の炭素原子は直接結合して、又は酸素原子若しくは硫黄原子を介して結合して環を形成してもよい。Ａｒ³、Ａｒ⁴、Ａｒ⁵、Ａｒ⁷が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。]

式（ＩＩＩ−１）中、ｘは、０〜３の整数が好ましく、０又は１がより好ましい。ｙは、０〜３の整数が好ましく、０又は１がより好ましい。

式（ＩＩＩ−１）で示される基の具体例としては、式（ＩＩＩ−１−１）〜（ＩＩＩ−１−１８）で示される基が挙げられる。

原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（ＩＩＩ）中、Ａｒ¹で示されるアリーレン基は、式（ＩＶ）で示される基であることが好ましい。

〔式中、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ⁷及びＲ⁸はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、複数個存在するＲ⁷は、同一でも相異なっていてもよく、複数個存在するＲ⁸は、同一でも相異なっていてもよい。〕

式（ＩＶ）中、Ｒ⁵及びＲ⁶は、通常、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基であるが、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アリール基又はアルキル基であることが好ましい。

式（ＩＶ）中、Ｒ⁷及びＲ⁸は、通常、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基であるが、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、水素原子であることが好ましい。

式（ＩＶ）で示される基の具体例としては、式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１２）で示される基が挙げられ、式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−８）で示される基が好ましい。

本発明の高分子化合物は、有機トランジスタに用いた場合の電界効果移動度をより向上させる観点からは、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０³〜１×１０⁸であることが好ましく、１×１０³〜１×１０⁷であることがより好ましく、１×１０⁴〜１×１０⁷であることがさらに好ましい。また、本発明の高分子化合物は、ポリスチレン換算の重量平均分子量が、１×１０³〜１×１０⁸であることが好ましく、１×１０³〜１×１０⁷であることがより好ましい。

本発明の高分子化合物は、ホモポリマーであっても、共重合体であってもよい。本発明の高分子化合物が共重合体である場合には、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体又はグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光又はりん光の量子収率の高い高分子化合物を得る観点からは、完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロック共重合体又はグラフト共重合体が好ましい。本発明の高分子化合物には、主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。

本発明の高分子化合物の具体例としては、式（Ｐ−１１）〜（Ｐ−２５）で示される高分子化合物が挙げられる。

式（Ｐ−１１）〜（Ｐ−２２）中、ｘ及びｙは、各繰り返し単位の組成比（モル比）を表す数であり、ｘ＋ｙ＝１００である。ｘは、通常、０〜７０であり、好ましくは５〜６５であり、より好ましくは２０〜６０である。ｙは、通常、３０〜１００であり、好ましくは３５〜９５であり、より好ましくは４０〜８０である。
式（Ｐ−２３）〜（Ｐ−２５）中、ｘ、ｙ及びｚは、各繰り返し単位の組成比（モル比）を表す数であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。ｘは、通常、５〜８０であり、好ましくは４０〜７０である。ｙは、通常、１０〜９０であり、好ましくは４０〜８０である。ｚは、通常、１〜３０であり、好ましくは２〜１０である。

本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基が例示される。

本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に高分子化合物を０．１重量％以上溶解させることができる。

次に本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明の高分子化合物は、前記式（Ｖ）で示される化合物、Ｙ¹−Ａ−Ｙ²で示される化合物を原料として用い、これを縮合重合させることにより製造することができる。ここで、−Ａ−は式（Ｉ）又は（ＩＩ）で示される繰り返し単位を表す。

式（Ｖ）で示される化合物の具体例としては、式（Ｖ−１）〜（Ｖ−２１）で示される化合物が挙げられる。

Ｙ¹及びＹ²は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を示す。

本発明の製造方法において、縮合重合に関与する基（Ｙ¹及びＹ²）としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステルから誘導される基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホルミル基、シアノ基及びビニル基等が挙げられる。

ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。
アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基が例示される。
アリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。

ホウ酸エステルから誘導される基としては、下記式で示される基が例示される。

（式中、Ｅｔはエチル基を示し、以下同様である。）

スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｍｅ₂Ｘ_a ^-、−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｐｈ₂Ｘ_a ^-
（式中、Ｘ_aはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。）

ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｐ⁺Ｐｈ₃Ｘ_a ^-
（式中、Ｘ_a、Ｐｈは上記と同じ意味を示す。）

ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂ＰＯ（ＯＲ’）₂
（式中、Ｒ’はアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を示す。）

モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基及びヨウ化メチル基が例示される。

縮合重合に関与する基として好ましい基は重合反応の種類によって異なるが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応等の０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基が挙げられる。またＳｕｚｕｋｉカップリング反応等ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステルから誘導される基、−Ｂ（ＯＨ）₂が挙げられる。

本発明の高分子化合物の製造は、具体的には、モノマーとなる、縮合重合に関与する基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で行うことができる。本発明の高分子化合物の製造には、例えば、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）に記載の公知の方法を用いることができる。

本発明の高分子化合物の製造方法において、縮合重合に関与する基に応じて、既知の縮合反応を用いることができる。

本発明の高分子化合物の製造方法としては、該当するモノマーを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法が例示される。

これらのうち、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。

本発明の高分子化合物の製造方法としては、好ましい一つの態様として、縮合重合に関与する基（Ｙ¹及びＹ²）がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基からなる群から選ばれ、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。

本発明の高分子化合物の製造に用いられる原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、及びアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。

この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、又はアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。

また、本発明の高分子化合物の製造方法としては、縮合重合に関与する基（Ｙ¹及びＹ²）がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、−Ｂ（ＯＨ）₂、及びホウ酸エステルから誘導される基からなる群から選ばれる基であり、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、−Ｂ（ＯＨ）₂及びホウ酸エステルから誘導される基のモル数の合計（Ｋ）の比が実質的に１（通常、Ｋ／Ｊは０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。

具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物又はビス（アリールアルキルスルホネート）化合物と、ジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。

その他の原料化合物としては、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物が挙げられる。

原料化合物としてハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造することができる。

本発明の高分子化合物の製造方法では、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の水との２相系での反応の場合にはその限りではない。

溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド等のアミド類が例示される。これらの溶媒は単一で用いても混合して用いてもよい。溶媒としては、これらの中でも、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルがさらに好ましい。

反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を用いてもよい。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ又は触媒の適用方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながら、そこにゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。

本発明の高分子化合物を高分子発光素子等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。

本発明の化合物は、式（Ｖ）で示される。式中、Ｘ¹は酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^N）−を表し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ^Nは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。複数個存在するＲ²は、同一でも相異なっていてもよい。

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基及び置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記Ｒ¹、Ｒ²及びＲ^Nにおけるそれらの定義、具体例等と同じである。

化合物の合成の容易さの観点からは、式（Ｖ）中、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。

また本発明の製造方法は、式（Ｍ−１−１ａ）で示される化合物

[式中、Ｘ⁰¹、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²及びＸ^aは前記と同じ意味を表す。]
と、好ましくはＲ^M−Ｍ
（式中、Ｒ^Mはアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、Ｍはリチウム又はハロゲン化マグネシウム（例えば、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ）を表す。）
で表される化合物の存在下で、式（Ｍ−１−１ｂ）で示される化合物

Ｒ¹¹−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ¹² （Ｍ−１−１ｂ）
[式中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は前記と同じ意味を表す。]
とを反応させて、式（Ｍ−１−２ａ）で示される化合物

[式中、Ｘ⁰¹、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ¹¹及びＲ¹²は前記と同じ意味を表す。]
を製造する第１の工程を有する。本発明の製造方法の具体的な態様としては、式（Ｍ−１−１ａ）で示される化合物を、Ｒ^M−Ｍで表される化合物と反応させた後に、式（Ｍ−１−１ｂ）で示される化合物と反応させる態様が挙げられる。

前記Ｒ^M−Ｍで表される化合物としては、メチルリチウム、ｎ―ブチルリチウム、sec-ブチルリチウム、tert-ブチルリチウム、フェニルリチウム、ｎ−ヘキシルマグネシウムブロマイド等が挙げられる。

