JP5540590B2 - 液晶装置、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置、およびこの液晶装置を備えた電子機器に関する。

対向する一対のガラス基板で液晶層を挟み、一方のガラス基板面において、画素ごとに形成した画素電極と、画素電極に対して絶縁層を挟んで形成され、画素電極の領域に対して、長手方向が互いにほぼ平行な複数のスリット状開口部が平面的に重なるように設けられた共通電極との間に所定の電圧を印加して、ガラス基板の面内方向に沿った横電界を発生させ、液晶層における液晶分子の配向方向を回転制御して画像等を表示するＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の液晶装置（以降「ＦＦＳパネル」と呼ぶ）がある。ＦＦＳパネルは、液晶分子が基板に対して平行な方向に回転するため、斜めから見たとき液晶分子による偏光については方向が回転しないことから、コントラストの低下が少なく視野角の広い表示品質の良い液晶表示装置として、広く用いられるようになっている。

また近年、表示する画像の高解像化に応えるべく、画素間を狭くしてＦＦＳパネルを高精細化することが行われている。例えば、特許文献１には、画素間を跨いで共通電極を配置することにより、画素開口率を落とすことなく高精細化する技術が開示されている。

特開２００７−２２６１９９号公報

しかしながら、ＦＦＳパネルでは、高精細化によって画素間が狭くなるのに伴って、隣接する画素の横電界の影響による液晶配向の乱れが大きくなる。例えば、黒を表示している画素に隣接する画素が白を表示している場合、白を表示するための横電界の影響によって黒を表示する画素の液晶配向が乱される。この結果、黒を表示している画素の領域において一部光抜け（「黒浮き」とも呼ぶ）が生じ、表示品質の低下を招く。特に、画素間に通常設けられる遮光部の幅が例えば５μｍを下回るような高精細なＦＦＳパネルでは、光抜けの度合いが大きくなり、表示品質の一層の低下を招いてしまう。

さらに、このような高精細なＦＦＳパネルを、例えばプロジェクターの光変調素子（ライトバルブ）として用いる場合は、スリット状開口部の長手方向を、略矩形形状の画素の領域端の一辺に対して傾けて形成することが行われる。これは、説明は省略するが、例えばプロジェクターにおける光学系設計の都合上、ライトバルブに入射する光の偏光方向を、通常矩形形状を呈する投射画面の一辺と沿う方向とするからである。すなわち、ＦＦＳパネルにおいて、略矩形形状を有する画素の配列方向を投射画面の一辺と沿う方向とした場合、液晶の初期的な配向方向は画素領域の端辺の方向となる。そこで、液晶分子がリバースツイストしないよう一定方向に回転させるため、スリット状開口部の長手方向を、画素領域の端辺に対して傾けて形成する必要があるからである。

しかしながら、このようにスリット状開口部を傾けると、特に画素領域の端部において明るさが低下する問題が生ずる。これは、高精細化によって近接する画素電極の影響により、画素領域の端部において、液晶分子が本来回転すべき方向と逆の方向に回転するリバースツイストが生じやすくなり、液晶の配向乱れが生じてパネルの透過率が低下するためと考えられる。この結果、所定の輝度が得られず、表示品質が低下してしまうという課題が生ずる。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］一定の方向に配列された複数の画素を有し、前記複数の画素に対応して配置される複数の画素電極と、前記画素電極との間に絶縁層を挟んで形成され、前記複数の画素電極に跨って配置されるとともに、前記画素電極の領域に対して、長手方向が互いにほぼ平行な複数のスリット状開口部が平面的に重なるように設けられた共通電極とを備え、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって、前記画素毎に液晶分子の配向を制御する液晶装置であって、前記スリット状開口部の長手方向は、前記画素が配列された前記一定の方向に対して傾いており、前記画素電極は、前記画素が配列された前記一定の方向に対して、前記スリット状開口部の長手方向が傾いている方向と同じ方向に傾いている端辺を有することを特徴とする。

この構成によれば、共通電極に設けられたスリット状開口部の長手方向と、画素電極の端辺とが、凡そ同じ方向となることから、画素電極の端辺において発生する電界方向を、リバースツイストが生じにくい電界方向とすることができる。この結果、高精細化された液晶装置において、隣接する画素電極の影響によるリバースツイストの発生が抑制されるので、画素毎に液晶分子の配向を正しく制御することができる。

［適用例２］上記液晶装置であって、前記画素電極の端辺は、前記スリット状開口部の長手方向の傾き角度よりも大きな角度で傾いていることを特徴とする。

この構成によれば、隣接する画素電極に最も近い位置における電界の発生方向を、リバースツイストの発生を抑制する方向に制御することができる。したがって、共通電極と画素電極との間に印加された電圧によって発生する電界が、隣接する画素電極に対して及ぼす影響を抑制することができる。したがって、画素毎に液晶分子の配向を正しく制御することができる。

［適用例３］上記液晶装置であって、前記画素電極の端辺は、前記画素電極に対応して設けられた前記複数のスリット状開口部のうち、最も外側に位置するスリット状開口部内に位置するように形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、画素電極の領域を、隣接する画素電極に対して離れるように配置することができる。したがって、共通電極と画素電極との間に印加された電圧によって発生する電界が、隣接する画素電極に対して及ぼす影響を抑制することができるので、リバースツイストが生じることなく画素毎に液晶分子の配向を正しく制御することができる。

［適用例４］上記液晶装置であって、前記画素電極の端辺は、前記最も外側に位置するスリット状開口部の長手方向に沿う開口辺と交差しないように形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、画素電極の端辺において、共通電極との間に印加された電圧によって発生する電界の方向を、さらにリバースツイストが生じにくい方向とすることができる。この結果、画素毎に液晶分子の配向を正しく制御できる確率を高くすることができる。

［適用例５］上記液晶装置であって、前記最も外側に位置するスリット状開口部の幅は、他の前記スリット状開口部の幅よりも狭いことを特徴とする。

この構成によれば、隣接する画素電極に最も近い位置スリット状開口部の幅を狭くすることによって、共通電極と画素電極との間に印加された電圧によって発生する電界が、隣接する画素電極に対して及ぼす影響を抑制することができる。したがって、画素毎に液晶分子の配向を正しく制御することができる。

［適用例６］上記液晶装置であって、前記複数のスリット状開口部は、隣り合う前記画素電極間において前記スリット状開口部の長手方向が揃うように設けられ、前記スリット状開口部間に形成される各帯状の共通電極のうち、前記隣り合う画素電極の領域間において形成される前記帯状の共通電極の幅が、それぞれの前記画素電極の領域内において形成される前記帯状の共通電極の幅よりも広いことを特徴とする。