第１の工程の反応には、通常、溶媒が用いられ、その溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類等が挙げられる。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

第１の工程の反応の温度としては、−１００℃〜溶媒の沸点程度であり、−８０℃〜室温が好ましい。

本発明の製造方法は、式（Ｍ−１−２ａ）で示される化合物を脱水反応させて式（Ｍ−１−３a）で示される化合物を製造する第２の工程を有する。

[式中、Ｘ⁰¹、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ¹¹及びＲ¹²は前記と同じ意味を表す。]

式（Ｍ−１−１ａ）、式（Ｍ−１−２ａ）、式（Ｍ−１−３ａ）中、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²及びＲ^NNで表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、置換アミノ基、置換シリル基、イミン残基、酸イミド基は、前記Ｒ¹、Ｒ²及びＲ^Nの項で説明し例示した基と同様の意味を表す。

式（Ｍ−１−２ａ）、式（Ｍ−１−３ａ）中、Ｒ¹¹及びＲ¹²で表されるハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換カルボキシル基は前記同様の意味を表す。

第２の工程は、酸の存在下で行うことが好ましい。酸としては、プロトン酸、ルイス酸等が挙げられる。プロトン酸としては、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等のスルホン酸類；蟻酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類；硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の無機酸等が挙げられる。これらのプロトン酸の中でも、塩酸、硫酸、硝酸等の強無機酸が好ましい。また、ルイス酸としては、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素エーテル錯体等ハロゲン化ホウ素化物；塩化アルミニウム、塩化チタン、塩化マンガン、塩化鉄、塩化コバルト、塩化銅、塩化亜鉛、臭化アルミニウム、臭化チタン、臭化マンガン、臭化鉄、臭化コバルト、臭化銅、臭化亜鉛等のハロゲン化金属等が挙げられる。これらのルイス酸の中でも、３フッ化ホウ素エーテル錯体が好ましい。これらの酸（プロトン酸、ルイス酸）は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

第２の工程の反応の媒体としては上記の酸を用いてもよいが、それ以外の溶媒を用いてもよい。用いる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素；四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素；ニトロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ化化合物等が挙げられる。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

第２の工程の反応温度としては、−５０℃〜溶媒の沸点程度であり、好ましくは０℃〜溶媒の沸点程度である。

第１の工程及び第２の工程は、いずれもアルゴンや窒素等の不活性ガスの雰囲気下で行うことが好ましい。

本発明の組成物は、本発明の高分子化合物を含有する組成物であり、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と、本発明の高分子化合物の少なくとも１種類とを含有する組成物、本発明の高分子化合物を少なくとも２種類含有する組成物等が挙げられる。

本発明の組成物は、液状組成物でもよく、高分子発光素子等の発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。液状組成物は、前記高分子化合物と溶媒とを含んでなるものである。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、通常、常圧（即ち、１気圧）、25℃において液状である。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。

液状組成物は、前記高分子化合物以外に、低分子発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、安定剤、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

液状組成物が含有してもよい低分子発光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体を配位子として有する金属錯体、８−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルシクロブタジエン、テトラフェニルシクロブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等の低分子化合物の蛍光性材料が挙げられる。低分子発光材料としては、例えば、特開昭57-51781号公報、特開昭59-194393号公報等に記載されている化合物、公知の化合物が挙げられる。

液状組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。

液状組成物が含有してもよい電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。

液状組成物が含有してもよい安定剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。

液状組成物が含有してもよい粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等が挙げられる。ここで貧溶媒とは、溶媒１ｇに溶解する本発明の高分子化合物の重量が０．１ｍｇ以下である溶媒をいう。

前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、通常、液状組成物の溶媒に可溶性の化合物である。高分子量の化合物としては、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は５０万以上が好ましく、100万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。

液状組成物が含有してもよい酸化防止剤は、発光や電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、通常、液状組成物に含まれる溶媒に可溶性の化合物である。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。酸化防止剤を用いることにより、前記高分子化合物、溶媒の保存安定性を改善し得る。