この構成によれば、隣り合う画素電極間に形成される帯状の共通電極の幅を広くするので、共通電極と画素電極との間に印加された電圧によって発生する電界が、隣接する画素電極に対して及ぼす影響をさらに抑制することができる。従って、画素毎に液晶分子の配向をリバースツイストが生じることなく正しく制御することができる。

［適用例７］上記液晶装置であって、前記スリット状開口部間に形成される各帯状の共通電極の中心線間の距離が同じであることを特徴とする。

この構成によれば、画素密度を低くすることなく、共通電極と画素電極との間に発生する電界が、隣接する画素電極に対して及ぼす影響を抑制することができる。

［適用例８］上記液晶装置を備えた電子機器。

上記液晶装置は、明るさの減少が少ない表示品質の低下を抑制した液晶装置であることから、この液晶装置を搭載した電子機器であれば、リバースツイストが発生すること、および隣接する画素電極間において相互に表示が影響されることが抑制され、画素毎に液晶分子の配向が正しく制御される表示品質の良い電子機器を提供することができる。

本発明の一実施形態となる液晶装置を備えたプロジェクターの概略構成図。 液晶装置の構成を模式的に示した説明図。 液晶装置の各画素に形成された配線の様子を示した模式平面図。 液晶装置についての部分断面を示す模式図。 従来のスリット状開口部の場合の隣接画素間での表示状態を説明する図で、（ａ）は電極配置を示す平面図、（ｂ）画素における表示状態を示す説明図。 第１実施例の共通電極および画素電極の形状を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は電極の各寸法関係を示す説明図。 第１実施例の画素における表示状態を、それぞれ半画素分示した図で、（ａ）は透過率の状態を示した説明図、（ｂ）は画素の表示状態を示した説明図。 第２実施例の共通電極および画素電極の形状を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は電極の各寸法関係を示す説明図。 第２実施例の画素における表示状態を、それぞれ半画素分示した図で、（ａ）は透過率の状態を示した説明図、（ｂ）は画素の表示状態を示した説明図。 第３実施例の共通電極および画素電極の形状を示す平面図。 第３実施例の画素における表示状態を、それぞれ半画素分示した図で、（ａ）は透過率の状態を示した説明図、（ｂ）は画素の表示状態を示した説明図。 第１変形例の共通電極および画素電極の形状を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は電極の各寸法関係を示す説明図。 第２変形例で、共通電極に設けられたスリット状開口部を示した平面図。

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、以降の実施例の説明において用いる図面は、説明の都合上構成要素等を誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさや長さを示すものでないことは言うまでもない。

図１は、本発明を具現化した一実施形態となる液晶装置１００を光変調素子（ライトバルブ）として用い、電子機器としてのプロジェクター１に備えた場合の概略構成を示した構成図である。このプロジェクター１は、光源１０１から照射された照射光を、偏光ビームスプリッター１０２によって所定の偏光光に揃える。そして、所定の偏光光に揃えられた照射光を液晶装置１００に入射し、液晶装置１００に設けられた各画素を透過する際に光変調する。そして画素毎に光変調した照射光を所定の距離を隔てて設置されたスクリーン（不図示）上に投射レンズ１０３によって投射する。このようにして、液晶装置１００に表示された画像が投射される。もとより、プロジェクター１は、液晶装置１００を複数（例えば３枚）備え、複数の液晶装置１００に応じた光学系（例えばミラーやクロスプリズムなど）を形成したものであってもよい。

さて、本実施形態のプロジェクター１では、前述したように液晶装置１００が有する画素の配列方向を、矩形形状を呈する投射画面の一辺（縦方向あるいは横方向）に沿った方向とする。したがって、液晶装置１００における画素の配列方向は、投射画面の一辺である横方向（これを「行方向」とする）と、これと直交する一辺である縦方向（これを「列方向」とする）の一定の方向にそれぞれ配列されているものとして説明する。

さらに、プロジェクターでは、スクリーンに何も投射されない状態では黒の表示状態であることが使用上好ましい。従って、本実施形態のプロジェクター１では、液晶装置１００における各画素において、後述する画素電極と共通電極間に電圧が印加されない初期状態では、黒を表示するノーマリーブラック表示を行うものとする。もとより、画素電極と共通電極間に電圧が印加されない初期状態で白を表示するノーマリーホワイト表示を行うものとしても差し支えない。

次に、液晶装置１００について説明する。図２は、画像を表示する複数の画素Ｇを有する液晶装置１００の構成を模式的に示した説明図である。液晶装置１００は、基板１０と基板３０とが、図示しない液晶層（後述する）を封止状態で挟んで重ね合わされた構造を有している。なお、図２では、図面横方向を行方向、図面縦方向を列方向として図示している。従って画素Ｇは、それぞれ図面横方向（行方向）と図面縦方向（列方向）に配列形成されている。

基板１０は、その外周部分に、走査線駆動回路１２０とデータ線駆動回路１１０、および共通端子１３０とが、ガラスや石英あるいは樹脂などの透明基板上（図面表面側）に形成されたものである。走査線駆動回路１２０からは行方向に走査線１２１が、データ線駆動回路１１０からは列方向にデータ線１１１が、図２に示したようにそれぞれ出力配線されている。また、走査線１２１とデータ線１１１の交点付近には、各画素Ｇに対応して図示しない薄膜トランジスター（後述する）が形成されている。各薄膜トランジスターは、走査線１２１によって供給される電圧によってオン・オフが制御され、オン時において、データ線１１１によって供給される電圧が、画素電極（後述する）に印加されるように構成されている。

共通端子１３０は、各画素Ｇに跨って形成された共通電極１３１と電気的に接続され、共通電極１３１に対して共通な電圧（例えば接地電位）を供給する。従って、各画素Ｇにおいて、薄膜トランジスターのオンによってデータ線１１１から供給される電圧と、共通電極１３１によって供給される電圧（本実施形態では接地電位の電圧）との差分電圧が、画素Ｇに対応する液晶層に印加されるように構成されている。

基板３０は、画素Ｇに対応する領域部分を開口領域（光透過領域）とし、その他の領域部分が遮光領域となるように金属膜などの所定の遮光層が、ガラスや石英または樹脂などの透明基板上（図面裏側）に形成されたものである。従って、画素Ｇの領域間においては、行方向および列方向にはそれぞれ遮光領域ＢＭが形成される。すなわち、遮光領域ＢＭは、基板３０を基板１０に重ね合わせたとき、画素Ｇを区画形成するとともに、アルミニウムなど光透過性を有しない金属材料で形成されたデータ線１１１、走査線１２１と、薄膜トランジスターとを平面的に覆うように形成されている。

次に、本実施形態における液晶装置１００において、各画素Ｇに対応して配置形成された画素電極と、各画素Ｇに跨って形成された共通電極１３１の様子を、図３および図４を用いて説明する。図３は、図２において液晶装置１００の左上部分に例示した４つの画素Ｇについて、各画素Ｇに形成された配線の様子を示した模式平面図であり、液晶装置１００を、基板３０側から、基板３０を透視状態で見た状態で示している。また、図４は、図３においてＢ−Ｂ線に沿った液晶装置１００の部分断面を示す模式図である。なお、本実施形態の液晶装置１００が備える共通電極１３１の形状（後述の第１実施例、第２実施例、および第３実施例）が奏する効果に対する理解を容易にするために、図３および図４における共通電極１３１の形状は従来の形状で図示している。

基板１０には、図３に示したように、データ線１１１が列方向に、走査線１２１が行方向に、それぞれ形成されている。そして、この両配線の交点付近には、薄膜トランジスター（以降、単に「トランジスター」）２０が形成されている。すなわち、データ線１１１の配線が延伸して形成されたソース電極２０ｓと、チャネル領域が形成された半導体層２０ａと、走査線１２１が兼ねるゲート電極２０ｇと、ドレイン電極２０ｄと、からなるトランジスター２０が形成されている。そして、ドレイン電極２０ｄは、コンタクトホールＣＨ１を介して、画素電極１１と電気的に接続されている。従って、走査線１２１すなわちゲート電極２０ｇに供給される電圧によって、トランジスター２０がオンすると、データ線１１１に供給された電圧が、ドレイン電極２０ｄを介して画素電極１１に印加されるように構成されている。

画素電極１１は各画素Ｇに対応して配置され、本実施形態では各辺が行方向および列方向に沿った矩形形状を有して形成されている。そして、画素電極１１との間に絶縁層を挟んで形成され、複数の画素Ｇに跨って配置された共通電極１３１は、各画素電極１１の領域に対して、長手方向が互いに平行な複数のスリット状開口部ＳＬが平面的に重なるように設けられている。

本実施形態のプロジェクター１では、前述するように液晶装置１００に入射する照射光の偏光方向を、矩形形状を呈する投射画面の一辺と沿う方向としている。従って、各画素Ｇに対して配置された画素電極１１のそれぞれに対して、長手方向が画素Ｇの配列方向、例えばデータ線１１１の延在方向（すなわち列方向）に対して時計方向にα度傾いた方向であり、互いに略平行な４つのスリット状開口部ＳＬが設けられている。この結果、共通電極１３１には、設けられたスリット状開口部ＳＬによって、隣接する２つの画素Ｇ間に１本の帯状の共通電極（以降、単に「帯状電極」）１３ｇが、また画素Ｇの領域内に３本の帯状の共通電極（以降、単に「帯状電極」）１３が、それぞれ形成される。

なお、以降の説明の都合上、各画素電極１１の領域に対して設けられた４つのスリット状開口部ＳＬのうち最も外側、つまり帯状電極１３ｇの両側に位置するスリット状開口部ＳＬをスリット状開口部ＳＬ２と表記し、他のスリット状開口部ＳＬをスリット状開口部ＳＬ１と表記する。もとより、これらを区別しない場合はスリット状開口部ＳＬと呼称することとする。

このように、本実施形態では、液晶分子の初期配向は、データ線１１１の延在方向つまり列方向であることから、液晶分子が本来の回転方向と逆の方向に回転するリバースツイストを抑制するために、スリット状開口部ＳＬは、列方向に対してα度（例えば５度〜２０度程度）時計方向（図３では右回転方向）に傾いた方向で形成されている。もとより、初期配向は、α度（例えば５度〜２０度）反時計方向（図３では左回転方向）に傾いて形成されるものとしてもよい。また、スリット状開口部ＳＬは、画素電極１１のそれぞれの領域に対して３つ以上形成されていればよい。

このようにスリット状開口部ＳＬが設けられることによって共通電極１３１に形成された帯状電極１３，１３ｇと、画素電極１１との間に、データ線１１１からの電圧が印加されることによって、液晶層に対して基板１０に沿う方向の横電界が発生する。この結果、前述したようにＦＦＳ方式による液晶分子の配向制御が各画素Ｇにおいて行われる。なお、画素電極１１および共通電極１３１は、導電性を有する透光性の材料（例えばＩＴＯ）で形成されている。もとより、画素Ｇを透過する照射光の光量減少が実用上影響しない場合は、画素電極１１あるいは共通電極１３１は金属材料（アルミニウムなど）で形成されることとしてもよい。

次に、液晶装置１００の断面構成について、図４を用いて説明する。図４は、図３におけるＢ−Ｂ線に沿った断面を示した模式図である。図示するように、液晶装置１００は、基板１０と基板３０とによって液晶層４０を挟持した構成を有している。そして基板３０の液晶層４０と反対側には偏光板４４が、また基板１０の液晶層４０と反対側には偏光板４５が、それぞれ所定の偏光軸方向を呈するように貼り付けられている。なお、本実施形態では、液晶層４０は、分極方向が配向方向と同方向であるポジ型の液晶分子によって形成されているものとする。もとより、分極方向が配向方向と直交しているネガ型の液晶分子によって形成されていることとしてもよい。

基板３０は、平板としての基材３１に対して、液晶層４０側の基板面に、遮光領域ＢＭを形成する遮光層３２、配向膜３９が順次形成されたものである。遮光層３２は金属膜（例えばクロム）や樹脂からなる。配向膜３９は、例えばポリイミド樹脂からなり、遮光領域ＢＭおよび画素Ｇの領域を覆うように形成されている。なお、基板３０において、配向膜３９と遮光層３２との間に、配向膜３９を平坦化するための平坦化層やオーバーコート層が形成されることとしてもよい。また、基板３０において、基材３１と配向膜３９との間に、少なくとも画素Ｇの領域に相当する光透過領域に、所定の色を透過するカラーフィルター層が形成されることとしてもよい。

基板１０は、平板としての基材１４に対して、液晶層４０側の基板面に、走査線１２１（ゲート電極２０ｇ）と、ゲート絶縁層１５、半導体層２０ａ、データ線１１１（ソース電極２０ｓ）とドレイン電極２０ｄ、層間絶縁層１６、平坦化層１７、画素電極１１、絶縁層１８、共通電極１３１、配向膜１９が順次形成されたものである。