液状組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の正孔輸送材料の量は、溶媒以外の液状組成物１００重量部に対して、通常、１〜８０重量部であり、好ましくは５〜60重量部である。本発明の液状組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の電子輸送材料の量は、溶媒以外の液状組成物１００重量部に対して、通常、１〜８０重量部であり、好ましくは５〜６０重量部である。

高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、５０〜１５０℃程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、１０^-3Ｐａ程度に減圧して乾燥させてもよい。

液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。

液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜９９．９重量％であり、好ましくは６０重量％〜９９．９重量％であり、さらに好ましく９０重量％〜９９．８重量％である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、２５℃において０．５〜５００ｍＰａ・ｓの範囲が好ましく、インクジェット印刷法等、液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において０．５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。

液状組成物に含まれる溶媒としては、該液状組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、１種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点からは好ましい。

溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点からは、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。

液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点からは、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。

液状組成物に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点からは、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃未満のものであることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が２００℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃未満のものであることがより好ましい。また、粘度の観点からは、６０℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の０．２重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の０．２重量％以上が溶解することが好ましい。

液状組成物に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点からは、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃未満の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が２００℃以上３００℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃未満の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点からは、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、６０℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の０．２重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の０．２重量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。

液状組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点からは、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の４０〜９０重量％であることが好ましく、５０〜９０重量％であることがより好ましく、６５〜８５重量％であることがさらに好ましい。

＜用途＞
本発明の高分子化合物は、有機トランジスタ材料として用いることができるだけでなく、薄膜材料、有機半導体材料、発光材料、光学材料、太陽電池材料、及びドーピングにより導電性材料として用いることもできる。

本発明の薄膜について説明する。この薄膜は、前記高分子化合物を用いてなるものである。薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。

発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点からは、発光の量子収率が５０％以上であることが好ましく、60％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。

導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。

有機半導体薄膜は、電子移動度及び正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは１０^-5ｃｍ²／Ｖｓ以上であり、より好ましくは１０^-3ｃｍ²／Ｖｓ以上であり、さらに好ましくは１０^-1ｃｍ²／Ｖｓ以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作製することができる。具体的には、ＳｉＯ₂等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。

次に、有機トランジスタの一態様である高分子電界効果型トランジスタを説明する。

本発明の高分子化合物は、高分子電界効果型トランジスタの材料として、中でも活性層（有機層）の材料として好適に用いることができる。高分子電界効果型トランジスタの構造としては、通常、ソース電極及びドレイン電極が本発明の高分子化合物を用いてなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。

高分子電界効果型トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果型トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板を用いることができる。

高分子電界効果型トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平５-１１００６９号公報に記載の方法により製造することができる。

活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子化合物を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。

高分子電界効果型トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果型トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果型トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果型トランジスタの特性の低下を抑えることができる。

封止する方法としては、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果型トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。

次に、光電変換素子について説明する。光電変換素子は太陽電池、光センサー等の用途に用いることができる。ここでは、光電変換素子の一態様である太陽電池について説明する。

本発明の高分子化合物は、太陽電池の材料として、中でも有機半導体と金属との界面を利用するショットキー障壁型素子の有機半導体層として、また、有機半導体と無機半導体あるいは有機半導体どうしの界面を利用するｐｎへテロ接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。

本発明の高分子化合物は、さらに、ドナー・アクセプターの接触面積を増大させたバルクヘテロ接合型素子における電子供与性高分子、電子受容性高分子として、また、高分子・低分子複合系を用いる有機光電変換素子、例えば、電子受容体としてフラーレン誘導体を分散したバルクヘテロ接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子（分散支持体）として、好適に用いることができる。

光電変換素子の構造としては、ｐｎへテロ接合型素子では、オーム性電極、例えば、ＩＴＯ上に、ｐ型半導体層を形成し、さらに、ｎ型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。

光電変換素子は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板を用いることができる。

光電変換素子は、公知の方法、例えば、Synth.Met.,102,982(1999)に記載の方法やScience,270,1789(1995)に記載の方法により製造することができる。