走査線１２１（ゲート電極２０ｇ）、データ線１１１（ソース電極２０ｓ）、およびドレイン電極２０ｄは、金属材料（例えばアルミニウム）によって形成されている。半導体層２０ａは、アモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体が用いられる。また、ゲート絶縁層１５は例えば酸化シリコンが、層間絶縁層１６は例えば酸化シリコンや窒化シリコンが、平坦化層１７は樹脂材料が、絶縁層１８は例えば酸化シリコンや窒化シリコンが、それぞれ用いられ、いずれも透光性を有する層として形成される。配向膜１９は、例えばポリイミド樹脂からなり、共通電極１３１の液晶層４０に接する側であって、少なくともすべての画素Ｇの領域を覆うように形成されている。

本実施形態では、液晶装置１００は前述するように、ノーマリーブラック表示を行うように構成されている。また、液晶層がポジ型の液晶分子で形成され、液晶分子の初期的な配向方向が列方向となるように、配向膜１９および配向膜３９がラビング処理などによって配向処理されている。また、配向膜３９および配向膜１９は、互いに液晶分子のプレチルト角が反対向きになるように反平行の状態に配向処理が施されている。

また、偏光板４４は初期的な配向方向に透過軸を呈し、偏光板４５は透過軸が偏光板４４の透過軸と直交する方向を呈するクロスニコル配置となるように貼り付けられている。もとより、基板３０に入射する照射光が、ほぼ液晶分子の初期配向の方向に振動する偏光光である場合は、照射光の入射側となる偏光板４４は無くても差し支えない。

さて、このように構成された液晶装置１００における画素電極１１と共通電極１３１（帯状電極１３，１３ｇ）の従来形状は、図４下部に拡大して示したように、それぞれの寸法で形成されている。すなわち、従来形状では、共通電極１３１に形成された帯状電極１３の幅と帯状電極１３ｇの幅とは、同じ寸法ｄ１である。また、スリット状開口部ＳＬ２の幅とスリット状開口部ＳＬ１の幅とは同じ寸法ｓ１である。従って、帯状電極１３，１３ｇの中心線間の距離はすべて同じ寸法ｐ１である。また、隣接する画素電極１１は、それぞれの画素電極１１の列方向に沿った端辺が、行方向に隣接する画素Ｇ間の中心線、つまり帯状電極１３ｇの中心線から、それぞれ寸法ｇ１離れるように形成されている。なお、画素電極１１の行方向に沿った端辺は、図３に示したように、共通電極１３１と平面的に重なるように形成されている。

このように帯状電極１３，１３ｇと画素電極１１とが従来形状で形成された画素Ｇの表示状態を、図５を用いて説明する。図５は、行方向において隣り合う２つの画素Ｇにおいて、一方（図面左側）を黒表示、他方（図面右側）を白表示とした場合における表示状態を示したものである。なお、図５（ａ）は、行方向に隣り合う画素Ｇ間の中心を基準（０）として、行方向の両側に位置する画素についての画素電極１１と共通電極１３１とを、それぞれ半画素分図示した模式図である。また、図５（ｂ）は、それぞれの画素Ｇが黒表示および白表示を行ったときの表示状態を示した説明図である。

本実施形態の液晶装置１００では、図５（ａ）に示したように、黒表示を行う画素Ｇに対応する画素電極１１には電圧「０Ｖ」が、白表示を行う画素Ｇに対応する画素電極１１には電圧「５Ｖ」が、また共通電極１３１には接地電圧「０Ｖ」がそれぞれ印加される。また、従来形状の具体的な寸法として、ｄ１＝１μｍ、ｓ１＝１．５μｍ、ｐ１＝２．５μｍ、ｇ１＝１．０μｍとした場合を示している。なお、遮光領域ＢＭの幅は２μｍであり、従って画素Ｇの領域は８×８μｍ、画素ピッチは行列方向ともに１０μｍである。

このような寸法を有する従来形状では、図５（ｂ）に示したように、黒表示を行う画素Ｇにおいて、白表示を行う画素に近い領域Ｒ１において光抜け（黒浮き）が生じている。また、白表示を行う画素Ｇにおいて、横電界の発生状態が変化し、黒表示を行う画素Ｇに近い領域Ｒ２において液晶分子のリバースツイストに起因する配向不良領域（ドメイン）が生じている。このため透過率の低下を引き起こす状態となってしまう。

以上説明したように、帯状電極１３，１３ｇと画素電極１１とが従来形状で形成された画素Ｇの表示状態について、黒表示においては黒浮きが生じ、また白表示においては透過率の低下を引き起こす不具合が生じるため、表示品質の低下を招くことになる。

そこで、本実施形態における液晶装置１００は、このような画素Ｇの領域において黒浮きや、透過率低下を引き起こすリバースツイストの発生を抑制できるように、画素電極１１の形状、あるいは共通電極１３１における帯状電極１３，１３ｇ（つまりスリット状開口部ＳＬ）の形状を、従来の形状に対して変更するものである。以下、画素電極１１の形状変更、あるいはスリット状開口部ＳＬの形状変更について３つの実施例を挙げ、これらを、図６〜図１１を用いて順次説明する。

（第１実施例）
まず第１実施例について図を参照して説明する。図６は、本実施形態の液晶装置１００に設けられた画素Ｇにおいて、変更された本実施例の画素電極１１の形状を示す模式図である。なお、図６（ａ）は、行方向に配列された２つの隣接画素Ｇについて、従来のスリット状開口部ＳＬ１，ＳＬ２が形成された共通電極１３１と、形状変更された画素電極１１を平面的に示した模式図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）におけるＣ−Ｃ線に沿った断面を示した模式図であり、各スリット状開口部ＳＬ１，ＳＬ２によって形成された帯状電極１３，１３ｇと、画素電極１１との寸法関係を示した説明図である。

本実施例は、図６（ａ）に示すように、列方向に沿って形成された従来例の画素電極１１の端辺を、スリット状開口部ＳＬ２の長手方向に沿った方向に傾けるものである。こうすれば、画素電極１１の端辺と帯状電極１３ｇ（または帯状電極１３）との間で生ずる横電界の方向が、傾いた画素電極１１の端辺と直交する方向に揃うことから、凡そリバースツイストが生じにくい電界方向とすることができる。

このように電極の端辺が傾くように形状変更された画素電極１１は、図６（ｂ）に示したようにそれぞれの寸法で形成されている。すなわち、共通電極１３１に形成された帯状電極１３と帯状電極１３ｇの行方向の幅は、同じ寸法ｄ１である。また、スリット状開口部ＳＬ２の行方向の幅とスリット状開口部ＳＬ１の行方向の幅とは同じ寸法ｓ１である。従って、帯状電極１３，１３ｇの行方向の中心線間の距離はすべて同じ寸法ｐ１である。これに対して、スリット状開口部ＳＬ２の長手方向に沿って傾いているそれぞれの画素電極１１の端辺は、帯状電極１３ｇの中心から行方向にそれぞれ寸法ｇ２離れるように形成されている。

本実施例では、寸法ｇ２は、画素電極１１の端辺がスリット状開口部ＳＬ２内に平面的に位置するように設定されている。つまり、寸法ｇ２は、寸法ｄ１の１／２より大きく、寸法ｄ１の１／２と寸法ｓ１の合計よりも小さい範囲内の値を有する。ちなみに、図６（ａ）では、寸法ｇ２は、寸法ｄ１と寸法ｓ１の合計の１／２の値を有するように設定されている。もとより、隣接する画素Ｇ間において、実質的に表示が互いに影響を受けない状態であれば、寸法ｇ２は例えば寸法ｄ１の１／２よりも小さい値など、必ずしもこの範囲内の値を有する必要がないことはいうまでもない。なお、画素電極１１の行方向に沿った端辺は、図６（ａ）に示したように、共通電極１３１と平面的に重なるように形成されている。

このように画素電極１１が形成された画素Ｇの表示状態を、図７を用いて説明する。図７は、行方向において隣り合う２つの画素Ｇにおいて、一方（図面左側）を黒表示、他方（図面右側）を白表示とした場合における表示状態を示したものである。具体的には、図６（ａ）に示したように、行方向に隣り合う画素Ｇ間の中心を基準（０）として、行方向の両側に位置する画素における表示状態を、それぞれ半画素分（−Ｘμｍから＋Ｘμｍ）図示したものである。なお、図７（ａ）は、図６（ａ）におけるＣ−Ｃ断面に相当する位置における画素Ｇの透過率の状態を示した説明図であり、図７（ｂ）は、隣接する２つの画素Ｇの表示状態を示した説明図である。

ここで、本実施例では、画素電極１１の従来の形状（以降、「従来例」とも呼ぶ）との比較のため、具体的な寸法として、ｄ１＝１μｍ、ｓ１＝１．５μｍ、ｐ１＝２．５μｍ、ｇ２＝１．２５μｍとした場合を示している。もとより、遮光領域ＢＭの幅は２μｍであり、画素Ｇの領域は８×８μｍ、画素ピッチは行列方向ともに１０μｍである。また、黒表示を行う画素Ｇ（図面左側）に対応する画素電極１１には電圧「０Ｖ」が、白表示を行う画素Ｇ（図面右側）に対応する画素電極１１には電圧「５Ｖ」が、また共通電極１３１には接地電圧「０Ｖ」がそれぞれ印加される。

第１実施例の画素電極１１の形状によれば、図７（ａ）に示したように、従来例に対して黒表示の画素Ｇにおける透過率が画素領域の端部において低下している。つまり、隣接する白表示の画素Ｇにおける液晶分子の配向制御に対する電界（横電界）の黒表示画素への影響が抑制され、光抜けが抑制されていることがわかる。一方、白表示の画素Ｇにおける透過率は画素領域の端部において従来例より上昇している。従って、画素全体の白透過率は従来例よりも改善されていることがわかる。この結果、図７（ｂ）に示したように、画素Ｇの領域全体での表示状態では、従来例において黒を表示する画素Ｇに生じた領域Ｒ１（図５（ｂ）参照）における光抜け（黒浮き）が抑制されるとともに、白を表示する画素Ｇに生じた領域Ｒ２における透過率の低下が抑制される。

なお、本実施例では、画素電極１１の端辺をスリット状開口部ＳＬ２の長手方向に沿った方向に傾ける場合において、この長手方向に沿った方向は、必ずしも同一方向を意味するものでないことは勿論である。画素電極１１やスリット状開口部ＳＬ２の製造上のバラツキなどに応じて生ずる傾き角の差異（例えば±２度など）を含んだ方向である。

以上説明したように、本実施例によれば、共通電極に設けられたスリット状開口部ＳＬの長手方向と、画素電極１１の端辺とが、凡そ同じ方向となることから、画素電極１１の端辺において発生する電界方向を、リバースツイストが生じにくい電界方向とすることができる。この結果、高精細化された液晶装置において、隣接する画素電極の影響によるリバースツイストの発生が抑制されるので、画素毎に液晶分子の配向を正しく制御することができる。

（第２実施例）
次に第２実施例について図を参照して説明する。図８は、本実施形態の液晶装置１００に設けられた画素Ｇにおいて、変更形成された本実施例の画素電極１１と共通電極１３１の形状を示す模式図である。なお、図８（ａ）は、行方向に配列された２つの隣接画素Ｇについて、画素電極１１と共通電極１３１に形成されたスリット状開口部ＳＬ１，ＳＬ２を平面的に示した模式図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）におけるＤ−Ｄ線に沿った断面を示した模式図であり、各スリット状開口部ＳＬ１，ＳＬ２によって形成された共通電極１３１の帯状電極１３，１３ｇと、画素電極１１との配置上の寸法関係を示した説明図である。

図８に示すように、本実施例は、上記第１実施例において行った画素電極１１の端辺を傾ける変更に加えて、スリット状開口部ＳＬ２の開口幅を狭くする変更、また画素電極１１間の距離を広げる変更を行う。すなわち、帯状電極１３ｇの幅を、寸法ｄ１に対して大きな寸法ｄ２に広げる。このとき、帯状電極１３ｇと帯状電極１３の中心線間の距離ｐ１は変更せず、隣り合う画素Ｇ間に形成された帯状電極１３ｇの幅を、寸法ｄ１に対して大きな寸法ｄ２にすることによって広げるようにしたものである。

同時に、帯状電極１３ｇの中心線から画素電極１１の端辺までの距離を寸法ｇ３にすることによって、画素電極１１の端辺が、スリット状開口部ＳＬ２の開口内に平面的に位置するように変更する。従って、寸法ｇ３は、寸法ｄ２の１／２より大きく、寸法ｄ２の１／２と寸法ｓ２の合計よりも小さい範囲内の値を有する。ちなみに、図８（ａ）では、寸法ｇ３が、寸法ｄ２と寸法ｓ２との合計の１／２の値を有する状態で図示している。