次に、本発明の高分子発光素子について説明する。

本発明の高分子発光素子は、陽極と、陰極と、前記高分子化合物を含み、該陽極及び該陰極の間に設けられた有機層とを有するものである。前記有機層は発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等として機能する。本発明の高分子発光素子において、前記有機層は発光層であることが好ましい。

また、本発明の高分子発光素子としては、(1)陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、(2)陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、(3)陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。

本発明の高分子発光素子の構造としては、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。

また、発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤー層と呼ぶことがある。

発光層の成膜の方法としては、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。

高分子発光素子作製の際に、本発明の高分子化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。

発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子発光素子においては、発光層に上記高分子化合物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子発光素子においては、上記高分子化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子化合物を含む発光層と積層されていてもよい。

前記高分子化合物以外の発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等を用いることができる。また、前記発光材料としては、特開昭57-51781号公報、同59-194393号公報に記載されているものも例示される。

本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、前記高分子化合物、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が例示される。また、前記高分子化合物以外の正孔輸送材料としては、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報に記載されているものも例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。

ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Chem.Rev.）第89巻、1359頁（1989年）、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサン誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法としては、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示されれ、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであればよい。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンンが例示される。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては前記高分子化合物、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が例示される。また、前記高分子化合物以外の電子輸送材料としては、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報に記載されているもの等も例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解させるものであればよい。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。

電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。

積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択すればよい。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。

本発明の高分子発光素子の構造としては、以下のe)〜p)の構造が挙げられる。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
o）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
p）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

電荷注入層の例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層が例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10^-5S/cm以上10³S/cm以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10^-5S/cm以上10²S/cm以下がより好ましく、10^-5S/cm以上10¹S/cm以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を10^-5S/cm以上10³S/cm以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。

電荷注入層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で選択すればよく、前記高分子化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が例示される。

絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、０．１〜２０ｎｍであり、好ましくは０．５〜１０ｎｍ、より好ましくは１〜５ｎｍである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。

本発明の高分子発光素子の構造としては、以下のｑ)〜ab）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ)陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ)陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ)陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ)陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ)陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ)陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ab）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極

本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。

本発明において、通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であり、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ITO）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性無機化合物を用いて作製された膜（NESA等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができるが、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。

陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極の材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して選択することができるが、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。

該保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の高分子発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置（例えば、バックライト等）等の表示装置等に用いることができる。

本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、及び面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

ここで、数平均分子量及び重量平均分子量については、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。測定する高分子化合物は、約０．５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに３０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。

＜実施例１＞
（化合物Ｍ−１の合成）
下記反応により化合物Ｍ−１を合成した。以下、順に説明する。

（化合物Ｍ−１−１の合成）

不活性雰囲気下、１Ｌ４つ口フラスコに２−チオフェンボロン酸９．２０ｇ(７２ｍｍｏｌ)、１−ブロモ２−ヨードベンゼン２２．６３ｇ(８０ｍｍｏｌ)、酢酸パラジウム０．１８６ｇ (０．８ｍｍｏｌ)、（２−ビフェニル）−ジ-tert-ブチルホスフィン０．４７９ｇ(１．６ｍｍｏｌ)、フッ化カリウム １４．０ｇ(２４０ｍｍｏｌ)を入れ、３０分間脱気したテトラヒドロフラン ３００ｍＬに溶解し、室温で撹拌した。３時間後、水（２００ｍＬ）を加えて反応を停止した後、テトラヒドロフラン２００ｍＬで有機層の抽出を行った。得られた有機層を水と飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤をろ別後、溶媒を留去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（抽出溶媒：ヘキサン）で精製し、化合物Ｍ−１−１ １４．３７ｇ（収率：７５％）を黄色油状物として得た。