このように帯状電極１３ｇが変更形成され、スリット状開口部ＳＬ２の開口幅が狭くなるとともに、画素電極１１の端辺がスリット状開口部ＳＬ２内に位置する画素Ｇの表示状態を、図９に示した。図９は、図８（ａ）に示したように、行方向に隣り合う画素Ｇ間の中心を基準（０）として、行方向の両側に位置する画素における表示状態を、それぞれ半画素分（−Ｘμｍから＋Ｘμｍ）図示したものである。なお、図９（ａ）は、図８（ａ）におけるＤ−Ｄ断面に相当する位置における画素Ｇの透過率の状態を示した説明図であり、図９（ｂ）は、隣接する２つの画素Ｇの表示状態を示した説明図である。

ここで、図９では、スリット状開口部ＳＬの従来の形状（従来例とも呼ぶ）との比較のため、具体的な寸法として、ｄ２＝２．０μｍ、ｓ２＝１．０μｍ、ｐ１＝２．５μｍ、ｇ３＝１．５μｍとした場合を示している。もとより、遮光領域ＢＭの幅は２μｍであり、画素Ｇの領域は８×８μｍ、画素ピッチは行列方向ともに１０μｍである。また、黒表示を行う画素Ｇ（図面左側）に対応する画素電極１１には電圧「０Ｖ」が、白表示を行う画素Ｇ（図面右側）に対応する画素電極１１には電圧「５Ｖ」が、また共通電極１３１には接地電圧「０Ｖ」がそれぞれ印加される。

第２実施例の共通電極１３１の形状によれば、図９（ａ）に示したように、従来例に対して黒表示の画素Ｇにおける透過率が画素領域の端部において大きく低下している。つまり、隣接する白表示の画素Ｇにおける液晶分子の配向制御に対する電界（横電界）の黒表示画素への影響が抑制され、光抜けが相当に抑制されていることがわかる。一方、白表示の画素Ｇにおける透過率は画素領域の端部において従来例より上昇している。従って、画素全体の白透過率は従来例よりも改善されていることがわかる。この結果、図９（ｂ）に示したように、画素Ｇの領域全体での表示状態では、従来例において黒を表示する画素Ｇに生じた領域Ｒ１（図５（ｂ）参照）における光抜け（黒浮き）が抑制されるとともに、白を表示する画素Ｇに生じた領域Ｒ２における透過率の低下が抑制される。

以上説明したように、本実施例によれば、隣接する画素電極１１に最も近い位置に設けられたスリット状開口部ＳＬ２の幅を狭くすることによって、帯状電極１３ｇと画素電極１１との間に印加された電圧によって発生する電界が、隣接する画素Ｇにおける液晶分子の配向制御に対して及ぼす影響を抑制することができる。したがって、画素毎に液晶分子の配向を正しく制御することができるので、光抜けの発生が抑制され、表示品質の良い液晶装置が得られるのである。

また、上記第２実施例によれば、スリット状開口部ＳＬ２の開口幅を寸法ｓ１よりも小さい寸法ｓ２とするとき、帯状電極１３ｇと帯状電極１３の中心線間の距離は変更せず、帯状電極１３ｇの幅を、寸法ｄ１に対して大きな寸法ｄ２に広げた。こうすれば、画素Ｇの配列ピッチは変化しないので、画素密度を低くすることなく画素密度が同じ状態で、共通電極と画素電極との間に発生する電界が隣接する画素電極に対して及ぼす影響を抑制することができるという効果を奏する。

また、隣り合う画素電極間に形成される帯状電極１３ｇの幅を広くするので、共通電極１３１と画素電極１１との間に発生する電界が、隣接する画素Ｇにおける液晶分子の配向制御に対して及ぼす影響をさらに抑制することができるという効果を奏する。

（第３実施例）
つぎに第３実施例について図を参照して説明する。図１０は、行方向に配列された２つの隣接画素Ｇについて、上記第２実施例において形成された共通電極１３１と、形状変更された本実施例の画素電極１１を平面的に示した模式図である。

本実施例は、図１０に示すように、上記第２実施例において変更形成された共通電極１３１に対して、スリット状開口部ＳＬ２の長手方向の傾きよりもさらに大きく傾いた端辺１１ｔを有する画素電極１１を配置したものである。こうすることによって、画素電極１１の端辺と帯状電極１３ｇ（または帯状電極１３）との間で生ずる横電界の方向が、リバースツイストが生じにくい電界方向へさらに傾いて揃うことから、隣接する画素電極１１に最も近い位置における電界の発生方向を、リバースツイストが発生を抑制する方向に制御することができる。したがって、共通電極１３１と画素電極１１との間に印加された電圧によって発生する電界が、隣接する画素電極１１に対して及ぼす影響を抑制することができるので、画素毎に液晶分子の配向を正しく制御することが期待できるのである。

なお、このとき、画素電極１１の端辺１１ｔを、図示するように、共通電極１３１に形成されたスリット状開口部ＳＬ２内であって、スリット状開口部ＳＬ２の長手方向に沿う開口辺１３ｔと交差しないように形成することが好ましい。こうすることで、スリット状開口部ＳＬ２において、画素電極１１の端辺と帯状電極１３ｇとの間で発生する電界を、液晶分子のリバースツイストがさらに生じ難い方向とすることができる。この結果、画素毎に液晶分子の配向を正しく制御できる確率を高くすることができる。

このように画素電極１１が形成された画素Ｇの表示状態を、図１１を用いて説明する。図１１は、行方向において隣り合う２つの画素Ｇにおいて、一方（図面左側）を黒表示、他方（図面右側）を白表示とした場合における表示状態を示したものである。具体的には、図１０に示したように、行方向に隣り合う画素Ｇ間の中心を基準（０）として、行方向の両側に位置する画素における表示状態を、それぞれ半画素分（−Ｘμｍから＋Ｘμｍ）図示したものである。なお、図１１（ａ）は、画素Ｇの領域の列方向の略中心位置における行方向についての透過率の状態を示した説明図であり、図１１（ｂ）は、隣接する２つの画素Ｇの表示状態を示した説明図である。

ここで、本実施例では、画素電極１１の従来の形状（以降、従来例とも呼ぶ）との比較のため、遮光領域ＢＭの幅は２μｍであり、画素Ｇの領域は８×８μｍ、画素ピッチは行列方向ともに１０μｍである。また、黒表示を行う画素Ｇ（図面左側）に対応する画素電極１１には電圧「０Ｖ」が、白表示を行う画素Ｇ（図面右側）に対応する画素電極１１には電圧「５Ｖ」が、また共通電極１３１には接地電圧「０Ｖ」がそれぞれ印加される。なお、帯状電極１３，１３ｇ、およびスリット状開口部ＳＬ１，ＳＬ２の形状寸法は、上記第２実施例と同様であるので説明を省略する。また、画素電極１１の端辺は、図８（ｂ）に示した寸法ｇ３の値が、列方向において、寸法ｄ２の１／２から、寸法ｄ２の１／２と寸法ｓ２との合計までの範囲において連続変化する値をとるように形成されている。ちなみに、本実施例では、具体的な寸法として、寸法ｇ３は、ｄ２＝２．０μｍ、ｓ２＝１．０μｍであるので、１μｍから１．５μｍまで連続して変化する場合を示している。

図１１（ａ）に示したように、第３実施例の画素電極１１の形状によれば、従来例に対する黒表示の画素Ｇにおける透過率が、画素Ｇの端部領域Ｒ１において上記第２実施例よりも低下している。つまり、隣接する白表示の画素Ｇにおける液晶分子の配向制御に対する電界（横電界）の黒表示画素への影響が一層抑制され、光抜けが抑制されていることがわかる。一方、白表示の画素Ｇにおける透過率は、画素Ｇの領域内において従来例と同等もしくは若干下がっている。この結果、図１１（ｂ）に示したように、画素Ｇの領域全体での表示状態では、白を表示する画素Ｇに生じた領域Ｒ２における透過率のさらなる低下抑制は期待できないものの、従来例において黒を表示する画素Ｇに生じた領域Ｒ１における光抜け（黒浮き）がさらに抑制される。

以上説明したように、本実施例によれば、隣接する画素電極に最も近い位置における電界の発生方向を、リバースツイストの発生を抑制する方向にさらに制御することができる。したがって、共通電極と画素電極との間に印加された電圧によって発生する電界が、隣接する画素電極に対して及ぼす影響を抑制することができる。したがって、画素毎に液晶分子の配向を正しく制御することができる。

以上、本発明の実施の形態について実施例により説明したが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下、変形例をあげて説明する。

（第１変形例）
上記第２実施例あるいは上記第３実施例では、スリット状開口部ＳＬ２の幅を寸法ｓ１よりも小さい寸法ｓ２とするとき、帯状電極１３ｇと帯状電極１３の中心線間の距離を変更しないこととしたが、必ずしもこれに限るものでなく変更することとしてもよい。液晶装置１００において許容される画素密度に応じて、帯状電極１３ｇの中心線と隣に位置する帯状電極１３の中心線との間の距離を、近くしたり遠くしたりしてもよい。

本変形例の一例として、帯状電極１３ｇと隣に位置する帯状電極１３の中心線間の距離を、遠くした場合について、図１２を用いて説明する。図１２は、上記第２実施例において、本変形例を適用した共通電極１３１および画素電極１１の形状を示す模式図である。図１２（ａ）は、行方向に配列された２つの隣接画素Ｇについて、共通電極１３１に形成されたスリット状開口部ＳＬ１，ＳＬ２を平面的に示した模式図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）におけるＥ−Ｅ線に沿った断面を示した模式図であり、各スリット状開口部ＳＬ１，ＳＬ２によって形成された帯状電極１３，１３ｇと、画素電極１１の寸法関係を示した説明図である。

図１２に示すように、本変形例は、スリット状開口部ＳＬ２の開口幅を寸法ｓ１よりも小さい寸法ｓ２とするとともに、帯状電極１３ｇと帯状電極１３の中心線間の距離を寸法ｐ１よりも大きい寸法ｐ２に変更する。合わせて、帯状電極１３ｇの中心線つまり隣接する画素Ｇの中間線から画素電極１１の端辺までの距離を、寸法ｇ３に対して大きな寸法ｇ４にするのである。

本変形例によれば、上記実施例に対して画素Ｇの配列ピッチは広がって行方向における画素密度は減少するものの、隣り合う画素電極間に形成される帯状電極１３ｇの幅が、寸法ｄ２より大きい寸法ｄ３となって広くなる。従って、例えば帯状電極１３ｇと画素電極１１との間に発生する電界が、隣接する画素Ｇの領域から離れるために、隣接する画素Ｇにおける液晶分子の配向制御に対して及ぼす影響を抑制することができるという効果が期待できる。

逆に、本変形例の他例として、帯状電極１３ｇと隣に位置する帯状電極１３の中心線間の距離を短くした場合について、同じく図１２を用いて説明する。この場合は、図１２において、スリット状開口部ＳＬ２の開口幅を寸法ｓ１よりも小さい寸法ｓ２とするとともに、帯状電極１３ｇと帯状電極１３の中心線間の距離を寸法ｐ１よりも小さい寸法ｐ２に変更する。こうすることによって、上記実施例に対して画素Ｇの配列ピッチは行方向において狭くなるため、画素密度を増加させることができる。同時に、上記実施例と同様、スリット状開口部ＳＬ２の開口幅を狭くすることによって、隣接する画素Ｇにおける液晶分子の配向制御に対して及ぼす影響を抑制することができるという効果が期待できる。なお、このとき、隣接する画素Ｇ間において液晶分子の配向制御に対する影響が実用上問題ない範囲において可能な限り寸法ｐ２を小さくすることが好ましい。従って、帯状電極１３ｇの中心線つまり隣接する画素Ｇの中間線から画素電極１１の端辺までの距離が、寸法ｇ３に対して小さい寸法ｇ３になる場合も存在する。

（第２変形例）
上記実施例では、共通電極１３１に形成された複数のスリット状開口部ＳＬは、画素Ｇに対応して配置形成された画素電極１１毎に形成されることとしたが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、隣り合う画素Ｇ間で互いに開口部が連結するように、スリット状開口部ＳＬが形成されることとしてもよい。この一例を図１３に示す。図１３は、上記実施例における図３に相当する図で、４つの画素Ｇに跨って形成された共通電極１３１に設けられたスリット状開口部ＳＬを示した平面図である。

図示するように、本変形例は、各画素電極１１に対応して形成されたスリット状開口部ＳＬが、列方向において連結するように、スリット状開口部ＳＬを共通電極１３１に形成する。本変形例においても、それぞれの画素Ｇにおいては、上記実施例と同様に帯状電極１３，１３ｇが形成されるので、上記実施例において説明したスリット状開口部ＳＬの形状変更あるいは画素電極１１の形状変更による効果を、同等に奏するものである。