（化合物Ｍ−１−２の合成）

不活性雰囲気下１００ｍＬ４つ口フラスコに化合物Ｍ−１−１（４．７８ｇ、０．０２ｍｏｌ）、ジエチルエーテル４０ｍＬを入れ、−７８℃に冷却した。ｎ−ブチルリチウム１．６Ｍヘキサン溶液（１５ｍＬ、０．０２４ｍｏｌ）を加え、１．５時間撹拌した。その後７−トリデカノン（４．１３ｇ、０．０２１ｍｏｌ）を加え、室温で２時間撹拌した。反応終了後水を１０ｍＬ加えて反応を停止し、有機層を抽出し、さらに水層にヘキサンを加えて抽出した有機層を加え、合わせて得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮した。得られた液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン単溶媒）で精製し、化合物Ｍ−１−２ ４．０５ｇ（収率：５６％）を得た。上記操作を複数回繰り返した。

（化合物Ｍ−１−３の合成）

不活性雰囲気下、５００ｍＬ４つ口フラスコに、トリフッ化ホウ素−ジエチルエーテル溶液(９０ｍＬ、０．６ｍｏｌ)を入れ、氷浴下撹拌した。滴下漏斗から化合物Ｍ−１−２（１２．９ｇ、３０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液８００ｍＬを１時間かけて滴下した。滴下後、氷浴を外して室温で４時間撹拌した。反応終了後、氷水３００ｍＬを加えて有機層と水層を分液し、さらに水層にジクロロメタンを加えて抽出した有機層を加え、合わせて得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過して溶媒を留去し、化合物Ｍ−１−３ ７．０３ｇ（収率：６９％）を得た。

（化合物（Ｍ−１）の合成）

不活性雰囲気下、１００ｍＬ３つ口フラスコに化合物Ｍ−１−３（３．４０ｇ、１０ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド６０ｍＬを加え０℃（氷浴下）で撹拌した。滴下漏斗よりＮ−ブロモスクシンイミド（３．５５ｇ、２０ｍｍｏｌ）のジメチルホルムアミド溶液（８０ｍＬ）を３０分かけて滴下した。滴下終了後、０℃で２時間撹拌し、さらに室温に昇温し１時間撹拌した。その後、Ｎ−ブロモスクシンイミドを１．２ｇ（６．７ｍｍｏｌ）追加してさらに５時間撹拌を続けた後、チオ硫酸ナトリウム水溶液１００ｍＬを加えた。クロロホルムを加えて有機層と水層を分液し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過して溶媒を留去した。得られた反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー精製を２回実施することで、化合物Ｍ−１ １．４２ｇ（収率：２９％）を得た。

＜実施例２＞
（高分子化合物＜Ｐ−１＞の合成）
化合物Ｍ−１（１．０２ｇ）と２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（１．０６ｇ）、酢酸パラジウム（１．２ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．５ｍｇ）、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（０．２８ｇ、商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ製）、トルエン（２０ｍＬ）を混合し、得られた反応溶液を１０５℃に加熱した。次に、前記反応溶液に２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液（５．４ｍＬ）を滴下し、９時間還流させた後、フェニルホウ酸（２５６ｍｇ）を加え、さらに３時間還流させた。次いで、前記反応溶液に１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１２ｍＬ）を加え、８０℃で２時間撹拌した。その後、反応溶液を２５℃に冷却した後、水（３０ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（３０ｍＬ）で２回、水（３０ｍＬ）で２回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製し、トルエン溶液を得た。そして得られたトルエン溶液をメタノール（３００ｍＬ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させて、下記式：

で示される繰り返し単位からなる高分子化合物＜Ｐ−１＞を得た。得られた高分子化合物＜Ｐ−１＞の収量は１．０２ｇであった。また、高分子化合物＜Ｐ−１＞のポリスチレン換算重量平均分子量は５．１×１０⁴であり、ポリスチレン換算数平均分子量は２．４×１０⁴であった。

＜比較例１＞
（高分子化合物＜Ｐ−２＞の合成）
下記式：

で示される繰り返し単位からなる高分子化合物＜Ｐ−２＞を重合した。

不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（５．２０ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（４．５０ｇ）、酢酸パラジウム（２．２ｍｇ）、トリ（２−メチルフェニル）ホスフィン（１５．１ｍｇ）、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（０．９１ｇ、商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ製）、トルエン（７０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液（１９ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（１２１ｍｇ）を加え、さらに３時間還流させた。次いで、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で４時間撹拌した。冷却後、水（６０ｍＬ）で３回、３重量％酢酸水溶液（６０ｍＬ）で３回、水（６０ｍＬ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（３Ｌ）に滴下し、３時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−２＞の収量は５．２５ｇであった。また、高分子化合物＜Ｐ−２＞のポリスチレン換算重量平均分子量は３．５１×１０⁵であった。

＜実施例３＞
ゲート電極となる高濃度にアンチモンをドーピングしたｎ型シリコン基板の表面を熱酸化し、２００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁層）を形成した。得られた基板をアセトンで１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶ（紫外線強度：２８ｍＷ／ｃｍ²）を３０分間照射した。その後、窒素を満たしたグローブボックス中で、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＤＴＳ）のオクタン希釈液に基板を１５時間浸漬することによりシラン処理した基板１を得た。

次に、高分子化合物＜Ｐ−１＞を溶媒であるクロロホルムに溶解して、濃度が０．５重量％である溶液（有機半導体組成物）を作製し、これを孔径０．２μｍのメンブランフィルターでろ過して塗布液を調製した。

得られた塗布液を、前記ＯＤＴＳ層上にスピンコート法により塗布し、約６０ｎｍの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極及びドレイン電極を形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタ１を作製した。

電界効果型有機薄膜トランジスタ１について、ゲート電圧Ｖｇを０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを０〜−６０Ｖに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を測定し、良好なトランジスタ動作を確認した。伝達特性は、Ｖｇ＝−５０Ｖ、Ｖｓｄ＝−５０Ｖにおいてドレイン電流３．９μＡが得られた。また、この特性から電界効果移動度は６．５×１０^-3ｃｍ²／Ｖｓと算出された。

＜比較例２＞
次いで、高分子化合物＜Ｐ−１＞の代わりに、高分子化合物＜Ｐ−２＞を使用したこと以外は、実施例３と同様にして、電界効果型有機薄膜トランジスタ２を作製し、そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により、伝達特性は、Ｖｇ＝−５０Ｖ、Ｖｓｄ＝−５０Ｖにおいてドレイン電流１．４μＡが得られた。また、この特性から電界効果移動度は１．５×１０^-3ｃｍ²／Ｖｓと算出された。

Claims (14)

1. 式（Ｉ）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。
   

   

   〔式中、Ｘ¹は酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^N）−を表し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ^Nは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。複数個存在するＲ²は、同一でも相異なっていてもよい。〕
2. 式（Ｉ）で示される繰り返し単位が、式（ＩＩ）で示される繰り返し単位である請求項１に記載の高分子化合物。
   

   

   〔式中、Ｘ¹、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、前記と同じ意味を表す。〕
3. Ｒ¹及びＲ²が、水素原子である請求項１又は２に記載の高分子化合物。
4. Ｘ¹が、硫黄原子である請求項１〜３のいずれかに記載の高分子化合物。
5. 式（Ｉ）で示される繰り返し単位を３０〜１００モル％含む請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物。
6. さらに、式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位を含む請求項１〜５のいずれかに記載の高分子化合物。
   −（Ａｒ¹）− （ＩＩＩ）
   〔式中、Ａｒ¹はアリーレン基、２価の複素環基又は２価の芳香族アミン残基を表す。〕
7. Ａｒ¹で表されるアリーレン基が、式（ＩＶ）で示される基である請求項６に記載の高分子化合物。
   

   

   〔式中、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、複素環チオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。複数個存在するＲ⁷は、同一でも相異なっていてもよく、複数個存在するＲ⁸は、同一でも相異なっていてもよい。〕
8. ポリスチレン換算の重量平均分子量が、１×１０³〜１×１０⁸である請求項１〜７のいずれかに記載の高分子化合物。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含有する組成物。
10. 請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含有する薄膜。
11. 陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極の間に設けられた請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含む有機層とを有する高分子発光素子。
12. 有機層が発光層である請求項１１に記載の高分子発光素子。
13. ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含む有機層とを有する有機トランジスタ。
14. 陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極の間に設けられた請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物を含む有機層とを有する光電変換素子。