本変形例では、各画素Ｇに形成されたスリット状開口部ＳＬの長手方向の傾きが、列方向に配列する画素Ｇ間で、互いに反対側（図面では、時計方向と反時計方向）に傾くように形成されている。こうすれば、スリット状開口部ＳＬが必然的に互いに連結するように形成できるので、スリット状開口部ＳＬの形成が容易となる。また、白表示を行うときの液晶分子の回転方向が画素Ｇ間で反対方向となるので、広い視野角を得ることもできる。

（第３変形例）
また、上記実施例では、共通電極１３１には、長手方向がデータ線の延在方向つまり列方向に対してα度傾いたスリット状開口部ＳＬが形成されることとして説明したが、必ずしもこれに限らず、長手方向が走査線の延在方向つまり行方向に対してα度傾いたスリット状開口部ＳＬが形成されることとしてもよい。長手方向が行方向に対して傾く場合であっても、例えば上述したスリット状開口部ＳＬ２を狭くすることによって得られる効果は同じであるなど、上記実施例において説明したスリット状開口部ＳＬの形状変更あるいは画素電極１１の形状変更による効果は同じである。

（第４変形例）
また、上記第３実施例では、上記第２実施例において画素電極１１の端辺をスリット状開口部ＳＬの長手方向の傾きよりも大きく傾けるものとして説明したが、これに限るものでなく、上記第１実施例において、画素電極１１の端辺をスリット状開口部ＳＬの長手方向の傾きよりも大きく傾けるものとしてもよい。スリット状開口部ＳＬ２の幅を狭くしない場合、また画素電極１１間の距離を広げない場合であっても、上記第１実施例において説明した画素電極１１の端辺の傾きをスリット状開口部ＳＬの長手方向の傾きよりも大きく傾かせることによる効果は同等に得られる。

（第５変形例）
また、上記実施例では、液晶装置１００を、プロジェクター１において光変調素子として用いることとして説明したが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、液晶装置１００を直視型の表示装置として用いることとしてもよい。この場合は、液晶装置１００の裏面に蛍光管など光源を用いたバックライトを一体化して形成することが好ましい。このような液晶装置１００は、上述するように表示品質の低下が抑制された画像を表示できることから、この液晶装置１００をテレビやデジタルスチルーカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話、コンピューターなどの電子機器に直視型の表示装置として備えることとしてもよい。こうすれば、表示品質の良い画像を提供する電子機器が実現できる。

１…プロジェクター、１０…基板、１１…画素電極、１１ｔ…端辺、１３，１３ｇ…帯状電極、１３ｔ…開口辺、１４…基材、１５…ゲート絶縁層、１６…層間絶縁層、１７…平坦化層、１８…絶縁層、１９…配向膜、２０…トランジスター、２０ａ…半導体層、２０ｄ…ドレイン電極、２０ｇ…ゲート電極、２０ｓ…ソース電極、３０…基板、３１…基材、３２…遮光層、３９…配向膜、４０…液晶層、４４…偏光板、４５…偏光板、１００…液晶装置、１０１…光源、１０２…偏光ビームスプリッター、１０３…投射レンズ、１１０…データ線駆動回路、１１１…データ線、１２０…走査線駆動回路、１２１…走査線、１３０…共通端子、１３１…共通電極、ＳＬ１，ＳＬ２…スリット状開口部。

Claims (6)

1. 一の方向に配列された複数の画素と、
   前記複数の画素の各々に対応して配置された画素電極と、
   前記画素電極との間に絶縁層を挟んで形成され、長手方向が互いにほぼ平行な複数のスリット状開口部が前記画素電極と平面的に重なるように設けられた共通電極とを備え、
   前記複数のスリット状開口部の各々の長手方向は、前記一の方向に対して傾いており、
   前記画素電極は、前記一の方向に対して、前記複数のスリット状開口部の各々の長手方向が傾いている方向と同じ方向に傾くと共に、前記複数のスリット状開口部の各々の長手方向の傾き角度よりも大きな角度で傾く端辺を有し、当該画素電極の端辺が、前記複数のスリット状開口部のうち、最も外側に位置するスリット状開口部内に位置するように配置されていることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置であって、
   前記画素電極の端辺は、前記最も外側に位置するスリット状開口部の長手方向に沿う開口辺と交差しないように形成されていることを特徴とする液晶装置。
3. 一の方向に配列された複数の画素と、
   前記複数の画素の各々に対応して配置された画素電極と、
   前記画素電極との間に絶縁層を挟んで形成され、長手方向が互いにほぼ平行な複数のスリット状開口部が前記画素電極と平面的に重なるように設けられた共通電極とを備え、
   前記複数のスリット状開口部の各々の長手方向は、前記一の方向に対して傾いており、
   前記画素電極は、前記一の方向に対して、前記複数のスリット状開口部の各々の長手方向が傾いている方向と同じ方向に傾いている端辺を有し、当該画素電極の端辺が、前記複数のスリット状開口部のうち、最も外側に位置するスリット状開口部内に位置するように配置されており、
   前記最も外側に位置するスリット状開口部の幅は、他の前記スリット状開口部の幅よりも狭いことを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記複数のスリット状開口部のうち、隣り合う前記画素電極にそれぞれ対応して設けられたスリット状開口部は、互いに長手方向が揃うように設けられ、
   前記スリット状開口部間に形成される各帯状の共通電極のうち、前記隣り合う画素電極の領域間において形成される前記帯状の共通電極の幅が、それぞれの前記画素電極の領域内において形成される前記帯状の共通電極の幅よりも広いことを特徴とする液晶装置。
5. 一の方向に配列された複数の画素と、
   前記複数の画素の各々に対応して配置された画素電極と、
   前記画素電極との間に絶縁層を挟んで形成され、長手方向が互いにほぼ平行な複数のスリット状開口部が前記画素電極と平面的に重なるように設けられた共通電極とを備え、
   前記複数のスリット状開口部の各々の長手方向は、前記一の方向に対して傾いており、
   前記画素電極は、前記一の方向に対して、前記複数のスリット状開口部の各々の長手方向が傾いている方向と同じ方向に傾いている端辺を有し、当該画素電極の端辺が、前記複数のスリット状開口部のうち、最も外側に位置するスリット状開口部内に位置するように配置されており、
   前記複数のスリット状開口部の各々の間に形成される帯状の共通電極の中心線間の距離が同じであることを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１ないし５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。

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